Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Tracking operations performed at a memory device

Номер патента: US20210202003A1
Опубликовано: 01-07-2021
Автор(ы): Kirthi Ravindra Kulkarni, Laura Varisco, Soujanya Venigalla, Swetha Bongu
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Tracking operations performed at a memory device

Номер патента: US11817151B2. Автор: Laura Varisco,Swetha Bongu,Kirthi Ravindra Kulkarni,Soujanya Venigalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Tracking operations performed at a memory device

Номер патента: US20240062820A1. Автор: Laura Varisco,Swetha Bongu,Kirthi Ravindra Kulkarni,Soujanya Venigalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203509A1. Автор: Seungbum Kim,Hyun SEO,Yonghyuk Choi,Seungyong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09812214B2. Автор: Dongkyo Shim,Sang-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Programming delay scheme for in a memory sub-system based on memory reliability

Номер патента: US20240304256A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: US20120106261A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A3. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-22.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Using non-segregated cells as drain-side select gates for sub-blocks in a memory device

Номер патента: US12080351B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Selective increase and decrease to pass voltages for programming a memory device

Номер патента: US20230268003A1. Автор: Yingda Dong,Jeffrey Ming-Hung Tsai,Ching-Huang Lu,Vinh Quang Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Nand memory device wordlines pre-charging and operating method of the same

Номер патента: EP4398251A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device pre-charging common source line and operating method of the same

Номер патента: US20240221836A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11887684B2. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device for effectively checking program state and operation method thereof

Номер патента: US20240038312A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Programming a memory device in response to its program history

Номер патента: US09959931B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Pre-read operation for multi-pass programming of memory devices

Номер патента: US20230307058A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Sub-block definition in a memory device using segmented source plates

Номер патента: US20240312535A1. Автор: Aaron S. Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device

Номер патента: US20190019559A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Asuka KANEDA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307069A1. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and operating method using application of pass voltage according to program loops

Номер патента: US12080357B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11996155B2. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240170068A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240177775A1. Автор: Jae Hyeon Shin,Sung Hyun Hwang,In Gon YANG,Chang Han SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Nand detect program completion (ndpc) with power off charge loss calibration in a memory sub-system

Номер патента: WO2024229144A1. Автор: Lei Lin,Peng Zhang,Zhengang Chen,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12057173B2. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240331776A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633741B1. Автор: Kenji Sawamura,Michiaki Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Programming memory devices

Номер патента: US20180286483A1. Автор: Tommaso Vali,Akira Goda,Pranav Kalavade,Carmine Miccoli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device, operation method of memory device, and page buffer included in memory device

Номер патента: US12073915B2. Автор: Yongsung CHO,Ji-Sang LEE,Min Hwi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory device and method of operating the memory device including detrapping operations during programming

Номер патента: US12068033B2. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device including multiple select gates and different bias conditions

Номер патента: US09728266B1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Changhyun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US20200211650A1. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Wear leveling for a memory device

Номер патента: US09710376B2. Автор: Robert Baltar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Operation method for memory device

Номер патента: US20220013180A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US20220223211A1. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system using a randomized refresh period

Номер патента: US11756604B2. Автор: Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US12051483B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transitstors and method including a write operation

Номер патента: US20240339139A1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile memory device with improved reliability and operating speed

Номер патента: US09842654B2. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory device and systems and methods for selecting memory cells in the memory device

Номер патента: US09595335B2. Автор: Tsung-Ching Wu,Philip S. Ng,Geeng-Chuan Chern,Steven Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Destruction of data and verification of data destruction on a memory device

Номер патента: US20220020439A1. Автор: Qisong Lin,Scott Anthony Stoller,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Destruction of data and verification of data destruction on a memory device

Номер патента: US11749362B2. Автор: Qisong Lin,Scott Anthony Stoller,Kevin R Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110090736A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US20220254420A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US12057190B2. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory devices and methods of operating the memory devices by programming normal cells after programming a first dummy cell

Номер патента: US09721664B2. Автор: Sang-Wan Nam,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device

Номер патента: US12131773B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240347084A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823726B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Accelerating configuration updates for memory devices

Номер патента: US20240257887A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga,Christopher M. Smitchger,Tawalin Opastrakoon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09851912B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US11335388B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20230005548A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Low stress refresh erase in a memory device

Номер патента: US20240062827A1. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Pitamber Shukla,Murong Lang,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20210035645A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US12040020B2. Автор: Minseok Kim,Kwangho Choi,Joonsuc Jang,Jun-Yong Park,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240069803A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US12045511B2. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device including a plurality of planes

Номер патента: US20240168680A1. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Nonvolatile memory device detecting power noise and operating method thereof

Номер патента: US20180122485A1. Автор: Sang-Soo Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20190369887A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Monitoring error correction operations performed in memory

Номер патента: US09904594B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Evaluation of background leakage to select write voltage in memory devices

Номер патента: US20240331781A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Zhongyuan Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Unusable column mapping in flash memory devices

Номер патента: US09952775B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Hyungseok Kim,June Lee,Chenrong Xiong,Jaesung SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Operating a memory device using a program order stamp to control a read voltage

Номер патента: US09715341B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09646981B2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US20240233843A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US11929127B2. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: WO2023034326A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Multi-step pre-read for write operations in memory devices

Номер патента: US12106803B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: EP3794454A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: WO2019222488A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: US20190354421A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device with reduced on-chip noise

Номер патента: US09691442B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Dietmar Gogl. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Copyback clear command for performing a scan and read in a memory device

Номер патента: US12105961B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US20240370206A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09799404B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: US11972111B2. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: EP4177896A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Current sensing circuit and memory device having the same

Номер патента: US09966151B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Managing error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20230325273A1. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device

Номер патента: US20240272833A1. Автор: Yuji Nagai,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and storage device

Номер патента: US20240315022A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device for performing program operation including program loops and method of operating the same

Номер патента: US20240233830A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Monitoring and adjusting access operations at a memory device

Номер патента: US12014792B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030185060A1. Автор: Masaki Tsukude,Hirotoshi Sato,Takafumi Takatsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240079050A1. Автор: Ching-Wei Wu,Feng-Ming Chang,Kuang Ting Chen,Peijiun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US12026404B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Multilevel Resistive Memory device and its writing erasing method

Номер патента: EP1557841A3. Автор: Katsuhisa Sony Corporation ARATANI,Tomohito Sony Corporation Tsushima,Akira Sony Corporation Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatuses, systems, and methods for identifying victim rows in a memory device which cannot be simultaneously refreshed

Номер патента: US20220270670A1. Автор: Yu Zhang,Jun Wu,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Apparatuses, systems, and methods for identifying victim rows in a memory device which cannot be simultaneously refreshed

Номер патента: US20220059158A1. Автор: Yu Zhang,Jun Wu,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Erasure decoding for a memory device

Номер патента: US11301320B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Memory device and scheduling method for memory device

Номер патента: US20230273752A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Distributed block redundancy for memory devices

Номер патента: EP1008937A1. Автор: Peter Poechmueller,Armin Reith. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory device heating in cold environments

Номер патента: US20240170029A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Joseph Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having embedded hardware acceleration and corresponding methods

Номер патента: US09965387B1. Автор: Dinesh Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Low power memory device

Номер патента: US20150279435A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory device and power management method using the same

Номер патента: US20210241803A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US20160307617A1. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US09971521B2. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating synapse memory device

Номер патента: US09773802B2. Автор: XIANYU Wenxu,Seong Ho Cho,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US09727254B2. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US09595314B2. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20220137842A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20230015202A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Apparatus and methods for testing memory devices

Номер патента: US20070168778A1. Автор: Sathya Kaginele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Memory device for performing in-memory processing

Номер патента: US12099839B2. Автор: Seongil O,Yuhwan Ro,Shinhaeng KANG,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941333B2. Автор: Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device capable of adjusting operation voltage and application processor for controlling the memory device

Номер патента: US09891855B2. Автор: Soo-Hwan Kim,Hui-Kap YANG,Myung-Kyoon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor system for performing row hammering tracking operation

Номер патента: US20230376214A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US11922041B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory device and method for calibrating impedance of input-output circuit thereof

Номер патента: US20240290378A1. Автор: Hae Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Techniques to interpret command/address logic at a memory device as inverted or not

Номер патента: EP4235439A1. Автор: Kuljit S. Bains,Bill Nale,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US11276464B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of activating input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210110864A1. Автор: Atsushi Shimizu,Yosuke Takano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US20210043254A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device

Номер патента: US12073867B2. Автор: Shigeki Shimomura,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US11749353B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030072207A1. Автор: Takanobu Suzuki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12100470B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Optimizing power in a memory device

Номер патента: US09645631B2. Автор: Frederick A. Ware,Kambiz Kaviani,Farrukh Aquil,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-09.

Operating method of memory device for extending synchronization of data clock signal, and operating method of electronic device including the same

Номер патента: US12040046B2. Автор: Seung-Jun Lee,Kyungryun Kim,Young Ju Kim,Jin-Hoon Jang,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20240268096A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Operating method of memory device for extending synchronization of data clock signal, and operating method of electronic device including the same

Номер патента: US20240329045A1. Автор: Seung-Jun Lee,Kyungryun Kim,Young Ju Kim,Jin-Hoon Jang,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Processing multi-cycle commands in memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: WO2021112955A8. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-30.

Processing multi-cycle commands in memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20210166742A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory cell and memory device thereof

Номер патента: US20240221822A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Write techniques for a memory device with a charge transfer device

Номер патента: US20210151093A1. Автор: John F. Schreck,George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09704571B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Dong-yang Lee,Do-Kyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-stage programming at a storage device using multiple instructions from a host

Номер патента: US09588701B2. Автор: Amir Shaharabany,Hadas Oshinsky. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20220230676A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US11810611B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Adaptive frequency control for high-speed memory devices

Номер патента: US20220058070A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device

Номер патента: US20140286082A1. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US20200357456A1. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Method and apparatus to control a power consumption of a memory device

Номер патента: US20060067150A1. Автор: Jun Shi,Sandeep Jain,Animesh Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Timing optimization for memory devices employing error detection coded transactions

Номер патента: US20150058706A1. Автор: Kuljit Singh Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020015333A1. Автор: Kazuto Furumochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Magnetic memory device and element

Номер патента: US09735343B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Timing optimization for memory devices employing error detection coded transactions

Номер патента: US09619316B2. Автор: Kuljit Singh Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device

Номер патента: US09548111B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory device and method for writing therefor

Номер патента: US20140269024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US20200105341A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Couplings within memory devices

Номер патента: US20100091544A1. Автор: Seiichi Aritome,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Couplings within memory devices

Номер патента: US8208278B2. Автор: Seiichi Aritome,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321326A1. Автор: Koji Tabata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Couplings within memory devices

Номер патента: US20120258574A1. Автор: Seiichi Aritome,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09627354B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operation method of swizzling data

Номер патента: US11742046B2. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Mitigating slow read disturb in a memory sub-system

Номер патента: US11941285B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Giuseppina Puzzilli,Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US20170186480A1. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120254528A1. Автор: Jae-il Kim,Hyoung-Jun Na. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160293243A1. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO,Do-Hong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device for interruptible memory refresh

Номер патента: US09972376B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Joab D. Henderson,William P. Hovis,Carlos A. Fernandez,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US09786351B2. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Direct data transfer in memory and between devices of a memory module

Номер патента: EP3857550A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Direct data transfer in memory and between devices of a memory module

Номер патента: WO2020068365A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-02.

Device and method for protecting a memory

Номер патента: US12032692B2. Автор: Sylvain Guilley,Michel LE ROLLAND,Adrien FACON. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20190348115A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Memory devices adjusting operating cycle based on operating temperature

Номер патента: US20210134357A1. Автор: Minsang PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20180286480A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20220130459A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Power management for a memory system

Номер патента: US12050785B2. Автор: Feifei Zhu,Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Fast read speed memory device

Номер патента: US09941005B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device command receiving and decoding methods

Номер патента: US09633713B2. Автор: Scott Smith,J. Thomas Pawlowski,Duc Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Protocol for refresh between a memory controller and a memory device

Номер патента: US09570145B2. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: US11740966B2. Автор: Walter JUN,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system for accurately predicting power required for sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210278999A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US20070195625A1. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US7423896B2. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-09.

Interrupting a memory built-in self-test

Номер патента: US12040037B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device with packet command

Номер патента: US6256261B1. Автор: Jae Hyeong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-03.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, failure bits detector and failure bits detection method thereof

Номер патента: US12094554B2. Автор: Chung-Han Wu,Shang-Chi Yang,Chih-He Chiang,Che-Wei Liang. Владелец: Macronix International Co Ltds. Дата публикации: 2024-09-17.

Analog storage using memory device

Номер патента: US12080365B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Signal development caching in a memory device

Номер патента: US20240329885A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Interrupting a memory built-in self-test

Номер патента: US20240339170A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory device performing precharge operation, and operating method thereof

Номер патента: US20240312503A1. Автор: Duck Hwa Hong,Sang Hyun Ku,Do Hong Kim,Min Ho Seok,So Yoon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Page migration in a hybrid memory device

Номер патента: US09910605B2. Автор: Niladrish Chatterjee,James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device check bit read mode

Номер патента: US09842021B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Query operations for stacked-die memory device

Номер патента: US09818455B2. Автор: James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena,Yasuko ECKERT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Device and method for maximizing performance on a memory interface with a variable number of channels

Номер патента: US6952745B1. Автор: John B. Halbert,James M. Dodd,Brian P. Johnson,Jay C. Wells. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-10-04.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: WO2020036721A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20200058341A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: EP3837685A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US11983113B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US20240256451A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Stacked memory device system interconnect directory-based cache coherence methodology

Номер патента: US11741012B2. Автор: RICHARD C MURPHY,John Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: US20240264775A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: EP4425495A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: US20240289058A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Memory devices and systems configured to communicate a delay signal and methods for operating the same

Номер патента: US20240312512A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US12100475B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Modular memory devices

Номер патента: US12127361B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Partially good block handling in a memory device

Номер патента: WO2024206484A2. Автор: Jiangli Zhu,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Tracking the effects of voltage and temperature on a memory device using an internal oscillator

Номер патента: US12136467B2. Автор: Keun Soo Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device

Номер патента: US09746383B2. Автор: Jun Shi,Animesh Mishra,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09740433B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device with sense amplifier groups and pipe latch groups

Номер патента: US09679620B1. Автор: Dong-Beom Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Controller to detect malfunctioning address of memory device

Номер патента: US09659671B2. Автор: Fan Ho,Adrian E. Ong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Mitigating slow read disturb in a memory sub-system

Номер патента: US20240184481A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Giuseppina Puzzilli,Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Memory device with command buffer

Номер патента: US20010003512A1. Автор: Casey Kurth,Scott Derner,Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-14.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Systems and methods for improving fuse systems in memory devices

Номер патента: US20190198127A1. Автор: Yu-feng Chen,Scott E. Smith,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Device for Emulating Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20170220301A1. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: WO2021111159A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Read broadcast operations associated with a memory device

Номер патента: US20240281171A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Apparatuses and methods for setting operational parameters of a memory included in a memory module based on location information

Номер патента: US20210050041A1. Автор: Elancheren Durai,Quincy R. Holton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US20160172060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Enabling or disabling on-die error-correcting code for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240274216A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for providing client-side address translation in a memory management system

Номер патента: WO2015085247A1. Автор: Pavan Kumar,Azzedine Touzni,Olav Haugan,Tarek Zghal,Satyaki MUKHERJEE,Victor K. Wong,Thomas M. Zeng,Tzung Ren TZENG,Pawan Chhabra,Stephen A. Molloy,Zhurang Zhao,Abhirami SENTHILKUMARAN,Jean-louis O. TARDIEUX,Ajay UPADHYAYA,Subrahmanyam MOOLA,Jaydeep R. CHOKSHI,Vipul C. GANDHI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device having unity buffers with output current limiters

Номер патента: US20240170049A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US12094509B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US12125515B2. Автор: Sang-Hoon Jung,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for implementing error correcting code regions in a memory

Номер патента: US09983930B2. Автор: Yanru Li,Nhon Quach,Rahul Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory devices providing a refresh request and memory controllers responsive to a refresh request

Номер патента: US09978430B2. Автор: Chul-woo Park,Hong-Sun Hwang,Eun-Sung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory devices and methods for managing error regions

Номер патента: US09953724B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device ultra-deep power-down mode exit control

Номер патента: US09922684B2. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis,Bard M. Pedersen. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Reducing leakage current in a memory device

Номер патента: US09916904B2. Автор: Nan Chen,Mehdi Hamidi Sani,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability

Номер патента: US09916093B2. Автор: Min-Soo Shim,Jinsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device

Номер патента: US09871048B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Stacked memory devices, and memory packages and memory systems having the same

Номер патента: US09747959B2. Автор: Seong-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Low power consumption memory device

Номер патента: US09720610B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Testing method, manufacturing method, and testing device of memory device

Номер патента: US09653182B1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Access suppression in a memory device

Номер патента: US09600179B2. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Michael Alan Filippo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US12014050B2. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and method for input and output buffer control thereof

Номер патента: US20220020401A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Memory device shared by two or more processors and system including the same

Номер патента: US20190333570A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Ki Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory device including a filtering circuit and memory system including the memory device and filtering circuit

Номер патента: US20240257844A1. Автор: Hae Rang Choi,Jong Soon WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: WO2010151481A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-12-29.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200111525A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: EP2446366A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Applying chip select for memory device identification and power management control

Номер патента: EP3533058A1. Автор: James A. McCall,Bill Nale,Christopher E. Cox,Christopher P. Mozak,Kuljit Bains,Akshith Vasanth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-04.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US12131066B2. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Access heatmap generation at a memory device

Номер патента: US20230393783A1. Автор: David Andrew Roberts,Nabeel Meeramohideen Mohamed,Steven Andrew Moyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US20230409239A1. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Enabling multiple data capacity modes at a memory sub-system

Номер патента: US20230359398A1. Автор: Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Effective storage allocation for sequentially-written memory devices

Номер патента: US11809714B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Caching of logical-to-physical mapping information in a memory sub-system

Номер патента: US12130748B2. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods and devices for reducing latency of read operations performed on solid state drives

Номер патента: US20240329842A1. Автор: Kumar Abhinav,Saugata Das Purkayastha,Rowen Alphonso Pereira,Deepak Kumar Pattnaik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and scheduling method for memory device

Номер патента: US20210271417A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US11681468B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Scaling factors for media management operations at a memory device

Номер патента: US11977480B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240070008A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: US20240231913A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for supporting data input/output operation based on a data attribute in a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240338330A1. Автор: Sung Hyun Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US20240296092A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Synchronized request handling at a memory device

Номер патента: US12111758B2. Автор: Dean E. Walker,Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Purging data at a memory device

Номер патента: US20240330519A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Dynamic zone group configuration at a memory sub-system

Номер патента: US12131041B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Error status determination at a memory device

Номер патента: US12141028B2. Автор: Scott E Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11281813B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Remote pooled memory device

Номер патента: US20240256685A1. Автор: Mark Schmisseur,Francesc Guim Bernat,Karthik Kumar,Thomas Willhalm. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US12045379B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11741269B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US20240241652A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US12079492B2. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for erasing data programmed in a non-volatile memory block in a memory system multiple times

Номер патента: US12131053B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

System and method for thermally coupling memory devices to a memory controller in a computer memory board

Номер патента: US09848517B2. Автор: Douglas Cowles,Allan Jeffrey Koeppel. Владелец: Saint Regis Mohawk Tribe. Дата публикации: 2017-12-19.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and devices for reducing latency of read operations performed on solid state drives

Номер патента: EP4439269A1. Автор: Kumar Abhinav,Saugata Das Purkayastha,Rowen Alphonso Pereira,Deepak Kumar Pattnaik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Program command generation with dummy data generation at a memory device

Номер патента: US12141437B2. Автор: Violante Moschiano,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen,Jeremy Binfet,Jeffrey S. McNeil,Kishore Kumar Muccherla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Device, system and method to provide line level tagging of data at a processor cache

Номер патента: US12038845B2. Автор: Vedvyas Shanbhogue,Siddhartha Chhabra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US20230074538A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Host defined zone group configuration at a memory sub-system

Номер патента: US12105970B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

System and method for improving memory usage in virtual machines at a cost of increasing CPU usage

Номер патента: US09836328B2. Автор: Norman Bobroff,Michael Hilton Dawson,Liana Liyow Fong,Arun Kwangil Iyengar,Peter Hans Westerink. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Managing trim commands in a memory sub-system

Номер патента: US11868642B2. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Horia Simionescu,Chih-kuo Kao,Yueh-Hung Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Managing trim commands in a memory sub-system

Номер патента: US20240103752A1. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Horia Simionescu,Chih-kuo Kao,Yueh-Hung Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Smart swapping and effective encoding of a double word in a memory sub-system

Номер патента: US20240134554A1. Автор: Meng Wei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Managing encryption keys per logical block on a persistent memory device

Номер патента: US20240346188A1. Автор: Walter Andrew Hubis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus, and associated method, for facilitating net-searching operations performed by way of a mobile station

Номер патента: WO2001057731A9. Автор: Anders Heie,Dandi Lynde-Redman,Mateera Panichkul. Владелец: Mateera Panichkul. Дата публикации: 2002-10-24.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US20230244566A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US11994945B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Managing encryption keys per logical block on a persistent memory device

Номер патента: US12061732B2. Автор: Walter Andrew Hubis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Resource allocation for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240362134A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

A memory unit and method of operation of a memory unit to handle operation requests

Номер патента: WO2018033694A1. Автор: Andreas Hansson. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for operating memory device and memory device

Номер патента: US20240184464A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yu-Hsuan Lin,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device performing pruning, method of operating the same, and electronic device performing pruning

Номер патента: US20240202526A1. Автор: Ho-Youn Kim,Jong-yoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for offloading image-based tracking operations from a general processing unit to a hardware accelerator unit

Номер патента: WO2020009710A1. Автор: Oskar Linde,Christian Forster. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Managing power consumption associated with communicating data in a memory system

Номер патента: US20240311053A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory unit and method of operation of a memory unit to handle operation requests

Номер патента: US20190163631A1. Автор: Andreas Hansson. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Placement of instructions in a memory system

Номер патента: US20140130022A1. Автор: Tong Chen,John K. O'Brien,Zehra Sura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US12052859B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

A memory arrangement for multi-processor systems

Номер патента: EP1896983A2. Автор: Suk Jin Kim,Bingfeng Mei,Osman Allam. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-03-12.

Method for initializing and utilizing a memory device for a plc

Номер патента: WO2005083534A2. Автор: William H. Johnson,Mark Steven Boggs,Steven Michael Hausman,Temple Luke Fulton. Владелец: Siemens Energy & Automation, Inc.. Дата публикации: 2005-09-09.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Techniques for firmware enhancement in memory devices

Номер патента: US12112066B2. Автор: Jia Sun,Ming Ma,Zhengbo Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Access heatmap implementations at a host device

Номер патента: US20230393744A1. Автор: David Andrew Roberts,Nabeel Meeramohideen Mohamed,Steven Andrew Moyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Bit error management in memory devices

Номер патента: US20230393739A1. Автор: Tommaso Vali,Luigi Pilolli,Cristina Lattaro,Agostino Macerola,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Andrea D'Alessandro,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

System and method to control temperature in a memory device

Номер патента: US12026373B2. Автор: Yi-Jhong HUANG. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System for installing software on a small-memory device

Номер патента: WO2015190998A2. Автор: Ching Guan Tay,Tong Peow Ow. Владелец: Home Control Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-17.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Managing write command execution during a power failure in a memory sub-system

Номер патента: US20240319873A1. Автор: Yoav Weinberg,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Bad block mapping based on bad block distribution in a memory sub-system

Номер патента: US20240295977A1. Автор: Jiankun Li,Dahai Tian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Partially good block handling in a memory device

Номер патента: US20240330094A1. Автор: Jiangli Zhu,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory devices for detecting known initial states and related methods and electronic systems

Номер патента: US09977603B2. Автор: Graziano Mirichigni,Luca Porzio,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US09785578B2. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Managing allocation of sub-blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240231641A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

High level instructions with lower-level assembly code style primitives within a memory appliance for accessing memory

Номер патента: US20240220442A1. Автор: Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-04.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: EP4396688A1. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Error protection for managed memory devices

Номер патента: US20240235578A9. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: WO2023034535A8. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240201851A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Portable securely erasable memory device, method and computer program

Номер патента: WO2012053967A1. Автор: Roger Eriksson,Jens Bogarve. Владелец: Business Security OL AB. Дата публикации: 2012-04-26.

Symmetric bit coding for printed memory devices

Номер патента: US20170068830A1. Автор: Jeffrey Michael FOWLER. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Pre-load techniques for improved sequential memory access in a memory device

Номер патента: US20220300409A1. Автор: Bin Zhao,Xinghui DUAN,Jianxiong Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Voting scheme in a memory page

Номер патента: US20240281322A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Address translation metadata compression in memory devices

Номер патента: US20240264743A1. Автор: Scheheresade Virani,Brian Toronyi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Data protection method for memories and memory device thereof

Номер патента: US12118228B2. Автор: Yonggang Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and method for saving and restoring data using nonvolatile memory

Номер патента: US09946610B2. Автор: Tadaaki Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Identifying memory devices for swapping virtual machine memory pages

Номер патента: US09940167B2. Автор: Michael Tsirkin,Andrea Arcangeli. Владелец: Red Hat Israel Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Management of power loss in a memory device

Номер патента: US09921916B2. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Detecting an attempt to exploit a memory allocation vulnerability

Номер патента: US09916443B1. Автор: TAO Yan,Bo QU,Jiangxia LIU,ChienHua Lu. Владелец: Palo Alto Networks Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for controlling host memory access with memory devices and systems

Номер патента: US09811258B2. Автор: Robert N. Leibowitz,Peter Feeley,Victor Y. Tsai,William H. Radke,Neal A. Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device for multiple processors and memory system having the same

Номер патента: US09740657B2. Автор: Chanho LEE. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

System and method for informing hardware to limit writing in a memory hierarchy

Номер патента: US09645936B1. Автор: Richard Bryant,Kim SCHUTTENBERG. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Refresh counters in a memory system

Номер патента: US11966602B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200257500A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Caching of logical-to-physical mapping information in a memory sub-system

Номер патента: US20230367719A1. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Refresh counters in a memory system

Номер патента: US20210157494A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Multi-tier health status in a memory device

Номер патента: US20240220110A1. Автор: LU Tong,Lawrence Celso Miranda,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12020996B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Performance control for a memory sub-system

Номер патента: US20240192866A1. Автор: Peng Xu,Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices and memory control methods with ISP code

Номер патента: US8949504B2. Автор: Chun-Yi Lo,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240192875A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Aaron Lee,Wenyen CHANG,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device for cryptographic operations and method for interacting therewith

Номер патента: WO2008027165A3. Автор: Kevin Lewis,Susan Cannon. Владелец: Susan Cannon. Дата публикации: 2008-07-31.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US20240078192A1. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory devices and systems for host controlled enablement of automatic background operations in a memory device

Номер патента: US12032827B2. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device configuration based on host behavior

Номер патента: US20240256160A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Using reason codes to determine how to handle memory device error conditions

Номер патента: US20170052842A1. Автор: Jason K. Resch,Andrew D. Baptist,Ilir Iljazi,Niall J. McShane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory Devices and Memory Control Methods

Номер патента: US20140013063A1. Автор: Chun-Yi Lo,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12056361B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Tse-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory device

Номер патента: US20240292621A1. Автор: Yugo Masuda,Takahito Nishimura,Shota URATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device including an electrically conductive layer with a tapered corner and method of making the same

Номер патента: US20240292627A1. Автор: Peng Zhang,Satoshi Shimizu,Shinsuke YADA,Takuya MUROOKA,Kazuki ISOZUMI,Motoo OHAGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082418B2. Автор: Keisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748478B2. Автор: Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20200035696A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240292622A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Yu Ru Huang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Vertical-type memory device

Номер патента: US09871055B1. Автор: Jae-Young Ahn,Hong-suk Kim,Phil-ouk Nam,Ji-Hoon Choi,Sung-Gil Kim,Seul-ye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9087770B2. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140284542A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193573A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100078685A1. Автор: Satoshi Miyazaki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601370B2. Автор: Toru Matsuda,Hisashi Kato,Katsumi Iyanagi,Takeshi SONEHARA,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10381368B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US11765893B2. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276264A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Three-dimensional memory device having enhanced contact between polycrystalline channel and epitaxial pedestal structure and method of making the same

Номер патента: US20210035998A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device

Номер патента: US20240324169A1. Автор: Takashi Inukai,Tsuneo Inaba,Takayuki Miyazaki,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20200395369A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional memory device having enhanced contact between polycrystalline channel and epitaxial pedestal structure and method of making the same

Номер патента: US20210035999A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device with conductive columnar body

Номер патента: US09613896B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Three-dimensional memory device having non-uniform spacing among memory stack structures and method of making thereof

Номер патента: US09929174B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihiro Ueda,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani,Fumitaka Amano,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

3D semiconductor memory device having variable resistance memory elements

Номер патента: US09590016B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device including a deformation-resistant edge seal structure and methods for making the same

Номер патента: US20200235123A1. Автор: Akio Nishida,Kenji Sugiura,Yuji Fukano,Mitsuteru Mushiga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09679947B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324228A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: US09842857B2. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09818759B2. Автор: Jin Liu,Hiroyuki Ogawa,James Kai,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09818693B2. Автор: Jin Liu,Hiroyuki Ogawa,James Kai,Johann Alsmeier,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jixin Yu,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09806093B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device

Номер патента: US09735014B2. Автор: Joon Hee Lee,Won Seok Jung,Keon Soo Kim,Sun Yeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: US09613977B2. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Reduced pitch memory subsystem for memory device

Номер патента: US20240234311A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device and method of assembling same

Номер патента: WO2024129239A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Optical signaling for stacked memory device architectures

Номер патента: US20240268131A1. Автор: Timothy M. Hollis,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US20240276738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device having cell over periphery (COP) structure, memory package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799672B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589981B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220293533A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066461A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory Module Having Signal Lines Configured for Sequential Arrival of Signals at a Plurality of Memory Devices

Номер патента: US20120144085A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: WO2024197080A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.