Bidirectional Normally-Off III-V Devices and Circuits
Номер патента: US20180219008A1
Опубликовано: 02-08-2018
Автор(ы): Bernhard Zojer, Gerhard Prechtl
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-08-2018
Автор(ы): Bernhard Zojer, Gerhard Prechtl
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bidirectional normally-off III-V high electron mobility transistor (HEMT)devices and circuits
Номер патента: US09960157B2. Автор: Gerhard Prechtl,Bernhard Zojer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-01.