Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Three-dimensional magnetic memory element

Номер патента: US09601544B2
Опубликовано: 21-03-2017
Автор(ы): Tai Min
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691968B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590173B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory element with a hardmask stack having different stress levels

Номер патента: US20230189655A1. Автор: Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Oscar van der Straten,Daniel Charles Edelstein,Scott A. DeVries,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic memory and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991313B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Won Joon Choi,Ki Seon Park,Bo Mi Lee,Guk Cheon Kim,Yang Kon KIM. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09899594B2. Автор: Yong-sung Park,Ju-Hyun Kim,Ki-Woong Kim,Se-Chung Oh,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US09882119B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory having magnetoresistive element and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09595663B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10897006B2. Автор: Yongjae Kim,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200161368A1. Автор: Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US10388854B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389440A1. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263852A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088856A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280195A1. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180114897A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10847576B2. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083290A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Seed layers for a non-volatile memory element

Номер патента: US20200357984A1. Автор: Yuichi Otani,Kazutaka Yamane,Ganesh Kolliyil Rajan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345842A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Keng-Ming Kuo,Yuan-Jen Lee,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic Memory Array Incorporating Selectors and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200006422A1. Автор: Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20240206347A1. Автор: Jeng-Hua Wei,Siddheswar Maikap,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US10236437B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160329487A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetic memory device having an electrode continuously provided on a wiring

Номер патента: US11895925B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220085281A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200303628A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234268A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9065041B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230292529A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150263276A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240016067A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Chun-Lung Chen,Chung Yi Chiu,Chih-Wei Kuo,Yi-Wei Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230232637A1. Автор: Hui-Lin WANG,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US11018187B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200083291A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200083289A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10707356B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US12058941B2. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324470A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240349621A1. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory devices using spin current and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240251685A1. Автор: Naoki Hase,Jungsik Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US09570671B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508922B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190006580A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US10193057B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170117454A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Magnetic memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240057483A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20150263265A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230309413A1. Автор: Eiji Kitagawa,Young Min EEH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301116A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Keorock CHOI,Cha Deok Dong,Takuya Shimano,Bokyung JUNG,Gukcheon Kim. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220013579A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240268238A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Junghyeok KWAK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: EP4447644A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-10-16.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: US20240349623A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099021A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Magnetoresistive memory elements for spin-transfer torque (STT) and spin-orbit torque (SOT) random access memories

Номер патента: US12114578B2. Автор: Dmytro Apalkov,Roman Chepulskyy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US11770981B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240090338A1. Автор: Junghwan Park,YeonHo Choi,Kyungil Hong,Gyuwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09831422B2. Автор: Stuart S. P. Parkin,Woojin Kim,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Read/write elements for a three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US20100039849A1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Jordan A. Katine,Bruce D. Terris,Barry Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Magnetic memory element and semiconductor device

Номер патента: US20240292759A1. Автор: Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Masaki Endo,Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada,Yuito Kageyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device with nonmagnetic layer having two additive elements

Номер патента: US12075629B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324241A1. Автор: Tian Li,Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12089505B2. Автор: Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240365678A1. Автор: Kwang Seok Kim,Ki Woong Kim,Seonggeon Park,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099156A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11980104B2. Автор: Hideyuki Sugiyama,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Soichi Oikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for screening arrays of magnetic memories

Номер патента: US20140010003A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240315143A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Ku Youl JUNG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US12063869B2. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099158A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Arrays of magnetic memory cells

Номер патента: EP3693998A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Magnetic sensor with ultrahigh three-dimensional magnetic field detection sensitivity and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111312892A. Автор: 张卉,黄火林,马凯鸣. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-06-19.

High-temperature Hall sensor integrating back vertical type and front horizontal type three-dimensional magnetic field detection functions and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110890457A. Автор: 张卉,黄火林. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-03-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory

Номер патента: EP1796101A3. Автор: Susumu Haratani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: US20240268241A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: EP4412425A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Resistive memory elements having conductive islands embedded within the switching layer

Номер патента: US20220069013A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20070012972A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetic memory

Номер патента: US20120241884A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240249760A1. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory elements with a narrowed electrode

Номер патента: US20210320249A1. Автор: Eng Huat Toh,Lup San Leong,Juan Boon Tan,Kin Wai Tang,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Strained multilayer resistive-switching memory elements

Номер патента: US9735356B2. Автор: Jennifer L. M. Rupp,Sebastian Schweiger,Felix Messerschmitt. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure and method for memory element to confine metal with spacer

Номер патента: US20240130255A1. Автор: Young Seon You,Suk Hee JANG,Robert Viktor Seidel,Anastasia Voronova. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Self-aligned contact scheme for pillar-based memory elements

Номер патента: US20210020508A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Resistive memory elements accessed by bipolar junction transistors

Номер патента: US20240147736A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Alexander Derrickson,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US20130140511A1. Автор: Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11944014B2. Автор: Hyun Cho,Jaehoon Kim,Sechung Oh,Yongsung PARK,Sanghwan Park,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US11942128B2. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301195A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220093848A1. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetic memory including a magnetoresistive element

Номер патента: US8530987B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Nonvolatile memory element having a variable resistance layer whose resistance value changes according to an applied electric signal

Номер патента: US8686390B2. Автор: Takeshi Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Methods of fabricating three-dimensional magnetic memory devices

Номер патента: US10797233B2. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Nonvolatile solid-state magnetic memory, method for controlling coercive force of nonvolatile solid-state magnetic memory, and method for recording in nonvolatile solid-state magnetic memory

Номер патента: US20040085827A1. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Daichi Chiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2004-05-06.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: US20130285004A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Programmable resistance memory elements with electrode interface layer and memory devices including the same

Номер патента: US20160043310A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09553258B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive memory elements, resistive memory cells, and resistive memory devices

Номер патента: US09419220B2. Автор: John K. Zahurak,D. V. Nirmal Ramaswamy,Muralikrishnan Balakrishnan,Sanh D. Tang,Alessandro Torsi,Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09419208B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US09779835B1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Spin transfer torque magnetic memory device using magnetic resonance precession and the spin filtering effect

Номер патента: US09478729B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Soo-Man Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory elements having conductive structures with semimetals and/or semiconductors

Номер патента: US09711719B2. Автор: John Ross JAMESON,Foroozan Sarah Koushan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetoresistive Memory Element and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20160163964A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Magnetoresistive Memory Element and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20160013401A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US20230071580A1. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Variable resistance nonvolatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US9142773B2. Автор: Takeshi Takagi,Koji Katayama,Yoshio Kawashima,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-22.

Magnetic memory device and element

Номер патента: US09735343B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Method for reducing size and center positioning of magnetic memory element contacts

Номер патента: US09793467B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Yong Ju Lee,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana Golizadeh Mojard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09865800B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09691816B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory and method of manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09893121B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Masahiko Nakayama,Kuniaki Sugiura,Yasuyuki Sonoda,Min Suk Lee,Ji Hwan HWANG. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640755B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US09515123B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Magnetic memory device with balancing synthetic anti-ferromagnetic layer

Номер патента: US20200005845A1. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu,William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091227A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11770937B2. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140021434A1. Автор: Naomi Yamada,Akira Kouchiyama,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory device comprising oxide patterns

Номер патента: US09893272B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Hyunsoo Shin,Byoungjae Bae,Jaesuk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09634240B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Kyung Rae Byun,Eunsun Noh,Byoungjae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US09608199B1. Автор: Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09450177B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09437654B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220302206A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091228A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Multilayered seed structure for perpendicular MTJ memory element

Номер патента: US09793319B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen,Roger K. Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Multi-bit memory elements, memory devices including the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09484087B2. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: CA2001682A1. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-28.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: US5196912A. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-23.

Three-dimensional (3D) magnetic memory devices comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) having a metallic buffer layer

Номер патента: US11456410B2. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321040A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230397438A1. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140145279A1. Автор: Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Yushi Kato,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-05-29.

Magnetic Memory Devices and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180040667A1. Автор: Juhyun Kim,Jae Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287590A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230117646A1. Автор: Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230165161A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152251A1. Автор: Juhyun Kim,Ung Hwan Pi,Ki Woong Kim,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230269950A1. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269386A1. Автор: Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory, a method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070181964A1. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077388A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory

Номер патента: US20210280635A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory element and memory device

Номер патента: US9159911B2. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Method for manufacturing a non-volatile, virtual ground memory element

Номер патента: US5384272A. Автор: Bradley T. Moore,Effiong E. Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Three-dimensional magnetic memory array with a minimal number of access conductors therein and methods thereof

Номер патента: US6982894B2. Автор: Garry Mercaldi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-03.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory element and memory apparatus having multiple magnetization directions

Номер патента: US8809978B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US8563959B2. Автор: Tony Chiang,Chi-l Lang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088346A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120061638A1. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Resistive switching memory element including doped silicon electrode

Номер патента: US8502187B2. Автор: Wen Wu,Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280189A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Resistance memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073833A1. Автор: Hiroyasu Kawano,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory

Номер патента: US20240274176A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetic memory

Номер патента: US12069962B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US09966122B2. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory using spin orbit interaction

Номер патента: US09508923B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetoresistive memory element having a metal oxide tunnel barrier

Номер патента: US09444037B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Dimitri Houssameddine,Jason Janesky. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: WO2021126385A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Structure and method for memory element to confine metal with spacer

Номер патента: EP4355051A1. Автор: Young Seon You,Suk Hee JANG,Robert Viktor Seidel,Anastasia Voronova. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: US20210184094A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: EP4078589A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US20140169087A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory element and memory apparatus with a plurality of magnetic layers and an oxide layer

Номер патента: US20150303375A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Non-volatile memory elements

Номер патента: US5973357A. Автор: Junichi Hikita,Hiromi Uenoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US09484528B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20080185567A1. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Chi-I Lang,Tony Chiang,Jihhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Resistive memory elements with multiple input terminals

Номер патента: US11744166B2. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US9691457B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210005806A1. Автор: Woojin Kim,Junghwan Moon,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622545B2. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088345A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277744A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160379696A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetic memory

Номер патента: US20190088858A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic device and manufacturing method therefor, magnetic memory and electronic device

Номер патента: EP4358139A1. Автор: Wei Zhu,XUE Zhou,Xuepeng Qiu,Qing QIN,Huifang JIAO,Zhongqi Xu,Huanglin YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088862A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US10573805B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Forming an intermediate electrode between an ovonic threshold switch and a chalcogenide memory element

Номер патента: US7638789B2. Автор: John M. Peters. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120147656A1. Автор: Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Metal chalcogenide film, memory element including same, and method for manufacturing phase-change heterolayer

Номер патента: US20240057347A1. Автор: Hyungjun Kim,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Hajun SUNG,Sangyoon Lee,Changyup Park,Seung-Min Chung,Inkyu Sohn. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-02-15.

Asymmetric patterned magnetic memory

Номер патента: US20050073016A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Integrated circuit including memory element with spatially stable material

Номер патента: US20090050870A1. Автор: Thomas Happ,Bernhard Ruf,Petra Majewski,Dieter Andres. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: WO2013148723A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Conductive filament based memory elements and methods with improved data retention and/or endurance

Номер патента: US20130001503A1. Автор: Antonio R. Gallo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Thermally written magnetic memory device

Номер патента: US20060017126A1. Автор: Thomas Anthony,Manoj Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-26.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Carbon-based memory element

Номер патента: US20120001142A1. Автор: Charalampos Pozidis,Christophe P. Rossel,Abu Sebastian,Daniele Caimi,Evangelos S. Eleftheriou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: US20050012086A1. Автор: Jon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A3. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for making tapered opening for programmable resistance memory element

Номер патента: WO2004086459A2. Автор: John Rodgers,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-10-07.

Resistive memory element with heater

Номер патента: EP1797565A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-20.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A2. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2003-08-14.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US11832538B2. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Josephson magnetic memory cell system

Номер патента: CA2874551C. Автор: Donald Miller,Anna Y. Herr,Ofer Naaman,Norman O. BIRGE. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US20180268889A1. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US10650874B2. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-05-12.

Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

Номер патента: WO2002065475A2. Автор: Xian Ning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist

Номер патента: US20030039924A1. Автор: Jon Maimon,Andrew Pomerene. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Method for making small pore for use in programmable resistance memory element

Номер патента: US20030027398A1. Автор: Patrick Klersy,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Element for detecting a three-dimensional magnetic field and a device for detecting a three-dimensional magnetic field

Номер патента: RU2737782C1. Автор: Ёсинобу ХОНКУРА. Владелец: Асахи Интекк Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-02.

Three-Dimensional Magnetic Field Detection Element And Three-Dimensional Magnetic Field Detection Device

Номер патента: MY195772A. Автор: Yoshinobu Honkura. Владелец: Asahi Intecc Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-10.

Three-dimensional magnetic field detection element and three-dimensional magnetic field detection device

Номер патента: CA3045788C. Автор: Yoshinobu Honkura. Владелец: Asahi Intecc Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for Producing and Designing Complex Three-Dimensional Magnetic Shielding Elements, Shielding Elements, and the Use Thereof

Номер патента: US20230332276A1. Автор: Robert Vehof,Bas-Jan Hoogenberg,Brian Brady,Guillermo Dominguez,Karl Radlmayr. Владелец: Voelstalpine Metal Forming GmbH. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-Volatile Magnetic Memory with Low Switching Current and High Thermal Stability

Номер патента: US20120205761A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

Номер патента: US20120205763A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Highly integrated dynamic memory element

Номер патента: US4244035A. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-01-06.

Magnetic memory

Номер патента: US12052875B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: EP4312479A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Multi-bit magnetic memory device using spin-polarized current and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP1689006A3. Автор: Yong-su Kim,Chee-kheng Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Integrated nanosheet memory elements, devices and methods

Номер патента: US20240215220A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230298649A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory

Номер патента: US20240055028A1. Автор: Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for making programmable resistance memory element

Номер патента: US20020045323A1. Автор: Tyler Lowrey,Stephen Hudgens,Patrick Klersy,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Memory element with energy control mechanism

Номер патента: US5933365A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070164267A1. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Wolodymyr Czubatyj,Jeffrey Fournier. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7692272B2. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Wolodymyr Czubatyj,Jeffrey P. Fournier. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US20110303998A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Magnetic memory element

Номер патента: US20240194235A1. Автор: Satoru Nakatsuji,Tomoya HIGO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US7193287B2. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Memory element and method for fabricating a memory element

Номер патента: US20030168675A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Rosner,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-11.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090250776A1. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Hiroshi Takada,Shuichi Ueno,Kiyoshi Kawabata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and memory element between channel region and conductive plate

Номер патента: US20240074211A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US11832528B2. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

3d magnetic memory device based on pure spin currents

Номер патента: US20180122460A1. Автор: Gokce Ozbay,Ozhan Ozatay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20150021675A1. Автор: Min Tai. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC DEVICE AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210005235A1. Автор: Wang Lei,Min Tai,Zhou Xue,Hao Runzi. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional magnetic device and magnetic memory

Номер патента: US11114145B2. Автор: Lei Wang,XUE Zhou,Tai Min,Runzi Hao. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-09-07.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: TZOUFRAS Michail,GAJEK Marcin,Ryan Eric Michael,Guarisco Davide. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices with Buffer Layers

Номер патента: US20190207094A1. Автор: TZOUFRAS Michail,GAJEK Marcin. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190207102A1. Автор: TZOUFRAS Michail,GAJEK Marcin,Ryan Eric Michael,Guarisco Davide. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Three-dimensional magnetic circuits including magnetic connectors

Номер патента: US8933521B2. Автор: Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Three-Dimensional Magnetic Random Access Memory With High Speed Writing

Номер патента: US20140252438A1. Автор: Shukh Alexander Mikhailovich. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

MAGNETIC CORES FOR THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELDS

Номер патента: DE2845122A1. Автор: Karl Buehler,Heinz Baltensperger,Werner Schott. Владелец: BBC Brown Boveri France SA. Дата публикации: 1980-04-17.

METHOD FOR PRODUCING A FILM COMPRISING THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC MICROSTRUCTURES

Номер патента: US20150235763A1. Автор: Zanini Luiz Fernando,Dempsey Nora,Dumas-Bouchiat Frédéric,Givord Dominique. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE HAVING A THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC STRUCTURE

Номер патента: US20170278605A1. Автор: QUENZER Hans-Joachim,LISEC Thomas,REIMER Tim. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Method for producing a device with a three-dimensional magnetic structure

Номер патента: DE102014226138A1. Автор: Thomas Lisec,Tim Reimer,Hans-Joachim Quenzer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-06-16.

three-dimensional magnetic field generating device

Номер патента: KR101633674B1. Автор: 학 수 오. Владелец: 학 수 오. Дата публикации: 2016-06-27.

Method for producing a film having a three-dimensional magnetic microstructure

Номер патента: JP6424158B2. Автор: ノラ デンプシー,フレデリック デュマ−ブシェッ,ルイズ フェルナンド ザニーニ,ルイズ フェルナンド ザニーニ,ドミニク ジヴォルド. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2018-11-14.

METHOD FOR MANUFACTURING A FILM COMPRISING THREE DIMENSIONAL MAGNETIC MICROSTRUCTURES

Номер патента: FR2991096B1. Автор: Nora Dempsey,Frederic Dumas-Bouchiat. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2014-06-20.

Three-dimensional magnetic field coil with multilayer PCB structure

Номер патента: CN110233019B. Автор: 张磊,程龙,张向明,赵治华,李建轩,李文禄,孟进. Владелец: Naval University of Engineering PLA. Дата публикации: 2021-11-23.

Alternating electric field device for treatment of three-dimensional magnetic ring

Номер патента: CN113451016B. Автор: 张志红,杨竣智. Владелец: Kunlun Zhiding Beijing Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-02.

Method for manufacturing the device with three-dimensional magnetic structure

Номер патента: CN107112126A. Автор: 托马斯·里塞奇,汉斯-乔基姆·昆泽尔,蒂姆·瑞默. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Perpendicular magnetic memory element having magnesium oxide cap layer

Номер патента: US09748471B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09705073B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09698340B2. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09659996B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

High capacity low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US09478279B2. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Power-efficient programming of magnetic memory

Номер патента: US10811072B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Power-Efficient Programming of Magnetic Memory

Номер патента: US20190378553A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Power-Efficient Programming of Magnetic Memory

Номер патента: US20200118611A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Magnetic memory element with composite fixed layer

Номер патента: US09831421B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory element with composite perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09780300B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US09543508B2. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Magnetic memory element, method for producing same, and magnetic memory

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Toshinari Watanabe,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US20170125665A1. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Magnetic Memory Element Including Perpendicular Enhancement Layers and Dual Oxide Cap Layers

Номер патента: US20230403945A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic Memory Element Incorporating Dual Perpendicular Enhancement Layers

Номер патента: US20210159399A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Voltage-controlled gain-cell magnetic memory

Номер патента: US20230045804A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Shehrin Sayed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-16.

Implementing 3D scalable magnetic memory with interlayer dielectric stack and pillar holes having programmable area

Номер патента: US09443905B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory using spin current, operating method thereof, and electronic apparatus including magnetic memory

Номер патента: US20230352072A1. Автор: Kwangseok KIM,Kaixuan Zhang,Je-Geun PARK,Jingyuan CUI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US20170084827A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09899595B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Implementing magnetic memory integration with CMOS driving circuits

Номер патента: US09780143B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09673387B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09520444B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09431457B1. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing an integrated circuit including a fuse element, a fuse-memory element or a resistor element

Номер патента: US20080029477A1. Автор: Georg Seidemann,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-07.

Spin orbit torque (SOT) magnetic memory cell and array

Номер патента: US09830968B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshiaki Asao,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Horizontal magnetic memory device using in-plane current and electric field

Номер патента: US09647030B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Seo-Won Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory, magnetic memory device, and method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09515124B2. Автор: Yuuzo Kamiguchi,Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Quantum computing device spin transfer torque magnetic memory

Номер патента: US09460397B2. Автор: Dmytro Apalkov,Matthew J. Carey,Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy,Mohamad Towfik Krounbi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Implementing segregated media based magnetic memory

Номер патента: US09444036B1. Автор: Bruce Gurney,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Debris mitigation in laser produced plasmas using three-dimensional magnetic nulls

Номер патента: US20230324816A1. Автор: Ahmed Diallo,Christopher Berg Smiet,Ben Israeli,Marien Simeni Simeni. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Method for electroforming in the manufacture of a memory element

Номер патента: RU2769536C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев,Егор Сергеевич Горлачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2022-04-01.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20180331281A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory

Номер патента: US09858974B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US09799383B2. Автор: Tatsuya Kishi,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device having three-dimensional arrayed memory elements

Номер патента: US09666293B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory elements with relay devices

Номер патента: US09520182B2. Автор: Irfan Rahim,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt,Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US09508925B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US09484529B2. Автор: Woojin Kim,Sechung Oh,Jeahyoung Lee,Junho Jeong,Woochang Lim,Jangeum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional magnetic field detection element and three-dimensional magnetic field detection device

Номер патента: CA3045788A1. Автор: Yoshinobu Honkura. Владелец: Asahi Intecc Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Three-dimensional magnetic field detection element and three-dimensional magnetic field detection device

Номер патента: EP3557271B1. Автор: Yoshinobu Honkura. Владелец: Asahi Intecc Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Three-dimensional magnetic field detection element and three-dimensional magnetic field detection device

Номер патента: EP3557271A1. Автор: Yoshinobu Honkura. Владелец: Asahi Intecc Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-23.

Magnetic memory device with varying direction of magnetization and method of manufacturing the same

Номер патента: US8901531B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20170365357A1. Автор: Kenji Noma,Shinya Kobayashi,Mikio Miyata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307100A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8729649B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191345A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Etching composition for semiconductor substrate for memory element and method for manufacturing semiconductor substrate for memory element using same

Номер патента: US20240287385A1. Автор: Toshiyuki Oie,Po-Hung Wang,Tomoyuki Adaniya,Chih-Liang Yang. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Programmable logic circuit architecture using resistive memory elements

Номер патента: US09461649B2. Автор: Bingjun Xiao,Jingsheng J. CONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-10-04.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: US09444047B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory device, method for manufacturing the same, and substrate treating apparatus

Номер патента: US20200091412A1. Автор: Jeong-Heon Park,Hyun Cho,Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200203597A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200357980A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Resistive memory element

Номер патента: US10050156B1. Автор: Lung-Han Peng,Jun-Wei Peng,Yen-Kai Chang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Capacitor integrated with memory element of memory cell

Номер патента: US20230422519A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Gregory A. Northrop,Joseph Versaggi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor nonvolatile memory element

Номер патента: US09613970B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09553255B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines

Номер патента: US09466790B2. Автор: George Samachisa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230189662A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210125654A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220216266A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Three-dimensional magnetic memory with multi-layer data storage layers

Номер патента: US20090154219A1. Автор: Olav Hellwig,Jan-Ulrich Thiele,Bruce D. Terris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287637A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Shinji Myano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168790A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200279596A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tomoaki Inokuchi,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama,Susumu Takeda,Shinobu Fujita,Kazutaka IKEGAMI,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetic memory

Номер патента: US20200303457A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Megumi Yakabe,Agung Setiadi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: EP2255361A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US10084126B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11074951B2. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20210043681A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20230209838A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US10516095B2. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US20160276407A1. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory

Номер патента: US10658573B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: WO2009117228A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-09-24.

Magnetic Memory and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20170077174A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269381A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200302988A1. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

One transistor and N memory element based memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US12096638B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory element and programmable logic device

Номер патента: US09985636B2. Автор: Takayuki Ikeda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory based on spin hall effect

Номер патента: US09985201B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09985200B2. Автор: JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Volatile memory device employing a resistive memory element

Номер патента: US09953697B2. Автор: Tanmay Kumar,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic memory

Номер патента: US09916882B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Selection circuit with autobooting for magnetic memory and methods therefor

Номер патента: US09911481B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic memory devices including in-plane current layers

Номер патента: US09882120B2. Автор: Jisu Ryu,Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US09666640B2. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09647201B2. Автор: Jongchul Park,Kyung Rae Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09640759B1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09640756B2. Автор: Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US09627609B2. Автор: Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic memory

Номер патента: US09620189B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Hiroshi Imamura,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Daisuke Saida,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09570515B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic memory and semiconductor-integrated-circuit

Номер патента: US09570137B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US09564152B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic random access memory element having tantalum perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09559144B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile magnetic memory device

Номер патента: US09508919B2. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050383A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Jangeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Nonvolatile resistive memory element with an oxygen-gettering layer

Номер патента: US09331276B2. Автор: Milind Weling,Tony P. Chiang,Dipankar Pramanik. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Writing of a magnetic memory with electric pulses

Номер патента: US20190088300A1. Автор: Yang Yang,Sayeef Salahuddin,Jeffrey Bokor,Jon Gorchon,Richard Brian Wilson,Charles Henri Alexandre Lambert. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Fine Structural Body, Method For Manufacturing Fine Structural Body, Magnetic Memory, Charge Storage Memory And Optical Information Recording Medium

Номер патента: US20110287282A1. Автор: Kazuhito Hashimoto,Shin-ichi Ohkoshi,Hiroko Tokoro,Fumiyoshi Hakoe,Yoshihide Tsunobuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and method for transistor memory element

Номер патента: US20240341101A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for driving memory element

Номер патента: US09502094B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Poly α-amino acid and ferroelectric memory element using same

Номер патента: US09464167B2. Автор: Satoru Ohashi,Manabu Kitazawa,Sei Uemura,Toshihide Kamata. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Variable resistance non-volatile memory element and variable resistance non-volatile memory device using the element

Номер патента: US11889776B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa,Hisashi Shima,Hiroyuki Akinaga,Atsushi Himeno,Ryutaro YASUHARA,Takehide Miyazaki,Yasuhisa Naitoh,Kengo NISHIO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-30.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: US20240023345A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Ferromagnetic liner for conductive lines of magnetic memory cells

Номер патента: US20070105241A1. Автор: Rainer Leuschner,Michael Gaidis,Lubomyr Romankiw,Judith Rubino. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-10.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory

Номер патента: US20200090775A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20160141031A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US9935260B2. Автор: Shogo ITAI,Chikayoshi Kamata,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Data write circuit of resistive memory element

Номер патента: US20200082884A1. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-03-12.

Multilayer free magnetic layer structure for spin-based magnetic memory

Номер патента: US20200006625A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Gary Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

On-chip temperature sensing with non-volatile memory elements

Номер патента: US20210164845A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20210020827A1. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetic memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069558A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Choon Kun Ryu,Min Suk Lee,Jae Geun Oh,Hyung Suk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Defect Propagation Structure and Mechanism for Magnetic Memory

Номер патента: US20200105326A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic memory

Номер патента: US20180025763A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Memory device manufacturing method with memory element having a metal-oxygen compound

Номер патента: US20130260528A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor memory element and semiconductor memory device

Номер патента: US8390054B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Masao Shingu,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Memory element for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030038312A1. Автор: Thomas Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-27.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US9947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US20170162785A1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09917248B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09806130B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and memory element

Номер патента: US09786382B1. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140376301A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Magnetic memory and method for manufacturing same

Номер патента: US9831423B2. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230292630A1. Автор: Yukio Hayakawa,Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Method of fabricating magnetic memory device

Номер патента: US20220020918A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20140353783A1. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088859A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US11805659B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098686A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088855A1. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190035448A1. Автор: Mariko Shimizu,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20220262419A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140027870A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Noma,Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Magnetic memory

Номер патента: US10944045B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US11834738B2. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11348626B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Magnetic memory device utilizing magnetic domain wall motion

Номер патента: US20150070980A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Osada,Sumiko Domae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic Storage Track and Magnetic Memory

Номер патента: US20170133072A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Shujie Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US10867649B2. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Magnetic memory cell having deterministic switching and high data retention

Номер патента: US20200357982A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Witold Kula,Marc Drouard,Gilles Gaudin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210126189A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory devices and methods for initializing the same

Номер патента: US20230165158A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152700A1. Автор: Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory

Номер патента: US20230309321A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230040502A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kyung-Jin Lee,Jeongchun Ryu,Byongguk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-09.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: AU2003302985A1. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-09.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J M Denissen. Владелец: Adrianus J M Denissen. Дата публикации: 2005-04-14.

Magnetic memory

Номер патента: US20180375015A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170316813A1. Автор: Hyun Woo Lee,Byong Guk Park,Kyung Jin Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168260A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180174634A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20220102426A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210082998A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20210050044A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230165164A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Race track magnetic memory device and writing method thereof

Номер патента: US20210125653A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Teruo Ono,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210134380A1. Автор: Sungchul Lee,Eunsun Noh,Unghwan PI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic memory device and method for controlling same

Номер патента: US20200035283A1. Автор: Shinji Yuasa,Takayuki Nozaki,Yoichi Shiota. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-30.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: US20200168261A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200020374A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180040810A1. Автор: Eunsun Noh,Whankyun Kim,Joongmyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050508A1. Автор: Woojin Kim,HyeongSun HONG,Junghwan Moon,Seowon Lee,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory

Номер патента: US20210159397A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20190189909A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US20210079517A1. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210028228A1. Автор: Jeong-Heon Park,Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetic memory

Номер патента: US20230071519A1. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20230076828A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190279699A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155332A1. Автор: Kenji Noma,Takashi Nakazawa,Takeshi Kajiyama,Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US7598577B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Spintronics device, magnetic memory, and electronic apparatus

Номер патента: US11875832B2. Автор: Yukio Nozaki. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device and driving method for the same

Номер патента: US20150078070A1. Автор: Shiho Nakamura,Tetsufumi Tanamoto,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of forming resistive memory elements

Номер патента: US9893282B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy,Christopher W. Petz,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory Element and Semiconductor Device, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080205132A1. Автор: Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Multi-element gain memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US11955153B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

One transistor and n memory element based memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US20230284456A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Three dimensional flash memory element with middle source-drain line and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355743A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-11-21.

Non-volatile memory elements with multiple access transistors

Номер патента: US20200227107A1. Автор: Bipul C. Paul,Harsh N. Patel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for producing semiconductor substrate for memory elements

Номер патента: US20240170278A1. Автор: Toshiyuki Oie,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Magnetic domain wall type analog memory element, magnetic domain wall type analog memory, nonvolatile logic circuit, and magnetic neuro-element

Номер патента: US20200126631A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Counter with memory utilizing mnos memory elements

Номер патента: US3845327A. Автор: J Cricchi. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-10-29.

A memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same

Номер патента: WO2011109271A1. Автор: April D. Schricker,Michael Y. Chan. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-09-09.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

A kind of three-dimensional magnetic field PCB winding arrangement and motor

Номер патента: CN110492645A. Автор: 陈振,赵静,刘向东,牟泉松. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-11-22.

Three dimensional magnetic field manipulation in electromagnetic devices

Номер патента: US8736128B2. Автор: Ercan Mehmet DEDE,Debasish Banerjee,Jaewook Lee. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Process for the manufacture and design of complex three-dimensional magnetic shielding elements, shielding elements and their use

Номер патента: DE102020124189A1. Автор: Robert Vehof,Bas-Jan Hoogenberg,Brian Brady,Guillermo Dominguez,Karl Radlmayr. Владелец: Mogema BV. Дата публикации: 2022-03-17.

Monolithic three-dimensional magnetic field sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6496005B2. Автор: ダン リー,ゲザ ディーク ジェームス,ゲザ ディーク ジェームス. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-03.

Method for producing and designing complex three-dimensional magnetic shielding elements, shielding elements and use thereof

Номер патента: WO2022058461A3. Автор: Robert Vehof,Bas-Jan Hoogenberg,Brian Brady,Guillermo Dominguez,Karl Radlmayr. Владелец: Mogema BV. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for the preparation of epitaxial ferromagnetic manganese aluminum magnetic memory element

Номер патента: US5169485A. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Timothy D. Sands,Mark L. Leadbeater,James P. Harbison,Silas J. Allen, Jr.. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1992-12-08.

Encapsulated magnetic memory element

Номер патента: US3640767A. Автор: Thomas Philip Fulton,Henry Di Luca. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

Waveguide ferrite switch with magnetic memory

Номер патента: RU2698544C1. Автор: Александр Владимирович Сорокин,Юрий Александрович Светлаков,Владимир Николаевич Бородин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-08-28.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic memory device

Номер патента: GB927905A. Автор: Cravens Lamar Wanlass. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1963-06-06.

Magnetic Memory Cell and Magnetic Memory

Номер патента: US20240331753A1. Автор: Hong Jian,Fantao MENG,Yihui SUN,Junlu GONG. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic memory

Номер патента: AU5152399A. Автор: Helmut Fritzsche,Thorsten Nawrath,Jan Nowikow,Hansjörg MALETTA. Владелец: Hahn Meitner Institut Berlin GmbH. Дата публикации: 1999-12-13.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetic memory

Номер патента: US20030137870A1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11922985B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Catheter with memory element-controlled steering

Номер патента: US5090956A. Автор: William C. McCoy. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1992-02-25.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1154532A. Автор: Peter Hansen,Marlies Urner-Wille. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-09-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of manufacturing integrated magnetic memories

Номер патента: US3819341A. Автор: R Ponnet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-06-25.

Magnetic memory structure

Номер патента: US11758821B2. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device using doped semiconductor layer

Номер патента: US11930719B2. Автор: Manijeh Razeghi,Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12010925B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Magneto-optic memory element

Номер патента: CA1224270A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Hideyoshi Yamaoka,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Self-navigation in three-dimensional magnetic resonance imaging

Номер патента: EP3769103A1. Автор: Tim Nielsen,Jan Hendrik WÜLBERN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-01-27.

Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof

Номер патента: US5103422A. Автор: Hajime Yuzurihara,Motoharu Tanaka,Toshiaki Tokita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-07.

Wall-mountable toy storage and activity set with three-dimensional magnetic indicia

Номер патента: US09919234B1. Автор: Rochelle Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: AU2022257074B2. Автор: BO Liang,HUI Wang,LEI Shen,Yiyong Sun,Ziyan Zhou,Jingjing Gong. Владелец: Shanghai Microport EP MedTech Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and device for identifying permanent magnets on the basis of three-dimensional magnetization

Номер патента: RU2743072C1. Автор: Андрей Александрович Татевосян,Александр Сергеевич Татевосян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ). Дата публикации: 2021-02-15.

All electrically operated nanometer three-dimensional magnetic sensor and its array and magnetic field imaging method

Номер патента: US20230296702A1. Автор: Shuai ZHANG,Shihao LI,Long YOU,Ruofan LI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-21.

Self-navigation in three-dimensional magnetic resonance imaging

Номер патента: WO2019180145A1. Автор: Tim Nielsen,Jan Hendrik WÜLBERN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2019-09-26.

Three-dimensional magnetic field measurement device and magnetic field mapping system

Номер патента: EP4343352A1. Автор: Jin Young Kim,Hong Soo Choi,Awais Ahmed,Jun Sun Hwang,Sarmad Ahmad ABBASI. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-27.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: AU2022257074A1. Автор: BO Liang,HUI Wang,LEI Shen,Yiyong Sun,Ziyan Zhou,Jingjing Gong. Владелец: Shanghai Microport EP MedTech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: EP4324508A1. Автор: BO Liang,HUI Wang,LEI Shen,Yiyong Sun,Ziyan Zhou,Jingjing Gong. Владелец: Shanghai Microport EP MedTech Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: US20240180632A1. Автор: BO Liang,HUI Wang,LEI Shen,Yiyong Sun,Ziyan Zhou,Jingjing Gong. Владелец: Shanghai Microport EP MedTech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for acquiring a three-dimensional magnetic resonance image dataset and for generating a motion-corrected image dataset

Номер патента: US11860257B2. Автор: Daniel Polak,Stephen Farman Cauley. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Magnetic memory element

Номер патента: RU2585578C2. Автор: Жиль Луи ГОДЕН,Иоан Михай МИРОН,Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА,Ален ШУЛЬ. Владелец: Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа). Дата публикации: 2016-05-27.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory cell structure with spin device elements and method of operating the same

Номер патента: US09552860B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20130336081A1. Автор: Timothy J. Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

State-monitoring memory element

Номер патента: WO2008131144A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-30.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20120176854A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: WO2020109754A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-06-04.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: WO2012037255A3. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Vivotech Inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

Memory elements with soft-error-upset (seu) immunity using parasitic components

Номер патента: US20180330778A1. Автор: Weimin Zhang,Yanzhong Xu,Nelson Joseph Gaspard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US20160012470A1. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US09613365B2. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: EP2409301A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20130279242A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20120163067A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: WO2010107515A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A2. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A3. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-14.

Magnetic memory device and memory system

Номер патента: US11875834B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic Memory Device Based on Perpendicular Exchange Bias and Method of Manufacturing Magnetic Memory Device

Номер патента: US20240032443A1. Автор: Ji-Sung Lee,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh,Byong-Guk Park,Jaimin Kang,Soogil Lee,Dae-Kyu Koh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Magnetic memory and manufacturing method

Номер патента: US20240221809A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Tomoe Nishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US12119036B2. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Spin transfer torque based memory elements for programmable device arrays

Номер патента: US09577641B2. Автор: Vivek De,James W. Tschanz,Arijit Raychowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20230360701A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2023-11-09.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11942127B2. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Synapse-inspired memory element for neuromorphic computing

Номер патента: US20200311524A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20190378570A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2019-12-12.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20210151108A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210125652A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Digitally trimmable integrated resistors including resistive memory elements

Номер патента: US09589615B2. Автор: Ashoke Ravi,Dinesh Somasekhar,Ganesh Balamurugan,Tawfiq Musah,Sudip Shekhar,Tzu-Chien Hsueh,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US20230267998A1. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US11984160B2. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Film recorder with interface for user replaceable memory element

Номер патента: US5406380A. Автор: James R. Teter. Владелец: Management Graphics Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for measuring an external magnetic field by at least one magnetic memory point

Номер патента: US20230358826A1. Автор: Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-09.

Electric element, switching element, memory element, switching method and memory method

Номер патента: US20100124096A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Kenji Sano,Yumiko Oyasato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: GB2601415A. Автор: Pantazi Angeliki,Bohnstingl Thomas,Stavros Eleftheriou Evangelos,Andrzej Wozniak Stanislaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5536947A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick K. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Organic-polymer memory element

Номер патента: US7035140B2. Автор: Warren B. Jackson,Sven Möller. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US8355292B2. Автор: Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: US20220139464A1. Автор: Angeliki Pantazi,Evangelos Stavros Eleftheriou,Stanislaw Andrzej Wozniak,Thomas Bohnstingl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Universal memory element and method of programming same

Номер патента: US5912839A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Boil Pashmakov. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

System and method for transferring information between a radio transceiver and a portable memory element

Номер патента: CA2101953A1. Автор: Jeffrey Charles Smolinske,Gary Allen Jorgensen,Dean Michael Picha. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-03-05.

Magnetic memory

Номер патента: US20240049475A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Magnetic memory

Номер патента: US11871586B2. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20110078538A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Sumio Ikegawa,Kenji Tsuchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11935573B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US20230274772A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-08-31.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CA2227612C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Storage device having a resistance change memory element and writing method thereof

Номер патента: US11877525B2. Автор: Yukihiro Nomura,Takayuki Sasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Digitally trimmable integrated resistors including resistive memory elements

Номер патента: US20160379695A1. Автор: Ashoke Ravi,Dinesh Somasekhar,Ganesh Balamurugan,Tawfiq Musah,Sudip Shekhar,Tzu-Chien Hsueh,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Memory element and memory device

Номер патента: US8699260B2. Автор: Kazuhiro Ohba,Takeyuki Sone,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Power supply circuit for an electronic tuning type receiver with a memory element

Номер патента: US4227257A. Автор: Reisuke Sato. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1980-10-07.

Training of neural networks to generate synthetic three-dimensional magnetic resonance images

Номер патента: WO2024188637A1. Автор: Mariya Ivanova Doneva,Jan Jakob MEINEKE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2024-09-19.

Training of neural networks to generate synthetic three-dimensional magnetic resonance images

Номер патента: EP4431967A1. Автор: Mariya Ivanova Doneva,Jan Jakob MEINEKE. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-09-18.

Three dimensional magnetic resonance motion estimation on a single image plane

Номер патента: WO2006119475A3. Автор: Matthias Stuber,Khaled Zakarya ABD-ELMONIEM,Jerry L Prince,Nael Fakhry Osman. Владелец: Nael Fakhry Osman. Дата публикации: 2008-01-10.

Three dimensional magnetic resonance motion estimation on a single image plane

Номер патента: US20070016000A1. Автор: Matthias Stuber,Jerry Prince,Nael Osman,Khaled Abd-Elmoniem. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-01-18.

Systems and methods of correcting effects of high-order concomitant fields in three-dimensional magnetic resonance imaging

Номер патента: US20240237911A1. Автор: Seung-Kyun Lee,Thomas Kwok-Fah Foo,Afis Ajala. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods of correcting effects of high-order concomitant fields in three-dimensional magnetic resonance imaging

Номер патента: US12114967B2. Автор: Seung-Kyun Lee,Thomas Kwok-Fah Foo,Afis Ajala. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Synthetic Three-Dimensional Magnetic Resonance Imaging

Номер патента: US20210041517A1. Автор: Stephen J. Riederer,Eric A. Borisch,Roger C. Grimm,Soudabeh Kargar. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetic sensor cell for measuring three-dimensional magnetic fields

Номер патента: US09989599B2. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for measuring three-dimensional magnetic fields

Номер патента: US09983275B2. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-05-29.

Three-dimensional magnetic block system and method

Номер патента: US20240261696A1. Автор: Elias Bachaalany,Imad Maalouf,Pamela L. Jennings,Alan Bengtson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Faster three-dimensional magnetic resonance imaging

Номер патента: WO2024108121A3. Автор: Nicholas Dwork. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional magnetic resonance angiography of coronary arteries

Номер патента: US6009341A. Автор: Robert R. Edelman. Владелец: BETH ISRAEL DEACONESS MEDICAL CENTER INC. Дата публикации: 1999-12-28.

Faster three-dimensional magnetic resonance imaging

Номер патента: WO2024108121A2. Автор: Nicholas Dwork. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-05-23.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELD DETECTION ELEMENT AND THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELD DETECTION DEVICE

Номер патента: US20190310324A1. Автор: Honkura Yoshinobu. Владелец: ASAHI INTECC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device

Номер патента: US20090315554A1. Автор: William Witcraft,Thomas Keyser,Thomas Ohnstein. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Three Dimensional Magnetic Advent Calendar

Номер патента: US20210001657A1. Автор: Hannah Keeling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device

Номер патента: US7126330B2. Автор: Hong Wan,Andrzej Peczalski,James F Detry,William F Witcraft. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC MEMORY WITH MULTI-LAYER DATA STORAGE LAYERS

Номер патента: US20150078074A1. Автор: Hellwig Olav,Thiele Jan-Ulrich,Terris Bruce D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Three-dimensional magnetic detection

Номер патента: RU2145722C1. Автор: Николас Деймс Эндрю. Владелец: Флайинг Налл Лимитед. Дата публикации: 2000-02-20.

Three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US8018765B2. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Hal J. Rosen,Andreas Moser,Bruce D. Terris. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-09-13.

Three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US7388776B1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Hal J. Rosen,Andreas Moser,Bruce D. Terris. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-06-17.

System and Method of High-Frame Rate, Time-Resolved, Three-Dimensional Magnetic Resonance Angiograpy

Номер патента: US20130030279A1. Автор: Charles A. Mistretta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-31.

Rapid three-dimensional magnetic resonance tagging for studying material deformation and strain

Номер патента: EP1151315A1. Автор: Yudong Zhu,Christopher Judson Hardy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-11-07.

A kind of three-dimensional magnetic field generating device based on Two Dimensional Rotating machine control

Номер патента: CN110308311A. Автор: 赵勇,李桂林,吕日清,王希鑫. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2019-10-08.

TOUCH SCREEN INTEGRATED DIGITIZER USING THREE DIMENSIONAL MAGNETISM SENSOR AND MAGNETIC PEN

Номер патента: US20160054835A1. Автор: HEO Seong Hwan,SEO Hyung Kwon,KIM Hong Chae,LEE Kwang Gu. Владелец: TRAIS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-02-25.

APPARATUS AND METHOD FOR RECOVERY OF THREE DIMENSIONAL MAGNETIC FIELD FROM A MAGNETIC DETECTION SYSTEM

Номер патента: US20170115361A1. Автор: MANICKAM Arul,KAUP Peter G.. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-27.

APPARATUS AND METHOD FOR RECOVERY OF THREE DIMENSIONAL MAGNETIC FIELD FROM A MAGNETIC DETECTION SYSTEM

Номер патента: US20160223621A1. Автор: MANICKAM Arul,KAUP Peter G.. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-04.

MAGNETIC SENSOR CELL FOR MEASURING THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELDS

Номер патента: US20160238676A1. Автор: Bandiera Sebastien. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2016-08-18.

Three-dimensional magnetic density imaging and magnetic resonance imaging

Номер патента: US20140354278A1. Автор: Subbarao Muralidhara. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system

Номер патента: WO2016126436A1. Автор: Arul Manickam,Peter G. Kaup. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-11.

Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system

Номер патента: GB2551090A. Автор: MANICKAM Arul,G Kaup Peter. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2017-12-06.

Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system

Номер патента: US10408889B2. Автор: Arul Manickam,Peter G. Kaup. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system

Номер патента: US9541610B2. Автор: Arul Manickam,Peter G. Kaup. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system

Номер патента: GB201713826D0. Автор: . Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2017-10-11.

Three-dimensional magnetic particle imaging device and method based on permanent magnet rotary scanning

Номер патента: CN113567899A. Автор: 杨鑫,田捷,惠辉,张浩然,刘晏君. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-29.

Three-dimensional magnetic field in-situ measurement method based on electron paramagnetic resonance-nuclear magnetic resonance

Номер патента: CN111060853B. Автор: 秦杰,孙晓光,万双爱,汤恩琼,薛帅,郭宇豪,刘建丰. Владелец: Beijing Automation Control Equipment Institute BACEI. Дата публикации: 2022-04-12.

Magnetic nano-particle method for congregating based on three-dimensional magnetic field

Номер патента: CN107320723A. Автор: 马毅龙,陈登明,李春红,孙建春,周安若,易载兴. Владелец: Chongqing University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Environment magnetic field self-calibration three-dimensional magnetic field sensor

Номер патента: CN113109744A. Автор: 王婷,胡斌,闫梁. Владелец: China Special Equipment Inspection and Research Institute. Дата публикации: 2021-07-13.

Magnetic particle regulation and control device based on three-dimensional magnetic field

Номер патента: CN107491097B. Автор: 马毅龙,陈登明,李春红,孙建春,周安若,易载兴. Владелец: Chongqing University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-03-19.

System and Method of High-Frame Rate, Time-Resolved, Three-Dimensional Magnetic Resonance Angiograpy

Номер патента: US20130030279A1. Автор: Charles A. Mistretta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-31.

Three Dimensional Magnetic Advent Calendar

Номер патента: US20210001657A1. Автор: Hannah Keeling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

SELF-NAVIGATION IN THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC RESONANCE IMAGING

Номер патента: US20210003653A1. Автор: Nielsen Tim,WULBERN JAN HENDRIK. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

TIME-KEEPING MOVEMENT COMPRISING A REGULATOR WITH THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC RESONANCE

Номер патента: US20180074459A1. Автор: Buttet Mathias,Blumenthal Jean-Michel. Владелец: HUBLOT SA, GENÈVE. Дата публикации: 2018-03-15.

Systems and Methods for Free-Breathing Three-Dimensional Magnetic Resonance Fingerprinting

Номер патента: US20180217220A1. Автор: Chen Yong,Griswold Mark A.,Seiberlich Nicole,Gulani Vikas,Coppo Simone,Mehta Bhairav B.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

METHOD FOR MEASURING THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELDS

Номер патента: US20160252591A1. Автор: Bandiera Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC CONSTRUCTION KIT-TOY

Номер патента: US20170266578A1. Автор: Apyshkov Mykhaylo. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC SENSOR BASED FINGER MOTION CAPTURE INTERFACE DEVICE

Номер патента: US20200393916A1. Автор: YOU Bum Jae,Cho Jai Hi,Kim Mincheol,LUC Cong Vu,LEE Ju Seong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated three-dimensional magnetic sensing device and fabrication method

Номер патента: EP2267470A1. Автор: Hong Wan,Andrzej Peczalski,James F Detry,William F Witcraft. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

Hollow cubic packaged three-dimensional magnetic sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114720923A. Автор: 钟明琛,陈燕宁,胡忠强,李阳,杜剑,付振,赵东艳,王于波,邵瑾,王帅鹏. Владелец: Beijing Core Kejian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

Three-dimensional magnetic coil standardization experimental apparatus in situ and method based on SERF magnetometer

Номер патента: CN110426651A. Автор: 周斌权,韩邦成,池浩湉,丁中亚. Владелец: Beijing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2019-11-08.

A kind of three-dimensional magnetic graphene/zeolitic material preparation method of highly efficient regeneration absorption rare earth ion

Номер патента: CN109351332A. Автор: 谭冰,赵慧敏,张耀斌,王春阳. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2019-02-19.

Three-dimensional magnetic particle imaging system and method based on multi-channel excitation and detection

Номер патента: CN113625208B. Автор: 田捷,惠辉,张浩然,刘晏君. Владелец: Shenyang Institute of Automation of CAS. Дата публикации: 2022-08-12.

Three-dimensional magnetic flux detection coil

Номер патента: JPS59132380A. Автор: Akira Ibuka,Seiichi Naito,内藤　誠一,丹 井深. Владелец: Yokogawa Hokushin Electric Corp. Дата публикации: 1984-07-30.

Three-dimensional magnetic field sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5464198B2. Автор: 尚城 太田,寛史 山崎. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-04-09.

Alternating electric field device of three-dimensional magnetic ring

Номер патента: CN113546316A. Автор: 张志红,杨竣智. Владелец: Kunlun Zhiding Beijing Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Finger motion capture interface device based on three-dimensional magnetic sensor

Номер патента: CN109997099B. Автор: 金旻彻,赵才熙,李柱城,洛孔付,刘凡才. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-07-19.

Three dimensional magnetic anisotropic susceptibility meter

Номер патента: US3492566A. Автор: Harry Gross. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1970-01-27.

Arbitrarily sampled space wave number domain three-dimensional magnetic field numerical simulation method and system

Номер патента: CN115292973B. Автор: 张莹,戴世坤. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-24.

Method for measuring three-dimensional magnetic fields

Номер патента: EP2860542B1. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2016-04-20.

Integrated three-dimensional magnetic sensing device and fabrication method

Номер патента: EP2267470B1. Автор: Hong Wan,Andrzej Peczalski,James F Detry,William F Witcraft. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Three-dimensional magnetic sensor

Номер патента: WO2015083601A1. Автор: 孝一 川村. Владелец: コニカミノルタ株式会社. Дата публикации: 2015-06-11.

Underground space three-dimensional magnetic induction alignment system

Номер патента: CN108240810A. Автор: 王睿,刘儿兀,李如昱. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-07-03.

Three-dimensional magnetic source dynamic detection system and detection method

Номер патента: CN111158055B. Автор: 皇甫江涛,吴玉婷. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-03-05.

Three-dimensional magnetic resonance rapid parameter imaging method and device

Номер патента: CN113050009B. Автор: 郑海荣,刘新,梁栋,刘元元,朱燕杰. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-12-13.

Arbitrarily sampled space wave number domain three-dimensional magnetic field numerical simulation method and system

Номер патента: CN115292973A. Автор: 张莹,戴世坤. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-04.

Three-dimensional magnetic particle imaging system and method based on multi-channel excitation and detection

Номер патента: CN113625208A. Автор: 田捷,惠辉,张浩然,刘晏君. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2021-11-09.

Scanning type three-dimensional magnetic field detection method and device

Номер патента: CN111025202A. Автор: 李翠红,韩邦成,宁晓琳. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2020-04-17.

Three-dimensional magnetic direction sensor, and magneto-impedance sensor element

Номер патента: WO2005008268A1. Автор: Michiharu YAMAMOTO,Yoshinobu Honkura,Kouei Genba. Владелец: Aichi Steel Corporation. Дата публикации: 2005-01-27.

Three-dimensional magnetic direction sensor, and magneto-impedance sensor element

Номер патента: CN1697962A. Автор: 本藏义信,山本道治,玄番弘荣. Владелец: Aichi Steel Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Three-dimensional magnetic ring therapy apparatus and application thereof

Номер патента: WO2023005719A1. Автор: 李文斌,张志红,邹志革,蔡泽豪,杨竣智. Владелец: 昆仑智鼎(北京)医疗技术有限公司. Дата публикации: 2023-02-02.

A kind of preparation method of three-dimensional magnetic graphene composite material

Номер патента: CN109225130A. Автор: 王静,梁勇,周珍. Владелец: Jianghan University. Дата публикации: 2019-01-18.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: WO2022218108A1. Автор: 王慧,梁波,沈磊,孙毅勇,周子燕,宫晶晶. Владелец: 上海微创电生理医疗科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-10-20.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: EP4324508A4. Автор: BO Liang,HUI Wang,LEI Shen,Yiyong Sun,Ziyan Zhou,Jingjing Gong. Владелец: Shanghai Microport EP MedTech Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Three-dimensional magnetic mattress for use with retained surgical item detection system

Номер патента: WO2023199213A1. Автор: Frank T. Smith. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: WO2008010957A3. Автор: DING Yunfei. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: US20070165450A1. Автор: Hans Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-19.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-05-06.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09548093B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic memory matrix with keepers

Номер патента: US3593323A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-13.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: WO2005050664A1. Автор: Hans M. B. Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-06-02.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: EP1690263A1. Автор: Hans M. B. Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-16.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Method and system reading magnetic memory

Номер патента: US20050047201A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-03.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Improvements in or relating to magnetic memory elements and arrays thereof

Номер патента: GB1021700A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1966-03-09.

Improvements in or relating to magnetic memory elements

Номер патента: GB875192A. Автор: Ernest Franklin,Thomas Henry O'dell. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1961-08-16.

Cylindrical magnetic memory element having plural concentric magnetic layers separated by a nonmagnetic barrier layer

Номер патента: US3576552A. Автор: Albert W Vinal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-27.

Optical memory element

Номер патента: CA1248229A. Автор: Yoshikazu Fujii,Shigemi Maeda,Toshihisa Deguchi,Kenji Ohta,Tetuya Inui,Shiki Manshion. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Magnetic memory

Номер патента: US3587066A. Автор: Daniel Gibacier,Tran Van Khai. Владелец: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA. Дата публикации: 1971-06-22.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US20160224242A1. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US09886199B2. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US20160012920A1. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: WO2005081254A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: US20050180239A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: EP4143898A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Method for ensuring fault tolerance of memory elements

Номер патента: RU2766271C1. Автор: Александр Николаевич Капустин,Наталья Александровна Коржикова. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-02-10.

Magnetic memory

Номер патента: US20160055891A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Sumio Ikegawa,Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Sensing circuit for magnetic memory unit

Номер патента: US20020085440A1. Автор: Jy-Der Tai. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Apparatus and method for writing and reading digital information on a magnetic memory including a superconducting material

Номер патента: US5553036A. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-03.

Tester for testing magnetic memory

Номер патента: US09678179B2. Автор: Tatsuya Kishi,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for capacitively reading resistive memory elements and nonvolatile, capacitively readable memory elements for implementing the method

Номер патента: US09443589B2. Автор: Stefan Tappertzhofen,Eike Linn,Lutz Nielen,Ilia Valov,Rainer Waser. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for improving the read signal in a memory having passive memory elements

Номер патента: US20050128796A1. Автор: Kurt Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Temperature management of memory elements of an information handling system

Номер патента: US20230005564A1. Автор: Jordan Chin,Isaac Qin Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-01-05.

Asymmetrically selecting memory elements

Номер патента: US09934849B2. Автор: Zhiyong Li,Jianhua Yang,Kyung Min Kim. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Programming memory elements using two phase boost

Номер патента: US09646669B2. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US20240119974A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A3. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Programmable magnetic memory device fp-mram

Номер патента: US20070081381A1. Автор: Kars-Michiel Lenssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US12125530B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US12136468B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Write apparatus and magnetic memory

Номер патента: US09741418B2. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory, and programming control method, reading method, and magnetic storage device of the magnetic memory

Номер патента: US20210090630A1. Автор: Tao Wang,Hao Ni,Dan Ning,Zi Jian ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20170344490A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441B1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US20110242878A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: WO2007111666A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Methods and systems for operating memory elements

Номер патента: US20130141960A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US8363500B2. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Asynchronous memory element for scanning

Номер патента: US09991006B2. Автор: Hiroshi Iwata,Michiko Inoue,Satoshi Ohtake. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory element status detection

Номер патента: US09672941B1. Автор: Thomas Kern,Giacomo Curatolo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Forming method for variable-resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US09524776B2. Автор: Koji Katayama,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Resistive memory element

Номер патента: RU2714379C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-02-14.

Magnetic memory structure with improved half-select margin

Номер патента: US6134139A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Magnetic memory

Номер патента: EP1073061A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US20200294610A1. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US11037643B2. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Magnetic memory device comprising a current pulse generator, and method of operating such a magnetic memory device

Номер патента: EP4141871A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche,Jérémie VIGIER. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-03-01.

Memory elements with series volatile and nonvolatile switches

Номер патента: US20140241075A1. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-08-28.

Reading a memory element within a crossbar array

Номер патента: US20140204651A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and apparatus for identifying erroneous data in at least one memory element

Номер патента: US20160314853A1. Автор: Adrian Traskov. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2016-10-27.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US12106804B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09785345B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09552157B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory device

Номер патента: EP4297034A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410868A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Direct writing method of magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: US20080180988A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20060239065A1. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US7352615B2. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDX Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

On-line magnetic memory stress detection system

Номер патента: NL2032794B1. Автор: LIU BIN,Liu Tong,Zhang He,Ren Jian,LIAN Zheng,HE Luyao,Yang Lijian,Ma Xue,Ding Liying,Fu Yanduo. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2024-02-27.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US9741453B2. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: EP1714287A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-25.

Magnetic memory

Номер патента: US7471551B2. Автор: Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Mixed conducting volatile memory element for accelerated writing of nonvolatile memristive device

Номер патента: GB2617496A. Автор: Wang Wei,KIM Youngseok,OK Injo,Yu Lan,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Time division multiplexed multiport memory implemented using single-port memory elements

Номер патента: US20140331074A1. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Preallocatable transmission data memory element of an MR transmission unit in array applications

Номер патента: US8324896B2. Автор: Wilfried Schnell,Nikolaus Demharter,Rudi Baumgartl,Philipp Hoecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-12-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US09767862B2. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US09508448B2. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US09466350B2. Автор: Minoru Amano,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Restoring memory element

Номер патента: RU2602765C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2016-11-20.

Camera using a film with a magnetic memory portion and having a control unit for causing recording of predetermined data together with the ID for voluntarily set data

Номер патента: US5479228A. Автор: Hideo Tamamura,Toru Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Camera using film having a magnetic memory portion

Номер патента: US5749007A. Автор: Hiroshi Sakurai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Magnetic random access memory using a non-linear memory element select mechanism

Номер патента: US6515897B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Scrambler of information stored on magnetic memory media

Номер патента: US5666413A. Автор: Christopher J. Kempf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-09.

Magnetic memory, method of recording data to and reproducing data from magnetic memory, and method of operating magnetic memory

Номер патента: US9396811B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: WO2021221998A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-04.

Magnetic memory and method of operation thereof

Номер патента: US20020167033A1. Автор: Takeshi Okazawa,Katsumi Suemitsu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

System and method of calibrating a read circuit in a magnetic memory

Номер патента: US20050073890A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner,Richard Hilton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Reducing observability of memory elements in circuits

Номер патента: US20130007683A1. Автор: Eli Arbel,Cynthia Rae Eisner,Karen Frida Yorav,Oleg Rokhlenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Test interface for memory elements

Номер патента: US20100122128A1. Автор: Juergen Pille,Stefan Buettner,Uwe Brandt,Werner Juchmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Circuit configuration for reading memory elements

Номер патента: US20020114196A1. Автор: Martin Bloch,Carmen Thalmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Woven fabric with shape memory element strands

Номер патента: US09427342B2. Автор: James M. Carlson,Fred T. Parker,Shyam S. V. Kuppurathanam,Rebecca Sue Todd. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Emulated multiport memory element circuitry with exclusive-or based control circuitry

Номер патента: US20170352393A1. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Circuits and methods for placing programmable impedance memory elements in high impedance states

Номер патента: US9368198B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan,Juan Pablo Saenz Echeverry. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan. Владелец: Mark T Chan. Дата публикации: 2009-04-23.

Voltage applications to a memory cell including a resistance change memory element in series with a two-terminal switching element

Номер патента: US11935591B2. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Unreeling device for tape-shaped material coils supplied with memory elements of temporary action for material unreeled in phase of coils replacement and related method

Номер патента: RU2344064C2. Автор: Анджело БЕНВЕНУТИ,Роберто МОРЕЛЛИ,Романо МАДДАЛЕНИ. Владелец: Фабио Перини С.П.А.. Дата публикации: 2009-01-20.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Magnetic memory disc pack balancing system

Номер патента: US3817088A. Автор: P Herbig. Владелец: Caelus Memories Inc. Дата публикации: 1974-06-18.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Multiple bit magnetic memory cell

Номер патента: US6081446A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhatacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-06-27.

Repositionable memory element in a single reel tape cartridge

Номер патента: US20040004145A1. Автор: Stephen Stamm,Chan Kim,Satya Mallick. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2004-01-08.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372A. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2023-09-29.

Magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: US20130286505A1. Автор: Yoshihiro Shiroishi,Hiroshi Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372B2. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Company Lp. Дата публикации: 2024-01-04.

Forming a characterization parameter of a resistive memory element

Номер патента: US20140258646A1. Автор: Ryan James Goss,Antoine Khoueir,Mark Allen Gaertner,Jon D. Trantham,David Scott Ebsen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Frequency resistance access magnetic memory

Номер патента: US9208846B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2015-12-08.

Locking device comprising a shape memory element

Номер патента: US11891843B2. Автор: Olivier Le Borgne. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2024-02-06.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US20240029811A1. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: EP4354438A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20220115049A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US20240120001A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Frequency Resistance Access Magnetic Memory

Номер патента: US20140160834A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2014-06-12.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US12002533B2. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Bending actuator comprising shape memory element

Номер патента: US20180186127A1. Автор: Martin Gurka,Moritz Hübler,Sebastian Nissle,Lisa Weber. Владелец: Institut fuer Verbundwerkstoffe GmbH. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory element

Номер патента: US4777799A. Автор: William C. McCoy,Gregory A. Cole,Frederick E. Wang,James E. Small. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1988-10-18.

Reading memory elements within a crossbar array

Номер патента: US8467253B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-06-18.

Method and apparatus for detecting errors in a system that employs multi-bit wide memory elements

Номер патента: US5666371A. Автор: David M. Purdham. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US20130083588A1. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods and electronic device for repairing memory element in memory device

Номер патента: US20240012726A1. Автор: Sudhanshu Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Akhilesh Sudhir PATANKAR,Deokgu Yoon,Damini Damini,Keerthi Kiran Jagannathachar,Paulami DAS,Sairam JUJJARAPU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20200301849A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory circuit and method for sensing a memory element

Номер патента: EP2013882A2. Автор: Maurits M.N. STORMS. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-14.

Using multiple memory elements in an input-output memory management unit for performing virtual address to physical address translations

Номер патента: EP3433742A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Method for checking the functional ability of a memory element

Номер патента: US8762799B2. Автор: Franco Ferraro. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2014-06-24.

Memory circuit and method of sensing a memory element

Номер патента: US20090279370A1. Автор: Maurits Storms. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for checking the functional ability of a memory element

Номер патента: US20120324301A1. Автор: Franco Ferraro. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2012-12-20.

Partitioned memory architecture with single resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240119977A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for managing data stored in a page within a memory element

Номер патента: EP4390697A1. Автор: Thomas Eberhardt,Stéphanie Salgado. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for providing data protection for data stored within a memory element and integrated circuit device therefor

Номер патента: US20130080859A1. Автор: Henri Cloetens. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory element controlled damper

Номер патента: WO2001023815A1. Автор: Levent Hasanreisoglu,Can Meydanli,Umud Esat Ozturk. Владелец: Arçelik A.S.. Дата публикации: 2001-04-05.

Ceramic shape memory element

Номер патента: US4767730A. Автор: Takao Soma,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-30.

A system of sample medium carriers with built-in memory elements and information input/output station for the carriers

Номер патента: WO2004044824A2. Автор: Vladimir Mordekhay. Владелец: Automated Biotechnology, Inc.. Дата публикации: 2004-05-27.

Distributed current source/sink using inactive memory elements

Номер патента: US09721673B1. Автор: Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Janakiraman VIRARAGHAVAN,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of programming variable resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US8867259B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Methods of accelerated life testing of programmable resistance memory elements

Номер патента: US7327602B2. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey A. Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-02-05.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: CA1225467A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Resistive memory element

Номер патента: US5541869A. Автор: Ian S. Osborne,Janos Hajto,Mervyn J. Rose,Alan E. Owen,Anthony J. Snell,Peter G. Le Comber, deceased. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1996-07-30.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US20230360700A1. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit including a memory element programmed using a seed pulse

Номер патента: US20090310401A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp,Bernhard Ruf,Christian Ruster. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-17.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US11996145B2. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: EP4354439A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240120004A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic Memory System Using Mram-Sensor

Номер патента: US20080316801A1. Автор: Jaap Ruigrok,Hans M.B. Boeve,Friso J. Jedema. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-25.

Magnetic memory

Номер патента: US9343129B2. Автор: Naoharu Shimomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Non-destructive readout magnetic memory

Номер патента: GB1062180A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-03-15.

Magnetic memory

Номер патента: EP1750275A2. Автор: Susumu Haratani,Takashi Asatani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Optical magnetic memory device utilizing non-recorded portions of recording medium to represent data

Номер патента: US4939710A. Автор: Shigemi Maeda,Takeshi Yamaguchi,Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji,Shozou Kobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-07-03.

Data exchange circuit for a magnetic memory apparatus

Номер патента: US4424536A. Автор: Yasuich Hashimoto,Yasuyuki Oda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Filamentary magnetic memory with electrostatic shielding

Номер патента: US3699549A. Автор: Joseph F Martin,Thaddeus F Bryzinski. Владелец: Stromberg Carlson Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Magnetic memory film

Номер патента: US3630772A. Автор: Hans-Heinrich Credner,Bernhard Seidel. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1971-12-28.

Magnetic memory employing stress wave

Номер патента: GB1113417A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-05-15.

Quarter-half cycle coding for rotating magnetic memory system

Номер патента: US3631428A. Автор: Wayne J King. Владелец: PACIFIC MICRONETICS Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263329A1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US10141067B2. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Frame structure for magnetic memory planes

Номер патента: US3675222A. Автор: Michihiro Torii,Fujio Yamakawa,Seihin Kobayashi. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1972-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US8634237B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Magnetic memory

Номер патента: US8238144B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Controlled temperature, thermal-assisted magnetic memory device

Номер патента: US20050180238A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-18.

Magnetic memory

Номер патента: US8830718B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20130077395A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: US4778747A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-10-18.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1226672A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Nonvolatile magneto-optical memory element and a method of writing thereon

Номер патента: US3680065A. Автор: George S Almasi,Eugene R Genovese. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Preallocatable transmission data memory element of an mr transmission unit in array applications

Номер патента: US20110050224A1. Автор: Wilfried Schnell,Nikolaus Demharter,Rudi Baumgartl,Philipp Hoecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-03-03.

Memory element for weight update in a neural network

Номер патента: US20210050045A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US20170032825A1. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory element for weight update in a neural network

Номер патента: EP4014170A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Variable comparison voltage generation apparatus for generating a comparison voltage corresponding to a variation of electric charge quantity in a ferroelectric substance memory element

Номер патента: US5877991A. Автор: Jae Hwan Kim,Seung Hyun Yi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Mobile payment device, method of preventing unauthorised access to payment application and data memory element

Номер патента: RU2538330C2. Автор: Хао НГО,Кристиан ААБАЙ,Дэвид УИЛСОН. Владелец: Виза Интерншнл Сервис Ассосиейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1326548C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Kazuo Van. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Magneto-optical memory element

Номер патента: US5414652A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Optical memory element

Номер патента: US4956243A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Tomoyuki Miyake,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-09-11.

Method for manufacturing an optical memory element

Номер патента: CA1234684A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Hideyoshi Yamaoka,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-04-05.

Ferroelectric nonvolatile memory element having capacitors of same dielectric constant and method thereof

Номер патента: US6094369A. Автор: Takaaki Fuchikami,Takanori Ozawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-07-25.

Optical memory element

Номер патента: US4818648A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Method of and photomask for manufacturing optical memory element

Номер патента: CA1334138C. Автор: Akira Shibata,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Yoshiyuki Nagahara,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Seat position control mechanism having a position memory element

Номер патента: US3940182A. Автор: Takeo Tamura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1976-02-24.

Inspection apparatus for magnetic wire type memory element

Номер патента: US3688283A. Автор: Toshikazu Yoneyama. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1972-08-29.

Memory element profiling and operational adjustments

Номер патента: US11836345B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Three dimensional magnetic game board

Номер патента: CA166459S. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-08.

Pot surface layer structure with three-dimensional magnetic field imaging

Номер патента: TWM428732U. Автор: Ying-Hui Lai. Владелец: Ying-Hui Lai. Дата публикации: 2012-05-11.

Method of fusing two-dimensional magnetic resonance spectrum and three-dimensional magnetic resonance navigation image

Номер патента: CN104224175A. Автор: 汤伟军,吴劲松,毛颖,刘翌勋,姚成军,庄冬晓,邱天明,周良辅. Владелец: Huashan Hospital of Fudan University. Дата публикации: 2014-12-24.

Three-axis magnetic sensor based three-dimensional magnetic field positioning method and system

Номер патента: CN104597508B. Автор: 马静,张晓彤,徐金梧,黄琪玮. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2017-02-01.

Three-dimensional magnetic core matrix system

Номер патента: AU1396462A. Автор: GUNDERSON EDMUND F. KLEIN and PAUL HIGASHI ROBERTO.. Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1963-08-08.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC CIRCUITS INCLUDING MAGNETIC CONNECTORS

Номер патента: US20120248556A1. Автор: Nikonov Dmitri E.,Young Ian A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Three-dimensional magnetic flux permanent magnet linear motor of multi-air-gap independent winding structure

Номер патента: CN103915971A. Автор: 谭强,黄旭珍,周波,王庆龙. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2014-07-09.

Three-phase three-dimensional magnetic core

Номер патента: SU853679A1. Автор: Павел Станиславович Гладышевский,Василий Илларионович Бойчук,Виталий Алексеевич Бормосов. Владелец: Предприятие П/Я А-1183. Дата публикации: 1981-08-07.

Method and device for measuring three-dimensional magnetic field space distribution of transcranial magnetic stimulation coil

Номер патента: CN101975932A. Автор: 许海田,夏伟杰. Владелец: MIND TOUCH HIGH TECHNOLOGY Co Ltd HONG KONG. Дата публикации: 2011-02-16.

Three-phase three-dimensional magnetic circuit

Номер патента: SU557679A1. Автор: Е.П. Васюренко,А.Г. Битяй,Г.Б. Андреев,В.И. Бойчук,П.С. Гладышевский. Владелец: Предприятие П/Я Р-6747. Дата публикации: 1978-06-05.

Multifunctional treatment system with magnetic resonance type three-dimensional magnetic field

Номер патента: CN105288854A. Автор: 陈克雄. Владелец: Chen Xuantao. Дата публикации: 2016-02-03.

Three-Dimensional Magnetic Random Access Memory With High Speed Writing

Номер патента: US20120155154A1. Автор: Shukh Alexander Mikhailovich. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS

Номер патента: US20120224283A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

Three Dimensional Magnetic Field Manipulation in Electromagnetic Devices

Номер патента: US20130038147A1. Автор: Banerjee Debasish,Lee Jaewook,Dede Ercan Mehmet. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2013-02-14.

THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELD SENSOR AND METHOD OF PRODUCING SAME

Номер патента: US20130134969A1. Автор: YAMAZAKI Hiroshi,Ohta Naoki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2013-05-30.

SYSTEM AND METHOD FOR SPECTRALLY-RESOLVED THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC RESONANCE IMAGING WITHOUT FREQUENCY-ENCODING GRADIENTS

Номер патента: US20130278254A1. Автор: Reeder Scott Brian,Artz Nathan Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Multibar three-dimensional magnetic core and method of manufacturing same

Номер патента: SU1422250A1. Автор: Владимир Григорьевич Шевчик,Александр Петрович Гладкий,Николай Иванович Кобыляцкий,Сумбат Аршовирович Парсаданян,Вячеслав Леонидович Ерин,Лариса Ивановна Емельянова. Владелец: Кишиневский политехнический институт им.С.Лазо. Дата публикации: 1988-09-07.

Three-dimensional magnetic field mobile phone electronic compass (Compass) proving installation

Номер патента: CN204101049U. Автор: 陈龙,梁发年,何立强,马冰锋. Владелец: Shenzhen Ce Way Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-14.

Measuring transducer for making measurements of three-dimensional magnetic field components

Номер патента: PL268062A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1989-04-17.

Planarized three-dimensional magnetic sensing chip

Номер патента: CN104007401B. Автор: 袁辅德,赖孟煌,郑振宗. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-12.

Preparation method for three-dimensional magnetic nail polish and product

Номер патента: CN102512332A. Автор: 袁永欢. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-27.

Three-dimensional magnetic field generation device

Номер патента: CN105206376A. Автор: 朱永红,陈俊全. Владелец: Hunan Forever Elegance Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-12-30.

Connecting rod driving three-dimensional magnetic field measuring probe

Номер патента: CN105652219A. Автор: 沈佳华,高奇峰,胡红钱,李泽松,王炳锋,沈珊珊. Владелец: Zhejiang Industry Polytechnic College. Дата публикации: 2016-06-08.

Metal pipeline corrosion defect full-digitalization three-dimensional magnetic leakage signal acquisition system

Номер патента: CN201965115U. Автор: 马宁,赵晓光,张永江,曹崇珍,陈崇祺,赵云利,常连庚. Владелец: China Petroleum Pipeline Bureau Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Three-dimensional magnetic field generating device

Номер патента: CN202258631U. Автор: 殷天惠,戴建萍,吴怀彬. Владелец: 殷天惠. Дата публикации: 2012-05-30.

A kind of Tissue Culture Dish applying three-dimensional magnetic field

Номер патента: CN207944108U. Автор: 刘敏,刘曼,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,刘一曼. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2018-10-09.

Medical catheter and three-dimensional magnetic positioning system

Номер патента: CN215653333U. Автор: 王慧,梁波,沈磊,孙毅勇,周子燕,宫晶晶. Владелец: Shanghai Microport EP MedTech Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Three-dimensional magnetic core matrix system

Номер патента: AU262891B2. Автор: GUNDERSON EDMUND F. KLEIN and PAUL HIGASHI ROBERTO.. Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1963-08-08.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120002463A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120003757A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming structures of magnetic tunnel barriers for magnetoresistive random access magnetic memory and structure of magnetic tunnel barrier for magnetoresistive random access magnetic memory (versions)

Номер патента: RU2367057C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государственный университет)". Дата публикации: 2009-09-10.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Method of making electromechanical memory element with movable electrodes

Номер патента: RU2584267C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Алексей Сергеевич Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-05-20.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

High-frequency superconducting memory element

Номер патента: RU2554612C2. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Сергей Викторович Бакурский,Николай Викторович Кленов,Игорь Игоревич Соловьев,Александр Львович Гудков,Валерий Владимирович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-06-27.

Resistive flash memory element

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Optical memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: CA1298728C. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta,Shohichi Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.