Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US20180315702A1
Опубликовано: 01-11-2018
Автор(ы): Takashi Hashimoto, Yoshiyuki Kawashima
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-11-2018
Автор(ы): Takashi Hashimoto, Yoshiyuki Kawashima
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof
Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.