System and Method for Lithography Exposure with Correction of Overlay Shift Induced by Mask Heating
Номер патента: US20140272717A1
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Chen Chun-Jen, Chen Jun-Hua, Chen Yung-Hsiang, Cheng Dong-Hsu, Liang Jim, TSAI MING-HO
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Chen Chun-Jen, Chen Jun-Hua, Chen Yung-Hsiang, Cheng Dong-Hsu, Liang Jim, TSAI MING-HO
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Photomask and method of structuring a photoresist by double exposure with imaging auxiliary structures and different exposure tools
Номер патента: US20030143470A1. Автор: Armin Semmler,Gunther Czech,Christoph Nolscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.