Method for producing a group iii nitride semiconductor
Номер патента: US20230257902A1
Опубликовано: 17-08-2023
Автор(ы): Masateru YAMAZAKI, Miki Moriyama, Takayuki Sato, Taku Fujimori
Принадлежит: Toyoda Gosei Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-08-2023
Автор(ы): Masateru YAMAZAKI, Miki Moriyama, Takayuki Sato, Taku Fujimori
Принадлежит: Toyoda Gosei Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing a group iii nitride semiconductor
Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.