Methods for fabricating artificial neural networks (ann) based on doped semiconductor elements
Номер патента: US20190198761A1
Опубликовано: 27-06-2019
Автор(ы): Ali Afzali-Ardakani, James Bowler Hannon, Matthew Warren Copel, Satoshi Oida
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-06-2019
Автор(ы): Ali Afzali-Ardakani, James Bowler Hannon, Matthew Warren Copel, Satoshi Oida
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing thin-film transistor by implanting ions into channel region for lowering leakage current
Номер патента: US09711356B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.