Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for fabricating nano-patterned substrate for high-efficiency nitride-based light-emitting diode

Method for fabricating nano-patterned substrate for high-efficiency nitride-based light-emitting diode

Номер патента: US9246050B2
Опубликовано: 26-01-2016
Автор(ы): Eun-Seo CHOI, Heon Lee, Hyuk-Jin Cha
Принадлежит: HUNETPLUS Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating nano patterned substrate for high efficiency nitride based light emitting diode

Номер патента: KR101233063B1. Автор: 차혁진,이헌,최은서. Владелец: (주)휴넷플러스. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for fabricating nano patterned substrate for high efficiency nitride based light emitting diode

Номер патента: TWI528584B. Автор: 車爀鎭,李憲,崔殷書. Владелец: 互耐普勒斯有限公司. Дата публикации: 2016-04-01.

Method for improving internal quantum efficiency of Group-III nitride-based light emitting device

Номер патента: US20110089398A1. Автор: Chang-Chi Pan,Ching-Hwa Chang Jean,Jang-Ho Chen. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of manufacturing vertical gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US8361816B2. Автор: Jung Hee Lee,Jae Hoon Lee,Jae Chul Ro,Hyun Ick Cho,Dae Kil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Method for making light emitting diode chip

Номер патента: US20140134774A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Light emitting diode

Номер патента: US20230197895A1. Автор: Zhihua Zhang,Chia-Hao Chang,Cheng-Hung Lee,Zhibo XU,Chan-chan LIN,Mingbin MA. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening

Номер патента: CN101874307B. Автор: 钟弘,阿努拉格·蒂雅吉,肯尼思·J·万波拉,詹姆斯·S·斯佩克,史蒂文·P·登巴尔斯,中村秀治. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-06-18.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CA2441310A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: MY137396A. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-30.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US9112083B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Method for making light emitting diode

Номер патента: US20150280054A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for fabricating nano patterned substrate for high efficiency nitride based light emitting diode

Номер патента: KR101233062B1. Автор: 차혁진,이헌,최은서. Владелец: (주)휴넷플러스. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for fabricating nanopatterned substrate for high-efficiency nitride-based light-emitting diode

Номер патента: EP2840618A1. Автор: Hyuk-Jin Cha,Heon Lee,Eun-Seo CHOI. Владелец: HUNETPLUS Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Light emitting diodes containing epitaxial light control features

Номер патента: EP4423795A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-09-04.

Epitaxial substrate, method of manufacturing the epitaxial substrate and light emitting diode having epitaxial substrate

Номер патента: US20160064606A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Light-emitting diode, method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode lamp and illumination device

Номер патента: US09705034B2. Автор: Atsushi Matsumura,Yuu TOKUNAGA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-07-11.

Epitaxial substrate, method of manufacturing the epitaxial substrate and light emitting diode having epitaxial substrate

Номер патента: US09472721B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing light emitting diode with InGaN/GaN superlattice

Номер патента: US09991416B2. Автор: Jinyoung Park,Kwangjae Lee,Taeksoo JI,Jinhong LEE,Wangki KIM,Jaesam SHIM. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Light emitting diode integrated with transition metal dichalcogenide transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220199674A1. Автор: Jong-Hyun Ahn,Anh Tuan Hoang,Luhing HU. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-06-23.

Light emitting diodes containing epitaxial light control features

Номер патента: WO2023076607A9. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-04-18.

Fabrication method for small size light emitting diodes on high-quality epitaxial crystal layers

Номер патента: EP4370735A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-22.

Fabrication method for small size light emiting diodes on high-quality epitaxial crystal layers

Номер патента: US20240194822A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for depositing epitaxial zno on iii-nitride-based light emitting diode and light emitting diode including epitaxial zno

Номер патента: KR102116831B1. Автор: 윤여진,신찬섭,제이콥 제이. 리차드슨,데니엘 에스트라다,에반 씨. 오'하라,하오란 시. Владелец: 서울반도체 주식회사. Дата публикации: 2020-06-09.

Edge-exposure tool with an ultraviolet (uv) light emitting diode (led)

Номер патента: US20190250513A1. Автор: Chia-Chi Chung,Ying-Hao Wang,Yu-Xiang LIN,Han-Chih Chung,Yu-Shine Lin,Yu-Hen Wu,Han Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Edge-exposure tool with an ultraviolet (uv) light emitting diode (led)

Номер патента: US20200089120A1. Автор: Chia-Chi Chung,Ying-Hao Wang,Yu-Xiang LIN,Han-Chih Chung,Yu-Shine Lin,Yu-Hen Wu,Han Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Edge-exposure tool with an ultraviolet (uv) light emitting diode (led)

Номер патента: US20190094697A1. Автор: Chia-Chi Chung,Ying-Hao Wang,Yu-Xiang LIN,Han-Chih Chung,Yu-Shine Lin,Yu-Hen Wu,Han Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US20030006418A1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US6958497B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-25.

Group III nitride based light emitting diode stru res with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR100899133B1. Автор: 에머슨데이비드토드,이벳슨제임스,오로린마이클존,노드비하워드딘주니어,아베어앰버크리스틴,버그만마이클존,도버스파이크캐쓸린마리. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-05-27.

Group III nitride based light emitting diodes with a quantum well and a superlattice

Номер патента: EP2259347B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Group Ⅲ nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR20080098693A. Автор: 마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨,제임스 이벳슨,마이클 존 오로린,하워드 딘 주니어 노드비,앰버 크리스틴 아베어,캐쓸린 마리 도버스파이크. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-11-11.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Group Ⅲ nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR101032847B1. Автор: 마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨,제임스 이벳슨,마이클 존 오로린,하워드 딘 주니어 노드비,앰버 크리스틴 아베어,캐쓸린 마리 도버스파이크. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-05-06.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CN100350637C. Автор: D·T·埃默森,J·伊贝特森,M·J·奥罗林,H·D·小诺尔比,A·C·阿巴雷,M·J·博格曼,K·M·多维斯皮克. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2007-11-21.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: AU2002257318A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2002-12-09.

Group ⅲ nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR101066760B1. Автор: 마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨,제임스 이벳슨,마이클 존 오로린,하워드 딘 주니어 노드비,앰버 크리스틴 아베어,캐쓸린 마리 도버스파이크. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-09-21.

Group III nitride based light emitting diode with a superlattice structure

Номер патента: EP2075855B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-08-16.

Group III nitride based light emitting diode

Номер патента: EP2237334B1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-11-06.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: TW544952B. Автор: James Ibbetson,David Todd Emerson,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Methods of fabricating group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US8227268B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

Methods of fabricating group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: US20080038858A1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Group III nitride based light emitting diode

Номер патента: EP2237334A2. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-10-06.

Group III nitride based light emitting diode

Номер патента: EP2237334A3. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-04-27.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: EP2259347A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US20050045895A1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: EP1390990A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CN1552104A. Автор: ,�������ɭ,D·T·埃默森,J·伊贝特森,M·J·奥罗林,H·D·小诺尔比,A·C·阿巴雷,M·J·博格曼,K·M·多维斯皮克,D��T����Ĭɭ,��˹�С���ŵ��,��άƤ��˾. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2004-12-01.

Group III nitride based light emitting diode with a superlattice structure

Номер патента: EP2075855A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-09-30.

Group III nitride based light emitting diode with a superlattice structure

Номер патента: EP2075855A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: EP2259347A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same

Номер патента: US20070034892A1. Автор: June-o Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Flip chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680059B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130032779A1. Автор: Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chia-Hung Huang,Shun-Kuei Yang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: WO2013125822A1. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: US09853182B2. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Light emitting diode structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090298213A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Jen-Inn Chyi,Chia-Ming Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Light emitting diode structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090294756A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Jen-Inn Chyi,Chia-Ming Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Light emitting diode substrate

Номер патента: US20150048385A1. Автор: Chien-Cheng Chang,Chih-Sheng Hsu,Wei-Chang Yu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Light emitting diode device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200091393A1. Автор: Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Yu Gwang Jeong,Joon Geol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Light emitting diode device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230387096A1. Автор: Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Yu Gwang Jeong,Joon Geol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Light emitting diode device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005799A1. Автор: Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Yu Gwang Jeong,Joon Geol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Nitride based light emitting device

Номер патента: US20120112162A1. Автор: Johng Eon Shin. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Nitride-based light-emitting diode device

Номер патента: US11817528B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Nitride-based light emitting device with excellent light emitting efficiency using strain buffer layer

Номер патента: US20130168638A1. Автор: Sung-Hak Lee,Jung-Won Park. Владелец: Iljin Led Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Support structure with sacrifice structure for light-emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US11063180B2. Автор: Biing-Seng Wu,Chao-Wen Wu,Chun-Jen Weng. Владелец: Prilit Optronics Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Host substrate for nitride based light emitting devices

Номер патента: US20100244195A1. Автор: SHU Yuan,Limin Lin,Bin Xie. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2010-09-30.

METHOD FOR FABRICATING NANO-PATTERNED SUBSTRATE FOR HIGH-EFFICIENCY NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE

Номер патента: US20150093847A1. Автор: LEE Heon,Cha Hyuk-Jin,Choi Eun-Seo. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Small size light emiting diodes fabricated via regrowth

Номер патента: US20230411554A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-21.

Small size light emiting diodes fabricated via regrowth

Номер патента: EP4232621A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for separating growth substrate, method for light-emitting diode, and light-emitting diode manufactured using methods

Номер патента: US09450141B2. Автор: Joo Won Choi,Young Wug Kim,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin,Su Youn Hong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US09455378B2. Автор: Chang Youn KIM,Kyung Hee Ye,Joon Hee Lee,Jong Kyun You,Jin Cheol Shin,Hong Chol LIM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for manufacturing micro light-emitting diode chips

Номер патента: US20210091258A1. Автор: Hsiang-An Feng,Ray-Hua Horng,Chia-Wei Tu,Cheng-Yu Chung,Fu-Gow Tarntair. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for manufacturing light emitting diode

Номер патента: US8415179B2. Автор: Chia-Hui Shen,Tzu-Chien Hung,Shun-Kuei Yang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728672B2. Автор: Jing-En Huang,Shao-Ying Ting. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode

Номер патента: US09437776B2. Автор: Heng Liu,Chao-Kun Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE BY SURFACE ROUGHENING

Номер патента: US20140346542A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.,Tyagi Anurag,ZHONG Hong,Vampola Kenneth J.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-11-27.

HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING

Номер патента: US20200212258A1. Автор: Nakamura Shuji,GAO YAN,FUJII Tetsuo,Hu Evelyn L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Transfer head, transfer head array, and method for transfering inorganic light-emitting diode

Номер патента: US20200043760A1. Автор: Zeshang HE. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Transfer head, transfer head array, and method for transfering inorganic light-emitting diode

Номер патента: US10643871B2. Автор: Zeshang HE. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Patterned substrate for gallium nitride-based light emitting diode and the light emitting diode using the same

Номер патента: US09899569B2. Автор: Hao Cui,Si Hyun Park. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin p-type gallium nitride and aluminum gallium nitride electron-blocking layer free gallium nitride-based light emitting diodes

Номер патента: US20110037085A1. Автор: Hong Zhong,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Anurag Tyagi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-02-17.

Thin p-type gallium nitride and aluminum gallium nitride electron-blocking layer free gallium nitride-based light emitting diodes

Номер патента: US20120037884A1. Автор: Hong Zhong,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Anurag Tyagi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-02-16.

Gallium-nitride based light emitting diode structure with enhanced light illuminance

Номер патента: US7087924B2. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-08-08.

Method for enhancing light extraction efficiency of light emitting diodes

Номер патента: US20110189802A1. Автор: Ching-Hwa Chang Jean,Jang-Ho Chen,Ming-Teng KUO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Light emitting diode substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP4174963A1. Автор: Xue Dong,XUAN Liang,Ke Wang,Fei Wang,Xiao Zhang,Guangcai Yuan,Xin Gu,Mingxing Wang,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Feng Qu,Junwei Yan,Shulei LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Method for selectively releasing a light-emitting diode chip and method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US12125735B2. Автор: Te-Fu Chang. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2024-10-22.

Process for depositing epitaxial ZnO on iii-nitride-based light emitting diode and light emitting diode including epitaxial ZnO

Номер патента: CN105190914A. Автор: 石浩然,尹余镇,雅各布·J·理查德森,丹尼尔·埃斯特拉达,埃文·C·奥哈拉,申赞燮. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-23.

Method for transferring micro light emitting diodes

Номер патента: US20210305078A1. Автор: Wei-Ming Tseng,Shih-Sian Liang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Light-emitting diode and method for transferring the same

Номер патента: US20200303595A1. Автор: Zheng Wu,Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Light-emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313157A1. Автор: Jinghua Chen,Yu-Ren Peng,Shaohua Huang,Yenchin WANG,Huan Shao KUO. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180033914A1. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-02-01.

Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof

Номер патента: WO2007011154A1. Автор: Min-ho Choi,Jae-Seung Lee,Bu-Gon Shin,Jong-Hoon Kang,Hyun-Woo Shin,Duk-Sik Ha,Min-A Yu. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2007-01-25.

Ejector pin sliding on membrane-based device and method for mass transfer of mini light-emitting diodes (mini-leds)

Номер патента: US20240363793A1. Автор: HAO Zhang,Xin Chen,Yun Chen,Li Ma,Jintao Chen,Yanhui Chen,Maoxiang HOU. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-31.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786813B2. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564554B2. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Vertical electrode structure of gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US20070018180A1. Автор: Mu-Jen Lai,Schang-Jing Hon. Владелец: Schang-Jing Hon. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing a light emitting diode device and the light emitting diode device so manufactured

Номер патента: MY187404A. Автор: Ka Yee Mak,Ho Yin Wong,Ho Yin Lou. Владелец: ASMPT Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Method for transferring micro light-emitting diodes and transferring device

Номер патента: US11996495B2. Автор: Dong Wei,Xiaolong Yang,Rubo Xing,Huashan CHEN. Владелец: Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of transferring light-emitting diodes

Номер патента: US20170243773A1. Автор: Insun Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of transferring micro light emitting diodes and display panel

Номер патента: US20220216187A1. Автор: Yong Fan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Chip tray for self-assembly and method for supplying semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20230061671A1. Автор: Inbum YANG,Junghun RHO,Sangsik JUNG,Bongwoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-02.

Micro light-emitting device, micro light-emitting diode, and method for manufacturing micro light-emitting device

Номер патента: US20230420612A1. Автор: Minghui Chen,Shaohua Huang,Shuiqing Li,Yenchin WANG,Shuang QU. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for transferring micro light emitting diodes

Номер патента: US11810809B2. Автор: Wei-Ming Tseng,Shih-Sian Liang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Light Emitting Diode and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120241719A1. Автор: Jang-Ho Chen,Wei-Chi Lee,Shiue-Lung Chen. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2012-09-27.

Micro light-emitting diode mass transfer apparatus and method

Номер патента: US12062555B2. Автор: QIANG LI. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

METHOD FOR FABRICATING NANO-PATTERNED SUBSTRATE FOR HIGH-EFFICIENCY NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE

Номер патента: US20150064821A1. Автор: LEE Heon,Cha Hyuk-Jin,Choi Eun-Seo. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Nitride-based light-emitting device

Номер патента: US7482639B2. Автор: June-o Song,Tae-yeon Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-27.

Gallium nitride based light emitting element

Номер патента: US20020000558A1. Автор: Taiji Morimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US09887315B2. Автор: Joon-seop Kwak,Jaehee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Light emitting diode structure, light emitting diode device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09966499B2. Автор: Shih-Chang Hsu,I-Chen Chien. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing light emitting diode chip

Номер патента: US20140141553A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for manufacturing a light emitting diode chip

Номер патента: US10205048B1. Автор: Chia-Hui Shen,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Chien-Chung Peng,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-12.

NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING NONORODS AND METHOD OF MMANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140367634A1. Автор: Bae Si Young,Lee Dong-Seon,KONG Dukjo. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-12-18.

Non-polar or Semi-polar Group III-Nitride Based Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101246832B1. Автор: 이상헌,이승재,백종협,전대우,주진우,탁 정. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2013-04-01.

Light emitting diode structure, light emitting diode device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20180212099A1. Автор: Shih-Chang Hsu,I-Chen Chien. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Quantum dot light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US11917849B2. Автор: Chengyu Yang,Yixing YANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Quantum dot light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US20210111370A1. Автор: Chengyu Yang,Yixing YANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of fabricating a p-i-n light emitting diode using cu-doped p-type zno

Номер патента: WO2007024041A1. Автор: Won-Kook Choi,Yeon-Sik Jung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-03-01.

Micro light emitting diode display device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240339566A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nitride based light emitting diode comprising distributed bragg reflector and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101289442B1. Автор: 최원진,김두성,김극. Владелец: 일진엘이디(주). Дата публикации: 2013-07-24.

Light emitting diode device having connected light emitting diode elements and method of fabricating the same

Номер патента: US09871168B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Jong Kyu Kim,Se Hee OH. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Light emitting diode integrated with lens, line printer head, and method of manufacturing the light emitting diode

Номер патента: US20110045620A1. Автор: Hyung Choi,Seok-Jin Kang,Eung-Yeoul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-24.

Micro semiconductor light-emitting diode structure and method for producing the same

Номер патента: WO2023156210A1. Автор: Harald KÖNIG,Norwin von Malm,Alvaro Gomez-Iglesias,Stefan HECKELMANN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-08-24.

Light emitting diode device and method for producing same

Номер патента: US5187547A. Автор: Yoshiharu Fujikawa,Yasuhiko Matsushita,Tatsuhiko Niina,Kiyoshi Ohta,Toshitake Nakata,Takahiro Uetani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Method for fabricating a light emitting diode (LED) die having strap layer

Номер патента: US09537073B2. Автор: Yi-Feng Shih. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Device of light-emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US8093081B2. Автор: Po-Chun Liu,Yih-Der Guo,Chu-Li Chao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-01-10.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09741897B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Front-side emitting mid-infrared light emitting diode fabrication methods

Номер патента: US09711679B2. Автор: Mark S. Miller. Владелец: Terahertz Device Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Micro wall light emitting diodes

Номер патента: US09806127B1. Автор: KHALED Ahmed,Ali Khakifirooz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays

Номер патента: US09647171B2. Автор: Hoon-Sik Kim,John A. Rogers,Sang Il Park,Rak Hwan Kim,Ralph Nuzzo,Eric Brueckner. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-alignment of micro light emitting diode using planarization

Номер патента: US20230335670A1. Автор: Celine Claire Oyer,Allan Pourchet. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Lighting emitting diode with light extracted from front and back sides of a lead frame

Номер патента: US09859464B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Natalie Fellows DeMille. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-01-02.

Light emitting diodes with zinc oxide current spreading and light extraction layers deposited from low temperature aqueous solution

Номер патента: US09653655B2. Автор: Steven P. DenBaars,Daniel B. Thompson,Jacob J. Richardson,Frederick F. Lange,Jin Hyeok Kim. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-16.

Light emitting diode element and method for producing the same

Номер патента: US20120037923A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Takuya Nishimura,Motoaki Iwaya,Fumiharu Teramae. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for producing a light-emitting diode display and light-emitting diode display

Номер патента: US09859330B2. Автор: Norwin von Malm,Britta Goeoetz,Alexander F. Pfeuffer,Martin Mandl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

SUCCESSIVE IONIC LAYER ADSORPTION AND REACTION PROCESS FOR DEPOSITING EPITAXIAL ZNO ON III-NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING EPITAXIAL ZNO

Номер патента: US20140175452A1. Автор: Richardson Jacob J.,"OHara Evan C.",ESTRADA Daniel,SHI Haoran,CHANSEOB Shin,YOON Yeojin. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20170288089A1. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Light emitting diode chip and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US12074258B2. Автор: Qi Yao,Guangcai Yuan,Mingxing Wang,Lizhen Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical deep-ultraviolet light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20220367755A1. Автор: YUAN Jiang,Yongjin Wang. Владелец: Nanjing Liangxin Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Light emitting diodes with N-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US09705028B2. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

METHOD FOR FABRICATING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES AND LIGHT EMITTING DIODE (LED) USING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE (GaN)PILLAR STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES

Номер патента: WO2013099249A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-07-04.

Light-emitting diode and preparation method therefor

Номер патента: EP3923351A1. Автор: Ming Sun,Wenrong ZHUANG,Jingquan LU,Xiaochao Fu. Владелец: Hcp Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Light emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3923350A1. Автор: Ming Sun,Wenrong ZHUANG,Jingquan LU,Xiaochao Fu. Владелец: Hcp Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Light emitting diode and preparation method therefor

Номер патента: US12068357B2. Автор: Ming Sun,Wenrong ZHUANG,Jingquan LU,Xiaochao Fu. Владелец: Hcp Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for forming light emitting diodes

Номер патента: US20220216363A1. Автор: Shiva Rai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Vertical type light emitting diode die and method for fabricating the same

Номер патента: US20190189836A1. Автор: Chi-Ming Wang,Hsiang-An Feng,Chia-Wei Tu,Cheng-Yu Chung,Ya-Li Chen. Владелец: Ingentec Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for preparing nitride light emitting diode (LED) and nondestructive interface separation

Номер патента: US12051766B1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for preparing nitride light emitting diode (led) and nondestructive interface separation

Номер патента: US20240274748A1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical blue light emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20240170618A1. Автор: Yongjin Wang,Jialei YUAN,Shuyu NI. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for making organic light emitting diode

Номер патента: US20190067621A1. Автор: WEN Ning,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Vertical blue light emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US12125950B2. Автор: Yongjin Wang,Jialei YUAN,Shuyu NI. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-10-22.

Multi-junction light-emitting diode and method for making the same

Номер патента: US12119425B2. Автор: Yu-Ren Peng,Chia-Hung CHANG,Duxiang Wang,Kunhuang CAI,Chihhung Hsiao. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853245B2. Автор: Sang-Joon SEO,Jin-Kwang Kim,Seongmin Wang,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Textured phosphor conversion layer light emitting diode

Номер патента: US8860051B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Natalie N. Fellows. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-10-14.

METHOD FOR PRODUCING M-PLANE NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE

Номер патента: US20150125980A1. Автор: Kurihara Kaori,Shimoyama Kenji,TAKESHITA Yutaro,Takai Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US20150044796A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US20150041756A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US9130105B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US9263634B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US20150357515A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10326045B2. Автор: Tzu-Yang Lin,Yu-Hung Lai,Yu-Yun Lo. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2019-06-18.

Light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110095313A1. Автор: Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Wen-Yu Lin,Peng-Yi Wu,Tzu-Chien Hong. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US09991424B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Ki Bum Nam,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Young Wug Kim,Da Hye KIM,Tae Hyuk IM,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997581B2. Автор: Yongmin Kim,Jungsun Beak,Kyoungjin Nam,Jeongoh Kim,Jeonggi YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US09508909B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Ki Bum Nam,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Young Wug Kim,Da Hye KIM,Tae Hyuk IM,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-Dimensional Gallium Nitride (GaN) Pillar Structure Light Emitting Diode (LED)

Номер патента: US20150221827A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

GALLIUM-NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODES WITH MULTIPLE POTENTIAL BARRIERS

Номер патента: US20130187125A1. Автор: WU JYH-CHIARNG,Yeh Meng-Hsin,LU GUOJUN. Владелец: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-25.

EPITAXIAL GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20200388721A1. Автор: Chen Zhen,Ren Fan,DANESH Fariba,YAN Shuke. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

EPITAXIAL GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20190386173A1. Автор: Chen Zhen,Ren Fan,DANESH Fariba,YAN Shuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: US20110187294A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: US8575592B2. Автор: Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro,James Ibbotson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Gallium nitride-based light emitting diode epitaxial wafer and preparation method thereof

Номер патента: CN109346577B. Автор: 李鹏,王群,胡加辉,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-14.

Gallium nitride-based light emitting diode epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108110098B. Автор: 李鹏,胡加辉,肖云飞,吕蒙普,舒辉. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Preparation method of gallium nitride-based light emitting diode epitaxial wafer

Номер патента: CN104022196A. Автор: 王笃祥,刘晓峰,舒立明,张东炎,王良钧. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: CN102822995A. Автор: M.J.伯格曼,D.C.德里斯科尔,A.查文,P.肯图-阿列汉德罗,J.伊贝森. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening

Номер патента: US11677044B2. Автор: YAN Gao,Tetsuo Fujii,Shuji Nakamura,Evelyn L. Hu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-13.

A kind of epitaxial wafer of gallium nitride based light emitting diode and preparation method thereof

Номер патента: CN106876530B. Автор: 王江波,李鹏,王群,郭炳磊,董彬忠. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

A kind of gallium nitride based light emitting diode structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106784204A. Автор: 张家宏,李政鸿,林兓兓,程志青,翁聪. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening

Номер патента: AU2003296426A1. Автор: YAN Gao,Tetsuo Fujii,Shuji Nakamura,Evelyn L. Hu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-07-21.

Group iii-v nitride-based light emitting devices having multilayered p-type contacts

Номер патента: US20180277715A1. Автор: Dong Liu,Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-09-27.

Optoelectronic device with light-emitting diodes comprising at least one zener diode

Номер патента: US09960152B2. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-01.

Efficient and directed nano-light emitting diode, and method for making same

Номер патента: US20130221323A1. Автор: Shawn-Yu Lin,Yong-Sung Kim,Mei-Li Hsieh,Mei-Ling Kuo. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2013-08-29.

Light emitting diode apparatus

Номер патента: US20190371988A1. Автор: Seung Hwan Lee,Dae Young Lee,Moon Sub KIM,Dong Kuk Lee,Sung Jin Ahn,Woo Seok Jang,Dong Kyun Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode

Номер патента: US09859466B2. Автор: Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode

Номер патента: US09608186B2. Автор: Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode

Номер патента: US09520546B2. Автор: Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode

Номер патента: US09520543B2. Автор: Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Light emitting diode apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US10229896B2. Автор: Jin-Hee Kang,Ji-Hoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-12.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US11843072B2. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230422547A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jin-Kwang Kim,Seongmin Wang,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Light emitting diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319172A1. Автор: Chen-Ke Hsu,Zhibai ZHONG,Chia-En Lee,Junyong KANG,Lixun Yang,Jinjian ZHENG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190348635A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jin-Kwang Kim,Seongmin Wang,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US11793028B2. Автор: Sang-Joon SEO,Jin-Kwang Kim,Seongmin Wang,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20240128396A1. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the

Номер патента: US20210050556A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jin-Kwang Kim,Seongmin Wang,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180108866A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jin-Kwang Kim,Seongmin Wang,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Light emitting diode package

Номер патента: US10490718B2. Автор: Chin-Fu Cheng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Light emitting diode package

Номер патента: US20190326489A1. Автор: Chin-Fu Cheng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Light Emitting Diode Epitaxial Structure and Light Emitting Diode

Номер патента: US20240297271A1. Автор: Tao Zhu,Ling Lu,Changwei SONG. Владелец: Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of fabricating light emitting diode and light emitting diode manufactured thereby

Номер патента: US09947845B2. Автор: Seong-Ju Park,Young-Chul LEEM. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-04-17.

High-efficiency AlGaInP light-emitting diode grown directly on transparent substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466766B2. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Light-Emitting Diode Chip, Method for Fabricating the Same, Backlight Module, and Display Device

Номер патента: US20200013935A1. Автор: Ting Tian,Liguang DENG,Dayong Zhou,Xiaoliang FU,Ming Zhai,Pan Guo,Shuqian Dou,Zhiqiang FAN,Yongjie Han,Jinge Zhao,Yawen ZHANG,Meijuan An. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Light-emitting diode and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1900043A1. Автор: Takashi Watanabe,Atsushi Matsumura,Ryouichi Takeuchi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-19.

Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode

Номер патента: EP1836728A2. Автор: Trung Tri Doan,Chuong Anh Tran. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2007-09-26.

Encapsulation process method for wafer-level light-emitting diode dies

Номер патента: US20240304749A1. Автор: Ai-Sen Liu,Hsiang-An Feng,Yi-Chuan Huang,Hsiao-Lu Chen. Владелец: Ingentec Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for light emitting diode device and intermediate therefor

Номер патента: WO2010098553A3. Автор: Hyun Woo Shin,Kee Yong Park,Kyo Sun Ku,Byung Du Oh. Владелец: HANBEAM CO., LTD.. Дата публикации: 2010-11-25.

HEMISPHERICAL MICROSTRUCTURE ARRAYS FOR GaN-BASED LIGHT EMITTING DIODES AND METHOD FOR FORMING THE ARRAYS

Номер патента: WO2013158038A8. Автор: Rui Chen,Handong Sun,Van Duong TA. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Flip-chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859483B2. Автор: Hsiu Chang Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786818B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chia-Hung Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Light-emitting diode and method for manufacturing light-emitting diode

Номер патента: US09780272B2. Автор: Gege Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Drive backplane for light-emitting diode, method for preparing same, and display device

Номер патента: US20210265282A1. Автор: Haixu Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Light-emitting diode module, preparation method therefor, and transfer method for a light-emitting element

Номер патента: US20240322071A1. Автор: Bo Zhou,Qiang Gu,Canyuan Zhang,Jingtao GUO. Владелец: Tianma Advanced Display Technology Institute Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

PATTERNED SUBSTRATE FOR GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND THE LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME

Номер патента: US20160315222A1. Автор: Cui Hao,Park Si Hyun. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2016-10-27.

Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220328732A1. Автор: Hsin-Po Hsieh. Владелец: Ison Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4075522A1. Автор: Hsin-Po Hsieh. Владелец: Ison Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125952B2. Автор: Hsin-Po Hsieh. Владелец: Ison Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Light-emitting diode packaging structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11769861B2. Автор: Ai Sen Liu,Hsiang An Feng,Ya Li Chen,CHENG YU CHUNG,Chia Wei Tu. Владелец: Ingentec Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US9368673B2. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US20160064595A1. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for producing light emitting diode

Номер патента: US20050032383A1. Автор: Ray-Hua Horng,Tung-Hsing Wu,Shao-Hua Huang,Chi-Ying Chiu. Владелец: National Chung Hsing University. Дата публикации: 2005-02-10.

Micro component structure and manufacturing method thereof, and transfer method for light-emitting diode chip

Номер патента: US12132032B2. Автор: Chun-Lung Hsiao,Xia DENG. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Packaging method for ultraviolet light emitting diode

Номер патента: US20170236973A1. Автор: Shang-Yi Wu,Wen-Cheng Chien. Владелец: Unistars Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Gan-based light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: WO2009035219A3. Автор: Jae-eung Oh. Владелец: Jae-eung Oh. Дата публикации: 2009-06-04.

Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220102600A1. Автор: Tek Beng Low,Chee Sheng Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-31.

Manufacturing method of micro light emitting diode device including different-type epitaxial structures having respective connection portions of different thicknesses

Номер патента: US11616050B2. Автор: Tzu-Yang Lin,Yu-Hung Lai,Yu-Yun Lo. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Light-emitting diode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20210066540A1. Автор: Kai Xu,Chia-Hao Chang,Chao-Ming Huang,Chia-Hao Tsai,Dongsheng BI. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Light-emitting diode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11404602B2. Автор: Kai Xu,Chia-Hao Chang,Chao-Ming Huang,Chia-Hao Tsai,Dongsheng BI. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

A method and structure of promoting positive efficiency aging and stabilization of quantum dot light-emitting diode

Номер патента: EP3080848A1. Автор: LEI QIAN,Ying Zheng,Paul H. Holloway,Yixing YANG,Jake HYVONEN,Alexandre TITOV. Владелец: Nanophotonica Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09882096B2. Автор: Yu-Feng Lin,Cheng-Wei HUNG. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and structure of promoting positive efficiency aging and stabilization of quantum dot light-emitting diode

Номер патента: US09780256B2. Автор: LEI QIAN,Ying Zheng,Paul H. Holloway,Yixing YANG,Jake HYVONEN,Alexandre TITOV. Владелец: Nanophotonica Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Light emitting diode package and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595638B2. Автор: MIN Yang,Hyo Jong Lee,Hyung Soo Ahn,Sam Nyung Yi,Kee Sam Shin,Moon Yeoung Yu. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2017-03-14.

Non-polar nitride-based light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120286286A1. Автор: Kyuhyun Bang,Younghak Chang,Sukkoo JUNG,Hyunggu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-11-15.

Double blocking heat sink of printed light-emitting diode

Номер патента: RU2720032C2. Автор: Пол Кеннет ДЕЛЛОК,Джеймс Дж. СЕРМАН,Стюарт К. САЛТЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding

Номер патента: US8236584B1. Автор: Ching-Hua Chiu,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Hsing-Kuo Hsia,Chyi Shyuan Chem,Wen-Chien Fu. Владелец: Chip Star Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

High bandgap III-V alloys for high efficiency optoelectronics

Номер патента: US09543468B2. Автор: Mark Wanlass,Kirstin Alberi,Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Production method for light-emitting diode supply substrate, production method for light-emitting diode display, production method for segmented unit of light-emitting diode display, and production method for element supply substrate

Номер патента: EP4239696A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Kazunori Kondo,Hideo Nakagawa,Yoshinori Ogawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for producing a light emitting diode supply substrate, method for producing a light emitting diode display, method for producing a division unit for a light emitting diode display, and method for producing a device supply substrate

Номер патента: US20230387084A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Kazunori Kondo,Hideo Nakagawa,Yoshinori Ogawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE

Номер патента: US20150123074A1. Автор: KIM Seong Jae. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-07.

GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE

Номер патента: US20140361247A1. Автор: NAM Ki Bum,Choi Seung Kyu,Kurihara Kaori,Shimoyama Kenji,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Gallium nitride based light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US8674337B2. Автор: Seong Jae Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US9362454B2. Автор: Seong Jae Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US8927960B2. Автор: Seong Jae Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US8680571B2. Автор: Seong Jae Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Gallium nitride-based light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US7531827B2. Автор: Seong Jae Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Gallium nitride-based light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: CN101127382A. Автор: 吴邦元,崔锡范,禹钟均,白斗高. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-20.

Light emitting diode substrate

Номер патента: US9153733B2. Автор: Chien-Cheng Chang,Chih-Sheng Hsu,Wei-Chang Yu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Mass transfer method for micro light-emitting diodes, and display panel

Номер патента: US20240019726A1. Автор: Zhao Kang,Guangcai Yuan,Hua Huang,Haixu Li,Lubin SHI,Shulei LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Micro light-emitting diode display panel and method for producing the same

Номер патента: US11515459B2. Автор: Po-Lun Chen,Chun-Ta Chen,Po-Ching Lin,Chien-Yu Huang,Ping-Hsiang KAO,Ya-Chu Hsu,Chia-Ming Fan. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Method for producing light-emitting diode device

Номер патента: US8642362B2. Автор: Yasushi Inoue,Sadahito Misumi,Hisataka Ito. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Micro light-emitting diode display panel and method for producing the same

Номер патента: US20220199872A1. Автор: Po-Lun Chen,Chun-Ta Chen,Po-Ching Lin,Chien-Yu Huang,Ping-Hsiang KAO,Ya-Chu Hsu,Chia-Ming Fan. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Miniature light emitting diode chip, display substrate and method for manufacturing the display substrate, display device

Номер патента: US20220320394A1. Автор: Bo Gao,Wenjia Sun,Xiaozhou LIU,Wenchieh HUANG,Meiling Jin,Chenchang CHEN,Xaiwei Yun,Xuehai Qian. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Light-emitting-diode lamp for low-voltage electric circuit

Номер патента: RU2628762C2. Автор: Юрий Борисович Соколов. Владелец: Юрий Борисович Соколов. Дата публикации: 2017-08-22.

Ac white light-emitting diode device

Номер патента: RU2541425C2. Автор: Дунмин ЛИ,Ли ЧЖАН,Мин ЧЖАН,Кунь ЧЖАО,Хунцзе ЧЖАН,Чэнюй ЛИ. Владелец: Чанчунь Инститьют Оф Эпплайд Кемистри, Чайниз Экедеми Оф Сайенсиз. Дата публикации: 2015-02-10.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US11715812B2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-01.

Light-emitting diode, light-emitting device including the same, and method for manufacturing light-emitting diode

Номер патента: US20240154069A1. Автор: CHENG Meng,Duxiang Wang,Weihuan Li,Huan-shao KUO,Dongmei Cao. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US20220302342A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

Light-emitting diode circuit substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220320401A1. Автор: Chun-Chi Hsu. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US20130214315A1. Автор: Peiching Ling,Vivek B. Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Light emitting diode panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200266175A1. Автор: Tsung-Tien Wu,Kuo-Lung Lo,Pin-Miao Liu,Jhao-Wun Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-08-20.

Light emitting diode chip and light emitting diode display apparatus comprising the same

Номер патента: USRE50146E1. Автор: Wonseok Choi,JinSu MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures

Номер патента: US5631190A. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures

Номер патента: AU3761295A. Автор: Gerald H Negley. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1996-05-02.

High bandgap iii-v alloys for high efficiency optoelectronics

Номер патента: CA2814119C. Автор: Kirstin Alberi,Angelo Mascarenhas,Mark W. Wanlass. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Infrared light-emitting diodes

Номер патента: RU2197770C2. Автор: Тимоти ЭШЛИ,Джон Грэхэм КРАУДЕР,Фолькер Пауль МАННХАЙМ,Стенли Дезмонд СМИТ. Владелец: Квинетик Лимитед. Дата публикации: 2003-01-27.

Light-emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140225150A1. Автор: Te-Chung Wang,Tsung-Yu Yang,Nai-Wei Hsu,Chia-Lin HSIAO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for light emitting diode device and intermediate therefor

Номер патента: WO2010098553A2. Автор: Hyun Woo Shin,Kee Yong Park,Kyo Sun Ku,Byung Du Oh. Владелец: HANBEAM CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-02.

Method of manufacturing integrated light emitting diode displays using biofabrication

Номер патента: EP1891687A1. Автор: Kwok-Wai Lem,Peter A. Smith,Kalluri R. Sarma,Brian W. Walker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-02-27.

Flat lighting device and display device using light-emitting diode

Номер патента: US12033565B2. Автор: Soohyun KIM,Wonseok Choi,Sungmin Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Light-emitting diode and display device

Номер патента: US20240105880A1. Автор: Duxiang Wang,Huanshao KUO,Yuehua Jia,Yuren PENG,Weifan KE,Rongyan GUO. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Optoelectronic device comprising light-emitting diodes

Номер патента: US09960205B2. Автор: Erwan Dornel,Christophe Bouvier. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2018-05-01.

Micro light emitting diode panel

Номер патента: US12142707B2. Автор: Yun-Li Li,Tzu-Yang Lin,Chih-Ling Wu,Ying-Tsang Liu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Vertical light emitting diode with photonic nanostructures and method of fabrication thereof

Номер патента: US09647183B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Siew Lang Teo,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Sivashankar KRISHNAMOORTHY. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-05-09.

Light-emitting diode device

Номер патента: US09449958B2. Автор: Thomas Feichtinger,Sebastian Brunner,Klaus-Dieter Aichholzer,Oliver Dernovsek. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Process for forming light-emitting diodes

Номер патента: US09444010B2. Автор: Bernard André,Adrien Gasse,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-13.

METAL FILLER, SEPARATING p- AND n-TYPE LAYERS, FOR LIGHT-EMITTING DIODES MOUNTED BY FLIP-CHIP METHOD

Номер патента: RU2597071C2. Автор: Цзипу ЛЭЙ,Яцзюнь ВЭЙ,Александер Х. НИКЕЛ,Стефано СЧИАФФИНО,Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Light emitting diode (led) display device and excitation device

Номер патента: RU2677365C1. Автор: Сигенори СИБУЕ,Исао ЙОНЕОКА,Йосинори АСАМУРА. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2019-01-16.

Light-emitting diode for lateral radiation with silicone lens supported by curvilinear silicone section

Номер патента: RU2477546C2. Автор: Серж Й. БИРХЭЙЗЕН,Грегори В. ЭНГ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-03-10.

Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (led) and application specific integrated circuits (asic)

Номер патента: WO2013078768A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Wen-Huang Liu,Yung Wei Chen,Tien Wei Tan. Владелец: SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Metal substrate for light-emitting diode, light-emitting diode, and method for manufacturing light-emitting diode

Номер патента: US20120199873A1. Автор: Atsushi Matsumura,Ryouichi Takeuchi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Gallium-Nitride Based Light Emitting Diode Light Emitting Layer Structure

Номер патента: US20060249727A1. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for fabrication of semipolar (al, in, ga, b)n based light emitting diodes

Номер патента: WO2009124315A1. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Hirohiko Hirasawa,Roy B. Chung. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for producing a light-emitting diode

Номер патента: US09806237B2. Автор: Gertrud Krauter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing gallium nitride based light emitting diodes using nano imprinting and light emitting diode element using the same

Номер патента: KR101221075B1. Автор: 김범준,이종람,손준호. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-01-15.

Method of bonding light emitting diode (LED) for LED module and LED manufactured thereby

Номер патента: US8865488B2. Автор: Han Hyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of bonding light emitting diode (led) for led module and led manufactured thereby

Номер патента: US20130240946A1. Автор: Han Hyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Vertical gallium-nitride based light emitting diode

Номер патента: US7573076B2. Автор: Bang Won Oh,Su Yeol Lee,Seok Beom Choi,Doo Go Baik. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-11.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2009707A3. Автор: Dae Sung Kal,Dae Won Kim,Duck Hwan Oh,Hwa Mok Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761762B2. Автор: Hyoung Jin Lim,Tae Gyun Kim,Kyu Ho Lee,Chan Seob SHIN,Sung Won Tae. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US09450153B2. Автор: Hyoung Jin Lim,Tae Gyun Kim,Kyu Ho Lee,Chan Seob SHIN,Sung Won Tae. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs

Номер патента: US09685585B2. Автор: James Ibbetson,Bernd Keller,Nalini Gupta. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Gallium nitride-based light emitting device

Номер патента: US20030015715A1. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Method for manufacturing gallium nitride based light emitting diode device

Номер патента: JP4509997B2. Автор: キム デヨン,ファン スンミン,リ ジンボク,ユン サンホ. Владелец: 三星電機株式会社. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for reduction of efficiency droop using an (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N superlattice electron blocking layer in nitride based light emitting diodes

Номер патента: TW201230389A. Автор: Shuji Nakamura,Steven P Denbaars,James S Speck,Roy B Chung,Chang-Seok Han. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2012-07-16.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150079716A1. Автор: Chang-Chin Yu,Mong-Ea Lin,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140138621A1. Автор: KIM Seong Jae. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

Nitride-based light-emitting diode device

Номер патента: US20210083147A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING

Номер патента: US20140252396A1. Автор: Nakamura Shuji,GAO YAN,FUJII Tetsuo,Hu Evelyn L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Group III nitride based light emitting diode with a superlattice structure

Номер патента: EP1401027B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-04-08.

Method of manufacturing gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US20070184568A1. Автор: Sung Min Hwang,Jin Bock Lee,Dae Yeon Kim,Sang Ho Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Nitride based light emitting diode

Номер патента: KR100850950B1. Автор: 김종욱. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2008-08-08.

Method of manufacturing gallium nitride based light emitting diode having surface irregularities

Номер патента: US20090258454A1. Автор: Sung Min Hwang,Jin Bock Lee,Dae Yeon Kim,Sang Ho Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Nitride based light emitting diode with excellent current spreading effect and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101175183B1. Автор: 박정원,최원진. Владелец: 일진머티리얼즈 주식회사. Дата публикации: 2012-08-17.

Nitride based light emitting diode with excellent current spreading effect and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201308659A. Автор: Jung-Won Park,Won-Jin Choi. Владелец: Iljin Materials Co Ltd Kr. Дата публикации: 2013-02-16.

Vertical gallium-nitride based light emitting diode

Номер патента: US20070194324A1. Автор: Dong Kim,Min Kim,Jeong OH,Bang Oh,Hyung Back. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Nitride-based light-emitting diode device

Номер патента: US11522106B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

High-brightness gallium-nitride based light emitting diode structure

Номер патента: US20060145179A1. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Gallium-Nitride Based Light-Emitting Diode Structure With High Reverse Withstanding Voltage And Anti-ESD Capability

Номер патента: US20070267636A1. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Vertical gallium-nitride based light emitting diode and manufacturing of the same

Номер патента: US20070126022A1. Автор: Su Lee,Seok Choi,Doo Baik,Bang Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Optoelectronic device comprising light-emitting diodes with improved light extraction

Номер патента: US12027505B2. Автор: Ivan-Christophe Robin,Tiphaine Dupont. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-07-02.

Rectifying unit, a light emitting diode device, and the combination thereof

Номер патента: US09484493B2. Автор: Chao-Hsing Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Light-emitting diode

Номер патента: RU2400866C1. Автор: Юрий Александрович Данилов,Ольга Викторовна Вихрова,Сергей Владимирович Зайцев,Михаил Владимирович Дорохин,Борис Николаевич Звонков,Владимир Дмитриевич Кулаковский,Марина Михайловна Прокофьева,Ольга Викторовна Вихрова (RU),Юрий Александрович Данилов (RU),Михаил Владимирович Дорохин (RU),Сергей Владимирович Зайцев (RU),Борис Николаевич Звонков (RU),Владимир Дмитриевич Кулаковский (RU),Марина Михайловна Прокофьева (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2010-09-27.

Light-emitting diode element, method for manufacturing light guide structure thereof and equipment for forming the same

Номер патента: US20130126924A1. Автор: Chun-Ting Chen,Li-Wen Lai,Wei-Chih Shen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for producing an optoelectronic device comprising light-emitting diodes which are homogeneous in dimensions

Номер патента: US11894413B2. Автор: Benoit Amstatt,Pierre Tchoulfian. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-02-06.

Light emitting diode device

Номер патента: US20240204159A1. Автор: Shih-Lun Lai,Chih-Hao Lin,Jian-Chin Liang,Jo-Hsiang CHEN. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8445919B2. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Light emitting diode

Номер патента: EP2704195A3. Автор: Chao-Chen Cheng,Trung-Tri Doan,Yi-Feng Shih. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-20.

Light-emitting diode

Номер патента: US20180309028A1. Автор: YAN Cheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Light-emitting diode comprising an ordered photonic structure

Номер патента: WO2024100148A3. Автор: Aimi Abass. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-06-20.

Ultraviolet light emitting diode and electric device provided with same

Номер патента: US20240339562A1. Автор: Hideki Hirayama,Masafumi Jo. Владелец: RIKEN. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting diode arrangement and light-emitting means, in particular with such a light-emitting diode arrangement

Номер патента: US09497826B2. Автор: Patrick Rode,Ralph Wirth,Robert Kraus,Hubert Maiwald,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-15.

NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICE WITH EXCELLENT LIGHT EMITTING EFFICIENCY USING STRAIN BUFFER LAYER

Номер патента: US20130168638A1. Автор: LEE Sung-Hak,PARK Jung-Won. Владелец: ILJIN LED CO.,LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960376B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Joon-Young HEO,Han-Sun Park,Young-Mi Kim,Eui-Doo Do,Jong-Geun Yoon,Yeon-Kyeong Lee,Jong-Sik Shim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Micro light-emitting diode pixel structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313180A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Guo-Yi SHIU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Light-emitting diode structure with electrode pads of similar surface roughness and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312113A1. Автор: Chao-Hsing Chen,Tsun-Kai Ko,Kuo-Hui Yu,Chien-Kai Chung,Cheng-Ta Kuo,Chi-Ming Huang,Shih-Wei Yen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120168794A1. Автор: Changhsin Chu,Kuohui YU,Chienchun WANG,Haoching Wu. Владелец: Chi Mei Lighting Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

High output light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US7939841B2. Автор: Hyun Jae Lee,Jun Seok Ha. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-05-10.

Light-emitting diode and method for fabricant thereof

Номер патента: WO2007073001A1. Автор: Wataru Nabekura,Ryouichi Takeuchi. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of production of light emitting diodes

Номер патента: US4966862A. Автор: John A. Edmond. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1990-10-30.

Optoelectronic device comprising light-emitting diodes with improved light extraction

Номер патента: US20240321843A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Tiphaine Dupont. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-09-26.

Substrate and light emitting diode

Номер патента: US09660143B2. Автор: Hongseo Yom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Micro light emitting diode display device

Номер патента: US20230128274A1. Автор: Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu,Chang-Feng TSAI. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Light-Emitting Diode Array, Light-Emitting Diode, and Printer Head

Номер патента: US20070278505A1. Автор: Hironori Yamamoto,Hajime Kimachi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Micro light emitting diode display device

Номер патента: US12094858B2. Автор: Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu,Chang-Feng TSAI. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Light-emitting diode and light-emitting device

Номер патента: US20240347671A1. Автор: Zhiwei Wu,Weiping Xiong,Di Gao,Yanyun WANG,Huanshao KUO,Yuren PENG. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Light-emitting diode unit with enlarged element size

Номер патента: RU2538354C2. Автор: Бернд КЕЛЛЕР,Дэвид ЭМЕРСОН,Кристофер ХАССЕЛЛ,Эмбер СОЛТЕР,Брайан Коллинз,Майкл БЕРГМАНН,Джон ЭДМОНД,Эрик ТАРСА,Питер ЭНДРЮС. Владелец: Кри, Инк.. Дата публикации: 2015-01-10.

Light-emitting diode

Номер патента: RU2462791C2. Автор: Владислав Е. БУГРОВ,Максим А. ОДНОБЛЮДОВ,Владислав Е. БУГРОВ (FI),Максим А. ОДНОБЛЮДОВ (FI). Владелец: ОптоГан Ой. Дата публикации: 2012-09-27.

Substrate assembly of display device using light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20240297156A1. Автор: Jaeyong AN,Joodo Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for aligning micro light-emitting diodes

Номер патента: US20210398837A1. Автор: Meng-Chih WU. Владелец: Innostar Service Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Organic light emitting diode array substrate, method for manufacturing the same and display with the same

Номер патента: US20170317152A1. Автор: Minghung Hsu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Organic light-emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09806282B2. Автор: Jung Hyoung Lee,Jihee KIM,Junrye CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US09634066B2. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,I-Wei Wu,Dong An,Chang-Ting Lin,Jung-An Cheng,Liang-Neng Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893127B2. Автор: Do-Hoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing integrated substrate for organic light emitting diode, organic light emitting diode, and method for manufacturing organic light emitting diode

Номер патента: US20170207410A1. Автор: Young Sam Park,Nam Sung Cho,Jaehyun MOON,Byoung Gon Yu,Jeong Ik Lee,Jonghee Lee,Doo-Hee Cho,Hyunsu CHO,Byoung-Hwa KWON,Chul Woong Joo,Hyunkoo Lee,Jin Wook Shin,Jun-Han Han,Jong Tae Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-07-20.

Organic light emitting diode display substrate, organic light emitting diode display apparatus, and method of fabricating organic light emitting diode display substrate

Номер патента: EP3555922A1. Автор: Ruhui Zhu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-23.

Organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US10818740B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Quamtum dot light emitting diode and method for manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20230074925A1. Автор: Xiaoyuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Light emitting diode package with odds of lead fram removed from its surface and method for fabricating the same

Номер патента: WO2008072862A1. Автор: Jong Kook Lee. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2008-06-19.

Light emitting diode (led) device having lens protective structure and method of fabrication

Номер патента: US20150155454A1. Автор: David T. Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Method for production of nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2690036C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Дмитрий Александрович Закгейм,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-05-30.

Yellow afterglow material, method for production thereof and light-emitting diode device using said material

Номер патента: RU2500716C1. Автор: Хао Чжан,Мин ЧЖАН,Кунь ЧЖАО,Хунцзе ЧЖАН,Чэнюй ЛИ. Владелец: Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-12-10.

Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group

Номер патента: RU2488195C2. Автор: Тхе Тран НГУЙЕН. Владелец: Непес Лед Корпорейшн. Дата публикации: 2013-07-20.

Light-emitting diode module and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2510102C1. Автор: Вон Санг ЛИ,Йоунг Кеун КИМ. Владелец: Даевон Инност Ко., Лтд. Дата публикации: 2014-03-20.

Light-emitting diode array with precise position assembly for automotive headlight applications

Номер патента: WO2024129313A1. Автор: Axel Mehnert,Chee Ming THOE,Say Chun OOI. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated polarized light emitting diode with a built-in rotator

Номер патента: WO2012012409A3. Автор: Yong Sung Kim,Shawn-Yu Lin,Mei-Li Hsieh. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2014-03-20.

Light-emitting diode array with precise position assembly for automotive headlight applications

Номер патента: US20240206072A1. Автор: Axel Mehnert,Chee Ming THOE,Say Chun OOI. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for packaging an organic light emitting diode and a display device using the same

Номер патента: US09859522B2. Автор: Yawei Liu,Qingdou YANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Light-emitting diode package and method for manufacturing same

Номер патента: US09450159B2. Автор: Jun Yong Park,Dae Woong SUH,Jung Hye Chae,Hee Cheul Jung,Bo Ram I Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Light emitting diode package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120080700A1. Автор: Chao-Hsiung Chang,Chieh-Ling Chang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

SUCCESSIVE IONIC LAYER ADSORPTION AND REACTION PROCESS FOR DEPOSITING EPITAXIAL ZNO ON III-NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING EPITAXIAL ZNO

Номер патента: US20140306236A1. Автор: Richardson Jacob J.,ESTRADA Daniel,SHI Haoran,CHANSEOB Shin,YOON Yeojin,"OHARA Evan". Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Micro light-emitting diode display device and method for driving same

Номер патента: EP4383337A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Geun Kim,Kyung Rock Son. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-12.

Method and installation for manufacture of light emitting diodes

Номер патента: EP3167494A1. Автор: Iliya ILIEV. Владелец: "Octa Light Bulgaria" Ad. Дата публикации: 2017-05-17.

Micro light-emitting diode display device and method for driving same

Номер патента: US20240257713A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Geun Kim,Kyung Rock Son. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Light emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064614A1. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Light-emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087885B2. Автор: Feng Wang,Chia-Hung CHANG,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Sheng-Hsien Hsu,Sihe CHEN,Dazhong Chen. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Color temperature variable light emitting diode module, lighting device using the light emitting diode module and method for fabricating the light emitting diode module

Номер патента: US20190239308A1. Автор: Junhyung LIM,Jungwoo Lee,Hyunpyo Hong,Jihye Chang. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Phosphor, method for preparing the same, and light emitting diode using the same

Номер патента: WO2008091084A1. Автор: Joong In An. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Flexible light-emitting diode lighting strip with interposer

Номер патента: EP3824219A1. Автор: Florent Monestier,Christian Kleijnen,Georg Henninger,Barbara MUELDERS,Frank GUBBELS. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2021-05-26.

Implementing a conductive trace and a light-emitting diode (led) on a carrier structure via surface-mount technologies (smt) and laser direct structuring (lds)

Номер патента: US20240339580A1. Автор: Yang Wang,Jason Howard,Tao Zhou,Gregory Alan Roberts,Ankur Gupta,Umar Azad,Karthik Kadirvel,Eswarappa Channabasappa,Le Chang,Bradley Spare,Tianren Xu,Peter Eli Renner. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Light emitting diode package and method thereof

Номер патента: US09577163B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same

Номер патента: US9012937B2. Автор: James Ibbetson,Bernd Keller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Submount for light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US20130126923A1. Автор: Cheng-I Chien,Le-Sheng Yeh. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Submount for light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US8664022B2. Автор: Cheng-I Chien,Le-Sheng Yeh. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

Light emitting diode package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140084312A1. Автор: Pin-Chuan Chen,Wen-Liang Tseng,Lung-hsin Chen,Yu-Liang Huang,Che-Hsang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Light emitting diode laminated with a phosphor sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985186B2. Автор: Peter Mahowald. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Light-emitting diode package structure having plane light source and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978917B1. Автор: Shyi-Ming Pan,Zhi-Ting YE. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes

Номер патента: US09515240B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Frédéric S. Diana. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-12-06.

Package of light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09450156B2. Автор: Bo Geun PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Uniform coating method for light emitting diode

Номер патента: US20130260489A1. Автор: Sung Hoon Kwon,Su Eun Chung,Young Joon Choi,Sang Kwon Han,Ji Sung JANG. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Light emitting diode panel and method for manufacturing the light emitting diode panel

Номер патента: US12040320B2. Автор: Sangmin Shin,Hoseop Lee,Sangyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Light-emitting diode device and method for fabricating the same

Номер патента: US7928655B2. Автор: Tzu-Han Lin,Jui-Ping Weng,Tzy-Ying Lin,Wei-Hung Kang. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Light emitting diode panel and method for manufacturing the light emitting diode panel

Номер патента: US20220085266A1. Автор: Sangmin Shin,Hoseop Lee,Sangyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Light emitting diode lamp and method for producing the same

Номер патента: US20030076035A1. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Electromagnetic radiation emitting optoelectronic headlights, has gallium nitride based light emitting diode chip, which has two emission areas

Номер патента: DE102006015117A1. Автор: Jörg Erich SORG,Johannes Dr. Baur,Joachim Reill. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-10-04.

Method and apparatus for fabricating a light-emitting diode package

Номер патента: MY156972A. Автор: Li Ming,LAM Kui Kam,MAK Ka Yee,WONG Yiu Yan. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-04-15.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100001304A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry

Номер патента: US09711695B2. Автор: Thomas L. Evans,Christopher Luke Hein. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Stacked light emitting diode (led) display

Номер патента: US20220165713A1. Автор: Marta EGOROVA,Zahra Hosseinimakarem. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Stacked light emitting diode (led) display

Номер патента: US20230121227A1. Автор: Marta EGOROVA,Zahra Hosseinimakarem. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Light emitting diode package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120126264A1. Автор: Chao-Hsiung Chang,Pi-Chiang Hu,Chieh-Ling Chang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130292697A1. Автор: KIM Seong Jae. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

VERTICAL NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE HAVING OHMIC CONTACT PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140106483A1. Автор: Choi Pun Jae,LEE JIN BOCK,YANG Jong In,LEE Jin Hyun,PARK Hee Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-17.

Gallium nitride based light-emitting diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200529464A. Автор: Mu-Jen Lai,Schang-Jing Hon,Hsueh-Feng Sun,Shi-Ming Yang. Владелец: Super Nova Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Polarization doping in nitride based light emitting diodes

Номер патента: EP2037509A1. Автор: Arpan Chakraborty. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Light emitting diode

Номер патента: US5923052A. Автор: Cha Yeon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-07-13.

Gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US7687821B2. Автор: Pil Geun Kang,Jae Ho Han,Dong Min Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer

Номер патента: US7061026B2. Автор: Wen-Chieh Huang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2006-06-13.

High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer

Номер патента: TWI285440B. Автор: Wen-Chieh Huang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-11.

Movable light emitting diode device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120155087A1. Автор: Young Shin Kim,Jae Hee Lee,Young Jin Cho,Hae Chul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-21.

Method and Apparatus for Increasing Luminous Intensity of an Ultraviolet Light Emitting Diode

Номер патента: US20180227997A1. Автор: Ting-Chang Chang,Bo-Wei Chen,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Cheng Shih,Chung-I Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-08-09.

White light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US20050136782A1. Автор: Hsing Chen. Владелец: Solidlite Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Wavelength converting light-emitting diode with low emission of unconverted optical radiation

Номер патента: RU2497235C2. Автор: Мартинус П.Й. ПЕТЕРС,ГРАФ Ян ДЕ,Эльвира Й.М. ПАУЛЮССЕН,Георге Х. БОРЕЛ,Даниель А. БЕНУА,ДЕР ЛУББЕ Марселлус Й.Й. ВАН,Марк Э.Й. СИПКЕС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-10-27.

Light-emitting diode device and optical detector, made using light-emitting diode device, for banknote identification device

Номер патента: RU2363073C1. Автор: Масахиро МОТОХАРА,Такеси МИЦУМА,Нориюки КАННО. Владелец: Джэпэн Кэш Машин Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-07-27.

Packaging structure and method for light-emitting diode

Номер патента: US20100025720A1. Автор: Soshchin Naum,Wei-Hung Lo,Chi-Ruei Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

Light emitting diode package

Номер патента: EP3848984A1. Автор: In Kyu Park,Byoung Sung Kim,Jun Myeong Song. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Light emitting diode structure and light emitting device

Номер патента: US20240274774A1. Автор: Liming Zhang,Feng ZUO,Chung-Ying Chang,Jenlung YANG,Weipeng LIN. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Light-emitting diode module and method for operating a light-emitting diode module

Номер патента: US9209365B2. Автор: Reiner Windisch. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2015-12-08.

Light Emitting Diode Module and Method for Making the Same

Номер патента: US20110157897A1. Автор: Tsung-Jen Liao,Chung-Kai Wang,Yuan-Hsin Liu,Yao-Tsung Hsu. Владелец: Bright Led Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US10593850B2. Автор: Hyoung Jin Lim,Jong Hyeon Chae,Yeon Cheol Cho,Cun Bok Jeong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-17.

Package structure of light-emitting diode and method for packaging light-emitting diode

Номер патента: US20210135073A1. Автор: Yong-Bing Zhang. Владелец: Shenzhen Yong Yu Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Light-emitting diode structure with transparent window covering layer of multiple films

Номер патента: US20070158667A1. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Ya-Ping Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Light-emitting diode display pixels with microlens stacks over light-emitting diodes

Номер патента: US11757074B2. Автор: Young Cheol Yang,Lai Wang,Sunggu Kang,Jaein Choi,Ben-Li SHEU,Hairong Tang,Steven E. Molesa,Joy M. JOHNSON. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Light emitting diode package

Номер патента: US20150108491A1. Автор: Yu-Hsin Lu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Phosphor Layer Arrangement for Use With Light Emitting Diodes

Номер патента: US20120319573A1. Автор: WEI Shi. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

high power light emitting diode

Номер патента: US20090032822A1. Автор: Chun-Cheng Lin,Eddie Huang,Sheng-Jia Sheu,Abram Chang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Light emitting diode unit

Номер патента: US20210288103A1. Автор: Hyuck Jun KIM,Seung Sik Hong. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Light-emitting diode package

Номер патента: US09735322B2. Автор: Ki Bum Nam,Kwang Yong Oh,Ho Jun BYUN. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Light-emitting diode module

Номер патента: US09620486B2. Автор: Reiner Windisch,Krister Bergenek. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-04-11.

Light-emitting diodes

Номер патента: US09431378B2. Автор: Stefan Grötsch,Georg Bogner,Joachim Reill. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-08-30.

System and method for chip-on-board light emitting diode

Номер патента: GB2568314A. Автор: MLADENOVSKI Saso,WINDELS Jindrich,JABLONSKI Michal,Irené Lambert Jasper,Cyriel Adrianna Van Haecke Stephanie,Albert Bontinck Floris. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-05-15.

Light emitting diode lamp and method for producing thereof

Номер патента: US4630183A. Автор: Teizo Fujita. Владелец: IZUMI DENKI CORP. Дата публикации: 1986-12-16.

Group-iii nitride-based light emitting device and method for improving light extraction efficiency thereof

Номер патента: TWI419370B. Автор: Jean Ching Hwa Chang,Jang Ho Chen. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2013-12-11.

Light emitting diode array containing metamaterial light collimating features and methods for forming the same

Номер патента: WO2023091761A1. Автор: Homer Antoniadis. Владелец: NANOSYS, INC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US20180138382A1. Автор: Hyoung Jin Lim,Jong Hyeon Chae,Yeon Cheol Cho,Cun Bok Jeong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Group-III nitride-based light emitting device and method for improving light extraction efficiency thereof

Номер патента: TW201044640A. Автор: Jang-Ho Chen,Ching-Hwa Changjean. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2010-12-16.

Light-emitting diode housing comprising fluoropolymer

Номер патента: EP2311105A2. Автор: Jacob Lahijani. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-04-20.

Light emitting diode package, circuit board for light emitting diode package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110065219A1. Автор: Young Ki Lee,Seog Moon Choi,Sang Hyun Shin. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Light emitting diode package, circuit board for light emitting diode package and method of manufacturing the same

Номер патента: US7863640B2. Автор: Young Ki Lee,Seog Moon Choi,Sang Hyun Shin. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-04.

Light-emitting diode device

Номер патента: US20230299056A1. Автор: Te-Chung Wang,Shiou-Yi Kuo,Guo-Yi SHIU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Light emitting diode

Номер патента: US8097899B2. Автор: Chia-Hao Wu,Shun-Chung Cheng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Breathable micro light emitting diode display

Номер патента: US12027649B2. Автор: Li-Yi Chen. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Light emitting diode package and manufacturing method of the same, and light emitting device

Номер патента: EP4376107A1. Автор: Jeongho Seo,Kiduck Park,SungHyun JUNG,Chulgoo Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Light device and its light emitting diode module

Номер патента: US20130258653A1. Автор: Ming-Sung Tsai,Ming-Zhe HSIEH,An-Yu Hsieh. Владелец: Edison Opto Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Dissipation Module For A Light Emitting Device And Light Emitting Diode Device Having The Same

Номер патента: US20120305975A1. Автор: Yu-Feng Lin. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Light Emitting Diode Package Structure And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170170368A1. Автор: Yu-Hsuan Chen,Ming-Kuei Wu. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Light emitting diode

Номер патента: US20100301361A1. Автор: Chia-Hao Wu,Shun-Chung Cheng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Light-emitting diode display apparatus

Номер патента: US20240290921A1. Автор: Wook Jeon,Seongyong Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Double-sided micro light-emitting diode display

Номер патента: US20200219930A1. Автор: Li-Yi Chen. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Light emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233598A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Light emitting diode assembly

Номер патента: US20240258488A1. Автор: Jae Ho Lee,Hyun Min PARK,Jin Su MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Light-emitting diode structure

Номер патента: EP2306532A3. Автор: Chia-Yun Hsu,Chih-Hung Hsu. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Light-emitting diode panel and spliced panel

Номер патента: US12100700B2. Автор: Yan Li. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Light-emitting diode device

Номер патента: US20150028369A1. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Jhih-Sian Wang,Yi-Tang Lai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Micro light-emitting diode device

Номер патента: US20240313160A1. Автор: Li-Yi Chen,Hsin-Wei Lee. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Micro light-emitting diode package structure and forming method thereof

Номер патента: US20240355986A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Chih-Hao Lin,Guo-Yi SHIU,Wei-Yuan Ma,Cheng-Hsien Li,Chin-Hung Lo. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Light-emitting diode device

Номер патента: US09871178B2. Автор: Hui-Chun Yeh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Light emitting diode package including color absorbing body member

Номер патента: US09859475B2. Автор: Hyun-Jeong Kim,Seokhyun NAM,Youngchun Kim,Changyong PARK,Sijoon SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Organic light emitting diode display

Номер патента: US09818980B2. Автор: Meng-Ting Lee,Chieh-Hung Yang,Ju-Cheng Hsiao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-11-14.

Light-emitting diode device

Номер патента: US09793451B2. Автор: Chien-Fu Huang,Min-Hsun Hsieh,Chia-Liang Hsu,Han-Min Wu,Tzu-Chieh Hsu,Ye-Ming Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method regarding a light-emitting diode for which the arrangement of an electrode on an emitting face is determined as a function of the spreading length of the current in said light-emitting diode

Номер патента: US09666760B2. Автор: David Vaufrey. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Light-emitting diode chip package

Номер патента: US09659914B2. Автор: Chih-Hao Lin,Hsin-Lun Su,Fang-Chang Hsueh,Yi-Jyun Chen. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Light emitting diode module structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559277B2. Автор: Wei-Chen Liang,Pin Chang. Владелец: Wisetop Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Light-emitting diode module, light-emitting diode source and light-emitting diode lamp for energy-efficient generation of white light

Номер патента: RU2444813C2. Автор: Эрвин БАУМГАРТНЕР,Франц ШРАНК. Владелец: Лумитех Продукцион Унд Энтвиклунг Гмбх. Дата публикации: 2012-03-10.

Light-emitting diode device

Номер патента: RU2302687C1. Автор: Вадим Александрович Усачев,Валерий Викторович Кузнецов,Дмитрий Анатольевич Костюков,Василий Иванович Осипов,Валентин Николаевич Щербаков,Виктор Владимирович Колобов. Владелец: Закрытое акционерное общество "ПОЛА+". Дата публикации: 2007-07-10.

Light-emitting diode with particles in sealing compound for high extraction of light and non-yellow colour in off state

Номер патента: RU2493635C2. Автор: Григорий БАСИН,Пол МАРТИН,Асхим Схатил ХАК,Чин-хой ЧЭНЬ,Роберт Скотт УЭСТ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-09-20.

White light-emitting diode based illumination device

Номер патента: RU2524690C2. Автор: Мин ЧЖАН,Кунь ЧЖАО,Дон-мин ЛИ. Владелец: Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд. Дата публикации: 2014-08-10.

Light-emitting diode assembly, including light-scattering layer

Номер патента: RU2586268C2. Автор: Ханс-Хельмут БЕХТЕЛЬ,Томас ДИДЕРИХ,Маттиас ХАЙДЕМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20200227638A1. Автор: Jing Wang,San ZHU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Quantum dot light-emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US20210371743A1. Автор: LEI QIAN,Weiran Cao,Zhurong LIANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Organic light emitting diode panel and method for fabricating same

Номер патента: US20210351373A1. Автор: Jinxiang Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Organic light emitting diode device and method for fabricating the same

Номер патента: US09525015B2. Автор: Jiyun Kim,Taro Hasumi,Sangmoo Song,Jino Lee,Jungchul Kim,Sehwan NA. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Array substrate of organic light-emitting diodes and method for packaging the same

Номер патента: US09929129B2. Автор: Yujun Li. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate of organic light-emitting diodes and method for packaging the same

Номер патента: US09774014B2. Автор: Yujun Li. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Array substrate of organic light-emitting diodes and method for packaging the same

Номер патента: US09673180B2. Автор: Yujun Li. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Organic light emitting diode display panel, organic light emitting diode display device, and method for fabricating organic light emitting diode display panel

Номер патента: US09466656B2. Автор: Dong Qian,Chang-Ho Tseng,Zhiyong XIONG. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Color-converting substrate for light-emitting diode and method for producing same

Номер патента: US09893245B2. Автор: Yoon Seuk Oh,Ki Yeon Lee,Hyung Soo Moon,Jhee Mann Kim,Choon Bong Yang. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic light emitting diode packaging method and packaging structure and device having the same

Номер патента: US09960384B2. Автор: Chun-Jan Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Substrate for changing color of light emitting diode and method for producing same

Номер патента: US09893248B2. Автор: Yoon Seuk Oh,Ki Yeon Lee,Hyung Soo Moon,Jhee Mann Kim,Choon Bong Yang. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for Producing a Bent Organic Light-Emitting Diode and Bent Organic Light-Emitting Diode

Номер патента: US20180351128A1. Автор: Erwin Lang. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for preparing a series of carbazole derivatives and use thereof in organic light-emitting diodes

Номер патента: US20180282277A1. Автор: Shibo Wang,Ruimao Hua,Jianhua Cao. Владелец: Shijiazhuang Chengzhi Yonghua Display Material Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Active Matrix Organic Light Emitting Diode Panel And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170194391A1. Автор: Zhiyong XIONG,Bengang ZHAO. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method and apparatus for using light emitting diodes for curing

Номер патента: US09726435B2. Автор: Jonathan S. Dahm. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

Active matrix organic light emitting diode panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627447B2. Автор: Zhiyong XIONG,Bengang ZHAO. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Organic light-emitting diode panel and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210184166A1. Автор: Lun SHANG. Владелец: Wuhan China Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display

Номер патента: US20150325817A1. Автор: Jang Sub Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Organic light emitting diode display device having electron transport layer laterally spaced from hole transport layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997577B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Organic light emitting diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09887385B2. Автор: Tae-Joon SONG,Yun-Ho KOOK,Yong-Hee Han. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Organic light-emitting diode packaging structure, method for packaging organic light-emitting diode, and display device

Номер патента: US09755187B2. Автор: Song Zhang,Jing Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Organic light-emitting diode and method for preparing the same

Номер патента: US09673414B2. Автор: Taegyu Kim,Haidong WU,Juanjuan BAI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Organic light emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443920B2. Автор: Soyoung Noh,Jeongoh Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Composite film and method for manufacturing the same, and organic light-emitting diode and method for packaging the same

Номер патента: US09774002B2. Автор: Jing Liu,Xiang Feng,Yun Qiu,Xiangdong WEI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US09385346B2. Автор: Hao-Jung Huang,Tun-Huang Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Structure and method for forming a light detecting diode and a light emitting diode on a silicon-on-insulator wafer backside

Номер патента: US20130015502A1. Автор: Benjamin A. Fox,Andrew B. Maki,Trevor J. Timpane,David M. Onsongo,Nathaniel J. Gibbs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Anthracene materials, organic light emitting diodes, and method for manufacturing anthracene materials

Номер патента: US20200223809A1. Автор: Chi-Feng Lin,Jiun-Haw Lee,Man-Kit Leung,Tien-Lung Chiu,Zheng-Chen Hsiao,Yi-Mei Huang,Bo-An FAN. Владелец: Shine Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US20180315960A1. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Hao-Ming Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Organic light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US09876190B2. Автор: Minsoo Kang,Sung Ho Mo,Ducksu OH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Organic light emitting diode, manufacturing method thereof, and organic light emitting display device having organic light emitting diode

Номер патента: US09806288B2. Автор: Joon Gu LEE,Yeon Hwa LEE,Jae Ik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Organic light emitting diode display, optical unit, and method for manufacturing optical unit

Номер патента: US09786724B2. Автор: HEE YOUNG LEE,Cheol Kyu Kim,Sun Haeng Cho,Suk Choi,Hyun-Joo Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method for organic light emitting diode display and organic light emitting diode display using the same

Номер патента: US09741776B2. Автор: Seung Jae Lee,Jong Woo Kim,Yong Tack Kim,Ji young Moon,Yoon Hyeung CHO,Jae Heung Ha,Min Ho Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Номер патента: US09524678B2. Автор: Jongsik Shim,Nayoung BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic light-emitting diode fluorescent device and method for producing same

Номер патента: US09444067B2. Автор: Yanhu Li,Hsin Chih LIN. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for the production of metal-organic framework coated light emitted diode

Номер патента: US20240084079A1. Автор: Ka Ho LEUNG,Thuc Hue LY,Ping MAN. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for preventing short circuit between metal wires in organnic light emitting diode display device

Номер патента: US20150050766A1. Автор: Kai-Yuan Ko. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for preparing sensitizing material and organic light emitting diode

Номер патента: US20200181180A1. Автор: Jiajia Luo. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods for integration of light emitting diodes and image sensors

Номер патента: WO2022146825A1. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-07.

Organic light-emitting diode and method for producing an organic light-emitting diode

Номер патента: US09978993B2. Автор: Thomas Wehlus,Daniel Riedel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode

Номер патента: US09741966B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for repairing organic light-emitting diode (OLED) display device

Номер патента: US09559338B2. Автор: Haidong WU,Qun MA,Chon Kyu Min. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing organic light emitting diode display device

Номер патента: US09461270B2. Автор: Jin Goo Kang,Young Hoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Microstructure array and method of manufacturing the same and micro-light-emitting diode and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20220376217A1. Автор: Dohoon Kim,JaeMin MYOUNG,HeeJu AN. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated organic light emitting diode display apparatus and methods for making the same

Номер патента: US20180211596A1. Автор: Jing Gu. Владелец: Viewtrix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Scattering layer and method for preparing the same, and organic light-emitting diode display device comprising the same

Номер патента: US09978992B2. Автор: Rui Peng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Current distribution in an organic light emitting diode device

Номер патента: US09923163B2. Автор: Florent Monestier,Christian Büttner. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2018-03-20.

Organic light emitting diode display device having a capacitor with stacked storage electrodes and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673267B2. Автор: Young Jun Kim,Bo Kyoung Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Photoresist employing photodimerization chemistry and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same

Номер патента: US09666802B2. Автор: JINKYUN Lee,YoungMi Kim,Soohyun KIM,Jonggeun Yoon,Joonyoung HEO,Euidoo Do,Yeonkyeong Lee. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-05-30.

Organic light-emitting diode (OLED) display and fabrication method for the same

Номер патента: US09401391B2. Автор: Tae-Kon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Drive circuit, organic light-emitting diode display, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160071912A1. Автор: Yong Wu,Yingteng ZHAI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for Fabricating a Hybrid Display using Inorganic Micro Light Emitting Diodes (uLEDs) and Organic LEDs (OLEDs)

Номер патента: US20190355708A1. Автор: Kenji Sasaki,Kurt Ulmer,Paul J. Schuele,Jong-Jan Lee. Владелец: eLux Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Package structure for flexible organic light emitting diode device, method for packaging the same and flexible display device

Номер патента: US09431630B2. Автор: Wei Huang,Weifeng ZHOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel

Номер патента: US10163996B2. Автор: SHENG Tao,Arokia Nathan,Denis Striakhilev,Yuri Vygranenko. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel

Номер патента: US20070029545A1. Автор: SHENG Tao,Arokia Nathan,Denis Striakhilev,Yuri Vygranenko,Arokia Natham. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Organic light emitting diode display panel, organic light emitting diode display device, and method for fabricating organic light emitting diode display panel

Номер патента: US20150372072A1. Автор: Dong Qian,Zhiyong XIONG,Zhanghe Zeng. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel

Номер патента: US20230292557A1. Автор: SHENG Tao,Arokia Nathan,Denis Striakhilev,Yuri Vygranenko. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel

Номер патента: US11665934B2. Автор: SHENG Tao,Arokia Nathan,Denis Striakhilev,Yuri Vygranenko. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Organic light emitting diode display with improved on-current, and method for manufacturing the same

Номер патента: US8232123B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-31.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120262433A1. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-18.

Systems and methods for a light emitting diode chip

Номер патента: WO2014105329A1. Автор: Boris Kolodin. Владелец: GE LIGHTING SOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100044691A1. Автор: Zail Lhee,Sang-Mok Hong,Kaun-Soo Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US20150179945A1. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,I-Wei Wu,Dong An,Chang-Ting Lin,Jung-An Cheng,Liang-Neng Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Organic light-emitting diode display apparatus, display device, and method for testing the organic light-emitting diode display apparatus

Номер патента: US09892675B2. Автор: Chen Zhang,FEI Yang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic light emitting diode display device and method for repairing organic light emitting diode display

Номер патента: US09806136B2. Автор: June-Woo Lee,Na-Young Kim,Kwan-Wook Jung,Jae-Beom Choi,Moo-Jin Kim,Guang hai Jin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for removing defective light emitting diode (LED) package from LED package arrary

Номер патента: US09627279B2. Автор: Min Hwan Kim,Won Soo Ji,Sung Hoon Oh,Choo Ho Kim,Beom Seok SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Organic light-emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US09587172B2. Автор: Se-Hwan Son,Min-soo Kang,Jung-Hyoung Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Organic light emitting diode, manufacturing method for organic light emitting diode, image display device, and illumination device

Номер патента: US09508956B2. Автор: Takayuki Okamoto,Kei Shinotsuka,Etsuko Kawamukai. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light-emitting diode (OLED) device, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09508933B2. Автор: Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light-emitting diode device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484553B2. Автор: Qing Dai,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US09406884B2. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,I-Wei Wu,Dong An,Chang-Ting Lin,Jung-An Cheng,Liang-Neng Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Organic light emitting diode display device and method for repairing organic light emitting diode display

Номер патента: US09406729B2. Автор: June-Woo Lee,Na-Young Kim,Kwan-Wook Jung,Jae-Beom Choi,Moo-Jin Kim,Guang hai Jin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Condensed-cyclic compounds and organic light-emitting diodes comprising the same

Номер патента: US20140034916A1. Автор: Mi-Kyung Kim,Kwan-Hee Lee,Chang-Woong Chu,Se-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871087B2. Автор: Yongmin Kim,Jungsun Beak,Kyoungjin Nam,Jeongoh Kim,Jeonggi YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for producing emission layer based on compounds of rare-earth elements and organic light-emitting diodes

Номер патента: RU2657497C1. Автор: Валентина Владимировна Уточникова,Андрей Александрович Ващенко,Егор Викторович Латипов,Андрей Николаевич Асландуков,Дмитрий Олегович Горячий,Александр Игоревич Далингер,Айварс Вембрис,Марек Петрашкевич,Сергей Зурабович Вацадзе,Наталия Петровна Кузьмина. Владелец: Сиа Эволед. Дата публикации: 2018-06-14.

Stacked light emitting diode (LED) hologram display

Номер патента: US11961829B2. Автор: Zahra Hosseinimakarem,Mandy W. Fortunati,Ariela E. Gruszka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Stacked light emitting diode (led) hologram display

Номер патента: US20220165714A1. Автор: Zahra Hosseinimakarem,Mandy W. Fortunati,Ariela E. Gruszka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Stacked light emitting diode (led) hologram display

Номер патента: WO2022115359A1. Автор: Zahra Hosseinimakarem,Mandy W. Fortunati,Ariela E. Gruszka. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Stacked light emitting diode (led) hologram display

Номер патента: US20230035577A1. Автор: Zahra Hosseinimakarem,Mandy W. Fortunati,Ariela E. Gruszka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Stacked light emitting diode (led) hologram display

Номер патента: US20240266333A1. Автор: Zahra Hosseinimakarem,Mandy W. Fortunati,Ariela E. Gruszka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Micro light emitting diode chip and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240258292A1. Автор: Kyungwoon Jang,Changjoon LEE,Sungyong Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic light emitting diode comprising an organic semiconductor layer

Номер патента: US09923153B2. Автор: Carsten Rothe,Vygintas Jankus. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-03-20.

Organic light emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647046B2. Автор: Jaeil Kim,Hojin Ryu. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light-emitting diode (OLED) display and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502486B2. Автор: Jeong Ho Lee,Wang Woo LEE,Moo Soon KO,Min Woo Woo,Il Jeong LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Organic light emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same

Номер патента: US09419063B2. Автор: Jaeil Kim,Hojin Ryu. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Light-emitting diode source of white light with remote photoluminescent reflecting converter

Номер патента: RU2452059C1. Автор: Владимир Николаевич Уласюк. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд". Дата публикации: 2012-05-27.

Drive Circuit And Organic Light-Emitting Diode Display Each Having Switching Transistor Without Etch Stopping Layer On Oxide Semiconductor

Номер патента: US20190229167A1. Автор: Yong Wu,Yingteng ZHAI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Drive circuit and organic light-emitting diode display each having switching transistor without etch stopping layer on oxide semiconductor

Номер патента: US10297651B2. Автор: Yong Wu,Yingteng ZHAI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Substrate For Changing Color Of Light Emitting Diode And Method For Producing Same

Номер патента: US20170040507A1. Автор: Yoon Seuk Oh,Ki Yeon Lee,Hyung Soo Moon,Jhee Mann Kim,Choon Bong Yang. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Nano-textured sio2 layer as anti-reflection surface for high- efficient light in-coupling in solar cells

Номер патента: WO2019143241A4. Автор: Miroslav Zeman,Olindo ISABELLA,Guangtao YANG. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2019-09-06.

Composition, color-converting sheet and light-emitting diode apparatus

Номер патента: RU2745690C2. Автор: Хироси ОКУРА,Штефан ДЕРТИНГЕР,Эйдзи НИСИХАРА,Тадаси ИСИГАКИ,Котоку ОХМИ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2021-03-30.

Multilayered lighting glazing with capacitive sensor device and light-emitting diode and their manufacturing

Номер патента: RU2734937C2. Автор: Паскаль Бойерле,Штефан Дросте,Патрик Вебер. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-10-26.

Line detecting tool and line detecting method for light emitting diode substrate

Номер патента: US20200096552A1. Автор: Lei Chen,Xuerong Wang,Xin Ma,Fei Gao,Zhiqiang Wang,JinLong Zheng,Chuan Sun,Bochao Rui. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Active matrix organic light emitting diode panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140159004A1. Автор: Zhiyong XIONG,Bengang ZHAO. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and methods for implementing a dual green-blue light-emitting diode with different wavelengths

Номер патента: US20220100036A1. Автор: Eunseok KIM,Yong-Gu Kang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-03-31.

Organic light-emitting diode display with white and blue diodes

Номер патента: US09455304B2. Автор: Jungmin Lee,Donghee Nam. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Organic light-emitting diode packaging structure, method for packaging organic light-emitting diode, and display device

Номер патента: US20170040572A1. Автор: Song Zhang,Jing Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Organic light emitting diode component and lamp

Номер патента: US20190013491A1. Автор: DONG Chen,Yinan LIANG,Chao Kong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Micro light-emitting diode display

Номер патента: US20200388209A1. Автор: Li-Yi Chen. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4435832A1. Автор: Xuechao Ren. Владелец: Tcl China Star Optoelectronics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Organic light-emitting diode device, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20200220112A1. Автор: Lei Chen,NA Li,Haidong WU,Guanyin WEN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Light emitting diode driving system and burning method thereof

Номер патента: US09967942B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Hsien Chiang,Chao-Wei Tsai,Hung-Ta Shih,Sung-Wei Wu. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Organic light emitting diode array substrate having angled micro-cavity

Номер патента: US09799851B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Organic light-emitting diode display with barrier layer

Номер патента: US09799713B2. Автор: Paul S. Drzaic,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Chin-Wei Lin,Chieh-Wei Chen,Zhifeng Zhan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Organic light emitting diode display panel and display device

Номер патента: US09741958B2. Автор: CHAO Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Light-emitting diode apparatus

Номер патента: US09739458B2. Автор: Mamoru Miyachi,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic light emitting diode display having an organic layer that includes layers of varied thicknesses

Номер патента: US09711746B2. Автор: Changmin Lee,Jihwan YOON,Hyunju Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Organic light-emitting diode display with color filter layer

Номер патента: US09685486B2. Автор: CHENG Chen,Rui Liu,Kwang Ohk CHEON. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Organic light emitting diode display device

Номер патента: US09508943B2. Автор: Jae-Young Lee,Hee-Chul LIM,Hyun-Tae BYUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Light-emitting diode

Номер патента: RU2635095C2. Автор: Юйчжо ЛЮ,Юньчзан ВАН,Рассел А. СТЭПЛТОН. Владелец: Милликен Энд Компани. Дата публикации: 2017-11-09.

The light-emitting diode module

Номер патента: RU2442240C1. Автор: Евгений Тофикович Алиев,Александр Олегович Устинов,Александр Валериевич Шишов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Лайт Энджинс Корпорейшн". Дата публикации: 2012-02-10.

Light emitting material, manufacture method thereof and organic light emitting diode using the light emitting material

Номер патента: US11034885B2. Автор: Yuanchun Wu,Yunchuan Li,Xianjie Li,Shijian Su. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Display panel and method for electrically-isolating light emitting diode in display panel

Номер патента: EP3644301A1. Автор: Shin-Bok Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Display panel and method for electrically-isolating light emitting diode in display panel

Номер патента: US20200135090A1. Автор: Shin-Bok Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Light emitting material, manufacture method thereof and organic light emitting diode using the light emitting material

Номер патента: US20200216753A1. Автор: Yuanchun Wu,Yunchuan Li,Xianjie Li,Shijian Su. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

Номер патента: US20230148324A1. Автор: Sung-Jin Park,In-Bum Song,Do-Han Kim,Jae-Min Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Near-infrared light-emitting diode and device including near-infrared light-emitting diode

Номер патента: US20200235319A1. Автор: Sunwoo Kang,Soobyung Ko,Byeongwook Yoo,Myeongsuk KIM,Jimyoung YE,Illhun CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Organic light-emitting diode display panel

Номер патента: US20160218158A1. Автор: ZHENG Li,Chungche TSOU. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200152914A1. Автор: Mikyung Kim,Sunyoul LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Organic light emitting diode display and repairing method thereof

Номер патента: US20200051472A1. Автор: Sang Jin Park,Dong Hyun Yang,In Kyung Yoo,Sung Bae Ju. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Flat lighting device and display device using light-emitting diode

Номер патента: US12061395B2. Автор: Soohyun KIM,Wonseok Choi,Sungmin Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Organic light-emitting diode display panel having induction lines on a pixel defining layer

Номер патента: US9647042B2. Автор: ZHENG Li,Chungche TSOU. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Light emitting diode, light emitting diode module, and display device including the same

Номер патента: US11749792B2. Автор: Se Min Bang. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Light emitting diode module and system including the same

Номер патента: US20240234661A9. Автор: Sung Ki HWANG,Meen Woo KWAK. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Organic light-emitting diode display panel and display apparatus

Номер патента: US20170110684A1. Автор: Dapeng Wang. Владелец: BOE Hebei Mobile Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same

Номер патента: GB2628207A. Автор: KIM Ho-Jin,PARK Ji-Yeon,Kwak Bong-Choon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Lighting apparatus using organic light emitting diode

Номер патента: US20200006707A1. Автор: HyunJun Park,Taemin Kim,Wonik Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Light emitting diode, light emitting diode module, and display device including the same

Номер патента: US20240322103A1. Автор: Se Min Bang. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light emitting diode display device and method of driving the same

Номер патента: US20240321182A1. Автор: Bum Sik Kim. Владелец: Yas Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light emitting diode display apparatus

Номер патента: US09983337B2. Автор: Dae-Sik Kim,Seong-Woo Cho,Dong-Myung Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Organic light-emitting component having organic light-emitting diode integrally connected to circuit board

Номер патента: US09978964B2. Автор: Andrew Ingle,Marc Philippens. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Organic light-emitting diode display panel and display apparatus

Номер патента: US09899629B2. Автор: Dapeng Wang. Владелец: BOE Hebei Mobile Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same and display including the organic light emitting diode

Номер патента: US09899607B2. Автор: Jun-Seok Kim,Mi-Young Chae,Sung-Hyun Jung,Young-Kyoung Jo,Han-Ill Lee,Dal-Ho Huh,Dong-wan Ryu,Dong-Kyu Ryu,Jin-Seok Hong,Yu-Na JANG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Organic light-emitting diode, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09893318B2. Автор: Qing Dai,Ze Liu,Wenjun HOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of fabricating an organic light emitting diode display device including a selective melting and drying process with an organic solvent

Номер патента: US09881980B2. Автор: Hyo-Dae Bae,Jeong-won Lee,Jong-Hoon Yeo,Seung-Han Paek,Young-Mu Oh,Heon-Il SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Organic light-emitting diode and arrangement with such a light-emitting diode

Номер патента: US09857062B2. Автор: Karsten Diekmann,Kilian Regau,Christian Kristukat. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

Compound, emitting layer of organic light emitting diode and organic light emitting diode device

Номер патента: US09853221B2. Автор: PACHAIYAPPAN Rajamalli,Chien-Hong Cheng,Natarajan Senthilkumar,Min-Hsien Chen,Parthasarathy GANDEEPAN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-12-26.

Compound for organic optoelectric device, organic light-emitting diode including same, display device including organic light-emitting diode

Номер патента: US09825242B2. Автор: Dong-Min Kang,Mi-Young Chae,Ho-Kuk Jung,Hyun-Jung Kim,Nam-Heon Lee,Jong-Woo Won,Chang-Ju Shin,Soo-Young JEONG,Woo-Seok JEONG. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Organic light emitting diode display having porous frit layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768408B2. Автор: Hao-Jung Huang,Kuang-Pin Chao,Yang-Chen Chen. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Compound for optoelectronic device, organic light-emitting diode including same, and display device including organic light-emitting diode

Номер патента: US09768389B2. Автор: Mi-Young Chae,Sung-Hyun Jung,Young-Kyoung Jo,Han-Ill Lee,Dal-Ho Huh,Dong-wan Ryu,Jin-Seok Hong,Nam-Heon Lee. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode comprising same, and display comprising organic light emitting diode

Номер патента: US09722186B2. Автор: Hyung-Sun Kim,Eun-Sun Yu,Mi-Young Chae,Ho-Jae Lee,Chang-Woo Kim,Moo-Jin PARK. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Stacked organic light-emitting diode having a triple charge generation layer

Номер патента: US09692007B2. Автор: Chang-Yen Wu,Chin-Lung Liao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Organic light-emitting diode array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09647044B2. Автор: Hongfei Cheng,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light-emitting diode display panel having induction lines on a pixel defining layer

Номер патента: US09647042B2. Автор: ZHENG Li,Chungche TSOU. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light emitting diode display

Номер патента: US09620742B2. Автор: Dong Cheol Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Hybrid pixel control circuits for light-emitting diode display

Номер патента: US09601517B2. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Chin-Wei Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Organic light emitting diode array substrate, its manufacturing method, and display device

Номер патента: US09570533B2. Автор: Libin LIU,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Organic light-emitting diode display with reduced lateral leakage

Номер патента: US09542892B2. Автор: John Z. Zhong,Kwang Ohk CHEON,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Jae Won Choi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520451B2. Автор: Chih-Hsiang Yang,Ted-Hong Shinn,Chi-Liang Wu,Xue-Hung TSAI,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Organic light emitting diode

Номер патента: US09496515B2. Автор: Kwan-Hee Lee,Ja-Hyun Im,Byung-Hoon Chun,Sung-Jun Bae,Seong-Jong Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Organometallic compound, and organic light-emitting diode using same

Номер патента: US09478756B2. Автор: Sung Cheol Yoon,Chang Jin Lee,Jaemin Lee,Jongsun Lim,Chan Hyuk Park,Young Hun Kang. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2016-10-25.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09466818B2. Автор: Jun-Ho Lee,Myung-Seop Kim,Young-Hoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Organic light emitting diode display and manufacturing method of organic light emitting diode display

Номер патента: US09373816B2. Автор: Sang-Joon SEO,Yong-Hwan Park,Jin-Kwang Kim,Seung-Hun Kim,Jun-Hyuk CHEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Lead frame, with support heat sink ring, method of making case for light-emitting diode with its use and case for light-emitting diode, made using this method

Номер патента: RU2355068C1. Автор: Чунг Хоон ЛИ,До Хиунг КИМ,Кеон Янг ЛИ. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-05-10.

Low-dimensional hybrid post-perovskites for high efficiency white-light emission

Номер патента: EP3581568A1. Автор: Michael Paris,Romain GAUTIER,Florian MASSUYEAU. Владелец: UNIVERSITE DE NANTES. Дата публикации: 2019-12-18.

Light-emitting diode assembly

Номер патента: RU2493612C2. Автор: Штефан П. ГРАБОВСКИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Electrical feed connector system and method for light emitting diode (led) circuit boards with varied placement of wire terminal connection points

Номер патента: US20240072461A1. Автор: Kyle Davis,Brad Koerner,Graham MERRIFIELD,Scott Soma,Cooper HURLEY. Владелец: LUXTECH LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of spectral-polarization convergence of several laser beams to one for high-efficient laser pumping of broadband media

Номер патента: RU2649639C2. Автор: Сергей Петрович Никитин,Алексей Михайлович Желтиков,Матвей Сергеевич Почечуев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фемтовижн". Дата публикации: 2018-04-04.

System for highly efficient conversion and accumulation of energy using carbon nanostructured materials

Номер патента: RU2469442C1. Автор: Маркку Антти Кюёсти РОУВАЛА,Ди ВЭЙ,Гехан АМАРАТУНГА,Хаолан ВАНГ,Хусну Эмрах УНАЛАН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-10.

Synchronous light emitting diode lamp string

Номер патента: US20080001546A1. Автор: Jacky Peng. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20110250708A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20130288557A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20120244774A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Light emitting diode module and lamp

Номер патента: US20130271976A1. Автор: Chih-Wei Lu,Huan-Hsiang Huang. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Wireless light emitting diode lamp

Номер патента: US20180363890A1. Автор: Baiping DING,Yangbiao HUANG,Baidong DING. Владелец: Shenzhen Zhongfuneng Electric Equipment Co ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatus for operating at least one light-emitting diode in the form of a laser diode

Номер патента: US09677533B2. Автор: Stephan Bolz. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

High-level syntactic expansions for high-efficient video coding

Номер патента: RU2636692C2. Автор: Ли ЧЖАН,Ин ЧЭНЬ,Е-Куй ВАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-11-27.

Method and device for highly efficient compression of large-volume multimedia information based on the criteria of its value for storing in data storage systems

Номер патента: RU2654126C2. Автор: Владимир Александрович Свириденко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Спирит Корп". Дата публикации: 2018-05-16.

Methods for concurrent link setup and downlink data retrieval for high efficiency wlan

Номер патента: US20230300898A1. Автор: Xiaofei Wang,Guodong Zhang,Hanqing Lou. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for concurrent link setup and downlink data retrieval for high efficiency WLAN

Номер патента: US12069738B2. Автор: Xiaofei Wang,Guodong Zhang,Hanqing Lou. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for concurrent link setup and downlink data retrieval for high efficiency wlan

Номер патента: US20240365393A1. Автор: Xiaofei Wang,Guodong Zhang,Hanqing Lou. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of producing electroluminescent material 1,10-phenanthroline-tri-(thenoyltrifluoroacetonate) europium (iii) for use in production of organic light-emitting diodes (oled) and structures based thereon

Номер патента: RU2584208C1. Автор: Николай Николаевич Усов,Игорь Христофорович Аветисов,Александр Генрихович Чередниченко,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Олег Геннадьевич Котовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-05-20.

Devices and methods for processing of non-idr related syntax for high efficiency video coding (hevc)

Номер патента: WO2014078013A1. Автор: YUE YU,Limin Wang,Jian Lou. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-05-22.

Band edge emission enhanced organic light emitting diode-based devices that emit multiple light wavelengths

Номер патента: WO2022067073A1. Автор: John N. Magno,Gene C. Koch. Владелец: Red Bank Technologies Llc. Дата публикации: 2022-03-31.

Master station and method for high-efficiency WI-FI (hew) communication using multi-device hew preamble

Номер патента: US09668258B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Master station and method for high-efficiency wi-fi (hew) communication using traveling pilots

Номер патента: US09510346B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Electric circuit and method for driving light-emitting diode for vehicle

Номер патента: GB2608105A. Автор: Heo Joon,Im Jingue. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2022-12-28.

Wireless apparatus for high-efficiency (HE) communication with additional subcarriers

Номер патента: US09450725B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Light-Emitting Diode Driving Device, Light-Emitting Diode Device, and Method for Driving the Same

Номер патента: US20140354623A1. Автор: Chia-Chun Liu,Chung-Wen Wu,Chien-Cheng Tu,Sih-Ting Wang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-12-04.

Light-Emitting Diode Driving Device, Light-Emitting Diode Device, and Method for Driving the Same

Номер патента: US20120086359A1. Автор: Chia-Chun Liu,Chung-Wen Wu,Chien-Cheng Tu,Sih-Ting Wang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-12.

System and method for illuminating light emitting diodes in a contact image sensor

Номер патента: US20030085673A1. Автор: Curt Lydegraf. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-05-08.

Lighting emitting diode device with directivity and coherency and manufaturing method for providing light with directivity and coherency

Номер патента: US20110303900A1. Автор: Cheng-Wei Yang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-12-15.

Quantum dot light-emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US12101953B2. Автор: LEI QIAN,Wenyong Liu,Ruifeng Li,Weiran Cao. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Lighting emitting diode device with directivity and coherency and manufacturing method for providing light with directivity and coherency

Номер патента: US8581282B2. Автор: Jwo-huei Jou,Cheng-Wei Yang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-11-12.

Method and circuit apparatus for detecting a failure of at least one light emitting diode in a light emitting diode arrangement

Номер патента: US09894731B2. Автор: Emil Kovatchev. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2018-02-13.

Operating circuit for light emitting diodes and method for operating light emitting diodes

Номер патента: US09544955B2. Автор: Martin Huber. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-01-10.

Measurement Arrangement for Detecting Ageing Processes in Individual Light-Emitting Diodes

Номер патента: MY195434A. Автор: Roland Neumann. Владелец: Inova Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-01-20.

Organic light emitting diode and method for the production thereof

Номер патента: US20090127546A1. Автор: Michael Eritt,Olaf Rudiger Hild. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2009-05-21.

Driving circuit for flash light-emitting diode and operating method thereof

Номер патента: US09769889B2. Автор: Tao Jiang,Xiaofeng Zhou,Ching-Ji Liang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Meeting/guiding lighting based on printed-circuit light-emitting diode based on rylene

Номер патента: RU2721445C2. Автор: Стюарт С. САЛТЕР,Пол Кеннет ДЕЛЛОК,Слейман Н. АБДЕЛНУР,Стефен Кеннет ХЕЛЬВИГ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-05-19.

Systems and methods for mounting light emitting diodes for a visual alarm device in multiple planes

Номер патента: US20190221085A1. Автор: Daniel Hawkinson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Systems and methods for mounting light emitting diodes for a visual alarm device in multiple planes

Номер патента: US11011030B2. Автор: Daniel Hawkinson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-05-18.

Pixel defining layer, organic light-emitting diode display panel, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12004375B2. Автор: Biao Xu,Heng Yang,Hungchieh Hu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Light-emitting diode assembly, and method for dimming a light-emitting diode of a light-emitting diode assembly

Номер патента: US20180310377A1. Автор: Dieter Nietfeld. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2018-10-25.

Driver arrangement and method for driving at least one light-emitting diode

Номер патента: US20140252960A1. Автор: Karl Georg Waser. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-09-11.

Driver arrangement and method for driving at least one light-emitting diode

Номер патента: US9185764B2. Автор: Karl Georg Waser. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-11-10.

A dimming unit arranged for dimming a light emitting diode, led, based lighting device, a led based lighting device assembly comprising such a dimming unit and a method for operating such a dimming unit

Номер патента: WO2022086333A1. Автор: Adrianus Jacobus KLAVER,Petrus VAN ROSSUM. Владелец: Klemko Techniek B.V.. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and Device for Driving Light-Emitting Diode

Номер патента: US20110273113A1. Автор: Chih-Yuan Hsieh,I-Fong Chen,Chen-Ming Hung,Maung Maung Win. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-11-10.

Organic light emitting diode display and method for driving the same

Номер патента: US09953565B2. Автор: Jongmin Park,Sunghoon Kim,Joonhee Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Light emitting diode (LED) dimmer circuit and dimming method for LEDs

Номер патента: US09510418B2. Автор: Rajesh Swaminathan,Hrishikesh BHAGWAT,Krishnadas Bhagwat,Somnath Samantha,Abhisek Khare. Владелец: Xsi Semiconductors Private Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light emitting diode, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20240188318A1. Автор: Changho Lee,Xiaojin Zhang,Huiyun YANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode

Номер патента: WO2014039192A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Light emitting diode driver circuit, display apparatus including the same, and method for driving light emitting diode

Номер патента: US09881563B2. Автор: Jin-Hyung Lee,Sung-Yong Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Multi-touch sensing light emitting diode display and method for using the same

Номер патента: US09787324B2. Автор: Jefferson Y. HAN. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2017-10-10.

Light emitting diode driver with housing having opening for receiving a plug-in module and method of operating thereof

Номер патента: US09713209B2. Автор: Evan Ackmann. Владелец: Crestron Electronics Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Device and method for detecting a short-circuited light-emitting diode in a light device of a motor vehicle

Номер патента: US09668317B2. Автор: Olivier-Sebastien Lesaffre. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Light emitting diode driver and method of controlling thereof having a dimmed input sense circuit

Номер патента: US09572217B2. Автор: Evan Ackmann. Владелец: Crestron Electronics Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Driving light emitting diodes and display apparatus

Номер патента: EP3726937A1. Автор: Rajkumar Sengodan,Vigneshwaran Kalaimani. Владелец: Goodrich Lighting Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Light emitting diode, LED, based lighting device arranged to emit colored light as well as a corresponding method for operating such a LED based lighting device

Номер патента: US12075533B2. Автор: Henricus Marius Joseph Maria Kahlman,Marcel Beij,Eugen Jacob De Mol. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-08-27.

Quantum dot light emitting diode, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20240237389A1. Автор: Yichi ZHANG,Jingwen FENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Quantum dot light emitting diode device, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240292643A1. Автор: Jing Wang. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems and methods for temperature control in light-emitting-diode lighting systems

Номер патента: US09967941B2. Автор: Qiang Luo,Liqiang Zhu,Xiangkun Zhai. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Light emitting diode driver circuit, display apparatus including the same, and method for driving light emitting diode

Номер патента: US09877362B2. Автор: Jeong-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Light-emitting diode driving device and short protection method for driving device

Номер патента: US09781806B1. Автор: Shih-Chi Yeh,Ju-Hsing Hu,Pei-Chi Tsai,Wei-Chiuan Huang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Arrangement and method for controlling a plurality of light-emitting diodes which are connected in series

Номер патента: US09655184B2. Автор: Qiang Cao,Andre Fischer,Hongxin Guo. Владелец: Varroc Lighting Systems sro. Дата публикации: 2017-05-16.

Controller and method for dimming light-emitting diodes

Номер патента: US09613572B2. Автор: Ching-Tsan Lee. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and System for High-Efficiency Self-Adaptive Modular Data Encryption

Номер патента: US20160277181A1. Автор: Shaohua XIANG,Wai Chuen Wong,Kin Man Yung. Владелец: Bloombase Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Improved methods for producing organic light emitting diode (OLED) materials

Номер патента: GB201208136D0. Автор: . Владелец: Lomox Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

White-light organic light-emitting diode (OLED) and its fabrication method

Номер патента: US7453200B2. Автор: Jwo-huei Jou,Ming-Chen Sun. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2008-11-18.

Driving light emitting diodes and display apparatus

Номер патента: EP3726938A1. Автор: Rajkumar Sengodan. Владелец: Goodrich Lighting Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Circuit and method for flicker suppression in light emitting diodes (leds)

Номер патента: US20140217911A1. Автор: Alexander Mednik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-07.

Band edge emission enhanced organic light emitting diode-based devices that emit multiple light wavelengths

Номер патента: EP4218065A1. Автор: John N. Magno,Gene C. Koch. Владелец: Red Bank Technologies Llc. Дата публикации: 2023-08-02.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110006335A1. Автор: Kyung-Jun Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices

Номер патента: WO2008016763A2. Автор: Sergey A. Lamansky,John P. Baetzold,John S. Staral,Erika Bellmann,Ha T. T. Le. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2008-02-07.

Organic light emitting diode display and method for repairing the same

Номер патента: US09818343B2. Автор: Suk Jin Lee,Tae Gon Kim,Yong Chul Kim,Eun Mi Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Master station and method for high-efficiency wi-fi (hew) communication using traveling pilots

Номер патента: EP3072268A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US8188948B2. Автор: Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-29.

Light emitting diode (LED) lighting device

Номер патента: US09964258B2. Автор: Shen Yanwei. Владелец: Feit Electric Co Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Mounting arrangement and method for light emitting diodes

Номер патента: US09803847B2. Автор: John Popovich,Gregory W. Honegger. Владелец: Fpt Acquisition Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Circuit with light-emitting diodes, as well as light-emitting diode array and device

Номер патента: RU2420043C2. Автор: Бернд АКЕРМАНН,Георг ЗАУРЛЕНДЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-05-27.

Master station and method for high-efficiency wi-fi (hew) communication using multi-device hew preamble

Номер патента: EP3072248A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

Master station and method for high-efficiency wi-fi (hew) communication using multi-device hew preamble

Номер патента: WO2015076861A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2015-05-28.

Devices and methods for processing of non-idr related syntax for high efficiency video coding (hevc)

Номер патента: EP2920971A1. Автор: YUE YU,Limin Wang,Jian Lou. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2015-09-23.

Realizing gains for high-efficiency (he) extended range (er) with or without dual carrier modulation (dcm) modes

Номер патента: US20240306094A1. Автор: Sriram Parthasarathy,Suresh Chandrasekaran,Arul Durai Murugan Palanivelu,Vinod BELUR RAMACHANDRA,Akansh JAIN,Sarath Kumar MAHENDRADA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Explicit way for signaling a collocated picture for high efficiency video coding (HEVC) using a single reference list

Номер патента: US09386309B2. Автор: YUE YU,Limin Wang,Krit Panusopone. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Tubular light-emitting diode light source

Номер патента: RU2407946C2. Автор: Аллан Крог ЙЕНСЕН. Владелец: Эй Кей Джей ИНВЕНШНС В/АЛЛАН КРОГ ЙЕНСЕН. Дата публикации: 2010-12-27.

Method to control light output level of light-emitting diodes and device for its implementation

Номер патента: RU2693844C1. Автор: Алексей Николаевич Ивлюшкин,Кирилл Игоревич Бухаринов. Владелец: Акционерное общество "Научно-Производственный Комплекс "Альфа-М". Дата публикации: 2019-07-05.

Light-emitting diode device

Номер патента: RU2507637C2. Автор: Дитрих БЕРТРАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-02-20.

Switch control systems for light emitting diodes and methods thereof

Номер патента: US20220209762A1. Автор: Jun Zhou,Liqiang Zhu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Lighting systems and devices including multiple light-emitting diode units and associated methods

Номер патента: US20140062311A1. Автор: Steven A. Mcmahon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Switch control systems for light emitting diodes and methods thereof

Номер патента: US20220149829A1. Автор: Jun Zhou,Liqiang Zhu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for operating a light emitting diode arrangement, method for characterizing a light emitting diode, and light emitting diode arrangement

Номер патента: US11985740B2. Автор: Michael Binder,Holger Specht,Maximilian Tauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Switch control systems for light emitting diodes and methods thereof

Номер патента: US11784638B2. Автор: Jun Zhou,Liqiang Zhu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Switch control systems for light emitting diodes and methods thereof

Номер патента: US20240097665A1. Автор: Jun Zhou,Liqiang Zhu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for identifying a short circuit in a first light emitting diode element, and optoelectronic subassembly

Номер патента: US20170269146A1. Автор: Kilian Regau. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-09-21.

Switch control systems for light emitting diodes and methods thereof

Номер патента: US12009825B2. Автор: Jun Zhou,Liqiang Zhu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260410A1. Автор: Ho-Jin Kim,Ji-Yeon Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Light emitting diode system with light signals carried via power lines

Номер патента: US09939117B1. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Light emitting diode lamp string driving system

Номер патента: US09572214B1. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Light emitting diode system

Номер патента: US09497809B2. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Organic light emitting diode with light extracting electrode

Номер патента: RU2655461C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Абхинав БХАНДАРИ. Владелец: Витро, С.А.Б. Де С.В.. Дата публикации: 2018-05-28.

Dc driver device, having input and output filters, to actuate load, in particular, light-emitting diodes

Номер патента: RU2588580C2. Автор: Рейнхольд ЭЛЬФЕРИХ,Тони ЛОПЕС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-07-10.

Organic light-emitting diode

Номер патента: RU2729424C1. Автор: Игорь Христофорович Аветисов,Екатерина Александровна Князева,Илья Викторович Тайдаков,Олег Алексеевич Ракитин,Владислав Николаевич Коршунов,Тимофей Николаевич Чмовж,Людмила Васильевна Михальченко,Евгения Александровна Вараксина,Расим Рамилевич Сайфутяров. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2020-08-06.

Organic light emitting diode

Номер патента: RU2752951C1. Автор: Игорь Христофорович Аветисов,Екатерина Александровна Князева,Илья Викторович Тайдаков,Олег Алексеевич Ракитин,Тимофей Николаевич Чмовж,Людмила Васильевна Михальченко,Расим Рамилевич Сайфутяров,Владислав Михайлович Коршунов,Иван Сергеевич Голованов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2021-08-11.

Image projector with light-emitting diode as light source

Номер патента: RU2307382C2. Автор: Чао Сень У.. Владелец: Премьер Имидж Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2007-09-27.

Led-based lighting module with substantially sealed light-emitting diodes (versions)

Номер патента: RU2587473C2. Автор: Жан-Франсуа ЛАПОРТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-06-20.

Secure element having a light emitting diode

Номер патента: CA2961103C. Автор: Stefan Kluge. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2020-01-21.

Secure element having a light emitting diode

Номер патента: CA2961103A1. Автор: Stefan Kluge. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2016-04-21.

System and method for mounting a light emitting diode to a printed circuit board

Номер патента: US20060250270A1. Автор: Kyrre Tangen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Multi-color light emitting diode and method for making same

Номер патента: WO2014127643A1. Автор: Chenhsien Liao,Kueibai CHEN,Chiahao LI. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

CONTROL AND/OR REGULATING SYSTEM, CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR ACTUATING LIGHT-EMITTING DIODES (LEDs) IN AN LED FIELD

Номер патента: US20230354489A1. Автор: Bernd Schulte-Eversum,Dieter Nietfeld,Shaham Nemati. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2023-11-02.

Device and method for monitoring a signal emitter comprising a light-emitting diode in a light-signal system

Номер патента: US20170227203A1. Автор: Robert Braatz,Heiko Junker,Robert Runge,Geert de Zaeyer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for preparing quantum dots light-emitting diode

Номер патента: US11997911B2. Автор: Jie Zhang,Chaoyu XIANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Light emitting diode driving apparatus with variable output current and method for the same

Номер патента: US20150296581A1. Автор: Chao-Wei Tsai,Jyun-Ping Wang,Hung-Ta Shih. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Light emitting diode lamp utilizing radio frequency identification signal and system for the same and address burning method for the same

Номер патента: US20200084859A1. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for controlling a current of a light-emitting diode

Номер патента: US20210100084A1. Автор: Matthias Goldbach,Benjamin Hoeflinger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-04-01.

Organic light emitting diode panel and OLED light emitting device

Номер патента: US12063842B2. Автор: Yuhsiung Feng,Pohsien WU,Hungchieh Hu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Ac direct driving circuit device for uniformity of multi-channel light emitting diodes

Номер патента: US20240196495A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: POINT TEK CO Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Driving circuit and driving method of organic light emitting diode

Номер патента: US09877372B2. Автор: HAO Zhang,Lingyun SHI,Tiankuo SHI,Quanhua He. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Optical smoke detection unit for a smoke detector, with two light-emitting diodes optically coupled together and with an associated control unit for the deduction of aging information and a smoke detector

Номер патента: US09767665B2. Автор: Martin Allemann,Aleksandar Duric. Владелец: SIEMENS SCHWEIZ AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Light emitting diode lamp using alternating current voltage

Номер патента: US20150062888A1. Автор: Ha-Chul Kim,Hwa-Gune Chong. Владелец: Lumirich Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Supervision circuit for organic light emitting diode

Номер патента: US09485831B2. Автор: Dirk Hente. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus for driving light emitting diode

Номер патента: US09451663B2. Автор: Min Jun Jang,Woo Jun JANG. Владелец: J&C TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Organic light-emitting diode driver configuration

Номер патента: RU2513990C2. Автор: Дирк ХЕНТЕ,Йозеф Х. А. М. ЯКОБС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-04-27.

Driver device and method of exciting for excitation of load, in particular, assembly of light-emitting diodes

Номер патента: RU2587475C2. Автор: Харальд Йозеф Гюнтер РАДЕРМАХЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-06-20.

Halogen modification of lighting device based on led (light-emitting diodes) using electronic transformer and controller

Номер патента: RU2639322C2. Автор: Кумар АРУЛАНДУ,Георг ЗАУЭРЛЕНДЕР,Робертус Леонардус ТАУСАЙН,БРЮЙККЕР Патрик Алауисиус Мартина ДЕ,ДЕР ВОРТ Роналд Ханс ВАН,Далибор КВОРИК,Филип Луи Зулма ВАЭЛЬ,Саит ИЗМИТ,Деннис КЛАССЕНС,И. Ван. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for manufacturing organic light-emitting diodes

Номер патента: US7048603B2. Автор: William Lee,Shyh-Fann Ting,Shih-Fang Chen,Yean-Kuen Fang,Hsin-Che Chiang,Jyh-Jier Ho. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2006-05-23.

High-voltage, series-biased FET amplifier for high-efficiency applications

Номер патента: US6163220A. Автор: James M. Schellenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-19.

Circuit and method for independent control of series connected light emitting diodes

Номер патента: CA2908165C. Автор: Pompilian TOFILESCU,Alexander Ermilov. Владелец: Flextronics Global Services Canada Inc Services Globaux Flextronics Canada Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Burning address method for light emitting diode lamp

Номер патента: US20190141809A1. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Circuit Arrangement and Method for Operating a Light Source, in Particular, a Light-Emitting Diode

Номер патента: US20120268029A1. Автор: Peter Trattler. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-10-25.

Quantum dot light emitting diode, manufacturing method thereof and display panel with electron contribution layer for injecting free electrons to light emitting layer

Номер патента: US11974448B2. Автор: Yichi ZHANG,Jingwen FENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Organic light-emitting diode display panel, method for preparing the same, and display device

Номер патента: US11997871B2. Автор: Haiyan Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Quantum dot light emitting diode, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240172469A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Techniques for high efficiency basic service set operation

Номер патента: EP3535887A1. Автор: George Cherian,Raja Banerjea,Simone Merlin,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-11.

Organic light emitting diode display and method for driving the same

Номер патента: US9711081B2. Автор: Joonhee Lee,Younghwan AHN,DongWon Park,Yongchul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Techniques for high efficiency basic service set operation

Номер патента: WO2018085673A1. Автор: George Cherian,Raja Banerjea,Simone Merlin,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-11.

Light emitting diode display device

Номер патента: US20240215373A1. Автор: Yeon-Suk Kang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

Номер патента: EP4164363A1. Автор: Sung-Jin Park,In-Bum Song,Do-Han Kim,Jae-Min Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Organic light emitting diode display substrate, organic light emitting diode display apparatus, and method of fabricating organic light emitting diode display substrate

Номер патента: EP3688810A1. Автор: Zhen Song,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Organic light-emitting diode, method of manufacturing the same and organic light-emitting diode display apparatus

Номер патента: US20240138180A1. Автор: Lei Chen,Kun Ma,Congcong Jia. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Control circuit for light emitting diode arrangements

Номер патента: US20120217884A1. Автор: Manfred Schlenk,Hans Hoffmann,Mykhaylo Raykhman. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Light emitting diode display pixel

Номер патента: US12039922B2. Автор: Frederic Mercier. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-07-16.

Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260419A1. Автор: Ho-Jin Kim,Ji-Yeon Park,Bong-Choon Kwak. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic light-emitting diode display device

Номер патента: US12052885B2. Автор: Wonmin Yun,Yisu Kim,Byoungduk Lee,Yoonhyeung Cho,Kwanhee Lee,Wonjong KIM,Yongchan Ju,Sanghoon Yim,Minho Oh,Youngcheol Joo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Light-emitting diode driving apparatus

Номер патента: US20140062319A1. Автор: Nan-Chuan Huang,Fu-Kuo Yang. Владелец: Beyond Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Organic light emitting diode and organic light emitting device including thereof

Номер патента: US20240284793A1. Автор: Suk Young Bae,Han Jin Ahn,Jong Uk Kim,Jun Yun KIM,Dong Ryun LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Light emitting diode and display device

Номер патента: US20230276653A1. Автор: Gang Yu,Zhuo Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Reliability of hardware reset process for smart light emitting diode (led) bulbs

Номер патента: US20200351998A1. Автор: Ming Li,Nilesh Patel,YuHao LIU. Владелец: LEDVANCE LLC. Дата публикации: 2020-11-05.

Near-infrared light-emitting diode and device including near-infrared light-emitting diode

Номер патента: US20240268217A1. Автор: Sunwoo Kang,Soobyung Ko,Byeongwook Yoo,Myeongsuk KIM,Jimyoung YE,Illhun CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic light-emitting diode, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4417669A1. Автор: Suk Young Bae,Han Jin Ahn,Jong Uk Kim,Jun Yun KIM,Dong Ryun LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Hyperbranched polymer, organic light-emitting diode including organic layer including the hyperbranched polymer, and method of manufacturing the organic light-emitting diode

Номер патента: US20080290338A1. Автор: Jong-Jin Park,Shinichiro Tamura,Tae-woo Lee,Masa-Aki Kakimoto. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Light-emitting diode device control method

Номер патента: US20180190177A1. Автор: Chi-Fu Tsao,Sen-Chuan Hung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Hyperbranched polymer, organic light-emitting diode including organic layer including the hyperbranched polymer, and method of manufacturing the organic light-emitting diode

Номер патента: US8053091B2. Автор: Jong-Jin Park,Shinichiro Tamura,Tae-woo Lee,Masa-Aki Kakimoto. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-08.

Organic light-emitting diode and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4450587A1. Автор: Suk Young Bae,Han Jin Ahn,Jong Uk Kim,Jun Yun KIM,Dong Ryun LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Organic light-emitting diode display with luminance control

Номер патента: US09940873B2. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Ballast-compatible lighting driver and light emitting diode lamp comprising the same

Номер патента: US09883555B2. Автор: Jinsheng Deng,Xiaoyun Zeng. Владелец: Dongguan Pan American Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Temperature adaptive control circuit for a light emitting diode, lighting and/or signaling apparatus

Номер патента: US09854635B2. Автор: Sylvain Yvon,Dan-Danny LIU,Biao-Robert LUO. Владелец: Valeo Lighting Hubei Technical Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Current sensing circuit and organic light emitting diode display including the same

Номер патента: US09721504B2. Автор: Sangyun Kim,Junhyeok YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Light emitting diode driving circuit, light emitting diode controlling circuit, and method of controlling light emitting diode

Номер патента: US09635718B2. Автор: Jeong-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

LED lighting device with mint, amber and yellow colored light-emitting diodes

Номер патента: US09599294B2. Автор: Moritz Engl,Bernhard Rieder,Michael Rosenauer. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-03-21.

Light emitting diode driving system with carrier signal control

Номер патента: US09585217B2. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Light-emitting diode driving apparatus

Номер патента: US09510422B2. Автор: Masahiro Inoue,Toru Koshimizu. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Light emitting diode driving system with light signals carried via power lines

Номер патента: US09510409B2. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and circuit for driving light-emitting diodes from three-phase power source

Номер патента: US09445472B2. Автор: Wa Hing Leung,Kam Wah Siu,Chung Ping Kevin Lo. Владелец: Huizhou Light Engine Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Light-emitting diode (led) light source with reduced flickering

Номер патента: RU2597326C2. Автор: Тео Геррит ЗЕЙЛМАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Methods of adjusting a coordinated communication line and obtaining downlink data for high-efficiency wlan

Номер патента: RU2736422C2. Автор: Сяофэй ВАН,Годун ЧЖАН,Ханьцин ЛОУ. Владелец: Интердиджитал Пейтент Холдингз, Инк.. Дата публикации: 2020-11-17.

Lighting device with organic light-emitting diodes

Номер патента: RU2515278C2. Автор: Дитрих БЕРТРАМ,Конрад В. А. ВЕРЬЯНС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-05-10.

Light source based on large-area light-emitting diodes

Номер патента: RU2449423C2. Автор: Дирк ХЕНТЕ,Марк ПАРАФИА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-04-27.

Organic light-emitting diode with surface modification layer

Номер патента: RU2686583C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джон Д. БЭЗИЛ,Мехран АРБАБ,Абхинав БХАНДАРИ,Гэри Дж. МАРИЕТТИ. Владелец: Витро, С.А.Б. Де С.В.. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of producing patterned organic light-emitting diode

Номер патента: RU2525147C2. Автор: Кун А. ВЕРСЮРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-08-10.

Control circuit for organic light-emitting diode

Номер патента: RU2562957C2. Автор: Дирк ХЕНТЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-09-10.

Organic light emitting diode display device and method of driving the same

Номер патента: US20110037744A1. Автор: Eun-Jung Oh. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Electronic circuit for highly efficient driving of piezoelectric loads

Номер патента: US20030062802A1. Автор: Claudio Diazzi,Luca Battaglin,Pietro Gallina,Giancarlo Saba,Giancarlo Zinco,Vittorio Peduto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-03.

Power supply device and method for a lighting system with light-emitting diodes and lighting assembly comprising one such device

Номер патента: CA2759512C. Автор: Dominique Persegol,Jean-Louis Lovato. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Thermally induced grafting of non-woven materials for highly efficient ion-exchange separation

Номер патента: RU2715660C1. Автор: Майкл Леонард ХЕЛЛЕР,Рубен Г. КАРБОНЕЛЛ. Владелец: Норт Каролина Стейт Юниверсити. Дата публикации: 2020-03-02.

Method for high-efficiency collection of functional cells in vivo

Номер патента: RU2571230C2. Автор: Кацуто ТАМАИ,Такехико ЯМАЗАКИ,Такенао ТИНО,Ясуфуми КАНЕДА. Владелец: Осака Юниверсити. Дата публикации: 2015-12-20.

Microbubble dispersion system stabilized with polydopamine nanoparticles for highly-efficient intravenous oxygen supply and method for preparing the same

Номер патента: US20220105034A1. Автор: DONG Chen,Zhu SUN,Boheng WU,Jianpeng SHENG,Tingbo LIANG,Xiaowei ZHAI. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-04-07.

Light-emitting diode lamp assembly and method of its manufacturing

Номер патента: RU2718345C2. Автор: Вимал СОНИ. Владелец: Корви Лед Пвт Лтд. Дата публикации: 2020-04-02.

Novel compounding method for high-efficiently removing phosphorus

Номер патента: NL2028950B1. Автор: Li Yan,Xiao Liping,SHEN Baohua,Tao Guiqing,Bai Jichi,Wang Zhemeng,Lan Yunlong. Владелец: Qingdao Ouyi Tiancheng Env Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Novel compounding method for high-efficiently removing phosphorus

Номер патента: NL2028950A. Автор: Li Yan,Xiao Liping,SHEN Baohua,Tao Guiqing,Bai Jichi,Wang Zhemeng,Lan Yunlong. Владелец: Qingdao Ouyi Tiancheng Env Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Method for photochemical hardening light-emitting diodes

Номер патента: RU2396287C2. Автор: Юджин Валентайн ЗИТЦМАНН,Доналд ВОСТРАЦКИ,Дженнифер ЯНКАУСКАС,Грег ЛОСАПИО. Владелец: Циба Спешиалти Кемикэлз Холдинг Инк.. Дата публикации: 2010-08-10.

Method for high-efficiency production of pinoresinol using an H2O2 auto-scavenging cascade

Номер патента: US10392634B2. Автор: Jian Chen,Jingwen Zhou,Guocheng Du,Yongkun Lv. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-27.

Novel system based on a new nitrile hydratase for highly efficient catalytic hydration reaction of aliphatic dinitriles

Номер патента: US20210087547A1. Автор: LI Wang,Changhai Liang,Shengxian Liu,Tongyi DOU,Changhao CUI. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-25.

System based on a new nitrile hydratase for highly efficient catalytic hydration reaction of aliphatic dinitriles

Номер патента: US11421214B2. Автор: LI Wang,Changhai Liang,Shengxian Liu,Tongyi DOU,Changhao CUI. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-08-23.

Light emitting diode temperature estimation

Номер патента: US20230110924A1. Автор: Christopher J. Meehan,Jacob D. DOVE,Julia Taussig,Shao-Nung Liang,David VandeRiet. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-04-13.

Compositions and methods for high efficiency genome editing

Номер патента: US20240350666A1. Автор: William Pu,Suya Wang,Mason Eric SWEAT,Nathan VANDUSEN. Владелец: Childrens Medical Center Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Power-saving method for driving light-emitting diode

Номер патента: US20040246248A1. Автор: Jason Tsai,Shih-Ting Chang. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Dynamic control of thermal expansion induced imaging errors from light emitting diode (led) print bars

Номер патента: US20160279967A1. Автор: Paul A. Hosier,Mark P. Haefner,Roger L. Triplett,Terri A. Clingerman. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Active-matrix organic light-emitting diode pixel circuit of integrated external processor and driving method for the same

Номер патента: US20190287452A1. Автор: Guan Jiun WANG. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Electronic product light-emitting diode message display system and display method

Номер патента: WO2005116962A1. Автор: Tao Li,Farouk Zabel,Bodo Zeug. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2005-12-08.

Active matrix organic light-emitting diode display device and method for driving the same

Номер патента: WO2013080047A2. Автор: Chihao Xu. Владелец: Chihao Xu. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for measuring optoelectronic characteristics of organic light emitting diode

Номер патента: US20040155174A1. Автор: Ming-Hsin Wu,Yen-Lin Wang,Ju-Chung Chen,Shu-Shin Lin. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Organic light emitting diode display apparatus and method for driving the organic light emitting diode display apparatus

Номер патента: US09734747B2. Автор: Joonhee Lee,DongWon Park,Yongchul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Measurement of the light radiation of light-emitting diodes

Номер патента: US09683888B2. Автор: Simeon Katz,Alexander Linkov,Holger Specht,Christopher Koelper. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Method and device for controlling power of active matrix organic light-emitting diode

Номер патента: US09514675B2. Автор: Jong Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Dynamic control of thermal expansion induced imaging errors from light emitting diode (LED) print bars

Номер патента: US09463641B1. Автор: Paul A. Hosier,Mark P. Haefner,Roger L. Triplett,Terri A. Clingerman. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus, systems, and methods for dimming an active matrix light-emitting diode (LED) display

Номер патента: EP1998312A3. Автор: Kalluri R. Sarma,John F. L. Schmidt,Jerry A. Roush. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2010-04-14.

System and method for detecting illuminance having a light sensor comprising a light emitting diode receiving a ray of light and generating a sensing voltage

Номер патента: US10928247B2. Автор: Kuo-Cheng Huang,Yi-Cheng Lin,Hsin-Su Yu,Chung-Yao Hsu,Min-Wei Hung,Hsin-Yi Tsai,Chiou-Lian Lai,Chao-Hung Cheng,Li-Wei Kuo,Fang-Ci Su. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2021-02-23.

Pixel circuit for organic light emitting diode, driving method for pixel circuit and active matrix organic light emitting diode display device

Номер патента: US9466242B2. Автор: Xiaojing QI,Haigang Qing. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Organic light emitting diode display and method for driving the same

Номер патента: US09990888B2. Автор: ChungWan OH,Youngju Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Pixel circuit for organic light emitting diode, driving method for pixel circuit and active matrix organic light emitting diode display device

Номер патента: US09466242B2. Автор: Xiaojing QI,Haigang Qing. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Light emitting diode lamp and method for fabricating the same

Номер патента: EP2472169A2. Автор: Kou-Rueh Lai,Kung-Chi Ho. Владелец: Novalite Optronics Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Driving method for driving organic light emitting diode display panel

Номер патента: US12073797B1. Автор: Yen-Tao Liao,Ching-Hua Liu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fault-healing in a light emitting diode (LED) based display

Номер патента: US09536463B2. Автор: Paul O. Scheibe. Владелец: Landmark Screens LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method for manufacturing multiple light emitting diodes in parallel

Номер патента: US09507271B1. Автор: Thomas Laidig,Jang Fung Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Driving method for dimming an organic light-emitting diode (OLED) display

Номер патента: US09478166B2. Автор: Si-Baek PYO,Young-Seob Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Composition and methods for highly efficient gene transfer using aav capsid variants

Номер патента: RU2683497C2. Автор: Кэтрин А. ХАЙ,Мустафа Н. ЯЗИСИОГЛУ,Хавьер АНГЕЛА,Федерико МИНГОЗЗИ. Владелец: Дзе Чилдрен'З Хоспитал Оф Филадельфия. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for highly efficient utilization of poultry manure

Номер патента: RU2733792C1. Автор: Алексей Сергеевич Ахлюстин,Валентина Александровна Никулина,Кирилл Алексеевич Лозовой. Владелец: Кирилл Алексеевич Лозовой. Дата публикации: 2020-10-06.

Method for manufacturing led lamp and light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2608168C2. Автор: Максим Анатольевич Одноблюдов,Сергей Викторович Феофанов,Игорь Сергеевич Середин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "О2 Световые Системы". Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method for high-efficiency, in-situ particle detection

Номер патента: US5481357A. Автор: Nagaraja P. Rao,Aziz M. Ahsan,Kianoush Beyzavi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-01-02.

Compensation method and apparatus for light emitting diode circuit

Номер патента: US20120223655A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chin-Wen Lin,Hsing Yi Wu,Chuan I Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Systems and methods for a high-intensity light emitting diode floodlight

Номер патента: US20090284976A1. Автор: David Barnett,Jeffrey M. Singer,David Robert Storch. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Device and method for transmission inspection of containers having at least one light-emitting diode light source

Номер патента: US20230288343A1. Автор: Laurent Cosneau,Pascal Fillon. Владелец: Tiama SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for high-efficiently inducing double stems of phalaenopsis

Номер патента: DK181430B1. Автор: Wu Di,Zhang Haibo,Wu Jinhua,Huang Guiyun. Владелец: China Three Gorges Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for high-efficiently inducing double stems of phalaenopsis

Номер патента: DK202270523A1. Автор: Wu Di,Zhang Haibo,Wu Jinhua,Huang Guiyun. Владелец: China Three Gorges Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Optimization method for high-efficiently placing proppants in hydraulic fracturing treatment

Номер патента: US20210270114A1. Автор: Bin Fu,Yongming Li,Xiyu Chen,Jinzhou Zhao,Zhibo Yu,Huibo Wen. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-09-02.

Assembly for a vehicle, the assembly comprising a light-emitting diode module and a support plate, and a method for assembling such an assembly

Номер патента: US20240219006A1. Автор: Christophe Kleo,Xavier Drouet,Laurent Silvestrini,Claire Davis,Buyin Yu. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-configurable light emitting diode (LED) flat panel lighting fixture

Номер патента: US09835300B2. Автор: Alan Barry Feit,Brian Halliwell. Владелец: Feit Electric Co Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Preventing an overcurrent condition in an organic light emitting diode display device

Номер патента: US09646529B2. Автор: Sung-Kyu Lee,Eun-Kyung Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thermotechnical system and method for high efficiency heat transfer and distribution

Номер патента: EP3625506A1. Автор: Marco ROSA BRUSIN,Samuele MOLINA. Владелец: Giacomini SpA. Дата публикации: 2020-03-25.

Apparatus for high-efficiency real-time platform power management architecture

Номер патента: RU2507561C2. Автор: Пэн ЦЗОУ,II Джозеф ДИБЕНЕ,Фенарди ТЕНУС. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2014-02-20.

Apparatus and method for highly efficient laundering of textiles

Номер патента: CA1207159A. Автор: Wolfgang U. Spendel. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Small aperture light emitting diode (“led”) lighting

Номер патента: US20240255126A1. Автор: Dunping Hu,Jonathan Ian Hoffman,Qianxiang Wang. Владелец: Wangs Alliance Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Detection lamp equipped with light-emitting diode

Номер патента: US20040150334A1. Автор: Phil Trigiani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Detection lamp equipped with light-emitting diode

Номер патента: US20050199902A1. Автор: Phil Trigiani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Small aperture light emitting diode led lighting

Номер патента: US20240255128A1. Автор: Dunping Hu,Jonathan Ian Hoffman,Qianxiang Wang. Владелец: Wangs Alliance Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Small aperture light emitting diode LED lighting

Номер патента: US12111040B2. Автор: Dunping Hu,Jonathan Ian Hoffman,Qianxiang Wang. Владелец: Wangs Alliance Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Small aperture light emitting diode (“LED”) lighting

Номер патента: US12104771B2. Автор: Dunping Hu,Jonathan Ian Hoffman,Qianxiang Wang. Владелец: Wangs Alliance Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Counterflow recuperator for high-efficiency heat exchange

Номер патента: RU2697692C2. Автор: Николай Михайлович Неница. Владелец: Николай Михайлович Неница. Дата публикации: 2019-08-16.

Improved pulley for high-efficient winch

Номер патента: RU2635436C2. Автор: Массимо ИППОЛИТО. Владелец: Кайт Джен Ресерч С.Р.Л.. Дата публикации: 2017-11-13.

Method for testing light-emitting diodes using digital images

Номер патента: US20130162811A1. Автор: Tsai-Fa Wang,Jeff Song. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Light emitting diode temperature estimation

Номер патента: US20230110673A1. Автор: Christopher J. Meehan,Jacob D. DOVE,Julia Taussig,Shao-Nung Liang. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-04-13.

Compositions and methods for high efficiency genome editing

Номер патента: WO2023028058A3. Автор: William Pu,Suya Wang,Mason Eric SWEAT,Nathan VANDUSEN. Владелец: Children's Medical Center Corporation. Дата публикации: 2023-06-15.

Size-based asymmetric nanopore membrane (anm) filtration for high-efficiency exosome isolation, concentration, and fractionation

Номер патента: EP4017639A1. Автор: Hsueh-Chia Chang,Ceming Wang. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2022-06-29.

Size-based asymmetric nanopore membrane (anm) filtration for high-efficiency exosome isolation, concentration, and fractionation

Номер патента: WO2021055338A1. Автор: Hsueh-Chia Chang,Ceming Wang. Владелец: University of Notre Dame du Lac. Дата публикации: 2021-03-25.

Size-based asymmetric nanopore membrane (anm) filtration for high-efficiency exosome isolation, concentration, and fractionation

Номер патента: CA3151248A1. Автор: Hsueh-Chia Chang,Ceming Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

RNA-guided endonuclease expressing algal strain for high efficiency in vivo genome editing

Номер патента: US12043836B2. Автор: John Verruto,Eric MOELLERING. Владелец: Viridos Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2418345C1. Автор: . Владелец: Купеев Осман Геннадьевич. Дата публикации: 2011-05-10.

Light-emitting diode bar device

Номер патента: RU2606994C1. Автор: Алексей Викторович Шторм. Владелец: Алексей Викторович Шторм. Дата публикации: 2017-01-10.

Illumination explosion-proof device on base of light emitting diodes

Номер патента: RU2251050C1. Автор: В.В. Сысун. Владелец: Сысун Виктор Викторович. Дата публикации: 2005-04-27.

Heat removal system and method for light emitting diode lighting apparatus

Номер патента: US7810965B2. Автор: Matthew Weaver. Владелец: Lumenetix Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Self-adjusting power device for high efficiency electrical discharge machining and method thereof

Номер патента: US9205504B2. Автор: Chin-Hui Chen,Der-Shuen Chen,Chao-Chuang Mai,Chen-Huei Kuo,Chih-Ping Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-12-08.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2686156C1. Автор: Лев Николаевич Фролов,Григорий Владимирович Иткинсон,Олег Валерьевич Осипов,Юрий Наумович Зельдин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ИРСЭТ-Центр". Дата публикации: 2019-04-24.

Process for highly efficient catalytic conversion of cellulose raw material to diol

Номер патента: US9085505B2. Автор: Yu Jiang,Tao Zhang,Mingyuan Zheng,Aiqin Wang,Jifeng PANG. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2015-07-21.

Heat removal system and method for light emitting diode lighting apparatus

Номер патента: US20090219727A1. Автор: Matthew Weaver. Владелец: MPJ Lighting LLC. Дата публикации: 2009-09-03.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR HIGH EFFICIENCY TRANSFECTION OF siRNA

Номер патента: US20140106429A1. Автор: Jitendran Muthuswamy,Arati Sridharan. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2014-04-17.

Methods and compositions for high efficiency transfection of siRNA

Номер патента: US9399771B2. Автор: Jitendran Muthuswamy,Arati Sridharan. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2016-07-26.

Sintered flux for high-efficiency 309nb single-layer strip surfacing used in cooperation with eq309lnb welding strip and preparation method therefor

Номер патента: AU2020101820A4. Автор: YU Han,Wei Feng,Bo Chen,Xiaobo Hu,Kai Xu,Xiao Guo,Liwei Zou,Qingsu Zhang,Shubin Huo,Yukun Cao,Changhong Song,Hanmin WU,Yajin XIA,Yunheng ZHANG. Владелец: Haiyan Zhongda Metal Electronic Mat Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Light emitting diode lighting device with improved light distribution

Номер патента: RU2606950C2. Автор: Людовикус Йоханнес Ламбертус ХАНЕН,Нильс БЕНТЕР,Елле Петер ПЕЛЬСМА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming image onto light-emitting diode screen

Номер патента: RU2310925C1. Автор: Григорий Иванович Дерягин,Федор Петрович Литвиненко,гин Григорий Иванович Дер (RU),Федор Петрович Литвиненко (RU). Владелец: Федор Петрович Литвиненко. Дата публикации: 2007-11-20.

Light-emitting diode backlighting module and liquid-crystal display

Номер патента: RU2428623C2. Автор: Акира ТОМИЙОШИ,Акира ТОМИЙОШИ (JP). Владелец: Шарп Кабушики Каиша. Дата публикации: 2011-09-10.

Method of light-emitting diode transient thermal characteristics measuring

Номер патента: RU2609815C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Антон Евгеньевич Черняков,Алексей Валентинович Беринцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук. Дата публикации: 2017-02-06.

Sensor glazing with capacitive sensor device and light-emitting diode, and their manufacturing

Номер патента: RU2737864C2. Автор: Паскаль Бойерле,Штефан Дросте,Патрик Вебер. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-12-04.

Airfoil for high efficiency/high lift fan

Номер патента: CA1205709A. Автор: Richard E. Longhouse,Elias H. Razinsky,William B. Roberts. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1986-06-10.

Organic light-emitting diode control circuit and display panel

Номер патента: US20230410739A1. Автор: Renjie Zhou,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Organic light-emitting diode control circuit and display panel

Номер патента: US11900877B2. Автор: Renjie Zhou,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Light-emitting diode apparatus and control method thereof

Номер патента: US11145252B2. Автор: Sen-Chuan Hung,Shih-Hao Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-10-12.

Stacked Pipe Light Emitting Diode Lighting Fixture

Номер патента: US20170248279A1. Автор: Shih Che Chen,Walter Dow WU,Chih Ming Yen. Владелец: Gelica Optical Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Emergency lighting for light emitting diode fixtures

Номер патента: US09506612B1. Автор: Christopher Michael Bryant,Reed Bradford,Caleb Badley,Claire O'Reilly. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Display screen with light-emitting diodes for ultraviolet disinfection

Номер патента: US09492576B1. Автор: Gary D. Cudak,William M. Megarity,Christopher L. Wood,Luke D. Remis. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Controlled light-emitting diode traffic light

Номер патента: RU2611475C2. Автор: Мария Александровна Оськина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС). Дата публикации: 2017-02-22.

Light-emitting diode traffic light (pedestrian, transport)

Номер патента: RU2606259C1. Автор: Аслан Мухарбекович Каиров,Магомет Шарафутдинович Аккизов. Владелец: Открытое акционерное общество "Телемеханика" (ОАО "Телемеханика"). Дата публикации: 2017-01-10.

Light-emitting diode lamp with optical element

Номер патента: RU2607696C1. Автор: Дмитрий Александрович Смолин. Владелец: Дмитрий Александрович Смолин. Дата публикации: 2017-01-10.

Light-emitting diode module for lighting fixture

Номер патента: RU2689301C1. Автор: Анатолий Павлович Бежко. Владелец: Анатолий Павлович Бежко. Дата публикации: 2019-05-27.

Organic light-emitting diode-based display device and method for driving the device

Номер патента: US10891904B2. Автор: Wonsik Jeon,Jongsik HAM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Organic light emitting diode display device and method for driving organic light emitting diode display panel

Номер патента: US20130293525A1. Автор: Tsung-Ting Tsai,Chien-Ya Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-11-07.

Light emitting diode package unit, method for manufacturing the same and backlight

Номер патента: US20120075840A1. Автор: Jia Liu,Haiwei Sun,Site CAI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Measurement of the light radiation of light-emitting diodes

Номер патента: US20150204718A1. Автор: Simeon Katz,Alexander Linkov,Holger Specht,Christopher Koelper. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-07-23.

Portable lighting device with light-emitting diode

Номер патента: US20070097674A1. Автор: Paul Petzl,Alain Maurice. Владелец: Zedel SAS. Дата публикации: 2007-05-03.

Light-emitting diode exposure head and image forming apparatus including light-emitting diode exposure head

Номер патента: US20210318636A1. Автор: Hitoshi Iwai,Takehiro Ishidate,Shinichiro Hosoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Rotatable display device using semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: US12073744B2. Автор: Sungwhan LEE,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Active matrix light-emitting diode display screen provided with attenuation means

Номер патента: US09984618B2. Автор: Denis Sarrasin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Bulb simulating light emitting diode headlight

Номер патента: US09933125B2. Автор: Chun-Hsien Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Display apparatus having a pixel structure for driving a plurality of organic light-emitting diodes

Номер патента: US09842542B2. Автор: Liye Duan,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and apparatus for non-contact measurement of internal quantum efficiency in light emitting diode structures

Номер патента: US09823198B2. Автор: Vladimir N. Faifer. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Organic light emitting diode display device and driving method thereof

Номер патента: US09761172B2. Автор: Do-Hyung Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Organic light-emitting diode circuit and driving method thereof

Номер патента: US09666125B2. Автор: Chieh-Hsing Chung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-30.

Organic light-emitting diode pixel circuit and driving method thereof

Номер патента: US09570010B2. Автор: Shengji Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for production of finely-dispersed red luminescent material for generation of resulting white light in light emitting diodes

Номер патента: RU2644465C1. Автор: Станислав Николаевич Кичук,Борис Валерьевич Михитарьян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Монокристалл Пасты". Дата публикации: 2018-02-12.

Light-emitting diode lighting fixture

Номер патента: RU2552100C1. Автор: Юрий Борисович Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" (ООО "ДиС ПЛЮС"). Дата публикации: 2015-06-10.

Light-emitting diode lighting fixture

Номер патента: RU2543513C1. Автор: Александр Сергеевич Саушин,Геннадий Михайлович Михеев,Алексей Михайлович Лещев. Владелец: Алексей Михайлович Лещев. Дата публикации: 2015-03-10.

Organic light-emitting diode phototherapeutic device

Номер патента: RU2580894C2. Автор: Герт Ги Жорж МОРРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-04-10.

Optical component with light-emitting diode and light source comprising it

Номер патента: RU2572590C2. Автор: Е Лю,Юн Ли. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-01-20.

Light-emitting diode display

Номер патента: RU2461076C2. Автор: Хуэй-Чжун ЛИНЬ. Владелец: Шэньчжэнь Диспледтек. Ко. Лтд. Дата публикации: 2012-09-10.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2671617C2. Автор: Тим ДЕККЕР,Хендрикус Хюбертус Петрус ГОММАНС,ЗВАРТ Сибе Тьерк ДЕ,ГЕЛУВЕ Йохен Ренат ВАН,НЕР Александер Якобус Маритте ВАН,Марселлинус Петрус Каролюс Майкл КРЕЙН. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-11-02.

Throttling power consumption based on a current draw of an organic light emitting diode (OLED)

Номер патента: US9990885B2. Автор: Deeder M. Aurongzeb,Lawrence Edward Knepper. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Circuit and method for driving organic light emitting diode

Номер патента: US7675018B2. Автор: Jin Jang,Joon-Chul Goh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-09.

Method of making light-emitting diode

Номер патента: RU2504867C2. Автор: Тамара Ивановна Данилина,Павел Ефимович Троян,Инна Анатольевна Чистоедова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Дата публикации: 2014-01-20.

POWER SUPPLY FOR LIGHT EMITTING DIODE ROADWAY LIGHTING FIXTURE

Номер патента: US20120001566A1. Автор: Josefowicz Jack Yitzhak,Neary Mark Adam,Chen Qiuning,Winters Alan Shawn. Владелец: LED ROADWAY LIGHTING LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY

Номер патента: US20120001207A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Light-Emitting Diode Packaging Structure and Substrate Therefor

Номер патента: US20120001212A1. Автор: Wei Shih-Long,Hsiao Shen-Li,Ho Chien-Hung,Shao Chien-Min. Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE BASED LAMP

Номер патента: US20120002424A1. Автор: PAIK Dongki,CHO Hankyu,MOON Euna. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for light-emitting diode phototherapy in chronic nasal polyposis

Номер патента: RU2570530C2. Автор: Сергей Анатольевич Карпищенко,Александр Антонович Блоцкий,Руслан Александрович Блоцкий. Владелец: Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Амурская Государственная Медицинская Академия" Министерства Здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-12-10.

Decorative panel built around light-emitting diodes and method for producing luminous effects

Номер патента: RU2239126C2. Автор: В.Н. Марков. Владелец: Марков Валерий Николаевич. Дата публикации: 2004-10-27.

Smart Integrated Semiconductor Light Emitting System Including Nitride Based Light Emitting Diodes (LED) And Application Specific Integrated Circuits (ASIC)

Номер патента: US20120091466A1. Автор: . Владелец: SemiLEDS Optoelectronics Co.. Дата публикации: 2012-04-19.

Gallium nitride based light-emitting device and the fabricating method for the same

Номер патента: TWI227571B. Автор: Mu-Ren Lai,Shiang-Jiun Hung. Владелец: Super Nova Optoelectronics Cor. Дата публикации: 2005-02-01.

METHOD FOR REDUCTION OF EFFICIENCY DROOP USING AN (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N SUPERLATTICE ELECTRON BLOCKING LAYER IN NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20120138891A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.,Chung Roy B.,HAN Changseok. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-06-07.

Vertical structure gallium nitride based light emitting diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP5376467B2. Автор: サンホ ユン,スヨル リ,ドゥゴ ベク,ソクボン チェ,テソン チャン,ジョングン ウ,バンウォン オ,ドンウ キム,インテ ヨ. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-25.

HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE BY SURFACE ROUGHENING

Номер патента: US20120104412A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.,Tyagi Anurag,ZHONG Hong,Vampola Kenneth J.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for Fabricating Gallium Nitride-Based Light Emitting Device

Номер патента: KR100742989B1. Автор: 진용성. Владелец: (주)더리즈. Дата публикации: 2007-07-26.

LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING CIRCUIT OF SADDLE-RIDE-TYPE VEHICLE

Номер патента: US20120001546A1. Автор: . Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY

Номер патента: US20120001156A1. Автор: Shin Min-Chul,CHO Kyu-Sik,CHOI Joon-Hoo,YANG Tae-Hoon,LEE Won-Kyu,CHOO Byoung-Kwon,MOON Sang-Ho,CHOI Bo-Kyung,PARK Yong-Hwan,LEE Yun-Gyu. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE MODULE FOR LINE LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120001209A1. Автор: KIM Il Ku. Владелец: SAMSUNG LED CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE LIGHT SOURCE MODULES

Номер патента: US20120002407A1. Автор: Huang Yangcheng,Long Menghua,WANG Guilin,WANG Haijun,WEI Cuie,Li Qing (Charles),Lei Guowen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Drive Circuit for Light Emitting Diode

Номер патента: US20120004509A1. Автор: Delucia Paul. Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN P-TYPE GALLIUM NITRIDE AND ALUMINUM GALLIUM NITRIDE ELECTRON-BLOCKING LAYER FREE GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20120037884A1. Автор: . Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-02-16.

VERTICAL GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120286287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE, GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL STRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICE STRUCTURES

Номер патента: US20120298955A1. Автор: Ibbetson James,Bergmann Michael John,Emerson David Todd,"OLoughlin Michael John",JR. Howard Dean,Doverspike Kathleen Marie,Nordby,Abare Amber Christine. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

nitride-based light emitting diode and its fabrication method

Номер патента: KR100963973B1. Автор: 이상헌,이승재,김상묵,백종협,김강호,진정근,정탁,오화섭,전성란. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2010-06-15.

vertical structured group 3 nitride-based light emitting diode and its fabrication methods

Номер патента: KR101480551B1. Автор: 송준오. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2015-01-08.

Vertical structured group 3 nitride-based light emitting diode and its fabrication methods

Номер патента: KR20090105462A. Автор: 송준오. Владелец: 송준오. Дата публикации: 2009-10-07.

A kind of gallium nitride based light emitting diode and epitaxial growth method thereof

Номер патента: CN103311394B. Автор: 王春霞,张�雄,崔一平,王书昶. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-13.

Gallium nitride-based light emitting diode epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109920896B. Автор: 李鹏,曹阳,胡加辉,乔楠,程金连,陶章峰. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Structure of gallium nitride based light-emitting diode with 3D (Three-Dimensional) vertical structure

Номер патента: CN102969418A. Автор: 刘志强,张扬,杨华,王军喜,李晋闽,王国宏,李璟,伊晓燕,谢海忠. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-03-13.

Nitride-based light emitting diode

Номер патента: KR100679825B1. Автор: 임시종. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2007-02-06.

Light-emitting diode incorporating optical component

Номер патента: RU2265917C1. Автор: Е.Д. Васильева,А.А. Богданов,Ю.А. Рубашкин,А.Е. Линьков,К.Ю. Калиничев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2005-12-10.

Gallium nitride-based light emitting diode epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109768133B. Автор: 李鹏,胡加辉,张武斌,乔楠,陶章峰. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-14.

Nitride-based Light Emitting Diode with Dielectric distributed Bragg reflector and Fabrication Method thereof

Номер патента: KR100771227B1. Автор: 이상헌,이승재,김상묵,백종협,김윤석,김광철,유영문,염홍서,전성란. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2007-10-29.

Production of inverted gallium nitride base light emitting diode chip

Номер патента: CN100353576C. Автор: 杨辉,张书明,李丙乾. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2007-12-05.

Gallium-nitride-based light-emitting diode (LED) of reflection layer with square annular structure

Номер патента: CN102832309A. Автор: 虞浩辉,周宇杭. Владелец: JIANGSU WINAD LIGHTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Gallium nitride based light-emitting diode with low-temperature intermediate layer

Номер патента: CN201766092U. Автор: 李刚,祝光辉,胡建正. Владелец: SHANGHAI LANBAO PHOTOELECTRIC MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Gallium nitride-based light-emitting diode

Номер патента: CN217239488U. Автор: 胡加辉,高虹,刘春杨,程龙,郑文杰,曾家明. Владелец: Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-19.

Gallium nitride based light emitting diode and producing method of the same

Номер патента: KR100691277B1. Автор: 김제원,이규한,김선운,오화섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-03-12.

Method of fabricating gallium nitride-based light emitting diode and structure thereof

Номер патента: TW200536142A. Автор: Chen-Fu Chu,Chao-Chen Cheng,Chien-Jen Sun,Anhchuong Tran,Jiunn-Nyi Chu. Владелец: High Link Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Method for light-emitting diode phototherapy in chronic nasal polyposis

Номер патента: RU2570543C2. Автор: Сергей Анатольевич Карпищенко,Александр Антонович Блоцкий,Руслан Александрович Блоцкий. Владелец: Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Амурская Государственная Медицинская Академия" Министерства Здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-12-10.

Luminous-signal system based on light-emitting diodes

Номер патента: RU2496049C2. Автор: Юрий Борисович Соколов,Виктор Викторович Сысун. Владелец: Виктор Викторович Сысун. Дата публикации: 2013-10-20.

Light-emitting diode traffic light with cold state control

Номер патента: RU2399957C1. Автор: Борис Сергеевич Сергеев,Шамиль Касымович Валиев,Рафаил Шамилевич Валиев,Мария Александровна Оськина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС). Дата публикации: 2010-09-20.

Light-emitting diode illuminator

Номер патента: RU2399833C2. Автор: Евгений Владимирович Смолин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Светорезерв". Дата публикации: 2010-09-20.

Capacitor-type light-emitting diode light signal

Номер патента: RU2250846C2. Автор: Б.С. Сергеев,Е.О. Савельев. Владелец: Уральский государственный университет путей сообщения (УрГУПС). Дата публикации: 2005-04-27.

White light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2408816C2. Автор: Виктор Викторович Сысун,Генрих Сергеевич Сарычев. Владелец: Виктор Викторович Сысун. Дата публикации: 2011-01-10.

All-purpose compact light-emitting diode-based radiator usable in preventing and treating diseases

Номер патента: RU2266761C2. Автор: В.Н. Марков. Владелец: Марков Валерий Николаевич. Дата публикации: 2005-12-27.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2504716C2. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2014-01-20.

Three-aspect light-emitting diode light signal

Номер патента: RU2239575C2. Автор: Б.С. Сергеев,Е.О. Савельев. Владелец: Уральский государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 2004-11-10.

Light-emitting diode based endoscopic illumination device

Номер патента: RU2559860C1. Автор: Александр Владимирович Буцевицкий. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Айсберг". Дата публикации: 2015-08-20.

Controlled light-emitting diode light signal

Номер патента: RU2249524C2. Автор: Б.С. Сергеев,Е.О. Савельев. Владелец: Уральский государственный университет путей сообщения (УрГУПС). Дата публикации: 2005-04-10.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2482532C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Алексей Михайлович Щепочкин. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-05-20.

TRANSISTOR LADDER NETWORK FOR DRIVING A LIGHT EMITTING DIODE SERIES STRING

Номер патента: US20120001558A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Light Emitting Diode Troffer

Номер патента: US20120002411A1. Автор: . Владелец: Cooper Technologies Company. Дата публикации: 2012-01-05.

System for high-efficiency liquid chromatographic analysis with flow detector

Номер патента: RU2148824C1. Автор: Г.Б. Владыкин,А.Я. Яшин. Владелец: Открытое акционерное общество "Цвет". Дата публикации: 2000-05-10.

Light-emitting-diode lamp

Номер патента: RU2542713C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2015-02-27.

Narrow field of view optical system for light-emitting diode

Номер патента: RU2572817C2. Автор: Игорь Владимирович Харитонов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А. Семихатова". Дата публикации: 2016-01-20.

Assembly method of light-emitting-diode lamp, and light-emitting-diode lamp

Номер патента: RU2504714C2. Автор: Игорь Валерьевич Ворошилов,Александр Павлович Богданов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Тегас Электрик". Дата публикации: 2014-01-20.

Assembly method of light-emitting-diode lamp, and light-emitting-diode lamp (versions)

Номер патента: RU2497041C2. Автор: Игорь Валерьевич Ворошилов,Александр Павлович Богданов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Тегас Электрик". Дата публикации: 2013-10-27.

Light-emitting diode source of white light having remote reflecting multilayer photoluminescent converter

Номер патента: RU2475887C1. Автор: Владимир Николаевич Уласюк,Наум Пинхасович Сощин,Нина Матвеевна Желябовская. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд". Дата публикации: 2013-02-20.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2489639C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Алексей Михайлович Щепочкин. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-08-10.

Cyclometalated platinum (ii) complex, based on it copolymers and organic light-emitting diode with application of said copolymers as emission layer

Номер патента: RU2467013C1. Автор: Юлия Евгеньевна Беганцова,Михаил Николаевич Бочкарев,Василий Александрович Ильичев,Глеб Арсентьевич Абакумов,Леонид Николаевич Бочкарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2012-11-20.

Light-emitting diode radiation source for transport control systems

Номер патента: RU2402108C1. Автор: Алексей Алексеевич Иванов,Владимир Семенович Абрамов,Сергей Григорьевич Никифоров,Петр Васильевич Пензев,Гельмут Вилли Мухов,Николай Петрович Петроченко,Сергей Станиславович Рудиков. Владелец: Владимир Семенович Абрамов. Дата публикации: 2010-10-20.

Light emitting diode board

Номер патента: CA111421S. Автор: . Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Dome light exploiting light-emitting diodes

Номер патента: RU2235942C2. Автор: Ю.Г. Басов,А.Г. Раквиашвили,Ю.Я. Коротеев. Владелец: Басов Юрий Георгиевич. Дата публикации: 2004-09-10.

Polymer-coated light-emitting diode module

Номер патента: RU2402110C1. Автор: Елена Дмитриевна Васильева,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Любовь Михайловна Втюрина. Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2010-10-20.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2333522C2. Автор: Борис Сергеевич Сергеев,Наталия Борисовна Курченкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уральский государственный университет путей сообщения (УрГУПС). Дата публикации: 2008-09-10.

Light-emitting diode lighting fixture

Номер патента: RU2531388C2. Автор: Павел Анатольевич Прилепко. Владелец: Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дальневосточный Федеральный Университет" (Двфу). Дата публикации: 2014-10-20.

Organic light-emitting diode

Номер патента: RU2408957C1. Автор: Валерий Михайлович Кобрянский,Алексей Григорьевич Витухновский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2011-01-10.

Method of determining temperature distribution onto light-emitting diode surface

Номер патента: RU2594655C1. Автор: Валерий Михайлович Волынкин,Александр Львович Закгейм,Андрей Вальменович Аладов,Антон Евгеньевич Черняков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН). Дата публикации: 2016-08-20.

Light-emitting diode lamp base

Номер патента: RU2489766C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-08-10.

Method and apparatus for measuring transient thermal characteristics of light-emitting diodes

Номер патента: RU2523731C1. Автор: Алексей Аркадьевич Черторийский,Вячеслав Андреевич Сергеев,Алексей Валентинович Беринцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-07-20.

Dendronised polyaryl silane-based organic light-emitting diodes

Номер патента: RU2501123C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Дмитрий Александрович Лыпенко,Евгений Иванович Мальцев,Азиз Мансурович Музафаров,Юрий Николаевич Лупоносов,Надежда Николаевна Расулова,Артём Владимирович Дмитриев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова Российской академии наук (ИСПМ РАН). Дата публикации: 2013-12-10.

Light-emitting-diode lamp

Номер патента: RU2447543C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2012-04-10.

Light-emitting diode incorporating optical component

Номер патента: RU2265916C1. Автор: Е.Д. Васильева,А.А. Богданов,Ю.А. Рубашкин,А.Е. Линьков,К.Ю. Калиничев,Е.Д. Васильева (RU),Ю.А. Рубашкин (RU),А.А. Богданов (RU),А.Е. Линьков (RU),К.Ю. Калиничев (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2005-12-10.

Light-emitting diode indicator for monitoring voltage level

Номер патента: RU2054679C1. Автор: Руслан Николаевич Балинский. Владелец: Научно-исследовательский электротехнический институт Научно-производственного объединения "ХЭМЗ". Дата публикации: 1996-02-20.

Light-emitting diode heterostructure

Номер патента: RU2381596C1. Автор: Дмитрий Александрович Закгейм. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2010-02-10.

Light-emitting diode package

Номер патента: OA20269A. Автор: Myung Jin Kim,Kwang Yong Oh. Владелец: Seoul Semiconductor Co., Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Heatsink for light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2460938C1. Автор: Илья Олегович Григорьев,Артём Михайлович Кавалеров. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед". Дата публикации: 2012-09-10.

Light-emitting diode illuminator

Номер патента: RU2329619C1. Автор: Евгений Владиславович Двойченко. Владелец: Евгений Владиславович Двойченко. Дата публикации: 2008-07-20.

Manufacturing method of gallium nitride-based light emitting device and gallium nitride-based light emitting device manufactured by the same

Номер патента: KR20090028289A. Автор: 김용천,심현욱,강중서. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2009-03-18.

Compact lamp built around light-emitting diodes

Номер патента: RU2245489C1. Автор: В.В. Сысун. Владелец: Сысун Виктор Викторович. Дата публикации: 2005-01-27.

Complex calcium metasilicate of europium and yttrium, red luminescent material based thereon for ultraviolet light-emitting diodes and method of producing said material

Номер патента: RU2470982C2. Автор: Александр Петрович Тютюнник,Владимир Георгиевич Зубков,Людмила Львовна Сурат,Иван Ильич Леонидов,Марина Александровна Мелкозерова. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт химии твердого тела Уральского Отделения РАН. Дата публикации: 2012-12-27.

Light-emitting diode unit

Номер патента: RU2474928C1. Автор: Станислав Александрович Штыков,Виктор Юрьевич Павлов,Александр Федорович Ширанков,Алексей Михайлович Хорохоров,Виктор Андреевич Полкунов,Константин Николаевич Сиденко,Сергей Викторович Полкунов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Новые экологические технологии и оборудование". Дата публикации: 2013-02-10.

Method and device for magnetic attachment of light-emitting diode module to transparent sheet

Номер патента: RU2555767C1. Автор: Алексей Викторович Шторм. Владелец: Алексей Викторович Шторм. Дата публикации: 2015-07-10.

Light-emitting-diode lamp

Номер патента: RU2447542C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2012-04-10.

Optical system for secondary light-emitting diode optics

Номер патента: RU2543528C2. Автор: Игорь Евгеньевич Проценко,Алексей Николаевич Алексахин,Виктор Федерович Герасев,Станислав Вячеславович Федорович. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии". Дата публикации: 2015-03-10.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2486400C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-06-27.

Light-emitting diode unit

Номер патента: RU2222750C2. Автор: П.А. Букатин,А.Г. Косов,С.Л. Распопин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАТА-ИНФО". Дата публикации: 2004-01-27.

Method of rejection of light-emitting diodes by radiation stability

Номер патента: RU2032963C1. Автор: Владислав Адамович Бржезинский,Сергей Сергеевич Никифоров. Владелец: Севастопольский Приборостроительный Институт. Дата публикации: 1995-04-10.

Traffic light with light-emitting diodes

Номер патента: RU2207745C2. Автор: Б.С. Сергеев,В.В. Наговицын,С.А. Щиголев. Владелец: Уральский государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 2003-06-27.

Ultraviolet nitride heterostructure light-emitting diode

Номер патента: RU2528112C1. Автор: Виктор Семенович Пашков,Николай Иванович Каргин,Михаил Николаевич Стриханов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.