Retention optimized memory device using predictive data inversion.

Retention optimized memory device using predictive data inversion

Номер патента: US20160189765A1
Опубликовано: 30-06-2016
Автор(ы): Fisch David Edward, PLANTS William C., STALNAKER Kent
Принадлежит: INVENSAS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device using wordline calibration for matrix vector multiplication

Номер патента: US20240331762A1. Автор: Huai-Yuan Tseng,William Charles Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080008014A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US12048140B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240334675A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Data input/output (i/o) apparatus for use in a memory device

Номер патента: US20070091693A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Data input/output (I/O) apparatus for use in memory device

Номер патента: US20050226058A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and apparatus for data inversion in memory device

Номер патента: US20030151953A1. Автор: Osamu Nagashima,Grigori Temkine,Joseph Macri,Olge Drapkin. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Method and apparatus for data inversion in memory device

Номер патента: US20040090836A1. Автор: Osamu Nagashima,Grigori Temkine,Joseph Macri,Olge Drapkin. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2004-05-13.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240196591A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240321342A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240321343A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US12120864B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device using delays to control column signals for different memory regions

Номер патента: US09520167B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US11646074B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Memory device to precharge bitlines prior to sensing memory cells

Номер патента: WO2024137685A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device to precharge bitlines prior to sensing memory cells

Номер патента: US20240212744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Systems and methods involving data inversion devices, circuitry, schemes and/or related aspects

Номер патента: US09494647B1. Автор: Jae Hyeong Kim,Mu-Hsiang Huang,Patrick T. Chuang. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US11200941B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Integrated circuit devices having data inversion circuits therein that reduce simultaneous switching noise and support interleaving of parallel data

Номер патента: US20040066213A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-08.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory access controller, systems, and methods for optimizing memory access times

Номер патента: EP2409235A2. Автор: Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri,Srinivas Maddali. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Memory access controller, systems, and methods for optimizing memory access times

Номер патента: WO2010108096A2. Автор: Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri,Srinivas Maddali. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory access controller, systems, and methods for optimizing memory access times

Номер патента: US20100241782A1. Автор: Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri,Srinivas Maddali. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory access controller, systems, and methods for optimizing memory access times

Номер патента: WO2010108096A3. Автор: Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri,Srinivas Maddali. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-01-13.

Write leveling a memory device using write dll circuitry

Номер патента: US20220180918A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Address control apparatus of semiconductor memory device using bank address

Номер патента: US6636452B2. Автор: Yong Ki Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-21.

Memory device and control method thereof

Номер патента: SG10201804165PA. Автор: PARK MIN-SANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

2-port memory device

Номер патента: US20020161977A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Protocol for refresh between a memory controller and a memory device

Номер патента: US09570145B2. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20210241815A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Apparatus, memory device, and method for storing multiple parameter codes for operation parameters

Номер патента: US20220148631A1. Автор: Kiho Kim,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI,Jinhoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Reducing spurious write operations in a memory device

Номер патента: US20230307019A1. Автор: Vinay Kumar,Shishir Kumar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Applying chip select for memory device identification and power management control

Номер патента: EP3533058A1. Автор: James A. McCall,Bill Nale,Christopher E. Cox,Christopher P. Mozak,Kuljit Bains,Akshith Vasanth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-04.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US20240282367A1. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Static semiconductor memory device using a single global data line

Номер патента: US09786360B2. Автор: Tsuyoshi Koike. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Predicting data correlation using multivalued logical outputs in static random access memory (SRAM) storage cells

Номер патента: US09916890B1. Автор: David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of operating memory device using different read conditions

Номер патента: US09472275B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON,Young-Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Horizontal magnetic memory device using in-plane current and electric field

Номер патента: US09647030B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Seo-Won Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-09.

Spin transfer torque magnetic memory device using magnetic resonance precession and the spin filtering effect

Номер патента: US09478729B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Soo-Man Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US12075636B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20240357840A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US20090154304A1. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US8040712B2. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Programmable magnetic memory device

Номер патента: WO2004032145A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Gavin N Phillips. Владелец: Gavin N Phillips. Дата публикации: 2005-06-16.

Electroentropic memory device

Номер патента: US09679630B2. Автор: Sean William Reynolds,David Reginald Carver,Bradford Wesley Fulfer,Sean Claudius Hall,Jaime Hayes GIBBS,Chase Koby Andrepont. Владелец: Carver Scientific Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Multi-bit magnetic memory device using spin-polarized current and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP1689006A3. Автор: Yong-su Kim,Chee-kheng Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US11837286B2. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20210398590A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A3. Автор: Kenneth K Smith,Colin A Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-04-21.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Replacement memory device

Номер патента: EP1540656A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-06-15.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2004-03-04.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: EP2973588A2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: WO2014152627A2. Автор: William Lam. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US20230060583A1. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US20240321355A1. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history

Номер патента: US09613706B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Driving method of memory controller and nonvolatile memory device controlled by memory controller

Номер патента: US09594673B2. Автор: Kyungryun Kim,Seokjun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device and method for testing nonvolatile memory device using variable resistance material

Номер патента: US09443582B2. Автор: Ki-won Lim,Moon-Ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods and apparatus for characterizing memory devices

Номер патента: US20220269332A1. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods and apparatus for characterizing memory devices

Номер патента: US20220261062A1. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Methods and apparatus for characterizing memory devices

Номер патента: WO2020168114A1. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Methods and apparatus for characterizing memory devices

Номер патента: EP3924828A1. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Methods and apparatus for characterizing memory devices

Номер патента: US11914449B2. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods and Apparatus for Characterizing Memory Devices

Номер патента: US20240160270A1. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Nonvolatile ternary memory device using two-dimensional ferroelectric material and method of manufacturing the same

Номер патента: US11296098B2. Автор: Jun Hee Lee,Ho Sik Lee. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of fabricating semiconductor devices using a two-step gap-fill process

Номер патента: US20210050522A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Youngmin KO,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Clamping Circuit and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20030214843A1. Автор: Dae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Memory devices, testing systems and methods

Номер патента: US09672939B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and apparatus for optimizing memory power

Номер патента: US20230113660A1. Автор: Yong Jae Lee,Kwang Hoon Lee,Jung Hun PARK,Deog Kyoon Jeong. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-04-13.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: US20200110708A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: EP3633516A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-08.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: US20220188236A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Dynamic power control system for memory device and memory device using the same

Номер патента: US20200126598A1. Автор: Sung Whan Seo,Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Tae Hong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor memory device using a protocol transmission method

Номер патента: US6721228B2. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-13.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device using a protocol transmission method

Номер патента: US20030053364A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Sub-block definition in a memory device using segmented source plates

Номер патента: US20240312535A1. Автор: Aaron S. Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125534B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Operating a memory device using a program order stamp to control a read voltage

Номер патента: US09715341B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated erase voltage path for multiple cell substrates in nonvolatile memory devices

Номер патента: US09704580B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Driving method of nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US09659644B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory modules including plural memory devices arranged in rows and module resistor units

Номер патента: US09412423B2. Автор: Kwang-Seop Kim,Bo-Ra Kim,Do-Hyung Kim,Jae-Jun Lee,Yong-Jin Kim,Jeong-Hoon Baek,Da-Ae Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for measuring data retention characteristic of resistive random access memory device

Номер патента: US9196380B2. Автор: Yi Wang,Lifeng Liu,Xiaoyan Liu,Bin Gao,Jinfeng Kang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same

Номер патента: US11942147B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of generating signal for test in memory device using multi-level signaling and memory device performing the same

Номер патента: US11755234B2. Автор: Byungsuk Woo,Yongho Cho,Younguk Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Method, apparatus, storage medium, and terminal for optimizing memory card performance

Номер патента: US20190087102A1. Автор: Xuewu Zhang,Jinsuo Yu. Владелец: Shanghai Xiaoyi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Boosting seed voltage for a memory device

Номер патента: US20100110795A1. Автор: Neal R. Mielke,Satoru Tamada,Krishna Parat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US11914086B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Erasing method and memory device using the same

Номер патента: US09754637B2. Автор: Hsin-Yu Chang,Yuan-Hao Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Chien-Chung Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile resistive memory device using dynamic reference in dual domain and read method thereof

Номер патента: US20230138195A1. Автор: Jongsun Park,Joo Yoon KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element

Номер патента: US20100142249A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Memory Devices Using Etching Stop Layers

Номер патента: US20180108664A1. Автор: Jung Hwan Lee,Dae Seok Byeon,Hyun Seok Lim,Jee Yong Kim,Jeong Gil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Tracking the effects of voltage and temperature on a memory device using an internal oscillator

Номер патента: US12136467B2. Автор: Keun Soo Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Wear-leveling system and method for reducing stress on memory device using erase counters

Номер патента: US09971682B2. Автор: Jian Zhou,Xinjie Chen,Xiaoxiang Geng,Yaoqiao LI. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Managing dielectric stress of a memory device using controlled ramping slopes

Номер патента: US12141445B2. Автор: Sheyang NING,Lawrence Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of initializing and driving 3D non-volatile memory device using time varying erase signal

Номер патента: US09754673B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09684552B2. Автор: Eun-Hye PARK,Jun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for optimizing memory power

Номер патента: US11742859B2. Автор: Yong Jae Lee,Kwang Hoon Lee,Jung Hun PARK,Deog Kyoon Jeong. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Updating program files of a memory device using a differential write operation

Номер патента: US20210065783A1. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Compiler for optimizing memory allocations within cores

Номер патента: US11868901B1. Автор: Brian Thomas,Steven L. Teig. Владелец: Percieve Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Updating program files of a memory device using a differential write operation

Номер патента: US11984155B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Updating program files of a memory device using a differential write operation

Номер патента: US11508433B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Multi-level signaling for a memory device

Номер патента: EP3891609A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Multi-level signaling for a memory device

Номер патента: US20200185049A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Multi-level signaling for a memory device

Номер патента: WO2020117566A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US11568930B2. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09740433B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09542123B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and method for using shared latch elements thereof

Номер патента: US20210383885A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device including the same

Номер патента: US20230307062A1. Автор: Changhwan Shin,Woojae Jang,Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Raeyoung LEE,Soyeong GWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Updating program files of a memory device using a differential write operation

Номер патента: US20230078377A1. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Updating program files of a memory device using a differential write operation

Номер патента: US11017846B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US12002510B2. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for testing semiconductor devices using the back side of a circuit board

Номер патента: US20010033181A1. Автор: Jong-Hyun Kim,Sang-Jun Park,Sun-Ju Kim,Chang-Nyun Kim,Chung-Koo Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-25.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240347084A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device capable of adjusting operation voltage and application processor for controlling the memory device

Номер патента: US09891855B2. Автор: Soo-Hwan Kim,Hui-Kap YANG,Myung-Kyoon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09646981B2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US09594611B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM

Номер патента: US09564217B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Accessing a serial number of a removable non-volatile memory device

Номер патента: US09552855B2. Автор: Robert D. Widergren,Eric R. Hamilton,John L. Douglas. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional memory device containing CMOS devices over memory stack structures

Номер патента: US09530790B1. Автор: Wei Zhao,Zhenyu Lu,Jian Chen,Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Henry Chien,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Performance evaluation of solid state memory device

Номер патента: US09524800B2. Автор: Thomas J. Griffin,Dustin J. VanStee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Ultra-deep power-down mode for memory devices

Номер патента: US09483108B2. Автор: Paul Hill,Yongliang Wang,Danut Manea,Stephen Trinh,Richard V. De Caro. Владелец: Artemis Acquisition LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods and devices for temperature sensing of a memory device

Номер патента: US09424891B2. Автор: David R. Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20110317484A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20100046286A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Data recovery system for memory devices

Номер патента: US20220179734A1. Автор: Sean S. Eilert,Richard Edward Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Dual-port, dual-function memory device

Номер патента: US11830574B2. Автор: Amit Gattani,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Security capsule for enabling restricted features of a memory device

Номер патента: US11880229B2. Автор: Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US11823757B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US20140108747A1. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Page buffer and verify method of flash memory device using the same

Номер патента: US20060114723A1. Автор: Gi Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Data recovery system for memory devices

Номер патента: US20220342748A1. Автор: Sean Stephen Eilert,Richard Edward Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Security capsule for enabling restricted features of a memory device

Номер патента: US20240111910A1. Автор: Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Management of write operations in a non-volatile memory device using a variable pre-read voltage level

Номер патента: US20210240385A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Security capsule for enabling restricted features of a memory device

Номер патента: EP4016356A1. Автор: Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Management of write operations in a non-volatile memory device using a variable pre-read voltage level

Номер патента: WO2021155275A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Generic physical layer providing a unified architecture for interfacing with an external memory device and methods of interfacing with an external memory device

Номер патента: US20220208240A1. Автор: Chee Hak Teh,Soon Chieh Lim,Tat Hin Tan. Владелец: SKYECHIP SDN BHD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Storage device, memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170076756A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210398997A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Configurable resistivity for lines in a memory device

Номер патента: US12040014B2. Автор: Jian Jiao,Michael P. O'Toole,Jason R. Johnson,William L. Cooper,Koushik Banerjee,Isaiah O. Gyan,Robert Cassel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive memory device

Номер патента: US8547721B2. Автор: Changbum Lee,Bosoo Kang,Seungeon Ahn,Kihwan Kim,Changjung Kim,Myungjae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Dynamic power managment of a memory device

Номер патента: US20170294216A1. Автор: Taeyoung Oh,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Microelectronic devices including support pillar structures, and related memory devices

Номер патента: US20220367500A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A3. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: WO2009079752A8. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-14.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: US20110242906A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Systems and methods for improving fuse systems in memory devices

Номер патента: US20190198127A1. Автор: Yu-feng Chen,Scott E. Smith,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20190115532A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US20230297523A1. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180114574A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2018078349A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220077168A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Apparatus and method of power compensation and optical device using the same

Номер патента: US6873583B2. Автор: Ching-Ning Chiou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Systems and methods for parallelizing sequential processing requests using predicted correction data

Номер патента: US20230205617A1. Автор: Sunil Pradhan Sharma,Rajendra Prasad Mokshagundam,Ravikanth Kompella. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Optimized memory layout through data mining

Номер патента: US20170147495A1. Автор: Shuqing Zeng,Shige Wang,Stephen G. Lusko. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-25.

Optimized memory layout through data mining

Номер патента: US09830270B2. Автор: Shuqing Zeng,Shige Wang,Stephen G. Lusko. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and apparatus for coding machine vision data using prediction

Номер патента: US20220210435A1. Автор: Seung Wook Park,Je Won Kang,Chae Hwa Yoo. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2022-06-30.

Ray-based classifier apparatus and tuning a device using machine learning with a ray-based classification framework

Номер патента: US20230274136A1. Автор: Justyna Pytel ZWOLAK,Jacob Mason TAYLOR,Sandesh Sachin KALANTRE,Thomas Walter MCJUNKIN. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for parallelizing sequential processing requests using predicted correction data

Номер патента: US11860723B2. Автор: Sunil Pradhan Sharma,Rajendra Prasad Mokshagundam,Ravikanth Kompella. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Data inversion and unidirectional error detection

Номер патента: US11934267B1. Автор: Steffen Buch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Data inversion and unidirectional error detection

Номер патента: US20240070022A1. Автор: Steffen Buch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Adaptive power management of a cluster of host computers using predicted data

Номер патента: US10068263B2. Автор: Aashish Parikh. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2018-09-04.

Method of coding video and video coding device using prediction blocks on basis of coding blocks defined in conformity with tree-shaped structure, and method for decoding video and video decoding device using units of predication on the basis of coding units defined in conformity with tree-like structure

Номер патента: RU2676456C1. Автор: Дзунг-Хие МИН,Воо-Дзин ХАН,Ил-коо КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-12-28.

Optimizing Memory Accesses for Network Applications Using Indexed Register Files

Номер патента: US20080288737A1. Автор: Long Li,Jinquan Dai,Jiangang Zhuang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Adaptive idle timer for a memory device

Номер патента: US20040098550A1. Автор: Mihir Shah,Zohar Bogin,Suryaprasad Kareenahalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and systems for controlling ordered write transactions to multiple devices using switch point networks

Номер патента: US09665518B2. Автор: Thang Q. Nguyen,John E. Larson,Fernando A. Morales,Sanjay R. Deshpande,Mark A. Banse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Dynamically improving performance of a host memory controller and a memory device

Номер патента: US09519428B2. Автор: Nir Strauss,David Teb,Racheli Angel Manor. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and server for conducting controlled experiment using prediction of future user behavior

Номер патента: RU2640637C2. Автор: Алексей Валерьевич Друца,Глеб Геннадьевич Гусев,Павел Викторович СЕРДЮКОВ. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2018-01-10.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Generating personalized nutritional recommendations using predicted values of biomarkers

Номер патента: EP3753027A1. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,George HADJIGEORGIOU. Владелец: Zoe Global Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Generating personalized nutritional recommendations using predicted values of biomarkers

Номер патента: WO2019155437A1. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,George HADJIGEORGIOU. Владелец: Zoe Global Limited. Дата публикации: 2019-08-15.

Generating personalized nutritional recommendations using predicted values of biomarkers

Номер патента: US20190252058A1. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,George HADJIGEORGIOU. Владелец: Zoe Global Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

System and method for learning a network of categories using prediction

Номер патента: US20090106022A1. Автор: Omid Madani. Владелец: Yahoo Inc until 2017. Дата публикации: 2009-04-23.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Control of solid state memory device temperature using queue depth management

Номер патента: US09423804B2. Автор: Xiaojin Wei,Craig A. Bickelman,Edward W. Chencinski,Seth R. Greenspan,M. Dean Sciacca. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Assisting application classification using predicted subscriber behavior

Номер патента: EP3149894A1. Автор: Ron Talmor,Gennady Dosovitsky,Amir Harush,Dmitry ROVNIAGUIN. Владелец: F5 Networks Inc. Дата публикации: 2017-04-05.

Machine learning database memory use prediction and adaptation

Номер патента: US20230376202A1. Автор: Jing He,Xiaotao Wang. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2023-11-23.

Appratus and method for using predicted result values

Номер патента: US20200004551A1. Автор: David Michael Bull,Vladimir Vasekin,Alexei FEDOROV. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Assignment of robotic devices using predictive analytics

Номер патента: US20220035727A1. Автор: Kuntal Dey,Seema Nagar,Ii Willie L. Scott,Charu Pandhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Assignment of robotic devices using predictive analytics

Номер патента: US11947437B2. Автор: Kuntal Dey,Seema Nagar,Ii Willie L. Scott,Charu Pandhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Ray-based classifier apparatus and tuning a device using machine learning with a ray-based classification framework

Номер патента: WO2022067209A1. Автор: Justyna Pytel ZWOLAK,Jacob Mason TAYLOR,Sandesh Sachin KALANTRE,Thomas Walter MCJUNKIN. Владелец: Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce. Дата публикации: 2022-03-31.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Interleaved codeword transmission for a memory device

Номер патента: US20240289220A1. Автор: Thomas Hein,Steffen Buch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

System and method for detecting billing errors using predictive modeling

Номер патента: US09785983B2. Автор: QI Zhao,Andrew Kwok,Jacob Spoelstra,Abhikesh Nag,Manjunatha Jagalur,Eric Doi. Владелец: Opera Solutions USA LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Brokering optimized resource supply costs in host cloud-based network using predictive workloads

Номер патента: US09563479B2. Автор: James Michael Ferris,Gerry Edward Riveros. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Cryptographic processing method and device using elliptical curve and computer

Номер патента: RU2232476C2. Автор: Эрвин ХЕСС,Жан ГЕОРГИАДЕС. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Symmetric bit coding for printed memory devices

Номер патента: US20170068830A1. Автор: Jeffrey Michael FOWLER. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Data inversion circuit to perform DBI-AC encoding using PAM 4 signal

Номер патента: US12074740B2. Автор: Sanghun Lee,Hyuntae Kim,Eunji SONG,Jaeduk Han,Hyeongmin SEO,YunSeong JO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-27.

Ranking messages of conversation graphs in a messaging platform using predictive outcomes

Номер патента: WO2021127687A1. Автор: Allen Chen,Arvind Thiagarajan,Rohit Jain,Xiangyi ZHENG,Minali AGGARWAL,Tommy Chong,Andrew Hazen SCHLAIKJER. Владелец: Twitter, Inc.. Дата публикации: 2021-06-24.

Ranking messages of conversation graphs in a messaging platform using predictive outcomes

Номер патента: CA3165466A1. Автор: Allen Chen,Arvind Thiagarajan,Rohit Jain,Xiangyi ZHENG,Minali AGGARWAL,Tommy Chong,Andrew Hazen SCHLAIKJER. Владелец: Twitter Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Ranking messages of conversation graphs in a messaging platform using predictive outcomes

Номер патента: AU2020405265A1. Автор: Allen Chen,Arvind Thiagarajan,Rohit Jain,Xiangyi ZHENG,Minali AGGARWAL,Tommy Chong,Andrew Hazen SCHLAIKJER. Владелец: Twitter Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Generating personalized nutritional recommendations using predicted values of biomarkers

Номер патента: CA3089929A1. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,George HADJIGEORGIOU. Владелец: Zoe Global Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

System and method for optimizing memory usage in a universal controlling device

Номер патента: US20140317363A1. Автор: Arsham Hatambeiki,Christopher Lee Somerville,Jan VanEe,Daniel Morrionne. Владелец: Universal Electronics Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Video-encoding method and video-encoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure,and video decoding method and video-decoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: ZA201208460B. Автор: Woo-Jin Han,Jung-Hye Min,Ii-Koo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device using extended interface commands

Номер патента: US20140359169A1. Автор: Poorna Kale,Todd Legler,Christopher Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Data storage device using non-sequential segment access and operating method thereof

Номер патента: US09778864B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Automated end-to-end sales process of storage appliances of storage systems using predictive modeling

Номер патента: US09646256B2. Автор: David Singer,Mark Chamness. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method for optimizing memory usage in a universal controlling device

Номер патента: US09524234B2. Автор: Arsham Hatambeiki,Christopher Lee Somerville,Jan VanEe,Daniel Morrionne. Владелец: Universal Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and arrangement for completion or recovery of data transactions in a flash type memory device using a commit process

Номер патента: US09495286B2. Автор: Matti Hallivuori. Владелец: Coriant Oy. Дата публикации: 2016-11-15.

Method, system, and computer program product for wait time estimation using predictive modeling

Номер патента: AU2017444223B2. Автор: Varun Sharma,Walker Carlson,Richa GARG,Nandakumar Kandaloo,Srijoy Aditya. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2023-11-16.

Sales and marketing assistance system using predictive analytics and method

Номер патента: US20230368229A1. Автор: Tyrone King. Владелец: Spectrum Communications & Consulting LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and apparatus for determining a frequency related parameter of a frequency source using predictive control

Номер патента: US20240159912A1. Автор: Peter James Duffett-Smith,Robert Mark Crockett,Ramsey Michael Faragher. Владелец: Focal Point Positioning Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Sales and marketing assistance system using predictive analytics and method

Номер патента: US11756063B2. Автор: Tyrone King. Владелец: Spectrum Communications & Consulting LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods, systems, and media for relighting images using predicted deep reflectance fields

Номер патента: WO2020236206A1. Автор: Shahram Izadi,Jonathan Taylor,Xueming Yu,Graham Fyffe,Sean Ryan Francesco Fanello,Christoph RHEMANN,Rohit Kumar Pandey,Adarsh Prakash Murthy Kowdle,Paul Debevec,Andrea TAGLIASACCHI,Sofien Bouaziz,Matthew Whalen,Julien Pascal Christophe VALENTIN,Abhimitra Meka,Peter Christopher Lincoln,Jason Angelo Dourgarian,Jessica Lynn Busch,Geoffrey Douglas HARVEY,Christian HÄNE,Peter Joseph DENNY. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods, systems, and media for relighting images using predicted deep reflectance fields

Номер патента: US20200372284A1. Автор: Shahram Izadi,Jonathan Taylor,Xueming Yu,Graham Fyffe,Sean Ryan Francesco Fanello,Christoph RHEMANN,Rohit Kumar Pandey,Adarsh Prakash Murthy Kowdle,Paul Debevec,Andrea TAGLIASACCHI,Sofien Bouaziz,Matthew Whalen,Julien Pascal Christophe VALENTIN,Abhimitra Meka,Peter Christopher Lincoln,Jason Angelo Dourgarian,Jessica Lynn Busch,Geoffrey Douglas HARVEY,Christian HÄNE,Peter Joseph DENNY. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods, systems, and media for relighting images using predicted deep reflectance fields

Номер патента: US10997457B2. Автор: Shahram Izadi,Jonathan Taylor,Xueming Yu,Graham Fyffe,Sean Ryan Francesco Fanello,Christoph RHEMANN,Rohit Kumar Pandey,Adarsh Prakash Murthy Kowdle,Paul Debevec,Andrea TAGLIASACCHI,Sofien Bouaziz,Matthew Whalen,Julien Pascal Christophe VALENTIN,Abhimitra Meka,Peter Christopher Lincoln,Jason Angelo Dourgarian,Jessica Lynn Busch,Geoffrey Douglas HARVEY,Christian HÄNE,Peter Joseph DENNY. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-05-04.

Data inversion circuit to perform dbi-ac encoding using pam 4 signal

Номер патента: US20230071072A1. Автор: Sanghun Lee,Hyuntae Kim,Eunji SONG,Jaeduk Han,Hyeongmin SEO,YunSeong JO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-03-09.

Methods, systems, and media for relighting images using predicted deep reflectance fields

Номер патента: EP3973451A1. Автор: Shahram Izadi,Jonathan Taylor,Xueming Yu,Graham Fyffe,Sean Ryan Francesco Fanello,Christoph RHEMANN,Rohit Kumar Pandey,Adarsh Prakash Murthy Kowdle,Paul Debevec,Andrea TAGLIASACCHI,Sofien Bouaziz,Matthew Whalen,Julien Pascal Christophe VALENTIN,Abhimitra Meka,Peter Christopher Lincoln,Jason Angelo Dourgarian,Jessica Lynn Busch,Geoffrey Douglas HARVEY,Christian HÄNE,Peter Joseph DENNY. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-03-30.

Prediction data display device, prediction data display method, and prediction data display program

Номер патента: EP4404113A1. Автор: Shimpei TAKEMOTO,Yoshishige OKUNO,Yuji KURAUCHI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Predictive data-reconstruction system and method for a pointing electronic device

Номер патента: US12050738B2. Автор: Alessandra Maria Rizzo Piazza Roncoroni,Federico Rizzardini,Stefano Paolo Rivolta,Lorenzo Bracco,Marco Bianco,Paolo Rosingana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and system for optimizing memory requirement for training an artificial neural network model

Номер патента: US20200265316A1. Автор: Rishav Das,Sourav Mudi. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory device using extended interface commands

Номер патента: US20120173793A1. Автор: Poorna Kale,Todd Legler,Christopher Bueb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Auxiliary query commands to deploy predictive data models for queries in a networked computing platform

Номер патента: US12117997B2. Автор: Bryon Kristen Jacob,David Lee GRIFFITH,Shad William Reynolds. Владелец: Data World Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Management to reduce power consumption in virtual memory provided by plurality of different types of memory devices

Номер патента: US09448612B2. Автор: Vaidyanathan Srinivasan,Dipankar Sarma,Ankita Garg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of encoding video and apparatus for encoding video using prediction units based on encoding units defined according to tree structure, and method of decoding video and apparatus for decoding video using prediction units based on encoding units defined according to tree structure

Номер патента: RU2528132C2. Автор: Дзунг-Хие МИН,Воо-Дзин ХАН,Ил-коо КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-09-10.

Generating personalized food guidance using predicted hunger

Номер патента: US20240177826A1. Автор: Jonathan Thomas WOLF,Patrick James Wyatt. Владелец: Zoe Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Generating personalized food guidance using predicted hunger

Номер патента: EP4233062A1. Автор: Jonathan Thomas WOLF,Patrick James Wyatt. Владелец: Zoe Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Program product for creating weather prediction data, a method for creating weather prediction data, and a moving vehicle

Номер патента: US20220196878A1. Автор: Ryota Kikuchi. Владелец: Doerresearch Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory expander, host device using memory expander, and operation method of sever system including memory expander

Номер патента: US12079506B2. Автор: Chon Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Target zones for predictive data features

Номер патента: US20240311737A1. Автор: Joshua Thomas Rohlfs,Vincent M. Hummel,Thomas Willers,Nicholas Flannery,Jeffery D. Arseneau,Steven Michaels. Владелец: State Farm Mutual Automobile Insurance Co. Дата публикации: 2024-09-19.

Adjust ads auction using predicted user response to an in-ad survey

Номер патента: US20240354839A1. Автор: Yi Zhang,Yingwei Cui,Bahman Rabii,Michael Eugene Aiello,Colin Mcculloch,Gaofeng Zhao,Manohar Prabhu,Shilpa ARORA,Niyati Yagnik,Creighton Thomas,Timothy Lipus,Ajay Kumar Bangla. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Predictive data analysis techniques using bidirectional encodings of structured data fields

Номер патента: US12131229B2. Автор: David Walsh,Louise O'connor,Giorgio Mondauto,Rachel Costello,Darragh Hanley. Владелец: Optum Services Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Media coding for loss recovery with remotely predicted data units

Номер патента: US09918085B2. Автор: Albert Szu-chi Wang,Ming-Chieh Lee. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Targeted attack protection using predictive sandboxing

Номер патента: US09762609B2. Автор: Steven Robert Sandke,Bryan Burns. Владелец: Proofpoint Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

System and method for optimizing memory utilization in a database

Номер патента: US09411837B2. Автор: Avinandan Bandyopadhyay. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Dynamic sequencing of data partitions for optimizing memory utilization and performance of neural networks

Номер патента: EP3612937A1. Автор: Boris Bobrov,Amol Ashok AMBARDEKAR,Kent D. Cedola,Chad Balling Mcbride,George Petre,Larry Marvin Wall. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-02-26.

Optimized memory tiering

Номер патента: US20230033029A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Pratap Subrahmanyam,Praveen Vegulla,Marcos Kawazoe Aguilera,Renu Raman. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Systems and methods for automated renumbering, reformatting, and re-referencing of branching statements or go-to instruction line referencing within modified code using a dual-pass approach that includes operations using predicted new line numbers, error detection/correction, and alignment correction processing

Номер патента: US20190196810A1. Автор: Gary L. Coldiron, Sr.. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-06-27.

Systems and methods for predictive data protection

Номер патента: US20200042398A1. Автор: Serguei Beloussov,Stanislav Protasov,Dmitry Martynov. Владелец: Acronis International GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Systems and methods for speed estimation based on stride data using predictive modeling

Номер патента: WO2014074358A1. Автор: Julius S. Gyorfi. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

Data movement between storage tiers of a clustered storage system based on predicted data access frequency trend patterns

Номер патента: US12093552B2. Автор: CHI Chen,Hailan Dong. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for early media buffering using prediction of user behavior

Номер патента: US09749378B2. Автор: Mikael Olenfalk. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2017-08-29.

Targeted attack protection using predictive sandboxing

Номер патента: US09596264B2. Автор: Steven Robert Sandke,Bryan Burns. Владелец: Proofpoint Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Generating a predictive data structure

Номер патента: US09557966B2. Автор: Benjamin J. Fletcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and device for optimizing memory

Номер патента: US9678868B2. Автор: Feng Qiu,Jianchun Zhang,Qiwu Huang. Владелец: Xiaomi Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Optimized memory tiering

Номер патента: US20230031304A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Pratap Subrahmanyam,Praveen Vegulla,Marcos Kawazoe Aguilera,Renu Raman. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Block-level predictive data migration

Номер патента: US20160162206A1. Автор: David C. Reed,Gregory E. McBride,Thomas W. Bish,Richard A. Welp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Using Predictive Analytics of Natural Disaster to Cost and Proactively Invoke High-Availability Preparedness Functions in a Computing Environment

Номер патента: US20180074887A1. Автор: Adam D. Braham,David W. Granum,Benjamin W. Rabe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Using prediction to detect and correct tracking failures

Номер патента: AU2018282419A1. Автор: Nagita Mehr Seresht. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Block-level predictive data migration

Номер патента: US9557923B2. Автор: David C. Reed,Gregory E. McBride,Thomas W. Bish,Richard A. Welp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of transferring files between devices using 3d marker

Номер патента: RU2573242C2. Автор: Дмитрий Александрович Гертнер. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Эландис". Дата публикации: 2016-01-20.

Method for preventing improper use of electronic access rights, which can be controlled in mobile electronic devices using a wallet application and which are transmitted to mobile electronic devices by a server, in each case using a hyperlink for downloading access rights

Номер патента: RU2697731C1. Автор: Андерс МАЛЬМБОРГ,Вайджаянтхи Мала ДЖАЯПРАКАШ. Владелец: Скидата Аг. Дата публикации: 2019-08-19.

Systems and methods to increase battery life in and identify misuse of a wireless device using environmental sensors

Номер патента: US20170332329A1. Автор: Andrew G. Berezowski,Jesse J. Otis,Gourav Sharma,Jason Michael Farrell. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Predictive data analysis using image representations of genomic data

Номер патента: US20220358697A1. Автор: AHMED Selim,Michael Bridges,Paul J. Godden. Владелец: Optum Services Ireland Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for acquiring data for distinguishing presence of cancer cells and/or distinguishing anticancer drug resistance, method for acquiring prediction data, use of distinction marker in same, and distinguishing kit

Номер патента: EP4026588A1. Автор: Makoto Suematsu,Takako HISHIKI. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-13.

Method for acquiring data for distinguishing presence of cancer cells and/or distinguishing anticancer drug resistance, method for acquiring prediction data, use of distinction marker in same, and distinguishing kit

Номер патента: US20220365087A1. Автор: Makoto Suematsu,Takako HISHIKI. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-17.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Optimizing memory usage for a HyperLogLog estimator

Номер патента: US10776429B2. Автор: Parag Nandan PAUL,Sudin Bhat,Edgars SEDOLS,Gjorgji GJEORGJIEVSKI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-09-15.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Cross-variant polygenic predictive data analysis

Номер патента: US20210343417A1. Автор: David S. Monaghan,Kenneth Bryan,Chirag Chadha,Megan O'Brien. Владелец: Optum Services Ireland Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Optimizing memory reads when computing video quality metrics

Номер патента: US12086972B2. Автор: Harikrishna Madadi Reddy,Visalakshi Vaduganathan,Deepa Palamadai Sundar. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Host verification for a memory device

Номер патента: US20240361950A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Video encoding method and video encoding device for encoding video using prediction units based on encoding units defined according to tree structure and video decoding method and video decoding device based on coding units defined according to tree-like structure

Номер патента: RU2641243C1. Автор: Дзунг-Хие МИН,Воо-Дзин ХАН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-01-16.

Crum unit mounted on the consumable unit of the image forming device and dismounted from it, and an image forming device using it

Номер патента: RU2721893C2. Автор: Йоун-дзае КИМ. Владелец: ЭйчПи Принтинг Корея Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-25.

Training a model to generate predictive data

Номер патента: WO2024022843A1. Автор: Maxim PISARENCO,Chrysostomos BATISTAKIS. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-02-01.

System and method for early media buffering using prediction of user behavior

Номер патента: US10805369B2. Автор: Mikael Olenfalk. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2020-10-13.

Generating personalized food guidance using predicted food responses

Номер патента: US11817200B2. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,Elco Bakker. Владелец: Zoe Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Predictive data aggregations for real-time detection of anomalous data

Номер патента: US20220083877A1. Автор: Ayaz Ahmad,Anupam Tarsauliya,Ravi Shanker Sandepudi,Uttam Phalnikar. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods And Systems For Controlling Ordered Write Transactions To Multiple Devices Using Switch Point Networks

Номер патента: US20160085706A1. Автор: Thang Q. Nguyen,John E. Larson,Fernando A. Morales,Sanjay R. Deshpande,Mark A. Banse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Managing bundled claims adjudication using predictive analytics

Номер патента: WO2019005214A1. Автор: Evan Wheeler RICHARDS,Katherine HOLLERAN. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-01-03.

Targeted attack protection from malicious links in messages using predictive sandboxing

Номер патента: US11811793B2. Автор: Steven Robert Sandke,Bryan Burns. Владелец: Proofpoint Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Online behavior using predictive analytics

Номер патента: US20220032198A1. Автор: Stephan Joseph Roorda,Dilan Orrino,Alexander McMullen,Frank Somich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Generating personalized food guidance using predicted food responses

Номер патента: EP4022647A1. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,George HADJIGEORGIOU. Владелец: Zoe Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Generating personalized food guidance using predicted food responses

Номер патента: WO2021038530A1. Автор: Richard James Davies,Jonathan Thomas WOLF,George HADJIGEORGIOU. Владелец: Zoe Global Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

System and method for reduced nitrous oxide emissions using predictive urea dosing control

Номер патента: US20230358157A1. Автор: Jayant V. Sarlashkar,Venkata R. CHUNDRU,Sankar B. RENGARAJAN,Scott Hotz. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2023-11-09.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: WO2021081419A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power loss protection of data in memory devices

Номер патента: US11747994B2. Автор: Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: WO2021119203A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US12073088B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Parallel boot execution of memory devices

Номер патента: US11734018B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Machine learning models for genomic predictive data analysis

Номер патента: US20230144374A1. Автор: Rakhee Srivastava,Vivek Kumar Yadav,Pranav Mahajan,Lalit Singla. Владелец: Optum Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Utilization of a memory device for per-user encryption

Номер патента: US20240267208A1. Автор: Zhan Liu,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device overhead reduction using artificial intelligence

Номер патента: US12131065B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Parallel scheduling of write commands to multiple memory devices

Номер патента: US09952779B2. Автор: Barak Baum,Etai Zaltsman,Moti Altahan,Roman Gindin,Yoni Labenski,Yoram Harel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and apparatus for authorizing a print device to perform a service using a portable memory device

Номер патента: US09930217B2. Автор: Donald J. Gusmano. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Rebalancing operation using a solid state memory device

Номер патента: US09881039B2. Автор: Abhinay R. Nagpal,Sandeep Ramesh Patil,Yan Wang Stein,Harshwardhan S. Mulay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US09785578B2. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Error status determination at a memory device

Номер патента: US12141028B2. Автор: Scott E Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Using external memory devices to improve system performance

Номер патента: US09690496B2. Автор: Cenk Ergan,Michael R. Fortin,Alexander Kirshenbaum,Robert L. Reinauer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Errors and erasures decoding from multiple memory devices

Номер патента: US09680509B2. Автор: Zion S. Kwok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Connecting a printer and a mobile device using identification information printed by the printer

Номер патента: US09591175B2. Автор: John Daniel BEATTY. Владелец: Clover Network LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device, information-processing device and information-processing method

Номер патента: US09575887B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Daisuke Iwai,Shoji Sawamura,Takaya HORIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device having a controller unit and an information-processing device including a memory device having a controller unit

Номер патента: US09524121B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514142B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514141B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of controlling screen display and device using said method

Номер патента: RU2712118C1. Автор: Гуошен ЛИ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-01-24.

Process and device for checking location devices using auxiliary data

Номер патента: RU2328016C2. Автор: Петер ГААЛЬ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-06-27.

Control of solid state memory device temperature using queue depth management

Номер патента: US9501069B2. Автор: Xiaojin Wei,Craig A. Bickelman,Edward W. Chencinski,Seth R. Greenspan,M. Dean Sciacca. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of determining and distributing performance of gnss prediction data

Номер патента: WO2022174347A1. Автор: Vijaykumar BELLAD,Christopher Anthony PERRIAM. Владелец: RX NETWORKS INC.. Дата публикации: 2022-08-25.

Portable data storage device using memory address mapping table

Номер патента: MY135115A. Автор: Tan Henry,POO Teng Pin,Lim Lay Chuan. Владелец: Trek Systems M Sdn Bhd. Дата публикации: 2008-02-29.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US20240054045A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Simplistic machine learning model generation tool for predictive data analytics

Номер патента: US20240095599A1. Автор: Suresh B. Gajendran,Mahesh Chandrappa,Mark A. Dickneite,Charles T. Fiala,Rashid Zaheer. Владелец: State Farm Mutual Automobile Insurance Co. Дата публикации: 2024-03-21.

Auxiliary query commands to deploy predictive data models for queries in a networked computing platform

Номер патента: US20200380009A1. Автор: Bryon Kristen Jacob,David Lee GRIFFITH,Shad William Reynolds. Владелец: Data World Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Track Activities of components in Endpoints having Secure Memory Devices via Identity Validation

Номер патента: US20230370446A1. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Systems, computing devices, and methods for setting data usage levels among computing devices based on predicted data usage

Номер патента: US20180115976A1. Автор: Shareef F. Alshinnawi,Gary D. Cudak,John M. Weber,Joseph F. Herman. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Simplistic machine learning model generation tool for predictive data analytics

Номер патента: US11861470B2. Автор: Suresh B. Gajendran,Mahesh Chandrappa,Mark A. Dickneite,Charles T. Fiala,Rashid Zaheer. Владелец: State Farm Mutual Automobile Insurance Co. Дата публикации: 2024-01-02.

Cross-geographical predictive data analysis

Номер патента: US11551124B2. Автор: Anupam Gupta,Rama Krishna Singh,Ravi Pande,David L. Frankenfield. Владелец: Optum Technology LLC. Дата публикации: 2023-01-10.

Storage unit selection of memory devices used for dsn memory

Номер патента: US20190065524A1. Автор: Ilya Volvovski,John Quigley,Andrew D. Baptist,Trent W. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Predictive data storage hierarchical memory systems and methods

Номер патента: US11748262B2. Автор: Anton Korzh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Auxiliary query commands to deploy predictive data models for queries in a networked computing platform

Номер патента: US20230359615A1. Автор: Bryon Kristen Jacob,David Lee GRIFFITH,Shad William Reynolds. Владелец: Data World Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Data movement between storage tiers of a clustered storage system based on predicted data access frequency trend patterns

Номер патента: US20220342578A1. Автор: CHI Chen,Hailan Dong. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-10-27.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20150248238A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of determining and distributing performance of gnss prediction data

Номер патента: EP4295175A1. Автор: Vijaykumar BELLAD,Christopher Anthony PERRIAM. Владелец: RX NETWORKS Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of determining and distributing performance of gnss prediction data

Номер патента: CA3208338A1. Автор: Vijaykumar BELLAD,Christopher Anthony PERRIAM. Владелец: RX NETWORKS Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Predicted Data Use Obligation Match Using Data Differentiators

Номер патента: US20230289386A1. Автор: Daniel L. Binkley,Lisa A. Hodne,Matthew Jon Hartzler,Majdoddin Izadian. Владелец: Optum Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Hybrid-input predictive data analysis

Номер патента: US11954602B1. Автор: Damian Kelly,Adam Russell,Vijay S. Nori,Daniel J. Mulcahy,Subhash Seelam. Владелец: Optum Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20230384940A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Predictor neutralization in predictive data analysis systems

Номер патента: US11954603B1. Автор: Patrick Ford,Brian Ironside. Владелец: Liberty Mutual Insurance Co. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatus and method for generating prediction data structures

Номер патента: US20240086773A1. Автор: Ben Oppenheimer. Владелец: One Swipe Bets. Дата публикации: 2024-03-14.

Cross-geographical predictive data analysis

Номер патента: US20230121490A1. Автор: Anupam Gupta,Rama Krishna Singh,Ravi Pande,David L. Frankenfield. Владелец: Optum Technology LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US11995321B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Optimizing memory configuration in mainframe computers

Номер патента: US20240168874A1. Автор: Erik Rueger,Grzegorz Piotr SZCZEPANIK,Ravinder Akula,Jeevabharathy Murugesan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Seasonally adjusted predictive data analysis

Номер патента: US12009107B2. Автор: Aishwarya Aishwarya,Prashant Singh,Siddharth Garg,Jyoti Nahata,Madhuri Yadav,Danita Kiser. Владелец: Optum Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Cross-geographical predictive data analysis

Номер патента: US20210295189A1. Автор: Anupam Gupta,Rama Krishna Singh,Ravi Pande,David L. Frankenfield. Владелец: Optum Technology LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

Predictive data storage hierarchical memory systems and methods

Номер патента: US20200285577A1. Автор: Anton Korzh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Predictive data storage hierarchical memory systems and methods

Номер патента: US20210382821A1. Автор: Anton Korzh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Computing Predicted Data According to Weighted Peak Preservation and Time Distance Biasing

Номер патента: US20130103616A1. Автор: Walter Hill,Ming C. Hao,Umeshwar Dayal,Halldór Janetzko,Daniel Keim,Sabastian Mittelstädt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Data storage device using host memory buffer and method of operating the same

Номер патента: US20200133566A1. Автор: Hyun-seok Kim,Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

System and method for optimizing memory utilization in a database

Номер патента: US20150178334A1. Автор: Avinandan Bandyopadhyay. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for contactless diagnosing power facility using artificial intelligence and signal processing technology and device using the same

Номер патента: US20230350401A1. Автор: Junsik Kim,Eungyeol Song. Владелец: Siecom Co ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: US20240202030A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: WO2024129595A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Error protection for managed memory devices

Номер патента: US20240235578A9. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and systems configured to specify resources for hyperdimensional computing implemented in programmable devices using a parameterized template for hyperdimensional computing

Номер патента: US20210334703A1. Автор: Behnam Khaleghi,Mohsen Imani,Tajana Rosing,Sahand Salamat. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-10-28.

Bit error management in memory devices

Номер патента: US20230393739A1. Автор: Tommaso Vali,Luigi Pilolli,Cristina Lattaro,Agostino Macerola,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Andrea D'Alessandro,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device wear-leveling techniques

Номер патента: WO2011090547A2. Автор: Yen Lin,Howard Tsai,Nirmal Saxena,Dimitry Vyshetsky. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Music-based language-learning method, and learning device using same

Номер патента: SG186705A1. Автор: Sang Cheol Park. Владелец: Amosedu Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Dynamically adjusting the initial polling timer in memory devices

Номер патента: US20240160367A1. Автор: Peng Fei,YUE Wei,Donghua Zhou,Shao Chun Shi,Kai Wen Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Host adaptive memory device optimization

Номер патента: US20210141570A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device for cryptographic operations and method for interacting therewith

Номер патента: WO2008027165A3. Автор: Kevin Lewis,Susan Cannon. Владелец: Susan Cannon. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: EP4133374A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: WO2021207405A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Memory devices

Номер патента: EP1618513A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems ID Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-25.

Memory devices

Номер патента: WO2004084131A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems-Id Pty Ltd.. Дата публикации: 2004-09-30.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method and system providing file system for an electronic device comprising a composite memory device

Номер патента: US20170228190A1. Автор: Vishak Guddekoppa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US20240078192A1. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Host assisted operations in managed memory devices

Номер патента: US20240256468A1. Автор: Nadav Grosz,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US20230236734A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

A system and method for data communication between computing devices using audio signals

Номер патента: US20180225655A1. Автор: KUMAR ABHISHEK. Владелец: Naffa Innovations Private Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

A system and method for data communication between computing devices using audio signals

Номер патента: EP3320649A1. Автор: KUMAR ABHISHEK. Владелец: Naffa Innovations Private Ltd. Дата публикации: 2018-05-16.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240201851A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and system for efficient common processing in memory device controllers

Номер патента: US20170115887A1. Автор: Sandeep Sharma,Kenneth Alan Okin,Ashish Singhai,Sriram Rupanagunta,Rajendra Prasad Mishra,George Moussa,Krishanth Skandakumaran,Srikant SADASIVAM. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Method, apparatus, and system for securing data on a removable memory device

Номер патента: EP1929422A1. Автор: David N. Skinner,Yancy T. Chen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-06-11.

A method, apparatus, and system for securing data on a removable memory device

Номер патента: WO2007027299A1. Автор: David N. Skinner,Yancy T. Chen. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-03-08.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Collecting quality of service statistics for in-use child physical functions of multiple physical function non-volatile memory devices

Номер патента: WO2023146605A1. Автор: Scott Chao-Chueh Lee,Monish Shantilal SHAH,Lei Kou,Brenda Wai Yan BELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Collecting quality of service statistics for in-use child physical functions of multiple physical function non-volatile memory devices

Номер патента: US12056372B2. Автор: Scott Chao-Chueh Lee,Monish Shantilal SHAH,Lei Kou,Brenda Wai Yan BELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Operation management in a memory device

Номер патента: EP3014453A1. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-04.

Operation management in a memory device

Номер патента: WO2014209986A1. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Data inversion techniques

Номер патента: US12015476B2. Автор: Stefan Dietrich,Ronny Schneider,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Natalija Jovanovic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Data inversion techniques

Номер патента: US20210226722A1. Автор: Stefan Dietrich,Ronny Schneider,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Natalija Jovanovic. Владелец: Micron Semiconductor Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Data inversion techniques

Номер патента: US20230188248A1. Автор: Stefan Dietrich,Ronny Schneider,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Natalija Jovanovic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Data inversion techniques

Номер патента: WO2021150441A1. Автор: Stefan Dietrich,Ronny Schneider,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Natalija Jovanovic. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-29.

Communication system for establishing P2P connections and the corresponding devices using the same

Номер патента: US09774668B2. Автор: Chi-Ming Kuo. Владелец: THROUGHTEK CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and apparatus for image encoding and image decoding using prediction based on block type

Номер патента: US12034915B2. Автор: Tae-hyun Kim,Won-Jun Lee,Gun Bang,Gwang-Hoon Park,Dae-Young Lee,Woong Lim,Hui-Yong Kim,Woo-Woen GWUN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for image encoding and image decoding using prediction based on block type

Номер патента: US20240314297A1. Автор: Tae-hyun Kim,Won-Jun Lee,Gun Bang,Gwang-Hoon Park,Dae-Young Lee,Woong Lim,Hui-Yong Kim,Woo-Woen GWUN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile memory device using two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583639B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing resistance change layer using irradiation of electron beam and resistive random access memory device using the same

Номер патента: US09337425B2. Автор: Dong Uk Lee,Byung Cheol Lee,Dongwook Kim,Eun Kyu Kim,Gyu Jin Oh,Seong Guk Cho,Sang Woo Pak,Hyung Dal PARK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-05-10.

Methods for manufacturing memory and logic devices using the same process without the need for additional masks

Номер патента: US20080138998A1. Автор: Shih Chin Lee,Ming-Shang Chen,Kuan Fu Chen,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Anomaly detection in network-site metrics using predictive modeling

Номер патента: US09407651B2. Автор: Craig M. Mathis. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Systems and methods for maneuvering vehicles using predictive control and automated driving

Номер патента: US20230141801A1. Автор: Matthew Brown,Sarah Koehler,Vishnu R. Desaraju,Miroslav Baric,Katherine Steele Schweidel,Timothee Jean William Cazenave. Владелец: Toyota Research Institute Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20170005262A1. Автор: Jung Ho Yoon,Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-05.

CMOS device using additional implant regions to enhance ESD performance and device manufactured thereby

Номер патента: US6703663B1. Автор: Jian-Hsing Lee,Yi-Hsun Wu,Jian-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-03-09.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Magnetic memory devices using spin current and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240251685A1. Автор: Naoki Hase,Jungsik Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Stress-engineered resistance-change memory device

Номер патента: US8841745B2. Автор: Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor memory device using silicon nitride film as charge storage layer of storage transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184365A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaru Kito,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory devices

Номер патента: WO1999021235A1. Автор: John Martin Shannon. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-04-29.

Method and system for error correction in memory devices using irregular error correction code components

Номер патента: US20230336190A1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Ofir Kanter,Amir Nassie. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Epitaxial wafer and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20230141135A1. Автор: Junga LEE,Yeonsook Kim,Wooseung JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12120885B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240365560A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods and apparatuses for voltage regulation using predictively charged precharge rails

Номер патента: US12107497B2. Автор: Joseph Duncan,Todd Sutton,Zdravko Lukic,Chris Rosolowski,Orlando Santiago,Rashed HOQUE,Marko Koski. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US09831289B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

System and method for early media buffering using prediction of user behavior

Номер патента: US09510024B2. Автор: Andreas Öman. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and the device used for treatment of the containers coatings made out of the thermoplastic resin

Номер патента: RU2319555C2. Автор: Маттео ДЖОППАС,Альберто АРМЕЛЛИН,Андреа САРАН,Отторино ВЕНДРАМЕЛЛИ. Владелец: С.И.П.А. Сочьета Индистриалиццационе Проджеттационе Э Аутомационе С.П.А.. Дата публикации: 2008-03-20.

Wireless network and transceiving base station and wireless network device used therein

Номер патента: RU2518204C2. Автор: Тим КУЭЧЛЕР. Владелец: Эппл Инк. Дата публикации: 2014-06-10.

Device used for removing carbon dioxide from synthesis gas

Номер патента: RU2342741C1. Автор: Сергей Анатольевич Ермаков. Владелец: Сергей Анатольевич Ермаков. Дата публикации: 2008-12-27.

Method and apparatus for optimizing memory utilization in gateway of process control and automation system

Номер патента: US20160269230A1. Автор: Senthilkumar Dhanagopalan,Girish Krishnanivas,Michael L. Baker,Raj Bandekar. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Communication methods and devices using physical connection point identifiers which support dual communication lines

Номер патента: RU2388158C2. Автор: Раджив ЛАРОЯ,Пабло АНИГСТЕИН,Мурари СРИНИВАСАН,Джордж ЦИРЦИС,Владимир ПАРИЖСКИЙ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-04-27.

Medical device using flexible illuminating constructions and method of its production

Номер патента: RU2394614C2. Автор: Филлип БЕРВЕЛЛ,Джеймс К. ЧЕН,Цзыхун ГО,Стивен Р. ДЕЙЛИ,Дэвид Б. ШАЙН,Гэри ЛИЧТТЕНЕДЖЕР. Владелец: Лайт Сайенсиз Онколоджи, Инк.. Дата публикации: 2010-07-20.

Method fabricating semiconductor device using multiple polishing processes

Номер патента: US8168535B2. Автор: Joon-Sang Park,Suk-Hun Choi,Won-Jun Lee,Jun-Soo Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-01.

External data collection based on predicted data insufficiency

Номер патента: US20240190469A1. Автор: Sarbajit K. Rakshit,Jeremy R. Fox,Martin G. Keen,Tiberiu Suto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Microelectronic device packages including wirebonding and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240153914A1. Автор: Akanksha Sahoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Apparatus and method for generating spreading code using jacket matrix and code channel spreading device using the same

Номер патента: US20060171444A1. Автор: Moon-Ho Lee,Jia Hou. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: US20240304598A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: WO2024186577A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices and memory devices including vertically spaced transistors and storage devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240357793A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Secure devices using entropy multiplexing

Номер патента: US09930021B2. Автор: Ned M. Smith,Rajesh Poornachandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780144B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Power generating device using electric furnace

Номер патента: US09759084B2. Автор: Young Ho Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Device for contactless communication and use of a memory device

Номер патента: US09622808B2. Автор: Juergen Beller,Uwe Schnitzler,Peter Selig. Владелец: Erbe Elecktromedizin GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589981B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure having a dual-gate non-volatile memory device and methods for making same

Номер патента: US09466608B1. Автор: Weize Chen,Patrice M Parris,Richard J De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

Номер патента: US8901530B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Skin treatment device using nonthermal plasma

Номер патента: RU2702091C2. Автор: Ерун Христиан НЕЙДАМ,Яспер ЗЕЙДЕРВАРТ,ДЕР ЦВАН Эдуард Антониус ВАН,Стефан МОИБРУК. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-10-04.

Channel estimation method and device using linear interpolation scheme in orthogonal frequency-division multiplexing system, and receiver using said method and device

Номер патента: RU2407162C2. Автор: Еун-Дзеонг ЙИМ,Хее-Дзин РОХ,Еун-Дзеонг ЙИМ (KR),Хее-Дзин РОХ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2010-12-20.

Highly reliable analogue interface for network communication device, used in railway transport

Номер патента: RU2360370C2. Автор: Жан БОКАЖ. Владелец: Альстом Кэнада Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Device using energy of sea waves

Номер патента: RU2478828C2. Автор: Матс ЛЕЙОН,Магнус СТОЛЬБЕРГ,Андрей САВИН. Владелец: Сибэйсд Аб. Дата публикации: 2013-04-10.

Sealing device used in inspection of bottom-hole chamber of machine for shield penetration, and machine for shield penetration, containing such device

Номер патента: RU2713057C2. Автор: Юнлян ЧЭН,Хайбинь ЛЯН,Чжэнян ПЭН,Чунмао ТАН. Владелец: Чайна Рейлвей Констракшн Хэви Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-03.

Facing package for device used in household, in catering or retail trade

Номер патента: RU2553249C2. Автор: Харальд ПИНДЛЬ,Айке ШЕФЕР,Райнер ФОГТ,Педер МАДСЕН,Кеннет ТЕНДЕР. Владелец: Рэд Булл Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Creation of laser-defined structures in pressure relief devices using tiling method

Номер патента: RU2677907C2. Автор: Бон Ф. ШО,Майкл Д. КРЕБИЛЛ,Джо УОКЕР. Владелец: Файк Корпорейшн. Дата публикации: 2019-01-22.

Metal charge fusion control method, and weighing device used for above said method

Номер патента: RU2499837C2. Автор: Стефано ТЕРЛИКЕР,Франко СКОТТИ,Романо СЕЛЛАН. Владелец: Даниели & К. Оффичине Мекканике Спа. Дата публикации: 2013-11-27.

Cooling device using internal artificial jets

Номер патента: RU2525826C2. Автор: ДЕР ТЕМПЕЛ Лендерт ВАН,Ерун Х. ЛАММЕРС,ОС Петер Й. М. ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-08-20.

Source of electrons, source of x-ray radiation and device using source of x-ray radiation

Номер патента: RU2668268C2. Автор: Чжицян ЧЭНЬ,Юаньцзин ЛИ,Хуапин ТАН,Юнган ВАН,Чжаньфэн ЦИНЬ. Владелец: Нактех Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-09-28.

Self-powered analyte sensor and devices using the same

Номер патента: RU2683203C2. Автор: Бенджамин Джей ФЕЛЬДМАН,Лэй ХЭ,Майкл ЛАВ,Хиун ЧО. Владелец: Эбботт Дайабитиз Кэр Инк.. Дата публикации: 2019-03-26.

Tomography device using a ring antenna array

Номер патента: RU2765605C1. Автор: Валерий Павлович Ющенко,Владимир Николаевич Легкий,Любовь Васильевна Шебалкова. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ». Дата публикации: 2022-02-01.

Compressor and air-conditioning device, using it

Номер патента: RU2642550C2. Автор: Соо Дол ПАРК,Ки Хоон НАМ,Дзеонг Бае ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-01-25.

System for ascertaining prediction data

Номер патента: US20240017802A1. Автор: Simon Bishop,Paul Staton. Владелец: Dunlop Oil and Marine Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Sidewall insulated resistive memory devices

Номер патента: US20180301507A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Magnetic actuation device using permanent magnets and system using the same

Номер патента: US20240145143A1. Автор: Jin Young Kim,Hong Soo Choi,Awais Ahmed,Hak Joon Lee,Sarmad Ahmad ABBASI,A M Masum Bulbul Chowdhury,Nader Latifi Gharamaleki. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic actuation device using permanent magnets and system using the same

Номер патента: EP4360579A1. Автор: Ahmed Awais,Jin Young Kim,Hong Soo Choi,Hak Joon Lee,Sarmad Ahmad ABBASI,A M Masum Bulbul Chowdhury,Gharamaleki Nader LATIFI. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-01.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240244820A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee`. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Memory device assembly with a leaker device

Номер патента: US20240049473A1. Автор: Ashonita A. Chavan,Aditi P. Kulkarni,Aysha Siddique SHANTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024151406A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Electronic devices including isolation structures exhibiting a weave pattern, and related memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240081076A1. Автор: Yi Hu,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Radio resource sensing and selecting method used by mobile device for wireless communication and mobile device using the same

Номер патента: US20200396719A1. Автор: Chorng-Ren Sheu,Ching-Chun Chou,Hua-Lung Tsai,Heng-ming HU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Method and device used for wireless communication with discontinuous reception

Номер патента: EP4039019A1. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-10.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for separating stromal vascular fraction from adipose tissue using non-contact ultrasonic device, and non-contact ultrasonic device used therein

Номер патента: US20230203425A1. Автор: Min Ah YANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TUNABLE CHOKE TUBE FOR PULSATION CONTROL DEVICE USED WITH GAS COMPRESSOR

Номер патента: US20120003106A1. Автор: Deffenbaugh Danny,McKee Robert,Nored Marybeth. Владелец: SOUTHWEST RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: US20120001154A1. Автор: Kato Tomoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CODEBOOK FOR MULTIPLE USER MULTIPLE INPUT MULTIPLE OUTPUT SYSTEM AND COMMUNICATION DEVICE USING THE CODEBOOK

Номер патента: US20120001780A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION APPARATUS FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE USING THE SAME, AND TELEVISION RECEIVER APPARATUS COMPRISING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002398A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2317260C2. Автор: Александр Борисович Жималов,Юрий Нарциссович Пентко,Андрей Евгеньевич Горин,Евгений Борисович Файнберг,Татьяна Васильевна Каплина,Людмила Александровна Шитова. Владелец: Открытое акционерное общество "Саратовский институт стекла". Дата публикации: 2008-02-20.

VOLTAGE INITIALIZATION CIRCUIT BEING CAPABLE OF RECORDING A PREFERRED VOLTEGE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер патента: US20120001929A1. Автор: CHANG CHIEN-JEN. Владелец: CHIMEI INNOLUX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Electric logging device used during boring

Номер патента: RU2368779C1. Автор: Вадим Рафисович Хаматдинов,Рафис Такиевич Хаматдинов,Дмитрий Васильевич Белоконь,Олег Владимирович Руднев,Андрей Викторович Вершинин,Александр Борисович Королев,Валерий Александрович Пантюхин,Борис Владимирович Рудяк,Юрий Львович Шеин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нефтегазгеофизика". Дата публикации: 2009-09-27.

Method of delivery of explosive devices using horizontally directed drilling unit

Номер патента: RU2566355C1. Автор: Игорь Григорьевич Ткаченко,Вадим Георгиевич Гераськин,Алексей Андреевич Кислун,Сергей Николаевич Шабров,Пётр Николаевич Шабров,Сергей Петрович Сусликов,Александр Борисович Блохин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Газпром Трансгаз Краснодар". Дата публикации: 2015-10-27.

Device used for drying solutions and suspensions in inert material fluidised bed

Номер патента: RU2342611C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Екатерина Олеговна Боброва,Мари Владимировна Голубева,Мария Владимировна Голубева,Лиди Владимировна Колаева,Лидия Владимировна Колаева,Елена Владимировна Духанина,Надежда Игоревна Горнушкина,Дарь Олеговна Павлова,Дарья Олеговна Павлова. Владелец: Мария Владимировна Голубева. Дата публикации: 2008-12-27.

Device to measure level of noise immunity of navigation devices using signals from rotary transformer

Номер патента: RU2572500C1. Автор: Игорь Алексеевич Семенов,Иван Олегович Сидоров,Павел Васильевич Денисенко,Виталий Викторович Худов. Владелец: Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА"). Дата публикации: 2016-01-10.

Soils, bulk and powder materials compacting method and device used for method realisation

Номер патента: RU2339765C2. Автор: Альберт Павлович Бобряков,гин Александр Васильевич Луб,Александр Васильевич Лубягин,ков Альберт Павлович Бобр. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Проектно-строительная компания "Фундамент". Дата публикации: 2008-11-27.

Transmission of signals by reflective signals between reflective memory devices

Номер патента: RU2568785C2. Автор: Владимир Владимирович Соколов,Геннадий Георгиевич Стецюра. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-20.

Pneumatic rotary engine speed control method and device used for realisation thereof

Номер патента: RU2355888C1. Автор: Виталий Валентинович Устинов. Владелец: ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНГЕРСОЛЛ-РЭНД СиАйЭс". Дата публикации: 2009-05-20.

Retention optimized memory device using predictive data inversion

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты