• Главная
  • Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: CN111480240A. Автор: 盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-31.

Spin-orbit torque type magnetization reversal element, magnetic memory, and high frequency magnetic device

Номер патента: US20180123021A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Spin-orbit torque type magnetization reversal element, magnetic memory, and high frequency magnetic device

Номер патента: US20190221733A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230200259A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190319183A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035639B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20230292623A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11765981B1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-19.

Spin-orbit torque type magnetization reversal element, magnetic memory, and high frequency magnetic device

Номер патента: US11276815B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US09941468B2. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Tetsuro Anekawa,Chaoling Zhang. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic array, magnetic array control method, and magnetic array control program

Номер патента: US20240074323A1. Автор: Tatsuo Shibata,Shogo Yamada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US11776604B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US20220343959A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210125654A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Spin orbit torque type magnetization reversal element and magnetic memory

Номер патента: CN108011039B. Автор: 佐佐木智生,及川亨,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Magnetoresistance effect element and magnetic recording array

Номер патента: US20210249590A1. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230386511A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetoresistive effect element and crystallization method of ferromagnetic layer

Номер патента: US20210265562A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US20220077387A1. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307100A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8729649B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191345A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Spin current magnetization rotation magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190363244A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US9691457B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230189662A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160379696A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetic memory

Номер патента: US10944045B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20210159397A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20190189909A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Storage element, storage device, and magnetic head

Номер патента: US09818932B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic Storage Track and Magnetic Memory

Номер патента: US20170133072A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Shujie Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210134380A1. Автор: Sungchul Lee,Eunsun Noh,Unghwan PI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200052194A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US09799383B2. Автор: Tatsuya Kishi,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210305498A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210028354A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09899595B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Spin orbit torque (SOT) magnetic memory cell and array

Номер патента: US09830968B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshiaki Asao,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory

Номер патента: US09858974B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20170365357A1. Автор: Kenji Noma,Shinya Kobayashi,Mikio Miyata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Race track magnetic memory device and writing method thereof

Номер патента: US20210125653A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Teruo Ono,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220216266A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168790A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory

Номер патента: US20200303457A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Megumi Yakabe,Agung Setiadi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US10084126B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280189A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US10516095B2. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic Memory and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20170077174A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269381A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory based on spin hall effect

Номер патента: US09985201B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US09966122B2. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic memory

Номер патента: US09916882B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Magneto-resistive effect element

Номер патента: US20140293683A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Yutaka Majima,Shinya Kano,Ali Javey,Kuniharu Takei. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2014-10-02.

3d magnetic memory device based on pure spin currents

Номер патента: US20180122460A1. Автор: Gokce Ozbay,Ozhan Ozatay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US9935260B2. Автор: Shogo ITAI,Chikayoshi Kamata,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20210020827A1. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-21.

Defect Propagation Structure and Mechanism for Magnetic Memory

Номер патента: US20200105326A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic memory

Номер патента: US20180025763A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Magnetic memory and method for manufacturing same

Номер патента: US9831423B2. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230292630A1. Автор: Yukio Hayakawa,Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088859A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098686A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088855A1. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190035448A1. Автор: Mariko Shimizu,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20220262419A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11348626B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Magnetic memory device utilizing magnetic domain wall motion

Номер патента: US20150070980A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Osada,Sumiko Domae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US20160276407A1. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210020216A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US10614866B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US20190108865A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Magnetic memory

Номер патента: US20180375015A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US09997698B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190088861A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210167279A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10957846B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11380841B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230025589A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Voltage-controlled gain-cell magnetic memory

Номер патента: US20230045804A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Shehrin Sayed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09865800B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091227A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US11074951B2. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200302988A1. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Selection circuit with autobooting for magnetic memory and methods therefor

Номер патента: US09911481B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic memory device comprising oxide patterns

Номер патента: US09893272B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Hyunsoo Shin,Byoungjae Bae,Jaesuk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory devices including in-plane current layers

Номер патента: US09882120B2. Автор: Jisu Ryu,Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220302206A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091228A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory

Номер патента: US20200090775A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Multilayer free magnetic layer structure for spin-based magnetic memory

Номер патента: US20200006625A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Gary Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: US20210184094A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321040A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of fabricating magnetic memory device

Номер патента: US20220020918A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20140353783A1. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622545B2. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US11805659B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277744A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220093848A1. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetic Memory Devices and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180040667A1. Автор: Juhyun Kim,Jae Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287590A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11922985B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12048251B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20230263073A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12035636B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US20240005975A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US11776605B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic Memory Cell and Magnetic Memory

Номер патента: US20240331753A1. Автор: Hong Jian,Fantao MENG,Yihui SUN,Junlu GONG. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US12089502B2. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180068680A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190325903A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10446740B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11871681B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190378974A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180026181A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210328136A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230225222A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190221735A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200057122A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

Magnetic memory

Номер патента: US20030137870A1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Magnetic memory device

Номер патента: GB927905A. Автор: Cravens Lamar Wanlass. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1963-06-06.

Spin-orbit torque type magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: JP6690805B1. Автор: 陽平 塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Magnetoresistive element, spin MOSFET, magnetic sensor, and magnetic head

Номер патента: US09728713B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: US20230147268A1. Автор: Hiroshi Naganuma,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-11.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US20120001281A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US8742519B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US11832528B2. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic memory

Номер патента: US20110078538A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Sumio Ikegawa,Kenji Tsuchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory device and memory system

Номер патента: US11875834B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12041855B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11942127B2. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US11778924B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic memory

Номер патента: US12052875B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Read/write elements for a three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US20100039849A1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Jordan A. Katine,Bruce D. Terris,Barry Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: WO2020109754A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-06-04.

Thermally written magnetic memory device

Номер патента: US20060017126A1. Автор: Thomas Anthony,Manoj Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-26.

Magnetic memory

Номер патента: US20240049475A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory and manufacturing method

Номер патента: US20240221809A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Tomoe Nishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210125652A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090250776A1. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Hiroshi Takada,Shuichi Ueno,Kiyoshi Kawabata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Non-Volatile Magnetic Memory with Low Switching Current and High Thermal Stability

Номер патента: US20120205761A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

Номер патента: US20120205763A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Josephson magnetic memory cell system

Номер патента: CA2874551C. Автор: Donald Miller,Anna Y. Herr,Ofer Naaman,Norman O. BIRGE. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic Memory Element Including Perpendicular Enhancement Layers and Dual Oxide Cap Layers

Номер патента: US20230403945A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US12096699B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210151667A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Toru Iwabuchi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-19.

Magnetization rotational element and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20240130247A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Magnetic memory

Номер патента: US10658573B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210193913A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetoresistance effect element including a crystallized co heusler alloy layer

Номер патента: US11621392B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301195A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043682A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220013140A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220006007A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10580974B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US9853207B2. Автор: Kazumasa Nishimura,Takuya Seino,Toshikazu IRISAWA,Saki Shibuichi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Electronic devices having semiconductor magnetic memory units

Номер патента: US09941464B2. Автор: Seok-Pyo Song,Se-Dong Kim,Hong-Ju Suh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US09779835B1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US12035638B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240315143A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Ku Youl JUNG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US8750029B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070013015A1. Автор: Tadashi Kai,Masahiko Nakayama,Yoshihisa Iwata,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Magneto-resistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7547934B2. Автор: Yoshiaki Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099158A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Storage element and storage device

Номер патента: US8344467B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Magnetic memory

Номер патента: EP1796101A3. Автор: Susumu Haratani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11944018B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20070012972A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

NAND-type magnetoresistive RAM

Номер патента: US20040113187A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US20110303998A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12063869B2. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240249760A1. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetic memory

Номер патента: US12069962B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: WO2021126385A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: EP4078589A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11944014B2. Автор: Hyun Cho,Jaehoon Kim,Sechung Oh,Yongsung PARK,Sanghwan Park,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US11942128B2. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Arrays of magnetic memory cells

Номер патента: EP3693998A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190137576A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

Magneto-resistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing device

Номер патента: CN100382353C. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,岩崎仁志,桥本进. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Magneto-resistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing device

Номер патента: CN1604355A. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,岩崎仁志,桥本进. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09966922B2. Автор: Tetsuya Shibata,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4435807A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3786658A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3772658A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-10.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A3. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Magnetoresistance effect element, magnetic recording element, and high-frequency device

Номер патента: US20240112695A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20220238136A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043226A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element and method of producing the same

Номер патента: US20080081219A1. Автор: Mitsuru Otagiri,Kouji Hirano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Magnetoresistance effect element and Heusler alloy

Номер патента: US11769523B2. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20240062777A1. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Magnetoresistance effect element containing Heusler alloy with additive element

Номер патента: US11967348B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200035913A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetic memory

Номер патента: AU5152399A. Автор: Helmut Fritzsche,Thorsten Nawrath,Jan Nowikow,Hansjörg MALETTA. Владелец: Hahn Meitner Institut Berlin GmbH. Дата публикации: 1999-12-13.

SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200350490A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: EP1612865A1. Автор: Joichiro Tdk Corporation Ezaki,Keiji Tdk Corporation Koga,Yuji TDK Corporation KAKINUMA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Reservoir element and neuromorphic element

Номер патента: US12033062B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12040115B1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240266099A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240339255A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: MY120928A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-12-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230292625A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US11728082B2. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20210304940A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5738929A. Автор: Atsushi Maeda,Satoru Oikawa,Minoru Kume. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Method of manufacturing hexagonal ferrite powder, hexagonal ferrite powder, and magnetic recording medium

Номер патента: US20150279407A1. Автор: Yoichi Hosoya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230144429A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5716719A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410868A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20220115049A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Magnetic memory device

Номер патента: EP4297034A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Magnetic storage element, recording method using the same, and magnetic storage device

Номер патента: US7038942B2. Автор: Hiroyuki Ohmori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Magnetic memory

Номер патента: EP1750275A2. Автор: Susumu Haratani,Takashi Asatani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Magnetic memory

Номер патента: US20160055891A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Sumio Ikegawa,Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: WO2008010957A3. Автор: DING Yunfei. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Magnetic memory

Номер патента: US8238144B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Multiple bit magnetic memory cell

Номер патента: US6081446A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhatacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-06-27.

Frequency resistance access magnetic memory

Номер патента: US9208846B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2015-12-08.

Frequency Resistance Access Magnetic Memory

Номер патента: US20140160834A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2014-06-12.

Improvements in or relating to magnetic memory elements

Номер патента: GB875192A. Автор: Ernest Franklin,Thomas Henry O'dell. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1961-08-16.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US11024727B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US10707335B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US20160282145A1. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US09810747B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240334839A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Variable-frequency magnetoresistive effect element and oscillator, detector, and filter using the same

Номер патента: US20180102475A1. Автор: Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Magnetic memory

Номер патента: US9343129B2. Автор: Naoharu Shimomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035635B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230210016A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin film magnetic memory device provided with program element

Номер патента: US20050117393A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20060239065A1. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US7352615B2. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDX Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Magnetic sensor and magnetic detection method

Номер патента: US20210270915A1. Автор: Atsushi Igarashi,Takahiro Kato,Hirotaka Uemura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: WO2005081254A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: US20050180239A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Sensing circuit for magnetic memory unit

Номер патента: US20020085440A1. Автор: Jy-Der Tai. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Programmable magnetic memory device fp-mram

Номер патента: US20070081381A1. Автор: Kars-Michiel Lenssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic memory structure with improved half-select margin

Номер патента: US6134139A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Magnetic memory

Номер патента: EP1073061A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US20200294610A1. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US11037643B2. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: EP1714287A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-25.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Magnetic memory

Номер патента: US7471551B2. Автор: Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140027870A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Noma,Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Magnetic memory and method of operation thereof

Номер патента: US20020167033A1. Автор: Takeshi Okazawa,Katsumi Suemitsu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US20240029811A1. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US12002533B2. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Magnetic Memory System Using Mram-Sensor

Номер патента: US20080316801A1. Автор: Jaap Ruigrok,Hans M.B. Boeve,Friso J. Jedema. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-25.

Non-destructive readout magnetic memory

Номер патента: GB1062180A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-03-15.

Yoke-type magnetic head and magnetic disk apparatus

Номер патента: US20080002294A1. Автор: Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5432661A. Автор: Yasuhiro Kawawake,Teruya Shinjo,Toshio Takada, deceased. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1995-07-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11927649B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Shogo YONEMURA,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Current measuring and magnetic core compensating apparatus and method

Номер патента: CA1286366C. Автор: R. Wendell Goodwin. Владелец: Sangamo Weston Inc. Дата публикации: 1991-07-16.

Magnetoresistive-effect device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030103298A1. Автор: Kiyoshi Sato,Kenji Honda,Yoshihiko Kakihara. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Disc drive having hydrodynamic labyrinth seal and magnet shield

Номер патента: US6055126A. Автор: Michael D. Kennedy,Norbert S. Parsoneault. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2000-04-25.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-05-06.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Method and system reading magnetic memory

Номер патента: US20050047201A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-03.

Improvements in or relating to magnetic memory elements and arrays thereof

Номер патента: GB1021700A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1966-03-09.

System and method of calibrating a read circuit in a magnetic memory

Номер патента: US20050073890A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner,Richard Hilton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US11770981B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-26.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20240074326A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20140070343A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Shigeto Fukatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330589A. Автор: Akio Kawasaki,明朗 川崎. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330588A. Автор: Akihiro Maesaka,明弘 前坂. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Filamentary magnetic memory with electrostatic shielding

Номер патента: US3699549A. Автор: Joseph F Martin,Thaddeus F Bryzinski. Владелец: Stromberg Carlson Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Magnetic memory employing stress wave

Номер патента: GB1113417A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-05-15.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180138237A1. Автор: Junichi Ito,Satoshi Seto,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09906199B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237663A1. Автор: Shinji Hara,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetic memory device having an electrode continuously provided on a wiring

Номер патента: US11895925B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301116A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Keorock CHOI,Cha Deok Dong,Takuya Shimano,Bokyung JUNG,Gukcheon Kim. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220085281A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230292529A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230309413A1. Автор: Eiji Kitagawa,Young Min EEH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US09773973B2. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US20160005957A1. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284732A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09948267B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetic memory matrix with keepers

Номер патента: US3593323A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-13.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US10490734B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US10236437B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160329487A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20180090672A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US20200274511A1. Автор: Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Magnetoresistive Effect Element

Номер патента: US20200212295A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190148046A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284592A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237662A1. Автор: Shinji Hara,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181333A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200075845A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit transformer with concentric windings and magnetically active material

Номер патента: US20240296990A1. Автор: Wolfgang Frank,Annett Winzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20140284735A1. Автор: Tadashi Kai,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US10505105B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220278271A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181334A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Thermoelectric conversion element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236246A1. Автор: Masahiko Ishida,Akihiro Kirihara,Shigeru Koumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20240206347A1. Автор: Jeng-Hua Wei,Siddheswar Maikap,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220013579A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetic Memory Array Incorporating Selectors and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200006422A1. Автор: Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Radiant artificial lunar lights having effective elements for growing plants

Номер патента: US11666006B2. Автор: Jeom Doo Kim,Tae In Kim,Elijah Sangeun Im,Eden Soeun Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-06.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11770937B2. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Radiant artificial lunar lights having effective elements for growing plants

Номер патента: US20220232781A1. Автор: Jeom Doo Kim,Tae In Kim,Sangeun IM,Soeun IM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200303628A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09899594B2. Автор: Yong-sung Park,Ju-Hyun Kim,Ki-Woong Kim,Se-Chung Oh,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US09882119B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Ferromagnetic liner for conductive lines of magnetic memory cells

Номер патента: US20070105241A1. Автор: Rainer Leuschner,Michael Gaidis,Lubomyr Romankiw,Judith Rubino. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-10.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234268A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9065041B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof

Номер патента: US5103422A. Автор: Hajime Yuzurihara,Motoharu Tanaka,Toshiaki Tokita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-07.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10897006B2. Автор: Yongjae Kim,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210005806A1. Автор: Woojin Kim,Junghwan Moon,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263329A1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US10141067B2. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200161368A1. Автор: Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US10388854B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230397438A1. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150263276A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190006580A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US10193057B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170117454A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Magnetic sensor and magnetic detection system

Номер патента: US20240255591A1. Автор: Kazuhiro Onaka,Naoki Kohara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic sensor and magnetic detection system

Номер патента: US20240248157A1. Автор: Kazuhiro Onaka,Takafumi TSUSHIMA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic sensor and method of manufacturing such, and magnetic detection device and magnetic detection system

Номер патента: US20240103101A1. Автор: Keisuke TAKASUGI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic sensor and method of manufacturing such, and magnetic detection device and magnetic detection system

Номер патента: US11874345B2. Автор: Keisuke TAKASUGI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive effect element, manufacturing method thereof, and position detection apparatus

Номер патента: US20190285435A1. Автор: Naoki Ohta,Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of magneto-resistance effect element

Номер патента: US20110256642A1. Автор: Eiji Ozaki,Hiroshi Akasaka,Naoko Matsui. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Inverter device, gradient amplifier, and magnetic resonance imaging device

Номер патента: US20190097519A1. Автор: Koichi Yamakawa. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Magnetic head and magnetic disk apparatus

Номер патента: US20030189797A1. Автор: Yoshiaki Kawato,Reiko Arai,Katsuro Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-09.

Magnetic Head Slider and Magnetic Disk Drive

Номер патента: US20110149430A1. Автор: Masayuki Kurita,Hidekazu Kohira,Toshiya Shiramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US6721147B2. Автор: Junichi Ito,Kenji Noma,Kenichi Aoshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-13.

Magnetic type keyboard and magnetic key thereof

Номер патента: US09905380B2. Автор: Hsien-Tsan Chang,Wei-Yung Huang. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: US09762182B2. Автор: Eiji Suzuki,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: US20130286505A1. Автор: Yoshihiro Shiroishi,Hiroshi Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Magnetic reproducing head, head drum apparatus, and magnetic recording-reproducing apparatus

Номер патента: US20050190506A1. Автор: Susumu Sato,Yoshimi Takahashi,Seiji Onoe,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Signal reproducing method, magnetic head and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US7982986B2. Автор: Koichi Mizushima,Rie Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Signal reproducing method, magnetic head and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20110013304A1. Автор: Koichi Mizushima,Rie Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Ferrite magnet and both rotor and magnet roll comprising the same

Номер патента: US20030168785A1. Автор: Yasunobu Ogata,Yutaka Kubota,Takashi Takami. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110100953A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kosuke Tanaka,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Magnetic head slider and magnetic disk drive

Номер патента: US20110299188A1. Автор: Kyosuke Ono,Masaru Furukawa,Junguo Xu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-12-08.

Magnetoresistive Effect Element Having Bias Layer With Internal Stress Controlled

Номер патента: US20080239582A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Takayasu Kanaya,Katsuki Kurihara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1209261A. Автор: Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Soda Yutaka,Suyama Hideo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-08-05.

Magnetoresistive effect element, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20230180628A1. Автор: Yo Sato,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Magnetic head comprising magneto-resistance effect element and side shields

Номер патента: US09767834B1. Автор: Hideyuki Ukita,Hisayoshi Watanabe,Minoru Ota,Takahiko Machita,Tetsuya Hiraki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

A method of manufacturing a magnetic memory element

Номер патента: GB1287287A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1972-08-31.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: US4679107A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1220858A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-04-21.

Spin valve type magnetoresistive element

Номер патента: US20030174447A1. Автор: Seong-rae Lee,Ho-Gun Cho. Владелец: Korea Chungang Educational Foundation. Дата публикации: 2003-09-18.

Magnetoresistance effect type head and information reproducing device

Номер патента: US20020012208A1. Автор: Naoki Mukouyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device

Номер патента: US20090035606A1. Автор: Kenji Shimizu. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-05.

Sputtering apparatus and magnet unit

Номер патента: US09761423B2. Автор: Hidekazu Suzuki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Magnetoresistive head and magnetic recording drive

Номер патента: US5850323A. Автор: Hitoshi Kanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Thermally-assisted magnetic recording head, head gimbal assembly and magnetic recording device

Номер патента: US20130016592A1. Автор: Tomohito Mizuno,Katsuki Kurihara,Satoshi Tomikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Preparation method of magnetic cluster colloid and magnetic cluster colloid prepared thereby

Номер патента: US20130099152A1. Автор: Jin Kyu Lee,Jin Myung Cha. Владелец: SUN R AND DB. Дата публикации: 2013-04-25.

Magnetic type keyboard and magnetic key thereof

Номер патента: US20170330709A1. Автор: Hsien-Tsan Chang,Wei-Yung Huang. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Patterned magnetic medium, magnetic recording medium and magnetic storage device

Номер патента: SG144090A1. Автор: Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-07-29.

Skeletonless winding and magnetic assembly

Номер патента: US20240233994A1. Автор: Tianding HONG,Changyun XIAO. Владелец: Aplus Power Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Protective film, and magnetic recording medium having protective film

Номер патента: SG187734A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Ryoji Kobayashi,Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Cuttable and magnetically-adsorbable anchor rod assembly

Номер патента: AU2023201006A1. Автор: Likai Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic head slider and magnetic disk apparatus for redistributing a lubricant

Номер патента: US5889635A. Автор: Akinobu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetic recording medium and magnetic particles therefor

Номер патента: US4693931A. Автор: Seiji Matsumoto,Haruo Andoh. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Magnetic recording unit and magnetic recording medium

Номер патента: US7203023B2. Автор: Kazuyuki Ozaki,Sumio Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-10.

Magnetic head slider and magnetic disk drive

Номер патента: US20080080094A1. Автор: Hiroshi Tani,Sunao Yonekawa. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-04-03.

Soft magnetic alloy and magnetic component

Номер патента: US20220380875A1. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Kazuhiro YOSHIDOME,Akito HASEGAWA,Hironobu Kumaoka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Patterned magnetic medium, magnetic recording medium and magnetic storage device

Номер патента: US20080144218A1. Автор: Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Patterned magnetic medium, magnetic recording medium and magnetic storage device

Номер патента: US7771853B2. Автор: Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-10.

Asymmetric patterned magnetic memory

Номер патента: US20050073016A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic head and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: US11817135B2. Автор: Gaku KOIZUMI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method, device and magnet for magnetic treatment of fluids

Номер патента: RU2447262C2. Автор: Джон Т. ХЕЙЛ. Владелец: Джон Т. ХЕЙЛ. Дата публикации: 2012-04-10.

Magnetic alloy, amorphous alloy ribbon, and magnetic part

Номер патента: EP2128291A1. Автор: Motoki Ohta,Yoshihito Yoshizawa. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor

Номер патента: CA1246492A. Автор: Howard D. Kisner. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1988-12-13.

Improvements in or relating to television receivers and magnetic focussing units therefor

Номер патента: GB855498A. Автор: John Edward Cope,Henry Colin Durrant. Владелец: Pye Ltd. Дата публикации: 1960-11-30.

Bilayer carbon overcoating for magnetic data storage disks and magnetic head/slider constructions

Номер патента: US5858182A. Автор: Jei-Wei Chang,Cheng Tzong Horng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Magnetic head apparatus and magnetic recording apparatus using thereof

Номер патента: US5943195A. Автор: Akinaga Natsui,Norimoto Nouchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Soft magnetic alloy and magnetic part

Номер патента: US20200312499A1. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Kazuhiro YOSHIDOME,Akito HASEGAWA,Hironobu Kumaoka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Thin-film magnetic head, head gimbal assembly, head arm assembly and magnetic disk drive

Номер патента: US20070109691A1. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Takahiko Machita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Magnetic recording and playback of signals and magnetic transducing head therefore

Номер патента: CA1184293A. Автор: BUDIMAN Sastra. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-03-19.

Magnetic-tape-cassette apparatus and magnetic-head unit for use in such apparatus

Номер патента: CA1220857A. Автор: Johannes J.M. Schoenmakers. Владелец: Johannes J.M. Schoenmakers. Дата публикации: 1987-04-21.

Magnetic recording medium and magnetic recording medium manufacturing method

Номер патента: US20110286124A1. Автор: Narumi Sato. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Pulse charging and magnetization circuit for superconducting magnet

Номер патента: EP4191818A1. Автор: Xiaofen Li,Zhiwei Zhang,Zhijian JIN,Yanbo BI. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-06-07.

Magnetic recording and magnetic recording system

Номер патента: SG144697A1. Автор: Kimio Nakamura. Владелец: Hitachi Global Storage Tech. Дата публикации: 2008-08-28.

Power conversion system and magnetic component thereof

Номер патента: US20210082615A1. Автор: Xueliang Chang,Da Jin,Yahong Xiong,QingHua Su. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Perfluoropolyether compound, and lubricant and magnetic disk each using the same

Номер патента: US20100136371A1. Автор: Tsuyoshi Shimizu,Kazunori Shirai,Nagayoshi Kobayashi. Владелец: Moresco Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Fluoropolyether compound, and lubricant and magnetic disc using same

Номер патента: US09928865B2. Автор: Aya Inoue. Владелец: Moresco Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Fluoropolyether compound, and lubricant and magnetic disc comprising same

Номер патента: US09911447B2. Автор: Ryosuke Sagata. Владелец: Moresco Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Acicular magnetic iron oxide particles and magnetic recording media using such particles

Номер патента: US5120604A. Автор: Tatsuya Nakamura. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Encapsulated magnetic memory element

Номер патента: US3640767A. Автор: Thomas Philip Fulton,Henry Di Luca. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

Scrambler of information stored on magnetic memory media

Номер патента: US5666413A. Автор: Christopher J. Kempf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Magnetoresistance effect type read-head and method of producing the same

Номер патента: US20080186640A1. Автор: Masato Matsubara,Masanori Akie. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Device for treating a liquid and magnet for such a device

Номер патента: GB1048789A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-11-23.

Magnetic memory disc pack balancing system

Номер патента: US3817088A. Автор: P Herbig. Владелец: Caelus Memories Inc. Дата публикации: 1974-06-18.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1248222A. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Magnetoresistance effect film and spin valve reproducing head

Номер патента: EP1369882A1. Автор: Kenji c/o Fujitsu Limited Noma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-10.

ALLOY COMPOSITION, Fe-BASED NANOCRYSTALLINE ALLOY AND METHOD OF ITS MAKING AND MAGNETIC ASSY

Номер патента: RU2509821C2. Автор: Акихиро МАКИНО. Владелец: Акихиро МАКИНО. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of manufacturing integrated magnetic memories

Номер патента: US3819341A. Автор: R Ponnet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-06-25.

Data exchange circuit for a magnetic memory apparatus

Номер патента: US4424536A. Автор: Yasuich Hashimoto,Yasuyuki Oda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Magnetic memory film

Номер патента: US3630772A. Автор: Hans-Heinrich Credner,Bernhard Seidel. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1971-12-28.

Transfer apparatus, transfer method, recording medium, and magnetic recording apparatus

Номер патента: EP1956592A2. Автор: Tatsuya Fujinami,Takatoshi Horikawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-08-13.

Quarter-half cycle coding for rotating magnetic memory system

Номер патента: US3631428A. Автор: Wayne J King. Владелец: PACIFIC MICRONETICS Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Magneto-resistive effect element with recessed antiferromagnetic layer

Номер патента: US20160293188A1. Автор: Takayasu Kanaya,Satoshi Miura,Naomichi Degawa,Kenzo Makino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Composite coil pattern for wireless charging and magnetic secure transmission

Номер патента: US20220021415A1. Автор: Ki Min Lee,Sang Hak Lee,Dong Hyuk Lee. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324241A1. Автор: Tian Li,Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324470A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US10739419B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US10073150B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US20160282146A1. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Magnetic field detecting sensor and magnetic field detecting apparatus using the same

Номер патента: US9983273B2. Автор: Kei Tanabe,Akihiro Ogawa,Tamon Kasajima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11805706B2. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20040169006A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20020101328A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099156A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099021A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic sensor device and magnetic sensor system

Номер патента: US20230417846A1. Автор: Kenzo Makino,Shuhei Miyazaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Magnetic sensor device and magnetic sensor system

Номер патента: US11789094B2. Автор: Kenzo Makino,Shuhei Miyazaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Electrical machine with electric motor and magnetic gear

Номер патента: US12034350B2. Автор: Günther Weidenholzer,Gerald Jungmayr,Edmund Marth. Владелец: Ebm Papst Mulfingen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Single magnetoresistor TMR magnetic field sensor chip and magnetic currency detector head

Номер патента: US09804235B2. Автор: James Geza Deak,Haiping GUO. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US11980104B2. Автор: Hideyuki Sugiyama,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Soichi Oikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5500633A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Yoshinori Takahashi,Shiho Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-19.

Headpiece and magnetic tuners

Номер патента: US09837054B1. Автор: Geoffrey Lee McCabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Angle switch device with magnetoresistive effect element

Номер патента: US20060255796A1. Автор: Shigeru Shoji. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240268238A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Junghyeok KWAK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: EP3566288A1. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2019-11-13.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: US12062945B2. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and magnetic resonance scanner for acquiring a magnetic resonance data set

Номер патента: US20150226819A1. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-08-13.

System and method for electrical and magnetic monitoring of a material

Номер патента: US11774431B2. Автор: Gregory A. AGOSTINELLI. Владелец: Ideacuria Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Coil unit and magnetic resonance imaging apparatus including coil unit

Номер патента: EP4428556A1. Автор: Masayoshi Dohata,Yosuke Otake. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Coil unit and magnetic resonance imaging apparatus including coil unit

Номер патента: US20240302465A1. Автор: Masayoshi Dohata,Yosuke Otake. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Magnetic sensor circuit and magnetic field detection device

Номер патента: US11940503B2. Автор: Tatsunori SHINO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20230337549A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Surface coils and magnetic resonance devices

Номер патента: US20240219492A1. Автор: Shihao Chen,Dashen Chu,Hai Lu,Yunlei YAO,Shang Xu. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and magnetic resonance apparatus for establishing a measurement protocol of a magnetic resonance data acquisition

Номер патента: US09915716B2. Автор: Heiko Meyer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and magnetic resonance system for imaging a partial region of an examination subject

Номер патента: US09753113B2. Автор: Jan Ole BLUMHAGEN,Matthias Fenchel,Ralf Ladebeck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and magnetic resonance apparatus to determine a B0 field map

Номер патента: US09897674B2. Автор: Hans-Peter Fautz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Simultaneous acquisition of bioelectric signals and magnetic resonance images

Номер патента: WO2003100450A1. Автор: Kimitaka Anami. Владелец: Physio-Tech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-12-04.

Method and magnetic resonance apparatus for establishing a resonant frequency

Номер патента: US20150309138A1. Автор: Kuan Jin Lee. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Method and magnetic resonance apparatus for determination of radio-frequency pulses

Номер патента: US20150234025A1. Автор: Rainer Schneider. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Magnetic code reading device and magnetic code reading method

Номер патента: CA2289319C. Автор: Shingo Watanabe,Kazunori Matsumoto,Yoshiyuki Koizumi. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Deactivatable coded marker and magnetic article surveillance system

Номер патента: CA1294017C. Автор: Jon N. Weaver. Владелец: CONTROLLED INFORMATION CORP. Дата публикации: 1992-01-07.

Shock absorbing and magnetic levitating cushion

Номер патента: US20050082447A1. Автор: Pao-An Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Identification of effective elements in complex systems

Номер патента: WO2004061548A2. Автор: Eytan Ruppin,Alon Keinan,Isaac Meilijson. Владелец: RAMOT AT TEL AVIV UNIVERSITY LTD.. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: NZ753383A. Автор: Geoffrey Long. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2021-03-26.

Identification of effective elements in complex systems

Номер патента: WO2004061548A3. Автор: Eytan Ruppin,Alon Keinan,Isaac Meilijson. Владелец: Isaac Meilijson. Дата публикации: 2005-10-13.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Polymers having enhanced electrical and magnetic properties

Номер патента: CA1302429C. Автор: Samuel I. Stupp,Jeffrey S. Moore. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 1992-06-02.

Rf sim card, rf card reader, and magnetic induction control method in rf communication

Номер патента: MY154088A. Автор: Li Meixiang,ZHU Shan,SUN YINGTONG. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Magnetically operated mechanism and magnetic cahd

Номер патента: USRE27753E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-09-11.

Guitar pick comprising a blend of plastic and magnetically receptive

Номер патента: WO2004038691A1. Автор: John Jeffrey Oskorep. Владелец: John Jeffrey Oskorep. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: US20180191215A1. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Consumables for printing machines by conductors and magnets

Номер патента: WO2024095038A1. Автор: Reza FARAHANI. Владелец: Farahani Reza. Дата публикации: 2024-05-10.

Method and magnetic resonance apparatus for the acquisition of mr data of a slice within a subject

Номер патента: US20150268322A1. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-09-24.

System and method for electrical and magnetic monitoring of a material

Номер патента: WO2018092069A1. Автор: Gregory A. AGOSTINELLI. Владелец: IdeaCuria Inc.. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for separating cells using immunorosettes and magnetic particles

Номер патента: CA2906121C. Автор: Andy Isamu Kokaji. Владелец: STEMCELL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2021-01-05.

Method and magnetic resonance scanner for acquiring a magnetic resonance data set

Номер патента: US10088541B2. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-10-02.

Method and magnetic resonance apparatus for determining basic shim settings of the magnetic resonance apparatus

Номер патента: US10197650B2. Автор: Andrew Dewdney. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-02-05.

On-line magnetic memory stress detection system

Номер патента: NL2032794B1. Автор: LIU BIN,Liu Tong,Zhang He,Ren Jian,LIAN Zheng,HE Luyao,Yang Lijian,Ma Xue,Ding Liying,Fu Yanduo. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2024-02-27.

Badge holder with lanyard and magnetic clip

Номер патента: SG11201901492QA. Автор: Ivan TAN. Владелец: Ivan TAN. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and magnetic resonance apparatus for determination of patient movement during data acquisition

Номер патента: US20080214923A1. Автор: Arne Littmann,Gunnar Krueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US12058941B2. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12089505B2. Автор: Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240349621A1. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240365678A1. Автор: Kwang Seok Kim,Ki Woong Kim,Seonggeon Park,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

A modular motor and magnetic bearing assembly, and a manufacturing method therefor

Номер патента: CA2881592A1. Автор: Eduardo Carrasco. Владелец: SKF Magnetic Mechatronics SAS. Дата публикации: 2015-08-21.

Camera using film having a magnetic memory portion

Номер патента: US5749007A. Автор: Hiroshi Sakurai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Micro-electromechanical system (MEMS) based current and magnetic field sensor

Номер патента: US7705583B2. Автор: Ertugrul Berkcan,Shankar Chandrasekaran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-04-27.

Method and magnetic resonance system for fat saturation

Номер патента: US10317488B2. Автор: Jan Ole BLUMHAGEN,Dominik Paul,Daniel Nico Splitthoff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-06-11.

Badge holder with lanyard and magnetic clip

Номер патента: WO2018038679A1. Автор: Ivan TAN. Владелец: TAN Ivan. Дата публикации: 2018-03-01.

Method and magnetic resonance apparatus to acquire magnetic resonance data of a target region including a metal object

Номер патента: US20150008918A1. Автор: Mathias Nittka. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and magnetic resonance apparatus for quiet echo-planar imaging

Номер патента: US20180259605A1. Автор: Robin Heidemann,Patrick Liebig. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Method and magnetic resonance apparatus for determining dephasing factors in mr multiecho techniques

Номер патента: US20170082709A1. Автор: Marcel Dominik Nickel. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-03-23.

Method and magnetic resonance apparatus for monitoring a cooling system of the magnetic resonance apparatus

Номер патента: US20190072624A1. Автор: Stephan Biber. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and magnetic resonance apparatus for monitoring a cooling system of the magnetic resonance apparatus

Номер патента: US10823791B2. Автор: Stephan Biber. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and magnetic resonance apparatus for determining a shim setting

Номер патента: US10429465B2. Автор: Ralf Ladebeck,Daniel NIEDERLOEHNER,Johann Sukkau. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-10-01.

Method and magnetic resonance apparatus for determining a shim setting

Номер патента: US20170293004A1. Автор: Ralf Ladebeck,Daniel NIEDERLOEHNER,Johann Sukkau. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Device for action on low-frequency electric and magnetic fields

Номер патента: RU2113250C1. Автор: Варнке Ульрих. Владелец: Др.Фишер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 1998-06-20.

Method for detecting mechanical and magnetic features with nanoscale resolution

Номер патента: US11835547B2. Автор: Yi-Chun Chen,Yi-De LIOU,Yi-Hsin WENG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for detecting mechanical and magnetic features with nanoscale resolution

Номер патента: US20230168275A1. Автор: Yi-Chun Chen,Yi-De LIOU,Yi-Hsin WENG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-06-01.

Housing for a filter element and filter system comprising a housing

Номер патента: EP4234065A1. Автор: Stéphane Warnery,Gwenael Foulboeuf,Tristan Launay. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2023-08-30.

Magnetic separating apparatus and magnetic sorting method

Номер патента: US20210268515A1. Автор: Hiroaki Suzuki,Yusuke IBI. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Bead workstation and magnetic devices for sorting beads

Номер патента: US20220355980A1. Автор: Glenda Paunonen. Владелец: Innovations By Indigo Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Decorative and magnetic cleanout cover

Номер патента: US09752715B2. Автор: Duane Heaton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Cuttable and magnetically-adsorbable mesh sheet

Номер патента: AU2021104233B4. Автор: Likai Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Cuttable and magnetically-adsorbable mesh sheet

Номер патента: AU2021104233A4. Автор: Likai Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Cuttable and magnetically-adsorbable anchor rod assembly

Номер патента: AU2021103198B4. Автор: Fu Likai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Cuttable and magnetically-adsorbable anchor rod assembly

Номер патента: AU2021103198A4. Автор: Fu Likai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-05.

Paracord survivalist belts/bracelets and magnetic safety release

Номер патента: US09924751B2. Автор: Jarod Lee King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Stage light having effect element made of ceramic material

Номер патента: US20210164629A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Stage light having effect element made of ceramic material

Номер патента: US11255502B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Stage light fixture having light effect elements server

Номер патента: US12066172B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Stage light fixture having light effect elements server

Номер патента: US20240219009A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Devices for aesthetic treatment of biological structures by radiofrequency and magnetic energy

Номер патента: EP4292645A2. Автор: Tomás Schwarz,Frantisek Lang. Владелец: BTL Medical Solutions AS. Дата публикации: 2023-12-20.

Devices for aesthetic treatment of biological structures by radiofrequency and magnetic energy

Номер патента: EP4292645A3. Автор: Tomás Schwarz,Frantisek Lang. Владелец: BTL Medical Solutions AS. Дата публикации: 2024-01-31.

Magnetic recovery systems and magnetic docking mechanisms for fixed-wing unmanned aerial vehicles

Номер патента: US20200086981A1. Автор: John R. Wong. Владелец: Insitu Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Systems for fusion of fluorescence molecular tomography and magnetic resonance images

Номер патента: US9629549B2. Автор: Harvey Hensley,Navid Roder. Владелец: Institute for Cancer Research. Дата публикации: 2017-04-25.

Shower head with toroidal regulator and magnetic ring

Номер патента: RU2655144C1. Автор: Бранко МИРКОВ. Владелец: Фтт Доо. Дата публикации: 2018-05-23.

Dual switch system for common use by track guided rail vehicles and magnetic vehicles

Номер патента: CA1300725C. Автор: Gert Schwindt,Gottfried Schaffer. Владелец: Thyssen Industrie AG. Дата публикации: 1992-05-12.

Method of generating electrical and magnetic fields in salt water marine environments

Номер патента: US4627891A. Автор: Henry F. Gibbard. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1986-12-09.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: EP4257503A2. Автор: Henrik Arens. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2023-10-11.

Device for electrical and magnetic tissue stimulation

Номер патента: US11628307B2. Автор: Francisco Javier Velasco Valcke. Владелец: PANACEA QUANTUM LEAP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-04-18.

Electric-and-magnetic photographic image storage cartridge and canister holder

Номер патента: US6019221A. Автор: Anuthep Benja-Athon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-01.

Apparatus for disrupting cells or viruses using laser and magnetic beads

Номер патента: US20070071647A1. Автор: Jeong Lee,Seung Yang,Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: DK201900786A1. Автор: Arens Henrik. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2021-02-24.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: DK180831B1. Автор: Arens Henrik. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2022-05-09.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: EP4257503A3. Автор: Henrik Arens. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2023-11-29.

Device for electrical and magnetic tissue stimulation

Номер патента: EP3711812A1. Автор: Francisco Javier Velasco Valcke. Владелец: PANACEA QUANTUM LEAP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Device for electrical and magnetic tissue stimulation

Номер патента: US20200368545A1. Автор: Francisco Javier Velasco Valcke. Владелец: PANACEA QUANTUM LEAP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-11-26.

Equipment for exchange of optic-effect elements

Номер патента: EP2156092A2. Автор: Pavel Jurik. Владелец: Robe Show Lighting sro. Дата публикации: 2010-02-24.

Plug connection system including at least one first element and second element

Номер патента: RU2764492C1. Автор: Ян МОЛЛЬ,Нина ЗЕЛИГМАНН. Владелец: Биндер Гмбх. Дата публикации: 2022-01-17.

Hyperthermia agent for malignant tumor comprising cytokine and magnetic fine particles

Номер патента: US20040219130A1. Автор: Akira Ito,Takeshi Kobayashi,Hiroyuki Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Spin-orbit torque type magnetization reversing element, magnetic memory and high frequency magnetic device

Номер патента: JP6926760B2. Автор: 智生 佐々木,陽平 塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120002463A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWDER MAGNETIC CORE AND MAGNETIC ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120001710A1. Автор: TAKAHASHI Takeshi,MATSUTANI NOBUYA,Wakabayashi Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120003757A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IRRADIATING COIL AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120004532A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING HEAD AND MAGNETIC RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120002325A1. Автор: KOUI Katsuhiko,OIKAWA Soichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: SG194411A1. Автор: Tasaki Raita,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-29.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: SG191513A1. Автор: Tasaki Raita,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: NZ753383B2. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2021-06-29.

Visual and magnetic recording system

Номер патента: CA1040316A. Автор: Joseph R. Andreaggi,Robert J. Graf,Matthew J. Relis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-10-10.

THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE

Номер патента: US20120000500A1. Автор: . Владелец: Tokyo University of Science Education Foundation Administration Organization. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION STRUCTURE OF ELEMENTS AND CONNECTION METHOD

Номер патента: US20120000501A1. Автор: AKIYAMA Hirokuni,MORISAKU Naoto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation detecting element and radiographic imaging device

Номер патента: US20120001079A1. Автор: OKADA Yoshihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION DETECTION ELEMENT AND RADIOGRAPHIC IMAGING APPARATUS

Номер патента: US20120001080A1. Автор: OKADA Yoshihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHASE DIFFERENCE ELEMENT AND DISPLAY UNIT

Номер патента: US20120002281A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.