Power semiconductor package with a common conductive clip.

Power semiconductor package with a common conductive clip

Номер патента: US9461022B2
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Andrew N. Sawle, Chuan Cheah, Eung San Cho
Принадлежит: Infineon Technologies North America Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Stacked half-bridge package with a common conductive clip

Номер патента: EP2477220A3. Автор: Chuan Cheah,Eung San Cho,Andrew N. Sawle. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-09-24.

Semiconductor package and method for producing a semiconductor package

Номер патента: US20230131909A1. Автор: Rainald Sander,Fortunato Lopez,Lars Eckert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor package

Номер патента: US09666512B2. Автор: O-seob Jeon,Joon-Seo Son,Seung-won IM. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor module

Номер патента: US09640461B1. Автор: Thomas Spann,Ira Balaj-Loos. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Package Including a Power Stage and Integrated Output Inductor

Номер патента: US20150228610A1. Автор: Parviz Parto,Eung San Cho,Kevin Moody. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-08-13.

Encapsulated power semiconductor assembly

Номер патента: EP1611609A1. Автор: Andreas Lindemann. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2006-01-04.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243106A1. Автор: Yusheng Lin,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A3. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A2. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: EP4020531A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-29.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: US20240079279A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: WO2022136086A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-30.

Power semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240087995A1. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Thai Kee Gan,Christian Schiele,Chwee Pang Tommy Khoo,Katrin Unterhofer,Patrick Uredat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234260A9. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240136257A1. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132153A1. Автор: Yangang WANG. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Common Drain Exposed Conductive Clip for High Power Semiconductor Packages

Номер патента: US20120292754A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-11-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096727A1. Автор: Hiromi Shimazu,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Scalable power semiconductor device package with low inductance

Номер патента: US20240162197A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4358128A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Power semiconductor module with laser-welded leadframe

Номер патента: WO2020212031A1. Автор: Niko PAVLICEK,Markus THUT,Fabian MOHN,Swen KOENIG. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-10-22.

Power semiconductor module

Номер патента: US20240145331A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor module

Номер патента: US20190279927A1. Автор: Dominik Truessel,Samuel Hartmann. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US11894348B2. Автор: Takashi Hirao,Toru Kato,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor package

Номер патента: US09496205B2. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20150340304A1. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20140319665A1. Автор: Martin Standing. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-30.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US12112994B2. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3859774A1. Автор: Dominik Trussel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Power semiconductor module with baseplate and heat dissipating element

Номер патента: US12062591B2. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20240355704A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240120255A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022167317A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor module

Номер патента: US09812431B2. Автор: Tetsuya Inaba,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Multichip semiconductor package

Номер патента: US20020053743A1. Автор: Jerry M. Brooks,Jerrold L. King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor package and clip with a die attach

Номер патента: US11869830B2. Автор: Thomas Bemmerl,Michael Stadler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-09.

Spring element for a power semiconductor module

Номер патента: EP3311406A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-04-25.

Semiconductor packages with a substrate between a pair of substrates

Номер патента: US09666517B2. Автор: Yonghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US10854537B2. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Compact single-die power semiconductor package

Номер патента: US09704787B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240304507A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor package

Номер патента: WO2024186530A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Array based fabrication of power semiconductor package with integrated heat spreader

Номер патента: US09620475B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor package having integrated inductor, resistor and capacitor

Номер патента: US20210082793A1. Автор: Bo Chen,Jian Yin,Xiaotian Zhang,Long-Ching Wang,Mary Jane R. Alin,David Brian Oraboni, JR.. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor module with switching device and assembly

Номер патента: US09627343B2. Автор: Christian Göbl,Harald Kobolla,Björn Tauscher,Christian Kroneder,Alexej Walter. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150340297A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Electrically isolated power semiconductor package

Номер патента: GB2358960B. Автор: Kang Rim Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20180090441A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Juergen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Power semiconductor module with low inductance gate crossing

Номер патента: US12068290B2. Автор: Slavo Kicin,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160027762A1. Автор: Erik Dore,Olle Ekwall,Samuel Hartmann,Franc Dugal. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-28.

Current sharing mismatch reduction in power semiconductor device modules

Номер патента: US20240136259A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Roveendra Paul,Rajani Kumar THIRUKOLURI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230343688A1. Автор: Bernd Eckardt,Andre Mueller,Benjamin Bayer,Maximilian Hofmann,Patrick Fuchs,Maximilian Barkow,Timijan Velic,Hubert Rauh,Jordan Sorge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module

Номер патента: US7982299B2. Автор: Naotake Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US20090045490A1. Автор: Naotake Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

High reliability semiconductor package design

Номер патента: US20240014090A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

High reliability semiconductor package design

Номер патента: EP4307362A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of manufacturing power semiconductor module, and power semiconductor module manufactured thereby

Номер патента: US20240321676A1. Автор: Jihyung LEE. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230187404A1. Автор: Xiaoguang LIANG. Владелец: Wuxi Leapers Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Power semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240145332A1. Автор: Niko PAVLICEK,Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor module

Номер патента: US20100134994A1. Автор: Byong Ho Lee. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20170316993A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Power semiconductor component, power semiconductor device as well as methods for their production

Номер патента: US7667326B2. Автор: Ralf Otremba,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-23.

Power semiconductor module and electric power converter using same

Номер патента: EP4376076A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20190304857A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3298626A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-28.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230335472A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Thermally Enhanced Semiconductor Package with Exposed Parallel Conductive Clip

Номер патента: US20120292752A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-11-22.

Thermally Enhanced Semiconductor Package

Номер патента: US20140001614A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-01-02.

Power semiconductor module with pressure contact with a hybrid pressure accumulator

Номер патента: ES2390602T3. Автор: Rainer Popp,Marco Lederer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-11-14.

Semiconductor Package Having Leads with a Negative Standoff

Номер патента: US20200279795A1. Автор: Dirk Ahlers,Stefan Macheiner,Thomas Stoek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-03.

Stacked half-bridge package with a common leadframe

Номер патента: US09349677B2. Автор: Chuan Cheah,Eung San Cho,Andrew N. Sawle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Clip based semiconductor package for increasing exposed leads

Номер патента: US09806008B1. Автор: Gerald Adriano,Sam Lalgudi Sundaram. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor package with sidewall contacting bonding tape

Номер патента: US09691691B2. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor package assembly

Номер патента: US20230046413A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tai-Yu Chen,Hsiao-Yun Chen,Duen-Yi Ho,Bo-Jiun Yang,Chin-Lai Chen,Haw-Kuen Su,Bo-Hao Ma. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Power semiconductor package having reduced form factor and increased current carrying capability

Номер патента: US09780018B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Power semiconductor package comprising a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: EP4432348A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Power semiconductor package including a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: US20240312936A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package with lead frame and recessed solder terminals

Номер патента: US09978667B2. Автор: Mark Allen Gerber. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin, small-sized power semiconductor package

Номер патента: US20020074634A1. Автор: Shi-baek Nam,Yoon-Hwa Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor package with adhesive material pre-printed on the lead frame and chip, and its manufacturing method

Номер патента: US09653424B2. Автор: Jun Lu,Kai Lu,Xiaotian Zhang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor package, method of forming semiconductor package, and power module

Номер патента: EP4456132A1. Автор: Qian Liu,Roberto Tiziani. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Package with molding cavity

Номер патента: US20240371659A1. Автор: Yong Liu,Chee Hiong Chew,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Power converter package with an integrated output inductor

Номер патента: US09437570B2. Автор: Parviz Parto,Eung San Cho,Kevin Moody. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Power semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130313696A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Chung-Ming Leng. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device package with clip interconnect and dual side cooling

Номер патента: US12051635B2. Автор: Maria Cristina Estacio,Elsie Agdon Cabahug,Romel N. Manatad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09502342B2. Автор: Ilho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

High Voltage Cascoded III-Nitride Rectifier Package with Stamped Leadframe

Номер патента: US20120280245A1. Автор: Chuan Cheah,Dae Keun Park. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-11-08.

Power semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: EP4369394A1. Автор: Bernd SCHMOELZER,Marcus Boehm,Andreas Grassmann,Uwe Schindler,Stefan Woetzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-15.

Power semiconductor module, flow path member, and power-semiconductor-module structure

Номер патента: US10192807B2. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

Power semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240162205A1. Автор: Bernd SCHMOELZER,Andreas Grassmann,Uwe Schindler,Marcus Böhm,Stefan Wötzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09627302B2. Автор: Taketoshi Shikano,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Power leadframe package with reduced solder voids

Номер патента: EP4345891A2. Автор: Jefferson Sismundo TALLEDO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-04-03.

Power leadframe package with reduced solder voids

Номер патента: EP4345891A3. Автор: Jefferson Sismundo TALLEDO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-04-17.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US20190318977A1. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor

Номер патента: US09899302B2. Автор: Dean Fernando,Roel Barbosa,Toshio Takahashi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor

Номер патента: US09711437B2. Автор: Dean Fernando,Roel Barbosa,Toshio Takahashi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Hemt package with bond wire-free connections

Номер патента: US20240347429A1. Автор: Javier Acuna. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Hemt package with bond wire-free connections

Номер патента: EP4447102A2. Автор: Javier Acuna. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-16.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US09735094B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor package

Номер патента: US10727172B2. Автор: Isao Yamamoto,Yuichi Shinozaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor package

Номер патента: US20190181078A1. Автор: Isao Yamamoto,Yuichi Shinozaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND CLIP WITH A DIE ATTACH

Номер патента: US20200152554A1. Автор: Stadler Michael,Bemmerl Thomas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-14.

Package on active silicon semiconductor packages

Номер патента: US11978727B2. Автор: Sanka Ganesan,Mark Bohr,Debendra Mallik,Robert Sankman,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Package on active silicon semiconductor packages

Номер патента: EP3688801A1. Автор: Sanka Ganesan,Mark Bohr,Debendra Mallik,Robert Sankman,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip

Номер патента: US8701272B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,John D. Weld,Trifon M. Liakopoulos,Mathew A. Wilkowski. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip

Номер патента: US20140203903A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,John D. Weld,Trifon M. Liakopoulos,Mathew A. Wilkowski. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Exposed die power semiconductor device

Номер патента: US09613941B2. Автор: Zhijie Wang,Fei ZONG,Yanbo Xu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor packaging with a partially prepatterned lead frame and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004064144A3. Автор: Shafidul Islam,Antonio Romarico Santos San. Владелец: Lucas Brian Ronald. Дата публикации: 2004-11-25.

Multichip power semiconductor device

Номер патента: US09443760B2. Автор: Joachim Mahler,Thomas Bemmerl,Anton Prueckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20190326208A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20210159161A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20230282564A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US11658108B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-23.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US10910302B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame

Номер патента: US9673138B2. Автор: Zhou CAO. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame

Номер патента: US09673138B2. Автор: Zhou CAO. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893000B2. Автор: Jae Sik Choi,Dong Seong Oh,Jun Young HEO,Si Hyeon GO,Moon Taek SUNG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Tape automated manufacture of power semiconductor devices

Номер патента: US4635092A. Автор: Alexander J. Yerman,James A. Loughran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-01-06.

Hotspot thermal management of power electronic package with nano die attach material

Номер патента: US20200294949A1. Автор: Be-nazir Khan. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Power semiconductor package with integrated heat spreader and partially etched conductive carrier

Номер патента: US09570379B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Power semiconductor package having vertically stacked driver IC

Номер патента: US09502395B2. Автор: Mark Pavier,Eung San Cho,Daniel Cutler,Andrew N. Sawle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Spacer Frame for Semiconductor Packages

Номер патента: US20220005752A1. Автор: Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-01-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240194613A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240283356A1. Автор: David Giuliano. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device with a stress-free joint between metal parts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332136A1. Автор: Thorsten Scharf,Egbert Lamminger,Michal Chajneta,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: US20190080989A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: WO2018127845A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: WO2008057770A3. Автор: Guirit Lynn Simporios,Anang Subagio,Antonio Romarico Santos San,Mary Jean Ramos. Владелец: Unisem Sunnyvale Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Molded semiconductor package with dual integrated heat spreaders

Номер патента: US11929298B2. Автор: Ralf Otremba,Edward Fuergut,Jo Ean Joanna Chye. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor module and power electronics device

Номер патента: US20240322697A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Waldemar Jakobi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor module, power converter including the same and manufacturing method of power semiconductor module

Номер патента: EP4443480A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Discrete power semiconductor package

Номер патента: EP4258348A1. Автор: Jifeng Zhou,Lucas Zhang,Charlie CAI. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Power semiconductor module with adaptable power contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332142A1. Автор: Thorsten Scharf,Michael Fügl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package with a bridge interposer

Номер патента: US09431371B2. Автор: Xiangdong Chen,Rezaur Rahman Khan,Sam Ziqun Zhao,Pieter Vorenkamp,Kevin Kunzhong Hu,Sampath K. KARIKALAN. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Discrete power semiconductor package

Номер патента: US20230326838A1. Автор: Jifeng Zhou,Lucas Zhang,Charlie CAI. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US09978671B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Franz Stueckler,Xaver Schloegel,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi-Transistor Exposed Conductive Clip for Semiconductor Packages

Номер патента: US20130134524A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-05-30.

Power semiconductor package

Номер патента: US11916475B2. Автор: David Giuliano. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Power semiconductor package

Номер патента: WO2022272286A1. Автор: David Giuliano. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor package with molded heat dissipation plate

Номер патента: EP4362070A1. Автор: Man Kyo Jong,Joon Seo Son. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Edge-structured leadframe for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213125A1. Автор: Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Flat no-lead package with surface mounted structure

Номер патента: US12074100B2. Автор: Rennier Rodriguez,Maiden Grace Maming,Aiza Marie Agudon. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-08-27.

Power Semiconductor Module and Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20230307332A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947613B2. Автор: Satoshi Kondo,Hiroshi Kawashima,Yoshihiro Takai,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto,Claudio Feliciani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4318562A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021017B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297110A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor package substrate, semiconductor package using the substrate, and method of manufacturing semiconductor package substrate

Номер патента: US20100224988A1. Автор: Koji Hosokawa,Atsushi Tomohiro. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Power semiconductor device with dual heat dissipation structures

Номер патента: US11908771B2. Автор: Sanjay Kumar Murugan,Jayaganasan Narayanasamy,Chii Shang Hong,Chee Ming Lam,Angel Enverga,Subaramaniym Senivasan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837382B2. Автор: Shinji Watanabe,Toshihiro Iwasaki,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: EP4086953A2. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: EP4086953A3. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Semiconductor package having wettable lead flanks and tie bars and method of making the same

Номер патента: US20230420340A1. Автор: Madhur Bobde,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Xiaoguang Zeng. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Lead frame routed chip pads for semiconductor packages

Номер патента: WO2005004200A3. Автор: Shafidul Islam,Anang Subagio,San Antonio Romarico Santos. Владелец: San Antonio Romarico Santos. Дата публикации: 2006-02-16.

Delamination-preventing substrate and semiconductor package with the same

Номер патента: US20030080439A1. Автор: Yuan-Fu Lin,Wen-Ta Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor package with releasable isolation layer protection

Номер патента: US12080625B2. Автор: Yee Beng DARYL YEOW,Chii Shang Hong,Li Fong Chong,Azlina KASSIM,Hui Kin Lit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Power semiconductor package with conductive clips

Номер патента: US09620471B2. Автор: Martin Standing,Robert J. Clarke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor package with gate and field electrode leads

Номер патента: US09431394B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US20150357268A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US9646920B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US20170186675A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Thermally enhanced leadless semiconductor package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20190051585A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Nataporn Charusabha,Roel Adeva ROBLES,Preecha JOYMAK,Antonio Bambalan DIMAANO JR.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Flipchip package with an ic having a covered cavity comprising metal posts

Номер патента: US20220157698A1. Автор: Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE,Jovenic Romero Esquejo,Jonathan Andrew Montoya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor packages including upper and lower packages and heat dissipation parts

Номер патента: US09842799B2. Автор: Eon Soo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

A semiconductor package with improved connection of the pins to the bond pads of the semiconductor die

Номер патента: EP4184571A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Haibo Fan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device with a heat-dissipating plate

Номер патента: US09640460B2. Автор: Zyunya Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor package with improved connection of the pins to the bond pads of the semiconductor die

Номер патента: US20230154883A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Haibo Fan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-18.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor package with leadframe having pre-singulated leads or lead terminals

Номер патента: US20200266133A1. Автор: Christopher Daniel Manack,Michael Todd Wyant,Bradley Andrew Glasscock. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor

Номер патента: US20200350406A1. Автор: Chen-Yu Liao,Tso-Tung Ko,Brian Cinray Ko,Kuang-Ming Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor packaging structure and forming method therefor

Номер патента: US09515010B2. Автор: Xin Xia,Guohua Gao,Wanchun Ding. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor package with partial plating on contact side surfaces

Номер патента: US09773722B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Somchai Nondhasitthichai,Woraya Benjavasukul. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Underfill material flow control for reduced die-to-die spacing in semiconductor packages

Номер патента: US11854945B2. Автор: Rajendra C. DIAS,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Edvin Cetegen,Lars D. Skoglund. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor package with isolated heat spreader

Номер патента: US11923281B2. Автор: Woochan Kim,Anindya Poddar,Vivek Kishorechand Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Power Semiconductor Module with Accessible Metal Clips

Номер патента: US20230048878A1. Автор: Niko PAVLICEK,Gerd Schlottig,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor package with multi-section conductive carrier

Номер патента: US09620441B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor Package with Conductive Clip

Номер патента: US20160300811A1. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor package with conductive clip

Номер патента: US20180012859A1. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor package with conductive clip

Номер патента: US09799623B2. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Compact multi-die power semiconductor package

Номер патента: US09653386B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Power package with integrated magnetic field sensor

Номер патента: US09564423B2. Автор: LIU Chen,Franz Jost,Stefan Mieslinger,Markus Dinkel,Jens Oetjen,Toni Salminen,Giuliano Angelo Babulano. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof

Номер патента: US09786583B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue,De Mei Gong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Power semiconductor package having power semiconductor die in a support substrate with bar vias

Номер патента: US09640474B1. Автор: Eung San Cho,Danny Clavette. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power Semiconductor Package with Multi-Section Conductive Carrier

Номер патента: US20150348884A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-03.

Power semiconductor package with multi-section conductive carrier

Номер патента: US9331005B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor Package with Multi-Section Conductive Carrier

Номер патента: US20160240461A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Power semiconductor module with power semiconductor switches

Номер патента: US20200343225A1. Автор: Martin Kraus,Klaus Benkert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor package

Номер патента: US20060237840A1. Автор: Martin Standing. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor package

Номер патента: US20070202631A1. Автор: Martin Standing. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor package

Номер патента: WO2006116162A2. Автор: Martin Standing. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-02.

Direct bonded copper semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09991185B2. Автор: Erik Nino Tolentino,Vemal Raja Manikam,Azhair ARIPIN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Direct bonded copper semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09659837B2. Автор: Erik Nino Tolentino,Vemal Raja Manikam,Azhar Aripin. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Molded power semiconductor package with gate connector feature

Номер патента: US20230411254A1. Автор: Gerald Ofner,Ivan Nikitin,Christian Neugirg,Karsten Guth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Power package with integrated magnetic field sensor

Номер патента: US20160379966A1. Автор: LIU Chen,Franz Jost,Stefan Mieslinger,Markus Dinkel,Jens Oetjen,Toni Salminen,Giuliano Angelo Babulano. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US20170309554A1. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor package with package-on-package stacking capability and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640518B2. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Array Based Fabrication of Power Semiconductor Package with Integrated Heat Spreader

Номер патента: US20150162303A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-06-11.

Molded power semiconductor package

Номер патента: US20230361087A1. Автор: Thorsten Scharf,Ivan Nikitin,Andreas Grassmann,Waldemar Jakobi,Marco Baessler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Power semiconductor arrangement

Номер патента: US20170186673A1. Автор: Ludwig Hager,Rainer Weiss,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-29.

Non-Pull Back Pad Package with an Additional Solder Standoff

Номер патента: US20100006623A1. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange,Jeffrey Gail Holloway. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620444B2. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor Package with Passive Electrical Component and Method for the Production Thereof

Номер патента: US20200035581A1. Автор: Juergen Hoegerl,Ordwin Haase,Tobias Kist. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Power semiconductor package having first and second lead frames

Номер патента: US20230361088A1. Автор: Thorsten Scharf,Ivan Nikitin,Andreas Grassmann,Waldemar Jakobi,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing semiconductor devices with a paddle and electrically conductive clip and corresponding semiconductor device

Номер патента: US12033926B2. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Package and Method for Fabricating a Semiconductor Package

Номер патента: US20210134708A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-05-06.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Power semiconductor packaging method and structure

Номер патента: CA2555394C. Автор: Robert John Wojnarowski,Richard Alfred Beaupre,Charles Steven Korman,Raymond Albert Fillion,Ahmed Elasser. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor Package and Method for Fabricating a Semiconductor Package

Номер патента: US20230290709A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Power semiconductor module with vibration dampeners and power electronics system including the power semiconductor module

Номер патента: US20240266300A1. Автор: Michael Niendorf,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Ball grid array semiconductor package with exposed base layer

Номер патента: US20020046854A1. Автор: Chien Ping Huang,Randy H. Y. Lo. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US09474191B2. Автор: Masato Higuma,Takahiro Shimura,Hideto Yoshinari,Toshifumi Sagawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Double-sided coolable semiconductor package

Номер патента: US20220319948A1. Автор: Juergen Hoegerl,Ordwin Haase,Tobias Kist. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-10-06.

Double Sided Semiconductor Package

Номер патента: US20210134697A1. Автор: Juergen Hoegerl,Ordwin Haase,Tobias Kist. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-06.

Low profile leaded semiconductor package

Номер патента: US09793197B2. Автор: Richard K Williams. Владелец: Adventive IP Bank SARL. Дата публикации: 2017-10-17.

Low profile leaded semiconductor package

Номер патента: US09576884B2. Автор: Richard K Williams. Владелец: Adventive IP Bank SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Dual-side exposed semiconductor package with ultra-thin die and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437528B1. Автор: Jun Lu,Yuping Gong,Yan Yun Xue,Xiaoming Sui. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Direct bonded copper semiconductor packages and related methods

Номер патента: US10546798B2. Автор: Erik Nino Tolentino,Azhar Aripin,Vernal Raja Manikam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-01-28.

Direct bonded copper semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20170221792A1. Автор: Erik Nino Tolentino,Vemal Raja Manikam,Azhair ARIPIN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Direct bonded copper semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20160225693A1. Автор: Erik Nino Tolentino,Vemal Raja Manikam,Azhar Aripin. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-04.

Direct bonded copper semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20180261525A1. Автор: Erik Nino Tolentino,Vemal Raja Manikam,Azhar Aripin. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Molded package with press-fit conductive pins

Номер патента: US20240071892A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Woochan Kim,Vivek Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US09735129B2. Автор: Jie Chen,Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor Package Having a Solderable Contact Pad Formed by a Load Terminal Bond Pad of a Power Semiconductor Die and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20210233837A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Power semiconductor module

Номер патента: US20170271275A1. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US12094797B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor module

Номер патента: US09881879B2. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors

Номер патента: US09818676B2. Автор: Saravuth Sirinorakul,Somchai Nondhasitthichai. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

All-in-one power semiconductor module

Номер патента: US09455207B2. Автор: Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Si Joong Yang,Bum Seok SUH,Job Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US12062599B2. Автор: Tatsuro Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package having overlapping electrically conductive regions and method for producing the same

Номер патента: US20200035580A1. Автор: Juergen Hoegerl,Ordwin Haase,Tobias Kist. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Dual-side cooled embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20230402342A1. Автор: Di Chen,Juncheng LU,Ahmad Mizan,Ruoyu Hou,Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Embedded package with delamination mitigation

Номер патента: EP4152365A3. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520346B2. Автор: Jae Hyun Ko. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Power semiconductor module for PCB embedding, power electronic assembly having a power module embedded in a PCB, and corresponding methods of production

Номер патента: US11699640B2. Автор: Chee Voon Tan,Frank Daeche,Thomas Stoek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as a semiconductor package assembly obtained with this method

Номер патента: US20240332144A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package with printed sensor

Номер патента: US09646906B2. Автор: Paul Emerson,Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Steven Alfred Kummerl,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20210134606A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as a semiconductor package assembly obtained with this method

Номер патента: EP4439658A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2894952A1. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-07-15.

Power semiconductor device and power semiconductor core module

Номер патента: US20180331077A1. Автор: Seiji Oka,Yoshihiro Yamaguchi,Tetsuo Motomiya,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor package having wettable lead flank and method of making the same

Номер патента: US11581195B2. Автор: FENG Ye,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Lei Fukuda,Adrian Chee Heong Koh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US10269609B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-04-23.

Package with interlocking leads and manufacturing the same

Номер патента: US20190067212A1. Автор: Aaron Cadag.,Lester Joseph Belalo.,Ela Mia Cadag.. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2019-02-28.

Stacked assembly of semiconductor packages with fastening lead-cut ends of leadframe

Номер патента: US20090127678A1. Автор: Wen-Jeng Fan. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20240355638A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor packages and related methods

Номер патента: US12062549B2. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09922843B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09917038B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US09892952B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09805955B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Universal surface-mount semiconductor package

Номер патента: US09576932B2. Автор: Richard K. Williams,Keng Hung Lin. Владелец: Adventive IP Bank SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Spring electrode for press-pack power semiconductor module

Номер патента: US20200152595A1. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package

Номер патента: EP4451315A1. Автор: Thomas Spann,Elaheh Arjmand. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package

Номер патента: US20240355718A1. Автор: Thomas Spann,Elaheh Arjmand. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282665A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor package with Pillar-Top-Interconnection (PTI) configuration and its MIS fabricating method

Номер патента: US09825005B2. Автор: Hung-Hsin Hsu,Yun-Hsin Yeh. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US09543170B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor packages with interposers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09508688B2. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Power semiconductor module having a two-part housing

Номер патента: US09735086B2. Автор: Jens Krugmann,Christoph Messelke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Power semiconductor device including press-fit connection terminal

Номер патента: US11742251B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Minoru EGUSA,Nobuhiro Asaji,Kazunari Teshigawara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Power semiconductor module

Номер патента: US20130069108A1. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Dong Soo Seo,Young Hoon Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor packaging structure and method

Номер патента: US09799631B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor packaging structure and method

Номер патента: US09583464B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor packaging structure and method

Номер патента: US09412689B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of forming semiconductor packages

Номер патента: US20240203971A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Kuei-Wei Huang,Wei-Yu Chen,Hao-Jan Pei,Chia-Shen Cheng,Philip Yu-Shuan Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing semiconductor package using sacrificial layer and semiconductor package manufactured by using thereof

Номер патента: US20240096820A1. Автор: Young Lyong Kim,Hyun Soo Chung,In Hyo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240203925A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4428914A1. Автор: Christoph Bayer,Matthias Burger,Ulrich Nolten,Mark Essert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Contact Element, Power Semiconductor Module with a Contact Element and Method for Producing a Contact Element

Номер патента: US20200136332A1. Автор: Juergen Esch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods of manufacturing semiconductor package and package-on-package

Номер патента: US20210242190A1. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Sangsoo Kim,Yongkwan LEE,Junyoung Oh,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12113049B2. Автор: Chulwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09786644B2. Автор: Hongbin Shi,Kang Joon LEE,Hojeong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Contact device for use in a power semiconductor module or in a disc-type thyristor

Номер патента: US7705442B2. Автор: André Schlötterer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-04-27.

Securing power semiconductor components to curved surfaces

Номер патента: US20220359342A1. Автор: Stefan Stegmeier,Claus Müller,Oliver Raab,Uwe Waltrich,Markus Lasch. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US20240153844A1. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-05-09.

Module having a moulded plastic body and a multiplicity of load terminal elements and power semiconductor device therewith

Номер патента: US11837525B1. Автор: Rainer Popp,Marco Lederer,Harald Kobolla. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor package with improved space utilization and method for making the same

Номер патента: US20240290671A1. Автор: HunTeak Lee,Gwang Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package including an embedded surface mount device and method of forming the same

Номер патента: US09461020B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Ming-Yen Chiu,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: US20230369166A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor package with stiffener basket portion

Номер патента: US20240071948A1. Автор: Eng Huat Goh,Jiun Hann Sir,Poh Boon Khoo,Chan Kim Lee,Nurul Khalidah YUSOP,Saw Beng TEOH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4280269A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-22.

IGBT power semiconductor package having an electrically conductive clip

Номер патента: EP2498289A3. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2017-08-16.

IGBT Power Semiconductor Package Having a Conductive Clip

Номер патента: US20120223415A1. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-09-06.

Interconnect loss of high density package with magnetic material

Номер патента: US12009320B2. Автор: Gang Duan,Kemal Aygun,JiWei Sun,Zhiguo Qian,Cemil Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US09433075B2. Автор: Yutaka Yoneda,Masafumi Sugawara,Junji Fujino,Yoshitaka Onishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor package with heat sink

Номер патента: US20050280132A1. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Chang-Fu Lin,Chien Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

External contact element for a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US11810889B2. Автор: Christoph Koch,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor package

Номер патента: US12033948B2. Автор: Young Lyong Kim,Inhyo HWANG,Hyunsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Packaging substrate, semiconductor package and electronic device

Номер патента: EP4432350A1. Автор: Zhenhua Yuan,Xusheng LIU,Xiping Peng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor packaging method and semiconductor packaging structure

Номер патента: US20230170318A1. Автор: Xufeng Tu,Yan Huo. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor packaging

Номер патента: US20230420438A1. Автор: Jun He,Ming-Feng Wu,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor module and composite module

Номер патента: US09761567B2. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor package with three-dimensional antenna

Номер патента: US09881882B2. Автор: Sheng-Mou Lin,Chih-Chun Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked semiconductor packages with cantilever pads

Номер патента: US09768126B2. Автор: Godfrey Dimayuga,Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor package with substrate cavity

Номер патента: US20240047328A1. Автор: Yongseong KIM,Jiyeon HAN,Jinduck Park,Chansik Kwon,Inwook IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor packages with electromagnetic interference shielding

Номер патента: US20190051614A1. Автор: Roel Adeva ROBLES,Dzafir Bin Mohd SHARIFF,Antonio Bambalan DIMAANO JR.,Seung Guen PARK. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor package having an electrically insulating core with exposed glass fibres

Номер патента: US20240332099A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho,Tomasz Naeve. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240355753A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dieter Jelinek,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor package

Номер патента: EP4315420A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-02-07.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor package

Номер патента: EP4315410A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dr. Dieter JELINEK,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-02-07.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Power semiconductor package signal connection component and semiconductor module

Номер патента: US20240274515A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Ching-Wen Liu,Ting-Ling Chen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrical arrangement including an insulating underfill region with a high fill factor

Номер патента: US12057784B2. Автор: Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2024-08-06.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240178108A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3616476A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-03-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US20200112111A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor package with integrated output inductor on a printed circuit board

Номер патента: US09911679B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor package with integrated output inductor on a printed circuit board

Номер патента: US09565768B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Power semiconductor module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395464A1. Автор: Zhen Lv,Ruoyang Du. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Power semiconductor module and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280270A1. Автор: Zhen Lv,Ruoyang Du. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Power semiconductor package

Номер патента: GB2616837A. Автор: Li Yun,Li Jianfeng,Yan Jiayi,Ma Yaqing,Du Yuekang,Castillo Arcillas Joseph. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor packages with embedded interconnects

Номер патента: US11942406B2. Автор: Kyu Oh Lee,Dilan Seneviratne,Ravindranadh T Eluri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor packages with embedded interconnects

Номер патента: EP3688798A1. Автор: Kyu Oh Lee,Dilan Seneviratne,Ravindranadh T. Eluri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Free configurable power semiconductor module

Номер патента: EP4097761A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US20160120038A1. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-28.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor package with electromagnetic interference shielding

Номер патента: US20220352087A1. Автор: Jie Chen,Liang Wan,Yiqi Tang,Rajen Murugan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Power semiconductor module and power conversion device using the same

Номер патента: US20240297592A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US09883596B2. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20240162048A1. Автор: Guido Strotmann,Florian Dreps,Lukas Meis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4372788A1. Автор: Guido Strotmann,Florian Dreps,Lukas Meis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor Package Having an Electrically Insulating Core with Exposed Glass Fibres

Номер патента: US20230077139A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho,Tomasz Naeve. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor package having an electrically insulating core with exposed glass fibres

Номер патента: US12014964B2. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho,Tomasz Naeve. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Connection components for connecting a semiconductor package with a bottom stiffener to a printed circuit board

Номер патента: EP4415486A1. Автор: Omar Ahmed,Chang-Hong Wu,Boris Reynov,Muhammad Sagarwala,Peng Su,Gautam Ganguly,Matthew TWAROG,David K. Owen,Attila I. Aranyosi,Valery Kugel,Aliaskar Hassanzadeh,Leif Hutchinson. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Connection components for connecting a semiconductor package with a bottom stiffener to a printed circuit board

Номер патента: US20240266301A1. Автор: Omar Ahmed,Chang-Hong Wu,Boris Reynov,Muhammad Sagarwala,Peng Su,Gautam Ganguly,Matthew TWAROG,David K. Owen,Attila I. Aranyosi,Valery Kugel,Aliaskar Hassanzadeh,Leif Hutchinson. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor package with elastic coupler and related methods

Номер патента: US09431311B1. Автор: Francis J. Carney,Yusheng Lin,Chee Hiong Chew. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor package with protective mold

Номер патента: US12040337B2. Автор: Sun Jae Kim,Sun Kyoung Seo,Yong Hoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2600399A3. Автор: Yasuhiro Nemoto,Hisashi Tanie,Keisuke Horiuchi,Yu Harubeppu,Takayuki Kushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Power semiconductor module with rivet or press fit pin and method for fabricating the same

Номер патента: US20230054812A1. Автор: Tao Hong,Matthias Rose,Adrian Lis,Ajay Poonjal Pai,Oliver Markus Kreiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor package with elastic coupler and related methods

Номер патента: US09691732B2. Автор: Francis J. Carney,Yusheng Lin,Chee Hiong Chew. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20200098662A1. Автор: Reinhold Bayerer,Frank Sauerland. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

Power semiconductor module and power module

Номер патента: US09591789B2. Автор: Toshiaki Ishii,Masahiko Asano,Kinya Nakatsu,Eiichi Ide,Toshiya Satoh,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa,Eiji Nishioka. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor package with multiple redistribution substrates

Номер патента: US12015018B2. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Jaegwon JANG,Hyeonjeong Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US12041755B2. Автор: Ulrich Michael Georg Schwarzer,Andre Arens,Michael EBLI,Alexander Herbrandt,Regina Nottelmann,Alparslan Takkac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20230197468A1. Автор: Jürgen Steger,Stefan Oehling. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20220301998A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-22.

Power semiconductor substrates with metal contact layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768036B2. Автор: Christian Göbl,Heiko Braml. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor package device with dedicated heat-dissipation feature and method of manufacturing semiconductor package device

Номер патента: US11972998B2. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Power semiconductor module, electronic device, and method for controlling power semiconductor module

Номер патента: US10756011B2. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150255442A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Power Semiconductor Device and Package

Номер патента: US20190311967A1. Автор: Sabin Lupan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-10.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4068390A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Power module with a ceramic circuit carrier, a flexible circuit board and a temperature sensor

Номер патента: US20240164014A1. Автор: Tatiana Barsukova,Tobias Zahn,Sebastian Strache,Christoph Friederich,Frank Zander,Dominik Ruoff. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240222240A1. Автор: Yoon Ju Kim,Yu Cheol PARK,Jeong Kwang SEO,Chan Yang CHOE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Package lid with a vapor chamber base having an angled portion and methods for forming the same

Номер патента: US20240274504A1. Автор: Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Yu-Chih Lai,Kathy Wei Yan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US09899328B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor module comprising module-internal load and auxiliary connection devices of low-inductance configuration

Номер патента: US09591755B2. Автор: Eduard Faller,Matthias Spang,Lars Reuβer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20210233823A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho,Tomasz Naeve. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor package with integrated output inductor on a printed circuit board

Номер патента: US20170148705A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies Americas Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Electrical arrangement including an insulating underfill region with a high fill factor

Номер патента: US20230387822A1. Автор: Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2023-11-30.

Cavity wall structure for semiconductor packaging

Номер патента: US20200321273A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Hua Hong Tan,Kriangsak Sae LE,Paweena PHATTO,Wilson Poh Leng ONG,Somsak PHUKRONGHIN. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Power semiconductor modules and method for their assembling

Номер патента: EP4287252A1. Автор: Ke Jiang,Qiuxiao Qian,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Power Semiconductor Arrangement Having a Plurality of Power Semiconductor Switching Elements and Reduced Inductance Asymmetry

Номер патента: US20170141089A1. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-18.

Power semiconductor arrangement having a plurality of power semiconductor switching elements and reduced inductance asymmetry

Номер патента: US10032755B2. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-24.

Power Semiconductor Module Arrangement and Housing for a Power Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200091023A1. Автор: Regina Nottelmann,Mark Schnietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-19.

Power semiconductor module having a DC voltage connecting device

Номер патента: US12062601B2. Автор: Jürgen Steger,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US09941255B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor package

Номер патента: US09659852B2. Автор: Yoonha JUNG,Heeseok Lee,Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,Yonghoon Kim,HyunJong MOON,Tai-Hyun Eum,Tongsuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Ceramic semiconductor package seal rings

Номер патента: US20220384369A1. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Ceramic semiconductor package seal rings

Номер патента: US20230197642A1. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Ceramic semiconductor package seal rings

Номер патента: US11881460B2. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor packages and associated methods with solder mask opening(s) for in-package ground and conformal coating contact

Номер патента: US20240145405A1. Автор: Avishesh Dhakal,Gary A. Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220013499A1. Автор: Jin Kyoung PARK,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor package assembly with through silicon via interconnect

Номер патента: US09947624B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Kuei-ti Chan,Ruey-Beei Wu,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung,Kai-Bin WU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor package, module substrate and semiconductor package module having the same

Номер патента: US09570383B2. Автор: Yong-Hoon Kim,Seong-Ho Shin,Jin-Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US11887903B2. Автор: Tomonori Tagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US20220320271A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Power electronic switching device with a three-dimensionally preformed insulation molding and a method for its manufacture

Номер патента: US20220068768A1. Автор: Michael Schatz. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-03-03.

Power electronic switching device with a three-dimensionally preformed insulation molding and a method for its manufacture

Номер патента: US11581245B2. Автор: Michael Schatz. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-14.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US11978767B2. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Power semiconductor module

Номер патента: US20160307817A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor package

Номер патента: US20220037295A1. Автор: Hyunsoo Chung,Myungkee CHUNG,Taewon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Power semiconductor module arrangement and methods for producing a semiconductor arrangement

Номер патента: EP4227986A1. Автор: Marco Ludwig,Andre Arens,Guido Boenig,Matthias Lassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-16.

Multi terminal capacitor within input output path of semiconductor package interconnect

Номер патента: US20180053717A1. Автор: Charles L. Arvin,Jean Audet,Charles L. REYNOLDS,Brian R. Sundlof,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Multi terminal capacitor within input output path of semiconductor package interconnect

Номер патента: US09899313B2. Автор: Charles L. Arvin,Jean Audet,Charles L. REYNOLDS,Brian R. Sundlof,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor modules and semiconductor packages

Номер патента: US09883593B2. Автор: KyongSoon Cho,Yungcheol KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor package having a source-down configured transistor die and a drain-down configured transistor die

Номер патента: US09881853B2. Автор: Dirk Ahlers,Markus Dinkel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US9646927B2. Автор: Keita Takahashi,Mamoru Kamikura,Nobuyuki HARUNA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Power semiconductor module with accessible metal clips

Номер патента: EP3909073A1. Автор: Niko PAVLICEK,Gerd Schlottig,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Arne SCHROEDER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-11-17.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: EP4358135A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20170316992A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Power semiconductor module and electronic device

Номер патента: US20190148281A1. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240369765A1. Автор: Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

A package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: EP4258347A2. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: US20230326907A1. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

A package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: EP4258347A3. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Cooling of power semiconductors

Номер патента: US12107032B2. Автор: Francesco Agostini,Colin Tschida,Hongrae Kim,Luca Raciti,Pietro CAIROLI,Davide LEONI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-01.

3d semiconductor package with die-mounted voltage regulator

Номер патента: EP4454014A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor package with cantilever pads

Номер патента: US09899236B2. Автор: Godfrey Dimayuga,Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating semiconductor package with stator set formed by circuits

Номер патента: US09679826B2. Автор: Chien-Ping Huang. Владелец: Amtek Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Bumpless build-up layer (BBUL) semiconductor package with ultra-thin dielectric layer

Номер патента: US09520350B2. Автор: Ebrahim Andideh,Digvijay A. Raorane,Daniel N. Sobieski,Weng Hong Teh,Emile Davies-venn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor packages with metal posts, memory cards including the same, and electronic systems including the same

Номер патента: US09437580B1. Автор: Ga Hyun NO,Chan Woo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor package with stator set formed by circuits

Номер патента: US09390959B2. Автор: Chien-Ping Huang. Владелец: Amtek Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Power semiconductor module having protrusions as fixing structures

Номер патента: US20220415730A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Peter Bayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Power semiconductor module

Номер патента: US7928587B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sasaki,Hirokazu Inoue,Akihiro Tamba,Shinji Hiramitsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Power semiconductor module with overcurrent protective device

Номер патента: US20070085181A1. Автор: Dejan Schreiber,Christian Kroneder,Uwe Scheuermann. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-04-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190267331A1. Автор: Hiroyuki Harada,Koji Yamada,Kozo Harada,Takashi Nishimura,Yasumichi Hatanaka,Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Power Semiconductor Module Comprising a First and a Second Compartment and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240071853A1. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Martin Goldammer,Guido Bönig,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor package and applications

Номер патента: US20170257037A1. Автор: Harald Huber,Michael Lenz,Herbert Gietler,Juergen Kositza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-07.

Power semiconductor module, system including a power semiconductor module and a cooler and method for fabricating a system

Номер патента: US20230317560A1. Автор: Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Power Semiconductor Module and Method of Forming the Same

Номер патента: US20220254654A1. Автор: Thomas Gradinger,Juergen Schuderer,Daniele Torresin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor module and method of forming the same

Номер патента: EP3824494A1. Автор: Thomas Gradinger,Juergen Schuderer,Daniele Torresin. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-05-26.

Semiconductor package including bumps with a plurality of separation distances

Номер патента: US20240128221A1. Автор: Minsoo Kim,Sangsick Park,Soyoun LEE,Seongyo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor package with improved solder joint reliability

Номер патента: US20050127487A1. Автор: Tae-Sub Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140042608A1. Автор: Kyung-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Switching oscillation reduction for power semiconductor device modules

Номер патента: US20240237216A9. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Roveendra Paul,Rajani Kumar THIRUKOLURI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Switching oscillation reduction for power semiconductor device modules

Номер патента: US20240138069A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Roveendra Paul,Rajani Kumar THIRUKOLURI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Current sharing mismatch and switching oscillation reduction in power semiconductor device modules

Номер патента: WO2024086851A2. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Roveendra Paul,Rajani Kumar THIRUKOLURI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US09887142B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Current sharing mismatch and switching oscillation reduction in power semiconductor device modules

Номер патента: WO2024086851A3. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Roveendra Paul,Rajani Kumar THIRUKOLURI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US09640453B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method

Номер патента: US20230317684A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Robert Gade. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package with a lead, package-on-package device including the same, and mobile device including the same

Номер патента: US09543275B2. Автор: Jong-oh Kwon,Yun-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Power semiconductor module

Номер патента: US09443818B2. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Chang Seob Hong,Joon Seok CHAE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Power Semiconductor Module, Method for Producing a Power Semiconductor Module and a Housing Element for a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20120025393A1. Автор: Peter Kanschat,Thilo Stolze,Olaf Kirsch,Andre Roehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Power semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: EP4205171A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Robert Gade. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-05.

Power semiconductor module

Номер патента: US20020153532A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Ryuichi Saito,Kazuji Yamada,Masataka Sasaki,Yukio Sonobe,Shigeki Sekine,Tatsuya Shigemura,Akihiro Tamba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Electrical contact arrangement, power semiconductor module, method for manufacturing an electrical contact arrangement and method for manufacturing a power semiconductor module

Номер патента: US20230343715A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Joonas PUUKKO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module comprising at least one power semiconductor element

Номер патента: US20230352362A1. Автор: Claus Florian Wagner,Michael Woiton,Christian Radüge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method of Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170162472A1. Автор: Shinichi Fujino,Yusuke Takagi,Akira Matsushita,Takashi Kume,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Power Semiconductor Module System with Undercut Connection

Номер патента: US20130221513A1. Автор: Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-29.

High-power semiconductor module

Номер патента: US09490621B2. Автор: Thomas Setz,Tobias WIKSTRÖM. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Power Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240274489A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4006970A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor module with partially coated power terminals and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10283447B1. Автор: Reinhold Spanke,Thomas Nuebel,Torsten Groening. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-07.

Power semiconductor module and composite module having peripheral structures surrounding parts of the module main body

Номер патента: US11824048B2. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods of forming semiconductor packages with an intermetallic layer comprising tin and at least one of silver, copper or nickel

Номер патента: US09564409B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and apparatus for a semiconductor package for vertical surface mounting

Номер патента: US20010017407A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor package with solderable sidewall

Номер патента: US20230395465A1. Автор: Chien-chun Wang,Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li,Wei-Ming Hung,Jeng-Sian Wu. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Power semiconductor package

Номер патента: CA2018808C. Автор: Earl M. Estes, Jr.. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-05-11.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240339374A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US12046529B2. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels

Номер патента: US09929066B1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066163A1. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11075142B2. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US11804785B2. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-31.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US20210336553A1. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Jet impingement cooling for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240312873A1. Автор: Jesse Emmett GALLOWAY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor package with lid having lid conductive structure

Номер патента: US09799637B2. Автор: Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Brian P. Balut,Jonathan Fain. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Power semiconductor module

Номер патента: US20070158859A1. Автор: Martin Hierholzer. Владелец: Martin Hierholzer. Дата публикации: 2007-07-12.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A3. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor package and electronic array having improved heat dissipation

Номер патента: US4292647A. Автор: James C. K. Lee. Владелец: Amdahl Corp. Дата публикации: 1981-09-29.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243031A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Power Semiconductor Module System and Method for Producing the Power Semiconductor Module System

Номер патента: US20230274990A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Power converter package with shielding against common mode conducted emissions

Номер патента: WO2023222220A1. Автор: Gilberto Curatola,Andreas Munding,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

A pin for semiconductor packaging

Номер патента: WO2024132158A1. Автор: Yangang WANG,Kongjing LI. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

A design for enhancing the long term reliability of a large joining area in a power semiconductor module

Номер патента: WO2024132156A1. Автор: Wenbo Wang,Yangang WANG,Anne Dolores HARRIS. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Power semiconductor module

Номер патента: RU2314597C2. Автор: Стефан КАУФМАНН,Джером АССАЛ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2008-01-10.

Power semiconductor module

Номер патента: US20110062491A1. Автор: Shuhei Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: US20080266812A1. Автор: Jürgen Steger,Frank Ebersberger. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-30.

Surface mount package with heat transfer feature

Номер патента: WO1997044825A1. Автор: Christopher D. Weingand. Владелец: The Whitaker Corporation. Дата публикации: 1997-11-27.

Power semiconductor module, power converting apparatus and railway car

Номер патента: US09520802B2. Автор: Yasushi Nakayama,Takeshi Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Bidirectional power semiconductor switch

Номер патента: WO2023198313A1. Автор: Kenan Askan. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-10-19.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: US11984433B2. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Power semiconductor module

Номер патента: EP1861878A2. Автор: Norifumi Furuta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

Method of manufacturing a terminal of a power semiconductor component and electronic component with a terminal manufactured in this manner

Номер патента: EP1988569A2. Автор: Rainer Kreutzer,Martin Birner,Heinz Dr. Wöllmer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-11-05.

Area array packages with overmolded pin-fin heat sinks

Номер патента: WO2005072248A2. Автор: Mysore P. Divakar,Thomas H. Templeton, Jr.. Владелец: Power-One Limited. Дата публикации: 2005-08-11.

Area array packages with overmolded pin-fin heat sinks

Номер патента: WO2005072248A3. Автор: Mysore P Divakar,Thomas H Templeton Jr. Владелец: Thomas H Templeton Jr. Дата публикации: 2005-11-17.

Power semiconductor module and electric drive with a power semiconductor module

Номер патента: DE102013213348B4. Автор: Michael Leipenat,Sandro Beyer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-07-04.

Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module

Номер патента: US20220020651A1. Автор: Haruhiko Ito,Yuhji Umeda,Yoshio Tsukiyama. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for fabricating a power semiconductor module comprising an encapsulation material with a high thermostability and power semiconductor module

Номер патента: EP4270453A1. Автор: Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor package having integral fluid cooling

Номер патента: EP1622199A3. Автор: Bruce A. Myers,Erich W. Gerbsch,Darrel E. Peugh,Lester Wilkinson. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Arrangement of a power semiconductor module and a cooler

Номер патента: US12068174B2. Автор: Thomas Gradinger,Bruno Agostini,Juergen Schuderer,Daniele Torresin,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus with direct cooling pathway for cooling both sides of power semiconductor

Номер патента: US09907216B2. Автор: Young Seop PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power electronics system with a switching device and a liquid cooling device

Номер патента: US11776878B2. Автор: Marco Lederer,Christian Zeiler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-03.

Power semiconductor module for a motor vehicle and motor vehicle

Номер патента: US20180331017A1. Автор: Roman Strasser. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor packages including molded stacked die with terrace-like edges

Номер патента: US09773756B2. Автор: Jong Won Kim,Wan Choon PARK,Jong Kyu MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Power semiconductor component

Номер патента: US20240096746A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

A thermal management device for power semiconductor packaging

Номер патента: WO2024132171A1. Автор: Yangang WANG,Kongjing LI. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package with gas release holes

Номер патента: US20230307302A1. Автор: David Gani,Hui-Tzu Wang. Владелец: STMicroelectronics Ltd Hong Kong. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for a semiconductor package for vertical surface mounting

Номер патента: US20030082856A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Apparatus and method of manufacturing semiconductor package module

Номер патента: US09673066B2. Автор: Seung Wook Park,Tae Sung Jeong,No Il PARK,Eung Suek Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package with capacitance die

Номер патента: US12132028B2. Автор: Thomas A. Volpe,Bassam ABDEL-DAYEM. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package with capacitance die

Номер патента: EP4423809A1. Автор: Thomas A. Volpe,Bassam ABDEL-DAYEM. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and Apparatus for Stacked Die Package with Insulated Wire Bonds

Номер патента: US20100176501A1. Автор: James Zaccardi. Владелец: White Electronic Designs Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method and apparatus for stacked die package with insulated wire bonds

Номер патента: US20100117243A1. Автор: James Zaccardi. Владелец: White Electronic Designs Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module

Номер патента: US8228113B2. Автор: Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor device with a partial shielding layer and a method for making the same

Номер патента: US20240355643A1. Автор: Seunghyun Lee,Seonghwan Park,Bom Lee,InHo Seo. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2656302C1. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2018-06-04.

Power Semiconductor Module with Control Functionality and Integrated Transformer

Номер патента: US20100127379A1. Автор: Thomas Stockmeier,Peter Beckedahl,Reinhard Herzer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-05-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US09559024B2. Автор: Harald Beyer. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148678B2. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2677253C2. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2019-01-16.

Modular multiple converter provided with reverse-conducting power semiconductor relays

Номер патента: RU2587683C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-06-20.

Semiconductor package with stiffener structure and method forming the same

Номер патента: US12125757B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Chien-Chia Chiu,Wensen Hung,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Power converter with at least two power semiconductor modules

Номер патента: US20240088110A1. Автор: Jens Schmenger,Philipp Kneißl,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor module

Номер патента: US09666395B2. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160172134A1. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package with a heat dissipation member

Номер патента: US20240170366A1. Автор: Taehwan Kim,Jonggyu Lee,Jaechoon Kim,Seokkan Ki,Youngsuk Nam. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-23.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A3. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-25.

Nickel Alloy for Semiconductor Packaging

Номер патента: US20190259717A1. Автор: Nazila Dadvand,Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package with embedded components and method of making the same

Номер патента: US09601435B2. Автор: Chin-Kwan Kim,Rajneesh Kumar,Omar James Bchir,David Fraser Rae,Milind Pravin Shah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Reliable semiconductor packages

Номер патента: US20220093664A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Fabrication method for ball grid array semiconductor package

Номер патента: US20040058471A1. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: EP4432799A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: US20240314979A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Power semiconductor module comprising a case, base plate, and spacer

Номер патента: US09653369B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor package alignment frame for local reflow

Номер патента: US09991223B2. Автор: Thomas A. Boyd,Michael S. BRAZEL,Harvey R. Kofstad,Russell S. Aoki,Anthony P. Valpiani,Daniel P. Carter,Shelby A. Ferguson,Rashelle YEE,Joseph J. JASNIEWSKI,Michael R. Hui,Jonathon R. Carstens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor package with coated side walls and method of manufacture

Номер патента: US09437514B2. Автор: Werner Hunziker. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Embedded Package with Shielding Pad

Номер патента: US20240312799A1. Автор: Angela Kessler,Martin Benisek,Emanuele Bodano,Kushal Kshirsagar,Robert Fehler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US09607924B2. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230078564A1. Автор: HUNG-YI LIN,Yu-Pin Tsai,Cheng-Yuan KUNG,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Universal multi-functional common conductive shield structure for electrical circuitry and energy conditioning

Номер патента: EP1222725A1. Автор: Anthony A. Anthony,William M. Anthony. Владелец: X2Y Attenuators LLC. Дата публикации: 2002-07-17.

Universal multi-functional common conductive shield structure for electrical circuitry and energy conditioning

Номер патента: EP1222725A4. Автор: Anthony A Anthony,William M Anthony. Владелец: X2Y Attenuators LLC. Дата публикации: 2004-07-21.

Semiconductor package with through silicon via interconnect

Номер патента: US09870980B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Power Semiconductor Module With Interconnected Package Portions

Номер патента: US20110175214A1. Автор: Thilo Stolze,Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Hydrophobic barriers to control flow of adhesive in a semiconductor package

Номер патента: EP4020529A1. Автор: Jingyi Huang,Bassam ZIADEH,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Joseph VAN NAUSDLE,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Power Semiconductor Modules with Protective Coating

Номер патента: US20180174936A1. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3097585A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Power semiconductor cooling system

Номер патента: US20220087055A1. Автор: Christopher Alan Belcastro,Thomas Kendzia, III,Taylor Miller. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Vertical power semiconductor device comprising source or emitter pad

Номер патента: US20240347456A1. Автор: Carsten Schaeffer,Ravi Keshav Joshi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device including a cooling material

Номер патента: US09793255B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Joachim Mahler,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor device with free-floating packaging concept

Номер патента: US12094791B2. Автор: Jan Vobecky,David GUILLON,Tobias Wikstroem,Jagoda Dobrzynska. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor packaged device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024011439A1. Автор: Lei Zhang,Bangxing CHEN. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Hybrid short circuit failure mode preform for power semiconductor devices

Номер патента: EP3891790A1. Автор: Slavo Kicin,Didier Cottet. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-13.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20180254233A1. Автор: Lise Donzel,Juergen Schuderer,Jan Vobecky,Jagoda Dobrzynska. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-09-06.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Dual side direct cooling semiconductor package

Номер патента: US20230019930A1. Автор: Michael J. Seddon,Inpil Yoo,Jerome Teysseyre,Oseob Jeon,KeunHyuk Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: EP3807933A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11935841B2. Автор: HUNG-YI LIN,Yu-Pin Tsai,Cheng-Yuan KUNG,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220181268A1. Автор: HUNG-YI LIN,Yu-Pin Tsai,Cheng-Yuan KUNG,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20210343569A1. Автор: Seonho Lee,Yeonga KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170256607A1. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US20160329286A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-10.

Hermetic semiconductor packages

Номер патента: US20220037219A1. Автор: Eakkasit DUMSONG,Mike Jayson CANDELARIO,Phongsak Sawasdee,Jiraphat Charoenratpratoom,Paweena PHATTO,Maythichai SAITHONG. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for forming a shielding layer over a semiconductor package with reduced metal burrs

Номер патента: US20240347477A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor package embedded with a plurality of chips

Номер патента: US09966359B2. Автор: Sang Eun Lee,Yong Jae Park,Eun KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Field-effect-controllable semiconductor component with a plurality of temperature sensors

Номер патента: US5994752A. Автор: Rainald Sander,Alfons Graf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-30.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor package with thermal relaxation block and manufacturing method thereof

Номер патента: US11830866B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Shih-Wei Chen,Chih-Hua Chen,Hsin-Yu Pan,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Power Semiconductor Module with Two Opposite Half-Bridges

Номер патента: US20230282567A1. Автор: WEI Liu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor package with thermal relaxation block and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378151A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Shih-Wei Chen,Chih-Hua Chen,Hsin-Yu Pan,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Component for semiconductor package and manufacturing method of component for semiconductor package

Номер патента: US20090121341A1. Автор: Kiyoshi Oi,Teruaki Chino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Insulated power semiconductor module with reduced partial discharge and manufacturing method

Номер патента: WO2004088748A1. Автор: Helmut Keser,Wolfgang Knapp,Luc Meysenc,Amina Hamidi. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US11749533B2. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US20210327724A1. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09978658B2. Автор: Rui Huang,Antonio Jr. Bambalan Dimaano,Beng Yeung HO,Nathapong Suthiwongsunthorn,Hua Hong Tan,Kriangsak Sae LE,Roel Adeva ROBLES,Wedanni Linsangan MICLA,Nelson Agbisit DE VERA. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09508623B2. Автор: Rui Huang,Antonio Jr. Bambalan Dimaano,Beng Yeung HO,Nathapong Suthiwongsunthorn,Hua Hong Tan,Kriangsak Sae LE,Roel Adeva ROBLES,Wedanni Linsangan MICLA,Nelson Agbisit DE VERA. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US20160049354A1. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-02-18.

Power semiconductor module comprising a first and a second compartment and method for fabricating the same

Номер патента: EP4270454A3. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234354A1. Автор: Wei Yen,Ho-Ming Tong,Chao-Chun Lu. Владелец: Nd Hi Technologies Lab inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor Device and Method of Making a Semiconductor Package with Graphene for Die Attach

Номер патента: US20240194629A1. Автор: Heesoo Lee,Sujeong KWON,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package with exposed electrical contacts

Номер патента: EP4227992A2. Автор: Yong Chen,David Gani. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2007132683B1. Автор: Takeshi Kato,Kenji Okamoto,Kenichi Nonaka,Yoshimitsu Saito,Yoshihiko Higashidani,Kenji Oogushi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

3D Package with Chip-on-Reconstituted Wafer or Reconstituted Wafer-on-Reconstituted Wafer Bonding

Номер патента: US20240105704A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Kunzhong Hu,Chonghua ZHONG,Jiongxin Lu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Wafer-level chip-scale package including power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200144145A1. Автор: Myung Ho Park,Beom Su KIM,Sun Hwan Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09953964B2. Автор: Soonbum Kim,JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Interposer, semiconductor package with the same and method for preparing a semiconductor package with the same

Номер патента: US09761535B1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing stacked semiconductor package

Номер патента: US09673185B2. Автор: Young-ho JOUNG,Jong-Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor device with a double metal contact and related method

Номер патента: US09761550B2. Автор: Robert Montgomery,David Paul Jones,Hugo Burke,Susan Johns,Phillip Parsonage. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor die with improved thermal performance

Номер патента: WO2022271417A1. Автор: Ty Richard McNutt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor package with a die attach adhesive having silane functionality

Номер патента: EP1422279B1. Автор: Osama M. Musa. Владелец: National Starch and Chemical Investment Holding Corp. Дата публикации: 2007-04-04.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132148A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package with terminals adjacent sides and corners

Номер патента: US09542978B2. Автор: Jong-Won Lee,Jang-Mee Seo,In-won O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Power Semiconductor Module and Power Converter Using the Same

Номер патента: US20140118934A1. Автор: Tokihito Suwa,Ryuichi Saito,Takeshi Tokuyama,Kinya Nakatsu,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor module and power converter using the same

Номер патента: US09433134B2. Автор: Tokihito Suwa,Ryuichi Saito,Takeshi Tokuyama,Kinya Nakatsu,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: EP4107783A1. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-28.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234511A9. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device with current sense capability

Номер патента: WO2007005654A2. Автор: Vincent Thiery. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method of sensing current in a power semiconductor device

Номер патента: US09500678B2. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Power semiconductor device for preventing punchthrough and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060049465A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power Semiconductor Device Trench Having Field Plate and Gate Electrode

Номер патента: US20170301763A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130248925A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Power semiconductor element

Номер патента: US09406668B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Tatsuo Morita,Shuichi Nagai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Power electronics system having a differential hall sensor, method of fabricating the power electronics system, and method of operating a power semiconductor module of the power electronics system

Номер патента: US20240275268A1. Автор: Dietmar Spitzer,Tomas Reiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Power Semiconductor Device with Self-Aligned Source Region

Номер патента: US20200066870A1. Автор: Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US9661751B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Arrangement with a Power Semiconductor Module, Having a DC-Voltage Busbar and a Capacitor

Номер патента: US20160234926A1. Автор: Marco Lederer,Roland Bittner,Sven Teuber,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

GaN power semiconductor device integrated with self-feedback gate control structure

Номер патента: US12027516B1. Автор: SHENG Li,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Mengli LIU,Yanfeng Ma. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Current sensing in power semiconductor devices

Номер патента: GB2626077A. Автор: ARNOLD Martin,Ryan Paul,Udrea Florin,EFTHYMIOU Loizos,Wai Fung Sheung,Vishin Tara,William Findlay John. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Arrangement with a power semiconductor module, having a DC-voltage busbar and a capacitor

Номер патента: US09661740B2. Автор: Marco Lederer,Roland Bittner,Sven Teuber,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US09503073B2. Автор: Akihiro Nakahara,Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Lateral power semiconductor transistors

Номер патента: EP3017478A1. Автор: Vasantha Pathirana,Tanya Trajkovic,Nishad Udugampola. Владелец: CAMBRIDGE MICROELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Stacked high-blocking iii-v power semiconductor diode

Номер патента: US20200287059A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Integrated bidirectional ESD protection circuit for power semiconductor switching devices

Номер патента: US12107416B2. Автор: Ahmad Mizan,Edward MacRobbie. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09685879B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Gate-controlled p-i-n switch with a charge trapping material in the gate dielectric and a self-depleted channel

Номер патента: US09438227B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2016-09-06.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: WO2021198383A8. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Power Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20200068735A1. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4411829A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160499A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Heat sink, semiconductor package and semiconductor module

Номер патента: US12130096B2. Автор: Hoshiaki Terao,Kouichi Hashimoto,Raita Wada. Владелец: JFE Precision Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device

Номер патента: US09450019B2. Автор: Christoph Kadow,Marc Strasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

System and method for clamping press pack high power semiconductor

Номер патента: US20170112012A1. Автор: Al Powers. Владелец: Lwe Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20080246079A1. Автор: Hiroshi Ohta,Wataru Saito,Wataru Sekine,Syotaro Ono,Masakatsu Takashita,Masaru Izumisawa,Yauto Sumi,Shoichiro Kurushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback

Номер патента: EP3940956A1. Автор: Geraldo Nojima,Eddie Wilkie. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09979314B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature

Номер патента: US09640649B2. Автор: Robert Beach. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620631B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Hideaki Ninomiya,Tsuneo Ogura,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132152A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US20060049458A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US7268403B2. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US12027577B2. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-07-02.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US20220352304A1. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-11-03.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor module system having a high isolation strength and method for producing a power semiconductor module arrangement having a high isolation strength

Номер патента: US09622341B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

High-speed high-power semiconductor devices

Номер патента: US09543383B2. Автор: Yang Du,Vladimir Aparin,Robert P. Gilmore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Power semiconductor device with voltage clamp circuit

Номер патента: US20240178830A1. Автор: Kennith Kin Leong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Power semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090127616A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US12068412B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor transistor

Номер патента: US10665706B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-26.

Power semiconductor transistor having fully depleted channel region

Номер патента: US09859408B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Source-gate region architecture in a vertical power semiconductor device

Номер патента: US09837358B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024012648A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4327354A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: EP1647058A1. Автор: Raymond J. E. c/o Philips IP & Standards HUETING,Erwin A. c/o Philips IP & Standards HIJZEN,Michael A. c/o Philips IP & Standards IN'T ZANDT. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: WO2005006446A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-01-20.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: EP1647058B1. Автор: Raymond J. E. c/o Philips IP & Standards HUETING,Erwin A. c/o Philips IP & Standards HIJZEN,Michael A. c/o Philips IP & Standards IN'T ZANDT. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-09-14.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2023001450A1. Автор: Marco Bellini,Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200194550A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Moriz Jelinek,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-18.

Power semiconductor device structure with vertical PNP transistor

Номер патента: US6518139B1. Автор: Natale Aiello,Salvatore Leonardi,Salvatore Scaccianoce,Davide Patti. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 2003-02-11.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4418325A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US09923052B2. Автор: Thomas Herman. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Inhomogeneous power semiconductor devices

Номер патента: US09614065B2. Автор: Tao Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Monolithically integrated temperature sensor for power semiconductor components

Номер патента: US5304837A. Автор: Christofer Hierold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-04-19.

Power Semiconductor Device Edge Structure

Номер патента: US20170005163A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US11855203B2. Автор: LIU Yuan,Bo Zhang,Ming Qiao,Zhao Wang,Wenliang LIU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-12-26.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132151A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022248126A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234416A9. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US10971591B2. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200066860A1. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20140145291A1. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Test apparatus for semiconductor package

Номер патента: US20210302468A1. Автор: Bo Hyun Kim,Chang Su Oh. Владелец: TSE Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240243123A1. Автор: Young Bae Kim,Hong Sik Shin. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282823A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20140264714A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Buffer chip, semiconductor package including buffer chip and memory chip, memory module, and operation method of semiconductor package

Номер патента: US20240249756A1. Автор: Kwan Dong KIM,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240266250A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Array with light-emitting power semiconductor component and corresponding production method

Номер патента: US6960033B1. Автор: Stefan Grötsch,Bruno Acklin,Werner Späth. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-01.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US12125767B2. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Package with side-radiating wave launcher and waveguide

Номер патента: US20200280121A1. Автор: Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Gilbert W. DEWEY,Hyung-Jin Lee,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Power semiconductor module and method for stabilizing thereof

Номер патента: US09748941B2. Автор: Minki Kim,Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Hyun Soo Lee,Dong Yun Jung,Hyun-Gyu JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-29.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09748409B2. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Power semiconductor devices having a semi-insulating field plate

Номер патента: US09647077B2. Автор: Iftikhar Ahmed,Chun-Wai Ng,Johnny Kin-On Sin. Владелец: Jsab Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor system for a current sensor in a power semiconductor

Номер патента: US09478613B2. Автор: Frank Wolter,Timm Hoehr,Thomas Jacke,Holger Ruething,Christian Pluntke,Guenther Koffler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US8258032B2. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Power Semiconductor Device and Method of Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200235235A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Structure and manufacturing method of power semiconductor with twin metal and ceramic plates

Номер патента: US20070096276A1. Автор: Wen-Ping Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285555A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Power Semiconductor Module with Asymmetrical Lead Spacing

Номер патента: US20150195928A1. Автор: Andreas Laschek-Enders,Olaf Zschieschang. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor-package measuring method, measuring socket, and semiconductor package

Номер патента: US20020048827A1. Автор: Akio Kotaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Trench gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09755043B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou,Shuk-Wa FUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Power semiconductor device and manufacturiing method

Номер патента: US20240379756A1. Автор: Chiara Corvasce,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US09577080B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US09502498B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Dong Soo Seo,Kyu Hyun Mo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Face-up substrate integration with solder ball connection in semiconductor package

Номер патента: US09468098B2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Power semiconductor device and method

Номер патента: US09431490B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Power Semiconductor Device with Embedded Field Electrodes

Номер патента: US20150279946A1. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Power Semiconductor Device and Method of Processing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200266269A1. Автор: Steffen Schmidt,Francisco Javier Santos Rodriguez,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Frank Umbach,Philip Christoph Brandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Power module for the operation of an electric vehicle drive with direct cooling of the power semiconductor

Номер патента: US20220254655A1. Автор: Stefan Hain,Ake Ewald. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343861A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343860A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power Semiconductor Element With Two-Stage Impurity Concentration Profile

Номер патента: US20120007223A1. Автор: Bernhard Koenig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-01-12.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047530A1. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136405A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Dielectric waveguide channel for interconnecting dies in a semiconductor package usable in a computing device and method of manufacture

Номер патента: US11715693B2. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120061721A1. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Power semiconductor having a lightly doped drift and buffer layer

Номер патента: US20090166727A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-07-02.

Methods and systems for controlling underfill bleed-out in semiconductor packaging

Номер патента: US20240321609A1. Автор: Bilal Khalaf. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor having a lightly doped drift and buffer layer

Номер патента: USRE47710E1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-11-05.

Methods and systems for controlling underfill bleed-out in semiconductor packaging

Номер патента: WO2024196710A1. Автор: Bilal Khalaf. Владелец: Sk Hynix Nand Product Solutions Corp.(Dba Solidigm). Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US12107120B2. Автор: Hyuk Woo,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma etch singulated semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09559007B1. Автор: Darrell Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US5237194A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230299137A1. Автор: Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Field termination structure for monolithically integrated power semiconductor devices

Номер патента: US20230387195A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch,Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220140135A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-05-05.

Power semiconductor device having elevated source regions and recessed body regions

Номер патента: US11888061B2. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-30.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Power semiconductor component for voltage limiting, arrangement having two power semiconductor components, and a method for voltage limiting

Номер патента: US11973147B2. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess,Juergen Schiele,Sebastian Paul Sommer. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-30.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Reliable semiconductor packages

Номер патента: US12100719B2. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus for manufacturing semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US09881814B2. Автор: Seungjin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US09786736B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Brazing material, brazing material paste, ceramic circuit substrate, ceramic master circuit substrate, and power semiconductor module

Номер патента: US09780011B2. Автор: Hisayuki Imamura,Junichi Watanabe,Suguru Fujita. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Package with SoC and integrated memory

Номер патента: US09595514B2. Автор: Jun Zhai,John Bruno,Timothy J. Millet. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Power Semiconductor Transistor

Номер патента: US20200098911A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Hans Peter Felsl,Volodymyr Komarnitskyy,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

TRENCH SiC POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230327014A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136402A1. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20240055495A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Andrei Amadeus MIHAILA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package with integrated optical diffuser and filter

Номер патента: US20220077364A1. Автор: Chun Yu KO,Tsu-Hsiu Wu,Wei-Tang CHU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Solid-state photodetector with a spectral response of the generated photocurrent is controlled by an applied bias voltage

Номер патента: US09671288B2. Автор: Michael J. Mcnutt. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20100038712A1. Автор: Hiroshi Ohta,Miho Watanabe,Wataru Saito,Wataru Sekine,Syotaro Ono,Yasuto Sumi,Masaru Izumisawa,Nana Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-18.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: WO2020256719A1. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Vertical power semiconductor device including a field stop region having a plurality of impurity peaks

Номер патента: US11742384B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Power converter submodule with a short-circuit device and power converter having same

Номер патента: CA2932530C. Автор: Joerg Janning,Martin Geske,Thomas Brueckner,Roland Jakob. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Capacitor for a power semiconductor module

Номер патента: US20020114127A1. Автор: Pieder Jörg,Beat Guggisberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor module device

Номер патента: US09832903B2. Автор: Tatsuya Karasawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Power semiconductor device

Номер патента: US12009810B2. Автор: Koji Yamamoto,Yukimasa Higashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High frequency filter having common coupling rods fixedly mounted and coupled through a common wall

Номер патента: CA2086293A1. Автор: William D. Blair,Salvatore Bentivenga. Владелец: Radio Frequency Systems Inc. Дата публикации: 1993-06-27.

Switching assembly with a first transistor and a second transistor receiving a common gate signal

Номер патента: US20240313760A1. Автор: Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Switching assembly with a first transistor and a second transistor receiving a common gate signal

Номер патента: EP4432563A1. Автор: Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Radio frequency front end architecture with a switch topology for routing filter circuits while substantially reducing variations in the reactive loading at common ports

Номер патента: US09705203B2. Автор: Nadim Khlat,Marcus Granger-Jones. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method And Apparatus For Monitoring The Condition Of A Power Semiconductor Module

Номер патента: US20240088782A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Arrangement For Monitoring the Condition of a Power Semiconductor Module of an Electric Drive Device

Номер патента: US20240280627A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Control circuit and control method for turning on a power semiconductor switch

Номер патента: US09787300B2. Автор: Matthias Johannes Siebler. Владелец: Power Integrations Switzerland GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Arrangement for monitoring the condition of a power semiconductor module of an electric drive device

Номер патента: EP4421504A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor element drive adjustment circuit, power module, and power conversion device

Номер патента: US20240275265A1. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for operating power semiconductors

Номер патента: US09748888B2. Автор: Harald Hofmann,Holger Hoffmann,Stefan Volkel,Michael Leipenat,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Temperature measurement of a power semiconductor switching element

Номер патента: US12139214B2. Автор: Balázs Vargha. Владелец: Thyssenkrupp AG. Дата публикации: 2024-11-12.

Power semiconductor module and leakage current test method for the same

Номер патента: US20210011090A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: US12058805B2. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-08-06.

Converter arrangement with a capacitor arrangement

Номер патента: US09980414B2. Автор: MATHIEU Hebert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-22.

Device and method of controlling power semiconductor switch

Номер патента: RU2633294C2. Автор: Марк-Маттиас БАКРАН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-10-11.

Electric motor with a power output stage and with efficient heat transport and method

Номер патента: US09455609B2. Автор: Thomas Hennecke,Sigmund Braun,Gerhard Braun,Michael Heim,Hans Irion,Frank Wehrmann,Georg Voegele,Johannes Hirschle,Alexander Fink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Balancing currents of power semiconductors

Номер патента: US09503077B2. Автор: Mika Niemi. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-11-22.

Cooperative control method for power semiconductor elements connected in parallel, current balance control device, and power module

Номер патента: US09729139B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

DC Motor with a Rotation Direction Switching Circuit

Номер патента: US20090021193A1. Автор: Chi-Yuan Cheng,Wei-Yun Chiang. Владелец: Hiwin Mikrosystem Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor switch assembly comprising at least two power semiconductors

Номер патента: US20230421149A1. Автор: Matthias Lochner,Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Assembly structure of high-power semiconductors and heat sink

Номер патента: US09943015B2. Автор: Man Piu Fung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and apparatus for monitoring the condition of a power semiconductor module

Номер патента: EP4339630A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-20.

Overcurrent Protection Method for Composite Power Semiconductor Switches

Номер патента: US20240195402A1. Автор: Bantval Jayant Baliga,Subhashish Bhattacharya,Suyash Sushilkumar Shah,Ajit Kanale. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2024-06-13.

Control device for a power semiconductor switch

Номер патента: US20180309436A1. Автор: Markus Müller,Peter Beckedahl,Gunter Königsmann,Bastian Vogler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-10-25.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: WO2021047768A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: EP4029135A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Circuit board for a power semiconductor module, power semiconductor module, and method for producing a circuit board and a power semiconductor module

Номер патента: US20240260168A1. Автор: Detlev Bagung,Christina QUEST-MATT,Holger Baldreich. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and Device for Controlling Power Semiconductor Switches Connected in Parallel

Номер патента: US20170331362A1. Автор: Bernd Eckert,Stefan Butzmann,Peter Taufer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: US12133315B2. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus for Detecting a State of Operation of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110210711A1. Автор: Michael Lenz,Matthias Kunze,Georg Pelz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: CA2734701C. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Short-circuit protection for a power semiconductor device

Номер патента: US20180358959A1. Автор: John H. Blakely,Edward C. Prather,Belvin S. Freeman,Daniel J. CONTI,Norman P. Davies,Brian C. Langford,Ronald D. Hreha. Владелец: Nexus Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Power semiconductor cooling module for electric vehicle

Номер патента: US11758698B2. Автор: Hwan Ku Lee. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: US20220393669A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: WO2022253464A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2022-12-08.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: EP4348835A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Circuit arrangement for protecting power semiconductor switches which can be switched on and off against overvoltages

Номер патента: US5650906A. Автор: Rainer Marquardt,Udo Seidl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-22.

Method and device for short-circuit detection by saturation detection in power semiconductor switches

Номер патента: US11942927B2. Автор: Calin Purcarea,Daniel Schweiker,Falko Friese,Deepa Mathai. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-26.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Controlled drive circuit for an analog driven power semiconductor

Номер патента: US20030174081A1. Автор: Benno Weis,Hans-Georg Kopken,Manfred Bruckmann,Alois Wald. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-09-18.

Non-invasive online monitoring circuit for on-state saturation voltage of power semiconductor

Номер патента: US12085600B1. Автор: XING Wei,Kehua Lyu,Yanwei Lyu. Владелец: Hunan Lanhai Electrical Engineering Co ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Drive control method of power semiconductor module and control circuit of power semiconductor module

Номер патента: US09768763B2. Автор: Noriho Terasawa,Yasuyuki Momose. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Power semiconductor module comprising a power electronics circuit and an arrangement for measuring and transferring measurement data

Номер патента: US09726711B2. Автор: Michael Schlueter,Stefan Hubert Schmies. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Arrangement and method for a power semiconductor switch

Номер патента: US09584113B2. Автор: Mika Niemi,Lauri Peltonen. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-02-28.

Power semiconductor device

Номер патента: US09462708B2. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Systems and methods for use in imposing a common domain

Номер патента: US20230222246A1. Автор: Holger Kunkat,Harjender SINGH,Michael D. McCarthy,Maurice David Liscia,Ryan WATKINS,Edward Neil Livingston,Tomasz Blachowicz. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

System and method of ANQP querying using a common ANQP group version

Номер патента: US09838950B2. Автор: George Calcev,Lin Cai,Xingxin ZHANG. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Control device for control of power semiconductor component, as well as control method of power semiconductor component

Номер патента: RU2713634C1. Автор: Райнер ЗОММЕР,Маркус МАУЭРСБЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-02-05.

Portable communication device having a dual camera module with a common image sensor element

Номер патента: EP2188980A1. Автор: Alexander Hunt,Paul Futter. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2010-05-26.

Intelligent gateway with a common data format

Номер патента: US09998566B2. Автор: LI ZHANG,Adam Joseph McCann,Alisher Maksumov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: EP3942905A1. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2022-01-26.

A method and a system for protecting at least two power semiconductors of a half bridge converter

Номер патента: EP3694090A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2020-08-12.

System and method for protecting power semiconductor of half bridge converter

Номер патента: WO2020161986A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mistubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2020-08-13.

Operational amplifier having a common mode feedback circuit portion

Номер патента: US20110285465A1. Автор: Takeshi Wakamatsu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Digital pre-distortion technique for a circuit arrangement with a power amplifier

Номер патента: US20200169277A1. Автор: Michele Caruso,Marc Tiebout,Daniele Dal Maistro,Carlo Rubino. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Multi-layer PCB having function of dissipating heat from power semiconductor module package and PCB, and production method thereof

Номер патента: US09930815B2. Автор: Ku Yong Kim. Владелец: Mdm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for switching off power semiconductor switches in a bridge circuit, bridge circuit, and inverter comprising a bridge circuit

Номер патента: US11901805B2. Автор: Uwe Stickelmann. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2024-02-13.

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Arrangement Comprising at Least One Power Semiconductor Module and a Transport Packaging

Номер патента: US20110180918A1. Автор: Stefan STAROVECKY. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for measuring degradation of thermal resistance between power semiconductor and heat sink, and control device for power semiconductor

Номер патента: WO2022185563A1. Автор: Pierre-Yves PICHON,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2022-09-09.

Method of increasing the degree of fuel dispersing with a one-stroke fuel injector drive of a free-piston power module with a common external combustion chamber

Номер патента: RU2650216C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2018-04-11.

System for fueling tanks from a common fueling line

Номер патента: RU2764861C1. Автор: Николай Никанорович Елюкин,Алексей Сергеевич Козлов,Владимир Дмитриевич Никулин,Владимир Григорьевич Старостенко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-21.

Display device comprising a microcavity wherein a polarizer, a pixel electrode, a common electrode, a roof layer, and a liquid crystal layer are not disposed in a transparent region

Номер патента: US09658481B2. Автор: Hae Ju Yun,Ha-Yun Kang,Byeong-Hee Won. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Номер патента: RU2655736C1. Автор: Вадим Михайлович Бардин,Антон Александрович Воронков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2018-05-29.

Cover of an internal combustion engine assembly having a common rail, engine assembly and automotive vehicle including such a cover

Номер патента: EP3080432A1. Автор: Guillaume Millet. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2016-10-19.

Integrated transducer provided with a temperature sensor and method for sensing a temperature of the transducer

Номер патента: US09518886B2. Автор: Lorenzo Baldo,Michele Vaiana,Mario Chiricosta,Paul Georges Marie Rose,Mario Maiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-13.

Cooling method of power semiconductor devices

Номер патента: RU2710025C2. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-12-24.

Method for measuring degradation of thermal resistance between power semiconductor and heat sink, and control device for power semiconductor

Номер патента: US20240102953A1. Автор: Pierre-Yves PICHON,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

High-power semiconductor resistor and method of making said resistor

Номер патента: RU2531381C1. Автор: Алексей Юрьевич Коваленко,Светлана Степановна Асина,Игорь Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2014-10-20.

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

Power semiconductor package with a common conductive clip

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты