Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: WO2021119003A1
Опубликовано: 17-06-2021
Автор(ы): AbdelHakim S. Alhussien, James Fitzpatrick, Patrick Robert Khayat, Sivagnanam Parthasarathy, Violante Moschiano
Принадлежит: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US11662905B2. Автор: Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271415A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11775217B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and data encoding and decoding method to mitigate inter-cell interference

Номер патента: US09984752B2. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09851912B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US12046296B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Improved reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US20210350856A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Improved Reading of Soft Bits and Hard Bits from Memory Cells

Номер патента: US20220139468A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Compound Feature Generation in Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20210271422A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11762599B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Self Adapting Iterative Read Calibration to Retrieve Data from Memory Cells

Номер патента: US20210311668A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271416A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Read threshold adjustment techniques for non-binary memory cells

Номер патента: US11494114B1. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory system using non-linear filtering scheme and read method thereof

Номер патента: US09892796B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Jinman Han,Young-Seop Shim,Pilsang Yoon,Dongsup Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20170075604A1. Автор: Tokumasa Hara,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory system

Номер патента: US20230282257A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US12087396B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system with dynamic calibration using a trim management mechanism

Номер патента: US11721399B2. Автор: Larry J. Koudele,Michael Sheperek,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10847230B2. Автор: Shuou Nomura,Yuki Ando. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200090761A1. Автор: Shuou Nomura,Yuki Ando. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20230367504A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US11989443B2. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Operation method of memory system, memory system and electronic device

Номер патента: US20240176500A1. Автор: Jie Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and control method

Номер патента: US20240053903A1. Автор: Masahiro Saito,Kiwamu Watanabe,Yoshiki Takai,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US11990186B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system

Номер патента: US12001687B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device, memory system, and read operation method thereof

Номер патента: EP4437541A1. Автор: LEI Jin,Ying Huang,Hongtao Liu,Lei GUAN,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory system

Номер патента: US20230298671A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: EP4432098A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: US20240311016A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, memory system, and method of operating the memory system

Номер патента: EP4181140A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory systems

Номер патента: US09747993B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system

Номер патента: US20240021250A1. Автор: Masamichi Fujiwara,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system

Номер патента: US11763893B2. Автор: Masamichi Fujiwara,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system

Номер патента: US20210110875A1. Автор: Masamichi Fujiwara,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170301400A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system that handles access to bad blocks

Номер патента: US09728275B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory scrubbing in a mirrored memory system to reduce system power consumption

Номер патента: US09891990B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Marc A. Gollub,Tony E. Sawan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09891848B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Tokumasa Hara,Kenichiro Yoshii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory scrubbing in a mirrored memory system to reduce system power consumption

Номер патента: US09864653B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Marc A. Gollub,Tony E. Sawan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20170109231A1. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system including semiconductor memory and controller

Номер патента: US12073885B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Tokumasa Hara,Shirou Fujita,Ikuo Magaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: US20230315325A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory systems and operation methods thereof, memory controllers and memories

Номер патента: US20240126478A1. Автор: Hua Tan,Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: US11941281B2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system

Номер патента: US20180246660A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Katsuki Matsudera,Yukihiro Utsuno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Memory system and control method

Номер патента: US20170262334A1. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory device, memory system, and control method performed by the memory system

Номер патента: US09652180B2. Автор: Su-Ryun LEE,Sang-Cheol Lee,Youn-Won Park,Byung-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Power management for a memory system

Номер патента: US12050785B2. Автор: Feifei Zhu,Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Volatile memory device included in memory system and method for extending life expectancy thereof

Номер патента: US20240248610A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09799404B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and memory system performing request-based refresh, and operating method of the memory device

Номер патента: US09940991B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system

Номер патента: US12135898B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory, operation method of memory, and operation method of memory system

Номер патента: US20240248614A1. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09792172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230420021A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device and memory system

Номер патента: EP4297033A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11947810B2. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hyeran Kim,Sungrae Kim,ChiSung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: EP4202939A1. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: EP3964972A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US11869571B2. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Adaptive wear leveling for a memory system

Номер патента: US20240012751A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240201868A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hyeran Kim,Sungrae Kim,ChiSung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US12033686B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220383931A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220122648A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220310151A1. Автор: Jung-hwan Choi,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha,Ki-Seonk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20230317138A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US11749337B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US11749338B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US12106794B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory controller, memory system with improved threshold voltage distribution characteristics, and operation method

Номер патента: US11894079B2. Автор: Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Hyeji Lee,Raeyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4312216A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Controller and memory system having the controller

Номер патента: US11853570B2. Автор: Hoe Seung JUNG,Chan Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240028221A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system refresh management

Номер патента: US20230393748A1. Автор: YANG LU,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20230418487A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system and memory controller

Номер патента: US11869601B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kenji Sakurada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Address verification at a memory system

Номер патента: US20240045617A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180059971A1. Автор: Keun-Woo Lee,Won-Jin Jung,Ga-Ram HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and memory system for legacy hosts

Номер патента: EP1952404A2. Автор: Carlos Gonzalez,Kevin M. Conley,Daniel C. Guterman,Yoram Cedar,Charles Schroter,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate signal control circuit for ddr memory system

Номер патента: US20220164136A1. Автор: Sivaramakrishnan Subramanian,Sridhar Cheruku,Hong-Yi Wu,Ko-Ching Chao. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09928006B2. Автор: Dong-ku Kang,Chul-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory system

Номер патента: US20180081575A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20210263674A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory device, memory system, and operation method of memory device

Номер патента: US20210327476A1. Автор: Ki-Seok OH,DongHun Lee,Young-Soo Sohn,Young-Hoon SON,Hyun-Yoon Cho,Kyung-Soo Ha,Changkyo LEE,Daesik Moon,Seokhun Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240274173A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Cheolhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US09658788B2. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory chip, memory system, and method of accessing the memory chip

Номер патента: US09830083B2. Автор: Chul-Sung Park,Joo-Sun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Controller and memory system having the same

Номер патента: US20220165329A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Controller and memory system for refreshing memory based on fail bits and temperature

Номер патента: US11742015B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09747058B2. Автор: Hyun-Joong Kim,Ju-Yun JUNG,Soo-Hyeong KIM,Gi-Won Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09881662B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09552865B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Fault tolerant memory system

Номер патента: US20200034230A1. Автор: Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard,Reiley JEYAPAUL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system with region-specific memory access scheduling

Номер патента: EP4462270A2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-11-13.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: US20240038319A1. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A3. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A2. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Memory device performing ecs operation, operation method of the memory device, memory system, electronic device, and electronic system

Номер патента: US20240161807A1. Автор: Youngbin LEE,Saemi Song,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240185906A1. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230170009A1. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US11908507B2. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: EP4141640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160357472A1. Автор: Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Object management in tiered memory systems

Номер патента: WO2022132481A1. Автор: Reshmi Basu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory system, operating method and controller

Номер патента: US20230367497A1. Автор: Kerem Akarvardar,Xiaoyu Sun,Rawan NAOUS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190278706A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Do-Sun HONG,Won Gyu SHIN,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180074710A1. Автор: Jong-Min Lee,Jee-Yul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Memory system

Номер патента: US12099735B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Kousuke Fujita,Iku ENDO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Metadata allocation in memory systems

Номер патента: US20240020016A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Metadata allocation in memory systems

Номер патента: US12019877B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory controller and operation method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240160369A1. Автор: Youxin He,Huadong HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of operating memory system and memory system performing the same

Номер патента: US20240319882A1. Автор: Young Bong KIM,Changho Choi,Eun-Kyung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Application defined multi-tiered wear-leveling for storage class memory systems

Номер патента: EP3752923A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Memory system and memory system control method

Номер патента: US11954357B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cell folding operations using host system memory

Номер патента: US20240160352A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Jameer Mulani,Ritesh Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Data relocation scheme selection for a memory system

Номер патента: US12032853B2. Автор: Nicola Colella,Rakeshkumar Dayabhai Vaghasiya,Dhruv Chauhan,Mani Raghavendra Aravapalli,Anil Sindhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20200174667A1. Автор: Young-Gyun Kim,Geu-Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system for managing namespace using write pointer and write count, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12131042B2. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and method for delta writes

Номер патента: US09904472B2. Автор: Abhijeet Manohar,Judah Gamliel Hahn,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US20230418491A1. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180004677A1. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and method for wear-leveling by swapping memory cell groups

Номер патента: US10360157B2. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: EP4390648A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4459473A2. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Managing power consumption associated with communicating data in a memory system

Номер патента: US20240311053A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20210208967A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240329882A1. Автор: Hiroki MIURA,Naoto Oshiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US12086423B1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20240319889A1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method of estimating read voltages thereof

Номер патента: US20240319907A1. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Operating method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: US09785379B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US20210055884A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034654A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory system

Номер патента: US20170242585A1. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system in which a host and a controller store a command and a response to the command by using a circular queue

Номер патента: US12118243B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Erase operation for a memory system

Номер патента: US20240176491A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Amiya Banerjee,Ritesh Tiwari,Shreesha Prabhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Prioritization of background media management operations in memory systems

Номер патента: US20230401007A1. Автор: Luca Porzio,Ciro Feliciano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory system and operation thereof

Номер патента: US20240126450A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200379681A1. Автор: Joo-young Lee,Hoe-Seung JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Memory system and memory control method

Номер патента: US11809708B2. Автор: Hisashi Fujikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system and operation thereof

Номер патента: WO2024082136A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20240028199A1. Автор: Hisashi Fujikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4384917A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US20240220112A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: WO2024145064A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. (dba Solidigm). Дата публикации: 2024-07-04.

Reservation of memory in multiple tiers of memory

Номер патента: US20230305720A1. Автор: Matthew J. Adiletta,Slawomir PUTYRSKI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Data processing systems including a data encoder that reads in data from and returns data to an external memory system

Номер патента: US12086454B2. Автор: Olof Henrik Uhrenholt,Andreas Due Engh-Halstvedt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US12118215B2. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system for determining usage of a buffer based on i/o throughput and operation method thereof

Номер патента: US20210011642A1. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory controller and memory system for executing error correction operation

Номер патента: US20230280930A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Executable memory cell

Номер патента: US20200293223A1. Автор: Viacheslav DUBEYKO,Luis Vitorio Cargnini. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Executable memory cell

Номер патента: WO2020185282A1. Автор: Viacheslav DUBEYKO,Luis Vitorio Cargnini. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-09-17.

Operating method for a memory, a memory, and a memory system

Номер патента: US20240168642A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Data replication in memory systems

Номер патента: US20180121099A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-03.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Data replication in memory systems.

Номер патента: EP3311280A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-04-25.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210389903A1. Автор: Seung Gu JI,Hyung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US20230289096A1. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US12079514B2. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system

Номер патента: US09891837B2. Автор: Hiroyuki Moro,Yohei Hasegawa,Yoshiki Saito,Tokumasa Hara,Yoshihisa Kojima,Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20230266923A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20180074758A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-03-15.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20220147478A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2022-05-12.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US12014089B2. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-18.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US09778877B1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Hierarchical memory system compiler

Номер патента: US09678669B2. Автор: Sundar Iyer,Sanjeev Joshi,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory system

Номер патента: US20160070471A1. Автор: Hiroyuki Moro,Yohei Hasegawa,Yoshiki Saito,Tokumasa Hara,Yoshihisa Kojima,Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210056025A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09665425B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09563503B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Arithmetic control device, memory system including the same, information processing device, and arithmetic control method

Номер патента: US20160371057A1. Автор: Kazuya Matsuzawa,Takao Marukame,Yuuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09875803B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system and memory device

Номер патента: US12033693B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and memory device

Номер патента: US20240321348A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: US20240311232A1. Автор: Masahiro Saito,Kiwamu Watanabe,Yoshiki Takai,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system including semiconductor memory and controller capable of determining necessary shifted boundary read voltages in a short period of time

Номер патента: US12068044B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system performing read operation with read voltage

Номер патента: US11984167B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory system

Номер патента: US09928138B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system

Номер патента: US10957400B1. Автор: Kazuhisa Horiuchi,Koji Horisaki,Youyang Ng,Ryo Yamaki,Gibeom PARK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8027194B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-27.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20190103169A1. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyuk BANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory system that uses NAND flash memory as a memory chip

Номер патента: US11309051B2. Автор: Takehiko Amaki,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory system

Номер патента: US20210295941A1. Автор: Takehiko Amaki,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Arithmetic control device, memory system including the same, information processing device, and arithmetic control method

Номер патента: US10048938B2. Автор: Kazuya Matsuzawa,Takao Marukame,Yuuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20210082498A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20190325951A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230251928A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shuou Nomura,Ryo Yamaki,Yuki MANDAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US10861535B2. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Memory system and memory control method

Номер патента: US11940871B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shuou Nomura,Ryo Yamaki,Yuki MANDAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: EP3844680A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Memory system and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11908526B2. Автор: Kenji Sakurada,Naoto Kumano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog memory system for use in a deep learning neural network

Номер патента: EP4138079A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Performing an operation on a memory cell of a memory system at a frequency based on temperature

Номер патента: US20190341117A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Performing an operation on a memory cell of a memory system at a frequency based on temperature

Номер патента: EP3750158A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US11238925B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor storage device and memory system including semiconductor storage device and controller

Номер патента: US11790986B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Analog neural memory system for deep learning neural network comprising multiple vector-by-matrix multiplication arrays and shared components

Номер патента: US20200272886A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Multi-channel memory system using asymmetric channel frequency scaling and related power management method

Номер патента: US09747963B2. Автор: Yi-Chih Huang,Ming-Hsien Lee,Yun-Ching Li,Chun-Fang Peng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system and timing control method of the same

Номер патента: US20050010741A1. Автор: Jung-Bae Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Techniques for enhanced system performance after retention loss

Номер патента: US20240273023A1. Автор: Deping He,Chun Sum Yeung,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US09747994B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: EP2901286A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system, reading method, program, and memory controller

Номер патента: US10600489B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Optimization of soft bit windows based on signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US11875846B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Optimization of soft bit windows based on signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US20240185915A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09859015B2. Автор: Tae-hyun Kim,Yoon-hee Choi,Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Techniques for enhanced system performance after retention loss

Номер патента: US11983112B2. Автор: Deping He,Chun Sum Yeung,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system

Номер патента: US20190294495A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: WO2014051776A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US9601210B2. Автор: Yusuke Ochi,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory system to determine inference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US20140185375A1. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Memory system

Номер патента: US20200234776A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory system

Номер патента: US11322210B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1316963A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yutaka Okamoto,Riichiro Shirota,Hideo Kato,Masamichi Asano,Seiichi Aritome,Hiroto Nakai,Yoshihisa Iwata,Kaoru Tokushige,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1315171A3. Автор: Masamichi Asano,Kaoru Tokushige,Tomoharu Toshiba Corporation Tanaka,Masaki Toshiba Corporation Momodori,Hideo c/o Toshiba Corporation Kato,Hiroto c/o Toshiba Corporation Nakai,Yoshiyuki c/o Toshiba Corporation Tanaka,Riichiro Int. Prop. Division Shirota,Seiichi Int. Prop. Division Aritome,Yasuo Int. Prop. Division Itoh,Yoshihisa Int. Prop. Division Iwata,Hiroshi c/o Toshiba Corporation Nakamura,Hideko c/o Toshiba Corporation Odaira,Yutaka c/o Toshiba Corporation Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US09966146B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Daiki Watanabe,Naomi Takeda,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

A method and apparatus for scrubbing accumulated data errors from a memory system

Номер патента: EP2446361A4. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160224440A1. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Classification of error rate of data retrieved from memory cells

Номер патента: US12009034B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Signal monitoring by memory system

Номер патента: WO2024168574A1. Автор: Deping He,Huachen Li. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US20210397232A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US11662786B2. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09881671B2. Автор: Jun Jin Kong,Eun Chu Oh,Hong-rak Son,Young-Geon YOO,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system with MLC memory cells and partial page compression or reduction

Номер патента: US09858994B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for encoding and decoding data in memory system

Номер патента: US09792176B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Yaron Shany,Elona Erez,Evgeny BLAICHMAN,Moshe Twitto,Yoav Shereshevski. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory, memory system, operation method of the memory, and operation of the memory system

Номер патента: US12073902B2. Автор: Ah Reum Han,Kyung Whan Kim,Sun Hwa Park,Sung Joo Ha,Kee Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US12117901B2. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20240363185A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system

Номер патента: RU2628124C2. Автор: Цзюнь Чжу,Билл НЕИЛ,Джонатан К. ДЖАСПЕР,Джон В. ЛАВЛЕЙС,Муругасами К. НАЧИМУТУ,Туань М. ЦЮАЧ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory systems that adjust an auto-refresh operation responsive to a self-refresh operation history

Номер патента: US09767050B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Fifo memory system and fifo memory control method

Номер патента: US20240078201A1. Автор: Liming Xiu,Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system capable of generating notification signals

Номер патента: US09959185B2. Автор: Hsin-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Termination topology of memory system and associated memory module and control method

Номер патента: US09812187B2. Автор: Shang-Pin Chen,Bo-Wei Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Reducing latency in an expanded memory system

Номер патента: US09812186B2. Автор: Mingyu Chen,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12073217B2. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240338215A1. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: US20190080737A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system capable of re-mapping address

Номер патента: US20150199230A1. Автор: Mi-Kyoung Park,Sung-Ho Cho,Dong-yang Lee,Sun-Young Lim,Hee-Joo Choi,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO,Hyuk HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-16.

Supporting Calibration For Sub-Rate Operation In Clocked Memory Systems

Номер патента: US20150310903A1. Автор: Simon Li,Yohan U. Frans,Akash Bansal,Todd Bystrom,Kishore V. Kasamsetty,Arun Vaidyanath. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-10-29.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory systems and electronic systems performing an adaptive error correction operation with pre-checked error rate, and methods of operating the memory systems

Номер патента: US20180210786A1. Автор: Soojin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory system with a random bit block

Номер патента: US20200395081A1. Автор: Wein-Town Sun. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Noise reduction method and noise reduction apparatus

Номер патента: EP4195199A1. Автор: Ruchen WANG,Zhiheng CAI. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Memory system having resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164604A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20190267090A1. Автор: Noboru Shibata,Takahiro Shimizu,Weihan Wang. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20200090753A1. Автор: Noboru Shibata,Takahiro Shimizu,Weihan Wang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20210375372A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kenji Sakurada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US11557371B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor memory device, controller, and memory system

Номер патента: US20200133768A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Ki Jun LEE,Sung Hye Cho,Yong Gyu Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory devices and memory systems

Номер патента: US20210311820A1. Автор: Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20230088099A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kenji Sakurada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: EP4035010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: WO2021061365A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210090681A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20190378548A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US10997020B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US11031065B2. Автор: Hyun-Gi Kim,Sang-Uhn CHA,In-Woo JUN,Hoon SIN,Ye-sin Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-08.

Memory system

Номер патента: US11455218B2. Автор: Hyun-Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11798619B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230326511A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230359524A1. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336011A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US11740967B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240160732A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20140043920A1. Автор: Young Man Ahn,Jun Hee SHIN,Seung Mo JUNG,You Keun HAN,Sang Jhun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Read window management in a memory system

Номер патента: US20240021264A1. Автор: Ting Luo,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Managing Open Blocks in Memory Systems

Номер патента: US20210397510A1. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Variable resistance memory device including bidirectional switch, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180144793A1. Автор: Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-24.

Memory controller determining endurance degradation, memory system including the same, and method of operating the memory controller

Номер патента: US20200159619A1. Автор: Young-Jin Cho,Jeong-Ho Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: EP4376006A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Pattern-based activation of memory power consumption mode

Номер патента: US12019497B2. Автор: Jun Shen,Guang Chang Ye,Tao Xiong,Jizhe Xing. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Pattern-based activation of memory power consumption mode

Номер патента: US20240302885A1. Автор: Jun Shen,Tao Xiong,Jizhe Xing,Guang Chng Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for preventing data remanence in memory systems

Номер патента: US09646177B2. Автор: Bruce B. Pedersen,Dirk A. Reese. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and method using ECC to achieve low power refresh

Номер патента: US7184352B2. Автор: Dean A. Klein,John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-27.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US20240095122A1. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system

Номер патента: US20240028529A1. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system

Номер патента: US11853238B2. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Mechanism for facilitating dynamic multi-mode memory packages in memory systems

Номер патента: WO2014004029A1. Автор: Christopher E. Cox,Christopher P. Mozak,Revecca Z. LOOP. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-01-03.

Touch control apparatus and noise compensating circuit and method thereof

Номер патента: US09830018B2. Автор: Chang-Po Chao,Yi-Chuan Lu,chang-xian Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-11-28.

Performing processing-in-memory operations related to pre-synaptic spike signals, and related methods and systems

Номер патента: US20240273349A1. Автор: Dmitri Yudanov,Hernan A. Castro,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: AU2021216710B2. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: US11809982B2. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: GB2608299A. Автор: Yasuda Takeo,Okazawa Junka,Hosokawa Kohji,Iwashina Akiyo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: WO2021156755A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system, semiconductor storage device, and signal processing system

Номер патента: US20190035449A1. Автор: Kenichiro Yamada,Kosuke Tatsumura,Daisuke Saida,Yousuke Isowaki,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: US20240020522A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: AU2021216710A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Synapse memory cell driver

Номер патента: US20190228295A1. Автор: Takeo Yasuda,Masatoshi Ishii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory system

Номер патента: US09799406B2. Автор: Manabu Sato,Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Takahiro Shimizu,Daiki Watanabe,Naomi Takeda,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system

Номер патента: US11909415B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Masahiro Kiyooka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Monotonic counter memory system

Номер патента: US20220345135A1. Автор: Chuen-Der Lien,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for simulating the noise characteristics of phase locked loops in transient analysis

Номер патента: EP1462967A3. Автор: Oskar Leuthold. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2005-08-17.

Cache memory system and processor system

Номер патента: US09740613B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system with in stream data encryption/decryption and error correction

Номер патента: WO2006069273A3. Автор: Matthew Davidson,Michael Holtzman,Baruch B Cohen,Muhammed R Islam. Владелец: Muhammed R Islam. Дата публикации: 2006-11-16.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Memory system and method

Номер патента: US20240320076A1. Автор: Hiroki Kobayashi,Hirokazu Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system performing garbage collection operation by exchanging information related to garbage collection with host and method of operating the memory system

Номер патента: US11853202B2. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory system performing garbage collection operation by exchanging information related to garbage collection with host and method of operating the memory system

Номер патента: US20240086318A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Power system model calibration using measurement data

Номер патента: US20240296261A1. Автор: Xiaofan Wu,Ulrich Muenz,Suat Gumussoy. Владелец: Siemens Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Hardware implementation of a temporal memory system

Номер патента: US20180046899A1. Автор: Dimitrios Rodopoulos,Robin Degraeve. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-02-15.

File system performance enhancement

Номер патента: WO1999042934A3. Автор: Michael R Faulkner. Владелец: Storm Systems Llc. Дата публикации: 2000-01-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US9218312B2. Автор: Byoung-Sul Kim,Hak-Yong Lee,Jun-Ho Jo,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

On-chip memory system for a reconfigurable parallel processor

Номер патента: US12093214B2. Автор: YUAN Li,Toshio Nagata,Jianbin Zhu,Ryan Braidwood. Владелец: Azurengine Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Partitioned cryptographic protection for a memory system

Номер патента: US20240061963A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods and devices for layered performance matching in memory systems using C-AMAT ratios

Номер патента: US09846646B1. Автор: Xian-He Sun,Yu-Hang Liu. Владелец: C-Memory LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Generating approximate usage measurements for shared cache memory systems

Номер патента: US09697126B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Method and device for determining the frequency distribution of the signal levels of a measured signal measured in overlapping observation intervals

Номер патента: US8380453B2. Автор: Kurt Schmidt. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-02-19.

Systems and methods for dynamic tracking of memory regions

Номер патента: US9329987B1. Автор: Jun Zhu,Ofer Zaarur. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Method and device for determining the frequency distribution of the signal levels of a measured signal measured in overlapping observation intervals

Номер патента: US20100305894A1. Автор: Kurt Schmidt. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-02.

Electronic device for modeling non-linear memory system and operation method therefor

Номер патента: US20240106692A1. Автор: Hongmin Choi,Sumin KIM,Hyung Sun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Application programming interface enabling application programs to control allocation of physical memory in a virtual memory system

Номер патента: EP1023661A1. Автор: G. Eric Engstrom,Craig G. Eisler. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Cache memory system and method of a computer

Номер патента: US6173365B1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Fault and noise tolerant system and method

Номер патента: US20030034786A1. Автор: Pyung-soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A2. Автор: Michal Polak. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2004-09-02.

Reset techniques for protocol layers of a memory system

Номер патента: US20240297928A1. Автор: Junjun Wang,Zhanqiang Su. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media enhancement using discriminative and generative models with feedback

Номер патента: US12136189B2. Автор: Zhe Lin,Akhilesh Kumar,Baldo Faieta. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Symbol lock method and a memory system using the same

Номер патента: US09898438B2. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Low voltage detection and initialization for non-volatile memory systems

Номер патента: US09886080B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Bhavin Odedara,Srikanth Bojja,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Rampraveen Somasundaram,Anil Kumar Thadi Suryaprakash,Ajay Dhingra,Jayanth Thimmaiah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Sorting system using cascaded modules with levels of memory cells among which levels data are displaced along ordered path indicated by pointers

Номер патента: US5204967A. Автор: Philip N. Armstrong. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-20.

Memory system

Номер патента: US20190087264A1. Автор: Kazumasa Yamamoto,Masamichi Fujiwara,Hironori Uchikawa,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Naoaki Kokubun,Tsukasa TOKUTOMI,Tatsuro Hitomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory system

Номер патента: US20210165713A1. Автор: Kazumasa Yamamoto,Masamichi Fujiwara,Hironori Uchikawa,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Naoaki Kokubun,Tsukasa TOKUTOMI,Tatsuro Hitomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory system

Номер патента: US20190377636A1. Автор: Kazumasa Yamamoto,Masamichi Fujiwara,Hironori Uchikawa,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Naoaki Kokubun,Tsukasa TOKUTOMI,Tatsuro Hitomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory system

Номер патента: US11892907B2. Автор: Kazumasa Yamamoto,Masamichi Fujiwara,Hironori Uchikawa,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Naoaki Kokubun,Tsukasa TOKUTOMI,Tatsuro Hitomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Pseudo-hierarchy memory system

Номер патента: US3736574A. Автор: J Gersbach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-05-29.

Resistance memory cell

Номер патента: US9934851B2. Автор: Mark D. Kellam,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system

Номер патента: US09721666B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory system and read method

Номер патента: US12062400B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory system

Номер патента: US20220301625A1. Автор: Takashi Maeda,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Keisuke Nakatsuka,Hideto Horii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory, programming method therefor and memory system

Номер патента: US12068035B2. Автор: Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system and writing method

Номер патента: US09830983B1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile memory with data refresh based on data states of adjacent memory cells

Номер патента: US11972812B2. Автор: Yi Song,Jun Wan,Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11342026B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system including a memory chip configured to receive an erase suspend command and a program suspend command from a controller chip

Номер патента: US09947411B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Operating method for a memory, a memory and a memory system

Номер патента: US20240233834A9. Автор: Boxuan Cheng,Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of reducing program operation time in 3d nand memory systems

Номер патента: US20240296889A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240268133A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Using embedded switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240331740A1. Автор: Yih Wang,Chia-Ta Yu,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09928917B2. Автор: Hyun-Jin Shin,Ho Young SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US09824765B2. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09653157B1. Автор: Ki-Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12033700B2. Автор: Katsuya KANAMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for programming memory system

Номер патента: EP3853854A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Memory system having programmable control parameters

Номер патента: US5801985A. Автор: Michael S. Briner,Darrell D. Rinerson,Christophe J. Chevallier,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: WO2023219813A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US11955184B2. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US20230368846A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190287622A1. Автор: Tatsuo Izumi,Kazuharu YAMABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system

Номер патента: US20200090740A1. Автор: Akihiko Sakai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US10762955B2. Автор: Akihiko Sakai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Memory system

Номер патента: US20170243657A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US11804267B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: WO2024066033A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system

Номер патента: US20150206590A1. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Kiwamu Sakuma,Hideaki Aochi,Tokumasa Hara,Yoshiaki Fukuzumi,Masumi SAITOH,Shirou Fujita,Ikuo Magaki,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: US20240112741A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, memory system, and program method thereof

Номер патента: US20240185925A1. Автор: Hongtao Liu,Chenhui Li,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20210193228A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20200185036A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system

Номер патента: US20190214090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20220328103A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20230420052A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system

Номер патента: US11574686B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Memory system and read method

Номер патента: US20230298672A1. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US20220415411A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory system

Номер патента: US20240096423A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Dongxiao Yu,Masahiro Kiyooka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system

Номер патента: US20240071477A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga,Nobuyuki Momo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for programming a memory system

Номер патента: US20240006004A1. Автор: Haibo Li,Yu Wang,Man Lung Mui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20200402596A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Riki SUZUKI,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory and controlling method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240164105A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system

Номер патента: US11342040B2. Автор: Kazuhisa Horiuchi,Koji Horisaki,Youyang Ng,Ryo Yamaki,Gibeom PARK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and programming method thereof

Номер патента: US8446773B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US5903495A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Memory system

Номер патента: US11862246B2. Автор: Takashi Maeda,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Keisuke Nakatsuka,Hideto Horii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Systems and methods for detecting erratic programming in a memory system

Номер патента: US11817157B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US20230386587A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: WO2023226417A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system

Номер патента: US11211138B2. Автор: Kiwamu Watanabe,Tsukasa TOKUTOMI,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

Memory system and read method

Номер патента: US11881265B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Nonvolatile memory devices and memory systems

Номер патента: US20190074048A1. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240112736A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240127890A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240105263A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20230420062A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: WO2023246931A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device and memory system

Номер патента: US11923020B2. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system

Номер патента: US20230420067A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Ryo Yamaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system

Номер патента: US20210090682A1. Автор: Kiwamu Watanabe,Tsukasa TOKUTOMI,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: WO2023197774A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory system and method

Номер патента: US11581052B2. Автор: Akiyoshi Hashimoto,Takeshi Tomizawa,Katsuhiko Ueki,Makoto Kuribara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Flash memory device for outputing data in synch with a first signal in an SDR mode and a DDR mode and a flash memory system including the same

Номер патента: US09715936B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory system storing 4-bit data in each memory cell and method of controlling thereof including soft bit information

Номер патента: US09934847B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US12002499B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12080352B2. Автор: Yasuyuki Ushijima,Hisaki Niikura,Kyoka KONISHI,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method for writing data to memory cells so as to enable faster reads of the data using dual wordline drivers

Номер патента: US5959897A. Автор: Christophe J. Chevallier,Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman,Darrell D. Binerson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20230005548A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20210035645A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: WO2024210913A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: US20240339136A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory system with a plurality of erase blocks

Номер патента: US5465236A. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Memory system, method and predecoding circuit operable in different modes for selectively accessing multiple blocks of memory cells for simultaneous writing or erasure

Номер патента: US20050281121A1. Автор: Christophe Chevallier,Vinod Lakhani,Mathew Adsitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Reading Memory Cells Coarsely Programmed via Interleaved Two-Pass Data Programming Techniques

Номер патента: US20220199154A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory system for processing data from memory device, and method of operating the same

Номер патента: US9368195B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Flash memory device and flash memory system including the same

Номер патента: US20090213659A1. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US20240233843A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system with uniform decoder and operating method of same

Номер патента: US09633702B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Kin-Chu Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Read circuit and memory system

Номер патента: US20240274166A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-08-15.

Intelligent proactive responses to operations to read data from memory cells

Номер патента: US11081200B1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Model for predicting memory system performance

Номер патента: US20240055046A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Environmental condition tracking for a memory system

Номер патента: US11817168B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: EP2519950A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Номер патента: US5920501A. Автор: Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Method and memory system for redundantly storing sensible data and adjusting a reference value

Номер патента: EP4365904A1. Автор: Osama Khouri,Yves Godat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-05-08.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Memory system and control method

Номер патента: US9286995B2. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-15.

Memory system including memory device performing target refresh

Номер патента: US11749371B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory array utilizing multi-state memory cells

Номер патента: WO1996025742A1. Автор: Manzur Gill. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-08-22.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US11929127B2. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: WO2023034326A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US20230377661A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Data programming techniques to store multiple bits of data per memory cell with high reliability

Номер патента: US11830545B2. Автор: James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device for compensating for operating voltage difference between near cell and far cell in consideration of cell position, and memory card and memory system including the same

Номер патента: US20100182866A1. Автор: Ho Jung Kim,Young Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

Simplified Operations to Read Memory Cells Coarsely Programmed via Interleaved Two-Pass Data Programming Techniques

Номер патента: US20220199173A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Low power content addressable memory system and method

Номер патента: US20060171184A1. Автор: Rajiv Kumar,Anoop Khurana. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Photon memory system

Номер патента: US09875797B1. Автор: Alex DIGGINS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09633728B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09691477B2. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory system

Номер патента: US20040246774A1. Автор: Kenneth Smith,Kenneth Eldredge,Andrew Van Brocklin,Peter Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-09.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US7035134B2. Автор: Samuel D. Naffziger,Scott A. Anderson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory system with encoding

Номер патента: US09824732B2. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09773551B2. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US20230317134A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US12057159B2. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Multiple read port memory system with a single port memory cell

Номер патента: US20140198595A1. Автор: Jagreet S. Atwal,Thoai Thai Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system

Номер патента: US20240304229A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Takaya Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory for storing the number of activations of a wordline, and memory systems including the same

Номер патента: US09799390B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor storage device, host controlling the same, and memory system including the semiconductor storage device and the host

Номер патента: US20130155779A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US12062408B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240355364A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and memory system having repair unit modification function

Номер патента: US09767922B2. Автор: Chang-Soo Lee,Kwang-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory and memory system including the semiconductor memory

Номер патента: US09659621B2. Автор: Chul Woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Current-based superconductor memory cell and methods

Номер патента: EP3803874A1. Автор: Quentin P. Herr,Haitao O. Dai,Randall M. Burnett,Randal L. Posey. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20240274720A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Compute in memory system

Номер патента: US12073869B2. Автор: Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory system

Номер патента: US12094566B2. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Variable resistance memory and memory system including the same

Номер патента: US8379441B2. Автор: Deok-kee Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system

Номер патента: US12068049B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of voltage calibration and apparatus thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240379135A1. Автор: Tianyi YE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory system

Номер патента: US20230087475A1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Keeper-free volatile memory system

Номер патента: US12131775B2. Автор: Lalit Gupta,Jesse Wang,Andreas Jon Gotterba,Stefan P Sywyk. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory module and memory system

Номер патента: US09990982B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoshinori Matsui,Toshio Sugano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory controller, memory system including the same, and electronic device including the memory system

Номер патента: US09767869B2. Автор: In Sung Joe,Dong Jae Shin,Hyunil Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US11817147B2. Автор: Makoto Kitagawa,Adam Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory System Having Distributed Read Access Delays

Номер патента: US20100027357A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

Memory system segemented power supply and control

Номер патента: WO2005066968A1. Автор: Joseph T. Kennedy,Stephen R. Mooney,Robert M. Ellis. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Memory system segemented power supply and control

Номер патента: EP1700311A1. Автор: Joseph T. Kennedy,Stephen R. Mooney,Robert M. Ellis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory, memory system including the same and method for operating memory

Номер патента: US20150043292A1. Автор: Choung-Ki Song,Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and system for replacement of memory cells

Номер патента: US20240339169A1. Автор: Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Timing control in a quantum memory system

Номер патента: US09761305B2. Автор: William Robert Reohr,Steven Brian SHAUCK,Donald Lynn Miller,Jeremy William Horner,Nathan Trent Josephsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system with small size antifuse circuit capable of voltage boost

Номер патента: US09741446B2. Автор: Wei-Wu Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory and memory system

Номер патента: US09741406B2. Автор: Kazutaka KIKUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system

Номер патента: US20090238023A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Method and system for replacement of memory cells

Номер патента: US12046317B2. Автор: Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20180090206A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method and system for iteratively testing and repairing an array of memory cells

Номер патента: US20130232384A1. Автор: Yosef Solt,Michael Levi,Reshef Bar Yoel,Yosef Haviv. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20150170740A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20160254051A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: EP4390928A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: US20240203518A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory package performing training operation using address-delay mapping and memory system including the same

Номер патента: US20240257848A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Hwanseok KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory System for seamless switching

Номер патента: US20090282280A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory system including apparatus for testing memory elements by writing and verifying data patterns

Номер патента: US5825782A. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Memory system incorporating a memory cell and timing means on a single semiconductor substrate

Номер патента: GB1445010A. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1976-08-04.

Small signal memory system with reference signal

Номер патента: US4270190A. Автор: James H. Atherton,Clifford P. Jindra. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20170365339A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Memory system and memory access interface device thereof including single data rate (SDR) and double data rate (DDR) modes

Номер патента: US12020773B2. Автор: Fu-Chin Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Dual mode memory system and method of working the same

Номер патента: US20190279701A1. Автор: Zhibiao Zhou,Yuanli Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices including processing elements, and memory systems including memory devices

Номер патента: US20220238148A1. Автор: Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Haesuk LEE,Kyomin Sohn,Sanghyuk Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Bi-directional differential low power sense amp and memory system

Номер патента: US20010009526A1. Автор: Michael Ouellette,John Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09646664B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory cell having negative differential resistance devices

Номер патента: US5883829A. Автор: Jan P. Van Der Wagt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of controlling memory and memory system thereof

Номер патента: US20100061156A1. Автор: Norio Fujita,Toshio Sunaga. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US20220383945A1. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11955159B2. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device, testing method and using method thereof, and memory system

Номер патента: US11854640B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240038292A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4312218A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11804258B2. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230420033A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system

Номер патента: US20220093198A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US20230298661A1. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: WO2022250892A1. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20230040958A1. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: EP4348646A1. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory system

Номер патента: US20180277204A1. Автор: Hiroshi Yao,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system

Номер патента: US10366749B2. Автор: Hiroshi Yao,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Memory device and memory system

Номер патента: US20180277177A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20090180347A1. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory system with encoding

Номер патента: US20170040043A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240203475A1. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, memory system, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US12020737B2. Автор: Hisanori Aikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage excited piezoelectric resistance memory cell system

Номер патента: WO2009103054A1. Автор: Gilbert Springer. Владелец: 4D-S PTY LTD.. Дата публикации: 2009-08-20.

Voltage excited piezoelectric resistance memory cell system

Номер патента: US20100276655A1. Автор: Gilbert Springer. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Multiple-hot (multi-hot) bit decoding in a memory system for activating multiple memory locations in a memory for a memory access operation

Номер патента: US09830965B2. Автор: David Paul Hoff,Milind Ram KULKARNI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Address storage circuit and memory and memory system including the same

Номер патента: US09734888B2. Автор: Jae-il Kim,Seok-Cheol Yoon,Bo-Yeun Kim,Kyoung-Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory and memory system including the same

Номер патента: US09691467B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US10783961B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Igfet memory system

Номер патента: US3771147A. Автор: W Lynch,J Nelson,J Heightley,H Boll,J Koo,H Waggener,R Sard,S Waaben. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-11-06.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system with physical unclonable function

Номер патента: US20230317160A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: EP4123648A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-25.

Memory system having a source bias circuit

Номер патента: US20190333575A1. Автор: Nihaar N. Mahatme,Alexander Hoefler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US11823769B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US11929107B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device, memory system and electronic device

Номер патента: US20190252005A1. Автор: Chankyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor memory device and memory system including memory cell arrays and column selection transistors arranged to improve size efficiency

Номер патента: US11881283B2. Автор: Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US20160211018A1. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230143397A1. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US20230170005A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US11978529B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory system with physical unclonable function

Номер патента: US11990183B2. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US20230386538A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory System

Номер патента: US20210098051A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Reducing charge migration in a memory system

Номер патента: US20240170052A1. Автор: Amiya Banerjee,Kranthi Kumar Vaidyula,Jameer Mulani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory systems and devices that support methods for calibrating input offsets therein

Номер патента: US20240296876A1. Автор: Hae Young Chung,Yonghyun AN,Soyeong SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and memory system for performing target refresh operation

Номер патента: US20240347094A1. Автор: Hyun Seung Kim,Kang Seol Lee,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Signal retiming within memory systems

Номер патента: US20240363153A1. Автор: Gyan Prakash,Nidhir Kumar,Sandeep Dwivedi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Techniques to refresh memory systems operating in low power states based on temperature

Номер патента: US12051458B2. Автор: Christopher Joseph Bueb,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system including plurality of DRAM devices operating selectively

Номер патента: US09792974B2. Автор: Jonghwan KIM,Daekyoung Kim,Byungchul KO,Taewoong HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20220406358A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Signal sensing circuits for memory system using dynamic gain memory

Номер патента: US5646883A. Автор: Wolfgang Krautschneider,Klaus J. Lau. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-08.

Memory system with read-modify-write

Номер патента: US20080183984A1. Автор: Allen Brown,Dale Beucler. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US9876053B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20140362637A1. Автор: Sua Kim,Sung-hee Lee,Seung-Hwan Kim,Dae-sun Kim,Eui-chul Jeong,Dae-Sin Kim,Dong-Soo Woo,Na-Ra Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Номер патента: EP3044816A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for reverberation interference suppressing when measuring acoustic characteristics of active anti-sonar coating in limited waters

Номер патента: RU2647994C1. Автор: Валерий Юрьевич Гарин,Владимир Маркович Стефанский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-21.

Method and apparatus for determining at least one characteristic of a signal propagation path

Номер патента: WO2024161135A1. Автор: Peter James Duffett-Smith,Robert Mark Crockett,Ramsey Michael Faragher. Владелец: Focal Point Positioning Limited. Дата публикации: 2024-08-08.

Device and method for testing a noise immunity characteristic of analog circuits

Номер патента: US20090134883A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Yehim-Haim Fefer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-28.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US11037987B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Noise reducing device, noise reducing method, noise reducing program, and noise reducing audio outputting device

Номер патента: US09741332B2. Автор: Kohei Asada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

System and method for measuring vibration and noise characteristics

Номер патента: WO2019022688A2. Автор: Alper TEKELI,Selcuk CELIKEL,Fethi Semih OZKAN,Kazi Nasiruddin ADIL. Владелец: FORD OTOMOTIV SANAYI A.S.. Дата публикации: 2019-01-31.

System and method for measuring vibration and noise characteristics

Номер патента: US20200072660A1. Автор: Alper TEKELI,Selcuk CELIKEL,Fethi Semih OZKAN,Kazi Nasiruddin ADIL. Владелец: Ford Otomotiv Sanayi AS. Дата публикации: 2020-03-05.

Determining operating characteristics of signal generator using measuring device

Номер патента: US09632122B2. Автор: Xiaolong Li,Dara Sariaslani,David V. Blackham,Kenneth H. Wong,Loren C. Betts,Erwin F. Siegel,Michael C. Dobbert,Lisa Shenton,Bernadette Smith,Matt Todhunter. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and System for Active and Selective Preventive Cross-Force and Noise Control In a Vehicle

Номер патента: US20230311851A1. Автор: Thomas Walter,Dominik Matheis,Michele Rondinone,Daniel Kaszner. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Noise cancellation device and noise cancellation method

Номер патента: US20190108828A1. Автор: Chih-Kai Yang,Yi-Lun Cheng,Kuo-Chi TING. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Nuclear magnetic resonance method and apparatus for determining pore characteristics of rocks and other porous materials

Номер патента: EP1166140A1. Автор: Yi-Qiao Song,Seungoh Ryu. Владелец: Schlumberger NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Active noise-reduction earphones and noise-reduction control method and system for the same

Номер патента: US09928825B2. Автор: Song Liu,Bo Li,Linzhang WANG. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Device, system and method for determining error signal windows in a measurement signal

Номер патента: US20230273248A1. Автор: Christoph Steiner,Erik Winkelmann. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and method for testing electronic device, and noise blocking module therefor

Номер патента: US20150207575A1. Автор: Jin Jeong,Chris Chung. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Noise floor estimation and noise reduction

Номер патента: US12033649B2. Автор: Antonio Mateos Sole,Davide SCAINI,Giulio CENGARLE. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-07-09.

Combined active noise cancellation and noise compensation in headphone

Номер патента: US09911404B2. Автор: Guilin Ma,Xiguang ZHENG. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Wind turbine with a reflective memory system

Номер патента: US09828970B2. Автор: Robert Bowyer,Siew Hoon Lim. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-11-28.

Stand for testing acoustic characteristics of sound absorbing elements in industrial premises

Номер патента: RU2648123C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-03-22.

Image memory system for storing divided multibit digital images

Номер патента: US5604536A. Автор: Nobuhiro Takeda,Kan Takaiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-18.

MULTI-LAYERED CONDUCTIVE METAL OXIDE STRUCTURES AND METHODS FOR FACILITATING ENHANCED PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF TWO-TERMINAL MEMORY CELLS

Номер патента: US20210098534A1. Автор: Wu Jian,MEYER RENE. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

MULTI-LAYERED CONDUCTIVE METAL OXIDE STRUCTURES AND METHODS FOR FACILITATING ENHANCED PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF TWO-TERMINAL MEMORY CELLS

Номер патента: US20170110514A1. Автор: Wu Jian,MEYER RENE. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US20200119094A1. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

MULTI-LAYERED CONDUCTIVE METAL OXIDE STRUCTURES AND METHODS FOR FACILITATING ENHANCED PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF TWO-TERMINAL MEMORY CELLS

Номер патента: US20180130850A1. Автор: Wu Jian,MEYER RENE. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

MULTI-LAYERED CONDUCTIVE METAL OXIDE STRUCTURES AND METHODS FOR FACILITATING ENHANCED PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF TWO-TERMINAL MEMORY CELLS

Номер патента: US20190157348A1. Автор: Wu Jian,MEYER RENE. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

MULTI-LAYERED CONDUCTIVE METAL OXIDE STRUCTURES AND METHODS FOR FACILITATING ENHANCED PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF TWO-TERMINAL MEMORY CELLS

Номер патента: US20140346435A1. Автор: Wu Jian,MEYER RENE. Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US9484533B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US9818799B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US10186553B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US11289542B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US10535714B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Non-volatile memory systems based on single nanoparticles for compact and high data storage electronic devices

Номер патента: EP3880602A1. Автор: Moh'd Rezeq. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Sound and noise insulation plate

Номер патента: RU2745150C1. Автор: Елена Николаевна Раевская. Владелец: Елена Николаевна Раевская. Дата публикации: 2021-03-22.

Correction of shift and drift in impedance-based medical device navigation using measured impedances at external patch electrodes

Номер патента: US09610027B2. Автор: John A. Hauck,Lev A. Koyrakh,Jeffery A. Schweitzer. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Packet memory system

Номер патента: US20020071441A1. Автор: Michael Curtis,Adalberto Yanes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Rectifier stability enhancement using closed loop control

Номер патента: US20240039423A1. Автор: John Walley,Jim Le,Marc KEPPLER. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods to reduce idle channel current and noise floor in a pwm amplifier

Номер патента: US20110170709A1. Автор: Travis Guthrie,Daniel Chieng. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-07-14.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Multi Layered Conductive Metal Oxide Structures And Methods For Facilitating Enhanced Performance Characteristics Of Two Terminal Memory Cells

Номер патента: US20130082232A1. Автор: Wu Jian,MEYER RENE. Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-04.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

A data processing system performing just-in-time data loading

Номер патента: EP1410176A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: LB CAPITAL DI LUIGI PUGLIESE Sas. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for compensation of inter-channel additive noise in receivers of amplitude- modulated, frequency and phase-manipulated signals and device which implements said method

Номер патента: RU2100903C1. Автор: Владимир Васильевич Перьков. Владелец: Владимир Васильевич Перьков. Дата публикации: 1997-12-27.

Method of measuring signal-to-noise ratio

Номер патента: RU2414718C2. Автор: Алексей Вячеславович Зенькович,Виктор Львович Балло,Валентин Борисович Добровольский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Трудового Красного Знамени Центральный научно-исследовательский институт "Комета". Дата публикации: 2011-03-20.

Method to protect information processing system against side electromagnet radiation, device to realise method and noise signal generator for device realisation

Номер патента: RU2421917C1. Автор: Юрий Пантелеевич Лепеха,Вячеслав Михайлович Дёмин,Леонид Анатольевич Поярков. Владелец: Леонид Анатольевич Поярков. Дата публикации: 2011-06-20.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for correlation processing of mixture of harmonic signal and noise

Номер патента: RU2490701C2. Автор: Борис Наумович Вольфовский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2013-08-20.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.