Interconnect Structure and Method of Forming the Same
Номер патента: US20190304792A1
Опубликовано: 03-10-2019
Автор(ы): Chun-Chieh Lin, Hung-Wen Su, Rueijer Lin, Ya-Lien Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-10-2019
Автор(ы): Chun-Chieh Lin, Hung-Wen Su, Rueijer Lin, Ya-Lien Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor interconnect structure with TaN and method of forming the same
Номер патента: KR100465761B1. Автор: 김병희,최길현,최경인. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-13.