Magnetic memory device.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099156A1
Опубликовано: 21-03-2024
Автор(ы): Hyungjun Cho, Kazuya Sawada, Kenichi Yoshino, Naoki Akiyama, Tadaaki Oikawa, Takuya Shimano, Toshihiko Nagase
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240365678A1. Автор: Kwang Seok Kim,Ki Woong Kim,Seonggeon Park,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US12058941B2. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240349621A1. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324241A1. Автор: Tian Li,Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324470A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory element and semiconductor device

Номер патента: US20240292759A1. Автор: Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Masaki Endo,Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada,Yuito Kageyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230292529A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200303628A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory devices using spin current and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240251685A1. Автор: Naoki Hase,Jungsik Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230309413A1. Автор: Eiji Kitagawa,Young Min EEH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240268238A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Junghyeok KWAK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: EP4447644A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-10-16.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: US20240349623A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345842A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Keng-Ming Kuo,Yuan-Jen Lee,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic Memory Array Incorporating Selectors and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200006422A1. Автор: Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230232637A1. Автор: Hui-Lin WANG,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150263276A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234268A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9065041B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US12089505B2. Автор: Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory device with nonmagnetic layer having two additive elements

Номер патента: US12075629B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691968B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US11980104B2. Автор: Hideyuki Sugiyama,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Soichi Oikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220013579A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280195A1. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200161368A1. Автор: Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile memory devices having magnetic tunnel junction memory cells therein

Номер патента: US20220246837A1. Автор: Yong Jae Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH,Geon Hee Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

Magnetic memory device having an electrode continuously provided on a wiring

Номер патента: US11895925B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220085281A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200083289A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10707356B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099021A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory having magnetoresistive element and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09595663B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301116A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Keorock CHOI,Cha Deok Dong,Takuya Shimano,Bokyung JUNG,Gukcheon Kim. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: WO2003079366A2. Автор: Saied N. Tehrani,Kelly Kyler,Mark A. Durlam,John J. D'Urso,Gregory W. Grynkewich,Brian Butcher. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2003-09-25.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240016067A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Chun-Lung Chen,Chung Yi Chiu,Chih-Wei Kuo,Yi-Wei Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US09882119B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09899594B2. Автор: Yong-sung Park,Ju-Hyun Kim,Ki-Woong Kim,Se-Chung Oh,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263852A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180114897A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US11018187B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200083291A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US10388854B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088856A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389440A1. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10847576B2. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083290A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10897006B2. Автор: Yongjae Kim,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US10236437B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160329487A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional magnetic memory element

Номер патента: US09601544B2. Автор: Tai Min. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590173B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991313B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Won Joon Choi,Ki Seon Park,Bo Mi Lee,Guk Cheon Kim,Yang Kon KIM. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20240206347A1. Автор: Jeng-Hua Wei,Siddheswar Maikap,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508922B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US09570671B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US10193057B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170117454A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20150263265A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190006580A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetic memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240057483A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US12063869B2. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240090338A1. Автор: Junghwan Park,YeonHo Choi,Kyungil Hong,Gyuwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09831422B2. Автор: Stuart S. P. Parkin,Woojin Kim,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240315143A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Ku Youl JUNG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099158A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US11770981B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory cell with low-resistive electrode via and method of forming same

Номер патента: US11778918B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Arrays of magnetic memory cells

Номер патента: EP3693998A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240249760A1. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20070012972A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Thermally written magnetic memory device

Номер патента: US20060017126A1. Автор: Thomas Anthony,Manoj Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-26.

Magnetic memory

Номер патента: US20120241884A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Magnetic memory

Номер патента: EP1796101A3. Автор: Susumu Haratani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US11942128B2. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11944014B2. Автор: Hyun Cho,Jaehoon Kim,Sechung Oh,Yongsung PARK,Sanghwan Park,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

Номер патента: WO2002065475A2. Автор: Xian Ning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: WO2021126385A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: EP4078589A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Magnetic memory including a magnetoresistive element

Номер патента: US8530987B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Magnetic memory devices and methods of formation

Номер патента: US12075628B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Hsin-Wei Tseng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile solid-state magnetic memory, method for controlling coercive force of nonvolatile solid-state magnetic memory, and method for recording in nonvolatile solid-state magnetic memory

Номер патента: US20040085827A1. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Daichi Chiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2004-05-06.

Magnetic memory

Номер патента: US20240274176A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic memory

Номер патента: US12069962B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220093848A1. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301195A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Three-dimensional and planar memory device co-integration

Номер патента: US20200286956A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Resistive memory device having field enhanced features

Номер патента: US09997703B2. Автор: Zhang-Lin Zhou,Xia Sheng,Si-Ty Lam,Richard H. Henze. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780144B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Sidewall insulated resistive memory devices

Номер патента: US20180301507A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetic memory, a method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070181964A1. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Spin transfer torque magnetic memory device using magnetic resonance precession and the spin filtering effect

Номер патента: US09478729B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Soo-Man Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US09779835B1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US20180268889A1. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US10650874B2. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-05-12.

Josephson magnetic memory cell system

Номер патента: CA2874551C. Автор: Donald Miller,Anna Y. Herr,Ofer Naaman,Norman O. BIRGE. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640755B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09691816B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09865800B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US09515123B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09634240B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Kyung Rae Byun,Eunsun Noh,Byoungjae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09437654B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory device comprising oxide patterns

Номер патента: US09893272B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Hyunsoo Shin,Byoungjae Bae,Jaesuk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US09608199B1. Автор: Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11770937B2. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Read/write elements for a three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US20100039849A1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Jordan A. Katine,Bruce D. Terris,Barry Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for reducing size and center positioning of magnetic memory element contacts

Номер патента: US09793467B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Yong Ju Lee,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana Golizadeh Mojard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetic memory device with balancing synthetic anti-ferromagnetic layer

Номер патента: US20200005845A1. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu,William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Multi-bit magnetic memory device using spin-polarized current and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP1689006A3. Автор: Yong-su Kim,Chee-kheng Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Magnetic memory

Номер патента: US12052875B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic memory and method of manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09893121B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Masahiko Nakayama,Kuniaki Sugiura,Yasuyuki Sonoda,Min Suk Lee,Ji Hwan HWANG. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321040A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287590A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091227A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230165161A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220302206A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091228A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09450177B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230117646A1. Автор: Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269386A1. Автор: Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Three-dimensional (3D) magnetic memory devices comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) having a metallic buffer layer

Номер патента: US11456410B2. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152251A1. Автор: Juhyun Kim,Ung Hwan Pi,Ki Woong Kim,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230298649A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic Memory Devices and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180040667A1. Автор: Juhyun Kim,Jae Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077388A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140145279A1. Автор: Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Yushi Kato,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-05-29.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230397438A1. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230269950A1. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Magnetic memory

Номер патента: US20210280635A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20240055028A1. Автор: Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Non-Volatile Magnetic Memory with Low Switching Current and High Thermal Stability

Номер патента: US20120205761A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

Номер патента: US20120205763A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Memory device assembly with a leaker device

Номер патента: US20240049473A1. Автор: Ashonita A. Chavan,Aditi P. Kulkarni,Aysha Siddique SHANTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Microelectronic devices and memory devices including vertically spaced transistors and storage devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240357793A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088346A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280189A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923138B2. Автор: Jae Hoon Kim,Sang Hwan Park,Kwangseok KIM,Keewon Kim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US09966122B2. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Asymmetric patterned magnetic memory

Номер патента: US20050073016A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory using spin orbit interaction

Номер патента: US09508923B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US7193287B2. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US20110303998A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622545B2. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088345A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277744A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088862A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US10573805B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090250776A1. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Hiroshi Takada,Shuichi Ueno,Kiyoshi Kawabata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210005806A1. Автор: Woojin Kim,Junghwan Moon,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory

Номер патента: US20190088858A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: US20210184094A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetic device and manufacturing method therefor, magnetic memory and electronic device

Номер патента: EP4358139A1. Автор: Wei Zhu,XUE Zhou,Xuepeng Qiu,Qing QIN,Huifang JIAO,Zhongqi Xu,Huanglin YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US9691457B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US11832528B2. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160379696A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic memory element

Номер патента: US20240194235A1. Автор: Satoru Nakatsuji,Tomoya HIGO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Horizontal magnetic memory device using in-plane current and electric field

Номер патента: US09647030B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Seo-Won Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetism-controllable dummy structures in memory device

Номер патента: US09698200B2. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Darin Chan,Wanbing YI,Shunqiang Gong,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US09799383B2. Автор: Tatsuya Kishi,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Conductive alloy layer in magnetic memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US11770979B2. Автор: Andrew Smith,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Christopher WIEGAND,Angeline SMITH,Justin BROCKMAN,Tofizur RAHMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US09484529B2. Автор: Woojin Kim,Sechung Oh,Jeahyoung Lee,Junho Jeong,Woochang Lim,Jangeum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: WO2020109754A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US09508925B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for manufacturing a magnetic random-access memory device using post pillar formation annealing

Номер патента: US12069957B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Jacob Anthony HERNANDEZ,Georg Wolf,Thomas D. Boone. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory, magnetic memory device, and method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09515124B2. Автор: Yuuzo Kamiguchi,Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168790A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09647201B2. Автор: Jongchul Park,Kyung Rae Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20210043681A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20230209838A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic memory devices including in-plane current layers

Номер патента: US09882120B2. Автор: Jisu Ryu,Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050383A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Jangeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200279596A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tomoaki Inokuchi,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama,Susumu Takeda,Shinobu Fujita,Kazutaka IKEGAMI,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US11074951B2. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200302988A1. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09985200B2. Автор: JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US10516095B2. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US12119036B2. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US09627609B2. Автор: Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Multiferroic-assisted voltage controlled magnetic anisotropy memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220068337A1. Автор: Neil Smith,Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US10084126B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269381A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Unidirectional spin torque transfer magnetic memory cell structure

Номер патента: US09589618B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile magnetic memory device

Номер патента: US09508919B2. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Implementing 3D scalable magnetic memory with interlayer dielectric stack and pillar holes having programmable area

Номер патента: US09443905B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Quantum computing device spin transfer torque magnetic memory

Номер патента: US09460397B2. Автор: Dmytro Apalkov,Matthew J. Carey,Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy,Mohamad Towfik Krounbi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Magnetic memory using spin current, operating method thereof, and electronic apparatus including magnetic memory

Номер патента: US20230352072A1. Автор: Kwangseok KIM,Kaixuan Zhang,Je-Geun PARK,Jingyuan CUI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US20170084827A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Waveguide ferrite switch with magnetic memory

Номер патента: RU2698544C1. Автор: Александр Владимирович Сорокин,Юрий Александрович Светлаков,Владимир Николаевич Бородин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-08-28.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09673387B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09520444B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic Memory Cell and Magnetic Memory

Номер патента: US20240331753A1. Автор: Hong Jian,Fantao MENG,Yihui SUN,Junlu GONG. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09899595B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09659996B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Multiple-bits-per-cell voltage-controlled magnetic memory

Номер патента: US09450020B2. Автор: Pedram Khalili Amiri. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-09-20.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09431457B1. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Spin orbit torque (SOT) magnetic memory cell and array

Номер патента: US09830968B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshiaki Asao,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic Memory Device Based on Perpendicular Exchange Bias and Method of Manufacturing Magnetic Memory Device

Номер патента: US20240032443A1. Автор: Ji-Sung Lee,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh,Byong-Guk Park,Jaimin Kang,Soogil Lee,Dae-Kyu Koh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory

Номер патента: US09858974B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Implementing magnetic memory integration with CMOS driving circuits

Номер патента: US09780143B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory element

Номер патента: RU2585578C2. Автор: Жиль Луи ГОДЕН,Иоан Михай МИРОН,Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА,Ален ШУЛЬ. Владелец: Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа). Дата публикации: 2016-05-27.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory

Номер патента: AU5152399A. Автор: Helmut Fritzsche,Thorsten Nawrath,Jan Nowikow,Hansjörg MALETTA. Владелец: Hahn Meitner Institut Berlin GmbH. Дата публикации: 1999-12-13.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09698340B2. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09705073B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory device, method for manufacturing the same, and substrate treating apparatus

Номер патента: US20200091412A1. Автор: Jeong-Heon Park,Hyun Cho,Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device with varying direction of magnetization and method of manufacturing the same

Номер патента: US8901531B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200203597A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200357980A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220216266A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Implementing segregated media based magnetic memory

Номер патента: US09444036B1. Автор: Bruce Gurney,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307100A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8729649B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191345A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210125652A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory

Номер патента: US09620189B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Hiroshi Imamura,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Daisuke Saida,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

High capacity low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US09478279B2. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetic Memory and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20170077174A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230189662A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: EP2255361A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: WO2009117228A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-09-24.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11922985B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11942127B2. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Defect Propagation Structure and Mechanism for Magnetic Memory

Номер патента: US20200105326A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic memory and manufacturing method

Номер патента: US20240221809A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Tomoe Nishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287637A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Shinji Myano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Voltage-controlled gain-cell magnetic memory

Номер патента: US20230045804A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Shehrin Sayed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-16.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US9935260B2. Автор: Shogo ITAI,Chikayoshi Kamata,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multilayer free magnetic layer structure for spin-based magnetic memory

Номер патента: US20200006625A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Gary Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory based on spin hall effect

Номер патента: US09985201B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory

Номер патента: US09916882B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic memory

Номер патента: US20030137870A1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Magnetic memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20170365357A1. Автор: Kenji Noma,Shinya Kobayashi,Mikio Miyata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Magnetic memory cell structure with spin device elements and method of operating the same

Номер патента: US09552860B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Electric-field-induced switching of antiferromagnetic memory devices

Номер патента: US20210383850A1. Автор: Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230165164A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory device and driving method for the same

Номер патента: US20150078070A1. Автор: Shiho Nakamura,Tetsufumi Tanamoto,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Race track magnetic memory device and writing method thereof

Номер патента: US20210125653A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Teruo Ono,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US09564152B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20220262419A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11348626B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Magnetic memory device utilizing magnetic domain wall motion

Номер патента: US20150070980A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Osada,Sumiko Domae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic memory devices and methods for initializing the same

Номер патента: US20230165158A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20170278557A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11935573B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20210050044A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210134380A1. Автор: Sungchul Lee,Eunsun Noh,Unghwan PI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic memory

Номер патента: US20200303457A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Megumi Yakabe,Agung Setiadi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory

Номер патента: US10658573B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

3d magnetic memory device based on pure spin currents

Номер патента: US20180122460A1. Автор: Gokce Ozbay,Ozhan Ozatay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20140353783A1. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US11805659B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230040502A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kyung-Jin Lee,Jeongchun Ryu,Byongguk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088855A1. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168260A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180174634A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180040810A1. Автор: Eunsun Noh,Whankyun Kim,Joongmyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Non-volatile magnetic memory cell and devices

Номер патента: US6034887A. Автор: Arunava Gupta,Rajiv V. Joshi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Magnetic memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230292630A1. Автор: Yukio Hayakawa,Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088859A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098686A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US10867649B2. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210126189A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152700A1. Автор: Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US20210175284A1. Автор: Andrew Smith,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Christopher WIEGAND,Angeline SMITH,Justin BROCKMAN,Tofizur RAHMAN,Juan G. Alzate-Vinasco,James Pellegren,Yu-Jin Chen,Aaron Littlejohn,Tanmoy Pramanik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12010925B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US20230274772A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200020374A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190279699A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US7598577B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170316813A1. Автор: Hyun Woo Lee,Byong Guk Park,Kyung Jin Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-02.

Magnetic memory device and method for controlling same

Номер патента: US20200035283A1. Автор: Shinji Yuasa,Takayuki Nozaki,Yoichi Shiota. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-30.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Magnetic memory device

Номер патента: GB927905A. Автор: Cravens Lamar Wanlass. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1963-06-06.

Magnetic memory device and memory system

Номер патента: US11875834B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210125654A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190035448A1. Автор: Mariko Shimizu,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic memory element, method for producing same, and magnetic memory

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Toshinari Watanabe,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20220102426A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210082998A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050508A1. Автор: Woojin Kim,HyeongSun HONG,Junghwan Moon,Seowon Lee,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory

Номер патента: US20180025763A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US09666640B2. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Ferromagnetic liner for conductive lines of magnetic memory cells

Номер патента: US20070105241A1. Автор: Rainer Leuschner,Michael Gaidis,Lubomyr Romankiw,Judith Rubino. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-10.

Writing of a magnetic memory with electric pulses

Номер патента: US20190088300A1. Автор: Yang Yang,Sayeef Salahuddin,Jeffrey Bokor,Jon Gorchon,Richard Brian Wilson,Charles Henri Alexandre Lambert. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-03-21.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US20160276407A1. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Selection circuit with autobooting for magnetic memory and methods therefor

Номер патента: US09911481B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09640756B2. Автор: Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory and semiconductor-integrated-circuit

Номер патента: US09570137B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating magnetic memory device

Номер патента: US20220020918A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetic memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069558A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Choon Kun Ryu,Min Suk Lee,Jae Geun Oh,Hyung Suk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Magnetic Memory Element Incorporating Dual Perpendicular Enhancement Layers

Номер патента: US20210159399A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetic Memory Element Including Perpendicular Enhancement Layers and Dual Oxide Cap Layers

Номер патента: US20230403945A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic memory device using doped semiconductor layer

Номер патента: US11930719B2. Автор: Manijeh Razeghi,Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-12.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

Magnetic memory and method for manufacturing same

Номер патента: US9831423B2. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory

Номер патента: US20200090775A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Memory devices

Номер патента: GB1272551A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-05-03.

Method for measuring an external magnetic field by at least one magnetic memory point

Номер патента: US20230358826A1. Автор: Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Magnetic Storage Track and Magnetic Memory

Номер патента: US20170133072A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Shujie Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic memory

Номер патента: US20230309321A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: US20200168261A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US20210079517A1. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210028228A1. Автор: Jeong-Heon Park,Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetic memory

Номер патента: US20230071519A1. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20240049475A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US11834738B2. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory

Номер патента: US20110078538A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Sumio Ikegawa,Kenji Tsuchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: AU2003302985A1. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-09.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J M Denissen. Владелец: Adrianus J M Denissen. Дата публикации: 2005-04-14.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20210020827A1. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetic memory

Номер патента: US10944045B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Magnetic memory cell having deterministic switching and high data retention

Номер патента: US20200357982A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Witold Kula,Marc Drouard,Gilles Gaudin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic memory

Номер патента: US11871586B2. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Magnetic memory

Номер патента: US20210159397A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20190189909A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Magnetic memory

Номер патента: US20230076828A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Encapsulated magnetic memory element

Номер патента: US3640767A. Автор: Thomas Philip Fulton,Henry Di Luca. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

Magnetic memory

Номер патента: US20180375015A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Fine Structural Body, Method For Manufacturing Fine Structural Body, Magnetic Memory, Charge Storage Memory And Optical Information Recording Medium

Номер патента: US20110287282A1. Автор: Kazuhito Hashimoto,Shin-ichi Ohkoshi,Hiroko Tokoro,Fumiyoshi Hakoe,Yoshihide Tsunobuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140027870A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Noma,Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Magnetic memory structure

Номер патента: US11758821B2. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device having shared source line and bit line

Номер патента: US11903325B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen,Bo-Chang Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Magnetic memory device having shared source line and bit line

Номер патента: US20210313509A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen,Bo-Chang Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic memory device having shared source line and bit line

Номер патента: EP3890023A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen,Bo-Chang Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Magnetic memory device having shared source line and bit line

Номер патента: US20220263012A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen,Bo-Chang Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing integrated magnetic memories

Номер патента: US3819341A. Автор: R Ponnet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-06-25.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155332A1. Автор: Kenji Noma,Takashi Nakazawa,Takeshi Kajiyama,Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-04.

Spintronics device, magnetic memory, and electronic apparatus

Номер патента: US11875832B2. Автор: Yukio Nozaki. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09646981B2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589981B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: US20240304598A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: WO2024186577A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Errors and erasures decoding from multiple memory devices

Номер патента: US09680509B2. Автор: Zion S. Kwok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Electroentropic memory device

Номер патента: US09679630B2. Автор: Sean William Reynolds,David Reginald Carver,Bradford Wesley Fulfer,Sean Claudius Hall,Jaime Hayes GIBBS,Chase Koby Andrepont. Владелец: Carver Scientific Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM

Номер патента: US09564217B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure having a dual-gate non-volatile memory device and methods for making same

Номер патента: US09466608B1. Автор: Weize Chen,Patrice M Parris,Richard J De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Microelectronic device packages including wirebonding and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240153914A1. Автор: Akanksha Sahoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: US20130134419A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Utilization of a memory device for per-user encryption

Номер патента: US20240267208A1. Автор: Zhan Liu,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A3. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2013-04-11.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus for authorizing a print device to perform a service using a portable memory device

Номер патента: US09930217B2. Автор: Donald J. Gusmano. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Query operations for stacked-die memory device

Номер патента: US09818455B2. Автор: James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena,Yasuko ECKERT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional memory device containing CMOS devices over memory stack structures

Номер патента: US09530790B1. Автор: Wei Zhao,Zhenyu Lu,Jian Chen,Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Henry Chien,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210398997A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Resistive memory device

Номер патента: US8547721B2. Автор: Changbum Lee,Bosoo Kang,Seungeon Ahn,Kihwan Kim,Changjung Kim,Myungjae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Programmable magnetic memory device

Номер патента: WO2004032145A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Gavin N Phillips. Владелец: Gavin N Phillips. Дата публикации: 2005-06-16.

Replacement memory device

Номер патента: EP1540656A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-06-15.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A3. Автор: Kenneth K Smith,Colin A Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-04-21.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2004-03-04.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US20160224242A1. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US09886199B2. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Memory Device for Emulating Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20170220301A1. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device for emulating dynamic Random access memory (DRAM)

Номер патента: US09921782B2. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Programmable magnetic memory device fp-mram

Номер патента: US20070081381A1. Автор: Kars-Michiel Lenssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetic plated wire memory device

Номер патента: US3852725A. Автор: T Miyashita,Y Aida,I Ogura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1974-12-03.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor resistive memory devices including separately controllable source lines

Номер патента: US09620190B2. Автор: Jaekyu Lee,Kiseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US20160012920A1. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: WO2005081254A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: US20050180239A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Tester for testing magnetic memory

Номер патента: US09678179B2. Автор: Tatsuya Kishi,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device, operational processing device and storage system

Номер патента: US20080225622A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: WO2008010957A3. Автор: DING Yunfei. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US09466350B2. Автор: Minoru Amano,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Sensing circuit for magnetic memory unit

Номер патента: US20020085440A1. Автор: Jy-Der Tai. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Apparatus and method for writing and reading digital information on a magnetic memory including a superconducting material

Номер патента: US5553036A. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-03.

Magnetic cache for a memory device

Номер патента: US11948617B2. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetic cache for a memory device

Номер патента: US20220180912A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Write apparatus and magnetic memory

Номер патента: US09741418B2. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09548093B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic memory having ROM-like storage and method therefore

Номер патента: US09576636B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetic memory device comprising a current pulse generator, and method of operating such a magnetic memory device

Номер патента: EP4141871A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche,Jérémie VIGIER. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-03-01.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-05-06.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: US20130286505A1. Автор: Yoshihiro Shiroishi,Hiroshi Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20220115049A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20060239065A1. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US7352615B2. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDX Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Magnetic memory, and programming control method, reading method, and magnetic storage device of the magnetic memory

Номер патента: US20210090630A1. Автор: Tao Wang,Hao Ni,Dan Ning,Zi Jian ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic memory

Номер патента: US20160055891A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Sumio Ikegawa,Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory

Номер патента: US7471551B2. Автор: Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US20200294610A1. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US11037643B2. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US20240029811A1. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US12002533B2. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Magnetic memory device

Номер патента: EP4297034A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410868A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory structure with improved half-select margin

Номер патента: US6134139A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Magnetic memory, method of recording data to and reproducing data from magnetic memory, and method of operating magnetic memory

Номер патента: US9396811B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US8634237B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Magnetic memory

Номер патента: EP1073061A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Magnetic memory and method of operation thereof

Номер патента: US20020167033A1. Автор: Takeshi Okazawa,Katsumi Suemitsu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: EP1714287A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20130077395A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Direct writing method of magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: US20080180988A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-31.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US9741453B2. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Optical magnetic memory device utilizing non-recorded portions of recording medium to represent data

Номер патента: US4939710A. Автор: Shigemi Maeda,Takeshi Yamaguchi,Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji,Shozou Kobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-07-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263329A1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US10141067B2. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Scrambler of information stored on magnetic memory media

Номер патента: US5666413A. Автор: Christopher J. Kempf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-09.

Magnetic memory matrix with keepers

Номер патента: US3593323A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-13.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Camera using film having a magnetic memory portion

Номер патента: US5749007A. Автор: Hiroshi Sakurai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US11894038B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Controlled temperature, thermal-assisted magnetic memory device

Номер патента: US20050180238A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-18.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20220051710A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20240119983A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

On-line magnetic memory stress detection system

Номер патента: NL2032794B1. Автор: LIU BIN,Liu Tong,Zhang He,Ren Jian,LIAN Zheng,HE Luyao,Yang Lijian,Ma Xue,Ding Liying,Fu Yanduo. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2024-02-27.

Magnetic Memory System Using Mram-Sensor

Номер патента: US20080316801A1. Автор: Jaap Ruigrok,Hans M.B. Boeve,Friso J. Jedema. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-25.

Non-destructive readout magnetic memory

Номер патента: GB1062180A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-03-15.

Magnetic memory

Номер патента: US9343129B2. Автор: Naoharu Shimomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Camera using a film with a magnetic memory portion and having a control unit for causing recording of predetermined data together with the ID for voluntarily set data

Номер патента: US5479228A. Автор: Hideo Tamamura,Toru Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

System and method of calibrating a read circuit in a magnetic memory

Номер патента: US20050073890A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner,Richard Hilton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-04-07.

Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof

Номер патента: US5103422A. Автор: Hajime Yuzurihara,Motoharu Tanaka,Toshiaki Tokita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-07.

Multiple bit magnetic memory cell

Номер патента: US6081446A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhatacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-06-27.

Frequency resistance access magnetic memory

Номер патента: US9208846B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2015-12-08.

Frequency Resistance Access Magnetic Memory

Номер патента: US20140160834A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2014-06-12.

Magnetic memory

Номер патента: US8830718B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Improvements in or relating to magnetic memory elements

Номер патента: GB875192A. Автор: Ernest Franklin,Thomas Henry O'dell. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1961-08-16.

Magnetic memory

Номер патента: EP1750275A2. Автор: Susumu Haratani,Takashi Asatani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Magnetic memory disc pack balancing system

Номер патента: US3817088A. Автор: P Herbig. Владелец: Caelus Memories Inc. Дата публикации: 1974-06-18.

Improvements in or relating to magnetic memory elements and arrays thereof

Номер патента: GB1021700A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1966-03-09.

Magnetic memory employing stress wave

Номер патента: GB1113417A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-05-15.

Magnetic memory

Номер патента: US8238144B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Filamentary magnetic memory with electrostatic shielding

Номер патента: US3699549A. Автор: Joseph F Martin,Thaddeus F Bryzinski. Владелец: Stromberg Carlson Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Data exchange circuit for a magnetic memory apparatus

Номер патента: US4424536A. Автор: Yasuich Hashimoto,Yasuyuki Oda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Magnetic memory film

Номер патента: US3630772A. Автор: Hans-Heinrich Credner,Bernhard Seidel. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1971-12-28.

Quarter-half cycle coding for rotating magnetic memory system

Номер патента: US3631428A. Автор: Wayne J King. Владелец: PACIFIC MICRONETICS Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Frame structure for magnetic memory planes

Номер патента: US3675222A. Автор: Michihiro Torii,Fujio Yamakawa,Seihin Kobayashi. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1972-07-04.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09740433B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09542123B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Host verification for a memory device

Номер патента: US20240361950A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: WO2021119203A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US09594611B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device, information-processing device and information-processing method

Номер патента: US09575887B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Daisuke Iwai,Shoji Sawamura,Takaya HORIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Ultra-deep power-down mode for memory devices

Номер патента: US09483108B2. Автор: Paul Hill,Yongliang Wang,Danut Manea,Stephen Trinh,Richard V. De Caro. Владелец: Artemis Acquisition LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Power loss protection of data in memory devices

Номер патента: US11747994B2. Автор: Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240347084A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Parallel scheduling of write commands to multiple memory devices

Номер патента: US09952779B2. Автор: Barak Baum,Etai Zaltsman,Moti Altahan,Roman Gindin,Yoni Labenski,Yoram Harel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Rebalancing operation using a solid state memory device

Номер патента: US09881039B2. Автор: Abhinay R. Nagpal,Sandeep Ramesh Patil,Yan Wang Stein,Harshwardhan S. Mulay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US09785578B2. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Using external memory devices to improve system performance

Номер патента: US09690496B2. Автор: Cenk Ergan,Michael R. Fortin,Alexander Kirshenbaum,Robert L. Reinauer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Device for contactless communication and use of a memory device

Номер патента: US09622808B2. Автор: Juergen Beller,Uwe Schnitzler,Peter Selig. Владелец: Erbe Elecktromedizin GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Protocol for refresh between a memory controller and a memory device

Номер патента: US09570145B2. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Accessing a serial number of a removable non-volatile memory device

Номер патента: US09552855B2. Автор: Robert D. Widergren,Eric R. Hamilton,John L. Douglas. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Performance evaluation of solid state memory device

Номер патента: US09524800B2. Автор: Thomas J. Griffin,Dustin J. VanStee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device having a controller unit and an information-processing device including a memory device having a controller unit

Номер патента: US09524121B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514142B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514141B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods and devices for temperature sensing of a memory device

Номер патента: US09424891B2. Автор: David R. Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US20230236734A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: WO2021081419A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US12073088B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Parallel boot execution of memory devices

Номер патента: US11734018B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

2-port memory device

Номер патента: US20020161977A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Techniques for firmware enhancement in memory devices

Номер патента: US12112066B2. Автор: Jia Sun,Ming Ma,Zhengbo Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device overhead reduction using artificial intelligence

Номер патента: US12131065B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device capable of adjusting operation voltage and application processor for controlling the memory device

Номер патента: US09891855B2. Автор: Soo-Hwan Kim,Hui-Kap YANG,Myung-Kyoon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09861826B2. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Error status determination at a memory device

Номер патента: US12141028B2. Автор: Scott E Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: US09552176B2. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Storage devices including memory device and methods of operating the same

Номер патента: US09460005B2. Автор: Su-Ryun LEE,Youn-Won Park,Hong-Suk Choi,Chun-Um Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09440086B2. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: US09367391B2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Storage device, memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170076756A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Memory device wear-leveling techniques

Номер патента: WO2011090547A2. Автор: Yen Lin,Howard Tsai,Nirmal Saxena,Dimitry Vyshetsky. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120002463A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120003757A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.