Magnetic memory.

Magnetic memory

Номер патента: US3587066A
Опубликовано: 22-06-1971
Автор(ы): Daniel Gibacier, Tran Van Khai
Принадлежит: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetic memory wiring organization

Номер патента: US3394357A. Автор: PHILIP A HARDING. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1968-07-23.

Magnetic memory employing stress wave

Номер патента: GB1113417A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-05-15.

Switching system for driving read-write lines in a magnetic memory

Номер патента: US3469245A. Автор: James W Tuska,Anthony D Robbi. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1969-09-23.

Circuit arrangement for energizing a magnetic memory core

Номер патента: GB2023953B. Автор: . Владелец: Heemaf NV. Дата публикации: 1982-06-23.

Method of making a magnetic memory array

Номер патента: US3382571A. Автор: Matteo Leonardo Di. Владелец: Ex-Cell-O Corp. Дата публикации: 1968-05-14.

Magnetic memory array

Номер патента: US3209335A. Автор: Jr Wilbert L Shevel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1965-09-28.

Nondestructively interrogated magnetic memory

Номер патента: US3323114A. Автор: Edwin A Irland,Robert C Gebhardt. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1967-05-30.

Chain magnetic memory element

Номер патента: US3478335A. Автор: Arnold F Schmeckenbecher,Hans-Otto G Leilich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1969-11-11.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Magnetic memory

Номер патента: US9343129B2. Автор: Naoharu Shimomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Filamentary magnetic memory with electrostatic shielding

Номер патента: US3699549A. Автор: Joseph F Martin,Thaddeus F Bryzinski. Владелец: Stromberg Carlson Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Batch fabricated magnetic memory

Номер патента: ZA706833B. Автор: H Parks. Владелец: Bunker Ramo. Дата публикации: 1971-07-28.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US20160224242A1. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US09886199B2. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory, magnetic memory device, and method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09515124B2. Автор: Yuuzo Kamiguchi,Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Implementing 3D scalable magnetic memory with interlayer dielectric stack and pillar holes having programmable area

Номер патента: US09443905B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Horizontal magnetic memory device using in-plane current and electric field

Номер патента: US09647030B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Seo-Won Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory using spin current, operating method thereof, and electronic apparatus including magnetic memory

Номер патента: US20230352072A1. Автор: Kwangseok KIM,Kaixuan Zhang,Je-Geun PARK,Jingyuan CUI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: WO2005081254A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: US20050180239A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US20170084827A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US20160012920A1. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09673387B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Tester for testing magnetic memory

Номер патента: US09678179B2. Автор: Tatsuya Kishi,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09520444B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: WO2008010957A3. Автор: DING Yunfei. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic Memory Cell and Magnetic Memory

Номер патента: US20240331753A1. Автор: Hong Jian,Fantao MENG,Yihui SUN,Junlu GONG. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09899595B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Spin orbit torque (SOT) magnetic memory cell and array

Номер патента: US09830968B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshiaki Asao,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09659996B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09431457B1. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US09799383B2. Автор: Tatsuya Kishi,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640755B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Sensing circuit for magnetic memory unit

Номер патента: US20020085440A1. Автор: Jy-Der Tai. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Implementing magnetic memory integration with CMOS driving circuits

Номер патента: US09780143B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09548093B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile solid-state magnetic memory, method for controlling coercive force of nonvolatile solid-state magnetic memory, and method for recording in nonvolatile solid-state magnetic memory

Номер патента: US20040085827A1. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Daichi Chiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2004-05-06.

Magnetic memory

Номер патента: US09858974B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Write apparatus and magnetic memory

Номер патента: US09741418B2. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US09484529B2. Автор: Woojin Kim,Sechung Oh,Jeahyoung Lee,Junho Jeong,Woochang Lim,Jangeum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory element

Номер патента: RU2585578C2. Автор: Жиль Луи ГОДЕН,Иоан Михай МИРОН,Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА,Ален ШУЛЬ. Владелец: Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа). Дата публикации: 2016-05-27.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240315143A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Ku Youl JUNG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09698340B2. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09705073B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Read/write elements for a three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US20100039849A1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Jordan A. Katine,Bruce D. Terris,Barry Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168790A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: WO2020109754A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09865800B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09691816B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US09508925B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Implementing segregated media based magnetic memory

Номер патента: US09444036B1. Автор: Bruce Gurney,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US12063869B2. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic memory

Номер патента: US20240274176A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240249760A1. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory

Номер патента: US09620189B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Hiroshi Imamura,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Daisuke Saida,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic memory using spin orbit interaction

Номер патента: US09508923B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

High capacity low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US09478279B2. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Programmable magnetic memory device fp-mram

Номер патента: US20070081381A1. Автор: Kars-Michiel Lenssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory

Номер патента: US20120241884A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20210043681A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20230209838A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280189A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetic Memory and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20170077174A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09634240B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Kyung Rae Byun,Eunsun Noh,Byoungjae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050383A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Jangeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: EP2255361A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US11074951B2. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-05-06.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: WO2009117228A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory devices including in-plane current layers

Номер патента: US09882120B2. Автор: Jisu Ryu,Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US09608199B1. Автор: Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Spin transfer torque magnetic memory device using magnetic resonance precession and the spin filtering effect

Номер патента: US09478729B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Soo-Man Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200279596A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tomoaki Inokuchi,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama,Susumu Takeda,Shinobu Fujita,Kazutaka IKEGAMI,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200302988A1. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09985200B2. Автор: JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device comprising oxide patterns

Номер патента: US09893272B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Hyunsoo Shin,Byoungjae Bae,Jaesuk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US09627609B2. Автор: Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US10516095B2. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US09966122B2. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US12119036B2. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-10-15.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09647201B2. Автор: Jongchul Park,Kyung Rae Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory and manufacturing method

Номер патента: US20240221809A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Tomoe Nishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic memory

Номер патента: EP1796101A3. Автор: Susumu Haratani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US20110303998A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Voltage-controlled gain-cell magnetic memory

Номер патента: US20230045804A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Shehrin Sayed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-16.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Magnetic memory based on spin hall effect

Номер патента: US09985201B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory

Номер патента: US20030137870A1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Magnetic memory

Номер патента: US09916882B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US10084126B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269381A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Magnetic memory

Номер патента: US12069962B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory

Номер патента: US12052875B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09437654B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory and method of manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09893121B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Masahiko Nakayama,Kuniaki Sugiura,Yasuyuki Sonoda,Min Suk Lee,Ji Hwan HWANG. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory cell structure with spin device elements and method of operating the same

Номер патента: US09552860B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory, and programming control method, reading method, and magnetic storage device of the magnetic memory

Номер патента: US20210090630A1. Автор: Tao Wang,Hao Ni,Dan Ning,Zi Jian ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic memory

Номер патента: US20160055891A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Sumio Ikegawa,Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory

Номер патента: US7471551B2. Автор: Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US20070012972A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetic memory

Номер патента: US20200303457A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Megumi Yakabe,Agung Setiadi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09450177B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US20200294610A1. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US11037643B2. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Magnetic memory device with varying direction of magnetization and method of manufacturing the same

Номер патента: US8901531B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220216266A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191345A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200203597A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200357980A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic Memory Device Based on Perpendicular Exchange Bias and Method of Manufacturing Magnetic Memory Device

Номер патента: US20240032443A1. Автор: Ji-Sung Lee,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh,Byong-Guk Park,Jaimin Kang,Soogil Lee,Dae-Kyu Koh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile magnetic memory device

Номер патента: US09508919B2. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Magnetic memory device, method for manufacturing the same, and substrate treating apparatus

Номер патента: US20200091412A1. Автор: Jeong-Heon Park,Hyun Cho,Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230189662A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307100A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8729649B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210125652A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory structure with improved half-select margin

Номер патента: US6134139A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Magnetic memory, method of recording data to and reproducing data from magnetic memory, and method of operating magnetic memory

Номер патента: US9396811B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Direct writing method of magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: US20080180988A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-31.

Magnetic memory

Номер патента: EP1073061A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Magnetic memory and method of operation thereof

Номер патента: US20020167033A1. Автор: Takeshi Okazawa,Katsumi Suemitsu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Magnetic memory element, method for producing same, and magnetic memory

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Toshinari Watanabe,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: EP1714287A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US9741453B2. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Magnetic memory device with balancing synthetic anti-ferromagnetic layer

Номер патента: US20200005845A1. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu,William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11922985B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287637A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Shinji Myano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetic memory device comprising a current pulse generator, and method of operating such a magnetic memory device

Номер патента: EP4141871A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche,Jérémie VIGIER. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-03-01.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Thermally written magnetic memory device

Номер патента: US20060017126A1. Автор: Thomas Anthony,Manoj Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-26.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11942127B2. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Multi-bit magnetic memory device using spin-polarized current and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP1689006A3. Автор: Yong-su Kim,Chee-kheng Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US9935260B2. Автор: Shogo ITAI,Chikayoshi Kamata,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multilayer free magnetic layer structure for spin-based magnetic memory

Номер патента: US20200006625A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Gary Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Defect Propagation Structure and Mechanism for Magnetic Memory

Номер патента: US20200105326A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic memory

Номер патента: US20180025763A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20220115049A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Writing of a magnetic memory with electric pulses

Номер патента: US20190088300A1. Автор: Yang Yang,Sayeef Salahuddin,Jeffrey Bokor,Jon Gorchon,Richard Brian Wilson,Charles Henri Alexandre Lambert. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for reducing size and center positioning of magnetic memory element contacts

Номер патента: US09793467B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Yong Ju Lee,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana Golizadeh Mojard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US09666640B2. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09640756B2. Автор: Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US20160276407A1. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Selection circuit with autobooting for magnetic memory and methods therefor

Номер патента: US09911481B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic memory and semiconductor-integrated-circuit

Номер патента: US09570137B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US09466350B2. Автор: Minoru Amano,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetic memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20170365357A1. Автор: Kenji Noma,Shinya Kobayashi,Mikio Miyata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: US20210184094A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: EP4078589A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: WO2021126385A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287590A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetic memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069558A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Choon Kun Ryu,Min Suk Lee,Jae Geun Oh,Hyung Suk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091227A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device and driving method for the same

Номер патента: US20150078070A1. Автор: Shiho Nakamura,Tetsufumi Tanamoto,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Magnetic Memory System Using Mram-Sensor

Номер патента: US20080316801A1. Автор: Jaap Ruigrok,Hans M.B. Boeve,Friso J. Jedema. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-25.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321040A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230165164A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220093848A1. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140145279A1. Автор: Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Yushi Kato,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-05-29.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230165161A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Race track magnetic memory device and writing method thereof

Номер патента: US20210125653A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Teruo Ono,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Non-destructive readout magnetic memory

Номер патента: GB1062180A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-03-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US11942128B2. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622545B2. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic memory device utilizing magnetic domain wall motion

Номер патента: US20150070980A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Osada,Sumiko Domae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220302206A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091228A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277744A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20220262419A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11348626B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

System and method of calibrating a read circuit in a magnetic memory

Номер патента: US20050073890A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner,Richard Hilton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic memory devices and methods for initializing the same

Номер патента: US20230165158A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic device and manufacturing method therefor, magnetic memory and electronic device

Номер патента: EP4358139A1. Автор: Wei Zhu,XUE Zhou,Xuepeng Qiu,Qing QIN,Huifang JIAO,Zhongqi Xu,Huanglin YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11935573B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20210050044A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210134380A1. Автор: Sungchul Lee,Eunsun Noh,Unghwan PI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269386A1. Автор: Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Magnetic memory and method for manufacturing same

Номер патента: US9831423B2. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20060239065A1. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Multiple bit magnetic memory cell

Номер патента: US6081446A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhatacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-06-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20140353783A1. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US11805659B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic memory

Номер патента: US20200090775A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230117646A1. Автор: Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US7352615B2. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDX Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Magnetic memory

Номер патента: US20230309321A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory including a magnetoresistive element

Номер патента: US8530987B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088855A1. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic Storage Track and Magnetic Memory

Номер патента: US20170133072A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Shujie Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230040502A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kyung-Jin Lee,Jeongchun Ryu,Byongguk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168260A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180174634A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Magnetic memory

Номер патента: US20230071519A1. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230292630A1. Автор: Yukio Hayakawa,Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory

Номер патента: US20240049475A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US10867649B2. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152700A1. Автор: Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory

Номер патента: US20190088858A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory

Номер патента: US20110078538A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Sumio Ikegawa,Kenji Tsuchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US20230274772A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200020374A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180040810A1. Автор: Eunsun Noh,Whankyun Kim,Joongmyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

3d magnetic memory device based on pure spin currents

Номер патента: US20180122460A1. Автор: Gokce Ozbay,Ozhan Ozatay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088859A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098686A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Frequency resistance access magnetic memory

Номер патента: US9208846B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2015-12-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210126189A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20210020827A1. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12010925B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190279699A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US20240029811A1. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: AU2003302985A1. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-09.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J M Denissen. Владелец: Adrianus J M Denissen. Дата публикации: 2005-04-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170316813A1. Автор: Hyun Woo Lee,Byong Guk Park,Kyung Jin Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-02.

Magnetic memory device and method for controlling same

Номер патента: US20200035283A1. Автор: Shinji Yuasa,Takayuki Nozaki,Yoichi Shiota. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetic memory

Номер патента: US20240055028A1. Автор: Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Frequency Resistance Access Magnetic Memory

Номер патента: US20140160834A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2014-06-12.

Magnetic memory

Номер патента: US8830718B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US12002533B2. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Magnetic memory device

Номер патента: GB927905A. Автор: Cravens Lamar Wanlass. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1963-06-06.

Improvements in or relating to magnetic memory elements

Номер патента: GB875192A. Автор: Ernest Franklin,Thomas Henry O'dell. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1961-08-16.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Magnetic memory device and memory system

Номер патента: US11875834B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: EP4297034A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410868A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210125654A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory, a method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070181964A1. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Magnetic memory element

Номер патента: US20240194235A1. Автор: Satoru Nakatsuji,Tomoya HIGO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic memory

Номер патента: EP1750275A2. Автор: Susumu Haratani,Takashi Asatani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Three-dimensional (3D) magnetic memory devices comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) having a metallic buffer layer

Номер патента: US11456410B2. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090250776A1. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Hiroshi Takada,Shuichi Ueno,Kiyoshi Kawabata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US20180268889A1. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US10650874B2. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-05-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190035448A1. Автор: Mariko Shimizu,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Arrays of magnetic memory cells

Номер патента: EP3693998A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Magnetic memory

Номер патента: US10944045B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

Номер патента: WO2002065475A2. Автор: Xian Ning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Magnetic memory cell having deterministic switching and high data retention

Номер патента: US20200357982A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Witold Kula,Marc Drouard,Gilles Gaudin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic memory

Номер патента: US11871586B2. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US8634237B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152251A1. Автор: Juhyun Kim,Ung Hwan Pi,Ki Woong Kim,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20220102426A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210082998A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Magnetic memory

Номер патента: US20210159397A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20190189909A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Magnetic memory

Номер патента: US20230076828A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20130077395A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Improvements in or relating to magnetic memory elements and arrays thereof

Номер патента: GB1021700A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1966-03-09.

Josephson magnetic memory cell system

Номер патента: CA2874551C. Автор: Donald Miller,Anna Y. Herr,Ofer Naaman,Norman O. BIRGE. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11944014B2. Автор: Hyun Cho,Jaehoon Kim,Sechung Oh,Yongsung PARK,Sanghwan Park,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory

Номер патента: US20180375015A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230298649A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of fabricating magnetic memory device

Номер патента: US20220020918A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Magnetic memory

Номер патента: US8238144B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Magnetic memory structure

Номер патента: US11758821B2. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-09-12.

Controlled temperature, thermal-assisted magnetic memory device

Номер патента: US20050180238A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050508A1. Автор: Woojin Kim,HyeongSun HONG,Junghwan Moon,Seowon Lee,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic Memory Devices and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180040667A1. Автор: Juhyun Kim,Jae Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Non-Volatile Magnetic Memory with Low Switching Current and High Thermal Stability

Номер патента: US20120205761A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

Номер патента: US20120205763A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099158A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077388A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230269950A1. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: US20200168261A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210028228A1. Автор: Jeong-Heon Park,Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155332A1. Автор: Kenji Noma,Takashi Nakazawa,Takeshi Kajiyama,Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-04.

Spintronics device, magnetic memory, and electronic apparatus

Номер патента: US11875832B2. Автор: Yukio Nozaki. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US9691457B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US11832528B2. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160379696A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic memory device using doped semiconductor layer

Номер патента: US11930719B2. Автор: Manijeh Razeghi,Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Quantum computing device spin transfer torque magnetic memory

Номер патента: US09460397B2. Автор: Dmytro Apalkov,Matthew J. Carey,Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy,Mohamad Towfik Krounbi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Magnetic memory

Номер патента: AU5152399A. Автор: Helmut Fritzsche,Thorsten Nawrath,Jan Nowikow,Hansjörg MALETTA. Владелец: Hahn Meitner Institut Berlin GmbH. Дата публикации: 1999-12-13.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088346A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US09515123B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US09779835B1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory

Номер патента: US10658573B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory matrix with keepers

Номер патента: US3593323A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-13.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetic Memory Element Including Perpendicular Enhancement Layers and Dual Oxide Cap Layers

Номер патента: US20230403945A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic Memory Element Incorporating Dual Perpendicular Enhancement Layers

Номер патента: US20210159399A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088345A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof

Номер патента: US5103422A. Автор: Hajime Yuzurihara,Motoharu Tanaka,Toshiaki Tokita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-07.

Method for measuring an external magnetic field by at least one magnetic memory point

Номер патента: US20230358826A1. Автор: Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20210280635A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US7598577B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US10141067B2. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263329A1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Frame structure for magnetic memory planes

Номер патента: US3675222A. Автор: Michihiro Torii,Fujio Yamakawa,Seihin Kobayashi. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1972-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301195A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240090338A1. Автор: Junghwan Park,YeonHo Choi,Kyungil Hong,Gyuwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic memory device and element

Номер патента: US09735343B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells

Номер патента: US09711565B2. Автор: Stephen J. Kramer,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory cell with shape anisotropy

Номер патента: US20040240264A1. Автор: Joel Drewes,Theodore Zhu,Yong Lu,Anthony Arrott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Programmable magnetic memory device

Номер патента: WO2004032145A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Gavin N Phillips. Владелец: Gavin N Phillips. Дата публикации: 2005-06-16.

Conductive alloy layer in magnetic memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US11770979B2. Автор: Andrew Smith,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Christopher WIEGAND,Angeline SMITH,Justin BROCKMAN,Tofizur RAHMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: US20070165450A1. Автор: Hans Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-19.

Magnetic memory having two transistors and two magnetic tunnel junctions per memory cell

Номер патента: US09472256B1. Автор: THOMAS Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923138B2. Автор: Jae Hoon Kim,Sang Hwan Park,Kwangseok KIM,Keewon Kim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Magnetic memory and method of writing data

Номер патента: US09653138B1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Magentic memory and method for optimizing write current a in magnetic memory

Номер патента: US20040090835A1. Автор: Hiroshi Umezaki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake,Kohki Noda,Kohji Kitamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Thin film magnetic memory device provided with program element

Номер патента: US20050117393A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09461242B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Magnetic memory devices and methods of formation

Номер патента: US12075628B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Hsin-Wei Tseng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Superconducting magnetic memory device having intentionally induced non-superconducting regions

Номер патента: US5377141A. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Nonvolatile solid-state magnetic memory, method for controlling coercive force of nonvolatile solid-state magnetic memory, and method for recording in nonvolatile solid-state magnetic memory

Номер патента: TW200402065A. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Daichi Chiba. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2004-02-01.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Word line auto-booting in a spin-torque magnetic memory having local source lines

Номер патента: US09601175B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US09548444B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Unidirectional spin torque transfer magnetic memory cell structure

Номер патента: US09589618B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory cells, semiconductor devices, and methods of operation

Номер патента: US09768376B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US20120001281A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US8742519B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US20200027920A1. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Magnetic memory element and memory apparatus having multiple magnetization directions

Номер патента: US8809978B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US12035638B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US09653677B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Magnetic memory having ROM-like storage and method therefore

Номер патента: US09576636B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetoresistive device, magnetic memory, and method of fabricating a magnetoresistive device

Номер патента: US20210384417A1. Автор: Shigeki Takahashi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetic memory devices having a low switching voltage

Номер патента: US20230210014A1. Автор: Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Read and write enhancements for arrays of superconducting magnetic memory cells

Номер патента: US12080343B2. Автор: William Robert Reohr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic memory cell structure with thermal assistant and magnetic dynamic random access memory

Номер патента: TW200926168A. Автор: Wei-Chuan Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-06-16.

Multiple-bits-per-cell voltage-controlled magnetic memory

Номер патента: US09450020B2. Автор: Pedram Khalili Amiri. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic memory, magnetic memory array, method for fabricating a magnetic memory, method for recording in a magnetic memory and method for reading out from a magnetic memory

Номер патента: KR100519898B1. Автор: 야마모또마사히꼬,나까따니료이찌,엔도야스시. Владелец: 일본국 (오사까 다이가꾸쵸). Дата публикации: 2005-10-13.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: TW200733103A. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-09-01.

Magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of forming a perpendicular magnetic film of the same

Номер патента: TW201214813A. Автор: Jang-eun Lee,Woo-Chang Lim,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-01.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: WO2005050664A1. Автор: Hans M. B. Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-06-02.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: EP1690263A1. Автор: Hans M. B. Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-16.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US09941468B2. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Tetsuro Anekawa,Chaoling Zhang. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic recording element, magnetic memory, magnetic recording method, method for a fabricating a magnetic recording element, and method for a fabricating a magnetic memory

Номер патента: US20020196658A1. Автор: Eiichi Hirota,Kazuhisa Sueoka,Motonori Nakamura,Koichi Mukasa,Makoto Sawamura,Ryosho Nakane. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2002-12-26.

Magnetic memory element, magnetic memory, and methods for initializing magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: WO2011052475A1. Автор: 俊輔深見,聖万永原,則和大嶋,鈴木　哲広,石綿　延行. Владелец: 日本電気株式会社. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US9876053B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Magnetic memory, magnetic memory array, method for recording in a magnetic memory and method for reading out from a magnetic memory

Номер патента: KR100563423B1. Автор: 야마모또마사히꼬,나까따니료이찌,엔도야스시. Владелец: 일본국 (오사까 다이가꾸쵸). Дата публикации: 2006-03-22.

Magnetic memory cell writable in a deterministic fashion and method for manufacturing such cell

Номер патента: EP3866168A1. Автор: Witold Kula,Marc Drouard,Sylvain Martin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2021-08-18.

Mgo insertion into free layer for magnetic memory applications

Номер патента: WO2018169676A1. Автор: Po-Kang Wang,Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-09-20.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11756600B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

MgO insertion into free layer for magnetic memory applications

Номер патента: US09966529B1. Автор: Po-Kang Wang,Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film magnetic memory device including memory cells having a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20030026125A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Thin film magnetic memory device having redundancy repair function

Номер патента: US20030133334A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-17.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190131517A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Magnetic memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US20210175284A1. Автор: Andrew Smith,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Christopher WIEGAND,Angeline SMITH,Justin BROCKMAN,Tofizur RAHMAN,Juan G. Alzate-Vinasco,James Pellegren,Yu-Jin Chen,Aaron Littlejohn,Tanmoy Pramanik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US11114609B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Magnetic memory

Номер патента: US20240099155A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Masahiro Koike,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Megumi Yakabe,Agung Setiadi,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250668A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,FUKUZAWA Hideaki,KIKITSU Akira,Morise Hirofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160056205A1. Автор: Ootera Yasuaki,KAMIGUCHI Yuuzo,Kondo Tsuyoshi,NAKAMURA Shiho. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory, magnetic memory device, and method of manufacturing magnetic memory

Номер патента: JP6271370B2. Автор: 裕三上口,志保中村,剛近藤,泰章大寺,中村　志保,大寺　泰章. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-31.

Magnetic memory array, method for recording in a magnetic memory array and method for reading out from a magnetic memory array

Номер патента: KR100526280B1. Автор: 야마모또마사히꼬,나까따니료이찌,엔도야스시. Владелец: 일본국 (오사까 다이가꾸쵸). Дата публикации: 2005-11-08.

Thin film magnetic memory device capable of reducing number of wires and reading data at high speed

Номер патента: US20020036918A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Methods of forming magnetic memory cells and semiconductor devices

Номер патента: US20180287053A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods of forming magnetic memory cells and semiconductor devices

Номер патента: US20160359105A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Magnetic recording element, magnetic memory, magnetic recording method, method for fabricating a magnetic recording element, and method for fabricating a magnetic memory

Номер патента: EP1262992B1. Автор: Eiichi Hirota,Kazuhisa Sueoka,Motonori Nakamura,Koichi Mukasa,Makoto Sawamura,Ryosho Nakane. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2006-07-05.

MAGNETIC MEMORY, RECORDING METHOD OF MAGNETIC MEMORY, AND READING METHOD OF MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200013443A1. Автор: Uchida Hiroyuki,Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Ohmori Hiroyuki,SATO Yo,HASE NAOKI. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND OPERATION METHOD OF MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20150255710A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,NAKAMURA Shiho. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Magnetic memory cell, magnetic random access memory, and data read / write method to magnetic random access memory

Номер патента: JP5062481B2. Автор: 哲広鈴木,直彦杉林,秀昭沼田,延行石綿,俊輔深見,則和大嶋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Non-volatile magnetic memory cell and devices

Номер патента: US6034887A. Автор: Arunava Gupta,Rajiv V. Joshi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Magnetic memory device, method for writing magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20070258283A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Magnetic memory element, magnetic memory and manufacturing method for a magnetic memory

Номер патента: DE10113853A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Ryoji Minakata,Masashi Michijima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Magnetic memory array, method for recording in a magnetic memory array and method for reading out from a magnetic memory array

Номер патента: US7099185B2. Автор: Ryoichi Nakatani,Masahiko Yamamoto,Yasushi Endo. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2006-08-29.

Magnetic memory cell, magnetic random access memory, and data read/write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20100142264A1. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Hideaki Numata,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-10.

Magnetic memory, magnetic memory device, and operation method of magnetic memory

Номер патента: US9653678B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Magnetic memory, method for producing magnetic memory and method of driving magnetic memory

Номер патента: WO2011087038A1. Автор: 伊藤　顕知,和夫小埜,石垣　隆士,竹村　理一郎,河原　尊之. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2011-07-21.

Quantum magnetic memory

Номер патента: US20030031041A1. Автор: Michael Brown,Eric Hannah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Capped magnetic memory

Номер патента: EP3311425A1. Автор: Md Tofizur Rahman,Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Tarun Bansal,Daniel R. LAMBORN,Philip E. HEIL,Rebecca J. CASTELLANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Magnetic memory with tunneling magnetoresistance enhanced spacer layer

Номер патента: US09923137B2. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Metallic magnetic memory devices for cryogenic operation and methods of operating the same

Номер патента: US20200312394A1. Автор: Quang Le,Zhanjie Li,Michael Ho,Zhigang Bai,Paul VANDERHEIJDEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: EP2255361A4. Автор: Solomon Assefa,Janusz Jozef Nowak,Sivananda K Kanakasabapathy,Philip L Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Quantum magnetic memory

Номер патента: US20040016943A1. Автор: Michael Brown,Eric Hannah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-29.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistive element, and magnetic memory

Номер патента: EP3608971B1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Tomomi Kawano,Minoru Sanuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: TW201212024A. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-16.

Current driven switching of magnetic storage cells utilizing spin transfer and magnetic memories using such cells having enhanced read and write margins

Номер патента: TW200811861A. Автор: Lien-Chang Wang,Yiming Huai,Xiao Luo,Eugene Youjun Chen,Alex Fischer Panchula. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Thin film magnetic memory device suppressing internal magnetic noises

Номер патента: TW200400507A. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistive element, and magnetic memory

Номер патента: EP4236663B1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Tomomi Kawano,Minoru Sanuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Magnetic device and manufacturing method therefor, magnetic memory and electronic device

Номер патента: EP4358139A4. Автор: Wei Zhu,XUE Zhou,Xuepeng Qiu,Qing QIN,Huifang JIAO,Zhongqi Xu,Huanglin YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Magnetic memory with tunneling magnetoresistance enhanced spacer layer

Номер патента: US09876163B2. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY HAVING THE MAGNETIC STORAGE ELEMENT, AND METHOD FOR DRIVING MAGNETIC MEMORY

Номер патента: JP4250644B2. Автор: 田博明與,川将寿吉,川英二北,達也岸. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Thin film magnetic memory device for programming required information with an element similar to a memory cell information programming method

Номер патента: US20050226042A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US10388343B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Method for screening arrays of magnetic memories

Номер патента: US20140010003A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Two conductor thermally assisted magnetic memory

Номер патента: WO2005106889A1. Автор: Lung T. Tran,Frederick A. Perner,Robert C Walmsley. Владелец: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY L.P.. Дата публикации: 2005-11-10.

Direct writing method on magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: TW200832401A. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2008-08-01.

Writing method on magnetic memory cell and magetic memory array structure

Номер патента: TW200836193A. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2008-09-01.

Magnetic memory devices having multiple bits per memory cell

Номер патента: TW200404287A. Автор: Manish Sharma,Lung T Tran. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2004-03-16.

Method of making a magnetic memory layer

Номер патента: US4314894A. Автор: Reimar Spohr,Klaus Witter,Jens-Peter Krumme,Christoph Schmelzer,Heinrich Heitmann. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1982-02-09.

Spin current magnetization rotational magnetic element, spin current magnetization rotational magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200075073A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Magnetoresistive element, magnetic memory, and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: WO2013005461A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Kenji Noma,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-01-10.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: EP1612865A1. Автор: Joichiro Tdk Corporation Ezaki,Keiji Tdk Corporation Koga,Yuji TDK Corporation KAKINUMA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

Magnetic multi-layers containing mgo sublayers as perpendicularly magnetized magnetic electrodes for magnetic memory technology

Номер патента: US20200373052A1. Автор: Aakash Pushp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Magnetoresistive element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20140131823A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Apparatus and methods for magnetic memory devices with magnetic assist layer

Номер патента: US20220069202A1. Автор: Quang Le,Zhanjie Li,Xiaoyong Liu,Michael Ho,Yongchul Ahn,Thao A. Nguyen,Zhigang Bai,Hongquan Jiang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: US20200294567A1. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

MAGNETIC MEMORY, AND PROGRAMMING CONTROL METHOD, READING METHOD, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE OF THE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210090630A1. Автор: WANG TAO,Ni Hao,NING Dan,ZHAO Zi Jian. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

MAGNETIC MEMORY DEVICE THAT IS PROTECTED AGAINST READING USING AN EXTERNAL MAGNETIC FIELD AND METHOD FOR OPERATING SUCH MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180197591A1. Автор: Stainer Quentin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

MAGNETIC MULTILAYER FILM, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20200286536A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,WATANABE Kyota,ZHANG Chaoliang,OHKAWARA Ayato. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Magnetic storage cell, magnetic memory device, and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: JP4720067B2. Автор: 進原谷,城一朗江▲崎▼,啓治古賀,裕二柿沼. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Magnetic recording element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory

Номер патента: WO2010032574A1. Автор: 早川　純. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2010-03-25.

Magnetic stack structure, magnetic memory device and the method for operating magnetic memory device

Номер патента: CN109713117A. Автор: 郑在佑,S.S.P.帕金,M.G.萨曼特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-03.

Magnetic memory device that is protected against reading using an external magnetic field and method for operating such magnetic memory device

Номер патента: EP3115994A1. Автор: Quentin Stainer. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-01-11.

Magnetic memory, shift register memory, and magnetic memory manufacturing method

Номер патента: JP6271350B2. Автор: 志保中村,博史森瀬,拓哉島田,剛近藤,泰章大寺,ミカエルアルノーカンサ,中村　志保,大寺　泰章,ミカエルアルノーカンサ. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-31.

Tunnel magnetic recording element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory

Номер патента: JPWO2010100678A1. Автор: 純早川,路彦山ノ内,早川　純. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US9018719B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Thin film magnetic memory device provided with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20050146925A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Thin film magnetic memory device provided with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US6996002B2. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-07.

Spin-orbit torque magnetic memory array and fabrication thereof

Номер патента: WO2020131893A3. Автор: Satoru Araki. Владелец: Spin Memory, Inc.. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus and method for writing and reading digital information on a magnetic memory including a superconducting material

Номер патента: US5553036A. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-03.

Magnetic Memory Devices Including Magnetic Memory Cells Having Opposite Magnetization Directions

Номер патента: US20150179244A1. Автор: Seo Bo-Young,Lee Yong-Kyu,Jeon Hee-Seog,LEE Choong-Jae. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Tunnel magnetic recording element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory

Номер патента: JP5166600B2. Автор: 純早川,路彦山ノ内. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Tunnel magnetic recording element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory

Номер патента: WO2010100678A1. Автор: 早川純,山ノ内路彦. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2010-09-10.

Magneto-resistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7547934B2. Автор: Yoshiaki Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Magnetic logic device, magnetic logic circuit, and magnetic memory

Номер патента: US9602102B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Process for Manufacturing Scalable Spin-Orbit Torque (SOT) Magnetic Memory

Номер патента: US20200194666A1. Автор: Satoru Araki. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US11164906B2. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200083429A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory cell with low-resistive electrode via and method of forming same

Номер патента: US11778918B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Thin film magnetic memory device with memory cell having magnetic tunnel junction

Номер патента: US20040109348A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Josephson magnetic memory cell with ferrimagnetic layers having orthogonal magnetic polarity

Номер патента: US20220320414A1. Автор: Melissa G. Loving. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Power-efficient programming of magnetic memory

Номер патента: US10811072B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Spin current magnetization rotation magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190363244A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Thin film magnetic memory device and semiconductor integrated circuit device including the same as one of circuit blocks

Номер патента: US20060002216A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Power-Efficient Programming of Magnetic Memory

Номер патента: US20190378553A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Power-Efficient Programming of Magnetic Memory

Номер патента: US20200118611A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180198062A1. Автор: Junghoon Bak,Hong Hyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Thin film magnetic memory device conducting data read operation without using a reference cell

Номер патента: US20030107916A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Spin current magnetization rotational element, method of manufacturing the same, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190051816A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Magnetic memory devices and systems

Номер патента: US20130294131A1. Автор: Christoforos Moutafis,Stavros KOMINEAS. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory devices and systems

Номер патента: US20150146469A1. Автор: Christoforos Moutafis,Stavros KOMINEAS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-28.

Magnetic memory devices and systems

Номер патента: US20140177309A1. Автор: Christoforos Moutafis,Stavros KOMINEAS. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2014-06-26.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11765981B1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180205003A1. Автор: Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210020216A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Spin-orbit torque type magnetization reversal element, magnetic memory, and high frequency magnetic device

Номер патента: US20190221733A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US8750029B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho,Quinsat Michael Arnaud. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190051818A1. Автор: OIKAWA Soichi,Saito Yoshiaki,Yoda Hiroaki,KATO Yushi,Ishikawa Mizue. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2019-02-14.

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND WRITING AND READING METHOD FOR MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210158849A1. Автор: Ikeda Shoji,Saito Yoshiaki,Sato Hideo,Endoh Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho,Quinsat Michael Arnaud. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ARRAY, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND WRITE METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Ikeda Shoji,Saito Yoshiaki,Endoh Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC MEMORY ARRAY

Номер патента: US20180254076A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,HASHIMOTO Susumu,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,UMETSU Nobuyuki,NAKAMURA Shiho,Quinsat Michael Arnaud,Kado Masaki. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-09-06.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263858A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro,Hashimoto Yutaka,Nagase Toshihiko,Watanabe Daisuke,Yoshikawa Masatoshi,Yoshino Kenichi,Sonoda Yasuyuki,TSUBATA Shuichi,EEH Youngmin,SAWADA Kazuya,OIKAWA Tadaaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-14.

MAGNETIC MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF READING MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190385647A1. Автор: Uchida Hiroyuki,Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Ohmori Hiroyuki,Bessho Kazuhiro,SATO Yo,HASE NAOKI. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Magnetic memory element, method for driving the magnetic memory element, and nonvolatile storage device

Номер патента: KR101397654B1. Автор: 야스시 오기모토,하루오 카와카미. Владелец: 후지 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-05-22.

Magnetic memory device and method for reading magnetic memory cell using spin hall effect

Номер патента: KR100982660B1. Автор: 김형준,구현철,장준연,한석희. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2010-09-17.

Magnetic memory element, magnetic memory device, spin transistor, and integrated circuit

Номер патента: KR101375389B1. Автор: 요시아끼 사이또,히데유끼 스기야마,도모아끼 이노꾸찌,다까오 마루까메,미즈에 이시까와,마사히꼬 나까야마,다쯔야 기시,히로아끼 요다. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2014-03-17.

MAGNETIC MEMORY MEMORY WITH MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND METHOD FOR ITS WRITING

Номер патента: FR2866750B1. Автор: Bernard Dieny,Olivier Redon,Jean Pierre Nozieres,Ricardo Sousa,Ioan Lucian Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-04-21.

Magnetic memory cell and magnetic memory

Номер патента: CN112133343B. Автор: 何世坤,宫俊录. Владелец: CETHIK Group Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Magnetic memory layer and magnetic memory device including the same

Номер патента: US8803265B2. Автор: Woo-Chang Lim,Young-Hyun Kim,Jun-Ho Jeong,Hee-Ju SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-12.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: WO2008108109A1. Автор: Shunsuke Fukami,Kenichi Shimura,Hideaki Numata. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2008-09-12.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: JPWO2008108109A1. Автор: 健一志村,秀昭沼田,俊輔深見,志村　健一. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for manufacturing a magnetic memory device and magnetic memory device

Номер патента: US20110121419A1. Автор: Shin Hasegawa,Shuichi Ueno,Hiroshi Oshita,Haruo Furuta,Shinya Hirano,Tatsuya Fukumura,Ryoji Matsuda,Hiroyuki Chibahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Magnetic memory element and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20080197431A1. Автор: Shiho Nakamura,Hirofumi Morise,Satoshi Yanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Magnetic memory device, magnetic memory and forming method thereof

Номер патента: CN112750855A. Автор: 李乾铭,宋明远,林世杰,葛卫伦. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Thin-film magnetic memory device with memory cells having magnetic tunnel junction

Номер патента: US20030043620A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Magnetic memory device and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: CN115084355A. Автор: 吉野健一. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Magnetic memory and its drive method, and magnetic memory apparatus using same

Номер патента: CN1270323C. Автор: 平本雅祥,松川望,小田川明弘,川岛良男,里见三男,杉田康成. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Magnetic memory element, magnetic memory

Номер патента: JP5483025B2. Автор: 哲広鈴木,延行石綿,俊輔深見,聖万永原,則和大嶋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Magnetic memory device, magnetic memory, and initialization method thereof

Номер патента: JPWO2011052475A1. Автор: 哲広鈴木,延行石綿,俊輔深見,聖万永原,則和大嶋,鈴木　哲広,石綿　延行. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Magnetic memory cell and magnetic memory device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1511041B1. Автор: Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-11-28.

Magnetic memory device and magnetic random access memory

Номер патента: JPWO2010074130A1. Автор: 哲広鈴木,延行石綿,俊輔深見,聖万永原,則和大嶋,鈴木　哲広,石綿　延行. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Thin film magnetic memory device including memory cells having a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20030076708A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-24.

Magnetoresistive Element, Magnetic Memory Cell and Magnetic Random Access Memory Using the Same

Номер патента: US20100034014A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Young Min Lee. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-02-11.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20110297909A1. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Magnetic memory devices and systems

Номер патента: WO2009141667A1. Автор: Christoforos Moutafis,Stravros Komineas. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2009-11-26.

Spin-orbit torque type magnetization reversal element, magnetic memory, and high frequency magnetic device

Номер патента: US20180123021A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20230292623A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory cell with multiple-bit in stacked strucrute and magnetic memory device

Номер патента: TW200847160A. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2008-12-01.

Magnetic memory including memory cells incorporating data recording layer with perpendicular magnetic anisotropy film

Номер патента: TW201228057A. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara,Kaoru Mori,Yasuaki Ozaki,Hironobu Tanigawa,Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

Thin film magnetic memory device with memory cell having magnetic tunnel junction

Номер патента: TW200410248A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20130140660A1. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US20130155761A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD FOR MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130182498A1. Автор: AOKI Masaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-07-18.

PROBER CHUCK FOR MAGNETIC MEMORY, AND PROBER FOR MAGNETIC MEMORY PROVIDED WITH SAID CHUCK

Номер патента: US20160012920A1. Автор: Yamashiro Tomokazu,Kenju Hiroyuki,Utsumi Ryoichi,Sato Shigeyuki. Владелец: Toei Scientific Industrial Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-01-14.

MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC MEMORY RECORDING METHOD

Номер патента: US20200020376A1. Автор: Uchida Hiroyuki,Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Ohmori Hiroyuki,SATO Yo,HASE NAOKI. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho,QUINSAT Michael Amaud. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Watanabe Toshinari,Honjo Hiroaki,NIWA Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180151209A1. Автор: LEE Seung-jae,Lim Woo Chang,LEE Kyung-Jin,GO Gyungchoon. Владелец: KOREA UNIVERSITY Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-31.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180151212A1. Автор: LEE Seung-jae,Lim Woo Chang,LEE Kyung-Jin,GO Gyungchoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220302373A1. Автор: Yoshino Kenichi. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20170221964A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho,Quinsat Michael Arnaud. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

MAGNETIC MEMORY AND METHOD FOR WRITING DATA INTO MAGNETIC MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20170249981A1. Автор: Ohno Hideo,TSUJI Yukihide,Nebashi Ryusuke,Sakimura Noboru,TADA Ayuka. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD FOR THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279700A1. Автор: FUJIMORI Takeshi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory cells and semiconductor devices comprising the magnetic memory cells

Номер патента: US20170309680A1. Автор: Stephen J. Kramer,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

READOUT CIRCUIT OF MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200312397A1. Автор: WANG TAO,Ni Hao,ZHENG Siwen,WANG Tengye. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetic memory and magnetic memory array

Номер патента: JP3893456B2. Автор: 亮一中谷,雅彦山本,恭遠藤. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2007-03-14.

A magnetic memory and a method for programming a magnetic memory

Номер патента: KR100824102B1. Автор: 이밍 후아이,마헨드라 파칼라. Владелец: 그랜디스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-04-21.

Reading circuit of magnetic memory and magnetic memory

Номер патента: CN111755044B. Автор: 王韬,倪昊,郑斯文,汪腾野. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-15.

Magnetic random access memory for information storage, has word line placed between MOS transistor and magnetic memory element and insulated from element, and bit line in contact with element and interposed between word line and element

Номер патента: FR2889350A1. Автор: Richard Fournel,Stephane Zoll,David Galpin,Claude Chappert,Cedric Maufront. Владелец: Universite Paris Sud Paris 11. Дата публикации: 2007-02-02.

Magnetoresistive element, magnetic memory cell, and magnetic memory device

Номер патента: CN1606094A. Автор: 羽立等,上岛聪史. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-04-13.

Tunnel magnetoresistance effect element, and magnetic memory cell and magnetic random access memory employing same

Номер патента: WO2011096312A1. Автор: 路彦山ノ内,宏昌高橋. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2011-08-11.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: WO2012160937A1. Автор: 正二池田,大野　英男,俊輔深見,路彦山ノ内,石綿　延行,杉林　直彦. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2012-11-29.

Magnetic memory element and magnetic memory apparatus

Номер патента: US7889543B2. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Nakamura,Hirofumi Morise,Daisuke Saida,Satoshi Yanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Magnetic memory cell, magnetic memory array, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5177938B2. Автор: 伯剛王,泰閔. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド. Дата публикации: 2013-04-10.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US8994130B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Magnetic memory device and methods for making a magnetic memory device

Номер патента: US7352613B2. Автор: ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-01.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20110233699A1. Автор: Taisuke Furukawa,Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Magnetoresistive element, magnetic memory cell, and magnetic memory device

Номер патента: EP1523011A3. Автор: Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: TWI778510B. Автор: 園田康幸. Владелец: 日商鎧俠股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-21.

Magnetic memory device and method for reading magnetic memory cell using spin hall effect

Номер патента: US20100027330A1. Автор: Hyun Cheol Koo,Suk Hee Han,Joon Yeon Chang,Hyung Jun Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-02-04.

Magnetoresistive element, magnetic memory device, and writing and reading method for magnetic memory device

Номер патента: JP7251811B2. Автор: 哲郎遠藤,正二池田,英夫佐藤,好昭齋藤. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-04-04.

Magnetic memory device and method of operating magnetic memory device

Номер патента: TWI332662B. Автор: Hiromasa Takahashi,Takayuki Kawahara,Kenchi Ito,Claude Chappert,Paul Crozat,Riichiro Takemura,Joo-Von Kim,Thibault Devolder. Владелец: Univ Paris Sud Xi. Дата публикации: 2010-11-01.

Spin-torque transfer magnetic memory cell structures with symmetric switching and single direction current programming

Номер патента: KR101835927B1. Автор: 준 리우. Владелец: 오보닉스 메모리 테크놀로지, 엘엘씨. Дата публикации: 2018-03-07.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8508985B2. Автор: Kenichi Ito. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-08-13.

Magnetic memory having metal portions and magnetic memory array including same

Номер патента: US10276224B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: JPWO2009145161A1. Автор: 顕知伊藤,伊藤　顕知. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Magnetic memory unit and magnetic memory array

Номер патента: EP1349184A1. Автор: Shiho Intell. Property Division Nakamura,Shigeru Intell. Property Division Haneda,Hiroaki Intell. Property Division Yoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Magnetic memory element, magnetic memory and initializing method

Номер патента: US8592930B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Thermally assisted magnetic memory cell structure and magnetic random access memory

Номер патента: CN101499513A. Автор: 陈威全. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US7688623B2. Автор: Masahiko Ichimura,Hiromasa Takahashi,Saburo Takahashi,Hiroshi Imamura,Sadamichi Maekawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-03-30.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: TW200507241A. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070013015A1. Автор: Tadashi Kai,Masahiko Nakayama,Yoshihisa Iwata,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: US20140070342A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF DRIVING MAGNETIC STORAGE ELEMENT

Номер патента: US20150036422A1. Автор: Aochi Hideaki,FUKUZUMI Yoshiaki,SHIMADA Takuya,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-02-05.

Spin current magnetization rotational magnetic element, spin current magnetization rotational magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200075073A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

MAGNETIC MULTI-LAYERS CONTAINING MGO SUBLAYERS AS PERPENDICULARLY MAGNETIZED MAGNETIC ELECTRODES FOR MAGNETIC MEMORY TECHNOLOGY

Номер патента: US20200373052A1. Автор: Pushp Aakash. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Magnetic head, magnetic head gimbal assembly, magnetic recording and reproducing apparatus, and magnetic memory

Номер патента: US20060103989A1. Автор: Jun Hayakawa. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Japan Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Magnetic junction, magnetic memory and method for providing magnetic junction for use in magnetic device

Номер патента: TW201428898A. Автор: Steven M Watts,Ki-Seok Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-16.

Thin film magnetic memory device suppressing internal magnetic noises

Номер патента: US20050052929A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Method and system reading magnetic memory

Номер патента: US20050047201A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-03.

Magnetoresistive element comprising discontinuous interconnect segments and magnetic memory comprising a plurality of the magnetoresistive element

Номер патента: EP3882995A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Julien Louche. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2021-09-22.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US10756262B2. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element and magnetic memory

Номер патента: US20210083175A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210098040A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element and magnetic memory

Номер патента: US20220140231A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element and magnetic memory

Номер патента: US11832526B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A4. Автор: Witold Kula,Gurtej S Sandhu,Wayne I Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US10614866B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US10644228B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US20190267542A1. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190148629A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US20190108865A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200235290A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSING ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC DEVICE

Номер патента: US20190074043A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,YOSHINARI Jiro,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

METHOD FOR PROVIDING FOR THIN (001) ORIENTATION MgO LAYERS FOR MAGNETIC JUNCTIONS USABLE IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC MEMORY APPLICATIONS AND THE MAGNETIC JUNCTIONS SO FORMED

Номер патента: US20160086645A1. Автор: Chen Eugene,Tang Xueti,Erickson Dustin William,Lee Jangeun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

MAGNETIC LOGIC DEVICE, MAGNETIC LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160087631A1. Автор: Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-24.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

MAGNETIC DEVICES INCLUDING IRON-RHODIUM FILMS PROVIDING BI-STABLE MAGNETIC ORDER AT ROOM TEMPERATURE, MAGNETIC MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME AND RELATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20200388750A1. Автор: Mei Antonio Rodolph Bighetti,Fuchs Gregory David,Gray Isaiah. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

MAGNETIC MEMORY OPERATING DEVICE (MRAM) CELL, METHOD FOR RECORDING AND READING MRAM CELLS USING SELF-RELATIVE READING OPERATION

Номер патента: RU2012141305A. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2014-04-10.

Magnetic junction with insert layer and the magnetic memory using the magnetic junction

Номер патента: CN104051610B. Автор: 唐学体,罗曼·切普奥斯凯,德米托·阿帕利科夫,阿列克谢·瓦西里耶维奇·赫瓦尔科夫斯克维,弗拉迪米尔·尼基廷,穆罕默德·汤菲克·克劳恩彼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-26.

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11744163B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of making record on magnetic memory device

Номер патента: TW201003651A. Автор: Hiroshi Kano,Minoru Ikarashi,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-16.

A magnetic memory device

Номер патента: TW200524152A. Автор: Thomas C Anthony,Frederick A Perner,Heon Lee. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-07-16.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: TW200809858A. Автор: yun-fei Ding. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-02-16.

Magnetic memory device

Номер патента: TWI334138B. Автор: Yuankai Zheng,Yihong Wu. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2010-12-01.

Magnetic memory

Номер патента: TW200830313A. Автор: Jun Setogawa. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Regulating a magnetic memory cell write current

Номер патента: TW200519960A. Автор: Frederick A Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-06-16.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: US20230147268A1. Автор: Hiroshi Naganuma,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-11.

Thin film magnetic memory device

Номер патента: TW583665B. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-11.

Thin film magnetic memory device having dummy cell

Номер патента: TWI275090B. Автор: Tsukasa Ooishi,Hiroaki Tanizaki,Takaharu Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Eng. Дата публикации: 2007-03-01.

Thin film magnetic memory device

Номер патента: TWI277092B. Автор: Tsukasa Ooishi,Hideto Hidaka,Masatoshi Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Read-only magnetic memory device mrom

Номер патента: AU2003260844A1. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Hendrik Van Houten. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-23.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI289911B. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-11-11.

Magnetic memory, driving method thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201023353A. Автор: Ching-hsiang Tsai. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2010-06-16.

Capped magnetic memory

Номер патента: EP3311425A4. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Tarun Bansal,Daniel R. LAMBORN,Philip E. HEIL,Rebecca J. CASTELLANO,Tofizur RAHMAN MD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-27.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US09564152B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: US20130286505A1. Автор: Yoshihiro Shiroishi,Hiroshi Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Scrambler of information stored on magnetic memory media

Номер патента: US5666413A. Автор: Christopher J. Kempf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-09.

Magnetic memory disc pack balancing system

Номер патента: US3817088A. Автор: P Herbig. Владелец: Caelus Memories Inc. Дата публикации: 1974-06-18.

Optical magnetic memory device utilizing non-recorded portions of recording medium to represent data

Номер патента: US4939710A. Автор: Shigemi Maeda,Takeshi Yamaguchi,Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji,Shozou Kobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-07-03.

Fine Structural Body, Method For Manufacturing Fine Structural Body, Magnetic Memory, Charge Storage Memory And Optical Information Recording Medium

Номер патента: US20110287282A1. Автор: Kazuhito Hashimoto,Shin-ichi Ohkoshi,Hiroko Tokoro,Fumiyoshi Hakoe,Yoshihide Tsunobuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Quarter-half cycle coding for rotating magnetic memory system

Номер патента: US3631428A. Автор: Wayne J King. Владелец: PACIFIC MICRONETICS Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Data exchange circuit for a magnetic memory apparatus

Номер патента: US4424536A. Автор: Yasuich Hashimoto,Yasuyuki Oda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Magnetic memory film

Номер патента: US3630772A. Автор: Hans-Heinrich Credner,Bernhard Seidel. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1971-12-28.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US11834738B2. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US20210079517A1. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system, method for controlling magnetic memory, and device for controlling magnetic memory

Номер патента: US09720772B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Kohsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Perpendicular magnetic memory element having magnesium oxide cap layer

Номер патента: US09748471B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Magnetic memory element with composite perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09780300B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory element with composite fixed layer

Номер патента: US09831421B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US09543508B2. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190074433A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Shoji Ikeda,Kenchi Ito,Masaaki Niwa,Tetsuo Endoh,Kyota Watanabe,Mathias BERSWEILER. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-03-07.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210151667A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Toru Iwabuchi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-19.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09859491B2. Автор: Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Spin current magnetization rotational element, spin current magnetization rotational type magnetoresistive element, magnetic memory, and magnetization rotation method

Номер патента: US20240365684A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic devices having semiconductor magnetic memory units

Номер патента: US09941464B2. Автор: Seok-Pyo Song,Se-Dong Kim,Hong-Ju Suh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09991314B2. Автор: Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US20170125665A1. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Spin-orbit torque type magnetization rotational element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210151665A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetic memory member

Номер патента: US3685029A. Автор: Joseph Louis Blanchard. Владелец: INTERN POUR L INF COMP. Дата публикации: 1972-08-15.

Cylindrical magnetic memory element having plural concentric magnetic layers separated by a nonmagnetic barrier layer

Номер патента: US3576552A. Автор: Albert W Vinal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-27.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20190333966A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

MAGNETIC MEMORY, METHOD OF RECORDING DATA TO AND REPRODUCING DATA FROM MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF OPERATING MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20150262702A1. Автор: Ootera Yasuaki,SHIMADA Takuya,NAKAMURA Shiho. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

Heterogeneous magnetic memory architecture

Номер патента: US09858111B2. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Electronic devices having semiconductor magnetic memory units

Номер патента: US09437271B2. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Tunnel magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190333819A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20120068285A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Yutaka Hashimoto,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Taro Nagahama,Masaru Tokou,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Memory system, method for controlling magnetic memory, and device for controlling magnetic memory

Номер патента: US20160259688A1. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Kohsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Magnetic laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20220115440A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-04-14.

Magnetic laminated film, magnetic memory element, magnetic memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2017208576A1. Автор: 英男大野,哲郎遠藤,大野　英男,俊輔深見,杏太渡部,超亮張,綾人大河原. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-04-11.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190074123A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190074124A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Magnetic tunnel junction device, method for manufacturing magnetic tunnel junction device, and magnetic memory

Номер патента: US11963458B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-04-16.

MAGNETIC MAGNETIC ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, MAGNETIC FIELD SENSOR, MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC LOGIC DOOR USING THE SAME

Номер патента: FR2932315A1. Автор: Bernard Dieny,Bernard Rodmacq,Stéphane AUFFRET,Lavinia Elena Nistor. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-12-11.

MAGNETIC MAGNETIC ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, MAGNETIC FIELD SENSOR, MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC LOGIC DOOR USING THE SAME

Номер патента: FR2932315B1. Автор: Bernard Dieny,Bernard Rodmacq,Stéphane AUFFRET,Lavinia Elena Nistor. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-06-04.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory element, magnetic memory device, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2003036734A1. Автор: 和彦林,政功細見,博司鹿野,豊肥後,和宏別所,哲也山元,浩亮成沢,和博大場,徹也水口,威之曽根,敬太郎遠藤,真也窪,大場　和博,曽根　威之,林　和彦,細見　政功,別所　和宏,肥後　豊,水口　徹也,鹿野　博司,山元　哲也,成沢　浩亮,遠藤　敬太郎,窪　真也. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory device and manufacturing method of magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040042129A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone,Kazuhiro Beesho. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Magnetoresistance effect element magnetic memory element magnetic memory device, and their manufacturing method

Three-layer magnetic element, method for the production thereof, magnetic field sensor, magnetic memory, and magnetic logic gate using such an element

Номер патента: CN102119455A. Автор: B·罗德马克,S·奥弗雷,B·迪尼,L·E·尼斯托. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-07-06.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200278403A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistive element, and magnetic memory

Номер патента: EP4236663A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistive element, and magnetic memory

Номер патента: EP4236663A3. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Tomomi Kawano,Minoru Sanuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

METHOD FOR CONTROLLING MAGNETIC DOMAIN WALL OF MAGNETIC STRUCTURE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE USING SAME

Номер патента: US20170162274A1. Автор: MOON Kyoungwoong,HWANG Chanyong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Magnetic property measuring system, a method for measuring magnetic properties, and a method for manufacturing a magnetic memory device using the same

Номер патента: KR102546691B1. Автор: 노은선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetic memory with beam addressing

Номер патента: CA966581A. Автор: Frederik A. De Jonge. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1975-04-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory having the same

Номер патента: TW200306677A. Автор: Yoshiaki Saito,Katsuya Nishiyama,Minoru Amano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co. Дата публикации: 2003-11-16.

Magnetic memories

Номер патента: GB1563926A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1980-04-02.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory having the same

Номер патента: TW591813B. Автор: Yoshiaki Saito,Katsuya Nishiyama,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Associative magnetic memory devices and matrices

Номер патента: US3480927A. Автор: Michael Godfrey Harman. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1969-11-25.

Associative magnetic memory devices and matrices

Номер патента: US3341828A. Автор: Harman Michael Godfrey. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1967-09-12.

Readily alterable woven-wire magnetic memory unit

Номер патента: CA918291A. Автор: A. Reimer William. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-01-02.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same and magnetic memory apparatus

Номер патента: US5917681A. Автор: Takamitsu Orimoto,Keita Ohtsuka,Mithumasa Okada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Magnetoresistive element, magnetic sensor, and magnetic memory

Номер патента: US20240298548A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Masaki Endo,Tatsuya Yamamoto,Shinji Yuasa,Hiroyuki Ohmori,Takayuki Nozaki,Lui Sakai,Tomohiro Nozaki,Kay Yakushiji,Makoto Konoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Devive for supporting magnetic/electric converter for magnetic memory plate type writer/reader

Номер патента: JPS5730152A. Автор: Furanke Konratsudo,Beeberu Kurisutofu. Владелец: Woelke Magnetbandtechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 1982-02-18.

Magnetic memory medium having a magnetic film laminated on a substrate and a non-magnetic film formed thereon, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6773782B2. Автор: Wataru Yamagishi,Hiroto Takeshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-08-10.

Magnetic memory

Номер патента: US3735373A. Автор: M Barberon,E Fruchard,R Fruchard,G Lorthioir,R Madar. Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1973-05-22.

A perpendicular magnetic memory medium, a manufacturing method thereof, and a magnetic memory storage

Номер патента: CN1691143A. Автор: 井原宣孝,児玉宏喜,渦卷拓也. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

A magnetic resistance effect type element, and a magnetic memory element and a magnetic head using the magnetic resistance effect type element

Номер патента: KR100451871B1. Автор: 히로시 사카키마,마사요시 히라모토,노조무 마츠카와,아키히로 오다가와,히데아키 아다치. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-10-08.

Magnetic recording medium and producing method thereof, magnetic medium substrate for magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: CN1288636C. Автор: 佐藤信太郎,伊藤健一,熊井次男. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-06.

Linear actuator assembly for accessing a magnetic memory disc

Номер патента: US4795928A. Автор: Hiroshi Nishida,Tomio Suzuki,Masami Suzuki,Tsuyoshi Takahashi,Jun Naruse. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-01-03.

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130242435A1. Автор: FUKUZAWA Hideaki,Hara Michiko,Fuji Yoshihiko,Yuasa Hiromi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-19.

Magnetic element and magnetic head and magnetic memory device using thereof

Номер патента: EP0877398B1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Katsutaro Ichihara,Keiichiro Yusu,Hideo Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Magnetic element, magnetic memory device, magnetoresistance effect head, and magnetic storage system

Номер патента: US6365286B1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Shinichi Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Magneto-resistance effect element, magnetic head, magnetic recording device and magnetic memory

Номер патента: US20080239587A1. Автор: Junichi Ito,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiro Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Write clock signal generator for use with rotating magnetic memory systems

Номер патента: GB2003340B. Автор: . Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1982-02-03.

Magnetic memory drum

Номер патента: US3140474A. Автор: Leshner Ervin. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1964-07-07.

Air bearing magnetic memory device

Номер патента: US3371329A. Автор: David G Adler,Raymond J Stankiewicz. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1968-02-27.

Write clock signal generator for use with rotating magnetic memory systems

Номер патента: GB2003340A. Автор: . Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1979-03-07.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Camera using film having a magnetic memory portion

Номер патента: US5749007A. Автор: Hiroshi Sakurai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

On-line magnetic memory stress detection system

Номер патента: NL2032794B1. Автор: LIU BIN,Liu Tong,Zhang He,Ren Jian,LIAN Zheng,HE Luyao,Yang Lijian,Ma Xue,Ding Liying,Fu Yanduo. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2024-02-27.

Camera using a film with a magnetic memory portion and having a control unit for causing recording of predetermined data together with the ID for voluntarily set data

Номер патента: US5479228A. Автор: Hideo Tamamura,Toru Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US12120890B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US10607898B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20230354621A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetic property measuring systems, methods of measuring magnetic property, and methods of fabricating magnetic memory devices using the same

Номер патента: US20210103011A1. Автор: Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric patterned magnetic memory

Номер патента: US20050073016A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Waveguide ferrite switch with magnetic memory

Номер патента: RU2698544C1. Автор: Александр Владимирович Сорокин,Юрий Александрович Светлаков,Владимир Николаевич Бородин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-08-28.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US10236437B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160329487A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240365678A1. Автор: Kwang Seok Kim,Ki Woong Kim,Seonggeon Park,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US09882119B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US12089505B2. Автор: Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691968B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590173B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09831422B2. Автор: Stuart S. P. Parkin,Woojin Kim,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200303628A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device with nonmagnetic layer having two additive elements

Номер патента: US12075629B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic memory and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991313B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Won Joon Choi,Ki Seon Park,Bo Mi Lee,Guk Cheon Kim,Yang Kon KIM. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory element and semiconductor device

Номер патента: US20240292759A1. Автор: Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Masaki Endo,Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada,Yuito Kageyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20240206347A1. Автор: Jeng-Hua Wei,Siddheswar Maikap,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230309413A1. Автор: Eiji Kitagawa,Young Min EEH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508922B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory devices using spin current and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240251685A1. Автор: Naoki Hase,Jungsik Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US09570671B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Three-dimensional magnetic memory element

Номер патента: US09601544B2. Автор: Tai Min. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US12058941B2. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240349621A1. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09899594B2. Автор: Yong-sung Park,Ju-Hyun Kim,Ki-Woong Kim,Se-Chung Oh,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetic Memory Array Incorporating Selectors and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200006422A1. Автор: Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US7193287B2. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324241A1. Автор: Tian Li,Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: EP4447644A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-10-16.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: US20240349623A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11770937B2. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240268238A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Junghyeok KWAK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324470A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory having magnetoresistive element and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09595663B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180114897A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263852A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US11980104B2. Автор: Hideyuki Sugiyama,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Soichi Oikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200083291A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US11770981B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US11018187B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150263276A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220013579A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US10573805B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088856A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280195A1. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US10388854B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9065041B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088862A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210005806A1. Автор: Woojin Kim,Junghwan Moon,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234268A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Magnetic memory device having an electrode continuously provided on a wiring

Номер патента: US11895925B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200161368A1. Автор: Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220085281A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200083289A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10707356B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Ferromagnetic liner for conductive lines of magnetic memory cells

Номер патента: US20070105241A1. Автор: Rainer Leuschner,Michael Gaidis,Lubomyr Romankiw,Judith Rubino. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-10.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170117454A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099021A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Encapsulated magnetic memory element

Номер патента: US3640767A. Автор: Thomas Philip Fulton,Henry Di Luca. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US10193057B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20150263265A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389440A1. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140027870A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Noma,Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190006580A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetic memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240057483A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230232637A1. Автор: Hui-Lin WANG,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10847576B2. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240016067A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Chun-Lung Chen,Chung Yi Chiu,Chih-Wei Kuo,Yi-Wei Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230292529A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083290A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099156A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230397438A1. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301116A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Keorock CHOI,Cha Deok Dong,Takuya Shimano,Bokyung JUNG,Gukcheon Kim. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing integrated magnetic memories

Номер патента: US3819341A. Автор: R Ponnet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-06-25.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10897006B2. Автор: Yongjae Kim,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US8680632B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Taro Nagahama,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami,Kay Yakushiji. Владелец: WPI-AIMR TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-03-25.

Magnetoresistive element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20130009259A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Magnetoresistive element and magnetic memory using the same

Номер патента: US8659103B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09793469B2. Автор: Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetic memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09543503B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09437810B2. Автор: Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Kay Yakushiji,Makoto Konoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing magnetic memory device and magnetic memory device

Номер патента: TW200901390A. Автор: Chen Eugene,Huai Yiming,WANG LIEN-CHANG,Takeharu Kuroiwa,Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Tatsuya Fukumura,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of manufacturing magnetic memory device, and magnetic memory device

Номер патента: TWI228327B. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-21.

Magnetic element, magnetic memory, reservoir element, recognizer, and method for manufacturing magnetic element

Номер патента: US12063872B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2024154050A1. Автор: Takahiro Ishikawa,Kouji INUKAI,Masamitsu Hayashi,Ryosuke AKASHI,Koutarou Kubo,Yuuta TOGA,Itti RITTAPORN,Shinji TSUNEYUKI. Владелец: THE UNIVERSITY OF TOKYO. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for obtaining wires for magnetic memories

Номер патента: US3669866A. Автор: Rene Fernand Victor Girard,Jacques Le Guillerm. Владелец: Societe Industrielle Honeywell Bull. Дата публикации: 1972-06-13.

Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210384414A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetic element and magnetic memory

Номер патента: US20240306515A1. Автор: Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345842A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Keng-Ming Kuo,Yuan-Jen Lee,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic memory cell, magnetic memory device, and magnetic memory device manufacturing method

Номер патента: WO2004088751A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2004-10-14.

Thin-film magnetic structures and application to magnetic memories

Номер патента: US3484757A. Автор: Jean-Claude Bruyere,Robert Montmory,Olivier Massenet,Louis Neel. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1969-12-16.

Perpendicular magnetic memory with reduced switching current

Номер патента: EP3314674A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

Systems and methods for fabricating self-aligned resistive/magnetic memory cell

Номер патента: US09711714B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140159177A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Taro Nagahama,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami,Kay Yakushiji. Владелец: WPI-AIMR TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-12.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US9087980B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Taro Nagahama,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami,Kay Yakushiji. Владелец: WPI-AIMR TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-21.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140264673A1. Автор: Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Kay Yakushiji,Makoto Konoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

A method of manufacturing a magnetic memory element

Номер патента: GB1287287A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1972-08-31.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180138237A1. Автор: Junichi Ito,Satoshi Seto,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20170179374A1. Автор: Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150069552A1. Автор: Hashimoto Yutaka,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Yoda Hiroaki,Yoshikawa Masatoshi,Nakayama Masahiko,Sonoda Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING APPARATUS OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263272A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Kondo Tsuyoshi,NAKAMURA Shiho,Quinsat Michael Arnaud. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory element and magnetic memory using the same

Номер патента: JP3558951B2. Автор: 秀和林,量二南方,正司道嶋. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-25.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: TWI266410B. Автор: Kentaro Nakajima,Minoru Amano,Shigeki Takahashi,Tomomasa Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-11.

Switching device, in particular for a magnetic memory assembly, as well as the magnetic memory assembly equipped with such a device

Номер патента: FR1377132A. Автор: . Владелец: CP Clare and Co. Дата публикации: 1964-10-31.

Tunnel junction stacked film, magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: KR20220092548A. Автор: 요시아키 사이토,히데오 사토,쇼지 이케다,데츠오 엔도오. Владелец: 도호쿠 다이가쿠. Дата публикации: 2022-07-01.

Magnetic memory cell junction and method for forming a magnetic memory cell junction

Номер патента: TWI244728B. Автор: Witold Kula,Kamel Ounadjela,Eugene Y Chen,Jerome S Wolfman. Владелец: Silicon Magnetic Systems. Дата публикации: 2005-12-01.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130113058A1. Автор: Fukami Shunsuke,Suzuki Tetsuhiro,Nagahara Kiyokazu. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2013-05-09.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20140097509A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Yamanouchi Michihiko,Sugibayashi Tadahiko,Fukami Shunsuke,Ishiwata Nobuyuki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-10.

METHODS OF FORMING MAGNETIC MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING ARRAYS OF MAGNETIC MEMORY CELLS

Номер патента: US20180061886A1. Автор: Tokashiki Ken. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220085282A1. Автор: SUGIURA Kuniaki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160079519A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro,Yoshikawa Masatoshi,SETO Satoshi,TSUBATA Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MEMORY APPARATUS HAVING MULTIPLE MAGNETIZATION DIRECTIONS

Номер патента: US20140319633A1. Автор: Uchida Hiroyuki,Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Ohmori Hiroyuki,Bessho Kazuhiro,Asayama Tetsuya,Yamane Kazutaka. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING APPARATUS OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263275A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

MAGNETIC MEMORY INCLUDING MEMORY CELLS INCORPORATING DATA RECORDING LAYER WITH PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY FILM

Номер патента: US20140346518A1. Автор: KARIYADA Eiji,Suemitsu Katsumi,Mori Kaoru,Ohshima Norikazu,Suzuki Tetsuhiro,Tanigawa Hironobu,Nagahara Kiyokazu,Ozaki Yasuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160276574A1. Автор: SHIROTORI Satoshi,Shimomura Naoharu,Ohsawa Yuichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-22.

METHODS OF FORMING PATTERNS, METHODS OF MANUFACTURING A MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHODS OF FORMING PATTERNS, AND MAGNETIC MEMORY DEVICES MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20160336509A1. Автор: SONG YOONJONG,JEONG Daeeun,SHIN Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

MAGNETIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160380028A1. Автор: Yoshikawa Masatoshi,Nakayama Masahiko,LEE Min Suk,Sonoda Yasuyuki,SUGIURA Kuniaki,HWANG Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetic memory and method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: JP2022049876A. Автор: 邦晃杉浦,Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same

Номер патента: WO2010067520A1. Автор: 早川純,高橋宏昌. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for manufacturing a semiconductor device, method for manufacturing magnetic memory, and the magnetic memory thereof

Номер патента: US7473641B2. Автор: Yung-Hsiang Chen,Ching-Yuan Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-01-06.

Magnetic memory bottom electrode and manufacturing process thereof and magnetic memory

Номер патента: CN112736189A. Автор: 吴关平. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

Method of manufacturing magnetic memory device, and magnetic memory device

Номер патента: TW200400656A. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same

Номер патента: KR101255474B1. Автор: 히로마사 다까하시,준 하야까와. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2013-04-16.

MAGNETIC SHIELD TRAY, MAGNETIC SHIELD WRAPPER AND MAGNETIC MEMORY PRODUCT SHIELDED FROM EXTERNAL MAGNETIC FIELD

Номер патента: US20180079547A1. Автор: FUJIMORI Takeshi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for providing a magnetic junction and a magnetic memory on a substrate usable in a magnetic deviceand the magnetic junction

Номер патента: KR102144660B1. Автор: 이장은,더스틴 윌리암 에릭슨,슈에티 탕. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor memory device, nonvolatile memory device and magnetic memory device provided with memory elements and interconnections

Номер патента: US6849888B2. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Method for providing a magnetic junction and a magnetic memory on a substrate usable in a magnetic deviceand the magnetic junction

Номер патента: KR20150108793A. Автор: 이장은,더스틴 윌리암 에릭슨,슈에티 탕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-09-30.

Asymmetric engineered storage layer of magnetic tunnel junction element for magnetic memory device

Номер патента: US11538986B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: WO2003079366A2. Автор: Saied N. Tehrani,Kelly Kyler,Mark A. Durlam,John J. D'Urso,Gregory W. Grynkewich,Brian Butcher. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2003-09-25.

Asymmetric engineered storage layer of magnetic tunnel junction element for magnetic memory device

Номер патента: US20210328135A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

MAGNETIC JUNCTIONS HAVING INSERTION LAYERS AND MAGNETIC MEMORIES USING THE MAGNETIC JUNCTIONS

Номер патента: US20140264671A1. Автор: Tang Xueti,Apalkov Dmytro,Nikitin Vladimir,Krounbi Mohamad Towfik,Chepulskyy Roman,Khvalkovskiy Alexey Vasilyevitch. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

A kind of Halbach concentrated magnetic axial magnetic field hybrid permanent magnet memory electrical machine

Номер патента: CN106357076B. Автор: 曹永娟,陶少卿. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2018-12-11.

Magnetic element, magnetic memory, reserve cell element, identifier, and method for manufacturing magnetic element

Номер патента: CN112789734A. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Low stray field magnetic memory

Номер патента: EP3314675A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

Manufacturing method of magnetic element, magnetic memory, reservoir element, recognition machine and magnetic element

Номер патента: JPWO2020208674A1. Автор: 智生佐々木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetization rotational element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20230180629A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Minoru Sanuki,Kosuke HAMANAKA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Magnetic memory

Номер патента: US3231872A. Автор: Avsan Oleg,Svensson Ake Bertil Fredrik,Back Gote,Olsson Kurt Alvar. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1966-01-25.

Method of manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: TW200849243A. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Non-volatile magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI239008B. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Magnetic memory device and techniques for forming

Номер патента: US20170294569A1. Автор: Tsung-Liang Chen,Alexander C. Kontos,Shurong Liang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Nonvolatile magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI255458B. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-21.

Deposited magnetic memory array

Номер патента: USRE26983E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1970-11-24.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120002463A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120003757A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming structures of magnetic tunnel barriers for magnetoresistive random access magnetic memory and structure of magnetic tunnel barrier for magnetoresistive random access magnetic memory (versions)

Номер патента: RU2367057C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государственный университет)". Дата публикации: 2009-09-10.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL TRANSITIONS ON THE BASIS OF NANOSIZED METAL-INSULATOR-METAL STRUCTURES AND STRUCTURE OF A MAGNETIC TUNNEL TRANSITION FOR MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC MEMORY

Номер патента: RU2007140034A. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский,Александр Юрьевич Гойхман (RU),Андрей Владимирович Зенкевич (RU),Юрий Юрьевич Лебединский (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государ. Дата публикации: 2009-05-10.

Magnetic Memory Devices, Electronic Systems And Memory Cards Including The Same, Methods Of Manufacturing The Same, And Methods Of Controlling A Magnetization Direction Of A Magnetic Pattern

Номер патента: US20120023386A1. Автор: Oh Sechung,KIM WOOJIN,Lee Jangeun,SHIN Heeju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

Magnetic memory cell, preparation method thereof, magnetic memory array and memory

Номер патента: CN116056549A. Автор: 王文文,卢世阳,商显涛,刘宏喜,曹凯华,王戈飞,秦颖超,孙慧岩. Владелец: Zhizhen Storage Beijing Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

MAGNETIC MEMORY LAYER AND MAGNETIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120018824A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, SPIN TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130077388A1. Автор: Saito Yoshiaki,Yoda Hiroaki,Nakayama Masahiko,Marukame Takao,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue,KISHI Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-28.

MAGNETIC MEMORY DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS AND MEMORY CARDS INCLUDING THE SAME, METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHODS OF FORMING A PERPENDICULAR MAGNETIC FILM OF THE SAME

Номер патента: US20120018825A1. Автор: Oh Sechung,KIM WOOJIN,Lee Jangeun,Lim Woo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, INFORMATION RECORDING/REPRODUCING APPARATUS

Номер патента: US20120020147A1. Автор: Hirata Kei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-26.

MAGNETIC MEMORY INCLUDING MEMORY CELLS INCORPORATING DATA RECORDING LAYER WITH PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY FILM

Номер патента: US20120135275A1. Автор: KARIYADA Eiji,Suemitsu Katsumi,Mori Kaoru,Ohshima Norikazu,Suzuki Tetsuhiro,Tanigawa Hironobu,Nagahara Kiyokazu,Ozaki Yasuaki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20120206959A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20120224416A1. Автор: Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho,KUROSAKI Yoshinari. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-06.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND INITIALIZING METHOD

Номер патента: US20120278582A1. Автор: Ohshima Norikazu,Fukami Shunsuke,Suzuki Tetsuhiro,Ishiwata Nobuyuki,Nagahara Kiyokazu. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-11-01.

MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130058156A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Ono Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20130077396A1. Автор: AKIYAMA Junichi,Kondo Tsuyoshi,Morise Hirofumi,NAKAMURA Shiho. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-28.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130099337A1. Автор: Yoda Hiroaki,Nakayama Masahiko,TOKO Masaru,KISHI Tatsuya,AIKAWA Hisanori,Ikegawa Sumio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-25.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130099338A1. Автор: Yoda Hiroaki,Nakayama Masahiko,TOKO Masaru,KISHI Tatsuya,AIKAWA Hisanori. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-25.

MAGNETORESISTIVE ELEMENT HAVING A MAGNETIC COMPOUND, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND A MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120206838A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic memory

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты