• Главная
  • Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Реферат: The sputter target includes a tantalum body having tantalum grains formed from consolidating tantalum powder and a sputter face. The sputter face has an atom transport direction for transporting tantalum atoms away from the sputter face for coating a substrate. The tantalum grains have at least a 40 percent (222) direction orientation ratio and less than a 15 percent (110) direction orientation ratio in an atom transport direction away from the sputter face for increasing sputtering uniformity, the tantalum body being free of (200)-(222) direction banding detectable by Electron Back-Scattering Diffraction and wherein the sputter target has a purity of at least 99.99 (%) percent.

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: US20040250924A1. Автор: Paul Gilman,Holger Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1735476A4. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-28.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: TW200533764A. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-16.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1427865A4. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1427865A1. Автор: Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: US20030089429A1. Автор: Paul Gilman,Holger Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: IL160890A. Автор: . Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: TWI224147B. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-21.

Method of producing a sputter target material

Номер патента: US20090238712A1. Автор: Keisuke Inoue,Shigeru Taniguchi,Tsuyoshi Fukui,Katsunori Iwasaki,Norio Uemura,Kazuya Saitoh. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09988710B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-06-05.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190039131A1. Автор: Shiono Ichiro,Zhang Shoubin,Umemoto Keita,IO Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD OF MANUFACTURING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190040524A1. Автор: Ueda Toshiaki,Yoshida Yuki,Mori Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Sintered Cu-Ga sputtering target and method for producing the target

Номер патента: CN102046836A. Автор: 高见英生,生泽正克,田村友哉. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-05-04.

Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same

Номер патента: IL277124B1. Автор: . Владелец: Global Advanced Metals USA Inc. Дата публикации: 2024-07-01.

Ruthenium-alloy sputtering target

Номер патента: US09732413B2. Автор: Kunihiro Oda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: US20180312961A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Yuya Mutsuda. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-11-01.

Tungsten sputtering target and method of making same

Номер патента: AT522305B1. Автор: Dasai Takafumi,Sogawa Shinji,Nakasumi Seiji. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2022-10-15.

Tungsten sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US11939661B2. Автор: Takafumi Dasai,Shinji Sogawa,Seiji Nakasumi. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Sputtering target and process for producing the same

Номер патента: WO2024217556A1. Автор: Scherer Thomas,Yi Sun,Yongyue CAI,Schmidt HENNRIK. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of making sputtering target and target produced

Номер патента: WO2008018967A2. Автор: Michael G. Launsbach,Tyrus W. Hansen. Владелец: Howmet Corporation. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of making sputtering target and target produced

Номер патента: EP2043800A2. Автор: Michael G. Launsbach,Tyrus W. Hansen. Владелец: Howmet Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Ferromagnetic Material Sputtering Target

Номер патента: US20200216945A1. Автор: Atsushi Sato. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20180066355A1. Автор: Ueda Toshiaki,Yoshida Yuki,Mori Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Sputtering target and method of manufacturing sputtering target

Номер патента: JP6677883B2. Автор: 慎司 加藤,加藤 慎司,張 守斌,守斌 張. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN111836914A. Автор: 村田周平,杉本圭次郎. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Sputtering target and powder for production thereof

Номер патента: TW200407442A. Автор: Atsushi Nakamura,Hideyuki Takahashi,Masataka Yahagi. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-16.

Ag-based alloy sputtering target

Номер патента: EP2031087B1. Автор: Hitoshi Matsuzaki,Naoki Okawa,Yuki Tauchi. Владелец: Sony Disc and Digital Solutions Inc. Дата публикации: 2012-06-06.

Method for making Ni-Si magnetron sputtering targets and targets made thereby

Номер патента: US20020144902A1. Автор: Eugene Ivanvov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of producing a silicom/aluminum sputtering target

Номер патента: WO2000038862A1. Автор: Joseph C. Runkle. Владелец: Ultraclad Corporation. Дата публикации: 2000-07-06.

Method of making sputtering target and target

Номер патента: WO2007030406A2. Автор: Michael G. Launsbach,Tyrus W. Hansen. Владелец: Howmet Corporation. Дата публикации: 2007-03-15.

Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD, AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP3412795A4. Автор: Yuki Yoshida,Satoru Mori,Toshiaki Ueda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2019-08-21.

Sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09607812B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Sputtering target and powder for producing sputtering target

Номер патента: MY197929A. Автор: Atsushi Sato,Masayoshi Shimizu,Yasuyuki Iwabuchi,Akira SHIMOJUKU. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG178737A1. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Multi-block sputtering target and associated methods and articles

Номер патента: US09922808B2. Автор: Mark E. Gaydos,Gary Alan Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Multi-block sputtering target and associated methods and articles

Номер патента: US09334562B2. Автор: Mark E. Gaydos,Gary Alan Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG144792A1. Автор: ZHANG Wenjun. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG178742A1. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Sputtering target for forming magnetic thin film

Номер патента: MY184033A. Автор: Yuto MORISHITA. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-03-17.

Fabrication of b/c/n/o/si doped sputtering targets

Номер патента: MY134322A. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-12-31.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: EP1942205A3. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2009-09-09.

Sputtering target and production method of the same

Номер патента: US20160079044A1. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Sputtering target

Номер патента: US20240043986A1. Автор: Hironobu Nakamura,Yu Suzuki,Tomohiro Maruko,Shohei OTOMO. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Sputtering target and production method of the same

Номер патента: US09934949B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Sputtering target

Номер патента: US20220195583A1. Автор: Masahiro Shoji,Yujiro Hayashi,Yuichi Kondo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Tungsten sintered compact sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09812301B2. Автор: Takeo Okabe,Kazumasa Ohashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: SG129345A1. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-02-26.

Single phase tungsten-titanium sputter targets and method of producing same

Номер патента: US5896553A. Автор: Chi-Fung Lo. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Cu-ga alloy sputtering target, and method for producing same

Номер патента: US20160208376A1. Автор: Satoru Mori,Yuuki Yoshida,Kouichi Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: SG136143A1. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: SG170754A1. Автор: Ziani Abdelouahab,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2011-05-30.

Sputtering target

Номер патента: MY174738A. Автор: Atsushi Sato. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Copper alloy sputtering target

Номер патента: US09518320B2. Автор: Toshio Sakamoto,Satoru Mori,Kiyoyuki Ookubo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming sputtering targets

Номер патента: US8197894B2. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Sputtering target and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240035146A1. Автор: Choongnyun Paul Kim,Gi Su Ham,Yoo Kyung JUNG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Sputtering target and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4249628A1. Автор: Choongnyun Paul Kim,Gi Su Ham,Yoo Kyung JUNG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-27.

Sputtering target including carbon-doped GST and method for fabricating electronic device using the same

Номер патента: US11968912B2. Автор: Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: MY142962A. Автор: Ziani Abdelouahab,Kunkel Bernd. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2011-01-31.

Ti-Nb alloy sputtering target and production method thereof

Номер патента: US11837449B2. Автор: Kunihiro Oda,Takayuki Asano. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Monolithic sputtering target assembly

Номер патента: WO2004009866A3. Автор: Christopher A Michaluk,Robert B Ford. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Cylindrical sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20160056025A1. Автор: Shinji Kato,Shoubin Zhang,Shozo Komiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Method to recover spent components of a sputter target

Номер патента: EP1549779A2. Автор: Robert B. Ford,Christopher A. Michaluk. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2005-07-06.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20200362451A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Sputtering target material and method for manufacturing same

Номер патента: EP4105353A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20180265963A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of diffusion-bond powder metallurgy sputtering target

Номер патента: EP2111478A2. Автор: Darryl Draper,Chi-Fung Lo. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-28.

High purity sulfur-doped copper sputtering target assembly and method for producing same

Номер патента: US20230260769A1. Автор: Eduardo Del-Rio Perez,Harrison Collin Whitt. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for reducing the oxygen and oxide content in cobalt to produce cobalt sputtering targets

Номер патента: US20040011442A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for Producing Sputtering Target Material for Ni-W Based Interlayer

Номер патента: US20090022614A1. Автор: Toshiyuki Sawada,Akihiko Yanagitani. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of making a tantalum sputter target and sputter targets made thereby

Номер патента: WO2016164269A1. Автор: Matthew Fisher,Alex Kuhn,Eugene Y. Ivanov. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2016-10-13.

Sputtering target and method of producing sputtering target

Номер патента: US20210172056A1. Автор: Xiaoli Lu,Akira Nakamura,Junichi Nitta,Miho SATOU. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Sputtering target and method of fabrication

Номер патента: EP1848552A2. Автор: Charles E. Wickersham, Jr.,P. Todd Alexander,Vladimir I. Levit. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Sputtering Target And Method Of Fabrication

Номер патента: US20110297536A1. Автор: Charles E. Wickersham, Jr.,P. Todd Alexander,Vladimir Levit. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of making a sputter target and sputter targets made thereby

Номер патента: KR101626286B1. Автор: 엠. 커크 홀콤,데이빗 비. 스마터스. Владелец: 토소우 에스엠디, 인크. Дата публикации: 2016-06-01.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: TWI564420B. Автор: 館野諭. Владелец: Jx金屬股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-01.

Tantalum sputtering target and production method therefor

Номер патента: US09859104B2. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Niobium sputtering target

Номер патента: US12020916B2. Автор: Yuki Yamada,Kotaro Nagatsu. Владелец: Jx Metals Corpo Tion. Дата публикации: 2024-06-25.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4012746A9. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-08-10.

Process for Production of Ge-Cr Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20070297932A1. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Ajima. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Ge-Cr Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20110036710A1. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Ajima. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4012746A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-06-15.

Ag alloy sputtering target, and ag alloy film

Номер патента: EP3922748A1. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Al-sc alloys and sputtering targets and processes for consolidating

Номер патента: WO2024220750A1. Автор: Qi Zeng,Jens Wagner,Katharine S. Gardinier,David Peter VANHEERDEN. Владелец: MATERION CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-24.

Nisi sputtering target with improved grain structure

Номер патента: WO2020260094A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2020-12-30.

Sputter target of a silver alloy, its use and glass substrate with thermal insulation layer

Номер патента: US20070259191A1. Автор: Martin Weigert,Christoph Simons. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-11-08.

Nisi sputtering target with improved grain structure

Номер патента: EP3757248A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2020-12-30.

Sputtering target, magnetic film and method for producing magnetic film

Номер патента: US20210172055A1. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Akira Shimojyuku. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Ultra-high purity nipt alloys and sputtering targets comprising same

Номер патента: SG149742A1. Автор: Shinhwa Li,David Long,Bernd Kunkel,Jun Hui,Carl Derrington. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Magneto-optical alloy sputter targets

Номер патента: CA2174433C. Автор: Daniel R. Marx. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 2004-07-20.

NiW(X) Sputtering Target with Improved Structure

Номер патента: US20210156023A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2021-05-27.

Copper-based alloy sputtering target and method for making the same

Номер патента: US20230082145A1. Автор: Tsung-Hsien Hsieh,Shou-Hsien Lin,Yu-An YE. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Niw(x) sputtering target with improved structure

Номер патента: EP3825427A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2021-05-26.

Methods of forming copper-containing sputtering targets

Номер патента: US20020112791A1. Автор: Janine Kardokus,Chi Wu,Christopher Parfeniuk,Jane Buehler. Владелец: Buehler Jane E.. Дата публикации: 2002-08-22.

Sputtering target for magnetic recording medium and method of producing the same

Номер патента: US5334267A. Автор: Hideo Murata,Akira Kawakami,Shigeru Taniguchi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Ferromagnetic sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: MY156201A. Автор: Ikeda Yuki,Takami Hideo. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-29.

Cobalt sputtering target

Номер патента: US11830711B2. Автор: Kunihiro Oda,Takayuki Asano. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Sputtering target, magnetic film and method for producing magnetic film

Номер патента: US11821076B2. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Akira Shimojyuku. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Gold sputtering target

Номер патента: US11817299B2. Автор: Tetsuya Kato,Chiharu Ishikura,Yohei Mizuno. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-11-14.

Sputtering target for forming magnetic recording film and method for producing same

Номер патента: MY191633A. Автор: Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2022-07-04.

Sputtering target for forming magnetic recording film and method for producing same

Номер патента: MY177997A. Автор: Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Stably dischargeable sputtering target

Номер патента: MY187017A. Автор: Shin-Ichi Ogino,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Sputtering target material

Номер патента: US20110139615A1. Автор: Noriyuki Tatsumi,Kouichi Isaka,Masami Odakura,Tatsuya Tonogi,Katsutoshi Honya. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Nisi Sputtering Target With Improved Grain Structure

Номер патента: MY195195A. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: Materion Advanced Mat Germany Gmbh. Дата публикации: 2023-01-11.

Highly purified titanium material and its named article, a sputtering target

Номер патента: US5204057A. Автор: Noriaki Yagi,Takashi Ishigami,Mituo Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Nickel-titanium sputter target alloy

Номер патента: EP1390552A1. Автор: Thomas J. Hunt,Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Tantalum sputtering target

Номер патента: US20070023281A1. Автор: Kunihiro Oda. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: EP4386108A1. Автор: Yusuke Sato,Shuhei Murata,Masaya Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Sputtering target and manufacturing method therefor

Номер патента: US09704695B2. Автор: Kenichi Nagata,Atsushi Fukushima,Nobuhito Makino,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target

Номер патента: US20240026525A1. Автор: Yusuke Sato,Shuhei Murata,Masaya Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Sputtering target for forming protective film, and laminated wiring film

Номер патента: US10538059B2. Автор: Satoru Mori,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Sputter target and method for producing a sputter target

Номер патента: US20190368029A1. Автор: Peter Polcik,Helmut Riedl,Szilard KOLOZSVARI,Paul Mayrhofer. Владелец: Plansee Composite Materials GmbH. Дата публикации: 2019-12-05.

Sputter target and method for producing a sputter target

Номер патента: US11767587B2. Автор: Peter Polcik,Helmut Riedl,Szilard KOLOZSVARI,Paul Mayrhofer. Владелец: Plansee Composite Materials GmbH. Дата публикации: 2023-09-26.

Sputtering target and powder for producing sputtering target

Номер патента: SG11202102759VA. Автор: Atsushi Sato,Masayoshi Shimizu,Yasuyuki Iwabuchi,Akira SHIMOJUKU. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR Cu-Ga SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170236695A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Kensuke IO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-08-17.

SPUTTER TARGET AND METHOD FOR PRODUCING A SPUTTER TARGET

Номер патента: US20190368029A1. Автор: POLCIK PETER,Kolozsvari Szilard,MAYRHOFER PAUL,RIEDL HELMUT. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Cu-Ga sputtering target and method for producing Cu-Ga sputtering target

Номер патента: JP5973041B2. Автор: 啓太 梅本,張 守斌,守斌 張,謙介 井尾. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-08-17.

Cu-Ga sputtering target and method of producing Cu-Ga sputtering target

Номер патента: TW201621056A. Автор: 梅本啓太,張守斌,井尾謙介. Владелец: 太陽能邊陲股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-16.

Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR Cu-Ga SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP3187619A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Kensuke IO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-07-05.

Sputtering target with reduced particle generation and method for producing the sputtering target

Номер патента: CN102666912A. Автор: 小出启. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target

Номер патента: SG181632A1. Автор: Kei Koide. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-30.

Sb-Te base alloy sintered sputtering target

Номер патента: TW200619404A. Автор: Hideyuki Takahashi. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

Extended life sputter target

Номер патента: SG149008A1. Автор: Thomas J Hunt,Rene Perrot,Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Ytterbium Sputtering Target and Method of Producing said Target

Номер патента: US20100044223A1. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Extended life sputter target

Номер патента: WO2005026406A1. Автор: Thomas J. Hunt,Rene Perrot,Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair S. T. Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-03-24.

Large-grain tin sputtering target

Номер патента: US20210050194A1. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Marc D. Ruggiero,Patrick K. Underwood,Susan D. Strothers. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Textured-metastable aluminum alloy sputter targets and method of manufacture

Номер патента: US20030089430A1. Автор: Andrew Perry,Paul Gilman,Jaak Van den Sype. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Methods for surface preparation of sputtering target

Номер патента: US20160333461A1. Автор: Longzhou Ma,Xingbo Yang,Matthew J. KOMERTZ,Arthur V. TESTANERO,Dejan Stojakovic. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Magnetic material sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20160237552A1. Автор: Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US11731230B2. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Sputtering target

Номер патента: US10480061B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Sputtering target

Номер патента: US20180327896A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Ta sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US8580053B2. Автор: Manabu Ito,Motonori Sato,Tadashi Masuda,Poong Kim. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Sputtering target for forming phase-change film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100108499A1. Автор: Kei Kinoshita,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Sputtering targets and method of making same

Номер патента: WO2001044536A3. Автор: Stephane Ferrasse,Vladimir Segal,William B Willett. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Sputtering target and method for production thereof

Номер патента: US09922807B2. Автор: Yousuke Endo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby

Номер патента: US5230459A. Автор: John J. Mueller,David E. Stellrecht. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1993-07-27.

Sputtering target

Номер патента: US11821077B2. Автор: Constantin Virgil SOLOMON,Christopher Yaw BANSAH,Tom Nelson Oder. Владелец: Youngstown State University. Дата публикации: 2023-11-21.

Sputtering target and method for making the same

Номер патента: US20160326633A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Sputtering target and method for making the same

Номер патента: US10077496B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Method of making high purity copper sputtering targets

Номер патента: US5803342A. Автор: Janine K. Kardokus. Владелец: Johnson Matthey Electronics Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Sputtering Target Manufacturing Method

Номер патента: KR19980071845A. Автор: 료지 요시무라,야스후미 쓰바끼하라,겐따로 우쯔미. Владелец: 도소 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-10-26.

Sputtering target for manufacturing piezoelectric thin films

Номер патента: EP3922749A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Modified tungsten-titanium sputtering targets

Номер патента: US20150162172A1. Автор: Chi-Fung Lo,Paul Gilman. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: TW201142060A. Автор: Junichirou Hagihara,Shuichi Higashi,Shozo Kambara. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of Manufacturing a Sputtering Target and Sputtering Target

Номер патента: US20120132523A1. Автор: Junichirou Hagihara,Shuichi Higashi,Shozo Kambara. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Same Target

Номер патента: US20150023837A1. Автор: Ohashi Kazumasa,Okabe Takeo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20180312961A1. Автор: Zhang Shoubin,Umemoto Keita,MUTSUDA Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Master Alloy for Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target

Номер патента: US20200308692A1. Автор: Asano Takayuki,Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Same Target

Номер патента: US20180347031A1. Автор: Ohashi Kazumasa,Okabe Takeo. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Tungsten sintered compact sputtering target and tungsten film formed using same target

Номер патента: WO2013129434A1. Автор: 岡部 岳夫,一允 大橋. Владелец: Jx日鉱日石金属株式会社. Дата публикации: 2013-09-06.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: TW200704798A. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Sputtering target-backing plate assembly

Номер патента: US20200258724A1. Автор: Yosuke Endo,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita,Naoki Ise. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Sputtering target and method for manufacturing sputtering target

Номер патента: US12106949B2. Автор: Yuki Furuya. Владелец: Jx Advanced Metals Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Sputtering target and process for production thereof

Номер патента: MY177222A. Автор: Shin Saito,Migaku Takahashi,Toshiya Yamamoto,Kim Kong THAM,Shintaro HINATA. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2020-09-09.

Mn-Nb-W-Cu-O-BASED SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210358728A1. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Sputtering target including carbon-doped gst and method for fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20220190241A1. Автор: Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170213711A1. Автор: SAKAMOTO Toshio,Mori Satoru,Ookubo Kiyoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Copper alloy sputtering target and method for producing copper alloy sputtering target

Номер патента: JP6274026B2. Автор: 敏夫 坂本,清之 大久保,曉 森. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP3279366A4. Автор: Yuki Yoshida,Satoru Mori,Toshiaki Ueda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-09-12.

CoZrTa(X) Sputtering Target with Improved Magnetic Properties

Номер патента: US20240018645A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2024-01-18.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: WO2022122525A3. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-08-11.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4260358A2. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2023-10-18.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: WO2022122525A2. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-06-16.

Gold sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US11795540B2. Автор: Tetsuya Kato,Masahiro Takahashi,Takashi Terui. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-10-24.

Sputtering Target and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20230349035A1. Автор: Tomio Otsuki,Yasushi Moril. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

High-purity copper sputtering target

Номер патента: US09773651B2. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: US09896745B2. Автор: Hirohito Miyashita,Takeo Okabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Sputtering target for magnetic recording film

Номер патента: US09683284B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Sputtering Target for Magnetic Recording Medium, and Process for Producing Same

Номер патента: US20180163294A1. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Sputtering Target for Magnetic Recording Medium, and Process for Producing Same

Номер патента: US20150027882A1. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Sputtering target for magnetic recording medium, and process for producing same

Номер патента: US09970099B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

FePt-C-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190292650A1. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2019-09-26.

Copper alloy sputtering target, process for producing the same and semiconductor element wiring

Номер патента: US09765425B2. Автор: Takeo Okabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Sputtering target for magnetic recording film and process for production thereof

Номер патента: US09605339B2. Автор: Atsushi Nara,Hideo Takami,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Al-based alloy sputtering target and Cu-based alloy sputtering target

Номер патента: US09551065B2. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20170009336A1. Автор: Nobuaki Nakashima,Tooru Komatsu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

High-Purity Copper Sputtering Target

Номер патента: US20140367253A1. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20200115790A1. Автор: Nobuaki Nakashima,Tooru Komatsu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing a molybdenum sputtering target for back electrode of cigs solar cell

Номер патента: US20130336831A1. Автор: Seung Min Lee,Ik Hyun Oh,Jun Mo Yang,Hyun Kuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-19.

Cu—Ga alloy sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09748080B2. Автор: Satoru Mori,Yuuki Yoshida,Kouichi Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Said Target

Номер патента: US20150303040A1. Автор: Kazumasa Ohashi,Kengo Kaminaga. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Fept-based sputtering target

Номер патента: US20140318954A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-30.

Tungsten Sputtering Target And Method For Producing Same

Номер патента: US20170211176A1. Автор: Kunihiro Oda,Kazumasa Ohashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Sputtering target

Номер патента: US20210087673A1. Автор: Masahiro Aono,Shin Saito,Takeshi Ishibashi,Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM,Takeshi Numazaki. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20190309394A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Yumeki SHINMURA. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Fe-Al Based Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20140166481A1. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Fept-based sputtering target

Номер патента: US20140318955A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-30.

Aluminum sputtering target

Номер патента: US20180223416A1. Автор: Hiromi Matsumura. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Sb—Te-based alloy sintered compact sputtering target

Номер патента: US11846015B2. Автор: Hideyuki Takahashi,Yoshimasa Koido. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Fept-c-based sputtering target

Номер патента: MY192178A. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2022-08-04.

Cu-Mn Alloy Sputtering Target and Semiconductor Wiring

Номер патента: US20100013096A1. Автор: Shuichi Irumata,Chisaka Miyata. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Sputtering target material

Номер патента: US20210010105A1. Автор: Satoru Mori,Satoshi Kumagai,U Tani,Yuuji Sato. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Ultra-fine grain size tantalum sputtering targets with improved voltage performance and methods thereby

Номер патента: US20190161850A1. Автор: Alex Kuhn,Eugene Ivanov. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Tantalum sputtering target

Номер патента: CN103052733B. Автор: 仙田真一郎,福岛笃志. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Tantalum sputtering target

Номер патента: JPWO2012020631A1. Автор: 篤志 福嶋,真一郎 仙田. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-10-28.

Tantalum sputtering target

Номер патента: EP2604718B1. Автор: Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Chalcogenide sputtering target and method of making the same

Номер патента: US11946132B2. Автор: Michael R. Pinter. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Sputtering target

Номер патента: US10138544B2. Автор: Dean T. Plaisted,Michael Asbas,Lawrence C. Ferrin,Paul G. Carter,Guy P. Laverriere. Владелец: Soleras Ltd. Дата публикации: 2018-11-27.

COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20150034482A1. Автор: SAKAMOTO Toshio,Mori Satoru,Ookubo Kiyoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160260591A1. Автор: Zhang Shoubin. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

METHOD OF MAKING LOW RESISTIVITY TUNGSTEN SPUTTER TARGETS AND TARGETS MADE THEREBY

Номер патента: US20180312960A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Del Rio Eduardo. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

A method for making composite sputtering targets and the targets made in accordance with the method

Номер патента: TW200940216A. Автор: Scott Campbell. Владелец: SCI ENGINEERED MATERIALS Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Backing plate-integrated metal sputtering target and method of producing same

Номер патента: US09711336B2. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Sputtering target material

Номер патента: US20120070332A1. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Sputtering target material

Номер патента: US20040055882A1. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii,Tomoyoshi Asaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

METHOD OF MAKING A TANTALUM SPUTTER TARGET AND SPUTTER TARGETS MADE THEREBY

Номер патента: US20180080120A1. Автор: Fisher Matthew,Ivanov Eugene Y.,Kuhn Alex. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

METHOD OF MAKING A TANTALUM SPUTTER TARGET AND SPUTTER TARGETS MADE THEREBY

Номер патента: US20200240006A1. Автор: Fisher Matthew,Ivanov Eugene Y.,Kuhn Alex. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Method for processing sputtering target and method for manufacturing sputtering target product

Номер патента: US20190099814A1. Автор: Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof

Номер патента: US20180282859A1. Автор: Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

High-purity ferromagnetic sputter targets and methods of manufacture

Номер патента: US20040031546A1. Автор: Thomas Hunt,David Dombrowski,Andrew Perry,Holger Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Sputtering target material and thin film manufactured using the material

Номер патента: MY156642A. Автор: Sawada Toshiyuki,Kishida Atsushi. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Method for bonding components of a sputtering target, a bonded assembly of sputtering target components and the use thereof

Номер патента: EP2582857A1. Автор: Robert Linsbod. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2013-04-24.

High purity copper sputtering target material

Номер патента: US20180237901A1. Автор: Satoru Mori,Isao Arai,U Tani,Yuuji Sato,Fumitake Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Tantalum sputtering target having a specific molybdenum composition

Номер патента: IL214914A. Автор: . Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-29.

Tantalum sputtering target

Номер патента: TWI443216B. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

METHOD OF MAKING A TANTALUM SPUTTERING TARGET WITH INCREASED DEPOSITION RATE

Номер патента: US20190055629A1. Автор: Fisher Matt,Kuhn Alex. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20200131622A1. Автор: Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

TANTALUM SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20150348765A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Tantalum sputtering target

Номер патента: KR101288651B1. Автор: 아츠시 후쿠시마,구니히로 오다. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-07-22.

Tantalum sputtering target

Номер патента: IL212815A0. Автор: . Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2011-07-31.

Tantalum sputtering target

Номер патента: EP2465968A4. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

Tantalum sputtering target

Номер патента: JPWO2010134417A1. Автор: 篤志 福嶋,小田 国博,国博 小田. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Tantalum sputtering target

Номер патента: KR102190707B1. Автор: 코타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2020-12-14.

Tantalum sputtering target

Номер патента: TW201107514A. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Tantalum sputtering target

Номер патента: US9845528B2. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Tantalum sputtering target

Номер патента: CN105593399A. Автор: 小田国博. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Tantalum sputtering target

Номер патента: KR101338758B1. Автор: 신이치로 센다,아츠시 후쿠시마,구니히로 오다. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-12-06.

Tantalum sputtering target

Номер патента: JP6553813B2. Автор: 光太郎 永津. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-07-31.

Tantalum sputtering target

Номер патента: TWI419987B. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-12-21.

Sputtering target having a controlled occupancy rate of pinholes and method for making such sputtering target

Номер патента: TW200940733A. Автор: Kazuo Matsumae. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2009-10-01.

Self-supporting zinc alloy rotating sputter target

Номер патента: CA2103241C. Автор: James W. Hillendahl,J. Glen Palmer. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

SPUTTERING TARGET HAVING REVERSE BOWNG TARGET GEOMETRY

Номер патента: US20180044778A1. Автор: BAILEY Robert S.,Yan Junhai,Holcomb Melvin Kirk,Leybovich Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20210172056A1. Автор: NAKAMURA Akira,Nitta Junichi,LU Xiaoli,SATOU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

COPPER MATERIAL FOR HIGH-PURITY COPPER SPUTTERING TARGET, AND HIGH-PURITY COPPER SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160172167A1. Автор: SATO Yuji,Kumagai Satoshi,Gu Yu,SAKURAI Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Master Alloy For Sputtering Target and Method For Producing Sputtering Target

Номер патента: US20170218502A1. Автор: Asano Takayuki,Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Sputtering target for magnetic recording film and method for manufacturing such sputtering target

Номер патента: WO2009054369A1. Автор: Kazuteru Kato. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-04-30.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136129A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136128A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136131A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136127A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ge-Cr alloy sputtering target and process producing the same

Номер патента: TW200413553A. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Yasujima. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Ge-Cr alloy sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI223008B. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Ajima. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Nickel alloy sputtering target and nickel alloy thin film

Номер патента: TWI286577B. Автор: Ryo Suzuki,Yasuhiro Yamakoshi. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Polycrystalline Silicon Sputtering Target

Номер патента: US20150001069A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Sputtering target

Номер патента: US20240337008A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Sputtering target, sputtering target-backing plate assembly and deposition system

Номер патента: US09685307B2. Автор: Hirohito Miyashita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Sputtering target

Номер патента: US09437486B2. Автор: Takashi Watanabe,Koichi Watanabe,Takashi Ishigami,Yukinobu Suzuki,Yasuo Kohsaka,Naomi Fujioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Sputtering target

Номер патента: EP4403668A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Polycrystalline silicon sputtering target

Номер патента: US09982334B2. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Lithium containing composite metallic sputtering targets

Номер патента: US09765426B1. Автор: Lizhong Sun,Chong JIANG,Jan Isidorsson,Byung-Sung Leo Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Monocrystalline silicon sputtering target

Номер патента: US20180226236A1. Автор: Hiroshi Takamura,Shuhei Murata,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Sputtering target

Номер патента: US20210371970A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2021-12-02.

Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same

Номер патента: US09761422B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Sputtering target and sputtering apparatus including the same

Номер патента: US20240084441A1. Автор: Hyuneok Shin,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Sputtering target

Номер патента: US20120298506A1. Автор: David B. Smathers,Eugene Y. Ivanov,Ronald G. Jordan,Yongwen Yuan. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Sputtering target

Номер патента: US20180286646A1. Автор: Toshiaki Kuroda,Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Sputtering target

Номер патента: US11862443B2. Автор: Toshiaki Kuroda,Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Planar sputtering target

Номер патента: EP3861566A2. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2021-08-11.

Planar sputtering target

Номер патента: WO2020070324A3. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2020-07-16.

Sputtering target

Номер патента: WO2020070324A2. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings bvba. Дата публикации: 2020-04-09.

ITO ceramic sputtering targets with reduced In2O3 contents and method of producing it

Номер патента: US09885109B2. Автор: Eugène MEDVEDOVSKI,Olga Yankov,Christopher Szepesi. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Sputter target and sputtering methods

Номер патента: US09831072B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Ronald M. Parker. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High utilization sputtering target for cathode assembly

Номер патента: US5490914A. Автор: Steven Hurwitt,Corey Weiss. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Sputtering target and method for manufacturing a sputtering target

Номер патента: US11851748B2. Автор: Jun Kajiyama. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Sputtering Target And Method For Manufacturing A Sputtering Target

Номер патента: US20210301389A1. Автор: Jun Kajiyama. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Conical sputtering target

Номер патента: EP1252357A1. Автор: David A. Glocker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-30.

Sputtering target and method of producing sputtering target

Номер патента: US12012650B2. Автор: Masaru Wada,Kouichi Matsumoto,Motohide Nishimura,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Sputtering target

Номер патента: US20240229224A9. Автор: Stephan Bolz,Werner Kölker,Oliver Lemmer,Jürgen Balzereit. Владелец: CemeCon AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Sputtering target

Номер патента: US20240133022A1. Автор: Stephan Bolz,Werner Kölker,Oliver Lemmer,Jürgen Balzereit. Владелец: CemeCon AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing a rotatable sputter target

Номер патента: US20090205955A1. Автор: Hugo Lievens,Anneleen De Smet. Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2009-08-20.

Sputtering target

Номер патента: US20180144912A1. Автор: Yasuhiro Yamakoshi,Kotaro Nagatsu,Shuhei Murata. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Sputtering target material

Номер патента: US20040079635A9. Автор: Noriaki Hara,Ken Hagiwara,Somei Yarita,Ritsuya Matsuzaka. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2004-04-29.

Igzo sputtering target

Номер патента: EP4424867A1. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Igzo sputtering target

Номер патента: US20240344193A1. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Partial spray refurbishment of sputtering targets

Номер патента: US09976212B2. Автор: Steven A. Miller. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Zinc oxide sputtering target

Номер патента: US09824869B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US09824868B2. Автор: Eiji Kusano,Ken Okamoto,Tadahisa Arahori,Muneaki Sakamoto,Akishige Sato,Sachio Miyashita. Владелец: Ferrotec Ceramics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Sputtering target with backside cooling grooves

Номер патента: US09779920B2. Автор: Jeonghoon Oh,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide

Номер патента: US09773653B2. Автор: Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Diffusion bonded high purity copper sputtering target assemblies

Номер патента: US09761420B2. Автор: Paul Gilman,Jaydeep Sarkar. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Quick change sputter target assembly

Номер патента: US4820397A. Автор: Kenneth B. Fielder,Robert L. Belli,Conrad E. Fuchs. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1989-04-11.

Design for sputter targets to reduce defects in refractory metal films

Номер патента: US5271817A. Автор: Hunter B. Brugge,Kin-Sang Lam. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-12-21.

Method and apparatus for detecting sputtering target depletion

Номер патента: US4545882A. Автор: Harold E. Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1985-10-08.

Sputtering target protection device

Номер патента: US5846389A. Автор: Paul S. Gilman,Howard H. Levine,Neil J. Sullivan. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Process and apparatus for the manufacture of sputtering targets

Номер патента: CA2556786C. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

Method of enhancing the performance of a magnetron sputtering target

Номер патента: CA2089645C. Автор: Steven D. Hurwitt,Arnold J. Aronson,Charles Van Nutt. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Sputtering target backing plate assembly and film deposition system

Номер патента: EP2236644A2. Автор: Hirohito Miyashita. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Sputter target design

Номер патента: US5009765A. Автор: Sohail S. Qamar,Harry W. Conard,Lowell E. Hamilton. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Conical sputtering target

Номер патента: WO2002040736B1. Автор: David A Glocker. Владелец: David A Glocker. Дата публикации: 2002-09-12.

Magnetic material sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: SG11201903240PA. Автор: Yuki Furuya. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Warp correction method for sputtering target with backing plate

Номер патента: US20160211124A1. Автор: Masahiro Aono,Osamu Itoh,Takamichi Yamamoto,Takuya Nagashima. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-07-21.

Segmented sputtering target and method/apparatus for using same

Номер патента: WO2004092438A1. Автор: Hong Wang,Thomas A. Seder. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2004-10-28.

Large area elastomer bonded sputtering target and method for manufacturing

Номер патента: WO2006132916A8. Автор: Thomas r stevenson,Wayne R Simpson,Ryan A Scatena. Владелец: Thermal Conductive Bonding Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Segmented sputtering target and method/apparatus for using same

Номер патента: WO2004092438B1. Автор: Hong Wang,Thomas A Seder. Владелец: Thomas A Seder. Дата публикации: 2005-01-27.

Sputtering target material and sputtering target

Номер патента: EP4435141A1. Автор: Koji Nishioka,Kunihiko Nakata. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Zinc oxide sputtering target

Номер патента: US09919931B2. Автор: Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai,Koki Kanno. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Indium sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US09758860B2. Автор: Yousuke Endo,Masaru Sakamoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetically attached sputter targets

Номер патента: US5286361A. Автор: Daniel M. Makowiecki,Mark A. McKernan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-02-15.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US5435965A. Автор: Jun Tamura,Munenori Mashima. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets

Номер патента: US20090045044A1. Автор: Chi Tse Wu,Jared Akins. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Sputtering target

Номер патента: US20210180180A1. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Sputtering target with a partially enclosed vault

Номер патента: US20030173215A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Oxide sintered body, method for producing same and sputtering target

Номер патента: US20190016638A1. Автор: Kenichi Itoh,Shinichi Hara,Hiroyuki Hara. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Oxide sintered body, method for producing same and sputtering target

Номер патента: US10669208B2. Автор: Kenichi Itoh,Shinichi Hara,Hiroyuki Hara. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Preparation of chalcogenide glass sputtering targets

Номер патента: US3850604A. Автор: R Klein. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-11-26.

Ring-type sputtering target

Номер патента: EP1402081A1. Автор: Daniel R. Marx,Rajan Mathew,Alfred Snowman,Charles R. Fisher. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Inorganic-particle-dispersed sputtering target

Номер патента: MY148731A. Автор: Nakamura Yuichiro,Sato Atsushi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Few surface defects sputtering target and surface processing method thereof

Номер патента: MY153650A. Автор: Yuichiro Nakamura,Akira Hisano. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2015-03-13.

Cathodic sputtering target including means for detecting target piercing

Номер патента: US4374722A. Автор: Bogdan Zega. Владелец: Battelle Development Corp. Дата публикации: 1983-02-22.

Conical-frustum sputtering target and magnetron sputtering apparatus

Номер патента: US4747926A. Автор: Shigeru Kobayashi,Tamotsu Shimizu,Takeshi Oyamada,Hikaru Nishijima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-05-31.

Extended life sputter targets

Номер патента: EP1087033A8. Автор: David Strauss,Jean Pierre Blanchet. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Quick change sputter target assembly

Номер патента: US5147521A. Автор: Kenneth B. Fielder,Robert L. Belli,Conrad E. Fuchs,Martin L. Blazic,Rick O. Eller. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Sputtering targets and method for the preparation thereof

Номер патента: US20040069623A1. Автор: Johan Vanderstraeten. Владелец: Rotar Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

(Ga) Zn Sn oxide sputtering target

Номер патента: US9758856B2. Автор: Wilmert De Bosscher,Jorg OBERSTE BERGHAUS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2017-09-12.

Ferromagnetic material sputtering target

Номер патента: MY161157A. Автор: Yuki Ikeda,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2017-04-14.

Method for using sputtering target and method for manufacturing oxide film

Номер патента: WO2014002916A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-03.

Partial spray refurbishment of sputtering targets

Номер патента: US11739416B2. Автор: Steven A. Miller. Владелец: HC Starck Solutions Euclid LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Sputtering target with backside cooling grooves

Номер патента: US20180019108A1. Автор: Jeonghoon Oh,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Sputtering target with backside cooling grooves

Номер патента: US20200294778A1. Автор: Jeonghoon Oh,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Modular sputtering target with precious metal insert and skirt

Номер патента: EP4359584A1. Автор: Chen Wang,Matthew Fisher,James GUERRERO. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Modular sputtering target with precious metal insert and skirt

Номер патента: WO2022272045A1. Автор: Chen Wang,Matthew Fisher,James GUERRERO. Владелец: MATERION CORPORATION. Дата публикации: 2022-12-29.

Sputter Target With High-Melting Phase

Номер патента: US20070240981A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming a sputtering target

Номер патента: US20200332411A1. Автор: Marina Zelner,Andrew Vladimir Claude Cervin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Advanced sputter targets for ion generation

Номер патента: US11542594B2. Автор: Klaus Becker,Graham Wright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Non-continuous bonding of sputtering target to backing material

Номер патента: EP2572013A1. Автор: Jong-Won Shin,Nikolaus Margadant,Klaus Leitner. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2013-03-27.

Sputtering target and method of manufacturing the same

Номер патента: US5508000A. Автор: Michio Satou,Noriaki Yagi,Hiromi Shizu,Mituo Kawai,Takasi Yamanobe,Tooru Komatu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Sputtering targets and associated sputtering methods for forming hermetic barrier layers

Номер патента: WO2013138434A1. Автор: Bruce G Aitken,Mark A Quesada,Shari E Koval. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-19.

Vent groove modified sputter target assembly

Номер патента: EP2002028A2. Автор: Jean-Pierre Blanchet,Robert Shih,Junghoon Hur. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

IGZO sputtering target

Номер патента: US11827972B2. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai,Jun Kajiyama,Yuhei Kuwana. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnesium oxide sputtering target

Номер патента: EP3839090A1. Автор: Yoshitaka Shibuya,Satoyasu Narita,Hiroki Kajita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Vent groove modified sputter target assembly

Номер патента: WO2007114899A3. Автор: Jean-Pierre Blanchet,Robert Shih,Junghoon Hur. Владелец: Junghoon Hur. Дата публикации: 2007-11-22.

Sputtering target

Номер патента: US11827971B2. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Sputtering target

Номер патента: US20160376696A1. Автор: Yukio Kawaguchi,Minoru Iino,Kenichi Kiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Sputtering target

Номер патента: US20240002997A1. Автор: Katsuhiro Imai,Yoshinori Isoda,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

In-Ga-Zn Type Oxide Sputtering Target

Номер патента: US20120093712A1. Автор: Koki Yano,Masayuki Itose,Mami Nishimura. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Zirconium oxide based sputtering target

Номер патента: US20180155820A1. Автор: Markus Schultheis,Christoph Simons,Andreas HERZOG,Anna Schott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2018-06-07.

Zirconium oxide based sputtering target

Номер патента: WO2017108271A1. Автор: Markus Schultheis,Christoph Simons,Andreas HERZOG,Anna Schott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing

Номер патента: WO2011034812A2. Автор: Stephen Barry. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2011-03-24.

Tantalum sputtering target

Номер патента: EP2253730A3. Автор: K Oda. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Sputtering target-backing plate assembly, and its production method

Номер патента: US20120228132A1. Автор: Yoshimasa Koido. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Sputtering target

Номер патента: US20200385853A1. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita,Hiroyuki Tsukada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Sputtering target for forming protective film, and laminated wiring film

Номер патента: US20140315043A1. Автор: Satoru Mori,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180105926A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170372879A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: CN107109634B. Автор: 仙田真一郎,永津光太郎. Владелец: Jks Metal Co ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

Cylindrical sputtering target production method and cylindrical sputtering target

Номер патента: EP3604610A4. Автор: Shinji Kato,Toshiyuki Nagase,Shin Okano. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

SPUTTERING-TARGET MATERIAL, SPUTTERING TARGET, SPUTTERING-TARGET ALUMINUM PLATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200199739A1. Автор: FUJITA Masahiro,TAKEDA Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method for Bonding Components of a Sputtering Target, a Bonded Assembly of Sputtering Target Components and the Use Thereof

Номер патента: US20130161188A1. Автор: LINSBOD Robert. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

SPUTTERING TARGET PACKAGING STRUCTURE AND METHOD OF PACKAGING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200165050A1. Автор: NISHIOKA Koji,SATOH Naoya. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2020-05-28.

PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20180304400A1. Автор: TAKIGAWA Mikio,TERASAWA Toshiyuki. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2018-10-25.

PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190299324A1. Автор: TAKIGAWA Mikio,TERASAWA Toshiyuki. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2019-10-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200384598A1. Автор: FUJITA Masahiro,NISHIOKA Koji. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2020-12-10.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: JP6397592B1. Автор: 昌宏 藤田,宏司 西岡. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-26.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: WO2000015863A1. Автор: Eugene Y. Ivanov,Harry W. Conard. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2000-03-23.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: EP1115899A4. Автор: Eugene Y Ivanov,Harry W Conard. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-09-22.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: JP6277309B2. Автор: 幹雄 瀧川,俊之 寺澤. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-07.

Oxide sintered body, sputtering target, and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113677821A. Автор: 海上晓. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Billet or bar for a sputtering target with Molybdenum; Corresponding sputtering target

Номер патента: EP2374568A1. Автор: Greg A. Butzer,Robert H. Huizenga,Steven D. Mussman. Владелец: Howmet Corp. Дата публикации: 2011-10-12.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: TW201816157A. Автор: 瀧川幹雄,寺澤俊之. Владелец: 住友化學股份有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: US6749103B1. Автор: Eugene Y. Ivanov,Harry W. Conard. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

The manufacturing method and sputtering target of sputtering target

Номер патента: CN108350566B. Автор: 泷川干雄,寺泽俊之. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-23.

Method for manufacturing sputtering target member, and sputtering target member

Номер патента: CN111660143A. Автор: 久家俊洋. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: EP1115899B1. Автор: Eugene Y. Ivanov,Harry W. Conard. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Ytterbium sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: WO2009099121A1. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: NIPPON MINING & METALS CO., LTD.. Дата публикации: 2009-08-13.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: WO2018012461A1. Автор: 幹雄 瀧川,俊之 寺澤. Владелец: 住友化学株式会社. Дата публикации: 2018-01-18.

Large-grain tin sputtering target

Номер патента: EP4013902A4. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Marc D. Ruggiero,Patrick K. Underwood,Susan D. Strothers. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Nonmagnetic material-dispersed fe-pt based sputtering target

Номер патента: US20190185987A1. Автор: Atsushi Sato,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Nonmagnetic material-dispersed fe-pt based sputtering target

Номер патента: MY187837A. Автор: Atsushi Sato,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Magnetic material sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793099B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of cylindrical sputtering target material

Номер патента: US09982335B2. Автор: Akira Sakurai,Satoshi Kumagai,Takashi Sonohata,Michiaki OHTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Fe-Co-based alloy sputtering target material, and method of producing same

Номер патента: US09773654B2. Автор: Kazuya Saito,Jun Fukuoka,Kouichi Sakamaki,Tomoyuki Hata. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: MY165449A. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2018-03-22.

NON-MAGNETIC MATERIAL-DISPERSED Fe-Pt SPUTTERING TARGET

Номер патента: SG11201900555XA. Автор: Atsushi Sato,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2019-02-27.

Fe-Pt-based sputtering target with dispersed C grains

Номер патента: US09945026B2. Автор: Atsushi Sato,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502224B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-11-22.

Mn-Ta-W-Cu-O-BASED SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210269910A1. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode

Номер патента: US20130101807A1. Автор: Koki Yano,Nobuo Tanaka,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20140306144A1. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-16.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20130175166A1. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US9928996B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2018-03-27.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US9053910B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-06-09.

Hot rolled plate made of copper alloy used for a sputtering target and sputtering target

Номер патента: US09437405B2. Автор: Masato Koide,Kiyoyuki Okubo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170009336A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,KOMATSU Tooru. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200115790A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,KOMATSU Tooru. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200115791A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,KOMATSU Tooru. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Cu-ga alloy sputtering target, and method for manufacturing cu-ga alloy sputtering target

Номер патента: WO2019124351A1. Автор: 拓真 武田,曉 森. Владелец: 三菱マテリアル株式会社. Дата публикации: 2019-06-27.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: TW201606107A. Автор: 張守斌. Владелец: 三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-16.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: JP5812217B1. Автор: 張 守斌,守斌 張. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

Cu-Ga alloy sputtering target and method of manufacturing Cu-Ga alloy sputtering target

Номер патента: TW201932612A. Автор: 森曉,武田拓真. Владелец: 日商三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-16.

Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same

Номер патента: US09567665B2. Автор: Atsushi Nara,Hideo Takami,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

SPUTTERING TARGETS AND DEVICES INCLUDING Mo, Nb, AND Ta, AND METHODS

Номер патента: WO2016115026A9. Автор: Qi Zhang,Shuwei Sun,Gary Alan Rozak,Barbara Cox,Yen-Te Lee. Владелец: H.C. Starck Inc.. Дата публикации: 2016-10-27.

SPUTTERING TARGETS AND DEVICES INCLUDING Mo, Nb, and Ta, AND METHODS

Номер патента: US20190066987A1. Автор: Qi Zhang,Shuwei Sun,Gary Alan Rozak,Barbara Cox,Yen-Te Lee. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Cylindrical sputtering target material

Номер патента: US09748079B2. Автор: Akira Sakurai,Satoshi Kumagai,Michiaki OHTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Cylindrical sputtering target material

Номер патента: US20160203959A1. Автор: Akira Sakurai,Satoshi Kumagai,Michiaki OHTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Sputtering target and/or coil, and process for producing same

Номер патента: US09951412B2. Автор: Kenichi Nagata,Nobuhito Makino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Modified lithium cobalt oxide sputtering targets

Номер патента: WO2015130738A1. Автор: Chi-Fung Lo,Paul Gilman,Darryl P. DRAPER. Владелец: PRAXAIR S.T. TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Sputtering target and method for forming cesium tungsten oxide film

Номер патента: EP4350029A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Sputtering target and method for forming cesium tungsten oxide film

Номер патента: US20240117485A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Enhanced sputter target alloy compositions

Номер патента: EP1607940A3. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel,Michael Bartholomeusz,Yuanda R. Cheng. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2006-02-15.

Sputtering target for forming protective film and laminated wiring film

Номер патента: US09543128B2. Автор: Satoru Mori,Souhei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Sputtering target material and oxide semiconductor

Номер патента: US20230307549A1. Автор: Shigeki Tokuchi,Kyosuke Teramura,Ryo SHIRANITA. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20170352763A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20200013894A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Potassium sodium niobate sputtering target and production method thereof

Номер патента: US11851747B2. Автор: Ryo Suzuki,Atsushi Nara,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Cylindrical sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20190360090A1. Автор: Yoshitaka Tsuruta,Tomoya Negishi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Potassium sodium niobate sputtering target and production method thereof

Номер патента: US20240052478A1. Автор: Ryo Suzuki,Atsushi Nara,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide

Номер патента: MY179240A. Автор: Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-11-02.

Ferromagnetic Material Sputtering Target Containing Chromium Oxide

Номер патента: US20150014155A1. Автор: Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Sputtering target and method for forming sputtering target

Номер патента: US20240002998A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Fumito Isaka,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20240141477A1. Автор: Hiroyoshi Yamamoto,Atsushi Nara. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target

Номер патента: SG136847A1. Автор: Anirban Das,Steven Roger Kennedy,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Sputtering target for magnetic recording medium

Номер патента: US20220262608A1. Автор: Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushikibi. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for forming sputtering target

Номер патента: US09885108B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Sputtering target

Номер патента: US09767998B2. Автор: Shigeo Matsuzaki,Shigekazu Tomai,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Zinc oxide sintered compact, sputtering target, and zinc oxide thin film

Номер патента: US09396830B2. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Kenji Omi,Hitoshi Iigusa,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

System and apparatus for real-time monitoring and control of sputter target erosion

Номер патента: US20070017800A1. Автор: Cetin Cetinkaya,Rajan Mathew,Bjoern Pigur. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-25.

Sputtering target having rfid information

Номер патента: US20180211825A1. Автор: Matthew T. Willson,Richard J. Koba,Michael V. Pasquariello,Thomas P. St. Vincent. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Al - based alloy sputtering target and Cu - based alloy sputtering target

Номер патента: TWI471439B. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2015-02-01.

Al-based alloy sputtering target and cu-based alloy sputtering target

Номер патента: US20130306468A1. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Said Target

Номер патента: US20180261438A1. Автор: Kazumasa Ohashi,Kengo Kaminaga. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Multilayer film and ag alloy sputtering target

Номер патента: EP3795713A1. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Fe-Al BASED ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP2762606A4. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Fe-Al alloy sputtering target

Номер патента: TWI540217B. Автор: Kentaro Harada. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-07-01.

Low deflection sputtering target assembly and methods of making same

Номер патента: US09831073B2. Автор: Eugene Y. Ivanov,Yongwen Yuan. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Sputtering target, optical information recording medium and method for producing same

Номер патента: EP1757712A4. Автор: H Takami,M Yahagi. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358729A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima,Haruyuki Baba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018011645A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima,Haruyuki Baba. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium

Номер патента: US9123360B2. Автор: Atsushi Saito,Rie Mori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Sputtering target, manufacturing method therefor, and manufacturing method for magnetic recording medium

Номер патента: US12091743B2. Автор: Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Advanced Metals Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film

Номер патента: US20190040517A1. Автор: Takashi Kosho. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium

Номер патента: US20150010727A1. Автор: Atsushi Saito,Rie Mori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Sputtering target for magnetic recording medium

Номер патента: US20210242000A1. Автор: Shin Saito,Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-08-05.

Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film

Номер патента: US11837450B2. Автор: Takashi Kosho. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

High efficiency rotatable sputter target

Номер патента: US11830712B2. Автор: Jeremy Young,Ian RAVARY. Владелец: SCI ENGINEERED MATERIALS Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Sputtering target and magnetic film

Номер патента: US11894221B2. Автор: Takashi Kosho,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113614281A. Автор: 荒川笃俊,曽川慎治. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-11-05.

Gadolinium sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: WO2011078148A1. Автор: 塚本 志郎. Владелец: Jx日鉱日石金属株式会社. Дата публикации: 2011-06-30.

Sputtering-target materials

Номер патента: TW200517510A. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii. Владелец: Ishifuku Metal Ind. Дата публикации: 2005-06-01.

Sputtering-target materials

Номер патента: TWI281508B. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii. Владелец: Ishifuku Metal Ind. Дата публикации: 2007-05-21.

Tantalum sputtering target and method for preparation thereof

Номер патента: EP1541708A4. Автор: K Oda. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-04.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20150329959A1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: CN104755651A. Автор: 仙田真一郎,永津光太郎. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-07-01.

Tantalum sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2014097900A1. Автор: 真一郎 仙田,光太郎 永津. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: KR101927574B1. Автор: 신이치로 센다,고타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2018-12-10.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20130092534A1. Автор: Fukushima Atsushi,Senda Shinichiro. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

Tantalum Sputtering Target and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20140242401A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

TANTALUM SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160217983A1. Автор: Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Sputtering target assemblies

Номер патента: WO2002036846A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-05-10.

Sputter targets

Номер патента: WO2002031217A2. Автор: Jane Buehler. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-04-18.

Sputtering target having increased power compatibility

Номер патента: US09536714B2. Автор: Siegfried Krassnitzer,Joerg Kerschbaumer,Juerg Hagmann. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2017-01-03.

Sputtering process employing an enclosed sputtering target

Номер патента: US5069770A. Автор: David A. Glocker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1991-12-03.

Liquid sputter target

Номер патента: US11952654B2. Автор: Hartmut Rohrmann,Heinz Felzer,Dominik Jaeger,Thomas Tschirky,Marco Rechsteiner. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-04-09.

Liquid sputter target

Номер патента: EP3870735A1. Автор: Hartmut Rohrmann,Heinz Felzer,Dominik Jaeger,Thomas Tschirky,Marco Rechsteiner. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2021-09-01.

Magnesium oxide sputtering target and method of making same

Номер патента: US20200010368A1. Автор: Christopher M. Jaworski,Eugene Y. Ivanov. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Conductive silicon sputtering targets

Номер патента: US20240271270A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Yuping Lin,Ignacio CARETTI GIANGASPRO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Jiangyin Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetron device for sputtering target

Номер патента: EP4283011A1. Автор: Andreas Glenz,Krzysztof Fronc,Michal CHOJNACKI. Владелец: Prevac Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia. Дата публикации: 2023-11-29.

Sputtering apparatus with rotatable sputtering target

Номер патента: US20110174612A1. Автор: Chia-Ying Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Al2o3 sputtering target and method for producing same

Номер патента: EP3527689A1. Автор: Yoshimasa Koido. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-21.

Magnetron sputtering targets

Номер патента: CA1323856C. Автор: Richard Ernest Demaray,Gary Bradford Crumley. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Conductive silicon sputtering targets

Номер патента: EP4370724A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Yuping Lin,Ignacio CARETTI GIANGASPRO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Jiangyin Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Method for producing sputtering target, and sputtering target

Номер патента: TW201219583A. Автор: Atsushi Saito. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Sintered body, sputtering target made of the sintered body, and thin film formed using the sputtering target

Номер патента: TWI606991B. Автор: Atsushi Nara. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2017-12-01.

Sputtering target

Номер патента: WO2002006555A3. Автор: Karl Brown,Yoichiro Tanaka,Marc Schweitzer,Alan Liu,Jim Thompson,John C Forster,Gogh Jim Van,Anthony Ct Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-03-28.

Magnetic material sputtering target provided with groove in rear face of target

Номер патента: TW201209211A. Автор: Atsushi Sato. Владелец: Jx Nippon Mining & Amp Metals. Дата публикации: 2012-03-01.

Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets

Номер патента: WO2007022275A2. Автор: David E. Stevenson,Li Q. Zhou. Владелец: Wintek Electro-Optics Corporation. Дата публикации: 2007-02-22.

Sputtering target material and sputtering target obtained by using the sputtering target material

Номер патента: CN101631893A. Автор: 松前和男. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Magnetic Material Sputtering Target Provided with Groove in Rear Face of Target

Номер патента: US20130087454A1. Автор: Sato Atsushi. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR USING THE SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20140042018A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-13.

PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20210005437A1. Автор: TAKIGAWA Mikio. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2021-01-07.

Ruthenium Sputtering Target and Ruthenium Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20150129422A1. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20220307124A1. Автор: MATSUMOTO Kouichi,WADA MASARU,KAWAGOE YUU,TAKESUE KENTAROU,NISHIMURA Motohide. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Sputtering Target And Method For Manufacturing A Sputtering Target

Номер патента: US20210301389A1. Автор: Kajiyama Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Ruthenium Sputtering Target and Ruthenium Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20190259589A1. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Target sputtering device and method for sputtering target

Номер патента: US20170298500A1. Автор: YU Wei. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Process for producing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20180315586A1. Автор: Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target

Номер патента: KR100396456B1. Автор: 러셀더렉앤드류. Владелец: 도쿄 엘렉트론 리미티드. Дата публикации: 2003-09-02.

Sputtering target material, method for producing same, and sputtering target

Номер патента: CN108699675B. Автор: 寺村享祐,武内朋哉. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for manufacturing target material for sputtering target

Номер патента: KR100873088B1. Автор: 나오키 오노,게이이치 다카이. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-12-09.

Sputter target, method and apparatus for manufacturing sputter targets

Номер патента: EP2287356A1. Автор: Freddy Aps,Nuno Carvalho. Владелец: Bekaert Advanced Coatings NV. Дата публикации: 2011-02-23.

Sputtering target assembly and bonding method for their production

Номер патента: DE102011055314B4. Автор: Peter Sindlhauser,Siegfried Staab. Владелец: Sindlhauser Mat GmbH. Дата публикации: 2017-03-16.

CATHODIC SPUTTER TARGET AND RECORDING MEDIUM USING SUCH A TARGET.

Номер патента: FR2601175A1. Автор: Satoshi Shimokawato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1988-01-08.

Sputtering target, sputtering target backing plate assembly and film deposition system

Номер патента: WO2006054409A1. Автор: Hirohito Miyashita. Владелец: NIPPON MINING & METALS CO., LTD.. Дата публикации: 2006-05-26.

Process for producing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US11244814B2. Автор: Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Ceramic film, sputtering target, and method for producing sputtering target

Номер патента: CN109234689B. Автор: 除補正则,长尾昌芳. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Oxide sintered body, sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: JPWO2020170949A1. Автор: 暁 海上. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target

Номер патента: KR101638270B1. Автор: 겐타로 하라다. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2016-07-08.

Sputtering target with bonding layer of varying thickness under target material

Номер патента: CA2620721A1. Автор: Yiwei Lu,Raymond M. Mayer. Владелец: Raymond M. Mayer. Дата публикации: 2007-03-29.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: JP6968300B2. Автор: 一寿 高橋,優 和田,勝仁 齋藤,裕 川越,健太郎 武末. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Sputtering target and method for finishing surface of such target

Номер патента: CN1823178B. Автор: 塚本志郎. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target

Номер патента: US10319571B2. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113508187A. Автор: 和田优,斋藤胜仁,川越裕,武末健太郎,高桥一寿. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-10-15.

Composition for Sputtering Target for Thin Film and Method for Making Sputtering Target

Номер патента: KR102192713B1. Автор: 장윤수,이창배. Владелец: 바짐테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2020-12-17.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: KR102359200B1. Автор: 미키오 다키가와. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-07.

Chromium oxide powder for spattering target and sputtering target

Номер патента: CN101198716B. Автор: 矢作政隆,高见英生. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-22.

Sputtering target and sputtering method using the target

Номер патента: CN1693531A. Автор: 谷典明,清田淳也,石桥晓,中村久三,太田淳,小松孝,新井真,杉浦功. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2005-11-09.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113544308A. Автор: 和田优,斋藤胜仁,川越裕,武末健太郎,高桥一寿. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-10-22.

Sputtering target member, sputtering target assembly, and film forming method

Номер патента: WO2023079856A1. Автор: 孝志 小庄,靖幸 岩淵. Владелец: Jx金属株式会社. Дата публикации: 2023-05-11.

Sputtering target and sputtering target manufacturing method

Номер патента: WO2020250587A1. Автор: 優 和田,勝仁 齋藤,高橋 一寿,宏 追鳥,和美 田屋. Владелец: 株式会社アルバック. Дата публикации: 2020-12-17.

Sputtering target and surface finishing method of the target

Номер патента: JP4468302B2. Автор: 志郎 塚本. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

The manufacturing method of oxide sputtering target and oxide sputtering target

Номер патента: CN110352263A. Автор: 长尾昌芳,野中荘平,森理恵. Владелец: Mitsubishi Corp. Дата публикации: 2019-10-18.

Sputtering target material, manufacturing method thereof, and sputtering target

Номер патента: JPWO2017168906A1. Автор: 享祐 寺村,朋哉 武内. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Chromium oxide powder for sputtering target and sputtering target

Номер патента: JPWO2006134694A1. Автор: 英生 高見,矢作 政隆,政隆 矢作. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target

Номер патента: US10943773B2. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Bonding material for Sputtering Targets and Sputtering Targets using the same

Номер патента: KR101302480B1. Автор: 정상철,최준호,김강민,강신혁. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-09-02.

Magnetic material sputtering target with grooves on the back of the target

Номер патента: JP5596118B2. Автор: 敦 佐藤. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-09-24.

A magnetic material sputtering target is provided on the back of the target

Номер патента: TWI515322B. Автор: Atsushi Sato. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-01.

Sputtering target material and sputtering target made therefrom

Номер патента: TW200936791A. Автор: Kazuo Matsumae. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2009-09-01.

Sputtering target and optical recording medium

Номер патента: TW200406497A. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-01.

Sputtering target, optical information recording medium and process for producing the same

Номер патента: TW200528568A. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

ZnO-MgO sputtering target sintered body

Номер патента: TWI513835B. Автор: Masaru Sakamoto,Hiroyoshi Yamamoto,Hideo Takami,Tomoya Tamura. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2015-12-21.

Silicon substrate or silicon sputtering target and method for preparation thereof

Номер патента: TW200402478A. Автор: Kenichi Osada. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-16.

Sputtering target and process for production thereof

Номер патента: TW201209008A. Автор: Akira Mitsui,Yasushi Kawamoto,Hidefumi Odaka,Takeshi Okato. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Sputtering target and method for producing the same

Номер патента: TW200408720A. Автор: Hiromitsu Hayashi,Naoki Ono. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2004-06-01.

Method for producing sputtering targets

Номер патента: TWI279449B. Автор: Hiromitsu Hayashi,Naoki Ono. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2007-04-21.

Sputtering target

Номер патента: TW201243077A. Автор: Ryo Suzuki,Nobuhito Makino,Yuichiro Nakamura,Kazuhiro Seki,Toshiya Kurihara,Yoshikazu Kumahara,Takashi Kakeno. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions

Номер патента: SG87179A1. Автор: XIONG Wei,McDonald Peter,Hoo Hung-Lee. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-19.

ITO sputtering target

Номер патента: TWI242050B. Автор: Naoki Ono. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2005-10-21.

Ito sputtering target

Номер патента: SG108871A1. Автор: Ono Naoki. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2005-02-28.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: TW201245480A. Автор: Hiroshi Goto,Yuki Iwasaki,Akira Nambu. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2012-11-16.

Oxide sintered body and sputtering target, and methods for manufacturing same

Номер патента: US20190177230A1. Автор: Hideo Hata,Yasuo Nakane,Yuki Tao. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: TW201250032A. Автор: Hiroshi Goto,Moriyoshi Kanamaru,Yuki Iwasaki. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: US20130313110A1. Автор: Hiroshi Goto,Moriyoshi Kanamaru,Yuki Iwasaki. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Sputtering target assembly

Номер патента: TW201233834A. Автор: Ryo Suzuki,Kazushige Takahashi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Sputtering target, optical information recording medium and process for producing the same

Номер патента: TWI309679B. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: . Дата публикации: 2009-05-11.

Sputtering target and optical recording medium

Номер патента: TWI275652B. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nippon Mining Co. Дата публикации: 2007-03-11.

Oxide sintered compact and sputtering target

Номер патента: TW201229273A. Автор: Hiroshi Goto,Junichi Nakai,Yoichiro Yoneda,Yuki Iwasaki,Masaya Ehira. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Rotary sputter target assembly

Номер патента: EP2718477A1. Автор: Paul S. Gilman,Severin Sephane Gerard TIERCE. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target

Номер патента: EP1144713B1. Автор: Derrek Andrew Russell. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Lithium sputter targets

Номер патента: US09771646B2. Автор: Todd Martin,Trevor Frank,Robert T. Rozbicki,Dhairya Shrivastava,Anshu A. Pradhan,Disha Mehtani,Martin John Neumann,Que Anh Song NGUYEN. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Sputtering target for magnetic recording film

Номер патента: US09540724B2. Автор: Shini-ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Mn—Zn—O sputtering target and production method therefor

Номер патента: US10811237B2. Автор: Junichi Sugawara,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Mn—Zn—W—O sputtering target and production method therefor

Номер патента: US10886112B2. Автор: Junichi Sugawara,Fusashige Tokutake,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Sputtering Target for Magnetic Recording Film

Номер патента: US20140346039A1. Автор: Shini-ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Sputtering target assembly and sputtering apparatus using the same

Номер патента: US20030165639A1. Автор: Jae Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-04.

Mn-zn-o sputtering target and production method therefor

Номер патента: US20180019109A1. Автор: Junichi Sugawara,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Mn-Zn-W-O SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180186699A1. Автор: Junichi Sugawara,Fusashige Tokutake,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for manufacturing sputtering target

Номер патента: US20170350002A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Yamada,Masashi Oota. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Sputtering target

Номер патента: US20200165719A1. Автор: Akira Sakawaki,Takaki Yasuda. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-05-28.

Sputtering target for forming wiring film of flat panel display

Номер патента: US20150136595A1. Автор: Haruhiko Asao,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Optical film, sputtering target, and method of producing optical film

Номер патента: US20240166555A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing tantalum sputtering target

Номер патента: KR101690394B1. Автор: 신이치로 센다,고타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2016-12-27.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20130098759A1. Автор: Fukushima Atsushi,Senda Shinichiro. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-25.

Sputtering target

Номер патента: TWI601839B. Автор: Yuki Ikeda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2017-10-11.

Tantalum sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: EP2728038A1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Tantalum sputtering target and its manufacturing method

Номер патента: TWI553135B. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

HOT ROLLED PLATE MADE OF COPPER ALLOY USED FOR A SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20150318153A1. Автор: Koide Masato,OKUBO Kiyoyuki. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

Sputtering target and transparent conductive film obtainable by the target

Номер патента: EP2278041B1. Автор: Shigeo Matsuzaki,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-23.

Tin oxide-magnesium oxide sputtering target and transparent semiconductor film

Номер патента: TW200927974A. Автор: Kazuyoshi Inoue,Yukio Shimane. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2009-07-01.

Sputtering target and method for producing same, and method for producing thin film transistor

Номер патента: TW201245483A. Автор: Takatsugu Kusumi,Yohsuke Kanzaki. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2012-11-16.

Divided sputtering target and method of producing the same

Номер патента: TW201219589A. Автор: Takashi Kubota. Владелец: Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Divided sputtering target and method of producing the same

Номер патента: TWI375728B. Автор: Takashi Kubota. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2012-11-01.

Fe-Pt based strong magnetic material sputtering target

Номер патента: TW201209192A. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Amp Metals. Дата публикации: 2012-03-01.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20150279637A1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: EP2878699B1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-15.

Rotating tubular sputter target assembly

Номер патента: EP1641956B1. Автор: Dirk Cnockaert,Wilmert De Bosscher. Владелец: Bekaert Advanced Coatings NV. Дата публикации: 2009-03-25.

Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target

Номер патента: US09640668B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Sputtering target having an annular vault

Номер патента: US20010050223A1. Автор: Praburam Gopalraja,Jianming Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Sputtering target transparent conductive oxide, and method for preparing sputtering target

Номер патента: CN1195886C. Автор: 井上一吉,海上晓,渋谷忠夫. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-06.

Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target

Номер патента: US20150041808A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Multilayer film, and ag alloy sputtering target

Номер патента: EP3862459A1. Автор: Ichiro Shiono,Yuto Toshimori,Hideharu Matsuzaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Bi-ge-o sintered body sputtering target, method for producing same, and optical recording medium

Номер патента: TW201129710A. Автор: Atsushi Nara. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Transparent film formation sputtering target and its manufacturing method

Номер патента: TWI600175B. Автор: 近藤佑一,張守斌,山口剛. Владелец: 三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-21.

Sputter target feed system

Номер патента: WO2012027123A1. Автор: Craig R. Chaney. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Sputtering targets having life alarm function

Номер патента: US5487823A. Автор: Hiroki Nakamura,Susumu Sawada,Junichi Anan,Yoshihiro Sakaya. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1996-01-30.

TANTALUM SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20160208377A1. Автор: Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Assembly and method to extend useful life of sputtering targets

Номер патента: CA1118715A. Автор: Lawrence E. O'connell,G. Frederick Nichols. Владелец: Delbar Products Inc. Дата публикации: 1982-02-23.

Manufacturing Method of Sputtering Target and Sputtering Target

Номер патента: KR100771434B1. Автор: 나오기 오노. Владелец: 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-10-30.

Sputtering Target for Oxide Thin Film and Process for Producing the Sputtering Target

Номер патента: US20130285053A1. Автор: YANO Koki,INOUE Kazuyoshi,KAWASHIMA Hirokazu,UTSUNO Futoshi. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Sputtering target and method/apparatus for cooling the target

Номер патента: US7560011B2. Автор: Uwe Kriltz,Hendryk Richert,Armin Schmidt,Gerald Janicke,Roland Weidl. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Sputtering target and means for cooling the target

Номер патента: DE112006003022T5. Автор: Uwe Kriltz,Hendryk Richert,Armin Schmidt,Gerald Janicke,Roland Weidel. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Sputtering target and method of producing the same

Номер патента: TW546398B. Автор: Hiromitsu Hayashi,Naoki Ono. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2003-08-11.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: AU2002336378A1. Автор: Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000594A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Theado Erich. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: MY190417A. Автор: Koichi Sakamaki,Hiroaki SOGAME,Hidetaka Yakabe,Jun Fukuoka. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Nickel-based alloy sputtering target and nickel-based alloy layer

Номер патента: MY182002A. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Wen Tang,Shang-Hsien Rou. Владелец: Solar Applied Materials Tech Corp. Дата публикации: 2021-01-18.

Co-fe-nb-based sputtering target

Номер патента: MY183961A. Автор: LIN Hung-Cheng,Huang Wei-Chih,CHENG Hui-Wen,Liu I-Lung. Владелец: Solar Applied Materials Tech Corp. Дата публикации: 2021-03-17.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20120031756A1. Автор: Fukushima Atsushi,Senda Shinichiro,Oda Kunihiro. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-09.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20120037501A1. Автор: . Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-16.

TANTALUM SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20120267236A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,ORIMOTO Yoshiki. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

Tantalum sputtering target and method for preparing the same

Номер патента: TWI627299B. Автор: 王尚智,鄧茂英,邱佑宗,廖浩嘉. Владелец: 光洋應用材料科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-21.

Processing technology of high-purity tantalum sputtering target material

Номер патента: CN102000702B. Автор: 姚力军,王学泽,刘庆,张静,张志清,刘施峰. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2012-09-26.

Tantalum sputtering target and method of manufacture

Номер патента: TW503218B. Автор: Harry Rosenberg,Bahri Ozturk,Guan-Gxin Wang,Wesley Larue. Владелец: Alta Group Inc. Дата публикации: 2002-09-21.

Backing plate for sputtering target and target/backing plate assembly body

Номер патента: TW426749B. Автор: Mitsuaki Shibata,Shunichiro Yamaguchi,Gakuo Okabe. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 2001-03-21.

Sputtering Target and Method of Processing a Sputtering Target

Номер патента: US20120055787A1. Автор: Harada Nobuhiro,Kim Poong,Ohba Akira,Nitta Junichi,Mihara Yasuo. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

GADOLINIUM SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD OF SAID TARGET

Номер патента: US20120255859A1. Автор: . Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

SPUTTERING TARGET WITH REDUCED PARTICLE GENERATION AND METHOD OF PRODUCING SAID TARGET

Номер патента: US20120273347A1. Автор: Koide Kei. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM

Номер патента: US20120312681A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-13.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM

Номер патента: US20120325650A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-27.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM

Номер патента: US20130011962A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-10.

Backing Plate for a Sputter Target, Sputter Target, and Sputter Device

Номер патента: US20140110254A1. Автор: Fischer Markus,Karcher Wolfram,Jeansannetas Barbara. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of Preparing Cr-Ti Alloy Sputtering Target And Cr-Ti Alloy Sputtering Target

Номер патента: TWI575097B. Автор: 簡濤,陳琨明,黃資涵. Владелец: 光洋應用材料科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-21.

Sputtering target and method of manufacturing sputtering target

Номер патента: JP6549430B2. Автор: 透 小松,信昭 中島. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-24.

Sputtering target materials and sputtering targets

Номер патента: JP2023075689A. Автор: Koji Nishioka,Kunihiko Nakada,邦彦 中田,宏司 西岡. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Mold, molded body using the same, method for producing sputtering target, and sputtering target

Номер патента: JP4830276B2. Автор: 謙一 伊藤,哲夫 渋田見. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: JP5476636B2. Автор: 英生 高見,政隆 矢作. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Sputtering target base with adjustable target position

Номер патента: CN209816265U. Автор: 罗军,严伟,刘渊,付秋平,聂盛强. Владелец: Guiyang University. Дата публикации: 2019-12-20.

Backing plate for sputtering target and sputtering target/backing plate assembly

Номер патента: JPH11236665A. Автор: Hideaki Fukuyo,岳夫 岡部,秀秋 福世,Gakuo Okabe. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Nickel-Based Alloy Sputtering Target and Nickel-Based Alloy Layer

Номер патента: SG10201700458WA. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Wen Tang,Shang-Hsien Rou. Владелец: Solar Applied Mat Tech Corp. Дата публикации: 2017-08-30.

Silver alloy sputtering target for forming a reflective layer of an optical recording media

Номер патента: TW200417620A. Автор: Akifumi Mishima. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Amorphous alloy sputtering target

Номер патента: TW201026868A. Автор: xian-qing Zheng,Guo-Ju Chen,zhi-qiang Fu,xian-wei Chen. Владелец: xian-qing Zheng. Дата публикации: 2010-07-16.

Friction stir welding of backing plate for the sputtering targets of photo-electronic PVD

Номер патента: TW200617194A. Автор: Guang-Hua Hou,wen-xiong Lin,ji-rong Zhou. Владелец: Avail Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Sputtering target and method for producing the same

Номер патента: TW200303931A. Автор: Inau Toshio,Ugo Masanori,Uchida Masaudo. Владелец: Toso KK. Дата публикации: 2003-09-16.

High purity cobalt sputter target and process of manufacturing the same

Номер патента: TW526273B. Автор: Michael McCarty,Yinshi Liu,Stephen P Turner,Robert S Cole,Mathew S Cooper. Владелец: Alta Group Inc. Дата публикации: 2003-04-01.