Phase change memory device and fabrication method thereof
Номер патента: US7915602B2
Опубликовано: 29-03-2011
Автор(ы): Natsuki Sato
Принадлежит: Elpida Memory Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-03-2011
Автор(ы): Natsuki Sato
Принадлежит: Elpida Memory Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for munufacturing memory device and method for manufacturing phase change random access memory device using the same
Номер патента: KR101181169B1. Автор: 서혜진,이형석,이금범. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-18.