Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Tritium direct conversion semiconductor device having increased active area

Tritium direct conversion semiconductor device having increased active area

Номер патента: US9711250B2
Опубликовано: 18-07-2017
Автор(ы): Peter Cabauy
Принадлежит: City Labs Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Exposing method and semiconductor device fabricated by the exposing method

Номер патента: US6760400B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Toyoki Kitayama,Kouji Kise. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US11843055B2. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US20240113223A1. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING TRANSISTORS HAVING INCREASED THRESHOLD VOLTAGE AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

Номер патента: US20200111918A1. Автор: Liu Haitao,Prall Kirk D.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Karda Kamal M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Time of flight positron emission tomography with direct conversion semiconductor crystal detectors

Номер патента: WO2020193283A1. Автор: Ira Micah Blevis. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2020-10-01.

Standard cell layout, semiconductor device having engineering change order (ECO) cells and method

Номер патента: US09831230B2. Автор: Chun-Fu Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Ya-Chi CHOU,Hsiang Jen TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Monolithically integrated crystalline direct-conversion semiconductor detector for detecting incident x-radiation at ultra-fine pitch and method for manufacturing such an x-ray semiconductor detector

Номер патента: WO2009072056A3. Автор: Nicolaas J. A. Van Veen,Johannes W. M. Jacobs. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Electronic devices having vertical image transport layers

Номер патента: US12101426B1. Автор: Hao Dong,Michael J. Brown,Yi Qiao,Jean-Pierre S. Guillou,Ying-Chih Wang,Warren S. Rieutort-Louis,Tyler R. Kakuda,Paul C. KELLEY,Shaorui Yang,Ian T. Clark. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device for selectively performing isolation function and layout displacement method thereof

Номер патента: US20200005860A1. Автор: Hoon Kim,Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Jae-Seung Choi,Daeyoung MOON,Sang-Yeop BAECK,Taejoong Song,Inhak LEE,Jisu YU,Hyunsu Choi,Jung-Myung KANG,Sun-Yung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Electronic Devices Having Ambient Light Sensors With Light Collimators

Номер патента: US20190096364A1. Автор: Tingjun XU,Xianwei Zhao,Sunggu Kang,Xingxing CAI,Avery P. Yuen,Ove Lyngnes,Christopher M. Dodson,Tianbo SUN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Organic light emitting display module and organic light emitting display device having the same

Номер патента: US12089471B2. Автор: Yong-Hwan Park,Miyoung Kim,Jongseok Kim,Chiwook AN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Flexible display device having protrusion pattern in data pads

Номер патента: US20240077978A1. Автор: Sangho Kim,Kiyoung Sung,Eunjin OH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Flexible display device having protrusion pattern in data pads

Номер патента: US12130991B2. Автор: Sangho Kim,Kiyoung Sung,Eunjin OH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having fuse component

Номер патента: US20240014128A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105257A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Display panel including static electricity preventing pattern and display device having the same

Номер патента: US09741747B2. Автор: HwaDong Han,Soonjae Hwang,Duhwan Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device

Номер патента: US09450019B2. Автор: Christoph Kadow,Marc Strasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343698A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Display device having light emitting portion and light receiving portion

Номер патента: US12058915B2. Автор: HoYoung Jeong,Shin-Bok Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Transistor unit including shared gate structure, and sub-word line driver and semiconductor device based on the same transistor unit

Номер патента: US20220157960A1. Автор: Hyeonok JUNG,Inseok Baek,Beomyong Hwang,Byunghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Display device having buffer transistor with control electrode in non-active area

Номер патента: US11683962B2. Автор: Youngjin Cho,Yangwan Kim,Jisu NA,Joong-Soo Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Standard cell layout, semiconductor device having engineering change order (eco) cells and method

Номер патента: US20190114382A1. Автор: Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Ting-Wei Chiang,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Pad structure and display device having the same

Номер патента: US09559128B2. Автор: Geunyoung Kim,Duhwan Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Panel device having electrostatic discharge protection

Номер патента: US09449961B2. Автор: Yi-Ling Lin,Wen-Chi Chuang,Hsiao-Ying Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Electron-beam (e-beam) based semiconductor device features

Номер патента: WO2016133837A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-25.

Flexible semiconductor device and identification label

Номер патента: US20100328028A1. Автор: Ronald Dekker,Antoon Marie Henrie Tombeur,Pieter Werner Hooijmans,Theodorus Martinus Michielsen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices including application processor connected to high-bandwidth memory and low-bandwidth memory, and channel interleaving method thereof

Номер патента: US09606916B2. Автор: Sung Hyun Lee,Jun Hee Yoo,Il Park,Dongsoo Kang,Kiyeon Lee,Euicheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Electron-beam (E-beam) based semiconductor device features

Номер патента: US09502283B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having features to prevent reverse engineering

Номер патента: US09437555B2. Автор: William Eli Thacker, III. Владелец: Verisiti Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Organic light emitting display module and organic light emitting display device having the same

Номер патента: US10418425B2. Автор: Yong-Hwan Park,Miyoung Kim,Jongseok Kim,Chiwook AN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Organic light emitting display module and organic light emitting display device having the same

Номер патента: US20230337504A1. Автор: Yong-Hwan Park,Miyoung Kim,Jongseok Kim,Chiwook AN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device chip selection

Номер патента: US09911480B2. Автор: Hideyuki Yoko. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-03-06.

Layout design system for generating layout design of semiconductor device

Номер патента: US09659130B2. Автор: Jin-Tae Kim,Jae-Woo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Layout design system providing extended active area in filler design and semiconductor device fabricated using the system

Номер патента: US09514260B2. Автор: Jin-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Pad structure and display device having the same

Номер патента: US09504153B2. Автор: Ilgi Jeong,Soonjae Hwang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Standard cell layout, semiconductor device having engineering change order (eco) cells and method

Номер патента: US20180150586A1. Автор: Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Ting-Wei Chiang,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Flexible display device having protrusion pattern in data pads

Номер патента: US20220179512A1. Автор: Sangho Kim,Kiyoung Sung,Eunjin OH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Flexible display device having protrusion pattern in data pads

Номер патента: US11842016B2. Автор: Sangho Kim,Kiyoung Sung,Eunjin OH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area

Номер патента: US6477076B2. Автор: Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor devices having mirrored terminal arrangements, devices including same, and methods of testing such semiconductor devices

Номер патента: US20020044476A1. Автор: Steven Hamren,James Nuxoll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Wiring material and a semiconductor device having a wiring using the material, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20070222075A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12111214B2. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including air spacer

Номер патента: US09972527B2. Автор: Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Yong-Kwan Kim,Se-Myeong Jang,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Companion integrated circuit having decoupling capacitor and mobile device having the same

Номер патента: US09648747B2. Автор: Jeong-Sik Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Enhancing inertial tactile feedback in computer interface devices having increased mass

Номер патента: US6686901B2. Автор: Louis B. Rosenberg. Владелец: Immersion Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Touch sensor and display device having the same

Номер патента: EP3547093A1. Автор: Jong Hwa Kim,Il Joo Kim,Deok Joong Kim,Kyung Su Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-02.

Semiconductor device for selectively performing isolation function and layout displacement method thereof

Номер патента: US11854610B2. Автор: Hoon Kim,Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Jae-Seung Choi,Daeyoung MOON,Sang-Yeop BAECK,Taejoong Song,Inhak LEE,Jisu YU,Hyunsu Choi,Jung-Myung KANG,Sun-Yung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Display panel having retaining wall and display device having the same

Номер патента: US10845652B2. Автор: Chuan Wu. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing semiconductor device having staggered gate-stub-size profile and system for same

Номер патента: US20230387102A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Layout of semiconductor device for selectively operating as insulating circuit or driving circuit

Номер патента: US10453521B2. Автор: Hoon Kim,Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Jae-Seung Choi,Daeyoung MOON,Sang-Yeop BAECK,Taejoong Song,Inhak LEE,Jisu YU,Hyunsu Choi,Jung-Myung KANG,Sun-Yung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device for selectively performing isolation function and layout displacement method thereof

Номер патента: US20230186982A1. Автор: Hoon Kim,Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Jae-Seung Choi,Daeyoung MOON,Sang-Yeop BAECK,Taejoong Song,Inhak LEE,Jisu YU,Hyunsu Choi,Jung-Myung KANG,Sun-Yung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010021341A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010022031A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor device having wires that vary in wiring pitch

Номер патента: US7402904B2. Автор: Toshifumi Minami,Satoshi Oonuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Device having hybrid cell regions and method of manufacturing same

Номер патента: US20240274592A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Kuang-Ching CHANG,Jia-Hong Gao,Han-Chung Chang,Po-Chih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Techniques for testing semiconductor devices

Номер патента: US12079097B2. Автор: Ashish Kumar,Rahul Garg,Shantanu SARANGI,Animesh Khare. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09917116B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Multi channel semiconductor device having multi dies and operation method thereof

Номер патента: US09899075B2. Автор: Won Young Lee,Joon-Young Park,Junghwan Choi,Yongcheol Bae,Yoon-Joo EOM,Seongjin Jang,Joosun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same

Номер патента: US09881582B2. Автор: Hajime Kimura,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09835499B2. Автор: Masataka Minami,Takahiro Miki,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09659977B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same

Номер патента: US09640135B2. Автор: Hajime Kimura,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09461181B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09461067B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Display device having multiple transistors

Номер патента: US11871618B2. Автор: Kyoung-Nam Lim,Dong-Young Kim,Yu-Ho Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US20220149199A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US11430887B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US20240154033A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20220223782A1. Автор: Toshihiko Itoga,Takuo Kaitoh. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US11901448B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20210367082A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227569A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194795A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices and method of testing same

Номер патента: WO2007032456A1. Автор: Toru Kaga,Kenji Terao,Yoshihiko Naito,Nobuharu Noji,Ryo Tajima,Masatoshi Tsuneoka. Владелец: EBARA CORPORATION. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024881A1. Автор: Naohisa Nishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388708A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US8638593B2. Автор: Masatoshi Hasegawa,Daisuke Sasaki,Masahiko Nishiyama,Takumi Takagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US12096615B2. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240309127A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US20160358667A1. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12088265B2. Автор: Yohei YASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Input sensing panel, display device having the same, and method of manufacturing the display device

Номер патента: US12112006B2. Автор: Woongsik Kim,Jin-Su Byun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09984767B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having dummy active fin patterns

Номер патента: US09929156B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09865604B2. Автор: Ken Shibata,Yuta Yanagitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having floating body type transistor

Номер патента: US09543953B2. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-10.

Logic configuration method for reconfigurable semiconductor device

Номер патента: US09514259B2. Автор: Masayuki Sato,Isao Shimizu. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having transistor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US09484081B2. Автор: Young-Hoon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09478554B2. Автор: Ken Shibata,Yuta Yanagitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having fuse pattern

Номер патента: US09449918B2. Автор: Eun-Chul Ahn,Sang-Young Kim,Min-Ho Lee,Moon-Gi Cho,Joo-weon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09449715B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Touch screen panel and display device having the same

Номер патента: US09448671B2. Автор: Kyu-Young Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Touch display device having routing lines having same resistance value and display signal lines

Номер патента: US11675453B2. Автор: Jae-Hyung Jang,Jae-won Lee,Min-Joo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Device for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US11898916B2. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Display device having first and second gates disposed on a first side of an active area and a pattern disposed on a second side of the active area

Номер патента: US11963412B2. Автор: Sunghoon Kim,Suyeon YUN,Anna Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section

Номер патента: US11798847B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices with integrated test areas

Номер патента: US20240321647A1. Автор: Qi Zhou,Neal Oldham,Rahul R. Potera,In-Hwan Ji,Casey Burkhart. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Measurement of lateral diffusion of implanted ions in doped well region of semiconductor devices

Номер патента: US20140011304A1. Автор: YIN Long,Kai Wang,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor Device Including Protection Structure and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20200258775A1. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2606246C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110147833A1. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Non-planar semiconductor device with III-V race's material active area with more dielectric gate stacked bodies

Номер патента: CN104584226B. Автор: R·皮拉里塞泰,G·杜威,B·舒-金,M·拉多萨夫列维奇,N·慕克吉. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US12027449B2. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US20220139809A1. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: EP3968386A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor

Номер патента: US09397236B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device having insulating pattern and method of forming the same

Номер патента: US09793399B2. Автор: Moon-han Park,Pan-Kwi Park,Koung-Min RYU,Hyung-Suk Jung,Jong-hoon Baek,Su-Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

High voltage semiconductor device having a deep trench insulation and manufacturing process

Номер патента: EP4379785A1. Автор: Nunzia Malagnino,Emanuele LAGO,Damiano Riccardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-05.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Semiconductor devices having gate resistors with low variation in resistance values

Номер патента: EP4302335A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Bioactive chemicals with increased activity and methods for making same

Номер патента: US20060216319A1. Автор: Robin Taylor,Andrew Chapple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device having contact plugs and method of forming the same

Номер патента: US09748243B2. Автор: Sungmin Kim,Changseop YOON,Chiwon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Field-effect semiconductor device having pillar regions of different conductivity type arranged in an active area

Номер патента: US09947741B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-effect semiconductor device having alternating n-type and p-type pillar regions arranged in an active area

Номер патента: US09570607B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility

Номер патента: US09396946B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar,Jason Gurganus,Daniel Jenner Lichtenwalner,Erik Maki. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US20050104229A1. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with trench termination structure

Номер патента: US09882043B2. Автор: Young Jae Kim,Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device layout, memory device layout, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09806070B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US7129591B2. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device having enlarged cell contact area and method of fabricating the same

Номер патента: US09859284B2. Автор: Kuo-Chen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with floating field plates

Номер патента: US09818862B2. Автор: Christopher P. Dragon,Zihao M. Gao,David C. Burdeaux,Hernan A. Rueda,Wayne Robert Burger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices with inner via

Номер патента: US09779988B2. Автор: Darrell G. Hill,Marcel N. Tutt. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Termination structure of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490134B2. Автор: Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for fabricating the same

Номер патента: US09443970B2. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET semiconductor device having increased gate height control

Номер патента: US09379135B2. Автор: Shom Ponoth,Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor

Номер патента: US8586422B2. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund R Camacho,Henry D Bathan,Amel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-11-19.

Semiconductor Device Having Switchable Regions with Different Transconductances

Номер патента: US20160190125A1. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device having gate electrode with multi-layers and electronic system including the same

Номер патента: US11937431B2. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: US20220085047A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of forming a groove-like area in a semiconductor device

Номер патента: US20020076898A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20210074807A1. Автор: Yun Bai,Xinyu Liu,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengxu Dong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device including protection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3693993A8. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105562A1. Автор: Toshihiro TSUJIMURA,Taira Tabakoya. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Microorganism having increased activity of 3-methyl-2-oxobutanoate hydroxymethyltransferase, and use thereof

Номер патента: EP4424834A2. Автор: Kwang Woo Lee,Jihyun Shim,Yee-Seul SO,Kwang Soo Shin,Yeon-Jae JANG. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-09-04.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09613966B2. Автор: Dae-Ik Kim,Hyoung-Sub Kim,Sung-eui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Genetically modified plants which synthesize a starch having increased swelling power

Номер патента: CA2659535C. Автор: Claus Frohberg. Владелец: Bayer Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2018-02-06.

Dna polymerase with increased gene mutation specificity and pcr buffer composition for increasing activity thereof

Номер патента: CA3069580C. Автор: Byung Chul Lee,Il Hyun Park,Huy Ho Lee. Владелец: Genecast Co ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device with improved junction termination extension region

Номер патента: US20220102486A1. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device with improved junction termination extension region

Номер патента: US11901407B2. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device having fuse component

Номер патента: US20240014127A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Bioactive chemicals with increased activity and methods for making same

Номер патента: WO2006094122A3. Автор: Andrew C Chapple,Robin A J Taylor. Владелец: SPRAY REDUX LLC. Дата публикации: 2006-11-09.

Bioactive chemicals with increased activity and methods for making same

Номер патента: EP1858322A2. Автор: Andrew C. Chapple,Robin A. J. Taylor. Владелец: SPRAY REDUX LLC. Дата публикации: 2007-11-28.

Semiconductor device including standard cell

Номер патента: US20210210479A1. Автор: Ha-young Kim,Byounggon Kang,Subin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including standard cell

Номер патента: US11355489B2. Автор: Ha-young Kim,Byounggon Kang,Subin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device, layout of semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991158B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Tsung-Chieh Tsai,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating semiconductor memory device having enlarged cell contact area

Номер патента: US09859285B2. Автор: Kuo-Chen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device layout, semiconductor device, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US09761572B2. Автор: Huai-Ying Huang,Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735157B1. Автор: Kang-ill Seo,Kwan-Young Chun,Yoon-Moon Park,Wouns Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US09728535B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Conductor structure for three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09698080B2. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device including buried-gate MOS transistor with appropriate stress applied thereto

Номер патента: US09515183B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical Semiconductor Device having Semiconductor Mesas with Side Walls and a PN-Junction Extending between the Side Walls

Номер патента: US20160035845A1. Автор: Peter Brandl,Matthias Herman Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Plants having increased yield and method for making the same

Номер патента: CA2594541A1. Автор: Christophe Reuzeau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US10886407B2. Автор: Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200402980A1. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Gi-gwan PARK,Dong-Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of manufacturing semiconductor device and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US7220649B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method involving multilayer contact etch stop

Номер патента: US8877651B2. Автор: XINPENG WANG,Yi Huang,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343787A1. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Gi-gwan PARK,Dong-Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including a buried cell array transistor (bcat) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251547A1. Автор: Jungwoo Song,Byeongjun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11742256B2. Автор: Tomomi Okumura,Masanori OOSHIMA,Takahiro Hirano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250117A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-25.

Bicycle driving device having increased torque

Номер патента: US20210094653A1. Автор: Kyung Taek KANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6965155B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-15.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Bicycle driving device having increased torque

Номер патента: CA3087357A1. Автор: Kyung Taek KANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-29.

Bicycle driving device having increased torque

Номер патента: CA3087357C. Автор: Kyung Taek KANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-26.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20180061937A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11825657B2. Автор: Chia-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with rear-side insert structure

Номер патента: US09997359B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Display device having crack prevention portion

Номер патента: US09991465B2. Автор: Hee Chul JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Layout of semiconductor device

Номер патента: US09899365B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure

Номер патента: US09831330B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Bipolar semiconductor device having a charge-balanced inter-trench structure

Номер патента: US09768284B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor arrangement having first semiconductor device over first shallow well having first conductivity type and second semiconductor device over second shallow well having second conductivity type and formation thereof

Номер патента: US09401361B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor devices and methods for increased capacitance

Номер патента: US20230411537A1. Автор: Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang,Cheng-You Tai,Tsung Jing Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices and methods for increased capacitance

Номер патента: US20230299213A1. Автор: Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang,Cheng-You Tai,Tsung Jing Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for making a semiconductor device having increased carrier mobility

Номер патента: US20040251480A1. Автор: Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20010013601A1. Автор: Takanori Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Golf club head or other ball striking device having adjustable stiffened face portion

Номер патента: EP2349504A2. Автор: John Thomas Stites. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Golf club head or other ball striking device having adjustable stiffend face portion

Номер патента: WO2010059382A2. Автор: John Thomas Stites. Владелец: Nike International, Ltd.. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6613645B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US20040102018A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor device with improved control of surface charges in termination

Номер патента: EP4404268A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-24.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having recess and planarized layers

Номер патента: US20060115987A1. Автор: Trung Doan,Tyler Lowrey. Владелец: Lowrey Tyler A. Дата публикации: 2006-06-01.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Semiconductor device having polysilicon electrode minimization resulting in a small resistance value

Номер патента: US5726479A. Автор: Toshiki Yabu,Minoru Fujii,Michikazu Matsumoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-10.

Pcr buffer composition for increasing activity of dna polymerase with increased gene mutation specificity

Номер патента: US20240076633A1. Автор: Byung Chul Lee,Il Hyun Park,Huy Ho Lee. Владелец: Genecast Co ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device having insulating pattern and method of forming the same

Номер патента: US20160020324A1. Автор: Moon-han Park,Pan-Kwi Park,Koung-Min RYU,Hyung-Suk Jung,Jong-hoon Baek,Su-Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100163980A1. Автор: Hyun-Tae Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20230247822A1. Автор: Sohyun Park,Junhyeok Ahn,Hyosub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11145733B1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Po-Wen Su,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor wafer with devices having different top layer thicknesses

Номер патента: US20220285403A1. Автор: Wang Po-Jen,Hsin-Chi Chen,Kuan-Liang Liu,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020001927A1. Автор: Yasuaki Kawai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070259507A1. Автор: Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Golf club heads or other ball striking devices having distributed impact response

Номер патента: US09914025B2. Автор: Martin Brouillette,Chris Scott Daniels,Eric A. Larson,Kenneth W. Brown,Robert M. Boyd. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Golf club heads or other ball striking devices having distributed impact response

Номер патента: US09908012B2. Автор: Martin Brouillette,Chris Scott Daniels,Eric A. Larson,Kenneth W. Brown,Robert M. Boyd. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Golf club heads or other ball striking devices having distributed impact response

Номер патента: US09908011B2. Автор: Martin Brouillette,Chris Scott Daniels,Eric A. Larson,Kenneth W. Brown,Robert M. Boyd. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

VDMOS having a non-depletable extension zone formed between an active area and side surface of semiconductor body

Номер патента: US09773863B2. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Wolfgang Jantscher,Waqas Mumtaz Syed,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having through-substrate vias

Номер патента: US09646930B2. Автор: Eric Beyne,Bart Swinnen,Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Yann Civale. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, semiconductor device layout, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613953B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09613884B2. Автор: Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Eun Soo Nam,Hyung Seok Lee,Jeho NA,Dong Yun Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-04.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09508812B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Stephan Voss,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device with a continuous silicate glass structure

Номер патента: US09384960B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Markus Zundel,Alexander Susiti,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device having insulating film with increased tensile stress and manufacturing method thereof

Номер патента: US8492847B2. Автор: Tatsunori Murata,Yuki KOIDE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor devices having gate resistors with low variation in resistance values

Номер патента: US20230268407A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having plug and metal line

Номер патента: US11038014B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Micro-bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package having same, multi-stacked semiconductor device having same, and display having same

Номер патента: WO2023018043A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor Device

Номер патента: US20030038330A1. Автор: Ayumi Obara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Tunnel Dielectric Comprising Nitrogen For Use With A Semiconductor Device And A Process For Forming The Device

Номер патента: US20100099235A1. Автор: Akira Goda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device having buried gate and method of fabricating the same

Номер патента: US09691769B2. Автор: Jungwoo Song,Sang-Jun Lee,Yongjun Kim,Keeshik PARK,Donggyun Han,Jaerok KAHNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with nanowires in different regions at different heights

Номер патента: US09583583B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and structure for forming gate contact above active area with trench silicide

Номер патента: US09508825B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and structure for forming gate contact above active area with trench silicide

Номер патента: US09508818B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US09493119B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices

Номер патента: US09461045B1. Автор: Shintaro Asano,Yusuke Sakito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09431382B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09349719B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Han-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device having an edge termination region comprising a first edge termination region of a second conductivity type adjacent to a second edge termination region of a first conductivity type

Номер патента: US11094779B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Thomas Auer,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200111750A1. Автор: Stefan Beyer,Marius Aurel Bodea,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device having recesses forming areas

Номер патента: US11984532B2. Автор: Youn Joon Sung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Microorganism having increased activity of 3-methyl-2-oxobutanoate hydroxymethyltransferase, and use thereof

Номер патента: US20240167065A1. Автор: Kwang Woo Lee,Jihyun Shim,Yee-Seul SO,Kwang Soo Shin,Yeon-Jae JANG. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor devices having hollow filler materials

Номер патента: US20230089928A1. Автор: Dingying Xu,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Hongxia Feng,Yiqun Bai,Ziyin LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Method for manufacturing semiconductor device with through silicon via structure

Номер патента: US20200105647A1. Автор: Chi REN,Ju-Bao ZHANG,Zhao-Bing LI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device with through silicon via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10546801B2. Автор: Chi REN,Ju-Bao ZHANG,Zhao-Bing LI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Device having dual etch stop liner and protective layer

Номер патента: US7446395B2. Автор: Ying Li,Dureseti Chidambarrao,Rajeev Malik,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device with through silicon via structure

Номер патента: US11081427B2. Автор: Chi REN,Ju-Bao ZHANG,Zhao-Bing LI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Top finger having a groove and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098945A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-03-02.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20050142736A1. Автор: Hyun Shin. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130221434A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20030141531A1. Автор: Kazuhiro Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Lateral high voltage semiconductor device having a sense terminal and method for sensing a drain voltage of the same

Номер патента: US20030107086A1. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having a protective material with a first pH formed around cooper wire bonds and aluminum pads for neutralizes a second pH of an outer encapsulant material

Номер патента: US10037965B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US09865613B2. Автор: Jong-Min Lee,Ho-Jun SEONG,Jae-ho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Lateral diffused semiconductor device with ring field plate

Номер патента: US09859399B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hsien Song,Sue-Yi Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having contact plugs

Номер патента: US09859387B2. Автор: Yang Xu,Kang Hun MOON,Bon Young Koo,Chul Sung Kim,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Packaged semiconductor device having stacked attached chips overhanging the assembly pad

Номер патента: US09768098B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Wafer-level chip-scale package device having bump assemblies configured to furnish shock absorber functionality

Номер патента: US09721912B2. Автор: Viren Khandekar,Karthik Thambidurai,Vivek S. Sridharan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices having channel regions with non-uniform edge

Номер патента: US09716144B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices having silicide and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09704865B2. Автор: Junggun YOU,Wei-Hua Hsu,Hyungjong LEE,Choongho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Addition-curable silicone composition and a semiconductor device

Номер патента: US09587075B2. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Takayuki Kusunoki,Yuusuke TAKAMIZAWA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having inductor

Номер патента: US09583555B2. Автор: Sheng-Yuan Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Packaged semiconductor devices having ribbon wires

Номер патента: US09570325B2. Автор: Peng Liu,Qingchun He,Liqiang Xu,Hanmin Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices having metal bumps with flange

Номер патента: US09564410B2. Автор: James Raymond Maliclic Baello,Floro Lopez Camenforte, III,Armando Tresvalles Clarina, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559193B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09559174B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09508847B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having stressor and method of fabricating the same

Номер патента: US09466721B1. Автор: Yang Xu,Sunyoung Lee,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Jaeyoung Park,Byeongchan Lee,Choeun LEE,Hanki Lee,Sujin JUNG,Hyunjae KANG,Kwanheum Lee,Kanghun Moon,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09406760B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09287373B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-15.

X-ray tube having increased cooling capabilities

Номер патента: US6249569B1. Автор: Charles B. Kendall,Michael J. Price,Mark O. Derakhshan,Wayne F. Block. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US9627492B2. Автор: Minhwan Kim,Suyeon Cho,Jaehyun Jung,Kyuok LEE,Jungkyung KIM,Jaejune Jang,Changki Jeon,Seonghoon KO,Kyu-heon CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and operation thereof

Номер патента: US20180261599A1. Автор: Yan Lin SUN,Shou Zhu GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and operation thereof

Номер патента: US10192868B2. Автор: Yan Lin SUN,Shou Zhu GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Power mosfet device having improved safe-operating area and on resistance, manufacturing process thereof and operating method thereof

Номер патента: US20230420557A1. Автор: Angelo Magri',Stefania Fortuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device comprising a diode and a method for producing such a device

Номер патента: US20140124894A1. Автор: Geert Hellings,Mirko Scholz,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-05-08.

High voltage semiconductor device having a deep trench insulation and manufacturing process

Номер патента: US20240178054A1. Автор: Nunzia Malagnino,Emanuele LAGO,Damiano Riccardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194782A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Yicheng DU. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9397160B2. Автор: Hirokazu Kato,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi,Keisuke Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US20150162198A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor Devices Having Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switches and Integrated Passive Devices

Номер патента: US20200058851A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device having a contact

Номер патента: US20190252496A1. Автор: Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US20230317804A1. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings

Номер патента: US20230187330A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing said device

Номер патента: US3676755A. Автор: Rene Glaise. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20110108853A1. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Compound semiconductor device

Номер патента: US8581296B2. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220320071A1. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Logic array devices having complex macro-cell architecture and methods facilitating use of same

Номер патента: WO2004001803A3. Автор: William D Cox. Владелец: ViASIC Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Microfluid ejection device having efficient logic and driver circuitry

Номер патента: EP1694508A2. Автор: George Keith Parish,John Glenn Edelen,Kristi Maggard Rowe. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2006-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140021489A1. Автор: Kenji Hamada,Tsuyoshi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US12068379B2. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device having enhanced photo sensitivity and method for manufacture thereof

Номер патента: US8124495B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US11715734B2. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: US20240297043A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: EP4425562A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Device having complex oxide nanodots

Номер патента: US20110062511A1. Автор: John Smythe,Gurtej Sandhu,Bhaskar Srinivasan,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device having controlled final metal critical dimension

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Nam Sung Kim,Baofu ZHU,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor devices having enhanced key patterns therein and methods of fabricating same

Номер патента: US20240313049A1. Автор: Byounghoon Kim,Myoungki JUNG,Hyunwoong KIM,Sungsik Park,Jonghwa Baek,Hyunju Song,KyungMin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor device having self-aligned air spacers

Номер патента: US20240363727A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having gate in trenches

Номер патента: US09978861B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor power device having shielded gate structure and ESD clamp diode manufactured with less mask process

Номер патента: US09953969B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09947667B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Super junction semiconductor device for RF applications, linear region operation and related manufacturing process

Номер патента: US09899508B1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Maria Ponzio,Alessandro Angelo Alfio Palazzo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having a fuse element

Номер патента: US09818691B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having buried region and method of fabricating same

Номер патента: US09761656B2. Автор: Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09748248B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having staggered air gaps

Номер патента: US09748170B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having a guard ring

Номер патента: US09659879B1. Автор: Vincent Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09634011B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device having a transparent window for passing radiation

Номер патента: US09620656B2. Автор: Jian Chen,Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of making a semiconductor device having a functional capping

Номер патента: US09620390B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Edvard Kalvesten,Tomas Bauer. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having improved heat-dissipation characteristics

Номер патента: US09613881B2. Автор: Yong Woon Lee,Sang Wook Ahn,Heui Gyun Ahn,Huy Chan JUNG,Sung Chun Jun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having reduced drain-to-source capacitance

Номер патента: US09608079B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Packaging device having plural microstructures disposed proximate to die mounting region

Номер патента: US09607959B2. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-feng Chen,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device employing trenches for active gate and isolation

Номер патента: US09595517B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-14.

FinFET devices having silicon germanium channel fin structures with uniform thickness

Номер патента: US09583572B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Ge and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09570614B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers

Номер патента: US09570377B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having buried layer

Номер патента: US09553142B2. Автор: Yu-Jui Chang,Cheng-Chi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09543410B2. Автор: Wu Meng-Chuan,Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09530883B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US09530842B2. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having capacitor integrated therein

Номер патента: US09520462B1. Автор: Joseph P. Ellul,Khanh Tran,Kiyoko Ikeuchi,Anuranjan Srivastava,Scott W. Barry. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502531B2. Автор: Jungdal CHOI,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09490200B2. Автор: Masaru Ishii,Katsuhiko Yoshihara,Kouichi Kitaguro. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having a lower diode region arranged below a trench

Номер патента: US09478655B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09466734B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Through silicon via device having low stress, thin film gaps and methods for forming the same

Номер патента: US09455188B2. Автор: Huang Liu,Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having polysilicon plugs with silicide crystallites

Номер патента: US09450062B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US09443967B1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having contact structures

Номер патента: US09431324B2. Автор: Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US09431251B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and channel structure thereof

Номер патента: US09425324B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09397088B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Koichi Shimazaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for direct conversion of lower c1-c4 paraffins to oxygenates

Номер патента: RU2485088C1. Автор: Евгений Александрович Паукштис,Антон Сергеевич Шалыгин,Евгений Викторович Ковалев,Алексей Петрович Сукнёв,Баир Садыпович Бальжинимаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of fabricating a semiconductor memory device having a tree-type capacitor

Номер патента: US6080632A. Автор: Fang-Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Metalloprotease having increased activity

Номер патента: US5843753A. Автор: Sven Branner,Claus Fuglsang,Mark Madden,Jeffrey R. Shuster,Donna L. Moyer. Владелец: Novo Nordisk Biotech Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Controlling device having an energy harvesting feature

Номер патента: US11830957B1. Автор: Ara Gharapetian,Rex Xu. Владелец: Universal Electronics Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of manufacturing memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11895820B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device Including Transistor Device

Номер патента: US20180114788A1. Автор: Peter Brandl,Markus Zundel,Dirk Ahlers,Thomas Ostermann,Kurt Matoy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor Device Including an Integrated Resistor

Номер патента: US20200152621A1. Автор: Peter Brandl,Markus Zundel,Dirk Ahlers,Thomas Ostermann,Kurt Matoy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor Device Including an Integrated Resistor

Номер патента: US20190157259A1. Автор: Peter Brandl,Markus Zundel,Dirk Ahlers,Thomas Ostermann,Kurt Matoy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20170287811A1. Автор: Yi Pei,Mengjie ZHOU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor devices with inner via

Номер патента: US20150179566A1. Автор: Darrell G. Hill,Marcel N. Tutt. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of manufacturing memory device having word lines with reduced leakage

Номер патента: US11832432B2. Автор: Chuan-Lin HSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7514320B2. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Elementary cell for a trench-gate semiconductor device, trench-gate semiconductor device and method for producing such elementary cell

Номер патента: WO2023193875A1. Автор: Gilberto Curatola,Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307507A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11887977B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230137846A1. Автор: Sohyun Park,Junhyeok Ahn,Hyosub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device with trench termination structure

Номер патента: US20150263084A1. Автор: Young Jae Kim,Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Mos gate power semiconductor device

Номер патента: US20110062490A1. Автор: Soo-Seong Kim,Chong-Man Yun,Kwang-Hoon Oh,Byoung-ho Choo. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Controlling device having an energy harvesting feature

Номер патента: WO2023220616A1. Автор: Ara Gharapetian,Rex Xu. Владелец: UNIVERSAL ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Controlling device having an energy harvesting feature

Номер патента: US20230369524A1. Автор: Ara Gharapetian,Rex Xu. Владелец: Universal Electronics Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20230024253A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220384651A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4120365A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240120329A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307435A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing memory device having active area in elongated block

Номер патента: US20230360958A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor Device Having Integrated Diodes

Номер патента: US20200303514A1. Автор: Jian Liu,YAN Gao. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device having super-junction structures and fabrication thereof

Номер патента: US20150295024A1. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20020050604A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US20040198036A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor device having a stacked structure

Номер патента: US12021022B2. Автор: Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20190057960A1. Автор: Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device having a bipolar transistor

Номер патента: US5726486A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US11930640B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency rf applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190386097A1. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-12-19.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency rf applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20210273045A1. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having connection wiring to which wire is connected

Номер патента: US20240222311A1. Автор: Ryoichi Kato,Yuichiro HINATA,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20020139991A1. Автор: Eisuke Suekawa,Kouichi Mochizuki,Kazushige Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20090230559A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: US20030006455A1. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: EP1267417A3. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2005-01-12.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9640671B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100013027A1. Автор: Hiroki Shirai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: EP1405347A4. Автор: Willem G Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: WO2003015248A2. Автор: Willem G. Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device including rectangular functional blocks having at least one common length

Номер патента: US5616939A. Автор: Sinichirou Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764272B2. Автор: Cesar Augusto Braz,Alessandro Ferrara,David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having switching elements to prevent overcurrent damage

Номер патента: US10366964B2. Автор: Masayuki Ando,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Semiconductor device having a capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6713798B2. Автор: Yoichi Okita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device having multilevel interconnection

Номер патента: US20020003304A1. Автор: Hisashi Kaneko,Noriaki Matsunaga,Soichi Nadahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Heat dissipation for semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240266285A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: WO2003015248A3. Автор: Willem G Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-05-30.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency RF applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US12057474B2. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Wire structure and semiconductor device comprising the wire structure

Номер патента: US7932543B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Wire structure and semiconductor device comprising the the wire structure

Номер патента: US20080169118A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

BiMOS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220319927A1. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

BiMOS semiconductor device

Номер патента: US11776953B2. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254174A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Curable Organopolysiloxane Composition, Use Of The Cured Product Of The Composition, And Semiconductor Device

Номер патента: US20070273051A1. Автор: Tomoko Kato,Minoru Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer

Номер патента: US20140084246A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Microfluid ejection device having efficient logic and driver circuitry

Номер патента: WO2005050704A3. Автор: George Keith Parish,John Glenn Edelen,Kristi Maggard Rowe. Владелец: Lexmark Int Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Microfluid ejection device having efficient logic and driver circuitry

Номер патента: EP1694508A4. Автор: George Keith Parish,John Glenn Edelen,Kristi Maggard Rowe. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device having electro-static discharge protection structure

Номер патента: US20180277532A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor devices having through-electrodes

Номер патента: US20160133545A1. Автор: Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jae-hwa Park,Sukchul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Packaged semiconductor devices having solderable lead surfaces exposed by grooves in package compound

Номер патента: US20150262903A1. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device having pads for bonding and probing

Номер патента: US20080012046A1. Автор: Tsukasa Ojiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having a planarized structure and the method for producing the same

Номер патента: US20040048464A1. Автор: Yoo-Jeong Park. Владелец: Auk Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor Device Having Improved Oxide Thickness at a Shallow Trench Isolation Edge and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20100001364A1. Автор: Binghua Hu,Mindricelu P. Eugen,Damien T. Gilmore,Bill A. Wofford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020019134A1. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240274604A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094979B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Ishikawa,Yasuhiro Jinbo,Sachiaki TEZUKA,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321834A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices having pad isolation pattern

Номер патента: US20200350354A1. Автор: Byungjun Park,Younghwan CHOI,Jinju Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12094781B2. Автор: Makoto Miura,Satoshi Sakai,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device including a test circuit of a multivalued logic circuit having an impedance control

Номер патента: US20120086478A1. Автор: Munehisa Okita,Yoshitomo Numaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6503836B2. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having cell section with gate structures partly covered with protective film

Номер патента: US12100763B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having first signal generation units that output a first digital signal in response to an output of a corresponding pixel and second signal generation units that output a second digital signal having a predetermined digital value

Номер патента: US12114085B2. Автор: Yukihiro Kuroda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having at least one resin part that closes one or more corresponding ones of a plurality of threaded holes

Номер патента: US12119279B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kosuke Yamaguchi,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara,Mamoru TOGAMI,Shota O. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having doped interlayer insulating layer

Номер патента: US12107049B2. Автор: Jaechul Lee,Byungsun PARK,Youngil Lee,Jiwoon Im,Younseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Process of forming semiconductor device having interconnection formed by electro-plating

Номер патента: US09991160B2. Автор: Kazuaki Matsuura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

III-V nitride semiconductor device having reduced contact resistance

Номер патента: US09978642B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming semiconductor device having dielectric layer and related system

Номер патента: US09953827B2. Автор: NaeIn Lee,Hyeoksang Oh,Woochoel NOH,Wonkyu HAN,Gyeongyun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices comprising nitrogen-doped gate dielectric

Номер патента: US09922885B1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having fuse element

Номер патента: US09917055B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having a trench with different electrode materials

Номер патента: US09899488B2. Автор: Martin Henning Vielemeyer,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having first and second layers with opposite conductivity types

Номер патента: US09786796B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768073B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having control conductors

Номер патента: US09762226B2. Автор: Radu Surdeanu,Anco Heringa,Erwin Hijzen. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having a field-effect structure and a nitrogen concentration profile

Номер патента: US09748374B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

FinFET devices having different source/drain proximities for input/output devices and non-input/output devices and the method of fabrication thereof

Номер патента: US09711533B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09691737B2. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices having through-electrodes

Номер патента: US09673133B2. Автор: Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jae-hwa Park,Sukchul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming semiconductor device having super-junction structures

Номер патента: US09666485B2. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09660159B2. Автор: Keiji Sato,Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating semiconductor device having voids between top metal layers of metal interconnects

Номер патента: US09659886B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Hsin Lin,Ping-Heng Wu,Chao-Wen Lay,Hung-Mo Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

Номер патента: US09608055B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices having multiple gate structures and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09590103B2. Автор: Jin Wook Lee,Byeong Chan Lee,Kwan Heum Lee,Yoon Hae KIM,Jong Ki JUNG,Kwang Yong YANG,Myung II Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having a gate cutting region and a cross-coupling pattern between gate structures

Номер патента: US09589899B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,Yu-Sun Lee,Dae-Hee Weon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having first and second gate electrodes and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576959B1. Автор: Shigenobu Maeda,Yaoqi Dong,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Han Su Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564515B2. Автор: Shen-Ping Wang,Kun-Ming Huang,Jheng-Sheng You,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Che-Yi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having active fin pattern at cell boundary

Номер патента: US20240332305A1. Автор: Jungho DO,Sanghoon Baek,Jaewoo SEO,Jisu YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of fabricating the same, electronic systems including the same, and memory cards including same

Номер патента: US09536846B2. Автор: Jin Woo Park,Bae Yong Kim,Sung Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Active area shaping of III-nitride devices utilizing a field plate defined by a dielectric body

Номер патента: US09525052B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having a low divot of alignment between a substrate and an isolation thereof and method of forming the same

Номер патента: US09520296B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls

Номер патента: US09515199B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515170B2. Автор: Takashi Terada,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Hirofumi Shinohara,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US09505953B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device having lowered bit line resistance

Номер патента: US09496275B2. Автор: Masaya Hosaka,Hiroaki Kouketsu. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472637B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Radio frequency devices having reduced intermodulation distortion

Номер патента: US09450579B2. Автор: Fikret Altunkilic,Guillaume Alexandre Blin,Anuj Madan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating semiconductor devices including PMOS devices having embedded SiGe

Номер патента: US09449834B2. Автор: Wei Lu,Qingsong WEI,Wuping Liu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09437644B2. Автор: Atsushi Sakai,Hiroyuki ARIE,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having through-electrode

Номер патента: US09425138B2. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device having super-junction structures

Номер патента: US09406742B2. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having groove-shaped via-hole

Номер патента: US09406610B2. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process

Номер патента: US09406552B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure

Номер патента: US09397022B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Synthesis of olefins by oxygen-free direct conversion of methane and its catalysts

Номер патента: RU2598024C1. Автор: Синхэ БАО,Сяогуан ГО,Гуанцзун ФАН,Дехуэй ДЭН,Хао МА,Дали ТАНЬ. Владелец: Далянь Инститьют Оф Кемикал Физикс, Чайниз Академи Оф Сайенсез. Дата публикации: 2016-09-20.

Golf club heads or other ball striking devices having distributed impact response

Номер патента: US10610746B2. Автор: Martin Brouillette,Chris Scott Daniels,Eric A. Larson,Kenneth W. Brown,Robert M. Boyd. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of direct conversion of kinetic energy of dielectric environment flow to electric energy

Номер патента: RU2678999C9. Автор: Сергей Викторович Громов. Владелец: Сергей Викторович Громов. Дата публикации: 2019-03-21.

Single tubular fuel cell with thin-layer proton electrolyte for direct conversion of hydrocarbon fuel in mixture with water vapor and / or carbon dioxide

Номер патента: RU2737534C1. Автор: Анна Юрьевна Строева,Антон Валериевич Кузьмин,Максим Сергеевич Плеханов,Максим Васильевич Ананьев,Максим Игоревич Власов,Юлия Вячеславовна Новикова,Диана Михайловна Солодянкина,Денис Алексеевич Осинкин,Евгений Сергеевич Тропин,Андрей Сергеевич Фарленков,Алёна Сергеевна Лесничёва,Алексей Витальевич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-12-01.

Mos-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: WO2015053805A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20240063282A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma,Jinyu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer and methods of their fabrication

Номер патента: US20150294921A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120220097A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device with modified mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20050139923A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200135716A1. Автор: Su Jeong Kim,In Mo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Non-Uniform Semiconductor Device Active Area Pattern Formation

Номер патента: US20130270653A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240098987A1. Автор: Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for manufacturing semiconductor device with gate electrode of nanometric length

Номер патента: RU2237947C1. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин. Владелец: Окшин Алексей Александрович. Дата публикации: 2004-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.