Tantalum sputtering target .

Tantalum sputtering target

Номер патента: EP2253730A3
Опубликовано: 19-01-2011
Автор(ы): K Oda
Принадлежит: Nippon Mining and Metals Co Ltd, Nippon Mining Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Tantalum sputtering target

Номер патента: US20070023281A1. Автор: Kunihiro Oda. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Method of making a tantalum sputter target and sputter targets made thereby

Номер патента: WO2016164269A1. Автор: Matthew Fisher,Alex Kuhn,Eugene Y. Ivanov. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2016-10-13.

Sputtering target and manufacturing method therefor

Номер патента: US09704695B2. Автор: Kenichi Nagata,Atsushi Fukushima,Nobuhito Makino,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Sputtering target and method of producing sputtering target

Номер патента: US20210172056A1. Автор: Xiaoli Lu,Akira Nakamura,Junichi Nitta,Miho SATOU. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Gold sputtering target

Номер патента: US11817299B2. Автор: Tetsuya Kato,Chiharu Ishikura,Yohei Mizuno. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-11-14.

Sputter target for forming a layer of a perpendicular recording medium by magnetron sputtering

Номер патента: US20170062194A1. Автор: Amarendra Kumar Singh,Kazunori Koyama,Ajeesh Mavolil SAHADEVAN. Владелец: SHOWA DENKO HD SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09607812B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: EP4386108A1. Автор: Yusuke Sato,Shuhei Murata,Masaya Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Sputtering target and method of manufacturing the same, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20220162742A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Multi-block sputtering target and associated methods and articles

Номер патента: US09922808B2. Автор: Mark E. Gaydos,Gary Alan Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Multi-block sputtering target and associated methods and articles

Номер патента: US09334562B2. Автор: Mark E. Gaydos,Gary Alan Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Cu-ga alloy sputtering target, and method for producing same

Номер патента: US20160208376A1. Автор: Satoru Mori,Yuuki Yoshida,Kouichi Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Cylindrical sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20160056025A1. Автор: Shinji Kato,Shoubin Zhang,Shozo Komiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Ti-Nb alloy sputtering target and production method thereof

Номер патента: US11837449B2. Автор: Kunihiro Oda,Takayuki Asano. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target

Номер патента: US20240026525A1. Автор: Yusuke Sato,Shuhei Murata,Masaya Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Sputtering target of perromagnetic material with low generation of particles

Номер патента: MY150826A. Автор: Nakamura Yuichiro,Sato Atsushi,Arakawa Atsutoshi,Ogino Shin-ichi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2014-02-28.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20200362451A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Sputtering target material and method for manufacturing same

Номер патента: EP4105353A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom

Номер патента: US09783882B2. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Sputtering target and production method of the same

Номер патента: US20160079044A1. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Sputtering target

Номер патента: US20240043986A1. Автор: Hironobu Nakamura,Yu Suzuki,Tomohiro Maruko,Shohei OTOMO. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Sputtering target and production method of the same

Номер патента: US09934949B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Sputtering target and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4249628A1. Автор: Choongnyun Paul Kim,Gi Su Ham,Yoo Kyung JUNG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-27.

High purity refractory metal sputtering targets which have a uniform random texture manufactured by hot isostatic pressing high purity refractory metal powders

Номер патента: WO2015157421A9. Автор: Patrick Hogan,Helmut Haas,Marcel HAGYMASI,Paul Aimone,Joseph FLANIGAN. Владелец: H.C. Starck Inc.. Дата публикации: 2015-12-03.

Methods of forming sputtering targets

Номер патента: US8197894B2. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Sputtering target and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240035146A1. Автор: Choongnyun Paul Kim,Gi Su Ham,Yoo Kyung JUNG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20180265963A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

High purity refractory metal powders and their use in sputtering targets which may have random texture

Номер патента: US20190032196A1. Автор: Patrick Hogan,Helmut Haas,Marcel HAGYMASI,Paul Aimone,Joseph FLANIGAN. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Sputtering target for forming protective film, and laminated wiring film

Номер патента: US10538059B2. Автор: Satoru Mori,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Sputtering target

Номер патента: US20220195583A1. Автор: Masahiro Shoji,Yujiro Hayashi,Yuichi Kondo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of manufacturing a tantalum sputtering target

Номер патента: EP1609881B1. Автор: Kunihiro c/o Isohara Factory of ODA,Atsushi c/o Isohara Factory of FUKUSHIMA. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

METHOD OF MAKING A TANTALUM SPUTTER TARGET AND SPUTTER TARGETS MADE THEREBY

Номер патента: US20200240006A1. Автор: Fisher Matthew,Ivanov Eugene Y.,Kuhn Alex. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

METHOD OF MAKING A TANTALUM SPUTTER TARGET AND SPUTTER TARGETS MADE THEREBY

Номер патента: US20180080120A1. Автор: Fisher Matthew,Ivanov Eugene Y.,Kuhn Alex. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Backing plate-integrated metal sputtering target and method of producing same

Номер патента: US09711336B2. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for bonding components of a sputtering target, a bonded assembly of sputtering target components and the use thereof

Номер патента: EP2582857A1. Автор: Robert Linsbod. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2013-04-24.

Tantalum sputtering target and production method therefor

Номер патента: US09859104B2. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

High-purity copper sputtering target

Номер патента: US09773651B2. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: US09896745B2. Автор: Hirohito Miyashita,Takeo Okabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Cu-Ga alloy sintered body sputtering target, a method for manufacturing the target, a light absorbing layer made of a Cu-Ga alloy sintered body target, and a CIGS solar cell using the light absorbing layer

Номер патента: TWI458847B. Автор: Hideo Takami,Tomoya Tamura,Masakatsu Ikisawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2014-11-01.

Sputtering-target material, sputtering target, sputtering-target aluminum plate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200199739A1. Автор: Masahiro Fujita,Hiroki Takeda. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: US20240254616A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

CoZrTa(X) Sputtering Target with Improved Magnetic Properties

Номер патента: US20240018645A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2024-01-18.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: WO2022122525A3. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-08-11.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4260358A2. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2023-10-18.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: WO2022122525A2. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-06-16.

Al-sc alloys and sputtering targets and processes for consolidating

Номер патента: WO2024220750A1. Автор: Qi Zeng,Jens Wagner,Katharine S. Gardinier,David Peter VANHEERDEN. Владелец: MATERION CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-24.

Copper alloy sputtering target, process for producing the same and semiconductor element wiring

Номер патента: US09765425B2. Автор: Takeo Okabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Al-based alloy sputtering target and Cu-based alloy sputtering target

Номер патента: US09551065B2. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film

Номер патента: US09441289B2. Автор: Atsushi Fukushima,Susumu Shimamoto,Yuichiro Shindo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

High-Purity Copper Sputtering Target

Номер патента: US20140367253A1. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

High-purity ferromagnetic sputter targets and methods of manufacture

Номер патента: US20040031546A1. Автор: Thomas Hunt,David Dombrowski,Andrew Perry,Holger Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20170009336A1. Автор: Nobuaki Nakashima,Tooru Komatsu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20200115790A1. Автор: Nobuaki Nakashima,Tooru Komatsu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Titanium Sputtering Target, Production Method Therefor, And Method For Producing Titanium-Containing Thin Film

Номер патента: US20200240005A1. Автор: Shuhei Murata,Daiki Shono. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Sputtering target, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09416439B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Sang-Wook Sin,Il-sang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Cu-Ga alloy sputtering target, and method of manufacturing Cu-Ga alloy sputtering target

Номер патента: JP6531816B1. Автор: 周橋本,橋本　周,拓真武田,曉森,啓太梅本. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2019-06-19.

Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP3279366A4. Автор: Yuki Yoshida,Satoru Mori,Toshiaki Ueda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-09-12.

Gold sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US11795540B2. Автор: Tetsuya Kato,Masahiro Takahashi,Takashi Terui. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-10-24.

Aluminum sputtering target

Номер патента: US20180223416A1. Автор: Hiromi Matsumura. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Cu-Mn Alloy Sputtering Target and Semiconductor Wiring

Номер патента: US20100013096A1. Автор: Shuichi Irumata,Chisaka Miyata. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and Cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer

Номер патента: US8658009B2. Автор: Satoru Mori,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Sputtering target including carbon-doped gst and method for fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20220190241A1. Автор: Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

High strength sputtering target for forming phosphor film in electroluminescence element

Номер патента: CA2607620C. Автор: Akifumi Mishima,Shoubin Zhang,Shozo Komiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Highly pure lanthanum, sputtering target comprising highly pure lanthanum, and metal gate film mainly composed of highly pure lanthanum

Номер патента: AU2008344685B2. Автор: Masahiro Takahata,Yuichiro Shindo,Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Highly purified titanium material and its named article, a sputtering target

Номер патента: US5204057A. Автор: Noriaki Yagi,Takashi Ishigami,Mituo Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Method for machining sputtering target, apparatus for machining sputtering target, sputtering target, and method for producing sputtering target product

Номер патента: US11766726B2. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for machining sputtering target, apparatus for machining sputtering target, sputtering target, and method for producing sputtering target product

Номер патента: US20190351491A1. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Sputtering target and method for manufacturing sputtering target

Номер патента: EP4404238A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for processing sputtering target and method for manufacturing sputtering target product

Номер патента: US20190099814A1. Автор: Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Sputtering target product and method for producing recycled sputtering target product

Номер патента: US12054822B2. Автор: Yuki Yamada,Kengo Kaminaga,Shuhei Murata,Keijiro Sugimoto. Владелец: Jx Advanced Metals Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

High purity sulfur-doped copper sputtering target assembly and method for producing same

Номер патента: US20230260769A1. Автор: Eduardo Del-Rio Perez,Harrison Collin Whitt. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240263296A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Tungsten sintered compact sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09812301B2. Автор: Takeo Okabe,Kazumasa Ohashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Niobium sputtering target

Номер патента: US12020916B2. Автор: Yuki Yamada,Kotaro Nagatsu. Владелец: Jx Metals Corpo Tion. Дата публикации: 2024-06-25.

Silicon sputtering target with special surface treatment and good particle performance and methods of making the same

Номер патента: US09566618B2. Автор: Yang Liu,Eugene Y. Ivanov,Weifang Miao,Yongwen Yuan,Phil Frausto. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Planar or tubular sputtering target and method for the production thereof

Номер патента: US8974707B2. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott,Uwe Konietzka,Sabine Schneider-Betz,Lars Ebel,Ben Kahle. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-03-10.

Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof

Номер патента: US20180282859A1. Автор: Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing a molybdenum sputtering target for back electrode of CIGS solar cell

Номер патента: US09506141B2. Автор: Seung Min Lee,Ik Hyun Oh,Jun Mo Yang,Hyun Kuk Park. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-11-29.

Large-grain tin sputtering target

Номер патента: US20210050194A1. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Marc D. Ruggiero,Patrick K. Underwood,Susan D. Strothers. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4012746A9. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-08-10.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4012746A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-06-15.

Fe-co alloy sputtering target material and method for producing same, and soft magnetic thin film layer and perpendicular magnetic recording medium using same

Номер патента: MY167435A. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Sputtering target-backing plate assembly

Номер патента: US20200258724A1. Автор: Yosuke Endo,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita,Naoki Ise. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Sputtering target and method for manufacturing sputtering target

Номер патента: US12106949B2. Автор: Yuki Furuya. Владелец: Jx Advanced Metals Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Sputtering Target Product And Method For Producing Recycled Sputtering Target Product

Номер патента: US20220098723A1. Автор: Yuki Yamada,Kengo Kaminaga,Shuhei Murata,Keijiro Sugimoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Sputtering Target Product And Method For Producing Recycled Sputtering Target Product

Номер патента: US20230132362A9. Автор: Yuki Yamada,Kengo Kaminaga,Shuhei Murata,Keijiro Sugimoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Silicon sputtering target with special surface treatment and good particle performance and methods of making the same

Номер патента: US20140311900A1. Автор: Yang Liu,Eugene Y. Ivanov,Weifang Miao,Yongwen Yuan,Phil Frausto. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Nisi sputtering target with improved grain structure

Номер патента: WO2020260094A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2020-12-30.

Nisi sputtering target with improved grain structure

Номер патента: EP3757248A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2020-12-30.

Low carbon defect copper-manganese sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US20230287559A1. Автор: Eduardo del Rio Perez,Erich Walter Theado,Lora Birkefeld Thrun. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for surface preparation of sputtering target

Номер патента: US20160333461A1. Автор: Longzhou Ma,Xingbo Yang,Matthew J. KOMERTZ,Arthur V. TESTANERO,Dejan Stojakovic. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Sputtering target

Номер патента: US20200385853A1. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita,Hiroyuki Tsukada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Sputtering target, magnetic film and method for producing magnetic film

Номер патента: US20210172055A1. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Akira Shimojyuku. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Sputtering target material and thin film manufactured using the material

Номер патента: MY156642A. Автор: Sawada Toshiyuki,Kishida Atsushi. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Cu—Ga alloy sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09748080B2. Автор: Satoru Mori,Yuuki Yoshida,Kouichi Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing a molybdenum sputtering target for back electrode of cigs solar cell

Номер патента: US20130336831A1. Автор: Seung Min Lee,Ik Hyun Oh,Jun Mo Yang,Hyun Kuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-19.

Sputtering target-backing plate assembly, manufacturing method therefor, and recovery method for sputtering target

Номер патента: US20230360897A1. Автор: Hironobu Nakamura,Yu Suzuki,Tomohiro Maruko,Shohei OTOMO. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Magnetic material sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20160237552A1. Автор: Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Monolithic sputtering target assembly

Номер патента: WO2004009866A3. Автор: Christopher A Michaluk,Robert B Ford. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

NiW(X) Sputtering Target with Improved Structure

Номер патента: US20210156023A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2021-05-27.

Sputtering target

Номер патента: US10480061B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Said Target

Номер патента: US20150303040A1. Автор: Kazumasa Ohashi,Kengo Kaminaga. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Sputtering target and process for production thereof

Номер патента: MY177222A. Автор: Shin Saito,Migaku Takahashi,Toshiya Yamamoto,Kim Kong THAM,Shintaro HINATA. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2020-09-09.

Tungsten Sputtering Target And Method For Producing Same

Номер патента: US20170211176A1. Автор: Kunihiro Oda,Kazumasa Ohashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Copper-based alloy sputtering target and method for making the same

Номер патента: US20230082145A1. Автор: Tsung-Hsien Hsieh,Shou-Hsien Lin,Yu-An YE. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Niw(x) sputtering target with improved structure

Номер патента: EP3825427A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2021-05-26.

Sputtering target

Номер патента: US20180327896A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Fe-Al Based Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20140166481A1. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles

Номер патента: MY157156A. Автор: Nakamura Yuichiro,Sato Atsushi,Arakawa Atsutoshi,Ogino Shin-ichi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-05-13.

Mn-Nb-W-Cu-O-BASED SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210358728A1. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Sputtering Target and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20230349035A1. Автор: Tomio Otsuki,Yasushi Moril. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Sputtering target and method for production thereof

Номер патента: US09922807B2. Автор: Yousuke Endo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Sputter targets for self-doped source and drain contacts

Номер патента: US20240186127A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Matthew V. Metz,Aaron A. Budrevich,Ilya V. Karpov,Dan S. Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Copper alloy sputtering target

Номер патента: US09518320B2. Автор: Toshio Sakamoto,Satoru Mori,Kiyoyuki Ookubo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Cobalt sputtering target

Номер патента: US11830711B2. Автор: Kunihiro Oda,Takayuki Asano. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Ag ALLOY SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING Ag ALLOY SPUTTERING TARGET, Ag ALLOY FILM, AND METHOD OF FORMING Ag ALLOY FILM

Номер патента: US20170233863A1. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori,Hideharu Matsuzaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of diffusion-bond powder metallurgy sputtering target

Номер патента: EP2111478A2. Автор: Darryl Draper,Chi-Fung Lo. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-28.

Sputtering target

Номер патента: US11821077B2. Автор: Constantin Virgil SOLOMON,Christopher Yaw BANSAH,Tom Nelson Oder. Владелец: Youngstown State University. Дата публикации: 2023-11-21.

Sputtering target, magnetic film and method for producing magnetic film

Номер патента: US11821076B2. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Akira Shimojyuku. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Sputtering target material

Номер патента: US20210010105A1. Автор: Satoru Mori,Satoshi Kumagai,U Tani,Yuuji Sato. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Sputtering target and method for making the same

Номер патента: US20160326633A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Sputtering target and method for making the same

Номер патента: US10077496B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Shi-Lu Zhan,Xiao-Long Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Sputtering target including carbon-doped GST and method for fabricating electronic device using the same

Номер патента: US11968912B2. Автор: Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Nisi Sputtering Target With Improved Grain Structure

Номер патента: MY195195A. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: Materion Advanced Mat Germany Gmbh. Дата публикации: 2023-01-11.

Method of making high purity copper sputtering targets

Номер патента: US5803342A. Автор: Janine K. Kardokus. Владелец: Johnson Matthey Electronics Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Chalcogenide sputtering target and method of making the same

Номер патента: US11946132B2. Автор: Michael R. Pinter. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

High purity copper sputtering target material

Номер патента: US20180237901A1. Автор: Satoru Mori,Isao Arai,U Tani,Yuuji Sato,Fumitake Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of forming coated article using sputtering target(s) and ion source(s) and corresponding apparatus

Номер патента: CA2585636A1. Автор: Uwe Kriltz,Vijayen S. Veerasamy,Gerald Janicke,Jochen Butz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-26.

Method of forming coated article using sputtering target(s) and ion source(s) and corresponding apparatus

Номер патента: EP1817265A2. Автор: Uwe Kriltz,Vijayen S. Veerasamy,Gerald Janicke,Jochen Butz. Владелец: Centre Luxembourgeois de Recherches pour le Verre et la Ceramique CRVC SARL. Дата публикации: 2007-08-15.

Aluminum alloys and processes for making aluminum -scandium sputtering targets with high uniformity and elemental content

Номер патента: US20240194463A1. Автор: Katharine S. Gardinier,Vitaliy V. MYASNIKOV,David P. Van Heerden,Matthew J. KOMERTZ,Wieslaw Dylag,Arthur V. TESTANERO. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Modified tungsten-titanium sputtering targets

Номер патента: US20150162172A1. Автор: Chi-Fung Lo,Paul Gilman. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Sputter target and method for producing a sputter target

Номер патента: US20190368029A1. Автор: Peter Polcik,Helmut Riedl,Szilard KOLOZSVARI,Paul Mayrhofer. Владелец: Plansee Composite Materials GmbH. Дата публикации: 2019-12-05.

Sputter target and method for producing a sputter target

Номер патента: US11767587B2. Автор: Peter Polcik,Helmut Riedl,Szilard KOLOZSVARI,Paul Mayrhofer. Владелец: Plansee Composite Materials GmbH. Дата публикации: 2023-09-26.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Same Target

Номер патента: US20150023837A1. Автор: Ohashi Kazumasa,Okabe Takeo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170213711A1. Автор: SAKAMOTO Toshio,Mori Satoru,Ookubo Kiyoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR Cu-Ga SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170236695A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Kensuke IO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-08-17.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Same Target

Номер патента: US20180347031A1. Автор: Ohashi Kazumasa,Okabe Takeo. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

SPUTTER TARGET AND METHOD FOR PRODUCING A SPUTTER TARGET

Номер патента: US20190368029A1. Автор: POLCIK PETER,Kolozsvari Szilard,MAYRHOFER PAUL,RIEDL HELMUT. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Cu-Ga sputtering target and method for producing Cu-Ga sputtering target

Номер патента: JP5973041B2. Автор: 啓太梅本,張　守斌,守斌張,謙介井尾. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-08-17.

Copper alloy sputtering target and method for producing copper alloy sputtering target

Номер патента: JP6274026B2. Автор: 敏夫坂本,清之大久保,曉森. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

Method of Producing Sintered Compact, Sintered Compact, Sputtering Target Formed from the same, and Sputtering Target-Backing Plate Assembly

Номер патента: US20100206724A1. Автор: Hideyuki Takahashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Cu-Ga sputtering target and method of producing Cu-Ga sputtering target

Номер патента: TW201621056A. Автор: 梅本啓太,張守斌,井尾謙介. Владелец: 太陽能邊陲股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-16.

Copper alloy sputtering target and manufacturing method of copper alloy sputtering target

Номер патента: TWI654323B. Автор: 森曉,坂本敏夫,大久保清之. Владелец: 日商三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for producing sintered body, sintered body, sputtering target composed of the sintered body, and sputtering target-backing plate assembly

Номер патента: EP2186917B1. Автор: Hideyuki Takahashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR Cu-Ga SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP3187619A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Kensuke IO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-07-05.

Tungsten sintered compact sputtering target and tungsten film formed using same target

Номер патента: WO2013129434A1. Автор: 岡部　岳夫,一允大橋. Владелец: Jx日鉱日石金属株式会社. Дата публикации: 2013-09-06.

Fept-based sputtering target and process for producing the same

Номер патента: MY173713A. Автор: Goto Yasuyuki,MIYASHITA Takanobu,NISHIURA Masahiro,Yamamoto Takamichi,Kushibiki Ryousuke,Aono Masahiro. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2020-02-18.

FePt-C-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190292650A1. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2019-09-26.

Co—Cr—Pt-based sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09732414B2. Автор: Atsushi Sato,Yuki Ikeda,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target for magnetic recording film and process for production thereof

Номер патента: US09605339B2. Автор: Atsushi Nara,Hideo Takami,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Sputtering target-backing plate assembly, and its production method

Номер патента: US20120228132A1. Автор: Yoshimasa Koido. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Fept-c-based sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20160013033A1. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-01-14.

Fept-based sputtering target

Номер патента: US20140318954A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-30.

Sputtering target

Номер патента: US20210087673A1. Автор: Masahiro Aono,Shin Saito,Takeshi Ishibashi,Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM,Takeshi Numazaki. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20190309394A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Yumeki SHINMURA. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Fept-based sputtering target

Номер патента: US20140318955A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-30.

Fept-c-based sputtering target

Номер патента: MY192178A. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2022-08-04.

Sputtering target for forming protective film, and laminated wiring film

Номер патента: US20140315043A1. Автор: Satoru Mori,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Process for producing fept-based sputtering target

Номер патента: US20140322062A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-30.

Process for producing fept-based sputtering target

Номер патента: US20140322063A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-30.

Tantalum sputtering target and method for preparation thereof

Номер патента: EP1541708A4. Автор: K Oda. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-04.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: WO2003008656B1. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B Hidden. Владелец: Frederick B Hidden. Дата публикации: 2004-04-08.

Hot rolled plate made of copper alloy used for a sputtering target and sputtering target

Номер патента: US09437405B2. Автор: Masato Koide,Kiyoyuki Okubo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: EP1407058A2. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B. Hidden. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-04-14.

Hot rolled copper alloy sheet for sputtering target, and sputtering target

Номер патента: KR101644283B1. Автор: 마사토 고이데,기요유키 오쿠보. Владелец: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-07-29.

Method for bonding components of a sputtering target, a bonded assembly of sputtering target components and the use thereof

Номер патента: KR20180064563A. Автор: 로베르트 린스보드. Владелец: 유미코아. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Sputtering target

Номер патента: US09437486B2. Автор: Takashi Watanabe,Koichi Watanabe,Takashi Ishigami,Yukinobu Suzuki,Yasuo Kohsaka,Naomi Fujioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for making Ni-Si magnetron sputtering targets and targets made thereby

Номер патента: US20020144902A1. Автор: Eugene Ivanvov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Sputtering target

Номер патента: US20120298506A1. Автор: David B. Smathers,Eugene Y. Ivanov,Ronald G. Jordan,Yongwen Yuan. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of fabricating sputtering target, sputtering target using the method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the sputtering target

Номер патента: US09598764B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Il-sang Lee,Sang-Wook Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Sputtering target and sputtering apparatus including the same

Номер патента: US20240084441A1. Автор: Hyuneok Shin,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Electrode structure of rear electrode of semiconductor substrate, method of its obtaining and sputtered target for use in production of electrode structure

Номер патента: RU2718134C1. Автор: Тецуя КАТО,Йохей МИЗУНО,Тихару ИСИКУРА. Владелец: Танака Кикинзоку Когио К.К.. Дата публикации: 2020-03-30.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09941415B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09732004B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09688580B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Quick change sputter target assembly

Номер патента: US4820397A. Автор: Kenneth B. Fielder,Robert L. Belli,Conrad E. Fuchs. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1989-04-11.

Sputtering target for insulating oxide film, method for forming insulating oxide film, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US20200176588A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Manufacturing method of cylindrical sputtering target material

Номер патента: US09982335B2. Автор: Akira Sakurai,Satoshi Kumagai,Takashi Sonohata,Michiaki OHTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for using sputtering target and method for manufacturing oxide film

Номер патента: WO2014002916A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-03.

Sputtering target material and oxide semiconductor

Номер патента: US20230307549A1. Автор: Shigeki Tokuchi,Kyosuke Teramura,Ryo SHIRANITA. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20170352763A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20200013894A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Sputtering target and method for forming sputtering target

Номер патента: US20240002998A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Fumito Isaka,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20240141477A1. Автор: Hiroyoshi Yamamoto,Atsushi Nara. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Passivation layer for forming semiconductor bonding structure, sputtering target making the same, semiconductor bonding structure and semiconductor bonding process

Номер патента: US20240145421A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Chih-Han Chen,Hong-Yi Wu,Ying-Chan HUNG,Cheng-Yen Hsieh,Zhong-Jie HONG,Chih-I CHO,Ming-Wei WENG,Chiao-Yen WANG. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming sputtering target

Номер патента: US09885108B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Sputtering target, method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09865696B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Oxide sputtering target, thin film transistor using the same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09484200B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Takayuki Fukasawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Sputtering target and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20100283154A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Hee-sook Park,Su-kyoung Kim,Taek-Jung Kim,Sun-Ghil Lee,Jong-min Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-11.

Sputtering target

Номер патента: US09767998B2. Автор: Shigeo Matsuzaki,Shigekazu Tomai,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Cylindrical sputtering target material

Номер патента: US09748079B2. Автор: Akira Sakurai,Satoshi Kumagai,Michiaki OHTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Oxide sputtering target, and thin film transistor using the same

Номер патента: US09543444B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yoshinori Tanaka,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Zinc oxide sintered compact, sputtering target, and zinc oxide thin film

Номер патента: US09396830B2. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Kenji Omi,Hitoshi Iigusa,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Platinum-based sputtering target, and method for producing the same

Номер патента: US20230407459A1. Автор: Kunihiro Tanaka,Shoji Ikeda,Takao Asada,Shuichi Kubota,Tetsuo Endoh,Akihito FUJINO. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-12-21.

Sputtering Target Including a Feature to Reduce Chalcogen Build Up and Arcing on a Backing Tube

Номер патента: US20130337602A1. Автор: Mark Campello,Robert Martinson,Heinrich Von Bunau,Johannes Vlcek,Ron Rulkens,Tom Heckel. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2013-12-19.

Thin-film transistor and zinc oxide-based sputtering target for the same

Номер патента: US20140001469A1. Автор: Do-Hyun Kim,Jaewoo Park,Yoon Gyu Lee,Dongjo Kim,Yongjin Lee,Juok Park,Woo-Seok Jeon,Sangwon Yoon,Insung Sohn,Gunhyo Lee. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Thin-film transistor and zinc oxide-based sputtering target for the same

Номер патента: US9035297B2. Автор: Do-Hyun Kim,Jaewoo Park,Yoon Gyu Lee,Dongjo Kim,Yongjin Lee,Juok Park,Woo-Seok Jeon,Sangwon Yoon,Insung Sohn,Gunhyo Lee. Владелец: Samsung Corning Advanced Glass LLC. Дата публикации: 2015-05-19.

Piezoelectric ceramic sputtering target, lead-free piezoelectric thin film and piezoelectric thin film element using the same

Номер патента: US20170288128A1. Автор: Masahito Furukawa,Masaru Nanao,Kenta Ishii,Tomohisa Azuma,Tatsuji Sano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Oxide sputtering target, and thin film transistor using the same

Номер патента: US20170092773A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yoshinori Tanaka,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Oxide sputtering target, and thin film transistor using the same

Номер патента: US20150255611A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yoshinori Tanaka,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Sputtering target and method of fabrication

Номер патента: EP1848552A2. Автор: Charles E. Wickersham, Jr.,P. Todd Alexander,Vladimir I. Levit. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Sputtering Target And Method Of Fabrication

Номер патента: US20110297536A1. Автор: Charles E. Wickersham, Jr.,P. Todd Alexander,Vladimir Levit. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure

Номер патента: US20190233935A1. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Ira G. Nolander,Patrick Underwood,Erik L. TURNER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure

Номер патента: EP3746579A1. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Ira G. Nolander,Patrick Underwood,Erik L. TURNER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Cylindrical sputtering target material

Номер патента: US20160203959A1. Автор: Akira Sakurai,Satoshi Kumagai,Michiaki OHTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Tantalum sputtering target, method for manufacturing same, and barrier film for semiconductor wiring formed by using target

Номер патента: US09890452B2. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20150329959A1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Rotatable sputter target base, rotatable sputter target, coating installation, method of producing a rotatable sputter target, target base connection means, and method of connecting a rotatable target base device for sputtering installations to a target base support

Номер патента: SG195563A1. Автор: Oliver Heimel,Lothar Lippert. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-12-30.

METHOD OF MAKING A TANTALUM SPUTTERING TARGET WITH INCREASED DEPOSITION RATE

Номер патента: US20190055629A1. Автор: Fisher Matt,Kuhn Alex. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20200131622A1. Автор: Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

TANTALUM SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20150348765A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: KR101927574B1. Автор: 신이치로 센다,고타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2018-12-10.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: CN104755651A. Автор: 仙田真一郎,永津光太郎. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-07-01.

Tantalum sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2014097900A1. Автор: 真一郎仙田,光太郎永津. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Sputtering target, method of bonding target material and backing plate, and method of manufacturing sputtering target

Номер патента: US12051577B2. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacture and refill of sputtering targets

Номер патента: EP4182285A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Jeffrey Dieter Edel,Jai Shankar Subramanian,Ignacio CARETTI GIANGASPRO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2023-05-24.

Diffusion-bonded sputter target assembly and method of manufacturing

Номер патента: US09546418B2. Автор: David B. Smathers,Eugene Y. Ivanov,Weifang Miao,Robert S. Bailey,Jeff Hart,Erich Theado. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Sputtering target and/or coil, and process for producing same

Номер патента: US09951412B2. Автор: Kenichi Nagata,Nobuhito Makino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Sputtering target

Номер патента: EP4403668A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Polycrystalline Silicon Sputtering Target

Номер патента: US20150001069A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Sputtering target

Номер патента: US20240337008A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Polycrystalline silicon sputtering target

Номер патента: US09982334B2. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Lithium containing composite metallic sputtering targets

Номер патента: US09765426B1. Автор: Lizhong Sun,Chong JIANG,Jan Isidorsson,Byung-Sung Leo Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Sputtering target, sputtering target-backing plate assembly and deposition system

Номер патента: US09685307B2. Автор: Hirohito Miyashita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Monocrystalline silicon sputtering target

Номер патента: US20180226236A1. Автор: Hiroshi Takamura,Shuhei Murata,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same

Номер патента: US20220351953A1. Автор: Ming-Jie He,Wen-Cheng Cheng,Chen-Fang Chung,Po Wen Yang,Yan-Zi Lu,Cheng-Yi Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same

Номер патента: US09761422B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Sputtering target

Номер патента: US20180286646A1. Автор: Toshiaki Kuroda,Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Sputtering target

Номер патента: US11862443B2. Автор: Toshiaki Kuroda,Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Sputtering target

Номер патента: US20210371970A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2021-12-02.

Planar sputtering target

Номер патента: EP3861566A2. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2021-08-11.

Planar sputtering target

Номер патента: WO2020070324A3. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2020-07-16.

Sputtering target

Номер патента: WO2020070324A2. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO,Tom COTTENS. Владелец: Soleras Advanced Coatings bvba. Дата публикации: 2020-04-09.

ITO ceramic sputtering targets with reduced In2O3 contents and method of producing it

Номер патента: US09885109B2. Автор: Eugène MEDVEDOVSKI,Olga Yankov,Christopher Szepesi. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Sputter target and sputtering methods

Номер патента: US09831072B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Ronald M. Parker. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Zinc oxide based sputtering target, method for manufacturing zinc oxide based sputtering target, zinc oxide based transparent electrically conductive film, method for manufacturing zinc oxide based transparent electrically conductive film, and electronic apparatus

Номер патента: US20100123103A1. Автор: Takahiro Nagata,Toshitaka Kawashima,Shina Kirita,Yuichi Kamori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Sputtering target

Номер патента: US20240229224A9. Автор: Stephan Bolz,Werner Kölker,Oliver Lemmer,Jürgen Balzereit. Владелец: CemeCon AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Sputtering target

Номер патента: US20240133022A1. Автор: Stephan Bolz,Werner Kölker,Oliver Lemmer,Jürgen Balzereit. Владелец: CemeCon AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358729A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima,Haruyuki Baba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018011645A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima,Haruyuki Baba. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for the manufacturing of sputtering targets using an inorganic polymer

Номер патента: EP2297374A1. Автор: Brigitte Pecquenard,Alain Levasseur. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2011-03-23.

A method for determining a critical size of an inclusion in aluminum or aluminum alloy sputtering target

Номер патента: EP1381703A2. Автор: LIN ZHU,Charles E. Wickersham, Jr.,John E. Poole,Alexander Leybovich. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Sputtering target

Номер патента: US20180144912A1. Автор: Yasuhiro Yamakoshi,Kotaro Nagatsu,Shuhei Murata. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

A method for determining a critical size of an inclusion in aluminum or aluminum alloy sputtering target

Номер патента: EP1381703A4. Автор: LIN ZHU,Charles E Wickersham Jr,John E Poole,Alexander Leybovich. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Igzo sputtering target

Номер патента: US20240344193A1. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Partial spray refurbishment of sputtering targets

Номер патента: US09976212B2. Автор: Steven A. Miller. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Zinc oxide sputtering target

Номер патента: US09824869B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US09824868B2. Автор: Eiji Kusano,Ken Okamoto,Tadahisa Arahori,Muneaki Sakamoto,Akishige Sato,Sachio Miyashita. Владелец: Ferrotec Ceramics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Sputtering target with backside cooling grooves

Номер патента: US09779920B2. Автор: Jeonghoon Oh,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide

Номер патента: US09773653B2. Автор: Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Diffusion bonded high purity copper sputtering target assemblies

Номер патента: US09761420B2. Автор: Paul Gilman,Jaydeep Sarkar. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same

Номер патента: US09567665B2. Автор: Atsushi Nara,Hideo Takami,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

High utilization sputtering target for cathode assembly

Номер патента: US5490914A. Автор: Steven Hurwitt,Corey Weiss. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Sputtering target and method for manufacturing a sputtering target

Номер патента: US11851748B2. Автор: Jun Kajiyama. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Sputtering Target And Method For Manufacturing A Sputtering Target

Номер патента: US20210301389A1. Автор: Jun Kajiyama. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Diffusion-bonded sputtering target assembly and method of manufacturing

Номер патента: WO2012112376A1. Автор: David B. Smathers,Eugene Y. Ivanov,Weifang Miao,Robert S. Bailey,Jeff Hart,Erich Theado. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Conical sputtering target

Номер патента: EP1252357A1. Автор: David A. Glocker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-30.

Design for sputter targets to reduce defects in refractory metal films

Номер патента: US5271817A. Автор: Hunter B. Brugge,Kin-Sang Lam. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-12-21.

Process and apparatus for the manufacture of sputtering targets

Номер патента: CA2556786C. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

Method and apparatus for detecting sputtering target depletion

Номер патента: US4545882A. Автор: Harold E. Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1985-10-08.

Method of enhancing the performance of a magnetron sputtering target

Номер патента: CA2089645C. Автор: Steven D. Hurwitt,Arnold J. Aronson,Charles Van Nutt. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Sputter target design

Номер патента: US5009765A. Автор: Sohail S. Qamar,Harry W. Conard,Lowell E. Hamilton. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Conical sputtering target

Номер патента: WO2002040736B1. Автор: David A Glocker. Владелец: David A Glocker. Дата публикации: 2002-09-12.

Segmented sputtering target and method/apparatus for using same

Номер патента: WO2004092438A1. Автор: Hong Wang,Thomas A. Seder. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2004-10-28.

Large area elastomer bonded sputtering target and method for manufacturing

Номер патента: WO2006132916A8. Автор: Thomas r stevenson,Wayne R Simpson,Ryan A Scatena. Владелец: Thermal Conductive Bonding Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Segmented sputtering target and method/apparatus for using same

Номер патента: WO2004092438B1. Автор: Hong Wang,Thomas A Seder. Владелец: Thomas A Seder. Дата публикации: 2005-01-27.

Magnetically attached sputter targets

Номер патента: US5286361A. Автор: Daniel M. Makowiecki,Mark A. McKernan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-02-15.

Sputtering target backing plate assembly and film deposition system

Номер патента: EP2236644A2. Автор: Hirohito Miyashita. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Modified lithium cobalt oxide sputtering targets

Номер патента: WO2015130738A1. Автор: Chi-Fung Lo,Paul Gilman,Darryl P. DRAPER. Владелец: PRAXAIR S.T. TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Warp correction method for sputtering target with backing plate

Номер патента: US20160211124A1. Автор: Masahiro Aono,Osamu Itoh,Takamichi Yamamoto,Takuya Nagashima. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-07-21.

Sputtering target with a partially enclosed vault

Номер патента: US20030173215A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Oxide sintered body, method for producing same and sputtering target

Номер патента: US20190016638A1. Автор: Kenichi Itoh,Shinichi Hara,Hiroyuki Hara. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same

Номер патента: US20140332735A1. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Ilgusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Oxide sintered body, method for producing same and sputtering target

Номер патента: US10669208B2. Автор: Kenichi Itoh,Shinichi Hara,Hiroyuki Hara. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Cylindrical sputtering target, cylindrical compact, manufacturing method of cylindrical sputtering target, and manufacturing method of cylindrical sintered compact

Номер патента: US09834839B2. Автор: Yohei Yamaguchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Indium sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US09758860B2. Автор: Yousuke Endo,Masaru Sakamoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Sputtering target for forming protective film and laminated wiring film

Номер патента: US09543128B2. Автор: Satoru Mori,Souhei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US5435965A. Автор: Jun Tamura,Munenori Mashima. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Enhanced sputter target alloy compositions

Номер патента: EP1607940A3. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel,Michael Bartholomeusz,Yuanda R. Cheng. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2006-02-15.

Ring-type sputtering target

Номер патента: EP1402081A1. Автор: Daniel R. Marx,Rajan Mathew,Alfred Snowman,Charles R. Fisher. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film

Номер патента: MY149640A. Автор: Nakamura Yuichiro,Ikeda Yuki,Ogino Shin-ichi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-09-13.

Cathodic sputtering target including means for detecting target piercing

Номер патента: US4374722A. Автор: Bogdan Zega. Владелец: Battelle Development Corp. Дата публикации: 1983-02-22.

Conical-frustum sputtering target and magnetron sputtering apparatus

Номер патента: US4747926A. Автор: Shigeru Kobayashi,Tamotsu Shimizu,Takeshi Oyamada,Hikaru Nishijima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-05-31.

Extended life sputter targets

Номер патента: EP1087033A8. Автор: David Strauss,Jean Pierre Blanchet. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Quick change sputter target assembly

Номер патента: US5147521A. Автор: Kenneth B. Fielder,Robert L. Belli,Conrad E. Fuchs,Martin L. Blazic,Rick O. Eller. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

(Ga) Zn Sn oxide sputtering target

Номер патента: US9758856B2. Автор: Wilmert De Bosscher,Jorg OBERSTE BERGHAUS. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2017-09-12.

Ferromagnetic material sputtering target

Номер патента: MY161157A. Автор: Yuki Ikeda,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2017-04-14.

Potassium sodium niobate sputtering target and production method thereof

Номер патента: US11851747B2. Автор: Ryo Suzuki,Atsushi Nara,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

SPUTTERING TARGETS AND DEVICES INCLUDING Mo, Nb, AND Ta, AND METHODS

Номер патента: WO2016115026A9. Автор: Qi Zhang,Shuwei Sun,Gary Alan Rozak,Barbara Cox,Yen-Te Lee. Владелец: H.C. Starck Inc.. Дата публикации: 2016-10-27.

SPUTTERING TARGETS AND DEVICES INCLUDING Mo, Nb, and Ta, AND METHODS

Номер патента: US20190066987A1. Автор: Qi Zhang,Shuwei Sun,Gary Alan Rozak,Barbara Cox,Yen-Te Lee. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Partial spray refurbishment of sputtering targets

Номер патента: US11739416B2. Автор: Steven A. Miller. Владелец: HC Starck Solutions Euclid LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Cylindrical sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20190360090A1. Автор: Yoshitaka Tsuruta,Tomoya Negishi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Potassium sodium niobate sputtering target and production method thereof

Номер патента: US20240052478A1. Автор: Ryo Suzuki,Atsushi Nara,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide

Номер патента: MY179240A. Автор: Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-11-02.

Ferromagnetic Material Sputtering Target Containing Chromium Oxide

Номер патента: US20150014155A1. Автор: Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Sputtering target with backside cooling grooves

Номер патента: US20180019108A1. Автор: Jeonghoon Oh,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Sputtering target with backside cooling grooves

Номер патента: US20200294778A1. Автор: Jeonghoon Oh,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Modular sputtering target with precious metal insert and skirt

Номер патента: EP4359584A1. Автор: Chen Wang,Matthew Fisher,James GUERRERO. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Modular sputtering target with precious metal insert and skirt

Номер патента: WO2022272045A1. Автор: Chen Wang,Matthew Fisher,James GUERRERO. Владелец: MATERION CORPORATION. Дата публикации: 2022-12-29.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: EP4363384A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of forming a sputtering target

Номер патента: US20200332411A1. Автор: Marina Zelner,Andrew Vladimir Claude Cervin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Sputtering target for magnetic recording medium

Номер патента: US20220262608A1. Автор: Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushikibi. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2022-08-18.

Sputtering target, granular film and perpendicular magnetic recording medium

Номер патента: US20210246543A1. Автор: Takashi Kosho,Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Advanced sputter targets for ion generation

Номер патента: US11542594B2. Автор: Klaus Becker,Graham Wright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: US20240133023A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Sputtering targets and associated sputtering methods for forming hermetic barrier layers

Номер патента: WO2013138434A1. Автор: Bruce G Aitken,Mark A Quesada,Shari E Koval. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor

Номер патента: US11967505B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Radio frequency identification in-metal installation and isolation for sputtering target

Номер патента: WO2015183554A1. Автор: Justin K. Reed,Erich Theado,Kenneth FIELDER,Gerald STEVENS,Ronald Alan DILLEY,John Hardy BURLEY. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2015-12-03.

Methods for manufacturing zinc oxide base sputtering target and transparent electrically conductive film

Номер патента: US8182722B2. Автор: Takahiro Nagata,Toshitaka Kawashima,Shina Kirita,Yuichi Kamori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Magnesium oxide sputtering target

Номер патента: EP3839090A1. Автор: Yoshitaka Shibuya,Satoyasu Narita,Hiroki Kajita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

System and apparatus for real-time monitoring and control of sputter target erosion

Номер патента: US20070017800A1. Автор: Cetin Cetinkaya,Rajan Mathew,Bjoern Pigur. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having high-purity lanthanum as main component

Номер патента: CA2825301C. Автор: Masahiro Takahata,Kazuyuki Satoh,Satoyasu Narita,Takeshi Gohara. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Sputtering target

Номер патента: US20160376696A1. Автор: Yukio Kawaguchi,Minoru Iino,Kenichi Kiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Oxide sintered body and sputtering target, and manufacturing method for transparent conductive oxide film as electrode

Номер патента: US20040164281A1. Автор: Yoshiyuki Abe,Go Ohara,Noriko Ishiyama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2004-08-26.

Sputtering target for manufacturing piezoelectric thin films

Номер патента: EP3922749A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Oxide sintered body and sputtering target, and manufacturing method for transparent conductive oxide film as electrode

Номер патента: US20070057239A1. Автор: Yoshiyuki Abe,Go Ohara,Noriko Ishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Zirconium oxide based sputtering target

Номер патента: US20180155820A1. Автор: Markus Schultheis,Christoph Simons,Andreas HERZOG,Anna Schott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2018-06-07.

Zirconium oxide based sputtering target

Номер патента: WO2017108271A1. Автор: Markus Schultheis,Christoph Simons,Andreas HERZOG,Anna Schott. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2017-06-29.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US9840769B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Liang-Qi Ouyang,Ru-Jun Sun. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US9732415B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Leng Zhang,Yao-Wei Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target having rfid information

Номер патента: US20180211825A1. Автор: Matthew T. Willson,Richard J. Koba,Michael V. Pasquariello,Thomas P. St. Vincent. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US20170037505A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Leng Zhang,Yao-Wei Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Rotary sputter target assembly

Номер патента: EP2718477A1. Автор: Paul S. Gilman,Severin Sephane Gerard TIERCE. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

Al - based alloy sputtering target and Cu - based alloy sputtering target

Номер патента: TWI471439B. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2015-02-01.

Sputtering target material, sputtering target, aluminum plate for sputtering target, and its manufacturing method

Номер патента: KR20200020697A. Автор: 마사히로 후지타,히로키 다케다. Владелец: 가부시키가이샤 유에이씨제이. Дата публикации: 2020-02-26.

Al-based alloy sputtering target and cu-based alloy sputtering target

Номер патента: US20130306468A1. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

HOT EXTRUDED MATERIAL FOR CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190055625A1. Автор: Kumagai Satoshi,SAKURAI Akira,Ohto Michiaki. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20210172056A1. Автор: NAKAMURA Akira,Nitta Junichi,LU Xiaoli,SATOU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM

Номер патента: US20190185986A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,SHIMAZU Takashi,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,MARUYAMA Tetsunori,IMOTO Yuki,SATO Hitomi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM

Номер патента: US20210230740A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,SHIMAZU Takashi,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,MARUYAMA Tetsunori,IMOTO Yuki,SATO Hitomi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-29.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: KR102064865B1. Автор: 마사히로 와타나베,순페이 야마자키,테츠노리 마루야마,유키 이모토,히토미 사토,미츠오 마시야마,켄이치 오카자키,모토키 나카시마,타카시 시마즈. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2020-01-10.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: KR20220113853A. Автор: 마사히로 와타나베,순페이 야마자키,테츠노리 마루야마,유키 이모토,히토미 사토,미츠오 마시야마,켄이치 오카자키,모토키 나카시마,타카시 시마즈. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2022-08-16.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: KR20140119835A. Автор: 마사히로 와타나베,순페이 야마자키,테츠노리 마루야마,유키 이모토,히토미 사토,미츠오 마시야마,켄이치 오카자키,모토키 나카시마,타카시 시마즈. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2014-10-10.

Copper-titanium alloy sputtering target, semiconductor wiring line formed using the sputtering target, and semiconductor element and device each equipped with the semiconductor wiring line

Номер патента: KR20130122968A. Автор: 아츠시 후쿠시마,도미오 오츠키. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-11-11.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: TW201303059A. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2013-01-16.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: US9382611B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film

Номер патента: CN102165093B. Автор: 福岛笃志,新藤裕一朗,岛本晋. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113614281A. Автор: 荒川笃俊,曽川慎治. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-11-05.

Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: EP1471164B1. Автор: Takeo c/o Nikko Material Co. Ltd OKABE,Hirohito c/o Nikko Material Co. Ltd MIYASHITA. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Copper-titanium alloy sputtering target, semiconductor wiring line formed using the sputtering target, and semiconductor element and device each equipped with the semiconductor wiring line

Номер патента: TW201241216A. Автор: Atsushi Fukushima,Tomio Otsuki. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Cu-ga alloy sputtering target, and method for manufacturing cu-ga alloy sputtering target

Номер патента: WO2019124351A1. Автор: 拓真武田,曉森. Владелец: 三菱マテリアル株式会社. Дата публикации: 2019-06-27.

Cu-Ga SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET, LIGHT ABSORBING LAYER, AND SOLAR CELL USING THE LIGHT ABSORBING LAYER

Номер патента: WO2011083647A1. Автор: 友哉田村,英生高見,正克生澤. Владелец: Jx日鉱日石金属株式会社. Дата публикации: 2011-07-14.

The manufacturing method of cylinder type sputtering target hot extrusion raw material and cylinder type sputtering target

Номер патента: CN108603285A. Автор: 熊谷训,大户路晓,樱井晶. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-09-28.

Copper-titanium alloy sputtering target, the semiconductor wires using this sputtering target to be formed and the semiconductor element possessing this semiconductor wires and device

Номер патента: CN103459654B. Автор: 福岛笃志,大月富男. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-24.

Method for preparing ruthenium or ruthenium alloy-based sputtering target, and ruthenium or ruthenium alloy-based sputtering target prepared thereby

Номер патента: WO2016068362A1. Автор: 양승호,윤원규,권오집,홍길수. Владелец: 희성금속 주식회사. Дата публикации: 2016-05-06.

Cu-Ga alloy sputtering target and method of manufacturing Cu-Ga alloy sputtering target

Номер патента: TW201932612A. Автор: 森曉,武田拓真. Владелец: 日商三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-16.

Sputtering target for forming wiring layers of thin-film transistor

Номер патента: TW201033385A. Автор: Satoru Mori,Masato Koide,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Tungsten sintered material sputtering target

Номер патента: EP2284289A4. Автор: Ryo Suzuki,Kunihiro Oda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-11-09.

Low deflection sputtering target assembly and methods of making same

Номер патента: US09831073B2. Автор: Eugene Y. Ivanov,Yongwen Yuan. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonmagnetic material-dispersed fe-pt based sputtering target

Номер патента: US20190185987A1. Автор: Atsushi Sato,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Nonmagnetic material-dispersed fe-pt based sputtering target

Номер патента: MY187837A. Автор: Atsushi Sato,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Magnetic material sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793099B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Sputtering target and process for producing the same

Номер патента: WO2024217556A1. Автор: Scherer Thomas,Yi Sun,Yongyue CAI,Schmidt HENNRIK. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium

Номер патента: US9123360B2. Автор: Atsushi Saito,Rie Mori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Sputtering target, manufacturing method therefor, and manufacturing method for magnetic recording medium

Номер патента: US12091743B2. Автор: Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Advanced Metals Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: MY165449A. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2018-03-22.

NON-MAGNETIC MATERIAL-DISPERSED Fe-Pt SPUTTERING TARGET

Номер патента: SG11201900555XA. Автор: Atsushi Sato,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2019-02-27.

Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film

Номер патента: US20190040517A1. Автор: Takashi Kosho. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Fe-Pt-based sputtering target with dispersed C grains

Номер патента: US09945026B2. Автор: Atsushi Sato,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Fe-Co-based alloy sputtering target material, and method of producing same

Номер патента: US09773654B2. Автор: Kazuya Saito,Jun Fukuoka,Kouichi Sakamaki,Tomoyuki Hata. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502224B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-11-22.

Mn-Ta-W-Cu-O-BASED SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210269910A1. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Sputtering target, method for producing laminated film, laminated film and magnetic recording medium

Номер патента: SG11201903752XA. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Sputtering Target, Manufacturing Method Therefor, And Manufacturing Method For Magnetic Recording Medium

Номер патента: US20230272521A1. Автор: Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium

Номер патента: US20150010727A1. Автор: Atsushi Saito,Rie Mori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Sputtering target, method for producing laminated film, laminated film and magnetic recording medium

Номер патента: SG11201903350PA. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20140306144A1. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-16.

Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode

Номер патента: US20130101807A1. Автор: Koki Yano,Nobuo Tanaka,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints

Номер патента: US09564299B2. Автор: Stefan Zimmermann,Steven Alfred Miller,Mark Gaydos,Scott Jeffrey VOLCHKO,William Loewenthal. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film

Номер патента: US11837450B2. Автор: Takashi Kosho. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Sputtering target, method for producing laminated film, laminated film and magnetic recording medium

Номер патента: MY202419A. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2024-04-28.

Sputtering target for magnetic recording medium

Номер патента: US20210242000A1. Автор: Shin Saito,Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-08-05.

Sputtering Target, Method for Producing Laminated Film, Laminated Film and Magnetic Recording Medium

Номер патента: US20200051589A1. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Sputtering target, method for producing laminated film, laminated film and magnetic recording medium

Номер патента: MY199943A. Автор: Masayoshi Shimizu,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High efficiency rotatable sputter target

Номер патента: US11830712B2. Автор: Jeremy Young,Ian RAVARY. Владелец: SCI ENGINEERED MATERIALS Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Sputtering target and magnetic film

Номер патента: US11894221B2. Автор: Takashi Kosho,Manami Masuda,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20130175166A1. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US9928996B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2018-03-27.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US9053910B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-06-09.

TANTALUM SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND BARRIER FILM FOR SEMICONDUCTOR WIRING FORMED BY USING TARGET

Номер патента: US20150064056A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170372879A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Tantalum sputtering target

Номер патента: KR102190707B1. Автор: 코타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2020-12-14.

Tantalum sputtering target

Номер патента: CN105593399A. Автор: 小田国博. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: CN107109634B. Автор: 仙田真一郎,永津光太郎. Владелец: Jks Metal Co ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

Tantalum sputtering target

Номер патента: JP6553813B2. Автор: 光太郎永津. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-07-31.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: US20040250924A1. Автор: Paul Gilman,Holger Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1735476A1. Автор: Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-27.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1735476A4. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-28.

Cylindrical sputtering target production method and cylindrical sputtering target

Номер патента: EP3604610A4. Автор: Shinji Kato,Toshiyuki Nagase,Shin Okano. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Ag ALLOY SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD FOR Ag ALLOY SPUTTERING TARGET, Ag ALLOY FILM, AND MANUFACTURING METHOD FOR ALLOY FILM

Номер патента: EP3196333A4. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori,Hideharu Matsuzaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Sputtering target, method for joining target material and backing plate, and method for manufacturing sputtering target

Номер патента: JP6677853B1. Автор: 昌宏藤田,宏司西岡. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

The manufacturing method of sputtering target cutting element, the processing method of sputtering target and sputtering target product

Номер патента: CN109689925A. Автор: 藤田昌宏. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

Sputtering target, method for bonding target to back plate, and method for producing sputtering target

Номер патента: TWI760689B. Автор: 西岡宏司,藤田昌宏. Владелец: 日商住友化學股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-11.

Sputtering target processing method, sputtering target processing apparatus, and sputtering target product manufacturing method

Номер патента: JP6527609B2. Автор: 昌宏藤田,宏司西岡. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-05.

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170009336A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,KOMATSU Tooru. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20150034482A1. Автор: SAKAMOTO Toshio,Mori Satoru,Ookubo Kiyoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

SPUTTERING TARGET HAVING REVERSE BOWNG TARGET GEOMETRY

Номер патента: US20180044778A1. Автор: BAILEY Robert S.,Yan Junhai,Holcomb Melvin Kirk,Leybovich Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Sputtering Target Product And Method For Producing Recycled Sputtering Target Product

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200115790A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,KOMATSU Tooru. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200115791A1. Автор: NAKASHIMA Nobuaki,KOMATSU Tooru. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

COPPER MATERIAL FOR HIGH-PURITY COPPER SPUTTERING TARGET, AND HIGH-PURITY COPPER SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160172167A1. Автор: SATO Yuji,Kumagai Satoshi,Gu Yu,SAKURAI Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SPUTTERING TARGET PACKAGING STRUCTURE AND METHOD OF PACKAGING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200165050A1. Автор: NISHIOKA Koji,SATOH Naoya. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2020-05-28.

Master Alloy For Sputtering Target and Method For Producing Sputtering Target

Номер патента: US20170218502A1. Автор: Asano Takayuki,Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Ag ALLOY SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING Ag ALLOY SPUTTERING TARGET, Ag ALLOY FILM, AND METHOD OF FORMING Ag ALLOY FILM

Номер патента: US20170233863A1. Автор: Nonaka Sohei,Matsuzaki Hideharu,Toshimori Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160260591A1. Автор: Zhang Shoubin. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Said Target

Номер патента: US20180261438A1. Автор: Kazumasa Ohashi,Kengo Kaminaga. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Tungsten Sintered Compact Sputtering Target and Tungsten Film Formed Using Said Target

Номер патента: US20150303040A1. Автор: Ohashi Kazumasa,Kaminaga Kengo. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD OF MAKING LOW RESISTIVITY TUNGSTEN SPUTTER TARGETS AND TARGETS MADE THEREBY

Номер патента: US20180312960A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Del Rio Eduardo. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Master Alloy for Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target

Номер патента: US20200308692A1. Автор: Asano Takayuki,Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: KR102432070B1. Автор: 마사히로 와타나베,순페이 야마자키,테츠노리 마루야마,유키 이모토,히토미 사토,미츠오 마시야마,켄이치 오카자키,모토키 나카시마,타카시 시마즈. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2022-08-11.

Rotary for sputtering target assembly manufactured by the bonding method for rotary sputtering target assembly and bonding method thereof

Номер патента: KR20140129677A. Автор: 한순석. Владелец: 한순석. Дата публикации: 2014-11-07.

Gadolinium sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: WO2011078148A1. Автор: 塚本　志郎. Владелец: Jx日鉱日石金属株式会社. Дата публикации: 2011-06-30.

Copper material for high-purity copper sputtering target, and high-purity copper sputtering target

Номер патента: WO2015005348A1. Автор: 雨谷,晶櫻井,訓熊谷,雄次佐藤. Владелец: 三菱マテリアル株式会社. Дата публикации: 2015-01-15.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: JP6277309B2. Автор: 幹雄瀧川,俊之寺澤. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-07.

Method for producing Mo alloy sputtering target material and Mo alloy sputtering target material

Номер патента: JP5958822B2. Автор: 英夫村田,真史上灘,村田　英夫,惠介井上. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: TW201816157A. Автор: 瀧川幹雄,寺澤俊之. Владелец: 住友化學股份有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Gadolinium sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: KR20140097547A. Автор: 시로 츠카모토. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-08-06.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: TW201606107A. Автор: 張守斌. Владелец: 三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-16.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: JP5812217B1. Автор: 張　守斌,守斌張. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

The manufacturing method and sputtering target of sputtering target

Номер патента: CN108350566B. Автор: 泷川干雄,寺泽俊之. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-23.

Method for manufacturing sputtering target member, and sputtering target member

Номер патента: CN111660143A. Автор: 久家俊洋. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Sputtering target for magnetic recording film and method for manufacturing such sputtering target

Номер патента: WO2009054369A1. Автор: Kazuteru Kato. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-04-30.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: WO2018012461A1. Автор: 幹雄瀧川,俊之寺澤. Владелец: 住友化学株式会社. Дата публикации: 2018-01-18.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1427865A1. Автор: Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: IL160890A. Автор: . Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: EP1427865A4. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: US20030089429A1. Автор: Paul Gilman,Holger Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

A Fe-Co alloy sputtering target, a method for producing the same, and a soft magnetic thin film layer and a vertical magnetic recording medium using the same

Номер патента: TWI494443B. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-01.

Multilayer film and ag alloy sputtering target

Номер патента: EP3795713A1. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Large-grain tin sputtering target

Номер патента: EP4013902A4. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Marc D. Ruggiero,Patrick K. Underwood,Susan D. Strothers. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Fe-Al BASED ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP2762606A4. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Fe-Al alloy sputtering target

Номер патента: TWI540217B. Автор: Kentaro Harada. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-07-01.

Sputtering target for magnetic recording film and manufacturing method of the same

Номер патента: TW200930825A. Автор: Kazuteru Kato. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2009-07-16.

Ruthenium-alloy sputtering target

Номер патента: US09732413B2. Автор: Kunihiro Oda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09988710B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Sputtering target and powder for producing sputtering target

Номер патента: MY197929A. Автор: Atsushi Sato,Masayoshi Shimizu,Yasuyuki Iwabuchi,Akira SHIMOJUKU. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG178737A1. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for producing Cu-Ga alloy powder, Cu-Ga alloy powder, method for producing Cu-Ga alloy sputtering target, and Cu-Ga alloy sputtering target

Номер патента: US09435023B2. Автор: Tetsufumi Komukai,Tatsuya Takahashi,Isao Ando,Eriko Sato,Toshio Morimoto,Masanori Takagi,Hirotaka Minami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making sputtering target and target produced

Номер патента: WO2008018967A2. Автор: Michael G. Launsbach,Tyrus W. Hansen. Владелец: Howmet Corporation. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of making sputtering target and target produced

Номер патента: EP2043800A2. Автор: Michael G. Launsbach,Tyrus W. Hansen. Владелец: Howmet Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Fept-c-based sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20140301887A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-09.

Sputtering target for forming magnetic thin film

Номер патента: MY184033A. Автор: Yuto MORISHITA. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-03-17.

Sputtering target of multi-component single body and method for preparation thereof, and method for producing multi-component alloy-based nanostructured thin films using same

Номер патента: US20160068943A1. Автор: JU Hyun Sun,Chang Hun Lee,Seung Yong Shin,Jung Chan Bae,Kyoung Il Moon. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-03-10.

AL-Ni-RARE EARTH ELEMENT ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20110048936A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Yoichiro Yoneda,Hitoshi Matsuzaki,Katsutoshi Takagi,Kotaro Kitashita. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: US20180312961A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Yuya Mutsuda. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-11-01.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG144792A1. Автор: ZHANG Wenjun. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG178742A1. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Molybdenum sputtering targets

Номер патента: CA2577162A1. Автор: Peter R. Jepson,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerone O'grady,Davd G. Schwarz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-06.

Molybdenum tubular sputtering targets with uniform grain size and texture

Номер патента: EP1784518A2. Автор: Peter R. Jepson,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerone O'grady,Davd G. Schwarz. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for preparing high purity ruthenium sputtering target

Номер патента: EP1026283B1. Автор: Yuichiro Isohara Fact/Nikko Mat.Co.Ltd SHINDO,Tsuneo Isohara Fact/Nikko Mat.Co.Ltd SUZUKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for producing cu-ga alloy powder, cu-ga alloy powder, method for producing cu-ga alloy sputtering target, and cu-ga alloy sputtering target

Номер патента: US20130192986A1. Автор: Tetsufumi Komukai,Tatsuya Takahashi,Isao Ando,Eriko Sato,Toshio Morimoto,Masanori Takagi,Hirotaka Minami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-08-01.

Fept-c-based sputtering target and process for producing same

Номер патента: SG193948A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2013-11-29.

Method to recover spent components of a sputter target

Номер патента: EP1549779A2. Автор: Robert B. Ford,Christopher A. Michaluk. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2005-07-06.

Method of producing a silicom/aluminum sputtering target

Номер патента: WO2000038862A1. Автор: Joseph C. Runkle. Владелец: Ultraclad Corporation. Дата публикации: 2000-07-06.

Tungsten sputtering target and method of making same

Номер патента: AT522305B1. Автор: Dasai Takafumi,Sogawa Shinji,Nakasumi Seiji. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2022-10-15.

Sputtering target materials for forming alloys for soft-magnetic film layers in perpendicular magnetic recording media, and method for producing the same

Номер патента: MY159546A. Автор: HASEGAWA,Toshiyuki Sawada,Akihiko Yanagitani,Kishida. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-13.

Methods of depositing thin films using molybdenum sputtering targets

Номер патента: US20150136584A1. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerome O'Grady,David G. Schwartz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Methods of depositing thin films using molybdenum sputtering targets

Номер патента: US9309591B2. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerome O'Grady,David G. Schwartz. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Fabrication of b/c/n/o/si doped sputtering targets

Номер патента: MY134322A. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-12-31.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: EP1942205A3. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2009-09-09.

Ag ALLOY REFLECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND Ag ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING Ag ALLOY REFLECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20070141296A1. Автор: Junichi Nakai,Tetsuhiro Sakamoto,Jun Nakano,Yuki Tauchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of forming molybdenum sputtering targets

Номер патента: US09926623B2. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerome O'Grady,David G. Schwartz. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Aluminum-scandium composite, aluminum-scandium composite sputtering target and methods of making

Номер патента: EP4162088A1. Автор: Robert S. Bailey,David Peter Van Heerden,Katharine S. Gardinier. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Ferromagnetic Material Sputtering Target

Номер патента: US20200216945A1. Автор: Atsushi Sato. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Chromium sintered body, method for producing chromium sintered body, sputtering target, and method for producing substrate with chromium film

Номер патента: EP4241901A1. Автор: Kenichi Itoh,Koichi Hanawa,Masami Mesuda,Daiki Shono. Владелец: Tosoh Speciality Materials Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of producing a sputter target material

Номер патента: US20090238712A1. Автор: Keisuke Inoue,Shigeru Taniguchi,Tsuyoshi Fukui,Katsunori Iwasaki,Norio Uemura,Kazuya Saitoh. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Tungsten sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US11939661B2. Автор: Takafumi Dasai,Shinji Sogawa,Seiji Nakasumi. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Sputtering target member, sputtering target assembly and manufacturing method of sputtering target member

Номер патента: KR102268236B1. Автор: 타카시 카케노,토시히로 쿠게. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2021-06-22.

The manufacturing method of sputtering target member, sputtering target assembly and sputtering target member

Номер патента: CN110359020A. Автор: 挂野崇,久家俊洋. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Sputtering target for magnetic recording film and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI547580B. Автор: Yuichiro Nakamura,Atsushi Nara,Hideo Takami,Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Sputtering target for magnetic recording film and method for producing same

Номер патента: TW201229275A. Автор: Yuichiro Nakamura,Atsushi Nara,Hideo Takami,Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-16.

Sputtering target, method for producing same, and method for producing sputtering film using sputtering target

Номер патента: EP4400627A1. Автор: Kenichi Itoh,Koichi Hanawa,Masami Mesuda,Daiki Shono,Taiga KONDO. Владелец: Tosoh Speciality Materials Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Sputtering target material and sputtering target

Номер патента: EP4435141A1. Автор: Koji Nishioka,Kunihiko Nakata. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Sintered oxide material, method for manufacturing same, sputtering target, oxide transparent electrically conductive film, method for manufacturing same, and solar cell

Номер патента: US09399815B2. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Keitaro Matsumaru,Kentaro Utsumi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Sputtering targets and method of making same

Номер патента: WO2001044536A3. Автор: Stephane Ferrasse,Vladimir Segal,William B Willett. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for manufacturing sputtering target

Номер патента: US20170350002A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Yamada,Masashi Oota. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Sintered oxide material, method for manufacturing same, sputtering target, oxide transparent electrically conductive film, method for manufacturing same, and solar cell

Номер патента: MY162939A. Автор: Shibutami Tetsuo,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Keitaro Matsumaru,Kentaro Utsumi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2017-07-31.

Sputtering target for forming wiring film of flat panel display

Номер патента: US20150136595A1. Автор: Haruhiko Asao,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Lithium sputter targets

Номер патента: US09771646B2. Автор: Todd Martin,Trevor Frank,Robert T. Rozbicki,Dhairya Shrivastava,Anshu A. Pradhan,Disha Mehtani,Martin John Neumann,Que Anh Song NGUYEN. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Ytterbium Sputtering Target and Method of Producing said Target

Номер патента: US20100044223A1. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Sputtering target for magnetic recording film

Номер патента: US09540724B2. Автор: Shini-ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Sputtering target for magnetic recording film

Номер патента: US09683284B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Mn—Zn—O sputtering target and production method therefor

Номер патента: US10811237B2. Автор: Junichi Sugawara,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Textured-metastable aluminum alloy sputter targets and method of manufacture

Номер патента: US20030089430A1. Автор: Andrew Perry,Paul Gilman,Jaak Van den Sype. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Ag alloy sputtering target, and ag alloy film

Номер патента: EP3922748A1. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Sputter-Target aus einer Legierung auf Ag-Bi-Basis und Verfahren zur Herstellung desselben

Номер патента: DE102004024114A1. Автор: Toshiki Kobe Sato,Junichi Kobe Nakai,Katsutoshi Kobe Takagi,Yuuki Kobe Tauchi,Hitoshi Takasago Matsuzaki,Hideo Takasago Fujii. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Mn—Zn—W—O sputtering target and production method therefor

Номер патента: US10886112B2. Автор: Junichi Sugawara,Fusashige Tokutake,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Sputtering Target for Magnetic Recording Film

Номер патента: US20140346039A1. Автор: Shini-ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Sputtering target assembly and sputtering apparatus using the same

Номер патента: US20030165639A1. Автор: Jae Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-04.

Ultra-high purity nipt alloys and sputtering targets comprising same

Номер патента: SG149742A1. Автор: Shinhwa Li,David Long,Bernd Kunkel,Jun Hui,Carl Derrington. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Mn-zn-o sputtering target and production method therefor

Номер патента: US20180019109A1. Автор: Junichi Sugawara,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Ta sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US8580053B2. Автор: Manabu Ito,Motonori Sato,Tadashi Masuda,Poong Kim. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Ai-based alloy sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20080223718A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Yoichiro Yoneda,Hiroshi Gotou,Katsutoshi Takagi,Masaya Ehira. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

High purity cobalt sputter target and process of manufacturing the same

Номер патента: AU9121498A. Автор: Stephen P. Turner,Michael McCarty,Yinshi Liu,Robert S. Cole,Mathew S. Cooper,Rodney L. Scagline. Владелец: Alta Group Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Mn-Zn-W-O SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180186699A1. Автор: Junichi Sugawara,Fusashige Tokutake,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Thermography test method and apparatus for evaluating a bond interface of a sputtering target/backing plate assembly

Номер патента: WO2005026404A2. Автор: ZHIGUO Zhang,John White,Charles E. Wickersham,Larry Edwin Ellison,Mikhail Y. Kachalov. Владелец: CABOT CORPORATION. Дата публикации: 2005-03-24.

Thermography test method and apparatus for evaluating a bond interface of a sputtering target/backing plate assemby

Номер патента: EP1654702A2. Автор: ZHIGUO Zhang,John White,Charles E. Wickersham,Larry Edwin Ellison,Mikhail Y. Kachalov. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Sputtering target

Номер патента: US20200165719A1. Автор: Akira Sakawaki,Takaki Yasuda. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-05-28.

Optical film, sputtering target, and method of producing optical film

Номер патента: US20240166555A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2, SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD FOR SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2

Номер патента: US20150376773A1. Автор: Moriyoshi Kanamaru,Yuichi Taketomi. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Tantalum sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: EP2728038A1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Tantalum sputtering target and its manufacturing method

Номер патента: TWI553135B. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Sputter target magnet

Номер патента: US12020917B2. Автор: Ming-Jie He,Shawn Yang,Szu-Hsien Lo,Shuen-Liang Tseng,Wen-Cheng Cheng,Chen-Fang Chung,Chia-Lin Hsueh,Kuo-Pin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Magnetron sputtering targets

Номер патента: CA1323856C. Автор: Richard Ernest Demaray,Gary Bradford Crumley. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: TW201142060A. Автор: Junichirou Hagihara,Shuichi Higashi,Shozo Kambara. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Sputtering target member, method for producing sputtering target member, sputtering target, sputtered film, method for producing sputtered film, film body, laminate structure, and organic el device

Номер патента: KR102274149B1. Автор: 히로요시 야마모토,아츠시 나라,하지메 모모이,고지 가쿠타,요스케 엔도. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of Manufacturing a Sputtering Target and Sputtering Target

Номер патента: US20120132523A1. Автор: Junichirou Hagihara,Shuichi Higashi,Shozo Kambara. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Sputtering Target, Method For Manufacturing Sputtering Target, And Method For Forming Thin Film

Номер патента: US20170016108A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,SHIMAZU Takashi,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,MARUYAMA Tetsunori,IMOTO Yuki,SATO Hitomi. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Copper-Titanium Alloy Sputtering Target, Semiconductor Wiring Line Formed Using the Sputtering Target, and Semiconductor Element and Device Each Equipped with the Semiconductor Wiring Line

Номер патента: US20140110849A1. Автор: Otsuki Tomio,Fukushima Atsushi. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-24.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170029335A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US20170029336A1. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170047206A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-16.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170076943A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-16.

SINTERED OXIDE, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170077243A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-16.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US20170092780A1. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Ruthenium Sputtering Target and Ruthenium Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20150129422A1. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170137324A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-18.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING A BARRIER LAYER DEPOSITED BY THE ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20140239295A1. Автор: YOON Sang-Won,Park Jae-Woo,Kim Do-Hyun,KIM Dong-Jo,Lee Yong-Jin,JEON WOO-SEOK,LEE Yoon-Gyu,Park Ju-Ok,Sohn In-Sung,Lee Gun-Hyo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Ruthenium Sputtering Target and Ruthenium Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20190259589A1. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160348229A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160348230A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of making a sputter target and sputter targets made thereby

Номер патента: KR101626286B1. Автор: 엠. 커크 홀콤,데이빗 비. 스마터스. Владелец: 토소우 에스엠디, 인크. Дата публикации: 2016-06-01.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: CN106029604A. Автор: 西村英郎,西村英一郎,中山德行,松村文彦,井藁正史. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-10-12.

Lanthanum oxide-based sintered object, sputtering target comprising the sintered object, process for producing lanthanum oxide-based sintered object, and process for sputtering target production using the process

Номер патента: EP2298715A4. Автор: Kazuyuki Satoh,Yoshimasa Koido. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-11-23.

Sputtering target for oxide semiconductor, comprising ingao3(zno) crystal phase and process for producing the sputtering target

Номер патента: CN102131953B. Автор: 矢野公规,川岛浩和. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-09.

Sputtering target for oxide semiconductor, comprising ingao3(zno) crystal phase and process for producing the sputtering target

Номер патента: CN102131953A. Автор: 矢野公规,川岛浩和. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Copper sputtering target and method of forming copper sputtering target

Номер патента: JP4976013B2. Автор: シーガル，ブラディミール,ウーウェン，イー,フェラッセ，ステファン,ウー，チ・ツェ,ストロザーズ，スーザン・ディー,アルフォード，フランク・エイ,ウィルレット，ウィリアム・ビー. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Lanthanum oxide-based sintered body, sputtering target comprising the sintered body, method for producing lanthanum oxide-based sintered body, and method for producing sputtering target by the same production method

Номер патента: JP5301541B2. Автор: 和幸佐藤,由将小井土. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Copper sputtering target and method of forming copper sputtering target

Номер патента: JP2005533187A. Автор: シーガル，ブラディミール,ウーウェン，イー,フェラッセ，ステファン,ウー，チ・ツェ,ストロザーズ，スーザン・ディー,アルフォード，フランク・エイ,ウィルレット，ウィリアム・ビー. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-11-04.

Lanthanum oxide-based sintered object, sputtering target comprising the sintered object, process for producing lanthanum oxide-based sintered object, and process for sputtering target production using the process

Номер патента: KR101222789B1. Автор: 가즈유키 사토,요시마사 고이도. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-01-15.

Oxidate sintered body, sputtering target and use this sputtering target and the oxide semiconductor thin-film that obtains

Номер патента: CN106103379A. Автор: 西村英郎,西村英一郎,中山德行,井藁正史. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-11-09.

Sputtering target and transparent conductive film obtainable by the target

Номер патента: EP2278041B1. Автор: Shigeo Matsuzaki,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-23.

Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target

Номер патента: KR101638270B1. Автор: 겐타로 하라다. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2016-07-08.

Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets

Номер патента: CN100529163C. Автор: 易骛文,S·D·斯特罗特尔斯,吴季哲,V·塞加尔,S·费拉泽,F·A·阿尔福德,W·B·维莱特. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US9670578B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

A kind of sputtering target material and the CIGS based thin film solar cells made of the sputtering target material

Номер патента: CN105355681B. Автор: 李艺明,邓国云. Владелец: XIAMEN SHENKE SOLAR ENERGY CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-08.

Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target

Номер патента: US10319571B2. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Oxidate sintered body, sputtering target and use oxide semiconductor thin-film obtained from the sputtering target

Номер патента: CN106029603B. Автор: 西村英一郎,中山德行,松村文彦,井藁正史. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US9670577B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of high-purity silver sputtering target and silver sputtering target manufactured thereby

Номер патента: KR102486945B1. Автор: 최재영,문승호,김연두,신승은. Владелец: ㈜한국진공야금. Дата публикации: 2023-01-10.

Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target

Номер патента: US10943773B2. Автор: Kentaro Harada. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Sputtering target and method for producing the target

Номер патента: KR100479315B1. Автор: 와타나베히로시,다카하시세이이치로,야마자키다카후미. Владелец: 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-25.

Oxide for semiconductor layer and sputtering target of thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: TW201220498A. Автор: Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Aya Miki,Yumi Iwanari,Satoshi Yasuno. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Tin oxide-magnesium oxide sputtering target and transparent semiconductor film

Номер патента: TW200927974A. Автор: Kazuyoshi Inoue,Yukio Shimane. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2009-07-01.

Sputtering target and method for producing same, and method for producing thin film transistor

Номер патента: TW201245483A. Автор: Takatsugu Kusumi,Yohsuke Kanzaki. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2012-11-16.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: TW201245480A. Автор: Hiroshi Goto,Yuki Iwasaki,Akira Nambu. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2012-11-16.

Divided sputtering target and method of producing the same

Номер патента: TW201219589A. Автор: Takashi Kubota. Владелец: Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Divided sputtering target and method of producing the same

Номер патента: TWI375728B. Автор: Takashi Kubota. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2012-11-01.

Sputtering target, compound semiconductor thin film, solar cell having compound semiconductor thin film, and method for manufacturing compound semiconductor thin film

Номер патента: TW201127971A. Автор: Hideo Takami,Tomoya Tamura,Masakatsu Ikisawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Thin-film transistor, oxide semiconductor film, and sputtering target

Номер патента: US20180337285A1. Автор: Masaru Wada,Masaki Takei,Koji Hidaka,Junya Kiyota,Mitsuru Ueno,Kazutoshi Takahashi,Motoshi Kobayashi,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Oxide sintered compact and sputtering target

Номер патента: TW201229273A. Автор: Hiroshi Goto,Junichi Nakai,Yoichiro Yoneda,Yuki Iwasaki,Masaya Ehira. Владелец: Kobelco Res Inst Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Extended life sputter target

Номер патента: SG149008A1. Автор: Thomas J Hunt,Rene Perrot,Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Extended life sputter target

Номер патента: WO2005026406A1. Автор: Thomas J. Hunt,Rene Perrot,Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair S. T. Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-03-24.

Sputtering Target for Magnetic Recording Medium, and Process for Producing Same

Номер патента: US20180163294A1. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Sputtering Target for Magnetic Recording Medium, and Process for Producing Same

Номер патента: US20150027882A1. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Sputtering target for magnetic recording medium, and process for producing same

Номер патента: US09970099B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Process for Production of Ge-Cr Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20070297932A1. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Ajima. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Ge-Cr Alloy Sputtering Target

Номер патента: US20110036710A1. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Ajima. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Refurbishing copper and indium containing alloy sputter targets and use of such targets in making copper and indium-based films

Номер патента: US09399816B2. Автор: Robert Nilsson,Jennifer Gerbi. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method to Manufacture Ruthenium Rotary Sputtering Target

Номер патента: US20240043987A1. Автор: Yusheng Wu,Ruoyu ZHANG,Shuangming Zheng,Yanbin Xia,Xiangyu Bai,Kok Tong Phang. Владелец: Singapore Advanced Thin Film Material Private Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: SG136143A1. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: SG129345A1. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-02-26.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: SG170754A1. Автор: Ziani Abdelouahab,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2011-05-30.

Sputter target of a silver alloy, its use and glass substrate with thermal insulation layer

Номер патента: US20070259191A1. Автор: Martin Weigert,Christoph Simons. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-11-08.

Aluminum or aluminum alloy sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010004856A1. Автор: Kazuo Yoshikawa,Takashi Onishi,Seiji Nishi,Masao Mizuno,Toshihisa Suemitsu,Teruyuki Takahara,Tatsuhiko Kusamichi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Single phase tungsten-titanium sputter targets and method of producing same

Номер патента: US5896553A. Автор: Chi-Fung Lo. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Magneto-optical alloy sputter targets

Номер патента: CA2174433C. Автор: Daniel R. Marx. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US11731230B2. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Sputtering target

Номер патента: MY174738A. Автор: Atsushi Sato. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Method for reducing the oxygen and oxide content in cobalt to produce cobalt sputtering targets

Номер патента: US20040011442A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Refurbishing copper and indium containing alloy sputter targets and use of such targets in making copper and indium-based films

Номер патента: US20130248351A1. Автор: Robert Nilsson,Jennifer Gerbi. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2013-09-26.

Thin film formation use sputtering target material, thin film formed using same, and optical recording medium

Номер патента: US20050129900A1. Автор: Takashi Ueno,Katsuhisa Aratani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Molybdenum-niobium alloys, sputtering targets containing such alloys, methods of making such targets, thin films prepared therefrom and uses thereof

Номер патента: EP2277191A1. Автор: Prabhat Kumar,Rong-Chein Richard Wu,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun,Mark Gaydos,Gary Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of forming copper-containing sputtering targets

Номер патента: US20020112791A1. Автор: Janine Kardokus,Chi Wu,Christopher Parfeniuk,Jane Buehler. Владелец: Buehler Jane E.. Дата публикации: 2002-08-22.

Sputtering target for magnetic recording medium and method of producing the same

Номер патента: US5334267A. Автор: Hideo Murata,Akira Kawakami,Shigeru Taniguchi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Ferromagnetic sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: MY156201A. Автор: Ikeda Yuki,Takami Hideo. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-29.

Sb—Te-based alloy sintered compact sputtering target

Номер патента: US11846015B2. Автор: Hideyuki Takahashi,Yoshimasa Koido. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Sputtering target for forming phase-change film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100108499A1. Автор: Kei Kinoshita,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Sputtering target material

Номер патента: US20120070332A1. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Stably dischargeable sputtering target

Номер патента: MY187017A. Автор: Shin-Ichi Ogino,Yasuyuki Iwabuchi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby

Номер патента: US5230459A. Автор: John J. Mueller,David E. Stellrecht. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1993-07-27.

Sputtering target for forming magnetic recording film and method for producing same

Номер патента: MY191633A. Автор: Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2022-07-04.

Sputtering target for forming magnetic recording film and method for producing same

Номер патента: MY177997A. Автор: Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Sputtering target material

Номер патента: US20110139615A1. Автор: Noriyuki Tatsumi,Kouichi Isaka,Masami Odakura,Tatsuya Tonogi,Katsutoshi Honya. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: MY142962A. Автор: Ziani Abdelouahab,Kunkel Bernd. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2011-01-31.

Sputtering Target Manufacturing Method

Номер патента: KR19980071845A. Автор: 료지 요시무라,야스후미 쓰바끼하라,겐따로 우쯔미. Владелец: 도소 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-10-26.

Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target

Номер патента: US20120177863A1. Автор: Yuki Tauchi,Yasuhiro Sone,Yoko Shida. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Sputtering target material

Номер патента: US20040055882A1. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii,Tomoyoshi Asaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Soft Magnetic Alloy for Magnetic Recording Medium, Sputtering Target Material, and Magnetic Recording Medium

Номер патента: US20130224067A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Atsushi Kishida. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Soft magnetic alloy for magnetic recording medium, sputtering target material, and magnetic recording medium

Номер патента: SG188252A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Atsushi Kishida. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-30.

Soft magnetic alloy for magnetic recording medium, sputtering target material, and magnetic recording medium

Номер патента: US9208812B2. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Atsushi Kishida. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Nickel-titanium sputter target alloy

Номер патента: EP1390552A1. Автор: Thomas J. Hunt,Paul S. Gilman,Holger J. Koenigsmann. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Tantalum sputtering target, method for manufacturing same, and barrier film for semiconductor wiring formed by using target

Номер патента: KR101882606B1. Автор: 신이치로 센다,고타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2018-07-26.

TANTALUM SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160217983A1. Автор: Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Method for manufacturing tantalum sputtering target

Номер патента: KR101690394B1. Автор: 신이치로 센다,고타로 나가츠. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2016-12-27.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: EP2878699B1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-15.

Tantalum sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20150279637A1. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same

Номер патента: US09677170B2. Автор: Yasuhiro Yamakoshi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Rotatable sputter target base, rotatable sputter target, coating installation, method of producing a rotatable sputter target, target base connection means, and method of connecting a rotatable target base device for sputtering installations to a target

Номер патента: TW201024444A. Автор: Oliver Heimel,Lothar Lippert. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Sputter targets

Номер патента: WO2002031217A2. Автор: Jane Buehler. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-04-18.

Sputtering target having increased power compatibility

Номер патента: US09536714B2. Автор: Siegfried Krassnitzer,Joerg Kerschbaumer,Juerg Hagmann. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2017-01-03.

Conductive sputtering target and method for depositing a layer therewith

Номер патента: WO2024052218A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,David Debruyne,Freddy FACK. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2024-03-14.

Compensation of spacing between magnetron and sputter target

Номер патента: EP1711644A4. Автор: Arvind Sundarrajan,Peijun Ding,Robert B Lowrance,Ilyoung Richard Hong,Goichi Yoshidome,Suraj Rengarajan,Donny Young,Michael Rosenstein,Michael Andrew Miller,Hsien-Lung Yang,Daniel C Lubben,Sreekrishnan Sankaranarayan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Method for making a sputtering target, method for cleaning a sputtering target, sputtering target and sputtering device

Номер патента: TW200936794A. Автор: Akira Ohba,Masaharu Ohki. Владелец: Ulvac Materials Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Rotatable sputter target base, rotatable sputter target, coating installation, method of producing a rotatable sputter target, target base connection means, and method of connecting a rotatable target base device for sputtering installations to a target base support

Номер патента: US20120037503A1. Автор: Oliver Heimel,Lothar Lippert. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Sputtering process employing an enclosed sputtering target

Номер патента: US5069770A. Автор: David A. Glocker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1991-12-03.

Liquid sputter target

Номер патента: US11952654B2. Автор: Hartmut Rohrmann,Heinz Felzer,Dominik Jaeger,Thomas Tschirky,Marco Rechsteiner. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-04-09.

Liquid sputter target

Номер патента: EP3870735A1. Автор: Hartmut Rohrmann,Heinz Felzer,Dominik Jaeger,Thomas Tschirky,Marco Rechsteiner. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2021-09-01.

Magnetron device for sputtering target

Номер патента: EP4283011A1. Автор: Andreas Glenz,Krzysztof Fronc,Michal CHOJNACKI. Владелец: Prevac Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia. Дата публикации: 2023-11-29.

Sputtering apparatus with rotatable sputtering target

Номер патента: US20110174612A1. Автор: Chia-Ying Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Rotating tubular sputter target assembly

Номер патента: EP1641956B1. Автор: Dirk Cnockaert,Wilmert De Bosscher. Владелец: Bekaert Advanced Coatings NV. Дата публикации: 2009-03-25.

Conductive sputter targets with silicon, zirconium and oxygen

Номер патента: US20210395878A1. Автор: Guy Gobin,Wilmert Cyriel Stefaan De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2021-12-23.

Conductive sputter targets with silicon, zirconium and oxygen

Номер патента: EP3880861A1. Автор: Guy Gobin,Wilmert Cyriel Stefaan De Bosscher,Ignacio CARETTI GIANGASPRO,Freddy FACK,David Karel Debruyne,Hubert ELIANO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Bv. Дата публикации: 2021-09-22.

Barrier film for semiconductor wiring, sintered compact sputtering target and method of producing the sputtering target

Номер патента: TW201126647A. Автор: Junichi Ito,Yasuhiro Yamakoshi,Shinichiro Senda. Владелец: Nippon Mining Co. Дата публикации: 2011-08-01.

Sputtering target

Номер патента: WO2002006555A3. Автор: Karl Brown,Yoichiro Tanaka,Marc Schweitzer,Alan Liu,Jim Thompson,John C Forster,Gogh Jim Van,Anthony Ct Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-03-28.

Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target

Номер патента: US09640668B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Barrier film for semiconductor wiring, sintered sputtering target, and method of manufacturing sputtering targets

Номер патента: EP2431494A4. Автор: Junichi Ito,Yasuhiro Yamakoshi,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Sputtering target, and method for manufacturing thin film using said target

Номер патента: EP3015565A4. Автор: Kazuhiro Ito,Satoru Watanabe,Akira Mitsui,Toshinari Watanabe,Naomichi Miyakawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

Magnetic material sputtering target provided with groove in rear face of target

Номер патента: TW201209211A. Автор: Atsushi Sato. Владелец: Jx Nippon Mining & Amp Metals. Дата публикации: 2012-03-01.

SPUTTERING TARGET, METHOD OF BONDING TARGET MATERIAL AND BACKING PLATE, AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20220310371A1. Автор: FUJITA Masahiro,NISHIOKA Koji. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2022-09-29.

Fe-Pt-C-BASED SPUTTERING TARGET MEMBER, SPUTTERING TARGET ASSEMBLY, METHOD FOR FORMING FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MEMBER

Номер патента: WO2023079857A1. Автор: 孝志小庄,勇介堀江. Владелец: Ｊｘ金属株式会社. Дата публикации: 2023-05-11.

METHOD OF FABRICATING SPUTTERING TARGET, SPUTTERING TARGET USING THE METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20150014151A1. Автор: Kim Dong-Jin,JUNG Sun-Young,Park Jin-Woo,Lee Il-Sang,Shin Sang-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Method of optimizing a sputtering target profile for the purpose of extending target utilization life and targets made by such method

Номер патента: TWI224626B. Автор: LIN ZHU,David B Smathers,Eugene Y Ivanov,Charles E Wickersham Jr. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-12-01.

Method of fabricating sputtering target, sputtering target using the method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the sputtering target

Номер патента: CN104278240A. Автор: 申尚煜,朴镇宇,丁善英,金东镇,李壹相. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-14.

Sputtering target having an annular vault

Номер патента: US20010050223A1. Автор: Praburam Gopalraja,Jianming Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Sputtering target material and sputtering target obtained by using the sputtering target material

Номер патента: CN101631893A. Автор: 松前和男. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Rotatable sputter target backing cylinder, rotatable sputter target, method of producing a rotatable sputter target, and coating installation

Номер патента: KR20110090948A. Автор: 지안 리우,미카엘 스크해퍼,로랜드 트라씰. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-08-10.

PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20210005437A1. Автор: TAKIGAWA Mikio. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2021-01-07.

SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING BARIUM TITANATE THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM CAPACITOR

Номер патента: US20150047971A1. Автор: YANAGAWA Shusaku,Adachi Kiwamu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING THIN FILM BY USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20160111263A1. Автор: Ito Kazuhiro,Mitsui Akira,Watanabe Satoru,Miyakawa Naomichi,Watanabe Toshinari. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2016-04-21.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170130329A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko,IWARA Masashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-11.

CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, CYLINDRICAL COMPACT, MANUFACTURING METHOD OF CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF CYLINDRICAL SINTERED COMPACT

Номер патента: US20160281214A1. Автор: YAMAGUCHI Yohei. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Target sputtering device and method for sputtering target

Номер патента: US20170298500A1. Автор: YU Wei. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Process for producing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20180315586A1. Автор: Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170345653A1. Автор: Nakayama Tokuyuki,NISHIMURA Eiichiro,MATSUMURA Fumihiko. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-30.

High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target

Номер патента: KR100396456B1. Автор: 러셀더렉앤드류. Владелец: 도쿄 엘렉트론 리미티드. Дата публикации: 2003-09-02.

Sputter target, method and apparatus for manufacturing sputter targets

Номер патента: EP2287356A1. Автор: Freddy Aps,Nuno Carvalho. Владелец: Bekaert Advanced Coatings NV. Дата публикации: 2011-02-23.

CATHODIC SPUTTER TARGET AND RECORDING MEDIUM USING SUCH A TARGET.

Номер патента: FR2601175A1. Автор: Satoshi Shimokawato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1988-01-08.

Cylindrical sputtering target, cylindrical compact, manufacturing method of cylindrical sputtering target, manufacturing method of cylindrical sintered compact and manufacturing method of cylindrical compact

Номер патента: KR102493208B1. Автор: 요헤이 야마구치. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2023-01-30.

Sputtering target, sputtering target backing plate assembly and film deposition system

Номер патента: WO2006054409A1. Автор: Hirohito Miyashita. Владелец: NIPPON MINING & METALS CO., LTD.. Дата публикации: 2006-05-26.

Process for producing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US11244814B2. Автор: Mikio Takigawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Flat surface magnetron sputtering target capable of prolonging target material service lifetime

Номер патента: CN201068469Y. Автор: 张允新. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-04.

Sputtering target, method for manufacturing such sputtering target, and transparent conducting film

Номер патента: WO2007013387A1. Автор: Koki Yano,Nobuo Tanaka,Kazuyoshi Inoue. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2007-02-01.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: JP6968300B2. Автор: 一寿高橋,優和田,勝仁齋藤,裕川越,健太郎武末. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

ZnO-based sputtering target and photovoltaic cell having a passivation layer deposited using said sputtering target

Номер патента: DE102014209950A1. Автор: Yoongyu Lee,Hwangyong Go,Juok Park,Soo Young Seo. Владелец: Samsung Corning Advanced Glass LLC. Дата публикации: 2014-12-04.

Sputtering target and sputtering method using the target

Номер патента: TWI414621B. Автор: Takashi Komatsu,Atsushi Ota,Makoto Arai,Isao Sugiura,Kyuzo Nakamura,Noriaki Tani,Junya Kiyota,Satoru Ishibashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-11-11.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113508187A. Автор: 和田优,斋藤胜仁,川越裕,武末健太郎,高桥一寿. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-10-15.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: KR102359200B1. Автор: 미키오 다키가와. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-07.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: KR102376281B1. Автор: 마사루 와다,히로시 오이토리,가츠히토 사이토우,가즈미 타야,가즈토시 타카하시. Владелец: 가부시키가이샤 아루박. Дата публикации: 2022-03-17.

Sputtering target and sputtering method using the target

Номер патента: CN1693531A. Автор: 谷典明,清田淳也,石桥晓,中村久三,太田淳,小松孝,新井真,杉浦功. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2005-11-09.

Sputtering target component for forming non-magnetic layer, sputtering target and film forming method

Номер патента: TWI742740B. Автор: 岩淵靖幸,下宿彰. Владелец: 日商Ｊｘ金屬股份有限公司. Дата публикации: 2021-10-11.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113544308A. Автор: 和田优,斋藤胜仁,川越裕,武末健太郎,高桥一寿. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-10-22.

Sputtering target and sputtering target manufacturing method

Номер патента: WO2020250587A1. Автор: 優和田,勝仁齋藤,高橋　一寿,宏追鳥,和美田屋. Владелец: 株式会社アルバック. Дата публикации: 2020-12-17.

Sputtering target, sputtering target manufacturing method, barium titanate thin film manufacturing method, and thin film capacitor manufacturing method

Номер патента: CN104204284A. Автор: 柳川周作,足立研. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-10.

HIGH-PURITY SPUTTERING TARGETS WITH INDICATOR FOR INDICATING THE END OF THE END OF TARGET USE AND MANUFACTURING PROCESS THEREFOR

Номер патента: DE60142299D1. Автор: David B Smathers,Charles E Wickersham,Eugene Ivanov,John E Poole. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target

Номер патента: EP1144713B1. Автор: Derrek Andrew Russell. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Magnetic material sputtering target with grooves on the back of the target

Номер патента: JP5596118B2. Автор: 敦佐藤. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-09-24.

Sputtering target for oxide thin film and process for producing the sputtering target

Номер патента: US8623511B2. Автор: Koki Yano,Kazuyoshi Inoue,Hirokazu Kawashima,Futoshi Utsuno. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Sputtering target, method for manufacturing such sputtering target, and transparent conducting film

Номер патента: CN101233258A. Автор: 井上一吉,矢野公规,田中信夫. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

High purity sputter targets with target end-of-life indication and method of manufacture

Номер патента: EP1322796A4. Автор: David B Smathers,Eugene Ivanov,Charles E Wickersham Jr,John E Poole. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Sputtering target, and method for manufacturing thin film using said target

Номер патента: WO2014208282A1. Автор: 暁渡邉,宮川　直通,伊藤　和弘,俊成渡邉,光井　彰. Владелец: 旭硝子株式会社. Дата публикации: 2014-12-31.

Zinc oxide based transparent electric conductor, sputtering target for forming of the conductor and process for producing the target

Номер патента: KR101080022B1. Автор: 마사타카 야하기,마사카츠 이키사와. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-04.

A magnetic material sputtering target is provided on the back of the target

Номер патента: TWI515322B. Автор: Atsushi Sato. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-01.

Sputtering target material and sputtering target made therefrom

Номер патента: TW200936791A. Автор: Kazuo Matsumae. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2009-09-01.

Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target

Номер патента: US20150041808A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Compensation of spacing between magnetron and sputter target

Номер патента: TWI361225B. Автор: Arvind Sundarrajan,Peijun Ding,Ilyoung Richard Hong,Goichi Yoshidome,Suraj Rengarajan,Donny Young,Michael Rosenstein,Michael Andrew Miller,Daniel C Lubben,Robert B Lowance,Sreekrishnan Sankaranarayan,Hsien Lung Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-04-01.

Sputtering target

Номер патента: TWI601839B. Автор: Yuki Ikeda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2017-10-11.

High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions

Номер патента: SG87179A1. Автор: XIONG Wei,McDonald Peter,Hoo Hung-Lee. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-19.

Sputtering target assembly

Номер патента: TW201233834A. Автор: Ryo Suzuki,Kazushige Takahashi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Sputtering target for forming transparent film for solar cells, and process for production thereof

Номер патента: TW201248903A. Автор: shou-bin Zhang,Gou Yamaguchi,Yuichi Kondou. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

A sputtering target for forming a transparent film for a solar cell and a method for manufacturing the same

Номер патента: TWI556465B. Автор: Shoubin Zhang,Gou Yamaguchi,Yuichi Kondou. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Transparent film formation sputtering target and its manufacturing method

Номер патента: TWI600175B. Автор: 近藤佑一,張守斌,山口剛. Владелец: 三菱綜合材料股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-21.

Fe-Pt based strong magnetic material sputtering target

Номер патента: TW201209192A. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: Jx Nippon Mining & Amp Metals. Дата публикации: 2012-03-01.

Magnesium oxide sputtering target

Номер патента: EP3839090A4. Автор: Yoshitaka Shibuya,Satoyasu Narita,Hiroki Kajita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Sputter target having modified surface texture

Номер патента: TW200516162A. Автор: Francois Dary,Steven Roger Kennedy,Yuanda R Cheng,Philip D Corno. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method for Producing Sputtering Target Material for Ni-W Based Interlayer

Номер патента: US20090022614A1. Автор: Toshiyuki Sawada,Akihiko Yanagitani. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Li-containing phosphoric-acid compound sintered body and sputtering target, and method for manufacturing said Li-containing phosphoric-acid compound sintered body

Номер патента: US09892891B2. Автор: Moriyoshi Kanamaru,Yuki Tao,Yuichi Taketomi. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

HOT ROLLED PLATE MADE OF COPPER ALLOY USED FOR A SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20150318153A1. Автор: Koide Masato,OKUBO Kiyoyuki. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

Multilayer film, and ag alloy sputtering target

Номер патента: EP3862459A1. Автор: Ichiro Shiono,Yuto Toshimori,Hideharu Matsuzaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: TW200533764A. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-16.

Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target

Номер патента: TWI224147B. Автор: Paul S Gilman,Holger J Koenigsmann. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-21.

Sputtering target and powder for producing sputtering target

Номер патента: SG11202102759VA. Автор: Atsushi Sato,Masayoshi Shimizu,Yasuyuki Iwabuchi,Akira SHIMOJUKU. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190039131A1. Автор: Shiono Ichiro,Zhang Shoubin,Umemoto Keita,IO Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD OF MANUFACTURING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190040524A1. Автор: Ueda Toshiaki,Yoshida Yuki,Mori Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20180066355A1. Автор: Ueda Toshiaki,Yoshida Yuki,Mori Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SPUTTERING TARGET, PROCESS FOR PRODUCING THE SPUTTERING TARGET, AND PROCESS FOR PRODUCING Cu OXIDE LAYER

Номер патента: WO2010001823A1. Автор: 英夫村田,秀隆矢ヶ部,和也斉藤,克典岩崎,卓也石川. Владелец: 日立金属株式会社. Дата публикации: 2010-01-07.

Sputtering target and method of manufacturing sputtering target

Номер патента: JP6677883B2. Автор: 慎司加藤,加藤　慎司,張　守斌,守斌張. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Method of making sputtering target and target

Номер патента: WO2007030406A2. Автор: Michael G. Launsbach,Tyrus W. Hansen. Владелец: Howmet Corporation. Дата публикации: 2007-03-15.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: CN111836914A. Автор: 村田周平,杉本圭次郎. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Solder, sputtering target material and method for fabricating sputtering target material

Номер патента: KR102256408B1. Автор: 칭-호 양,수완-쳉 선,치-웬 우,멩-펭 수,치-쉬앙 웽. Владелец: 주식회사 스미카 테크놀로지. Дата публикации: 2021-05-25.

Sputtering target with reduced particle generation and method for producing the sputtering target

Номер патента: CN102666912A. Автор: 小出启. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target

Номер патента: SG181632A1. Автор: Kei Koide. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2012-07-30.

Cu-Ga SINTERED BODY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET

Номер патента: KR101249566B1. Автор: 도모야 다무라,히데오 다카미,마사카츠 이키사와. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-04-01.

Sintered Cu-Ga sputtering target and method for producing the target

Номер патента: CN102046836A. Автор: 高见英生,生泽正克,田村友哉. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-05-04.

Sputtering target and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: TWI564420B. Автор: 館野諭. Владелец: Ｊｘ金屬股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-01.

Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD, AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: EP3412795A4. Автор: Yuki Yoshida,Satoru Mori,Toshiaki Ueda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2019-08-21.

Ag-based alloy sputtering target

Номер патента: EP2031087B1. Автор: Hitoshi Matsuzaki,Naoki Okawa,Yuki Tauchi. Владелец: Sony Disc and Digital Solutions Inc. Дата публикации: 2012-06-06.

Sb-Te base alloy sintered sputtering target

Номер патента: TW200619404A. Автор: Hideyuki Takahashi. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same

Номер патента: IL277124B1. Автор: . Владелец: Global Advanced Metals USA Inc. Дата публикации: 2024-07-01.

Ag-based alloy sputtering target

Номер патента: TW200927971A. Автор: Hitoshi Matsuzaki,Naoki Okawa,Yuki Tauchi. Владелец: Sony Disc & Digital Solutions Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Methods for making sputtering targets

Номер патента: WO2008060917A2. Автор: Janine Kardokus,Susan D. Strothers,Michael D. Payton,Kevin T. Hubert,Hort Werner,Christie J. Hausman,Diane Morales. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2008-05-22.

Sputtering target and method of producing sputtering target

Номер патента: US12012650B2. Автор: Masaru Wada,Kouichi Matsumoto,Motohide Nishimura,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing a rotatable sputter target

Номер патента: US20090205955A1. Автор: Hugo Lievens,Anneleen De Smet. Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2009-08-20.

Sputtering target material

Номер патента: US20040079635A9. Автор: Noriaki Hara,Ken Hagiwara,Somei Yarita,Ritsuya Matsuzaka. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2004-04-29.

Igzo sputtering target

Номер патента: EP4424867A1. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Sputtering target on basis of galim oxide-zinc oxide method of formation of treansparent conductive film and treansparent conductive film

Номер патента: RU2380455C2. Автор: Кодзо ОСАДА. Владелец: Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-01-27.

Gallium oxide/zinc oxide sputtering target, method of forming transparent electro-conductive film and transparent electro-conductive film

Номер патента: RU2389824C2. Автор: Кодзо ОСАДА. Владелец: Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-05-20.

Praseodymium doped indium zinc oxide sputtering target and preparation method therefor

Номер патента: LU504172B1. Автор: Yang Liu,Jie Chen,Zhijun Wang,Miao Liu,Jilin He,Benshuang SUN,Xueyun ZENG,Chengduo WANG,Bingxue Han. Владелец: Univ Zhengzhou. Дата публикации: 2023-11-10.

Sputtering target protection device

Номер патента: US5846389A. Автор: Paul S. Gilman,Howard H. Levine,Neil J. Sullivan. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Gallium oxide-zinc oxide sputtering target, method of forming transparent conductive film, and transparent conductive film

Номер патента: US7686985B2. Автор: Kozo Osada. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

Magnetic material sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: SG11201903240PA. Автор: Yuki Furuya. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Cylindrical titanium oxide sputtering target and process for manufacturing the same

Номер патента: US20200002235A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott,Christoph Simons. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2020-01-02.

Cylindrical titanium oxide sputtering target and process for manufacturing the same

Номер патента: WO2018166831A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott,Christoph Simons. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2018-09-20.

Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets

Номер патента: US20090045044A1. Автор: Chi Tse Wu,Jared Akins. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Sputtering target

Номер патента: US20210180180A1. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Transparent conductive film, its production method and sputtering target used for its production

Номер патента: US20090130418A1. Автор: Akira Mitsui,Susumu Nakagama,Hidefumi Odaka. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Zinc oxide sputtering target

Номер патента: US09919931B2. Автор: Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai,Koki Kanno. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Sputtering target and method for forming cesium tungsten oxide film

Номер патента: EP4350029A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Sputtering target and method for forming cesium tungsten oxide film

Номер патента: US20240117485A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Preparation of chalcogenide glass sputtering targets

Номер патента: US3850604A. Автор: R Klein. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-11-26.

Inorganic-particle-dispersed sputtering target

Номер патента: MY148731A. Автор: Nakamura Yuichiro,Sato Atsushi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Few surface defects sputtering target and surface processing method thereof

Номер патента: MY153650A. Автор: Yuichiro Nakamura,Akira Hisano. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2015-03-13.

A method to manufacture an oxide sputter target comprising a first and second phase

Номер патента: EP2294241A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Hilde Delrue,Johnny Van Holsbeke,Nuno Jorge Marcolino Carvalho. Владелец: Bekaert Advanced Coatings NV. Дата публикации: 2011-03-16.

A method to manufacture an oxide sputter target comprising a first and second phase

Номер патента: EP2294241B1. Автор: Wilmert De Bosscher,Hilde Delrue,Johnny Van Holsbeke,Nuno Jorge Marcolino Carvalho. Владелец: Bekaert Advanced Coatings NV. Дата публикации: 2012-02-22.

Sputtering Target, Method For Manufacturing Sputtering Target, Amorphous Film, Method For Manufacturing Amorphous Film, Crystalline Film And Method For Manufacturing Crystalline Film

Номер патента: US20200325572A1. Автор: Takashi Kakeno,Toshihiro Kuge. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Sputtering targets and method for the preparation thereof

Номер патента: US20040069623A1. Автор: Johan Vanderstraeten. Владелец: Rotar Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Indium oxide/cerium oxide sputtering target, transparent conductive film and process for producing transparent conductive film

Номер патента: EP1731629A1. Автор: Kazuyoshi Central Research Laboratories INOUE,Masato Central Research Laboratories MATSUBARA,Shigekazu Central Research Laboratories TOMAI. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-13.

Automated Sputtering Target Production and Sub Systems Thereof

Номер патента: US20080110011A1. Автор: John P. Matera,Charles E. Wickersham,Wiley Zane Reed,Bobby R. Cosper,Kenneth G. Schmidt,Neil D. Bultz. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for producing sputtering target with lowered oxygen content

Номер патента: US20030000068A1. Автор: Hiroyuki Sakai,Satoru Kobayashi,Masato Imamura,Yoshihiro Sera,Norioki Ikeda,Shuji Shihara. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target

Номер патента: SG136847A1. Автор: Anirban Das,Steven Roger Kennedy,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Sputter Target With High-Melting Phase

Номер патента: US20070240981A1. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-10-18.

Photovoltaic sputtering targets fabricated from reclaimed materials

Номер патента: US09994951B2. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Vinh Q. Nguyen,Michael Cyrus,Jesse A. Frantz,Jason D. Myers,Robel Y. Bekele,Sergey V. Frolov,Allan J. Bruce. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-continuous bonding of sputtering target to backing material

Номер патента: EP2572013A1. Автор: Jong-Won Shin,Nikolaus Margadant,Klaus Leitner. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2013-03-27.

Alloy for seed layers of magnetic recording media, sputtering target material and magnetic recording medium

Номер патента: MY190813A. Автор: Matsubara Noriaki,Imoto Miyuki. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Sputtering target and method of manufacturing the same

Номер патента: US5508000A. Автор: Michio Satou,Noriaki Yagi,Hiromi Shizu,Mituo Kawai,Takasi Yamanobe,Tooru Komatu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Vent groove modified sputter target assembly

Номер патента: EP2002028A2. Автор: Jean-Pierre Blanchet,Robert Shih,Junghoon Hur. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

IGZO sputtering target

Номер патента: US11827972B2. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai,Jun Kajiyama,Yuhei Kuwana. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Alloy for seed layers of magnetic recording media, sputtering target material and magnetic recording medium

Номер патента: SG11201808739XA. Автор: Noriaki Matsubara,Miyuki Imoto. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Vent groove modified sputter target assembly

Номер патента: WO2007114899A3. Автор: Jean-Pierre Blanchet,Robert Shih,Junghoon Hur. Владелец: Junghoon Hur. Дата публикации: 2007-11-22.

Sputtering target

Номер патента: US11827971B2. Автор: Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein

Номер патента: US20080099731A1. Автор: Prabhat Kumar,Rong-Chein Richard Wu,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein

Номер патента: CA2623404A1. Автор: Prabhat Kumar,Rong-Chein Richard Wu,Gerhard Woetting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-12.

Sputtering target

Номер патента: US20240002997A1. Автор: Katsuhiro Imai,Yoshinori Isoda,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

In-Ga-Zn Type Oxide Sputtering Target

Номер патента: US20120093712A1. Автор: Koki Yano,Masayuki Itose,Mami Nishimura. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein

Номер патента: WO2007041081A1. Автор: Prabhat Kumar,Rong-Chein Richard Wu,Gerhard Woetting. Владелец: H. C. Starck Ceramics Gmbh & Co., Kg. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing

Номер патента: WO2011034812A2. Автор: Stephen Barry. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2011-03-24.

Sputtering target, optical information recording medium and method for producing same

Номер патента: EP1757712A4. Автор: H Takami,M Yahagi. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Method of producing a sputtering target

Номер патента: US20040058542A1. Автор: Michiaki Shinotsuka,Yukio Ide,Hiroko Iwasaki,Yoshiyuki Kageyama,Makoto Harigaya,Katsuyuki Yamada,Hiroshi Deguchi,Yujiro Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Hydrogen separation membrane, sputtering target for forming said hydrogen separation membrane, and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2585187C. Автор: Atsushi Nakamura,Akihisa Inoue,Hisamichi Kimura,Masataka Yahagi,Shin-Ichi Yamaura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium optical information recordi medium and sputtering target

Номер патента: SG118417A1. Автор: Nakai Junichi,TAUCHI Yuuki,Takagi Katsutoshi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2006-01-27.

Ag ALLOY FILM, AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING Ag ALLOY FILM

Номер патента: KR20040014362A. Автор: 다카기가츠토시,나카이주니치,다우치유우키,사토도시키. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2004-02-14.

Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target

Номер патента: US20120176883A1. Автор: Takeshi Miki,Yuki Tauchi,Yasuhiro Sone,Yoko Shida. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Optical recording medium, and sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US8227067B2. Автор: Masaki Kato,Toshihide Sasaki,Noboru Sasa,Toshishige Fujii,Masayuki Fujiwara,Katsuyuki Yamada,Yoshitaka Hayashi,Masataka Mohri. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-24.

Optical recording medium, and sputtering target and method for producing the same

Номер патента: EP2109543A1. Автор: Masaki Kato,Toshihide Sasaki,Noboru Sasa,Toshishige Fujii,Masayuki Fujiwara,Katsuyuki Yamada,Yoshitaka Hayashi,Masataka Mohri. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-21.

Optical recording medium, and sputtering target and method for producing the same

Номер патента: WO2008099692A1. Автор: Masaki Kato,Toshihide Sasaki,Noboru Sasa,Toshishige Fujii,Masayuki Fujiwara,Katsuyuki Yamada,Yoshitaka Hayashi,Masataka Mohri. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-08-21.

TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180105926A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

TANTALUM SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20160208377A1. Автор: Oda Kunihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Sputtering target for phase change-type memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for manufacturing the target

Номер патента: JP2012009128A. Автор: 裕一朗新藤,Yuichiro Shindo,Masataka Yahagi,Hideo Takami,英生高見,政隆矢作. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target

Номер патента: EP1480209A1. Автор: Masataka Isohara Fct.of Nikko Mat. Co.Ltd YAHAGI,Yuichiro Isohara Fct. of Nikko Mat.Co Ltd SHINDO,Hideo Isohara Fact of Nikko Mat. Co. Ltd TAKAMI. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-24.

Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target

Номер патента: TW200303369A. Автор: Yuichiro Shindo,Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nikko Materials Company Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-01.

Method for Bonding Components of a Sputtering Target, a Bonded Assembly of Sputtering Target Components and the Use Thereof

Номер патента: US20130161188A1. Автор: LINSBOD Robert. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Sputtering target and manufacturing method thereof, and oxide thin film, thin film transistor and display device manufacturing method using the target

Номер патента: JP5990167B2. Автор: 公規矢野,矢野　公規,重和笘井,恒太寺井,滋夫松崎,一晃江端,松崎　滋夫. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US10000842B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-06-19.

Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets

Номер патента: US7767043B2. Автор: Stephane Ferrasse,Susan D. Strothers,Frank A. Alford,William B. Willett,Wuwen Yi,Vladimir M. Segal,Chi Tse Wu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Copper Sputtering Targets and Methods of Forming Copper Sputtering Targets

Номер патента: US20090020192A1. Автор: Stephane Ferrasse,Susan D. Strothers,Frank A. Alford,William B. Willett,Wuwen Yi,Vladimir M. Segal,Chi Tse Wu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Piezoelectric laminate, production method for piezoelectric laminate, sputtering target material, and production method for sputtering target material

Номер патента: EP4328987A1. Автор: Takeshi Kimura,Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Toshiaki Kuroda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Piezoelectric stack, method of manufacturing piezoelectric stack, sputtering target material, and method of manufacturing sputtering target material

Номер патента: US20240183024A1. Автор: Takeshi Kimura,Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Toshiaki Kuroda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Piezoelectric laminate, production method for piezoelectric laminate, sputtering target material, and production method for sputtering target material

Номер патента: EP4395523A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Toshiaki Kuroda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Tantalum sputtering target having a specific molybdenum composition

Номер патента: IL214914A. Автор: . Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-29.

Tantalum sputtering target

Номер патента: TWI443216B. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Ultra-fine grain size tantalum sputtering targets with improved voltage performance and methods thereby

Номер патента: US20190161850A1. Автор: Alex Kuhn,Eugene Ivanov. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Tantalum sputtering target

Номер патента: CN103052733B. Автор: 仙田真一郎,福岛笃志. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Tantalum sputtering target

Номер патента: JPWO2012020631A1. Автор: 篤志福嶋,真一郎仙田. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-10-28.

Tantalum sputtering target

Номер патента: TW201107514A. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Tantalum sputtering target

Номер патента: US9845528B2. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Tantalum sputtering target

Номер патента: EP2465968A4. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

Tantalum sputtering target

Номер патента: EP2604718B1. Автор: Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Tantalum sputtering target

Номер патента: KR101338758B1. Автор: 신이치로 센다,아츠시 후쿠시마,구니히로 오다. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-12-06.

Tantalum sputtering target

Номер патента: TWI419987B. Автор: Kunihiro Oda,Atsushi Fukushima,Shinichiro Senda. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-12-21.

SPUTTERING-TARGET MATERIAL, SPUTTERING TARGET, SPUTTERING-TARGET ALUMINUM PLATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200199739A1. Автор: FUJITA Masahiro,TAKEDA Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Ytterbium sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: WO2009099121A1. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: NIPPON MINING & METALS CO., LTD.. Дата публикации: 2009-08-13.

Sintered LiCoO2 manufacturing method and sputtering target

Номер патента: TW201130780A. Автор: Koukou Suu,Poong Kim,Shouichi Hashiguchi,Takanori Mikashima. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-09-16.

Optical film, sputtering target, and film formation method for optical film

Номер патента: EP4019662A4. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Tantalum sputtering target

Номер патента: JPWO2010134417A1. Автор: 篤志福嶋,小田　国博,国博小田. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Tantalum sputtering target

Номер патента: KR101288651B1. Автор: 아츠시 후쿠시마,구니히로 오다. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-07-22.

Tantalum sputtering target

Номер патента: IL212815A0. Автор: . Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2011-07-31.

METHOD FOR MACHINING SPUTTERING TARGET, APPARATUS FOR MACHINING SPUTTERING TARGET, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET PRODUCT

Номер патента: US20190351491A1. Автор: FUJITA Masahiro,NISHIOKA Koji. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2019-11-21.

Sputtering target

Номер патента: US10138544B2. Автор: Dean T. Plaisted,Michael Asbas,Lawrence C. Ferrin,Paul G. Carter,Guy P. Laverriere. Владелец: Soleras Ltd. Дата публикации: 2018-11-27.

Sputtering target having a controlled occupancy rate of pinholes and method for making such sputtering target

Номер патента: TW200940733A. Автор: Kazuo Matsumae. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2009-10-01.

A zinc oxide-based sintered body, a zinc oxide sputtering target made of the sintered body, and a zinc oxide thin film obtained by sputtering the target

Номер патента: TWI572732B. Автор: Atsushi Nara,Hideo Takami. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2017-03-01.

CUTTING TOOL FOR SPUTTERING TARGET, PROCESSING METHOD OF SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET PRODUCT

Номер патента: US20190210122A1. Автор: FUJITA Masahiro. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2019-07-11.

A sputtering target as well as a joined type sputtering target assembly and a method of making such a joined type sputtering target assembly

Номер патента: TWI403600B. Автор: Takaharu Ito,Hiroshi Matsumoto,Manabu Ito,Junichi Nitta. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

CUTTING TOOL FOR SPUTTERING TARGET, PROCESSING METHOD OF SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET PRODUCT

Номер патента: US20200338650A1. Автор: FUJITA Masahiro. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2020-10-29.

Self-supporting zinc alloy rotating sputter target

Номер патента: CA2103241C. Автор: James W. Hillendahl,J. Glen Palmer. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Sputtering target as well as a joined type sputtering target assembly and a method of making such a joined type sputtering target assembly

Номер патента: US20070251820A1. Автор: Takaharu Ito,Hiroshi Matsumoto,Manabu Ito,Junichi Nitta. Владелец: Ulvac Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

METHOD FOR PRODUCING CU-GA ALLOY POWDER, CU-GA ALLOY POWDER, METHOD FOR PRODUCING CU-GA ALLOY SPUTTERING TARGET, AND CU-GA ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20130192986A1. Автор: TAKAHASHI Tatsuya,Morimoto Toshio,Ando Isao,Komukai Tetsufumi,Takagi Masanori,Sato Eriko,Minami Hirotaka. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-01.

Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING Cu-Ga SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190271069A1. Автор: Shiono Ichiro,Zhang Shoubin,Umemoto Keita,IO Kensuke. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-05.

PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20180304400A1. Автор: TAKIGAWA Mikio,TERASAWA Toshiyuki. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2018-10-25.

PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190299324A1. Автор: TAKIGAWA Mikio,TERASAWA Toshiyuki. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2019-10-03.

SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20180312961A1. Автор: Zhang Shoubin,Umemoto Keita,MUTSUDA Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20200384598A1. Автор: FUJITA Masahiro,NISHIOKA Koji. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2020-12-10.

Sintered body for sputtering target, sputtering target comprising the same, and the preparation thereof

Номер патента: KR102263238B1. Автор: 양승호,윤원규,권오집,홍길수. Владелец: 엘티메탈 주식회사. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for a variety metal bonding on precious metals sputtering target decrease raw materials and the sputtering target prepared thereby

Номер патента: KR102332893B1. Автор: 양승호,윤원규,권오집,홍길수. Владелец: 엘티메탈 주식회사. Дата публикации: 2021-12-01.

Sputtering target manufacturing method and sputtering target

Номер патента: JP6397592B1. Автор: 昌宏藤田,宏司西岡. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-26.

METHOD OF MANUFACTURING Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL

Номер патента: KR101613001B1. Автор: 게이스케 이노우에,히데오 무라타,마사시 가미나다. Владелец: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-04-15.

METHOD OF MANUFACTURING Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL

Номер патента: KR20140103061A. Автор: 게이스케 이노우에,히데오 무라타,마사시 가미나다. Владелец: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-08-25.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: WO2000015863A1. Автор: Eugene Y. Ivanov,Harry W. Conard. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2000-03-23.

Method for producing a sputtering target from an Si-based alloy, and the use of the sputtering target

Номер патента: DE10253319B3. Автор: Martin Dr. Weigert,Josef Heindel,Uwe Konietzka. Владелец: WC Heraus GmbH. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for cleaning a sputtering target, method for manufacturing a sputtering target, method for manufacturing a recycled ingot and a recycled ingot

Номер патента: KR102338200B1. Автор: 고지 니시오카,히로유키 츠카다. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-12-10.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: EP1115899A4. Автор: Eugene Y Ivanov,Harry W Conard. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-09-22.

Method for a variety metal bonding on precious metals sputtering target decrease raw materials and the sputtering target prepared thereby

Номер патента: KR20160112442A. Автор: 양승호,윤원규,권오집,홍길수. Владелец: 희성금속 주식회사. Дата публикации: 2016-09-28.

Cu-ga alloy sputtering target, molten product for the sputtering target, and method of producing same

Номер патента: KR20140115953A. Автор: 도모야 다무라. Владелец: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-10-01.

Oxide sintered body, sputtering target, and method for producing sputtering target

Номер патента: CN113677821A. Автор: 海上晓. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Billet or bar for a sputtering target with Molybdenum; Corresponding sputtering target

Номер патента: EP2374568A1. Автор: Greg A. Butzer,Robert H. Huizenga,Steven D. Mussman. Владелец: Howmet Corp. Дата публикации: 2011-10-12.

High-purity yttrium, process of producing high-purity yttrium, high-purity yttrium sputtering target, metal gate film deposited with high-purity yttrium sputtering target, and semiconductor element and device equipped with the metal gate film

Номер патента: CA2840720A1. Автор: Masahiro Takahata. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: US6749103B1. Автор: Eugene Y. Ivanov,Harry W. Conard. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Cu-Ga ALLOY, SPUTTERING TARGET, Cu-Ga ALLOY PRODUCTION METHOD, AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20100307914A1. Автор: Yuichi HIRAMOTO,Tatsuya Tonogi. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

High-purity yttrium, process for producing high-purity yttrium, high-purity yttrium sputtering target, metal gate film deposited with high-purity yttrium sputtering target, and semiconductor element and device equipped with said metal gate film

Номер патента: AU2011372574A1. Автор: Masahiro Takahata. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Manufacturing method of molybdenum alloy sputtering target materials and molybdenum alloy sputtering target materials

Номер патента: TW201441399A. Автор: Keisuke Inoue,Hideo Murata,Masashi Kaminada. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-11-01.

Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby

Номер патента: EP1115899B1. Автор: Eugene Y. Ivanov,Harry W. Conard. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Method for producing high purity nickle, high purity nickle, sputtering target comprising high purity nickel, and thin film formed by using said spattering target

Номер патента: US20040069652A1. Автор: Yuichiro Shindo,Kouichi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Method for producing high purity nickel, high purity nickel, sputtering target comprising the high purity nickel, and thin film formed by using said spattering target

Номер патента: EP1413651A1. Автор: Y. Isohara Factory Nikko Materials Co. Ltd SHINDO,K. Isohara Factory Nikko Mat. Co. Ltd. TAKEMOTO. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-28.

Sputtering target for the formation of phase-change films and process for the production of the target

Номер патента: TW200716767A. Автор: Kei Kinoshita,Sohei Nonaka. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Sputtering-target materials

Номер патента: TW200517510A. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii. Владелец: Ishifuku Metal Ind. Дата публикации: 2005-06-01.

Sputtering-target materials

Номер патента: TWI281508B. Автор: Koichi Hasegawa,Nobuo Ishii. Владелец: Ishifuku Metal Ind. Дата публикации: 2007-05-21.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136129A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136128A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136131A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Номер патента: SG136127A1. Автор: Anirban Das,Michael Gene Racine. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-10-29.

Enhanced sputter target manufacturing method

Номер патента: TW200704798A. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Metal-si based powder, method for producing same, metal-si based sintered body, sputtering target, and metal-si based thin film manufacturing method

Номер патента: EP4159888A4. Автор: Hiroyuki Hara,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Ge-Cr alloy sputtering target and process producing the same

Номер патента: TW200413553A. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Yasujima. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Ge-Cr alloy sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI223008B. Автор: Hideo Takami,Hirohisa Ajima. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Nickel alloy sputtering target and nickel alloy thin film

Номер патента: TWI286577B. Автор: Ryo Suzuki,Yasuhiro Yamakoshi. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Ni-Fe alloy sputtering target for forming magnetic thin films, magnetic thin film, and method of manufacturing the Ni-Fe alloy sputtering target

Номер патента: US20010032686A1. Автор: Tsuneo Suzuki,Yuichiro Shindo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Sputtering Target of Sintered Ti-Nb Based Oxide, Thin Film of Ti-Nb Based Oxide, and Method of Producing The Thin Film

Номер патента: US20140023868A1. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Sputter target feed system

Номер патента: WO2012027123A1. Автор: Craig R. Chaney. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Sputtering targets having life alarm function

Номер патента: US5487823A. Автор: Hiroki Nakamura,Susumu Sawada,Junichi Anan,Yoshihiro Sakaya. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1996-01-30.

Assembly and method to extend useful life of sputtering targets

Номер патента: CA1118715A. Автор: Lawrence E. O'connell,G. Frederick Nichols. Владелец: Delbar Products Inc. Дата публикации: 1982-02-23.

A method for making composite sputtering targets and the targets made in accordance with the method

Номер патента: TW200940216A. Автор: Scott Campbell. Владелец: SCI ENGINEERED MATERIALS Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20130092534A1. Автор: Fukushima Atsushi,Senda Shinichiro. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

Tantalum Sputtering Target

Номер патента: US20130098759A1. Автор: Fukushima Atsushi,Senda Shinichiro. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-25.

Tantalum Sputtering Target and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20140242401A1. Автор: Senda Shinichiro,Nagatsu Kotaro. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

Sputtering target assemblies

Номер патента: WO2002036846A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-05-10.

Magnesium oxide sputtering target and method of making same

Номер патента: US20200010368A1. Автор: Christopher M. Jaworski,Eugene Y. Ivanov. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Conductive silicon sputtering targets

Номер патента: US20240271270A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Yuping Lin,Ignacio CARETTI GIANGASPRO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Jiangyin Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin Film Forming Sputtering Target, Dielectric Thin Film, Optical Disc and Production Method Therefor

Номер патента: US20080271988A1. Автор: Yasuo Hosoda,Takashi Ueno,Takanobu Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

Target arrangement used as a sputtering target in the production of heat resistant layers or solar protection layers on flat glass or plastic films comprises tubular support element and hollow cylindrical target made from target material

Номер патента: DE202006018079U1. Автор: . Владелец: FNE GmbH. Дата публикации: 2007-03-29.

Al2o3 sputtering target and method for producing same

Номер патента: EP3527689A1. Автор: Yoshimasa Koido. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-21.

Conductive silicon sputtering targets

Номер патента: EP4370724A1. Автор: Wilmert De Bosscher,Yuping Lin,Ignacio CARETTI GIANGASPRO. Владелец: Soleras Advanced Coatings Jiangyin Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Oxide sintered body sputtering target, method for producing the target, gate insulating film formed from oxide, and method for heat-treating the gate insulating film

Номер патента: TW201042068A. Автор: Kazuyuki Satoh,Yoshimasa Koido. Владелец: Nippon Mining Co. Дата публикации: 2010-12-01.

Tin oxide powder for ITO sputtering target, manufacturing method of said powder, sintered body sputtering target for ITO film deposition, and manufacturing method of said target

Номер патента: TW555875B. Автор: Toshiya Kurihara,Mitsuyuki Konaka. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Magnetic Material Sputtering Target Provided with Groove in Rear Face of Target

Номер патента: US20130087454A1. Автор: Sato Atsushi. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

REFURBISHING COPPER AND INDIUM CONTAINING ALLOY SPUTTER TARGETS AND USE OF SUCH TARGETS IN MAKING COPPER AND INDIUM-BASED FILMS

Номер патента: US20130248351A1. Автор: Nilsson Robert,Gerbi Jennifer. Владелец: Dow Global Technologie, LLC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Sputtering Target, Method For Manufacturing Sputtering Target, Amorphous Film, Method For Manufacturing Amorphous Film, Crystalline Film And Method For Manufacturing Crystalline Film

Номер патента: US20200325572A1. Автор: Kakeno Takashi,Kuge Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets

Номер патента: US20070251819A1. Автор: Janine Kardokus,Susan Strothers,Sally Woodward,Stephane Ferrasse. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Oxide sintered body, sputtering target comprising the sintered body, method for producing the sintered body, and method for producing the sintered sputtering target gate

Номер патента: JP5301542B2. Автор: 和幸佐藤,由将小井土. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Method for cleaning a used sputtering target, method for manufacturing a sputtering target, method for manufacturing a recycled ingot and a recycled ingot

Номер патента: KR102104013B1. Автор: 고지 니시오카,히로유키 츠카다. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-04-23.

Cylinderical sputtering target, method for preparatiing the same and thin film formed using the cylinderical sputtering target

Номер патента: KR20160056674A. Автор: 양승호,강민호,윤원규,최호윤. Владелец: 희성금속 주식회사. Дата публикации: 2016-05-20.

ZnS-SiO2 sputtering target and optical recording medium having ZnS-SiO2 protective film for phase change type optical disk formed by using said target

Номер патента: CN1209490C. Автор: 矢作政隆,高见英生. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-06.

Sputtering target for forming phase change optical disc protective film and optical recording medium having phase change optical disc protective film formed using that target

Номер патента: WO2002099156A1. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nikko Materials Company, Limited. Дата публикации: 2002-12-12.

Sputtering target for forming phase change optical disc protective film and optical recording medium having phase change optical disc protective film formed using that target

Номер патента: EP1394284A4. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Molybdenum oxide sputtering target and molybdenum oxide sputtering target production method

Номер патента: WO2022009548A1. Автор: 晋岡野,啓太梅本,健志大友,幸也杉内. Владелец: 三菱マテリアル株式会社. Дата публикации: 2022-01-13.

Sputtering target, dielectric film formed from the sputtering target and method for producing the dielectric film

Номер патента: TW200632122A. Автор: Etsuo Ogino,Terufusa Kunisada,Masahiro Ikadai. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-16.

Sputtering target containing zinc sulfide as major component, optical recording medium on which phase change optical disk protective film containing zinc sulfide as major component is formed by using the target

Номер патента: TW200302874A. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Zns-sio 2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio 2 phase-change type optical disc protective film formed through use of that target

Номер патента: EP1371747A4. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Optical recording medium, manufacturing method thereof, recording material for optical recording medium, and sputtering target for optical recording medium

Номер патента: US20240062781A1. Автор: Kotaro Kurokawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

HIGH-PURITY YTTRIUM, PROCESS OF PRODUCING HIGH-PURITY YTTRIUM, HIGH-PURITY YTTRIUM SPUTTERING TARGET, METAL GATE FILM DEPOSITED WITH HIGH-PURITY YTTRIUM SPUTTERING TARGET, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND DEVICE EQUIPPED WITH THE METAL GATE FILM

Номер патента: US20140140884A1. Автор: Takahata Masahiro. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Номер патента: RU2434960C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-11-27.

Alloy and sputtering target material for seed layer in ni-cu-based magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Номер патента: MY186853A. Автор: Hasegawa Hiroyuki,Shinmura Yumeki. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Determination of actual defect size in cathode sputter targets subjected to ultrasonic inspection.

Номер патента: GB2358249A. Автор: Paul S Gilman,Alfred Snowman,Andre Desert. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Procedure for production of high purity molybdenum for sputtering target

Номер патента: RU2434959C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-11-27.

Номер патента: US20190180782A1. Автор: ZHANG LEI,Kanbe Tetsuya,Niwa Kazuya,Xu Chen,SHIGE Tomoo,Fukushima Takayuki,Yamaguchi Takehiro,Murofushi Katsumi,SHIBATA Hisato,MURAKAMI Yuji,ISHIBASHI Yoshitaka. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

PSEUDO DEFECT SAMPLE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, METHOD FOR ADJUSTING ULTRASONIC FLAW DETECTION MEASUREMENT CONDITION, METHOD FOR INSPECTING TARGET MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190265201A1. Автор: NISHIOKA Koji,SUGAWARA Hiroaki. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2019-08-29.

Pseudo defect sample and manufacturing method thereof, adjustment method of ultrasonic flaw detection condition, inspection method of target material, and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: TWI635276B. Автор: 菅原裕明,西岡宏司. Владелец: 日商住友化學股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-11.

Номер патента: RU2446228C1. Автор: Владимир Иванович Ищенко,Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Жаннета Юрьевна Чашечкина,Петр Яковлевич Бывшев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: MY190417A. Автор: Koichi Sakamaki,Hiroaki SOGAME,Hidetaka Yakabe,Jun Fukuoka. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Procedure for production of high purity cobalt for sputtering target

Номер патента: RU2434955C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров,Андрей Вячеславович Пальниченко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-11-27.

Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets

Номер патента: RU2446219C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

Procedure for production of titanium of high purity for sputtering target

Номер патента: RU2418874C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-05-20.

Method for obtaining sputtering target from aluminium-based alloy

Номер патента: RU2446229C1. Автор: Владимир Иванович Ищенко,Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Жаннета Юрьевна Чашечкина,Петр Яковлевич Бывшев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

Solar energy optoelectric quaternary CIGS sputtering target, production method thereof, binding method of the samr with target backplate, and materialsupplying method thereof

Номер патента: TW201114931A. Автор: sheng-chang Zhang. Владелец: sheng-chang Zhang. Дата публикации: 2011-05-01.

Cu-Ga alloy cylindrical sputtering target, Cu-Ga alloy cylindrical ingot, method for producing Cu-Ga alloy cylindrical sputtering target, and method for producing Cu-Ga alloy cylindrical ingot

Номер патента: JP6390432B2. Автор: 慎司加藤,翔一郎矢野,喬園畠,加藤　慎司. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-09-19.

Reparation method of tungsten titanium alloy target material used in semiconductor and solar sputtering target material industries

Номер патента: CN102211188A. Автор: 于洋,石涛,杨福民,郑艾龙,庄志刚,赖亚洲. Владелец: HONGLU TUNGSTEN MOLYBDENUM INDUSTRY Co Ltd SHIAMEN. Дата публикации: 2011-10-12.

Cu-Ga ALLOY CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, Cu-Ga ALLOY CYLINDRICAL INGOT, PRODUCING METHOD OF Cu-Ga ALLOY CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, AND PRODUCING METHOD OF Cu-Ga ALLOY CYLINDRICAL INGOT

Номер патента: JP2016125113A. Автор: Shinji Kato,慎司加藤,翔一郎矢野,喬園畠,加藤　慎司,Shoichiro Yano,Takashi Sonohata. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-11.

Sputtering target material, manufacturing method of sputtering target material, and manufacturing method of laminated substrate with piezoelectric thin film

Номер патента: JP7022853B2. Автор: 和俊渡辺,憲治柴田,文正堀切. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Sputtering target and Ge layer, Ge compound layer, Ge alloy layer and optical disk, electric / electronic component, magnetic component using the sputtering target

Номер патента: JP4900992B2. Автор: 高志渡辺,光一渡邊,隆石上. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

Refractory metal-doped sputtering targets, thin films prepared therewith and electronic device elements containing such films

Номер патента: TW200927973A. Автор: Richard Wu,Prabhat Kumar,Shuwei Sun,Mark Gaydos. Владелец: Starck H C Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Reflection layer or semi-transparent reflection layer for use in optical information recording media, optical information recording media and sputtering target for use in the optical information recording media

Номер патента: TW514909B. Автор: Junichi Nakai,Hideo Fujii,Katsutoshi Takagi,Takashi Ohnishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2002-12-21.

Silver alloy sputtering target for forming a reflective layer of an optical recording media

Номер патента: TW200417620A. Автор: Akifumi Mishima. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Tantalum sputtering target

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты