Memory system capable of re-mapping address.

Memory system capable of re-mapping address

Номер патента: US20150199230A1
Опубликовано: 16-07-2015
Автор(ы): Bu-Il Jung, Dong-yang Lee, Hee-Joo Choi, Hyuk HAN, Ju-Yun JUNG, Mi-Kyoung Park, Min-Yeab CHOO, Sun-Young Lim, Sung-Ho Cho
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and method of reading data thereof

Номер патента: US09478298B2. Автор: Heung-Soo Lim,Hyun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system

Номер патента: US09928138B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system

Номер патента: US09711240B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system

Номер патента: US09442797B2. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system

Номер патента: US09685242B2. Автор: Mitsuhiko Sugiyama,Katsuhiko Ueki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09460781B1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US09547449B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system, program method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09460796B2. Автор: Song-ho Yoon,Woon-Jae Chung,In-Hwan Choi,Jun-Ho Jang,Kyung-wook Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US20240339168A1. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system and data encoding and decoding method to mitigate inter-cell interference

Номер патента: US09984752B2. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09917601B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system and operating method of the memory system for calibrating a history read bias based on a number of error bits generated in a read operation

Номер патента: US12039190B2. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09891848B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Tokumasa Hara,Kenichiro Yoshii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09881671B2. Автор: Jun Jin Kong,Eun Chu Oh,Hong-rak Son,Young-Geon YOO,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09495242B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09471422B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system

Номер патента: WO2019106484A1. Автор: Christian Jacobi,Barry Trager,Patrick Meaney. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system

Номер патента: US20190286571A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US20240333308A1. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system

Номер патента: US09929750B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Erika KAKU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system

Номер патента: US09606928B2. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US12073901B2. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: EP3794454A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: WO2019222488A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: US20190354421A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US20240304271A1. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Pooled frontline ecc decoders in memory systems

Номер патента: US20200081773A1. Автор: Paul Edward HANHAM,David Malcolm SYMONS,Francesco Giorgio,Jonghyeon Kim,Senthilkumar Diraviam. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: EP4361815A3. Автор: Jon C.R. Bennett. Владелец: VIOLIN SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and decoding method

Номер патента: US10778258B2. Автор: Daiki Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Memory system

Номер патента: US11749333B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09927990B2. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09852022B2. Автор: Daiki Watanabe,Ryo Yamaki,Yuma YOSHINAGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Fifo memory system and fifo memory control method

Номер патента: US20240078201A1. Автор: Liming Xiu,Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system for mirroring data

Номер патента: US09436563B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system and method capable of performing wear leveling

Номер патента: US20210304827A1. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

MEMORY SYSTEM AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING WEAR LEVELING

Номер патента: US20210304827A1. Автор: SU Chun-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system capable of generating notification signals

Номер патента: US09959185B2. Автор: Hsin-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Signal monitoring by memory system

Номер патента: WO2024168574A1. Автор: Deping He,Huachen Li. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20240363185A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

MEMORY SYSTEM CAPABLE OF RE-MAPPING ADDRESS

Номер патента: US20150199230A1. Автор: Lim Sun-Young,Cho Sung-Ho,Choi Hee-Joo,LEE DONG-YANG,Jung Ju-yun,Jung Bu-il,CHOO Min-Yeab,PARK MI-KYOUNG,Han Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and memory system

Номер патента: US20190221262A1. Автор: Tetsuo Endoh,Yitao Ma. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Managing memory systems containing components with asymmetric characteristics

Номер патента: US09514038B2. Автор: Vijay Karamcheti,Kenneth A. Okin. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory system

Номер патента: RU2628124C2. Автор: Цзюнь Чжу,Билл НЕИЛ,Джонатан К. ДЖАСПЕР,Джон В. ЛАВЛЕЙС,Муругасами К. НАЧИМУТУ,Туань М. ЦЮАЧ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Vehicle memory system based on 3d memory and method operating thereof

Номер патента: US20220293202A1. Автор: Hong Yeol Lim,Myung Hyun Koo. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Bit error rate mapping in a memory system

Номер патента: US09478315B2. Автор: Jianmin Huang,Nian Niles Yang,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US20230064884A1. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US12039187B2. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Fault tolerant memory system

Номер патента: US20200034230A1. Автор: Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard,Reiley JEYAPAUL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US09665430B2. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory devices, memory systems, and related operating methods

Номер патента: US09406359B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory system performing address mapping according to bad page map

Номер патента: US09348708B2. Автор: Dawoon Jung,Wonchul Lee,Min-Chul Kim,Youngil Seo,Jungho Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Supporting Calibration For Sub-Rate Operation In Clocked Memory Systems

Номер патента: US20150310903A1. Автор: Simon Li,Yohan U. Frans,Akash Bansal,Todd Bystrom,Kishore V. Kasamsetty,Arun Vaidyanath. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory system

Номер патента: US09460813B2. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Multi-level data protection for nonvolatile memory system

Номер патента: US09513830B2. Автор: Charles J. Camp,Holloway H. Frost,Kenneth Scianna,Lance W. Shelton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatile semiconductor memory system error correction capability of which is improved

Номер патента: US9312885B2. Автор: Yoshihisa Kondo,Kenji Sakaue,Tarou Iwashiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory system with variable length page stripes including data protection information

Номер патента: US09983927B2. Автор: Charles J. Camp,Holloway H. Frost,James A. Fuxa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system, including memory device capable of overwrite operation, and method of operating the memory system

Номер патента: US09952766B2. Автор: Sung-Yong Seo,Kyoung-il Bang,Moon-sang Kwon,Yeong-Jae WOO,Eun-Chu Oh,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: EP4385016A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: US11989440B2. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory system and memory device

Номер патента: US12033693B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system, reading method, program, and memory controller

Номер патента: US10600489B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory system and memory device

Номер патента: US20240321348A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Systems and methods for improving efficiencies of a memory system

Номер патента: US09696920B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Method for facilitating a memory system operable in advance during power-up, memory controller therefor, and memory system capable of being operable in advance during power-up

Номер патента: US20210255787A1. Автор: Teng-Chuan Cheng. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and method for selecting memory dies to perform memory access operations in based on memory die temperatures

Номер патента: US09489146B2. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device, memory system, and control method performed by the memory system

Номер патента: US09652180B2. Автор: Su-Ryun LEE,Sang-Cheol Lee,Youn-Won Park,Byung-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory systems

Номер патента: US09747993B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US09658788B2. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Systems and methods for preventing data remanence in memory systems

Номер патента: US09646177B2. Автор: Bruce B. Pedersen,Dirk A. Reese. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Adaptive memory system for enhancing the performance of an external computing device

Номер патента: US09424182B2. Автор: Stephen V. R. Hellriegel,Louis Cameron Fisher,Mohammad S. Ahmadnia. Владелец: Mobile Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Overwriting at a memory system

Номер патента: US11755237B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210247933A1. Автор: Jung Sik Choi,Na Ra Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and data transmission method

Номер патента: US09953686B2. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2018-04-24.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US09939855B2. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Circuits for and methods of controlling the operation of a hybrid memory system

Номер патента: US09711194B2. Автор: Ling Liu,Kornelis A. Vissers,Michaela Blott. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system, memory module and method to backup and restore system using command address latency

Номер патента: US09471517B1. Автор: Hyun-Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory system, system including the same, and method of adaptively adjusting user storage region in the same

Номер патента: US09460006B2. Автор: MOON Sang Kwon,Sang Hoon Choi,Hyung Jin Im,Jeong Uk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Analog neural memory system for deep learning neural network comprising multiple vector-by-matrix multiplication arrays and shared components

Номер патента: US20200065650A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power management for a memory system

Номер патента: US12050785B2. Автор: Feifei Zhu,Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system with improved efficiency of data transfer between host, buffer, and nonvolatile memory

Номер патента: US09904619B2. Автор: Hiroyuki Goto,Yasuhiro Nakamura,Fumio Hara,Hirofumi Shibuya,Shigemasa Shiota. Владелец: Emergence Memory Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system

Номер патента: US09786389B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory rank and ODT configuration in a memory system

Номер патента: US09747230B2. Автор: Amir Amirkhany,Ravindranath Kollipara,Minghui HAN,Ralf Michael SCHMITT. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system that handles access to bad blocks

Номер патента: US09728275B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US09568987B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system and method for power management using a token bucket

Номер патента: US09418712B1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Adaptive Memory System

Номер патента: US20220113881A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Managing operations in memory systems

Номер патента: EP4453707A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory controlling method and memory system

Номер патента: US09905277B2. Автор: Cheng-Wen Wu,Pei-Wen Luo,Chi-Kang CHEN,Ding-Ming Kwai,Hsiu-Chuan Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and apparatus for encoding and decoding data in memory system

Номер патента: US09792176B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Yaron Shany,Elona Erez,Evgeny BLAICHMAN,Moshe Twitto,Yoav Shereshevski. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory systems that adjust an auto-refresh operation responsive to a self-refresh operation history

Номер патента: US09767050B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system, memory module, and methods of operating the same

Номер патента: US09753651B2. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Synchronization and order detection in a memory system

Номер патента: US09594647B2. Автор: Gary A. Van Huben,Eric E. Retter,Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Stephen J. Powell,Brad W. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory system and electronic device including memory system

Номер патента: US09575759B2. Автор: Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system

Номер патента: US09569111B2. Автор: Shinken Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Synchronization and order detection in a memory system

Номер патента: US09495254B2. Автор: Gary A. Van Huben,Eric E. Retter,Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Stephen J. Powell,Brad W. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system which transfers management information between first and second memories in a burst mode before a read process is performed on a third memory

Номер патента: US09483411B2. Автор: Erika Ikeda,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09477410B2. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory system performance configuration

Номер патента: US09442842B2. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Synchronization and order detection in a memory system

Номер патента: US09430418B2. Автор: Gary A. Van Huben,Eric E. Retter,Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Stephen J. Powell,Brad W. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system having a plurality of types of memory chips and a memory controller for controlling the memory chips

Номер патента: US09418029B2. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US20170010975A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory systems

Номер патента: US20140244913A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory System and Method for Transferring Data Therein

Номер патента: US20080022037A1. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7293151B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory system

Номер патента: US20230297272A1. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory System and Method for Power Management for Reducing a Variable Credit Value By a Computed Consumed Energy Value for Each Corresponding Updated Cycle

Номер патента: US20170192722A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Flexible memory system

Номер патента: US12067237B2. Автор: Richard E. George,Vidyashankar Viswanathan,Michael Y. Chow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7831797B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-09.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: EP4432098A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Application partitioning for locality in a stacked memory system

Номер патента: US12099453B2. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: US20240311016A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory system

Номер патента: US12131062B2. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US12067287B2. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system with point-to point request interconnect

Номер патента: EP4451270A2. Автор: Frederick A. Ware,Richard E. Perego. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system

Номер патента: US09965214B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US09898218B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09852023B2. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system includes a memory controller

Номер патента: US09841922B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory chip, memory system, and method of accessing the memory chip

Номер патента: US09830083B2. Автор: Chul-Sung Park,Joo-Sun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US09792219B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system including memory buffer

Номер патента: US09696941B1. Автор: Won-ha Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of user system including the same

Номер патента: US09696911B2. Автор: Hyun-Ju Kim,Young Woo Jung,Jeonghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory system and method for power management for reducing a variable credit value by a computed consumed energy value for each corresponding updated cycle

Номер патента: US09678558B2. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory module, memory system including the same and operation method thereof

Номер патента: US09627095B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jae-Sun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory systems

Номер патента: US09489301B2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory system with block managing unit and method of operating the same

Номер патента: US09484104B2. Автор: Byung-Ki Lee,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Techniques for improving reliability and performance of partially written memory blocks in modern flash memory systems

Номер патента: US09471488B2. Автор: Yogesh B. Wakchaure,Charan Srinivasan,Aliasgar S. Madraswala,Kristopher H. Gaewsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US09465537B2. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory systems and methods for dynamically phase adjusting a write strobe and data to account for receive-clock drift

Номер патента: US09431090B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory system and host configured to communicate with the same

Номер патента: US09430374B2. Автор: Jong-Won Lee,Woo-Young YANG,Han-Deok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09384847B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system verification

Номер патента: US20230140975A1. Автор: Jason Parker,Yuval Elad. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US20210173587A1. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Managed memory systems with multiple priority queues

Номер патента: US20240272831A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Nicola Del Gatto,Massimiliano Patriarca,Antonino Caprì,Angelo Alberto Rovelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US12046300B2. Автор: Tomoya Kamata,Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US12079060B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system for determining read wait time, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12086416B2. Автор: Seon Ju Lee,Jeong Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US20240345971A1. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-17.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and control method of the same

Номер патента: US09996268B2. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and management table

Номер патента: US09996139B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and method including determining a read voltage based on program order information and a plurality of mapping tables

Номер патента: US09921749B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Joon-Suc JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system with MLC memory cells and partial page compression or reduction

Номер патента: US09858994B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory system with multiple programming modes

Номер патента: US09852802B2. Автор: Sang-Wook Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system controlling peak current generation for a plurality of memories by synchronizing internal clock of each memory with a processor clock at different times to avoid peak current generation period overlapping

Номер патента: US09817434B2. Автор: Kye-Hyun Kyung,Jae-Yong Jeong,Seok-Cheon Kwon,Chul-ho Lee,Bo-Geun Kim,Seung-hun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Termination topology of memory system and associated memory module and control method

Номер патента: US09812187B2. Автор: Shang-Pin Chen,Bo-Wei Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system with command mixing for timing control

Номер патента: US09754649B2. Автор: Tae-Young Oh,Seung-jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-channel memory system using asymmetric channel frequency scaling and related power management method

Номер патента: US09747963B2. Автор: Yi-Chih Huang,Ming-Hsien Lee,Yun-Ching Li,Chun-Fang Peng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system

Номер патента: US09652377B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Programming dummy data into bad pages of a memory system and operating method thereof

Номер патента: US09570177B2. Автор: Haegi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Temperature based flash memory system maintenance

Номер патента: US09535614B2. Автор: Nian Niles Yang,Gautham Reddy,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US09501433B2. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory system

Номер патента: US20030177331A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Configurable Analog Neural Memory System For Deep Learning Neural Network

Номер патента: US20200065660A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system with address conversion based on inherent performance condition

Номер патента: US20020112138A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Controller and memory system for refreshing memory based on fail bits and temperature

Номер патента: US11742015B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system including key-value store

Номер патента: US09953107B2. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Kosuke Tatsumura,Takao Marukame. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device and memory system performing request-based refresh, and operating method of the memory device

Номер патента: US09940991B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US09940274B2. Автор: Masashi Nakata,Daisuke Nakata,Shigeo Kurakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Managed energy-efficient hybrid main memory systems

Номер патента: US09841914B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory systems with multiple modules supporting simultaneous access responsive to common memory commands

Номер патента: US09824036B2. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel,Richard E. Perego,Donald C. Stark,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09792172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory system

Номер патента: US09747994B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: US09632870B2. Автор: Jon C. R. Bennett. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-04-25.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system

Номер патента: US20230282257A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US9164896B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Memory system processing request based on inference and operating method of the same

Номер патента: US20210366562A1. Автор: Kangho Roh,Hyunkyo Oh,Jinbaek SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system

Номер патента: US20200409610A1. Автор: Hajime Yamazaki,Yasunori Nakamura,Takahiro Miomo,Prashob Ramachandran Nair,Makoto DOMON. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Management method for nonvolatile memory system following power-off

Номер патента: US09431069B2. Автор: Taekkyun Lee,Wonchuri Zoo,Jinhyuk Kim,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09653157B1. Автор: Ki-Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Machine Learning Processor Employing a Monolithically Integrated Memory System

Номер патента: US20200307995A1. Автор: Tapabrata GHOSH. Владелец: Vathys Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system, memory controller and method for operating memory system, capable of determining target meta memory block on the basis of detected target state

Номер патента: US12118217B2. Автор: Jang Hun YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Memory system, memory controller and method for operating memory system, capable of determining target meta memory block on the basis of detected target state

Номер патента: US20240036741A1. Автор: Jang Hun YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system having system buffer and method of storing data by using the system buffer

Номер патента: US12131061B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory system

Номер патента: WO2008100415A4. Автор: Pantas Sutardja,Zining Wu,Tony Yoon,Chi-Kong Lee,Lau Nguyen. Владелец: Lau Nguyen. Дата публикации: 2009-01-08.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US09965362B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Bank-level fault management in a memory system

Номер патента: US09600189B2. Автор: Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Diyanesh B.Chinnakkonda Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Reestablishing synchronization in a memory system

Номер патента: US09495231B2. Автор: Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Vesselina K. Papazova. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system

Номер патента: US20210081275A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Selective decoding for super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240264903A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Data recovery with enhanced super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240289028A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and control method

Номер патента: US09569355B2. Автор: Shigehiro Asano,Yohei Hasegawa,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240281321A1. Автор: Dae Sung Kim,Min Su Choi,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Reestablishing synchronization in a memory system

Номер патента: US09594646B2. Автор: Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Vesselina K. Papazova. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Memory system and control method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230299794A1. Автор: Yuki Kondo,Hironori Uchikawa,Naoaki Kokubun. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory system having automatic cycling test function

Номер патента: US5751944A. Автор: Christophe J. Chevallier,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor memory and memory system including the semiconductor memory

Номер патента: US09659621B2. Автор: Chul Woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods and devices for layered performance matching in memory systems using C-AMAT ratios

Номер патента: US09846646B1. Автор: Xian-He Sun,Yu-Hang Liu. Владелец: C-Memory LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Data replication in memory systems

Номер патента: US20180121099A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-03.

Data replication in memory systems.

Номер патента: EP3311280A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-04-25.

Reset techniques for protocol layers of a memory system

Номер патента: US20240297928A1. Автор: Junjun Wang,Zhanqiang Su. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system with encoding

Номер патента: US09824732B2. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US09817600B2. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system and method of determining a failure in the memory system

Номер патента: US09412453B2. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20190294539A1. Автор: Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of operating a memory system having a meta data manager

Номер патента: US09891838B2. Автор: Sungyong SEO,Yeong-Jae WOO,Otae Bae,Hyun-Seung Jei. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory system with the function of the replacement to the other chips

Номер патента: US5469390A. Автор: Toshio Sasaki,Toshihiro Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Memory device to alleviate the effects of row hammer condition and memory system including the same

Номер патента: US09685240B1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory system

Номер патента: US09799406B2. Автор: Manabu Sato,Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Takahiro Shimizu,Daiki Watanabe,Naomi Takeda,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: US09870818B1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system

Номер патента: US20090238023A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system storing 4-bit data in each memory cell and method of controlling thereof including soft bit information

Номер патента: US09934847B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory system having programmable control parameters

Номер патента: US5801985A. Автор: Michael S. Briner,Darrell D. Rinerson,Christophe J. Chevallier,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Efficient performance of error rate detection procedures in a memory system

Номер патента: US20240282396A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Thibash Rajamani Balakrishnan,Saurav Pundir,Sunil Singh Dhanik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system for rapidly testing data lane integrity

Номер патента: US09837169B2. Автор: Matthew Weber,Timothy M. Wiwel,Paul D. Kangas,Robert Diokno. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413571A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system, debugging device, debugging method of memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20240304270A1. Автор: Bumju Kim,Jaecheon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09773551B2. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US09741452B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system and read method

Номер патента: US12062400B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system

Номер патента: US09761325B1. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa,Juan Shi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system controlling power supply and control circuit for controlling power supply

Номер патента: US09620178B1. Автор: Ryosuke Tomioka,Fuminori Kimura,Takahiro Masakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Debug capabilities of a memory system with a pin

Номер патента: US11923023B2. Автор: Jingwei CHENG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09424929B1. Автор: Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system

Номер патента: US11410735B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory system

Номер патента: US20210241833A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system with small size antifuse circuit capable of voltage boost

Номер патента: US09741446B2. Автор: Wei-Wu Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Digital memory system with ndro and dro portions

Номер патента: US3597747A. Автор: Paul E Wells,Ted Winkler. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1971-08-03.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory System Capable of Performing a Bit Partitioning Process and an Internal Computation Process

Номер патента: US20220262426A1. Автор: Yu-Wei Lin,Lih-Yih Chiou,Wei-Shuo Ling. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Techniques to refresh memory systems operating in low power states based on temperature

Номер патента: US12051458B2. Автор: Christopher Joseph Bueb,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Multiple-hot (multi-hot) bit decoding in a memory system for activating multiple memory locations in a memory for a memory access operation

Номер патента: US09830965B2. Автор: David Paul Hoff,Milind Ram KULKARNI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Photon memory system

Номер патента: US09875797B1. Автор: Alex DIGGINS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09646703B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09633728B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09437286B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory system with a content addressable superconducting memory

Номер патента: US09741419B1. Автор: William R Reohr,Brian R Konigsburg. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Packaging of high performance system topology for NAND memory systems

Номер патента: US09728526B2. Автор: Eugene Jinglun Tam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09691477B2. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Resistive memory system, driver circuit thereof and method for setting resistance thereof

Номер патента: US09443588B2. Автор: Chia-Chen Kuo,Meng-Fan Chang,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Ling Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory system

Номер патента: US20040246774A1. Автор: Kenneth Smith,Kenneth Eldredge,Andrew Van Brocklin,Peter Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-09.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US7035134B2. Автор: Samuel D. Naffziger,Scott A. Anderson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device for performing target refresh operation, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240339146A1. Автор: Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US12057159B2. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Detecting data integrity in memory systems

Номер патента: US09984759B1. Автор: NaiPing Kuo,Yi-Chun Liu,Yuchih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory controller, memory system including the same, and electronic device including the memory system

Номер патента: US09767869B2. Автор: In Sung Joe,Dong Jae Shin,Hyunil Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory systems with multi-write direction memory units

Номер патента: US09728262B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Dennis Ea,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system

Номер патента: US09607703B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US11769534B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory systems with flexible erase suspend-resume operations, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230360708A1. Автор: Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Scott A. Stoller,Jiun-Horng Lai,Wai Ying Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Sub-threshold enabled flash memory system

Номер патента: US09779788B1. Автор: Christophe J. Chevallier,Scott Hanson,Daniel M. Cermak. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system

Номер патента: US09721666B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09691441B2. Автор: Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US09679615B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Storage device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US09627079B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system, control system and method of predicting lifetime

Номер патента: US09424927B2. Автор: Yuichiro Mitani,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory system

Номер патента: US12094566B2. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240347097A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory, programming method therefor and memory system

Номер патента: US12068035B2. Автор: Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and control method

Номер патента: US09601197B2. Автор: Shingo Akita,Takahiro Nango. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing memory system including a storage device

Номер патента: US12148469B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09466787B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09461242B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile memory system and refresh method

Номер патента: US09460800B2. Автор: Jung-Been Im,Jang-Hwan Kim,Dong-Hyun Song,Change-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Resistive memory device, resistive memory system and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US09449686B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US09437275B2. Автор: Jung-Hyun Kim,Ki-Chang Kwean. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory system capable of reducing the reading time

Номер патента: US20220157390A1. Автор: Weirong Chen,Qiang Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multiple read port memory system with a single port memory cell

Номер патента: US20140198595A1. Автор: Jagreet S. Atwal,Thoai Thai Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for programming memory system

Номер патента: EP3853854A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Memory system

Номер патента: US20220301625A1. Автор: Takashi Maeda,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Keisuke Nakatsuka,Hideto Horii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: EP4432354A2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory system

Номер патента: US20240304229A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Takaya Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Timing control in a quantum memory system

Номер патента: US09761305B2. Автор: William Robert Reohr,Steven Brian SHAUCK,Donald Lynn Miller,Jeremy William Horner,Nathan Trent Josephsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system with uniform decoder and operating method of same

Номер патента: US09633702B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Kin-Chu Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Номер патента: US09552887B2. Автор: Jun Jin Kong,Changkyu Seol,Hong Rak Son,Kwanghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory systems and operating methods of memory controllers

Номер патента: US09390805B2. Автор: JINYUB LEE,Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20190296888A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20210351908A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method and apparatus for pll locking control in daisy chained memory system

Номер патента: WO2014071497A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-15.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Generating approximate usage measurements for shared cache memory systems

Номер патента: US09697126B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods for protection of reflective memory systems

Номер патента: US09928181B2. Автор: Gregory S. Droba,Oscar L. Meek. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Providing shared cache memory allocation control in shared cache memory systems

Номер патента: US09678875B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system

Номер патента: US09891974B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Masami Aochi,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09760483B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09501399B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory system capable of prohibiting access to application software and system software

Номер патента: US09454495B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Cache memory system and method of a computer

Номер патента: US6173365B1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device for multiple processors and memory system having the same

Номер патента: US09740657B2. Автор: Chanho LEE. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system with controller to write data to memory based on lifetime information in write command

Номер патента: US12073122B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system for portable telephone

Номер патента: US09473603B2. Автор: Masatoshi Kimura,Takayuki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Cache memory system

Номер патента: EP1231539A3. Автор: Hiroshi c/o Fujitsu Limited Okano,Fumihiko c/o Fujitsu Limited Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Method and apparatus for providing a shared nonvolatile memory system using a distributed FTL scheme

Номер патента: US09952788B2. Автор: Yiren Ronnie Huang. Владелец: Cnex Labs Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Cache memory system for multiple processors with collectively arranged cache tag memories

Номер патента: US5634027A. Автор: Mitsuo Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11768632B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Hierarchical memory system compiler

Номер патента: US09678669B2. Автор: Sundar Iyer,Sanjeev Joshi,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system with a bridge part provided between a memory and a controller

Номер патента: US09606738B2. Автор: Hideaki Yamazaki,Yasuyuki Eguchi,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10895990B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10521129B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US20230289096A1. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US12079514B2. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing power consumption associated with communicating data in a memory system

Номер патента: US20240311053A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Data processing systems including a data encoder that reads in data from and returns data to an external memory system

Номер патента: US12086454B2. Автор: Olof Henrik Uhrenholt,Andreas Due Engh-Halstvedt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Isochronous agent data pinning in a multi-level memory system

Номер патента: US09542336B2. Автор: Aditya Sreenivas,Bryan White,Blaise Fanning,Joydeep Ray,Altug Koker,David Puffer,Marc Torrant,Todd Witter,Neil Schaper. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Resetting memory locks in a transactional memory system

Номер патента: US09524246B2. Автор: Michael Thomas Strosaker,Joel Howard Schopp,Nathan Fontenot,Ryan Patrick Grimm,Robert Cory Jennings, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for transmitting extended commands to a memory system

Номер патента: US09501223B2. Автор: Martin Roeder,Martin Preiser. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20180322046A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory system

Номер патента: US20200409845A1. Автор: Dong Ju Lee,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210389903A1. Автор: Seung Gu JI,Hyung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210056025A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US20210055884A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system for managing namespace using write pointer and write count, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12131042B2. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and method for delta writes

Номер патента: US09904472B2. Автор: Abhijeet Manohar,Judah Gamliel Hahn,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system

Номер патента: US09454496B2. Автор: Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US09442846B2. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240078322A1. Автор: Gi Jo Jeong,Seung Duk Cho,Woo tae CHANG,Jung Hyun JOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: EP4390648A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034654A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Synchronizing operations between decks of a memory system

Номер патента: US20240281162A1. Автор: Amiya Banerjee,Thibash Rajamani Balakrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Application programming interface enabling application programs to control allocation of physical memory in a virtual memory system

Номер патента: EP1023661A1. Автор: G. Eric Engstrom,Craig G. Eisler. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A2. Автор: Michal Polak. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2004-09-02.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

System and Method for Simultaneously Storing and Reading Data from a Memory System

Номер патента: US20150339227A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

System and Method for Simultaneously Storing and Read Data From A Memory System

Номер патента: US20150106584A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method supporting fast boot using host memory buffer and default enabled information

Номер патента: US12118239B2. Автор: Jeong Hyun Kim,Sung Ju Yoo,Ji Hun Choi,Byong Woo Ryu,Son Hong MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Suspending operations of a memory system

Номер патента: US12105959B2. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Detection and latency reduction of write-intensive procedures in a memory system

Номер патента: US20240345732A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system procedure detection and latency reduction

Номер патента: US20240345733A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system for controlling perforamce by adjusting amount of parallel operations

Номер патента: US09846541B2. Автор: Kenichiro Suzuki,Hironobu Miyamoto,Yoshihisa Kojima,Maoko Oyamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Data access in hybrid main memory systems

Номер патента: US09804803B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-10-31.

Backup-power-free cache memory system

Номер патента: US09632932B1. Автор: Pantas Sutardja,Abhijeet P. Gole. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Protection zones in virtualized physical addresses for reconfigurable memory systems using a memory abstraction

Номер патента: US09501222B2. Автор: Richard C. Murphy,John Labry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory system and information processing device by which data is written and read in response to commands from a host

Номер патента: US09396141B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Kenichiro Yoshii,Keigo Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Page merging for buffer efficiency in hybrid memory systems

Номер патента: US20130042059A1. Автор: Xiaochen Guo,Arun Jagatheesan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-14.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Optimization of data access and communication in memory systems

Номер патента: US20230362280A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Alleviating interconnect traffic in a disaggregated memory system

Номер патента: US12019904B2. Автор: Sergey Blagodurov,Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Vamsee Reddy Kommareddy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Alleviating Interconnect Traffic in a Disaggregated Memory System

Номер патента: US20240319911A1. Автор: Sergey Blagodurov,Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Vamsee Reddy Kommareddy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Alleviating Interconnect Traffic in a Disaggregated Memory System

Номер патента: US20240319910A1. Автор: Sergey Blagodurov,Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Vamsee Reddy Kommareddy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and host device

Номер патента: US12086068B2. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US20170109076A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system characteristic control

Номер патента: US20240330174A1. Автор: Shawn Storm,Ji-Hye Gale Shin,Joseph A. Oberle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4459473A2. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Memory system

Номер патента: US09990283B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09990143B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09977606B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system

Номер патента: US09977604B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

PCIE traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US09940286B2. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system, host system, and method of performing write operation in memory system

Номер патента: US09904628B2. Автор: Kwang-Hoon KIM,Sang-Kyoo Jeong,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system and method for error correction of memory

Номер патента: US09886340B2. Автор: Jung Ho Ahn,Namsung KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-06.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

RAIDed memory system

Номер патента: US09753674B2. Автор: David M. Smith,Jon C. R. Bennett,Daniel C. Biederman. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Cache memory system and processor system

Номер патента: US09740613B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system and a data managing method thereof

Номер патента: US09652179B2. Автор: Chun-Ta Lin,Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory systems and methods including training, data organizing, and/or shadowing

Номер патента: US09645919B2. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Hierarchical network for stacked memory system

Номер патента: US20240211166A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US12045513B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US12079139B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20240295991A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performance optimization device of memory system and operating method thereof

Номер патента: US12093526B2. Автор: Ki Tae Kim,In Ho Jung,Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240329882A1. Автор: Hiroki MIURA,Naoto Oshiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system

Номер патента: US12099735B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Kousuke Fujita,Iku ENDO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system

Номер патента: US09959212B2. Автор: Susumu Takeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

High performance transaction-based memory systems

Номер патента: US09904635B2. Автор: LIANG Yin,Mu-Tien Chang,Hongzhong Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system

Номер патента: US09891837B2. Автор: Hiroyuki Moro,Yohei Hasegawa,Yoshiki Saito,Tokumasa Hara,Yoshihisa Kojima,Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09880939B2. Автор: Konosuke Watanabe,Tetsuhiko Azuma,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system executing garbage collection

Номер патента: US09811462B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system and method for power-based operation scheduling

Номер патента: US09658790B2. Автор: Eran Erez,Alex Mostovoy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory system, method for controlling the same, and information processing device

Номер патента: US09465727B2. Автор: Shinji Takashima. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Migration directives in a unified virtual memory system architecture

Номер патента: US09430400B2. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: US20240231669A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US11960888B2. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20230297253A1. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200125487A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory System and Method for Efficient Padding of Memory Pages

Номер патента: US20160283110A1. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US20170249265A1. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11392323B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller for scheduling commands based on power consumption

Номер патента: US11461022B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20130046919A1. Автор: Bong-Gwan Seol,Jun-Seok Park,Wan-soo Choi,Hee-tak Shin,Won-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and storage device

Номер патента: US20230305953A1. Автор: Nobuaki Tojo,Shogo Ochiai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus and method for erasing data programmed in a non-volatile memory block in a memory system multiple times

Номер патента: US12131053B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12135903B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system with memory and controller

Номер патента: US12067250B2. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US09996485B2. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Network of memory systems

Номер патента: US09875205B1. Автор: Ricardo H. Bruce,Marlon Basa Verdan,Jarmie De La Cruz Espuerta. Владелец: Bitmicro Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system for storing and processing translation information

Номер патента: US09798470B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of controlling a memory system

Номер патента: US09720624B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Dong-Sub Kim,Kyung-Ryun Kim,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Distributed raid in a flash based memory system

Номер патента: US09639285B2. Автор: Zhengning Zhou,Yu Feng Liao,Zuoying Wu. Владелец: Aupera Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory system and operating method thereof

Номер патента: US09582439B2. Автор: Myung Hyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory system and method for efficient padding of memory pages

Номер патента: US09582435B2. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory systems and methods of operating thereof, memory controllers and readable storage media

Номер патента: US20240362169A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Guangyao Han,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US11334286B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US10838655B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system with secured performance and reliability, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240184469A1. Автор: Kwang Su Kim,Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and controller

Номер патента: US20230288973A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: EP1866772A2. Автор: Robert A. Drebin,Wade K. Smith,W. Fritz Kruger. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2007-12-19.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: WO2006106428A3. Автор: Robert A Drebin,W Fritz Kruger,Wade K Smith. Владелец: Wade K Smith. Дата публикации: 2007-01-18.

Memory system

Номер патента: US20240193080A1. Автор: Masaru Ogawa,Kenji Sakaue,Noriyuki Moriyasu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system

Номер патента: US20240143236A1. Автор: Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US20210064276A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system

Номер патента: US20200293198A1. Автор: Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Cache memory systems having a flexible buffer memory portion and methods of operating the same

Номер патента: US8443161B2. Автор: Woo-young Jung,Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Protecting shared variables in a software transactional memory system

Номер патента: EP1960879A1. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Cache Memory System and Method for Accessing Cache Line

Номер патента: US20170262372A1. Автор: Jing Xia,Zhenxi Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Reducing latency in pseudo channel based memory systems

Номер патента: EP4423618A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory system

Номер патента: US20240311047A1. Автор: Shinya Koizumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system adaptively allocating a buffer memory, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240361956A1. Автор: Woong Sik SHIN,Hae Lyong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus and method for transferring data in memory system

Номер патента: US12056392B2. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and write control method

Номер патента: US12093572B2. Автор: Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and method

Номер патента: US09971522B2. Автор: Koichi Nagai,Yukimasa Miyamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and method of controlling cache memory

Номер патента: US09959206B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system and method of generating a seed value

Номер патента: US09875085B2. Автор: Abhijeet Manohar,Rishi Mukhopadhyay,Rajesh Neermarga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Operation method of memory controller and nonvolatile memory system including the memory controller

Номер патента: US09760503B2. Автор: Jisoo Kim,Seung-jae Lee,Sang-Jin Oh,Moonsang Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system allowing host to easily transmit and receive data

Номер патента: US09712636B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Virtual memory system, virtual memory controlling method, and program

Номер патента: US09514056B2. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory system for reliable predicted sequential read operation

Номер патента: US09477612B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Controller and memory system including the controller operating memory allocation

Номер патента: US12001885B2. Автор: Duk Joon JEON,Changhwan Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Monotonic counter memory system

Номер патента: US20220345135A1. Автор: Chuen-Der Lien,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Grouping requests to reduce inter-process communication in memory systems

Номер патента: US20190370097A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240211169A1. Автор: Hyeong Soo Kim,Joon Seop Sim,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20230297254A1. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12073098B2. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10712962B2. Автор: Se-Hyun Kim,Jung-Woo Kim,Kyung-hoon Lee,Sung-Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Memory system and control method

Номер патента: US20240264749A1. Автор: Takahiro Kubota,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronically moveable terminator and method for using same in a memory system

Номер патента: EP1226502A1. Автор: James A. Gasbarro. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11748012B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12086444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system and method of controlling the memory system

Номер патента: US20240311291A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US20240302994A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Kenji Sakaue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

System and method for managing sorted keys in a persistent memory system

Номер патента: US20240281165A1. Автор: Angel Benedicto AVILES, JR.,Vinod Daga,Shwetha Handral Sridhara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method of estimating read voltages thereof

Номер патента: US20240319907A1. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240345749A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Min Seob Lee,Dong Gun KIM,Kwang Hyo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for managing sorted keys in a persistent memory system

Номер патента: EP4421649A1. Автор: Angel Benedicto AVILES,Vinod Daga,Shwetha Handral Sridhara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of operating memory system and memory system performing the same

Номер патента: US20240319882A1. Автор: Young Bong KIM,Changho Choi,Eun-Kyung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for initializing a memory system

Номер патента: US09983819B2. Автор: Matthew Sanchez,Brian D. HATFIELD,Richard A. Ripberger,Ellen J. GRUSY,Kurt A. Lovrien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and method for reducing peak current consumption

Номер патента: US09875049B2. Автор: Eran Erez,Jonathan H. Hsu,Ken Q. Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system with garbage collection

Номер патента: US09857984B2. Автор: Hiroyuki Nemoto,Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12147673B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US09703487B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system and method

Номер патента: US20240201866A1. Автор: Kiyotaka Iwasaki,Atsuo Shono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Managing Write-to-Read Turnarounds in an Early Read After Write Memory System

Номер патента: US20090119442A1. Автор: Tolga Ozguner,Paul Allen Ganfield,Mark David Bellows,Kent Harold Haselhorst,Ryan Abel Heckendorf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Managing write-to-read turnarounds in an early read after write memory system

Номер патента: US7752379B2. Автор: Tolga Ozguner,Paul Allen Ganfield,Mark David Bellows,Kent Harold Haselhorst,Ryan Abel Heckendorf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

High-performance, high-capacity memory systems and modules

Номер патента: US11755508B2. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel,John Eric Linstadt,Ely Tsern,John Yan,Scott C. Best,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-09-12.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Inverse element arithmetic apparatus and memory system

Номер патента: US12061665B2. Автор: Hajime MATSUI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system capable of re-mapping address

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты