含氟的p型掺杂微晶半导体合金及其制造方法
Номер патента: CN85108047A
Опубликовано: 16-07-1986
Автор(ы): 萨布亨杜·古哈, 詹姆斯·库尔曼
Принадлежит: Sovonics Solar Systems
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-07-1986
Автор(ы): 萨布亨杜·古哈, 詹姆斯·库尔曼
Принадлежит: Sovonics Solar Systems
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
Номер патента: US09537043B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yoshiaki Ito,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.