一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法
Номер патента: CN113948633A
Опубликовано: 18-01-2022
Автор(ы): 刘岐, 常昊, 张树芳, 杨露露, 焦蒙蒙, 王晨璐, 贾祥瑞
Принадлежит: Ludong University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-01-2022
Автор(ы): 刘岐, 常昊, 张树芳, 杨露露, 焦蒙蒙, 王晨璐, 贾祥瑞
Принадлежит: Ludong University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system
Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.