Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Reducing observability of memory elements in circuits

Reducing observability of memory elements in circuits

Номер патента: US20130007683A1
Опубликовано: 03-01-2013
Автор(ы): Cynthia Rae Eisner, Eli Arbel, Karen Frida Yorav, Oleg Rokhlenko
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Optimization of memory accesses in a circuit design

Номер патента: WO2006135816A2. Автор: Peter Pius Gutberlet,Andres R. Takach,Bryan Darrell Bowyer,Michael F. Fingeroff,Ian Andrew Guyler,Shawn Mccloud. Владелец: MENTOR GRAPHICS CORPORATION. Дата публикации: 2006-12-21.

Optimization of memory accesses in a circuit design

Номер патента: WO2006135816A3. Автор: Peter Pius Gutberlet,Bryan Darrell Bowyer,Andres R Takach,Michael F Fingeroff,Ian Andrew Guyler,Shawn Mccloud. Владелец: Shawn Mccloud. Дата публикации: 2009-04-23.

Usage-based temporal degradation estimation for memory elements

Номер патента: US9058448B2. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Usage-based temporal degradation estimation for memory elements

Номер патента: US20130138403A1. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

System and method for configuring analog elements in a configurable hardware device

Номер патента: EP1376416B1. Автор: Ian Craig Macbeth,Danny Austin Bersch,Brian Eugene Nottingham,Troy Franklin Giles,Timothy James Streit,Howard Charles Anderson. Владелец: Anadigm Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Acceleration of memory walking sequences during simulation

Номер патента: US20130218550A1. Автор: David W. Cummings,Douglas A. MacKay,Vasantha R. Vuyyuru. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for ensuring fault tolerance of memory elements

Номер патента: RU2766271C1. Автор: Александр Николаевич Капустин,Наталья Александровна Коржикова. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-02-10.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US20240119974A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A3. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US12136468B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Temperature management of memory elements of an information handling system

Номер патента: US20230005564A1. Автор: Jordan Chin,Isaac Qin Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-01-05.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Providing efficient handling of memory array failures in processor-based systems

Номер патента: US20180121274A1. Автор: Paul Steinmetz,Thomas Philip Speier,Kshitiz Saxena,Manish Garg,Michael Phan,Viren Ramesh Patel,Kevin Magill,Clint Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Circuit arrangement for monitoring the state of memory segments

Номер патента: GB1499184A. Автор: . Владелец: Mathematik & Datenverarbeitung. Дата публикации: 1978-01-25.

Division operations on variable length elements in memory

Номер патента: US09898253B2. Автор: Sanjay Tiwari,Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US12125530B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and apparatus for performing data retention management of memory device with aid of pre-shutdown control

Номер патента: US20240028198A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US12106804B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20170344490A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Adaptive Scheduling of Memory and Processing-in-Memory Requests

Номер патента: US20240220107A1. Автор: Alexandru Dutu,Niti Madan,Nuwan S Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Routing of memory transactions

Номер патента: US20240289033A1. Автор: Kausik Ghosh,Pratim Bose,Arun Venkatasubbaiah HODIGERE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Adaptive scheduling of memory and processing-in-memory requests

Номер патента: US12131026B2. Автор: Alexandru Dutu,Niti Madan,Nuwan S Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory addressing for arbitrary enablement or disablement of memory resources

Номер патента: US20240311296A1. Автор: Guadalupe J. Garcia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Virtual grouping of memory

Номер патента: US09600187B2. Автор: Timothy J. Dell,Prasanna Jayaraman,Girisankar Paulraj,Anil B. Lingambudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for high speed control over blocks for instant copying in data storage systems with joint usage of memory by n units

Номер патента: RU2297662C2. Автор: Карлос Франсиско ФЬЮНТ,Уилль м Джеймс СКЕЙЛЕС,Уилльям Джеймс СКЕЙЛЕС. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2007-04-20.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Hierarchical power management of memory for artificial reality systems

Номер патента: US12032839B2. Автор: Ennio Salemi,Shrirang Madhav Yardi,Gregory Edward EHMANN,George Spatz,Jeffrey RYDEN. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method of memory management in communication networks

Номер патента: US20210250307A1. Автор: Shyam Sundar Pal,Gopinath Das. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US12026404B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Address generation for multiple access of memory

Номер патента: WO2010001239A3. Автор: Esko Nieminen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2010-04-15.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Migrating pages of memory accessible by input-output devices

Номер патента: WO2022200962A1. Автор: Philip Ng,Nippon Raval. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2022-09-29.

Migrating Pages of Memory Accessible by Input-Output Devices

Номер патента: US20220308755A1. Автор: Philip Ng,Nippon Raval. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2022-09-29.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method and Apparatus for Implementing Redundant Memory Access Using Multiple Controllers on the Same Bank of Memory

Номер патента: US20080307252A1. Автор: Philip Raymond Germann,John Michael Borkenhagen,Gerald Keith Bartley,Paul Eric Dahlen,William Paul Hovis,Darryl John Becker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Tolerating memory errors by hot-ejecting portions of memory

Номер патента: US20070143646A1. Автор: Frank Wu,Madhusudhan Rangarajan,Allen Wynn. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-06-21.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US9026889B2. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2015-05-05.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US20150243372A1. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US20140181577A1. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Affinity-aware parallel zeroing of memory for initialization of large pages in non-uniform memory access (NUMA) servers

Номер патента: US09870171B2. Автор: Bruce Mealey,Mark D. Rogers,Nakhil HEGDE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Affinity-aware parallel zeroing of memory for initialization of large pages in non-uniform memory access (NUMA) servers

Номер патента: US09870036B2. Автор: Bruce Mealey,Mark D. Rogers,Nikhil Hedge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of communicating to different types of memory modules in a memory channel

Номер патента: US09767867B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh,George Moussa. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Management of memory pages

Номер патента: US09612976B2. Автор: Keerthi B. Kumar,Swetha N. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Management of memory pages

Номер патента: US09542100B2. Автор: Keerthi B. Kumar,Swetha N. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Management of memory pages

Номер патента: US09483182B2. Автор: Keerthi B. Kumar,Swetha N. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US09424123B2. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system having a plurality of types of memory chips and a memory controller for controlling the memory chips

Номер патента: US09418029B2. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Dynamic management of memory ranges exempted from cache memory access

Номер патента: US09396125B1. Автор: Michael Karl Gschwind,Dan F. Greiner,Christian Jacobi,Chung-Lung Kevin Shum,Timothy J. Slegel,Anthony Saporito,Jonathan D. Bradbury,Younes Manton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Reading training of memory controller

Номер патента: RU2643664C2. Автор: Джонатан К. ДЖАСПЕР,Тоня Г. МОРРИС,Арно Дж. ФОРЕСТЬЕ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Adjustment of code rate as function of memory endurance state metric

Номер патента: US20240232013A1. Автор: Mark A. Helm,Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Ugo Russo,James Fitzpatrick,Niccolo’ Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Determining origins of memory leaks in source code

Номер патента: US20240231988A1. Автор: Gireesh Punathil,Kevin Grigorenko,Donald Alexander Bourne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US20240220112A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: WO2024145064A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. (dba Solidigm). Дата публикации: 2024-07-04.

Adaptive scheduling of memory requests

Номер патента: EP3602312A1. Автор: Suryanarayana Murthy Durbhakula. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Method and System for Enhanced Scheduling of Memory Access Requests

Номер патента: US20080141258A1. Автор: Freeman Leigh Rawson,Ramakrishnan Rajamony,Anupam Chanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Predictive sanitization of an array of memory with capacitive cells and/or ferroelectric cells

Номер патента: US12001706B2. Автор: Daniele Balluchi,Angelo Visconti,Marco Sforzin,Paolo Amato,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Cryptographic isolation of memory compartments in a computing environment

Номер патента: US12050701B2. Автор: David M. Durham,Santosh Ghosh,Sergej Deutsch,Michael E. Kounavis,Michael LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Read-as-X property for page of memory address space

Номер патента: GB2616643A. Автор: Peter Barnes Graeme,John Craske Simon. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

System and Method for Optimizing Software Transactional Memory Operations Using Static Caching of Memory Objects

Номер патента: US20120204163A1. Автор: Aleksandar Dragojevic,Virendra J. Marathe,Tito L. Autrey, III. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method and system for enhanced scheduling of memory access requests

Номер патента: US20040128459A1. Автор: Ramakrishnan Rajamony,Freeman Rawson,Anupam Chanda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Storage device writing data on the basis of temperatures of memory dies and method thereof

Номер патента: US12067252B2. Автор: Jang Hun YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Allocation of memory access bandwidth to clients in an electronic device

Номер патента: US11709711B2. Автор: Guhan Krishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

System for differentiated thermal throttling of memory and method of operating same

Номер патента: US20240185895A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Philex Ming-Yan Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Disaggregated memory server having chassis with a plurality of receptable accessible configured to convey with pcie bus and plurality of memory banks

Номер патента: US20220365676A1. Автор: Steven White,Thao Nguyen,Scott Burns. Владелец: Tormem Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Method and device for checking validity of memory access

Номер патента: US20170235684A1. Автор: Shilong WANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for determining scope and cause of memory corruption

Номер патента: US20040054989A1. Автор: John Harres. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US12086423B1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20240319889A1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Performance match method of memory, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240289017A1. Автор: Chih-ling Wang,Kuai Cao,En Yang Wang,Dong Dong Yao,Yun Peng Zhang,Wen Qing Lv. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Controller for managing multiple types of memory

Номер патента: US12099457B2. Автор: Daniele Balluchi,Emanuele Confalonieri,Danilo Caraccio,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for management of memory in information delivery environments

Номер патента: WO2002039285A2. Автор: Scott C. Johnson,Chaoxin C. Qiu,Mark J. Conrad,Theodore S. Webb. Владелец: Surgient Networks, Inc.. Дата публикации: 2002-05-16.

Memory device for processing in memory and operating method of memory device

Номер патента: US20240330171A1. Автор: Byeongho Kim,Yuhwan Ro,Sungjoo YOO,Suk Han Lee,Jaeyoung HEO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of equalizing bit error rates of memory device

Номер патента: US12105585B2. Автор: Young-Sik Kim,Moo-Sung Kim,Jeong-Ho Lee,Yong-Jun Lee,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Machine learning-based adjustment of memory configuration parameters

Номер патента: US20240330717A1. Автор: Wei Wang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US12118215B2. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and method for error correction of memory

Номер патента: US09886340B2. Автор: Jung Ho Ahn,Namsung KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and system for dynamic power management of memories

Номер патента: US09830954B2. Автор: Hee-Jun Park,Lance E. Hacking. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Remapping of memory in memory control architectures

Номер патента: US09823984B2. Автор: Leong Hock Sim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods and apparatus to control generation of memory access requests

Номер патента: US09772958B2. Автор: Jayaram Mudigonda,Jeffrey Clifford Mogul. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Data erasable method of memory in smart card and smart card thereof

Номер патента: US09727240B2. Автор: LIN Li. Владелец: China Mobile Communications Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Determination of memory access patterns of tasks in a multi-core processor

Номер патента: US09606835B1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Trung N. NGUYEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Dynamic tuning of memory in MapReduce systems

Номер патента: US09582189B2. Автор: Min Li,LI ZHANG,Nicholas C. Fuller,Jian Tan,Liangzhao Zeng,Shicong MENG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Accelerating boot time zeroing of memory based on non-volatile memory (NVM) technology

Номер патента: US09477409B2. Автор: Richard P. Mangold,Raj K. Ramanujan,Rajesh M. Sankaran,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Management to reduce power consumption in virtual memory provided by plurality of different types of memory devices

Номер патента: US09448612B2. Автор: Vaidyanathan Srinivasan,Dipankar Sarma,Ankita Garg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

System and method for optimizing software transactional memory operations using static caching of memory objects

Номер патента: US09424015B2. Автор: Aleksandar Dragojevic,Virendra J. Marathe,Tito L. Autrey, III. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Interactive routing of connection in circuit using welding auto welding and auto cloning

Номер патента: EP3423964A1. Автор: Hsiang-wen Jimmy LIN,Philippe Aubert MCCOMBER. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: EP4354438A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US20240120001A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Digital electronic device capable of memory formatting, a method of memory formatting, digital electronic device having a function of storing and method for storing thereof

Номер патента: US20080189505A1. Автор: Joo-sun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Method and system for digital evidence fixing and network forensics on basis of memory forensics and blockchain

Номер патента: AU2020290622A1. Автор: Shuhui Zhang,Lianhai WANG. Владелец: Shandong Computer Science Center National Super Computing Center in Jinan. Дата публикации: 2022-01-27.

Dynamic sizing of memory caches

Номер патента: EP3047381A1. Автор: Fergal Michael Daly. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-07-27.

Dynamic sizing of memory caches

Номер патента: WO2015041739A1. Автор: Fergal Michael Daly. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Method, apparatus and system for determining an identifier of a volume of memory

Номер патента: WO2013006565A2. Автор: Robert W. Faber,Shekoufeh OAWAMI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-01-10.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Two-stage voltage calibration upon power-up of memory device

Номер патента: US12073866B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Pooling of memory resources across multiple nodes

Номер патента: US09977618B2. Автор: Debendra Das Sharma,Mohan J. Kumar,Balint Fleischer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Automated generation of memory consumption aware code

Номер патента: US09971570B2. Автор: Hassan Chafi,Martin Sevenich,Sungpack Hong. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

System and method of protecting data in dynamically-allocated regions of memory

Номер патента: US09823869B2. Автор: Jay Huang,Franciscus SIJSTERMANS,Michael Wasserman,Steven Molnar,James Deming,Jay GUPTA,Gilberto CONTRERAS. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system controlling peak current generation for a plurality of memories by synchronizing internal clock of each memory with a processor clock at different times to avoid peak current generation period overlapping

Номер патента: US09817434B2. Автор: Kye-Hyun Kyung,Jae-Yong Jeong,Seok-Cheon Kwon,Chul-ho Lee,Bo-Geun Kim,Seung-hun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Storage module and method for determining ready/busy status of a plurality of memory dies

Номер патента: US09507704B2. Автор: Yoav Weinberg,Daniel E. Tuers,Abjiheet Manohar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Device for destruction of chip of memory microcircuit

Номер патента: RU2690781C1. Автор: Вячеслав Иванович Воробьев,Дмитрий Александрович Горькаев,Илья Павлович Гаин,Елена Владимировна Власова,Татьяна Евгеньевна Белоусова,Станислав Викторович Пронин,Руслан Батирович Шадиев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-06-05.

Flexible enlargement of memory pages

Номер патента: RU2509347C2. Автор: Форрест К. ФОЛЦ,Дэвид Н. КАТЛЕР. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-03-10.

Interleaved access of memory

Номер патента: US20180217929A1. Автор: Harvey Ray,Mark David Lillibridge,Paolo Faraboschi,Gary Gostin,Derek Alan Sherlock. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-08-02.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Identification of memory cards by host

Номер патента: EP2263156A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Haluk K. Tanik,Farshid Sabet-Sharghi,Oktay Rasizade,Po Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

An apparatus and method for controlling access to a set of memory mapped control registers

Номер патента: EP4097585A1. Автор: Thomas Christopher Grocutt. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Selecting a neural network based on an amount of memory

Номер патента: GB2607153A. Автор: Yang Dong,Xu Daguang,ZHAO Can,He Yufan,Reinhard Roth Holger. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

Adaptive generation of memory partitions

Номер патента: US20240152287A1. Автор: Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Interleaved access of memory

Номер патента: EP3271826A1. Автор: Harvey Ray,Mark David Lillibridge,Paolo Faraboschi,Gary Gostin,Derek Alan Sherlock. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-24.

System and method for hardware allocation of memory resources

Номер патента: US20060277387A1. Автор: Robert Rhoades. Владелец: NeoScale Systems Inc. Дата публикации: 2006-12-07.

Hiding refresh of memory and refresh-hidden memory

Номер патента: WO2003027857A3. Автор: Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu,Konrad Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Systems and methodologies providing collaboration among a plurality of computing appliances, utilizing a plurality of areas of memory to store user input as associated with an associated computing appliance providing the input

Номер патента: US20190014159A9. Автор: David H. Sitrick,Russell T. Fling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-10.

Efficient utilization of memory gaps

Номер патента: EP3335123A1. Автор: Gurvinder Singh CHHABRA,Andres Alejandro OPORTUS VALENZUELA,Nieyan Geng,BalaSubrahmanyam CHINTAMNEEDI,John Francis BRENNEN JR.. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-20.

Efficient utilization of memory gaps

Номер патента: WO2017030688A1. Автор: Gurvinder Singh CHHABRA,Andres Alejandro OPORTUS VALENZUELA,Nieyan Geng,BalaSubrahmanyam CHINTAMNEEDI,John Francis BRENNEN JR.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-23.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method and Device for Determining Size of Memory Frames

Номер патента: US20070247469A1. Автор: Ola Nilsson,Patrik Åberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2007-10-25.

Method and apparatus for increasing an amount of memory on demand when monitoring remote mirroring performance

Номер патента: US20090216978A1. Автор: Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Method and apparatus for increasing an amount of memory on demand when monitoring remote mirroring performance

Номер патента: US20100185824A1. Автор: Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

Parallel boot execution of memory devices

Номер патента: US11734018B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device comprising a plurality of memories sharing a resistance for impedance matching

Номер патента: US11755255B2. Автор: Jong Hoon Oh,Won Ha CHOI,Oung Sic CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Printed circuit board facilitating expansion of number of memory modules and memeory system including the same

Номер патента: US20070134968A1. Автор: Hyun-Jin Choi,Young-chan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Selective multithreaded execution of memory training by central processing unit(cpu) sockets

Номер патента: US20230039807A1. Автор: Jorge SERRATOS HERNANDEZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Performance optimization device of memory system and operating method thereof

Номер патента: US12093526B2. Автор: Ki Tae Kim,In Ho Jung,Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210020208A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US12131790B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Network of memory systems

Номер патента: US09875205B1. Автор: Ricardo H. Bruce,Marlon Basa Verdan,Jarmie De La Cruz Espuerta. Владелец: Bitmicro Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210241804A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Radix table translation of memory

Номер патента: US09811472B2. Автор: Michael K. Gschwind,Anthony J. Bybell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Skewing expected wearout times of memory devices

Номер патента: US09798476B2. Автор: Steven R. Hetzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

System and method for managing excessive distribution of memory

Номер патента: US09697053B2. Автор: Kunpeng Jiang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Code optimization to enable and disable coalescing of memory transactions

Номер патента: US09690556B2. Автор: Valentina Salapura,Michael Karl Gschwind,Fadi Y. Busaba,Chung-Lung K. Shum,Maged M. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits

Номер патента: US09542353B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits

Номер патента: US09542352B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Code optimization to enable and disable coalescing of memory transactions

Номер патента: US09383930B2. Автор: Valentina Salapura,Michael Karl Gschwind,Fadi Y. Busaba,Chung-Lung K. Shum,Maged M. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: EP4354439A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240120004A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Amount of memory for execution of an application

Номер патента: US20140325133A1. Автор: Christoph J. Graham,Fred Charles Thomas, Iii,Chi W. So,Walter A. Gaspard. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-10-30.

An amount of memory for execution of an application

Номер патента: EP2783290A1. Автор: Fred Charles Thomas, Iii,Christoph J Graham,Chi W So,Walter A. Gaspard. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-10-01.

Validating the status of memory operations

Номер патента: US09436397B2. Автор: Jacob B. Schmier,Todd G. Lindberg,Andrew D. Prosory. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20240305759A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

System and method for parallel execution of memory transactions using multiple memory models, including SSO, TSO, PSO and RMO

Номер патента: US5893165A. Автор: Zahir Ebrahim. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-04-06.

Methods and electronic device for repairing memory element in memory device

Номер патента: US20240012726A1. Автор: Sudhanshu Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Akhilesh Sudhir PATANKAR,Deokgu Yoon,Damini Damini,Keerthi Kiran Jagannathachar,Paulami DAS,Sairam JUJJARAPU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory system including a plurality of memory blocks

Номер патента: US20210064241A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20200301849A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Indexing elements in a source array

Номер патента: GB2588986A. Автор: Dikici Cagatay,Ahmadi Aria. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Forming a characterization parameter of a resistive memory element

Номер патента: US20140258646A1. Автор: Ryan James Goss,Antoine Khoueir,Mark Allen Gaertner,Jon D. Trantham,David Scott Ebsen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Using multiple memory elements in an input-output memory management unit for performing virtual address to physical address translations

Номер патента: EP3433742A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Radix table translation of memory

Номер патента: WO2013186646A1. Автор: Michael Karl Gschwind,Anthony Joseph BYBELL. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2013-12-19.

Protection of memory using multiple address translation functions

Номер патента: US20240086085A1. Автор: Roberto Avanzi. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including a global buffer shared by a plurality of memory controllers

Номер патента: US10157152B2. Автор: Sungho Kang,Kihyun Park,Su-Hae WOO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-12-18.

System and method for protection of memory pages using a hypervisor

Номер патента: US20170132412A1. Автор: Nikolay N. Igotti,Mikhail A. Ershov. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2017-05-11.

Dynamic adjustment of memory for storing protection metadata

Номер патента: US12073104B1. Автор: Andreas Lars SANDBERG,Roberto Avanzi,David Helmut SCHALL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus and method for processing read command based on deterioration state of memory device

Номер патента: US20240211174A1. Автор: Bo Kyeong KIM,Hee Chan Shin,Yu Jung Lee,Han Sol RHEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Enforcement of memory reference object loading indirection

Номер патента: US20190121574A1. Автор: Dejan S. Milojicic,Leonid Azriel,Lukas Humbel. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-25.

An Apparatus and method for controlling access to a set of memory mapped control registers

Номер патента: GB2591490A. Автор: Christopher Grocutt Thomas. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

Method and apparatus for high speed addressing of memory locations within the same page

Номер патента: US20050154856A1. Автор: Atousa Soroushi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Multiple pin configurations of memory devices

Номер патента: US12111777B2. Автор: Junichi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Protection of memory using multiple address translation functions

Номер патента: US12124711B2. Автор: Roberto Avanzi. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Techniques for controlling recycling of blocks of memory

Номер патента: US09921761B2. Автор: Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for wireless re-programming of memory in a communication system

Номер патента: US09819498B2. Автор: Steven L. Geerlings,Todd R. Witkowski,Carl L. Shearer,Thomas D. Klaver,Chris H. Vuyst. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of ascertaining primary cause of memory consumption in program, and computer system and computer program for the same

Номер патента: US09798651B2. Автор: Michiaki Tatsubori,Kiyokuni Kawachiya,Kazunori Ogata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Radix table translation of memory

Номер патента: US09785569B2. Автор: Michael K. Gschwind,Anthony J. Bybell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage device performing merging process on groups of memory blocks and operation method thereof

Номер патента: US09652172B2. Автор: Jin Woong Kim,Ji Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Software enabled and disabled coalescing of memory transactions

Номер патента: US09582315B2. Автор: Valentina Salapura,Michael Karl Gschwind,Chung-Lung K. Shum,Fadi Busaba. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Location of memory management translations in an emulated processor

Номер патента: US09529729B2. Автор: Matthew L. Evans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods and devices of anticipatory control of memory

Номер патента: RU2482535C2. Автор: Стюарт СЕЧРЕСТ,Майкл Р. ФОРТИН,Мехмет ИЙИГУН,Сенк ЭРГАН. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2013-05-20.

Memory protection system providing fixed, conditional and free memory portions corresponding to ranges of memory address numbers

Номер патента: US3742458A. Автор: S Yamamoto,T Inoue,Y Wakasa. Владелец: Yokogawa Electric Works Ltd. Дата публикации: 1973-06-26.

Method for managing allocation of memory space

Номер патента: US5339411A. Автор: Charles J. Heaton, Jr.. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1994-08-16.

Interrupting export of memory regions

Номер патента: WO2019002815A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Multi-rank topology of memory module and associated control method

Номер патента: EP3418902A3. Автор: Shang-Pin Chen,Chung-Hwa Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Memory controller that controls a plurality of memory devices, and printing apparatus including memory controller

Номер патента: WO2015037746A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-03-19.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: WO2021138016A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks, method of operation of memory system, and memory controller

Номер патента: US20230342050A1. Автор: Taeyoung Oh,Youngdo Um,Hoseok Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Virtualization of memory compute functionality

Номер патента: US20190258399A1. Автор: Arun Joseph,Anand Haridass,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary,Edgar Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Virtualization of memory compute functionality

Номер патента: US20180113612A1. Автор: Arun Joseph,Anand Haridass,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Identification and remediation of memory leaks using rule-based detection of anomalous memory usage patterns

Номер патента: US20230134867A1. Автор: CHI Chen,Huijuan Fan,Hailan Dong. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-05-04.

Identification and remediation of memory leaks using rule-based detection of anomalous memory usage patterns

Номер патента: US11630754B1. Автор: CHI Chen,Huijuan Fan,Hailan Dong. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-04-18.

Storage device and storage system storing data based on reliability of memory area

Номер патента: US9817591B2. Автор: JooYoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Operationalization of memories using memory information sets

Номер патента: US20240012572A1. Автор: Wei-Chih Huang,Kang-Ning Feng,Reily Chang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-01-11.

System and method for probabilistic defense against remote exploitation of memory

Номер патента: US20170337139A1. Автор: Paul E. Makowski,Benjamin L. Schmidt,Maxwell J. Koo. Владелец: Narf Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-23.

System and method for probabilistic defense against remote exploitation of memory

Номер патента: US10866908B2. Автор: Paul E. Makowski,Benjamin L. Schmidt,Maxwell J. Koo. Владелец: Narf Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-15.

Three-dimensional structure of memories for in-memory computing

Номер патента: US20230245698A1. Автор: Sylvain Barraud,Théophile Dubreuil,Paul Amari. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-03.

Hierarchical power management of memory for artificial reality systems

Номер патента: EP4176331A1. Автор: Ennio Salemi,Shrirang Madhav Yardi,Gregory Edward EHMANN,George Spatz,Jeffrey RYDEN. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Apparatus, method and system for reducing latency of memory devices

Номер патента: WO2004031959A9. Автор: Sunil Chaudhari,Bapiraju Vinnakota. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Memory control unit providing optimal timing of memory control sequences between different memory segments

Номер патента: WO1998007095A1. Автор: Philip C. Bolyn,Mark D. Luba. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 1998-02-19.

Allocating memory and redirecting memory writes in a cloud computing system based on temperature of memory modules

Номер патента: US11789609B2. Автор: Raymond-Noel Nkoulou KONO,Nisha Susan JOHN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Efficient configuration of memory components

Номер патента: US20170090804A1. Автор: Saravanan Sethuraman,John S. Bialas, Jr.,Stephen P. Glancy,Jacob D. Sloat. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Extending functionality of memory controllers in a processor-based device

Номер патента: US20240004577A1. Автор: Sandeep Brahmadathan,Nagi Aboulenein,Massimo Sutera,Brian Thomas Chase,James Edward Casteel,Kha Minh Huynh,Vung Thanh Huynh. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US11775190B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Adaptive throttling of memory accesses, such as throttling rdram accesses in a real-time system

Номер патента: WO2002025448A2. Автор: Opher D. Kahn,Erez Birenzwig. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-03-28.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US11681468B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Method for performing access management of memory device with aid of information arrangement, associated memory device and controller thereof, associated electronic device

Номер патента: US20200379898A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11989228B2. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Shanky K. Jain,William A. Melton,Richard K Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Client allocation of memory across memory servers

Номер патента: US20240037029A1. Автор: Sharad Singhal,Mashood Abdulla Kodavanji,Clarete Riana Crasta,Syed Ismail Faizan Barmawer,Gautham Bhat Kumbla,Ramya Ahobala Rao. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-02-01.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A3. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: US20180203609A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Operation method of memory system, memory system and electronic device

Номер патента: US20240176500A1. Автор: Jie Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: EP4085462A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Adaptive throttling of memory accesses, such as throttling rdram accesses in a real-time system

Номер патента: WO2002025448A3. Автор: Erez Birenzwig,Opher D Kahn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: WO2012074998A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

Leases for Blocks of Memory in a Multi-Level Memory

Номер патента: US20170315915A1. Автор: Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus and method of detecting periodicity of memory

Номер патента: US20150006824A1. Автор: Ju-Pyung Lee,Myung-June JUNE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20180331281A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Dynamic ordering of memory die programming in a metablock

Номер патента: US12039202B2. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Dynamic ordering of memory die programming in a metablock

Номер патента: US20240094951A1. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

In-circuit emulator system

Номер патента: US20040078671A1. Автор: Chikao Uchino. Владелец: Renesas Solutions Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240320093A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

In-circuit emulator system with changeable clock frequency

Номер патента: US7120831B2. Автор: Chikao Uchino. Владелец: Renesas Solutions Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

In-circuit security system and methods for controlling access to and use of sensitive data

Номер патента: US09923884B2. Автор: Barry W. Johnson,David C. Russell,Jonathan A. Tillack,Kristen R. O. Riemenschneider. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Technique to improve performance of memory copies and stores

Номер патента: US09870318B2. Автор: Jeremy P. Goodwin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Free memory trending for detecting out-of-memory events in virtual machines

Номер патента: US09720823B2. Автор: Aleksey M. Urmanov,Lik Wong,Dustin R. Garvey. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Techniques for controlling recycling of blocks of memory

Номер патента: US09489303B2. Автор: Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Techniques for controlling recycling of blocks of memory

Номер патента: US09323666B2. Автор: Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-04-26.

System and method for synchronization of memory in multi-core system

Номер патента: RU2681409C1. Автор: Антониос ИЛИОПУЛОС,Шей ГОЙХМАН,Элиэзер ЛЕВИ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-06.

Use of cache memory and another type of memory in distributed memory system

Номер патента: RU2643642C2. Автор: Томас Дж. БАРНС. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Addressing multiple types of memory devices

Номер патента: US5040153A. Автор: Justin Wang,Michael G. Fung. Владелец: Chips and Technologies LLC. Дата публикации: 1991-08-13.

Processing of memory access exceptions with pre-fetched instructions within the instruction pipeline of a virtual memory system-based digital computer

Номер патента: CA1323701C. Автор: David B. Fite,John E. Murray,Tryggve Fossum,Francis X. McKeen,Ricky C. Hetherington,David A. Webb, Jr.,Mark A. Firstenberg,Dwight P. Manley,Ronald M. Salett. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Self-contained memory apparatus having diverse types of memory and distributed control

Номер патента: US6029224A. Автор: King Lien Tai,Abhaya Asthana,Douglas E. Haggan. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-02-22.

Method for determining speeds of memory modules

Номер патента: US5509138A. Автор: Gary W. Thome,Christine G. Cash. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

System and method for increasing the speed of memories

Номер патента: US20020147883A1. Автор: Louis Hsu,Li-Kong Wang,Toshiaki Kirihata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Adjustment of code rate as function of memory endurance state metric

Номер патента: US20240070023A1. Автор: Mark A. Helm,Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Ugo Russo,James Fitzpatrick,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US11941272B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Managing swappable data structures in a plurality of memory devices based on access counts of the data structures

Номер патента: US11907543B2. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

System for forensic tracing of memory device content erasure and tampering

Номер патента: US20240078348A1. Автор: Sourin Sarkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Storage device adjusting history read level storage areas based on reliabilities of memory blocks, storage controller, and operating method of storage controller

Номер патента: US11914892B2. Автор: Jeongwoo Lee,Jeongkeun Park,Kwangwoo Lee,Yeonji KIM,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory module, operation method of memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US20200356495A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Jong-hyun Park,Woongrae Kim,Sang-Kwon Lee,Jeong-Tae Hwang,Jong-Ho Son,Mi-Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Dynamic Tuning of Memory in MapReduce Systems

Номер патента: US20150309731A1. Автор: Min Li,LI ZHANG,Nicholas C. Fuller,Jian Tan,Liangzhao Zeng,Shicong MENG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A2. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: US20240038319A1. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20160116938A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-04-28.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20210049118A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-02-18.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20170192912A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-06.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20190196992A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-06-27.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20230359572A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory, memory system and operation method of memory

Номер патента: US20240021260A1. Автор: Sang Jin Byeon,Kyo Yun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Instruction based control of memory attributes

Номер патента: US11899614B2. Автор: Varghese George,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Elmoustapha Ould-Ahmed-Vall,Ben J. Ashbaugh,Aravindh Anantaraman,Mike MacPherson,Nicolas Galoppo Von Borries. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Interrupting export of memory regions

Номер патента: US11816227B2. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Performance of memory system background operations

Номер патента: US11892956B2. Автор: Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for controlling slices of memory to be turned on or off, controller, chip and electronic device

Номер патента: US11204868B2. Автор: Junhui Wen,Chao TIAN,Xiaoping Yan,Bibo Yang. Владелец: Baidu Online Network Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Cryptographic protection of memory attached over interconnects

Номер патента: US11847067B2. Автор: Prashant Dewan,Siddhartha Chhabra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Determination of memory access patterns of tasks in a multi-core processor

Номер патента: US20200142742A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Trung N. NGUYEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Determination of memory access patterns of tasks in a multi-core processor

Номер патента: US20180081727A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Trung N. NGUYEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Determination of memory access patterns of tasks in a multi-core processor

Номер патента: US10545795B2. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Trung N. NGUYEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Allocation of memory resources to simd workgroups

Номер патента: US20230297425A1. Автор: Simon NIELD,Yoong-Chert Foo,Luca IULIANO,Jonathan Redshaw,Ollie MOWER. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Adaptive throttling of memory accesses, such as throttling RDRAM accesses in a real-time system

Номер патента: US7418561B2. Автор: Opher Kahn,Erez Birenzwig. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

Combining sets of memory blocks in a memory device

Номер патента: US11853556B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20230367504A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170199685A1. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Managing swappable data structures in plurality of memory devices based on access counts of data structures

Номер патента: WO2021140384A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US11662905B2. Автор: Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: WO2021119003A1. Автор: Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Management to reduce power consumption in virtual memory provided by plurality of different types of memory devices

Номер патента: US20140136864A1. Автор: Vaidyanathan Srinivasan,Dipankar Sarma,Ankita Garg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Digital signal processing apparatus with a delay memory having a plurality of memory cells and process for using same

Номер патента: US8885777B1. Автор: Dan M. Griffin,David J. Moore,Teren G. JAMESON. Владелец: L3 Communications Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Storage device and storage system storing data based on reliability of memory area

Номер патента: US20160179421A1. Автор: JooYoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Cryptographic protection of memory attached over interconnects

Номер патента: US11874776B2. Автор: Prashant Dewan,Siddhartha Chhabra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170024157A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Instruction based control of memory attributes

Номер патента: US20240086356A1. Автор: Varghese George,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Elmoustapha Ould-Ahmed-Vall,Ben J. Ashbaugh,Aravindh Anantaraman,Mike MacPherson,Nicolas Galoppo Von Borries. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and system for dynamic power management of memories

Номер патента: WO2012128852A1. Автор: Hee-Jun Park,Lance E. Hacking. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-09-27.

Predictive sanitization of an array of memory with capacitive cells and/or ferroelectric cells

Номер патента: US20230236753A1. Автор: Daniele Balluchi,Angelo Visconti,Marco Sforzin,Paolo Amato,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Migrating pages of memory accessible by input-output devices

Номер патента: EP4272081A1. Автор: Philip Ng,Nippon Raval. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2023-11-08.

Storage device writing data on the basis of temperatures of memory dies and method thereof

Номер патента: US20240143185A1. Автор: Jang Hun YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Device, system, and method of memory allocation

Номер патента: US10014046B2. Автор: Nikos Kaburlasos,Jim Kardach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Device, system, and method of memory allocation

Номер патента: US8843702B2. Автор: Nikos Kaburlasos,Jlm Kardach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Virtualization of memory compute functionality

Номер патента: US10891056B2. Автор: Arun Joseph,Anand Haridass,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary,Edgar Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Reduction of page migration between different types of memory

Номер патента: WO2021108218A1. Автор: Dmitri Yudanov,Samuel E. Bradshaw. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-03.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Adjustment of code rate as function of memory endurance state metric

Номер патента: US11983067B2. Автор: Mark A. Helm,Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Ugo Russo,James Fitzpatrick,Niccolo′ Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240160732A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Anticipatorily loading a page of memory

Номер патента: US20140195771A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Aydin Suren,Shawn A. Adderly,Paul A Niekrewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Power control for boot-up of memory systems

Номер патента: US11868632B2. Автор: Jonathan S. Parry,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Migrating pages of memory accessible by input-output devices

Номер патента: EP4315079A1. Автор: Philip Ng,Nippon Raval. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-02-07.

Read-as-x property for page of memory address space

Номер патента: WO2023175289A1. Автор: Simon John Craske,Graeme Peter BARNES. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2023-09-21.

Device, system, and method of memory allocation

Номер патента: US9058894B2. Автор: Nikos Kaburlasos,Jim Kardach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Performance of memory system background operations

Номер патента: US20240168895A1. Автор: Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage device and operating method of memory controller

Номер патента: US11989125B2. Автор: Sungmin Jang,Kibeen JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: AU2020421460B2. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device performing multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240177772A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US11989443B2. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US11269560B2. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of the data structures

Номер патента: US20210208790A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Optimizing dram memory based on read-to-write ratio of memory access latency

Номер патента: US20190057023A1. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20210109667A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170147260A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Adaptive scheduling of memory requests

Номер патента: US20180329839A1. Автор: Suryanarayana Murthy Durbhakula. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Managing processing of memory commands in a memory subsystem with a high latency backing store

Номер патента: US20220019533A1. Автор: Robert M. Walker,Patrick A. La Fratta,Laurent Isenegger,II Cagdas Dirik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocation of memory resources to simd workgroups

Номер патента: US20210224123A1. Автор: Simon NIELD,Yoong-Chert Foo,Luca IULIANO,Jonathan Redshaw,Ollie MOWER. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Allocation of Memory Resources to SIMD Workgroups

Номер патента: US20190087229A1. Автор: Simon NIELD,Yoong-Chert Foo,Luca IULIANO,Jonathan Redshaw,Ollie MOWER. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Performance of memory system background operations

Номер патента: EP4085323A1. Автор: Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Performance of memory system background operations

Номер патента: WO2021138424A1. Автор: Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568760A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: WO2018130801A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory system having an unequal number of memory die

Номер патента: US20140189210A1. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Constraints on updating or usage of memory system component resource control parameters

Номер патента: US20210208924A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Constraints on updating or usage of memory system component resource control parameters

Номер патента: EP4085366A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Constraints on updating or usage of memory system component resource control parameters

Номер патента: WO2021136924A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-07-08.

Adaptive throttling of memory accesses, such as throttling rdram accesses in a real-time system

Номер патента: EP1360590A2. Автор: Opher D. Kahn,Erez Birenzwig. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-11-12.

Adaptive throttling of memory accesses, such as throttling rdram accesses in a real-time system

Номер патента: AU2001291203A1. Автор: Opher D. Kahn,Erez Birenzwig. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Adaptive throttling of memory accesses, such as throttling rdram accesses in a real-time system

Номер патента: EP1360590B1. Автор: Opher D. Kahn,Erez Birenzwig. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Clock locking for packet based communications of memory devices

Номер патента: US11837318B2. Автор: James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods and systems for improving ecc operation of memories

Номер патента: WO2022185088A8. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-11-09.

Adaptive scheduling of memory requests

Номер патента: WO2018213098A1. Автор: Suryanarayana Murthy Durbhakula. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-11-22.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US11989422B2. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US20230126954A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Apparatuses and methods for adaptive control of memory

Номер патента: WO2014149538A1. Автор: David A. Roberts,Robert Walker,J. Thomas Pawlowski. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Apparatuses and methods for adaptive control of memory

Номер патента: EP2972913A1. Автор: David A. Roberts,Robert Walker,J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: EP4376006A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods and systems for improving ecc operation of memories

Номер патента: US20240194284A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Solid-state memory device with plurality of memory cards

Номер патента: EP3123472A1. Автор: James T. Cerrelli,Steven Michael SPANO. Владелец: 2419265 Ontario Ltd. Дата публикации: 2017-02-01.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: GB2607478A. Автор: Borlick Matthew,Mohan Gupta Lokesh,Ann Peterson Beth,Richard Craig Matthew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: WO2021140385A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: AU2020421460A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Selecting a neural network based on an amount of memory

Номер патента: US20220284582A1. Автор: DONG Yang,Daguang Xu,Yufan HE,Holger Reinhard Roth,Can Zhao. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Connector with in-circuit programming

Номер патента: WO2016033518A1. Автор: Jason Smith,Greg Parkhurst. Владелец: Airborn, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

Employing a data structure of readily accessible units of memory to facilitate memory access

Номер патента: US20080215830A1. Автор: Theodore J. Bohizic,Mark H. Decker,Viktor S. Gyuris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for managing access rights of memory regions and corresponding system on chip

Номер патента: US20240004804A1. Автор: Loic Pallardy,Lionel Debieve. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Device of Memory Modules

Номер патента: US20200401342A1. Автор: Cheng-Lung Lin,Wan-Tung Liang. Владелец: Eorex Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Deferred disclaim of memory pages

Номер патента: US10838635B2. Автор: Douglas Griffith,Mathew Accapadi,Anil Kalavakolanu,Sreenivas Makineedi,Srinivasa Rao Muppala,Evan Zoss. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Efficient debugging of memory miscompare failures in post-silicon validation

Номер патента: US20150186227A1. Автор: Vysakh Kolassery,Gunaranjan Kurucheti,Subrat K. Panda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Deterministic shut down of memory devices in response to a system warm reset

Номер патента: US20050091481A1. Автор: Anoop Mukker,David Sastry,Surya Kareenahalli,Zohar Bogin,Tuong Trieu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Managing attributes of memory components

Номер патента: WO2021041004A1. Автор: Ali Feiz Zarrin Ghalam,Suresh Rajgopal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Protected regions management of memory

Номер патента: WO2020180464A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

System and method for discovering parallelism of memory devices

Номер патента: US20190250831A1. Автор: Seong Won SHIN,Yi Tong,Seungwan JUNG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Dynamic read level trim selection for scan operations of memory devices

Номер патента: US20230393777A1. Автор: Yu-Chung Lien,Li-Te Chang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Two-stage voltage calibration upon power-up of memory device

Номер патента: US20230267986A1. Автор: Steven Michael Kientz,Max Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Optimization of soft bit windows based on signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US11875846B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Data protection for stacks of memory dice

Номер патента: US20230393789A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Security techniques for low power mode of memory device

Номер патента: US11829612B2. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm,Lance W Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory device comprising a plurality of memory chips, authentication system and authentication method thereof

Номер патента: US20130340068A1. Автор: Won-seok Lee,Young-Kug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

Adaptively preventing out of memory conditions

Номер патента: US20120179889A1. Автор: Kirk J. Krauss. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US20230315599A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Operating method of memory controller, memory controller, and storage device

Номер патента: US20210055988A1. Автор: Soo Hyun Kim,Bo Mi Kim,Dong Gun KIM,Ki Hyun Choi,Pil Chang Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Partitioning responsive to processors having a disparate number of memory modules

Номер патента: US11934661B1. Автор: Mehul Shah,Gary D. Cudak,Pravin S. Patel,James Parsonese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Data protection for stacks of memory dice

Номер патента: US11960776B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Employing a data structure of readily accessible units of memory to facilitate memory access

Номер патента: WO2008104519A1. Автор: Mark Decker,Viktor Gyuris,Theodore Bohizic. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-09-04.

Determining sizes of memory frames for dynamic memory allocation limiting internal fragmentation

Номер патента: WO2006037635A2. Автор: Ola Nilsson,Patrik Åberg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2006-04-13.

Analysis of memory sub-systems based on threshold distributions

Номер патента: US11783185B2. Автор: Aswin Thiruvengadam,Daniel L. Lowrance,Joshua Phelps,Peter B. Harrington. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory controller, operating method of memory controller and memory system

Номер патента: US20200050513A1. Автор: Minuk Kim,Kijun Lee,Hong Rak Son,Bohwan Jun,Dong-Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory devices and electronic devices outputing event data related to occurrences of errors and operating methods of memory devices

Номер патента: US20240161850A1. Автор: Byeongho Kim,Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Hweesoo KIM,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Maintaining data in a first level memory and buckets representing regions of memory devices to extend data cache

Номер патента: US11977483B2. Автор: Owen T. Anderson,Wayne A. Sawdon,Frank Schmuck,Subashini Balachandran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of memory management for server-side scripting language runtime system

Номер патента: US20120110294A1. Автор: Hiroshi Inoue,Hideaki Komatsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Optimization of soft bit windows based on signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US20240185915A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of memory estimation and configuration optimization for distributed data processing system

Номер патента: US20190278573A1. Автор: Hai Jin,Xuanhua SHI,Wenchao WU,Zhixiang Ke. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-12.

Protected regions management of memory

Номер патента: EP3935499A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Credit-based scheduling of memory commands

Номер патента: US20220019360A1. Автор: Robert M. Walker,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Page Tables for Granular Allocation of Memory Pages

Номер патента: US20190324919A1. Автор: Murali Ramadoss,Ankur Shah,Altug Koker,Niranjan Cooray. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-24.

Techniques for prefetching data to a first level of memory of a hierarchical arrangement of memory

Номер патента: US20190042436A1. Автор: Thomas Willhalm,Michael Klemm. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Dynamic distribution of memory for virtual machine systems

Номер патента: US20200319948A1. Автор: Deepaganesh Paulraj,Ankit SINGH,Vinod Parackal Saby. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-10-08.

Utilizing Error Correcting Code Data Associated With A Region of Memory

Номер патента: US20140006903A1. Автор: Anthony J. Bybell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Apparatus and method for controlling access to a set of memory mapped control registers

Номер патента: US11989425B2. Автор: Thomas Christopher Grocutt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

An apparatus and method for controlling access to a set of memory mapped control registers

Номер патента: WO2021152282A1. Автор: Thomas Christopher Grocutt. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-08-05.

Determining sizes of memory frames for dynamic memory allocation limiting internal fragmentation

Номер патента: WO2006037635A3. Автор: Ola Nilsson,Patrik Aaberg. Владелец: Patrik Aaberg. Дата публикации: 2006-07-20.

Page tables for granular allocation of memory pages

Номер патента: EP3757804A1. Автор: Murali Ramadoss,Ankur Shah,Altug Koker,Niranjan Cooray. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Selective diagnostic dumping of memory contents based on tracking memory use

Номер патента: US20240211334A1. Автор: Scott B. Compton,Elpida Tzortzatos,Purvi Sharadchandra Patel,Christine Michele Yost. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A2. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-06-25.

Method and apparatus for identifying erroneous data in at least one memory element

Номер патента: US20160314853A1. Автор: Adrian Traskov. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A3. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-14.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09785345B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09552157B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Systems and methods for management of memory

Номер патента: US20020056025A1. Автор: Scott Johnson,Chaoxin Qiu,Robert Farber,Mark Conrad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Efficient control of memory hierarchy

Номер патента: RU2397534C2. Автор: Томас Эндрю САРТОРИУС,Майкл Уилльям МОРРОУ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-08-20.

Electronic device, operation method of host, operation method of memory module, and operation method of memory device

Номер патента: US11887692B2. Автор: Do-Han Kim,Dae-Jeong Kim,Nam Hyung KIM,Insu Choi,Deokho Seo,Wonjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: EP3803778A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20210144350A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20190379871A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240053911A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Technologies for fine-grained completion tracking of memory buffer accesses

Номер патента: US20180267742A1. Автор: Sayantan Sur,Keith D. Underwood,Charles A. Giefer,James Dinan,Mario Flajslik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: WO2019236191A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Dynamic allocation of memory between containers

Номер патента: US20200250087A1. Автор: Jean-Pierre Bono,Sudhir Srinivasan. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

Automatic pinning of units of memory

Номер патента: WO2019097345A1. Автор: Valentina Salapura,Michael Karl Gschwind. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-05-23.

Data portion allocation for temperature management of memory devices

Номер патента: US20190114107A1. Автор: Paul J. Gwin,Prasad Alluri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

System and method for managing excessive distribution of memory

Номер патента: US20160026506A1. Автор: Kunpeng Jiang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Recovery of memory device from a reduced power state

Номер патента: US11112983B2. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-07.

Hiding refresh of memory and refresh-hidden memory

Номер патента: EP1430402A2. Автор: Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu,Konrad Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Hiding refresh of memory and refresh-hidden memory

Номер патента: WO2003027857A2. Автор: Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu,Konrad Lai. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-04-03.

Smart erase verify test to detect slow-erasing blocks of memory cells

Номер патента: WO2021194527A1. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-09-30.

Migration of memory devices

Номер патента: US20210181964A1. Автор: Kimon Berlin,Diego Rahn MEDAGLIA,Anellena SANTOS,Taciano Perez. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-06-17.

Migration of memory devices

Номер патента: EP3625927A1. Автор: Kimon Berlin,Anellena SANTOS,Taciano Perez,Diego RHAN MEDAGLIA. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-03-25.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US11977758B2. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Adaptive configuration of memory devices using host profiling

Номер патента: US20240004788A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US20220392558A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Allocation of memory by mapping registers referenced by different instances of a task to individual logical memories

Номер патента: US20240134572A1. Автор: Richard Broadhurst,Isuru Herath. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Network of memory modules with logarithmic access

Номер патента: US20180039587A1. Автор: Gabriel Loh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Maintaining a timestamp-indexed record of memory access operations

Номер патента: US20130086337A1. Автор: William H.B. Habeck. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Allocation of memory by mapping registers referenced by different instances of a task to individual logical memories

Номер патента: US11861220B2. Автор: Richard Broadhurst,Isuru Herath. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Storage device determining priorities on the basis of temperatures of memory dies and temperature variations, and method thereof

Номер патента: US20240152276A1. Автор: Eun Jae Ock. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Managing blocks of memory based on block health using hybrid controllers

Номер патента: US20210133070A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy Fisher,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US20150143171A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Apparatus and method and computer program product for configuring impedance of memory interfaces

Номер патента: US11112981B2. Автор: Chi-Ping Chang,Wei-Liang Sung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-07.

Apparatus and method and computer program product for configuring impedance of memory interfaces

Номер патента: US20200257462A1. Автор: Chi-Ping Chang,Wei-Liang Sung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Neural processing unit including an internal memory including a plurality of memory units

Номер патента: US20240111991A1. Автор: Insu Park,JungBoo PARK,Lokwon KIM. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Monitoring of memory page transitions between a hypervisor and a virtual machine

Номер патента: EP3602376A1. Автор: David Kaplan,Jeremy W. Powell,Richard Relph. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Adaptive configuration of memory devices using host profiling

Номер патента: US12019539B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Use of memory compression algorithm to assess efficiency of memory usage

Номер патента: WO2007068575A1. Автор: Gregory Tseytin. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-06-21.

Having saddle-shape microprocessor/single-chip in-circuit emulator

Номер патента: US20040153798A1. Автор: Jian Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Selection of memory for data storage in a storage network

Номер патента: US11989093B2. Автор: Gary W. Grube,Jason K. Resch,Timothy W. Markison,Wesley B. Leggette,Greg R. Dhuse,S. Christopher Gladwin,Thomas F. Shirley, Jr.. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Time division multiplexed multiport memory implemented using single-port memory elements

Номер патента: US20140331074A1. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Motivating Lazy RCU Callbacks Under Out-Of-Memory Conditions

Номер патента: US20140223242A1. Автор: Paul E. McKenney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: GB2601415A. Автор: Pantazi Angeliki,Bohnstingl Thomas,Stavros Eleftheriou Evangelos,Andrzej Wozniak Stanislaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Resolution of out of memory conditions for shared memory in a print controller

Номер патента: US09639792B2. Автор: David Ward,Lisa A. Morgan,John T. Varga. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure Of Memory Card

Номер патента: US20080078840A1. Автор: Chin-Tong Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

Apparatus for receiving a plurality of memory cards

Номер патента: US09578778B2. Автор: Han Tao,Henrik Franck,Shixiang WU,Morten Rolighed Christensen,Bocheng Hou,Yuk Fung Chan. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2017-02-21.

Resolution of out of memory conditions for shared memory in a print controller

Номер патента: EP2549409A3. Автор: David Ward,John Varga,Lisa Morgan. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-19.

Resolution of out of memory conditions for shared memory in a print controller

Номер патента: US20130021636A1. Автор: David Ward,Lisa A. Morgan,John T. Varga. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: WO2012037255A3. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Vivotech Inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US20160012470A1. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US09613365B2. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Protected regions management of memory

Номер патента: US20240134677A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Technologies for reduction of memory effects in a capacitor for qubit gate control

Номер патента: US12009813B1. Автор: Stefano Pellerano,Jongseok Park,Sushil Subramanian,Todor Mladenov,Bishnu Prasad Patra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Programming memory elements using two phase boost

Номер патента: US09646669B2. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method, system and device for operation of memory bitcells

Номер патента: US20190325955A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Asymmetrically selecting memory elements

Номер патента: US09934849B2. Автор: Zhiyong Li,Jianhua Yang,Kyung Min Kim. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Soft reset for multi-level programming of memory cells in non-von neumann architectures

Номер патента: US11790989B2. Автор: Federico Nardi,Archana Kumar,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Capacitor integrated with memory element of memory cell

Номер патента: US20230422519A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Gregory A. Northrop,Joseph Versaggi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Testing method, manufacturing method, and testing device of memory device

Номер патента: US09653182B1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Magnetic random access memory using a non-linear memory element select mechanism

Номер патента: US6515897B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Display managing arrangement with a display memory divided into a matrix of memory blocks, each serving as a unit for display management

Номер патента: US4920504A. Автор: Hachiro Sawada,Ken-ichi Takahashi,Hideaki Honma,Tadashi Fujitsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Integrated circuit including an array of memory cells and method

Номер патента: US20100027325A1. Автор: Lothar Risch,Peter Baars,Thomas Happ,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-04.

Display system having multiple memory elements per pixel

Номер патента: EP1084488A1. Автор: William A. Quanrud. Владелец: Inviso. Дата публикации: 2001-03-21.

Display system having multiple memory elements per pixel

Номер патента: EP1084488A4. Автор: William A Quanrud. Владелец: Inviso. Дата публикации: 2003-09-10.

Highly integrated dynamic memory element

Номер патента: US4244035A. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-01-06.

Perpendicular magnetic memory element having magnesium oxide cap layer

Номер патента: US09748471B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5536947A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick K. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Integrated circuits to control access to multiple layers of memory in a solid state drive

Номер патента: US7961510B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Preservation circuit and methods to maintain values representing data in one or more layers of memory

Номер патента: US09536607B2. Автор: Christophe Chevallier,Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory elements with dynamic pull-up weakening write assist circuitry

Номер патента: EP3449485A1. Автор: Rajiv Kumar,Wei Yee Koay. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2019-03-06.

Memory elements with dynamic pull-up weakening write assist circuitry

Номер патента: US09767892B1. Автор: Rajiv Kumar,Wei Yee Koay. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory element with energy control mechanism

Номер патента: US5933365A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CA2227612C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Data-write device for resistance-change memory element

Номер патента: US09928906B2. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Akira Mochizuki,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu,Masanori Natsui. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-27.

Programmable Resistance Memory Element and Method for Making Same

Номер патента: US20110114911A1. Автор: Patrick Klersy. Владелец: Patrick Klersy. Дата публикации: 2011-05-19.

Forming method for variable-resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US09524776B2. Автор: Koji Katayama,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Buffering systems for accessing multiple layers of memory in integrated circuits

Номер патента: US9715910B2. Автор: Robert Norman. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method, system and device for operation of memory bitcells

Номер патента: WO2019207281A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Method, system and device for operation of memory bitcells

Номер патента: EP3785265A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Preservation circuit and methods to maintain values representing data in one or more layers of memory

Номер патента: US7719876B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Memory and method for sensing sub-groups of memory elements

Номер патента: USRE37409E1. Автор: Lawrence Lai,Richard M. Barth,Wayne S. Richardson,Donald C. Stark. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2001-10-16.

Memory elements and methods with improved data retention and/or endurance

Номер патента: US9070877B2. Автор: Antonio R. Gallo. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US11894038B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20220051710A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20240119983A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Forming method of memory device

Номер патента: US20240087629A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory element, method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory device, charge pump and method for adjusting voltage of charge pump

Номер патента: US20130114355A1. Автор: Ken Takeuchi,Kentaro Honda,Kosuke Miyaji,Shuhei TANAKAMARU. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Memory elements with dynamic pull-up weakening write assist circuitry

Номер патента: WO2017189098A1. Автор: Rajiv Kumar,Wei Yee Koay. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2017-11-02.

Configuring dynamic random access memory refreshes for systems having multiple ranks of memory

Номер патента: WO2020023133A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Local power domains for memory sections of an array of memory

Номер патента: US20120182820A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09640759B1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240355391A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Pengyuan Zheng,Ravi Jadhav. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Boosting channels of memory cells to reduce program disturb

Номер патента: US09779817B2. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and apparatus for built-in self-repair of memory storage arrays

Номер патента: EP1352396A2. Автор: Timothy J. Wood,Gerald D. Zuraski, Jr.,Raghuram S. Tupuri. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Programming of memory cells using a memory string dependent program voltage

Номер патента: US12051467B2. Автор: Henry Chin,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Block-row decoders, memory block-row decoders, memories, methods for deselecting a decoder of a memory and methods of selecting a block of memory

Номер патента: US20140119149A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system using a randomized refresh period

Номер патента: US11756604B2. Автор: Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Operation methods of memories, memories, and storage systems

Номер патента: US20240274204A1. Автор: Zhiliang Xia,Yifan Li,Tianyu Wang,Xueqing Huang,Junyao Zhu,Wenhui Pei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Technologies for clearing a page of memory

Номер патента: US09881659B2. Автор: Tomishima Shigeki,Kuljit S. Bains,Tomer Levy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory architecture for storing data in a plurality of memory chips

Номер патента: US09672910B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Theodore Antonakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus for reducing erase time of memory by using partial pre-programming

Номер патента: US09502121B2. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Mixed conducting volatile memory element for accelerated writing of nonvolatile memristive device

Номер патента: GB2617496A. Автор: Wang Wei,KIM Youngseok,OK Injo,Yu Lan,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20220293187A1. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US12062408B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240355364A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and methods for testing performance of memory modules

Номер патента: US09837170B2. Автор: Bai Yen NGUYEN,Benjamin Lau,Yao Hsien Huang,Chou-Te Kang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Buffer die in stacks of memory dies and methods

Номер патента: US09691444B2. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US09564227B2. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Enable/disable of memory chunks during memory access

Номер патента: US09536582B2. Автор: Toru Tanzawa,Koichi Kawai,Satoru Tamada,Tetsuji Manabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Circuits and methods for placing programmable impedance memory elements in high impedance states

Номер патента: US9368198B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan,Juan Pablo Saenz Echeverry. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Partitioned memory architecture with single resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240119977A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US11769534B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20200286539A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for Programming of Memory Cells, in Particular of the Flash Type, and Corresponding Programming Architecture

Номер патента: US20100002521A1. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

In-circuit test structure for printed circuit board

Номер патента: US09835684B2. Автор: Jinchai (Ivy) QIN,Bing Al. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: US09786378B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory devices configured to apply different weights to different strings of memory cells coupled to a data line and methods

Номер патента: US09728267B2. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US09679615B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Current based detection and recording of memory hole-interconnect spacing defects

Номер патента: US09564219B2. Автор: Jayavel Pachamuthu,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US09472287B2. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Repositionable memory element in a single reel tape cartridge

Номер патента: US20040004145A1. Автор: Stephen Stamm,Chan Kim,Satya Mallick. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2004-01-08.

Magnetic memory element, method for producing same, and magnetic memory

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Toshinari Watanabe,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Voltage applications to a memory cell including a resistance change memory element in series with a two-terminal switching element

Номер патента: US11935591B2. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: EP3494577A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20130235660A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: EP4143898A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20130336081A1. Автор: Timothy J. Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

State-monitoring memory element

Номер патента: WO2008131144A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-30.

Magnetic memory element

Номер патента: RU2585578C2. Автор: Жиль Луи ГОДЕН,Иоан Михай МИРОН,Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА,Ален ШУЛЬ. Владелец: Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа). Дата публикации: 2016-05-27.

Semiconductor storage device and method for remedying defects of memory cells

Номер патента: US20030103394A1. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Techniques for flexible self-refresh of memory arrays

Номер патента: US20230395116A1. Автор: Scott E. Smith,Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Control method and control apparatus of memory decoding system

Номер патента: US20170062028A1. Автор: Xiaoyan Liu,Hao Ni,Chuntian YU,Guangyan Luo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Control method and control apparatus of memory decoding system

Номер патента: US9892769B2. Автор: Xiaoyan Liu,Hao Ni,Chuntian YU,Guangyan Luo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20120176854A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Apparatus and methods for performing concurrent access operations on different groupings of memory cells

Номер патента: US20200411098A1. Автор: Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US09779791B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory cell and an array of memory cells

Номер патента: US09472560B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Marco Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for capacitively reading resistive memory elements and nonvolatile, capacitively readable memory elements for implementing the method

Номер патента: US09443589B2. Автор: Stefan Tappertzhofen,Eike Linn,Lutz Nielen,Ilia Valov,Rainer Waser. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2016-09-13.

Page buffer connections and determining pass/fail condition of memories

Номер патента: US09305660B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

System and method of memory block management

Номер патента: US20070076478A1. Автор: Richard Sanders. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor memory formed of memory modules with redundant memory areas

Номер патента: US4463450A. Автор: Hans Haeusele. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-31.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: WO2023107392A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit memory device including banks of memory cells and related methods

Номер патента: US5650977A. Автор: Jin-Man Han,Kye-Hyun Kyung,Jei-Hwan Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-22.

Memory fault recovery system which executes degradation or recovery of memory

Номер патента: US5630044A. Автор: Takashi Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Modified Distribution of Memory Device States

Номер патента: US20230021663A1. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US20220115071A1. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Configuring dynamic random access memory refreshes for systems having multiple ranks of memory

Номер патента: EP3824467A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: US20130121066A1. Автор: Xia Li,Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Determination of state metrics of memory sub-systems following power events

Номер патента: US20220059181A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method and apparatus for reducing erase disturb of memory by using recovery bias

Номер патента: US20150055412A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Bo-Chang Wu,Kuen-Lung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US11948644B2. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A3. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-14.

Method and system for iteratively testing and repairing an array of memory cells

Номер патента: US20130232384A1. Автор: Yosef Solt,Michael Levi,Reshef Bar Yoel,Yosef Haviv. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US20170140833A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A2. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Local power domains for memory sections of an array of memory

Номер патента: US20100128550A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Methods of performing read count leveling for multiple portions of a block of memory cells

Номер патента: US20190287619A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells

Номер патента: WO2002003450A2. Автор: Suntra Anuntapong,Surasit Phurikhup,Wannee Soiluck. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-01-10.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Electronic amplifier circuit having a switchable input transistor, matrix array of memory cells and matrix array of photodetectors

Номер патента: US20020025617A1. Автор: Bernhard Wicht,Steffen Paul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20190221264A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Memory devices with different sized blocks of memory cells and methods

Номер патента: US20140254267A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for improving the read signal in a memory having passive memory elements

Номер патента: US20050128796A1. Автор: Kurt Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Tester for in-circuit testing bed of nails fixture and testing circuit thereof

Номер патента: US20070075713A1. Автор: Jin-Peng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Apparatuses and methods for forming multiple decks of memory cells

Номер патента: US09853046B2. Автор: Zhenyu Lu,Roger W. Lindsay,Akira Goda,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US09711223B2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device having three-dimensional arrayed memory elements

Номер патента: US09666293B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory elements with relay devices

Номер патента: US09520182B2. Автор: Irfan Rahim,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt,Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Circuits and techniques to compensate memory access signals for variations of parameters in multiple layers of memory

Номер патента: US8854881B2. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of blocks of memory cell transistors formed on respective wells isolated from each other

Номер патента: US6091632A. Автор: Shinichi Sato,Masanori Yoshimi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Controllable nanomechanical memory element

Номер патента: CA2568140A1. Автор: Alexei Gaidarzhy,Guiti Zolfagharkhani,Pritiraj Mohanty,Robert L. Badzey. Владелец: Robert L. Badzey. Дата публикации: 2006-07-20.

Memory system, method and predecoding circuit operable in different modes for selectively accessing multiple blocks of memory cells for simultaneous writing or erasure

Номер патента: US20050281121A1. Автор: Christophe Chevallier,Vinod Lakhani,Mathew Adsitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor memory device with function of carrying out logic judgement for correct recognition of memory operation

Номер патента: US5557574A. Автор: Masao Nakano,Yukihiro Senoo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20190198093A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory and read and write methods of memory

Номер патента: US11875835B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: WO2023080956A1. Автор: Rui Zhang,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US11823769B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Systems and methods for pre-read scan of memory devices

Номер патента: US11862226B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20160372201A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: US20190267083A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: EP3583627A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: US20210183441A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: SG11201907437UA. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-27.

Semiconductor memory device including a plurality of memory blocks and method of manufacturing the same

Номер патента: US11839081B2. Автор: Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US11869588B2. Автор: Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Hernan A Castro,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory Circuit and Method for Operating a First and a Second Set of Memory Cells

Номер патента: US20180226114A1. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Arrangements of memory devices and methods of operating the memory devices

Номер патента: US11817144B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US20170271014A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022240496A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Systems and methods for maintaining refresh operations of memory banks using a shared address path

Номер патента: US11817143B2. Автор: Joosang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device configured to generate read current based on size of memory cell and value of read current actually applied to memory cell

Номер патента: US20240062795A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US20240120006A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory circuit and method for operating a first MRAM and a second MRAM set of memory cells configured to operate in a direct access mode and/or refresh mode

Номер патента: US10347312B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Memory circuit and method for operating a first and a second set of memory cells in direct memory access mode with refresh

Номер патента: US9824737B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device including plurality of memory mats

Номер патента: US20070183239A1. Автор: Koji Kishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Techniques for improved timing control of memory devices

Номер патента: WO2008130878A3. Автор: Frederick A Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2008-12-18.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20220215868A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11783902B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US20130272071A1. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor memory device including a plurality of memory blocks and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107769A1. Автор: Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US11961565B2. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20210043251A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for checking the functioning of memory cells of an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20020026608A1. Автор: Erwin Hammerl,Wilfried Daehn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US20220319613A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887664B2. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US20240185923A1. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Arrangements of memory devices and methods of operating the memory devices

Номер патента: US20230386567A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Operating method of memory having redundancy circuitry

Номер патента: US20140146613A1. Автор: Yue-Der Chih,Tien-Chun Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: EP4364142A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US20230386538A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11996151B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20170365343A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20180336951A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US11823745B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells

Номер патента: EP1307912A2. Автор: Suntra Anuntapong,Surasit Phurikhup,Wannee Soiluck. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-05-07.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11887649B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and memory device including plurality of memory banks and having shared delay circuit

Номер патента: US20220208250A1. Автор: Sangho Shin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Systems and methods for maintaining refresh operations of memory banks using a shared address path

Номер патента: US20240194238A1. Автор: Joosang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Conductive filament based memory elements and methods with improved data retention and/or endurance

Номер патента: US20130001503A1. Автор: Antonio R. Gallo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441B1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Electronics amplifier circuit having a switchable input transistor, matrix array of memory cells and matrix array of photodetectors

Номер патента: US6512713B2. Автор: Bernhard Wicht,Steffen Paul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-28.

Memory elements with soft-error-upset (seu) immunity using parasitic components

Номер патента: US20180330778A1. Автор: Weimin Zhang,Yanzhong Xu,Nelson Joseph Gaspard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US20110242878A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: WO2007111666A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Methods and systems for operating memory elements

Номер патента: US20130141960A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US8363500B2. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Asynchronous memory element for scanning

Номер патента: US09991006B2. Автор: Hiroshi Iwata,Michiko Inoue,Satoshi Ohtake. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory element status detection

Номер патента: US09672941B1. Автор: Thomas Kern,Giacomo Curatolo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Programmable logic circuit architecture using resistive memory elements

Номер патента: US09461649B2. Автор: Bingjun Xiao,Jingsheng J. CONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-10-04.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: US09444047B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device consistently operating a plurality of memory cell arrays distributed in arrangement

Номер патента: US5986964A. Автор: Takeshi Hamamoto,Kiyohiro Furutani,Takuya Ariki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Display radio pager having graphic alarm for selective indication of memory availability factors

Номер патента: CA1306016C. Автор: Motoki Ide,Toshifumi Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-08-04.

Resistive memory element

Номер патента: RU2714379C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-02-14.

Methods for determining an expected data age of memory cells

Номер патента: US10629280B1. Автор: Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Integrated Semiconductor Memory with Refreshing of Memory Cells

Номер патента: US20070247944A1. Автор: Frank Fischer,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Thilo Schaffroth. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-25.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US20230080130A1. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated Circuitry, Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230389314A1. Автор: David H. Wells,Amritesh Rai,Pengyuan Zheng,Adam Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory devices with local and global devices at substantially the same level above stacked tiers of memory cells and methods

Номер патента: US20150279432A1. Автор: Mark A. Helm,Aaron S. Yip,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Systems and methods for reading bit state in arrays of memory cells

Номер патента: US20230282263A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatuses and methods of memory access control

Номер патента: US20230402070A1. Автор: Hidekazu Noguchi,Yoshio Mizukane,Manami Senoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US11862250B2. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Allocation of test resources to perform a test of memory components

Номер патента: US11808806B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,Aswin Thiruvengadam,Frederick Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895834B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240021220A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Efficient control of memory core circuits

Номер патента: US20200286533A1. Автор: Hao Su,Yuheng Zhang,Po-Shen Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240071507A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US11915786B2. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Electronic device and method for testing endurance of memory

Номер патента: US20130170307A1. Автор: Min Tan. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Unipolar programming of memory cells

Номер патента: US20240029796A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impala'. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and control method of memory device

Номер патента: US20130077400A1. Автор: Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US20160064085A1. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: US20230223073A1. Автор: Seong-Jin Cho,Hijung KIM,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Efficient control of memory core circuits

Номер патента: US20200321037A1. Автор: Hao Su,Yuheng Zhang,Po-Shen Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US11756591B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240071512A1. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240153544A1. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US11990198B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Adaptive control of memory cell programming voltage

Номер патента: US20200090770A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device and test method of memory device

Номер патента: US20230402123A1. Автор: Jaewon Park,Sukhan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Device for accessing a rom unit with groups of memory module information saved therein

Номер патента: US20020064081A1. Автор: Lee Ching-Kuo,Denny Tzeng,Lan Chih-Hung. Владелец: TwinMOS Tech Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Memory devices, memory modules, and operating methods of memory devices

Номер патента: US20210217461A1. Автор: Nam Sung Kim,Seongil O,Haesuk LEE,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory device, programming method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240221839A1. Автор: JING Wei,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: EP2409301A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20130279242A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20120163067A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: WO2010107515A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory elements with series volatile and nonvolatile switches

Номер патента: US20140241075A1. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-08-28.

Reading a memory element within a crossbar array

Номер патента: US20140204651A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-24.

Resistive memory element

Номер патента: US10050156B1. Автор: Lung-Han Peng,Jun-Wei Peng,Yen-Kai Chang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09553258B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09553255B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines

Номер патента: US09466790B2. Автор: George Samachisa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09419208B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Paging receiver with alert indicating status of memory

Номер патента: US4851829A. Автор: Michael J. DeLuca,Jeffrey B. Reed. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1989-07-25.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US20160300616A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory cells and arrays of memory cells

Номер патента: US11810607B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Programming of memory devices

Номер патента: US20210027842A1. Автор: Angelo Visconti,Silvia Beltrami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20210183426A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230377623A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory cells and arrays of memory cells

Номер патента: US10957374B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Soft erasure of memory cells

Номер патента: US20140071751A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney Virgil Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US9679656B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Arrays of Memory Cells and Methods of Forming an Array of Vertically Stacked Tiers of Memory Cells

Номер патента: US20190189689A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20150123070A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: WO2018102001A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20140369130A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Arrays Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor And Methods Of Forming Such Arrays

Номер патента: US20200219807A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays

Номер патента: EP3750181A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Apparatuses and methods for compute components formed over an array of memory cells

Номер патента: US20190355406A1. Автор: Jason T. ZAWODNY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory element and method for fabricating a memory element

Номер патента: US20030168675A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Rosner,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-11.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120061638A1. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Apparatuses and methods for compute components formed over an array of memory cells

Номер патента: US20210110858A1. Автор: Jason T. ZAWODNY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Methods and apparatuses having strings of memory cells and select gates with double gates

Номер патента: US20150078089A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Methods and apparatuses having strings of memory cells and select gates with double gates

Номер патента: US9934868B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Preallocatable transmission data memory element of an MR transmission unit in array applications

Номер патента: US8324896B2. Автор: Wilfried Schnell,Nikolaus Demharter,Rudi Baumgartl,Philipp Hoecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-12-04.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140021434A1. Автор: Naomi Yamada,Akira Kouchiyama,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20060267086A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Apparatus of memory array using finfets

Номер патента: US20100252895A1. Автор: Ronald Kakoschke,Klaus Schruefer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-07.

Apparatus of memory array using finfets

Номер патента: US8039904B2. Автор: Ronald Kakoschke,Klaus Schruefer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-18.

Apparatus of memory array using finfets

Номер патента: US20100252799A1. Автор: Ronald Kakoschke,Klaus Schruefer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-07.

Apparatus of memory array using FinFETs

Номер патента: US8067808B2. Автор: Ronald Kakoschke,Klaus Schruefer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-11-29.

Systems and methods for designing adc based on probabilistic switching of memories

Номер патента: EP2759061A1. Автор: Subramaniam Venkatraman,Jeffrey Alexander LEVIN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Systems and methods for designing adc based on probabilistic switching of memories

Номер патента: WO2013044139A1. Автор: Subramaniam Venkatraman,Jeffrey Alexander LEVIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-28.

Self-aligned contact scheme for pillar-based memory elements

Номер патента: US20210020508A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Apparatus of memory array using FinFETs

Номер патента: US8552475B2. Автор: Ronald Kakoschke,Klaus Schruefer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-08.

Plug-in circuit breaker for series mounting, having a base element and a plug, and ensemble having the same

Номер патента: US20240153727A1. Автор: Beate RHEKER-SAGEBIEL,Andre Holtkämper. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-09.

Programmable impedance memory elements with laterally extending cell structure

Номер патента: US8952351B1. Автор: Michael A. Van Buskirk. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor nonvolatile memory element

Номер патента: US09613970B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for transistor memory element

Номер патента: US20240341101A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for designing adc based on probabilistic switching of memories

Номер патента: US20130069809A1. Автор: Subramaniam Venkatraman,Jeffrey Alexander LEVIN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Magnetic shape memory element linear motor systems and methods

Номер патента: US09819287B2. Автор: Peter Mullner. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Portable phone having recording function for recording call contents and using the minimum capacity of memory

Номер патента: EP1209884A3. Автор: Koji Tokunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Improvement of memory in patients with estimation of 24-26 points of minimal mental state examination

Номер патента: RU2677345C2. Автор: Патрик Йозеф Герардус Хендрикус КАМПХЕЙС,Мартин ГРУНЕНДЕЙК,Анке БОНГЕРС. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2019-01-16.

Method to control variances of condition of head circuit breaker in circuit of circular network

Номер патента: RU2410817C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Игорь Николаевич Фомин,Наталья Витальевна Махиянова,Роман Викторович Лебедев. Владелец: Федеральное государственное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US12082425B2. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Motherboard for supporting different types of memories

Номер патента: US7752348B2. Автор: Shou-Kuo Hsu,Yu-Chang Pai,Chun-Sheng Chen,Cheng-Shien Li,Duen-Yi Ho. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods for the prevention and/or treatment of memory impairment

Номер патента: US09517265B2. Автор: Beverley A. Orser. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2016-12-13.

Catheter with memory element-controlled steering

Номер патента: US5090956A. Автор: William C. McCoy. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1992-02-25.

System and method for management of memory access in a communication network

Номер патента: EP1243114A1. Автор: Gyorgy Sasvari. Владелец: Marconi Communications Ltd. Дата публикации: 2002-09-25.

Methods for the protection of memory and cognition

Номер патента: WO2004108085A3. Автор: Mark G Currie,John Jeffrey Talley,Yueh-tyng Chien,Craig Zimmerman,Brian M Cali. Владелец: Brian M Cali. Дата публикации: 2005-07-14.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: US12052863B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods and apparatuses having strings of memory cells including a metal source

Номер патента: US09437604B2. Автор: Zhenyu Lu,Haitao Liu,Roger W. Lindsay,Andrew Bicksler,Yongjun J Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372A. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2023-09-29.

Method for producing ferroelectric film element, and ferroelectric film element and ferroelectric memory element produced by the method

Номер патента: US5851841A. Автор: Masayoshi Koba,Hironori Matsunaga,Yasuyuki Ito,Maho Ushikubo,Seiichi Yokoyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Improvement of memory in patients with 24-26 points by mental state mini-examination

Номер патента: RU2529815C2. Автор: Патрик Йозеф Герардус Хендрикус КАМПХЕЙС,Мартин ГРУНЕНДЕЙК,Анке БОНГЕРС. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2014-09-27.

System for heating vapors of oil flowing in circuit arranged outside of transport facility engine, and transport facility engine with said system

Номер патента: RU2446289C2. Автор: Вальтер БЬЯЗИН. Владелец: ФПТ ИНДАСТРИАЛ С.п.А.. Дата публикации: 2012-03-27.

Reduction of usefull current in circuits with rx diversity

Номер патента: RU2422995C2. Автор: Богдан ТУДОСОИУ. Владелец: Сони Эрикссон Мобайл Коммьюникейшнз Аб. Дата публикации: 2011-06-27.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372B2. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Company Lp. Дата публикации: 2024-01-04.

Network packet forwarding lookup with a reduced number of memory accesses

Номер патента: EP1005746A1. Автор: Frank Kastenholz. Владелец: Unisphere Solutions Inc. Дата публикации: 2000-06-07.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198673A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for producing an integrated circuit including a fuse element, a fuse-memory element or a resistor element

Номер патента: US20080029477A1. Автор: Georg Seidemann,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-07.

Method and device for network packet forwarding lookup with a reduced number of memory accesses

Номер патента: EP1865674A3. Автор: Frank Kastenholz. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2008-02-20.

Methods and Circuits for Achieving Rational Fractional Drive Currents in Circuits Employing FinFET Devices

Номер патента: US20130099856A1. Автор: David S. Doman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory devices with stairs in a staircase coupled to tiers of memory cells and to pass transistors directly under the staircase

Номер патента: US09589978B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09553262B2. Автор: Jun Liu,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for electroforming in the manufacture of a memory element

Номер патента: RU2769536C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев,Егор Сергеевич Горлачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2022-04-01.

A contention free parallel access system and a method for contention free parallel access to a group of memory banks

Номер патента: WO2009093099A1. Автор: Ron Bercovich,Dror Gilad,Aviel Livay,Guy Drory,Yuval Neeman.,Yonatan Naor. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Process integration flow for embedded memory with multi-pocket masks for decoupling processing of memory areas from non-memory areas

Номер патента: US11792998B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230317800A1. Автор: LEI Wei,Gurpreet Lugani,Sumeet C. Pandey,Dhirendra Dhananjay Vaidya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Magnetic Shape Memory Element Linear Motor Systems and Methods

Номер патента: US20160301293A1. Автор: Peter Mullner. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-13.

Method and apparatus for reducing amount of memory required by hybrid automatic repeat request (harq) operations

Номер патента: US20210409164A1. Автор: Shin-Lin Shieh,Tai-Hsun Chen. Владелец: Hon Lin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: WO2013148723A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Method and apparatus for reducing amount of memory required by hybrid automatic repeat request (harq) operations

Номер патента: EP3934137A1. Автор: Shin-Lin Shieh,Tai-Hsun Chen. Владелец: Hon Lin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: US20130285004A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Device including an array of memory cells and well contact areas, and method for the formation thereof

Номер патента: US20140367794A1. Автор: Michael Otto,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US11765893B2. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Elevationally-Extending String of Memory Cells and Methods of Forming an Elevationally-Extending String of Memory Cells

Номер патента: US20230157024A1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

On-die system and method for controlling termination impedance of memory device data bus terminals

Номер патента: US7852112B2. Автор: David Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Integrated circuit including memory element with spatially stable material

Номер патента: US20090050870A1. Автор: Thomas Happ,Bernhard Ruf,Petra Majewski,Dieter Andres. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20200395369A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Atomization device with reliable connection between battery and built-in circuit board

Номер патента: EP4437877A1. Автор: Huabing Li,ZhongYuan LAI,Hongbing Yin. Владелец: Luxshare Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Atomization device with reliable connection between battery and built-in circuit board

Номер патента: US20240326079A1. Автор: Huabing Li,ZhongYuan LAI,Hongbing Yin. Владелец: Luxshare Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Plug-in circuit breaker

Номер патента: US12125655B2. Автор: Kejun LU,Xiangyi GU,Weijun GE. Владелец: Zhejiang Chint Electrics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Specific deep brain stimulation for enhancement of memory

Номер патента: US09403010B2. Автор: Itzhak Fried,Nanthia Suthana,Barbara Knowlton. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for establishing incoming call in circuit switched fallback (csfb) situation

Номер патента: RU2587428C2. Автор: Ральф Келлер,Андреас Витцел,Карл-Петер РАНКЕ. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ Л М ЭРИКССОН (ПАБЛ). Дата публикации: 2016-06-20.

Control and characterization of memory function

Номер патента: CA2816972C. Автор: Karl Deisseroth,Inbal Goshen. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-12-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11569120B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method used in forming a memory array comprising strings of memory cells and using bridges in sacrificial material in a tier

Номер патента: US11974429B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20230225137A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125920A1. Автор: Yi Hu,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057440A1. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210399012A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Chandra Twari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20220037402A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and system for printing graphical content onto a plurality of memory devices and for providing a visually distinguishable memory device

Номер патента: EP2490901A1. Автор: Itzhak Pomerantz,Rahav Yairi,Gad Ponte. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-08-29.

Programmable resistance memory elements with electrode interface layer and memory devices including the same

Номер патента: US20160043310A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Etching composition for semiconductor substrate for memory element and method for manufacturing semiconductor substrate for memory element using same

Номер патента: US20240287385A1. Автор: Toshiyuki Oie,Po-Hung Wang,Tomoyuki Adaniya,Chih-Liang Yang. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Automatic system for year-round observation of vital activity of bees

Номер патента: RU2038778C1. Автор: И.С. Захаров,А.Ф. Рыбочкин. Владелец: Курский Политехнический Институт. Дата публикации: 1995-07-09.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11411012B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11937428B2. Автор: Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11871566B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230290860A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230397420A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11495610B2. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11967632B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889683B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated Circuitry Comprising A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230422503A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated Circuitry And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230363163A1. Автор: John D. Hopkins,Ayssa N. Scarbrough. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Array Of Memory Cells

Номер патента: US20180122858A1. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220077186A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210358938A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220130859A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792983B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240138145A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240164092A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210376122A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210175247A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US8563959B2. Автор: Tony Chiang,Chi-l Lang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: US20240268241A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: EP4412425A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Resistive memory elements having conductive islands embedded within the switching layer

Номер патента: US20220069013A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive memory elements, resistive memory cells, and resistive memory devices

Номер патента: US09419220B2. Автор: John K. Zahurak,D. V. Nirmal Ramaswamy,Muralikrishnan Balakrishnan,Sanh D. Tang,Alessandro Torsi,Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Transmitting method and transmitting apparatus of stored information of memory

Номер патента: US5268768A. Автор: Teiji Terasaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Counter with memory utilizing mnos memory elements

Номер патента: US3845327A. Автор: J Cricchi. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-10-29.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20230337429A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Arrays Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Having A Stack Comprising Vertically-Alternating Insulative Tiers and Wordline Tiers and Horizontally-Elongated Trenches in the Stacks

Номер патента: US20190371815A1. Автор: Ryan Meyer,Kunal R. Parekh,Kunal Shrotri,Justin B. Dorhout,Chris M. Carlson,Anish A. Khandekar,Dimitrios Pavlopoulos,Zhiqiang Xie,Greg Light. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: WO2017209929A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

Method and therapeutic for the treatment and regulation of memory formation

Номер патента: EP2598133A2. Автор: Marcelo Andres Wood. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-06-05.

Memory Circuitry Comprising A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via And Method Used In Forming A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via

Номер патента: US20170352677A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Substituted alkyl-pyridazinones for the treatment of memory and learning malfunctions

Номер патента: EP1567159A1. Автор: Jozsef Barkoczy,Istvan Gacsalyi,Gyula Simig,Péter Kotay Nagy,György Lévay,András Egyed,Hajnalka Kompagne,Gábor SZÉNÁSI,László Gábor HÁRSING,Janos Wellmann,Eva Schmidt,Csilla Leveleki,Aniko Miklosne Kovacs,Bernadett MARKÓ. Владелец: Egyt Gyogyszervegyeszeti Gyar. Дата публикации: 2005-08-31.

Substituted alkyl-pyridazinones for the treatment of memory and learning malfunctions

Номер патента: US20060211703A1. Автор: Jozsef Barkoczy,Istvan Gacsalyi,Gyula Simig,Péter Kotay Nagy,György Lévay,András Egyed,Hajnalka Kompagne,Gábor SZÉNÁSI,Janos Wellmann,Eva Schmidt,Laszlo Harsing,Csilla Leveleki,Bernadett MARKÓ,Aniko Miklosne Koivacs. Владелец: EGIS PHARMACEUTICALS PLC. Дата публикации: 2006-09-21.

Substituted alkyl-pyridazinones for the treatment of memory and learning malfunctions

Номер патента: WO2004043465A1. Автор: Jozsef Barkoczy,Istvan Gacsalyi,Gyula Simig,Péter Kotay Nagy,György Lévay,András Egyed,Hajnalka Kompagne,Gábor SZÉNÁSI,László Gábor HÁRSING,Janos Wellmann,Eva Schmidt,Csilla Leveleki,Aniko Miklosne Kovacs,Bernadett MARKÓ. Владелец: Egis Gyogyszergyar Rt.. Дата публикации: 2004-05-27.

Use of amino-isoxazolidone compounds for treatment of memory impairment following traumatic brain injury

Номер патента: US20030073730A1. Автор: J. Williams,Robert Herting,Daniel Fakouhi. Владелец: GD Searle LLC. Дата публикации: 2003-04-17.

Resistive switching memory element including doped silicon electrode

Номер патента: US8502187B2. Автор: Wen Wu,Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Memory element with a hardmask stack having different stress levels

Номер патента: US20230189655A1. Автор: Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Oscar van der Straten,Daniel Charles Edelstein,Scott A. DeVries,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Use of qbp1 peptide for the inhibition of memory consolidation

Номер патента: EP3280430A1. Автор: Mariano Sixto Carrion Vazquez,Rubén Hervás Milán. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2018-02-14.

Use of qbp1 peptide for the inhibition of memory consolidation

Номер патента: US20180125921A1. Автор: Mariano Sixto Carrion Vazquez,Rubén Hervás Milán. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2018-05-10.

Use of qbp1 peptide for the inhibition of memory consolidation

Номер патента: WO2016162506A1. Автор: Mariano Sixto Carrion Vazquez,Rubén Hervás Milán. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2016-10-13.

Adjustable lock-in circuit for phase-locked loops

Номер патента: US20060226915A1. Автор: Sangbeom Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Method for observation of surface charge density and its middle position in flat dielectrics

Номер патента: RU2287835C2. Автор: Николай Михайлович Алейников,Алексей Николаевич Алейников,Ирина Сергеевна Попова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2006-11-20.

DEVICE FOR OBSERVATION OF THE ORAL CAVITY

Номер патента: US20120003602A1. Автор: Koch Thorsten,Waldmeier Michael,Dalitz Werner,Port Holger. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Device for recovery of signal level in circuits with programmable switching

Номер патента: RU2469472C1. Автор: Сергей Александрович Цыбин,Сергей Иванович Курганский,Алексей Викторович Быстрицкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторско-технологический центр "ЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2012-12-10.

Method to control resistance of solid-state instruments and resistive matrix of memory based on pole-dependent electric mass transfer in silicon

Номер патента: RU2471264C2. Автор: Борис Аркадьевич Панфилов. Владелец: Борис Аркадьевич Панфилов. Дата публикации: 2012-12-27.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

Device for dynamic changing of memory addresses

Номер патента: RU2115160C1. Автор: Виктор Павлович Якуш,Михаил Михайлович Татур. Владелец: Михаил Михайлович Татур. Дата публикации: 1998-07-10.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Method of making electromechanical memory element with movable electrodes

Номер патента: RU2584267C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Алексей Сергеевич Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-05-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.