• Главная
  • NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Template for epitaxial growth, method for producing the same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US09556535B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09842964B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor free-standing substrate and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4816277B2. Автор: 丈洋 吉田. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Nitride semiconductor free-standing substrate and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: CN101090096A. Автор: 吉田丈洋. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Nitride semiconductor free-standing substrate and method for making same

Номер патента: US20090160026A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Takeshi Eri. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Nitride semiconductor free-standing substrate

Номер патента: JP4888377B2. Автор: 健 目黒,健 江利,貴征 鈴木. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Nitride semiconductor and nitride semiconductor crystal growth method

Номер патента: US20140318441A1. Автор: Hideyoshi Horie,Kaori Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Template for Epitaxial Growth, Method for Producing the Same, and Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20160265138A1. Автор: Pernot Cyril,Hirano Akira. Владелец: SOKO KAGAKU CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW202003894A. Автор: 天野浩,小野敏昭,本田善央,松本光二. Владелец: 日商Sumco股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for producing a group III nitride semiconductor

Номер патента: US9214336B2. Автор: Naoyuki Nakada. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20210047720A1. Автор: FUJIOKA Hiroshi,UENO Kohei. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20190194796A1. Автор: FUJIOKA Hiroshi,UENO Kohei. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Group III nitride semiconductor free-standing substrate

Номер патента: JP5045955B2. Автор: 健 目黒,健 江利. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

III-V nitride semiconductor free-standing substrate manufacturing method

Номер патента: JP4691911B2. Автор: 真佐知 柴田. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-06-01.

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180038010A1. Автор: Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,Yoshida Takehiro,IMADE Mamoru,SHIBATA Masatomo. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Method for manufacturing gan-based nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: CN101680114B. Автор: 八百隆文,曹明焕. Владелец: A E Tech CORP. Дата публикации: 2013-02-27.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: CN103700579A. Автор: 中田尚幸. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Method for fabricating a semi-polar nitride semiconductor

Номер патента: TW201108328A. Автор: zhen-ying Qi,xue-xing Liu,Jin-Ji Wu. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2011-03-01.

RAMO4 SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20200181801A1. Автор: ISHIBASHI Akihiko,Nobuoka Masaki,RYOKI NAOYA,Miyano Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Zinc oxide free-standing substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20160145768A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi,Morimichi Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Zinc oxide free-standing substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20160145768A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi,Morimichi Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: US20180287009A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Kazuhiro Nagamine,Susumu TOKO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: MY198985A. Автор: NARITA Junya,Inoue Yoshiki,KITAHAMA Shun,NAGAMINE Kazuhiro. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-06.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20210328095A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079522A1. Автор: Jung-Hun Choi,Dongwon YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of forming p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20230326976A1. Автор: Yoichi Kawakami,Kunimichi Omae,Mitsuru Funato,Katsuhiro KISHIMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor stacked structure and method for manufacturing same and nitride semiconductor device

Номер патента: US8541772B2. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190123237A1. Автор: Byoung-kyun KIM,Tan Sakong,Jin-young Lim,Jae-sung HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP5136615B2. Автор: 史典 三橋,晋 吉本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017072859A1. Автор: 耕 青崎,平野 光. Владелец: 創光科学株式会社. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for producing a group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20130017639A1. Автор: Yasuhisa Ushida,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

MATERIALS, STRUCTURES, AND METHODS FOR OPTICAL AND ELECTRICAL III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150034902A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

MATERIALS, STRUCTURES, AND METHODS FOR OPTICAL AND ELECTRICAL III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170263794A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: WO2010064837A2. Автор: 이재완,오재응,김문덕. Владелец: 우리엘에스티 주식회사. Дата публикации: 2010-06-10.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200321491A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko,Yamada Kiho. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017208535A1. Автор: 耕 青崎,平野 光,貴穂 山田. Владелец: 創光科学株式会社. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for manufacturing OLED device and OLED device manufactured therewith

Номер патента: US09660210B2. Автор: Yifan Wang,Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Quantum dot solar cells and methods for manufacturing such solar cells

Номер патента: GB2482597B. Автор: Anna Liu,Marilyn Wang,Linan Zhao,Zhi Zheng. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-01-29.

Methods for manufacturing electronic device and transfer device

Номер патента: US20240266331A1. Автор: Kai Cheng,Shun-Yuan Hu,Tsau-Hua Hsieh,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050093016A1. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US7105859B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1314135C. Автор: 幡俊雄,山本健作. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200529469A. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for manufacturing processed substrate

Номер патента: WO2023169968A1. Автор: Hiroyuki Aoki,Masanobu Hayashi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-14.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP2257999A2. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09437724B2. Автор: Hiroaki Ueno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20110189893A1. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: WO2009060425A3. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: ON TRACK INNOVATIONS LTD.. Дата публикации: 2010-03-11.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US09773201B2. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2017-09-26.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US8458901B2. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US20100200661A1. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for bonding gas barrier film and electronic device, and electronic device and method for producing same

Номер патента: US20110068682A1. Автор: Satoshi Aiba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for manufacturing alloy catalyst for fuel cell

Номер патента: US09608277B2. Автор: Bum Wook Roh,Mi Hye Yi,Jin Seong Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-03-28.

Electrode Assembly and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20220416304A1. Автор: Jin Seop Kwak. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for manufacturing positive electrode active material for lithium-ion secondary battery

Номер патента: EP4317079A1. Автор: Takashi Nakabayashi,Hisato Tokoro,Shuichi Takano. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

METHOD FOR MANUFACTURING Fe-Co-BASED ALLOY BAR, AND Fe-Co-BASED ALLOY BAR

Номер патента: US20230349028A1. Автор: Kouji Kobayashi,Shujiroh Uesaka,Masaru Fujiyoshi. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240204317A1. Автор: Xing Li,HU XU,Haizu Jin,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Crimp terminal, and method and apparatus for manufacturing a crimp terminal

Номер патента: US09548545B2. Автор: Yasushi Kihara,Yukihiro Kawamura,Saburo Yagi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Stepped battery and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US09882233B2. Автор: Young Hoon Kim,Ki Woong Kim,Dong Myung Kim,Sung Jin Kwon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230411761A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Unit Cell and Method and Apparatus for Manufacturing A Unit Cell

Номер патента: US20230402640A1. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Unit cell, and method and device for manufacturing same

Номер патента: EP4270568A2. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Discharge lamp with a base and method and fixture for manufacturing the same

Номер патента: EP1439569A3. Автор: István Mudra,Pal Garamvolgyi,Szabolcs Bella. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-08-29.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230411756A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240154281A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4369510A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240178531A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4096009A1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4258457A1. Автор: Junrong Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080299020A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Nitride semiconductor based optical integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102258441B1. Автор: 성준호. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-05-31.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220238703A1. Автор: Hideya Yamadera,Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita,Hirofumi Kida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412857B2. Автор: Toru Sugiyama,Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704952B2. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332380A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11942560B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate

Номер патента: US7951685B2. Автор: Naohiro Nishikawa,Masahiko Hata,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12068375B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Waveguide element, light-emitting device, and method for manufacturing waveguide element

Номер патента: US20180329236A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021121B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080083933A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12087762B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040227153A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method for producing the same, power supply device, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09755061B2. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09419160B2. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030336A1. Автор: Norikazu Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20170011919A1. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-12.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

High electron mobility transistor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881478B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160284843A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of growing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09741560B2. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9673377B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149118A1. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220085197A1. Автор: Hisashi Saito,Eiji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220165874A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4354489A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128263A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20160020346A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200058490A1. Автор: SUMIDA Yasunobu,FUJIYAMA Yasuharu. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Nitride semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20230395650A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20190244821A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US11777024B2. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170345661A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing group 3 nitride semiconductor device

Номер патента: JP3606015B2. Автор: 正好 小池,典克 小出. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for manufacturing an iii-nitride semiconductor structure

Номер патента: EP3813096A1. Автор: Hu Liang,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for manufacturing microstructure of nitride semiconductor

Номер патента: JP4647020B2. Автор: 靖浩 長友,祥一 川島,毅士 川島,勝之 星野. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: JP7262027B2. Автор: 芳央 岡山,綾子 岩澤,貴敏 岡本. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-21.

Method for manufacturing OLED device and OLED device manufactured therewith

Номер патента: US09660209B2. Автор: Yifan Wang,Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for manufacturing contact

Номер патента: US8828867B2. Автор: TAO Han,Jianguo Fan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

System and method for manufacturing contact

Номер патента: US20080138981A1. Автор: TAO Han,Jianguo Fan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING INCLUDING CAP LAYER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20160163822A1. Автор: ISHIKURA Kohji. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for manufacturing display apparatus

Номер патента: US20240147761A1. Автор: Shinya Sasagawa,Ryota Hodo,Yuichi Yanagisawa,Shiro Nishizaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336658A1. Автор: Jun Hee Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09978875B2. Автор: Jingang Fang,Lungpao HSIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

FinFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09741831B2. Автор: Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor packages including a shielding part and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09721904B2. Автор: Seung Ho Kim,Jung Tae JEONG,Soo Won KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing LTPS TFT substrate and LTPS TFT substrate

Номер патента: US09520421B1. Автор: Songshan LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

MATERIALS, STRUCTURES, AND METHODS FOR OPTICAL AND ELECTRICAL III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140008660A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140087545A1. Автор: NAKADA Naoyuki. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

METHOD FOR FABRICATING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD OF HEAT TREATMENT

Номер патента: US20200066532A1. Автор: Yamada Takahiro,Kato Shinichi,AOYAMA Takayuki,TANIMURA Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD FOR DEPOSITING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM

Номер патента: US20150140792A1. Автор: JR. Robert,Mamazza,Kratzer Martin,Felzer Heinz,Castaldi Lorenzo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Method for forming thin film of nitride semiconductor

Номер патента: KR100425680B1. Автор: 이재형,홍창희,김민홍. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2004-04-03.

Cross-hair cell devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20130015521A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods and systems for manufacturing thin-film solar cells

Номер патента: WO2010057060A3. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for fabricating a back contact solar cell

Номер патента: US8461011B2. Автор: Won Jae Lee,Joon Sung Lee,Eun Chel Cho,Min Sung Jeon. Владелец: Hyundai Heavy Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20170200830A1. Автор: Jingang Fang,Lungpao HSIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Conductive laminate and method for manufacturing the same

Номер патента: US11745469B2. Автор: Tzu-Chien Wei,Wei-Yen Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20170098691A1. Автор: Zhao Wang,Hang Yin,WenBo TIAN. Владелец: Vimicro Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate

Номер патента: US11798805B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230343600A1. Автор: Xiao Zhu,Xiaohong Zhang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing transistor

Номер патента: US20210226143A1. Автор: Shohei Koizumi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20180145146A1. Автор: Zuqiang Wang,Yuqing Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230013786A1. Автор: Junbo PAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Photocurable composition and method of manufacturing film using the composition

Номер патента: US09541826B2. Автор: Toshiki Ito,Kenichi Iida,Naoko Matsufuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Novel method for manufacturing deuterated boron compound

Номер патента: US20230242556A1. Автор: Bong-Ki Shin,Ji-Hwan Kim,Sung-Hoon Joo,Jun-young Moon. Владелец: SFC Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for manufacturing at least one electrode of an analyte sensor

Номер патента: EP4243690A1. Автор: Yilmaz Isgoeren,Bernd Hiller,Oleg BOGUSLAWSKI. Владелец: Roche Diabetes Care GmbH. Дата публикации: 2023-09-20.

Laminated glass, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: SG167651A1. Автор: Hyung Gyu Jang,Hwang Doo Ha. Владелец: P & H Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-28.

Abradable material feedstock and methods and apparatus for manufacture

Номер патента: EP3685938A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190143404A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20180029120A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Porous flexible sheet and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20140308481A1. Автор: Satoshi Mitsui. Владелец: Casio Electronics Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

MoSi2 ARC-SHAPED HEATER, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE HEATER

Номер патента: EP1383355B1. Автор: Hiroshi TAKAMURA,Daisuke TAKAGAKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: WO2021149076A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Limited. Дата публикации: 2021-07-29.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: ZA202209336B. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: AU2021210697A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: GB2607775A. Автор: Jami Tarun. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Method for separating metal-containing fractions from dry slag and the use of this method for waste incineration slag.

Номер патента: EP2128279B1. Автор: Jan Andreas Groothoff. Владелец: Recco BV. Дата публикации: 2011-03-30.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Nitride semiconductor surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US09356428B2. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing laser module, and laser module package

Номер патента: US09882337B2. Автор: Hyung Man Lee,Soon Seob PARK. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus for manufacturing secondary battery pouch

Номер патента: EP4234195A1. Автор: Se Young Oh,Chung Hee Lee,Jeong Min Ha,Geun Hee Kim,Hyun Beom Kim,Hyung Ho Kwon. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Apparatus for manufacturing pouch of secondary battery

Номер патента: EP4238739A1. Автор: Se Young Oh,Chung Hee Lee,Geun Hee Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for manufacturing a heat insulating shaped bar

Номер патента: CA1235889A. Автор: Yoshitaka Nagai,Nobushige Doguchi. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1988-05-03.

System for manufacturing and tuning an NFC antenna

Номер патента: US9923273B2. Автор: Arthur Kurz,Bernard Duetsch. Владелец: AK Stamping Co Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing secondary battery and secondary battery

Номер патента: US20230307694A1. Автор: Hyun Tae Kim,Hyun Jung Kwon,Tae Soon Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing antenna module ceramic substrate

Номер патента: US20240063533A1. Автор: Se Ho LEE,Hyung Il BAEK,Kyung Hyun Ryu. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing separator

Номер патента: US20190270130A1. Автор: Takayuki Furuhata,Kenshiro Moride. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4287386A1. Автор: Yizhen Wu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Battery, electrical apparatus, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4425676A1. Автор: PENG Wang,Feng Qin,Runyong HE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Battery, electrical apparatus, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4451456A1. Автор: PENG Wang,Feng Qin,Runyong HE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Plated steel sheet for exterior panel and method for manufacturing same

Номер патента: EP4265811A1. Автор: Wooseok Kim,Hyunju JEONG,Kyunghwang Lee,Hung-seok Seo. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20220081800A1. Автор: Sato Takayuki,Moriyama Miki,YAMAZAKI Masateru,FUJIMORI Taku. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Sato Takayuki,Moriyama Miki,Yamazaki Shiro,YAMAZAKI Masateru,FUJIMORI Taku,YAKUSHI Yasuhide. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Plated steel sheet for exterior panel, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240043979A1. Автор: Wooseok Kim,Hyunju JEONG,Kyunghwang Lee,Hung-seok Seo. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20150190992A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-07-09.

Spray diffusers and method and mold for manufacture of same

Номер патента: US20020180100A1. Автор: Juergen Speier,Rudolf Notz. Владелец: Lechler GmbH. Дата публикации: 2002-12-05.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: US09943995B1. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Prism film and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09885811B2. Автор: Rui Li,Junguo Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Decorative food and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA2274347C. Автор: Tokuji Akutagawa. Владелец: Akutagawa Confectionery Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Rolling-element bearing, and method and apparatus for manufacturing rolling-element bearing

Номер патента: US20120275740A1. Автор: Kazuyuki Hirata. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Packing and/or transport unit for insulation slabs of mineral wool and method and device for manufacturing such

Номер патента: EP2289807A3. Автор: Erik ÅSTRAND,Bjarne Walli. Владелец: Paroc Oy Ab. Дата публикации: 2013-10-09.

A cover and method and device for manufacturing the same

Номер патента: WO1995006566A1. Автор: Urpo Latvakangas,Jan Sabelstrom. Владелец: BINDOMATIC AB. Дата публикации: 1995-03-09.

Rfid tag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20090066517A1. Автор: Kenneth R. Erikson. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976A1. Автор: Waltherus Joseph Maria Van Erven. Владелец: Zodiac Europe S.A.. Дата публикации: 1995-08-17.

Magnetic tape cassette accommodating case and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US5323904A. Автор: Kiyoo Morita,Teruo Ashikawa,Shingo Katagiri. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-28.

Tobacco smoke filter contoured to provide undiluted air flow and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA1190114A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-07-09.

Extruded and Co-extruded High-Altitude Balloons and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190039709A1. Автор: Austyn Daniel Crites. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Pre-assembled, two-part merchandise display hook and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA1303006C. Автор: Thomas O. Nagel. Владелец: Trion Industries Inc. Дата публикации: 1992-06-09.

Gasket for heat exchanger and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1110016B1. Автор: Steven M. Suggs,Reid M. Meyer. Владелец: Acadia Elastomers Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: CA3001220C. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Elastic steel band for sun cap or hat and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060143786A1. Автор: Soon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Coated paper product and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: EP1831463A1. Автор: Markku Leskelä,Stina Nygard,Juha Koponen. Владелец: M Real Oyj. Дата публикации: 2007-09-12.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09457902B2. Автор: Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell,Jeffrey J Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1327483C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1994-03-08.

Reinforcing woven fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5783278A. Автор: Akira Nishimura,Kiyoshi Homma,Ikuo Horibe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Wet waste compostable bag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA2408989C. Автор: George P. Colgan. Владелец: Bag to Earth Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Hermetically sealed package, and method and machine for manufacturing it

Номер патента: CA2259904A1. Автор: Luca Cerani. Владелец: Luca Cerani. Дата публикации: 1998-01-15.

A composite brake disc and method and apparatus for manufacture of the same

Номер патента: CA2926866C. Автор: Daniel Dériaz. Владелец: Ernst Grob AG. Дата публикации: 2021-10-19.

Light guide plate, and method and mold for manufacturing the same

Номер патента: US20140104884A1. Автор: Kun Lu,Kai Yan,Zhanchang Bu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Elastic and non-elastic narrow fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US3685549A. Автор: Antonio Schiappa,Richard E Goff. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-22.

Floor board, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20200392742A1. Автор: Xiao FANG,Fuyou WANG. Владелец: Nantong Cimc Eco New Material Development Co ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Production device for manufacturing products in the form of sheets or blocks, and method thereof

Номер патента: US20190176112A1. Автор: Jianping Qiu,Zhongyuan LI,Shiyang Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-13.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2809033C. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2867122C. Автор: Jeffrey J. Potter,Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus for manufacturing fermented beverages

Номер патента: US20240247212A1. Автор: Wonseok Lee,Yoonsang Kim,Seungchul Lee,Changhun JEONG,Taeil KANG,Byunggyu KANG. Владелец: Inthekeg Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Golf putter head and method for manufacturing the same, and golf putter

Номер патента: US20200197766A1. Автор: Fucheng Yi,Guangfu Yi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Salt product, method for manufacture and use thereof

Номер патента: WO2006110029A1. Автор: Lambert Hooiveld,David-Jan Janse. Владелец: R & H Minerals B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for preparing methylated amines

Номер патента: US09783514B2. Автор: Thibault Cantat,Christophe Gomes,Olivier Jacquet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing optical member

Номер патента: US20140299573A1. Автор: Akira Sugiyama,Yoshinori Kotani,Kenji Takashima,Zuyi Zhang,Naoyuki Koketsu,Akiko TAKEI. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

A method for applying a metal onto carbon particles

Номер патента: WO2024161273A1. Автор: Alexander KORNEV,Boris DEICHMAN. Владелец: Deichman Boris. Дата публикации: 2024-08-08.

Peptide liquid droplets and methods of using the same

Номер патента: US20240245613A1. Автор: Ayala LAMPEL,Avigail-Elah BARUCH LESHEM,Amit BEN-AMAR. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Peptide liquid droplets and methods of using the same

Номер патента: EP4380591A1. Автор: Ayala LAMPEL,Avigail-Elah BARUCH LESHEM,Amit BEN-AMAR. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Apparatus for manufacturing carrier tape

Номер патента: MY176722A. Автор: Toshio Sugiyama,Kazuo Tajiri,Eiji Okochi,Kenichi Nakagoshi. Владелец: Shinetsu Polymer Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape

Номер патента: US20220195262A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape

Номер патента: US20230348760A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape and related articles

Номер патента: US12084607B2. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape

Номер патента: US20200087548A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Manufacturing method for cellulose ether having high degree of substitution

Номер патента: US4582899A. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Daicel Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1986-04-15.

Apparatus and method for manufacturing cutting inserts

Номер патента: CA2845629C. Автор: Amir Satran,Alexander ZIBENBERG. Владелец: Iscar Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Circuit substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230300983A1. Автор: Yoshinori Kubo,Motohiro Umehara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Golf putter head and method for manufacturing the same, and golf putter

Номер патента: US11491378B2. Автор: Fucheng Yi,Guangfu Yi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-08.

Method for manufacturing a surface-treated particulate inorganic material

Номер патента: CA2996443C. Автор: Ferdinand MÄNNLE,Monika Pilz,Luxsacumar Sivakanesar. Владелец: Bioenvision Technology AS. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing metal alloy foam

Номер патента: US11951544B2. Автор: Jin Kyu Lee,Dong Woo Yoo,So Jin Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for manufacturing window and method for manufacturing display device

Номер патента: US12000978B2. Автор: Hyun Chul Jung,Byoungyul Shim,Jaeseung Jeon,Seungyo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US11997799B2. Автор: Changsheng Tang. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Adhesive tape and methods of manufacture

Номер патента: US20200263062A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Adhesive tape and methods of manufacture

Номер патента: US20210079274A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Monolithic CMOS-MEMS microphones and method of manufacturing

Номер патента: US09758370B2. Автор: Jochen Hoffmann,Brett Diamond,John Zinn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Monolithic CMOS-MEMS microphones and method of manufacturing

Номер патента: US09481569B2. Автор: Jochen Hoffmann,Brett Diamond,John Zinn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing welded structure

Номер патента: US20240326152A1. Автор: Koji Nomura,Yosuke TAMADA,Keigo Yasuda,Tomohiko Sekiguchi. Владелец: Futaba Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus for manufacturing gel particle and method for manufacturing gel particle

Номер патента: US20120016115A1. Автор: Katsuya Ide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Novel methods for manufacturing an adjuvant

Номер патента: IE20180065A2. Автор: HARVENGT Pol,JEHOULET Philippe,LE GOURRIEREC Loic,SIFAKAKIS Demostene,STRODIOT Laurent. Владелец: GLAXOSMITHKLINE BIOLOGICALS SA. Дата публикации: 2019-12-25.

Optical sheet roll and method for manufacturing optical sheet roll, optical sheet, and display device

Номер патента: US09606270B2. Автор: Nobuo Naito. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing transparent braces

Номер патента: US09498301B2. Автор: Tae-Weon Kim. Владелец: E-CLEAR INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing plant-based meat with artifical muscle fiber inserted

Номер патента: US20240284934A1. Автор: Hyun Jin Park,Hyun Jung Ko. Владелец: Bippeco. Дата публикации: 2024-08-29.

Back plate and method for manufacturing the same and backlight module

Номер патента: US09651733B2. Автор: Tsung-Hsin Liu,Qing-Song LI,Chih-Ming CHAN. Владелец: Radiant Opto Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vehicle interior covering and a method for its manufacture

Номер патента: US20110278872A1. Автор: Ralf EIDT,Wolfgang PLEGGE. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-11-17.

Apparatus and method for protecting a magnetic head coil during pole notch processing

Номер патента: US20040237288A1. Автор: Edward Lee,Wenchein Hsiao,Bradley Webb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

A carrier device, food protection article, food products comprising the same and methods

Номер патента: WO2024100654A1. Автор: Ifat Hammer. Владелец: Liva Bio Protection Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for storing and reproducing data carrier for carrying out this method and method for manufacturing the carrier

Номер патента: IE36945B1. Автор: . Владелец: Ted Bildplatten. Дата публикации: 1977-03-30.

Method for manufacturing stamper for injection molding

Номер патента: US8771928B2. Автор: Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-07-08.

Composite Panel with Barrier Layer and Method for Manufacturing a Letterpress Plate

Номер патента: US20190224957A1. Автор: Peter Kesper. Владелец: AKK GmbH. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for manufacturing metallic member-resin member bonded body, and film

Номер патента: EP4265398A1. Автор: Nobuyuki Takahashi,Masahiro Sato,Kazuo Otani. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for manufacturing metallic member-resin member bonded body, and film

Номер патента: US20240051237A1. Автор: Nobuyuki Takahashi,Masahiro Sato,Kazuo Otani. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

System and method for manufacturing pallet with embedded support structures

Номер патента: CA3073510A1. Автор: Gary W. Morris,Brian D. KIVISTO. Владелец: Paradigm Plastic Pallets Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Back plate and method for manufacturing the same and backlight module

Номер патента: US20160223738A1. Автор: Tsung-Hsin Liu,Qing-Song LI,Chih-Ming CHAN. Владелец: Radiant Opto Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for providing a replacement part

Номер патента: EP4273651A1. Автор: Martin Eggers,Malwina Uellenbeck. Владелец: seepex GmbH. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for manufacturing COA array substrate and COA array substrate

Номер патента: US10114262B2. Автор: Weijia DENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-30.

System and method for manufacturing pallet with embedded support structures

Номер патента: EP3672887A1. Автор: Gary W. Morris,Brian D. KIVISTO. Владелец: Paradigm Plastic Pallets Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20130280478A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-10-24.

A raw substrate used for manufacturing an insulating substrate in a line-type heater and method of manufacturing thereof

Номер патента: GB9913332D0. Автор: . Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-08-11.

Waterbed mattress with hexagonal baffle structure, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5172437A. Автор: John B. Johenning. Владелец: Strata Flotation Inc. Дата публикации: 1992-12-22.

Die assembly and method of use for manufacturing backing plates of friction assemblies

Номер патента: CA3089410A1. Автор: Raj Thalappath. Владелец: Util Canada Ltd. Дата публикации: 2022-02-07.

Article of footwear formed from two preforms and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US09950447B2. Автор: Tee L. WAN,Thienchai CHAISUMREJ,Chia-Yi Wu,Gjermund Haugbro. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Article of footwear formed from two preforms and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US09884463B2. Автор: Tee L. WAN,Thienchai CHAISUMREJ,Chia-Yi Wu,Gjermund Haugbro. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Article of footwear formed from two preforms and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US09731464B2. Автор: Tee L. WAN,Thienchai CHAISUMREJ,Chia-Yi Wu,Gjermund Haugbro. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Three-dimensional net-shaped structure and method and apparatus for manufacturing thereof

Номер патента: US09528209B2. Автор: Nobuyuki Takaoka. Владелец: C Eng Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-08-31.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1336828C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1995-08-29.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride semiconductor free-standing substrate and light emitting device

Номер патента: JP5182396B2. Автор: 健 目黒,健 江利,貴征 鈴木. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120211784A1. Автор: Sugawara Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: JP7063293B2. Автор: 史郎 山崎,康英 薬師,峻之 佐藤,実希 守山. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-09.

Method for manufacturing group 3 nitride semiconductor device

Номер патента: JP3646502B2. Автор: 正好 小池,典克 小出,慎也 浅見,直樹 兼山,誠 浅井,勝久 澤崎. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-11.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: JP6848242B2. Автор: 史郎 山崎,実希 守山,山崎 史郎. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP4885997B2. Автор: 一富 山本,晴夫 砂川,紀彦 鷲見. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: JP4277361B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-06-10.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: JP4929677B2. Автор: 誠 木山,達也 田辺. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-09.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120309124A1. Автор: Okuno Koji,MIYAZAKI Atsushi. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120322189A1. Автор: . Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

Nitride semiconductor light emitting element structure, and method of forming the same

Номер патента: JP2011029218A. Автор: Satoshi Komada,聡 駒田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ADJUSTING PHOTOSENSITIVENESS OF DIGITAL CAMERA

Номер патента: US20120002081A1. Автор: Chou Chan Min,Lu Tsung Pin. Владелец: ALTEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING IL-1BETA RELATED DISEASES

Номер патента: US20120003226A1. Автор: Scannon Patrick J.,Solinger Alan M.,Bauer Robert J.. Владелец: XOMA TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING A SITE-SPECIFIC PHYSIOLOGICALLY ACTIVE POLYPEPTIDE CONJUGATE

Номер патента: US20120003712A1. Автор: . Владелец: HANMI HOLDINGS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING PEPTIDE

Номер патента: US20120004457A1. Автор: Hojo Hironobu,Nakahara Yoshiaki. Владелец: TOKAI UNIVERSITY EDUCATIONAL SYSTEM. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Enhancing the Performance of a Catalyzed Reaction

Номер патента: US20120004488A1. Автор: Sun Bing,Zimmermann Joseph Edward,Vetter Michael. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.