Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Active area bonding compatible high current structures

Active area bonding compatible high current structures

Номер патента: US20130130445A1
Опубликовано: 23-05-2013
Автор(ы): Chris A. McCarty, David A. DeCrosta, John T. Gasner, Michael D. Church, Paul E. Bakeman, Jr., Robert Lomenick, Sameer D. Parab
Принадлежит: INTERSIL AMERICAS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Active area bonding compatible high current structures

Номер патента: US20140113444A1. Автор: David A. DeCrosta,Michael D. Church,John T. Gasner,Sameer D. Parab,Paul E. Bakeman, Jr.,Robert Lomenick,Chris A. McCarty. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2014-04-24.

Active area bonding compatible high current structures

Номер патента: US20120261836A1. Автор: David A. DeCrosta,Michael D. Church,John T. Gasner,Sameer D. Parab,Paul E. Bakeman, Jr.,Chris A. McCarty,Robert L. Lomenick. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Active Area Bonding Compatible High Current Structures

Номер патента: CN104112706A. Автор: 约翰·T·加斯纳,迈克尔·D·丘奇,萨米尔·D·帕拉博,小保罗·E·贝克曼,戴维·A·德克罗斯塔,罗伯特·L·罗曼尼科,克里斯·A·迈克卡迪. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2014-10-22.

Active area bonding compatible high current structures

Номер патента: CN105261607A. Автор: 约翰·T.·加斯纳,迈克尔·D.·丘奇,萨米尔·D.·帕拉博,小保罗·E.·贝克曼,戴维·A.·德克罗斯塔,罗伯特·L.·罗曼尼科,克里斯·A.·迈克卡迪. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-01-20.

Array of conductive lines individually extending transversally across and elevationally over a mid-portion of individual active area regions

Номер патента: US10163908B2. Автор: Haitao Liu,Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Sourabh Dhir,Robert Kerr,Sangmin Hwang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

SIMPLE CONTACT OVER GATE ON ACTIVE AREA

Номер патента: US20190157158A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

SIMPLE CONTACT OVER GATE ON ACTIVE AREA

Номер патента: US20190393098A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Simple contact over gate on active area

Номер патента: US20190157158A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor processing methods of forming a contact opening to a conductive line and methods of forming substrate active area source/drain regions

Номер патента: US20020115248A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method and structure for forming gate contact above active area with trench silicide

Номер патента: US09508825B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and structure for forming gate contact above active area with trench silicide

Номер патента: US09508818B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of reducing contact resistance at silicide/active area interfaces and semiconductor devices produced according to the method

Номер патента: US5108954A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Mohammed Anjum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-04-28.

Method of forming electrical contact between a field effect transistor gate and a remote active area

Номер патента: US5232863A. Автор: Martin C. Roberts. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1993-08-03.

Memory cell, memory array and method for defining active area of memory cell

Номер патента: US11610899B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: WO2014159160A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-02.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: EP2973682A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Metal oxide semiconductor (MOS) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: US09997617B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Shallow trench isolation structure with raised portion between active areas and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761658B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of preparing active areas

Номер патента: US12094724B2. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field effect transistors having liners between device isolation layers and active areas of the device

Номер патента: US20180331220A1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for manufacturing raised strip-shaped active areas

Номер патента: US20240170292A1. Автор: YANG He. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Method of preparing active areas

Номер патента: US20230386858A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of preparing active areas

Номер патента: US11830744B1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of preparing active areas

Номер патента: US20240038548A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing memory device having active area in elongated block

Номер патента: US20230360958A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing memory device having active area in strip

Номер патента: US20230284441A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing memory device having active area in elongated block

Номер патента: US20230360959A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor die with through-hole via on saw streets and through-hole via in active area of die

Номер патента: TWI373110B. Автор: Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan,Linda Pei Ee CHUA. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-21.

Method for fabricating low resistance, low inductance interconnections in high current semiconductor devices

Номер патента: WO2007027994A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange,Quang X. Mai. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-08.

ACTIVE AREA BONDING COMPATIBLE HIGH CURRENT STRUCTURES

Номер патента: US20140113444A1. Автор: Church Michael D.,Gasner John T.,JR. Paul E.,Parab Sameer D.,Bakeman,Decrosta David A.,Lomenick Robert,McCarty Chris A.. Владелец: INTERSIL AMERICAS INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

Reliable gate contacts over active areas

Номер патента: US20190259869A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Myung-Hee Na,Albert M. Chu,Emre Alptekin,Eric Eastman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Reliable gate contacts over active areas

Номер патента: US20190097016A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Myung-Hee Na,Albert M. Chu,Emre Alptekin,Eric Eastman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Forming a gate contact in the active area

Номер патента: US09905671B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Forming a gate contact in the active area

Номер патента: US20170054004A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Methods, apparatus and system for fabricating finfet devices using continuous active area design

Номер патента: US20160336183A1. Автор: Lei Yuan,Jongwook Kye,Mahbub Rashed. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Active area junction isolation structure and junction isolated transistors including igfet, jfet and mos transistors and method for making

Номер патента: WO2008137480A3. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2009-10-15.

Transistor with contact over gate active area

Номер патента: US20090294858A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Forming a gate contact in the active area

Номер патента: US10170583B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Fabrication of active areas of different natures directly onto an insulator: application to the single or double gate mos transistor

Номер патента: WO2005109509A1. Автор: Thomas Ernst,François Andrieu,Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 2005-11-17.

Method for patterning active areas in semiconductor structure

Номер патента: US20240243005A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for patterning active areas in semiconductor structure

Номер патента: US20240243003A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for Manufacturing Isolation Structure of Hybrid Epitaxial Area and Active Area in FDSOI

Номер патента: US20230132891A1. Автор: Yongyue Chen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

MICROELECTRONIC DEVICE WITH ISOLATION TRENCHES EXTENDING UNDER AN ACTIVE AREA

Номер патента: US20140061798A1. Автор: Le Tiec Yannick,Grenouillet Laurent,Vinet Maud,WACQUEZ Romain. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2014-03-06.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING LINERS BETWEEN DEVICE ISOLATION LAYERS AND ACTIVE AREAS OF THE DEVICE

Номер патента: US20200027986A1. Автор: KIM Ki-Il,PARK Gi-gwan,Sung Sug-hyun,YOU Jung-gun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING A BOUNDARY OF A WELL BENEATH AN ACTIVE AREA OF A TAP

Номер патента: US20210028171A1. Автор: Smith Michael. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

FIN Field Effect Transistors Having Liners Between Device Isolation Layers and Active Areas of the Device

Номер патента: US20170062613A1. Автор: KIM Ki-Il,PARK Gi-gwan,Sung Sug-hyun,YOU Jung-gun. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING AN ACTIVE AREA OF A TAP INTERSECTED BY A BOUNDARY OF A WELL

Номер патента: US20160093694A1. Автор: Smith Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING AN ACTIVE AREA OF A TAP INTERSECTED BY A BOUNDARY OF A WELL

Номер патента: US20180122808A1. Автор: Smith Michael. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING A BOUNDARY OF A WELL BENEATH AN ACTIVE AREA OF A TAP

Номер патента: US20200119139A1. Автор: Smith Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Su Chien-Sheng,Wang Jeng-Wei. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-07-23.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING AN ACTIVE AREA OF A TAP INTERSECTED BY A BOUNDARY OF A WELL

Номер патента: US20200212040A1. Автор: Smith Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (MOS) ISOLATION SCHEMES WITH CONTINUOUS ACTIVE AREAS SEPARATED BY DUMMY GATES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180240890A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Methods and apparatuses including an active area of a tap intersected by a boundary of a well

Номер патента: US20160254263A1. Автор: Michael Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING AIR GAP BETWEEN GATE ELECTRODE AND DISTAL END PORTION OF ACTIVE AREA AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190296020A1. Автор: Chang Feng-Yi,Lee Fu-Che. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING LINERS BETWEEN DEVICE ISOLATION LAYERS AND ACTIVE AREAS OF THE DEVICE

Номер патента: US20180331220A1. Автор: KIM Ki-Il,PARK Gi-gwan,Sung Sug-hyun,YOU Jung-gun. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Dual trench isolation method and fabrication method of flash memory device using active area etching method

Номер патента: KR100760829B1. Автор: 장동수,김한흥. Владелец: 주식회사 엑셀반도체. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for isolating active areas of a semiconductor substrate by almost flat shallow trenches, and corresponding device.

Номер патента: FR2717307A1. Автор: HAOND Michel,Brouquet Pierre,Paoli Maryse. Владелец: Paoli Maryse. Дата публикации: 1995-09-15.

Method for isolating active areas of a semiconductor substrate by shallow, especially narrow, trenches and corresponding device.

Номер патента: FR2717306A1. Автор: HAOND Michel,Brouquet Pierre,Paoli Maryse. Владелец: Paoli Maryse. Дата публикации: 1995-09-15.

Methods and apparatuses including an active area of a tap intersected by a boundary of a well

Номер патента: US11037928B2. Автор: Michael Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

A kind of gallium arsenide substrate mHEMT active area electric isolation method

Номер патента: CN105070681B. Автор: 黄伟,李琦,丁志华,李海鸥,肖功利,首照宇,高喜,吉宪. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2019-02-12.

Methods and apparatuses including a boundary of a well beneath an active area of a tap

Номер патента: US10679991B2. Автор: Michael Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-09.

Method of forming a mask stack pattern and method of manufacturing a flash memory device including an active area having rounded corners

Номер патента: US20090203190A1. Автор: Chul-Sung Kim,Ki-Hyun Hwang,Si-Young Choi,Bon-young Koo,Young-Jin Noh,Sung-Kweon Baek,Jin-Hwa Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-13.

Double patterning method of forming semiconductor active areas and isolation regions

Номер патента: US9293358B2. Автор: Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Methods and apparatuses including an active area of a tap intersected by a boundary of a well

Номер патента: US9847335B2. Автор: Michael Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods and apparatuses including an active area of a tap intersected by a boundary of a well

Номер патента: US9337266B2. Автор: Michael Smith. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-10.

From the method for interstitial silicon atoms in a kind of elimination active area

Номер патента: CN106449515B. Автор: 储佳. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-13.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area and fabrication method thereof

Номер патента: US20190296020A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area

Номер патента: US20190006368A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Process for forming an active area and a shallow trench isolation self-aligned to a deep trench

Номер патента: EP1037281B1. Автор: Carl Radens,Jack Mandelman,Larry Nesbit,Rama Divakaruni,Ulrike Gruning,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Ceramic package for high current signals

Номер патента: US20200043825A1. Автор: Hector Torres,Joao Carlos Felicio Brito,Javier Antonio Valle Mayorga. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor structure having a landing area extends from first portion to second portion of an active area across a bit-line

Номер патента: US20230114564A1. Автор: Chih-Wei Huang,Chih-hao Kuo,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuits having a continuous active area and methods for fabricating same

Номер патента: US20130328205A1. Автор: Frank Johnson,Olivier Menut,Marc Tarabbia,Gregory A. Northrop. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-12-12.

Electronic Component with Semiconductor Die Having a Low Ohmic Portion with an Active Area and a High Ohmic Portion on a Dielectric Layer

Номер патента: US20210335687A1. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-28.

High current semiconductor device system having low resistance and inductance

Номер патента: WO2007024587A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-01.

Direct contact leadless flip chip package for high current devices

Номер патента: US20110057300A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-10.

High current semiconductor device system having low resistance and inductance

Номер патента: EP1938382A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

High current semiconductor device system having low resistance and inductance

Номер патента: WO2007024587A3. Автор: Bernhard P Lange,Anthony L Coyle. Владелец: Anthony L Coyle. Дата публикации: 2008-02-14.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US12027449B2. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US20220139809A1. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

High-current element for high-current printed circuit boards

Номер патента: US20240032187A1. Автор: Michael Sperber,Ake Ewald,Chandra Gupta Hazarika. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-01-25.

High-voltage, high-current multilayer circuit board, method for the production thereof

Номер патента: AU6606898A. Автор: Peter Etter,Peter Diehm,Peter Leo Straub,Rainer Wolm,Raymond W. Zehringer. Владелец: PPC Electronic AG. Дата публикации: 1998-10-22.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Active area shapes reducing device size

Номер патента: US09929236B1. Автор: Kwan-Yong Lim,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Active area shapes reducing device size

Номер патента: US09761662B1. Автор: Kwan-Yong Lim,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor cell and active area arrangement

Номер патента: US20230268339A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Pochun Wang,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) transistor device and self-aligned active area in FDSOI bulk exposed regions

Номер патента: US09941301B1. Автор: David Pritchard,Scott D. Luning,Lixia LEI,Neha Nayyar,Deniz E. Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Non-Uniform Semiconductor Device Active Area Pattern Formation

Номер патента: US20130270653A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Fully depleted silicon-on-insulator (fdsoi) transistor device and self-aligned active area in fdsoi bulk exposed regions

Номер патента: US20180197882A1. Автор: David Pritchard,Scott D. Luning,Lixia LEI,Neha Nayyar,Deniz E. Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Active area salicidation for nmos and pmos devices

Номер патента: US20240071832A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Christopher W. Petz,Toshihiko Miyashita,Ronald Allen Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Multi-functional high-current circuit board

Номер патента: US20160286639A1. Автор: Wilfried Lassmann,Michael Sperber. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Transistor with high current density

Номер патента: US3900771A. Автор: Gerhard Krause. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-08-19.

Angled implant to improve high current operation of bipolar transistors

Номер патента: US20020006707A1. Автор: Michael Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

GaN-on-Si SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR HIGH CURRENT/ HIGH VOLTAGE LATERAL GaN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20180012770A1. Автор: Thomas MacElwee,Howard Tweddle,Greg P. KLOWAK. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Metal conductor structure having low electro-migration at high currents for semiconductor devices

Номер патента: USH842H. Автор: Christopher D. Ochs. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-11-06.

Asymmetrical MOSFET layout for high currents and high speed operation

Номер патента: US6767779B2. Автор: Steven J. Tanghe,Scott M. Parker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Display device having buffer transistor with control electrode in non-active area

Номер патента: US11683962B2. Автор: Youngjin Cho,Yangwan Kim,Jisu NA,Joong-Soo Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

MOSFET active area and edge termination area charge balance

Номер патента: US09484451B2. Автор: Kyle Terrill,Sharon Shi,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Display with inactive area surrounded by active area

Номер патента: US09853096B1. Автор: John Z. Zhong,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Chin-Wei Lin,Minhyuk Choi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Display device including encapsulation organic layer on base substrate having different thicknesses at non-active area

Номер патента: US12052884B2. Автор: Jeong Ho Lee,Min Ju Kim,Sang Hun Lee,Za Il LHEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

VDMOS having a non-depletable extension zone formed between an active area and side surface of semiconductor body

Номер патента: US09773863B2. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Wolfgang Jantscher,Waqas Mumtaz Syed,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing process for smaller active areas in flat panel X-ray detectors

Номер патента: US7617601B2. Автор: Richard Aufrichtig,John French,Jeffrey A. Kautzer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-11-17.

Active area designs for silicon carbide super-junction power devices and corresponding methods

Номер патента: EP3314668A1. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi,Peter Almem LOSEE. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-05-02.

Active area designs for silicon carbide super-junction power devices

Номер патента: US09735237B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Micro organic opto-electronic device configured for high current density

Номер патента: US10547022B2. Автор: Min Lee,Alexis Fischer,Lei ZENG,Alex Chamberlain CHIME,Mahmoud CHAKAROUN,Homere Nkwawo,Azzedine Boudrouia. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2020-01-28.

Field-effect semiconductor device having pillar regions of different conductivity type arranged in an active area

Номер патента: US09947741B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-effect semiconductor device having alternating n-type and p-type pillar regions arranged in an active area

Номер патента: US09570607B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Displays with gate driver circuitry in an active area

Номер патента: US11854490B1. Автор: XIN Lin,Yun Wang,Bhadrinarayana Lalgudi Visweswaran,Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin,Shyuan Yang,Fan Gui,Mohammad Reza Esmaeili Rad,Yuchi Che,Ran Tu,Cheng-Chih Hsieh,Warren S Rieutort-Louis,Levent Erdal Aygun,Aida R Colon-Berrios,Ricardo A Peterson. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Display device having first and second gates disposed on a first side of an active area and a pattern disposed on a second side of the active area

Номер патента: US11963412B2. Автор: Sunghoon Kim,Suyeon YUN,Anna Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device having active area in strip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230284444A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Multi-active area semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222547A1. Автор: Li Zhou,Yang Cheng,Jun Wang,Bo Li,Shaoyang TAN,Yudan GOU,Lichen ZHANG. Владелец: Shuzhou Everbright Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating interconnection and capacitors of a DRAM using a simple geometry active area, self-aligned etching, and polysilicon plugs

Номер патента: US6080620A. Автор: Erik S. Jeng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Device and method for detecting alignment of active areas and memory cell structures in dram devices

Номер патента: US20050184289A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Manufacturing process for smaller active areas in flat panel X-ray detectors

Номер патента: US20050109945A1. Автор: Richard Aufrichtig,John French,Jeffrey Kautzer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-05-26.

Active area selection for lidar receivers

Номер патента: US20170301716A1. Автор: Linda Irish,William Henry Von Novak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Active area selection for lidar receivers

Номер патента: CA3017223C. Автор: Linda Irish,William Henry Von Novak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-25.

Active area selection for LIDAR receivers

Номер патента: US09985071B2. Автор: Linda Irish,William Henry Von Novak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Active-matrix light-emitting diode (amoled) free of tft within an active area

Номер патента: US20200098846A1. Автор: Yih Chang,Yusheng CHANG. Владелец: Arolltech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Display comprising an irregular-shape active area and method of driving the display

Номер патента: US10535297B2. Автор: Shih-Song Cheng. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US20060220069A1. Автор: Bryan Cole,Troy Sorensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US20060286766A1. Автор: Bryan Cole,Troy Sorensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Manufacturing Process for Smaller Active Areas in Flat Panel X-Ray Detectors

Номер патента: US20080104835A1. Автор: Richard Aufrichtig,John French,Jeffrey A. Kautzer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-05-08.

Micro organic opto-electronic device configured for high current density

Номер патента: US10529943B2. Автор: Min Lee,Alexis Fischer,Lei ZENG,Alex Chamberlain CHIME,Mahmoud CHAKAROUN,Homere Nkwawo,Azzedine Boudrouia. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2020-01-07.

Micro Organic Opto-Electronic Device Configured For High Current Density

Номер патента: US20190097163A1. Автор: Min Lee,Alexis Fischer,Lei ZENG,Alex Chamberlain CHIME,Mahmoud CHAKAROUN,Homere Nkwawo,Azzedine Boudrouia. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2019-03-28.

Micro Organic Opto-Electronic Device Configured For High Current Density

Номер патента: US20190097164A1. Автор: Min Lee,Alexis Fischer,Lei ZENG,Alex Chamberlain CHIME,Mahmoud CHAKAROUN,Homere Nkwawo,Azzedine Boudrouia. Владелец: Paris Xill Paris-Nord Villetaneuse, University of. Дата публикации: 2019-03-28.

Electronic device display with a backlight having light-emitting diodes and driver integrated circuits in an active area

Номер патента: EP4136501A1. Автор: Jun Qi,Mingxia Gu,Yanming Li,Kyung Wook KIM,David W. Lum,Kwang Soon Park,Jingdong Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Active area selection for lidar receivers

Номер патента: EP3443377A1. Автор: Linda Irish,William Henry Von Novak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Passive alignment of photodiode active area in three axes using microscopic focus

Номер патента: US20080305562A1. Автор: David J. Savoia. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Electronic device display with a backlight having light-emitting diodes and driver integrated circuits in an active area

Номер патента: US11982905B2. Автор: Jun Qi,Mingxia Gu,Kyung Wook KIM,David W. Lum,Kwang Soon Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

C-shaped active area semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device with c-shaped active area and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210175333A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

High current burn-in of solar cells

Номер патента: US09912290B2. Автор: David Smith,Xiuwen Tu,Junbo Wu,Michael J Defensor. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High current mos device with avalanche protection and method of operation

Номер патента: WO2005112134A3. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka. Владелец: Vishnu K Khemka. Дата публикации: 2006-07-27.

High current and field-managed transistor

Номер патента: US20240332397A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical light emitting diode structure with high current dispersion and high reliability

Номер патента: US20220231190A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Kuo-Hsin Huang. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Non-volatile memory cell with high current output line

Номер патента: WO2007062273A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2008-03-06.

High current bi-polar pulse system for use in electrochemical metal surface finishing

Номер патента: US20190337068A1. Автор: Hui Tian,Charles Reece,John Musson. Владелец: Jefferson Science Associates LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Non-volatile memory cell with high current output line

Номер патента: WO2007062273A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-05-31.

Electrostatic discharge protection devices with high current capability

Номер патента: US20230223395A1. Автор: Christopher Kocon,Sunglyong Kim,Sudheer Prasad,Sreeram N. S.,Sandip Lashkare. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

High-current integrated circuit

Номер патента: US5461259A. Автор: Yukio Yano,Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-24.

High-voltage based low-power, temperature dependent, thin-oxide only on-chip high current low drop out (ldo) regulator

Номер патента: US20240222354A1. Автор: Shidong Zhou,Santosh Yachareni,Anil Kumar Kandala,Narendra Kumar PULIPATI,Sree Rama Krishna Chaithnya SARASWATULA. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Solder alloy for power devices and solder joint having a high current density

Номер патента: US11331759B2. Автор: Katsuaki Suganuma,Minoru Ueshima,Klaus Wilke,Hans-Jürgen Albrecht. Владелец: Senju Metal Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

High current high voltage vertical pmos in ultra high voltage cmos

Номер патента: CA2134504C. Автор: Steven A. Buhler,Mohamad M. Mojaradi,Tuan A. Vo. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1997-12-23.

High current-gain PNP transistor

Номер патента: US4924288A. Автор: Robert A. Neidorff. Владелец: Unitrode Corp. Дата публикации: 1990-05-08.

High current low voltage liquid cooled switching regulator dc power supply

Номер патента: CA1124788A. Автор: John R. Nowell,Edward A. Wilson. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1982-06-01.

High current low voltage liquid cooled switching regulator DC power supply

Номер патента: US4142231A. Автор: John R. Nowell,Edward A. Wilson. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1979-02-27.

Schottky diode with improved high current behaviour and method for its production.

Номер патента: EP2244284A3. Автор: Klaus Gunther,Michael Reschke,Hans-Jürgen Hillemann. Владелец: Eris Technology Corp. Дата публикации: 2011-06-15.

Semiconductor devices with high current capability for electrostatic discharge or surge protection

Номер патента: US20230223393A1. Автор: Christopher Kocon,Sunglyong Kim,Sudheer Prasad,Sreeram N. S.,Sandip Lashkare. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Liquid cooling of high current devices in power flow control systems

Номер патента: US11812592B1. Автор: Ali Farahani,Haroon Inam. Владелец: Smart Wires Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Transistor semiconductor die with increased active area

Номер патента: US12057389B2. Автор: Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DIE WITH INCREASED ACTIVE AREA

Номер патента: US20200328150A1. Автор: Lichtenwalner Daniel Jenner,Van Brunt Edward Robert. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Transistor semiconductor die with increased active area

Номер патента: US11164813B2. Автор: Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED DEVICE WITH MECHANICALLY DECOUPLED ACTIVE AREA AND RELATED MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20130168840A1. Автор: Vigna Benedetto,Merassi Angelo Antonio,Ferrari Paolo,FERRERA Marco,Mantovani Marco. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH IMPROVED ACTIVE AREA/WORD LINE LAYOUT

Номер патента: US20160099248A1. Автор: Wu Nan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS

Номер патента: US20180122792A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Kim Seong-Dong,Hook Terence B.,Chu Albert M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: GB2571652B. Автор: Kim Seong-Dong,Hook Terence,Alan Anderson Brent,Manhee Chu Albert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-14.

SRAM with driver transistor distributed over different active areas

Номер патента: EP2551905B1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuhisa Shimazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-01.

Molded integrated circuit package with exposed active area

Номер патента: US20030214021A1. Автор: Tiao Zhou,Michael Hundt. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-11-20.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing Steps of Source-Side and Drain-Side Field Plates

Номер патента: US20140070280A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device with the line style raceway groove for limiting active area

Номер патента: CN108538804A. Автор: 崔宰福,李圭现,张美贞,崔荣振,许宙永. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-14.

Active area shaping for Ill-nitride device and process for its manufacture

Номер патента: US20090189187A1. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2009-07-30.

Active area shaping for III-nitride devices

Номер патента: US8536624B2. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-17.

Vertical high current hall sensor with integrated heat slug current loop power pad

Номер патента: US20240096767A1. Автор: Wai Lee,Dok Won Lee,Sreenivasan Koduri,Hank Sung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: US10868321B2. Автор: Scott Blanchet,Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2020-12-15.

System and method for a fuel cell subgasket active area edge with through-plane photon conduction

Номер патента: US20240194923A1. Автор: Wenbin Gu,Ruichun Jiang,Matthew J. Beutel. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Stack active area load sensing

Номер патента: US20210249679A1. Автор: Jeffrey A. Rock. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: US20180323460A1. Автор: Scott Blanchet,Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: EP2951876A1. Автор: Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2015-12-09.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: US20140220471A1. Автор: Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

Electrical conductor for high-current bushing insulator

Номер патента: RU2521963C2. Автор: Ансгар ДИАС,Михаель КРИСТЕН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-07-10.

Improved interrupter for high-current or high-voltage applications at direct current, for example, for industrial and / or railway applications

Номер патента: RU2721374C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-05-19.

High current interconnect system and method for use in a battery module

Номер патента: US09698403B2. Автор: Mikhail S. BALK,Richard M. Dekeuster,Ronald J. Dulle,Bryan L. Thieme,Edward J. Soleski. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-07-04.

High-current source of ion beams based on of electron-cyclotron resonance discharge plasma held in open magnetic trap

Номер патента: RU2660677C1. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-07-09.

Improved contactor for high-current switching

Номер патента: RU2713460C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-02-05.

Source of high-current ion beams based on ecr discharge plasma, held in open magnetic trap

Номер патента: RU2725615C1. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2020-07-03.

Meter with integrated high current switch

Номер патента: EP2301122A2. Автор: David N. Makinson,Joseph Pontin,Firoz Narsidani,Kirby K. Nelson,Michael Worley. Владелец: Itron Inc. Дата публикации: 2011-03-30.

High-current connection clamping screw device as well as electrical high-current connector and high-current line connector

Номер патента: EP4395090A3. Автор: Joachim Schneider,Manuel Eheim,Wolfgang Balles,Heiko Wolfschmitt,Richard A. FORELL,Walter Saenger. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-09-25.

High-current connection clamping screw device as well as electrical high-current connector and high-current line connector

Номер патента: EP4395090A2. Автор: Joachim Schneider,Manuel Eheim,Wolfgang Balles,Heiko Wolfschmitt,Richard A. FORELL,Walter Saenger. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-07-03.

High-current module connector and module connector system with the high-current module connector

Номер патента: EP4435974A1. Автор: Frank Kaehny,Manuel Eheim,Marcus Wolf,Bjoern HOFFMANN,Gerzson Toth. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-25.

High-current module connector and module connector system with the high-current module connector

Номер патента: US20240322461A1. Автор: Frank Kaehny,Manuel Eheim,Marcus Wolf,Bjoern HOFFMANN,Gerzson Toth. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-26.

Safety system for high current applications

Номер патента: US09923311B2. Автор: Willem Blakborn. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-20.

High-current connector for an electric vehicle

Номер патента: EP4443666A1. Автор: Florin Spataru,Jochen Fertig,Uemit Bulduk,Carsten BICHELS. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for arrangement of high-current horizontally directed electroconductive channel in air and device for its implementation

Номер патента: RU2726216C2. Автор: Юрий Олегович Ладягин. Владелец: Юрий Олегович Ладягин. Дата публикации: 2020-07-09.

Electrically controlled switch for high-current switching operations with various configurations of fixed contact terminals

Номер патента: RU2767186C1. Автор: Карло БОССОНИ,Давиде ФАЙОНИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2022-03-16.

High-current half-turn windings

Номер патента: US20180158594A1. Автор: Kartik Iyer,Minyu CAI,Subbarao Dakshina Murthy Bellur. Владелец: Cummins Power Generation IP Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Solid-State Battery Management System for High Current Applications

Номер патента: US20230395876A1. Автор: Jiaqi Liang,Anil Paryani,Andrew Almendares,Michael Hibbard,Mohit Chand,Yoganand Parthasarathy. Владелец: Auto Motive Power Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Electrical plug-in connector with a housing and a high-current contact

Номер патента: US6979235B2. Автор: Jürgen Lappöhn. Владелец: ERNI Electronics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-27.

Large scale stable field emitter for high current applications

Номер патента: US20240266136A1. Автор: Anthony SKEATS,Robert C. SHEEHY,Brian Gonzales,Peter YARON,Steven TREWARTHA,Susanne SAHLOS,Gandalf DU PREEZ. Владелец: Micro X Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

High-current connector for an electric vehicle

Номер патента: US20240336153A1. Автор: Florin Spataru,Jochen Fertig,Uemit Bulduk,Carsten BICHELS. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

High current switch

Номер патента: RU2583763C2. Автор: ПРОНДЗИНСКИ Рудольф ФОН,Йенс КНЕБЕЛЬ. Владелец: ШАЛЬТБАУ ГМБХ. Дата публикации: 2016-05-10.

Long-LifeTime, Short Pulse, High Current Ion Source and Particle Accelerator

Номер патента: US20230260737A1. Автор: Paul Reynolds,Mark Derzon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-17.

A passively activated switch system for a high-current coil

Номер патента: WO2023224860A1. Автор: Marcel Pierre Joseph Gaudreau,David B. Cope,Kathleen Elaine QUINLAN,Megan Mccandless,Arieanna Blanchette,Slade Lewis. Владелец: DIVERSIFIED TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-11-23.

Long-life time, short pulse, high current ion source and particle accelerator

Номер патента: EP4324011A2. Автор: Paul Reynolds,Mark S DERZON. Владелец: Gold Standard Radiation Detection Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

High-current connector and high-current connection device

Номер патента: US20180342824A1. Автор: Yi-Tse Ho. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Controlled high current fuse-link

Номер патента: WO2011157068A8. Автор: Hongsheng Jiang,Zhonghou Xu,Yousheng Xu. Владелец: XIAMEN SET ELECTRONICS CO., LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

A passively activated switch system for a high-current coil

Номер патента: US20230369846A1. Автор: Marcel Pierre Joseph Gaudreau,David B. Cope,Kathleen Elaine QUINLAN,Megan Mccandless,Arieanna Blanchette,Slade Lewis. Владелец: Diversified Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Long-life time, short pulse, high current ion source and particle accelerator

Номер патента: WO2023009188A3. Автор: Paul Reynolds,Mark S DERZON. Владелец: Gold Standard Radiation Detection, Inc.. Дата публикации: 2023-05-11.

Long-life time, short pulse, high current ion source and particle accelerator

Номер патента: WO2023009188A2. Автор: Paul Reynolds,Mark S DERZON. Владелец: Gold Standard Radiation Detection, Inc.. Дата публикации: 2023-02-02.

High current contact having arc base trap and switching device in particular for high current technology having such a high current contact

Номер патента: WO2013124354A1. Автор: Thomas Haehnel,Matthias Kroeker,Titus Ziegler,Peter Sandeck,Udo Gabel. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2013-08-29.

High current dc dispersing and converging connector

Номер патента: US20200136327A1. Автор: Baojun Luo. Владелец: Ti Lane Precision Electronic Co ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Protective cap for high-current plug connector

Номер патента: US20230307863A1. Автор: Ensign WEN. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2023-09-28.

High current DC dispersing and converging connector

Номер патента: US10770847B2. Автор: Baojun Luo. Владелец: Ti Lane Precision Electronic Co ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

High-current contact means and method for operating the high-current contact means

Номер патента: US12043131B2. Автор: Waldemar Stabroth,Volker Seipel,Ruediger Meier. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

A semiconductor test and burn-in apparatus provided with a high current power connector for combining power planes

Номер патента: US20050112936A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

High current battery pack fusing system

Номер патента: US09997763B2. Автор: Jean-Philippe Gauthier,Richard J. Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Resonant high current density transformer with improved structure

Номер патента: US09959970B2. Автор: Sen-Tai Yang. Владелец: Yujing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

High current battery pack fusing system

Номер патента: US09899658B2. Автор: Jean-Philippe Gauthier,Richard J. Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

High voltage high current vacuum integrated circuit

Номер патента: US09711287B2. Автор: Curtis A Birnbach. Владелец: ADVANCED FUSION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for reducing thresholds of field-emission beginning, increasing field-emission current density and degradation resistance of high-current multi-tip field-emission cathodes

Номер патента: RU2692240C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2019-06-24.

High current conductors and high field magnets using anisotropic superconductors

Номер патента: CA1331480C. Автор: William Joseph Gallagher,Arthur Davidson,Timothy Rea Dinger,Thomas Kimber Worthington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Polarity-variable bus connector for transmitting pulsed high current into vacuum chamber

Номер патента: GB2613918A. Автор: WAN JIE,Guan Jian,Li Liyi,Jin Chenggang,E Peng,Ling Wenbin,Zhu Guangliang. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-21.

Laser driver with high-speed and high-current and current modulating method thereof

Номер патента: US20200251883A1. Автор: Xi Li,Fujiang Lin,Ahmed Wahba Abdalla Elsayed. Владелец: Jiangsu Keda Hengxin Semicon Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High current contact for contacting a high current socket

Номер патента: US11978977B2. Автор: Manuel Kagerhuber,Anton Mayer,Andreas Briesemann. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Module for a high-current plug and/or a high-current cable, high-current plug, and method of influencing the emc behaviour

Номер патента: EP3704766A1. Автор: Daniel Bischoff,Mohammad Nikfal,Jens Koester. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2020-09-09.

High-current plug-in connector, patch cable and plug-in connector system for a rechargeable battery pack

Номер патента: US20240006819A1. Автор: Sebastian Griepenstroh. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2024-01-04.

Meter with integrated high current switch

Номер патента: CA2725229C. Автор: David N. Makinson,Joseph Pontin,Firoz Narsidani,Kirby K. Nelson,Michael Worley. Владелец: Itron Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Rotatable high current connector

Номер патента: US5127836A. Автор: Wolfgang Reuter. Владелец: Leybold AG. Дата публикации: 1992-07-07.

Relay, in particular for the high-current range

Номер патента: CA2737547C. Автор: Werner Kern,Simon Kalmbach,Roland Hengstler,Uwe Grindemann. Владелец: Kissling Elektrotechnik GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Low inductance resistor for high current limitation

Номер патента: US4568907A. Автор: Ralph L. Hurtle. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-02-04.

Electrical high current industrial oven or fryer compression connection

Номер патента: US4831240A. Автор: Kenneth F. Davis. Владелец: Hester Industries Inc. Дата публикации: 1989-05-16.

High-current contact means and method for operating the high-current contact means

Номер патента: EP3988379A1. Автор: Waldemar Stabroth,Volker Seipel,Ruediger Meier. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2022-04-27.

Single-pole high-current connector

Номер патента: RU2755722C1. Автор: . Владелец: общество с ограниченной ответственностью "ЗЭТО-Газовые Технологии". Дата публикации: 2021-09-20.

High-current ion source based on a dense plasma of ecr discharge, kept in an open magnetic trap

Номер патента: RU2697186C1. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Григорий Геннадьевич Денисов,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга,Дмитрий Игоревич Соболев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2019-08-13.

Increasing the steepness of the vac of high-current field electron sources

Номер патента: RU2765635C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров,Дмитрий Николаевич Золотых,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз"). Дата публикации: 2022-02-01.

System for coupling a high voltage, high current wire to a circuit board

Номер патента: US5291376A. Автор: James M. Mills. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Combined electrical connector and radiator for high current applications

Номер патента: US6929504B2. Автор: Pui Tsang Peter Ling,Yiu Sing Tong. Владелец: Sylva Ind Ltd. Дата публикации: 2005-08-16.

Heating workpieces by high current intensity glow discharge

Номер патента: CA1092954A. Автор: Werner Oppel. Владелец: Kloeckner Ionon GmbH. Дата публикации: 1981-01-06.

Electrical high-current connector

Номер патента: EP4325670A1. Автор: Joachim Schneider,Manuel Eheim,Wolfgang Balles,Heiko Wolfschmitt,Thomas Hulbert,Richard A. FORELL,Walter Saenger. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-02-21.

Tubular high current female terminal

Номер патента: US11862882B2. Автор: Ping Chen. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

High current ribbon inductor

Номер патента: US20220359118A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo,Steven Derek LANE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Large scale stable field emitter for high current applications

Номер патента: AU2019248217A1. Автор: Anthony SKEATS,Robert C. SHEEHY,Brian Gonzales,Peter YARON,Steven TREWARTHA,Susanne SAHLOS,Gandalf DU PREEZ. Владелец: Micro X Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Large scale stable field emitter for high current applications

Номер патента: EP3776621A1. Автор: Anthony SKEATS,Robert C. SHEEHY,Brian Gonzales,Peter YARON,Steven TREWARTHA,Susanne SAHLOS,Gandalf DU PREEZ. Владелец: Micro X Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Large scale stable field emitter for high current applications

Номер патента: US11955306B2. Автор: Anthony SKEATS,Robert C. SHEEHY,Brian Gonzales,Peter YARON,Steven TREWARTHA,Susanne SAHLOS,Gandalf DU PREEZ. Владелец: Micro X Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

High current contact and corresponding method for producing a high current contact assembly

Номер патента: US20130035005A1. Автор: Stefan Huehner,Adolf Dillmann,Wolfgang Hau,Achim Silberbauer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-02-07.

Contact assembly for high-current applications

Номер патента: US20190267731A1. Автор: Alexander Dauth,Ramona GRUNDMEIER,Gerd Braeuchle. Владелец: BorgWarner Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

High-current high-frequency electrical connector receptacle applicable to network data transmission

Номер патента: US11705669B2. Автор: Zhigang He,Song Zou,Guangcai FAN. Владелец: Goldenconn Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Twisted en-plated terminal for high current mosfet terminations

Номер патента: US20150207287A1. Автор: Alex Creviston,Christopher Bledsoe,Ronald Gentry. Владелец: REMY TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Powertrain with high-power distribution module and high-current ring terminal connection for the same

Номер патента: US20180154783A1. Автор: Leo F. Schwab,Alexander M. Bilinski,Brendan M. Conlon,Stephen G. Heien,Konking Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

High-Current High-Frequency Electrical Connector Receptacle Applicable To Network Data Transmission

Номер патента: US20220271475A1. Автор: Zhigang He,Song Zou,Guangcai FAN. Владелец: Goldenconn Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Appliance for connecting high-current electric apparatuses, primarily conductor bars

Номер патента: EP2321874A1. Автор: Bela Nagy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-18.

Appliance for connecting high-current electric apparatuses, primarily conductor bars

Номер патента: US20110159736A1. Автор: Bela Nagy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Appliance for connecting high-current electric apparatuses, primarily conductor bars

Номер патента: WO2010018419A1. Автор: Bela Nagy. Владелец: Nagy Bela. Дата публикации: 2010-02-18.

High current terminal assembly

Номер патента: WO2021055024A1. Автор: Andrew Jon CRANE. Владелец: Oetiker Ny, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Electrode for high-current-density operation

Номер патента: US20180277836A1. Автор: Jun Young Lee,Kyoung Jun Kim,Nak Heon Choi,Min Ju Park,Sang Bong Moon,Hye Young Jung,Yun Ki CHOI,Chang Hwan Moon,Hyun Hee Kim. Владелец: Elchemtech Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Assembly and method for monitoring the status of a switch for high currents and/or high voltages

Номер патента: US20240282541A1. Автор: Christfried Weigel. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

Assembly and method for monitoring the status of a switch for high currents and/or high voltages

Номер патента: EP4428890A1. Автор: Christfried Weigel. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-11.

High current contact device

Номер патента: US12088049B2. Автор: Alexander Mueller,Sebastian Zabeck,Sandeep Giri,Dominik Heiss,Philipp Kowarsch,Tobias Meißner. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Busbar arrangement, in particular for electrical, multipolar high-current connection in an electrically driven motor vehicle

Номер патента: US20240291258A1. Автор: Julian Faulhaber,Frederik Püschel,Volker Rüdiger Reuss,Stefan Werner Gellert. Владелец: PREH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Bus bar for high current and battery pack including the same

Номер патента: US20240322386A1. Автор: Wonsung KIM. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Battery pack with improved anti-movement and assembly and fixing structure for high-current bus bar

Номер патента: US20240322264A1. Автор: Jaelim Ryu,Jungkyun Jung,Gwangtaek YOON,Beomjun WOO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Battery pack with improved anti-movement and assembly and fixing structure for high-current bus bar

Номер патента: EP4439785A1. Автор: Jaelim Ryu,Jungkyun Jung,Gwangtaek YOON,Beomjun WOO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Shielding arrangement for high-current applications

Номер патента: US09941639B2. Автор: Martin Saur,Zhenyu Hu. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-10.

High current, low equivalent series resistance printed circuit board coil for power transfer application

Номер патента: US09837201B2. Автор: Jorge ZABACO. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

High current, low equivalent series resistance printed circuit board coil for power transfer application

Номер патента: US09818527B2. Автор: Jorge ZABACO. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

High-current plug-in connection with multi-arm contact lamellae

Номер патента: US09608341B2. Автор: Martin Saur,Zhenyu Hu. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for high-current rapid charging

Номер патента: US09457681B2. Автор: Robert P. Kittell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

High current connector

Номер патента: US09450331B1. Автор: Yiqiang Luo. Владелец: Amphenol East Asia Electronic Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

High current under oil expulsion fuse

Номер патента: CA1143768A. Автор: Wayne W. Lien. Владелец: RTE Corp. Дата публикации: 1983-03-29.

Method and apparatus for electrostatic deflection of high current ion beams in scanning apparatus

Номер патента: CA1054726A. Автор: John H. Keller,Dennis K. Coultas,James R. Winnard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Electrical connector high current surge protection

Номер патента: CA1305539C. Автор: Leslie L. Kerek. Владелец: INTERCONNECTION PRODUCTS Inc. Дата публикации: 1992-07-21.

Method of making a ruggedized high current density cathode

Номер патента: CA1138924A. Автор: Bernard Smith. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1983-01-04.

High current contact

Номер патента: CA1103293A. Автор: Jeffry R. Meyer. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

High voltage relay resistant to instantaneous high-current impact

Номер патента: US11694856B2. Автор: YI WU,FEI Yang,Qingyin Fang,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Xufeng KANG,Guangchao YAN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-07-04.

Apparatus for switching a high-current power source

Номер патента: US5281781A. Автор: Karl Herchenrother,Michael Protzmann,Heiko W. Spengemann. Владелец: Leybold Durferrit GmbH. Дата публикации: 1994-01-25.

Method of making a ruggedized high current density cathode

Номер патента: US4236287A. Автор: Bernard Smith. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1980-12-02.

High-current vacuum switch with reduced contact erosion

Номер патента: CA1084565A. Автор: James M. Lafferty. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-08-26.

High-current insertion-type connector having annular resilient contact-making means

Номер патента: CA2821276C. Автор: Willem Blakborn. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-08-21.

High-current insertion-connected connector

Номер патента: CA2803099C. Автор: Martin Auer,Willem Blakborn,Gregor Reiner. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-29.

An air electrode providing high current density for metal-air batteries

Номер патента: WO2000036676A1. Автор: Robert B. Dopp,Jonathan Goldstein,Jonathan Sassen,Oleg Abramzon. Владелец: Electric Fuel Limited. Дата публикации: 2000-06-22.

Metal-solid lubricant brushes for high-current rotating electrical machinery

Номер патента: US4267476A. Автор: Pang-Kai Lee. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1981-05-12.

High current feed-through capacitor

Номер патента: US4935842A. Автор: William E. Carlson,Mark W. Metzler,Lawrence E. Crowe. Владелец: Sundstrand Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

High Current Battery Pack Fusing System

Номер патента: US20170141379A1. Автор: Jean-Philippe Gauthier,Richard J. Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

High current switch with three-state illuminated knob

Номер патента: US20230392775A1. Автор: Hai Wang,Dong Gu Wen,DONG Yang,Larry Vansickel. Владелец: Audio Accessories Group LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Electrode for low resistance-high current and fabrication method for the same

Номер патента: EP4202957A1. Автор: Min Soo Lee,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

High-current connector and method for mounting same

Номер патента: US11881649B2. Автор: Wilhelm KLIEVER. Владелец: Harting Electric GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-23.

High Current Battery Pack Fusing System

Номер патента: US20170141378A1. Автор: Jean-Philippe Gauthier,Richard J. Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

An unique system and method for carrying high current in an electronic printed circuit board

Номер патента: WO2024038468A1. Автор: Yogesh Mudigere RANGASETTY,Karthik Venkataraman,Niraj RAJMOHAN,Swetha Ch,Soraikayur Venkatasubramanian Balakumar,Kumari Nisha Gupta. Владелец: Ultraviolette Automotive Private Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

High current contact device

Номер патента: EP3930106A1. Автор: Alexander Mueller,Sebastian Zabeck,Sandeep Giri,Dominik Heiss,Philipp Kowarsch,Tobias Meißner. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2021-12-29.

Methods and systems for high current semiconductor diode junction protection

Номер патента: WO2005079248A2. Автор: Joseph Mangano. Владелец: Science Research Laboratory, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

A tubular high current female terminal

Номер патента: EP4348770A1. Автор: Ping Chen. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Resonant high current density transformer with improved structure

Номер патента: US20180061557A1. Автор: Sen-Tai Yang. Владелец: Yujing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

High-current connector and method for mounting same

Номер патента: US20210210887A1. Автор: Wilhelm KLIEVER. Владелец: Harting Electric GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-07-08.

Interface design for high current density cycling of solid state battery

Номер патента: US20210249693A1. Автор: Nenad Markovic,Sanja Tepavcevic,Peter Zapol,Yisi Zhu,Justin Grant Connell. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Electrical plug contact for high-current applications and electrical connector system for high-current applications

Номер патента: US20200243996A1. Автор: Rolf Wittmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-07-30.

Electric switch for high currents, in particular with a high short circuit withstand performance in the ka-range

Номер патента: WO2013001039A1. Автор: Brendan Normoyle,Leslie Allen,Melvyn Mcgann. Владелец: Raychem International. Дата публикации: 2013-01-03.

High-current switch with contact pressure booster

Номер патента: US3708643A. Автор: J Erickson. Владелец: Erickson Electrical Equipment Co. Дата публикации: 1973-01-02.

High current capacity blade for a circuit breaker

Номер патента: CA2158067C. Автор: Randall L. Siebels,Jerry L. Scheel,Matthew D. Sortland,John M. Winter. Владелец: Square D Co. Дата публикации: 2000-04-11.

Power spark gap assembly for high current conduction with improved sparkover level control

Номер патента: US4672259A. Автор: Oral L. Riggins,Thomas L. Dyer, Jr.. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

High current capacity blade for a circuit breaker

Номер патента: CA2158067A1. Автор: Randall L. Siebels,Jerry L. Scheel,Matthew D. Sortland,John M. Winter. Владелец: John M. Winter. Дата публикации: 1995-07-20.

Silver-oxide electric contact material for use in switches for high current

Номер патента: US5451272A. Автор: Manabu Aoki,Yuzo Uemura,Shigeo Shibuya. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Low voltage circuit breaker with multiple contacts for high currents

Номер патента: CA2053516C. Автор: Marc Rival,Robert Morel,Hubert Garcia,Pierre Miguet. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 2002-08-20.

Blow open moving contact assembly for electric power switching apparatus with a very high current interruption rating

Номер патента: CA2594392C. Автор: Paul R. Rakus,Jeffrey A. Miller,Thomas C. Pendrick,John J. Shea,Glen C. Sisson,Michael B. Schulman,Yun-Ko N. Chien. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Method for making a high current fiber brush collector

Номер патента: US4587723A. Автор: Samuel J. Scuro. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1986-05-13.

Hall effect ion source at high current density

Номер патента: WO2002037521A3. Автор: Wayne L Johnson. Владелец: Wayne L Johnson. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of making a high current density long life cathode

Номер патента: CA1080790A. Автор: Bernard Smith,Albert F. Newman. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1980-07-01.

High voltage switch with high current closing contacts

Номер патента: US3787651A. Автор: D Evans,L Chabala. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 1974-01-22.

Method of making a long life high current density cathode from tungsten and iridium powders using a low melting point impregnant

Номер патента: US4863410A. Автор: Bernard Smith,Louis E. Branovich,Donald W. Eckart,Gerard L. Freeman. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1989-09-05.

Carbon nanotube high-current-density field emitters

Номер патента: US7834530B2. Автор: Harish M. Manohara,Michael J. Bronikowski. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2010-11-16.

Surface mountable high current resistor

Номер патента: US5218334A. Автор: Michael H. Bartlett. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Apparatus and method for generating high current negative ions

Номер патента: US4471224A. Автор: Jerome J. Cuomo,Harold R. Kaufman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

Solid polymer fuel cell system: high current density operation

Номер патента: US5064732A. Автор: Alfred P. Meyer. Владелец: International Fuel Cells Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Method of making a long life high current density cathode from aluminum oxide and tungsten oxide powders

Номер патента: US5022883A. Автор: Bernard Smith,Louis E. Branovich,Donald W. Eckart,Gerard L. Freeman. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1991-06-11.

High current electrical connectors

Номер патента: GB1497286A. Автор: . Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1978-01-05.

High current contact system for solar modules

Номер патента: US4310211A. Автор: Thomas J. Sotolongo,Edward D. Bunnell. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1982-01-12.

High current switch and method of operation

Номер патента: CA2736031C. Автор: Frank Stepniak,Larry Siebens,Charles Bindics,Anthony Reed. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2013-03-19.

High current density electrical contact

Номер патента: US4037916A. Автор: Lloyd E. Thompson, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-07-26.

MHD pinch interrupting switch for high currents

Номер патента: US4663503A. Автор: Owen S. Taylor. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1987-05-05.

Spiral wound conductor for high current applications

Номер патента: US11935671B2. Автор: Tyson B. Manullang,Guan Che Ting,Jacob F. Gowan,Venus K. Garg. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

High-current electrical pass through standoff connection for electronic box

Номер патента: US20240039186A1. Автор: Patrick Su,Kevin D. Moore,Alan Kang. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Electric Switch, In Particular for High Voltages and/or High Currents

Номер патента: US20170229267A1. Автор: Peter Lell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-10.

Connector for automobile with high current capability

Номер патента: US7803023B2. Автор: Bok-Hee Youn,Yong-Joon Noh,Wan-Ki Park,Sei-Hoon Cho. Владелец: LS Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

High current thermostat

Номер патента: EP4315379A1. Автор: Changcai ZHAO,William SUEN,Parsons PAN. Владелец: Therm O Disc Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

High current toroidal transformer construction

Номер патента: WO2018118839A1. Автор: Paul Wilkinson Dent. Владелец: Koolbridge Solar, Inc.. Дата публикации: 2018-06-28.

High current heaterless hollow cathode

Номер патента: US20240014014A1. Автор: Dan M. Goebel,Adele R. PAYMAN. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-01-11.

High voltage/high current fuse

Номер патента: EP1797576A2. Автор: Douglas Fischer,William P. Brown,Edwin James Harris,Jeffrey John Ribordy,John Adamczyk,Gregory Stumpo. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

High current thermostat

Номер патента: WO2022203962A1. Автор: Changcai ZHAO,William SUEN,Parsons PAN. Владелец: Therm-O-Disc Incorporated. Дата публикации: 2022-09-29.

High-current plug connector for a battery management system

Номер патента: US20240047899A1. Автор: Sebastian Griepenstroh. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2024-02-08.

Low voltage high current power supply device

Номер патента: US20240062951A1. Автор: Zhongjie Yuan. Владелец: Hefei Sanyu Electric Co ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Connector for automobile with high current capability

Номер патента: US20090203267A1. Автор: Bok-Hee Youn,Yong-Joon Noh,Wan-Ki Park,Sei-Hoon Cho. Владелец: LS Cable Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Stud assembly for high current applications

Номер патента: US20210355982A1. Автор: Brian SCHLOTTERBECK,Adli Nureddin,Robert Cao. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

High current thermostat

Номер патента: US20240170233A1. Автор: Changcai ZHAO,William SUEN,Parsons PAN. Владелец: Therm O Disc Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Electrical connecting device for high currents

Номер патента: US6296532B1. Автор: Dietmar Harting,Jens Krause,Ludger Leve. Владелец: Harting AG and Co KG. Дата публикации: 2001-10-02.

High current nanosecond laser driver circuit with wide pulse-width adjustment range

Номер патента: US20210021098A1. Автор: Ercan Kaymaksut. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-01-21.

ACTIVE AREA BONDING COMPATIBLE HIGH CURRENT STRUCTURES

Номер патента: US20130130445A1. Автор: Church Michael D.,Gasner John T.,JR. Paul E.,Parab Sameer D.,Bakeman,Decrosta David A.,Lomenick Robert,McCarty Chris A.. Владелец: INTERSIL AMERICAS INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

Package system for high current diodes

Номер патента: WO2022146370A1. Автор: Mehmet Ertuğrul,Serdar AYDIN,Erdal SÖNMEZ,Volkan BALTA,Ahmet MAVİ. Владелец: Atatürk Üni̇versi̇tesi̇ Bi̇li̇msel Araştirma Projeleri̇ Bi̇ri̇mi̇. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing a substrate provided with different active areas and with planar and three-dimensional transistors

Номер патента: US09558957B2. Автор: François Andrieu,Sebastien Barnola,Jerome Belledent. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor Devices Including Active Areas with Increased Contact Area

Номер патента: US20180090495A1. Автор: Do Sun Lee,Do Hyun Lee,Sang Jin HYUN,Chul Sung Kim,Joon Gon Lee,Na Rae KIM,Ryuji Tomita. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor devices including active areas with increased contact area

Номер патента: US10128245B2. Автор: Do Sun Lee,Do Hyun Lee,Sang Jin HYUN,Chul Sung Kim,Joon Gon Lee,Na Rae KIM,Ryuji Tomita. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-13.

Cfet sram with butt connection on active area

Номер патента: US20230345693A1. Автор: Jui-Chien Huang,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor Devices Including Active Areas with Increased Contact Area

Номер патента: US20180090495A1. Автор: Tomita Ryuji,HYUN Sang Jin,Lee Do Hyun,KIM Chul Sung,Lee Joon Gon,KIM Na Rae,Lee Do Sun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Methods of fabricating integrated circuit transistors by simultaneously removing a photoresist layer and a carbon-containing layer on different active areas

Номер патента: SG131845A1. Автор: KWON O Sung,Chang Chong Kwang,KO Young Gun,Matthias Lipinski,Shailendra Mishra,Zhuang Haoen,Tjoa Tjin Tjin. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2007-05-28.

Active area designs for charge-balanced diodes

Номер патента: US09704949B1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Pitch scalable active area patterning structure and process for multi-channel finFET technologies

Номер патента: US09589958B1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Eric Miller,Stuart A. Sieg,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Active area shaping of III-nitride devices utilizing a field plate defined by a dielectric body

Номер патента: US09525052B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with active area protection

Номер патента: US09419126B2. Автор: Xiaodong Yang,Yanxiang Liu,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Pitch scalable active area patterning structure & process for multi-channel fin fet technologies

Номер патента: US20170213825A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Eric Miller,Stuart A. Sieg,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A SUBSTRATE PROVIDED WITH DIFFERENT ACTIVE AREAS AND WITH PLANAR AND THREE-DIMENSIONAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130309854A1. Автор: ANDRIEU Francois,BARNOLA Sebastien,BELLEDENT Jerome. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

RELIABLE GATE CONTACTS OVER ACTIVE AREAS

Номер патента: US20190097016A1. Автор: Alptekin Emre,Ramachandran Ravikumar,Chu Albert M.,Na Myung-Hee,Eastman Eric. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A WET ACID ETCHING PROCESS WHILE PREVENTING OR REDUCING LOSS OF ACTIVE AREA AND/OR ISOLATION REGIONS

Номер патента: US20140227869A1. Автор: Lenski Markus,Reimer Berthold,Haussdoerfer Bastian,Pakfar Ardechir. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Integrated Circuit Devices Including FIN Active Areas with Different Shapes

Номер патента: US20180190655A1. Автор: Chung Jae-yup. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

FULLY DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR (FDSOI) TRANSISTOR DEVICE AND SELF-ALIGNED ACTIVE AREA IN FDSOI BULK EXPOSED REGIONS

Номер патента: US20180197882A1. Автор: Luning Scott D.,Pritchard David,Civay Deniz E.,Lei Lixia,Nayyar Neha. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

PITCH SCALABLE ACTIVE AREA PATTERNING STRUCTURE & PROCESS FOR MULTI-CHANNEL FIN FET TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170213825A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,LIE Fee Li,SIEG STUART A.,Miller Eric. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

REUSING ACTIVE AREA MASK FOR TRENCH TRANSFER EXPOSURE

Номер патента: US20140342556A1. Автор: Beasor Scott,Salama Mohamed,Neogi Tuhin Guha. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

RELIABLE GATE CONTACTS OVER ACTIVE AREAS

Номер патента: US20190259869A1. Автор: Alptekin Emre,Ramachandran Ravikumar,Chu Albert M.,Na Myung-Hee,Eastman Eric. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

ACTIVE AREA DESIGNS FOR SILICON CARBIDE SUPER-JUNCTION POWER DEVICES

Номер патента: US20160380059A1. Автор: Losee Peter Almern,Bolotnikov Alexander Viktorovich,Ghandi Reza. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Solutions for integrated circuit integration of alternative active area materials

Номер патента: US20070181977A1. Автор: Anthony Lochtefeld,Matthew Currie,James Fiorenza,Zhi-Yuan Cheng. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for producing a substrate with various active areas and planar and three-dimensional transistors

Номер патента: EP2665086A1. Автор: François Andrieu,Sebastien Barnola,Jerome Belledent. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-11-20.

Solutions for integrated circuit integration of alternative active area materials

Номер патента: KR101329388B1. Автор: 안소니 제이. 로츠데펠드,매튜 티. 커리,시-위안 치앙,제임스 피오렌자. Владелец: 앰버웨이브 시스템즈 코포레이션. Дата публикации: 2013-11-14.

Process for the selective formation of salicide on active areas of MOS devices

Номер патента: EP0878833B1. Автор: Maurizio Moroni,Cesare Clementi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-06-23.

Apparatus for removing the non-active area of wet treated substrate

Номер патента: KR100661160B1. Автор: 윤석원. Владелец: 주식회사 대우일렉트로닉스. Дата публикации: 2006-12-26.

Solutions for integrated circuit integration of alternative active area materials

Номер патента: CN101268547A. Автор: 程志渊,安东尼·J·洛赫特费尔德,马修·T·柯里,詹姆斯·菲奥里扎. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Formation of active area using semiconductor growth process without STI integration

Номер патента: US20070122985A1. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Shum Danny P. Дата публикации: 2007-05-31.

Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same

Номер патента: WO2009137210A3. Автор: John K. Zahurak,Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-12-30.

Method for improving evenness of critical size of active area

Номер патента: CN104465325A. Автор: 宋振伟,李翔,陈晋,徐友峰. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-25.

Integrated circuit devices including fin active areas with different shapes

Номер патента: US9947656B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same

Номер патента: US20090273051A1. Автор: John K. Zahurak,Kunal R. Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated assembly having conductive material along three of the four sides around the active area, and method of forming the integrated assembly

Номер патента: KR20230003169A. Автор: 하이타오 리우,산 디. 탕,리타오 양,스리니바스 풀루구르타,윤페이 가오. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2023-01-05.

Apparatus for removing the non-active area of wet treated substrate

Номер патента: KR100643896B1. Автор: 문진철. Владелец: 주식회사 대우일렉트로닉스. Дата публикации: 2006-11-10.

Method for forming active area array

Номер патента: CN113539798A. Автор: 刘志拯. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-22.

Formation of active area using semiconductor growth process without STI integration

Номер патента: US20060014359A1. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-19.

Device and method for controllably separating the framed active area of the membrane from the rest of the membrane

Номер патента: JPH07101303B2. Автор: ユン−タイ・イェン. Владелец: ユン−タイ・イェン. Дата публикации: 1995-11-01.

Pmos transistor having extended active area

Номер патента: KR101159690B1. Автор: 김지훈,김용택. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-26.

Formation of active area using semiconductor growth process without sti integration

Номер патента: WO2006005671A1. Автор: Jiang Yan,Danny Pak-Chum Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-19.

Non-uniform semiconductor device active area pattern formation

Номер патента: TW201133829A. Автор: Tsung-Lin Lee,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-10-01.

Power module for supporting high current densities

Номер патента: US09673283B2. Автор: Scott Allen,Qingchun Zhang,Jason Patrick Henning,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Kumar Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Wafer bonding compatible with bulk micro-machining

Номер патента: WO2004099066A1. Автор: Eric M. Leonard,Taejoo Hwang,Jian-Qiang Lu,Dan O. Popa,Byoung Hun Kang,Harry E. Stephanou. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2004-11-18.

Transistor with i/o ports in an active area of the transistor

Номер патента: US20220044986A1. Автор: Kevin Kim,Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

TRANSISTOR WITH I/O PORTS IN AN ACTIVE AREA OF THE TRANSISTOR

Номер патента: US20220044986A1. Автор: Kim Kevin,Khalil Ibrahim,Kabir Humayun. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Insulator/metal bonding island for active-area silver epoxy bonding

Номер патента: US6630735B1. Автор: Shulai Zhao,Lars S. Carlson. Владелец: Digirad Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

Castellation, hatching, and other surface patterns in dielectric surfaces for hybrid bonding with increased surface area, bond strength, and alignment

Номер патента: US20230060594A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

CELL CIRCUITS FORMED IN CIRCUIT CELLS EMPLOYING OFFSET GATE CUT AREAS IN A NON-ACTIVE AREA FOR ROUTING TRANSISTOR GATE CROSS-CONNECTIONS

Номер патента: US20190319022A1. Автор: SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Yang Da,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DIE WITH INCREASED ACTIVE AREA

Номер патента: US20220037524A1. Автор: Lichtenwalner Daniel Jenner,Van Brunt Edward Robert. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Method and system for removing heat from an active area of an integrated circuit device

Номер патента: US20040017661A1. Автор: Harry Siegel. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-01-29.

Cooling scheme for a high-current semiconductor device employing electromagnetically-pumped liquid metal for heat and current transfer

Номер патента: US3654528A. Автор: Philip Barkan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit

Номер патента: US8021976B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Ying-Chih Chen. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit

Номер патента: US20070273031A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Ying-Chih Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit

Номер патента: US20040070042A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Ying-Chih Chen. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit

Номер патента: US20070164412A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin,Ying-Chih Chen. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit

Номер патента: TW200425366A. Автор: Michael Chen,Jin-Yuan Lee. Владелец: Megic Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Copper bonding compatible bond structure and method

Номер патента: TWI339091B. Автор: Hebert Francois,Bhalla Anup. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2011-03-11.

Photovoltaic cell having increased active area and method for producing same

Номер патента: US4617421A. Автор: Prem Nath,Masatsugu Izu,Herbert C. Ovshinsky,Avtar Singh. Владелец: Sovonics Solar Systems. Дата публикации: 1986-10-14.

Backend of line (BEOL) compatible high current density access device for high density arrays of electronic components

Номер патента: US09812638B2. Автор: Kailash Gopalakrishnan,Donald S Bethune,Andrew J Kellock,Rohit S Shenoy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

TRENCH MOSFETS WITH OXIDE CHARGE BALANCE REGION IN ACTIVE AREA AND JUNCTION CHARGE BALANCE REGION IN TERMINATION AREA

Номер патента: US20210028305A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: Nami MOS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

Mosfet active area and edge termination area charge balance

Номер патента: CN101809726A. Автор: 凯尔·特里尔,陈曲飞,沙伦·石. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2010-08-18.

Group probing over active area pads arrangement

Номер патента: TW200905844A. Автор: Ping-Chang Wu,Chieh-Ching Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Semiconductor radiation detector with large active area, and method for its manufacture

Номер патента: US09548402B2. Автор: Veikko Kämäräinen. Владелец: Oxford Instruments Analytical Oy. Дата публикации: 2017-01-17.

Active pixel sensor with a diagonal active area

Номер патента: US20130026547A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2013-01-31.

ACTIVE-MATRIX LIGHT-EMITTING DIODE (AMOLED) FREE OF TFT WITHIN AN ACTIVE AREA

Номер патента: US20200098846A1. Автор: CHANG Yih,CHANG Yusheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

MOSFET ACTIVE AREA AND EDGE TERMINATION AREA CHARGE BALANCE

Номер патента: US20170117354A1. Автор: TERRILL Kyle,Chen Qufei,Shi Sharon. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Memory device e.g. dynamic random access memory, has transistor such as recessed transistor and fin transistor, with active area protruding from preset portion of semiconductor substrate, and recess formed in channel area

Номер патента: DE102005031702A1. Автор: Hyun Chul Sohn,Se Aug Icheon Jang,Yong Soo Suwon Kim,Jae Geun Icheon OH,Jae Sung Gwacheon Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Isolation area between semiconductor devices having additional active area

Номер патента: US8471316B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Gan based fail-safe shutdown of high-current drivers

Номер патента: EP3844876A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Gan based fail-safe shutdown of high-current drivers

Номер патента: WO2020047135A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit protection during high-current esd testing

Номер патента: US20180100883A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

High current capable access device for three-dimensional solid-state memory

Номер патента: US20130194855A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-01.

High current capable access device for three-dimensional solid-state memory

Номер патента: US20150194468A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-07-09.

High current capable access device for three-dimensional solid-state memory

Номер патента: US20140204646A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-07-24.

Integrated circuit protection during high-current ESD testing

Номер патента: US09869708B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit protection during high-current esd testing

Номер патента: US20180100884A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated circuit protection during high-current ESD testing

Номер патента: US09435841B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Active Area Shaping for III-Nitride Devices

Номер патента: US20130105814A1. Автор: Briere Michael A.,Bridger Paul,Cao Jianjun. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-Uniform Semiconductor Device Active Area Pattern Formation

Номер патента: US20130270653A1. Автор: LEE Tsung-Lin,Yu Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing Multiple Dielectric Materials

Номер патента: US20140070278A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing a Source-Side Field Plate and a Wider Drain-Side Field Plate

Номер патента: US20140070279A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing A Field Plate Defined By A Dielectric Body

Номер патента: US20140097471A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-10.

TRITIUM DIRECT CONVERSION SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INCREASED ACTIVE AREA

Номер патента: US20150001988A1. Автор: CABAUY PETER. Владелец: City Labs, Inc.. Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING AIR GAP BETWEEN GATE ELECTRODE AND DISTAL END PORTION OF ACTIVE AREA

Номер патента: US20190006368A1. Автор: Chang Feng-Yi,Lee Fu-Che. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DRAIN ACTIVE AREA

Номер патента: US20200035827A1. Автор: Lin Xin,Zhu Ronghua,Mehrotra Saumitra Raj. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

FORMING A GATE CONTACT IN THE ACTIVE AREA

Номер патента: US20170053997A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Field-Effect Semiconductor Device Having Alternating N-Type and P-Type Pillar Regions Arranged in an Active Area

Номер патента: US20160064554A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING BALANCED CELLS LIMITING AN ACTIVE AREA

Номер патента: US20180083005A1. Автор: ANDRIEU Francois,Berthelon Remy. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING BALANCED CELLS LIMITING AN ACTIVE AREA

Номер патента: US20180083006A1. Автор: ANDRIEU Francois,Berthelon Remy. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SEMICONDUCTOR-BASED PHOTODETECTOR HAVING MULTIPLE OPTICAL FEEDS FOR COUPLING LIGHT INTO AN ACTIVE AREA THEREOF

Номер патента: US20160124147A1. Автор: CHANG Chia-Ming,Sinsky Jeffrey H.. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2016-05-05.

Flat panel array with the alignment marks in active area

Номер патента: US20180130845A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Karthik Nagarajan,Ick-hwan KO. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2018-05-10.

TRANSISTOR-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR-GAP SPACERS AND GATE CONTACT OVER ACTIVE AREA

Номер патента: US20180138279A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Liebmann Lars Wolfgang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH C-SHAPED ACTIVE AREA AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210175333A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

C-SHAPED ACTIVE AREA SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210175365A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

C-SHAPED ACTIVE AREA SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Field-Effect Semiconductor Device Having Pillar Regions of Different Conductivity Type Arranged in an Active Area

Номер патента: US20170148872A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Hirler Franz,Weyers Joachim,Gamerith Stefan,Willmeroth Armin,Schmitt Markus,Fischer Björn,Niedernostheide Franz-Josef. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor Radiation Detector with Large Active Area, and Method for its Manufacture

Номер патента: US20150162455A1. Автор: Kämäräinen Veikko. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (MOS) ISOLATION SCHEMES WITH CONTINUOUS ACTIVE AREAS SEPARATED BY DUMMY GATES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20140264610A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,CHIDAMBARAM PR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-18.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH ACTIVE AREA PROTECTION

Номер патента: US20140264613A1. Автор: Yang Xiaodong,Liu Yanxiang,Wu Xusheng,Liu Jin Ping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

LIGHT EMITTING DIODE OF WHICH AN ACTIVE AREA COMPRISES LAYERS OF INN

Номер патента: US20160204307A1. Автор: ROBIN Ivan-Christophe,Dussaigne Amélie. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

STANDARD CELL ARCHITECTURE WITH AT LEAST ONE GATE CONTACT OVER AN ACTIVE AREA

Номер патента: US20180211947A1. Автор: Ramachandran Ravikumar,Chu Albert M.,Na Myung-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

STANDARD CELL ARCHITECTURE WITH AT LEAST ONE GATE CONTACT OVER AN ACTIVE AREA

Номер патента: US20180211948A1. Автор: Ramachandran Ravikumar,Chu Albert M.,Na Myung-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Flat Panel Array with the Alignment Marks in Active Area

Номер патента: US20210296392A1. Автор: "ORourke Shawn Michael",Park Byung-Kyu,NAGARAJAN Karthik,Ko Ick-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES INCLUDING FIN ACTIVE AREAS WITH DIFFERENT SHAPES

Номер патента: US20160260715A1. Автор: Chung Jae-yup. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Reducing Border Width Around a Hole in Display Active Area

Номер патента: US20210305350A1. Автор: Chang Shih Chang,Chang Jiun-Jye,Tsai Tsung-Ting,Jamshidi Roudbari Abbas,Rieutort-Louis Warren S.,Chang Ting-Kuo,Che Yuchi. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

METHOD OF FORMING AN ACTIVE AREA WITH FLOATING GATE NEGATIVE OFFSET PROFILE IN FG NAND MEMORY

Номер патента: US20140367762A1. Автор: Alsmeier Johann,Chien Henry,Lee Yao-Sheng,Kai James,Terahara Masanori,Makala Raghuveer S.,TIAN Ming,Suyama Atsushi,WATATANI Hirofumi,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Active area selection for lidar receivers

Номер патента: US20170301716A1. Автор: Linda Irish,William Henry Von Novak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

DISPLAY PANELS WITH A GATE DRIVER CIRCUIT DISPOSED IN THE ACTIVE AREA THEREOF

Номер патента: US20170316730A1. Автор: CHIANG CHIEN-HSUEH,CHEN Bo-Feng,Cheng Chang-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Touch screen panel module increasing active area

Номер патента: KR101026522B1. Автор: 전영국,양동현,심경민. Владелец: 에스맥 (주). Дата публикации: 2011-04-01.

LED having an active area disposed within an optical cavity defined by a buried nanostructured layer and a reflector

Номер патента: KR20220002399A. Автор: 토니 로페즈,벤카타 아난스 탐마. Владелец: 루미레즈 엘엘씨. Дата публикации: 2022-01-06.

Electronic device display with backlight having light emitting diodes and driver integrated circuits in active area

Номер патента: CN115668043A. Автор: 齐军,陈敬东,朴光淳,金景旭,D·W·卢姆,顾明霞,李妍明. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Display device comprising a diode mosaic - with two metal films sepd. by an isolating film the second obscuring openings in the first over the active areas of the diodes

Номер патента: FR2406861A1. Автор: Jean-Claude Dubois,Jacques Vahe. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1979-05-18.

Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same

Номер патента: US6287919B1. Автор: Russell C. Zahorik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-11.

Pixel geometry and section geometry selection for wide active area high-speed detectors

Номер патента: KR102498662B1. Автор: 용신 왕,중화 동. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2023-02-10.

Ferroelectric memory devices including capacitors located outside the active area and made with diffusion barrier layers

Номер патента: US6294805B1. Автор: Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-25.

Process for making an EEPROM active area castling

Номер патента: US6187634B1. Автор: Peter J. McElheny,Raminda U. Madurawe,Richard G. Smolen,Minchang Liang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

SOI MOSFET device with reduced polysilicon loading on active area

Номер патента: US20060175661A1. Автор: Shai-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Power line Layout of semiconductor cell using active area

Номер патента: KR100532464B1. Автор: 김용섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-01.

Active area design for charge-balanced JBS diodes

Номер патента: JP7206029B2. Автор: ガンディ，レザ,ボロトニコフ，アレクサンダー・ヴィクトロビッチ,ロゼー，ピーター・アルマーン,リリエンフェルド，デビッド・アラン. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-01-17.

Pixel shape and section shape selection for large active area high speed detector

Номер патента: TW201944447A. Автор: 仲華 董,王勇新. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2019-11-16.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US7400004B2. Автор: Bryan G. Cole,Troy Sorensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-15.

Infrared radiation detector having a reduced active area

Номер патента: WO1997021250A1. Автор: Neal R. Butler,Richard Blackwell,Jacek Mroczkowski. Владелец: Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc.. Дата публикации: 1997-06-12.

Electrode structures for LEDs with increased active area

Номер патента: US20060255358A1. Автор: Frank Shum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Heterostructure with composite active area with quantum dots

Номер патента: RU2681661C1. Автор: Анатолий Степанович Плахотник. Владелец: Анатолий Степанович Плахотник. Дата публикации: 2019-03-12.

A kind of highlight extract efficiency light emitting diode of base part active area insulating

Номер патента: CN106129210A. Автор: 徐晨,王秋华,解意洋,邹德恕,潘冠中,董毅博,荀孟. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-11-16.

Electronic Device Display with a Backlight Having Light-emitting Diodes and Driver Integrated Circuits in an Active Area

Номер патента: US20210364854A1. Автор: Jun Qi,Mingxia Gu,Kyung Wook KIM,David W. Lum,Kwang Soon Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Body-tied mosfet device with strained active area

Номер патента: WO2007130925A2. Автор: Weston Roper,Eric E. Vogt. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-11-15.

Preparation method of stacked nanosheet GAA-FET (gate electrode active area array-field effect transistor) for inhibiting channel leakage

Номер патента: CN115295416A. Автор: 曹磊,殷华湘,张青竹,姚佳欣. Владелец: North Ic Technology Innovation Center Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

Body-tied MOSFET device with strained active area

Номер патента: US20070257310A1. Автор: Eric Vogt,Weston Roper. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor radiation detector with large active area, and method for its manufacture

Номер патента: EP2881995B1. Автор: Veikko Kämäräinen. Владелец: Oxford Instruments Technologies OY. Дата публикации: 2020-07-15.

Non-planar semiconductor device with III-V race's material active area with more dielectric gate stacked bodies

Номер патента: CN104584226B. Автор: R·皮拉里塞泰,G·杜威,B·舒-金,M·拉多萨夫列维奇,N·慕克吉. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Light-emitting diode with active area comprising layers of inn

Номер патента: CN105917476A. Автор: 伊凡-克里斯托夫·罗宾,艾梅丽·迪赛涅. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2016-08-31.

Active area selection for lidar receivers

Номер патента: EP3443377B1. Автор: Linda Irish,William Henry Von Novak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Electronic device including a light receiving device on an active area

Номер патента: US20220190300A1. Автор: Su Jeong Kim,Kyunghee Lee,Sunggyu Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

GaN BASED FAIL-SAFE SHUTDOWN OF HIGH-CURRENT DRIVERS

Номер патента: US20200076411A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit protection during high-current esd testing

Номер патента: US20160033564A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

High current gate turn-off thyristor

Номер патента: US5005065A. Автор: Dante E. Piccone,James E. McIntyre, deceased,Leroy B. Major. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-04-02.

High-current/low cost read-in integrated circuit

Номер патента: US20110073877A1. Автор: Mark Alan Massie. Владелец: Nova Research Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

METHOD FOR IMPLEMENTING DEEP TRENCH ENABLED HIGH CURRENT CAPABLE BIPOLAR TRANSISTOR FOR CURRENT SWITCHING AND OUTPUT DRIVER APPLICATIONS

Номер патента: US20140210051A1. Автор: Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Allen David H.,Dewanz Douglas M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

High current control circuit including metal-insulator transition element and system including the high current control circuit

Номер патента: JP5172974B2. Автор: ヒュン−タク キム、,ボン−ジュン キム、,ソン−ジン ユン、. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-03-27.

Enlarging Active Areas of Displays Using Variable Pixel and/or Transistor Densities

Номер патента: US20240292660A1. Автор: Ion Bita,Chun-Yen Liu,Chiaching Chu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Enlarging active areas of displays using variable pixel and/or transistor densities

Номер патента: WO2024191557A2. Автор: Ion Bita,Chun-Yen Liu,Chiaching Chu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Reducing border width around a hole in display active area

Номер патента: US11778874B2. Автор: Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Jiun-Jye Chang,Warren S. Rieutort-Louis,Yuchi Che. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Enlarging Active Areas of Displays in Electronic Devices

Номер патента: US20240290272A1. Автор: Ion Bita,Chun-Yen Liu,Chiaching Chu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Enlarging active areas of displays in electronic devices

Номер патента: WO2024177787A1. Автор: Ion Bita,Chun-Yen Liu,Chiaching Chu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Mobile terminal having alternating first and second data lines arranged in an overlap area of an active area

Номер патента: US11798488B2. Автор: Ilkyoung CHO,Sungon Jung,Hyunhak CHO,Hangyu Oh,Yunsuk JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for forming a semiconductor structure having second isolation structures located between adjacent active areas

Номер патента: US11991876B2. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Electronic Device Display With Extended Active Area

Номер патента: US20240038200A1. Автор: Victor H. Yin,Dinesh C. Mathew,Mikael M. Silvanto. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic device display with extended active area

Номер патента: US11823645B2. Автор: Victor H. Yin,Dinesh C. Mathew,Mikael M. Silvanto. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Display apparatus with improved adhesion characteristics in non-active area

Номер патента: US20240147815A1. Автор: JongMoo HA,Geonwoo Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Fanout Lines with Shielding in an Active Area

Номер патента: US20240065057A1. Автор: Abbas Jamshidi Roudbari,Shin-Hung Yeh,Tsung-Ting Tsai,Shyuan Yang,I-Cheng Shih,Chien-Ya Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Reducing Border Width Around a Hole in Display Active Area

Номер патента: US20230389384A1. Автор: Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Jiun-Jye Chang,Warren S. Rieutort-Louis,Yuchi Che. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Reducing border width around a hole in display active area

Номер патента: EP4094248A1. Автор: Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Jiun-Jye Chang,Warren S. Rieutort-Louis,Yuchi Che. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Method and system for determining whether a portable key device is located in an active area in relation to a barrier

Номер патента: US10228444B2. Автор: Tomas Jonsson. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2019-03-12.

Mechanical design of display for maximising available display active area

Номер патента: EP2347566A1. Автор: Matti V. Maatta. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2011-07-27.

Display with a Transmitter Under an Active Area

Номер патента: US20240194106A1. Автор: Bhadrinarayana Lalgudi Visweswaran,Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Shyuan Yang,Kyounghwan Kim,Warren S. Rieutort-Louis,Yuchi Che,Cheng-Chih Hsieh,Jonathan H. Beck. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Display with a transmitter under an active area

Номер патента: WO2024123522A1. Автор: Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Shyuan Yang,Kyounghwan Kim,Yuchi Che,Cheng-Chih Hsieh,Jonathan H. Beck,Bhardrinarayana LALGUDI VISWESWARAN. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Light emitting display device with electron injection layer at non-active area

Номер патента: US11839127B2. Автор: Ji Hyung Lee,Kyu Il Han,Hwa Yong Shin,Mi So KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

High current battery charging using ir dropout compensation

Номер патента: WO2013166335A3. Автор: Todd R. Sutton,Cheong Kun,Dennis Joe Cashen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

High current battery charging using ir dropout compensation

Номер патента: WO2013166335A2. Автор: Todd R. Sutton,Cheong Kun,Dennis Joe Cashen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-07.

Powered device, using power over ethernet, with dedicated low current and high current paths for loads

Номер патента: US09547318B1. Автор: David Dwelley,Jeffrey Heath,Kirk Su. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Circuit for controlling demands of high current load

Номер патента: US4160172A. Автор: Tung C. Chen. Владелец: SYSTEMATICS Inc. Дата публикации: 1979-07-03.

System and Method to Regulate High Current Radiation Sources

Номер патента: US20110228801A1. Автор: Ofer Weizmann. Владелец: LUMENIS LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

System and method to regulate high current radiation sources

Номер патента: US20120201261A1. Автор: Ofer Weizmann. Владелец: LUMENIS LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

System and method to regulate high current radiation sources

Номер патента: US20100238961A1. Автор: Ofer Weizmann. Владелец: LUMENIS LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

System and method to regulate high current radiation sources

Номер патента: EP2234461A3. Автор: Ofer Weizmann. Владелец: LUMENIS LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

System and method to regulate high current radiation sources

Номер патента: US8184669B2. Автор: Ofer Weizmann. Владелец: LUMENIS LTD. Дата публикации: 2012-05-22.

High-voltage, high-current, solid-state closing switch

Номер патента: US09742394B2. Автор: Ronald Jeffrey Focia. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

High current, very wide band transconductance amplifier

Номер патента: US4965529A. Автор: Owen B. Laug. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 1990-10-23.

DC-to-DC power conversion with high current output

Номер патента: US5684683A. Автор: Deepakraj M. Divan,Nasser H. Kutkut. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1997-11-04.

Circuit arrangement for producing high current pulses

Номер патента: CA1078028A. Автор: Gerald M. Rinaldi,Thomas C. Giles,Otto J. Kohout. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-05-20.

High-current traces on plated molded interconnect device

Номер патента: WO2008088725A3. Автор: Victor Zaderej. Владелец: Victor Zaderej. Дата публикации: 2008-09-12.

High-current traces on plated molded interconnect device

Номер патента: WO2008088725A2. Автор: Victor Zaderej. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 2008-07-24.

High frequency, high current manufacturing system and method

Номер патента: US20230060384A1. Автор: Jacob Hafner. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Energy management system and method for controlling high current draws from variable current devices commonly connectable to an electrical circuit

Номер патента: US09444260B2. Автор: Joseph webster,Robert Cobb. Владелец: Newco Enterprises Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing an electronic high-current circuit by means of gas injection technology and sealing with an insulating polymer

Номер патента: US09414483B2. Автор: Erich Mattmann. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-08-09.

Universal high current battery charger

Номер патента: US5266881A. Автор: Philip K. Hoffman,Douglas Frey. Владелец: Solid State Networks Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Expandable and variable combined connection method of load for pulsed high current generator

Номер патента: GB2613673A. Автор: Li Hongtao,Ma Xun,Guan Jian,ZHAO Juan,Li Liyi,Jin Chenggang,DENG Weijun,Li Songjie,E Peng,Ding Mingjun,Kang Chuanhui,Xiao Jinshui. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-14.

Multi-functional high-current circuit board

Номер патента: US20180263111A1. Автор: Wilfried Lassmann,Michael Sperber,Dirk Schramm. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2018-09-13.

Short duration high current pulse generator

Номер патента: US3665222A. Автор: Robert K Gatwood. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1972-05-23.

High-voltage, high-current, solid-state closing switch

Номер патента: US20150365086A1. Автор: Ronald Jeffrey Focia. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Power device for high voltage and high current switching

Номер патента: WO2018096535A1. Автор: David Shapiro,Gregory Bunin,Lev STESSIN. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2018-05-31.

High current printed electronics cable harness connection

Номер патента: WO2024151697A1. Автор: Mark SUSSMAN,Ed Collins. Владелец: JABIL INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing a high-current printed circuit board

Номер патента: US20190289726A1. Автор: LI YANG,Xiao-Wei Kang,Rih-Sin Jian. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Comparator circuit having high speed, high current switching capability

Номер патента: US4238695A. Автор: Richard H. Hock. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-12-09.

High-speed, high-current spike suppressor and method for fabricating same

Номер патента: US3962715A. Автор: Soo Hee Shin,Paul M. Raccah,Teodoro Halpern. Владелец: Yeshiva University. Дата публикации: 1976-06-08.

High current, regulated power supply with fault protection

Номер патента: US3816810A. Автор: A Heyman,E Friedman. Владелец: Honeywell Information Systems Italia SpA. Дата публикации: 1974-06-11.

Protection circuit against high currents in lighting converters

Номер патента: US6728088B2. Автор: Natale Aiello,Giovanni Luca Torrisi,Vincenzo Randazzo,Atanasio La Barbera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-04-27.

Cmos-compatible high-speed and low-power random number generator

Номер патента: WO2020229996A1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-11-19.

CMOS-Compatible High-Speed and Low-Power Random Number Generator

Номер патента: US20200364032A1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Fully compatible high definition television

Номер патента: US4622578A. Автор: Theodore S. Rzeszewski. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-11-11.

Non-destructive method for measuring active area of active material

Номер патента: KR102365086B1. Автор: 박지혜,김석구. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2022-02-18.

Nondestructive method for measuring active area of active material

Номер патента: EP3779404A4. Автор: Seok Koo Kim,Ji Hye Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

Electrical switchgear unit, in particular, for switching of high currents

Номер патента: RU2576022C2. Автор: Селим ДАГДАГ. Владелец: Альстом Транспорт Текнолоджис. Дата публикации: 2016-02-27.

Device for carrying high currents at a low inductance, in particular for a power converter or the like

Номер патента: CA2293883C. Автор: Andreas Pelz,Roland Jakob,Hans-Jurgen Ehlert,David Rudniski. Владелец: Alstom Power Conversion GmbH. Дата публикации: 2007-08-14.

Use of metal-core printed circuit board (pcb) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver

Номер патента: CA3109659C. Автор: Eric Paul RUBEN,Jean Michel Maillard,Prabhu Thiagarajan. Владелец: Leonardo Electronics US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Method and system using a battery voltage loop under high-current conditions

Номер патента: US20240014680A1. Автор: BIN Li,Sungkeun Lim,Yen-Mo CHEN. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Implementing conformal coating composition for high current circuit applications

Номер патента: US20160192481A1. Автор: Jing Zhang,Dylan J. Boday,Joseph Kuczynski,Jason T. Wertz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Compatible high-definition television system utilizing Hadamard basis functions

Номер патента: US4523220A. Автор: Charles B. Oakley,Edward H. Adelsen. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-06-11.

Magnetic current sensor integration into high current connector device

Номер патента: US11349265B2. Автор: Leo Aichriedler,Dietmar Spitzer,Gaetano FORMATO,Ramdas Ugale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-31.

Magnetic current sensor integration into high current connector device

Номер патента: US11901675B2. Автор: Leo Aichriedler,Dietmar Spitzer,Gaetano FORMATO,Ramdas Ugale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-13.

Magnetic current sensor integration into high current connector device

Номер патента: US11841383B2. Автор: Dietmar Spitzer,Sebastian Maerz,Gaetano FORMATO,Ramdas Ugale,Theodor Kranz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-12.

Ultra-light, magnetically shielded, high-current, compact cyclotron

Номер патента: EP2878179A1. Автор: Leslie Bromberg,Timothy Antaya,Alexey Radovinsky,Joseph MINERVINI,Peisi LE,Phillip MICHAEL. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-06-03.

High-current ion implanter and method for controlling ion beam using high-current ion implanter

Номер патента: WO2021011156A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Antonella Cucchetti,Eric D. Hermanson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Electric and hybrid vehicle high current conductor

Номер патента: US09731603B2. Автор: Mark A. Wisnewski,David J. Trzcinski,William C. Goodwin. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Backwards-compatible high dynamic range (HDR) images

Номер патента: US11715184B2. Автор: Garrett M. Johnson,Paul M Hubel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

TILED WIRELESS CHARGING COIL SOLUTION FOR EXTENDED ACTIVE AREA

Номер патента: US20170069421A1. Автор: Yang Songnan,Elkhouly Essam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: US20140220471A1. Автор: Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

Tiled wireless charging coil solution for extended active area

Номер патента: US20160164332A1. Автор: Songnan Yang,Essam Elkhouly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

STACK ACTIVE AREA LOAD SENSING

Номер патента: US20210249679A1. Автор: Rock Jeffrey A.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: US20210320313A1. Автор: Scott Blanchet,Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2021-10-14.

MODELING AND USE OF VIRTUAL TEMPERATURE SENSOR AT FUEL CELL STACK ACTIVE AREA OUTLET WITH STACK COOLANT BYPASS

Номер патента: US20180323452A1. Автор: Cai Jun,Maslyn Andrew J.,Smith Daniel W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

FUEL CELL HAVING A MODULAR BASE ACTIVE AREA

Номер патента: US20180323460A1. Автор: Blanchet Scott,Conti Amedeo,Gambini Filippo. Владелец: Nuvera Fuel Cells, LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Tunnel cascade multi-active-area semiconductor laser and preparation method thereof

Номер патента: CN114927940A. Автор: 林楠,刘素平,马骁宇,熊聪,祁琼,常津源. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2022-08-19.

Switch assembly having non-planar surface and activation areas

Номер патента: US7569781B2. Автор: Lawrence Lam,Chrome Cebe. Владелец: Palm Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Fuel cell bipolar plates with multiple active areas separated by non-conductive frame header

Номер патента: US7597984B2. Автор: Daniel Lisi,John N. Owens. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2009-10-06.

Apparatus and method for maintaining compression of the active area in an electrochemical cell

Номер патента: WO2002027813A3. Автор: Jason K Shiepe,Trent M Molter,Lawrence C Moulthrop Jr,A John Speranza,Robert H Byron Jr. Владелец: Proton Energy Sys Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Means of maintaining compression of the active area in an electrochemical cell

Номер патента: US6585869B2. Автор: Trent M. Molter,Mark E. Dristy,Jason K. Shiepe,Lawrence C. Moulthrop, Jr.. Владелец: Proton Energy Systems Inc. Дата публикации: 2003-07-01.

Fuel cell device with varied active area sizes

Номер патента: CA2561214A1. Автор: Dell J. St. Julien,Thomas D. Ketcham,Michael E. Badding,Shantanu Roy,Jacqueline L. Brown. Владелец: Jacqueline L. Brown. Дата публикации: 2006-02-23.

Apparatus and method for maintaining compression of the active area in an electrochemical cell

Номер патента: EP1327273A2. Автор: Trent M. Molter,Jason K. Shiepe,Lawrence C. Moulthrop, Jr.,A. John Speranza,Robert H. Byron, Jr.. Владелец: Proton Energy Systems Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Apparatus and method for maintaining compression of the active area in an electrochemical cell

Номер патента: WO2002027813A9. Автор: Jason K Shiepe,Trent M Molter,Lawrence C Moulthrop Jr,A John Speranza,Robert H Byron Jr. Владелец: Proton Energy Sys Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

A kind of active area structure and laser based on tensile strain Ge nano wires

Номер патента: CN107039884A. Автор: 王庶民,李耀耀,韩奕,张振普,宋禹忻,张立瑶,朱忠赟珅. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-08-11.

DEVICE FOR FUEL CELL WITH VARIABLE SIZES OF ACTIVE AREA

Номер патента: RU2006138231A. Автор: Майкл Э. БЭДДИНГ,Жаклин Л. БРАУН,Томас Д. КЕТЧАМ,Шантану РОЙ,ЖЮЛЬЕН Делл Ж. СЕН,Майкл Э. БЭДДИНГ (US),Жаклин Л. БРАУН (US),Томас Д. КЕТЧАМ (US),Шантану РОЙ (IN),ЖЮЛЬЕН Делл Ж. СЕН (US). Владелец: Корнинг Инкорпорейтед (US). Дата публикации: 2008-05-10.

Means of maintaining compression of the active area in an electrochemical cell

Номер патента: WO2000039362A3. Автор: Jason K Shiepe,Mark E Dristy,Trent M Molter,Lawrence C Moulthrop Jr. Владелец: Proton Energy Sys Inc. Дата публикации: 2000-11-16.

Pre-nesting of the active area on plates to reduce thickness variation

Номер патента: US20090188099A1. Автор: Steven J. Spencer,Jeffrey A. Rock,Keith E. Newman,Mark W. Keyser,Scott Ofslager,Lewis Dipietro. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2009-07-30.

Fuel cell device with varied active area sizes

Номер патента: CN1938892B. Автор: S·罗伊,T·D·凯查姆,J·L·布朗,D·J·圣朱利安,M·E·波丁. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-11-03.

Method and apparatus for maintaining compression of the active area in an electrochemical cell

Номер патента: WO2002027851A3. Автор: Jason K Shiepe,Greg A Hanlon. Владелец: Proton Energy Sys Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Double-active-area laser chip and preparation method thereof

Номер патента: CN111900626A. Автор: 王俊,肖啸,周立,程洋,郭银涛,苟于单. Владелец: Suzhou Everbright Photonics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

The manufacturing method of FED's emitter tip which is only formed on the active area

Номер патента: KR100402481B1. Автор: 김광영. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2003-10-22.

Fuel cell having a modular base active area

Номер патента: WO2014120763A1. Автор: Amedeo Conti,Filippo Gambini. Владелец: Nuvera Fuel Cells, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

Fuel cell having uniform compressive stress distribution over active area

Номер патента: CA2183424A1. Автор: William R. Richards. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-08-31.

Soft starter for high-current electric devices

Номер патента: US11811220B2. Автор: Will Hansen. Владелец: Raymond Innovations LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Tiled wireless charging coil solution for extended active area

Номер патента: US20170069421A1. Автор: Songnan Yang,Essam Elkhouly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated transformers for high current converters

Номер патента: US20230396180A1. Автор: QIANG LI,Xin LOU. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Soft Starter for High-Current Electric Devices

Номер патента: US20200274351A1. Автор: Will Hansen. Владелец: Raymond Innovations LLC. Дата публикации: 2020-08-27.

Hybrid high current, surface mount swing inductor and fabrication methods

Номер патента: US12057250B2. Автор: Yipeng Yan,Dengyan Zhou. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Residual current sensor for high currents

Номер патента: US12068098B2. Автор: Daniel Jordan,Sebastian Kudimow. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-20.

High current capable circuit testing closer apparatus and method

Номер патента: US20080024142A1. Автор: Alejandro Montenegro,John Opfer,Albert Tucker,Christopher Lettow,Raymond O'Leary. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 2008-01-31.

Low power consuming current measurements for high currents

Номер патента: US7071678B2. Автор: Ulf Bengt Ingemar Karlsson,Erik Anders Lindgren,Thord Agne Gustaf Nilson. Владелец: DANAHER MOTION STOCKHOLM AB. Дата публикации: 2006-07-04.

Integrated low-power driver for a high-current laser diode

Номер патента: US5646560A. Автор: Thai Minh Nguyen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Bus bar design to enable high current input for low resistivity glasses

Номер патента: EP3898534A1. Автор: Gilbert De Angelis,Edward Lee KIMBLE III,Yuehao LI,Chunhong Chelsie He,Benjamin Pelham Schrock,Brian Douglas Burns,Matthew Nicholas TAMMARO. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Bus bar design to enable high current input for low resistivity glasses

Номер патента: US11993533B2. Автор: Gilbert De Angelis,Yuehao LI,Chunhong Chelsie He,Benjamin Pelham Schrock,Brian Douglas Burns,Matthew Nicholas TAMMARO,Edward Lee Kimble, III. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

High current inductive coupler and current transformer for power lines

Номер патента: WO2003094364A2. Автор: Yehuda Cern. Владелец: AMBIENT CORPORATION. Дата публикации: 2003-11-13.

Contacting flexible cable e.g. for motor vehicles, involves connecting low current contacts to high current conducting path using plug with low current contacts and low current contacts on high current path

Номер патента: DE19944706A1. Автор: . Владелец: Tyco Electronics Logistics AG. Дата публикации: 2001-04-12.

High current inductive coupler and current transformer for power lines

Номер патента: US20030201873A1. Автор: Yehuda Cern. Владелец: Ambient Corp USA. Дата публикации: 2003-10-30.

Magnetic current sensor integration into high current connector device with mounting for torque stabilization

Номер патента: US20240110940A1. Автор: Dietmar Spitzer,Sebastian Maerz,Gaetano FORMATO,Theodor Kranz,Ramdas Rangnath Ugale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Apparatus, system, and method for early insulation damage detection for high current cables

Номер патента: US20220404436A1. Автор: Marc Ryan DE SMIDT,Juan HIGGS,Frederick J. BURKEL. Владелец: Shem LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Quick battery disconnect system for high current circuits

Номер патента: US11984719B2. Автор: Nathaniel C. Wynn,Todd Putnam. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Electrical interrupter switching element having passive interruption tripping, in particular for interrupting high currents at high voltages

Номер патента: US20200373110A1. Автор: Peter Lell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-26.

Vcsels for high current low pulse width applications

Номер патента: WO2022115571A1. Автор: Randolph Schueller,Sara ROTHWELL. Владелец: Vixar, Inc.. Дата публикации: 2022-06-02.

Apparatus, system, and method for early insulation damage detection for high current cables

Номер патента: CA3163255A1. Автор: Marc Ryan DE SMIDT,Juan HIGGS,Frederick J. BURKEL. Владелец: Shem LLC. Дата публикации: 2022-12-16.

High current treatment for lithium ion batteries having metal based anodes

Номер патента: US20170194671A1. Автор: Kenzo Oshihara,Jessica Weber. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Improvements in or relating to current limiting fuse device for relatively high current

Номер патента: AU1575976A. Автор: Laurence Cameron Frank. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-01-12.

Low profile power connector having high current density

Номер патента: WO2010083374A4. Автор: Timothy W. Houtz,Hung Ngo,Scott A Kleinle. Владелец: Fci Americas Technology, Llc. Дата публикации: 2010-12-02.

Low profile power connector having high current density

Номер патента: WO2010083374A2. Автор: Timothy W. Houtz,Hung Ngo,Scott A Kleinle. Владелец: Fci Americas Technology, Llc. Дата публикации: 2010-07-22.

High current output pin

Номер патента: US20040192084A1. Автор: Karl Fronk. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Precessional spin current structure with non-magnetic insertion layer for MRAM

Номер патента: US12075706B2. Автор: Mustafa Michael Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Inductor having high current coil with low direct current resistance

Номер патента: US20240347254A1. Автор: Darek BLOW,Chris GUBBELS,Benjamin M. HANSON. Владелец: Vishay Dale Electronics LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Current harvesting transformer with protection from high currents

Номер патента: US09984818B2. Автор: Ronald S. RUMRILL. Владелец: Sentient Energy Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

High current swing-type inductor and methods of fabrication

Номер патента: US09978508B2. Автор: Yipeng Yan,Robert James Bogert. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Compact high current, high efficiency laser diode driver

Номер патента: US09972969B2. Автор: Steven Telford,Edward Fulkerson,Rodney K. Lanning. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Electrical interruption switch, in particular for interrupting high currents at high voltages

Номер патента: US09911560B2. Автор: Peter Lell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

High current slipring for multi fiber brushes

Номер патента: US09490600B2. Автор: Christian Holzapfel. Владелец: SCHLEIFRING UND APPARATEBAU GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and apparatus for generating high current negative hydrogen ion beam

Номер патента: US09437341B2. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Module For A High-Current Plug And/Or A High-Current Cable, High-Current Plug, And Method Of Influencing The EMC Behaviour

Номер патента: US20200185864A1. Автор: BISCHOFF Daniel,Koester Jens,Nikfal Mohammad. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2020-06-11.

High current switch

Номер патента: GB1464582A. Автор: . Владелец: Arrow Hart Inc. Дата публикации: 1977-02-16.

Monostable relay for high current region, has control unit formed on round printed circuit board, which modulates coil current in relay and generates pulsed coil current, and coil housing comprising coil assembly and movable anchors

Номер патента: DE102010018754A1. Автор: Simon Kalmbach,Karl Steimle. Владелец: Kissling Elektrotechnik GmbH. Дата публикации: 2011-11-03.

Bussed electrical center incorporating modularized components and sectionable conductor grid for establishing preferred high current flow applications

Номер патента: US6699067B1. Автор: Weiping Zhao,Robert F. Gutman,Robert S. Migrin. Владелец: Alcoa Fujikura Ltd. Дата публикации: 2004-03-02.

High current zinc oxide fuse

Номер патента: CA1226019A. Автор: Donald D. Blewitt,Tapan K. Gupta. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Low breakdown voltage, high current glow lamp

Номер патента: US4501991A. Автор: John Fajt. Владелец: XENELL CORP. Дата публикации: 1985-02-26.

Current-limiting fuses with balanced low-current and high current interrupting performance

Номер патента: US2833891A. Автор: Jr Philip C Jacobs. Владелец: Individual. Дата публикации: 1958-05-06.

Automotive high current fuse

Номер патента: CA2130455C. Автор: Seibang Oh,Robert Madland. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Device for detecting an electric current including a wiring carrier and a resistance film useful in automobile construction, e.g. for current sensors, battery energy management modules, high current starter-generator modules

Номер патента: DE10310498A1. Автор: Thomas Koester,Henning Hauenstein. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-09-23.

High current filter connector with removable contact members

Номер патента: US4260966A. Автор: Kamal S. Boutros. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1981-04-07.

high current switching arrangement, and method for switching direct current and / or alternating current in high voltage engineering.

Номер патента: BR112019021633A2. Автор: Teichmann Jörg,Jänicke Lutz-Rüdiger,Werning Nils. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-05-19.

Contact element for the transmission of electric current, in particular high current, and method of manufacturing such a contact element

Номер патента: WO2023072982A1. Автор: Gregor Panitz. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2023-05-04.

Relay switch device for turning on/off high current of battery pack

Номер патента: US11804723B2. Автор: Jin-Hyung Lee,Chang-Bok Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Module for a high-current plug and/or a high-current cable, high-current plug, and method of influencing the emc behaviour

Номер патента: EP3704766B1. Автор: Daniel Bischoff,Mohammad Nikfal,Jens Koester. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-10.

High-Current Connection Clamping Screw Device as Well as Electrical High-Current Connector and High-Current Line Connector

Номер патента: US20230084743A1. Автор: Joachim Schneider,Manuel Eheim,Wolfgang Balles,Heiko Wolfschmitt,Richard A. FORELL,Walter Saenger. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Impedance-Matched High-Current G-Type RF Connector

Номер патента: US20230361515A1. Автор: Earl Anthony Daughtry,Taochuan Chen. Владелец: Genesis Technology USA Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Multi-directional high current slip ring

Номер патента: US20170365968A1. Автор: Brent J. Weyer,Jeffrey F. Kezar. Владелец: BAE Systems Land and Armaments LP. Дата публикации: 2017-12-21.

HIGH-CURRENT CONNECTOR COMPRISING HIGH-CURRENT CONTACT BODIES FOR THREADED ASSEMBLY

Номер патента: US20200006887A1. Автор: SZYMURA DAWID,Reinwald Hansjürgen. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

HIGH-CURRENT ION IMPLANTER AND METHOD FOR CONTROLLING ION BEAM USING HIGH-CURRENT ION IMPLANTER

Номер патента: US20210020399A1. Автор: Campbell Christopher,SINCLAIR Frank,Chang Shengwu,Cucchetti Antonella,Likhanskii Alexandre,Hermanson Eric D. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

INDUCTOR HAVING HIGH CURRENT COIL WITH LOW DIRECT CURRENT RESISTANCE

Номер патента: US20200035413A1. Автор: Hanson Benjamin M.,Blow Darek,Gubbels Chris. Владелец: VISHAY DALE ELECTRONICS, LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

INDUCTOR HAVING HIGH CURRENT COIL WITH LOW DIRECT CURRENT RESISTANCE

Номер патента: US20180061547A1. Автор: Hanson Benjamin M.,Blow Darek,Grubbels Chris. Владелец: VISHAY DALE ELECTRONICS, LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

MAGNETIC CURRENT SENSOR INTEGRATION INTO HIGH CURRENT CONNECTOR DEVICE

Номер патента: US20220085558A1. Автор: AICHRIEDLER Leo,SPITZER Dietmar,FORMATO Gaetano,UGALE Ramdas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

High-current plug-in connector components and high-current plug-in connector

Номер патента: US20210143583A1. Автор: Zhang Yifei. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

MAGNETIC CURRENT SENSOR INTEGRATION INTO HIGH CURRENT CONNECTOR DEVICE

Номер патента: US20220285890A1. Автор: AICHRIEDLER Leo,SPITZER Dietmar,FORMATO Gaetano,UGALE Ramdas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-08.

CURRENT HARVESTING TRANSFORMER WITH PROTECTION FROM HIGH CURRENTS

Номер патента: US20170162320A1. Автор: RUMRILL Ronald S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

High Current Contact For Contacting A High Current Socket

Номер патента: US20220302628A1. Автор: Mayer Anton,KAGERHUBER Manuel,BRIESEMANN Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

INDUCTOR HAVING HIGH CURRENT COIL WITH LOW DIRECT CURRENT RESISTANCE

Номер патента: US20210193360A1. Автор: Hanson Benjamin M.,Blow Darek,Grubbels Chris. Владелец: VISHAY DALE ELECTRONICS, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD FOR RAPID SWITCHING BETWEEN A HIGH CURRENT MODE AND A LOW CURRENT MODE IN A CHARGED PARTICLE BEAM SYSTEM

Номер патента: US20160233053A1. Автор: Miller Thomas G.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2016-08-11.

COIL COMPONENT, HIGH CURRENT INDCUTOR, HIGH CURRENT REACTOR INLCUDING THE SAME

Номер патента: US20160240307A1. Автор: LEE SANG WON,Kim Soyeon,Bae Seok,HAN Jong Soo,Yeom Jai Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

ELECTRICAL PLUG CONTACT FOR HIGH-CURRENT APPLICATIONS AND ELECTRICAL CONNECTOR SYSTEM FOR HIGH-CURRENT APPLICATIONS

Номер патента: US20200243996A1. Автор: Wittmann Rolf. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

LASER DRIVER WITH HIGH-SPEED AND HIGH-CURRENT AND CURRENT MODULATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200251883A1. Автор: Li Xi,Lin Fujiang,Abdalla Elsayed Ahmed Wahba. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

HIGH-CURRENT CONNECTOR AND HIGH-CURRENT CONNECTION DEVICE

Номер патента: US20180342824A1. Автор: HO Yi-Tse. Владелец: Molex, LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Electrical High-Current Connector and Method for Producing an Electrical High-Current Connector

Номер патента: US20180358721A1. Автор: Dressel Andre Martin,Kioschis Kai. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2018-12-13.

High current induction coil for direct current installations

Номер патента: FR1168801A. Автор: . Владелец: Maschinenfabrik Oerlikon AG. Дата публикации: 1958-12-17.

HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT SUPERCONDUCTOR WINDING AND CURRENT LIMITER PROVIDED WITH SUCH A WINDING

Номер патента: FR2725827B1. Автор: Van Doan Pham,Mohamed Bekhaled,Christian Cottevieille,Patrick Bonnet,Thierry Verhaege,Yves Laumond,Michel Quemener. Владелец: GEC Alsthom T&D SA. Дата публикации: 1996-12-20.

Method for identifying brain activation areas linking interoception and emotional intelligence in middle-aged and elderly patients

Номер патента: RU2750837C1. Автор: Марина Викторовна Кротенкова,Елена Игоревна Кремнева,Лариса Анатольевна Добрынина,Анастасия Дмитриевна Суслина,Мария Владимировна Губанова,Ольга Роландовна Добрушина,Галина Александровна Арина,Анастасия Владимировна Белопасова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научный центр неврологии" (ФГБНУ НЦН). Дата публикации: 2021-07-05.

A System and Method for Registering the Use of an Activity Area

Номер патента: US20240289723A1. Автор: Carsten Jörgensen,Lars Pehrson. Владелец: Count4care Aps. Дата публикации: 2024-08-29.

A system and a method for registering the use of an activity area

Номер патента: CA3222895A1. Автор: Carsten Jörgensen,Lars Pehrson. Владелец: Count4care Aps. Дата публикации: 2022-12-22.

Active area routing for touch electrodes

Номер патента: US20240231552A1. Автор: Christophe Blondin,Ashray Vinayak GOGTE. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A system and a method for validation the use of an activity area

Номер патента: EP4105853A1. Автор: Carsten Jörgensen,Lars Pehrson. Владелец: Count4care Aps. Дата публикации: 2022-12-21.

A system and a method for registering the use of an activity area

Номер патента: EP4356323A1. Автор: Carsten Jörgensen,Lars Pehrson. Владелец: Count4care Aps. Дата публикации: 2024-04-24.

A system and a method for registering the use of an activity area

Номер патента: AU2022293963A1. Автор: Carsten Jörgensen,Lars Pehrson. Владелец: Count4care Aps. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and device for detecting whether the alignment of bit line contacts and active areas in DRAM devices is normal

Номер патента: US6844207B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-18.

A valve island with non-active area venting between components

Номер патента: CA2632991A1. Автор: Walter A. Zub. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Searching and determining active area

Номер патента: US09501524B2. Автор: Shitian Zhou. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Touch panel using a dielectric layer to adjust colors of an active area and a peripheral area

Номер патента: US09733773B2. Автор: I-An Yao,Bo-Yu Chen,jian-hua Luo,Cho-Hao YANG,Jia-Hsin LI. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Displaying multiple-activation areas on an electroanatomical map

Номер патента: US09949657B2. Автор: Lior Botzer,Eliyahu Ravuna. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Layout design system providing extended active area in filler design and semiconductor device fabricated using the system

Номер патента: US09514260B2. Автор: Jin-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Display device with non-rectangular active area and pixel structure thereof

Номер патента: US12094398B2. Автор: Ya-Ling Hsu,Peng-Bo Xi. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of measuring temperature of led active area

Номер патента: RU2676246C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Олег Александрович Радаев,Ирина Сергеевна Козликова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-12-26.

Active area routing for touch electrodes

Номер патента: US11941214B2. Автор: Christophe Blondin,Ashray Vinayak GOGTE. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Activity area restriction method, robot control apparatus, and notifier

Номер патента: US11376736B2. Автор: Masaki Ueyama,Anuraag Singh. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Activity area restriction method, robot control apparatus, and notifier

Номер патента: US20200306968A1. Автор: Masaki Ueyama,Anuraag Singh. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

LCD Display with a Non-Viewable Active Area

Номер патента: US20240085616A1. Автор: Jacob Warren Kimbrell. Владелец: Lincoln Technology Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Valve island with non-active area venting between components

Номер патента: US20070131293A1. Автор: Walter Zub. Владелец: Norgren LLC. Дата публикации: 2007-06-14.

Method and device for detecting whether the alignment of bit line contacts and active areas in DRAM devices is normal

Номер патента: US20040029301A1. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Method and equipment for establishing preferably temporary activity areas in or close to cities

Номер патента: WO1996021770A1. Автор: Frede Andresen Petersen. Владелец: Frede Andresen Petersen. Дата публикации: 1996-07-18.

Bipolar multipurpose electrolysis cell for high current loads

Номер патента: CA2407875C. Автор: Wolfgang Thiele,Gerd Heinze,Michael Gnann. Владелец: United Initiators GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-12-29.

Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area

Номер патента: US6477076B2. Автор: Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Method and apparatus for re-sizing an active area of a flexible display

Номер патента: US9423995B2. Автор: Theodore R. Arneson. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Display device with non-rectangular active area and pixel structure thereof

Номер патента: US20230267874A1. Автор: Ya-Ling Hsu,Peng-Bo Xi. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Small active area plate ejector for droplet delivery device

Номер патента: WO2023215389A1. Автор: Jeffrey Miller,Chao-Ping Lee,Jianqiang Li,Michael SCOGGIN,Caley MODLIN. Владелец: Pneuma Respiratory, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Small active area plate ejector for droplet delivery device

Номер патента: US20230356253A1. Автор: Jeffrey Miller,Chao-Ping Lee,Jianqiang Li,Michael SCOGGIN,Caley MODLIN. Владелец: Pneuma Respiratory Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Electronic device including bonding layer in contact with active area of digitizer

Номер патента: EP4328719A1. Автор: Jungchul An,Jeonggyu JO,Byunghoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Electronic device comprising bonding layer in contact with active area of digitizer

Номер патента: US11893196B2. Автор: Jungchul An,Jeonggyu JO,Byunghoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Ore-thermal furnace with hot hearth and high-current lead

Номер патента: RU2550983C1. Автор: Анатолий Григорьевич Кузьменко,Юрий Федорович Фролов,Михаил Аексеевич Поздняков. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью Научно-производственное предприятие "ИНЖМЕТ". Дата публикации: 2015-05-20.

High-current-density gas-shielded arc welding

Номер патента: US20110253679A1. Автор: Reiichi Suzuki,Kei Yamazaki,Yimin Yuan. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

Diagnostic technique for pulsed high-current relativistic electron beam in linear induction accelerator

Номер патента: RU2601772C1. Автор: Анатолий Владимирович Родигин,Виктор Павлович Грицына,Олег Владимирович Зверев,Борис Ильич Модель. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-11-10.

High current coulometric kf titrator

Номер патента: WO1994016317A1. Автор: . Владелец: Dahms, Harald. Дата публикации: 1994-07-21.

Method of improving a high current of goa circuit when power on

Номер патента: US20190147819A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Niedrigenergetische Elektronenstrahlimpulsbearbeitung (engl:"Low Energy High Current Pulsed Electron Beam"/"LEHCPEB") für biologisch abbaubare Implantat aus Magnesiumlegierungen

Номер патента: DE102014006195A1. Автор: Anmelder Gleich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

High current sensors

Номер патента: US09651581B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: WO2021240431A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2021-12-02.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: EP4018207A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettr Automatizzati Srl. Дата публикации: 2022-06-29.

High current kelvin connection and verification method

Номер патента: US20140354319A1. Автор: Gary Rogers,Rodney Schwartz,Steven Clauter. Владелец: Integrated Tech Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Electrochemical system and method for on-site generation of oxidants at high current density

Номер патента: EP2697730A2. Автор: Prabhu U. Arumugam,Ian W. Wylie,John A. Carlisle,Hongjun ZENG. Владелец: Advanced Diamond Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-19.

Test system for high-voltage and high-current testing on a plurality of power semiconductor devices comprised in a wafer, and contacting system

Номер патента: WO2023187701A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2023-10-05.

Biomolecule-compatible, highly branched polymer and biomolecular-recognition surface

Номер патента: US20150299349A1. Автор: Keiji Tanaka,Masayuki Haraguchi,Motonobu Matsuyama,Tomoyasu Hirai,Kazutaka Shimafuji. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2015-10-22.

Process for the manufacture of large surface area bonded to a substrate

Номер патента: CA1087758A. Автор: Johann Hofer,Dietrich Schmidt,Bernhard Authier,Heinz-Jorg Rath. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1980-10-14.

High current density, acid-free electrolytic descaling process

Номер патента: CA1187037A. Автор: Donald R. Zaremski. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1985-05-14.

High current source for a test system for testing an electrical power devce, and test system

Номер патента: US20230341476A1. Автор: Horst Schedler,Lukas BITSCHNAU. Владелец: OMICRON Electronics GmbH. Дата публикации: 2023-10-26.

High current source for a test system for testing an electrical power device, and test system

Номер патента: AU2021206550B2. Автор: Horst Schedler,Lukas BITSCHNAU. Владелец: OMICRON Electronics GmbH. Дата публикации: 2023-12-14.

Contact spring for a testing base for the high current testing of an electronic component

Номер патента: US20140111237A1. Автор: Marcus Frey,Gerhard Gschwendtberger,Manuel Petermann,Volker LEIKERMOSER. Владелец: Multitest Elektronische Systeme GmbH. Дата публикации: 2014-04-24.

Contact spring for a testing base for the high current testing of an electronic component

Номер патента: US9671428B2. Автор: Marcus Frey,Gerhard Gschwendtberger,Manuel Petermann,Volker LEIKERMOSER. Владелец: Multitest Elektronische Systeme GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Contact spring for a testing base for the high current testing of an electronic component

Номер патента: US09671428B2. Автор: Marcus Frey,Gerhard Gschwendtberger,Manuel Petermann,Volker LEIKERMOSER. Владелец: Multitest Elektronische Systeme GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of improving a high current of GOA circuit when power on

Номер патента: US10672355B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

High-voltage generator and method for generating a high current, high-voltage pulse by pulse shaping for driving a shock wave source

Номер патента: US5109338A. Автор: Manfred Pfeiler,Helmut Ermert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-04-28.

Method of forming iron foil at high current densities

Номер патента: CA1139256A. Автор: Palliyil K. Subramanyan,Mieczyslaw P. Makowski,Robert J. Setele. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1983-01-11.

Multi-level cpu high current protection

Номер патента: US20170308146A1. Автор: Efraim Rotem,Doron Rajwan,Eliezer Weissmann,Alon Naveh,Nir Rosenzweig. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Low-voltage high-current light-weight spot welding machine

Номер патента: US20240051061A1. Автор: Zhongjie Yuan. Владелец: Hefei Sanyu Electric Co ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Detergent composition containing wool compatible high alkaline proteases

Номер патента: US5922082A. Автор: Andre Cesar Baeck,Alfred Busch,Ann Katrien Marie Agnes Verschuere. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1999-07-13.

Environmentally compatible high density drill mud or blow-out control fluid

Номер патента: US4519922A. Автор: David L. Sutton,Michael L. Walker. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1985-05-28.

Reconfigrable charging station for extended power capability and active area

Номер патента: WO2016186750A1. Автор: Bin Xiao,Songnan Yang,Essam Elkhouly,Janardhan Koratikere Narayan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Low-Headroom Constant Current Source for High-Current Appliations

Номер патента: US20170142786A1. Автор: Ho Ming (Karen) Wan,Chun Fai WONG,Guangjie Cai,Tai Yin WONG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2017-05-18.

Low-headroom constant current source for high-current applications

Номер патента: US09661695B1. Автор: Ho Ming (Karen) Wan,Chun Fai WONG,Guangjie Cai,Tai Yin WONG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2017-05-23.

Resistor random access memory cell with reduced active area and reduced contact areas

Номер патента: US20070281420A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Harmonic elimination of black non-activated areas in video display devices

Номер патента: EP1757090A1. Автор: Gijsbert Lock. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-28.

Harmonic Eleimatin Of Black, Non-Activated Areas In Video Display Devices

Номер патента: US20070273791A1. Автор: Gijsbert Lock. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-11-29.

Structure and method for protecting substrate of active area

Номер патента: TW200522130A. Автор: Jui-Hsiang Yang,Hsu-Li Cheng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2005-07-01.

Resistor random access memory cell with reduced active area and reduced contact areas

Номер патента: CN101083298A. Автор: 何家骅,谢光宇,赖二琨. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-05.

System for detecting an activation action in an activation area for a vehicle

Номер патента: DE102020127438A1. Автор: Berthold Sieg. Владелец: Huf Huelsbeck and Fuerst GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-04-21.

Display substrate having different capacitance for active and non-active area of sub-pixels

Номер патента: GB2604762B. Автор: KIM Do-heon,KWON Kyeong-Seob. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Display substrate having different capacitance for active and non-active area sub-pixels

Номер патента: GB2591873B. Автор: KIM Do-heon,KWON Kyeong-Seob. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

High speed, high current gain voltage buffer and method

Номер патента: WO2008028034A2. Автор: Sergey Alenin,Henry Surtihadi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-03-06.

High-current, bidirectional protection circuits and methods

Номер патента: US20240258792A1. Автор: Gabriel Eugen Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

High current welding power supply

Номер патента: MY133203A. Автор: K Stava Elliott. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2007-10-31.

High current welding power supply

Номер патента: CA2293183C. Автор: Elliott K. Stava. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

High current charge pump for intelligent power switch driver

Номер патента: EP1757174A2. Автор: Kevin c/o International Rectifier THEVENET. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-02-28.

METHOD, DEVICE, COMPUTER PROGRAM AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR DETERMINING WHETHER A PORTABLE KEY DEVICE IS LOCATED IN AN ACTIVE AREA IN RELATION TO A BARRIER

Номер патента: US20180052217A1. Автор: Jonsson Tomas. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

IDENTIFYING ACTIVE AREAS OF INTEREST WITHIN VIDEO DATA

Номер патента: US20190057273A1. Автор: Flosdorf Stephen,Goonetilleke Sulanka. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

DYNAMIC CALIBRATION OF DETECTION SYSTEM FOR ACTIVE AREAS OF INTEREST WITHIN VIDEO DATA

Номер патента: US20190058833A1. Автор: Flosdorf Stephen,Goonetilleke Sulanka. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

MEDIA PRESENTATION SYSTEM WITH ACTIVATION AREA

Номер патента: US20220269468A1. Автор: Slater Michael,Mancini Leo Litterello,Miller Joshua Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

METHOD OF CONTROLLING ACTIVATION AREA OF TOUCH SCREEN PANEL AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160239148A1. Автор: KIM Mooyoung,Kim Young Mok,LEE Jeong-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

RECONFIGRABLE CHARGING STATION FOR EXTENDED POWER CAPABILITY AND ACTIVE AREA

Номер патента: US20160336784A1. Автор: Yang Songnan,Xiao Bin,Elkhouly Essam,Koratikere Narayan Janardhan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

Systems and Methods of Tracking Locations Visited by Mobile Devices Residing within a Predetermined Activity Area to Quantify a Change

Номер патента: US20170350705A1. Автор: "DAlberto Paolo",Milenkiy Veronica,Azizi Ahmad Fairiz,Dixon Mark Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR HAVING OPENINGS IN AN ACTIVE AREA AND A PILLAR BENEATH THE OPENING

Номер патента: US20190348963A1. Автор: Ivira Brice,Kirkendall Chris,Yu Pen Li,Setoodeh Sormeh,Feld David Albert. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Method for fabricating organic photovoltaic device with improved conversion efficiency by partitioned active area and organic photovoltaic device fabricated thereby

Номер патента: KR100971113B1. Автор: 김재경,강남수,진병두,유재웅. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2010-07-20.

METHOD AND INSTALLATION FOR THE POWER SUPPLY OF AN ACTIVITY AREA WITH TWO INDEPENDENT SOURCES AND FROM A DISTRIBUTION NETWORK.

Номер патента: FR2844401B1. Автор: Alain Lamoine,Pascal Lete,Stephane Gruffat,Philippe Saignes,Pascal Lombard,Jean Cerutti,Jean Pierre Goming. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 2005-09-30.

Electronic device display with extended active area

Номер патента: KR102206428B1. Автор: 디네쉬 씨. 매튜,미카엘 엠. 실반토,빅터 에이치. 인. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2021-01-21.

Adaptive adjustment of active area for power amplifier

Номер патента: US8364103B2. Автор: Jan-Erik Mueller,Nick Shute,Andrea Camuffo,Chi-Tao GOE,Sandro Pinarello. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-01-29.

Indoor target activity area identification method and system based on wireless signals

Номер патента: CN109379707B. Автор: 李翔,张大庆. Владелец: Peking University Information Technology Institute (tianjin Binhai). Дата публикации: 2020-09-01.

Methods, apparatuses for determining activity areas of target objects, devices and storage media

Номер патента: TWI778761B. Автор: 王學成. Владелец: 大陸商北京市商湯科技開發有限公司. Дата публикации: 2022-09-21.

Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer

Номер патента: US6877209B1. Автор: Mike Bruner,Gregory D. Miller,Gary Green,Lawrence Henry Ragan. Владелец: Silicon Light Machines Inc. Дата публикации: 2005-04-12.

Adaptive adjustment of active area for power amplifier

Номер патента: CN102412795A. Автор: S.皮纳雷洛,J-E.米勒,A.卡穆福,C-T.高,N.舒特. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2012-04-11.

Electronic device display with extended active area

Номер патента: WO2017058416A1. Автор: . Владелец: Groturbel Research Llc. Дата публикации: 2017-04-06.

Touch sensitive actuator having a uniform actuation force and a maximum active area.

Номер патента: MX2008016361A. Автор: Joel S Spira,Gregory Altonen. Владелец: Lutron Electronics Co. Дата публикации: 2009-02-23.

Touch sensitive actuator having a uniform actuation force and a maximum active area

Номер патента: EP2030485B1. Автор: Joel S. Spira,Gregory Altonen. Владелец: Lutron Electronics Co Inc. Дата публикации: 2012-08-15.

Device for inductive heating of winding coils of electrical machines, has inductor with adjustable active area for inductively heating winding coils and rods, especially continuously adjustable by slip contacts

Номер патента: DE10103537A1. Автор: Willi Lutz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Media supply device for media supply of activity area or workshop e.g. classroom, has media supply element which is connected with media distributor and is horizontally movable

Номер патента: DE202006016954U1. Автор: . Владелец: Waldner Labor und Schuleinrichtungen GmbH. Дата публикации: 2007-02-08.

Reducing a Hole-In-Active-Area Size for Flexible Displays

Номер патента: US20210297563A1. Автор: YI Tao,Adrian Manea. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

Self-alignment process in active area of memory cells with partial vertical channel

Номер патента: TW200425416A. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Media presentation system with activation area

Номер патента: US20220269468A1. Автор: Michael Slater,Joshua Alexander Miller,Leo Litterello Mancini. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Structure and method for protecting substrate of active area

Номер патента: TWI224357B. Автор: Jui-Hsiang Yang,Hsu-Li Cheng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2004-11-21.

Variable current pulse mode battery charger - has thyristor regulating current of applied pulses and variable pulse duty cycle to permit high current charging

Номер патента: NL8020420A. Автор: . Владелец: Bele Invent Aktiebolag Te Stockholm.. Дата публикации: 1981-10-01.

Switching regulator having high current prevention features

Номер патента: US5502610A. Автор: Steve I. Chaney. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 1996-03-26.

High Current Fast Rise And Fall Time LED Driver

Номер патента: US20080012507A1. Автор: Mehmet Nalbant. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

High current DC-DC converter with integrated matrix transformer and multiphase current doubler rectifier

Номер патента: US11894778B2. Автор: QIANG LI,Fred C. Lee,Xin LOU. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

High current dc-dc converter with integrated matrix transformer and multiphase current doubler rectifier

Номер патента: US20220385198A1. Автор: QIANG LI,Fred C. Lee,Xin LOU. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Default current occurrence monitoring device for motor vehicle, has control and analysis unit opening control switch and measuring current when energy source is not in high current mode for detecting occurrence of fault current

Номер патента: FR2890797A1. Автор: Bertrand Fegrand. Владелец: Electricfil Automotive SAS. Дата публикации: 2007-03-16.

High current charge pump for intelligent power switch driver

Номер патента: EP1757174A4. Автор: Kevin Thevenet. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-12-05.

Hybrid active harmonic filter for high current drives

Номер патента: EP3827513A1. Автор: Da Zhang,Bassel AL-ANNOUF. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

20v to 50v high current asic pin diode driver

Номер патента: WO2017030726A1. Автор: Christopher Weigand,Chengxin Liu. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-02-23.

20V to 50V high current ASIC PIN diode driver

Номер патента: US09948291B1. Автор: Christopher D. Weigand,Chengxin Liu,Nicholas J. Ahlquist. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Single phase AC chopper for high current control of complex and simple loads

Номер патента: US09787208B2. Автор: Harvey Wayne Veselka, JR.,Eugenio Jorge Tacconi. Владелец: AVO Multi Amp Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

20V to 50V high current ASIC PIN diode driver

Номер патента: US09698774B2. Автор: Christopher D. Weigand,Chengxin Liu. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Capacitor power supply unit for small electrical loads with a high current requirement

Номер патента: US09525360B2. Автор: Kay-Steffen Gurr,Gernot Liebhard,Rene Wichert,Rudolf Saemann. Владелец: Andreas Stihl AG and Co KG. Дата публикации: 2016-12-20.

Systems, methods, and apparatuses for using a high current switching device as a logic level sensor

Номер патента: US9288873B2. Автор: William G. Reed. Владелец: Express Imaging Systems LLC. Дата публикации: 2016-03-15.

CONTROL CIRCUIT FOR STATIC TRANSISTOR SWITCH FOR HIGH CURRENT CURRENT LOAD CURRENT LOAD

Номер патента: FR2466907A1. Автор: Pietro Menniti,Maurizio Felici. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1981-04-10.

Chassis control system comprises actuators for motor, vehicle, particularly active suspension system with high current load as actuators, where vehicle electrical system is connected at direct current to direct current converter

Номер патента: DE102009032084A1. Автор: Armin Ohletz,Nico Schobeß. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2011-01-13.

DEVICE FOR GENERATION AND REGULATION OF CURRENTS OF HIGH CURRENT STRENGTH, SPECIAL OF WELDING CURRENTS

Номер патента: SE7600043L. Автор: J Wertli,P Matter. Владелец: KALNBACH WKS SCHWEISSTECH. Дата публикации: 1976-07-12.

Liquid gallium cooled high current accelerator target

Номер патента: US20170287580A1. Автор: Robert John Ylimaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-05.

Power management of high-current fast-charging battery

Номер патента: US20200361340A1. Автор: Yue-Yun Wang,Jeffrey S. Piasecki,Garrett M. Seeman. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Energy management system and method for controlling high current draws from variable current devices commonly connectable to an electrical circuit

Номер патента: US20130200706A1. Автор: Cobb Robert,Webster Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

HYSTERETIC CURRENT MODE CONTROL CONVERTER WITH LOW, MEDIUM AND HIGH CURRENT THRESHOLDS

Номер патента: US20140217996A1. Автор: Smith,PEKER Arkadiy,JR. Kevin Mark,Korcharz Dror. Владелец: MICROSEMI CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

Low-Headroom Constant Current Source for High-Current Appliations

Номер патента: US20170142786A1. Автор: WAN Ho Ming (Karen),WONG Chun Fai,CAI Guangjie,WONG Tai Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROL OF INPUT CURRENT OF HIGH-CURRENT AND HIGH-VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20190199340A1. Автор: PLESNIK Martin. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

CORELESS CURRENT SENSOR FOR HIGH CURRENT POWER MODULE

Номер патента: US20210257925A1. Автор: AICHRIEDLER Leo,WRIESSNEGGER Gerald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-19.

CORELESS CURRENT SENSOR FOR HIGH CURRENT POWER MODULE

Номер патента: US20190229640A1. Автор: AICHRIEDLER Leo,WRIESSNEGGER Gerald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-25.

CURRENT CORRECTION TECHNIQUES FOR ACCURATE HIGH CURRENT SHORT CHANNEL DRIVER

Номер патента: US20190261476A1. Автор: Howe Bret Ross. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

Current Limiting for High Current Drivers

Номер патента: US20180309286A1. Автор: Kaundinya Pranav R.,Lofthouse Sean A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

CORELESS CURRENT SENSOR FOR HIGH CURRENT POWER MODULE

Номер патента: US20200350831A1. Автор: AICHRIEDLER Leo,WRIESSNEGGER Gerald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Hysteretic current mode control converter with low, medium and high current thresholds

Номер патента: US9362828B2. Автор: Arkadiy Peker,Kevin Mark Smith, JR.,Dror Korcharz. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

External power management device with current monitoring precluding shutdown during high current

Номер патента: US6243626B1. Автор: David J. Schanin. Владелец: Bayview Technology Group LLC. Дата публикации: 2001-06-05.

Reactor coil with valve for high current, in particular dry rectifier for high current with magnetic control

Номер патента: FR1215563A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-04-19.

Transportation system for a sub-surface activity area

Номер патента: WO2007094688A1. Автор: Robert Schumacher,Kjell Are Vassmyr,Torkel Gjerstad,Martin Ivar AASERØD. Владелец: Acona Group As. Дата публикации: 2007-08-23.

Structuring communication and content for detected activity areas

Номер патента: WO2023278035A1. Автор: Torbjørn Helvik,Andreas Eide,Kjetil Krogvig Bergstrand,Lene Christin Rydningen. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Structuring communication and content for detected activity areas

Номер патента: US11822771B2. Автор: Torbjørn Helvik,Andreas Eide,Kjetil Krogvig Bergstrand,Lene Christin Rydningen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Methodology for improving device performance prediction from effects of active area corner rounding

Номер патента: US20090178012A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Shreesh Narasimha,Gerald M. Davidson,Paul A. Hyde,Judith H. McCullen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Transportation system for a sub-surface activity area

Номер патента: CA2642588A1. Автор: Robert Schumacher,Kjell Are Vassmyr,Martin Ivar Aaseroed,Torkel Gjerstad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Active area of interest tracking in a multiuser digital whiteboard session

Номер патента: US20210182012A1. Автор: Cristoffer Karl Conny Särevall,Magne Pettersen Zachrisen,Andreas Aardal Hanssen,Øyvind Kurisaki-Sagberg. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Active area of interest tracking in a multiuser digital whiteboard session

Номер патента: US20200301644A1. Автор: Cristoffer Karl Conny Särevall,Magne Pettersen Zachrisen,Andreas Aardal Hanssen,Øyvind Kurisaki-Sagberg. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Optical films for directing light towards active areas of displays.

Номер патента: MX2007003596A. Автор: Brian J Gally,William J Cummings. Владелец: IDC LLC. Дата публикации: 2007-05-23.

Potty training chair with child restraint, activity area and audible reward system

Номер патента: US5781939A. Автор: Laurita Bledsoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-21.

Arrays for delivering tumor treating fields (ttfields) with sets of electrode elements having individually adjustable active areas

Номер патента: EP4240470A1. Автор: Yoram Wasserman. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2023-09-13.

Structures for directing incident light onto the active areas of display elements

Номер патента: WO2013074534A1. Автор: Evgeni Poliakov,Ion Bita,Kollengode S. Narayanan. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

Hydrocarbon-containing substance extraction device, has production pipeline, and injection pipeline including active area designed as induction heater with respect to environment of active area in underground deposits

Номер патента: DE102007008292A1. Автор: Dirk Dr. Diehl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-08-21.

Pressure measurement on surface area of resting human body and measuring equipment - uses plastic mat with active area of sensors connected to recorder to prevent blood flow deficiency in area of wound

Номер патента: DE4240782A1. Автор: Hildegard Roethel,Oliver Roethel. Владелец: Oliver Roethel. Дата публикации: 1994-06-09.

RETROREFLECTIVE ARTICLES INCLUDING OPTICALLY ACTIVE AREAS AND OPTICALLY INACTIVE AREAS

Номер патента: US20130114142A1. Автор: Smith Kenneth L.,Pekurovsky Mikhail L.,Patel Suman K.,Coggio William D.,Free Michael Benton,Mazurek Mieczyslaw H.,Thakkar Bimal V.,Chiu Raymond C.. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-05-09.

RETROREFLECTIVE ARTICLES INCLUDING OPTICALLY ACTIVE AREAS AND OPTICALLY INACTIVE AREAS

Номер патента: US20180003868A1. Автор: Smith Kenneth L.,Pekurovsky Mikhail L.,Patel Suman K.,Coggio William D.,Free Michael Benton,Mazurek Mieczyslaw H.,Thakkar Bimal V.,Chiu Raymond C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

RETROREFLECTIVE ARTICLES INCLUDING OPTICALLY ACTIVE AREAS AND OPTICALLY INACTIVE AREAS

Номер патента: US20170184763A1. Автор: Smith Kenneth L.,Free Michael Benton,Thakkar Bimal V.,Chiu Raymond C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: KR101960149B1. Автор: 마이클 벤톤 프리,비말 브이. 타카르,미에치슬라브 에이치. 마주렉,케니스 엘. 스미스,수만 케이. 파텔,윌리엄 디. 코지오,미하일 엘. 페쿠로브스키. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니. Дата публикации: 2019-03-19.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US9910194B2. Автор: Mieczyslaw H. Mazurek,William D. Coggio,Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Mikhail L. Pekurovsky,Suman K. Patel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US10859738B2. Автор: Mieczyslaw H. Mazurek,William D. Coggio,Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Mikhail L. Pekurovsky,Raymond C. Chiu,Suman K. Patel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-12-08.

NUCLEAR REACTOR AND MEANS OF INTRODUCING A NEUTRON LIQUID ABSORBER TO THE ACTIVE AREA

Номер патента: RU2005127576A. Автор: Мишель ЭМЕН,Мишель ЭМЕН (FR). Владелец: Мишель ЭМЕН (FR). Дата публикации: 2006-07-10.

Screen for grinding mills, has deflector above horizontal level in area of wall of screen housing arranged around rotor to direct charging material in active area of rotor

Номер патента: DE102005059282A1. Автор: Franz-Josef Zurhove,Ludwig Könning,Olaf Dr.-Ing. Hagemeier. Владелец: Polysius AG. Дата публикации: 2007-06-14.

FAST NEUTRON REACTOR ACTIVE AREA WITH SODIUM COOLANT

Номер патента: RU2012147633A. Автор: Бруно МЕРК. Владелец: Гельмгольтц-Центрум Дрезден-Россендорф Е.Ф.. Дата публикации: 2014-05-20.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: KR101954457B1. Автор: 마이클 벤톤 프리,비말 브이. 타카르,미에치슬라브 에이치. 마주렉,케니스 엘. 스미스,수만 케이. 파텔,윌리엄 디. 코지오,미하일 엘. 페쿠로브스키,레이몬드 씨. 치우. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니. Дата публикации: 2019-03-05.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: EP3495134B1. Автор: Mieczyslaw H. Mazurek,William D. Coggio,Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Mikhail L. Pekurovsky,Suman K. Patel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-11-25.

Printer with vacuum platen having moveable belt providing selectable active area

Номер патента: GB2370533B. Автор: David E Smith. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-10-15.

System for improvement of the perceived FOS homogeneity by suppressing hotspots in a module design with a short LED to active area distance

Номер патента: TW200942928A. Автор: Serge Leon Gerard Toussaint,De Wal Eric Van. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-10-16.

Glazing with active areas the controls of which are identified by signs produced using digital printing

Номер патента: US20240227364A9. Автор: Margaux Jouve,Alexia Yon,Dominique Seignard. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Glazing with active areas the controls of which are identified by signs produced using digital printing

Номер патента: US20240131821A1. Автор: Margaux Jouve,Alexia Yon,Dominique Seignard. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Printer vacuum conveyor with adjustable active area

Номер патента: WO2021142326A1. Автор: Eduardo Bueno Espinal,Juan Escudero Gonzalez. Владелец: ELECTRONICS FOR IMAGING, INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for electronic gaming in which an active area alternates between sets of reels

Номер патента: US12087124B2. Автор: David Marsh,Karl Roelofs. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Printer vacuum conveyor with adjustable active area

Номер патента: US20210213759A1. Автор: Eduardo Bueno Espinal,Juan Escudero Gonzalez. Владелец: Electronics for Imaging Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Printer vacuum conveyor with adjustable active area

Номер патента: EP4087803A4. Автор: Eduardo Bueno Espinal,Juan Escudero Gonzalez. Владелец: Electronics for Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method and equipment for establishing preferably temporary activity areas in or close to cities

Номер патента: AU4329796A. Автор: Frede Andresen Petersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-07-31.

Printer vacuum conveyor with adjustable active area

Номер патента: US12115777B2. Автор: Eduardo Bueno Espinal,Juan Escudero Gonzalez. Владелец: Electronics for Imaging Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US20130135731A1. Автор: Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Raymond C. Chiu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-05-30.

RETROREFLECTIVE ARTICLES INCLUDING OPTICALLY ACTIVE AREAS AND OPTICALLY INACTIVE AREAS

Номер патента: US20190086590A1. Автор: Smith Kenneth L.,Free Michael Benton,Thakkar Bimal V.,Chiu Raymond C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

RETROREFLECTIVE ARTICLES INCLUDING OPTICALLY ACTIVE AREAS AND OPTICALLY INACTIVE AREAS

Номер патента: US20180180779A1. Автор: Smith Kenneth L.,Pekurovsky Mikhail L.,Patel Suman K.,Coggio William D.,Free Michael Benton,Mazurek Mieczyslaw H.,Thakkar Bimal V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: KR101954456B1. Автор: 마이클 벤톤 프리,비말 브이. 타카르,케니스 엘. 스미스,레이몬드 씨. 치우. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니. Дата публикации: 2019-03-05.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US9618663B2. Автор: Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Raymond C. Chiu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US9791604B2. Автор: Mieczyslaw H. Mazurek,William D. Coggio,Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Mikhail L. Pekurovsky,Raymond C. Chiu,Suman K. Patel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-10-17.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US10132969B2. Автор: Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Raymond C. Chiu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-11-20.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US10379271B2. Автор: Mieczyslaw H. Mazurek,William D. Coggio,Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Mikhail L. Pekurovsky,Suman K. Patel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-08-13.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: US10557976B2. Автор: Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Raymond C. Chiu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-02-11.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: CN102844175A. Автор: 肯尼思·L·史密斯,威廉·D·科焦,迈克尔·本顿·弗里,比马尔·V·塔卡尔,米奇斯瓦夫·H·马祖雷克,苏曼·K·帕特尔,米哈伊尔·L·佩库洛夫斯基,雷蒙德·C·基乌. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-12-26.

Access Floor with Seismic Isolator with Link Device between Activation Area and Deactivation Area

Номер патента: KR102026714B1. Автор: 유홍근. Владелец: 주식회사 에스앤와이시스템. Дата публикации: 2019-09-30.

Drill string element with a fluid activation area

Номер патента: WO2013190219A1. Автор: Thomas Didry,Christophe Rohart. Владелец: VALLOUREC DRILLING PRODUCTS FRANCE. Дата публикации: 2013-12-27.

Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas

Номер патента: EP3495134A1. Автор: Mieczyslaw H. Mazurek,William D. Coggio,Kenneth L. Smith,Michael Benton Free,Bimal V. Thakkar,Mikhail L. Pekurovsky,Suman K. Patel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-06-12.

Ball activity area and activity centers therefore

Номер патента: WO2003099397A1. Автор: Jonathan Brooks,Scott Hamons,Donald Cattoni,Keith Nagelski. Владелец: Soft Play, Llc. Дата публикации: 2003-12-04.

Pixelated, large active area scintillating screens

Номер патента: US11947056B1. Автор: Markus Peter Hehlen,Brenden W. Wiggins,James F. Hunter. Владелец: Triad National Security LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

High-current sensing scheme using drain-source voltage

Номер патента: US09671438B2. Автор: Nan Chen,Zhengming FU,Chuang Zhang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

High current measurement with temperature compensation

Номер патента: WO2007111812A2. Автор: Farid E. Masri,Christopher S. Sherman. Владелец: Dynamp, Llc. Дата публикации: 2007-10-04.

SEARCHING AND DETERMINING ACTIVE AREA

Номер патента: US20170031951A1. Автор: Zhou Shitian. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Electronic Device Display With Extended Active Area

Номер патента: US20190043452A1. Автор: Yin Victor H.,Mathew Dinesh C.,Silvanto Mikael M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

TOUCH DISPLAY DEVICE AND TOUCH DISPLAY PANEL HAVING A CURVED ACTIVE AREA

Номер патента: US20200050311A1. Автор: Hwang Kwangjo,Lee Jaegyun,LEE Yangsik,LEE Deuksu,AN SuChang,JUNG JiHyun,RHE Ruda. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

SYSTEMS AND METHODS FOR ELECTRONIC GAMING IN WHICH AN ACTIVE AREA ALTERNATES BETWEEN SETS OF REELS

Номер патента: US20200074788A1. Автор: Marsh David,Roelofs Karl. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

METHOD, DEVICE, COMPUTER PROGRAM AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR DETERMINING WHETHER A PORTABLE KEY DEVICE IS LOCATED IN AN ACTIVE AREA IN RELATION TO A BARRIER

Номер патента: US20180081025A1. Автор: Jonsson Tomas,OLSSON Håkan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

LIGHT SOURCE PROJECTING LINES DEFINING ACTIVITY AREA

Номер патента: US20140171234A1. Автор: VOGT STEVEN D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

TEMPERATURE SENSOR ON DISPLAY ACTIVE AREA

Номер патента: US20180090103A1. Автор: Zhang Sheng,Huang Chun-Yao,Sacchetto Paolo,Wang Chaohao,Tang Howard,Lo Cheuk Chi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

ACTIVE AREA ROUTING FOR TOUCH ELECTRODES

Номер патента: US20210141491A1. Автор: Blondin Christophe,GOGTE Ashray Vinayak. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS

Номер патента: US20180121593A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Kim Seong-Dong,Hook Terence B.,Chu Albert M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

SEARCHING AND DETERMINING ACTIVE AREA

Номер патента: US20140207795A1. Автор: Zhou Shitian. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2014-07-24.

DISPLAY COMPRISING AN IRREGULAR-SHAPE ACTIVE AREA AND METHOD OF DRIVING THE DISPLAY

Номер патента: US20180137800A1. Автор: CHENG Shih-Song. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING POLLUTANTS IN BASIN WATER RESOURCES CYCLING UTILIZATION IN AGRICULTURAL ACTIVITY AREAS

Номер патента: US20210179465A1. Автор: Wang Lei,Wu Feng,Zhang Qian,Liu Hui,LI Tongtong,Wang Yangyang,Wang Jinsheng,Xi Beidou,ZHANG Yali,TAN WENBING. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

ACTIVE AREA OF INTEREST TRACKING IN A MULTIUSER DIGITAL WHITEBOARD SESSION

Номер патента: US20210182012A1. Автор: Kurisaki-Sagberg Øyvind,Conny Särevall Cristoffer Karl,Zachrisen Magne Pettersen,Hanssen Andreas Aardal. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Displaying Multiple-Activation Areas on an Electroanatomical Map

Номер патента: US20170156613A1. Автор: Botzer Lior,Ravuna Eliyahu. Владелец: Biosense Webster (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD AND DEVICE FOR PREVENTING AND CONTROLLING POLLUTANTS IN THE REUSE OF RECLAIMED WATER IN AGRICULTURAL ACTIVITY AREAS WITH EXTREME WATER SHORTAGE

Номер патента: US20210188677A1. Автор: Wang Lei,Wu Feng,Liu Hui,LI Tongtong,Wang Yangyang,Wang Jinsheng,Xi Beidou,ZHANG Yali,TAN WENBING. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD OF FORMING PATTERN PRINTING LAYER ON NON-ACTIVE AREA OF DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160185101A1. Автор: Lee Manhwa,Park Hee Do. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

PRINTER VACUUM CONVEYOR WITH ADJUSTABLE ACTIVE AREA

Номер патента: US20210213759A1. Автор: Escudero Gonzalez Juan,Bueno Espinal Eduardo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Ablation Catheter with a Patterned Textured Active Area

Номер патента: US20190192220A1. Автор: MARGALLO BALBÁS Eduardo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

OUTSIDE OF ACTIVE AREA FINGER-PRINT SENSOR

Номер патента: US20180218191A1. Автор: Khazeni Kasra,SHAMARAO Prashant,BERGET Damien. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Electronic Device Display With Extended Active Area

Номер патента: US20200227008A1. Автор: Yin Victor H.,Mathew Dinesh C.,Silvanto Mikael M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Active area of interest tracking in a multiuser digital whiteboard session

Номер патента: US20200301644A1. Автор: Cristoffer Karl Conny Särevall,Magne Pettersen Zachrisen,Andreas Aardal Hanssen,Øyvind Kurisaki-Sagberg. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

ACTIVITY AREA RESTRICTION METHOD, ROBOT CONTROL APPARATUS, AND NOTIFIER

Номер патента: US20200306968A1. Автор: Ueyama Masaki,Singh Anuraag. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

OPTIMIZED LCD DESIGN PROVIDING ROUND DISPLAY MODULE WITH MAXIMIZED ACTIVE AREA

Номер патента: US20150355487A1. Автор: Gitzinger Thomas E.,Emmert Steve C.,Kaehler John W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

DRILL STRING ELEMENT WITH A FLUID ACTIVATION AREA

Номер патента: US20150361729A1. Автор: DIDRY Thomas,ROHART Christophe. Владелец: VALLOURCE DRILLING PRODUCTS FRANCE. Дата публикации: 2015-12-17.

Spintronic magnetic nanoparticle sensors with an active area located on a magnetic domain wall

Номер патента: EP2274633B1. Автор: Riccardo Bertacco,Paolo Vavassori. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2012-08-08.

Spintronic magnetic nanoparticle sensors with an active area located on a magnetic domain wall

Номер патента: US20110037463A1. Автор: Riccardo Bertacco,Paolo Vavassori. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2011-02-17.

Spintronic magnetic nanoparticle sensors with an active area located on a magnetic domain wall

Номер патента: EP2274633A1. Автор: Riccardo Bertacco,Paolo Vavassori. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2011-01-19.

Spintronic magnetic nanoparticle sensors with an active area located on a magnetic domain wall

Номер патента: WO2009130241A1. Автор: Riccardo Bertacco,Paolo Vavassori. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2009-10-29.

Spintronic magnetic nanoparticle sensors with an active area located on a magnetic domain wall

Номер патента: US8779763B2. Автор: Riccardo Bertacco,Paolo Vavassori. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2014-07-15.

Spintronic magnetic nanoparticle sensors with an active area located in a magnetic domain wall

Номер патента: ES2390403T3. Автор: Riccardo Bertacco,Paolo Vavassori. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2012-11-12.

PRINTER VACUUM CONVEYOR WITH ADJUSTABLE ACTIVE AREA

Номер патента: US20220348028A1. Автор: Escudero Gonzalez Juan,Bueno Espinal Eduardo. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

NUCLEAR REACTOR ACTIVE AREA AND NUCLEAR REACTOR

Номер патента: RU2012107434A. Автор: Хироси СЕКИМОТО. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2013-09-10.

Shelf furniture e.g. cabinet, for positioning object or article for storing or displaying, has organic LED with active area sending electromagnetic radiation in operation, and shelf unit with electrical contacts to electrically contact LED

Номер патента: DE102006054584A1. Автор: Dmytro San Jose Poplavskyy. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2008-04-10.

Color filter on tft type liquid crystal display device comprising black matrix formed on outside portion of active area and method for fabricating therefor

Номер патента: KR100945354B1. Автор: 김동국. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-03-08.

A kind of change effective active area hydraulic cylinder

Номер патента: CN108869447A. Автор: 张燕燕,杨志东,丛大成,李加启. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-11-23.

NUCLEAR REACTOR ACTIVE AREA

Номер патента: RU2006120559A. Автор: Владимир Сергеевич Степанов,Евгений Павлович Анисимов,Евгений Владимирович Кирсанов,Владимир Сергеевич Степанов (RU),Евгений Павлович Анисимов (RU),Евгений Владимирович Кирсанов (RU). Владелец: ФГУП Опытное конструкторское бюро "ГИДРОПРЕСС" (RU). Дата публикации: 2007-12-27.

Touch panel structure for increasing active area

Номер патента: KR100485648B1. Автор: 한재흥. Владелец: 주식회사 이노터치테크놀로지. Дата публикации: 2005-04-27.

Touch screen system having active area setting function and control method thereof

Номер патента: KR100522940B1. Автор: 이종진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Temperature sensor on display active area

Номер патента: US10446116B2. Автор: Sheng Zhang,Chaohao WANG,Paolo Sacchetto,Chun-Yao Huang,Howard Tang,Cheuk Chi LO. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Systems and methods for electronic gaming in which an active area alternates between sets of reels

Номер патента: US11100748B2. Автор: David Marsh,Karl Roelofs. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2021-08-24.

One kind can change rod end chamber active area and anti-piston rotating hydraulic cylinder

Номер патента: CN106762960A. Автор: 陈猛,石海军,卫卫. Владелец: Huatian Engineering and Technology Corp MCC. Дата публикации: 2017-05-31.

DRILL LINING ELEMENT WITH FLUID ACTIVATION AREA

Номер патента: FR2992345A1. Автор: Thomas Didry,Christophe Rohart. Владелец: Vam Drilling France SAS. Дата публикации: 2013-12-27.

System for dispensing a mixture comprising an adjusting device and activation areas

Номер патента: WO2019137582A1. Автор: Engelbert Gmeilbauer. Владелец: Engelbert Gmeilbauer. Дата публикации: 2019-07-18.

Printer with vacuum platen having bimetallic valve sheet providing selectable active area

Номер патента: US6571702B2. Автор: Steven B. Elgee,Geoff Wotton,Robert M. Yraceburu. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-06-03.

Optical films for directing light towards active areas of displays

Номер патента: EP1800166B1. Автор: Brian J. Gally,William J. Cummings. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-20.

Driver activity area in driving cab of motor vehicle, has base module which is fastened in spring mounted manner in driving cab with three bearing points and seating module, or steering module, or pedal module is arranged on base module

Номер патента: DE102007022654A1. Автор: Jürgen Prof. Dr. Maas,Helmut Dipl.-Ing. Porod (FH). Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2008-02-07.

Search, determine the active area of ​​the method with the server

Номер патента: TWI584137B. Автор: shi-tian Zhou. Владелец: Alibaba Group Services Ltd. Дата публикации: 2017-05-21.

Environment control method for indoor children activity area

Номер патента: CN113587278A. Автор: 王宁,郭嘉兴. Владелец: Chongqing Haier Air Conditioner Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Device for cutting metal sheet material and cutting method thereof to precisely cut metal sheet materials having different intervals of cutting active area by installing encoder and deep sensor

Номер патента: KR100437870B1. Автор: 천성용. Владелец: 엘지마이크론 주식회사. Дата публикации: 2004-07-16.

Reduced shadow system for illuminating an activity area

Номер патента: US20040095771A1. Автор: Lucas Mcdonald. Владелец: Global Star Lighting Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Microbial remediation method for organic pesticide in soil layer of agricultural activity area

Номер патента: CN113711723A. Автор: 王雷,李翔,王金生,席北斗,闫政,李艳平,李一葳,李彤彤,崔东宇,檀文炳,郭可昕. Владелец: CHINESE RESEARCH ACADEMY OF ENVIRONMENTAL SCIENCES. Дата публикации: 2021-11-30.

Selectable parent and submenu object display method with varied activation area shape

Номер патента: US8423912B2. Автор: Pourang Irani,Erum Tanvir. Владелец: Erum Tanvir. Дата публикации: 2013-04-16.

Tritium direct conversion semiconductor device having increased active area

Номер патента: US9711250B2. Автор: Peter Cabauy. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Optical films for directing light towards active areas of displays

Номер патента: WO2006036496A1. Автор: Brian J. Gally,William J. Cummings. Владелец: Idc, Llc. Дата публикации: 2006-04-06.

A kind of adjustable cooling cleaning rotary nozzle of active area

Номер патента: CN105598071B. Автор: 王雷,张秀芝,孟祥宝. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2017-12-01.

Optical films for directing light towards active areas of displays

Номер патента: TW200626990A. Автор: Brian J Gally,William J Cummings. Владелец: IDC LLC. Дата публикации: 2006-08-01.

A kind of rural activity area basin water resources recycle pollutant catabolic gene method and apparatus

Номер патента: CN108083560A. Автор: 张倩,王雷,吴锋,张亚丽. Владелец: Institute of Geographic Sciences and Natural Resources of CAS. Дата публикации: 2018-05-29.

AMORTIZING SOIL FOR ACTIVITY AREA

Номер патента: FR2804976B1. Автор: Didier Pancher. Владелец: ID Dalles. Дата публикации: 2005-03-25.

Abrasive tool having safe and active areas

Номер патента: EP1179997B1. Автор: Stephen K. Harrel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-21.

Sensor having a plurality of active areas

Номер патента: US20040094717A1. Автор: Dennis Griffin,William Fultz,Cunkai Wu. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Activation area identification method and device, storage medium and electronic equipment

Номер патента: CN110797081A. Автор: 蔡怡然,赵俊涛,沈一鸣. Владелец: Nanjing Medical Jiyun Medical Data Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-14.

active area of a nuclear reactor

Номер патента: BR112019028262A2. Автор: Nikolay Ivanovich LOGINOV,Viktor Viktorovich LITVINOV,Aleksey Dmitrievich KROTOV. Владелец: Joint Stock Company "State Scientific Centre Of The Russian Federation - Institute For Physics And Power Engineering Named After A.I. Leypunsky". Дата публикации: 2020-08-04.

A kind of change effective active area hydraulic cylinder

Номер патента: CN108869447B. Автор: 张燕燕,杨志东,丛大成,李加启. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-11-29.

Active area construction method, cleaning robot, control terminal, and storage medium

Номер патента: CN112120603A. Автор: 徐晓明,陈远. Владелец: Jiangsu Midea Cleaning Appliances Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-25.

FAST REACTOR ACTIVE AREA WITH A TWO- OR THREE CIRCUIT COOLING SYSTEM AND MANAGEMENT, ENSURING A LONG REACTOR CAMPAIGN IN SELF-ADJUSTABLE NEUTRON-JEREZARES

Номер патента: RU2008143699A. Автор: Владимир Яковлевич Гольдин,Елена Николаевна Аристова,Галина Анатольевна Пестрякова,Марк Игоревич Стойнов,Юрий Витальевич Трощиев,Владимир Яковлевич Гольдин (RU),Елена Николаевна Аристова (RU),Галина Анатольевна Пестрякова (RU),Марк Игоревич Стойнов (RU),Юрий Витальевич Трощиев (RU). Владелец: Институт Математического Моделирования Российской Академии Наук (ИММ РАН) (RU). Дата публикации: 2010-05-20.

Method for obtaining electrochemical active area of pole piece

Номер патента: CN115980146A. Автор: 高飞,杨红新,王栋栋,何见超,张要军. Владелец: Svolt Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Device for mounting active area of nuclear reactor under pressure

Номер патента: RU2061263C1. Автор: В.К. Резепов,Ю.С. Розенберг,Ю.А. Азизян. Владелец: Опытное Конструкторское Бюро "Гидропресс". Дата публикации: 1996-05-27.

Active area routing for touch electrodes

Номер патента: US11449182B2. Автор: Christophe Blondin,Ashray Vinayak GOGTE. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Display of activated areas on the neural stimulation program screen

Номер патента: JP6073866B2. Автор: ドンチュル イ,チャンファン ジュー. Владелец: ボストン サイエンティフィック ニューロモデュレイション コーポレイション. Дата публикации: 2017-02-01.

Apparatus for increasing effective active area

Номер патента: HU9600826D0. Автор: Larry Burton,Adam T Lee,Kuand Wu. Владелец: Glitsch. Дата публикации: 1996-05-28.

System for dispensing a mixture comprising an adjusting device and activation areas

Номер патента: EP3737511A1. Автор: Engelbert Gmeilbauer. Владелец: Engelbert Gmeilbauer. Дата публикации: 2020-11-18.

Displaying multiple-activation areas on an electroanatomical map

Номер патента: AU2016253655A1. Автор: Lior Botzer,Eliyahu Ravuna. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Color filter on tft type liquid crystal display device comprising black matrix formed on outside portion of active area and method for fabricating therefor

Номер патента: KR20060000808A. Автор: 김동국. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-01-06.

Method of forming a shear-active area on the shaving head of a dry-shaver according to desire and application

Номер патента: EP0229679A1. Автор: Romuald Leander Bukoschek,Leo Bertram,Hugo Dr. Schemmann,Reinhard Dr. Huszar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-07-22.

Scoring system for a ball activity area

Номер патента: US20050101417A1. Автор: Timothy Craig,Jonathan Brooks,Scott Hamons,Trenny Feimster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Arrays for delivering tumor treating fields (ttfields) with sets of electrode elements having individually adjustable active areas

Номер патента: WO2022175803A1. Автор: Yoram Wasserman. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2022-08-25.

DAMPING FLOOR FOR ACTIVITY AREA

Номер патента: FR2804976A1. Автор: Didier Pancher. Владелец: ID Dalles. Дата публикации: 2001-08-17.

Abrasive tool having safe and active areas

Номер патента: EP1179997A1. Автор: Stephen K. Harrel. Владелец: HARREL, Stephen K.. Дата публикации: 2002-02-20.

Flood source with pigmentless active area and visible border

Номер патента: CA2674404A1. Автор: Jason Short,Mike Palatas,L. Michael Cutrer,Jeff Gabler. Владелец: Eckert and Ziegler Isotope Products Inc. Дата публикации: 2010-01-31.

ELEMENT OF A DRILLING COLUMN WITH A FLUID ACTIVATION AREA

Номер патента: RU2014151400A. Автор: Тома ДИДРИ,Кристоф РОАР. Владелец: Валлурек Дриллин Продактс Франс. Дата публикации: 2016-07-10.

Structuring communication and content for detected activity areas

Номер патента: US20230004266A1. Автор: Torbjørn Helvik,Andreas Eide,Kjetil Krogvig Bergstrand,Lene Christin Rydningen. Владелец: Micorosoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and apparatus for re-sizing an active area of a flexible display

Номер патента: WO2008147637A1. Автор: Theodore R. Arneson. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2008-12-04.

A valve island with non-active area venting between components

Номер патента: WO2007070351A1. Автор: Walter A. Zub. Владелец: Norgren, Inc.. Дата публикации: 2007-06-21.

FeRAM having ferroelectric capacitor disposed over active area

Номер патента: KR100340074B1. Автор: 김재환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-12.

Systems and methods for electronic gaming in which an active area alternates between sets of reels

Номер патента: US20240005724A1. Автор: David Marsh,Karl Roelofs. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

High current extension for a dual-stage source measure unit

Номер патента: US20230288448A1. Автор: Wayne C. Goeke,Martin J. Rice. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

X-ray detectors with adjustable active area electrode assembly

Номер патента: IL183619A0. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2007-09-20.

Ferroelectric memory device having a ferroelectriccapacitor disposed on an extended active area.

Номер патента: HK1043656A1. Автор: Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-09-20.

Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area

Номер патента: GB2360153B. Автор: Kim Jae-Whan. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Systems and methods for electronic gaming in which an active area alternates between sets of reels

Номер патента: US11804097B2. Автор: David Marsh,Karl Roelofs. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Test key and test method for detecting whether the overlay of bit line contact and active area of DRAM is normal

Номер патента: TW550758B. Автор: Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie-Jiang Wu,Bo-Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-01.

Electromigration tester for high capacity and high current

Номер патента: WO2009105144A1. Автор: Jens Ullmann. Владелец: QUALITAU, INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

High-current sensing scheme using drain-source voltage

Номер патента: EP3215858A2. Автор: Nan Chen,Zhengming FU,Chuang Zhang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

An electronic apparatus comprising collapsible display with non-deformable active areas

Номер патента: TW200931362A. Автор: LIESHOUT Petrus Johannes Gerardus van,Johannes Cornelis Adriaan Hamers,Hjalmar Edzer Ayco Huitema. Владелец: Polymer Vision Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Digitally controlled high-current dc transducer

Номер патента: EP3189339A1. Автор: Huy D. Nguyen,Tom Lik-Chung Lee. Владелец: Neilsen Kuljian Inc. Дата публикации: 2017-07-12.

High current capable circuit testing closer apparatus and method

Номер патента: CA2586812C. Автор: Alejandro Montenegro,John C. Opfer,Christopher R. Lettow,Raymond P. O'leary,Albert B. Tucker, Jr.. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 2014-03-18.

High-current sensing scheme using drain-source voltage

Номер патента: WO2016073123A2. Автор: Nan Chen,Zhengming FU,Chuang Zhang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-05-12.

High current measurement with temperature compensation

Номер патента: WO2007111812A3. Автор: Farid E Masri,Christopher S Sherman. Владелец: Christopher S Sherman. Дата публикации: 2008-08-14.

ORE-THERMAL ELECTRIC FURNACE WITH HOT SIND AND HIGH-CURRENT CURRENT SUPPLY

Номер патента: RU2013152055A. Автор: Анатолий Григорьевич Кузьменко,Юрий Федорович Фролов,Михаил Алексеевич Поздняков. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью Научно-производственное предприятие "ИНЖМЕТ". Дата публикации: 2015-05-27.

Circuit for the electrical connection of rows of electrolysis cells for the production of aluminum at very high current

Номер патента: US4696730A. Автор: Bernard Langon,Joseph Chaffy. Владелец: Aluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1987-09-29.

Low current leakage measurement on a high current unified static and dynamic characterization platform

Номер патента: US20230408577A1. Автор: Gregory Sobolewski. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

High current AC welder

Номер патента: US09592566B2. Автор: James J. O'connor. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Controller for high-current device, particularly for starting device of internal combustion engine in motor vehicle, is formed with current paths for energization of high-current device

Номер патента: DE102009045352A1. Автор: Achim Herzog. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-04-14.

Arc welding current generator for welding fused rods - has first generator contg. thyristors supplied with AC giving short high current, and second generator giving lower current

Номер патента: FR2376546A1. Автор: Guido Prischi,Armand Zorlu. Владелец: La Soudure Autogene Francaise. Дата публикации: 1978-07-28.

Low and/or high currents measuring device for electrical circuit, has measurement units respectively adapted to measure low and high currents, where low current measurement unit includes sensor forming shunt

Номер патента: FR2883380A1. Автор: Alain Thimon,Fabien Lauredi. Владелец: Valeo Electronique et Systemes de Liaison SA. Дата публикации: 2006-09-22.

Internal gas separation assembly for high current density electrolytic cells

Номер патента: CA1120891A. Автор: Steven J. Specht,Kenneth E. Woodard, Jr.. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1982-03-30.

Method for electroplating metal coating(s) on particulates at high coating speed with high current density

Номер патента: WO1999040241A2. Автор: Pay Yih. Владелец: Pay Yih. Дата публикации: 1999-08-12.

Internal gas separation assembly for high current density electrolytic cells

Номер патента: US4222831A. Автор: Steven J. Specht,Kenneth E. Woodard, Jr.. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1980-09-16.

Controlled operation of high current density oxygen consuming cathode cells to prevent hydrogen formation

Номер патента: US4919791A. Автор: Ronald C. Miles,Kenneth E. Woodard, Jr.,David D. Justice. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Low-temperature/beol-compatible highly scalable graphene synthesis tool

Номер патента: US20230105855A1. Автор: Satish Sundar,Kaustav Banerjee,Ravi Iyengar,Nalin Rupesinghe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Bonding compatible thermoplastic materials by hot needle-, blade-, flame- or laser-spot welding, first compresses materials, welds, cools and releases clamping pressure, in process loosely resembling machine sewing

Номер патента: FR2783745A1. Автор: Bernard Vincent. Владелец: Bernard Vincent. Дата публикации: 2000-03-31.

Bond-compatible composite membrane

Номер патента: US6395401B1. Автор: William F. Egan,Tina L. Bramlett. Владелец: MBT Holding AG. Дата публикации: 2002-05-28.

MEASURING ARRANGEMENT FOR MEASURING AN ELECTRIC CURRENT IN THE HIGH-CURRENT RANGE

Номер патента: US20190170791A1. Автор: Hetzler Ullrich,POLLMANN Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

High current precision resistance measurement system

Номер патента: CA2639989C. Автор: Mark Evans,Andre C. Perras. Владелец: Guildline Instruments Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Measuring device for measuring currents in a high current range

Номер патента: CN109564246B. Автор: M·波尔曼,U·黑茨勒. Владелец: IsabellenHuette Heusler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-17.

Brightener for high current density tin plating and tin plating bath with excellent high current density electrolytic properties

Номер патента: JP3217259B2. Автор: 啓 久保,幹之 市場,吉則 余村,武之 三浦,和幸 須田. Владелец: JFE Engineering Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Method of professional reliability evaluation for specialists in critical activity areas

Номер патента: RU2392860C1. Автор: Геннадий Николаевич Гриценко,Сергей Николаевич Колючкин,Виктор Иванович Седин,Борис Павлович Смирнов. Владелец: Борис Павлович Смирнов. Дата публикации: 2010-06-27.

Sintered material for high-current sliding electric contact

Номер патента: RU2506334C1. Автор: Наталья Ивановна Кузнецова,Сергей Сергеевич Борисов,Виктор Вениаминович Фадин,Марина Ивановна Алеутдинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2014-02-10.

Vacuum diode assembly of high-current electron accelerator with double cathode and mechanism of rapid change of operating current

Номер патента: RU2593387C1. Автор: Александр Михайлович Игнатов,Игорь Евгеньевич Иванов,Намик Гусейнага оглы Гусейн-заде,Олег Тимофеевич Лоза,Елена Александровна Шульгина,Сергей Владимирович Гарнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук. Дата публикации: 2016-08-10.

Repeatable high-current contactor

Номер патента: RU2515513C2. Автор: Александр Николаевич Филиппов,Александр Михайлович Нестеренко,Сергей Михайлович Волков,Максим Витальевич Манзук,Сергей Драстаматович Аванесов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2014-05-10.

Material for high-current sliding electrocontact

Номер патента: RU2368971C1. Автор: Виктор Вениаминович Фадин,Марина Ивановна Алеутдинова. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения Сибирское отделение Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2009-09-27.

Charge for production of material for high-current contacts and method of its production

Номер патента: RU2523156C1. Автор: Иосиф Сергеевич Гершман,Евгений Иосифович Гершман. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский новый университет" (НОУ ВПО "РосНОУ"). Дата публикации: 2014-07-20.

High-current frequency flat inductance choke

Номер патента: RU2649912C1. Автор: Валерий Зиновьевич Ширво,Акоп Хачатурович Минасян. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2018-04-05.

Device for making high-current electric circuits

Номер патента: RU2589035C1. Автор: Александр Яковлевич Малышев,Дмитрий Александрович Горькаев,Александр Алексеевич Татынов,Алексей Михайлович Воронцов,Антон Евгеньевич Канунов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-07-10.

Contact system of high-current unit

Номер патента: RU2411601C2. Автор: Эльхан Шахбаба оглы Мурадов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технос". Дата публикации: 2011-02-10.

High-current pulse generator

Номер патента: RU2531560C1. Автор: Андрей Леонидович Юрьев,Дмитрий Павлович Николаев,Александр Федорович Поколев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экпериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-10-20.

Method to increase degradation resistance of high-current multi-spike field-emission cathodes

Номер патента: RU2474909C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2013-02-10.

High-current electron gun

Номер патента: RU2446504C1. Автор: Григорий Евгеньевич Озур,Константин Витальевич Карлик,Тамара Васильевна Коваль,Ху Зунг Ле,Григорий Евгеньевич Озур (RU),Константин Витальевич Карлик (RU),Тамара Васильевна Коваль (RU),Ху Зунг Ле (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

Low Voltage High Current Switching System

Номер патента: AU2021203984A1. Автор: Andrew Thompson,Richárd Nagy,Patrick Paul Dannenberg. Владелец: TE Connectivity Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

High current ground fault circuit interrupter

Номер патента: CA2245420C. Автор: Saul Rosenbaum,David Y. Chan. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2008-04-08.

High current low voltage heating method and apparatus for producing a smooth finish surface on injection molded foamed resin products

Номер патента: CA1211262A. Автор: Wen-Jei Yang. Владелец: YANG WEN JEI. Дата публикации: 1986-09-16.

Method for production of high-current diploid beams of electrons

Номер патента: RU2387109C2. Автор: Николай Григорьевич Мордасов,Дмитрий Михайлович Иващенко,Валентин Александрович Каменский,Александр Михайлович Членов. Владелец: Александр Михайлович Членов. Дата публикации: 2010-04-20.

High-current source of multicharge ions based on plasma of electronic-cyclotronic resonant discharge retained in open magnetic trap

Номер патента: RU2480858C2. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга,Владимир Александрович Колданов,Владимир Гурьевич Зорин,Александр Валентинович Водопьянов,Алексей Феликсович Боханов,Дмитрий Анатольевич Мансфельд,Михаил Юрьевич Казаков. Владелец: Учреждение Российской академии наук институт прикладной физики РАН. Дата публикации: 2013-04-27.

Triangulated high-current lead

Номер патента: RU2550338C2. Автор: Анатолий Григорьевич Кузьменко,Юрий Федорович Фролов,Сергей Дмитриевич Саутин,Михаил Алексеевич Поздняков,Михаил Георгиевич Кузьмин. Владелец: Общество с ограниченный ответственностью Научно-производственное предприятие "ИНЖМЕТ". Дата публикации: 2015-05-10.

Low-voltage, high current capacity connector assembly

Номер патента: CA1304464C. Автор: Richard T. Walter,R. Roby Bailey,Martin P. Gierke,Alfred Schiazza Iii. Владелец: Black and Decker Inc. Дата публикации: 1992-06-30.

Circuit breaker comprising high current bushing with forced cooling arrangement

Номер патента: CA1042963A. Автор: Christian Tschannen,Giovanni P. Guaglione. Владелец: ITE Industries Ltd. Дата публикации: 1978-11-21.

High current interruptng fuse with arc quenching means

Номер патента: CA1254252A. Автор: Leendert Vermij. Владелец: LITTLEFUSE-TRACOR BV. Дата публикации: 1989-05-16.

ACTIVE AREA BONDING COMPATIBLE HIGH CURRENT STRUCTURES

Номер патента: US20120261836A1. Автор: . Владелец: INTERSIL AMERICAS INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming a junction-isolation area to isolate active areas

Номер патента: TW200511486A. Автор: Chun-Lien Su,Wen-Pin Lu,Chun-Chi Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-16.

RETROREFLECTIVE ARTICLES INCLUDING OPTICALLY ACTIVE AREAS AND OPTICALLY INACTIVE AREAS

Номер патента: US20130034682A1. Автор: Smith Kenneth L.,Pekurovsky Mikhail L.,Patel Suman K.,Coggio William D.,Free Michael Benton,Mazurek Mieczyslaw H.,Thakkar Bimal V.. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Isolation Area Between Semiconductor Devices Having Additional Active Area

Номер патента: US20130056808A1. Автор: Chen Gang,Tai Hsin-Chih,Mao Duli,Venezia Vincent,Ku Keh-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Method of forming a junction-isolation area to isolate active areas

Номер патента: TWI220292B. Автор: Chun-Lien Su,Wen-Pin Lu,Chun-Chi Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Image sensor package having sealed cavity over active area

Номер патента: TW517397B. Автор: Steven Webster,Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-11.

MOSFET with modulated active area and manufacturing method thereof

Номер патента: TW582116B. Автор: Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-04-01.

LIGHT SOURCE PROJECTING LINES DEFINING ACTIVITY AREA

Номер патента: US20120065006A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Adaptive Adjustment of Active Area for Power Amplifier

Номер патента: US20120071120A1. Автор: Mueller Jan-Erik,Shute Nick,Camuffo Andrea,Pinarello Sandro,Goe Chi-Tao. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD FOR FABRICATING A SUBSTRATE PROVIDED WITH TWO ACTIVE AREAS WITH DIFFERENT SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20120108019A1. Автор: . Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2012-05-03.

PHOTOVOLTAIC MODULE WITH INCREASED ACTIVE AREA

Номер патента: US20120240982A1. Автор: . Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of Fabricating Semiconductor Die with Through-Hole Via on Saw Streets and Through-Hole Via in Active Area of Die

Номер патента: US20120244661A9. Автор: Do Byung Tai,Chua Linda Pei Ee,Kuan Heap Hoe. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of Removing Gate Cap Materials While Protecting Active Area

Номер патента: US20120313187A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

STRUCTURES FOR DIRECTING INCIDENT LIGHT ONTO THE ACTIVE AREAS OF DISPLAY ELEMENTS

Номер патента: US20130127922A1. Автор: Bita Ion,Narayanan Kollengode S.,Poliakov Evgeni. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING A CONTINUOUS ACTIVE AREA AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20130328205A1. Автор: Johnson Frank,Tarabbia Marc,Menut Olivier,Northrop Gregory A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

METHOD AND SYSTEM FOR MODELING CONSUMER ACTIVITY AREAS BASED ON SOCIAL MEDIA AND MOBILE DATA

Номер патента: US20140129334A1. Автор: ZHANG JUN,GU QUIJU. Владелец: Pitney Bowes Inc.. Дата публикации: 2014-05-08.

Active area square resistance test method based on vertical checkout figure

Номер патента: CN106684010B. Автор: 王冲,王颖哲,马晓华,郑雪峰,郝跃,李小炜,侯晓慧,王奥琛. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-06-21.

Method for preventing wafer active area from being scratched

Номер патента: CN102569012A. Автор: 李健,李文明. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Forming method for active area and forming method for STI trench

Номер патента: CN102738058B. Автор: 李丽丽,李健,杨兆宇,朱旋,肖玉洁. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Method for manufacturing active area of broadband spectrum indium arsenide/indium phosphide quantum dot laser

Номер патента: CN104600564A. Автор: 杨涛,罗帅,高凤,季海铭. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2015-05-06.

Method of manufacturing active areas of semiconductor device

Номер патента: TW202230727A. Автор: 劉思妤. Владелец: 力晶積成電子製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-01.

Automatic measured data collecting device for manometer piston active areas

Номер патента: CN201335755Y. Автор: 王勇,张帅,宋勇,马堃,鲁新光,申东滨,刘继义,倪俊国. Владелец: Shandong Institute of Metrology. Дата публикации: 2009-10-28.

Electronic programmable fuse wire vacant active area adding method and electronic programmable fuse wire

Номер патента: CN102760720B. Автор: 俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Edge-emission semiconductor laser for improving light field distribution of active area

Номер патента: CN102593719A. Автор: 张松,计伟,王晓玲,郭伟玲,崔碧峰,陈京湘. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-18.

CARRIER ROCKET (ITS OPTIONS) AND METHOD OF ITS ACCELERATION AT THE ACTIVE AREA OF ITS TRAJECTORY

Номер патента: RU2014126456A. Автор: Александр Тимофеевич Корабельников,Анатолий Тимофеевич Корабельников. Владелец: Анатолий Тимофеевич Корабельников. Дата публикации: 2016-01-27.

METHOD OF PROCESSING THE SURFACE OF PLATES FOR THE FORMATION OF ACTIVE AREAS

Номер патента: RU2009112779A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Азамат Ибрагимович Муртазалиев,Анастасия Игоревна Дроздова,Тагир Абдурашидович Исмаилов (RU),Бийке Алиевна Шангереева (RU),Анастасия Игоревна Дроздова (RU),Азамат Ибрагимович Муртазалиев (RU). Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Универс. Дата публикации: 2010-10-20.

Outer-cavity high-power photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser with three active areas

Номер патента: CN201435526Y. Автор: 刘英明,王宝强,徐晨,王春霞,阚强,解意洋. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-03-31.

Method for measuring heat conduction parameter in thin layer material of active area of semiconductor device

Номер патента: CN102129023B. Автор: 刘静,郭春生,冯士维,乔彦彬,张光沉. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-10-31.

Device for detecting and ranging energy- active areas at earth's surface

Номер патента: RU94010057A. Автор: В.С. Толстой. Владелец: В.С. Толстой. Дата публикации: 1996-07-27.

SURFACE TREATMENT METHOD OF EPITAXIAL SILICON PLATES FOR FORMING ACTIVE AREAS

Номер патента: RU2014103404A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing method of active area of integrated circuit

Номер патента: TW311240B. Автор: Horng-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-07-21.

Fin-shaped active area is prepared the method for high-K metal gate

Номер патента: CN103295889B. Автор: 严钧华,张明华,丁弋,方精训. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Method of forming active area pattern in photolithography process

Номер патента: TW554407B. Автор: Li-Ming Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-21.

Desgin method of active area pattern with shift dummy pattern

Номер патента: TW411557B. Автор: Jiun-Yuan Wu,Jin-Lai Chen,Huo-Tie Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

Method for isolating the active area of a memory cell with partial vertical channel

Номер патента: TW200428567A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

High-current plug connector, socket connector and high-current connector assembly

Номер патента: TWM359096U. Автор: jin-han Xu,Pei-Chang Xu,jian-hong Guo. Владелец: Northstar Systems Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Control circuit for controlling switching on of electromagnetic actuators of high current input being feed from a source of low current capacity

Номер патента: PL253969A2. Автор: Waldemar Buczek. Владелец: Waldemar Buczek. Дата публикации: 1986-04-22.

Apparatus for measuring rms value of distorted current in particular in high-current circuit of resistance welders supplied from mains

Номер патента: PL144325B1. Автор: Tadeusz Szebeszczyk,Kazimierz Czylok,Tadeusz Zaremba. Владелец: Inst Spawalnictwa. Дата публикации: 1988-05-31.

Device and method for identifying short-circuit current of medium-voltage high-current direct current circuit breaker

Номер патента: CN102590587A. Автор: 杨飞,孙昊,荣命哲,纽春萍,杨芸,吴翊. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2012-07-18.

High-current high-precision direct-current current transformer

Номер патента: CN202940118U. Автор: 黄晓明,曹磊,余义宙,李长宣. Владелец: ZHENGZHOU SMS ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2013-05-15.

A Wireless Multi-controller High Current Input/Output (WMHCIO) in accordance with this invention comprises a printed circuit board fitted with electrical components located in a non-conductive housing with input and output terminals for connection to high current devices as well as preserving the utility of using LED lights in a mixed combination of LED lights and high current electrical devices.

Номер патента: AU2018903036A0. Автор: Bruce Loxton. Владелец: Hou Changyi Ms. Дата публикации: 2018-08-30.

COPPER BONDING COMPATIBLE BOND PAD STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20120064711A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Method for Rapid Switching between a High Current Mode and a Low Current Mode in a Charged Particle Beam System

Номер патента: US20120217152A1. Автор: Miller Tom. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-08-30.

HIGH-CURRENT BATTERY SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING A HIGH-CURRENT BATTERY SYSTEM

Номер патента: US20120313560A1. Автор: Hambitzer Guenther,Heitbaum Joachim,Borck Markus,Ripp Christiane. Владелец: fortu Intellectual Property AG. Дата публикации: 2012-12-13.

HIGH CURRENT CONTACT AND CORRESPONDING METHOD FOR PRODUCING A HIGH CURRENT CONTACT ASSEMBLY

Номер патента: US20130035005A1. Автор: Hau Wolfgang,Silberbauer Achim,Dillmann Adolf,Huehner Stefan. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH CURRENT RANGE MAGNETORESISTIVE-BASED CURRENT SENSOR

Номер патента: US20130099779A1. Автор: Holman,JR. Perry A.. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Device for measuring high current superconductor critical currents

Номер патента: SU915016A1. Автор: Aleksej N Erokhin,Leonid S Shirshov,Enderlejn Gerald. Владелец: Inst Fiziki Vysokikh Energ. Дата публикации: 1982-03-23.

A kind of analogue test platform for direct current grounding pole filling coke high current aging characteristics research

Номер патента: CN208621487U. Автор: 陈伟,刘青松,邹志龙,项鹏飞,李少东,鲁海亮. Владелец: Maintenance and Test Center of Extra High Voltage Power Transmission Co. Дата публикации: 2019-03-19.

METHOD FOR DIRECT, without converter, ARC DISCHARGE CURRENT SOURCE spark gap with a breakdown voltage and the glow discharge, greatly exceeds VOLTAGE IS ISTOCHIKA AND POSSIBILITY FOR PRODUCING HIGH EFFICIENCY AND HIGH CURRENT DISCHARGE CAPACITY AND HIGH VOLUME PLASMA WITH HIGH CONDUCTIVITY

Номер патента: RU2008134964A. Автор: Евгений Александрович Пресс,Евгений Александрович Пресс (RU). Владелец: Евгений Александрович Пресс (RU). Дата публикации: 2010-03-10.

Device for measuring and stabilizing high current direct current

Номер патента: SU130560A1. Автор: Б.Д. Омельченко. Владелец: Б.Д. Омельченко. Дата публикации: 1959-11-30.

Device for measuring high current direct current

Номер патента: SU30357A1. Автор: К.Б. Карандеев. Владелец: К.Б. Карандеев. Дата публикации: 1933-05-31.

Method for measuring high current direct current

Номер патента: SU31510A1. Автор: Н.Н. Разумовский,М.Л. Цуккерман. Владелец: М.Л. Цуккерман. Дата публикации: 1933-08-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.