• Главная
  • Spin current magnetization rotation magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Spin current magnetization rotation magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190131517A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190287706A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Storage element, storage device, and magnetic head

Номер патента: US09818932B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210305498A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220216266A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168790A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US10516095B2. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20210020827A1. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-21.

Defect Propagation Structure and Mechanism for Magnetic Memory

Номер патента: US20200105326A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic memory using spin-orbit torque

Номер патента: US11944015B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory using spin-orbit torque

Номер патента: US20240188449A1. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11922985B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12048251B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20230263073A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12035636B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US20240005975A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US11776605B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11756600B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US09997698B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US11074951B2. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200302988A1. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Multilayer free magnetic layer structure for spin-based magnetic memory

Номер патента: US20200006625A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Gary Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic Memory Cell and Magnetic Memory

Номер патента: US20240331753A1. Автор: Hong Jian,Fantao MENG,Yihui SUN,Junlu GONG. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Spin-current magnetization rotational element and element assembly

Номер патента: US20190058111A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US09941468B2. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Tetsuro Anekawa,Chaoling Zhang. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09705073B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory

Номер патента: US20030137870A1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11744163B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetic array, magnetic array control method, and magnetic array control program

Номер патента: US20240074323A1. Автор: Tatsuo Shibata,Shogo Yamada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

3d magnetic memory device based on pure spin currents

Номер патента: US20180122460A1. Автор: Gokce Ozbay,Ozhan Ozatay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

Spintronics device, magnetic memory, and electronic apparatus

Номер патента: US11875832B2. Автор: Yukio Nozaki. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US9691457B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230189662A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160379696A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US12089502B2. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory

Номер патента: US10944045B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20210159397A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20190189909A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US11776604B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US20220343959A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210125654A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic Storage Track and Magnetic Memory

Номер патента: US20170133072A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Shujie Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210134380A1. Автор: Sungchul Lee,Eunsun Noh,Unghwan PI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200052194A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230386511A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US09799383B2. Автор: Tatsuya Kishi,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetoresistive effect element and crystallization method of ferromagnetic layer

Номер патента: US20210265562A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US20220077387A1. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210028354A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09899595B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Spin orbit torque (SOT) magnetic memory cell and array

Номер патента: US09830968B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshiaki Asao,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory

Номер патента: US09858974B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20170365357A1. Автор: Kenji Noma,Shinya Kobayashi,Mikio Miyata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Race track magnetic memory device and writing method thereof

Номер патента: US20210125653A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Teruo Ono,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory

Номер патента: US20200303457A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Megumi Yakabe,Agung Setiadi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US10084126B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280189A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic Memory and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20170077174A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269381A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory based on spin hall effect

Номер патента: US09985201B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US09966122B2. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic memory

Номер патента: US09916882B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magneto-resistive effect element

Номер патента: US20140293683A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Yutaka Majima,Shinya Kano,Ali Javey,Kuniharu Takei. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2014-10-02.

Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US9935260B2. Автор: Shogo ITAI,Chikayoshi Kamata,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetic memory

Номер патента: US20180025763A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210098040A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230200259A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190319183A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035639B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20230292623A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11765981B1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-19.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210020216A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US10614866B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US20190108865A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Magnetic memory

Номер патента: US20180375015A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element and magnetic memory

Номер патента: US20210083175A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element and magnetic memory

Номер патента: US20220140231A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element and magnetic memory

Номер патента: US11832526B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetoresistance effect element and magnetic recording array

Номер патента: US20210249590A1. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190088861A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210167279A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10957846B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11380841B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230025589A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Voltage-controlled gain-cell magnetic memory

Номер патента: US20230045804A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Shehrin Sayed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09640756B2. Автор: Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09865800B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09691816B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307100A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8729649B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191345A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091227A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US20160276407A1. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Selection circuit with autobooting for magnetic memory and methods therefor

Номер патента: US09911481B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic memory device comprising oxide patterns

Номер патента: US09893272B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Hyunsoo Shin,Byoungjae Bae,Jaesuk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory devices including in-plane current layers

Номер патента: US09882120B2. Автор: Jisu Ryu,Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220302206A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091228A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory

Номер патента: US20200090775A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: US20210184094A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistive element, and magnetic memory

Номер патента: EP4236663A3. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Tomomi Kawano,Minoru Sanuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180068680A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190325903A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetic memory

Номер патента: AU5152399A. Автор: Helmut Fritzsche,Thorsten Nawrath,Jan Nowikow,Hansjörg MALETTA. Владелец: Hahn Meitner Institut Berlin GmbH. Дата публикации: 1999-12-13.

Magneto-resistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing device

Номер патента: CN100382353C. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,岩崎仁志,桥本进. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Magneto-resistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing device

Номер патента: CN1604355A. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,岩崎仁志,桥本进. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: US20230147268A1. Автор: Hiroshi Naganuma,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200057122A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US20120001281A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US8742519B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US11832528B2. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic memory

Номер патента: US20110078538A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Sumio Ikegawa,Kenji Tsuchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory device and memory system

Номер патента: US11875834B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12041855B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory element

Номер патента: US20240194235A1. Автор: Satoru Nakatsuji,Tomoya HIGO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11942127B2. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US11778924B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic memory

Номер патента: US12052875B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: MY120928A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-12-30.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US11728082B2. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20210304940A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Read/write elements for a three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US20100039849A1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Jordan A. Katine,Bruce D. Terris,Barry Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: WO2020109754A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-06-04.

Thermally written magnetic memory device

Номер патента: US20060017126A1. Автор: Thomas Anthony,Manoj Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-26.

Magnetic memory

Номер патента: US20240049475A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory and manufacturing method

Номер патента: US20240221809A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Tomoe Nishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210125652A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090250776A1. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Hiroshi Takada,Shuichi Ueno,Kiyoshi Kawabata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Non-Volatile Magnetic Memory with Low Switching Current and High Thermal Stability

Номер патента: US20120205761A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

Номер патента: US20120205763A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US12096699B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetization rotational element and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20240130247A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210151667A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Toru Iwabuchi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-19.

Spin current and magnetoresistance from the orbital hall effect

Номер патента: US20230309411A1. Автор: Binghai YAN,Jiewen XIAO. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Spin current and magnetoresistance from the orbital hall effect

Номер патента: EP4200919A1. Автор: Binghai YAN,Jiewen XIAO. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Spin current and magnetoresistance from the orbital hall effect

Номер патента: WO2022038611A1. Автор: Binghai YAN,Jiewen XIAO. Владелец: Yeda Research and Development Co. Ltd.. Дата публикации: 2022-02-24.

Spin current and magnetoresistance from the orbital hall effect

Номер патента: IL276842B. Автор: Binghai YAN. Владелец: Binghai YAN. Дата публикации: 2021-12-01.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043682A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10580974B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US9853207B2. Автор: Kazumasa Nishimura,Takuya Seino,Toshikazu IRISAWA,Saki Shibuichi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US12035638B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240315143A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Ku Youl JUNG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US8750029B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070013015A1. Автор: Tadashi Kai,Masahiko Nakayama,Yoshihisa Iwata,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Spin current generation with nano-oscillator

Номер патента: US20160359458A1. Автор: Jian-Ping Wang,Mahdi Jamali. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2016-12-08.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Magneto-resistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7547934B2. Автор: Yoshiaki Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4435807A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099158A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Storage element and storage device

Номер патента: US8344467B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3786658A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3772658A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-10.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A3. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Magnetic memory

Номер патента: EP1796101A3. Автор: Susumu Haratani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Magnetoresistance effect element, magnetic recording element, and high-frequency device

Номер патента: US20240112695A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11944018B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetoresistance effect element and Heusler alloy

Номер патента: US11769523B2. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20240062777A1. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20070012972A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US20110303998A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12063869B2. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240249760A1. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetic memory

Номер патента: US12069962B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: WO2021126385A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: EP4078589A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Magnetic memory

Номер патента: US10658573B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210193913A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetoresistance effect element including a crystallized co heusler alloy layer

Номер патента: US11621392B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301195A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220013140A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220006007A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10446740B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11871681B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190378974A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180026181A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210328136A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230225222A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190221735A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Electronic devices having semiconductor magnetic memory units

Номер патента: US09941464B2. Автор: Seok-Pyo Song,Se-Dong Kim,Hong-Ju Suh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US09779835B1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20220238136A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043226A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element and method of producing the same

Номер патента: US20080081219A1. Автор: Mitsuru Otagiri,Kouji Hirano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Magnetoresistance effect element containing Heusler alloy with additive element

Номер патента: US11967348B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200035913A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12040115B1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240266099A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240339255A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230292625A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5738929A. Автор: Atsushi Maeda,Satoru Oikawa,Minoru Kume. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Method of manufacturing hexagonal ferrite powder, hexagonal ferrite powder, and magnetic recording medium

Номер патента: US20150279407A1. Автор: Yoichi Hosoya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230144429A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5716719A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: EP1612865A1. Автор: Joichiro Tdk Corporation Ezaki,Keiji Tdk Corporation Koga,Yuji TDK Corporation KAKINUMA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09966922B2. Автор: Tetsuya Shibata,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetoresistive element, spin MOSFET, magnetic sensor, and magnetic head

Номер патента: US09728713B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190137576A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

Write apparatus and magnetic memory

Номер патента: US09741418B2. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410868A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20220115049A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Magnetic memory device

Номер патента: EP4297034A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Magnetic storage element, recording method using the same, and magnetic storage device

Номер патента: US7038942B2. Автор: Hiroyuki Ohmori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Magnetic memory

Номер патента: EP1750275A2. Автор: Susumu Haratani,Takashi Asatani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Magnetic memory

Номер патента: US20160055891A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Sumio Ikegawa,Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: WO2008010957A3. Автор: DING Yunfei. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Magnetic memory

Номер патента: US8238144B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Multiple bit magnetic memory cell

Номер патента: US6081446A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhatacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-06-27.

Frequency resistance access magnetic memory

Номер патента: US9208846B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2015-12-08.

Frequency Resistance Access Magnetic Memory

Номер патента: US20140160834A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2014-06-12.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240334839A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Variable-frequency magnetoresistive effect element and oscillator, detector, and filter using the same

Номер патента: US20180102475A1. Автор: Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Magnetic memory

Номер патента: US9343129B2. Автор: Naoharu Shimomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035635B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230210016A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin film magnetic memory device provided with program element

Номер патента: US20050117393A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20060239065A1. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US7352615B2. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDX Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: WO2005081254A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: US20050180239A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Sensing circuit for magnetic memory unit

Номер патента: US20020085440A1. Автор: Jy-Der Tai. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Tester for testing magnetic memory

Номер патента: US09678179B2. Автор: Tatsuya Kishi,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Programmable magnetic memory device fp-mram

Номер патента: US20070081381A1. Автор: Kars-Michiel Lenssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic memory structure with improved half-select margin

Номер патента: US6134139A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Magnetic memory

Номер патента: EP1073061A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US20200294610A1. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US11037643B2. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: EP1714287A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-25.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Magnetic memory

Номер патента: US7471551B2. Автор: Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Magnetic memory and method of operation thereof

Номер патента: US20020167033A1. Автор: Takeshi Okazawa,Katsumi Suemitsu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US20240029811A1. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US12002533B2. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Current measuring and magnetic core compensating apparatus and method

Номер патента: CA1286366C. Автор: R. Wendell Goodwin. Владелец: Sangamo Weston Inc. Дата публикации: 1991-07-16.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US20160282145A1. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US09810747B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Reservoir element and neuromorphic element

Номер патента: US12033062B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US09689902B2. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US11024727B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US10707335B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetic sensor and magnetic detection method

Номер патента: US20210270915A1. Автор: Atsushi Igarashi,Takahiro Kato,Hirotaka Uemura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Yoke-type magnetic head and magnetic disk apparatus

Номер патента: US20080002294A1. Автор: Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5432661A. Автор: Yasuhiro Kawawake,Teruya Shinjo,Toshio Takada, deceased. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1995-07-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11927649B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Shogo YONEMURA,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetoresistive-effect device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030103298A1. Автор: Kiyoshi Sato,Kenji Honda,Yoshihiko Kakihara. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Disc drive having hydrodynamic labyrinth seal and magnet shield

Номер патента: US6055126A. Автор: Michael D. Kennedy,Norbert S. Parsoneault. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2000-04-25.

Improvements in or relating to magnetic memory elements and arrays thereof

Номер патента: GB1021700A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1966-03-09.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-05-06.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Method and system reading magnetic memory

Номер патента: US20050047201A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-03.

System and method of calibrating a read circuit in a magnetic memory

Номер патента: US20050073890A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner,Richard Hilton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190148046A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284592A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181333A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200075845A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20140284735A1. Автор: Tadashi Kai,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US10505105B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181334A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140027870A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Noma,Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330589A. Автор: Akio Kawasaki,明朗 川崎. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330588A. Автор: Akihiro Maesaka,明弘 前坂. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: US09762182B2. Автор: Eiji Suzuki,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Asymmetric patterned magnetic memory

Номер патента: US20050073016A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Magnetoresistive effect element, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20230180628A1. Автор: Yo Sato,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Coincident current magnetic core memory matrix

Номер патента: US3573761A. Автор: Richard M Genke. Владелец: INTERDATA Inc. Дата публикации: 1971-04-06.

Magnetic memory matrix with keepers

Номер патента: US3593323A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-13.

Integrated circuit transformer with concentric windings and magnetically active material

Номер патента: US20240296990A1. Автор: Wolfgang Frank,Annett Winzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic sensor and magnetic detection system

Номер патента: US20240255591A1. Автор: Kazuhiro Onaka,Naoki Kohara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic sensor and magnetic detection system

Номер патента: US20240248157A1. Автор: Kazuhiro Onaka,Takafumi TSUSHIMA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic sensor and method of manufacturing such, and magnetic detection device and magnetic detection system

Номер патента: US20240103101A1. Автор: Keisuke TAKASUGI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic sensor and method of manufacturing such, and magnetic detection device and magnetic detection system

Номер патента: US11874345B2. Автор: Keisuke TAKASUGI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic component and magnetic core of the same

Номер патента: US20170194086A1. Автор: Yu Zhang,Min Zhou,Rui WU,Jin-Ping Zhou,Jian-Hong Zeng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Spinning-Current-Hallsensor mit homogener Raumladungszone

Номер патента: DE10244096A1. Автор: Wolfgang Feiler,Henning Hauenstein. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-01.

Ferrite magnet and both rotor and magnet roll comprising the same

Номер патента: US20030168785A1. Автор: Yasunobu Ogata,Yutaka Kubota,Takashi Takami. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Irreversible circuit element and module

Номер патента: US09711834B2. Автор: Yoshiki Yamada,Takaya Wada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

A method of manufacturing a magnetic memory element

Номер патента: GB1287287A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1972-08-31.

Non-reciprocal circuit element and communication apparatus having the same

Номер патента: EP4175060A1. Автор: Kosuke Sato,Hideyuki Sasaki,Hidenori Ohata. Владелец: TDK Dalian Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Sputtering apparatus and magnet unit

Номер патента: US09761423B2. Автор: Hidekazu Suzuki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetoresistive effect element, manufacturing method thereof, and position detection apparatus

Номер патента: US20190285435A1. Автор: Naoki Ohta,Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Preparation method of magnetic cluster colloid and magnetic cluster colloid prepared thereby

Номер патента: US20130099152A1. Автор: Jin Kyu Lee,Jin Myung Cha. Владелец: SUN R AND DB. Дата публикации: 2013-04-25.

Skeletonless winding and magnetic assembly

Номер патента: US20240233994A1. Автор: Tianding HONG,Changyun XIAO. Владелец: Aplus Power Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Soft magnetic alloy and magnetic component

Номер патента: US20220380875A1. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Kazuhiro YOSHIDOME,Akito HASEGAWA,Hironobu Kumaoka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method, device and magnet for magnetic treatment of fluids

Номер патента: RU2447262C2. Автор: Джон Т. ХЕЙЛ. Владелец: Джон Т. ХЕЙЛ. Дата публикации: 2012-04-10.

Magnetic alloy, amorphous alloy ribbon, and magnetic part

Номер патента: EP2128291A1. Автор: Motoki Ohta,Yoshihito Yoshizawa. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

Soft magnetic alloy and magnetic part

Номер патента: US20200312499A1. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Kazuhiro YOSHIDOME,Akito HASEGAWA,Hironobu Kumaoka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Pulse charging and magnetization circuit for superconducting magnet

Номер патента: EP4191818A1. Автор: Xiaofen Li,Zhiwei Zhang,Zhijian JIN,Yanbo BI. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-06-07.

Power conversion system and magnetic component thereof

Номер патента: US20210082615A1. Автор: Xueliang Chang,Da Jin,Yahong Xiong,QingHua Su. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Permanent Magnet Rotating Machine

Номер патента: US20120299408A1. Автор: Dai Higuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Manufacturing method of magneto-resistance effect element

Номер патента: US20110256642A1. Автор: Eiji Ozaki,Hiroshi Akasaka,Naoko Matsui. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Encapsulated magnetic memory element

Номер патента: US3640767A. Автор: Thomas Philip Fulton,Henry Di Luca. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

Device for treating a liquid and magnet for such a device

Номер патента: GB1048789A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-11-23.

Improvements relating to alternating current magnets

Номер патента: GB967992A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1964-08-26.

Magnetization rotational element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20230180629A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Minoru Sanuki,Kosuke HAMANAKA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US11770981B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-26.

Spin current devices and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09929338B2. Автор: Jing Shi,Chi Tang,Yadong Xu,Roger Lake,Junxue Li,Mohammed Aldosary. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180138237A1. Автор: Junichi Ito,Satoshi Seto,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09906199B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237663A1. Автор: Shinji Hara,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetic memory device having an electrode continuously provided on a wiring

Номер патента: US11895925B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301116A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Keorock CHOI,Cha Deok Dong,Takuya Shimano,Bokyung JUNG,Gukcheon Kim. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220085281A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230292529A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20240074326A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230309413A1. Автор: Eiji Kitagawa,Young Min EEH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Repeated spin current interconnects

Номер патента: WO2014051792A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Repeated spin current interconnects

Номер патента: EP2901505A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Thermoelectric conversion element and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150333247A1. Автор: Masahiko Ishida,Akihiro Kirihara,Shigeru Koumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US20160005957A1. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US09773973B2. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691968B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Thermoelectric conversion element and manufacturing method for the same

Номер патента: US09608095B2. Автор: Masahiko Ishida,Akihiro Kirihara,Shigeru Koumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284732A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09948267B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US10490734B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US10236437B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160329487A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20180090672A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US20200274511A1. Автор: Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Magnetoresistive Effect Element

Номер патента: US20200212295A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237662A1. Автор: Shinji Hara,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20140070343A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Shigeto Fukatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220278271A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Thermoelectric conversion element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236246A1. Автор: Masahiko Ishida,Akihiro Kirihara,Shigeru Koumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20240206347A1. Автор: Jeng-Hua Wei,Siddheswar Maikap,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220013579A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetic Memory Array Incorporating Selectors and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200006422A1. Автор: Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Radiant artificial lunar lights having effective elements for growing plants

Номер патента: US11666006B2. Автор: Jeom Doo Kim,Tae In Kim,Elijah Sangeun Im,Eden Soeun Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-06.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11770937B2. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Radiant artificial lunar lights having effective elements for growing plants

Номер патента: US20220232781A1. Автор: Jeom Doo Kim,Tae In Kim,Sangeun IM,Soeun IM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200303628A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09899594B2. Автор: Yong-sung Park,Ju-Hyun Kim,Ki-Woong Kim,Se-Chung Oh,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US09882119B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Ferromagnetic liner for conductive lines of magnetic memory cells

Номер патента: US20070105241A1. Автор: Rainer Leuschner,Michael Gaidis,Lubomyr Romankiw,Judith Rubino. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-10.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234268A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9065041B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Magnetic Head Slider and Magnetic Disk Drive

Номер патента: US20110149430A1. Автор: Masayuki Kurita,Hidekazu Kohira,Toshiya Shiramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US6721147B2. Автор: Junichi Ito,Kenji Noma,Kenichi Aoshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-13.

Magnetic head and magnetic disk apparatus

Номер патента: US20030189797A1. Автор: Yoshiaki Kawato,Reiko Arai,Katsuro Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-09.

Spin-current effect in carbon coated conductors

Номер патента: EP2603919A1. Автор: Pekka Saastamoinen,Petteri Koljonen. Владелец: SPINDECO OY. Дата публикации: 2013-06-19.

Magnetic pattern replication method and magnetic pattern replication apparatus

Номер патента: US20070217046A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Yutaka Nakamura,Sumio Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Magnetic type keyboard and magnetic key thereof

Номер патента: US09905380B2. Автор: Hsien-Tsan Chang,Wei-Yung Huang. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: US20130286505A1. Автор: Yoshihiro Shiroishi,Hiroshi Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Magnetic reproducing head, head drum apparatus, and magnetic recording-reproducing apparatus

Номер патента: US20050190506A1. Автор: Susumu Sato,Yoshimi Takahashi,Seiji Onoe,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Signal reproducing method, magnetic head and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US7982986B2. Автор: Koichi Mizushima,Rie Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Signal reproducing method, magnetic head and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20110013304A1. Автор: Koichi Mizushima,Rie Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110100953A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kosuke Tanaka,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Magnetic head slider and magnetic disk drive

Номер патента: US20110299188A1. Автор: Kyosuke Ono,Masaru Furukawa,Junguo Xu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-12-08.

Magnetoresistive Effect Element Having Bias Layer With Internal Stress Controlled

Номер патента: US20080239582A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Takayasu Kanaya,Katsuki Kurihara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1209261A. Автор: Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Soda Yutaka,Suyama Hideo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-08-05.

Magnetic head comprising magneto-resistance effect element and side shields

Номер патента: US09767834B1. Автор: Hideyuki Ukita,Hisayoshi Watanabe,Minoru Ota,Takahiko Machita,Tetsuya Hiraki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: US4679107A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1220858A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-04-21.

Nonreciprocal circuit element and communication apparatus using the same

Номер патента: US20190386368A1. Автор: Yoshinori Matsumaru,Hidenori Ohata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Magnetoresistance effect type head and information reproducing device

Номер патента: US20020012208A1. Автор: Naoki Mukouyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device

Номер патента: US20090035606A1. Автор: Kenji Shimizu. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-05.

Magnetoresistive head and magnetic recording drive

Номер патента: US5850323A. Автор: Hitoshi Kanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Thermally-assisted magnetic recording head, head gimbal assembly and magnetic recording device

Номер патента: US20130016592A1. Автор: Tomohito Mizuno,Katsuki Kurihara,Satoshi Tomikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Magnetic type keyboard and magnetic key thereof

Номер патента: US20170330709A1. Автор: Hsien-Tsan Chang,Wei-Yung Huang. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Patterned magnetic medium, magnetic recording medium and magnetic storage device

Номер патента: SG144090A1. Автор: Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-07-29.

Protective film, and magnetic recording medium having protective film

Номер патента: SG187734A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Ryoji Kobayashi,Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Cuttable and magnetically-adsorbable anchor rod assembly

Номер патента: AU2023201006A1. Автор: Likai Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic head slider and magnetic disk apparatus for redistributing a lubricant

Номер патента: US5889635A. Автор: Akinobu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetic recording medium and magnetic particles therefor

Номер патента: US4693931A. Автор: Seiji Matsumoto,Haruo Andoh. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Magnetic recording unit and magnetic recording medium

Номер патента: US7203023B2. Автор: Kazuyuki Ozaki,Sumio Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-10.

Magnetic head slider and magnetic disk drive

Номер патента: US20080080094A1. Автор: Hiroshi Tani,Sunao Yonekawa. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-04-03.

Patterned magnetic medium, magnetic recording medium and magnetic storage device

Номер патента: US20080144218A1. Автор: Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Patterned magnetic medium, magnetic recording medium and magnetic storage device

Номер патента: US7771853B2. Автор: Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-10.

Magnetic head and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: US11817135B2. Автор: Gaku KOIZUMI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor

Номер патента: CA1246492A. Автор: Howard D. Kisner. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1988-12-13.

Improvements in or relating to television receivers and magnetic focussing units therefor

Номер патента: GB855498A. Автор: John Edward Cope,Henry Colin Durrant. Владелец: Pye Ltd. Дата публикации: 1960-11-30.

Bilayer carbon overcoating for magnetic data storage disks and magnetic head/slider constructions

Номер патента: US5858182A. Автор: Jei-Wei Chang,Cheng Tzong Horng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Magnetic head apparatus and magnetic recording apparatus using thereof

Номер патента: US5943195A. Автор: Akinaga Natsui,Norimoto Nouchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Thin-film magnetic head, head gimbal assembly, head arm assembly and magnetic disk drive

Номер патента: US20070109691A1. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Takahiko Machita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Magnetic recording and playback of signals and magnetic transducing head therefore

Номер патента: CA1184293A. Автор: BUDIMAN Sastra. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-03-19.

Magnetic-tape-cassette apparatus and magnetic-head unit for use in such apparatus

Номер патента: CA1220857A. Автор: Johannes J.M. Schoenmakers. Владелец: Johannes J.M. Schoenmakers. Дата публикации: 1987-04-21.

Magnetic recording medium and magnetic recording medium manufacturing method

Номер патента: US20110286124A1. Автор: Narumi Sato. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Magnetic recording and magnetic recording system

Номер патента: SG144697A1. Автор: Kimio Nakamura. Владелец: Hitachi Global Storage Tech. Дата публикации: 2008-08-28.

Perfluoropolyether compound, and lubricant and magnetic disk each using the same

Номер патента: US20100136371A1. Автор: Tsuyoshi Shimizu,Kazunori Shirai,Nagayoshi Kobayashi. Владелец: Moresco Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Fluoropolyether compound, and lubricant and magnetic disc comprising same

Номер патента: US09911447B2. Автор: Ryosuke Sagata. Владелец: Moresco Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Acicular magnetic iron oxide particles and magnetic recording media using such particles

Номер патента: US5120604A. Автор: Tatsuya Nakamura. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Fluoropolyether compound, and lubricant and magnetic disc using same

Номер патента: US09928865B2. Автор: Aya Inoue. Владелец: Moresco Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Scrambler of information stored on magnetic memory media

Номер патента: US5666413A. Автор: Christopher J. Kempf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-09.

Magnetoresistance effect type read-head and method of producing the same

Номер патента: US20080186640A1. Автор: Masato Matsubara,Masanori Akie. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Magnetic memory disc pack balancing system

Номер патента: US3817088A. Автор: P Herbig. Владелец: Caelus Memories Inc. Дата публикации: 1974-06-18.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1248222A. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Magnetoresistance effect film and spin valve reproducing head

Номер патента: EP1369882A1. Автор: Kenji c/o Fujitsu Limited Noma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-10.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324241A1. Автор: Tian Li,Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324470A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Chiral spin-current supply structure for mtj-based memory

Номер патента: US20240324473A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Chiral spin-current supply structure for mtj-based memory

Номер патента: WO2024201191A1. Автор: Jonathan Sun. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US10739419B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US10073150B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Magnetic sensor and magnetic encoder

Номер патента: US20160282146A1. Автор: Hiroshi Yamazaki,Kunihiro Ueda,Yoshiyuki Mizoguchi,Suguru Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Magnetic field detecting sensor and magnetic field detecting apparatus using the same

Номер патента: US9983273B2. Автор: Kei Tanabe,Akihiro Ogawa,Tamon Kasajima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11805706B2. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20040169006A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20020101328A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Gradient magnetic field coil device and magnetic resonance imaging device

Номер патента: US09927507B2. Автор: Yukinobu Imamura,Akira Kurome,Masanao Terada,Mitsushi Abe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099156A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099021A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic sensor device and magnetic sensor system

Номер патента: US11789094B2. Автор: Kenzo Makino,Shuhei Miyazaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Electrical machine with electric motor and magnetic gear

Номер патента: US12034350B2. Автор: Günther Weidenholzer,Gerald Jungmayr,Edmund Marth. Владелец: Ebm Papst Mulfingen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic sensor device and magnetic sensor system

Номер патента: US20230417846A1. Автор: Kenzo Makino,Shuhei Miyazaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Single magnetoresistor TMR magnetic field sensor chip and magnetic currency detector head

Номер патента: US09804235B2. Автор: James Geza Deak,Haiping GUO. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US11980104B2. Автор: Hideyuki Sugiyama,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Soichi Oikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5500633A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Yoshinori Takahashi,Shiho Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-19.

Permanent Magnet Rotating Electric Machine

Номер патента: US20130221784A1. Автор: Atsushi Fukunaga,Daisuke Kori,Motonobu Iizuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-08-29.

Magnetic rotating device

Номер патента: US20070273369A1. Автор: Ta Sheng Huang. Владелец: Heng Tong Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Determining resonant frequencies and magnetic influence factors of materials in the earth

Номер патента: US20230350092A1. Автор: Philip Clegg. Владелец: Terrasee Tech LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Headpiece and magnetic tuners

Номер патента: US09837054B1. Автор: Geoffrey Lee McCabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Angle switch device with magnetoresistive effect element

Номер патента: US20060255796A1. Автор: Shigeru Shoji. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240268238A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Junghyeok KWAK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: EP3566288A1. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2019-11-13.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: US12062945B2. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for electrical and magnetic monitoring of a material

Номер патента: US11774431B2. Автор: Gregory A. AGOSTINELLI. Владелец: Ideacuria Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Coil unit and magnetic resonance imaging apparatus including coil unit

Номер патента: EP4428556A1. Автор: Masayoshi Dohata,Yosuke Otake. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Coil unit and magnetic resonance imaging apparatus including coil unit

Номер патента: US20240302465A1. Автор: Masayoshi Dohata,Yosuke Otake. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Magnetic sensor circuit and magnetic field detection device

Номер патента: US11940503B2. Автор: Tatsunori SHINO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20230337549A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and magnetic resonance scanner for acquiring a magnetic resonance data set

Номер патента: US20150226819A1. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Surface coils and magnetic resonance devices

Номер патента: US20240219492A1. Автор: Shihao Chen,Dashen Chu,Hai Lu,Yunlei YAO,Shang Xu. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and magnetic resonance apparatus for establishing a measurement protocol of a magnetic resonance data acquisition

Номер патента: US09915716B2. Автор: Heiko Meyer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and magnetic resonance system for imaging a partial region of an examination subject

Номер патента: US09753113B2. Автор: Jan Ole BLUMHAGEN,Matthias Fenchel,Ralf Ladebeck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and magnetic resonance apparatus to determine a B0 field map

Номер патента: US09897674B2. Автор: Hans-Peter Fautz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and magnetic resonance system to generate multiple magnetic resonance images

Номер патента: US09664758B2. Автор: Alto Stemmer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Simultaneous acquisition of bioelectric signals and magnetic resonance images

Номер патента: WO2003100450A1. Автор: Kimitaka Anami. Владелец: Physio-Tech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-12-04.

Method and magnetic resonance apparatus for establishing a resonant frequency

Номер патента: US20150309138A1. Автор: Kuan Jin Lee. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Method and magnetic resonance apparatus for determination of radio-frequency pulses

Номер патента: US20150234025A1. Автор: Rainer Schneider. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Magnetic rotation-angle detector

Номер патента: US09702735B2. Автор: Takeshi Musha,Jin Inoue,Hajime Nakajima,Takashi Okamuro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and magnetic resonance apparatus for image acquisition

Номер патента: US09696399B2. Автор: David Grodzki. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic code reading device and magnetic code reading method

Номер патента: CA2289319C. Автор: Shingo Watanabe,Kazunori Matsumoto,Yoshiyuki Koizumi. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Deactivatable coded marker and magnetic article surveillance system

Номер патента: CA1294017C. Автор: Jon N. Weaver. Владелец: CONTROLLED INFORMATION CORP. Дата публикации: 1992-01-07.

Shock absorbing and magnetic levitating cushion

Номер патента: US20050082447A1. Автор: Pao-An Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Identification of effective elements in complex systems

Номер патента: WO2004061548A2. Автор: Eytan Ruppin,Alon Keinan,Isaac Meilijson. Владелец: RAMOT AT TEL AVIV UNIVERSITY LTD.. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: NZ753383A. Автор: Geoffrey Long. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2021-03-26.

Identification of effective elements in complex systems

Номер патента: WO2004061548A3. Автор: Eytan Ruppin,Alon Keinan,Isaac Meilijson. Владелец: Isaac Meilijson. Дата публикации: 2005-10-13.

Magnetic rotation sensor, system and method

Номер патента: WO2009004293A3. Автор: Daniel A Allwood,Michael R J Gibbs. Владелец: Michael R J Gibbs. Дата публикации: 2009-02-26.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Permanent magnet rotating electric machine

Номер патента: US20050062355A1. Автор: Fumio Tajima,Takashi Yasuhara,Yutaka Matsunobu,Shouichi Kawamata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Polymers having enhanced electrical and magnetic properties

Номер патента: CA1302429C. Автор: Samuel I. Stupp,Jeffrey S. Moore. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 1992-06-02.

Rf sim card, rf card reader, and magnetic induction control method in rf communication

Номер патента: MY154088A. Автор: Li Meixiang,ZHU Shan,SUN YINGTONG. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Magnetically operated mechanism and magnetic cahd

Номер патента: USRE27753E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-09-11.

Magnetic rotating apparatus

Номер патента: US20030169139A1. Автор: Long-Jyh Pan,Yung-Tsun Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Guitar pick comprising a blend of plastic and magnetically receptive

Номер патента: WO2004038691A1. Автор: John Jeffrey Oskorep. Владелец: John Jeffrey Oskorep. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: US20180191215A1. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Consumables for printing machines by conductors and magnets

Номер патента: WO2024095038A1. Автор: Reza FARAHANI. Владелец: Farahani Reza. Дата публикации: 2024-05-10.

Method and magnetic resonance apparatus for the acquisition of mr data of a slice within a subject

Номер патента: US20150268322A1. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-09-24.

Magnetic rotation accelerator and power generation system including the same

Номер патента: US09729041B2. Автор: Hatsuhiro Mochizuki,Song Gon Suk,Moon Hwa Chang,Se Myung Suk,Young Jun Suk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method for electrical and magnetic monitoring of a material

Номер патента: WO2018092069A1. Автор: Gregory A. AGOSTINELLI. Владелец: IdeaCuria Inc.. Дата публикации: 2018-05-24.

Rotor and permanent magnetic rotating machine

Номер патента: EP2595282A2. Автор: Hideki Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for separating cells using immunorosettes and magnetic particles

Номер патента: CA2906121C. Автор: Andy Isamu Kokaji. Владелец: STEMCELL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2021-01-05.

Method and magnetic resonance scanner for acquiring a magnetic resonance data set

Номер патента: US10088541B2. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-10-02.

Method and magnetic resonance apparatus for determining basic shim settings of the magnetic resonance apparatus

Номер патента: US10197650B2. Автор: Andrew Dewdney. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-02-05.

On-line magnetic memory stress detection system

Номер патента: NL2032794B1. Автор: LIU BIN,Liu Tong,Zhang He,Ren Jian,LIAN Zheng,HE Luyao,Yang Lijian,Ma Xue,Ding Liying,Fu Yanduo. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2024-02-27.

Badge holder with lanyard and magnetic clip

Номер патента: SG11201901492QA. Автор: Ivan TAN. Владелец: Ivan TAN. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and magnetic resonance apparatus for determination of patient movement during data acquisition

Номер патента: US20080214923A1. Автор: Arne Littmann,Gunnar Krueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US12058941B2. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US12089505B2. Автор: Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240349621A1. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240365678A1. Автор: Kwang Seok Kim,Ki Woong Kim,Seonggeon Park,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

A modular motor and magnetic bearing assembly, and a manufacturing method therefor

Номер патента: CA2881592A1. Автор: Eduardo Carrasco. Владелец: SKF Magnetic Mechatronics SAS. Дата публикации: 2015-08-21.

Camera using film having a magnetic memory portion

Номер патента: US5749007A. Автор: Hiroshi Sakurai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Rotor and permanent magnet rotating machine

Номер патента: US20110234038A1. Автор: Hideki Kobayashi,Takehisa Minowa,Yuhito Doi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Micro-electromechanical system (MEMS) based current and magnetic field sensor

Номер патента: US7705583B2. Автор: Ertugrul Berkcan,Shankar Chandrasekaran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-04-27.

Method and magnetic resonance system for fat saturation

Номер патента: US10317488B2. Автор: Jan Ole BLUMHAGEN,Dominik Paul,Daniel Nico Splitthoff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-06-11.

Badge holder with lanyard and magnetic clip

Номер патента: WO2018038679A1. Автор: Ivan TAN. Владелец: TAN Ivan. Дата публикации: 2018-03-01.

Magnetic rotation sensor, system and method

Номер патента: WO2009004293A2. Автор: Daniel A. Allwood,Michael R. J. Gibbs. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2009-01-08.

Method in a pulsed accelerator for accelerating a magnetized rotating plasma

Номер патента: WO1989011207A1. Автор: Jan Bergstrom,Vladimir Kouznetsov,Herman Helgesen,Alfred Sillesen. Владелец: Bergstroem Jan. Дата публикации: 1989-11-16.

Permanent magnet rotating electrical machine

Номер патента: US20150194851A1. Автор: Mamoru Kimura,Masahiro Hori,Tetsuo Fujigaki,Youichi Matsumoto,Motonobu IIDUKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Magnetic Rotation Detection Apparatus

Номер патента: US20170343383A1. Автор: Toshiya Yoshida,Shoji Kishi. Владелец: Toyo Denso Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Permanent magnet rotating electrical machine

Номер патента: US09935512B2. Автор: Mamoru Kimura,Masahiro Hori,Tetsuo Fujigaki,Youichi Matsumoto,Motonobu IIDUKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Direct current magnetized hybrid transformer

Номер патента: US4539443A. Автор: Ivan Jaki. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1985-09-03.

Method and magnetic resonance apparatus to acquire magnetic resonance data of a target region including a metal object

Номер патента: US20150008918A1. Автор: Mathias Nittka. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and magnetic resonance apparatus for quiet echo-planar imaging

Номер патента: US20180259605A1. Автор: Robin Heidemann,Patrick Liebig. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Method and magnetic resonance apparatus for determining dephasing factors in mr multiecho techniques

Номер патента: US20170082709A1. Автор: Marcel Dominik Nickel. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-03-23.

Device and method for determining an encoder magnet rotation angle

Номер патента: US20240133714A1. Автор: Timo Kaufmann,Jörg Franke,Johannes Gutmann. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and magnetic resonance apparatus for monitoring a cooling system of the magnetic resonance apparatus

Номер патента: US20190072624A1. Автор: Stephan Biber. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and magnetic resonance apparatus for monitoring a cooling system of the magnetic resonance apparatus

Номер патента: US10823791B2. Автор: Stephan Biber. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and magnetic resonance apparatus for determining a shim setting

Номер патента: US10429465B2. Автор: Ralf Ladebeck,Daniel NIEDERLOEHNER,Johann Sukkau. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-10-01.

Method and magnetic resonance apparatus for determining a shim setting

Номер патента: US20170293004A1. Автор: Ralf Ladebeck,Daniel NIEDERLOEHNER,Johann Sukkau. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Progressing cavity pump with wobble stator and magnetic drive

Номер патента: CA2605039C. Автор: Michael Duane Amburgey,Jose L. Sandoval. Владелец: Moyno Inc. Дата публикации: 2014-11-25.

Housing for a filter element and filter system comprising a housing

Номер патента: EP4234065A1. Автор: Stéphane Warnery,Gwenael Foulboeuf,Tristan Launay. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2023-08-30.

Magnetic separating apparatus and magnetic sorting method

Номер патента: US20210268515A1. Автор: Hiroaki Suzuki,Yusuke IBI. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Bead workstation and magnetic devices for sorting beads

Номер патента: US20220355980A1. Автор: Glenda Paunonen. Владелец: Innovations By Indigo Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Decorative and magnetic cleanout cover

Номер патента: US09752715B2. Автор: Duane Heaton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Magnetic rotating cleaning apparatuses for cleaning aquarium walls

Номер патента: US20150135460A1. Автор: Michael Kirkham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Cuttable and magnetically-adsorbable mesh sheet

Номер патента: AU2021104233B4. Автор: Likai Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Cuttable and magnetically-adsorbable mesh sheet

Номер патента: AU2021104233A4. Автор: Likai Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic rotating cleaning apparatuses for cleaning aquarium walls

Номер патента: US20150289487A1. Автор: Michael Kirkham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Magnetic rotating cleaning apparatuses for cleaning aquarium walls

Номер патента: US9801360B2. Автор: Michael Kirkham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Cuttable and magnetically-adsorbable anchor rod assembly

Номер патента: AU2021103198B4. Автор: Fu Likai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Cuttable and magnetically-adsorbable anchor rod assembly

Номер патента: AU2021103198A4. Автор: Fu Likai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for preparing metal nanopowder by magnetically rotating arc plasma

Номер патента: ZA202309940B. Автор: Ming Zhang,Ling WAN,Qiwei Yang,Jiali WANG,Rulong LI. Владелец: Institute Of Zhejiang Univ Quzhou. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for preparing metal nanopowder by magnetically rotating arc plasma

Номер патента: NL2036100A. Автор: Zhang Ming,YANG QIWEI,WAN Ling,WANG Jiali,LI Rulong. Владелец: Institute Of Zhejiang Univ Quzhou. Дата публикации: 2024-09-20.

Paracord survivalist belts/bracelets and magnetic safety release

Номер патента: US09924751B2. Автор: Jarod Lee King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Stage light having effect element made of ceramic material

Номер патента: US20210164629A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Stage light having effect element made of ceramic material

Номер патента: US11255502B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Hair rod having magnet rotatably attached thereto

Номер патента: WO2009088181A3. Автор: Beom-Jun LEE,Dong-Mun Seo. Владелец: Dong-Mun Seo. Дата публикации: 2009-09-03.

Stage light fixture having light effect elements server

Номер патента: US12066172B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Hair rod having magnet rotatably attached thereto

Номер патента: WO2009088181A2. Автор: Beom-Jun LEE,Dong-Mun Seo. Владелец: Dong-Mun Seo. Дата публикации: 2009-07-16.

Stage light fixture having light effect elements server

Номер патента: US20240219009A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Devices for aesthetic treatment of biological structures by radiofrequency and magnetic energy

Номер патента: EP4292645A2. Автор: Tomás Schwarz,Frantisek Lang. Владелец: BTL Medical Solutions AS. Дата публикации: 2023-12-20.

Devices for aesthetic treatment of biological structures by radiofrequency and magnetic energy

Номер патента: EP4292645A3. Автор: Tomás Schwarz,Frantisek Lang. Владелец: BTL Medical Solutions AS. Дата публикации: 2024-01-31.

Magnetic recovery systems and magnetic docking mechanisms for fixed-wing unmanned aerial vehicles

Номер патента: US20200086981A1. Автор: John R. Wong. Владелец: Insitu Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Systems for fusion of fluorescence molecular tomography and magnetic resonance images

Номер патента: US9629549B2. Автор: Harvey Hensley,Navid Roder. Владелец: Institute for Cancer Research. Дата публикации: 2017-04-25.

Shower head with toroidal regulator and magnetic ring

Номер патента: RU2655144C1. Автор: Бранко МИРКОВ. Владелец: Фтт Доо. Дата публикации: 2018-05-23.

Dual switch system for common use by track guided rail vehicles and magnetic vehicles

Номер патента: CA1300725C. Автор: Gert Schwindt,Gottfried Schaffer. Владелец: Thyssen Industrie AG. Дата публикации: 1992-05-12.

Method of generating electrical and magnetic fields in salt water marine environments

Номер патента: US4627891A. Автор: Henry F. Gibbard. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1986-12-09.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: EP4257503A2. Автор: Henrik Arens. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2023-10-11.

Device for electrical and magnetic tissue stimulation

Номер патента: US11628307B2. Автор: Francisco Javier Velasco Valcke. Владелец: PANACEA QUANTUM LEAP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-04-18.

Electric-and-magnetic photographic image storage cartridge and canister holder

Номер патента: US6019221A. Автор: Anuthep Benja-Athon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-01.

Apparatus for disrupting cells or viruses using laser and magnetic beads

Номер патента: US20070071647A1. Автор: Jeong Lee,Seung Yang,Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: DK201900786A1. Автор: Arens Henrik. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2021-02-24.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: DK180831B1. Автор: Arens Henrik. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2022-05-09.

Tent or awning with combined zipper and magnetic closure

Номер патента: EP4257503A3. Автор: Henrik Arens. Владелец: Oase Outdoors APS. Дата публикации: 2023-11-29.

Device for electrical and magnetic tissue stimulation

Номер патента: EP3711812A1. Автор: Francisco Javier Velasco Valcke. Владелец: PANACEA QUANTUM LEAP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Device for electrical and magnetic tissue stimulation

Номер патента: US20200368545A1. Автор: Francisco Javier Velasco Valcke. Владелец: PANACEA QUANTUM LEAP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-11-26.

Equipment for exchange of optic-effect elements

Номер патента: EP2156092A2. Автор: Pavel Jurik. Владелец: Robe Show Lighting sro. Дата публикации: 2010-02-24.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120002463A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWDER MAGNETIC CORE AND MAGNETIC ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120001710A1. Автор: TAKAHASHI Takeshi,MATSUTANI NOBUYA,Wakabayashi Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120003757A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IRRADIATING COIL AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120004532A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING HEAD AND MAGNETIC RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120002325A1. Автор: KOUI Katsuhiko,OIKAWA Soichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: SG194411A1. Автор: Tasaki Raita,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-29.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: SG191513A1. Автор: Tasaki Raita,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Method of rotor production including co-curing and magnetization in place

Номер патента: NZ753383B2. Автор: Geoffrey Alan Long. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2021-06-29.

Visual and magnetic recording system

Номер патента: CA1040316A. Автор: Joseph R. Andreaggi,Robert J. Graf,Matthew J. Relis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-10-10.