Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US11942555B2
Опубликовано: 26-03-2024
Автор(ы): Junichi Koezuka, Masami Jintyou, Shunpei Yamazaki, Yukinori Shima
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-03-2024
Автор(ы): Junichi Koezuka, Masami Jintyou, Shunpei Yamazaki, Yukinori Shima
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device
Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.