Magnetoresistive element, magnetic memory, and method of manufacturing magnetoresistive element
Номер патента: WO2013005461A1
Опубликовано: 10-01-2013
Автор(ы): Daisuke Watanabe, Eiji Kitagawa, Katsuya Nishiyama, Kenji Noma, Koji Ueda, Tadashi Kai, Toshihiko Nagase
Принадлежит: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-01-2013
Автор(ы): Daisuke Watanabe, Eiji Kitagawa, Katsuya Nishiyama, Kenji Noma, Koji Ueda, Tadashi Kai, Toshihiko Nagase
Принадлежит: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Magnetoresistive element, magnetic random access memory, and initialization method thereof
Номер патента: JP5370773B2. Автор: 哲広 鈴木,延行 石綿,俊輔 深見,聖万 永原,有光 加藤,則和 大嶋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-12-18.