Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing
Номер патента: EP4354438A1
Опубликовано: 17-04-2024
Автор(ы): Pirooz Parvarandeh, Venkatesh P. Gopinath
Принадлежит: GlobalFoundries US Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-04-2024
Автор(ы): Pirooz Parvarandeh, Venkatesh P. Gopinath
Принадлежит: GlobalFoundries US Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing
Номер патента: US20240120001A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.