Metal-insulator-metal (mim) structure supporting high voltage applications and low voltage applications.

Metal-insulator-metal (mim) structure supporting high voltage applications and low voltage applications

Номер патента: US20200273746A1
Опубликовано: 27-08-2020
Автор(ы): Kevin Lin
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Metal-insulator-metal (mim) structure supporting high voltage applications and low voltage applications

Номер патента: US20210225696A1. Автор: Kevin Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Metal-insulator-metal (mim) structure supporting high voltage applications and low voltage applications

Номер патента: EP3732705A1. Автор: Kevin Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor module

Номер патента: US20230395649A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor module including a cup-shaped structure with a rounded corner region

Номер патента: US12015052B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) STRUCTURE SUPPORTING HIGH VOLTAGE APPLICATIONS AND LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20210225696A1. Автор: LIN Kevin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-22.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) STRUCTURE SUPPORTING HIGH VOLTAGE APPLICATIONS AND LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20200273746A1. Автор: LIN Kevin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device with anti-fuse and metal-insulator-metal (mim) capacitor connected to redistribution layer (rdl) and method for forming the same

Номер патента: US20220173037A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor module

Номер патента: US11769793B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor module

Номер патента: WO2023239387A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-14.

Backside metal-insulator-metal (MIM) capacitors extending through backside interlayer dielectric (BILD) layer or semiconductor layer and partly through dielectric layer

Номер патента: US12002758B2. Автор: Chih-Chao Yang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy R. Yu,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

MULTIPLE LAYER METAL-INSULATOR-METAL (MIM) STRUCTURE

Номер патента: US20200227348A1. Автор: LIN Kevin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-16.

Interconnect via metal-insulator-metal (mim) fuse for integrated circuitry

Номер патента: US20230402369A1. Автор: Yao-Feng CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming a metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US11769722B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Multiple layer metal-insulator-metal (mim) structure

Номер патента: US20200227348A1. Автор: Kevin Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

INTERCONNECTION BETWEEN INDUCTOR AND METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20150115404A1. Автор: Tsai Kuan-Chi,Hsueh Chih-Hung,HSU Yen-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-30.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20200273946A1. Автор: Junghyun Cho,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR AND THIN-FILM RESISTOR (TFR) FORMED IN AN INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20220302018A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

METHOD FOR PREVENTING COPPER CONTAMINATION IN METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS

Номер патента: US20160204190A1. Автор: Liu Shih-Chang,Hsu Chern-Yow,Chu Ching-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

EMBEDDED METAL-INSULATOR-METAL (MIM) DECOUPLING CAPACITOR IN MONOLITIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) STRUCTURE

Номер патента: US20180204796A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Wang Geng,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and methods of fabricating same

Номер патента: US8178404B2. Автор: Michael Olewine,Kevin Saiz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-15.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and methods of fabricating same

Номер патента: TW586130B. Автор: Michael Olewine,Kevin Saiz. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-05-01.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and methods of fabricating same

Номер патента: US7084042B2. Автор: Michael Olewine,Kevin Saiz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-01.

Metal insulator metal (MIM) capacitor fabrication with sidewall spacers and aluminum cap (ALCAP) top electrode

Номер патента: US20060024899A1. Автор: Satyavolu Papa Rao,Darius Crenshaw,Kenneth Brennan,Steven Lytle,Hisashi Shichijo,Byron Williams,Alwin Tsao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and methods of fabricating same

Номер патента: US6717193B2. Автор: Michael Charles Olewine,Kevin F. Saiz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-06.

Method for preventing copper contamination in metal-insulator-metal (MIM) capacitors

Номер патента: US09793339B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of increasing embedded 3d metal-insulator-metal (mim) capacitor capacitance density for wafer level packaging

Номер патента: WO2019032789A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-14.

Structure and method of fabricating three-dimensional (3D) metal-insulator-metal (MIM) capacitor and resistor in semi-additive plating metal wiring

Номер патента: US9954051B2. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Glen T. Mori,Chin Hock TOH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL (3D) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR AND RESISTOR IN SEMI-ADDITIVE PLATING METAL WIRING

Номер патента: US20170104056A1. Автор: TOH Chin Hock,SEE Guan Huei,SUNDARRAJAN Arvind,MORI Glen T.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD OF INCREASING EMBEDDED 3D METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR CAPACITANCE DENSITY FOR WAFER LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20190051596A1. Автор: Gu Yu,SEE Guan Huei,Suo Peng,Sundarajan Arvind. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20210265263A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-26.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US9484398B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Patrick SEBEL. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Interconnection between inductor and metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US9362222B2. Автор: Chih-Hung Hsueh,Yen-Hsiang Hsu,Kuan-Chi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

High voltage tolerant capacitors

Номер патента: US11881450B2. Автор: Regina Tien Schmidt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Novel mim structure

Номер патента: US20240379532A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Szu-Yuan Chen,Pin Yu HSU,Po-June CHEN,Chun-Huan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US11335816B2. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Process of forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US10361320B2. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: US20190355852A1. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Process of forming metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: US20170365722A1. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20160049461A1. Автор: Magnee Petrus Hubertus Cornelis,SEBEL Patrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2016-02-18.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor with an electrode scheme for improved manufacturability and reliability

Номер патента: US09966427B2. Автор: Jui-Chun Weng,Shiuan-Jeng Lin,Hung-Lin Chen,Shyh-Wei Cheng,Yu-Jui Wu,Tian Sheng Lin,Albion Pan,Bob Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US09960111B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20180240750A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor structure for layer count reduction and lower capacitance variation

Номер патента: WO2023107183A1. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-15.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure for layer count reduction and lower capacitance variation

Номер патента: US12009292B2. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Metal-insulator-metal (mim) capacitors with curved electrode

Номер патента: WO2024107241A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Metal insulator metal (mim) capacitor architectures

Номер патента: US20230411443A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Sou-Chi Chang,I-Cheng Tung,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Metal insulator metal (mim) capacitor architectures

Номер патента: EP4294161A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Sou-Chi Chang,I-Cheng Tung,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Multi-capacitor module including a stacked metal-insulator-metal (mim) structure

Номер патента: US20240006472A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Multi-capacitor module including a stacked metal-insulator-metal (mim) structure

Номер патента: WO2024005860A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: US20220069069A1. Автор: Yaojian Leng,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor in redistribution layer (RDL) of an integrated device

Номер патента: US09577025B2. Автор: Shiqun Gu,Shree Krishna Pandey,Ryan David Lane,Glenn David Raskin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Multi-capacitor module including a nested metal-insulator-metal (mim) structure

Номер патента: WO2024005859A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-04.

Multi-capacitor module including a nested metal-insulator-metal (mim) structure

Номер патента: US20230420495A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional metal-insulator-metal (mim) capacitors and trenches

Номер патента: US20240170390A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional metal-insulator-metal (mim) capacitors and trenches

Номер патента: WO2024107238A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitors Formed Beneath First Level Metallization and Methods of Forming Same

Номер патента: US20070034988A1. Автор: Seok-jun Won,Ju Kim,Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: KR101735165B1. Автор: 치에수오 리앙,싱치 린,유룽 예,치호 타이,칭훙 후앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-05-12.

Back-end-of-line (beol) sidewall metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: WO2021154495A1. Автор: Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,Farid AZZAZY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

Metal insulator metal (mim) capacitor architectures

Номер патента: US20230411278A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Sou-Chi Chang,I-Cheng Tung,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Aaron J. Welsh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Metal insulator metal (mim) capacitor architectures

Номер патента: EP4294160A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Sou-Chi Chang,I-Cheng Tung,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Aaron J. Welsh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Vertical metal-insulator-metal (MIM) capacitor using gate stack, gate spacer and contact via

Номер патента: US8017997B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kevin S. Petrarca,Mukta G. Farooq,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Stable high voltage semiconductor device structure

Номер патента: US20020068404A1. Автор: Nathan Zommer. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2002-06-06.

Shielding structure for ultra-high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20240194744A1. Автор: Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Shielding structure for ultra-high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20230207642A1. Автор: Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Shielding structure for ultra-high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220231133A1. Автор: Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Complimentary metal-insulator-metal (MIM) capacitors and method of manufacture

Номер патента: US09424992B2. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,James S. Dunn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing complimentary metal-insulator-metal (mim) capacitors

Номер патента: US20130081240A1. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Metal insulator metal (mim) capacitor

Номер патента: EP4020607A1. Автор: Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Matthew Metz,Uygar Avci,I-Cheng Tung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of forming an embedded metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US09478602B2. Автор: Robert Seidel,Torsten Huisinga. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

HIGH-DENSITY METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS

Номер патента: US20190279899A1. Автор: Khatakalle Shidlingeshwar,Maruthamuthu Saravana,Chandrasekaran Jayendra Shankar. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Method for making a new metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure in copper-CMOS circuits using a pad protect layer

Номер патента: US6812088B1. Автор: Kong-Beng Thei,Ssu-Pin Ma,Chun-Hon Chen,Ta-Hsun Yeh,Kuo-Reay Peng,Heng-Ming Hsu,Chi-Wu Chou,Yen-Shih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

Metal insulator metal (mim) capacitors

Номер патента: US20200328271A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Akihiro Hasegawa,David T. Price,Derryl Allman,Kenneth Andrew Bates,Sallie J. HOSE,Gregory Frank Piatt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

METAL INSULATOR METAL (MIM) CAPACITORS

Номер патента: US20200328271A1. Автор: Hasegawa Akihiro,PRICE David T.,GAMBINO Jeffrey Peter,ALLMAN Derryl,HOSE Sallie J.,BATES Kenneth Andrew,PIATT Gregory Frank. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

Process of forming metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: US20170365722A1. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20190355852A1. Автор: Komatsu Yoshihide. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20030231458A1. Автор: Sang-rok Hah,Hong-seong Son,Uk-Sun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-18.

High voltage metal insulator metal (mim) capacitor

Номер патента: EP4138124A2. Автор: Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

On-chip metal-insulator-metal (mim) capacitor and methods and systems for forming same

Номер патента: US20190312028A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

ON-CHIP METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR AND METHODS AND SYSTEMS FOR FORMING SAME

Номер патента: US20190312028A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Surface area enhancement for stacked metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US11121209B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of manufacturing metal-insulator-metal (mim) capacitors with noble metal electrode liners

Номер патента: US20230006031A1. Автор: Michael Givens,Alessandra Leonhardt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-01-05.

For forming the mechanism of metal-insulator-metal (MIM) capacitor arrangement

Номер патента: CN104617078B. Автор: 任启中,许嘉伦. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor including an insulator cup and laterally-extending insulator flange

Номер патента: WO2023129207A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-06.

MECHANISMS FOR FORMING METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20160233158A1. Автор: JEN Chi-Chung,Hsu Chia-Lun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-08-11.

MECHANISMS FOR FORMING METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20180240750A1. Автор: JEN Chi-Chung,Hsu Chia-Lun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-23.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200273946A1. Автор: Cho JungHyun,KIM Song Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

A method of fabricating a metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: TW202044598A. Автор: 沈香谷,陳蕙祺,陳殿豪,陳燕銘,高銘鴻. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-01.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US10699999B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Staircase-based metal-insulator-metal (mim) capacitors

Номер патента: EP4185094A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-24.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor interconnect for high-quality (q) inductor-capacitor (lc) filter

Номер патента: US20240321724A1. Автор: Youngju Park,Changhan Hobie Yun,DooSoub SHIN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Form the mechanism of metal-insulator-metal (MIM) capacitor arrangement

Номер патента: CN104733430B. Автор: 梁虔硕,叶玉隆,林杏芝,戴志和,黄敬泓. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Metal insulator metal (MIM) capacitor

Номер патента: US12107040B2. Автор: Uygar E. Avci,Takayoshi Ito,Dragos SEGHETE,Che-Yun Lin,Christopher M. PELTO,David J. Towner,Aaron J. Welsh,Mark A. Blount,Christopher R. Ryder,Stephanie F. Sundholm,Chamara Abeysekera,Anil W. Dey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Staircase-based metal-insulator-metal (mim) capacitors

Номер патента: US20230163063A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods of forming metal-insulator-metal (mim) capacitors with passivation layers on dielectric layers and devices so formed

Номер патента: CN100452292C. Автор: 金钟采,李德珉,郑相日,洪钟郁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor within topmost thick inter-metal dielectric layers

Номер патента: US9269762B2. Автор: Chen-Jong Wang,Luan C. Tran,Kuo-Chi Tu,Kuo-Chyuan Tzeng,Hsiang-Fan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-23.

METAL INSULATOR METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20220068794A1. Автор: Ito Takayoshi,Avci Uygar E.,Pelto Christopher M.,Seghete Dragos,Lin Che-Yun,TOWNER David J.,RYDER Christopher R.,WELSH Aaron J.,BLOUNT Mark A.,SUNDHOLM Stephanie F.,ABEYSEKERA Chamara,DEY Anil W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ANTI-FUSE AND METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR CONNECTED TO REDISTRIBUTION LAYER (RDL) AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220173037A1. Автор: Huang Tse-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20140264751A1. Автор: Chen Xiangdong,Yang Haining. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-18.

Lateral metal insulator metal (mim) capacitor with high-q and reduced area

Номер патента: US20150200245A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

BACK-END-OF-LINE (BEOL) SIDEWALL METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20210242127A1. Автор: GOKTEPELI Sinan,VEDULA Ravi Pramod Kumar,AZZAZY Farid. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US9263437B2. Автор: Ching-Hung Huang,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Chih-Ho Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Methods of forming metal-insulator-metal (MIM) capacitors with passivation layers on dielectric layers and devices so formed

Номер патента: TW200707767A. Автор: Duk-min Yi,Sang-il Jung,Jong-Wook Hong,Jong-Chae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

Three-dimensional metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: WO2022046167A1. Автор: Yaojian Leng,Justin Sato. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuits with metal-insulator-metal (MIM) capacitors and methods for fabricating same

Номер патента: US9450042B2. Автор: Matthias Lehr. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Metal insulator metal (mim) capacitor

Номер патента: TW202211488A. Автор: 尤嘉艾維可,佐瑞根斯席賀堤,亞倫威爾士,克里斯多夫佩爾圖,大衛托納,馬克布朗特,隆芳伊藤,克里斯托弗萊德,斯蒂芬妮桑德霍姆,查馬拉阿比薩克,阿尼爾戴伊,哲筠林. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2022-03-16.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US11728375B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chih-Yang Pai,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

High voltage metal insulator metal (mim) capacitor

Номер патента: EP4138124B1. Автор: Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Metal-insulator-metal (MIM) energy storage device with layered stack and method of fabrication

Номер патента: CN115428107A. Автор: 里卡德·安德森,卡尔·伦达尔,M·沙菲克·卡比尔,安德斯·约翰逊,文森特·德马里斯,奥拉·特维曼,穆罕默德·阿明·萨利姆,玛丽亚·比隆德,维克多·马克纳斯. Владелец: Smoltek AB. Дата публикации: 2022-12-02.

Metal-insulator-metal (mim) energy storage device with layered stack and manufacturing method

Номер патента: TW202141805A. Автор: Ｍ沙斐克卡拜耳,安德斯傑漢森,卡爾倫達爾,薩黎曼穆罕默德阿米恩,維克多馬克納斯,文森德斯馬瑞斯,奧拉帝伏曼,理查安德森,瑪麗亞比隆德. Владелец: 瑞典商斯莫勒科技公司. Дата публикации: 2021-11-01.

Inductor with metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US10292269B1. Автор: Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Xiaoju YU,Nosun Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Complimentary metal-insulator-metal (mim) capacitors and method of manufacture

Номер патента: US20110032660A1. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Metal-insulator-metal (mim) energy storage device with layered stack and manufacturing method

Номер патента: EP4136664A4. Автор: Anders Johansson,Vincent Desmaris,Karl Lundahl,Rickard Andersson,M Shafiqul Kabir,Muhammad Amin Saleem,Maria BYLUND,Victor MARKNÄS,Ola Tiverman. Владелец: Smoltek AB. Дата публикации: 2024-05-29.

Multistack metal-insulator-metal (mim) structure using spacer formation process for heterogeneous integration with discrete capacitors

Номер патента: US20240222422A1. Автор: Christopher J. Penny,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US09502494B2. Автор: Ching-Hung Huang,Chieh-Shuo Liang,Chih-Ho Tai,Po-Jung Chiang,Ying-Tsang HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

Номер патента: US09691839B2. Автор: André BARAN,Timothy E. Glassman,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US09991333B1. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Metal-insulator-metal (mim) capacitors arranged in a pattern to reduce inductance, and related methods

Номер патента: WO2016106197A2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-30.

Metal-insulator-metal (mim) capacitors with curved electrode

Номер патента: US20240170529A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Nonvolatile memory device with a metal-insulator-metal (mim) capacitor in a substrate and integration schemes

Номер патента: US20220165739A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Doped metal-insulator-metal (mim) capacitor of a memory array

Номер патента: US20230290812A1. Автор: Travis LAJOIE,André BARAN,Yixiong Zheng,Yu-Che Chiu,Alexandra De Denko,Christine RADLINGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Discrete metal-insulator-metal (MIM) energy storage component and manufacturing method

Номер патента: US12033797B2. Автор: Anders Johansson,Vincent Desmaris,Rickard Andersson,M Shafiqul Kabir,Muhammad Amin Saleem,Maria BYLUND,Ola Tiverman,Fredrik LILJEBERG. Владелец: Smoltek AB. Дата публикации: 2024-07-09.

Discrete metal-insulator-metal (mim) energy storage component and manufacturing method

Номер патента: EP3867935A1. Автор: Anders Johansson,Vincent Desmaris,Rickard Andersson,M Shafiqul Kabir,Muhammad Amin Saleem,Maria BYLUND,Ola Tiverman,Fredrik LILJEBERG. Владелец: Smoltek AB. Дата публикации: 2021-08-25.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor module with dielectric sidewall spacer

Номер патента: US12021115B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Systems, methods and apparatus for enabling high voltage circuits

Номер патента: US09847348B1. Автор: Simon Edward Willard,Alain Duvallet,Merlin Green,Buddhika Abesingha,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Systems, Methods and Apparatus for Enabling High Voltage Circuits

Номер патента: US20190280011A1. Автор: Simon Edward Willard,Alain Duvallet,Merlin Green,Buddhika Abesingha,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Systems, Methods and Apparatus for Enabling High Voltage Circuits

Номер патента: US20180211972A1. Автор: Simon Edward Willard,Alain Duvallet,Merlin Green,Buddhika Abesingha,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Systems, methods and apparatus for enabling high voltage circuits

Номер патента: WO2018118224A1. Автор: Simon Edward Willard,Alain Duvallet,Merlin Green,Buddhika Abesingha,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

High voltage passive device structure

Номер патента: US20230317593A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Wen-Chiung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Cascoded high voltage junction field effect transistor

Номер патента: US20180047836A9. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-02-15.

Cascoded high voltage junction field effect transistor

Номер патента: US09893209B2. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Metal insulator metal (mim) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096928A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Chi On Chui,Chun-Yen Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal insulator metal (mim) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230163161A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Chi On Chui,Chun-Yen Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Metal insulator metal (MIM) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11855128B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Chi On Chui,Chun-Yen Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal insulator metal (mim) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210594A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Chi On Chui,Chun-Yen Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE REDISTRIBUTION LAYERS WITH METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS

Номер патента: US20220310777A1. Автор: "OSullivan David",Seidemann Georg,Waidhas Bernd,Baumeister Horst. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

MECHANISMS FOR FORMING METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20150123242A1. Автор: JEN Chi-Chung,Hsu Chia-Lun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Process to Improve Performance for Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitors

Номер патента: US20160035817A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

MECHANISMS FOR FORMING METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20150171207A1. Автор: YEH Yu-Lung,LIANG Chieh-Shuo,LIN Hsing-Chih,Huang Ching-Hung,TAI Chih-Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS AND FORMING METHODS

Номер патента: US20160218172A1. Автор: Liu Shih-Chang,Hsu Chern-Yow,Hsieh Ching-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SURFACE AREA ENHANCEMENT FOR STACKED METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20180277621A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Deep trench (dt) metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: US20090236691A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Thomas W. Dyer,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Isolation technique allowing both very high and low voltage circuits to be fabricated on the same chip

Номер патента: US20100001365A1. Автор: Peter J. Hopper,William French,Ann Gabrys. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

A semiconductor structure and method for guarding a low voltage surface region from a high voltage surface region

Номер патента: WO2021156620A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

A Semiconductor Structure and Method For Guarding A Low Voltage Surface Region From A High Voltage Surface Region

Номер патента: US20230062444A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search Of Next Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

A semiconductor structure and method for guarding a low voltage surface region from a high voltage surface region

Номер патента: EP4100996A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Semiconductor chip integrating high and low voltage devices

Номер патента: US20200381513A1. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2020-12-03.

A semiconductor structure and method for guarding a low voltage surface region from a high voltage surface region

Номер патента: AU2021217205A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Apparatus for controlling a high voltage circuit using a low voltage circuit

Номер патента: US20030071322A1. Автор: Alain Comeau,Jonas Weiland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor chip integrating high and low voltage devices

Номер патента: US20190088740A1. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-03-21.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

High voltage CMOS with triple gate oxide

Номер патента: US09741718B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Pinghai Hao,Jarvis Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

High voltage integrated switching devices on a bonded and trenched silicon substrate

Номер патента: WO2000065662A1. Автор: Nestore A. Polce,Scotten W. Jones,Mark F. Heisig. Владелец: C.P. Clare Corporation. Дата публикации: 2000-11-02.

Elimination of walkout in high voltage trench isolated devices

Номер патента: US20010023974A1. Автор: Rashid Bashir,Wipawan Yindeepol,Joel M. McGregor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method and manufacture for high voltage gate oxide formation after shallow trench isolation formation

Номер патента: US20120034755A1. Автор: Fei Wang,Chih-Yun Lin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210013301A1. Автор: Chen Yen-Ming,CHEN Dian-Hau,Huang Chih-Fan,CHEN Hui-Chi,PAI Chih-Yang,Hsiao Tsung-Chieh,Hsiao Yuan-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200035780A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chih-Yang Pai,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190131385A1. Автор: Chen Yen-Ming,CHEN Dian-Hau,Huang Chih-Fan,CHEN Hui-Chi,PAI Chih-Yang,Hsiao Tsung-Chieh,Hsiao Yuan-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US10468478B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chih-Yang Pai,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

High voltage galvanic isolation device

Номер патента: US20190074350A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

High voltage galvanic isolation device

Номер патента: US20170263696A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Antifuse OTP structures with hybrid low-voltage devices

Номер патента: US20220278114A1. Автор: Li Li,Zhigang Wang. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Antifuse OTP structures with hybrid low-voltage devices

Номер патента: US20210288055A1. Автор: Li Li,Zhigang Wang. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication

Номер патента: CN103199117A. Автор: 杨开霞,谢泉隆,俞钢,黄鸿发,李兴中,巩雄,B.J.L.尼尔松. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

METAL INSULATOR METAL (MIM) STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210210594A1. Автор: PENG CHUN-YEN,Chui Chi On,Yeong Sai-Hooi,CHANG CHIH-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Lofic circuit for in pixel metal-insulator-metal(mim) capacitor lag correction and associated correction methods

Номер патента: US20240244344A1. Автор: Woon Il Choi,Bill Phan,Zhiqiang Lin,Yifei Du. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

LOFIC circuit for in pixel metal-insulator-metal(MIM) capacitor lag correction and associated correction methods

Номер патента: US12096141B2. Автор: Woon Il Choi,Bill Phan,Zhiqiang Lin,Yifei Du. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITH INSULATOR STACK HAVING A PLURALITY OF METAL OXIDE LAYERS

Номер патента: US20130270676A1. Автор: Lindert Nick,Glassman Timothy E.,Baran Andre. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

Номер патента: TWI485862B. Автор: André BARAN,Nick Lindert,Timothy E Glassman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

Номер патента: WO2013089711A1. Автор: André BARAN,Timothy E. Glassman,Nick Lindert. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-20.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITH DEEP TRENCH (DT) STRUCTURE AND METHOD IN A SILICON-ON-INSULATOR (SOI)

Номер патента: US20150021737A1. Автор: JR. John E.,Khan Babar A.,Barth,Ho Herbert L.,Peterson Kirk D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF FABRICATING METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITHIN TOPMOST THICK INTER-METAL DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20140191364A1. Автор: Tzeng Kuo-Chyuan,Tu Kuo-Chi,Wang Chen-Jong,Lee Hsiang-Fan,Tran Luan C.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF FABRICATING METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITHIN TOPMOST THICK INTER-METAL DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20140193961A1. Автор: Tzeng Kuo-Chyuan,Tu Kuo-Chi,Wang Chen-Jong,Lee Hsiang-Fan,Tran Luan C.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-10.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitor Within Topmost Thick Inter-Metal Dielectric Layers

Номер патента: US20150187866A1. Автор: Tzeng Kuo-Chyuan,Tu Kuo-Chi,Wang Chen-Jong,Lee Hsiang-Fan,Tran Luan C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) DEVICE AND METHOD OF FORMATION THEREOF

Номер патента: US20130237030A1. Автор: Lo Wai,KAZA Swaroop,HADDAD Sameer,AVANZINO Steven,MARRIAN Christie,FANG Tzu-Ning,LIAO Dongxiang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-09-12.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20140084417A1. Автор: Magnee Petrus Hubertus Cornelis,SEBEL Patrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-03-27.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) ARRAY FOR INTEGRATED RADIO FREQUENCY (RF) FILTER

Номер патента: US20170133996A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Yun Changhan Hobie,Berdy David Francis,KIM Daeik Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150171161A1. Автор: LIANG Chieh-Shuo,Huang Ching-Hung,TAI Chih-Ho,Chiang Po-Jung,HO Ying-Tsang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS ARRANGED IN A PATTERN TO REDUCE INDUCTANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20160181233A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Yun Changhan Hobie,Mikulka Robert Paul,Berdy David Francis,Mudakatte Niranjan Sunil,KIM Daeik Daniel,Lan Je-Hsiung Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR TECHNIQUES

Номер патента: US20150187864A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,CHANG Yao-Wen,TSAI Cheng-Yuan,Lin Hsing-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-07-02.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR IN REDISTRIBUTION LAYER (RDL) OF AN INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20150221714A1. Автор: Gu Shiqun,Lane Ryan David,Pandey Shree Krishna,Raskin Glenn David. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD FOR FABRICATING A METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR HAVING CAPACITOR DIELECTRIC LAYER FORMED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: US20140327064A1. Автор: Yamamichi Shintaro,IIZUKA Toshihiro,YAMAMOTO Tomoe,TODA Mami. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

SURFACE AREA ENHANCEMENT FOR STACKED METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20180277623A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Metal insulator metal (mim) capacitance gallium arsenide integrated circuit

Номер патента: JPS6387761A. Автор: Yuji Hara,原　雄二. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-19.

Method of fabricating a deep trench (DT) metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US8241981B1. Автор: Michael P. Chudzik,Christian Lavoie,Oh-Jung Kwon,Rishikesh Krishnan,Joseph F. Shepard, Jr.,Dong-Ick Lee,Unoh Kwon,Youngjin Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitors and forming methods

Номер патента: US9620582B2. Автор: Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical metal-insulator-metal (MIM) capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: TW200717595A. Автор: Charles Lee,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Metal-insulator-metal (mim) devices and their methods of fabrication

Номер патента: EP2080227A2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Hsing-Chung Lee,Xiong Gong,Boo Jorgen Lars Nilsson,Fatt Foong,Kaixia Yang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2009-07-22.

Metal-insulator-metal (mim) energy storage device with layered stack and manufacturing method

Номер патента: WO2021211038A1. Автор: Anders Johansson,Vincent Desmaris,Karl Lundahl,Rickard Andersson,M Shafiqul Kabir,Muhammad Amin Saleem,Maria BYLUND,Victor MARKNÄS,Ola Tiverman. Владелец: Smoltek AB. Дата публикации: 2021-10-21.

Trench metal-insulator metal (mim) capacitors

Номер патента: US20090159948A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Vidhya Ramachandran,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

In-situ Encapsulation of Metal-Insulator-Metal (MIM) stacks for Resistive Random Access Memory (RERAM) Cells

Номер патента: US20210313513A1. Автор: Dina Triyoso,Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Metal-insulator-metal (MIM) device and method of formation thereof

Номер патента: US8445913B2. Автор: Steven Avanzino,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Wai Lo,Tzu-Ning Fang,Christie Marrian,Dongxiang Liao. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-05-21.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: US20200312794A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device having high-voltage isolation capacitor

Номер патента: US20240063112A1. Автор: Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Jeong Ho SHEEN,Sang Geun KOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: WO2020205752A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-10-08.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: EP3948950A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Low-voltage fuse read circuit

Номер патента: US12032040B2. Автор: Robert Mark Englekirk. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

In-situ encapsulation of metal-insulator-metal (MIM) stacks for resistive random access memory (RERAM) cells

Номер патента: US11882776B2. Автор: Dina Triyoso,Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

METHOD OF MANUFACTURING COMPLIMENTARY METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS

Номер патента: US20130081240A1. Автор: Stamper Anthony K.,He Zhong-Xiang,Dunn James S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-04.

DISCRETE METAL-INSULATOR-METAL (MIM) ENERGY STORAGE COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220013305A1. Автор: Johansson Anders,Desmaris Vincent,Saleem Muhammad Amin,Kabir M Shafiqul,Andersson Rickard,Tiverman Ola,Bylund Maria,Liljeberg Fredrik. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

Metal-insulator- metal (MIM) devices and their methods of fabrication

Номер патента: US20080169464A1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Hsing-Chung Lee,Xiong Gong,Boo Jorgen Lars Nilsson,Fatt Foong,Kaixia Yang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Metal-insulator-metal capacitor structure supporting different voltage applications

Номер патента: US11908888B2. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Huimei Zhou,Nan Jing. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Different-voltage device manufactured by a cmos compatible process and high-voltage device used in the different-voltage device

Номер патента: US20070178648A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2007-08-02.

Integration manufacturing method of depletion high voltage nmos device and depletion low voltage nmos device

Номер патента: US20230178438A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-08.

High voltage device with multi-electrode control

Номер патента: WO2016209934A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Michael D. Seeman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-03-01.

High voltage switch module

Номер патента: US09866213B1. Автор: HAO Zhang,Anup Bhalla,Xueqing Li. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Solid state photomultiplier having an intermediate region coupled between high and low voltage regions and associated detector

Номер патента: US09754981B2. Автор: Jonathan David Short,Jianjun Guo,Sergei Ivanovich DOLINSKY. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-09-05.

High voltage gate formation

Номер патента: WO2014093611A1. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

High Voltage Gate Formation

Номер патента: US20140167137A1. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

Integration of trench mos with low voltage integrated circuits

Номер патента: US20140070310A1. Автор: YI LIANG,DONG Yemin,PURAKH Raj Verma. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Integration of trench MOS with low voltage integrated circuits

Номер патента: US9209297B2. Автор: YI LIANG,DONG Yemin,PURAKH Raj Verma. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-12-08.

Integration of trench mos with low voltage integrated circuits

Номер патента: US20130187224A1. Автор: YI LIANG,DONG Yemin,PURAKH Raj Verma. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor memory device having row decoder in which high-voltage-applied portion is located adjacent to low-voltage-applied portion

Номер патента: US6868010B2. Автор: Akira Shimizu,Riichiro Shirota,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Improved method for simultaneously fabricating ONO-type memory cell and gate dielectrics for associated high voltage write transistors and gate dielectrics for low voltage logics transistors by using ISSG

Номер патента: TW200605333A. Автор: Zhong Dong,Chia-Shun Hsiao,Chuck Jang,Ching-Hwa Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Improved method for simultaneously fabricating ono-type memory cell and gate dielectrics for associated high voltage write transistors and gate dielectrics for low voltage logics transistors by using issg

Номер патента: TWI302379B. Автор: Zhong Dong,Chuck Jang,Ching Hwa Chen,Chia Shun Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

Integration manufacturing method of high voltage device and low voltage device

Номер патента: US20230170262A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for integrating high-voltage device and low-voltage device

Номер патента: US20020197812A1. Автор: Yung-Chieh Fan. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

High voltage transistor having side-wall width different from side-wall width of a low voltage transistor

Номер патента: US7148552B2. Автор: Masayuki Fujio,Motoharu Arimura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-12.

High voltage mos devices with high gated-diode breakdown voltage and punch-through voltage

Номер патента: US20020020891A1. Автор: Raminda U. Madurawe,David K. Y. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Electrical device comprising capacitor for high-voltage applications and a method for obtaining an electrical device

Номер патента: EP4369368A1. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method for forming an integrated circuit with high voltage and low voltage devices

Номер патента: US20070102759A1. Автор: Fu-Hsin Chen,You-Kuo Wu,Kuo-Ting Lee,Wen-Hua Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170372968A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming drain extended mos transistors for high voltage circuits

Номер патента: US20190355583A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Igor G. Kouznetsov,Sungkwon Lee. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure with high-voltage and low-voltage CMOS devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985019B2. Автор: Manoj Kumar,Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US09786563B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US09780091B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Electrical device for high-voltage applications

Номер патента: US20240162280A1. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Epitaxial source and drain structures for high voltage devices

Номер патента: US20190096887A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170148788A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170148681A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170301671A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor structure enhanced for high voltage applications

Номер патента: WO2019243882A3. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor structure enhanced for high voltage applications

Номер патента: WO2019243882A2. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-26.

Hybrid high-voltage low-voltage finfet device

Номер патента: US20190172756A1. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum,Pavan Singaraju. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods for fabricating integrated circuits with low, medium, and/or high voltage transistors on an extremely thin silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09653365B1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Fabricating method for high voltage semiconductor power switching device

Номер патента: US09553085B2. Автор: Chiu-Sing Celement Tse,On-Bon Peter Chan,Chi-keung Tang. Владелец: Mosway Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

High voltage cmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230197730A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-22.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

High voltage device with multi-electrode control

Номер патента: US09991225B2. Автор: Sandeep R. Bahl,Michael D. Seeman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

High voltage device fabricated using low-voltage processes

Номер патента: US09755072B2. Автор: Fethi Dhaoui,John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: EP3893272A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: US20210289618A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Sensing device comprising electrical components of high voltage domain and low voltage domain to perform quenching of a single photon avalanche diode

Номер патента: US11035725B2. Автор: Alexander Katz,Yael Nemirovsky. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop and low reverse current leakage

Номер патента: AU6027698A. Автор: Vladimir Rodov,Richard A. Metzler. Владелец: Luminous Intent Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Electrical overstress protection with low leakage current for high voltage tolerant high speed interfaces

Номер патента: WO2020144180A3. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Salcedo,Enrique BOSCH. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2020-08-20.

Continuous cascode voltage control for protection of low voltage devices

Номер патента: US20220166215A1. Автор: Carlos Zamarreno Ramos. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor switches for high voltage operations

Номер патента: US20230421148A1. Автор: Rohan Sinha,Rajat Kulshrestha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor switches for high voltage operations

Номер патента: US11742846B1. Автор: Rohan Sinha,Rajat Kulshrestha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

High-voltage nano-sheet transistor

Номер патента: US20210408234A1. Автор: Yih Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chia-En HUANG,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

High voltage device and method

Номер патента: US20020098632A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

High voltage inverter circuit

Номер патента: US5965921A. Автор: Yoshikazu Kojima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Integrated monolithic switch for high voltage applications

Номер патента: US3896317A. Автор: Charles Noble Alcorn,Filippi Robert Joseph De,John David Henke,Robert Ng Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-07-22.

Method of fabricating an EPROM with high voltage transistors

Номер патента: US5674762A. Автор: Yee-Chaung See,Lewis E. Terry,Craig A. Cavins. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-10-07.

Dipole threshold voltage tuning for high voltage transistor stacks

Номер патента: US20220199472A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Robin Chao,Brian Greene,Curtis Tsai,Orb Acton,Bishwajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Oxide-Based Flexible High Voltage Thin Film Transistor

Номер патента: US20210005753A1. Автор: Yonghui Zhang,Yicheng Lu,Xiaolong Du,Wen-Chiang Hong,Zengxia Mei. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2021-01-07.

Bootstrap MOS for high voltage applications

Номер патента: US09660108B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

High speed bipolar junction transistor for high voltage applications

Номер патента: US09331097B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Eric Huang,Ruey-Hsin Liu,Puo-Yu Chiang,Fu-Hsin Chen,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Chyi-Chyuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

High-voltage nano-sheet transistor

Номер патента: US11948972B2. Автор: Yih Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chia-En HUANG,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

High-voltage battery division for charging column connection

Номер патента: US10821836B2. Автор: Thomas Schmid,Leo Spiegel,Naser Abu Daqqa,Pascal Heusler. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2020-11-03.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

High voltage logic circuit

Номер патента: US20210151436A1. Автор: Li-Shiuan Peh,Pilsoon Choi,Chirn-Chye Boon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-20.

Planar high-voltage photoelectric module

Номер патента: RU2686449C1. Автор: Ольга Вячеславовна Шеповалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИМ). Дата публикации: 2019-04-25.

High voltage semiconductor device having improvements to the dv/dt capability and plasma spreading

Номер патента: CA1163020A. Автор: Victor A.K.. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-02-28.

High voltage semiconductor device having an improved dv/dt capability

Номер патента: CA1160358A. Автор: Victor A. K. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-01-10.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US20230122868A1. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

High voltage optical transformer integration

Номер патента: EP4222788A1. Автор: Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Maik Andre Scheller,Jonathan Robert Peterson,Yigit MENGUC,Daniele Piazza,Renate Eva Klementine Landig,Tianshu Liu. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-09.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US20220208956A1. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

A high-voltage reset mems microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: EP3192278A1. Автор: Matthew Zeleznik. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-07-19.

High-voltage reset mems microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: US20170355594A1. Автор: Matthew A. Zeleznik. Владелец: Akustica Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US11574995B2. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

High voltage power stage using low voltage transistors

Номер патента: US20240313768A1. Автор: Yueming SUN,Sri Navaneethakrishnan Easwaran,Angelo Pereira,Kae Wong,Ahmed E Hashim,Artur Lewinski. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US12119373B2. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High-voltage reset MEMS microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: US09743203B2. Автор: Matthew A. Zeleznik. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-22.

High-voltage tolerant voltage regulator

Номер патента: US09588529B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

High voltage integrated circuit diode with a charge injecting node

Номер патента: CA2216083C. Автор: Steven A. Buhler,Jaime Lerma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2001-11-13.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: US20240204764A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Low-Power, High-Voltage Integrated Circuits

Номер патента: US20120038416A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-16.

High voltage switching device

Номер патента: US12027623B2. Автор: Abhijeet Paul,Simon Edward Willard,Alain Duvallet. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Esd protection device with high voltage and negative voltage tolerance

Номер патента: US20050205937A1. Автор: Tai-Ho Wang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: EP4386843A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

HIGH VOLTAGE, HIGH FREQUENCY ESD PROTECTION CIRCUIT FOR RF ICs

Номер патента: WO2011091064A1. Автор: Eugene R. Worley,Byungwook Min,Der-Woei Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-28.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

High voltage solar modules

Номер патента: EP4362110A3. Автор: Peter John Cousins,Seung Bum Rim,Gopal Krishan GARG. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Lateral high voltage semiconductor device having a sense terminal and method for sensing a drain voltage of the same

Номер патента: US20030107086A1. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-12.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

High k metal-insulator-metal (mim) capacitor network for lag mitigation

Номер патента: US20240244350A1. Автор: Duli Mao,Woon Il Choi,Bill Phan,Yuanliang Liu,Yifei Du,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Damascene metal-insulator-metal (mim) device with improved scaleability

Номер патента: CN101529608B. Автор: F·王,K·宋,S·K·潘格尔,J·谢,S·阿维奇诺,S·哈达,M·范巴斯柯克,M·拉托尔,C·马里安,B·酋,J·A·希尔兹. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Damascene metal-insulator-metal (mim) device with improved scaleability

Номер патента: WO2008033332A3. Автор: Fei Wang,Steven Avanzino,Kevin Song,Bryan Choo,Sameer Haddad,Manuj Rathor,James Xie,Jeffrey A Shields,Suzette K Pangrle,Michael Vanbuskirk,Christie Marrian. Владелец: Christie Marrian. Дата публикации: 2008-09-18.

Damascene metal-insulator-metal (mim) device with improved scaleability

Номер патента: EP2064756A2. Автор: Suzette K. Pangrle,Fei Wang,Steven Avanzino,Kevin Song,Bryan Choo,Sameer Haddad,Jeffrey A. Shields,Manuj Rathor,James Xie,Michael Vanbuskirk,Christie Marrian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

Damascene metal-insulator-metal (MIM) device

Номер патента: US20080132068A1. Автор: Suzette K. Pangrle,Fei Wang,Steven Avanzino,Kevin Song,Bryan Choo,Sameer Haddad,Jeffrey A. Shields,Manuj Rathor,James Xie,Michael Vanbuskirk,Christie Marrian. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Flurorinated acetal electrolytes for high-voltage and low-impedance lithium metal batteries

Номер патента: WO2023215607A1. Автор: Yi Cui,Zhenan Bao,Zhiao YU,Yuelang CHEN. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-09.

System To Optimize Voltage Distribution Along High Voltage Doubler String

Номер патента: US20220238269A1. Автор: Vasu MOGAVEERA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Winding body, high-voltage winding and dry-type transformer

Номер патента: EP4394820A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

System to optimize voltage distribution along high voltage doubler string

Номер патента: US11894175B2. Автор: Vasu MOGAVEERA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

System to optimize voltage distribution along high voltage doubler string

Номер патента: WO2022164528A1. Автор: Vasu MOGAVEERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Winding body, high-voltage winding and dry-type transformer

Номер патента: AU2022427640A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Winding body, high-voltage winding and dry-type transformer

Номер патента: CA3242063A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Low Voltage DC-DC Converter

Номер патента: US20230011846A1. Автор: Dae Woo Lee,Taejong Ha. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Use of a silicone rubber composition for the manufacture of an insulator for high voltage direct current applications

Номер патента: US11908595B2. Автор: Harry Zumaque,Lada Bemert,Oliver Safarowsky,Beatrice Grau. Владелец: MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-02-20.

ELECTRICALLY COUPLING A HIGH-VOLTAGE ON-BOARD ELECTRICAL SYSTEM TO A LOW-VOLTAGE ON-BOARD ELECTRICAL SYSTEM

Номер патента: US20190071033A1. Автор: HELLENTHAL Berthold,HINTERBERGER Michael,BLUM André,Fest Markus. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2019-03-07.

Electrically coupling a high-voltage on-board electrical system to a low-voltage on-board electrical system

Номер патента: WO2018082843A1. Автор: Michael Hinterberger,Berthold Hellenthal,André Blum,Markus Fest. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-05-11.

Electrically coupling a high-voltage on-board electrical system to a low-voltage on-board electrical system

Номер патента: EP3535839B1. Автор: Michael Hinterberger,Berthold Hellenthal,André Blum,Markus Fest. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2020-09-16.

High voltage current source and voltage expander in low voltage process

Номер патента: US20110050331A1. Автор: Edward K. F. Lee. Владелец: ALFRED E MANN FOUNDATION FOR SCIENTIFIC RESEARCH. Дата публикации: 2011-03-03.

High voltage current source and voltage expander in low voltage process

Номер патента: EP2293445A3. Автор: Edward K. F. Lee. Владелец: Alfred E Mann Institute for Biomedical Engineering of USC. Дата публикации: 2012-03-14.

High-voltage device box

Номер патента: EP4087072A1. Автор: Tao Li,Xin Peng,Congjian JIANG,Chuanwen Luo,Fang HENG,Xiongbo WANG. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Through wall electrical and low voltage connector

Номер патента: US09800036B1. Автор: John Klein,Jeffrey Baldwin,Ryan Liebengood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Compact high-voltage connector

Номер патента: RU2663217C2. Автор: Жерар РЕВОЛЬ,Жорж ДИЗНЕФ,Эрик МЮРРИ,Терренс ЛАЛЛУЕТТ,Самир БУТААР. Владелец: Сингл Бой Мурингс Инк.. Дата публикации: 2018-08-02.

Condenser core, bushing, high voltage application and method of producing bushing

Номер патента: EP3648121A1. Автор: Peter SJÖBERG,Björn EDBERG,Thomas A ERIKSSON. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-05-06.

Condenser core, bushing, high voltage application and method of producing bushing

Номер патента: WO2020088833A1. Автор: Thomas Eriksson,Peter SJÖBERG,Björn EDBERG. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-05-07.

A high voltage divider

Номер патента: US20160238634A1. Автор: Lorenzo Giovanelli. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-08-18.

High voltage divider

Номер патента: US09714957B2. Автор: Lorenzo Giovanelli. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-07-25.

Improved interrupter for high-current or high-voltage applications at direct current, for example, for industrial and / or railway applications

Номер патента: RU2721374C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-05-19.

Through wall electrical and low voltage connector

Номер патента: US09525279B1. Автор: John Klein,Jeffrey Baldwin,Ryan Liebengood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Battery management system for integrated management of high and low voltage batteries and communication method thereof

Номер патента: US11719754B2. Автор: Seulkirom Kim. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

High-voltage instrument current transformer

Номер патента: RU2046427C1. Автор: Прайсингер Норберт,Эберляйн Херманн. Владелец: МВБ Мессвандлер-Бау АГ. Дата публикации: 1995-10-20.

Passive fault protection arrangement for a measuring voltage transformer or a power voltage transformer for use in high voltage applications

Номер патента: WO2024061735A1. Автор: Alessandro MOTTA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Insulator for high-voltage applications

Номер патента: CA3212956A1. Автор: Matthias Bruland. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2022-09-15.

System and method for automated splicing and terminating low, medium, high, extra high voltage cables

Номер патента: WO2016094184A8. Автор: Robert Wayne Hobson. Владелец: NKT HV Cables GmbH. Дата публикации: 2017-06-29.

System and method for automated splicing and terminating low, medium, high, extra high voltage cables

Номер патента: EP3231050A1. Автор: Robert Wayne Hobson. Владелец: NKT HV Cables GmbH. Дата публикации: 2017-10-18.

System and method for automated splicing and terminating low, medium, high and extra high voltage cables

Номер патента: WO2016094184A1. Автор: Robert Wayne Hobson. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-06-16.

System and method for automated splicing and terminating low, medium, high, and extra high voltage cables

Номер патента: US20160164238A1. Автор: Robert Wayne Hobson. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-06-09.

X-ray source, high-voltage generator, electron beam gun, rotary target assembly, rotary target, and rotary vacuum seal

Номер патента: US09966217B2. Автор: Roger Hadland. Владелец: NIKON METROLOGY NV. Дата публикации: 2018-05-08.

X-ray source, high-voltage generator, electron beam gun, rotary target assembly, rotary target, and rotary vacuum seal

Номер патента: US09947501B2. Автор: Roger Hadland. Владелец: NIKON METROLOGY NV. Дата публикации: 2018-04-17.

X-ray source, high-voltage generator, electron beam gun, rotary target assembly, and rotary vacuum seal

Номер патента: US09941090B2. Автор: Roger Hadland. Владелец: NIKON METROLOGY NV. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for automated splicing and terminating low, medium, high, and extra high voltage cables

Номер патента: US09742137B2. Автор: Robert Wayne Hobson. Владелец: NKT HV Cables GmbH. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and apparatus for high voltage treatment of cathode ray tube

Номер патента: US5252098A. Автор: Kinjiro Sano,Wataru Imanishi,Yoshihisa Nakajima,Maasaki Kinoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

High voltage assemblies

Номер патента: GB1484147A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-08-24.

Passive fault protection arrangement for a measuring voltage transformer or a power voltage transformer for use in high voltage applications

Номер патента: EP4339988A1. Автор: Alessandro MOTTA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

High-voltage device

Номер патента: US20220053657A1. Автор: Thomas Maibrink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-02-17.

Electrical monitoring device, in particular for a high-voltage application in a motor vehicle

Номер патента: US20240322501A1. Автор: Francisco Gonzalez Espin,Carlos SEVILLA PAVON. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for adapting high voltage cells or batteries for lower volt rated applications

Номер патента: CA1192609A. Автор: John P. Mathews,Thomas T. Yatabe,John R. Fehling. Владелец: Duracell International Inc. Дата публикации: 1985-08-27.

Condenser core, bushing, high voltage application and method of producing bushing

Номер патента: US11942742B2. Автор: Thomas Eriksson,Peter SJÖBERG,Björn EDBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Devices and methods for high voltage and solar applications

Номер патента: US11961667B2. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Jack KAVANAUGH. Владелец: Nanotech Energy Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for partial discharge recognition in high voltage applications and unit using the method

Номер патента: WO2022012761A1. Автор: Fabrizio Negri. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for partial discharge recognition in high voltage applications and unit using the method

Номер патента: CA3186074A1. Автор: Fabrizio Negri. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for partial discharge recognition in high voltage applications and unit using the method

Номер патента: EP4154024A1. Автор: Fabrizio Negri. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-03-29.

Insulator for high-voltage applications

Номер патента: US20240153675A1. Автор: Matthias Bruland. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2024-05-09.

Lithium secondary cell with high charge and discharge rate capability and low impedance growth

Номер патента: US09608292B2. Автор: Yet-Ming Chiang,Antoni S. Gozdz,Andrew C. CHU,Ricardo Fulop,Gilbert N. Riley, Jr.,Roger Lin. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

High voltage switch triggered by a laser-photocathode subsystem

Номер патента: US20110215717A1. Автор: Ping Chen,Martin L. Lundquist,David U.L. Yu. Владелец: DULY RESEARCH Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

High voltage tantalum anode and method of manufacture

Номер патента: US09633796B2. Автор: Yanming Liu,Barry C. Muffoletto,Jason T. Hahl. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrode device including high voltage slip-ring electrodes

Номер патента: US4988304A. Автор: Kouki Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-01-29.

Vacuum interrupter for high voltage applications

Номер патента: CA1055998A. Автор: Donald W. Crouch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1979-06-05.

Electrical Induction Device for High-Voltage Applications

Номер патента: US20080211617A1. Автор: Miljenko Hrkac. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2008-09-04.

High voltage circuit breaker

Номер патента: US3728504A. Автор: H Beier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-04-17.

High voltage winding for dry type transformer

Номер патента: CA1113161A. Автор: Benjamin F. Allen. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-11-24.

High performance multilayer insulation composite for high voltage applications

Номер патента: US20190326034A1. Автор: Euy-sik Shin. Владелец: OHIO AEROSPACE INSTITUTE. Дата публикации: 2019-10-24.

Vacuum switching device for medium- and high-voltage applications

Номер патента: US12033813B2. Автор: Karsten Freundt,Christian Schacherer. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Tape comprising a hybrid binder for high voltage application

Номер патента: EP3861080A1. Автор: Ronald GOETTER,Nathan HUSSEY,Mattia FERRARIS,Paola Gherardi,Nicola CUMINETTI,Marco Viola,David Vines,Thomas James MURRAY. Владелец: Elantas Europe SRL. Дата публикации: 2021-08-11.

Tape comprising a hybrid binder for high voltage application

Номер патента: CA3114506A1. Автор: Ronald GOETTER,Nathan HUSSEY,Mattia FERRARIS,Paola Gherardi,Nicola CUMINETTI,Marco Viola,David Vines,Thomas James MURRAY. Владелец: Elantas Europe SRL. Дата публикации: 2020-04-09.

Tape comprising a hybrid binder for high voltage application

Номер патента: CA3114506C. Автор: Ronald GOETTER,Nathan HUSSEY,Mattia FERRARIS,Paola Gherardi,Nicola CUMINETTI,Marco Viola,David Vines,Thomas James MURRAY. Владелец: Elantas Europe SRL. Дата публикации: 2023-08-08.

High voltage circuit-breaker

Номер патента: WO2024199663A1. Автор: Mahesh Dhotre,Matt Cuppett,Valeria TEPPATI,Christoph Wirth,Christian Daehler,Brian Christopher. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage circuit-breaker

Номер патента: EP4432326A1. Автор: Mahesh Dhotre,Christoph Wirth,Lukasz Ziomka. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

High voltage circuit-breaker

Номер патента: WO2024189156A1. Автор: Mahesh Dhotre,Christoph Wirth,Lukasz Ziomka. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High voltage electrical connector

Номер патента: US09450315B2. Автор: Laurent Royer. Владелец: Tyco Electronics Simel SAS. Дата публикации: 2016-09-20.

Cooling of high-voltage devices

Номер патента: RU2465668C2. Автор: Дэвид ЭМИЛЬССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2012-10-27.

High-voltage feedthrough insulator

Номер патента: RU2419904C2. Автор: Томас Эрикссон,Давид ЭМИЛЬССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2011-05-27.

High-voltage cable plug

Номер патента: RU2669380C2. Автор: Ян Хенрик Вильгельм КУЛЕФЕЛЬТ. Владелец: Пфистерер Контактзистеме Гмбх. Дата публикации: 2018-10-11.

High-voltage transformer

Номер патента: RU2288517C2. Автор: КАРМЕНА Анхель ДИАС. Владелец: Сосьедад Эспаньола Де Электромедисина И Калидад, С.А.. Дата публикации: 2006-11-27.

High-voltage device

Номер патента: RU2531259C2. Автор: Томми ЛАРССОН,Дэвид ЭМИЛЬССОН,Ральф ХАРТИНГС. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of filling high-voltage electrotechnical devices with liquid dielectric and device for its implementation

Номер патента: RU2699365C1. Автор: Николай Алексеевич Зарецкий,Роман Викторович Порубов,Олег Олегович Федоркин,Эльвира Алексеевна Деменкова,Артем Валерьевич Бурцев,Константин Александрович Квасников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-09-05.

High-voltage device

Номер патента: US11638358B2. Автор: Thomas Maibrink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-25.

Method of manufacturing continuous disk winding for high-voltage superconducting transformers

Номер патента: US20070152786A1. Автор: Seung Lee,Woo Kim,Young Hwang,Kyeong Choi. Владелец: Korea Polytechnic University. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductive resin composition for ultra-high-voltage cable, having excellent processability, and preparation method therefor

Номер патента: EP4299670A1. Автор: In Jun Lee,Jeong Hyun PARK,Jae Yun Lim,Sang Kyu Park,Kisik KIM. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductive resin composition for ultra-high-voltage cable, having excellent processability, and preparation method therefor

Номер патента: US20240117168A1. Автор: In Jun Lee,Jeong Hyun PARK,Jae Yun Lim,Sang Kyu Park,Kisik KIM. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Precision high voltage power supply utilizing feedback through return side output

Номер патента: EP3827321A1. Автор: David Deford. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2021-06-02.

Apparatus for managing the energy supplied to a low-voltage system of a motor vehicle that comprises an energy-recovery stage, and corresponding method

Номер патента: US10164453B2. Автор: Andrea Nepote,Piero Antonio Conti,Giordano Greco. Владелец: Sistemi Sospensioni SpA. Дата публикации: 2018-12-25.

Device and method for generating a stable high voltage

Номер патента: US20100296320A1. Автор: Jörg Fober. Владелец: Carl Zeiss NTS GmbH. Дата публикации: 2010-11-25.

Driving device for driving a high-voltage x ray tube and method thereof driving the same

Номер патента: US20220330412A1. Автор: Tsung-Min Yang,Hung-Chiang HUANG. Владелец: ENERGY RESOURCES INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

High-voltage connector

Номер патента: GB2592384A. Автор: Barroso Inaki. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

High-voltage connector

Номер патента: EP4111550A1. Автор: Inaki Barroso. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

High-voltage power unit and mass spectrometer using the power unit

Номер патента: US09583324B2. Автор: Shiro Mizutani. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

System of high-voltage insulator and system of ion accelerator with such system of high-voltage insulator

Номер патента: RU2481753C2. Автор: Гюнтер КОРНФЕЛЬД,Норберт КОХ,Ханс-Петер ХАРМАНН. Владелец: Тейлз Электрон Дивайсез Гмбх. Дата публикации: 2013-05-10.

Flexible high-voltage cable

Номер патента: RU2686458C1. Автор: Вячеслав Вячеславович Воронин,Сергей Викторович Булычев,Евгений Анатольевич Байдаков,Артем Николаевич Максимов,Максим Сергеевич Мироненко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-04-26.

High voltage transformer

Номер патента: RU2524672C2. Автор: Эйвинд ВЕТТЕЛАНД. Владелец: Саптек Ип Ас. Дата публикации: 2014-08-10.

High-voltage transformer equipped with protective shield, protective shield and method to manufacture such shield

Номер патента: RU2408105C2. Автор: Эрик ФОРСБЕРГ,Тони ПОЛАНДЕР,Ларс-Оке СВЕНССОН,Ларс-Эрик ВЕННЕРБЕРГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2010-12-27.

Contacting device for contacting high-voltage cable screen

Номер патента: RU2600320C2. Автор: Фолькер АУЭ. Владелец: Нексанс. Дата публикации: 2016-10-20.

Device to reduce risk of dielectric breakthrough in high-voltage devices, high-voltage wall through insulator, comprising such device, and method to manufacture such device

Номер патента: RU2503106C2. Автор: Торстен ШЮТТЕ,Эндрю МАКСВЕЛЛ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2013-12-27.

Test system for varying voltage test of high-voltage electric components

Номер патента: RU2497138C2. Автор: Петер ВЕРЛЕ,Маттиас ШТАЙГЕР,Юрген ВОЛЬФАРТ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2013-10-27.

Arrester for overvoltage protection for high voltages

Номер патента: RU2598027C2. Автор: Аксель ПРАЙДЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-09-20.

High-voltage oxide-zinc varistor ceramic

Номер патента: RU2712822C1. Автор: Юрий Алексеевич Савельев,Олег Григорьевич Громов,Елена Львовна Тихомирова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Кольский научный центр Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ РАН). Дата публикации: 2020-01-31.

Mechanism for manual disconnection of the drive of a high-voltage vacuum circuit breaker

Номер патента: RU2756294C1. Автор: Евгений Юрьевич Парамонов,Станислав Евгеньевич Парамонов. Владелец: Акционерное Общество "Электротехнические заводы "Энергомера". Дата публикации: 2021-09-29.

High-voltage module and mass spectrometer using the same

Номер патента: US20230343572A1. Автор: Isao Furuya,Takuma NISHIMOTO,Hiroshi Touda,Zihao ONG. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

High voltage power management module

Номер патента: EP4384409A1. Автор: Matthew Robert FAULKS. Владелец: Viritech Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

High voltage amplifier circuit and analyzer apparatus

Номер патента: EP4178109A1. Автор: Masahiro Arimitsu. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

High-voltage module and mass spectroscope using same

Номер патента: EP4287238A1. Автор: Isao Furuya,Takuma NISHIMOTO,Hiroshi Touda,Zihao ONG. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

High voltage transformer

Номер патента: WO2013015568A2. Автор: Sung Il Kim,Bum Ho Choo. Владелец: Listem Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

High-voltage winding and method for preparing high-voltage winding

Номер патента: EP4394818A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Shuchen Zhou,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Sensor with insulating element for high voltage separable connectors

Номер патента: EP3824299A1. Автор: Carl J. Wentzel,Jaylon D. Loyd,Christopher R. Wilson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-05-26.

High-voltage winding and method for preparing high-voltage winding

Номер патента: CA3241493A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Shuchen Zhou,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Laser gyro high voltage start module

Номер патента: WO1994005973A2. Автор: Dale F. Berndt,Joseph E. Killpatrick. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1994-03-17.

High voltage component assembly and power supply system for vehicle

Номер патента: US20180257510A1. Автор: Hiroki SUMIKAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

High-voltage automatic changeover switch

Номер патента: US20080078922A1. Автор: Wei Yin,Wei Jia,Feng Gao,Dan Zhang,Qinghui Zhang,Yaohong Liu,Yumei Chen,De Wei,Huaping Tang,Jinsheng Liu,Chong Gu,Jianjun Gao,Xinshui Yan,Xiaotian Liang. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Insertable high-voltage bushing and electrical device having an insertable high-voltage bushing

Номер патента: US20200258661A1. Автор: Engelbert Engels,Achim Langens,Tim Schnitzler,Friedemann KLEINFELD. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-08-13.

High voltage transformer

Номер патента: WO2013015568A3. Автор: Sung Il Kim,Bum Ho Choo. Владелец: Listem Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

Seamless electrical integration of solar panels to the low-voltage architecture of any ev

Номер патента: US20240262247A1. Автор: Soumya BANDYOPADHYAY. Владелец: Lightyear IPCO BV. Дата публикации: 2024-08-08.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505C. Автор: Achim Langens. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-17.

Use of multi types high voltage bushings for emergency power transformers

Номер патента: US20240170198A1. Автор: Wasseem Ali Alkhardawi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for cooling high voltage transformer for microwave oven

Номер патента: US20030197583A1. Автор: Bu-Sik Choi. Владелец: Puretec Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Method and device for cooling high voltage transformer for microwave oven

Номер патента: EP1357565A3. Автор: Bu-Sik Choi. Владелец: Puretec Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505A1. Автор: Achim Langens. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-12-30.

High voltage bobbin of fly-back transformer

Номер патента: US20050007231A1. Автор: Myung Kim,Chang Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

High voltage module, controller with a high voltage module, and a method of manufacturing a high voltage module

Номер патента: US20240261798A1. Автор: Per Holm Hansen,Anders Høxbro Larsen,Brian Rene Nielsen. Владелец: Exodraft As. Дата публикации: 2024-08-08.

High voltage module, controller with a high voltage module, and a method of manufacturing a high voltage module

Номер патента: EP4415008A1. Автор: Per Holm Hansen,Anders Høxbro Larsen,Brian Rene Nielsen. Владелец: Exodraft As. Дата публикации: 2024-08-14.

Protective device for a high-voltage cable, high-voltage cable, high-voltage on-board power supply and motor vehicle

Номер патента: US12112910B2. Автор: Thomas Kronenberger,Benedikt Nies. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Electrified vehicle high voltage contactor control

Номер патента: US12128774B2. Автор: Rui Wang,Wesley Edward Burkman,Ai KERAMIDAS,Patterson Kaduvinal Abraham. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Method in the manufacturing of an insulated electric high voltage DC termination or joint

Номер патента: US09991687B2. Автор: Carl-Olof Olsson,Markus Saltzer,Anders Lindgren. Владелец: ABB HV Cables Switzerland GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic device for controlling high-voltage with multiple low-voltage switches

Номер патента: US09953774B2. Автор: Tao Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

High-voltage intelligent switch alternating current capacitor

Номер патента: US09876359B2. Автор: Hai Wang. Владелец: Gyrk International Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

High-voltage cable plug

Номер патента: US09853389B2. Автор: Jan Henrik Wilhelm Kuhlefelt. Владелец: PFISTERER KONTAKTSYSTEME GMBH. Дата публикации: 2017-12-26.

High voltage tube tank for a portable x-ray

Номер патента: US09480135B2. Автор: Young Bae Kwon. Владелец: Innoden LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Drive of multifunctional high voltage switch unit

Номер патента: RU2749862C1. Автор: Геннадий Алексеевич Соловьев,Виктор Константинович Христич,Виктор Алексеевич Розов. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2021-06-17.

High-voltage cable

Номер патента: RU2602513C1. Автор: Алексей Васильевич Гусенков,Александр Михайлович Соколов,Михаил Александрович Соколов,Юрий Алексеевич Митькин,Тимофей Евгеньевич Шадриков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for monitoring serviceability of high-voltage capacitive ignition systems of gas turbine engines

Номер патента: RU2767662C1. Автор: Андрей Николаевич Мурысев,Александр Владимирович Краснов,Андрей Алексеевич Беляев,Азат Тагирович Кузбеков. Владелец: Акционерное общество "Уфимское научно-производственное предприятие "Молния". Дата публикации: 2022-03-18.

Switching circuit for medium- and high-voltage devices

Номер патента: RU2530541C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-10-10.

High-voltage transformer

Номер патента: RU2435242C2. Автор: Кристоф ЛУФ,Бернд АКЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-11-27.

Resistance to start for power high-voltage breaker

Номер патента: RU2464662C2. Автор: Вальтер ХОЛАУС,Маркус КЕЛЛЕР,Урс КРУЕСИ,Рене ФРЕЙДИНГЕР. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2012-10-20.

Method for sealing high voltage vacuum reeders

Номер патента: RU2766570C1. Автор: Владимир Васильевич Прадед,Олег Николаевич Крютченко,Аркадий Валентинович Орлов,Сергей Петрович Овчинников,Татьяна Евгеньевна Хаустова. Владелец: Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП"). Дата публикации: 2022-03-15.

Inspection window and earthing terminal for high-voltage system

Номер патента: RU2510542C2. Автор: Андреас КЛЯЙНШМИДТ,Марио ЙЕККЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for reduction of air supply from atmosphere to expansion vessel of high-voltage installations filled with insulating liquid and device for implementation of this method

Номер патента: RU2490744C2. Автор: Экхард БРЕЗЕЛЬ. Владелец: Гатрон Гмбх. Дата публикации: 2013-08-20.

High-voltage suspension insulator

Номер патента: RU2297056C1. Автор: Вадим Валерьевич Старцев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2007-04-10.

Cable fittings for connecting a high-voltage cable with a high-voltage component

Номер патента: RU2681643C1. Автор: Ян ЧИЗЕВСКИЙ,Виктория МАУРЕР,Радим ЛИЧИ,Тобйёрн СЁРКВИСТ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-03-12.

Indicator of high-voltage insulation condition

Номер патента: RU2392679C1. Автор: Вадим Валерьевич Старцев,Вячеслав Александрович Любимов,Эдуард Павлович Соловьев,Юрий Анатольевич Солодков. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2010-06-20.

Method for manufacture of composite high-voltage insulator, high-voltage insulator, as well as plastic for use in such insulator and method for manufacture of non-cylindrical structural member

Номер патента: RU2256252C2. Автор: Антон ВЕРМЕЛИНГЕР. Владелец: Вермелингер Аг. Дата публикации: 2005-07-10.

High-voltage contact unit of vacuum breaker and disconnect switch

Номер патента: RU2642838C2. Автор: Валерий Иванович Сафонов. Владелец: Валерий Иванович Сафонов. Дата публикации: 2018-01-29.

High-voltage bushing insulator

Номер патента: RU2378726C2. Автор: Йенс РОКС,Роджер ХЕДЛУНД,Винсент ТИЛЛИТТЕ,Герд ЧАЛИКИЯ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2010-01-10.

Cleaning and cooling system for high-voltage electrical machine commutator

Номер патента: RU2316861C2. Автор: Роберт Генри РЕДЕР,Йангксин ЛИ. Владелец: Дженерал Электрик Кэнада Инк.. Дата публикации: 2008-02-10.

High-voltage bushing with reinforced conductor

Номер патента: RU2563039C2. Автор: Йонас БИРГЕРССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-09-20.

High-voltage x-ray generator, apparatus and method for investigating oil well formation using said generator

Номер патента: RU2437126C2. Автор: Кристиан Столлер,Джоэл Л. ГРОУВЗ,Питер РЕЙТ,Артур Дж. БЕККЕР. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2011-12-20.

High-voltage transformer with diode-type divider

Номер патента: RU2216064C2. Автор: Вальтер ГОЗЕБЕРГ,Рольф ХАЙДРИХ,Ханс РЕННЕР. Владелец: Дойче Томсон-Брандт ГмбХ. Дата публикации: 2003-11-10.

Shield fittings for high-voltage insulation structures (embodiments)

Номер патента: RU2766554C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Ен Дар Ким,Максим Викторович Шеленберг. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Форэнерго-Инжиниринг" (Ооо"Форэнерго-Инжиниринг"). Дата публикации: 2022-03-15.

Electron emission apparatus comprising electron-emitting devices, image-forming apparatus and voltage application apparatus for applying voltage between electrodes

Номер патента: US20070241656A1. Автор: Toshitami Hara,Kazuya Miyazaki,Akihiki Yamano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Electrical receptacle with ground fault circuit interrupter and power conversion device for low-voltage interface

Номер патента: US20240222918A1. Автор: John E. Brower. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

High voltage power supply

Номер патента: WO2021003458A1. Автор: Gary Byfield,Arthur Flatt. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for determining a capacity of a battery cell, evaluation device, monitoring apparatus, high-voltage battery and motor vehicle

Номер патента: US10988047B2. Автор: Benno Schweiger,Armin Friegel,Philipp Riemann,Bernhard Kreppold. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2021-04-27.

A high voltage connector assembly having improved female and male housings with a female terminal position assurance (tpa) device, and an improved method for improving clearance and creepage in the high voltage connector assembly

Номер патента: EP4385101A1. Автор: David Demaratos. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

High-voltage cable connection structure

Номер патента: EP4234297A1. Автор: Manabu Sasaki,Akira Yamamoto,Takashi Hayashi,Keisuke Sawazaki,Shota Fuchigami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Vehicle With a High-Voltage Store, and High-Voltage Store

Номер патента: US20210331011A1. Автор: Daniel Hielscher,Norman Geissler,Maximilian Rampf. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2021-10-28.

Device for electrically connecting a fuel cell stack and a high-voltage battery

Номер патента: US20240234876A1. Автор: Oliver Harr,Philipp Hausmann,Benjamin Pieck,Florian Biesinger. Владелец: Cellcentric GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrical receptacle with ground fault circuit interrupter and power conversion device for low-voltage interface

Номер патента: WO2024145077A1. Автор: John E. Brower. Владелец: HUBBELL INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-04.

Intelligent method for diagnosing mechanical fault of high-voltage isolating switch based on transfer learning

Номер патента: NL2032669B1. Автор: Zhang Rui,WANG Bing,Zhang Yu,Yang Tao,Li Cheng,Zhang Yan,Yang Jin,Wang Jianwei,Wang Yongzhi,LI Huiming,Yang Yizheng,Wang Zhongwen,Li Shiwei,Hu Jianming,LIU YUNTAO,Jiang Shaohua,ZHU Qilong,Zhang Yungui,Qian Deyin,Xu Jiyong,Li Chunsong,Bao Youzhi,Yao Hongtao,He Yongjian,Liu Jiali,Liu Guirong,Zhang Yuanlong,Liu Mingjiang,Zhou Wenwu,Cai Yannan,Shi Jiarong,Deng Yakui. Владелец: Honghe Power Supply Bureau of Yunnan Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

High-voltage generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098244A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

High-voltage transformer and generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098245A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

High-voltage cable connection structure

Номер патента: CA3188165A1. Автор: Manabu Sasaki,Akira Yamamoto,Takashi Hayashi,Keisuke Sawazaki,Shota Fuchigami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-25.

High voltage generation circuit

Номер патента: US20170257036A1. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

High voltage generation circuit

Номер патента: US10097104B2. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Method for Determining a Capacity of a Battery Cell, Evaluation Device, Monitoring Apparatus, High-Voltage Battery and Motor Vehicle

Номер патента: US20210031653A1. Автор: Benno Schweiger,Armin Friegel,Philipp Riemann,Bernhard Kreppold. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2021-02-04.

Compact high-voltage power supply systems and methods

Номер патента: US20210189838A1. Автор: Matthieu Simon,Anthony Durkowski,Jani Reijonen,Marc-Andre de Looz,AUSTIN JONES,Justin Mlcak,Giovana Stefan. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High voltage standoff, current regulating, hollow electron beam switch tube

Номер патента: WO2000028569A1. Автор: Richard Brownell True. Владелец: Litton Systems, Inc.. Дата публикации: 2000-05-18.

High-voltage generator for providing a high-voltage pulse

Номер патента: US20200194210A1. Автор: Sven Mueller,Oliver Heuermann,Martin Koschmieder,Stefan Willing,Marvin Moeller. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

New high-voltage ceramic bus support capacitor for automobile inverter

Номер патента: EP4394830A1. Автор: YANG Hua,Chengyin Yuan,Jinliang Shen,Lianghui Yang,Chaohui Liu,Guidong XIU. Владелец: Beijing National New Energy Vehicle Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

High voltage wire harness for use in automobile

Номер патента: EP2776286A1. Автор: Eiichi Toyama,Shinichi INAO. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

High voltage wire harness for use in automobile

Номер патента: WO2013069709A1. Автор: Eiichi Toyama,Shinichi INAO. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

High-voltage tab contact means with touch protection means and high-voltage connector

Номер патента: US20240243517A1. Автор: Xavier Rouillard,Jingwen Yang,Gregor Panitz,Jochen Brandt,Dirk Duenkel,Imad Smirani,Alexis Mettavant,Joachim Uhrle,Pierre LEPRIVEY. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Multi-directional high-voltage battery input/output in high-voltage electronic box

Номер патента: US12051893B2. Автор: Mitul Patel. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

High-voltage cable connection structure

Номер патента: US20230271572A1. Автор: Manabu Sasaki,Akira Yamamoto,Takashi Hayashi,Keisuke Sawazaki,Shota Fuchigami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Quarter wave high voltage DC block covered with a polyurethane insulating layer

Номер патента: US5216395A. Автор: Thomas E. Koscica,Richard W. Babbitt,William C. Drach. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1993-06-01.

High voltage connector and method for providing a high voltage connection

Номер патента: EP4387008A1. Автор: Marine Venard,Vijendran PERUMALSAMY,Andre-Michael LUIS,Suresh NANDA-KUMAR. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-06-19.

Precision high voltage power supply with dual feedback loop

Номер патента: US11557974B2. Автор: David Deford. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2023-01-17.

Precision high voltage power supply with dual feedback loop

Номер патента: EP4165762A1. Автор: David Deford. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2023-04-19.

Response to High Voltage Electrolysis of Coolant in a Battery Pack

Номер патента: US20130071701A1. Автор: Michael Bell,Weston Arthur Hermann,Francisco LePort. Владелец: Tesla Motor Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Solid-state device for voltage decreasing for the electric circuit of direct and alternating current of medium and high voltage

Номер патента: US20110080684A1. Автор: Eduard Ulanovsky,Iurii Onufrienko,Alexander Ulanovsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid vehicle and high-voltage battery control method and apparatus therefor

Номер патента: US20240278689A1. Автор: Zhiming Li. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-08-22.

High-voltage transformers, devices for generating high voltages and medical devices

Номер патента: WO2024169969A1. Автор: Haibo Li,Guoping Zhu,Biao Luo. Владелец: SHANGHAI UNITED IMAGING HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-22.

A high voltage pulse generator and a method of operating a high voltage pulse generator

Номер патента: WO2023073114A1. Автор: Peter Coenen,Guido Heremans,Stijn JANSSEN,Nico VAN DE POL. Владелец: VITO NV. Дата публикации: 2023-05-04.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Mechanical inter-lock fail-safe for high voltage connection

Номер патента: US20240339889A1. Автор: Paul Lindemann,Zachary Gnabah,Jonathan Getz. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-10-10.

Redundant verifiable high voltage measurement port for traction inverter and high voltage distribution

Номер патента: US20240361363A1. Автор: Robert J. VOVOS,Arthur P. Lyons. Владелец: BAE Systems Controls Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Response to high voltage electrolysis of coolant in a battery pack

Номер патента: US09966590B2. Автор: Michael Bell,Weston Arthur Hermann,Francisco LePort. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

High-voltage bushing and high-voltage installation with the bushing

Номер патента: US09947442B2. Автор: Christian Paul,Engelbert Engels,Achim Langens. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage supply for compact radiation generator

Номер патента: US09947426B2. Автор: Christian Stoller,Peter Wraight,Luke T. Perkins. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Battery system with a battery, which is designed to supply a high-voltage network with electric energy, and a measuring device for measuring at least one insulation resistance of the battery

Номер патента: US09931957B2. Автор: Chrysanthos Tzivanopoulos,Thomas SCHAEDLICH. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-03.

High voltage electron beam system and method

Номер патента: US09911571B2. Автор: Yosef Basson. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

High-voltage direct-current thermal fuse

Номер патента: US09837236B2. Автор: Zhonghou Xu,Yaoxiang HONG,Yousheng Xu. Владелец: Xiamen Set Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

High-voltage insulator

Номер патента: US09837184B2. Автор: Achim Langens,Paul Juntermanns. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Connection structure between main transformer and high-voltage device box and railcar including same

Номер патента: US09831644B2. Автор: Hiroyuki Kawasaki,Hiroyuki Sakurai,Ryoji Negi. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage transformer arrangement for high voltage tank assembly

Номер патента: US09691543B2. Автор: Niranjan Kumar,Dennis Perrillat-Amede,Venugopal VADIVEL. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-06-27.

High-voltage pulse discharge capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09672988B2. Автор: Hai Wang. Владелец: Gyrk International Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Direct-connect high voltage connector and connection structure thereof

Номер патента: US09666994B2. Автор: Jun Ha HWANG. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High voltage fan motor powered by low voltage

Номер патента: US09707580B1. Автор: Dennis J. Mancl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

High-voltage voltage level converter

Номер патента: RU2702979C1. Автор: Владимир Владимирович Шубин. Владелец: Владимир Владимирович Шубин. Дата публикации: 2019-10-14.

Multi-path combined high-low voltage plasma drilling power source and drillling system

Номер патента: US11268326B2. Автор: Peng Liu,Hang DONG,Qiang Sun,Xiaopeng Li,Qingyun LI,Yonghong Liu,Renjie JI,Baoping CAI,Yancong HAN,Xinlei WU,Dege LI. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2022-03-08.

Precision, high voltage, low power differential input stage with static and dynamic gate protection

Номер патента: US09419571B2. Автор: Gregory L Schaffer,Maarten Jeroen Fonderie. Владелец: Xcelsem LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Device for protecting a low voltage LED direct driver

Номер патента: US09560716B2. Автор: Richard Landry Gray. Владелец: BEIJING EFFILED OPTO-ELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

High voltage converter for use as electric power supply

Номер патента: GB2619192A. Автор: ABDELLI Youcef,GANZARSKI Roei. Владелец: Magnix USA Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

High Voltage Comparator Using Sliding Input Low Voltage Devices

Номер патента: US20080001636A1. Автор: Sumer Can. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2008-01-03.

Floating high-voltage level translator with adaptive bypass circuit

Номер патента: US11855630B2. Автор: Tuli Luthuli DAKE,Satish Kumar Vemuri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Floating high-voltage level translator with adaptive bypass circuit

Номер патента: US20240080028A1. Автор: Tuli Luthuli DAKE,Satish Kumar Vemuri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Floating high-voltage level translator with adaptive bypass circuit

Номер патента: WO2023235175A1. Автор: Tuli Luthuli DAKE,Satish Kumar Vemuri. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Floating high-voltage level translator with adaptive bypass circuit

Номер патента: US20230387916A1. Автор: Tuli Luthuli DAKE,Satish Kumar Vemuri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Improvements in the Method of Feeding Low-voltage Lamps and other Low-voltage Electrical Devices in a High-voltage Net.

Номер патента: GB191110965A. Автор: Lucien Neu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-03-14.

Level shift circuit without high voltage stress of trasistors and operating at low voltages

Номер патента: TWI415388B. Автор: Wei Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-11.

High-voltage and low-voltage signaling output driver

Номер патента: WO2020150516A1. Автор: Chang Ki Kwon,Jacob Schneider,Mostafa Naguib Abdulla,Satish Krishnamoorthy,Ashwin Sethuram,Mohammed Mizanur Rahman,Young Uk Yim,Prince Mathew,Andrew Tohmc. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-07-23.

High-voltage and low-voltage data paths of a hybrid output driver

Номер патента: WO2020150509A1. Автор: Chang Ki Kwon,Jacob Schneider,Mostafa Naguib Abdulla,Satish Krishnamoorthy,Ashwin Sethuram,Young Uk Yim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-07-23.

High-voltage and low-voltage data paths of a hybrid output driver

Номер патента: US20200235737A1. Автор: Chang Ki Kwon,Jacob Schneider,Mostafa Naguib Abdulla,Satish Krishnamoorthy,Ashwin Sethuram,Young Uk Yim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

High-voltage and low-voltage data paths of a hybrid output driver

Номер патента: EP3912046A1. Автор: Chang Ki Kwon,Jacob Schneider,Mostafa Naguib Abdulla,Satish Krishnamoorthy,Ashwin Sethuram,Young Uk Yim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

High-voltage and low-voltage signaling output driver

Номер патента: EP3912047A1. Автор: Chang Ki Kwon,Jacob Schneider,Mostafa Naguib Abdulla,Satish Krishnamoorthy,Ashwin Sethuram,Mohammed Mizanur Rahman,Young Uk Yim,Prince Mathew,Andrew Tohmc. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Sensors with impedance elements on substrate for high voltage separable connectors

Номер патента: EP3811470A1. Автор: Carl J. Wentzel,Richard D. Twigg,Mark Gravermann,Jens Weichold,Jaylon D. Loyd,Christopher R. Wilson,Gunther A.J. STOLLWERCK,Harald Westkamp. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-04-28.

High voltage generation using low voltage devices

Номер патента: US09647536B2. Автор: Gooty Sukumar Reddy,Sridhar Yadala,Potnuru Venkata Pradeep Kumar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Programmable driver method and apparatus for high and low voltage operation

Номер патента: US20040061533A1. Автор: Guy Humphrey. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-04-01.

Electric vehicle charger with double-door box separating high and low voltage parts from each other

Номер патента: US20240170982A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: Hyundai Kefico Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

High voltage converter for use as electric power supply

Номер патента: GB2618932A. Автор: ABDELLI Youcef,GANZARSKI Roei. Владелец: Magnix USA Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Power detection system and circuit for high voltage supply and low voltage devices

Номер патента: US20100164591A1. Автор: Pankaj Kumar,Pramod Elamannu Parameswaran,Vani Deshpande,Anuroop Iyengar. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Electronic regulator for high-voltage discharge lamp

Номер патента: RU2339190C2. Автор: Луодинг Янг. Владелец: Лоу Фанглу. Дата публикации: 2008-11-20.

Vehicle Electrical System Having A High-Voltage Branch, A Low-Voltage Branch, And Low-Voltage-Side Insulation Fault Detection

Номер патента: US20230356596A1. Автор: Franz Pfeilschifter,Jürgen Kuffer. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-11-09.

High voltage monitoring successive approximation analog to digital converter

Номер патента: US09682237B2. Автор: Edward K. F. Lee. Владелец: ALFRED E MANN FOUNDATION FOR SCIENTIFIC RESEARCH. Дата публикации: 2017-06-20.

High voltage signal and low voltage signal sampling and transmission system based on high voltage MCU

Номер патента: US11959948B2. Автор: LIN Zhang,LEI Liu,Minsheng JIAO,Yanqi GUO. Владелец: Jee Automation Equipment (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

High-voltage input power supply line applicable to light-emitting load

Номер патента: US20240179816A1. Автор: Shaohong Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-30.

High-voltage pulse generator (versions)

Номер патента: RU2410835C1. Автор: Юрий Олегович Ладягин,Юрий Александрович Габлия,Олег Валерьевич СОРОКИН. Владелец: Олег Валерьевич СОРОКИН. Дата публикации: 2011-01-27.

Circuits for preventing breakdown of low-voltage device inputs during high voltage antifuse programming

Номер патента: US5095228A. Автор: Douglas C. Galbraith,Jonathan W. Greene. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 1992-03-10.

Electric vehicle with high voltage module having high and low voltage sections having a common ground

Номер патента: US20180198400A1. Автор: Qian Turner,Yuriy Taborisskiy. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2018-07-12.

Clamp to enable low voltage switching for high voltage terminal applications

Номер патента: US20100327777A1. Автор: Huijuan Li,Abidur Rahman,Chienyu Huang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Low-voltage modulator for circular induction accelerator

Номер патента: US5077530A. Автор: Felix K. Chen. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 1991-12-31.

Universal high/low voltage kit for junction wiring box

Номер патента: US4455449A. Автор: Robert D. Rendel. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1984-06-19.

Integrated converter with high voltage charger and low voltage charger

Номер патента: US20200336080A1. Автор: Young Jin Kim,Dae Woo Lee,Gyu Yeong Choe,Jin Young Yang,Jae Eun CHA,In Yong Yeo,Tae Jong Ha,Min Seong CHOI. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

High Voltage DC/DC Converter with Master/Slave Output Stage

Номер патента: US20150194889A1. Автор: Stefano Scaldaferri,Francesco Dalena,Enrico Pardi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

High and low voltage limited power amplification system

Номер патента: US10084417B2. Автор: Gregory A. Blum. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

High and low voltage limited power amplification system

Номер патента: US20170244368A1. Автор: Gregory A. Blum. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Plasma curtain generator in atmospheric pressure state using high voltage and magnetic force and low-vacuum incineration facility for low- and intermediate-level radioactive waste treatment using same

Номер патента: EP4432306A1. Автор: Hyejung Kim,InHan Kang,Hae Kang,Horim KANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-18.

High voltage DC/DC converter with master/slave output stage

Номер патента: US09559587B2. Автор: Stefano Scaldaferri,Francesco Dalena,Enrico Pardi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

High voltage level shifter for switching high voltage in non-volatile memory integrated circuits

Номер патента: CA2201853A1. Автор: Hieu Van Tran,Trevor Blyth. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-03-06.

Method and system for controlling continous high voltage ride-through and low voltage ride-through of permanent magnet direct-driven wind turbine

Номер патента: CA3161550A1. Автор: Xin Chen,Jie Zhou,Shaohua Zhang,Yuanyan HUANG,Chengzhi QIN. Владелец: Xinjiang Goldwind Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

High voltage converter for use as electric power supply

Номер патента: GB2595657A. Автор: ABDELLI Youcef,GANZARSKI Roei. Владелец: Magnix USA Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

High voltage switching regulator with n-channel high-side switches

Номер патента: US20230283182A1. Автор: Bai Nguyen. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Fast high-side power FET gate sense circuit for high voltage applications

Номер патента: US09923454B2. Автор: ZHENG Li,Wai Cheong Chan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Conversion system with high voltage side and low voltage side

Номер патента: US20200313554A1. Автор: XIN Wang,Yi Zhang,Jianping Ying,Teng Liu,Yun Cao,Guangcheng HU,Dehai LOU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Electrical installation having high and low voltage circuits with common ground reference

Номер патента: US20170210230A1. Автор: Jorrit Job Heusinkveld. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2017-07-27.

Systems and methods for integrated boost in high voltage and low voltage power conversion for battery charger

Номер патента: EP4358382A1. Автор: Julien Schmitt,Joseph Engel,Venkata Jaya Sai Praneeth Ammanamanchi. Владелец: BorgWarner Luxembourg Automotive Systems SA. Дата публикации: 2024-04-24.

Systems and methods for integrated boost in high voltage and low voltage power conversion for battery charger

Номер патента: US20240128849A1. Автор: Julien Schmitt,Joseph Engel,Venkata Jaya Sai Praneeth Ammanamanchi. Владелец: BorgWarner Luxembourg Automotive Systems SA. Дата публикации: 2024-04-18.

Effective current sensing for high voltage switching regulators

Номер патента: US8786266B2. Автор: Scott Dearborn,Terry Cleveland,Philippe Deval,Philippe Gimmel,Marius Budaes,Daniel Leonescu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-22.

EFuse for use in high voltage applications

Номер патента: US11870240B1. Автор: Venkatesh Prasad Hanglur Narasimha,James Michael Castelaz. Владелец: Motiv Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Plasma curtain generator in atmospheric pressure state using high voltage and magnetic force and low-vacuum incineration facility for low- and intermediate-level radioactive waste treatment using same

Номер патента: CA3238207A1. Автор: Hyejung Kim,InHan Kang,Hae Kang,Horim KANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-19.

High-voltage unity-gain buffer

Номер патента: US20180183436A1. Автор: Roderick McLachlan,Fergus Downey. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-06-28.

High voltage generator stator with radially inserted cable windings and assembly method

Номер патента: US20020047458A1. Автор: Manoj Shah,Gerald Kliman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-04-25.

Insulated accelerometer assembly for high voltage environment

Номер патента: US09939458B2. Автор: David John Wardell,Lawrence Edmund Jordan,Ronald Irving Longwell,Cesar Everardo Castillo,Timothy Joseph Laskey. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Modular DC distribution system for providing flexible power conversion scalability within a power backplane between an AC source and low voltage DC outputs

Номер патента: US6421259B1. Автор: Terry Brooks,Girish Chandra Johari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-16.

Method of blocking from reverse transformation and signaling of unauthorized supply of voltage to low-voltage busbars of transformer substation and from the side of outgoing lines

Номер патента: RU2714495C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Александр Александрович Панфилов,Максим Владимирович Бородин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-02-18.

Device for voltage multiplication with high efficiency, combination of the device with a battery-operated apparatus, and low-power loss generation of a programming voltage

Номер патента: US20020014908A1. Автор: Christl Lauterbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

High efficiency and low cost high voltage power converter

Номер патента: WO2010144528A2. Автор: James E. Dvorsky. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2010-12-16.

Defibrillator with a high voltage solid state relay

Номер патента: US5395394A. Автор: David B. Cameron. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1995-03-07.

Static electrostatic generator for high voltage low power applications

Номер патента: US20200313572A1. Автор: Mohammad Ali Abido,Muhammad Khalid,Hosam Salem ALHARBI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-10-01.

Data transfer, synchronising applications, and low latency networks

Номер патента: US09769274B2. Автор: Steven Leslie Pope,Derek Edward Roberts,Glenford Ezra Mapp,Stephen John Hodges. Владелец: AT&T Investments UK LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of high-voltage pulse system operation

Номер патента: RU2710432C1. Автор: Юрген КАЛЬКЕ,Райнхарт МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of producing high-voltage pulse voltage in inductive load

Номер патента: RU2701553C1. Автор: Юрий Игоревич Романов,Станислав Владимирович Малецкий. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Драйв". Дата публикации: 2019-09-30.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2600335C1. Автор: Даниил Дмитриевич Дайнека. Владелец: Даниил Дмитриевич Дайнека. Дата публикации: 2016-10-20.

Failure correction method in high-voltage direct current line, installation for current transmission through high-voltage direct current line and alternating current converter

Номер патента: RU2550138C2. Автор: Марк Дэвис,Херберт ГАМБАХ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-10.

High voltage pulses generator with the parameters remote control

Номер патента: RU2675091C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Матвеев,Сергей Владимирович Захаров,Олег Николаевич Точилин,Александр Николаевич Чечеткин,Руслан Юрьевич Голиков,Максим Николаевич Горюнов. Владелец: Федеральное государственное казенное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-12-14.

Method of reverse transformation locking by means of disconnection of switching devices in low-voltage power transmission lines coming from transformer substation and input switching device on low side of transformer substation and signaling and informing personnel of electric grid organization at unauthorized supply of voltage to outgoing from transformer substation power line of low voltage from consumers or to low-voltage buses of transformer substation

Номер патента: RU2710938C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Вадим Евгеньевич Большев,Александр Александрович Панфилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-01-14.

High-voltage switchgear and control gear

Номер патента: RU2550810C2. Автор: Борис Юрьевич Шолохович. Владелец: Борис Юрьевич Шолохович. Дата публикации: 2015-05-20.

Pulsed current generator for high-voltage electrohydraulic technologies

Номер патента: RU2666225C1. Автор: Виктор Сергеевич Ратушняк,Анатолий Васильевич Юрьев,Евгений Сергеевич Ильин,Александр Евгеньевич Гаранин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "научно-производственное предприятие "СибТрансНаука". Дата публикации: 2018-09-06.

Device for control of high-voltage frequency converter

Номер патента: RU2699374C1. Автор: Рифхат Рамазанович Храмшин,Геннадий Петрович Корнилов,Тимур Рифхатович Храмшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова". Дата публикации: 2019-09-05.

Electrophysical device for gas cleaning from environmentally hazardous impurities, air disinfection and sterilization by means of combination of frequency-pulse and high-voltage direct voltage

Номер патента: RU2733755C1. Автор: Алексей Семенович Смирнов,Александр Васильевич Плохов,Александр Залманович Понизовский,Олег Станиславович Кужель. Владелец: Олег Станиславович Кужель. Дата публикации: 2020-10-06.

Device for producing high-voltage pulse voltage

Номер патента: RU2703966C1. Автор: Юрий Игоревич Романов,Станислав Владимирович Малецкий. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Драйв". Дата публикации: 2019-10-22.

High voltage generator

Номер патента: RU2488016C2. Автор: Клеман НУВЕЛЬ,Паоло БАРРОСО. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2013-07-20.

High-voltage pulses generator with optical control

Номер патента: RU2665277C1. Автор: Александр Николаевич Зыков,Игорь Георгиевич Петик,Владислав Витальевич Хвостов,Константин Васильевич Юртов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-08-28.

Fast high-side power fet gate sense circuit for high voltage applications

Номер патента: US20160134184A1. Автор: ZHENG Li,Wai Cheong Chan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: EP4385435A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

High-voltage generator

Номер патента: US20080037292A1. Автор: Geu-Cheng Hu,Hsiang-Yuan Yu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Capacitive self-sensing for electrostatic transducers with high voltage isolation

Номер патента: WO2022050997A9. Автор: Christoph Matthias KEPLINGER,Nikolaus Correll,Nicholas Alexander KELLARIS,Khoi D. LY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2022-04-28.

Defect detection in high voltage power supply apparatus

Номер патента: WO2020055997A1. Автор: Jin-yun PARK,Jonghwa CHO,Kwang-Hoon CHEON. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-03-19.

Defect detection in high voltage power supply apparatus

Номер патента: US20210356498A1. Автор: Jinyun Park,Kwanghoon CHEON,Jonghwa CHO. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for adapting voltage of a motor vehicle high-voltage on-board network to switching and/or operating states of the vehicle

Номер патента: GB2626066A. Автор: Muller Eric,Schulte Mario. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2024-07-10.

High-Voltage Control Circuit

Номер патента: US20230387806A1. Автор: Satoshi Konishi,Kazuki Sato,Hiroshi Toda,Naoya Ishigaki. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Low voltage power supply system for an electric blanket or the like

Номер патента: WO2004034744A1. Автор: Sheldon P. Carr. Владелец: Site Electronics, Inc.. Дата публикации: 2004-04-22.

Technique of determining degradation of high-voltage battery for vehicle

Номер патента: US20130151183A1. Автор: Woo Sung Kim,Sang Mok Park,Ji Won Nam. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

High-voltage power source device and notification method

Номер патента: US20200064393A1. Автор: Yasushi Nobutaka,Kunihiko Endoh. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Reduction of voltage stress across a gate oxide and across a junction within a high voltage transistor of an erasable memory device

Номер патента: US6275424B1. Автор: Binh Quang Le,Pauling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

High voltage power supply

Номер патента: US8102685B2. Автор: Masamichi Iida,Osamu Nagasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-01-24.

High-voltage power supply apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20180196386A1. Автор: Yohei Shiraki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Image sensors with low-voltage transistors

Номер патента: US20190191116A1. Автор: Raminda Madurawe. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Apparatus and method for controlling low-voltage DC-to-DC converter of vehicle

Номер патента: US11271391B2. Автор: Hyun Wook Seong,Sung Uk Park,Dong Gyun Woo,Hui Sung Jang. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: US20240277398A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Charge-pump circuitry and a method for high voltage generation with improved psrr

Номер патента: US20210159786A1. Автор: Lasse Aaltonen. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

High voltage battery control system and high side voltage boost control circuit thereof

Номер патента: US20240348161A1. Автор: Pao-Cheng Chiu,Tai-You Lu,Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Dc-to-dc converter for a high voltage system that operates within a wide voltage range

Номер патента: WO2024160465A1. Автор: Patrick Herranz,Raja SAHA,Alain FANOUILLERE,Ousama OSMAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2024-08-08.

Charger of low voltage battery and method thereof

Номер патента: US09969298B2. Автор: Boung Ho Min,Sung Gone Yoon,Kyuil Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-05-15.

High speed and high voltage driver

Номер патента: US09793892B2. Автор: Gary Chunshien Wu. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus and method for providing multi-voltage output of low voltage DC-DC converter of eco-friendly vehicle

Номер патента: US09643509B2. Автор: Hyo-Jin BANG. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

High-voltage medical power supply device and controlling method thereof

Номер патента: US09642587B2. Автор: Jun Liu,Hongyuan Jin,Dezhi Jiao. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Low-voltage to high-voltage level shifter circuit

Номер патента: US09543931B2. Автор: Jie Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Voltage generating circuit and regulator circuit for precisely control predetermined high voltage

Номер патента: US09537398B2. Автор: Hideki Arakawa,Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Technique of determining degradation of high-voltage battery for vehicle

Номер патента: US09446677B2. Автор: Woo Sung Kim,Sang Mok Park,Ji Won Nam. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2585626C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-05-27.

High-voltage transistor switch

Номер патента: RU2764278C1. Автор: Михаил Сергеевич Петушков,Игорь Михайлович Голубятников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русконтроль" (ООО "Русконтроль"). Дата публикации: 2022-01-17.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2585625C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-05-27.

Ac high-voltage electric arc plasma torch cooling system and the ac high-voltage electric arc plasma torch with cooling system (embodiments)

Номер патента: RU2680318C1. Автор: Сергей Дмитриевич Попов,Валентин Анатольевич СПОДОБИН,Александр Филиппович РУТБЕРГ. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Трипл-Сп". Дата публикации: 2019-02-19.

High-voltage direct ac converter

Номер патента: RU2379817C1. Автор: Юго ТАДАНО. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2010-01-20.

High-voltage dc-to-dc converter

Номер патента: RU2642839C2. Автор: Фабьен ДЮБУА,Доминик БЕРГОНЬ. Владелец: Лабиналь Пауэр Системз. Дата публикации: 2018-01-29.

Electrostatic generator of high voltage

Номер патента: RU2584147C1. Автор: Евгений Анатольевич Обжиров. Владелец: Евгений Анатольевич Обжиров. Дата публикации: 2016-05-20.

Integrator of currents and voltages high-voltage ITN-V

Номер патента: RU184462U9. Автор: Александр Михайлович Андреев,Василий Александрович Долгов,Раис Ризаевич Сафин. Владелец: Раис Ризаевич Сафин. Дата публикации: 2018-12-05.

High-voltage three-phase overhead line

Номер патента: RU2698310C1. Автор: Дмитрий Олегович Иванов,Станислав Олегович Хомутов,Игорь Владимирович Белицын,Мария Тарасовна Пронь. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2019-08-26.

Outdoor high-voltage switchgear

Номер патента: RU2748848C1. Автор: Алексей Владимирович Селиванов,Игорь Степанович Горбатко,Александр Сергеевич Букарин. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Назаровское Горно-Монтажное Наладочное Управление" (ООО "Назаровское ГМНУ"). Дата публикации: 2021-06-01.

System incorporating warning device and wire as well as method for detecting manually installed temporary ground connectors on high-voltage conductors

Номер патента: RU2236737C2. Автор: Рогер ХАНСЕН. Владелец: Рогер ХАНСЕН. Дата публикации: 2004-09-20.

Transistor switches for high voltage applications

Номер патента: US3710147A. Автор: M Lee. Владелец: Plessey Handel und Investments AG. Дата публикации: 1973-01-09.

High voltage distribution module for electric vehicle

Номер патента: WO2024020090A1. Автор: Maciej PATER,Rajiv SAMANTA,Kostas DORATIS,Xavier JURDIEU. Владелец: Allison Transmission, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

High voltage distribution module for electric vehicle

Номер патента: US20240025362A1. Автор: Maciej PATER,Rajiv SAMANTA,Kostas DORATIS,Xavier JURDIEU. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Capacitive self-sensing for electrostatic transducers with high voltage isolation

Номер патента: WO2022050997A3. Автор: Christoph Matthias KEPLINGER,Nikolaus Correll,Nicholas Alexander KELLARIS,Khoi D. LY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2022-06-02.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: EP2457323A2. Автор: Marco Cassia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-05-30.

Device and method for detecting high voltage

Номер патента: US20060043905A1. Автор: Tai-Shan Liao. Владелец: Precision Instrument Development Center. Дата публикации: 2006-03-02.

Device and method for detecting high voltage

Номер патента: US7112930B2. Автор: Tai-Shan Liao. Владелец: Precision Instrument Development Center. Дата публикации: 2006-09-26.

Fail-safe protection architecture for high voltage tolerant input/output circuit

Номер патента: US20240072803A1. Автор: Prateek Singh,Kailash KUMAR,Akhil Thotli. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Low voltage input calibrating digital to analog converter

Номер патента: US20180358883A1. Автор: Sang Min Lee,Dongwon Seo,Honghao Ji,Behnam Sedighi,Nitz Saputra,Vinay KUNDUR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

High voltage power supply

Номер патента: US20050259449A1. Автор: Young-min Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

High voltage power supply for a helmet mounted display device

Номер патента: US5473527A. Автор: Andrew L. Gold. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-12-05.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: US20150303906A1. Автор: Reza Jalilizeinali,Wilson Jianbo Chen,Chiew-Guan Tan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: EP3132539A2. Автор: Reza Jalilizeinali,Wilson Jianbo Chen,Chiew-Guan Tan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: WO2015160452A2. Автор: Reza Jalilizeinali,Wilson Jianbo Chen,Chiew-Guan Tan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-22.

High voltage waveform generator with analog switching array

Номер патента: US20230370053A1. Автор: Shane Karl Mitchell. Владелец: Artimus Robotics Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

High voltage tolerant differential receiver

Номер патента: EP2668722A2. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

High voltage tolerant differential receiver

Номер патента: WO2012103475A2. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-02.

Plasma electrode configuration for a high-voltage non-thermal plasma system and a non-thermal plasma-based gas-treatment system comprising such plasma electrode configuration

Номер патента: WO2023146407A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Kleveland Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2023-08-03.

Method and charging device for charging a high-voltage battery of an electric vehicle

Номер патента: US20210101501A1. Автор: Axel Krause,Marc Hanselmann,Marc Neitz,Alexander Matthias,Hannes Hobi,Andreas Kruspan,Rudolf Meusburger. Владелец: PREH GMBH. Дата публикации: 2021-04-08.

High-voltage Generator for an X-ray Device

Номер патента: US20180063932A1. Автор: Michael Leibl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: WO2011011639A3. Автор: Marco Cassia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-31.

High-Voltage Direct Current Power Distribution and Fault Protection

Номер патента: US20150325998A1. Автор: Jeffrey A Jouper. Владелец: Astronics Advanced Electronic Systems Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

High voltage tolerant port driver

Номер патента: US20080164911A1. Автор: Emil Lambrache. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Low-Power Consumption High-Voltage Cmos Driving Circuit

Номер патента: US20070205820A1. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Longxing Shi,Weifeng Sun. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-09-06.

Universal cascade of heavy current and high voltage, type-2001

Номер патента: WO2002063931A1. Автор: Mitar Boroja. Владелец: Mitar Boroja. Дата публикации: 2002-08-15.

High voltage bootstrap sampling circuit

Номер патента: WO2018071479A1. Автор: Dan Meacham. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-04-19.

High-voltage supply for an X-ray device

Номер патента: US7110499B2. Автор: Walter Beyerlein,Werner Kuhnel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-09-19.

Apparatus for managing the energy supplied to a low-voltage system of a motor vehicle that comprises an energy-recovery stage, and corresponding method

Номер патента: US10170927B2. Автор: Andrea Nepote,Piero Antonio Conti,Giordano Greco. Владелец: Sistemi Sospensioni SpA. Дата публикации: 2019-01-01.

High voltage ripple reduction and substrate protection

Номер патента: WO2004062074A2. Автор: Feng Pan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2004-07-22.

Multi-output high-voltage power supply and distributed ray source with multi-output high-voltage power supply

Номер патента: US20200253033A1. Автор: Wei Jia,Yuanjing Li,Yaohong Liu,Huaping Tang,Jinsheng Liu,Jinsong PAN,Zhanfeng Qin,Xiying Liu. Владелец: NURAY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Linear high voltage driver with programmable differential and common mode gain

Номер патента: US20180131341A1. Автор: Pavan Nallamothu. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-10.

Pulsed high voltage igniter circuit

Номер патента: WO2008121885A1. Автор: Hamid Pishdadian. Владелец: Kaz, Incorporated. Дата публикации: 2008-10-09.

Electronic low-voltage neon transformer device

Номер патента: WO2001069614A1. Автор: Won-Young Lee. Владелец: Kim, Choong-Gil. Дата публикации: 2001-09-20.

Systems and methods for high voltage generation

Номер патента: US11330696B2. Автор: XU Chu,Guoping Zhu,Jinglin Wu,Tieshan ZHANG,Bobin TONG. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Vehicle electrical system with high-voltage zone and a plurality of low-voltage zones that extend therefrom and are connected via a safety device

Номер патента: US20240270186A1. Автор: Franz Pfeilschifter. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

CMOS Bootstrap Circuit For DC/DC Buck Converter Using Low Voltage CMOS Diode

Номер патента: US20130127371A1. Автор: Erez Sarig,Raz Reshef. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for providing a gas-insulated high voltage device with increased dielectric strength and gas-insulated high voltage device provided by said method

Номер патента: EP4412010A1. Автор: Michael GATZSCHE,Ulrich Straumann. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: WO2017172116A1. Автор: Chiew-Guan Tan,Wilson Chen,Sumit Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage detection circuit, bell signal detection circuit and non-ringing reception detection circuit

Номер патента: US5875245A. Автор: Tokio Miyasita,Tokuo Nakamura,Toshihiko Kotaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

High voltage high frequency power converter

Номер патента: WO2018031389A1. Автор: Boris S. Jacobson,Evgeny N. Holmansky,Lev VOLFSON. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-02-15.

Apparatus and method for applying high voltage with high frequency

Номер патента: US20090072798A1. Автор: Jaechan PARK,Kyungil Cho,Jeongje Park,WANTAEK Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Battery monitoring apparatus with monitoring integrated circuit selectively powered by a high voltage battery or low voltage power supply powered by a low voltage battery

Номер патента: US20180328994A1. Автор: Shunichi Mizobe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

High power low voltage electrified powertrain

Номер патента: WO2015157064A1. Автор: Marian Mirowski,Anand Sathyan,Adam TIMMONS. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2015-10-15.

Low-frequency and low-voltage load shedding method considering the active regulation characteristics of new energy sources

Номер патента: NL2035362A. Автор: HAN Wei,LIU Lei,LIU CHAO,Wang Yang,Ma Weidong,Dang Yiqi,Duan Wenyan. Владелец: State Grid Henan Electric Power Co. Дата публикации: 2024-06-03.

Capacitor charging method of a high voltage network from a low voltage power source

Номер патента: WO2024149625A1. Автор: Claude BOURGEAT. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2024-07-18.

High power low voltage electrified powertrain

Номер патента: EP3129255A1. Автор: Marian Mirowski,Anand Sathyan,Adam TIMMONS. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2017-02-15.

High-voltage alternating current (ac) chopper sampling circuit, regulation method, and regulation apparatus

Номер патента: WO2023138125A1. Автор: Rongfeng Huang,Zhiman CHEN,Yunchou Chen. Владелец: GUANGZHOU YAJIANG PHOTOELECTRIC EQUIPMENT CO., LTD.. Дата публикации: 2023-07-27.

Fail-safe protection architecture for high voltage tolerant input/output circuit

Номер патента: US12074597B2. Автор: Prateek Singh,Kailash KUMAR,Akhil Thotli. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Class d-h preamplifier and cascoded high-voltage amplifier

Номер патента: US20240364281A1. Автор: Donnie Herman. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Accurate non-isolated high voltage DC-DC feedback

Номер патента: US09998004B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Low voltage direct current (DC)-DC converter

Номер патента: US09954452B2. Автор: Moon Gyu CHOI. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Device and method for discharging an energy accumulator in a high-voltage grid

Номер патента: US09948093B2. Автор: Jochen Fassnacht,Thomas Peuser. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-17.

Circuit topology for driving high-voltage LED series connected strings

Номер патента: US09860946B2. Автор: James Locascio. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: US09735763B1. Автор: Chiew-Guan Tan,Wilson Chen,Sumit Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

High-voltage direct current converter including a 12-pulse diode recitifier connected in series with a voltage-source converter

Номер патента: US09692311B2. Автор: Jin Young Kim,Chan Ki Kim,Dong Choon Lee,Thanh Hai NGUYEN. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Medium or high voltage arrangement with cable connection terminal

Номер патента: US09689898B2. Автор: Radek Javora,Jaromir Podzemny. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods, implantable medical devices, and systems that abort a high voltage charge when a transformer is impaired

Номер патента: US09641012B2. Автор: Yanina GRINBERG,Troy Jenison,Lonny Cabelka. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-05-02.

High-voltage-tolerant pull-up resistor circuit

Номер патента: US09634662B2. Автор: Jie Chen,Kai Zhu,Zhiguang Guo,Wenjun Weng,Shanyue Mo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Safety device for a high-voltage system and method for safeguarding a high-voltage system

Номер патента: US09590416B2. Автор: Ulrich Gottwick,Juergen Binder,Hans-Georg Horst,Rodrigo Biurrun Sotelo. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Bi-directional DC-DC converter with current reference by comparing the voltage errors of the low and high voltage sides

Номер патента: US09575502B2. Автор: Kwang Hyun Lee,Min Sup SONG,Young Dong Son. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for operating high voltage switches

Номер патента: US09575124B2. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

High voltage driver

Номер патента: US09571085B2. Автор: José Luis Gonzalez Jimenez,Guillaume WALTENER. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.

High power low voltage electrified powertrain

Номер патента: US09484852B2. Автор: Marian Mirowski,Anand Sathyan,Adam TIMMONS. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor apparatus having transfer circuit transferring high voltage

Номер патента: US09467050B2. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO,Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Input/output circuit with high voltage tolerance and associated apparatus

Номер патента: US09450583B2. Автор: Chih-Tien Chang,Yao-Zhong Zhang,Ju-Ming Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-09-20.

Precharging a motor vehicle high-voltage network

Номер патента: US09440551B2. Автор: Marco THÖMMES. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Assembly for compensating reactive power and active power in a high-voltage network

Номер патента: RU2649888C2. Автор: Мартин ПИШЕЛЬ,Ханс-Йоахим КНАК,Маркос ПЕРЕЙРА. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Star-like multi-phase frequency-controlled drive system with conversion of high voltage into low voltage

Номер патента: RU2687479C1. Автор: Цзяньцяо ВАН,Сюаньдун У,Чэньлун ЛЯНЬ,Вэйцань ЯНЬ. Владелец: Волун Электрик Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-14.

High-voltage organic luminescent device

Номер патента: RU2631015C1. Автор: Артём Юрьевич Олисовец,Василий Иванович Туев,Кирилл Нильевич Афонин,Анна Викторовна Куненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2017-09-15.

Direct-current high-voltage source and particle accelerator

Номер патента: RU2551364C2. Автор: Оливер ХАЙД,Тимоти ХЬЮЗ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-20.

Three-phase high-voltage frequency converter

Номер патента: RU2699012C1. Автор: Илья Николаевич Джус. Владелец: Илья Николаевич Джус. Дата публикации: 2019-09-03.

Control scheme of high-voltage h-bridge for the lens drive of electronic ophthalmic lenses

Номер патента: RU2669488C2. Автор: Адам ТОНЕР,Дональд УИТНИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for prediction of change in insulation state of high-voltage electric motors

Номер патента: RU2705858C1. Автор: Андрей Владимирович Селиханович,Леонид Михайлович Поспеев,Иван Сергеевич Афонин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТК Бизнес.Оптима". Дата публикации: 2019-11-12.

Device for controlling high-voltage transistor, specifically mos transistor of high-voltage generator for controlling internal combustion engine ignition

Номер патента: RU2377720C2. Автор: Андре АНЬЕРАЙ,Клеман НУВЕЛЬ. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2009-12-27.

Device and method of generation and transmission of high-voltage multifrequence oscillations

Номер патента: RU2674308C2. Автор: Михаил Викторович Моисеев,Андрей Сергеевич Руцкой. Владелец: Андрей Сергеевич Руцкой. Дата публикации: 2018-12-06.

High-voltage, high-speed gan driver circuit

Номер патента: WO2019118098A1. Автор: Timothy R. LaRocca,Paul L. Rodgers. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2019-06-20.

High-voltage, high-speed gan driver circuit

Номер патента: EP3724993A1. Автор: Timothy R. LaRocca,Paul L. Rodgers. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High voltage analog switch

Номер патента: US20160134199A1. Автор: Jimes Lei,Kee Chee Tiew. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Charge pump circuit using low voltage transistors

Номер патента: US20120250421A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Ucciardello,Santi Nunzio Antonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-10-04.

High-voltage level shift circuit and drive apparatus

Номер патента: US20180316352A1. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

High voltage generation apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20180067416A1. Автор: Hirohisa Nakajima,Satoshi Ogawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

High voltage fail-safe io design using thin oxide devices

Номер патента: US20160043719A1. Автор: Darrin Robert BENZER. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Device and method for generating a high voltage

Номер патента: EP1193850B1. Автор: Jan Doutreloigne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2010-11-10.

High voltage protection system for adjusting duty cycle by using pulse width modulation signal

Номер патента: US10338652B2. Автор: Jia-jun LIU,Chih-Shih Yang,Wan-Yang Chen. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-02.

High Voltage Protection System for Adjusting Duty Cycle by Using Pulse Width Modulation Signal

Номер патента: US20160315466A1. Автор: Jia-jun LIU,Chih-Shih Yang,Wan-Yang Chen. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

High-voltage detecting circuit for saving power in standby mode

Номер патента: US7482799B2. Автор: Shih-Hsien Chang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Microwave oven in which rush current to high voltage transformer is suppressed

Номер патента: US20020023921A1. Автор: Masakazu Sano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

High voltage direct current (hvdc) converter system and method of operating the same

Номер патента: WO2014084946A1. Автор: Ranjan Kumar Gupta,Nilanjan Ray Chaudhuri. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-06-05.

High voltage tolerant receiver

Номер патента: EP2668720A1. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

High-Voltage Pulse Generator and High-Pressure Discharge Lamp having a High-Voltage Pulse Generator

Номер патента: US20110148300A1. Автор: Steffen Walter,Andreas Kloss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

System and method for improved mechanical and electrical connection of high voltage wiring harness

Номер патента: US20230352921A1. Автор: Andrew Frame,Peter Farrell,Billy T. Stojanovski. Владелец: Electrical Components International Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Voltage source converter based high voltage direct current (VSC-HVDC) high-frequency resonance suppression method, system, and device

Номер патента: US12051902B2. Автор: Yan Li,Guiyuan Li,Weihuang HUANG,Shukai XU,Hong Rao. Владелец: CSG Electric Power Research Institute. Дата публикации: 2024-07-30.

Synchronization circuit for a resonant flyback high voltage supply

Номер патента: WO1990006619A1. Автор: Paul F. L. Weindorf,Charles H. Hamp, Iii. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1990-06-14.

Device and method for discharging an energy accumulator in a high-voltage grid

Номер патента: US20130320755A1. Автор: Jochen Fassnacht,Thomas Peuser. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-12-05.

Apparatus and method for controlling charging a high voltage power grid structure of a vehicle

Номер патента: US11208002B2. Автор: Jeong-Ha Noh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage input receiver using low voltage transistors

Номер патента: US20100026342A1. Автор: Pankaj Kumar,Pramod Elamannu Parameswaran. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Ultra-low voltage level shifter

Номер патента: US20200153418A1. Автор: John A. Fifield,Eric D. Hunt-Schroeder. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Installation for transmission of electric power by means of high-voltage direct current

Номер патента: WO1996024978A1. Автор: Tomas Jonsson,Lars-Erik Juhlin,Per-Erik BJÖRKLUND. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1996-08-15.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

High efficiency high voltage pulse generator

Номер патента: US20220190810A1. Автор: Gary Hanington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for charging a high-voltage battery of an electric drive of a vehicle, and power transmission system for a vehicle

Номер патента: US20220355685A1. Автор: Kai Kuhr,Paul Birgel,Marco Bröcker. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2022-11-10.

High voltage bubble memory pulse generator output stage

Номер патента: US4476429A. Автор: Robert B. Davies,Ira Miller,Robert N. Dotson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-10-09.

Remote monitoring system for oil and gas in high-voltage bushing

Номер патента: LU506792B1. Автор: Hao Wen,Li Xiao,HUI Wang,Lifeng Cheng,Jing Zhang,Yi Jiang,Mengna Liu,Ziqiu Luo,Zhengqin Zhou,Qinqing Huang. Владелец: Wuhan Nari Ltd Liability Co Of State Grid Electric Power Res Inst. Дата публикации: 2024-08-05.

Formation of high voltage transistor with high breakdown voltage

Номер патента: US7897448B1. Автор: Sunil Mehta. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

X-Ray diagnostic generator comprising switching means for switching-on and -off the high voltage transformer

Номер патента: US4317999A. Автор: Heribert Amtmann,Klaus Baeker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-03-02.

High voltage direct current (hvdc) converter system and method of operating the same

Номер патента: EP2926450A1. Автор: Ranjan Kumar Gupta,Nilanjan Ray Chaudhuri. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-10-07.

High Voltage Step Down Regulator with Breakdown Protection

Номер патента: US20160049206A1. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Trung Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-02-18.

Modem having a digital high voltage isolation barrier

Номер патента: WO2000030333A9. Автор: Raphael Rahamim,Thomas Grey Beutler. Владелец: Conexant Systems Inc. Дата публикации: 2000-11-02.

High-voltage generator

Номер патента: SG78290G. Автор: . Владелец: Telefunken Fernseh & Rundfunk. Дата публикации: 1990-11-23.

Isolated low-voltage power supply source

Номер патента: US20040141344A1. Автор: Benoit Peron,Frederic Gautier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-22.

Grid-connected converter and high voltage ride through control method for grid-connected converter

Номер патента: EP4383538A1. Автор: Jinhu CAO,Fanyu HU. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

High-voltage shifter with degradation compensation

Номер патента: US11355206B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043A1. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043B2. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

High-low voltage continuous ride-through control method and system for permanent magnet direct-drive wind power generating set

Номер патента: AU2020401898B2. Автор: Xin Chen,Jie Zhou,Shaohua Zhang,Yuanyan HUANG. Владелец: GOLDWIND SCIENCE & TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-21.

A driver circuit for low voltage operation of a successive approximation register (sar) analog to digital (a/d) converter and method therefor

Номер патента: WO1999037027A1. Автор: David Susak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1999-07-22.

High voltage high frequency power converter

Номер патента: US20190207529A1. Автор: Boris S. Jacobson,Evgeny N. Holmansky,Lev VOLFSON. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-07-04.

High voltage high frequency power converter

Номер патента: EP3498062A1. Автор: Boris S. Jacobson,Evgeny N. Holmansky,Lev VOLFSON. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-06-19.

Low voltage DC-DC converter for vehicle and method of controlling the same

Номер патента: US10404179B1. Автор: Dae Woo Lee,Woo Young Lee,Jin Myeong Yang,Jae Eun CHA,In Yong Yeo,Tae Jong Ha,Min Seong CHOI. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

High voltage full bridge circuit and method for operating the same

Номер патента: WO2006138477A8. Автор: Ian Paull. Владелец: Ian Paull. Дата публикации: 2008-03-20.

Stabilizer circuit for high-voltage discharge lamp

Номер патента: US20060138970A1. Автор: Byung-Sun Kim,Kyung-Soo Seok. Владелец: MediaTechnology Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Modem having a digital high voltage isolation barrier

Номер патента: EP1131948B1. Автор: Raphael Rahamim,Thomas Grey Beutler. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-05.

Apparatus and test method for simulating spark discharge of high-voltage electrostatic precipitator

Номер патента: US20220134356A1. Автор: Rui Zhang,Xiaoxing Zhang,Yinghao GUO,Shuo Jin,Wenhao Han,Qianjun Deng,Tiezhou WU,Lan Xiong. Владелец: Xiangyang Jiuding Haotian Ep Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus and method for protecting overvoltage of high voltage inverter

Номер патента: US8355225B2. Автор: Hyo Jin Kim. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Apparatus and method for protecting overvoltage of high voltage inverter

Номер патента: US20110157751A1. Автор: Hyo Jin Kim. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Circuit configuration for discharging a capacitor which has been charged to a high voltage to a low voltage under the control of a control unit

Номер патента: US20030052541A1. Автор: Martin Bloch,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Torque-equalizing fault response for loss of low voltage dc electrical power in electric vehicle

Номер патента: US20230029680A1. Автор: Steven E. Schulz,David Tang,Silva Hiti,Richard M. Breese. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Torque-equalizing fault response for loss of low voltage dc electrical power in electric vehicle

Номер патента: US20230271503A1. Автор: Steven E. Schulz,David Tang,Silva Hiti,Richard M. Breese. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Process for the fabrication of an integrated circuit comprising MOS transistors for low voltage, EPROM cells and MOS transistors for high voltage

Номер патента: US20010018250A1. Автор: Nicola Zatelli,Barbara Crivelli,Elisabetta Palumbo,Daniela Peschiaroli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-30.

Ultra-Low Power Readout Circuit With High-Voltage Bias Generation For MEMS Accelerometer

Номер патента: US20230146711A1. Автор: Dennis Sylvester,David Blaauw,Yimai PENG,David Kyojin CHOO. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage high power modular power supply

Номер патента: US20230146140A1. Автор: Leonardo Roque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

Optimal control strategy for a distributed low voltage system with bidirectional direct current converters

Номер патента: US20240270120A1. Автор: Jun-Mo Kang,Rashmi Prasad,Muhammad Hussain Alvi,Mohamed Ahmed Kamel Ahmed. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

High-voltage power supply

Номер патента: GB2628298A. Автор: Li Wen,Ishigaki Naoya,Kadoi Ryo. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

High voltage switch for ignition systems of internal combustion engines

Номер патента: US5537984A. Автор: Werner Herden,Manfred Vogel,Johann Konrad. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1996-07-23.

High voltage ride through device and method, wind power converter, and wind turbine set

Номер патента: US20240322566A1. Автор: Liquan Chen,Liangnian LV. Владелец: Goldwind Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Capacitive Functionality Test For Varistors Of A High-Voltage Protective Device For An On-Board Vehicle Electrical System

Номер патента: US20240332956A1. Автор: Martin Götzenberger,Franz Pfeilschifter. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage noise cancellation

Номер патента: US20240313725A1. Автор: Shem Yehoyda Prazot Ofenburg,Noam Dori. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

A high voltage direct-current, hvdc, converter arrangement and a method for controlling the hvdc arrangement

Номер патента: EP4439909A1. Автор: Ying-Jiang Hafner,Malaya SAHU,Adil ABDALRAHMAN,Khirod Kumar- Nayak,Ashkan Nami. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for charging a high-voltage battery of an electric drive of a vehicle, and power transmission system for a vehicle

Номер патента: US11945321B2. Автор: Kai Kuhr,Paul Birgel,Marco Bröcker. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-04-02.

A high voltage direct‐current, hvdc, converter arrangement and a method for controlling the hvdc arrangement

Номер патента: WO2024200402A1. Автор: Ying-Jiang Hafner,Malaya SAHU,Adil ABDALRAHMAN,Khirod KUMAR-NAYAK,Ashkan Nami. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Wind farm, high voltage ride through control method therefor, system, MMC and machine-side inverter

Номер патента: US12100955B2. Автор: Ang Li,Mingjie Tang,Qita FENG. Владелец: Xinjiang Goldwind Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985453B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985452B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Circuit arrangement for reducing the maximum electrical field strength, high voltage generation unit with such a circuit arrangement and x-ray generator with such a high voltage generation unit

Номер патента: US09967970B2. Автор: Walter Beyerlein,Richard Eichhorn,Christian Hoffmann,Norbert Hoffmann,Rashid Karimi. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Two rack unit chassis and low profile tool-less hard drive carrier

Номер патента: US09958912B2. Автор: CHUN Chang,Chih-Wei Lin,Chao-Jung Chen,Yaw-Tzorng Tsorng,Chia-Wei Huang,Chih-Hsiang Lee. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method and apparatus for controlling charging of low voltage battery

Номер патента: US09929579B2. Автор: Ji Tae Kim,Kyu Il Lee,Boung Ho Min. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-03-27.

High voltage current switch circuit

Номер патента: US09900003B2. Автор: Maurizio Ferrarin,Luca LOMBARDINI,Rune Asbjoern Thorsen. Владелец: Fondazione Don Carlo Gnocchi Onlus. Дата публикации: 2018-02-20.

Ultra high voltage regulator

Номер патента: US09876439B2. Автор: Ching-Yueh Hsu. Владелец: Diwin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage direct current (HVDC) transmission system to compensate for voltage values output from a plurality of potential transformers

Номер патента: US09853558B2. Автор: Yong Kil CHOI. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Network distributed high voltage direct current power supply management method

Номер патента: US09819225B2. Автор: ZHI Li,Ning Li,Zhiqiang Wang,Stone Tseng. Владелец: GCCALLIANCE Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

System for regulating the output of a high-voltage, high-power, DC supply

Номер патента: US09780688B2. Автор: Marcel Pierre Joseph Gaudreau,Ian Saul Roth,Michael Alan Kempkes,Neal R Butler. Владелец: Diversified Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Ultra-low power and ultra-low voltage bandgap voltage regulator device and method thereof

Номер патента: US09780652B1. Автор: Ali Tasdighi Far. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and device for discharging a high-voltage system

Номер патента: US09768606B2. Автор: Martin Trunk,Jochen Kuehner,Dragan Mikulec,Arnold Winter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-19.

Battery-powered high-voltage converter circuit with electrical isolation and mechanism for charging the battery

Номер патента: US09739479B2. Автор: Christopher A. Wiklof,Igor A. Krichtafovitch,Joseph Colannino. Владелец: Clearsign Combustion Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

High-voltage, alternating current power supply

Номер патента: US09648770B1. Автор: Kenneth Martin MacKillop. Владелец: Static Clean International Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Composite direct connector for high voltage line

Номер патента: US09647440B2. Автор: Jeunghun YU. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

High voltage converter without auxiliary winding

Номер патента: US09635719B2. Автор: Xiaoyan Wang,Horst Knoedgen,Chuanyang Wang. Владелец: Dialog Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of constructing a distribution line using an extra-high voltage neutral line

Номер патента: US09634470B2. Автор: Sae Won Kwon. Владелец: Daewon Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US12087359B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

A tester developed to detect faults in medium voltage and low voltage cables

Номер патента: WO2024144716A1. Автор: Emre Turan,Sinan KIVRAK,Muhammet YİĞİTER. Владелец: Gayda Enerji̇ Mühendi̇sli̇k Bi̇li̇şi̇m Sanayi̇ Ti̇caret Li̇mi̇ted Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2024-07-04.

High voltage arm assembly with integrated resistor, automatic high voltage deflection electrode locator, and special insulation

Номер патента: WO2005123393A1. Автор: Michael J. Rybicki,Dilip Shrivastava. Владелец: VIDEOJET TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2005-12-29.

High voltage arm assembly with integrated resistor, automatic high voltage deflection electrode locator, and special insulation

Номер патента: WO2005123393A8. Автор: Dilip Shrivastava,Michael J Rybicki. Владелец: Michael J Rybicki. Дата публикации: 2006-05-18.

High voltage arm assembly with integrated resistor, automatic high voltage deflection electrode locator, and special insulation

Номер патента: EP1761388A1. Автор: Michael J. Rybicki,Dilip Shrivastava. Владелец: Videojet Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

High and low voltage separating driver brackets for lighting systems and methods for installation

Номер патента: US09903575B2. Автор: Jeff Shaner,Aaron Feldman,Seun Ilenbiluan,Mike Ken Juda. Владелец: ABL IP HOLDING LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

High-voltage output apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20130343776A1. Автор: Shiro Sakata,Yusuke Saito,Mitsunari Ito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

High voltage sensor located within line insulator

Номер патента: US09442138B2. Автор: Joseph R. Rostron. Владелец: Southern States Llc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: WO2023244583A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US20230402093A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Isoflavon composition for reduction of body fat buildup with male mammals, its application and fat buildup reduction method

Номер патента: RU2420091C2. Автор: Юанлонг ПАН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2011-06-10.

Portable fault location and inspection device for high voltage equipment based on acoustic wave method

Номер патента: AU2021103450A4. Автор: Yi Jiang,Jinbo Zhang,Jiajia SONG. Владелец: CHANGZHOU CAMPUS OF HOHAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-12.

High voltage isolation measurement system

Номер патента: US09921252B2. Автор: Cathal Oscolai,PETER PARIS,Larry Deal. Владелец: Seeo Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semi-conductive shielding material for high-voltage cable, and preparation method therefor

Номер патента: EP4253471A1. Автор: Xiao Chen,Yifan ZHANG,SHU Xu,Xiaolin Li,Bin Feng,Hong Xie,Shuai Hou,Wenbo ZHU,Mingli FU,Baojun HUI,Guoxing WU. Владелец: Shenzhen Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Electrical installation having high and low voltage circuits with common ground reference

Номер патента: EP3174753A2. Автор: Jorrit Job Heusinkveld. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2017-06-07.

Electrical installation having high and low voltage circuits with common ground reference

Номер патента: WO2016018147A2. Автор: Jorrit Job Heusinkveld. Владелец: e-Traction Europe B.V.. Дата публикации: 2016-02-04.

Electrical monitoring device, in particular for a high-voltage application in a motor vehicle

Номер патента: EP4290259A1. Автор: Francisco Gonzalez Espin,Carlos SEVILLA. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2023-12-13.

High-voltage output apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US8718505B2. Автор: Shiro Sakata,Yusuke Saito,Mitsunari Ito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

High-voltage output apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20110217064A1. Автор: Shiro Sakata,Yusuke Saito,Mitsunari Ito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Lauric acid-free and transisomer structure fatty acids-free fatty composition that needs no tempering (non-ltt), method for its obtaining and application, and fatty composition that contains it

Номер патента: RU2303363C2. Автор: Могенс БАХ,Бь рне ЙУУЛ,Бьярне ЙУУЛ. Владелец: Аархускарлсхамн Денмарк А/С. Дата публикации: 2007-07-27.

High Voltage Sensor Located Within Line Insulator

Номер патента: US20160041203A1. Автор: Joseph R. Rostron. Владелец: Southern States Llc. Дата публикации: 2016-02-11.

High voltage power supply apparatus and image forming apparatus using the same

Номер патента: US20070248375A1. Автор: Yoshio Nakazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Insulated, shielded partial discharge sensor device of the high-frequency current transformer (hfct) type, with high gain and low distortion, and with self-check system for high-voltage equipment and installations

Номер патента: EP4303597A1. Автор: Fernando Garnacho Vecino,Abderrahim KHAMLICHI EL KHAMLICHI. Владелец: Viesgo Distribucion Electrica SL. Дата публикации: 2024-01-10.

Isolated and shielded partial discharge sensor device of high-frequency current transformer type, hfct, high gain and low distortion with self-heating system for high voltage equipment and installations

Номер патента: US20240168078A1. Автор: Fernando Garnacho Vecino,Abderrahim KHAMLICHI EL KHAMLICHI. Владелец: Viesgo Distribucion Electrica SL. Дата публикации: 2024-05-23.

High voltage measuring device

Номер патента: RU2673430C1. Автор: Сергей Григорьевич Попов,Лилия Владимировна Белова. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Всероссийский научно-исследовательский институт радиоаппаратуры" (АО "ВНИИРА"). Дата публикации: 2018-11-26.

Device for monitoring and diagnostics of high-voltage linear polymer insulators

Номер патента: RU2720638C1. Автор: Алексей Михайлович Романов,Николай Иванович Безбородов,Константин Владимирович Карасюк,Михаил Константинович Романов. Владелец: Буравлев Денис Сергеевич. Дата публикации: 2020-05-12.

Checked high voltage indicator

Номер патента: RU2695519C2. Автор: Владимир Ильич Крючков. Владелец: Владимир Ильич Крючков. Дата публикации: 2019-07-23.

Multimode high-voltage power supply system for multi-section train and train

Номер патента: RU2679314C1. Автор: Мэн СЮЙ,Чжэнвэй ЛЮ,Далэй ХА. Владелец: СиАрАрСи ЧАНЧУНЬ РЭЙЛВЭЙ ВИИКЛЗ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-02-07.

High voltage power supply without output voltage adjustment, method of adjusting output voltage of the high voltage power supply in image forming apparatus, and image forming apparatus using the method

Номер патента: US20140178082A1. Автор: Yun-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-26.

High voltage input low dropout regulator circuit

Номер патента: WO2023183035A1. Автор: Alexandru CRAESCU. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Low noise bipolar high voltage regulator

Номер патента: WO2021059169A1. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-04-01.

High-voltage power supply device and image forming apparatus

Номер патента: US20070139974A1. Автор: Yukihiro Aikawa,Yoshihiro Tohnai. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Bounded bias circuit with efficient vt-tracking for high voltage supply/low voltage device

Номер патента: US20140103991A1. Автор: Pankaj Kumar,Anuroop Iyengar. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

High-powered high-voltage test device

Номер патента: US20160069944A1. Автор: Stefan Baldauf,Rudolf Blank. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2016-03-10.

High-powered high-voltage test device with integrated active air cooling

Номер патента: US10191100B2. Автор: Stefan Baldauf,Rudolf Blank. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2019-01-29.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

High voltage input low dropout regulator circuit

Номер патента: US20230305585A1. Автор: Alexandru CRAESCU. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Customer replaceable unit with high voltage power supply

Номер патента: US20100098455A1. Автор: Jerome E. May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Low noise bipolar high voltage regulator

Номер патента: US12072725B2. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Anomaly detection in high-voltage bus systems

Номер патента: US20230302908A1. Автор: Martin T. Books,Weiwen Wang. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

High-voltage distribution box having open circuit trigger, collision initiation system, and electric vehicle

Номер патента: EP4431331A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

High-voltage input under-voltage fault detection method and apparatus for electric vehicle, and storage medium

Номер патента: EP4450316A1. Автор: CHEN Yi,Lin Qiu,Hai Jiang,Ronghua Li,Hongda XU. Владелец: Guangzhou Automobile Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for checking a connection between a low-voltage supply system and a battery, and motor vehicle

Номер патента: US09933472B2. Автор: Karsten Barth,Thomas Hackner,Rolf Naumann. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Regulator circuit and operational amplifier for generating high voltage side reference potential

Номер патента: US20240345608A1. Автор: Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

Insulation method of high-voltage input

Номер патента: RU2730391C1. Автор: Ильяр Бикмухаметович Уразалиев,Виталий Федотович Буткевич. Владелец: Акционерное общество "РОССЕТИ ТЮМЕНЬ" (АО "РОССЕТИ ТЮМЕНЬ"). Дата публикации: 2020-08-21.

Dark flat element with low thermal conductivity, low density and low solar radiation absorption

Номер патента: RU2404219C2. Автор: Герд ХУГО. Владелец: Констракшн Рисёрч Энд Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of thermal treatment of items made out of low-carbon and medium-carbon unalloyed and low-alloyed steel

Номер патента: RU2231563C1. Автор: В.И. Червинский,Н.В. Зимин,О.С. Мартынов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт токов высокой частоты им. В.П. Вологдина". Дата публикации: 2004-06-27.

Construction for separation of high-and low-pressure turbo expanders in gas turbine

Номер патента: RU2299993C2. Автор: МЕО Роджер ДЕ. Владелец: Нуово Пиньоне Холдинг С.П.А.. Дата публикации: 2007-05-27.

Method for coordination of long four-wire non-homogeneous asymmetrical high-voltage power transmission line with superconducting insertion with electrical load

Номер патента: RU2557797C2. Автор: Виктор Александрович Козлов,Георгий Анатольевич Большанин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2015-07-27.

High-voltage sensor with axially overlapping electrodes and local field sensors

Номер патента: AU2011264004B2. Автор: Göran ERIKSSON,Klaus Bohnert,Sergio Vincenzo Marchese,Stephan Wildermuth. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2014-02-13.

Modular, integrated powerline monitor for non-high voltage applications

Номер патента: WO2002008771A1. Автор: Richard M. Wiesman,Timothy J. Mason,Gary R. Bastarache. Владелец: FOSTER-MILLER, INC.. Дата публикации: 2002-01-31.

Modular, integrated powerline monitor for non-high voltage applications

Номер патента: EP1319188A1. Автор: Richard M. Wiesman,Timothy J. Mason,Gary R. Bastarache. Владелец: Foster Miller Inc. Дата публикации: 2003-06-18.

High-voltage sensor with axially overlapping electrodes

Номер патента: EP2577328A1. Автор: Klaus Bohnert,Norbert Koch,Jan Czyzewski,Sergio Vincenzo Marchese,Stephan Wildermuth. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2013-04-10.

Erase cycle healing using a high voltage pulse

Номер патента: US20210035642A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R. Singidi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

A housing for a high voltage component, an electric system and a vehicle

Номер патента: EP4397546A1. Автор: John Melaugh,Tommie Eriksson. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Charge balanced cardiac pacing from high voltage circuitry of an extra-cardiovascular implantable cardioverter defibrillator system

Номер патента: US20180221677A1. Автор: Michael W. Heinks,Joel R. Lauer,Joseph IPPOLITO,Yanina GRINBERG,Brian W. Schousek,Lonny V. Cabelka,Paul D. Baker,Craig W. DORMA,Timothy A. EBELING,James VANDER HEYDEN,Robert W. SAWCHUK. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-08-09.

Integration of low-voltage sensing devices into a high-voltage environment

Номер патента: EP4419899A1. Автор: Jason Trachewsky,Michael STÜBER. Владелец: Pleno Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Multiple-channel agile high-voltage sequencer

Номер патента: US20070069765A1. Автор: Eric Cummings. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

System and method for high-voltage disconnection in a vehicle

Номер патента: US20130307326A1. Автор: Jochen Fassnacht. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Integration of low-voltage sensing devices into a high-voltage environment

Номер патента: US20240319134A1. Автор: Jason Trachewsky,Michael STÜBER. Владелец: Pleno Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Activation of wordline decoders to transfer a high voltage supply

Номер патента: US6359824B1. Автор: Feng Pan,Colin S. Bill,Jonathan Shi-Chang Su. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-03-19.

System and method for high voltage battery pack measurement

Номер патента: US20240359589A1. Автор: Seyed R. Zarabadi,Mark R. Keyse,Mark W. Gose. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

System and method for high voltage battery pack measurement

Номер патента: US12054073B2. Автор: Seyed R. Zarabadi,Mark R. Keyse,Mark W. Gose. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for high voltage conversion and multiplication for ionizing radiation detection

Номер патента: US09829585B2. Автор: Robert Ernest Troxler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Very high-voltage DC line voltage sensor

Номер патента: US09766272B2. Автор: Denis Chatrefou,Jean-Francois Mironneau,Vincent Troubat. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2017-09-19.

High-voltage to low-voltage low dropout regulator with self contained voltage reference

Номер патента: US09594391B2. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

High-voltage equipment cooling system for electric vehicle and high-voltage equipment cooling method for electric vehicle

Номер патента: US09517678B2. Автор: Masanori Matsuda,Shinji Kakizaki,Takeshi Someya. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for determining the absence of voltage in an electrical high-voltage system, and electrical high-voltage system

Номер патента: US09500680B2. Автор: Uwe Lachmund,Ronny Hänsch. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method for high-voltage disconnection in a vehicle

Номер патента: US09475437B2. Автор: Jochen Fassnacht. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for high voltage isolation monitor for a vehicle

Номер патента: US09341665B2. Автор: Richard J. Hampo,George Kaminski. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Oil distillates with improved electroconductivity and low-temperature fluidity

Номер патента: RU2419652C2. Автор: Маттиас Крулль,Вернер РАЙМАНН. Владелец: Клариант Продукте (Дойчланд) Гмбх. Дата публикации: 2011-05-27.

Longitudinal supply high-voltage wire system compatible with electromagnetic field of railway ac contact system

Номер патента: RU2286891C2. Автор: Теодорос Пранцишкович Добровольскис,Михаил Петрович Бадер,Елена Юрьевна Семенова,Юрий Вячеславович Иодко,Дмитрий Владимирович Ермоленко,Юрий Николаевич Гетта,Юрий В чеславович Иодко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научно-исследовательский институт железнодорожного транспорта МПС России. Дата публикации: 2006-11-10.

Method of crushing and / or preliminary weakening of material by high voltage discharges

Номер патента: RU2621589C1. Автор: Райнхард МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ,ДЕР ВЕЙД Фредерик ФОН. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2017-06-06.

Diagnostic method of fuel-feed system and low pressure loop of injector ice

Номер патента: RU2729582C1. Автор: Алексей Николаевич Звеков. Владелец: Алексей Николаевич Звеков. Дата публикации: 2020-08-11.

High-voltage presence sensor

Номер патента: RU2729176C1. Автор: Владимир Ильич Крючков. Владелец: Владимир Ильич Крючков. Дата публикации: 2020-08-04.

A conjugate of hydroxyalkyl starch and low-molecular substance and method of obtaining it

Номер патента: RU2327702C2. Автор: Микеле ОРЛАНДО,Юрген ХЕМБЕРГЕР. Владелец: Фрезениус Каби Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2008-06-27.

Apparatus for simulating conditions for decomposition of coal dressing slugs and low-quality coals by microbiological action

Номер патента: RU2694965C1. Автор: Денис Владимирович Дягилев,Владимир Алексеевич Шаврин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2019-07-18.

Method of thermal treatment of items made out of low-carbon and medium-carbon unalloyed and low-alloyed steel

Номер патента: RU2231564C1. Автор: В.И. Червинский,Н.В. Зимин,О.С. Мартынов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт токов высокой частоты им. В.П. Вологдина". Дата публикации: 2004-06-27.

High-voltage sensor with electrodes overlapping electrodes along axis

Номер патента: RU2567404C2. Автор: Клаус БОНЕРТ,Норберт КОХ,Ян ЧИЗЕВСКИЙ,Штефан ВИЛЬДЕРМУТ,Сержио Винченцо МАРЧЕЗЕ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2015-11-10.

Method and device for manufacture of low shrinking thread of aliphatic polyamide and low shrinking thread

Номер патента: RU2680319C1. Автор: Лассад НАСРИ,Роман СТЕПАНЯН,Мартинус Йозеф Мария КЕЛЕРС. Владелец: Трютцшлер ГмбХ унд Ко. КГ. Дата публикации: 2019-02-19.

Apparatus and method for locating partial discharges in medium-voltage and high-voltage equipment

Номер патента: US12025647B2. Автор: Christoph ENGELEN,Fabian Öttl. Владелец: OMICRON Electronics GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Automated run test system having built-in high voltage switching matrix for interconnection to a safety compliance testing instrument

Номер патента: US20020145435A1. Автор: Roger Bald,Pin-Yi Chen. Владелец: Associated Research Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Self-curable and low temperature curable polyesters

Номер патента: WO2018231599A8. Автор: Thauming Kuo,Phillip Bryan Hall. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2019-06-27.

Low-pressure aluminum casting mold and low-pressure aluminum casting process for motor rotor

Номер патента: EP4209290A1. Автор: Hongrong Zhang,Xiangyong Kong,Biao Hu,Junwei Yan,Chao CUI,Wenhe ZHANG,Zeyong WU,Xijuan ZHAI. Владелец: Shanxi Electric Motor Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

High-voltage power supply

Номер патента: US20100239291A1. Автор: Katsumi Inukai,Kazushi Shumiya. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Golf ball incorporating at least one layer of neutralized acid polymer composition containing low molecular weight acid wax(es) as sole acid polymer component and low molecular weight non-acid wax(es) in the non-acid polymer component

Номер патента: US20190022468A1. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette,David A. Bulpett,Brian Comeau,Robert Blink. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2019-01-24.

High-voltage generator with voltage control on the basis of the discharge current

Номер патента: WO1998019962A1. Автор: Gerardus Nicolaas Anna Hoogendijk. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-05-14.

Electro-optical voltage sensor for high voltages

Номер патента: US6876188B2. Автор: Klaus Bohnert,Andreas Frank,Hubert Brändle. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2005-04-05.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

High-voltage shifter with reduced transistor degradation

Номер патента: US11380401B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

High-voltage shifter with reduced transistor degradation

Номер патента: US10998050B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

High-voltage shifter with reduced transistor degradation

Номер патента: WO2020159870A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Low-pressure aluminum casting mold and low-pressure aluminum casting process for motor rotor

Номер патента: US20240253110A1. Автор: Hongrong Zhang,Xiangyong Kong,Biao Hu,Junwei Yan,Chao CUI,Wenhe ZHANG,Zeyong WU,Xijuan ZHAI. Владелец: Shanxi Electric Motor Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for cold sterilization of dried fruits through non-thermal plsma generated by high-voltage electric field

Номер патента: AU2021101813A4. Автор: Qiaoyun WEI,Wenjing YAN,Jianhao ZAHNG. Владелец: Suzhou Yirun Food Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Eye-protection device having dual high voltage switching

Номер патента: US20060180738A1. Автор: Thomas Hamilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Integrated circuits including high-voltage high-power and high-voltage low-power supply nodes

Номер патента: US20240286402A1. Автор: James Michael Gardner,Rogelio Cicili,Eric Thomas Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Low-voltage discharge of high-voltage battery pack

Номер патента: US20240294093A1. Автор: Craig T. Simmerman,Daniel B. Fosmer,Jared Wozniak,Shayne Suban,Shyama Maria Jose. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Defibrillation circuit with low voltage energy storage

Номер патента: EP4403204A1. Автор: Gust H. Bardy,Jason Felix,Joshua Djon Green. Владелец: Bardy Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

High-voltage cable protection structure

Номер патента: US20240343211A1. Автор: Takenori Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Current peak value measurement apparatus, high voltage generator, and therapeutic device for vascular calcification

Номер патента: EP4397254A1. Автор: Chuang Li,Zhihuang TANG. Владелец: Jiangsu Polylive Medtech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Defect detection method for high-voltage cable, detection system, electronic device, and storage medium

Номер патента: AU2023331396A1. Автор: Wei Guo,Xu Yang,LIN Cheng,Ping Chen,Lifeng Cheng,HUI XU,Jing Zhang,Wen Zhou,Junjie Wu,Zhigang Ren,Hao ZHAN,Nian Chen,Jinghua Liu,Mengna Liu,Ziqiu Luo,Zhengqin Zhou,Qinqing Huang,Chuanxian Luo,Chengde Wan,Yuru CAI,Qingmiao CHEN. Владелец: Wuhan Nari Of State Grid Electric Power Res Institute LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Composite control cables and stabilizing tendons for aircraft applications and method for manufacture of same

Номер патента: US12037744B2. Автор: Rob Sjostedt,Jeremiah Schwartz. Владелец: Galactic Co LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for providing a foundation for a high-voltage electricity tower, network of high-voltage electricity towers provided with a foundation, and high-voltage electricity tower provided with a foundation

Номер патента: EP2799623A3. Автор: Arthur Lucas Adrianus van Noort,Arend Jan Tibbe. Владелец: Koninklijke BAM Groep NV. Дата публикации: 2014-11-19.

High-voltage battery quick release system for vehicle

Номер патента: US20240317062A1. Автор: Arturo Guzman-Magana,Sreekanth Surapaneni,Gregory Fadler. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for performing high voltage impedance analysis and short circuit diagnosis for a vehicle

Номер патента: US09977065B2. Автор: Josep Jacas Miret,Marc Deumal Herraiz,Jordi Borras GARGALLO. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

High-voltage apparatus and external reproduction apparatus and system

Номер патента: US09892640B2. Автор: Peter Krams,Andreas BOEHLAND. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Detachable high voltage isolation structure of large electric vehicle

Номер патента: US09889742B2. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

High voltage shut down system and method for electric vehicle

Номер патента: US09783059B2. Автор: Do Hoon Kim,Zeung Il Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-10-10.

Fail-safe method and apparatus for high voltage parts in a hybrid vehicle

Номер патента: US09738160B2. Автор: Seong Yeop Lim,Sung Kyu Kim,Won Kyoung Choi,Jin Hwan Jung,Su Hyun Bae,Young Kook Lee,Mu Shin Kwak. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for measuring the presence of a high-voltage and establishing the absence of voltage

Номер патента: US09714970B2. Автор: Martin Weber. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2017-07-25.

High voltage cable detection using rotating machine in hybrid vehicles

Номер патента: US09669714B2. Автор: Eric D. Schneider. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Detachable high voltage isolation structure of medium-size electric vehicle

Номер патента: US09630502B2. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor interconnect for high-quality (q) inductor-capacitor (lc) filter

Номер патента: WO2024196506A1. Автор: Youngju Park,Changhan Hobie Yun,DooSoub SHIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Novel metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102446915B. Автор: 李磊,陈玉文,胡友存,张亮,姬峰. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Novel metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102446915A. Автор: 李磊,陈玉文,胡友存,张亮,姬峰. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101989620A. Автор: 叶菁,王奇峰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-23.

Layout structure of metal-insulator-metal (MIM) capacitor with inter-metallic air isolation structure

Номер патента: CN102683319B. Автор: 肖海波. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-26.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITH DEEP TRENCH (DT) STRUCTURE AND METHOD IN A SILICON-ON-INSULATOR (SOI)

Номер патента: US20130285193A1. Автор: JR. John E.,Khan Babar A.,Barth,Ho Herbert L.,Peterson Kirk D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130062677A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

COMPLIMENTARY METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120187536A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD OF FABRICATING A DEEP TRENCH (DT) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20120196424A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

DAMASCENE METAL-INSULATOR-METAL (MIM) DEVICE IMPROVED SCALEABILITY

Номер патента: US20120276706A1. Автор: WANG FEI,HADDAD Sameer,Shields Jeffery A.,PANGRLE Suzette K.,AVANZINO Steven,VANBUSKIRK Michael,RATHOR Manuj,XIE James,SONG Kevin,MARRIAN Christie,CHOO Bryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

METAL INSULATOR METAL (MIM) CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20130069199A1. Автор: Stamper Anthony K.,Adkisson James W.,CANDRA Panglijen,OGG Kevin N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

SELF-ALIGNED METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

Номер патента: US20130328167A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wong Keith Kwong Hon,Li Baozhen,EDELSTEIN Daniel C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

INTEGRATED CIRCUITS WITH METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20140035099A1. Автор: Lehr Matthias. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor and fabrication method for making the same

Номер патента: TW200518129A. Автор: Jing-Horng Gau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for pre-burning contact gap in vacuum switches by means of high voltage

Номер патента: RU2305344C2. Автор: Владимир Семенович Бочкарев. Владелец: Пензенская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2007-08-27.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Voltage divided for measurements conducting at commutation tests of high-voltage equipment and method of compensation of influence on division ratio of grounded voltage divider capacitance

Номер патента: RU2250471C1. Автор: С.В. Егоров,И.Б. Болотин,И.А. Пузырева. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт высоковольтного аппаратостроения" (ОАО "НИИВА"). Дата публикации: 2005-04-20.

Method for noncontact remote diagnostics of high-voltage insulators

Номер патента: RU2597962C1. Автор: Вадим Алексеевич Голенищев-Кутузов,Александр Вадимович Голенищев-Кутузов,Георгий Дамирович Марданов,Раиль Алексеевич Хуснутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2016-09-20.

Grading Devices For A High Voltage Apparatus

Номер патента: US20120002339A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

Номер патента: RU2566395C1. Автор: Иван Яковлевич Довганюк,Павел Вячеславович Сокур,Вячеслав Иванович Довганюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы". Дата публикации: 2015-10-27.

Method for prediction of individual risk of bronchial asthma in regions with high and low incidence of helminth infections

Номер патента: RU2503959C1. Автор: Ирина Владимировна Салтыкова,Наталья Александровна Кириллова,Людмила Михайловна Огородова,Полина Александровна Селиванова,Евгений Сергеевич Куликов,Максим Борисович Фрейдин,Елена Эдуардовна Кремер. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГБОУ ВПО СибГМУ Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2014-01-10.

Generator of high voltage linearly fading impulses of microsecond duration

Номер патента: RU2303338C1. Автор: Игорь Игоревич Винтизенко. Владелец: Федеральное государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт ядерной физики". Дата публикации: 2007-07-20.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594197C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of automatic overvoltage protection for high-voltage equipment

Номер патента: RU2556033C1. Автор: Владимир Сергеевич Петров,Владимир Александрович Наумов,Владислав Иванович Антонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "ЭКРА". Дата публикации: 2015-07-10.

Device for monitoring condition of high-voltage leads

Номер патента: RU2401434C1. Автор: Григорий Матвеевич Цфасман. Владелец: Григорий Матвеевич Цфасман. Дата публикации: 2010-10-10.

Method for evacuation and filling with petroleum electroinsulating oils of high-voltage units

Номер патента: RU2542743C2. Автор: Сергей Юрьевич Муралов,Виктор Павлович Середин,Евгений Викторович Тетелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2015-02-27.

Key cascode dc voltage multiplier high-voltage kcdcvmhv

Номер патента: RU2340082C1. Автор: Сергей Константинович Воробьев. Владелец: Сергей Константинович Воробьев. Дата публикации: 2008-11-27.

High-voltage voltage divider

Номер патента: RU2529597C1. Автор: Валерий Григорьевич Недорезов,Галина Анатольевна Солодимова,Александр Павлович Воронов,Альбина Александровна Большакова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов". Дата публикации: 2014-09-27.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2488956C1. Автор: Юрий Петрович Пичугин,Всеволод Владимирович Андреев,Геннадий Гаврилович Телегин,Василий Геннадьевич Телегин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова". Дата публикации: 2013-07-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594198C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for training of contact gap for vacuum circuit breakers by high voltage

Номер патента: RU2504857C1. Автор: Владимир Семенович Бочкарев,Александр Анатольевич Воронцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2014-01-20.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594208C1. Автор: Анастасия Владимировна Федосова. Владелец: Анастасия Владимировна Федосова. Дата публикации: 2016-08-10.

Device for monitoring of high-voltage bushing and annunciation of their insulation condition

Номер патента: RU2328009C1. Автор: Алексей Антонович Шеремет,Александр Анатольевич Тарасов. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2008-06-27.

Well source of seismic energy, unit of high voltage electrode and unit of low voltage electrode

Номер патента: RU2385472C2. Автор: Анатолий Александрович Молчанов,Петр Георгиевич Агеев,Евгений Павлович Большаков,Борис Петрович Яценко,Владимир Викторович Сидора,Андрей Анатольевич Алейников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОВАС". Дата публикации: 2010-03-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594191C1. Автор: Вадим Романович Сысоев. Владелец: Вадим Романович Сысоев. Дата публикации: 2016-08-10.

High-voltage transistor switch

Номер патента: RU2579433C1. Автор: Сергей Васильевич Крайнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ ЦЕНТР "ЭНЕРКОМ-СЕРВИС". Дата публикации: 2016-04-10.

High-voltage stabiliser of dc voltage

Номер патента: RU2372641C1. Автор: Константин Олегович Хохлов,Андрей Андреевич Чудиновских. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мегавольт". Дата публикации: 2009-11-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594204C1. Автор: Мария Сергеевна Селиванова. Владелец: Мария Сергеевна Селиванова. Дата публикации: 2016-08-10.

Method to diagnose technical condition of high-voltage potential transformer in network of power plant generator voltage

Номер патента: RU2525165C1. Автор: Владимир Мушегович Геворкян,Юрий Алексеевич Казанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВПО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2014-08-10.

Programming control method of high voltage of spark discharges of capacitor discharge ignition

Номер патента: RU2551419C2. Автор: Виктор Федорович Бойченко. Владелец: Виктор Федорович Бойченко. Дата публикации: 2015-05-27.

Method for matching asymmetrical four-wire high voltage power transmission line to electrical load

Номер патента: RU2551362C2. Автор: Виктор Александрович Козлов,Георгий Анатольевич Большанин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2015-05-20.

Device for compensation of one-phased capacity closing currents and for limiting internal overvoltages in high-voltage networks

Номер патента: RU2284083C2. Автор: Тать на Ивановна Ефименко,Татьяна Ивановна Ефименко. Владелец: Татьяна Ивановна Ефименко. Дата публикации: 2006-09-20.

Device for remote measurement of static high voltage and power supply for self-contained object monitoring system

Номер патента: RU2534759C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Иванович Гавлицкий,Иван Юрьевич Бринк,Ирина Викторовна Черунова,Юрий Евгеньевич Чертов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-12-10.

Номер патента: RU2260891C2. Автор: А.А. Герасенков,Н.В. Даки,А.А. Челазнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий-ВНИИГАЗ". Дата публикации: 2005-09-20.

High-voltage insulator

Номер патента: RU2536860C1. Автор: Андрей Юрьевич Парфёнов,Евгений Юрьевич Тишенин. Владелец: Евгений Юрьевич Тишенин. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of making self-aligned high-voltage integrated transistor

Номер патента: RU2492546C1. Автор: Николай Михайлович Манжа,Виктор Юрьевич Пустовит,Борис Николаевич Рыгалин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Дата публикации: 2013-09-10.

Method of making through vacuum high-voltage insulator

Номер патента: RU2593827C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Дмитрий Геннадьевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2016-08-10.

High-voltage power supply system (alternatives) and relevant electronic switch

Номер патента: RU2315387C1. Автор: Сергей Викторович Монин,Виктор Иванович Казанцев,Виктор Анатольевич Алексеев,Вадим Геннадьевич Сергеев,Петр Михайлович Хижняков,Алексей Юрьевич Млинник. Владелец: Алексей Юрьевич Млинник. Дата публикации: 2008-01-20.

Номер патента: RU2486671C1. Автор: Рево Мухлисович Хаиров,Зиннур Марселевич Гизатуллин,Рифнур Марселевич Гизатуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ". Дата публикации: 2013-06-27.

Calibration method as to voltage of high-voltage measuring devices

Номер патента: RU2560143C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2015-08-20.

High-voltage pulse capacitor

Номер патента: RU2130662C1. Автор: Ринат Гатинович Харисов,Анатолий Яковлевич Картелев,Владимир Степанович Хаецкий,Сергей Михайлович Полюшко,Михаил Иванович Коротков,Тагир Насыбуллович Ишуев. Владелец: Тагир Насыбуллович Ишуев. Дата публикации: 1999-05-20.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2125340C1. Автор: В.С. Гордеев,Г.А. Мысков. Владелец: Российский Федеральный Ядерный Центр-Всероссийский Научно-исследовательский Институт Экспериментальной Физики. Дата публикации: 1999-01-20.

Low-induction high-voltage vacuum transition

Номер патента: RU2453979C1. Автор: Андрей Иванович Краев,Алексей Михайлович Глыбин,Владимир Иванович Дудин,Иван Вениаминович Морозов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2012-06-20.

Номер патента: RU2392630C1. Автор: Владимир Иванович Назаров,Максим Николаевич Громов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерный центр "Современные технологии" ООО "Инженерный центр "Современные технологии". Дата публикации: 2010-06-20.

Method of measurement of high voltage of direct current

Номер патента: RU2080606C1. Автор: Владимир Александрович Воробьев,Василий Андреевич Сычик,Александр Викторович Бреднев,Николай Николаевич Уласюк,Людмила Николаевна Сычик. Владелец: Белорусская государственная политехническая академия. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594194C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Device to measure voltage in high-voltage circuit with remote data transfer

Номер патента: RU2482503C1. Автор: Владимир Константинович Козлов,Игорь Николаевич Лизунов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2013-05-20.

Low-loss foam composition with and low-loss foam-layered cable

Номер патента: RU2334768C2. Автор: Мишель Ф. ШАМПАНЬ,Ричард ГЕНДРОН,Кэролайн ВАЧОН,Виджай К. ЧОРПА,Хью Р. НУДД,Ситарам РАМПАЛЛИ. Владелец: Нэшнл Ресерч Коунсл Оф Канада. Дата публикации: 2008-09-27.

High-voltage pulse modulator with pulse amplitude stabilisation and electronic switch for it (versions)

Номер патента: RU2339158C2. Автор: Виктор Иванович Казанцев,Виктор Анатольевич Алексеев,Вадим Геннадьевич Сергеев,Петр Михайлович Хижняков,Алексей Михайлович Швагерев,ков Петр Михайлович Хижн. Владелец: Алексей Михайлович Швагерев. Дата публикации: 2008-11-20.

High-voltage digital device for current measurement

Номер патента: RU2368906C2. Автор: Вадим Валерьевич Старцев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2009-09-27.

Control method of technical state of high-voltage oil-filled electric power equipment

Номер патента: RU2461812C1. Автор: Владимир Константинович Козлов,Марсель Шарифьянович Гарифуллин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (КГЭУ). Дата публикации: 2012-09-20.

Hierarchical three-tier control system for high-voltage battery of electric energy accumulators

Номер патента: RU2539871C2. Автор: Олег Иванович Сидоренко,Владимир Александрович Подлипалин,Светлана Владимировна Бузаджи,Наталия Андреевна Полулях,Константин Сергеевич Дистранов,Эдуард Евгеньевич Данилов,Алексей Александрович Евсейкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Системы управления хранением энергии" (ООО "СУХЭ"). Дата публикации: 2015-01-27.

High-voltage vacuum circuit breaker

Номер патента: RU2362230C1. Автор: Роман Иванович Мельник,Ярослав Владимирович Мельник,Дмитрий Леопольдович Пшоновский,Владимир Дмитриевич Колесник,Сергей Борисович Полищук,Борис Евстафьевич Хоменчук. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Высоковольтный Союз-Украина". Дата публикации: 2009-07-20.

High-voltage arc-extinguishing chamber

Номер патента: RU2551360C1. Автор: Владимир Александрович Смирнов,Григорий Яковлевич Коновалов,Светлана Григорьевна Боброва,Владимир Григорьевич Коробко. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2015-05-20.

Control method of technical state for high voltage transformer equipment

Номер патента: RU2511038C2. Автор: Николай Владимирович Киншт,Наталья Николаевна Петрунько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2014-04-10.

Device for controlling tripping time of high-voltage circuit breaker operating mechanism

Номер патента: RU2285309C1. Автор: Владимир Сергеевич Колонтай,Николай Никифорович Усцов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2006-10-10.

Номер патента: RU2324248C1. Автор: Павел Иванович Бойко,Юрий Александрович Кондрашенков,Тамара Николаевна Ершова,Анатолий Алексеевич Ларкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2008-05-10.

Electric noise diagnostic method for high-voltage equipment

Номер патента: RU2511607C1. Автор: Вадим Анатольевич Шахнин,Олег Юрьевич Моногаров,Юлия Сергеевна Чебрякова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2014-04-10.

Device for controlling high voltage electric discharge in devices which use electro-hydraulic effect

Номер патента: RU2313901C1. Автор: Владимир Алексеевич Халюткин,Андрей Петрович Филатов,Владимир Алексеевич Халюткин (RU),Андрей Петрович Филатов (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-12-27.

High-voltage semiconducting switching device

Номер патента: RU2421840C1. Автор: Валентин Александрович Мартыненко,Евгений Альбертович Копелович,Владимир Александрович Осин,Игорь Владимирович Галахов,Юрий Яковлевич Бродский,Василий Матвеевич Муругов,Феликс Александрович Флат,Геннадий Дмитриевич Чумаков,Виктор Иванович Шуляпов. Владелец: Виктор Иванович Шуляпов. Дата публикации: 2011-06-20.

Method for high-voltage insulation diagnostics

Номер патента: RU2375718C2. Автор: Сергей Михайлович Лебедев,Ольга Семеновна Гефле,Владислав Александрович Волохин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-12-10.

Device to prevent collisions of helicopter with high-voltage power transmission lines

Номер патента: RU2441254C1. Автор: Владимир Иванович Винокуров,Владимир Николаевич Зыков,Анжелика Владимировна Григорьева. Владелец: Анжелика Владимировна Григорьева. Дата публикации: 2012-01-27.

Method for producing sheets of aluminum and low-strength aluminum alloys having thickened cladding layer of high-strength aluminum alloys

Номер патента: RU2263014C1. Автор: Н.Д. Лукашкин,А.Н. Лукашкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный вечерний металлургический институт. Дата публикации: 2005-10-27.

Monitoring device of state of high-voltage inputs

Номер патента: RU2452973C1. Автор: Григорий Матвеевич Цфасман,Анатолий Григорьевич Мордкович,Александр Михайлович Несвижский,Александр Анатольевич Тарасов,Александр Михайлович Несвижский (RU),Григорий Матвеевич Цфасман (RU),Анатолий Григорьевич Мордкович (RU),Александр Анатольевич Тарасов (RU). Владелец: Александр Анатольевич Тарасов. Дата публикации: 2012-06-10.

Device for calibrating high-voltage separators for constant voltage

Номер патента: RU2238573C1. Автор: Е.А. Ломтев,Д.И. Нефедьев. Владелец: Пензенский государственный университет. Дата публикации: 2004-10-20.

Device for neutralization of the water by means of the high-voltage discharge

Номер патента: RU2312818C2. Автор: Владимир Алексеевич Халюткин,Андрей Петрович Филатов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-12-20.

Номер патента: RU2553976C1. Автор: Сергей Иванович Смирнов,Глеб Алексеевич Апальков,Андрей Юрьевич Жабин,Игорь Геннадьевич Ефремов,Геннадий Геннадьевич Кокарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2015-06-20.

High-voltage network and procedure for melting glased frost on wires of overhead transmission line

Номер патента: RU2393605C1. Автор: Петр Афанасьевич Киреев,Александр Петрович Киреев. Владелец: Петр Афанасьевич Киреев. Дата публикации: 2010-06-27.

High-voltage switch-disconnector

Номер патента: RU2423749C1. Автор: Александр Ремович Ротблют,Игорь Зельманович Аронов,Виктор Абрамович Конвисер,Антон Александрович Артеменков,Владимир Павлович Желонкин. Владелец: Закрытое акционерное общество ЗАО "Энергомаш (Екатеринбург)-Уралэлектротяжмаш". Дата публикации: 2011-07-10.

Номер патента: RU2324271C2. Автор: Владимир Иванович Сикорский,Николай Константинович Веремьев,Сергей Евгеньевич Баранов,Эдуард Семенович Илюшин,Владимир Фридрихович Копервас. Владелец: Владимир Фридрихович Копервас. Дата публикации: 2008-05-10.

Method for control of high-voltage equipment elements technical condition

Номер патента: RU2368914C1. Автор: Николай Витальевич Силин,Николай Владимирович Киншт,Наталья Николаевна Петрунько. Владелец: Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской Академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2009-09-27.

Номер патента: RU2581016C1. Автор: Андрей Леонидович Юрьев,Дмитрий Павлович Николаев,Сергей Павлович Пухов,Сергей Михайлович Лашманов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-04-10.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2128877C1. Автор: В.С. Гордеев,Г.А. Мысков. Владелец: Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики. Дата публикации: 1999-04-10.

Metal-insulator-metal (mim) structure supporting high voltage applications and low voltage applications

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты