Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20170029336A1
Опубликовано: 02-02-2017
Автор(ы): Eiichiro Nishimura, Fumihiko Matsumura, Masashi Iwara, Tokuyuki Nakayama
Принадлежит: SUMITOMO METAL MINING CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09732004B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09688580B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09941415B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

A composite oxide sintered body and a sputtering target including the same

Номер патента: TWI465411B. Автор: Koki Yano,Hirokazu Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2014-12-21.

Sputtering target for oxide semiconductor, comprising ingao3(zno) crystal phase and process for producing the sputtering target

Номер патента: CN102131953B. Автор: 矢野公规,川岛浩和. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-09.

Sputtering target for oxide semiconductor, comprising ingao3(zno) crystal phase and process for producing the sputtering target

Номер патента: CN102131953A. Автор: 矢野公规,川岛浩和. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for making tin oxide thin film

Номер патента: US09828667B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Liang-Qi Ouyang,Leng Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Sputtering target

Номер патента: US09767998B2. Автор: Shigeo Matsuzaki,Shigekazu Tomai,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20190233299A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body, and sputtering target

Номер патента: US11728390B2. Автор: Masatoshi Shibata,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: US20240254616A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Oxide sintered material and method of manufacturing the same, sputtering target, oxide semiconductor film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200126790A1. Автор: Kenichi Watatani,Hideaki Awata,Kazuya Tokuda,Aiko TOMINAGA,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Oxide sputtering target, thin film transistor using the same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09484200B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Takayuki Fukasawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US11959165B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Sputtering target material and oxide semiconductor

Номер патента: US20230307549A1. Автор: Shigeki Tokuchi,Kyosuke Teramura,Ryo SHIRANITA. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US9840769B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Liang-Qi Ouyang,Ru-Jun Sun. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Composite oxide sintered body and sputtering target comprising same

Номер патента: US20110260121A1. Автор: Koki Yano,Hirokazu Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Sputtering target and thin film transistor equipped with same

Номер патента: US8598578B2. Автор: Koki Yano,Masayuki Itose. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Method for making oxide semiconductor film

Номер патента: US20170044655A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Yao-Wei Wei,Ze-Dong Gao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for making oxide semiconductor film

Номер патента: US09945022B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Yao-Wei Wei,Ze-Dong Gao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide sinter, sputtering target using same, and oxide film

Номер патента: EP2921467A4. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-07-20.

Semiconductor layer oxide, thin film transistor (TFT), display device and the sputtering target of thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN104335354B. Автор: 钉宫敏洋,森田晋也,三木绫,广濑研太. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2018-07-20.

Sputtering target, method for manufacturing same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: TW201243079A. Автор: Masao Moriguchi,Takatsugu Kusumi,Yohsuke Kanzaki,Masahiro Tamari. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2012-11-01.

OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, METHOD PRODUCING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20210257465A1. Автор: KOBAYASHI Motoshi,HANNA Taku,ONODA Jungo. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor and manufacturing method thereof, and sputtering target

Номер патента: KR102478014B1. Автор: 모토시 코바야시,타쿠 한나,준고 오노다. Владелец: 가부시키가이샤 아루박. Дата публикации: 2022-12-15.

Thin-film transistor and zinc oxide-based sputtering target for the same

Номер патента: US20140001469A1. Автор: Do-Hyun Kim,Jaewoo Park,Yoon Gyu Lee,Dongjo Kim,Yongjin Lee,Juok Park,Woo-Seok Jeon,Sangwon Yoon,Insung Sohn,Gunhyo Lee. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Thin-film transistor and zinc oxide-based sputtering target for the same

Номер патента: US9035297B2. Автор: Do-Hyun Kim,Jaewoo Park,Yoon Gyu Lee,Dongjo Kim,Yongjin Lee,Juok Park,Woo-Seok Jeon,Sangwon Yoon,Insung Sohn,Gunhyo Lee. Владелец: Samsung Corning Advanced Glass LLC. Дата публикации: 2015-05-19.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20240141477A1. Автор: Hiroyoshi Yamamoto,Atsushi Nara. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: US09905403B2. Автор: Hideo Hata,Moriyoshi Kanamaru,Akira Nambu,Yuki Tao. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Oxide for semiconductor layer in thin film transistor, thin film transistor, display device, and sputtering target

Номер патента: US09647126B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Aya Miki,Kenta Hirose. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Film forming method and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09947550B2. Автор: Eiji Takahashi. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin-film transistor, oxide semiconductor film, and sputtering target

Номер патента: US20180337285A1. Автор: Masaru Wada,Masaki Takei,Koji Hidaka,Junya Kiyota,Mitsuru Ueno,Kazutoshi Takahashi,Motoshi Kobayashi,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Oxide sputtering target, and thin film transistor using the same

Номер патента: US09543444B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yoshinori Tanaka,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Sputtering target for insulating oxide film, method for forming insulating oxide film, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US20200176588A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for producing thin film transistor

Номер патента: US20210151585A1. Автор: Yasunori Ando,Daisuke Matsuo,Yoshitaka Setoguchi,Shigeaki Kishida. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Piezoelectric ceramic sputtering target, lead-free piezoelectric thin film and piezoelectric thin film element using the same

Номер патента: US20170288128A1. Автор: Masahito Furukawa,Masaru Nanao,Kenta Ishii,Tomohisa Azuma,Tatsuji Sano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Oxide sputtering target, and thin film transistor using the same

Номер патента: US20170092773A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yoshinori Tanaka,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Oxide sputtering target, and thin film transistor using the same

Номер патента: US20150255611A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yoshinori Tanaka,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US9732415B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Leng Zhang,Yao-Wei Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US20170037505A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Leng Zhang,Yao-Wei Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Potassium sodium niobate sputtering target and production method thereof

Номер патента: US11851747B2. Автор: Ryo Suzuki,Atsushi Nara,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Potassium sodium niobate sputtering target and production method thereof

Номер патента: US20240052478A1. Автор: Ryo Suzuki,Atsushi Nara,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09768316B2. Автор: Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US09837543B2. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Zinc oxide sintered compact, sputtering target, and zinc oxide thin film

Номер патента: US09396830B2. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Kenji Omi,Hitoshi Iigusa,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US20160035895A1. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Oxide semiconductor thin film, production method thereof, and thin film transistor

Номер патента: US09368639B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Low-temperature fabrication of nanomaterial-derived metal composite thin films

Номер патента: US09412852B2. Автор: Yu Xia,He Yan,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Mercouri G. Kanatzidis,William Christopher Sheets,Myung-Gil Kim. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor

Номер патента: US09343586B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Aya Miki,Tomoya Kishi,Kenta Hirose. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin film transistor array panel having an oxide semiconductor including silicon

Номер патента: US09828666B2. Автор: Moon Ju Kim,Eun Suk Kim,Hyoung-Rae Lee,Jong-Won CHOO,Seok-Kun Yoon,Kwang Youl LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722089B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Takayuki Fukasawa,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Thin film transistor

Номер патента: US20150255627A1. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Aya Miki,Tomoya Kishi,Kenta Hirose. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-10.

Thin film transistor

Номер патента: US20160099357A2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Aya Miki,Tomoya Kishi,Kenta Hirose. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20170352763A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20200013894A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Oxide semiconductor, manufacturing method therefor, and semiconductor device comprising same

Номер патента: EP4439679A1. Автор: Hye Mi Kim,Hyunsung Jung,Hyeon Woo KIM,Young Joon Yoon,Jin Seong Park,In Pyo Park,Soo Won Heo,Sung Beom Cho,Bukyeong HWANG. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-10-02.

Oxide semiconductor and transistor

Номер патента: US11929438B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2, SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD FOR SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2

Номер патента: US20150376773A1. Автор: Kanamaru Moriyoshi,Taketomi Yuichi. Владелец: KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.. Дата публикации: 2015-12-31.

Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same

Номер патента: US20140332735A1. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Ilgusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Oxide sintered body, method for producing same and sputtering target

Номер патента: US20190016638A1. Автор: Kenichi Itoh,Shinichi Hara,Hiroyuki Hara. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Oxide sintered body, method for producing same and sputtering target

Номер патента: US10669208B2. Автор: Kenichi Itoh,Shinichi Hara,Hiroyuki Hara. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US09824868B2. Автор: Eiji Kusano,Ken Okamoto,Tadahisa Arahori,Muneaki Sakamoto,Akishige Sato,Sachio Miyashita. Владелец: Ferrotec Ceramics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Oxide sintered compact, its production method, and raw material powder for producing oxide sintered compact

Номер патента: US09663405B2. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami,Kozo Osada,Masakatsu Ikisawa,Takashi Kakeno. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Magnesium oxide sputtering target

Номер патента: EP3839090A1. Автор: Yoshitaka Shibuya,Satoyasu Narita,Hiroki Kajita. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Composite oxide sintered body and oxide transparent conductive film

Номер патента: US20150187548A1. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Composite oxide sintered body and oxide transparent conductive film

Номер патента: MY166176A. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Crystalline oxide semiconductor thin film, method for producing crystalline oxide semiconductor thin film, and thin film transistor

Номер патента: US20180219098A1. Автор: Shigekazu Tomai,Kazuyoshi Inoue,Futoshi Utsuno,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Oxide sintered body

Номер патента: US20220356118A1. Автор: Kenichi Sasaki,Shigekazu Tomai,Satoshi Katsumata,Yoshihiro Ueoka. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Zinc oxide sputtering target

Номер патента: US09824869B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Sputtering target and method for manufacturing sputtering target

Номер патента: US12106949B2. Автор: Yuki Furuya. Владелец: Jx Advanced Metals Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Sputtering target and process for production thereof

Номер патента: MY177222A. Автор: Shin Saito,Migaku Takahashi,Toshiya Yamamoto,Kim Kong THAM,Shintaro HINATA. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2020-09-09.

Cylindrical sputtering target, cylindrical compact, manufacturing method of cylindrical sputtering target, and manufacturing method of cylindrical sintered compact

Номер патента: US09834839B2. Автор: Yohei Yamaguchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET USING IT, AND OXIDE FILM

Номер патента: US20150295116A1. Автор: Kuramochi Hideto,Akiike Ryo,Tamano Kimiaki. Владелец: TOSOH CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-15.

METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND THIN FILM TRANSISTOR HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20140179057A1. Автор: TSANG JIAN-SHIHN. Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium

Номер патента: US9123360B2. Автор: Atsushi Saito,Rie Mori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: US20210054496A1. Автор: Kohei Nishiyama,Yuki Tao. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Oxide sintered body and sputtering target, and manufacturing method for transparent conductive oxide film as electrode

Номер патента: US20040164281A1. Автор: Yoshiyuki Abe,Go Ohara,Noriko Ishiyama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2004-08-26.

Oxide sintered body and sputtering target, and manufacturing method for transparent conductive oxide film as electrode

Номер патента: US20070057239A1. Автор: Yoshiyuki Abe,Go Ohara,Noriko Ishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Li-containing phosphoric-acid compound sintered body and sputtering target, and method for manufacturing said Li-containing phosphoric-acid compound sintered body

Номер патента: US09892891B2. Автор: Moriyoshi Kanamaru,Yuki Tao,Yuichi Taketomi. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium

Номер патента: US20150010727A1. Автор: Atsushi Saito,Rie Mori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Cu—Ga alloy sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09748080B2. Автор: Satoru Mori,Yuuki Yoshida,Kouichi Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT ABSORBING LAYER FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM SOLAR CELL AND In-Cu ALLOY SPUTTERING TARGET

Номер патента: TW201220522A. Автор: Hideo Fujii,Katsufumi Tomihisa. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US9515193B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20140110249A1. Автор: Kanzaki Yohsuke,Moriguchi Masao,Kusumi Takatsugu,Tamari Naohiro. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-04-24.

Conical-frustum sputtering target and magnetron sputtering apparatus

Номер патента: US4747926A. Автор: Shigeru Kobayashi,Tamotsu Shimizu,Takeshi Oyamada,Hikaru Nishijima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-05-31.

Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having high-purity lanthanum as main component

Номер патента: CA2825301C. Автор: Masahiro Takahata,Kazuyuki Satoh,Satoyasu Narita,Takeshi Gohara. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

SPUTTERING TARGETS AND DEVICES INCLUDING Mo, Nb, and Ta, AND METHODS

Номер патента: US20190066987A1. Автор: Qi Zhang,Shuwei Sun,Gary Alan Rozak,Barbara Cox,Yen-Te Lee. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Large-grain tin sputtering target

Номер патента: US20210050194A1. Автор: Stephane Ferrasse,Frank C. Alford,Marc D. Ruggiero,Patrick K. Underwood,Susan D. Strothers. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Process and apparatus for the manufacture of sputtering targets

Номер патента: CA2556786C. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

SPUTTERING TARGETS AND DEVICES INCLUDING Mo, Nb, AND Ta, AND METHODS

Номер патента: WO2016115026A9. Автор: Qi Zhang,Shuwei Sun,Gary Alan Rozak,Barbara Cox,Yen-Te Lee. Владелец: H.C. Starck Inc.. Дата публикации: 2016-10-27.

Methods for surface preparation of sputtering target

Номер патента: US20160333461A1. Автор: Longzhou Ma,Xingbo Yang,Matthew J. KOMERTZ,Arthur V. TESTANERO,Dejan Stojakovic. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2, SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD FOR SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2

Номер патента: US20150376773A1. Автор: Moriyoshi Kanamaru,Yuichi Taketomi. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Sputtering target

Номер патента: US20120298506A1. Автор: David B. Smathers,Eugene Y. Ivanov,Ronald G. Jordan,Yongwen Yuan. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Sputtering target and sputtering apparatus including the same

Номер патента: US20240084441A1. Автор: Hyuneok Shin,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor thin-film manufacturing method, seminconductor thin-film manufacturing apparatus, susceptor, and susceptor holding tool

Номер патента: EP2549522A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa,Satomi Itoh,Hiromu Shiomi,Shigeki Shimada,Yasuhiko Senda,Jun Genba,Takemi Terao,Masaru Furusho. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-23.

Device for application of functional layers of thin-film solar cells on substrate by deposition in plasma of low-frequency induction discharge of low-pressure transformer

Номер патента: RU2582077C2. Автор: Игорь Максимович Уланов,Артем Юрьевич Литвинцев,Михаил Витальевич Исупов,Павел Александрович Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

OXIDE SINTERED BODY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE OBTAINED BY USING THE SAME

Номер патента: US20130202850A1. Автор: Abe Yoshiyuki,Nakayama Tokuyuki. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

Alloy used in soft-magnetic thin-film layer on perpendicular magnetic recording medium, sputtering-target material, and perpendicular magnetic recording medium having soft-magnetic thin-film layer

Номер патента: CN103842549A. Автор: 泽田俊之,松原庆明. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Alloy for soft-magnetic thin-film layer of perpendicular magnetic recording medium, sputtering target material, and perpendicular magnetic recording medium having soft-magnetic thin-film layer

Номер патента: TW201337005A. Автор: Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-16.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20170009336A1. Автор: Nobuaki Nakashima,Tooru Komatsu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Alloy used in soft-magnetic thin-film layer on perpendicular magnetic recording medium, sputtering-target material, and perpendicular magnetic recording medium having soft-magnetic thin-film layer

Номер патента: MY166858A. Автор: Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Alloy used in soft-magnetic thin-film layer on perpendicular magnetic recording medium, sputtering-target material, and perpendicular magnetic recording medium having soft-magnetic thin-film layer

Номер патента: SG11201400805SA. Автор: Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of manufacturing sputtering target and sputtering target

Номер патента: US20200115790A1. Автор: Nobuaki Nakashima,Tooru Komatsu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Oxynitride semiconductor thin film

Номер патента: US09543447B2. Автор: Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and inorganic semiconductor thin film produced thereby

Номер патента: US09969896B2. Автор: Chang Jin Lee,Song Yun Cho,Young Hun Kang. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-15.

Oxide sintered body and tablets obtained by processing same

Номер патента: MY162449A. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: Sumitomo Metal Mining Co. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of production of semiconductor thin films

Номер патента: WO2012066116A1. Автор: Phillip Dale,Susanne Siebentritt,Dominik Berg,Alex Redinger. Владелец: UNIVERSITE DU LUXEMBOURG. Дата публикации: 2012-05-24.

High-purity hafnium, target and thin film comprising high-purity hafnium, and process for producing high-purity hafnium

Номер патента: EP1930451B1. Автор: Yuichiro Nippon Mining & Metals Co. Ltd. SHINDO. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-05.

Method for improving flatness of semiconductor thin film

Номер патента: US20210043442A1. Автор: Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Chenhua Dong. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, sensor, and digital x-ray image-capturing apparatus

Номер патента: US20130320338A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Tungsten Sputtering Target And Method For Producing Same

Номер патента: US20170211176A1. Автор: Kunihiro Oda,Kazumasa Ohashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Method for producing a thin film made of lead zirconate titanate

Номер патента: US09960344B2. Автор: Carsten Giebeler,Neil Conway. Владелец: Pyreos Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

A method for fabricating thin films

Номер патента: EP2274771A1. Автор: Bing Liu,Makoto Murakami,Yong Che,Yuzuru Uehara,Zhenlin Liu,Zhendong Hu. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2011-01-19.

Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target

Номер патента: US09896745B2. Автор: Hirohito Miyashita,Takeo Okabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned metal oxide thin-film transistor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564536B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Al-based alloy sputtering target and Cu-based alloy sputtering target

Номер патента: US09551065B2. Автор: Junichi Nakai,Toshiaki Takagi,Katsushi Matsumoto. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film

Номер патента: US09441289B2. Автор: Atsushi Fukushima,Susumu Shimamoto,Yuichiro Shindo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and Cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer

Номер патента: US8658009B2. Автор: Satoru Mori,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358729A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima,Haruyuki Baba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018011645A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima,Haruyuki Baba. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Alloy thin films exhibiting perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20180166628A1. Автор: Young Keun Kim,Yong Jin Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor

Номер патента: US11967505B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Highly pure lanthanum, sputtering target comprising highly pure lanthanum, and metal gate film mainly composed of highly pure lanthanum

Номер патента: AU2008344685B2. Автор: Masahiro Takahata,Yuichiro Shindo,Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Thin film deposition systems and deposition methods for forming photovoltaic cells

Номер патента: WO2021072360A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Neil Mackie,Robel Fessehatzion,Ben HICKEY,Jochen Titus. Владелец: Miasole Hi-Tech Corp.. Дата публикации: 2021-04-15.

Superconducting thin-film material and method of making said material

Номер патента: RU2384907C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА,Кацуя ХАСЕГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Method for Selective Delamination and Transfer of Thin Film Using Liquid Platform

Номер патента: US20200387073A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-12-10.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Conductive thin film for ultraviolet waveband and preparation method therefor

Номер патента: US12107192B2. Автор: Hong Wang,Xiaolong Hu,Quanbin ZHOU,Rulian WEN. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2024-10-01.

Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same

Номер патента: US09920420B2. Автор: Tetsuo Shibutami,Kenichi Itoh,Hitoshi Nagayama,Shunsuke Yatsunami,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

High-purity copper sputtering target

Номер патента: US09773651B2. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Cu-ga alloy sputtering target, and method for producing same

Номер патента: US20160208376A1. Автор: Satoru Mori,Yuuki Yoshida,Kouichi Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Sputtering target and production method of the same

Номер патента: US20160079044A1. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Sputtering target and production method of the same

Номер патента: US09934949B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Backing plate-integrated metal sputtering target and method of producing same

Номер патента: US09711336B2. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Sputtering target and manufacturing method therefor

Номер патента: US09704695B2. Автор: Kenichi Nagata,Atsushi Fukushima,Nobuhito Makino,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom

Номер патента: US09783882B2. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High-Purity Copper Sputtering Target

Номер патента: US20140367253A1. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Sputtering target and/or coil, and process for producing same

Номер патента: US09951412B2. Автор: Kenichi Nagata,Nobuhito Makino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Niobium sputtering target

Номер патента: US12020916B2. Автор: Yuki Yamada,Kotaro Nagatsu. Владелец: Jx Metals Corpo Tion. Дата публикации: 2024-06-25.

High purity sulfur-doped copper sputtering target assembly and method for producing same

Номер патента: US20230260769A1. Автор: Eduardo Del-Rio Perez,Harrison Collin Whitt. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Planar or tubular sputtering target and method for the production thereof

Номер патента: US8974707B2. Автор: Markus Schultheis,Martin Schlott,Uwe Konietzka,Sabine Schneider-Betz,Lars Ebel,Ben Kahle. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-03-10.

Sputtering target and method for manufacturing sputtering target

Номер патента: EP4404238A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Lithium containing composite metallic sputtering targets

Номер патента: US09765426B1. Автор: Lizhong Sun,Chong JIANG,Jan Isidorsson,Byung-Sung Leo Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09607812B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Design for sputter targets to reduce defects in refractory metal films

Номер патента: US5271817A. Автор: Hunter B. Brugge,Kin-Sang Lam. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-12-21.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: EP4386108A1. Автор: Yusuke Sato,Shuhei Murata,Masaya Iwabuchi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for machining sputtering target, apparatus for machining sputtering target, sputtering target, and method for producing sputtering target product

Номер патента: US11766726B2. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240263296A1. Автор: CHAO Chen,Tsutomu Kuniya,Christian Linke,Jiandong LU,Hennrik Schmidt. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for machining sputtering target, apparatus for machining sputtering target, sputtering target, and method for producing sputtering target product

Номер патента: US20190351491A1. Автор: Koji Nishioka,Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Tungsten sintered compact sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09812301B2. Автор: Takeo Okabe,Kazumasa Ohashi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Silicon sputtering target with special surface treatment and good particle performance and methods of making the same

Номер патента: US09566618B2. Автор: Yang Liu,Eugene Y. Ivanov,Weifang Miao,Yongwen Yuan,Phil Frausto. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Diffusion-bonded sputter target assembly and method of manufacturing

Номер патента: US09546418B2. Автор: David B. Smathers,Eugene Y. Ivanov,Weifang Miao,Robert S. Bailey,Jeff Hart,Erich Theado. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Sputtering sources for high-pressure sputtering with large targets and sputtering method

Номер патента: US09481928B2. Автор: Mikhail Faley,Ulrich Poppe. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic material sputtering target and method for producing same

Номер патента: US20160237552A1. Автор: Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Sputtering target and method of manufacturing the same, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20220162742A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Titanium Sputtering Target, Production Method Therefor, And Method For Producing Titanium-Containing Thin Film

Номер патента: US20200240005A1. Автор: Shuhei Murata,Daiki Shono. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Mn—Zn—O sputtering target and production method therefor

Номер патента: US10811237B2. Автор: Junichi Sugawara,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for processing sputtering target and method for manufacturing sputtering target product

Номер патента: US20190099814A1. Автор: Masahiro Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Sputtering method using sputtering device

Номер патента: US09982337B2. Автор: Jai Chun Lee. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Tantalum sputtering target and production method therefor

Номер патента: US09859104B2. Автор: Shinichiro Senda,Kotaro Nagatsu. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same

Номер патента: US09761422B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

PVD apparatus and method with deposition chamber having multiple targets and magnets

Номер патента: US09708706B2. Автор: Chung-En Kao,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo,Chen-Chia Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Extended life sputter targets

Номер патента: EP1087033A8. Автор: David Strauss,Jean Pierre Blanchet. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Thin film forming apparatus and method

Номер патента: US20240112897A1. Автор: Sun Il Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Mn—Zn—W—O sputtering target and production method therefor

Номер патента: US10886112B2. Автор: Junichi Sugawara,Fusashige Tokutake,Yuichi Kamori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Sputtering target-backing plate assembly

Номер патента: US20200258724A1. Автор: Yosuke Endo,Hiroshi Takamura,Ryosuke Sakashita,Naoki Ise. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4012746A9. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-08-10.

Cozrta(x) sputtering target with improved magnetic properties

Номер патента: EP4012746A1. Автор: Martin Schlott,Uwe Konietzka. Владелец: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH. Дата публикации: 2022-06-15.

Al-sc alloys and sputtering targets and processes for consolidating

Номер патента: WO2024220750A1. Автор: Qi Zeng,Jens Wagner,Katharine S. Gardinier,David Peter VANHEERDEN. Владелец: MATERION CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-block sputtering target and associated methods and articles

Номер патента: US09922808B2. Автор: Mark E. Gaydos,Gary Alan Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Sputter target and sputtering methods

Номер патента: US09831072B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Ronald M. Parker. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Multi-block sputtering target and associated methods and articles

Номер патента: US09334562B2. Автор: Mark E. Gaydos,Gary Alan Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin film deposition

Номер патента: US4424103A. Автор: Barrett E. Cole. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1984-01-03.

Low carbon defect copper-manganese sputtering target and method for producing the same

Номер патента: US20230287559A1. Автор: Eduardo del Rio Perez,Erich Walter Theado,Lora Birkefeld Thrun. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Modified lithium cobalt oxide sputtering targets

Номер патента: WO2015130738A1. Автор: Chi-Fung Lo,Paul Gilman,Darryl P. DRAPER. Владелец: PRAXAIR S.T. TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Sputtering targets and associated sputtering methods for forming hermetic barrier layers

Номер патента: WO2013138434A1. Автор: Bruce G Aitken,Mark A Quesada,Shari E Koval. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-19.

Enhanced sputter target alloy compositions

Номер патента: EP1607940A3. Автор: Abdelouahab Ziani,Bernd Kunkel,Michael Bartholomeusz,Yuanda R. Cheng. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2006-02-15.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: WO2003008656B1. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B Hidden. Владелец: Frederick B Hidden. Дата публикации: 2004-04-08.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: EP4363384A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Sputtering target and method for production thereof

Номер патента: US09922807B2. Автор: Yousuke Endo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Sputtering Target Material

Номер патента: US20200362451A1. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: US20240133023A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Rotatable sputter target base, rotatable sputter target, coating installation, method of producing a rotatable sputter target, target base connection means, and method of connecting a rotatable target base device for sputtering installations to a target base support

Номер патента: SG195563A1. Автор: Oliver Heimel,Lothar Lippert. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-12-30.

Cylindrical sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20160056025A1. Автор: Shinji Kato,Shoubin Zhang,Shozo Komiyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Indium sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US09758860B2. Автор: Yousuke Endo,Masaru Sakamoto. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal-substituted titanium oxide, and method for producing metal-substituted titanium oxide sintered body

Номер патента: US20190161359A1. Автор: Shin-ichi Ohkoshi,Tomomichi NASU,Yuta Maeno. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-05-30.

Oxide sintered body, manufacturing method therefor, manufacturing method for transparent conductive film using the same, and resultant transparent conductive film

Номер патента: EP1835511A3. Автор: Yoshiyuki c/o Ichikawa Res. Laboratories Abe,Tokuyuki c/o Ichikawa Res. Laboratories Nakayama,Go c/o Electronics Division Ohara,Riichiro c/o Electronics Division Wake. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2010-12-01.

Lithium-ion-conductive oxide sintered body and use thereof

Номер патента: US20230017483A1. Автор: Kunchan Lee,Ryosuke SEI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-01-19.

Lithium-lanthanum-titanium oxide sintered material, solid electrolyte containing the oxide, lithium air battery and all-solid lithium battery including the solid electrolyte, and method for producing the lithium-lanthanum-titanium oxide sintered material

Номер патента: US09698430B2. Автор: Mikio Nakashima,Mamoru Nakashima,Yoshiyuki Inaguma. Владелец: Gakushuin School Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

FePt-C-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20190292650A1. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2019-09-26.

Fept-based sputtering target and process for producing the same

Номер патента: MY173713A. Автор: Goto Yasuyuki,MIYASHITA Takanobu,NISHIURA Masahiro,Yamamoto Takamichi,Kushibiki Ryousuke,Aono Masahiro. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2020-02-18.

Mg-CONTAINING ZINC OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20170137325A1. Автор: Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Sota OKOCHI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Metal oxide sintered compact for thermistor, thermistor element, thermisor temperature sensor, and manufacturing method for metal oxide sintered compact for thermistor

Номер патента: US20100134238A1. Автор: Toshiaki Fujita,Kazutaka Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Lithium-lanthanum-titanium oxide sintered material, solid electrolyte containing the oxide, and lithium air battery and all-solid lithium battery including the solid electrolyte

Номер патента: US09711822B2. Автор: Mikio Nakashima,Mamoru Nakashima,Yoshiyuki Inaguma. Владелец: Gakushuin School Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Hexagonal Z type magnetic oxide sintered material, method for making and impedance device

Номер патента: US5954992A. Автор: Yutaka Saito,Masahiro Onizuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Solid-state thin-film hybrid electrochemical current source

Номер патента: RU2709487C1. Автор: Владимир Александрович Чугунов,Владимир Игоревич МЕЩЕРЯКОВ,Антон Михайлович МАНАХОВ,Николай Анатольевич Погорелов,Арну РУССАУ,Елена Викторовна КОЛЕСНИКОВА. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Финика". Дата публикации: 2019-12-18.

Method for the manufacturing of sputtering targets using an inorganic polymer

Номер патента: EP2297374A1. Автор: Brigitte Pecquenard,Alain Levasseur. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2011-03-23.

Manufacturing method of sintered body for electrolyte and electrolyte for fuel cell using the same

Номер патента: US09966624B2. Автор: Jong Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Byung Kook Kim,Hae-Weon Lee,Ji-Won Son,Kyung Joong YOON,Mansoo Park,Hyoungchul Kim,Jongsup Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic thin film

Номер патента: US20100239890A1. Автор: Koichi Hasegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Sputtering target material and thin film manufactured using the material

Номер патента: MY156642A. Автор: Sawada Toshiyuki,Kishida Atsushi. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film

Номер патента: US20190040517A1. Автор: Takashi Kosho. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for manufacturing anticorrosive thin film resistor and structure thereof

Номер патента: US09508474B2. Автор: Shih-Long Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Preparation method for perovskite thin film, and perovskite thin film and solar cell related thereto

Номер патента: EP4319538A1. Автор: Guodong Chen,Yandong Wang,Yongsheng Guo,Zhaohui Liu,Chuying OUYANG,Shuojian Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Fept-c-based sputtering target

Номер патента: MY192178A. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2022-08-04.

Fe-co alloy sputtering target material and method for producing same, and soft magnetic thin film layer and perpendicular magnetic recording medium using same

Номер патента: MY167435A. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Co—Cr—Pt-based sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09732414B2. Автор: Atsushi Sato,Yuki Ikeda,Yuichiro Nakamura,Hideo Takami,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film

Номер патента: MY149640A. Автор: Nakamura Yuichiro,Ikeda Yuki,Ogino Shin-ichi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-09-13.

Barium copper sulfur fluoride transparent conductive thin films and bulk material

Номер патента: US20100072465A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Ishwar D. Aggarwal,Woohong Kim,Vinh Q. Nguyen,Jesse A. Frantz. Владелец: US Government. Дата публикации: 2010-03-25.

New transparent conductive oxide thin film and use thereof

Номер патента: US20240003051A1. Автор: Yang Song,Ruyi Zhang,Yanwei CAO,Shaoqin PENG,Jiachang BI. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Oxide-based thin film sintered body, oxide-based solid electrolyte sheet, and all-solid lithium secondary battery

Номер патента: EP4350830A1. Автор: Ji Young Park,Min Kyu Kim,Kyeong Joon Kim,Eun Jeong YI. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Transparent conductive oxide thin film and use thereof

Номер патента: US11982017B2. Автор: Yang Song,Ruyi Zhang,Yanwei CAO,Shaoqin PENG,Jiachang BI. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-05-14.

Oxide-based thin film sintered body, oxide-based solid electrolyte sheet, and all-solid lithium secondary battery

Номер патента: US20240120530A1. Автор: Ji Young Park,Min Kyu Kim,Kyeong Joon Kim,Eun Jeong YI. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic material sputtering target and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793099B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film

Номер патента: US11837450B2. Автор: Takashi Kosho. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Fept-c-based sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: US20160013033A1. Автор: Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Takamichi Yamamoto,Ryousuke Kushibiki. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-01-14.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Low-stress nbn superconducting thin film and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240334841A1. Автор: Yi Feng,Chao Zhang,Di Li,Ran Duan,Lihui Yang,Zhifeng Zhao,Xiaohang Zhang,Shiling Yu. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2024-10-03.

SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2 SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD FOR SINTERED BODY COMPRISING LiCoO2

Номер патента: EP2975156A4. Автор: Moriyoshi Kanamaru,Yuichi Taketomi. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

Oxide sintered body, production method therefor, target, and transparent conductive film

Номер патента: US09721770B2. Автор: Yoshiyuki Abe,Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide sintered body and transparent conductive oxide film

Номер патента: US20190071768A1. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Yuya TSUCHIDA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Sintered oxide material, method for manufacturing same, sputtering target, oxide transparent electrically conductive film, method for manufacturing same, and solar cell

Номер патента: US09399815B2. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Keitaro Matsumaru,Kentaro Utsumi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Sintered oxide material, method for manufacturing same, sputtering target, oxide transparent electrically conductive film, method for manufacturing same, and solar cell

Номер патента: MY162939A. Автор: Shibutami Tetsuo,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Keitaro Matsumaru,Kentaro Utsumi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2017-07-31.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Номер патента: US20160035984A1. Автор: Masaru Kinoshita,Yuki Hirai,Koji Takaku,Wataru Sotoyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Номер патента: US09714253B2. Автор: Masaru Kinoshita,Yuki Hirai,Koji Takaku,Wataru Sotoyama,Tetsu Kitamura,Yuuta SHIGENOI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Номер патента: US09711733B2. Автор: Masaru Kinoshita,Koji Takaku,Wataru Sotoyama,Yasunori Yonekuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Номер патента: US09586972B2. Автор: Koji Takaku,Wataru Sotoyama,Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Номер патента: US09447111B2. Автор: Koji Takaku,Wataru Sotoyama,Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor

Номер патента: US6331208B1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Shoji Nishida,Masaaki Iwane. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-12-18.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US9293327B2. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Solar Carbide Sarl. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition

Номер патента: US5168077A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Yasuo Ashizawa,Yoshihiro Kokubun,Takao Noda,Yasuo Ohba,Masahisa Funemizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: US6159300A. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Thin film semi-conductor-on-glass solar cell devices

Номер патента: US8071872B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2011-12-06.

Thin-film solar cell

Номер патента: US5344500A. Автор: Hiroaki Morikawa,Hajime Sasaki,Mikio Deguchi,Kazuhiko Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Method of producing a thin-film solar cell

Номер патента: US5273911A. Автор: Hiroaki Morikawa,Hajime Sasaki,Mikio Deguchi,Kazuhiko Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-12-28.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD OF MANUFACTURING AN InGaNAs COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THE THIN FILM MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: WO2003041137A1. Автор: Sang-Kyu Kang. Владелец: Vichel Inc.. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor thin films of fullerene [60] and use thereof

Номер патента: RU2583375C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Александр Валерьевич Мумятов,Диана Каримовна Сусарова,Владимир Федорович Разумов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-05-10.

Methods for fabricating thin film solar cells

Номер патента: US20100059385A1. Автор: Delin Li. Владелец: Delin Li. Дата публикации: 2010-03-11.

Functional thin film and method of its manufacture

Номер патента: RU2670303C2. Автор: Кё Сок ХАН,Мён Мо СУН. Владелец: Июкф-Хю (Индастри-Юниверсити-Кооперейшн Фаундейшн Ханян Юниверсити). Дата публикации: 2018-10-22.

Multilayer thin-film structure, water splitting system using the same, and method of fabricating multlayer thin-film structure

Номер патента: US20170213653A1. Автор: Takashi Yamazaki,Yoshihiko Imanaka,Hiroyuki Aso,John David Baniecki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US20170275178A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Thin film solar cell manufacturing apparatus

Номер патента: US20120067278A1. Автор: Ryohei Sakai. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US10221078B2. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Sputtering target for magnetic recording film

Номер патента: US09540724B2. Автор: Shini-ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Sputtering Target for Magnetic Recording Film

Номер патента: US20140346039A1. Автор: Shini-ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Magnetron sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20140306144A1. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-16.

Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502224B2. Автор: Yasuyuki Goto,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-11-22.

Sputtering target for magnetic recording medium

Номер патента: US20210242000A1. Автор: Shin Saito,Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-08-05.

Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device

Номер патента: US20140367683A1. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Michiko Takei,Yoshimasa Chikama,Go Mori,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device

Номер патента: US9076718B2. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Michiko Takei,Yoshimasa Chikama,Go Mori,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US20240298490A1. Автор: Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating crystalline indium-gallium-zinc oxide semiconductor layer and thin film transistor

Номер патента: US20170084458A1. Автор: Jia-Hong Ye. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-23.

Crystal indium gallium zinc oxide semiconductor layer, and thin film transistor manufacturing method

Номер патента: CN105513947A. Автор: 叶家宏. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-04-20.

Amorphous oxide semiconductor and the thin-film transistor using it

Номер патента: CN103077961B. Автор: 云见日出也,林享,大村秀之,重里有三. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Amorphous oxide semiconductor layer and thin film transistor having the same

Номер патента: KR101466013B1. Автор: 김용성,남호현. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2014-11-27.

Metal-oxide sintered body for temperature sensor, and method for manufacturing same

Номер патента: US09524814B2. Автор: Jin Seong Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chosun National University. Дата публикации: 2016-12-20.

Lithium composite oxide sintered body plate

Номер патента: EP3951934A1. Автор: Kengo Oishi,Eiji Nakashima,Naoto Ohira,Yukinobu Yura,Nobuhiro MORISAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Lithium composite oxide sintered body plate

Номер патента: US20220029148A1. Автор: Shigeki Okada,Yukinobu Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Lithium composite oxide sintered body plate

Номер патента: US20190355970A1. Автор: Shigeki Okada,Yukinobu Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Lithium composite oxide sintered body plate and lithium secondary battery

Номер патента: US20190363359A1. Автор: Shigeki Okada,Yukinobu Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Lithium complex oxide sintered body plate

Номер патента: US20190363356A1. Автор: Nobuyuki Kobayashi,Yukinobu Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Electrically conductive oxide sintered compact, member for electrical conduction, gas sensor, piezoelectric element, and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US10629322B2. Автор: Yasuyuki Okimura,Kazushige Ohbayashi,Hisashi Kozuka. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Fe-Pt-based sputtering target with dispersed C grains

Номер патента: US09945026B2. Автор: Atsushi Sato,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Molybdenum-niobium alloys, sputtering targets containing such alloys, methods of making such targets, thin films prepared therefrom and uses thereof

Номер патента: EP2277191A1. Автор: Prabhat Kumar,Rong-Chein Richard Wu,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun,Mark Gaydos,Gary Rozak. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US09917205B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-03-13.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09520422B2. Автор: Yun Sik Im,Hyun Sic CHOI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and device for manufacturing semiconductor using said method for managing quality

Номер патента: US20190122941A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09501991B1. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US09449990B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Jin Hyun Park,Hiroaki Tao,Shinya Morita,Gun Hee Kim,Yeon Hong KIM,Aya Miki,Byung Du Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09859391B2. Автор: Jun Tanaka. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Oxide thin film transistor including photocatalyst layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230253505A1. Автор: Hyun Jae Kim,Sujin JUNG,Dong Hyun Choi,Jong Bin An,Kunho Moon,Jong Hyuk Ahn,I Sak Lee. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-10.

GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09858880B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09299791B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method

Номер патента: WO2013022643A1. Автор: Yaoling Pan,Cheonhong Kim,Tallis Young CHANG. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-02-14.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US09647137B2. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US20160282284A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for improving threshold voltage of oxide semiconductor thin-film transistor

Номер патента: EP3644347A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US20170077307A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-03-16.

Evaluation method for oxide semiconductor thin film, quality control method for oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in the evaluation method

Номер патента: US20150371906A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Manufacturing method of oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150236137A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Gate-drive-on-array circuit for use with oxide semiconductor thin-film transistors

Номер патента: US09461627B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070187760A1. Автор: Hiroshi Furuta,Hiromitsu Ishii,Takashi Hirao,Motohiko Yoshida,Mamoru Furuta,Takahiro Hiramatsu,Hitoshi Hokari,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Kochi Ind Promotion Center. Дата публикации: 2007-08-16.

Polycrystal thin film forming method and forming system

Номер патента: US20010041391A1. Автор: Kuninori Kitahara,Akito Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US11682680B2. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-06-20.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US20220208807A1. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and stretchable electrode, organic thin film transister, electronic device comprising the same

Номер патента: US20240276742A1. Автор: Minwoo Jeong,Jin Young Oh,Min Hyouk Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-08-15.

Transistor device structure that includes polycrystalline semiconductor thin film that has large grain size

Номер патента: US09455350B2. Автор: Chih-Chao Yang,Tung-Ying Hsieh,Jia-Min Shieh,Chang-Hong Shen,Wen-Hsien Huang. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178233A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin film transistor

Номер патента: US20150162450A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Thin film transistor

Номер патента: US20140284601A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Structure of dual gate oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09799677B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US09362313B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Shinya Morita,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method

Номер патента: US20080084901A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki,Hiroshi Tsunasawa,Ikumi Kashiwagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Thin-film transistor, active matrix substrate, method of manufacturing thin-film transistor, and method of manufacturing active matrix substrate

Номер патента: US09673232B2. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Nobuaki Ishiga,Naoki Tsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Thin film transistor

Номер патента: US09640556B2. Автор: Hiroshi Goto,Mototaka Ochi,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09553201B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Je Hun Lee,Gun Hee Kim,Yeon Hong KIM,Yeon Gon Mo,Aya Miki,Byung Du Ahn,Kwang Suk Kim,Kyoung Won Lee,Ji Hun LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Display Device and Thin Film Transistor Array Substrate and Thin Film Transistor thereof

Номер патента: US20110095285A1. Автор: Fang-An Shu,Henry Wang,Tung-Liang Lin,Wei-Chou Lan,Lee-Tyng Chen. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion

Номер патента: US09455349B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US20190371824A1. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US20190051673A1. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US20150380566A1. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US20210225889A1. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US20150048364A1. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US20230268348A1. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149046A1. Автор: Takashi Okada,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi,Arichika Ishiba. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Display device including thin film transistors performing different functionality having different materials

Номер патента: US12048199B2. Автор: Takuya Matsuo,Hiroshi Matsukizono,Masatomo Honjo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device having oxide semiconductor

Номер патента: US09887276B2. Автор: Kenichi Okazaki,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device comprising a plurality of N-channel transistors wherein the oxide semiconductor layer comprises a portion being in an oxygen-excess state

Номер патента: US09837442B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US09812578B2. Автор: Norihiro Uemura,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780227B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09721973B2. Автор: Sungjin Lee,Hoyoung Jung,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09660103B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi,Shinya Morita,Yasuyuki Takanashi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device wherein an oxide semiconductor layer has a degree of crystallization of 80% or more

Номер патента: US09583509B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistor

Номер патента: US09508856B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Gun Hee Kim,Takeaki Maeda,Aya Miki,Byung Du Ahn,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method

Номер патента: WO2013075028A1. Автор: John Hyunchul Hong,Cheonhong Kim,Tallis Young CHANG. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Thin film transistor

Номер патента: US20130175520A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Henry Wang,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Crystallization process of oxide semiconductor, and method of manufacturing thin film transistor, a thin film transistor, a display panel, and an electronic device

Номер патента: US12062668B2. Автор: Soon Ho Choi,Hyo Min Kim,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US09911859B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor, method for manufacturing thin film transistor, and organic EL display device

Номер патента: US09871097B2. Автор: Mitsutaka Matsumoto. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US09761650B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Flat panel display device with oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09570483B2. Автор: Ki Tae Kim,Chang Hoon Han,Ki Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating thin-film transistor substrate

Номер патента: US09484442B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US09478666B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Light-emitting device using oxide semiconductor thin-film transistor and image display apparatus using the same

Номер патента: EP1999791A2. Автор: Tatsuya Iwasaki,Ryo Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-12-10.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200287049A1. Автор: Jin Jang,Suhui LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2020-09-10.

Thin film transistor and display unit

Номер патента: US20120043548A1. Автор: Toshiaki Arai,Hiroshi Sagawa,Kazuhiko Tokunaga,Narihiro Morosawa,Kiwamu Miura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: US20040127064A1. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,Yoshiko Ihara,Hideyo Ihara,Hidetaka Ihara,Gen-Ei Ihara,Chiaki Ihara,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-07-01.

Thin film transistor and display unit

Номер патента: US8497504B2. Автор: Toshiaki Arai,Hiroshi Sagawa,Kazuhiko Tokunaga,Narihiro Morosawa,Kiwamu Miura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20160163542A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Bottom gate type thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: EP2092569A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20150279869A1. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Thin-film transistor and display device including the same

Номер патента: US20240282863A1. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Thin film transistor and thin film transistor array panel including the same

Номер патента: US12087865B2. Автор: Chong Sup Chang,Dong Jo Kim,Sang Ho Park,Jae Neung Kim,Yoon Ho KHANG,Dae Ho Kim,Sang Gab Kim,Yu-gwang Jeong,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Se Hwan Yu,Hyun Jae NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160308063A1. Автор: Chong Sup Chang,Dong Jo Kim,Sang Ho Park,Jae Neung Kim,Yoon Ho KHANG,Dae Ho Kim,Sang Gab Kim,Yu-gwang Jeong,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Se Hwan Yu,Hyun Jae NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US09905699B2. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09893205B2. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor and thin film transistor array panel including the same

Номер патента: US09768309B2. Автор: Chong Sup Chang,Dong Jo Kim,Sang Ho Park,Jae Neung Kim,Yoon Ho KHANG,Dae Ho Kim,Sang Gab Kim,Yu-gwang Jeong,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Se Hwan Yu,Hyun Jae NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09698273B2. Автор: Tomoatsu Kinoshita. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of producing thin film transistor, thin film transistor, display device, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US09673048B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono,Toshiya IDEUE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09537012B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Display device using an oxide semiconductor

Номер патента: US09530896B2. Автор: Norihiro Uemura,Yohei Yamaguchi,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09496374B2. Автор: Yuting Chen,Zhe HU,Chenglung Chiang,Polin CHEN,Tzuchieh Lai,Runze Zhan,Chengyuan Dong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US09437742B2. Автор: Xu Chen,Jun Long,Xiaohui Zhu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09437622B2. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin-film semiconductor device having a thin-film transistor for circuits that differs from a thin-film transistor for pixels

Номер патента: US6563136B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Thin-film semiconductor device, lateral bipolar thin-film transistor, hybrid thin-film transistor, MOS thin-film transistor, and method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US8415746B2. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Oxide semiconductor thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374739A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Gate-drive-on-array circuit for use with oxide semiconductor thin-film transistors

Номер патента: US20160248402A1. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150263142A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337322B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin-film transitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346497A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20230387137A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Junghwan Kim. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210525A1. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations

Номер патента: US09941310B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09711625B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing oxide thin film transistor (TFT) array substrate

Номер патента: US09484360B2. Автор: XIANG Liu,Wei Qin,Heecheol KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor

Номер патента: US09443888B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin-film semiconductor device, organic EL display device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431468B2. Автор: Masanori Miura,Takahiro Kawashima. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display substrate having the same

Номер патента: US09412771B2. Автор: Masataka Kano,Sangho Park,Myounghwa KIM,Jun Hyung LIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film semiconductor device having a buffer layer

Номер патента: US20020030188A1. Автор: Hisao Hayashi,Keiji Kato,Yasushi Shimogaichi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Thin film transistor substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display

Номер патента: US20160133649A1. Автор: Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130248866A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9105733B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Thin film transistor substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US9905627B2. Автор: Jin Jang,Sunhee Lee,Taewoong Kim,Younggug Seol,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: US11600677B2. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Three-dimensional nor memory string arrays of thin-film ferroelectric transistors

Номер патента: EP4396816A1. Автор: Christopher J. Petti,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing a thin film transistor substrate

Номер патента: US09941409B2. Автор: Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Thin film transistor substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US09905627B2. Автор: Jin Jang,Sunhee Lee,Taewoong Kim,Younggug Seol,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2018-02-27.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin-film transistor and display device having the same

Номер патента: US09659967B2. Автор: Jae Sik KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film transistor substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display

Номер патента: US09553109B2. Автор: Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin-film transistor and process for manufacture of the thin-film transistor

Номер патента: US09425321B2. Автор: Marcus Herrmann,Norbert Fruehauf. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-08-23.

Thin film transistors with oxide semiconductor having low resistance patterns with oxygen deficiencies

Номер патента: US09406700B2. Автор: Hiroshi Okumura,Je-Hun Lee,Jin-Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Thin film transistor with integrated connecting portion

Номер патента: US09356052B2. Автор: Yukinobu Nakata,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of fabricating a thin-film transistor and liquid-crystal display apparatus

Номер патента: US5576229A. Автор: Yasuaki Murata,Atsushi Yoshinouci. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-11-19.

Crystalline semiconductor and oxide semiconductor thin-film transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10615234B2. Автор: Junhyung LIM,Jihun Lim,Eoksu KIM,Kyoungseok SON,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Etch stop for oxide semiconductor devices

Номер патента: US20240222514A1. Автор: Vladimir Nikitin,Christopher CONNOR,Vishak Venkatraman,Yasin Kaya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing thin film transistor array substrate and display panel

Номер патента: US20240162253A1. Автор: Wei Wu,SHAN Li,Jun Zhao,Bin Zhao,Juncheng Xiao. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method for thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20180350843A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Control circuit of thin film transistor

Номер патента: US09935127B2. Автор: Yong Tian,Mang Zhao,Gui Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin film transistor and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09911863B2. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin film transistor substrate

Номер патента: US09871144B2. Автор: Bong-Kyun Kim,Shin-Il Choi,Seung-Ho Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09859437B2. Автор: Yoshihiro Oshima,Narihiro Morosawa. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09570624B2. Автор: Woong-Hee JEONG,Byung-Du Ahn,Chaun-Gi Choi,Hyeon-Sik Kim,Sun-Kwang Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin film transistor substrate

Номер патента: US09502579B2. Автор: Bong-Kyun Kim,Shin-Il Choi,Seung-Ho Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film semiconductor device having a gate electrode insulator formed through high-heat oxidization

Номер патента: US20030071312A1. Автор: Yasuhisa Oana,Masakiyo Matsumura. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method

Номер патента: US7381632B2. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki,Hiroshi Tsunasawa,Ikumi Kashiwagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-06-03.

Oxide semiconductor thin-film transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230317732A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Thin Film Transistor, Method For Manufacturing The Same And Display Using The Same

Номер патента: US20100276692A1. Автор: Manabu Ito,Mamoru Ishizaki,Masato Kon,Ryohei Matsubara,Osamu Kina. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Thin film transistor substrate and display panel using the same

Номер патента: US20160284863A1. Автор: Tzu-Min Yan,Kuan-Feng Lee,Kuo-Chang Chiang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311230A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520419B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Oxide thin-film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210359133A1. Автор: Ming-Jiue Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Oxide thin film transistor and method for driving the same, display device

Номер патента: US12107089B2. Автор: Huibin Guo,Xibin Shao,Yanping Liao. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09881986B2. Автор: Yongil Kim,Seongpil CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831350B2. Автор: Je-Hun Lee,Yeon-Keon MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711606B1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor, organic light emitting diode display, and method for manufacturing organic light emitting diode display

Номер патента: US09704934B2. Автор: Kyung Hoon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09589993B2. Автор: Katsumi Abe,Young-Wook Lee,Hyeon Jun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09455279B2. Автор: Yongil Kim,Seongpil CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film transistor panel having an etch stopper on semiconductor

Номер патента: US09443877B2. Автор: Kap-Soo Yoon,Ki-Won Kim,Do-Hyun Kim,Seung-Ha Choi,Kyoung-Jae Chung,Young-Wook Lee,Je-Hun Lee,Young-Joo Choi,Woo-Geun Lee,Jae-Hyoung Youn,Pil-Sang Yun,Dong-ju Yang,Hye-Young Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing of substrate with structure of thin-film transistors

Номер патента: RU2491678C1. Автор: Тохру ОКАБЕ,Хирохико НИСИКИ,Йосимаса ТИКАМА,Такеси ХАРА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Liquid crystal display device having a low reflecting layer made of the same material as the source electrode and the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09715145B2. Автор: Hiroshi Matsukizono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure

Номер патента: US09461179B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US09431427B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hotaka Maruyama,Daisuke Kawae,Yoshiaki Oikawa,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Low-temperature polycrystalline silicon semiconductor thin-film transistor-based GOA circuit

Номер патента: GB2548019A. Автор: XIAO Juncheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including the same

Номер патента: US20240072064A1. Автор: Jae Yoon Park,Jin Won Jung,Sung Ju Choi,Jung Seok Seo,Seo Yeon Im. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11984509B2. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11621356B2. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207702A1. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210384357A1. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240222516A1. Автор: Wonsang Ryu,Youngjin Yi,Sungsoo SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20150028331A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2015-01-29.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US20130270566A1. Автор: Toshiaki Arai,Yasuhiro Terai,Eri Fukumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer as ohmic contact layer

Номер патента: US20140048800A1. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer as ohmic contact layer

Номер патента: US8921863B2. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US20240313127A1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837446B2. Автор: Do-Hyun Kim,Chong Sup Chang,Dong Jo Kim,Dong-Hoon Lee,Sang Ho Park,Cheol Kyu Kim,Yoon Ho KHANG,Sung Haeng Cho,Jung Kyu Lee,Yong-Su Lee,Se Hwan Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793377B2. Автор: Je Hun Lee,Yun Jong YEO,Jun Ho Song,Hwa Dong Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09589998B2. Автор: Do-Hyun Kim,Chong Sup Chang,Dong Jo Kim,Dong-Hoon Lee,Sang Ho Park,Cheol Kyu Kim,Yoon Ho KHANG,Sung Haeng Cho,Jung Kyu Lee,Yong-Su Lee,Se Hwan Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor, display device, and electronic unit

Номер патента: US20110248270A1. Автор: Narihiro Morosawa,Yasuhiro Terai,Eri Fukumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Display Device Including an Oxide Semiconductor Pattern

Номер патента: US20240090278A1. Автор: Jae Yoon Park,Jin Won Jung,Sung Ju Choi,Jung Seok Seo,Seo Yeon Im. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including two thin-film transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US11908924B2. Автор: Junhyung LIM,Taesang Kim,Seryeong KIM,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11901461B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin film transistor, thin film transistor substrate, liquid crystal display device, and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20180138206A1. Автор: Kazunori Inoue,Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including the same

Номер патента: US20240038902A1. Автор: Jae Yoon Park,Jin Won Jung,Chan Yong Jeong,Sung Ju Choi,Jung Seok Seo,Seo Yeon Im,Young Hyun KO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Thin-film transistor

Номер патента: US9947795B2. Автор: Akihiro Hanada,Tomoyuki Ariyoshi,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and display device comprising the same

Номер патента: US10192891B2. Автор: Eiichi Sato,Masanori Miura,Atsuhito Murai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Thin film transistor substrate

Номер патента: US20180233594A1. Автор: Toshiaki Fujino,Takashi Imazawa,Tsukasa Motoya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11195956B2. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Thin film transistor and display device comprising the same

Номер патента: US20190081083A1. Автор: Eiichi Sato,Masanori Miura,Atsuhito Murai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176603A1. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including the same

Номер патента: GB2622682A. Автор: Ju Choi Sung,Hyun Ko Young,Yong Jeong Chan,Seok Seo Jung,Yoon Park Jae,Yeon Im Seo,Won JUNG Jin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Methods for fabricating a thin film transistor and an array substrate

Номер патента: EP2757589A3. Автор: ZHEN Wang,Shuibin NI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047584A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Sung Kyu Park,Seong Pil JEON,Bo Yeon PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin Film Transistor Comprising Oxide Semiconductor Layer and Silicon Semiconductor Layer and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20210202754A1. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Organic semiconductor thin film, transistor, method for producing organic semiconductor thin film, method for producing transistor, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240090243A1. Автор: Hao Wu,Jun-Ichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: US8163592B2. Автор: Toshitaka Kawashima,Shina Kirita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US12022704B2. Автор: Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180083040A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143187A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US10355025B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355752A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: EP2150982A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Thin film transistor

Номер патента: US12066731B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09991319B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer

Номер патента: US09966474B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin-film transistor array substrate having oxide semiconductor with channel region between conductive regions

Номер патента: US09893092B2. Автор: Sunghwan Kim,Junhyun Park,Chongchul Chai,Kyoungju Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09552998B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistor array panel

Номер патента: US09455333B2. Автор: Je Hun Lee,Yun Jong YEO,Jun Ho Song,Hwa Dong Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film transistor

Номер патента: US09443986B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Chih-Hsuan Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US20240128270A1. Автор: Ui-Jin Chung,Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US20160149047A1. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20100081231A1. Автор: Shintaro Hirata,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US11894384B2. Автор: Ui-Jin Chung,Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US11824062B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Thin film transistor, method for manufacturing same, active matrix substrate, display panel and display device

Номер патента: US20120138923A1. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Kazuo Nakagawa,Michiko Takei,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Miyajima,Yoshimasa Chikawa,Yuuji Mizuno,Hinae Mizuno,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of evaluating thin-film transistor, method of manufacturing thin-film transistor, and thin-film transistor

Номер патента: US20160197198A1. Автор: Toru Saito,Eiji Takeda. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin film transistor and display device including the same

Номер патента: EP4287257A1. Автор: Dongchae Shin,Mijin JEONG,Sangsoon NOH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240162234A1. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Thin film transistor fabricating method

Номер патента: US20130078760A1. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Thin Film Transistor and Display Device Including the Same

Номер патента: US20230389380A1. Автор: Dongchae Shin,Mijin JEONG,Sangsoon NOH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin film transistor array substate and display device including the same

Номер патента: US20240147763A1. Автор: Jeong Yeop Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Display Device Including Oxide Semiconductor

Номер патента: US20240178209A1. Автор: Ki Tae Kim,Sun Wook KO,Deuk Ho YEON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US20220367526A1. Автор: Ui-Jin Chung,Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Thin Film Transistor, Manufacturing Method Thereof and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240204108A1. Автор: Hyunki Kim,JeeHo PARK,Sunggu KIM,KwangHeum LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Display apparatus comprising thin film transistor

Номер патента: US12048194B2. Автор: Seungjin Kim,Sohyung Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170077144A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9825065B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09887295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film transistor, its manufacturing method and display device

Номер патента: US09653578B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing a semiconductor device using an oxide semiconductor

Номер патента: US8883554B2. Автор: Tadashi Serikawa,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Thin film transistor, thin film transistor panel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170278873A1. Автор: Shin Il Choi,Sung Hoon Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Thin film transistor, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20170133515A1. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Device using oxide semiconductor, display device, and electronic apparatus

Номер патента: US20120146036A1. Автор: Tetsuo Minami,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Method For Manufacturing Thin-Film Transistor Substrate And Thin-Film Transistor Substrate Manufactured With Same

Номер патента: US20150129863A1. Автор: Chihyuan Tseng,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Thin Film Transistor Array, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Thin Film Transistor Array

Номер патента: US20230073848A1. Автор: Soyoung Noh,Kyeongju Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Thin film transistors with a crystalline oxide semiconductor source/drain

Номер патента: US20190363193A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Thin film transistor array substate and display device including the same

Номер патента: US20240120343A1. Автор: Do Hyung Lee,Chan Yong Jeong,Sung Ju Choi,Young Hyun KO,Hong Rak CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Composite metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11984510B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9647134B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160172503A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20150084037A1. Автор: Xu Chen,Jun Long,Xiaohui Zhu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US20130187154A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama,Hironori Wakana. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-07-25.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11616086B2. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-03-28.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038896A1. Автор: Jin Jang,Jun Hyuk Cheon,Da Hoon Jung. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: US20120175611A1. Автор: Toshitaka Kawashima,Shina Kirita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: US8395151B2. Автор: Toshitaka Kawashima,Shina Kirita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Thin film transistor and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220399462A1. Автор: Jin Jang,Suhui LEE. Владелец: AdrcCo Kr. Дата публикации: 2022-12-15.

Thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US9391213B2. Автор: Norihiro Uemura,Takeshi Noda,Yohei Yamaguchi,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Oxide semiconductor material, thin-film transistor, and fabrication method thereof

Номер патента: WO2017124672A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-27.

Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same

Номер патента: US8450732B2. Автор: Chang-Jung Kim,Sang-Wook Kim,Sun-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-28.

Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same

Номер патента: US7935964B2. Автор: Chang-Jung Kim,Young-soo Park,Eun-ha Lee,Jae-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same

Номер патента: WO2008156312A3. Автор: Chang-Jung Kim,Sang-Wook Kim,Sun-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor substrate and organic light-emitting diode (OLED) display having the same

Номер патента: US9425251B2. Автор: Jaesik Kim,Chaungi Choi,Sunkwang Kim,Hyeonsik Kim,Donghan Kang,Woonghee Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Liquid crystal display device including transistor comprising oxide semiconductor

Номер патента: US11824124B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Thin film transistor, gate driver including the same, and display device including the same

Номер патента: US11764307B2. Автор: Seung-Jin Kim,Jee-ho PARK,Seo-Yeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device

Номер патента: US20230420572A1. Автор: Mincheol Kim,Seungjin Kim,Heesung LEE,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,JeeHo PARK,Seoyeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20160343834A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing oxide thin film transistor (tft) array substrate

Номер патента: US20150348996A1. Автор: XIANG Liu,Wei Qin,Heecheol KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device

Номер патента: US11791418B2. Автор: Mincheol Kim,Seungjin Kim,Heesung LEE,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,JeeHo PARK,Seoyeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US20150044817A1. Автор: Tae-Young Choi,Doo Hyoung LEE,Seung-Ho Jung,Bo Sung Kim,June Whan Choi,Yeon Taek JEONG,Chan Wood Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US10566437B2. Автор: Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20170062580A1. Автор: Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US20130320327A1. Автор: Tae-Young Choi,Doo Hyoung LEE,Chan Woo Yang,Seung-Ho Jung,Bo Sung Kim,June Whan Choi,Yeon Taek JEONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4345909A1. Автор: Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US20130285045A1. Автор: Yusuke Nonaka,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Organic light-emitting display device and thin-film transistor array substrate

Номер патента: GB2613932A. Автор: Dae Kim Jang,Su Kim Kyung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Thin film transistor and manufacturing method for the same

Номер патента: US20230223479A1. Автор: Jin Jang,Hae Su Hong. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-07-13.

Thin film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: US20210183975A1. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin film transistor, gate driver including the same, and display device including the same

Номер патента: US20230395727A1. Автор: Seung-Jin Kim,Jee-ho PARK,Seo-Yeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US20210202566A1. Автор: Ui-Jin Chung,Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film transistor substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display

Номер патента: US20170092775A1. Автор: Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140291665A1. Автор: Jin Hyun Park,Gun Hee Kim,Jun Hyung LIM,Byung Du Ahn,Kyoung Won Lee,Jee-Hun Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Thin Film Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240204076A1. Автор: Daehwan Kim,Min-Gu Kang,Seoyeon IM,Seungchan CHOI,Kyungchul OK,Jaeman JANG,Uyhyun Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20220208798A1. Автор: Seongmoh Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Thin film transistor substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US20160365404A1. Автор: Jin Jang,Sunhee Lee,Taewoong Kim,Younggug Seol,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-12-15.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US12010871B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US20140374751A1. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Display backplane having multiple types of thin-film-transistors

Номер патента: WO2016108476A1. Автор: Dong Yoon Kim,Hyoung Su Kim,Hoi Yong KWON. Владелец: LG DISPLAY CO.,LTD.. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US9362408B2. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US20140374750A1. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2009120552A2. Автор: YAN Ye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-10-01.

Thin film transistor and flat display device

Номер патента: US20120161134A1. Автор: Young-Bae Jung,Won-Mi Hwang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US20240315077A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor device, method for manufacturing same and display device

Номер патента: US09893088B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09614098B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Thin-film transistor element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US09508866B1. Автор: Yuji Kishida,Toshiaki Yoshitani. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09502235B2. Автор: Xuehui Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film transistor

Номер патента: US09484466B2. Автор: Noboru Takeuchi,Si Hyun AHN,Seung Soo Baek,Kwi Hyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466618B2. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Thin film transistor, manufacturing method, array substrate, display panel, and device

Номер патента: US20190386144A1. Автор: Jun Cheng,Bin Zhou,Guangcai Yuan,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Leilei CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Manufacturing method of semiconductor thin film transistor and display panel using the same

Номер патента: US20200006405A1. Автор: Shin-Chuan Chiang,Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Oxide thin film transistor and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US20240097042A1. Автор: Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341463A1. Автор: Soojung CHAE,Sunghoon Lim,Seokhwan BANG,WooGeun LEE,Kapsoo YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and display apparatus using the same

Номер патента: US20240222380A1. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor array panel with integrated gate driver including noise removal unit

Номер патента: US11075223B2. Автор: Katsumi Abe,Young-Wook Lee,Hyeon Jun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Display apparatus including a thin-film transistor including a silicon semiconductor and a thin-film transistor including an oxide semiconductor

Номер патента: US11903266B2. Автор: Dongwoo Kim,Jaeyong JANG,Cheolgon Lee,Jangmi KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204267A1. Автор: Je-Hun Lee,Yeon-Keon MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Thin film transistor, thin film transistor substrate and method of manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US20150028326A1. Автор: ANJO Kenji. Владелец: Ye Xin Technology Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120261660A1. Автор: Dae-Hwan Kim,Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Thin film transistor

Номер патента: US20140151683A1. Автор: Dong Jo Kim,Sang Ho Park,Yoon Ho KHANG,Joon Yong Park,Su-Hyoung Kang,Dong Hwan Shim,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20180204952A1. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Thin film transistor array panel, liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293633A1. Автор: Chan Woo Yang,Su Kyoung YANG,Dong Min Lee,Hyun Eok Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Display device comprising thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144347A1. Автор: Pilsang YUN,Sehee Park,Jiyong NOH,Jungseok Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Display device comprising thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305341A1. Автор: Pilsang YUN,Sehee Park,Jiyong NOH,Jungseok Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including the same

Номер патента: GB2623629A. Автор: Ju Choi Sung,Seok Seo Jung,Yoon Park Jae,Yeon Im Seo,Won JUNG Jin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Thin-film transistor, display apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US9276122B2. Автор: Mikihiro Yokozeki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor structure with thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220393033A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Thin film transistor substrate and display panel using the same

Номер патента: US20160035900A1. Автор: Tzu-Min Yan,Kuan-Feng Lee,Kuo-Chang Chiang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Thin film transistor, display device and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20200006396A1. Автор: Takao Matsumoto,Nobutake Nodera,Yuta Sugawara,Satoshi Michinaka. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Metal oxide thin-film transistor and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus

Номер патента: EP4345910A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device including the same

Номер патента: EP2979303A1. Автор: Dae Hwan Kim,Kwang Hwan Ji,Jun Hyeon Bae. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-03.

Thin film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: GB2614391A. Автор: SEO JungSeok,PARK Jaeyoon,Jung Jinwon,Im Seoyeon,Choi Sungju. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device have the thin film transistor

Номер патента: US20110084262A1. Автор: Hye-dong Kim,Dong-Wook Park,Yeon-Gon Mo,Ki-Ju Im,Roman KONDRATYUK. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Semiconductor device comprising various thin-film transistors

Номер патента: US11929437B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Thin Film Transistor and Display Panel Including the Same

Номер патента: US20240107805A1. Автор: Dongchae Shin,Moonho Park,Mijin JEONG,Sunyoung Choi,Sangsoon NOH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin-film transistor substrate and liquid crystal display

Номер патента: US20170329176A1. Автор: Kenichi Miyamoto,Shinji Kawabuchi,Kazushi Yamayoshi,Akihiko Hosono,Naruhito HOKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170278977A1. Автор: Hyun Min Cho,Yu-gwang Jeong,Shin Il Choi,Su Bin Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of fabricating thin film transistor and display including the same

Номер патента: US11777039B2. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Thin Film Transistor, Display Including the Same, and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20170194502A1. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Organic light emitting diode display having thin film transistor substrate using oxide semiconductor

Номер патента: US20160225883A1. Автор: Ryosuke Tani,SungJin Hong,Woojin Nam,Youngju Koh,Byungchul Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Thin Film Transistor and Array Substrate, Manufacturing Methods Thereof, and Display Device

Номер патента: US20170104102A1. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Thin-film transistor substrate, liquid crystal display device including the same, and method for producing thin-film transistor substrate

Номер патента: US20200135933A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Thin film transistor and array substrate including the same

Номер патента: US20130140556A1. Автор: Dong-Hun Lim,Heon-Kwang PARK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Thin-film transistor, array substrate and fabrication method, and display device

Номер патента: WO2016107185A1. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20160181292A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-06-23.

Thin Film Transistor, Display Including the Same, and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200335629A1. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Thin Film Transistor, Display Including the Same, and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20220223738A1. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Schottky barrier thin film transistor and method

Номер патента: EP3759741A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-06.

Schottky barrier thin film transistor and method

Номер патента: WO2019166791A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2019-09-06.

Thin film transistor, method for manufacturing the same and display using the same

Номер патента: US20090121225A1. Автор: Manabu Ito,Mamoru Ishizaki,Masato Kon,Ryohei Matsubara,Osamu Kina. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Thin film transistor substrate, display device, and manufacturing method for thin film transistor substrate

Номер патента: US20230120056A1. Автор: Takashi Terauchi,Ryuji Matsumoto,Kazunari Sasaki,Kimihiko HAYASHI. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20230317855A1. Автор: Jaeyoon Park,Jungseok Seo,Jin Seong Park,Ki Lim HAN,Taewon Hwang,Won-Bum Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-05.

Superlattice, ferroic order thin films for use as high/negative-k dielectric

Номер патента: US20240186399A1. Автор: Cheng-Hsiang Hsu,Sayeef Salahuddin,Suraj Singh CHEEMA,Nirmaan SHANKER,Daewoong KWON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-06.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Thin film transitor, display device, and liquid crystal display device

Номер патента: US20120080683A1. Автор: Takeshi Sakai,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Takuo Kaitoh. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Thin film transistor, display device and liquid crystal display device

Номер патента: US8670082B2. Автор: Takeshi Sakai,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Takuo Kaitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US09954114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929186B2. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Naoki Tsumura,Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Oxide semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09917206B2. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin-film transistor substrate, thin-film transistor substrate manufacturing method, and liquid crystal display

Номер патента: US09876039B2. Автор: Takaaki Murakami,Kazunori Inoue,Naoki Nakagawa,Koji Oda,Rii Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistor device, method for manufacturing same and display device

Номер патента: US09799772B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09627515B2. Автор: Eiichi Satoh. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device

Номер патента: US09583570B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA,Koki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including oxide semiconductor stack with different ratio of indium and gallium

Номер патента: US09496408B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Piezoelectric thin-film resonator, method for fabricating same, filter and duplexer having an interposed film

Номер патента: US09444429B2. Автор: Takeshi Sakashita,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Poly-Silicon Thin Film and Preparation Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200035490A1. Автор: Hongping Yu,Peng He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Zn—Sn—O based oxide sintered body and method for producing the same

Номер патента: US09834838B2. Автор: Makoto Ozawa,Kentaro Sogabe. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Ito (indium tin oxide) sintered body and ito sputtering target

Номер патента: JPH10158827A. Автор: Shinji Sato,Tsuyoshi Nishimura,伸二 佐藤,Choju Nagata,長寿 永田,Mitsuteru Toishi,Koichiro Ejima,強 西村,光一郎 江島,光輝 戸石,Katsuaki Okabe,勝明 岡部. Владелец: Dowa Mining Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

METHOD FOR MAKING THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20190088722A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US20180219044A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

METHOD FOR MAKING THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUI

Номер патента: US20170323930A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20170323931A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

ITO sintered body and ITO sputtering target

Номер патента: CN101622208A. Автор: 高桥诚一郎,松前和男,林博光. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-06.

Ito sintered body and ito sputtering target

Номер патента: WO2009020084A1. Автор: Hiromitsu Hayashi,Seiichiro Takahashi,Kazuo Matsumae. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-02-12.

Sputter target feed system

Номер патента: WO2012027123A1. Автор: Craig R. Chaney. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film

Номер патента: US20050167592A1. Автор: Sung Moon,Hyun-Joon Shin,Yong-Hee Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for producing a multilayer thin-film heterostructure with a given value of specific surface resistance

Номер патента: RU2750503C1. Автор: Игорь Валерианович Волохов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2021-06-29.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Composition for tin oxide semiconductor and method of formation of tin oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20150011044A1. Автор: Hyun-Jae Kim,Yeon-Gon Mo,Chaun-Gi Choi,You-Seung RIM,Hyun-Soo LIM,Si-Joon Kim,Tae-Soo Jung. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of forming channel in thin film transistor using non-ionic excited species

Номер патента: MY134102A. Автор: Sakai Masahiro,TERAUCHI Masaharu. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-30.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacture of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5272107A. Автор: Akira Suzuki,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor thin film structures and electronic devices including the same

Номер патента: EP3809449A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-21.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Dielectric thin film, dielectric thin film element and thin film capacitor

Номер патента: US9324497B2. Автор: Takayoshi Sasaki,Minoru Osada,Takafumi Okamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Thin-film pattern array and production method therefor

Номер патента: US09530668B2. Автор: Hojin Lee,Youngseok Kim. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing a thin-film transistor

Номер патента: RU2749493C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Аюб Рамзанович Умаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-06-11.

Sputtering target and method of producing sputtering target

Номер патента: US12012650B2. Автор: Masaru Wada,Kouichi Matsumoto,Motohide Nishimura,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: US20130313110A1. Автор: Hiroshi Goto,Moriyoshi Kanamaru,Yuki Iwasaki. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Oxide sintered body and sputtering target, and methods for manufacturing same

Номер патента: US20190177230A1. Автор: Hideo Hata,Yasuo Nakane,Yuki Tao. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Oxide sintered body and sputtering target

Номер патента: US20130306469A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Matsui,Moriyoshi Kanamaru,Yuki Iwasaki,Akira Nambu. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

IGZO sputtering target

Номер патента: US11827972B2. Автор: Kozo Osada,Kazutaka Murai,Jun Kajiyama,Yuhei Kuwana. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Lanthanum hexaboride sintered body, target and lanthanum hexaboride film each comprising same, and process for production of the sintered body

Номер патента: US20130017137A1. Автор: Kentaro Takahashi,Kazuto Andou. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2013-01-17.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09548036B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Zinc oxide powder for producing zinc oxide sintered body, zinc oxide sintered body, and method of producing these

Номер патента: US20210238054A1. Автор: Yoshimi NAKATA,Yuko ECHIZENYA,Etsurou UDAGAWA. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Zinc oxide powder for producing zinc oxide sintered body, zinc oxide sintered body, and method of producing these

Номер патента: US20210238053A1. Автор: Yoshimi NAKATA,Yuko ECHIZENYA,Etsurou UDAGAWA. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09767754B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Gallium oxide/zinc oxide sputtering target, method of forming transparent electro-conductive film and transparent electro-conductive film

Номер патента: RU2389824C2. Автор: Кодзо ОСАДА. Владелец: Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-05-20.

Gallium oxide-zinc oxide sputtering target, method of forming transparent conductive film, and transparent conductive film

Номер патента: US7686985B2. Автор: Kozo Osada. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

Thin-film device

Номер патента: US20210202540A1. Автор: Kazushige Takechi,Yuya Kuwahara. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor thin-film and manufacturing method thereof, thin-film transistor, and display apparatus

Номер патента: US20190067609A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP2171746A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: WO2009014337A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-29.

Thin-film hybrid photoelectric converter and method of its manufacturing

Номер патента: RU2694113C2. Автор: Олег Викторович Сергеев,Альберт Галийевич Насибулин,Прамод Малбагал Раджанна,Сергей Иванович Березнев. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-07-09.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09691799B2. Автор: Sungjin Lee,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Multi-junction solar cells with thin-film, polycrystalline, low-bandgap bottom cells

Номер патента: US20210391487A1. Автор: Richard R. King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-16.

Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film, and organic thin-film transistor

Номер патента: US20120056166A1. Автор: Junji Kido,Yohei Hashimoto,Naoki Hirata,Naomi Oguma,Ken-ichi Nakayama,Yong-Jin Pu. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film, and organic thin-film transistor

Номер патента: EP2430678A1. Автор: Junji Kido,Yohei Hashimoto,Naoki Hirata,Naomi Oguma,Ken-ichi Nakayama,Yong-Jin Pu. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Nanostructured substrates for improved lift-off of iii-v thin films

Номер патента: US20190172966A1. Автор: Cun-Zheng Ning,Alan Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of preparing nano-thin film of cement hydration product

Номер патента: US11254612B2. Автор: XIANG Ji,Zhen He,Wei Zhou,Wenzhi Yu,Jingtao CHEN,Xiaofei XU,Shengwen Tang,Hubao A. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-02-22.

GOA circuit based on LTPS semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09935094B2. Автор: Yafeng Li,Jinfang Wu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911765B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory devices for use in electrically alterable read only memory (ROM) and semiconductor thin film devices (spintrons and spin-orbitrons)

Номер патента: US09865811B2. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716118B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Evaluation device for oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20160223462A1. Автор: Kazushi Hayashi,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including same

Номер патента: US20240234433A1. Автор: Sanghoon JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor substrate for organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997579B2. Автор: Kummi OH,Hyeseon Eom,Shunyoung YANG,Jeoungin LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09425216B2. Автор: Sul Lee,Hun Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09368515B2. Автор: Jong Chan Lee,Dong Jo Kim,Sang Ho Park,Yoon Ho KHANG,Jung Kyu Lee,Yong Su LEE,Ji Seon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Aromatic enediyne derivative, organic semiconductor thin film, electronic device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110098486A1. Автор: Jeong Il Park,Sang Yoon Lee,Eun Jeong Jeong,Hyun Sik Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-28.

Aromatic enediyne derivative, organic semiconductor thin film, electronic device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7884358B2. Автор: Jeong Il Park,Sang Yoon Lee,Eun Jeong Jeong,Hyun Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and method of manufacturing a thin film transistor array panel

Номер патента: US20130277666A1. Автор: Hyun Kim,Bong-Kyun Kim,Seung-Ha Choi,Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Hong Sick Park,Sho Yeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Thin film transistor substrate and display device using the same

Номер патента: US09786697B2. Автор: Mincheol Kim,Youngyoung Chang,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwonshik Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating semiconductor thin film and a Hall-effect device

Номер патента: US5385864A. Автор: Tetuo Kawasaki,Tetuhiro Koretika,Kitabatake,Takasi Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: US20100330785A1. Автор: Byoung-Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140332889A1. Автор: KANG Moon Jo,Seung-Ho Jung,Woo-Seok Jeon,Woo Geun Lee,Young Joo Choi,Sho Yeon KIM,Joon Geol KIM,Byung Hwan CHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Organic ligand including azide group, and organic semiconductor thin film and optoelectronic device including the organic ligand

Номер патента: US20240215438A1. Автор: Seokgyu Yoon,Kunwook CHO,Juhyeok LEE,Hwasook Ryu,Daesung Chung,Syed Zahid Hassan,Kyumin Sim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic semiconductor thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09496511B2. Автор: Chang-Wook Han. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin-film hybrid photoelectric converter and method of its manufacturing

Номер патента: RU2694113C9. Автор: Олег Викторович Сергеев,Альберт Галийевич Насибулин,Прамод Малбагал Раджанна,Сергей Иванович Березнев. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-11-07.

Display device including thin film transistors

Номер патента: US7541615B2. Автор: Akio Machida,Tadahiro Kono,Toshio Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Organic semiconductor device and organic semiconductor thin film

Номер патента: EP1995801A1. Автор: Yoshihiro Miyamoto,Mao Katsuhara,Akito Ugawa,Toshiyuki Kunikiyo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Methods for the continuous deposition of semiconductor thin films

Номер патента: CA2105464A1. Автор: Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Shaolin Shi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-03-03.

Method for manufacturing semiconductor thin film, and magnetoelectric conversion element provided with semiconductor thin film thereby manufactured

Номер патента: US20020016048A1. Автор: Masaya Ueda,Masanaga Nishikawa,Tomoharu Sato. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Method for manufacturing semiconductor thin film, and magnetoelectric conversion element provided with semiconductor thin film thereby manufactured

Номер патента: US20050029608A1. Автор: Masaya Ueda,Masanaga Nishikawa,Tomoharu Sato. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for manufacturing semiconductor thin film, and magnetoelectric conversion element provided with semiconductor thin film thereby manufactured

Номер патента: US6610583B2. Автор: Masaya Ueda,Masanaga Nishikawa,Tomoharu Sato. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-26.

Tetrathiafulvalene derivatives and organic thin-film transistor

Номер патента: US8304762B2. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-11-06.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Organic semiconductor and organic thin-film transistor

Номер патента: US20100213444A1. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Thin film transistor substrate, display device, and method of manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US20190293980A1. Автор: Takeshi Kubota,Kazunori Inoue,Koji Oda,Takafumi Hashiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of making large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal presursors

Номер патента: US5491114A. Автор: Avery N. Goldstein. Владелец: Starfire Electronic Development and Marketing Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Light-emitting display device having a first pixel and a second pixel and an oxide semiconductor layer having a region overlapping a light-emitting region of the second pixel

Номер патента: US11901485B2. Автор: Hideaki Shishido,Ryo Arasawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Manufacturing method of thin film semiconductor substrate

Номер патента: US20120077331A1. Автор: Takeshi Matsumoto,Toshiyuki Sameshima,Yuko Fujimoto,Yutaka Inouchi. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film

Номер патента: US20130200343A1. Автор: Mari Sasaki,Norihito Kobayashi,Takahiro Ohe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for measuring film thickness distribution of wafer with thin films

Номер патента: US11965730B2. Автор: Philippe Gastaldo,Susumu Kuwabara,Kevin QUINQUINET. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2024-04-23.

Multi-junction solar cells with thin-film, polycrystalline, low-bandgap bottom cells

Номер патента: US11967663B2. Автор: Richard R. King. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-04-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20170069839A1. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-09.

Thin film transistor substrate and method for producing same

Номер патента: US20150287742A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuya Yamashita,Tokuo Yoshida,Yoshimasa Chikama,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Yoshinobu Miyamoto,Yuuji Mizuno,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Display Apparatus Having an Oxide Semiconductor

Номер патента: US20240074235A1. Автор: Jae Yoon Park,Jin Won Jung,Sung Ju Choi,Jung Seok Seo,Seo Yeon Im. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170278877A1. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Zinc oxide sputtering target

Номер патента: US09919931B2. Автор: Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai,Koki Kanno. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets

Номер патента: WO2007022275A2. Автор: David E. Stevenson,Li Q. Zhou. Владелец: Wintek Electro-Optics Corporation. Дата публикации: 2007-02-22.

Sputtering target and method of manufacturing the same

Номер патента: US5508000A. Автор: Michio Satou,Noriaki Yagi,Hiromi Shizu,Mituo Kawai,Takasi Yamanobe,Tooru Komatu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Display backplane having multiple types of thin-film-transistors

Номер патента: US09634038B2. Автор: Hyoung-Su Kim,Hoiyong Kwon,MiReum Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Matrix-based characterization and measurements for semiconductor thin-film material

Номер патента: WO2022125215A2. Автор: Jonathan A. Fan,Thaibao PHAN,Evan W. WANG. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: EP4254519A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: AU2022397987A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160190184A1. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Matrix-based characterization and measurements for semiconductor thin-film material

Номер патента: US20240003819A1. Автор: Jonathan A. Fan,Thaibao PHAN,Evan W. WANG. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-01-04.

Rapid fabrication of semiconductor thin films

Номер патента: US20240188422A1. Автор: Vladimir Bulovic,Richard SWARTWOUT. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-06-06.

Rapid fabrication of semiconductor thin films

Номер патента: EP4351874A1. Автор: Vladimir Bulovic,Richard SWARTWOUT. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-17.

Process of making a thin-film photovoltaic device and thin-film photovoltaic device

Номер патента: WO2007071663A1. Автор: Volker Probst,Thomas Niesen. Владелец: Shell Erneuerbare Energien GmbH. Дата публикации: 2007-06-28.

Method and Apparatus For Hydrogenation of Thin Film Silicon on Glass

Номер патента: US20080199612A1. Автор: Adrian Bruce Turner,Mark John Keevers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Method and apparatus for hydrogenation of thin film silicon on glass

Номер патента: EP1886339A1. Автор: Mark CSG Solar Pty Limited KEEVERS,Adrian Bruce CSG Solar Pty Limited TURNER. Владелец: CSG Solar AG. Дата публикации: 2008-02-13.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature and electrotechnical thin film

Номер патента: RU2720133C2. Автор: Гангадаран ПУФАНЕНДРАЛИНГАМ,Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-04-24.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Polysilicon thin film and method of preparing polysilicon thin film and photovoltaic element containing same

Номер патента: US5486237A. Автор: Keiichi Sano,Yoichiro Aya. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-23.

Method of forming a heteroepitaxial semiconductor thin film using amorphous buffer layers

Номер патента: US4876219A. Автор: Fumitake Mieno,Takuya Watanabe,Yuji Furumura,Takashi Eshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

P-type zinc oxide thin film, compound semiconductor using the same and method for producing the same

Номер патента: WO2003034510A1. Автор: Jae-min MYOUNG. Владелец: Lim, Yong-Jin. Дата публикации: 2003-04-24.

Thin film transistor based temperature sensor

Номер патента: US20230061108A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin film transistor based light sensor

Номер патента: US20230063673A1. Автор: Katherine H. Chiang,Shih-Llen Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US20170133045A1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Thin film optoelectronic devices using delafossite type metal oxides and methods of their fabrication

Номер патента: WO2015198321A1. Автор: Stelios A. Choulis,Savva ACHILLEAS. Владелец: Reinhold Cohn And Partners. Дата публикации: 2015-12-30.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178232A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin-film transistor array device, organic el display device, and method of manufacturing thin-film transistor array device

Номер патента: US20120032179A1. Автор: Tomoya Kato,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423B1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-10-26.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Thin film circuit board device and its manufacturing method

Номер патента: EP1429590A4. Автор: Tsuyoshi Ogawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer

Номер патента: US20170257076A1. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423A1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-04-11.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: WO2016036838A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong-kyu Yoon. Владелец: The University of Florida Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US09722169B1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US09685603B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US09646637B1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor substrate

Номер патента: US09640564B2. Автор: Eiichi Sato,Shinya Ono. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Piezoelectric thin film element, inkjet recording head, and inkjet image-forming apparatus

Номер патента: US09586401B2. Автор: Masaru Shinkai,Toshiaki Masuda,Masahiro Ishimori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09490119B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Optical thin film laminate for organic electroluminescent display element, production method thereof, organic electroluminescent display element and display device

Номер патента: US09450210B2. Автор: Fei Liu,Xue Gao,Jinlong Liao,Qinghui Zeng,Junran Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of depositing thin films using molybdenum sputtering targets

Номер патента: US20150136584A1. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerome O'Grady,David G. Schwartz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Methods of depositing thin films using molybdenum sputtering targets

Номер патента: US9309591B2. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerome O'Grady,David G. Schwartz. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

METAL THIN FILM FOR ELECTRONIC COMPONENT AND Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING METAL THIN FILM

Номер патента: KR20140111955A. Автор: 히데오 무라타. Владелец: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-09-22.

METAL THIN FILM FOR ELECTRONIC COMPONENT AND Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING METAL THIN FILM

Номер патента: KR101600169B1. Автор: 히데오 무라타. Владелец: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-03-04.

Sputtering target, optical information recording medium and method for producing same

Номер патента: EP1757712A4. Автор: H Takami,M Yahagi. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Sintered body, sputtering target, film, quantum cascade laser, and method of film formation

Номер патента: US20210057875A1. Автор: Akio Ito,Atsushi Sugiyama,Tadataka Edamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-02-25.

Ni-Fe alloy sputtering target for forming magnetic thin films, magnetic thin film, and method of manufacturing the Ni-Fe alloy sputtering target

Номер патента: US20010032686A1. Автор: Tsuneo Suzuki,Yuichiro Shindo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Lithium composite oxide sintered plate and all-solid-state secondary battery

Номер патента: EP4250402A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Yuji Katsuda,Tsutomu Nishizaki,Mizuki HIROSE. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Lithium composite oxide sintered plate and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US20230307625A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Yuji Katsuda,Tsutomu Nishizaki,Mizuki HIROSE. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing resin thin film

Номер патента: MY130795A. Автор: Kazuyoshi Honda,Masaru Odagiri,Tomonori Sato,Noriyasu Echigo,Toru Miyake,Nobuki Sunagare. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-31.

Wafer bonding method for transfering thin films to a substrate

Номер патента: US20230402816A1. Автор: Eric John Stanton,Nima Nader. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2023-12-14.

Lanthanum cobalt oxide semiconductor ceramic and related devices

Номер патента: US6222262B1. Автор: Yoichi Kawase,Hideaki Niimi,Satoshi Ueno,Akinori Nakayama,Terunobu Ishikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-24.

Method of forming thin film of inorganic solid electrolyte

Номер патента: US20020106456A1. Автор: Hirokazu Kugai,Nobuhiro Ota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Flexible thin-film positive electrode and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2722687C1. Автор: Алексей Михайлович Кашин,Дмитрий Викторович Новиков,Лолита Сергеевна Самохина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инэнерджи". Дата публикации: 2020-06-03.

Superconducting thin-film material, superconducting wire and method of production thereof

Номер патента: RU2338280C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-11-10.

CPP magneto-resistive effect device utilizing an anti-oxidizing layer as part of the spacer layer in a thin-film magnetic head usable in a head gimbal assembly in a hard disk system

Номер патента: US7885042B2. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Method for fabricating nanoporous thin film, nanoporous thin film and its applications

Номер патента: EP3991831A1. Автор: Ivo Rangelow,Xiang-qian ZHOU. Владелец: Zhou Xiang Qian. Дата публикации: 2022-05-04.

Beta-phase tantalum thin-film resistor and thin-film magnetic head with the resistor

Номер патента: US20070127161A1. Автор: Masashi Sano,Norio Kiuchi,Kento Edakawa,Nobuyoshi Morizumi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Apparatus and method for manufacturing thin film, electro-chemical device and method for manufacturing electro-chemical device

Номер патента: US09770890B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film solid state lithium ion secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US09673481B2. Автор: Momoe Adachi,Yuichi Sabi,Hiroyuki Morioka,Tatsuya Furuya,Koichiro Hinokuma,Yui Senda,Katsunori Takahara,Reina Ichikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Light transmitting metal oxide sintered body manufacturing method and light transmitting metal oxide sintered body

Номер патента: US09604853B2. Автор: Masanori Ikari,Tadakatsu Shimada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Rare-earth oxide sintered body and manufacturing method

Номер патента: US20090029844A1. Автор: Masakatsu Kiyohara,Masami Ando,Takayuki Ide. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Rare-earth sintered body and manufacturing method

Номер патента: US20070072763A1. Автор: Masakatsu Kiyohara,Masami Ando,Takayuki Ide. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Rare-earth sintered body and manufacturing method

Номер патента: US7435698B2. Автор: Masakatsu Kiyohara,Masami Ando,Takayuki Ide. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2008-10-14.

Chromium sintered body, method for producing chromium sintered body, sputtering target, and method for producing substrate with chromium film

Номер патента: EP4241901A1. Автор: Kenichi Itoh,Koichi Hanawa,Masami Mesuda,Daiki Shono. Владелец: Tosoh Speciality Materials Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Molybdenum sputtering targets

Номер патента: CA2577162A1. Автор: Peter R. Jepson,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerone O'grady,Davd G. Schwarz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-06.

Molybdenum tubular sputtering targets with uniform grain size and texture

Номер патента: EP1784518A2. Автор: Peter R. Jepson,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Rong-Chein Richard Wu,Gary Rozak,David Meendering,Joseph Hirt,Brad Lemon,Timothy Welling,James G. Daily, III,Jerone O'grady,Davd G. Schwarz. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: WO2004049397A3. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Sputtering Target of Sintered Ti-Nb Based Oxide, Thin Film of Ti-Nb Based Oxide, and Method of Producing The Thin Film

Номер патента: US20140023868A1. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Sputtering target for magnetic recording film

Номер патента: US09683284B2. Автор: Yuichiro Nakamura,Shin-Ichi Ogino. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin Film Forming Sputtering Target, Dielectric Thin Film, Optical Disc and Production Method Therefor

Номер патента: US20080271988A1. Автор: Yasuo Hosoda,Takashi Ueno,Takanobu Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for preparing high purity ruthenium sputtering target

Номер патента: EP1026283B1. Автор: Yuichiro Isohara Fact/Nikko Mat.Co.Ltd SHINDO,Tsuneo Isohara Fact/Nikko Mat.Co.Ltd SUZUKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for making amorphous semiconductor thin films

Номер патента: US3862857A. Автор: Richard J Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-01-28.

Method of making thin films

Номер патента: US20200255936A1. Автор: Valentine NOVOSAD,Tomas Polakovic. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Sputtering target for forming magnetic thin film

Номер патента: MY184033A. Автор: Yuto MORISHITA. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2021-03-17.

Sputtering target of multi-component single body and method for preparation thereof, and method for producing multi-component alloy-based nanostructured thin films using same

Номер патента: US20160068943A1. Автор: JU Hyun Sun,Chang Hun Lee,Seung Yong Shin,Jung Chan Bae,Kyoung Il Moon. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-03-10.

Thin film formation use sputtering target material, thin film formed using same, and optical recording medium

Номер патента: US20050129900A1. Автор: Takashi Ueno,Katsuhisa Aratani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Ytterbium Sputtering Target and Method of Producing said Target

Номер патента: US20100044223A1. Автор: Shiro Tsukamoto. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Sputtering target material

Номер патента: US20040079635A9. Автор: Noriaki Hara,Ken Hagiwara,Somei Yarita,Ritsuya Matsuzaka. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2004-04-29.

Sputtering target and method for producing same

Номер патента: US09988710B2. Автор: Masahiro Shoji,Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Gradient thin films

Номер патента: RU2666198C1. Автор: Альпана РАНАДЕ,Марви А. МАТОС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-06.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: WO2004049397A2. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corporation. Дата публикации: 2004-06-10.

Sputtering target assemblies

Номер патента: WO2002036846A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-05-10.

Ag alloy sputtering target, and ag alloy film

Номер патента: EP3922748A1. Автор: Sohei Nonaka,Yuto Toshimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG178737A1. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for making Ni-Si magnetron sputtering targets and targets made thereby

Номер патента: US20020144902A1. Автор: Eugene Ivanvov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Sputtering target and process for producing the same

Номер патента: WO2024217556A1. Автор: Scherer Thomas,Yi Sun,Yongyue CAI,Schmidt HENNRIK. Владелец: Plansee Shanghai High Performance Material Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Refurbishing copper and indium containing alloy sputter targets and use of such targets in making copper and indium-based films

Номер патента: US09399816B2. Автор: Robert Nilsson,Jennifer Gerbi. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Fept-c-based sputtering target and process for producing same

Номер патента: SG193948A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Precious Metal Ind. Дата публикации: 2013-11-29.

Fept-c-based sputtering target and process for producing the same

Номер патента: US20140301887A1. Автор: Masahiro Aono,Yasuyuki Goto,Masahiro Nishiura,Ryousuke Kushibiki,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-09.

Sputtering target and powder for producing sputtering target

Номер патента: MY197929A. Автор: Atsushi Sato,Masayoshi Shimizu,Yasuyuki Iwabuchi,Akira SHIMOJUKU. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Sputtering target and method for producing sputtering target

Номер патента: US20180312961A1. Автор: Shoubin Zhang,Keita UMEMOTO,Yuya Mutsuda. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for producing Cu-Ga alloy powder, Cu-Ga alloy powder, method for producing Cu-Ga alloy sputtering target, and Cu-Ga alloy sputtering target

Номер патента: US09435023B2. Автор: Tetsufumi Komukai,Tatsuya Takahashi,Isao Ando,Eriko Sato,Toshio Morimoto,Masanori Takagi,Hirotaka Minami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making thin films

Номер патента: US11885009B2. Автор: Valentine NOVOSAD,Tomas Polakovic. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Inorganic-particle-dispersed sputtering target

Номер патента: MY148731A. Автор: Nakamura Yuichiro,Sato Atsushi. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Method of obtaining thin films of tin-indium oxide

Номер патента: RU2656916C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Method for producing chromium sintered body, method for producing sputtering target, and method for producing substrate with chromium film

Номер патента: US20230287560A1. Автор: Kenichi Itoh,Koichi Hanawa,Masami Mesuda,Daiki Shono. Владелец: Tosoh Speciality Materials Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for recovering metal from target and method for manufacturing target

Номер патента: US20110243784A1. Автор: Yasuyuki Goto,Toshiya Yamamoto,Kiyoshi Higuchi,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for recovering metal from target and method for manufacturing target

Номер патента: US8287804B2. Автор: Yasuyuki Goto,Toshiya Yamamoto,Kiyoshi Higuchi,Takanobu Miyashita. Владелец: Tanaka Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

Aluminum or aluminum alloy sputtering target and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010004856A1. Автор: Kazuo Yoshikawa,Takashi Onishi,Seiji Nishi,Masao Mizuno,Toshihisa Suemitsu,Teruyuki Takahara,Tatsuhiko Kusamichi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Sputtering targets and method of making same

Номер патента: WO2001044536A3. Автор: Stephane Ferrasse,Vladimir Segal,William B Willett. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Part in sliding contact at lubrication rate, which is covered with thin film

Номер патента: RU2440441C2. Автор: Филипп МОРЭН-ПЕРРЬЕ,Флоран ЛЕДРАППЬЕ,Лоран УЗЕ. Владелец: Х.Е.Ф.. Дата публикации: 2012-01-20.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Method of forming a planar thin film transistor

Номер патента: US5411909A. Автор: Monte Manning,Charles Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Method for enhancing aggregation state stability of organic semiconductor thin film

Номер патента: GB2617975A. Автор: Hu Wenping,LI Liqiang,Chen Xiaosong,Qi Jiannan. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-25.

Thermoelectric transducing material thin film, sensor device, and its manufacturing method

Номер патента: US20060063291A1. Автор: Noriya Izu,Norimitsu Murayama,Woosuck Shin,Ichiro Matsubara,Fabin Qiu. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2006-03-23.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: CA2079357A1. Автор: Hiroshi Inada,Michitomo Iiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-25.

Method for producing thin film having high refractive index and high transparency, and thin film produced by the method

Номер патента: US09845394B2. Автор: Koji Mitamura,Manabu Hirata,Kimihiro Matsukawa,Seiji WATASE. Владелец: Daihachi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Polymerizable liquid crystal composition and thin film using same

Номер патента: US09469810B2. Автор: Isa Nishiyama,Yasuhiro Kuwana,Hiroshi Hasebe,Hidetoshi Nakata,Kunihiko Kotani. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film polymer structure having different modification on opposite sides thereof

Номер патента: US09956751B2. Автор: Takahiro Goto,Shinji Takeoka,Toshinori Fujie,Yosuke Okamura,Saori Utsunomiya. Владелец: Nanotheta Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of producing reinforced thermoplastic vibration-absorbing films and films obtained using said method

Номер патента: RU2707995C1. Автор: Сергей Анатольевич Иванов,Александр Иорданович Сятковский,Татьяна Борисовна Скуратова,Дмитрий Николаевич Трофимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Пластполимер". Дата публикации: 2019-12-03.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for producing semiconductor thin films on moving substrates

Номер патента: US6551908B2. Автор: Masaki Mizutani,Tatsumi Shoji,Shoji Nishida,Masaaki Iwane,Noritaka Ukiyo,Takehito Yoshino,Tetsuro Saito,Makoto Iwakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film

Номер патента: US8399288B2. Автор: Mari Sasaki,Norihito Kobayashi,Takahiro Ohe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Display apparatus having an oxide semiconductor

Номер патента: US20240215337A1. Автор: Yong Il Kim,Bok Young Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display apparatus including thereof

Номер патента: US20240224595A1. Автор: Won-Hoon Park,Duk-Young Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Alpha gallium oxide thin-film structure having high conductivity obtained using selective area growth in hvpe growth manner and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158953A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK,Jae-Kyoung Mun. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated magnetostrictive-piezoelectric-metal oxide semiconductor magnetic playback head

Номер патента: CA1193361A. Автор: Chester Piotrowski,William M. Mularie,Steven A. Bendson,Neil W. Loeding. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1985-09-10.

Thin-film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080054257A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Jhih-Ping Lu,Hsuan-Ming Tsai,Kuo-Tong Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Liquid crystal display devices with organic thin film formed by compressing molecules on liquid surface and transferring to substrate by horizontal lifting

Номер патента: US5357357A. Автор: Katsumi Kondo,Naoki Tanaka,Yoshio Taniguchi,Hideaki Kawakami,Shuji Imazeki,Yasushi Tomioka,Masami Yamasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-10-18.

Array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including the same

Номер патента: US20240224665A1. Автор: Jang-Dae KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Reflecting films obtained by solvent casting and their use

Номер патента: EP2388641A1. Автор: Jeffrey H. Wu,Sabine Goebel. Владелец: Lofo High Tech Film Gmbh. Дата публикации: 2011-11-23.

Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: CA2079357C. Автор: Hiroshi Inada,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Integrated magnetostrictive-piezoelectric-metal oxide semiconductor magnetic playback head

Номер патента: US4520413A. Автор: Chester Piotrowski,William M. Mularie,Steven A. Bendson,Neil W. Loeding. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1985-05-28.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US20140230724A1. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US9605357B2. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-28.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Piezoelectric thin film resonator and fabrication method of the same, filter, and multiplexer

Номер патента: US20190007021A1. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-01-03.

Thin-film filter, thin-film filter substrate, method of manufacturing the thin-film filter, method of manufacturing the thin-film filter substrate, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS microphone

Номер патента: US11425508B2. Автор: Makoto Yoshida,Masashi Shiraishi,Hiroshi Take,Toyotaka Kobayashi,Anthony Reymund Melad Binarao,Cheng Bu Heng. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Mechanical design of thin-film diamond crystal mounting apparatus with optimized thermal contact and crystal strain for coherence preservation x-ray optics

Номер патента: US09966161B2. Автор: Deming Shu,Stanislav Stoupin,Kwang-Je Kim,Yury Shvydko. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Alkali-niobate-based piezoelectric thin film element

Номер патента: US09882546B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Piezoelectric thin film resonator including an insertion film, filter, and duplexer

Номер патента: US09748925B2. Автор: Takeshi Sakashita,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Piezoelectric thin film resonator and method of fabricating the same

Номер патента: US09716956B2. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Ryuichi Okamura,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of producing polyolefin film composition and films obtained using said method

Номер патента: RU2731614C1. Автор: Аули Нуммила-Пакаринен,Яри Эриля,Анх Туан ТРАН,Ярмо КЕЛА. Владелец: Бореалис Аг. Дата публикации: 2020-09-07.

Thin-film electric heater

Номер патента: RU2646421C1. Автор: Олег Иванович Филатов,Борис Григорьевич Полевой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАНОТЕРМ". Дата публикации: 2018-03-06.

Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films

Номер патента: MY140570A. Автор: Anirban Das,Steven Roger Kennedy,Michael Gene Racine,Yuanda R Cheng. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Metal-free phthalocyanine and oxidized graphene composite nonlinear optical thin-film material and preparation method thereof

Номер патента: CN104898346A. Автор: 陈志敏,吴谊群,陈博文,宋微娜,贺春英. Владелец: Heilongjiang University. Дата публикации: 2015-09-09.

GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09767751B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09767755B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09552790B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09524689B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Thin-film transistor circuit, design method for thin-film transistor, design program for thin-film transistor circuit, design program recording medium, design library database, and display device

Номер патента: US20090044161A1. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Goa circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170213512A1. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Method of measuring surface form of semiconductor thin film

Номер патента: US20020191187A1. Автор: Makoto Nakazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

LTPS Semiconductor thin-film transistor-based GOA circuit

Номер патента: GB2564583A. Автор: Li Yafeng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Optical device using magnetic thin films and electric field means

Номер патента: US4966445A. Автор: Tsuneharu Takeda. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1990-10-30.

Procedure for production of high purity tungsten for sputtering target

Номер патента: RU2434960C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-11-27.

GOA circuit based on LTPS semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09841620B2. Автор: Yafeng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Low-temperature polycrystalline silicon semiconductor thin-film transistor-based GOA circuit

Номер патента: GB2544929A8. Автор: XIAO Juncheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-12.

Oral thin films with low water activity

Номер патента: WO2024008954A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Sabine Warnus,Claudia Norelli,Mario FICKER,Martin Richter-Friis. Владелец: ALK-ABELLO A/S. Дата публикации: 2024-01-11.

Oral thin films with low water activity

Номер патента: EP4302751A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Sabine Warnus,Claudia Norelli,Mario FICKER,Martin Richter-Friis. Владелец: ALK Abello AS. Дата публикации: 2024-01-10.

Oral thin films

Номер патента: CA3208329A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Oral thin films

Номер патента: US20240074969A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for production of highly pure molybdenum for spattering targets and device for its realisation

Номер патента: RU2375479C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-12-10.

Thin film sensor

Номер патента: US12072250B2. Автор: Kenji Matsumoto,Yuji Mihara. Владелец: Gotoh Educational Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Microfluidal thin-film structure for batching of fluids

Номер патента: RU2515287C2. Автор: БЛАНКЕНШТАЙН Герт,КУРОВСКИ Дирк,ХЕМПЕЛЬ Марио,РОДЕНФЕЛЬС Тобиас. Владелец: Бёрингер Ингельхайм Майкропартс Гмбх. Дата публикации: 2014-05-10.

METHOD FOR PRODUCTION OF THIN FILMS Cu(In, Ga)(S, Se)2

Номер патента: RU2347298C1. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Елена Петровна Зарецкая,Валерий Борисович Залесский (BY),Елена Петровна Зарецка (BY),Валерий Феликсович Гременок (BY). Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"(ГО"НПЦ НАН Беларуси по материаловедению"). Дата публикации: 2009-02-20.

Pressure sensor of strain gauge type with a thin film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2657362C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Наталья Анатольевна Козлова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-06-13.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Air bearing surface of thin-film magnetic head slider and method of processing the same

Номер патента: US7554770B2. Автор: Shinichi Tanaka,Atsushi Tondokoro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Thin Film Gas Sensor Configuration

Номер патента: US20070240489A1. Автор: Robert Pendergrass,Carlton Salter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Thin film gas sensor configuration

Номер патента: US7565827B2. Автор: Robert Pendergrass,Carlton Salter. Владелец: H2scan Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Thin film manufacturing method and method of manufacturing substrate

Номер патента: US20220032623A1. Автор: Keiji Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin film magnetic head integrated structure, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20070044297A1. Автор: Tatsuya Harada,Naoto Matono,Yoshihiko Koyama. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Ultra-thin thin-film optical interference filters

Номер патента: US20240272340A1. Автор: Esmaeil Banaei. Владелец: Everix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film type controlled viewing window back light unit and thin flat type controlled viewing window display using the same

Номер патента: US09910208B2. Автор: Friedrich-Karl Bruder,Hyungseok Bang,Rainer Hagen,Günther Walze,Thomas Peter FACKE,Seungman Ryu. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing thin film polarizer, and thin film polarizer and polarizing plate manufactured using the same

Номер патента: US09645293B2. Автор: Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu,Sung Hyun Nam. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film actuated mirror matrix and process of its manufacture

Номер патента: RU2140722C1. Автор: Джи Джеонг-Беом,Ким Донг-Кук,Ли Сеок-Вон. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-27.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000594A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Theado Erich. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of cylindrical sputtering target, sintered body and cylindrical sputtering target

Номер патента: JP6861048B2. Автор: 欽哉 大井川. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120146021A1. Автор: Hayashi Ryo,Yabuta Hisato,Endo Ayanori,Kaji Nobuyuki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-06-14.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for production of high purity cobalt for sputtering target

Номер патента: RU2434955C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров,Андрей Вячеславович Пальниченко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-11-27.

Procedure for production of titanium of high purity for sputtering target

Номер патента: RU2418874C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-05-20.

Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering

Номер патента: RU2434078C2. Автор: Валерий Александрович Вольпяс,Андрей Борисович Козырев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ". Дата публикации: 2011-11-20.

Sputtering target and method for manufacturing same

Номер патента: MY190417A. Автор: Koichi Sakamaki,Hiroaki SOGAME,Hidetaka Yakabe,Jun Fukuoka. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining optical absorption losses in thin films

Номер патента: RU2377543C1. Автор: Олег Дмитриевич Вольпян,Владимир Николаевич Курятов,Юрий Александрович Обод,Петр Петрович Яковлев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха). Дата публикации: 2009-12-27.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Method of making thin-film resistor

Номер патента: RU2374710C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method of producing nanosized thin-film standard sample of chemical composition

Номер патента: RU2483388C1. Автор: Юрий Александрович Карпов,Ольга Александровна Дальнова,Герман Григорьевич Главин. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals

Номер патента: RU2285748C2. Автор: Виталий Васильевич Старков,Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Тимофеевич Волков,ткин Анатолий Федорович В. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2006-10-20.

Precise thin-film resistor

Номер патента: RU2421837C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2011-06-20.

Remote four-wave method for measurement of thin film thickness

Номер патента: RU2359220C1. Автор: Валентин Иванович Козинцев,Ольга Алексеевна Смирнова,Михаил Леонидович Белов,Виктор Александрович Городничев,Юрий Викторович Федотов. Владелец: ООО "НИИ Радиоэлектроники и лазерной техники". Дата публикации: 2009-06-20.

Thin-film material that contains functional components and method of preparation of thin-film material that contains functional components

Номер патента: RU2326898C1. Автор: Александр Николаевич Тихонов,Алексей Юрьевич Семенов,Геннадий Борисович Хомутов,Андрей Анатольевич Дементьев. Владелец: Андрей Анатольевич Дементьев. Дата публикации: 2008-06-20.

Pressure sensor of strain gauge type with thin-film nano- and microelectrical system

Номер патента: RU2472125C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2013-01-10.

Pressure sensor of strain gauge with thin-film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2391641C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова,Светлана Александровна Васильева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Thin-film electric heater

Номер патента: RU2546134C2. Автор: Олег Анатольевич Толмачев,Юрий Александрович Сажнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная компания "НАНО". Дата публикации: 2015-04-10.

Electrostatic adhesion tester for thin film conductors

Номер патента: WO1998044334A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1999-03-11.

Method for manufacturing of microcircuit boards with multi-level thin-film commutation

Номер патента: RU2398369C1. Автор: Лидия Ивановна Тулина,Вячеслав Евгеньевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2010-08-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.