Macro storage cell composed of multiple storage devices each capable of storing more than two states
Номер патента: US10923188B2
Опубликовано: 16-02-2021
Автор(ы): Dmitri E. Nikonov, Elijah V. KARPOV, Ian A. Young
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-02-2021
Автор(ы): Dmitri E. Nikonov, Elijah V. KARPOV, Ian A. Young
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Storage device and storage unit with ion source layer and resistance change layer
Номер патента: US09761796B2. Автор: Kazuhiro Ohba,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.