MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20170221964A1
Опубликовано: 03-08-2017
Автор(ы): Kondo Tsuyoshi, Morise Hirofumi, NAKAMURA Shiho, Ootera Yasuaki, Quinsat Michael Arnaud, SHIMADA Takuya
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Spin injection source, magnetic memory, spin hall oscillator, computer, and magnetic sensor

Номер патента: US20230063084A1. Автор: Tsuyoshi Kondo,Nam Hai PHAM,Takanori SHIRAKURA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-03-02.

Magnetic stack structure, magnetic memory device and the method for operating magnetic memory device

Номер патента: CN109713117A. Автор: 郑在佑,S.S.P.帕金,M.G.萨曼特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-03.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09659996B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09698340B2. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09705073B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US09799383B2. Автор: Tatsuya Kishi,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160155778A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Magnetic memory element, method for producing same, and magnetic memory

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Toshinari Watanabe,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic memory, magnetic memory device, and method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09515124B2. Автор: Yuuzo Kamiguchi,Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US20170084827A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09673387B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Implementing magnetic memory pillar design

Номер патента: US09520444B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Spin orbit torque (SOT) magnetic memory cell and array

Номер патента: US09830968B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshiaki Asao,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory

Номер патента: US09858974B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Implementing segregated media based magnetic memory

Номер патента: US09444036B1. Автор: Bruce Gurney,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic Memory and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20170077174A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US10084126B1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269381A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287637A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Shinji Myano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US9935260B2. Автор: Shogo ITAI,Chikayoshi Kamata,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetic memory

Номер патента: US20180025763A1. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Writing of a magnetic memory with electric pulses

Номер патента: US20190088300A1. Автор: Yang Yang,Sayeef Salahuddin,Jeffrey Bokor,Jon Gorchon,Richard Brian Wilson,Charles Henri Alexandre Lambert. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20170365357A1. Автор: Kenji Noma,Shinya Kobayashi,Mikio Miyata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230165164A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory device and driving method for the same

Номер патента: US20150078070A1. Автор: Shiho Nakamura,Tetsufumi Tanamoto,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Magnetic memory and method for manufacturing same

Номер патента: US9831423B2. Автор: Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20220262419A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11348626B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Magnetic memory devices and methods for initializing the same

Номер патента: US20230165158A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US20210050044A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230292630A1. Автор: Yukio Hayakawa,Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US10867649B2. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152700A1. Автор: Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200020374A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Katsuhiko Koui,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Magnetic memory

Номер патента: US20230071519A1. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088859A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210126189A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190279699A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory

Номер патента: US10944045B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20210159397A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20190189909A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Magnetic memory

Номер патента: US20230076828A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: US20200168261A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD FOR THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279700A1. Автор: FUJIMORI Takeshi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device utilizing magnetic domain wall motion

Номер патента: US20150070980A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Osada,Sumiko Domae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic memory element, method for driving the magnetic memory element, and nonvolatile storage device

Номер патента: KR101397654B1. Автор: 야스시 오기모토,하루오 카와카미. Владелец: 후지 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-05-22.

Magnetic memory cells and semiconductor devices comprising the magnetic memory cells

Номер патента: US20170309680A1. Автор: Stephen J. Kramer,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Magnetic memory using spin current, operating method thereof, and electronic apparatus including magnetic memory

Номер патента: US20230352072A1. Автор: Kwangseok KIM,Kaixuan Zhang,Je-Geun PARK,Jingyuan CUI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09899595B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Implementing deposition growth method for magnetic memory

Номер патента: US09431457B1. Автор: Luiz M. Franca-Neto,Ricardo Ruiz. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US09508925B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory using spin orbit interaction

Номер патента: US09508923B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280189A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Tomoaki Inokuchi,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200279596A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tomoaki Inokuchi,Katsuhiko Koui,Hideyuki Sugiyama,Susumu Takeda,Shinobu Fujita,Kazutaka IKEGAMI,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US09966122B2. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetic memory

Номер патента: US20200303457A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Megumi Yakabe,Agung Setiadi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Race track magnetic memory device and writing method thereof

Номер патента: US20210125653A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Teruo Ono,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230189662A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210134380A1. Автор: Sungchul Lee,Eunsun Noh,Unghwan PI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic Storage Track and Magnetic Memory

Номер патента: US20170133072A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Shujie Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic memory

Номер патента: US20190088858A1. Автор: Mariko Shimizu,Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180174634A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

3d magnetic memory device based on pure spin currents

Номер патента: US20180122460A1. Автор: Gokce Ozbay,Ozhan Ozatay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: AU2003302985A1. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-09.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: WO2004055823A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J M Denissen. Владелец: Adrianus J M Denissen. Дата публикации: 2005-04-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170316813A1. Автор: Hyun Woo Lee,Byong Guk Park,Kyung Jin Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210125654A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190035448A1. Автор: Mariko Shimizu,Satoshi Shirotori,Yuichi Ohsawa,Altansargai BUYANDALAI,Hideyuki Sugiyama,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic memory device

Номер патента: US9691457B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160379696A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Spintronics device, magnetic memory, and electronic apparatus

Номер патента: US11875832B2. Автор: Yukio Nozaki. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory device, method for manufacturing the same, and substrate treating apparatus

Номер патента: US20200091412A1. Автор: Jeong-Heon Park,Hyun Cho,Ung Hwan Pi,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

High capacity low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US09478279B2. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168790A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US10516095B2. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic memory based on spin hall effect

Номер патента: US09985201B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory

Номер патента: US09916882B2. Автор: Hiroaki Yoda,Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Tomoaki Inokuchi,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220216266A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200203597A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Magnetic memory devices with magnetic field sensing and shielding

Номер патента: US20200357980A1. Автор: Bin Liu,Ruchil Kumar JAIN,Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Samarth Agarwal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11922985B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Defect Propagation Structure and Mechanism for Magnetic Memory

Номер патента: US20200105326A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic memory and semiconductor-integrated-circuit

Номер патента: US09570137B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20230263073A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12035636B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic memory

Номер патента: US20230309321A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088855A1. Автор: Koji Ueda,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230040502A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kyung-Jin Lee,Jeongchun Ryu,Byongguk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200168260A1. Автор: Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098686A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20210020827A1. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12010925B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Magnetic memory cell having deterministic switching and high data retention

Номер патента: US20200357982A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Witold Kula,Marc Drouard,Gilles Gaudin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2020-11-12.

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11744163B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetic memory structure

Номер патента: US11758821B2. Автор: Jeng-Hua Wei,I-Jung WANG,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050508A1. Автор: Woojin Kim,HyeongSun HONG,Junghwan Moon,Seowon Lee,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210028228A1. Автор: Jeong-Heon Park,Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Eunsun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

MAGNETIC MEMORY AND METHOD FOR WRITING DATA INTO MAGNETIC MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20170249981A1. Автор: Ohno Hideo,TSUJI Yukihide,Nebashi Ryusuke,Sakimura Noboru,TADA Ayuka. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIC MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC NEURON ELEMENT

Номер патента: US20190035446A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic memory device and element

Номер патента: US09735343B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Magnetic memory element and memory apparatus having multiple magnetization directions

Номер патента: US8809978B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09634240B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Kyung Rae Byun,Eunsun Noh,Byoungjae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09985200B2. Автор: JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory and method of manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09893121B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Masahiko Nakayama,Kuniaki Sugiura,Yasuyuki Sonoda,Min Suk Lee,Ji Hwan HWANG. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09450177B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Horizontal magnetic memory device using in-plane current and electric field

Номер патента: US09647030B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Seo-Won Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for reducing size and center positioning of magnetic memory element contacts

Номер патента: US09793467B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Yong Ju Lee,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana Golizadeh Mojard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640755B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Implementing magnetic memory integration with CMOS driving circuits

Номер патента: US09780143B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09865800B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09691816B2. Автор: Yoonjong Song,Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11074951B2. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory devices including in-plane current layers

Номер патента: US09882120B2. Автор: Jisu Ryu,Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US09608199B1. Автор: Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Spin transfer torque magnetic memory device using magnetic resonance precession and the spin filtering effect

Номер патента: US09478729B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Soo-Man Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210050383A1. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee,Jangeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200302988A1. Автор: Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device comprising oxide patterns

Номер патента: US09893272B2. Автор: Jongchul Park,Shin-Jae Kang,Hyunsoo Shin,Byoungjae Bae,Jaesuk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US09627609B2. Автор: Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Voltage-controlled gain-cell magnetic memory

Номер патента: US20230045804A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Shehrin Sayed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-16.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09647201B2. Автор: Jongchul Park,Kyung Rae Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing magnetic memory

Номер патента: US09640756B2. Автор: Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09437654B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140145279A1. Автор: Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Yushi Kato,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-05-29.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Magnetic memory device with balancing synthetic anti-ferromagnetic layer

Номер патента: US20200005845A1. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu,William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory devices including oxidized non-magnetic patterns with non-metallic elements and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180040810A1. Автор: Eunsun Noh,Whankyun Kim,Joongmyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Multilayer free magnetic layer structure for spin-based magnetic memory

Номер патента: US20200006625A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Gary Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: US20210184094A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321040A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190287590A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetic memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069558A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Choon Kun Ryu,Min Suk Lee,Jae Geun Oh,Hyung Suk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091227A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622545B2. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230165161A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20140353783A1. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220302206A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200091228A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277744A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230117646A1. Автор: Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic device and manufacturing method therefor, magnetic memory and electronic device

Номер патента: EP4358139A1. Автор: Wei Zhu,XUE Zhou,Xuepeng Qiu,Qing QIN,Huifang JIAO,Zhongqi Xu,Huanglin YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180269386A1. Автор: Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Three-dimensional (3D) magnetic memory devices comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) having a metallic buffer layer

Номер патента: US11456410B2. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200152251A1. Автор: Juhyun Kim,Ung Hwan Pi,Ki Woong Kim,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20220102426A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210082998A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09419208B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of fabricating magnetic memory device

Номер патента: US20220020918A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09553258B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic Memory Devices and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180040667A1. Автор: Juhyun Kim,Jae Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077388A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230269950A1. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155332A1. Автор: Kenji Noma,Takashi Nakazawa,Takeshi Kajiyama,Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-04.

Magnetic memory device using doped semiconductor layer

Номер патента: US11930719B2. Автор: Manijeh Razeghi,Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory element and memory apparatus with a plurality of magnetic layers and an oxide layer

Номер патента: US20150303375A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US09484528B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetoresistive Memory Element and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20160163964A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Magnetoresistive Memory Element and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20160013401A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Spin-torque magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US20140217528A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Nonvolatile memory element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230066075A1. Автор: Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Multilayered seed structure for perpendicular MTJ memory element

Номер патента: US09793319B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen,Roger K. Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

A magnetic memory and a method for programming a magnetic memory

Номер патента: KR100824102B1. Автор: 이밍 후아이,마헨드라 파칼라. Владелец: 그랜디스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-04-21.

Magnetic memory element

Номер патента: RU2585578C2. Автор: Жиль Луи ГОДЕН,Иоан Михай МИРОН,Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА,Ален ШУЛЬ. Владелец: Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа). Дата публикации: 2016-05-27.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory

Номер патента: US12052875B2. Автор: Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory cell structure with spin device elements and method of operating the same

Номер патента: US09552860B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Implementing 3D scalable magnetic memory with interlayer dielectric stack and pillar holes having programmable area

Номер патента: US09443905B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic Memory Cell and Magnetic Memory

Номер патента: US20240331753A1. Автор: Hong Jian,Fantao MENG,Yihui SUN,Junlu GONG. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US09484529B2. Автор: Woojin Kim,Sechung Oh,Jeahyoung Lee,Junho Jeong,Woochang Lim,Jangeum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method, system and device for magnetic memory

Номер патента: WO2020109754A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-06-04.

Power-efficient programming of magnetic memory

Номер патента: US10811072B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Power-Efficient Programming of Magnetic Memory

Номер патента: US20190378553A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Power-Efficient Programming of Magnetic Memory

Номер патента: US20200118611A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Magnetic memory

Номер патента: US09620189B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Hiroshi Imamura,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Daisuke Saida,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic memory element

Номер патента: US20240194235A1. Автор: Satoru Nakatsuji,Tomoya HIGO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20210043681A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20230209838A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: EP2255361A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors

Номер патента: WO2009117228A2. Автор: Solomon Assefa,Sivananda K. Kanakasabapathy,Philip L. Trouilloud,Janusz Jozef Nowak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-09-24.

Magnetic memory and manufacturing method

Номер патента: US20240221809A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Tomoe Nishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US12119036B2. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-10-15.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12041855B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory device with varying direction of magnetization and method of manufacturing the same

Номер патента: US8901531B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191345A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Nonvolatile magnetic memory device

Номер патента: US09508919B2. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307100A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8729649B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210125652A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory

Номер патента: US20240049475A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US20160276407A1. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Selection circuit with autobooting for magnetic memory and methods therefor

Номер патента: US09911481B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

High thermal budget magnetic memory

Номер патента: US09666640B2. Автор: Kangho Lee,Taiebeh Tahmasebi,Chenchen Jacob WANG,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220093848A1. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Magnetic memory

Номер патента: US20180375015A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US11805659B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic memory

Номер патента: US20200090775A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic memory devices having multiple magnetic layers therein

Номер патента: US11935573B2. Автор: Ung Hwan Pi,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Magnetic memory devices and methods of controlling domain sizes thereof

Номер патента: US20230274772A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic memory device and method for controlling same

Номер патента: US20200035283A1. Автор: Shinji Yuasa,Takayuki Nozaki,Yoichi Shiota. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetic memory

Номер патента: US11871586B2. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Yoshihiro Ueda,Akihito Yamamoto,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT,Tsutomo NAKANISHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US11778924B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230298649A1. Автор: Ung Hwan Pi,Andrea Migliorini,Stuart Papworth Parkin,Jaechun Jeon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20230380294A1. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Data write circuit of resistive memory element

Номер патента: US20200082884A1. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09570515B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140254253A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09806130B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090250776A1. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Hiroshi Takada,Shuichi Ueno,Kiyoshi Kawabata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Magnetic memory and its drive method, and magnetic memory apparatus using same

Номер патента: CN1270323C. Автор: 平本雅祥,松川望,小田川明弘,川岛良男,里见三男,杉田康成. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Josephson magnetic memory cell system

Номер патента: CA2874551C. Автор: Donald Miller,Anna Y. Herr,Ofer Naaman,Norman O. BIRGE. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Thermally written magnetic memory device

Номер патента: US20060017126A1. Автор: Thomas Anthony,Manoj Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-26.

Low cost multi-state magnetic memory

Номер патента: US20110303998A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US20120001281A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US8742519B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic memory

Номер патента: US20240274176A1. Автор: Masaki Kado,Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-Volatile Magnetic Memory with Low Switching Current and High Thermal Stability

Номер патента: US20120205761A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability

Номер патента: US20120205763A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic Memory Device Based on Perpendicular Exchange Bias and Method of Manufacturing Magnetic Memory Device

Номер патента: US20240032443A1. Автор: Ji-Sung Lee,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh,Byong-Guk Park,Jaimin Kang,Soogil Lee,Dae-Kyu Koh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US11942127B2. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US20180268889A1. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US10650874B2. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-05-12.

Magnetic memory

Номер патента: US20240055028A1. Автор: Naoharu Shimomura,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US11832528B2. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Fast magnetic memory devices utilizing spin transfer and magnetic elements used therein

Номер патента: EP1889261A2. Автор: Mahendra Pakala,Zhenghong Qian,Yiming Huai,Zhitao Diao. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2008-02-20.

Fast magnetic memory devices utilizing spin transfer and magnetic elements used therein

Номер патента: WO2006133342A2. Автор: Mahendra Pakala,Zhenghong Qian,Yiming Huai,Zhitao Diao. Владелец: Grandis, Inc.. Дата публикации: 2006-12-14.

Read/write elements for a three-dimensional magnetic memory

Номер патента: US20100039849A1. Автор: Ching Hwa Tsang,Robert E. Fontana, Jr.,Jordan A. Katine,Bruce D. Terris,Barry Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Magnetic memory device and memory system

Номер патента: US11875834B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic memory

Номер патента: US20110078538A1. Автор: Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Sumio Ikegawa,Kenji Tsuchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240315143A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Ku Youl JUNG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240249760A1. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory

Номер патента: US20120241884A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory

Номер патента: US12069962B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Shigeyuki HIRAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: WO2021126385A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Josephson magnetic memory with a semiconductor-based magnetic spin valve

Номер патента: EP4078589A1. Автор: Roman Lutchyn,Andrey Antipov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US11942128B2. Автор: Jeong-Heon Park,Youngjun CHO,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic memory including a magnetoresistive element

Номер патента: US8530987B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099158A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Arrays of magnetic memory cells

Номер патента: EP3693998A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11944014B2. Автор: Hyun Cho,Jaehoon Kim,Sechung Oh,Yongsung PARK,Sanghwan Park,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US20140169087A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Magnetoresistive element, memory element having the magnetoresistive element, and memory using the memory element

Номер патента: US6829121B2. Автор: Takashi Ikeda,Akio Koganei,Kazuhisa Okano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-12-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20070012972A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Nonvolatile solid-state magnetic memory, method for controlling coercive force of nonvolatile solid-state magnetic memory, and method for recording in nonvolatile solid-state magnetic memory

Номер патента: US20040085827A1. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Daichi Chiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2004-05-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US12063869B2. Автор: Kazuya Sawada,Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic memory

Номер патента: EP1796101A3. Автор: Susumu Haratani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20240324471A1. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for screening arrays of magnetic memories

Номер патента: US20140010003A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Multi-bit magnetic memory device using spin-polarized current and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP1689006A3. Автор: Yong-su Kim,Chee-kheng Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Magnetic memory, a method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070181964A1. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

Номер патента: WO2002065475A2. Автор: Xian Ning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Synapse-inspired memory element for neuromorphic computing

Номер патента: US20200311524A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09548093B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic Memory Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20160055892A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US09466350B2. Автор: Minoru Amano,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Magnetic memory, method of recording data to and reproducing data from magnetic memory, and method of operating magnetic memory

Номер патента: US9396811B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Yasuaki Ootera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Magnetic memory device and magnetic memory apparatus

Номер патента: US20220115049A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Syuta HONDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Frequency resistance access magnetic memory

Номер патента: US9208846B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2015-12-08.

Frequency Resistance Access Magnetic Memory

Номер патента: US20140160834A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Michael COEY. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2014-06-12.

Magnetic memory

Номер патента: EP1750275A2. Автор: Susumu Haratani,Takashi Asatani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD FOR MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130182498A1. Автор: AOKI Masaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-07-18.

Magnetic memory, and programming control method, reading method, and magnetic storage device of the magnetic memory

Номер патента: US20210090630A1. Автор: Tao Wang,Hao Ni,Dan Ning,Zi Jian ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements

Номер патента: WO2008010957A3. Автор: DING Yunfei. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Magnetic memory

Номер патента: US20160055891A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Sumio Ikegawa,Hisanori Aikawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Multiple bit magnetic memory cell

Номер патента: US6081446A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhatacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-06-27.

Magnetic memory

Номер патента: US8830718B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US8634237B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20130077395A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Hirofumi Morise. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory device manufacturing method with memory element having a metal-oxygen compound

Номер патента: US20130260528A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US20160012920A1. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US9741453B2. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic memory, magnetic memory array, method for recording in a magnetic memory and method for reading out from a magnetic memory

Номер патента: KR100563423B1. Автор: 야마모또마사히꼬,나까따니료이찌,엔도야스시. Владелец: 일본국 (오사까 다이가꾸쵸). Дата публикации: 2006-03-22.

Magnetic memory array, method for recording in a magnetic memory array and method for reading out from a magnetic memory array

Номер патента: KR100526280B1. Автор: 야마모또마사히꼬,나까따니료이찌,엔도야스시. Владелец: 일본국 (오사까 다이가꾸쵸). Дата публикации: 2005-11-08.

Magnetic memory array, method for recording in a magnetic memory array and method for reading out from a magnetic memory array

Номер патента: US7099185B2. Автор: Ryoichi Nakatani,Masahiko Yamamoto,Yasushi Endo. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2006-08-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Sensing circuit for magnetic memory unit

Номер патента: US20020085440A1. Автор: Jy-Der Tai. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Write apparatus and magnetic memory

Номер патента: US09741418B2. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Yarong Fu,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Improvements in or relating to magnetic memory elements

Номер патента: GB875192A. Автор: Ernest Franklin,Thomas Henry O'dell. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1961-08-16.

Magnetic memory

Номер патента: US20030137870A1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Magnetic memory device

Номер патента: GB927905A. Автор: Cravens Lamar Wanlass. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1963-06-06.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Magnetic memory device comprising a current pulse generator, and method of operating such a magnetic memory device

Номер патента: EP4141871A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche,Jérémie VIGIER. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-03-01.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410868A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic Memory System Using Mram-Sensor

Номер патента: US20080316801A1. Автор: Jaap Ruigrok,Hans M.B. Boeve,Friso J. Jedema. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-25.

Magnetic memory

Номер патента: US8238144B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US20240029811A1. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

System, method and/or apparatus for magnetic memory testing

Номер патента: US12002533B2. Автор: Mudit Bhargava,Pranay Prabhat,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Magnetic memory device

Номер патента: EP4297034A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Kenji Fukuda,Kazumasa Sunouchi,Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Controlled temperature, thermal-assisted magnetic memory device

Номер патента: US20050180238A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-18.

Programming memory elements using two phase boost

Номер патента: US09646669B2. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Dual loop sensing scheme for resistive memory elements

Номер патента: AU2003254265A1. Автор: R. Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Tester for testing magnetic memory

Номер патента: US09678179B2. Автор: Tatsuya Kishi,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic memory and method of operation thereof

Номер патента: US20020167033A1. Автор: Takeshi Okazawa,Katsumi Suemitsu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Magnetic memory

Номер патента: US9343129B2. Автор: Naoharu Shimomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Magnetic memory device and methods for making a magnetic memory device

Номер патента: US7352613B2. Автор: ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-01.

Thin film magnetic memory device provided with program element

Номер патента: US20050117393A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US20160224242A1. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Magnetic memory device and magnetic storage method

Номер патента: US09886199B2. Автор: Takuya Shimada,Yoshihisa Iwata,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Yoshiaki Osada,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: WO2005081254A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: US20050180239A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Programmable magnetic memory device fp-mram

Номер патента: US20070081381A1. Автор: Kars-Michiel Lenssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US20200294610A1. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system for controlling magnetic memory

Номер патента: US11037643B2. Автор: Hideki Yamada,Yoshihiro Ueda,Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Magnetic memory

Номер патента: US7471551B2. Автор: Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Magnetic memory structure with improved half-select margin

Номер патента: US6134139A. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Magnetic memory

Номер патента: EP1073061A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Method and system for providing temperature dependent programming for magnetic memories

Номер патента: EP1714287A1. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-25.

Direct writing method of magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: US20080180988A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-31.

Non-destructive readout magnetic memory

Номер патента: GB1062180A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-03-15.

Magnetic memory device

Номер патента: US20060239065A1. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US7352615B2. Автор: Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDX Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for capacitively reading resistive memory elements and nonvolatile, capacitively readable memory elements for implementing the method

Номер патента: US09443589B2. Автор: Stefan Tappertzhofen,Eike Linn,Lutz Nielen,Ilia Valov,Rainer Waser. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2016-09-13.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Partitioned memory architecture with single resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240119977A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140376301A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Capacitor integrated with memory element of memory cell

Номер патента: US20230422519A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Gregory A. Northrop,Joseph Versaggi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

One transistor and N memory element based memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US12096638B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Volatile memory device employing a resistive memory element

Номер патента: US09953697B2. Автор: Tanmay Kumar,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for driving memory element

Номер патента: US09502094B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory element for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030038312A1. Автор: Thomas Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-27.

Multi-bit memory elements, memory devices including the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09484087B2. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-element gain memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US11955153B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

One transistor and n memory element based memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US20230284456A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Quantum computing device spin transfer torque magnetic memory

Номер патента: US09460397B2. Автор: Dmytro Apalkov,Matthew J. Carey,Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy,Mohamad Towfik Krounbi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-05-06.

Method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

Номер патента: WO2004093085A2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: US20070165450A1. Автор: Hans Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-19.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: WO2005050664A1. Автор: Hans M. B. Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-06-02.

Data retention indicator for magnetic memories

Номер патента: EP1690263A1. Автор: Hans M. B. Boeve. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-16.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Improvements in or relating to magnetic memory elements and arrays thereof

Номер патента: GB1021700A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1966-03-09.

Method and system reading magnetic memory

Номер патента: US20050047201A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-03.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

System and method of calibrating a read circuit in a magnetic memory

Номер патента: US20050073890A1. Автор: Kenneth Smith,Frederick Perner,Richard Hilton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for improving the read signal in a memory having passive memory elements

Номер патента: US20050128796A1. Автор: Kurt Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Magnetic random access memory using a non-linear memory element select mechanism

Номер патента: US6515897B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US09543508B2. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Perpendicular magnetic memory element having magnesium oxide cap layer

Номер патента: US09748471B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Magnetic memory element with composite fixed layer

Номер патента: US09831421B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory element with composite perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09780300B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic memory

Номер патента: US10658573B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US20170125665A1. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Spin current magnetization rotational element, spin current magnetization rotational type magnetoresistive element, magnetic memory, and magnetization rotation method

Номер патента: US20240365684A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Electronic devices having semiconductor magnetic memory units

Номер патента: US09941464B2. Автор: Seok-Pyo Song,Se-Dong Kim,Hong-Ju Suh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic Memory Element Including Perpendicular Enhancement Layers and Dual Oxide Cap Layers

Номер патента: US20230403945A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic Memory Element Incorporating Dual Perpendicular Enhancement Layers

Номер патента: US20210159399A1. Автор: Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088346A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US09515123B2. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US09779835B1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic memory device and magnetic memory

Номер патента: US20160276404A1. Автор: Shiho Nakamura,Tsuyoshi Kondo,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088345A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Yuichi Ito,Shinji Miyano,Yoshihiro Ueda,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Hideaki Aochi,Yasuaki Ootera,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory

Номер патента: US20210280635A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsuyoshi Kondo,Mutsumi Okajima,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory elements and cross point switches and arrays for same using nonvolatile nanotube blocks

Номер патента: US09406349B2. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,X. M. Henry Huang,Ramesh Sivarajan. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US7598577B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Memory elements with relay devices

Номер патента: US09520182B2. Автор: Irfan Rahim,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt,Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Organic switching element and method for producing the same

Номер патента: US8877871B2. Автор: Masaaki Ozawa,Katsuhiko Fujita,Hisashi Ichikawa,Kei Yasui,Keisuke Odoi. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2014-11-04.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200278403A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Non-volatile storage device, non-volatile storage element, and manufacturing method for their production

Номер патента: US20230012093A1. Автор: Takao Shimizu,Atsushi Hori,Ichiro Fujiwara,Yoshiko Nakamura,Takanori Mimura,Hiroshi Funakubo,Kuniyuki Kakushima,Shun-ichiro OHMI,Joel MOLINA REYES. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-01-12.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140021434A1. Автор: Naomi Yamada,Akira Kouchiyama,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Programmable logic circuit architecture using resistive memory elements

Номер патента: US09461649B2. Автор: Bingjun Xiao,Jingsheng J. CONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-10-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301195A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory element and programmable logic device

Номер патента: US09985636B2. Автор: Takayuki Ikeda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile resistive memory element with an oxygen-gettering layer

Номер патента: US09331276B2. Автор: Milind Weling,Tony P. Chiang,Dipankar Pramanik. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Variable resistance non-volatile memory element and variable resistance non-volatile memory device using the element

Номер патента: US11889776B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa,Hisashi Shima,Hiroyuki Akinaga,Atsushi Himeno,Ryutaro YASUHARA,Takehide Miyazaki,Yasuhisa Naitoh,Kengo NISHIO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: US20240023345A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20180331281A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Memory device having three-dimensional arrayed memory elements

Номер патента: US09666293B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: US09444047B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

On-chip temperature sensing with non-volatile memory elements

Номер патента: US20210164845A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistive memory element

Номер патента: US10050156B1. Автор: Lung-Han Peng,Jun-Wei Peng,Yen-Kai Chang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09553255B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines

Номер патента: US09466790B2. Автор: George Samachisa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory Element and Semiconductor Device, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080205132A1. Автор: Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Non-volatile memory elements with multiple access transistors

Номер патента: US20200227107A1. Автор: Bipul C. Paul,Harsh N. Patel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09640759B1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic random access memory element having tantalum perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09559144B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory element and memory device

Номер патента: US9159911B2. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20160141031A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140183437A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Takeyuki Sone,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US9947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US20170162785A1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09917248B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and memory element

Номер патента: US09786382B1. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of forming resistive memory elements

Номер патента: US9893282B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy,Christopher W. Petz,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Three dimensional flash memory element with middle source-drain line and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355743A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-11-21.

Magnetic domain wall type analog memory element, magnetic domain wall type analog memory, nonvolatile logic circuit, and magnetic neuro-element

Номер патента: US20200126631A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Magnetic element, magnetic memory device, magnetoresistance effect head, and magnetic storage system

Номер патента: US6365286B1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Shinichi Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Magnetic memory

Номер патента: AU5152399A. Автор: Helmut Fritzsche,Thorsten Nawrath,Jan Nowikow,Hansjörg MALETTA. Владелец: Hahn Meitner Institut Berlin GmbH. Дата публикации: 1999-12-13.

Method for the preparation of epitaxial ferromagnetic manganese aluminum magnetic memory element

Номер патента: US5169485A. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Timothy D. Sands,Mark L. Leadbeater,James P. Harbison,Silas J. Allen, Jr.. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1992-12-08.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: US20050012086A1. Автор: Jon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A3. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A2. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2003-08-14.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20230360701A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2023-11-09.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20190378570A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2019-12-12.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20210151108A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2021-05-20.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory elements with soft-error-upset (seu) immunity using parasitic components

Номер патента: US20180330778A1. Автор: Weimin Zhang,Yanzhong Xu,Nelson Joseph Gaspard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5536947A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick K. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: GB2601415A. Автор: Pantazi Angeliki,Bohnstingl Thomas,Stavros Eleftheriou Evangelos,Andrzej Wozniak Stanislaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: EP2409301A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20130279242A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20120163067A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: WO2010107515A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-09-23.

Universal memory element and method of programming same

Номер патента: US5912839A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Boil Pashmakov. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Highly integrated dynamic memory element

Номер патента: US4244035A. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-01-06.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CA2227612C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Organic-polymer memory element

Номер патента: US7035140B2. Автор: Warren B. Jackson,Sven Möller. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US8355292B2. Автор: Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Programmable Resistance Memory Element and Method for Making Same

Номер патента: US20110114911A1. Автор: Patrick Klersy. Владелец: Patrick Klersy. Дата публикации: 2011-05-19.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: US20220139464A1. Автор: Angeliki Pantazi,Evangelos Stavros Eleftheriou,Stanislaw Andrzej Wozniak,Thomas Bohnstingl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1154532A. Автор: Peter Hansen,Marlies Urner-Wille. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-09-27.

Method for making programmable resistance memory element

Номер патента: US20020045323A1. Автор: Tyler Lowrey,Stephen Hudgens,Patrick Klersy,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Memory element with energy control mechanism

Номер патента: US5933365A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US09564152B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

Method for measuring an external magnetic field by at least one magnetic memory point

Номер патента: US20230358826A1. Автор: Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-09.

Fine Structural Body, Method For Manufacturing Fine Structural Body, Magnetic Memory, Charge Storage Memory And Optical Information Recording Medium

Номер патента: US20110287282A1. Автор: Kazuhito Hashimoto,Shin-ichi Ohkoshi,Hiroko Tokoro,Fumiyoshi Hakoe,Yoshihide Tsunobuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20130336081A1. Автор: Timothy J. Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

State-monitoring memory element

Номер патента: WO2008131144A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-30.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Conductive filament based memory elements and methods with improved data retention and/or endurance

Номер патента: US20130001503A1. Автор: Antonio R. Gallo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20120176854A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120061638A1. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Memory element and method for fabricating a memory element

Номер патента: US20030168675A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Rosner,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-11.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US11834738B2. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240090338A1. Автор: Junghwan Park,YeonHo Choi,Kyungil Hong,Gyuwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Sputtering apparatus and method of fabricating magnetic memory device using the same

Номер патента: US20210079517A1. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and memory element between channel region and conductive plate

Номер патента: US20240074211A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: EP4312479A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US20230267998A1. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US11984160B2. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Non-Volatile Memory Having 3d Array of Read/Write Elements and Read/Write Circuits and Method Thereof

Номер патента: US20110299340A1. Автор: Yan Li,George Samachisa,Luca Fasoli,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Electric element, switching element, memory element, switching method and memory method

Номер патента: US20100124096A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Kenji Sano,Yumiko Oyasato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Storage device having a resistance change memory element and writing method thereof

Номер патента: US11877525B2. Автор: Yukihiro Nomura,Takayuki Sasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120147656A1. Автор: Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory element and memory device

Номер патента: US8699260B2. Автор: Kazuhiro Ohba,Takeyuki Sone,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Spin transfer torque based memory elements for programmable device arrays

Номер патента: US09577641B2. Автор: Vivek De,James W. Tschanz,Arijit Raychowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Digitally trimmable integrated resistors including resistive memory elements

Номер патента: US09589615B2. Автор: Ashoke Ravi,Dinesh Somasekhar,Ganesh Balamurugan,Tawfiq Musah,Sudip Shekhar,Tzu-Chien Hsueh,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070164267A1. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Wolodymyr Czubatyj,Jeffrey Fournier. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7692272B2. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Wolodymyr Czubatyj,Jeffrey P. Fournier. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Carbon-based memory element

Номер патента: US20120001142A1. Автор: Charalampos Pozidis,Christophe P. Rossel,Abu Sebastian,Daniele Caimi,Evangelos S. Eleftheriou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Resistive memory element with heater

Номер патента: EP1797565A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-20.

Digitally trimmable integrated resistors including resistive memory elements

Номер патента: US20160379695A1. Автор: Ashoke Ravi,Dinesh Somasekhar,Ganesh Balamurugan,Tawfiq Musah,Sudip Shekhar,Tzu-Chien Hsueh,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist

Номер патента: US20030039924A1. Автор: Jon Maimon,Andrew Pomerene. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

Magnetic memory

Номер патента: US3587066A. Автор: Daniel Gibacier,Tran Van Khai. Владелец: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA. Дата публикации: 1971-06-22.

Magnetic memory employing stress wave

Номер патента: GB1113417A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-05-15.

Filamentary magnetic memory with electrostatic shielding

Номер патента: US3699549A. Автор: Joseph F Martin,Thaddeus F Bryzinski. Владелец: Stromberg Carlson Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: EP4143898A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Temperature management of memory elements of an information handling system

Номер патента: US20230005564A1. Автор: Jordan Chin,Isaac Qin Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-01-05.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441B1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US20110242878A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: WO2007111666A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Methods and systems for operating memory elements

Номер патента: US20130141960A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US8363500B2. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US20130083588A1. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Method and apparatus for identifying erroneous data in at least one memory element

Номер патента: US20160314853A1. Автор: Adrian Traskov. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2016-10-27.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: WO2021221998A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-04.

Variable comparison voltage generation apparatus for generating a comparison voltage corresponding to a variation of electric charge quantity in a ferroelectric substance memory element

Номер патента: US5877991A. Автор: Jae Hwan Kim,Seung Hyun Yi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic memory matrix with keepers

Номер патента: US3593323A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-13.

Cylindrical magnetic memory element having plural concentric magnetic layers separated by a nonmagnetic barrier layer

Номер патента: US3576552A. Автор: Albert W Vinal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-27.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof

Номер патента: US5103422A. Автор: Hajime Yuzurihara,Motoharu Tanaka,Toshiaki Tokita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-07.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US12125530B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263329A1. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US10141067B2. Автор: Masaki Kado,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Asymmetrically selecting memory elements

Номер патента: US09934849B2. Автор: Zhiyong Li,Jianhua Yang,Kyung Min Kim. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US09767862B2. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory element status detection

Номер патента: US09672941B1. Автор: Thomas Kern,Giacomo Curatolo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US09508448B2. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Frame structure for magnetic memory planes

Номер патента: US3675222A. Автор: Michihiro Torii,Fujio Yamakawa,Seihin Kobayashi. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1972-07-04.

Reading a memory element within a crossbar array

Номер патента: US20140204651A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for ensuring fault tolerance of memory elements

Номер патента: RU2766271C1. Автор: Александр Николаевич Капустин,Наталья Александровна Коржикова. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-02-10.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US20240120001A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Voltage applications to a memory cell including a resistance change memory element in series with a two-terminal switching element

Номер патента: US11935591B2. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US20240119974A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A3. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US12136468B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Circuits and methods for placing programmable impedance memory elements in high impedance states

Номер патента: US9368198B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan,Juan Pablo Saenz Echeverry. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: EP4354438A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Asynchronous memory element for scanning

Номер патента: US09991006B2. Автор: Hiroshi Iwata,Michiko Inoue,Satoshi Ohtake. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2018-06-05.

Forming method for variable-resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US09524776B2. Автор: Koji Katayama,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Resistive memory element

Номер патента: RU2714379C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-02-14.

Method for checking the functional ability of a memory element

Номер патента: US8762799B2. Автор: Franco Ferraro. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2014-06-24.

Method for checking the functional ability of a memory element

Номер патента: US20120324301A1. Автор: Franco Ferraro. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2012-12-20.

Memory elements with series volatile and nonvolatile switches

Номер патента: US20140241075A1. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-08-28.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US12106804B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US20170032825A1. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Mixed conducting volatile memory element for accelerated writing of nonvolatile memristive device

Номер патента: GB2617496A. Автор: Wang Wei,KIM Youngseok,OK Injo,Yu Lan,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Time division multiplexed multiport memory implemented using single-port memory elements

Номер патента: US20140331074A1. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Restoring memory element

Номер патента: RU2602765C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2016-11-20.

Test interface for memory elements

Номер патента: US20100122128A1. Автор: Juergen Pille,Stefan Buettner,Uwe Brandt,Werner Juchmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Circuit configuration for reading memory elements

Номер патента: US20020114196A1. Автор: Martin Bloch,Carmen Thalmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Nonvolatile magneto-optical memory element and a method of writing thereon

Номер патента: US3680065A. Автор: George S Almasi,Eugene R Genovese. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Emulated multiport memory element circuitry with exclusive-or based control circuitry

Номер патента: US20170352393A1. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Integrated circuit including a memory element programmed using a seed pulse

Номер патента: US20090310401A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp,Bernhard Ruf,Christian Ruster. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-17.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Forming a characterization parameter of a resistive memory element

Номер патента: US20140258646A1. Автор: Ryan James Goss,Antoine Khoueir,Mark Allen Gaertner,Jon D. Trantham,David Scott Ebsen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Reading memory elements within a crossbar array

Номер патента: US8467253B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-06-18.

Memory circuit and method for sensing a memory element

Номер патента: EP2013882A2. Автор: Maurits M.N. STORMS. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-14.

Memory circuit and method of sensing a memory element

Номер патента: US20090279370A1. Автор: Maurits Storms. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-12.

Distributed current source/sink using inactive memory elements

Номер патента: US09721673B1. Автор: Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Janakiraman VIRARAGHAVAN,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of programming variable resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US8867259B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Methods of accelerated life testing of programmable resistance memory elements

Номер патента: US7327602B2. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey A. Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-02-05.

Resistive memory element

Номер патента: US5541869A. Автор: Ian S. Osborne,Janos Hajto,Mervyn J. Rose,Alan E. Owen,Anthony J. Snell,Peter G. Le Comber, deceased. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1996-07-30.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US20230360700A1. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US11996145B2. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: EP4354439A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240120004A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory element for weight update in a neural network

Номер патента: US20210050045A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory element for weight update in a neural network

Номер патента: EP4014170A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Latch control circuit on and-not elements and latch shift register on and-not elements

Номер патента: RU2676019C1. Автор: Сыкунь Хао. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-25.

Magnetic memory having magnetoresistive element and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09595663B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and method for writing and reading digital information on a magnetic memory including a superconducting material

Номер патента: US5553036A. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-03.

Magnetic recording medium and magnetic memory device

Номер патента: US20130286505A1. Автор: Yoshihiro Shiroishi,Hiroshi Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Scrambler of information stored on magnetic memory media

Номер патента: US5666413A. Автор: Christopher J. Kempf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-09.

Optical memory element

Номер патента: CA1248229A. Автор: Yoshikazu Fujii,Shigemi Maeda,Toshihisa Deguchi,Kenji Ohta,Tetuya Inui,Shiki Manshion. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Magnetic memory disc pack balancing system

Номер патента: US3817088A. Автор: P Herbig. Владелец: Caelus Memories Inc. Дата публикации: 1974-06-18.

Optical magnetic memory device utilizing non-recorded portions of recording medium to represent data

Номер патента: US4939710A. Автор: Shigemi Maeda,Takeshi Yamaguchi,Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji,Shozou Kobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-07-03.

Quarter-half cycle coding for rotating magnetic memory system

Номер патента: US3631428A. Автор: Wayne J King. Владелец: PACIFIC MICRONETICS Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Data exchange circuit for a magnetic memory apparatus

Номер патента: US4424536A. Автор: Yasuich Hashimoto,Yasuyuki Oda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Magnetic memory film

Номер патента: US3630772A. Автор: Hans-Heinrich Credner,Bernhard Seidel. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1971-12-28.

Repositionable memory element in a single reel tape cartridge

Номер патента: US20040004145A1. Автор: Stephen Stamm,Chan Kim,Satya Mallick. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2004-01-08.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: CA1225467A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: US4778747A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-10-18.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1226672A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Poly α-amino acid and ferroelectric memory element using same

Номер патента: US09464167B2. Автор: Satoru Ohashi,Manabu Kitazawa,Sei Uemura,Toshihide Kamata. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US7193287B2. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Accumulator battery element and monitoring device for ready-assembled battery

Номер патента: RU2474026C2. Автор: Цуйоси МОРИТА,Ацуси КАВАСЕ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-01-27.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: WO2012037255A3. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Vivotech Inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US20160012470A1. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US09613365B2. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A2. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A3. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-14.

Image forming element and image forming apparatus and photographic system having said element

Номер патента: RU2503046C1. Автор: Акихико НАГАНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150069552A1. Автор: Hashimoto Yutaka,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Yoda Hiroaki,Yoshikawa Masatoshi,Nakayama Masahiko,Sonoda Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Manufacturing method of magnetic element, magnetic memory, reservoir element, recognition machine and magnetic element

Номер патента: JPWO2020208674A1. Автор: 智生佐々木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

MAGNETIC MEMORY HAVING MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT

Номер патента: US20150263273A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro,Yoshikawa Masatoshi,SETO Satoshi,Sonoda Yasuyuki,TSUBATA Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Camera using film having a magnetic memory portion

Номер патента: US5749007A. Автор: Hiroshi Sakurai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

On-line magnetic memory stress detection system

Номер патента: NL2032794B1. Автор: LIU BIN,Liu Tong,Zhang He,Ren Jian,LIAN Zheng,HE Luyao,Yang Lijian,Ma Xue,Ding Liying,Fu Yanduo. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2024-02-27.

Camera using a film with a magnetic memory portion and having a control unit for causing recording of predetermined data together with the ID for voluntarily set data

Номер патента: US5479228A. Автор: Hideo Tamamura,Toru Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09785345B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09552157B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

A system of sample medium carriers with built-in memory elements and information input/output station for the carriers

Номер патента: WO2004044824A2. Автор: Vladimir Mordekhay. Владелец: Automated Biotechnology, Inc.. Дата публикации: 2004-05-27.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20170344490A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for providing data protection for data stored within a memory element and integrated circuit device therefor

Номер патента: US20130080859A1. Автор: Henri Cloetens. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-03-28.

Reducing observability of memory elements in circuits

Номер патента: US20130007683A1. Автор: Eli Arbel,Cynthia Rae Eisner,Karen Frida Yorav,Oleg Rokhlenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20200301849A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Preallocatable transmission data memory element of an MR transmission unit in array applications

Номер патента: US8324896B2. Автор: Wilfried Schnell,Nikolaus Demharter,Rudi Baumgartl,Philipp Hoecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-12-04.

Using multiple memory elements in an input-output memory management unit for performing virtual address to physical address translations

Номер патента: EP3433742A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan. Владелец: Mark T Chan. Дата публикации: 2009-04-23.

Method and apparatus for detecting errors in a system that employs multi-bit wide memory elements

Номер патента: US5666371A. Автор: David M. Purdham. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

A system of sample medium carriers with built-in memory elements and information input/output station for the carriers

Номер патента: WO2004044824A3. Автор: Vladimir Mordekhay. Владелец: Automated Biotechnology Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Methods and electronic device for repairing memory element in memory device

Номер патента: US20240012726A1. Автор: Sudhanshu Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Akhilesh Sudhir PATANKAR,Deokgu Yoon,Damini Damini,Keerthi Kiran Jagannathachar,Paulami DAS,Sairam JUJJARAPU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for managing data stored in a page within a memory element

Номер патента: EP4390697A1. Автор: Thomas Eberhardt,Stéphanie Salgado. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Preallocatable transmission data memory element of an mr transmission unit in array applications

Номер патента: US20110050224A1. Автор: Wilfried Schnell,Nikolaus Demharter,Rudi Baumgartl,Philipp Hoecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of determining fire safety characteristics of elements and materials of complex facing of steel beam with corrugated wall

Номер патента: RU2639209C1. Автор: Николай Алексеевич Ильин,Денис Александрович Панфилов,Алексей Олегович Лукин,Евгений Викторович Ильдияров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет" (СамГТУ). Дата публикации: 2017-12-20.

Microbiological method of obtaining chemical elements and their isotopes, including super-heavy transuranic elements

Номер патента: RU2664005C2. Автор: Тамара Владимировна Сахно,Виктор Михайлович Курашов. Владелец: Виктор Михайлович Курашов. Дата публикации: 2018-08-14.

Method and device for evaluating efficiency of protective action of filter elements and/or devices

Номер патента: RU2646949C2. Автор: Татьяна Юрьевна Еремина,Юрий Витальевич Прус,Илья Александрович Егоров,Михаил Юрьевич Прус. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-03-12.

Container for transportation and/or storage of spent fuel elements, failed fuel elements and/or failed fuel element rods

Номер патента: RU2331944C2. Автор: Дитер МЕТЛИНГ,Юрген ВРИГТ,Феликс ТОМАС. Владелец: Гнс Гезелльшафт Фюр Нуклеар-Сервис Мбх. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for determining parameters of road geometric elements and roadside characteristics

Номер патента: RU2614082C1. Автор: Владимир Адольфович Середович,Александр Владимирович Середович,Галина Николаевна Ткачева,Максим Александрович Алтынцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2017-03-22.

Tests stand for pipeline fittings, its elements and couplers for strength and trim impermeability

Номер патента: RU2670675C1. Автор: Сергей Владимирович Сейнов,Юрий Сергеевич Сейнов,Александр Федорович Новиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "ГАКС-Армсервис". Дата публикации: 2018-10-24.

Device for actuation and insert absorbing elements and/or attenuators division zone of nuclear reactor and nuclear fuel assembly containing such device

Номер патента: RU2603128C2. Автор: Ален РАВЕНЕ,Дени ЛОРЕНЦО,Жан Мишель ЭСКЛЕН,Ги МЭЛЬХ. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Impeller sensitive elements and methods of their use

Номер патента: RU2547330C1. Автор: Ферхан ОЗАДАЛИ,Дхармендра Кумар МИШРА,Рабиха СУЛАЙМАН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-04-10.

Sensor element and method of detecting change of composition of test liquid or gaseous medium

Номер патента: RU2637364C2. Автор: Андрей Анатольевич Грунин,Андрей Анатольевич Федянин,Артем Вячеславович Четвертухин,Илья Рэмович Муха. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2017-12-04.

Fixing element and method of its manufacture and fixing device

Номер патента: RU2505846C1. Автор: Юдзи КИТАНО,Кацуя АБЕ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-01-27.

Fuel element jacket, fuel element and fuel assembly

Номер патента: RU2551432C1. Автор: Александр Алексеевич Смирнов,Вячеслав Васильевич Дерунов,Саид Мирфаисович ШАРИКПУЛОВ,Виктор Михайлович Майоров,Павел Андреевич Помещиков,Александр Евгеньевич Русанов,Сергей Викторович Шулепин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Акмэ-Инжиниринг". Дата публикации: 2015-05-27.

Viscoelastic measuring element and method of its connection

Номер патента: RU2336505C2. Автор: Отто РАДАУ. Владелец: Отто РАДАУ. Дата публикации: 2008-10-20.

Cartridge, cartridge making element, and image forming device

Номер патента: RU2713084C1. Автор: Юкио КУБО,Масааки САТО,Хироюки МУНЕЦУГУ,Кодзи ВАДА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-02-03.

Drum cylinder unit, method for attachment of binder element and drum unit

Номер патента: RU2691137C2. Автор: Дайсуке АБЕ,Томонори МОРИ,Сигеми КАМОСИДА,Кен Кикути,Дзун МИЯМОТО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-06-11.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US10236437B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20160329487A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetic Memory Array Incorporating Selectors and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200006422A1. Автор: Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Three-dimensional magnetic memory element

Номер патента: US09601544B2. Автор: Tai Min. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345842A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Keng-Ming Kuo,Yuan-Jen Lee,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US09882119B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691968B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590173B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09831422B2. Автор: Stuart S. P. Parkin,Woojin Kim,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200303628A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991313B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Won Joon Choi,Ki Seon Park,Bo Mi Lee,Guk Cheon Kim,Yang Kon KIM. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic memory structure

Номер патента: US20240206347A1. Автор: Jeng-Hua Wei,Siddheswar Maikap,Ziaur Rahaman Shakh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190206931A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Eric Michael Ryan,Marcin Gajek,Davide Guarisco. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230309413A1. Автор: Eiji Kitagawa,Young Min EEH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508922B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US09570671B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09899594B2. Автор: Yong-sung Park,Ju-Hyun Kim,Ki-Woong Kim,Se-Chung Oh,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US11770981B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220013579A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Magnetic memory device having an electrode continuously provided on a wiring

Номер патента: US11895925B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20220085281A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200083289A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10707356B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetic memory devices

Номер патента: US11770937B2. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180114897A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170263852A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Kuniaki Sugiura,Hiroyuki OHTORI,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US11018187B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200083291A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140027870A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Noma,Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150263276A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230292529A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US10573805B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088856A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190280195A1. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20210005806A1. Автор: Woojin Kim,Junghwan Moon,Junghoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US10388854B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234268A1. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Magnetic memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9065041B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190088862A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masaki Endo,Takeshi Iwasaki,Akiyuki Murayama,Taichi IGARASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20200161368A1. Автор: Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Ferromagnetic liner for conductive lines of magnetic memory cells

Номер патента: US20070105241A1. Автор: Rainer Leuschner,Michael Gaidis,Lubomyr Romankiw,Judith Rubino. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-10.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230301116A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Keorock CHOI,Cha Deok Dong,Takuya Shimano,Bokyung JUNG,Gukcheon Kim. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US10193057B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Magnetic memory device

Номер патента: US20170117454A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Magnetic memory device

Номер патента: US20150263265A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: US09704920B2. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389440A1. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US20190006580A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kenji Noma,Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetic memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240057483A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230232637A1. Автор: Hui-Lin WANG,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10847576B2. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: US20240268241A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: EP4412425A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Resistive memory elements having conductive islands embedded within the switching layer

Номер патента: US20220069013A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Magnetic memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240016067A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Chun-Lung Chen,Chung Yi Chiu,Chih-Wei Kuo,Yi-Wei Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetic memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083290A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Etching composition for semiconductor substrate for memory element and method for manufacturing semiconductor substrate for memory element using same

Номер патента: US20240287385A1. Автор: Toshiyuki Oie,Po-Hung Wang,Tomoyuki Adaniya,Chih-Liang Yang. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor element and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020052067A1. Автор: Takashi Kobayashi,Kazuo Yano,Tomoyuki Ishii,Koichi Seki,Toshiyuki Mine. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-02.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20230397438A1. Автор: Han-Na Cho,Bok-yeon Won,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10897006B2. Автор: Yongjae Kim,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Non-volatile memory elements with a narrowed electrode

Номер патента: US20210320249A1. Автор: Eng Huat Toh,Lup San Leong,Juan Boon Tan,Kin Wai Tang,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory element and semiconductor memory device

Номер патента: US8390054B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Masao Shingu,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Method for producing an integrated circuit including a fuse element, a fuse-memory element or a resistor element

Номер патента: US20080029477A1. Автор: Georg Seidemann,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-07.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: US20130285004A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for electroforming in the manufacture of a memory element

Номер патента: RU2769536C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев,Егор Сергеевич Горлачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2022-04-01.

Strained multilayer resistive-switching memory elements

Номер патента: US9735356B2. Автор: Jennifer L. M. Rupp,Sebastian Schweiger,Felix Messerschmitt. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: US20170117324A1. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Structure and method for memory element to confine metal with spacer

Номер патента: US20240130255A1. Автор: Young Seon You,Suk Hee JANG,Robert Viktor Seidel,Anastasia Voronova. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Programmable resistance memory elements with electrode interface layer and memory devices including the same

Номер патента: US20160043310A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Resistive memory elements accessed by bipolar junction transistors

Номер патента: US20240147736A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Alexander Derrickson,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor nonvolatile memory element

Номер патента: US09613970B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Resistive memory elements, resistive memory cells, and resistive memory devices

Номер патента: US09419220B2. Автор: John K. Zahurak,D. V. Nirmal Ramaswamy,Muralikrishnan Balakrishnan,Sanh D. Tang,Alessandro Torsi,Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US20230071580A1. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory element with a hardmask stack having different stress levels

Номер патента: US20230189655A1. Автор: Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Oscar van der Straten,Daniel Charles Edelstein,Scott A. DeVries,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Magnetoresistive memory element having a metal oxide tunnel barrier

Номер патента: US09444037B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Dimitri Houssameddine,Jason Janesky. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for making a magnetic random access memory element with small dimension and high quality

Номер патента: US09437811B2. Автор: Rongfu Xiao. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for transistor memory element

Номер патента: US20240341101A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Seed layers for a non-volatile memory element

Номер патента: US20200357984A1. Автор: Yuichi Otani,Kazutaka Yamane,Ganesh Kolliyil Rajan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Variable resistance nonvolatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US9142773B2. Автор: Takeshi Takagi,Koji Katayama,Yoshio Kawashima,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-22.

Three-dimensional memory device including discrete charge storage elements and methods of making thereof

Номер патента: US20230345727A1. Автор: Satoshi Shimizu,Senaka Kanakamedala,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

A memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same

Номер патента: WO2011109271A1. Автор: April D. Schricker,Michael Y. Chan. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-09-09.

Self-aligned contact scheme for pillar-based memory elements

Номер патента: US20210020508A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Non-volatile memory elements

Номер патента: US5973357A. Автор: Junichi Hikita,Hiromi Uenoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Nonvolatile memory elements having conductive structures with semimetals and/or semiconductors

Номер патента: US09711719B2. Автор: John Ross JAMESON,Foroozan Sarah Koushan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: CA2001682A1. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-28.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: US5196912A. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-23.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US20130140511A1. Автор: Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Nonvolatile memory element having a variable resistance layer whose resistance value changes according to an applied electric signal

Номер патента: US8686390B2. Автор: Takeshi Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Method for producing semiconductor substrate for memory elements

Номер патента: US20240170278A1. Автор: Toshiyuki Oie,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Device for taking images, integrated circuit for image taking element and method of processing taken images

Номер патента: RU2367108C2. Автор: Такахиро ФУКУХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2009-09-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Asymmetric patterned magnetic memory

Номер патента: US20050073016A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Waveguide ferrite switch with magnetic memory

Номер патента: RU2698544C1. Автор: Александр Владимирович Сорокин,Юрий Александрович Светлаков,Владимир Николаевич Бородин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-08-28.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of making magnetoresistive effect element and multichamber device for making magnetoresistive effect element

Номер патента: RU2390883C1. Автор: Манабу ИКЕМОТО,Томоаки ОСАДА,Наоаки ЙОКОКАВА. Владелец: Кэнон АНЕЛВА Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-27.

A method of manufacturing a magnetic memory element

Номер патента: GB1287287A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1972-08-31.

Encapsulated magnetic memory element

Номер патента: US3640767A. Автор: Thomas Philip Fulton,Henry Di Luca. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Method of manufacturing integrated magnetic memories

Номер патента: US3819341A. Автор: R Ponnet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-06-25.

Catheter with memory element-controlled steering

Номер патента: US5090956A. Автор: William C. McCoy. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1992-02-25.

Hetero-structure, injection laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2278455C1. Автор: Василий Иванович Швейкин. Владелец: Василий Иванович Швейкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Extended element and its application

Номер патента: RU2428760C2. Автор: Петер СЬЁБЕРГ,Ерд А. КАЛИКИЯ,Роджер ХЕДЛУНД. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2011-09-10.

Battery of solid-oxide fuel elements, and glass, applied as glass sealant in battery of solid-oxide fuel elements

Номер патента: RU2527627C9. Автор: Йорген Гутсон ЛАРСЕН,Кристиан ОЛЬСЕН,Мари Дрейер ЙЕНСЕН. Владелец: Топсеэ Фюэль Селл А/С. Дата публикации: 2015-11-20.

Battery of solid-oxide fuel elements, and glass, applied as glass sealant in battery of solid-oxide fuel elements

Номер патента: RU2527627C2. Автор: Йорген Гутсон ЛАРСЕН,Кристиан ОЛЬСЕН,Мари Дрейер ЙЕНСЕН. Владелец: Топсеэ Фюэль Селл А/С. Дата публикации: 2014-09-10.

Magnetic memory element and semiconductor device

Номер патента: US20240292759A1. Автор: Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Masaki Endo,Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada,Yuito Kageyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic memory device with nonmagnetic layer having two additive elements

Номер патента: US12075629B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324241A1. Автор: Tian Li,Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240324470A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240268238A1. Автор: Kenji Fukuda,Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Taiga ISODA,Junghyeok KWAK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US12089505B2. Автор: Youngmin EEH,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20240365678A1. Автор: Kwang Seok Kim,Ki Woong Kim,Seonggeon Park,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory devices using spin current and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240251685A1. Автор: Naoki Hase,Jungsik Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US12058941B2. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240349621A1. Автор: Yongjae Kim,KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Bae-Seong KWON,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: EP4447644A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-10-16.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: US20240349623A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099021A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11980104B2. Автор: Hideyuki Sugiyama,Masahiko Nakayama,Masaru Toko,Soichi Oikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240099156A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Integrated circuit including memory element with spatially stable material

Номер патента: US20090050870A1. Автор: Thomas Happ,Bernhard Ruf,Petra Majewski,Dieter Andres. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Resistance memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073833A1. Автор: Hiroyasu Kawano,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Integrated nanosheet memory elements, devices and methods

Номер патента: US20240215220A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: WO2013148723A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: WO2017074548A1. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Structure and method for memory element to confine metal with spacer

Номер патента: EP4355051A1. Автор: Young Seon You,Suk Hee JANG,Robert Viktor Seidel,Anastasia Voronova. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory Structure with Reduced-Size Memory Element Between Memory Material Portions

Номер патента: US20080246014A1. Автор: Hsiang Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US8563959B2. Автор: Tony Chiang,Chi-l Lang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US11832538B2. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Resistive memory elements with multiple input terminals

Номер патента: US11744166B2. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Resistive switching memory element including doped silicon electrode

Номер патента: US8502187B2. Автор: Wen Wu,Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Film recorder with interface for user replaceable memory element

Номер патента: US5406380A. Автор: James R. Teter. Владелец: Management Graphics Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Three-dimensional memory device containing discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US20240121960A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for making tapered opening for programmable resistance memory element

Номер патента: WO2004086459A2. Автор: John Rodgers,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-10-07.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Magnetoresistive memory elements for spin-transfer torque (STT) and spin-orbit torque (SOT) random access memories

Номер патента: US12114578B2. Автор: Dmytro Apalkov,Roman Chepulskyy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20080185567A1. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Chi-I Lang,Tony Chiang,Jihhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

System and method for transferring information between a radio transceiver and a portable memory element

Номер патента: CA2101953A1. Автор: Jeffrey Charles Smolinske,Gary Allen Jorgensen,Dean Michael Picha. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-03-05.

Forming an intermediate electrode between an ovonic threshold switch and a chalcogenide memory element

Номер патента: US7638789B2. Автор: John M. Peters. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Switched array of light elements and method of operation

Номер патента: RU2427983C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦ,Харальд Йозеф Гюнтер РАДЕРМАХЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-08-27.

Multi-link construction element and method for assembling same

Номер патента: US09777480B2. Автор: Ilya Valerievich MOLOKHIN,Olga Mikhailovna KOZLOVA,Vera Alexandrovna BEKRENEVA,Roman Alexandrovich BEKRENEV,Larisa Arkadievna MOLOKHINA. Владелец: Komrakov Evgeny V. Дата публикации: 2017-10-03.

Printed circuit board with internal mounting of elements and method of its manufacture

Номер патента: RU2639720C2. Автор: Сергей Васильевич Казаков,Борис Иванович Иванов,Виктор Андреевич Немкевич,Владислав Никифорович Масалков,Татьяна Андреевна Жукова,Александра Сергеевна Степанова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП"). Дата публикации: 2017-12-22.

Distributing device element and converter circuit for switching many voltage levels with such distributing device element

Номер патента: RU2359395C1. Автор: Петер БАРБОЗА,Петер ШТАЙМЕР,Туфанн ЧАУДХУРИ,Петер БАРБОЗА (CH),Петер ШТАЙМЕР (CH),Туфанн ЧАУДХУРИ (CH). Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2009-06-20.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Organic electroluminescent element and method of making said element

Номер патента: RU2490832C2. Автор: Сатоси ИНОУЕ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-08-20.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372A. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2023-09-29.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372B2. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Company Lp. Дата публикации: 2024-01-04.

Woven fabric with shape memory element strands

Номер патента: US09427342B2. Автор: James M. Carlson,Fred T. Parker,Shyam S. V. Kuppurathanam,Rebecca Sue Todd. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Unreeling device for tape-shaped material coils supplied with memory elements of temporary action for material unreeled in phase of coils replacement and related method

Номер патента: RU2344064C2. Автор: Анджело БЕНВЕНУТИ,Роберто МОРЕЛЛИ,Романо МАДДАЛЕНИ. Владелец: Фабио Перини С.П.А.. Дата публикации: 2009-01-20.

Locking device comprising a shape memory element

Номер патента: US11891843B2. Автор: Olivier Le Borgne. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Bending actuator comprising shape memory element

Номер патента: US20180186127A1. Автор: Martin Gurka,Moritz Hübler,Sebastian Nissle,Lisa Weber. Владелец: Institut fuer Verbundwerkstoffe GmbH. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory element

Номер патента: US4777799A. Автор: William C. McCoy,Gregory A. Cole,Frederick E. Wang,James E. Small. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1988-10-18.

Memory element controlled damper

Номер патента: WO2001023815A1. Автор: Levent Hasanreisoglu,Can Meydanli,Umud Esat Ozturk. Владелец: Arçelik A.S.. Дата публикации: 2001-04-05.

Ceramic shape memory element

Номер патента: US4767730A. Автор: Takao Soma,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-30.

Frictionless ball valve with an actuator combining a linear motor and an oscillating cylinder and containing a separable valve element and valve seat

Номер патента: RU2763807C1. Автор: Цзюнь Юань,Ян Чжан,Чжуншань ТЯНЬ,Чанцюнь ЯН,Юйлун ФЭН,Даодун НЮ,Шиян ЧЭНЬ,Юйтэ ЛИ. Владелец: Си'ань Хантянь Юаньчжэн Флюид Контрол Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-01-11.

Spherical annular sealing element and its manufacturing method

Номер патента: RU2451224C2. Автор: Шуичи КУБОТА,Коичи ИШИДА,Сатоши МАТСУНАГА,Еиджи САТОУ. Владелец: Оилс Корпорэйшн. Дата публикации: 2012-05-20.

Assembled filters, their elements and distinctive features, methods of their use and assembly

Номер патента: RU2641818C2. Автор: Ричард Осендорф,Джозеф Айнбергер. Владелец: Дональдсон Компани, Инк.. Дата публикации: 2018-01-22.

Connection device with wide accessibility for furniture elements and furnishings

Номер патента: RU2719220C2. Автор: Карло КАТТАНЕО. Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2020-04-17.

Installation element and structure of a building wall

Номер патента: RU2763940C2. Автор: Рёхэй ТАЦУКИ. Владелец: НИТИХА КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-01-11.

Incrustation imitation, dashed element, and method of imitation manufacturing

Номер патента: RU2334673C2. Автор: Константин Павлович Квачук. Владелец: Константин Павлович Квачук. Дата публикации: 2008-09-27.

Sliding element and internal combustion engine sliding element

Номер патента: RU2723498C1. Автор: Ютака МАБУТИ,Йосинори ИЗАВА,Дзюнити АРАИ,Кристиан ГРАНТ,Элоди БОНЕ,Каролина ШПЕХТ,Жан Мари МАЛЕР. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2020-06-11.

Sliding element and sliding element for internal combustion engine

Номер патента: RU2747553C2. Автор: Ёсинори ИДЗАВА. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2021-05-06.

Jointing device to connect two mast elements and set comprising two mast element and such jointing devices

Номер патента: RU2561523C1. Автор: Франсуа РОТА,Кристоф БАРБЕ. Владелец: Манитовок Кран Груп Франс. Дата публикации: 2015-08-27.

Gamma/gamma'-superalloy on basis of nickel with multiple reaction active elements, and use of above said superalloy in complex systems of materials

Номер патента: RU2500827C2. Автор: Магнус ХАССЕЛКВИСТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-12-10.

Plant regulatory elements and their application

Номер патента: RU2639275C2. Автор: Вей Ву,Джеффри АХРЕНСТ,Схоба ЧЕРИАН,Пол Дж. ЛОЙДА,Линда Л. ЛУТФИЯ,Цзяли Се. Владелец: Монсанто Текнолоджи Ллс. Дата публикации: 2017-12-20.

Jetting element and shower device

Номер патента: RU2669617C1. Автор: Гюнтер ГЛУНК,Клаус БУЦКЕ,Штеффен ЭРАТ,Марк КАЛЬМБАХ. Владелец: Хансгрое СЕ. Дата публикации: 2018-10-12.

Mechanism to suspend wing body lift devices element and lift devices element retract-and-release device with such mechanism

Номер патента: RU2529588C2. Автор: ШЛИПФ Бернхард,МИССБАХ Мирко. Владелец: Эрбус Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2014-09-27.

Device for selecting size of hole for easy-to-discard structural element and its weight intended for protection of buildings and constructions against explosions and design of easy-to-discard element

Номер патента: RU2602546C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-11-20.

Floating structure consisting of several assembled floating elements and method to assemble said structure

Номер патента: RU2388647C2. Автор: Тронн ЛАННБО. Владелец: Либек Энд Ассошиэйтс А/С. Дата публикации: 2010-05-10.

Fuel filter assembly, filter element and method of draining water from fuel filter assembly

Номер патента: RU2675885C1. Автор: Герт ВИЛЛЕМС,Дэниэл ФЕРТИЛ,Мауро Моранди. Владелец: Дональдсон Компани, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Sliding element and method of manufacturing therefor

Номер патента: RU2682361C1. Автор: Йосинори ИЗАВА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-19.

Protective element and data medium equipped with it

Номер патента: RU2693921C1. Автор: Бьёрн ТОЙФЕЛЬ. Владелец: Гизеке+Девриент Каренси Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2019-07-05.

Plug connection system including at least one first element and second element

Номер патента: RU2764492C1. Автор: Ян МОЛЛЬ,Нина ЗЕЛИГМАНН. Владелец: Биндер Гмбх. Дата публикации: 2022-01-17.

Piezoelectric device for ultrasonic cleaning aeronautical and filter elements and filtered discs and method of cleaning with its use

Номер патента: RU2621801C1. Автор: Анатолий Иванович Вдовин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Авиакомпания Волга-Днепр". Дата публикации: 2017-06-07.

Valve and fitting connector with adapter element and method of bore diameter variation and selection for said valve and fitting connector

Номер патента: RU2565128C2. Автор: Умберто БЕРТОЛОТТИ,Стефано БЕРТОЛОТТИ. Владелец: И.В.А.Р. С.П.А.. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to produce heavy modular element and modular element produced in compliance with this method

Номер патента: RU2458211C2. Автор: Ханс-Берт КЛЕРСИ. Владелец: Ханс-Берт КЛЕРСИ. Дата публикации: 2012-08-10.

Method of composite shaped piece manufacture, composite shaped piece, multilayer structural element and rotor spare element and wind power plant

Номер патента: RU2640760C2. Автор: Александер ХОФФМАНН. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2018-01-11.

Active zone, fuel elements and fuel assembly of fast neutron reactors with lead heat carrier

Номер патента: RU2549371C1. Автор: Юрий Васильевич Чернобровкин,Виктор Николаевич Леонов,Елена Александровна Родина,Александр Викторович Лопаткин. Владелец: Частное учреждение Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом" "Инновационно-технологический центр проекта "ПРОРЫВ". Дата публикации: 2015-04-27.

Consumable element and processing unit for dispenser

Номер патента: RU2684890C2. Автор: Хендрикус Лодевейк Йозеф Францискус ХОЛТЕН,Ярно БЕКМАН,Родин Энне БРЁЙНСМА,Петер РЕЙСКАМП,Ян КЛАССЕН,Пэн Чау КУА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-04-15.

Device and method of continuous long element forming made from foam plastic, plant with said element and structural element made from said foam plastic

Номер патента: RU2502597C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Джилэнбери Трейдинг Лтд.. Дата публикации: 2013-12-27.

Protective element and valuable document with this protective element

Номер патента: RU2741892C2. Автор: Клаус ШМИДЕГГ,Оливье МАРТЭН,Соня ЛАНДЕРТСХАМЕР,Фабрис КАПЬЕ,Роже ВИЛЬКО,Мишель БЛАН. Владелец: Хуек Фолиен Гезелльшафт М.Б.Х.. Дата публикации: 2021-01-29.

Method of manufacture of an absorbent soundproofing element and absorbent soundproofing element of automobile panelling

Номер патента: RU2744359C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Хельмут БЕККЕР,Фолькер КУРШ,Маурицио ТАРЕЛЛО. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2021-03-05.

Security elements and method for their manufacture

Номер патента: RU2663063C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИХЕРТ,Оливер ЗЕЕГЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-08-01.

Welding promoting element and intended for closure device of opening device

Номер патента: RU2695836C1. Автор: Доменико ДИДОННА,Ливио ВЕРОНЕЗИ,Диего КАВАННА,Массимилиано ЧЕРЕДА,Давид КОРРАДИ,Рокко ДЕ ПАОЛА. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2019-07-29.

Wall element, wall section of such elements and method of its assembly

Номер патента: RU2667101C1. Автор: Мартин ЭСТЛУНД,Йоаким МОКСЕН. Владелец: Паралокс Аб. Дата публикации: 2018-09-14.

Method for recycling mineral wool, method for manufacturing acoustic panel elements and such an acoustic panel element

Номер патента: RU2765184C1. Автор: Ола КАРЛССОН,Торбьёрн ПЕРССОН. Владелец: Сен-Гобен Экофон Аб. Дата публикации: 2022-01-26.

Movable wall element and movable wall system

Номер патента: RU2732903C2. Автор: Атле ТИМЕНЕС. Владелец: Вил.Ми Ас. Дата публикации: 2020-09-24.

Making of protection element and retransfer film

Номер патента: RU2517134C2. Автор: Ахим ХАНСЕН,Кристина ШТРЕБ,Саша Марио ЭПП. Владелец: Овд Кинеграм Аг. Дата публикации: 2014-05-27.

Drainage channel element and lattice lock for it

Номер патента: RU2743942C1. Автор: Олег Романович Дутко,Олег Михайлович Франко. Владелец: Олег Михайлович Франко. Дата публикации: 2021-03-02.

Hollow tank support element and hollow tank moulding method

Номер патента: RU2717612C1. Автор: Линь ЦЗЯН,Вэйдун СУ,Лян ЛИУ. Владелец: Япп Аутомотив Системс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-24.

Method for scheduling resource, network element and user equipment

Номер патента: RU2443079C2. Автор: Янь ЧЖАО,Тао ЯН,Цзинь ЛЮ. Владелец: Алькатель Люсент. Дата публикации: 2012-02-20.

Photopolymerised composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic pore surface, nanoporous polymer material with selective sorbing properties, method of obtaining thereof, method of single-stage formation based thereon of water-separating filtering elements and method of purifying organic liquids from water

Номер патента: RU2525908C1. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

Device and method to manufacture moisture-sensitive elements and moisture sensor based on such moisture-sensitive elements

Номер патента: RU2564700C1. Автор: Гарри Михайлович Файкин,Владимир Федорович Калинин. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "СПЕЦТЕХНОЛОГИИ" (ООО "СПЕЦТЕХНОЛОГИИ"). Дата публикации: 2015-10-10.

Packing device for windshield wiper blade with bent clamping element and integrated flexible construction

Номер патента: RU2342294C2. Автор: Стефан УССА,Катрин КЛАМАЖИРАН. Владелец: Валео Систэм Д`Эссюаж. Дата публикации: 2008-12-27.

Carrier rockets with annular external elements and corresponding systems and methods

Номер патента: RU2689690C2. Автор: Марк ФЕЗЕРСТОУН,Джон Майкл САНДЕРС,Роджер Э. РАМСИ,Эрик Дэвид ВЕТЦЕЛЬ. Владелец: Блу Ориджин, Ллк. Дата публикации: 2019-05-28.

Spherical ring seal element and procedure for its fabrication

Номер патента: RU2450188C2. Автор: Шуичи КУБОТА,Такаши МАЕДА,Такеши ФУРУКИДО,Тошииуки НИШИО. Владелец: Оилс Корпорэйшн. Дата публикации: 2012-05-10.

Exterior coating for element of underground pipeline manufactured from iron-based material, coated pipeline element and method of above-noted specific coating application

Номер патента: RU2637045C2. Автор: Оливье БОНДИЛЬ,Жерар НУАЙ,Жан-Марк ПЕДЕТУР. Владелец: Сэн-Гобэн Пам. Дата публикации: 2017-11-29.

Safety element, concrete element and method to make concrete element

Номер патента: RU2536720C2. Автор: ПЕТЕРС Марк. Владелец: Херренкнехт Аг. Дата публикации: 2014-12-27.

Furniture element and furniture fittings for connection of furniture parts

Номер патента: RU2710064C2. Автор: Герд ШТАУСС,Оливер НИЛЛ. Владелец: Хеттих Франке ГмбХ унд Ко. КГ. Дата публикации: 2019-12-24.

Coating element for impeller, compressor containing impeller with coating element and method of compressor impeller protection

Номер патента: RU2548214C2. Автор: Джозеф О. КРУКШЕНК. Владелец: Нуово Пиньоне С.п.А.. Дата публикации: 2015-04-20.

Structural element and method of its production

Номер патента: RU2431554C2. Автор: ДЕР ВЕН Сьюрд ВАН,Жан-Кристоф ЭРСТРОН,Анри ЖЕРАР,Франсуа ЛЕМЕТР. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2011-10-20.

Unpacking element and methods of its production

Номер патента: RU2626712C2. Автор: Джеффри Томас ВЕБЕР,III Луи Питер ФЕНЕХ,Рэйчел Лин ЛАЙХТЕ,Эван ЗИОЛКОВСКИ. Владелец: Интерконтинентал Грейт Брендс Ллк. Дата публикации: 2017-07-31.

Elastic element and product for single-use wear, including elastic element

Номер патента: RU2752879C1. Автор: Сюнсукэ САКАИ. Владелец: Дайо Пейпер Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-11.

Apparatus for filtration of process fluid flows, hybrid filtration element and method of its fabrication

Номер патента: RU2396102C1. Автор: Джон А. КРОГ,Дэниел КЛОУД. Владелец: Перри Иквипмент Корпорейшн. Дата публикации: 2010-08-10.

Support element and method of manufacturing car stabilizer

Номер патента: RU2675888C1. Автор: Дитер ЛЕХНЕР,Себастьян БЕРНАРД. Владелец: Тиссенкрупп Федерн Унд Штабилизаторен Гмбх. Дата публикации: 2018-12-25.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120002463A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120003757A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Keshtbod Parviz,Assar Mahmud. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming structures of magnetic tunnel barriers for magnetoresistive random access magnetic memory and structure of magnetic tunnel barrier for magnetoresistive random access magnetic memory (versions)

Номер патента: RU2367057C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государственный университет)". Дата публикации: 2009-09-10.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Optical memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: CA1298728C. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta,Shohichi Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE

Номер патента: US20120000500A1. Автор: . Владелец: Tokyo University of Science Education Foundation Administration Organization. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION STRUCTURE OF ELEMENTS AND CONNECTION METHOD

Номер патента: US20120000501A1. Автор: AKIYAMA Hirokuni,MORISAKU Naoto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation detecting element and radiographic imaging device

Номер патента: US20120001079A1. Автор: OKADA Yoshihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION DETECTION ELEMENT AND RADIOGRAPHIC IMAGING APPARATUS

Номер патента: US20120001080A1. Автор: OKADA Yoshihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWDER MAGNETIC CORE AND MAGNETIC ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120001710A1. Автор: TAKAHASHI Takeshi,MATSUTANI NOBUYA,Wakabayashi Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Device of opening size selection for relief constructional element and its weight, designed to protect buildings and structures against explosions

Номер патента: RU2520670C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Стареева,Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2014-06-27.

Method for self-aligned formation of insulation of integral microchip elements and polysilicon contacts to substrate and hidden layer

Номер патента: RU2356127C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-05-20.

Single-position passive radioelectronic system for determining horizontal coordinates, target motion elements and kilometric attenuation coefficient of electromagnetic radiation of target

Номер патента: RU2586078C2. Автор: Михаил Владимирович Шенгелия,Александр Вадимович Рудинский. Владелец: Александр Вадимович Рудинский. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of manufacture of the filtering element and the device for its realization

Номер патента: RU2272710C1. Автор: Ильдус Мухаметгалеевич Закиров,Александр Владимирович Никитин,Ниаз Ирекович Акишев. Владелец: Ниаз Ирекович Акишев. Дата публикации: 2006-03-27.

Method of drying of clothes, footwear and clothes elements and device for its implementation

Номер патента: RU2555676C1. Автор: Ольга Юрьевна Стальная. Владелец: Ольга Юрьевна Стальная. Дата публикации: 2015-07-10.

Face profiles of door frame with ledge for door seal and without ledge, end face element of door frame, kit comprising said profiles and element and door frame assembled of said profiles and element

Номер патента: RU2596448C1. Автор: Алексей Владимирович Перхунков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Персел Трейдинг". Дата публикации: 2016-09-10.

Technological complex of equipment for hydraulic tests of heat exchange unit elements and heat exchange units of heat exchange device, clamping device for connection of pipes to hydraulic system, hydraulic system for hydraulic tests of device pipes, method of hydraulic system assembly for hydraulic tests of device bent pipes, test bench for hydraulic tests of device bent pipes, method of hydraulic tests of device bent pipes (versions), hydraulic system for hydraulic tests of device heat exchange units and test bench for drying of device heat exchange units (versions)

Номер патента: RU2344394C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-01-20.

Electrochemical element and method of its manufacturing

Номер патента: RU2379670C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Владимир Васильевич Викулин,Елена Алексеевна Кораблева,Валентина Семеновна Якушкина,Надежда Николаевна Саванина,Евгений Викторович Некрасов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2010-01-20.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of estimation of filtering materials, parts of filtering elements and filtering coagulating elements

Номер патента: RU2261423C1. Автор: В.С. Антонов,Б.И. Булынко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛГАЗ-В". Дата публикации: 2005-09-27.

Filter element and preparation method thereof

Номер патента: RU2553302C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин,Елена Федоровна Паровай,Данила Петрович Давыдов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-06-10.

Magnetic element and method to control parameters of magnetic vortex in ferromagnetic discs

Номер патента: RU2528124C2. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Максим Евгеньевич Стеблий,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-09-10.

Method to enrich ice lubrication system oil by non-ferrous metal alloying elements and device to this end (versions)

Номер патента: RU2390640C2. Автор: Григорий Иванович Суранов,Вадим Николаевич Киселев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ухтинский государственный технический университет" (УГТУ). Дата публикации: 2010-05-27.

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты