Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory
Номер патента: US11744163B2
Опубликовано: 29-08-2023
Автор(ы): Yohei SHIOKAWA
Принадлежит: TDK Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-08-2023
Автор(ы): Yohei SHIOKAWA
Принадлежит: TDK Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory
Номер патента: CN111480240A. Автор: 盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-31.