METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
Номер патента: US20190131385A1
Опубликовано: 02-05-2019
Автор(ы): CHEN Dian-Hau, CHEN Hui-Chi, Chen Yen-Ming, Hsiao Tsung-Chieh, Hsiao Yuan-Yang, Huang Chih-Fan, PAI Chih-Yang
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-05-2019
Автор(ы): CHEN Dian-Hau, CHEN Hui-Chi, Chen Yen-Ming, Hsiao Tsung-Chieh, Hsiao Yuan-Yang, Huang Chih-Fan, PAI Chih-Yang
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure
Номер патента: US11728375B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chih-Yang Pai,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.