THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ARRAY SUBSTRATE
Номер патента: US20170162703A1
Опубликовано: 08-06-2017
Автор(ы): Li Xiaolong, LIU ZHENG, Long Chunping, Lu Xiaoyong, Zhang Huijuan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-06-2017
Автор(ы): Li Xiaolong, LIU ZHENG, Long Chunping, Lu Xiaoyong, Zhang Huijuan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory cell device with thin-film transistor selector and methods for forming the same
Номер патента: US20210399046A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.