一种硬掩模图案的制造方法和dram电容的制造方法
Номер патента: CN114093754A
Опубликовано: 25-02-2022
Автор(ы): 俞景植, 卢一泓, 李俊峰, 杨涛, 王文武, 项金娟
Принадлежит: Institute of Microelectronics of CAS, Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-02-2022
Автор(ы): 俞景植, 卢一泓, 李俊峰, 杨涛, 王文武, 项金娟
Принадлежит: Institute of Microelectronics of CAS, Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming multilayer hard mask with treatment for removing impurities and forming dangling bonds
Номер патента: US09613808B1. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.