Mosfet devices with asymmetric structural configurations introducing different electrical characteristics
Номер патента: US20170005009A1
Опубликовано: 05-01-2017
Автор(ы): John C. Pritiskutch, Richard Hildenbrandt
Принадлежит: STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-01-2017
Автор(ы): John C. Pritiskutch, Richard Hildenbrandt
Принадлежит: STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
MOSFET devices with asymmetric structural configurations introducing different electrical characteristics
Номер патента: US09837320B2. Автор: John C. Pritiskutch,Richard Hildenbrandt. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-12-05.