NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE
Номер патента: US20200127163A1
Опубликовано: 23-04-2020
Автор(ы): FUJIKURA Hajime, KONNO Taichiro
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-04-2020
Автор(ы): FUJIKURA Hajime, KONNO Taichiro
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same
Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.