Sputtering target for the formation of phase-change films and process for the production of the target
Номер патента: TW200716767A
Опубликовано: 01-05-2007
Автор(ы): Kei Kinoshita, Sohei Nonaka
Принадлежит: Mitsubishi Materials Corp
Опубликовано: 01-05-2007
Автор(ы): Kei Kinoshita, Sohei Nonaka
Принадлежит: Mitsubishi Materials Corp
Sputtering target for forming phase-change film and method for manufacturing the same
Номер патента: US20100108499A1. Автор: Kei Kinoshita,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2010-05-06.