Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ASPECT RATIO TRAPPING

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ASPECT RATIO TRAPPING

Номер патента: US20160190238A1
Опубликовано: 30-06-2016
Автор(ы): Cheng Kangguo, Hashemi Pouya, Khakifirooz Ali, Reznicek Alexander
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-planar semiconductor device with aspect ratio trapping

Номер патента: US09419074B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming a selective spacer in a semiconductor device

Номер патента: US20080157131A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Willy Rachmady,Rajwinder Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-Planar Semiconductor Device Having Hybrid Geometry-Based Active Region

Номер патента: US20160276484A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,FERDOUSI Fahmida. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Silicon epitaxy for high aspect ratio, substantially perpendicular deep silicon trench

Номер патента: US09905638B1. Автор: Seetharaman Sridhar,Satoshi Suzuki,Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,Simon John Molloy,Tatsuya Tominari. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH PRESERVED ISOLATION REGION

Номер патента: US20160225895A1. Автор: Liu Yanxiang,Ciavatti Jerome,HE Xiaoli,NAM Myung Hee. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

Stacked nanowire devices formed using lateral aspect ratio trapping

Номер патента: US09484405B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Very high aspect ratio contact

Номер патента: US20160149012A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Non-planar semiconductor device with multiple-head epitaxial structure on fin

Номер патента: US09793358B2. Автор: Xiang Hu,Xusheng Wu,Changyong Xiao,Wanxun He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-planar semiconductor structure with preserved isolation region

Номер патента: US09666709B2. Автор: Yanxiang Liu,Jerome Ciavatti,Xiaoli He,Myung Hee NAM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20190006362A1. Автор: Ghani Tahir,LATIF Salman,MUNASINGHE Chanaka D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20210175233A1. Автор: Ghani Tahir,LATIF Salman,MUNASINGHE Chanaka D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HYBRID GEOMETRY-BASED ACTIVE REGION

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,FERDOUSI Fahmida. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20200212039A1. Автор: Ghani Tahir,LATIF Salman,MUNASINGHE Chanaka D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20190341383A1. Автор: Ghani Tahir,LATIF Salman,MUNASINGHE Chanaka D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HYBRID GEOMETRY-BASED ACTIVE REGION

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,FERDOUSI Fahmida. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Non-planar semiconductor device having doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: KR102100469B1. Автор: 타히르 가니,살만 라티프,차나카 디. 무나싱헤. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-04-13.

Non-planar semiconductor device having doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: TW201719904A. Автор: 塔何 甘尼,莎曼 拉提夫,查南卡 暮那辛菲. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

Non-planar semiconductor device having doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: KR102220806B1. Автор: 타히르 가니,살만 라티프,차나카 디. 무나싱헤. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-02-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: KR102171831B1. Автор: 켈린 제이. 쿤,세연 김,라파엘 라이오스,파미다 페르도우지. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-10-29.

Non-planar semiconductor device having doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: US20230223406A1. Автор: Tahir Ghani,Salman Latif,Chanaka D. Munasinghe. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

MIXED N/P TYPE NON-PLANAR SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH MULTIPLE EPITAXIAL HEADS AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150318217A1. Автор: Wu Xusheng,Xiao Changyong,He Wanxun,HU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US09799531B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US09406507B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US10026613B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09337282B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Devices with adjusted fin profile and methods for manufacturing devices with adjusted fin profile

Номер патента: US20220157664A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Two-step hydrogen annealing process for creating uniform non-planar semiconductor devices at aggressive pitch

Номер патента: US20130237038A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Economical and environmentally friendly chemical mechanical polishing for III-V compound semiconductor device fabrication

Номер патента: US09601482B1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Keith E. Fogel,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

High aspect ratio trapping semiconductor with uniform height and isolated from bulk substrate

Номер патента: US09780173B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

III-V fins by aspect ratio trapping and self-aligned etch to remove rough epitaxy surface

Номер патента: US11776956B2. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Iii-v fins by aspect ratio trapping and self-aligned etch to remove rough epitaxy surface

Номер патента: US20170229579A1. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Iii-v fins by aspect ratio trapping and self-aligned etch to remove rough epitaxy surface

Номер патента: US20170229453A1. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Iii-v fins by aspect ratio trapping and self-aligned etch to remove rough epitaxy surface

Номер патента: US20210249410A1. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Bottom thick oxidation growth in high aspect ratio features

Номер патента: US20240242962A1. Автор: Christopher S. Olsen,Hansel LO,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Bottom thick oxidation growth in high aspect ratio features

Номер патента: WO2024151700A1. Автор: Christopher S. Olsen,Hansel LO,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Technologies for high aspect ratio carbon etching with inserted charge dissipation layer

Номер патента: US12040176B2. Автор: Yun Han,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Minjoon PARK,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Microelectronic devices including high aspect ratio features

Номер патента: US20240120237A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10672772B2. Автор: Hun Lee,Deok-Sin Kil,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313121A1. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Haruyuki Baba,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US11854869B2. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US20220344200A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20040046217A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US6875662B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2005-04-05.

Semiconductor devices with metal contacts including crystalline alloys

Номер патента: US20200152781A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor devices with metal contacts including crystalline alloys

Номер патента: EP3682483A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with low-galvanic corrosion structures, and method of making same

Номер патента: US20230253249A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

UNIFORM GATE HEIGHT FOR MIXED-TYPE NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150364336A1. Автор: Liu Huang,Yu Hong,Huang Haigou,Liu Jin Ping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-12-17.

Uniform exposed raised structures for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US9362176B2. Автор: Hong Yu,ZHAO Lun,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: EP4283676A3. Автор: Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Peter J. Vandervoorn,Wald M. HAFEZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Non-planar semiconductor device having omega-fin with doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: MY188387A. Автор: Chia-Hong Jan,Weimin Han,Joodong Park,Gopinath Bhimarasetti,Walid M Hafez,Raymond E Cotner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-07.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: EP4283676A2. Автор: Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Peter J. Vandervoorn,Wald M. HAFEZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Non-planar semiconductor device having conforming ohmic contacts

Номер патента: US11978776B2. Автор: Sridhar Govindaraju,Ashutosh Sagar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with a portion including silicon and nitrogen and method of manufacturing

Номер патента: US11075134B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Threshold voltage control for mixed-type non-planar semiconductor devices

Номер патента: US9209186B1. Автор: Yiqun Liu,Mitsuhiro Togo,Rohit Pal,Changyong Xiao,Dina H. Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20160056156A1. Автор: Ghani Tahir,LATIF Salman,MUNASINGHE Chanaka D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Double aspect ratio trapping

Номер патента: US09786497B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Double aspect ratio trapping

Номер патента: US9349808B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Technologies for inverting lithographic patterns and semiconductor devices including high aspect ratio structures

Номер патента: US20180247813A1. Автор: Christopher P. Auth,Anthony A. St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09793271B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09653463B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09589956B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of fabricating semiconductor devices with blocking layer patterns

Номер патента: US09559002B2. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices and methods for manufacturing

Номер патента: US20240379754A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN,Chen Yen Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-planar surface for semiconductor chips and method of forming the non-planar semiconductor chip

Номер патента: TW483030B. Автор: William L Brodsky,Sanjeev B Sathe,George H Thiel. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-04-11.

UNIFORM EXPOSED RAISED STRUCTURES FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150380316A1. Автор: Yu Hong,Carter Richard J.,HU Zhenyu,Shen Hongliang,LUN Zhao. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-12-31.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (soc) applications

Номер патента: WO2015047281A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-04-02.

Non-planar semiconductor device having channel region with low band-gap cladding layer

Номер патента: US8785909B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Dipanjan Basu,Satyarth Suri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Non-planar semiconductor device having active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US9018680B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Silicon-germanium FinFET device with controlled junction

Номер патента: US09922886B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Kam-Leung Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon-germanium FinFET device with controlled junction

Номер патента: US09514997B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Kam-Leung Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device manufacturing method having high aspect ratio insulating film

Номер патента: USRE45361E1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US9147579B2. Автор: Reiko Hiruta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US20230290647A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US12087595B2. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

SiC devices with shielding structure

Номер патента: US12119377B2. Автор: Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

THRESHOLD VOLTAGE CONTROL FOR MIXED-TYPE NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150380409A1. Автор: Pal Rohit,Liu Yiqun,Xiao Changyong,Triyoso Dina H.,TOGO Mitsuhiro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for forming fin structures for non-planar semiconductor device

Номер патента: US09786502B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Wen-An Liang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Optical computing device having tunable detector with non-planar semiconductor structure

Номер патента: US09983186B2. Автор: Li Gao,David L. Perkins,James M. Price. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336662A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230119370A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240332422A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ASPECT RATIO TRAPPING

Номер патента: US20160126086A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12027624B2. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: EP2898533B1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Peter J. Vandervoorn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20150255295A1. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for co-integration of III-V devices with group IV devices

Номер патента: US11557503B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Liesbeth Witters. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-01-17.

METAL RAIL CONDUCTORS FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210028311A1. Автор: PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,YANG Hui-Ting,Chou Lei-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-28.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING OMEGA-FIN WITH DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20170069725A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Hafez Walid M.,Bhimarasetti Gopinath,Han Weimin,COTNER RAYMOND E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

PRECISION RESISTOR FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE ARCHITECTURE

Номер патента: US20140308785A1. Автор: Jan Chia-Hong,Tsai Curtis,Park Joodong,Yeh Jeng-Ya D.,Hafez Walid M.,Vandervoorn Peter J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

CO-FABRICATION OF NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min-Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-01.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING OMEGA-FIN WITH DOPED SUB-FIN REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20190296114A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Hafez Walid M.,Bhimarasetti Gopinath,Han Weimin,COTNER RAYMOND E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

METAL RAIL CONDUCTORS FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200388706A1. Автор: Chang Chia-Hao,Lai Chih-Ming,Wu Wei-Hao,Liu Ru-Gun,Tsai Ching-Wei,TZENG JIANN-TYNG,Chiang Kuo-Cheng,Young Charles Chew-Yuen,Lin Yi-Hsiung,CHEN Chih-Liang,Chou Lei-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-10.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: KR20190064523A. Автор: 치-리앙 첸,레이-춘 초우,후이-팅 양,캄-토우 시오,웨이-쳉 린,시-웨이 펭,지안-팅 젱,찰스 츄-유엔 영. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-06-10.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: KR20170018478A. Автор: 왈리드 엠. 하페즈,치아-홍 잔,젱-야 디. 예,피터 제이. 반데르부른,커티스 츠아이,주동 박. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-02-17.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: KR102166904B1. Автор: 치-리앙 첸,레이-춘 초우,후이-팅 양,캄-토우 시오,웨이-쳉 린,시-웨이 펭,지안-팅 젱,찰스 츄-유엔 영. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-10-19.

Non-planar semiconductor device having omega-fins with doped sub-fin regions and method of fabricating the same

Номер патента: CN114242791A. Автор: J·朴,C-H·简,W·M·哈菲兹,韩卫民,G·比马拉塞蒂,R·E·科特纳. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-25.

Non-planar semiconductor device having omega-fin with doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: KR102287271B1. Автор: 왈리드 엠. 하페즈,치아-홍 잔,주동 박,고피나스 비마라세티,웨이민 한,레이몬드 이. 코트너. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-08-06.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: KR101707754B1. Автор: 왈리드 엠. 하페즈,치아-홍 잔,젱-야 디. 예,피터 제이. 반데르부른,커티스 츠아이,주동 박. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-02-16.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: KR101969243B1. Автор: 왈리드 엠. 하페즈,치아-홍 잔,젱-야 디. 예,피터 제이. 반데르부른,커티스 츠아이,주동 박. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-04-15.

Precision resistor for non-planar semiconductor device architecture

Номер патента: TW201709480A. Автор: Chia-Hong Jan,Curtis Tsai,Walid M Hafez,Joo-Dong Park,Jeng-Ya D Yeh,Peter J Vandervoorn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-01.

Non-planar semiconductor device having omega-fin with doped sub-fin region

Номер патента: EP3425675B1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Weimin Han,Joodong Park,Gopinath Bhimarasetti,Raymond E. Cotner. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

WIDE-BOTTOM CONTACT FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150318280A1. Автор: MUN Seong Yeol,JEON Bumhwan,LEE Kijik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Non-planar semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: CN110021664B. Автор: 江国诚,赖志明,刘如淦,林义雄,陈志良,张家豪,吴伟豪,蔡庆威,杨超源,曾健庭,周雷峻. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices with fin-shaped active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US11482523B2. Автор: Jae Hun Jeong,Yoon Seok Lee,Jong Ki JUNG,Chan Geun Ahn,Soo Hun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Packaging substrate having electric power transmitting elements on non-circular core via of core vias and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US12027454B1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US11996451B2. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Two-step process for gapfilling high aspect ratio trenches with amorphous silicon film

Номер патента: US20200051815A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9640671B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US11894465B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20160233344A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Jessica S. Kachian. Дата публикации: 2016-08-11.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20150349077A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Jessica S. Kachian. Дата публикации: 2015-12-03.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20140203327A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9337291B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: WO2014116433A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-07-31.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20180301563A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Non-Planar Semiconductor Devices having Multi-Layered Compliant Substrates

Номер патента: US20160190319A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Zelick Nancy M.,Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Metz Matthew V.,Le Van H.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Non-planar semiconductor devices having multi-layered compliant substrates

Номер патента: CN105493251A. Автор: R·皮拉里塞泰,W·拉赫马迪,H·W·田,S·达斯古普塔,G·杜威,B·舒-金,V·H·勒,J·T·卡瓦列罗斯,R·S·周,M·拉多萨夫列维奇,N·慕克吉,M·V·梅茨,N·M·泽利克. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-13.

Non-planar semiconductor packaging systems and related methods

Номер патента: US11894245B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-planar semiconductor packaging systems and related methods

Номер патента: US20240145266A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

TWO-STEP HYDROGEN ANNEALING PROCESS FOR CREATING UNIFORM NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES AT AGGRESSIVE PITCH

Номер патента: US20130237039A1. Автор: Sleight Jeffrey W.,Bangsaruntip Sarunya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures

Номер патента: WO2011094132A2. Автор: Ji Zhu,Katrina Mikhaylichenko,Amir A. Yasseri,Seokmin Yun,David S.L. Mui. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

SEMI-CONDUCTOR DEVICE WITH A LARGE ASPECT RATIO HAVING PN TRANSITIONS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: DE2450901A1. Автор: Samuel Morry Blumenfeld. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1975-05-07.

Graded buffer epitaxy in aspect ratio trapping

Номер патента: US09496347B1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and apparatus to form silicon-based transistors on group iii-nitride materials using aspect ratio trapping

Номер патента: US20190181265A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Split-gate semiconductor device with L-shaped gate

Номер патента: US09589805B2. Автор: Chun Chen,Scott Bell,Lei Xue,Shenqing Fang,Angela T. Hui. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: US20240105453A1. Автор: Matthew J. Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Ramy Ghostine,Piyush M. Sinha,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: EP4345880A1. Автор: Matthew Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Alison Davis,Reza Bayati,Ramy Ghostine,Swapnadip Ghosh,Piyush Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170345928A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170062612A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with non-isolated power transistor with integrated diode protection

Номер патента: US09559097B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Andreas Laudenbach,Kurt U. Neugebauer,Richard J DeSouza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230290863A1. Автор: Kun-Yu Lin,Chih-Teng Liao,Yu-Ling Ko,Guo-Cheng LYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US20240321954A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including fin capacitors

Номер патента: US09478536B2. Автор: Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Yongwoo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile memory cell in semiconductor device

Номер патента: US09425203B2. Автор: Kunihiko Iwamoto,Bungo Tanaka,Michihiko Mifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Structure to form and integrate high voltage finfet i/o device with nanosheet logic device

Номер патента: US20240105769A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Anthony I. Chou,Charlotte DeWan Adams,Barry Paul Linder,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US12027581B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US09673312B2. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with flowable layer

Номер патента: US20220181438A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Device with dual isolation structure

Номер патента: US20230117591A1. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Richard J. Rassel,Michel J. Abou-Khalil,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device with multiple channels

Номер патента: US7579657B2. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-25.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Boron phosphide-based compound semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode

Номер патента: WO2004051752A3. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Takashi Udagawa. Дата публикации: 2004-12-23.

Boron phosphide-based compound semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode

Номер патента: WO2004051752A2. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device implemented with buried rails

Номер патента: US20220013522A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US12074079B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Devices with adjusted fin profile and methods for manufacturing devices with adjusted fin profile

Номер патента: US12062581B2. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with multiple channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20090275177A1. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor devices with enhanced substrate isolation

Номер патента: US12080799B2. Автор: Jaeduk LEE,Sohyeon LEE,Sungsu Moon,Ikhyung Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09935179B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device with multiple HBTs having different emitter ballast resistances

Номер патента: US09905678B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Partial sacrificial dummy gate with CMOS device with high-k metal gate

Номер патента: US09853116B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-gate FinFET semiconductor device with flexible design width

Номер патента: US09691763B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09653579B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for MOS device with doped region

Номер патента: US09608107B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing a semiconductor switching device with different local cell geometry

Номер патента: US09583395B2. Автор: Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with field electrode and field dielectric

Номер патента: US09530847B2. Автор: Franz Hirler,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for power device with depletion structure

Номер патента: US09455345B2. Автор: Wen-Hsin Lin,Shang-Hui Tu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for fabricating the same

Номер патента: US09443970B2. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: WO2022236026A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

High aspect ratio gates

Номер патента: US20180374707A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

High aspect ratio gates

Номер патента: US20180005833A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Varactor device with backside electrical contact

Номер патента: EP4297098A2. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Said Rami,Nicholas A. Thomson,Vijaya Bhaskara Neeli,Karthik Krishaswamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Varactor device with backside electrical contact

Номер патента: EP4297098A3. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Said Rami,Nicholas A. Thomson,Vijaya Bhaskara Neeli,Karthik Krishaswamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Varactor device with backside electrical contact

Номер патента: US20230420578A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Said Rami,Nicholas A. Thomson,Vijaya Bhaskara Neeli,Karthik Krishaswamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for manufacturing non-planar semiconductor devices having germanium-based active regions with a combined release-etch passivation step.

Номер патента: EP2901488B1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

Non-planar semiconductor device with III-V race's material active area with more dielectric gate stacked bodies

Номер патента: CN104584226B. Автор: R·皮拉里塞泰,G·杜威,B·舒-金,M·拉多萨夫列维奇,N·慕克吉. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH P-N JUNCTION LOCATED IN SUBSTRATE

Номер патента: US20150263089A1. Автор: Wei Andy,SINGH Jagar. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Iii-v semiconductor alloys for use in the subfin of non-planar semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: KR102318743B1. Автор: 타히르 가니,아난드 에스. 머시,잭 티. 카발리에로스,매튜 브이. 메츠,길버트 듀이,찬드라 에스. 모하파트라,윌리 라흐마디,해롤드 더블유. 커넬. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-28.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED FIN WITH TOP BLOCKING LAYER

Номер патента: US20160056293A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Yeh Jeng-Ya D.,Hafez Walid M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (soc) applications

Номер патента: US20170069758A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONFORMING OHMIC CONTACTS

Номер патента: US20200066841A1. Автор: Sagar Ashutosh,GOVINDARAJU Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

METAL RAIL CONDUCTORS FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190165177A1. Автор: Chang Chia-Hao,Lai Chih-Ming,Wu Wei-Hao,Liu Ru-Gun,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,Lin Yi-Hsiung,CHEN Chih-Liang,Chou Lei-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

METAL RAIL CONDUCTORS FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190165178A1. Автор: PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,YANG Hui-Ting,Chou Lei-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Vertical Non-Planar Semiconductor Device for System-on-Chip (SoC) Applications

Номер патента: US20160211369A1. Автор: Jan Chia-Hong,Tsai Curtis,Park Joodong,Yeh Jeng-Ya D.,Hafez Walid M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Non-planar semiconductor device having group iii-v material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US20170221990A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION WITH MULTI-DIELECTRIC GATE STACK

Номер патента: US20160240612A1. Автор: Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A REPLACEMENT CHANNEL STRUCTURE

Номер патента: US20200227539A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,HUANG CHENG-YING,MA Sean,MINUTILLO Nicholas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-16.

METHOD FOR FORMING FIN STRUCTURES FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170263454A1. Автор: Huang Chen-Ming,Huang Rai-Min,Tseng I-Ming,Liang Wen-An,Li Kuan-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: WO2014209289A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-12-31.

Non-planar semiconductor device having channel region with low band-gap cladding layer

Номер патента: KR101950120B1. Автор: 로버트 에스. 차우,라비 필라리세티,닐로이 무케르지,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,길버트 듀이,한 우이 텐,벤자민 추-컹,디판잔 바수,사티아르트 수리. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-04-03.

Non-planar semiconductor device having group iii-v material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: EP3998637A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee,Benjamim CHU-KUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-18.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: CN105493252A. Автор: C·蔡,J·朴,C-H·简,W·M·哈菲兹,J-Y·D·叶. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-13.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (soc) applications

Номер патента: EP3061124A4. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Non-planar semiconductor device having channel region with low band-gap cladding layer

Номер патента: EP2901470A4. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Dipanjan Basu,Satyarth Suri,Robert S Chau,Sanaz K Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-01.

Include the non-planar semiconductor device of the channel region with low band gaps clad

Номер патента: CN107768426A. Автор: R·皮拉里塞泰,H·W·田,G·杜威,B·舒-金,R·S·周,M·拉多萨夫列维奇,S·苏里,N·慕克吉,D·巴苏,S·K·加德纳. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

For III V races semiconducting alloy under non-planar semiconductor device fin and forming method thereof

Номер патента: CN107004711A. Автор: T·加尼,W·拉赫马迪,G·杜威,J·T·卡瓦列罗斯,A·S·默西,M·V·梅茨,C·S·莫哈帕特拉,H·W·肯内尔. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: TW201513358A. Автор: Chia-Hong Jan,Jeng-Ya Yeh,Walid M Hafez,Joo-Dong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Non-planar semiconductor device having group iii-v material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: KR101951131B1. Автор: 라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,닐로이 무커지,마르코 라도사블리예비치,길버트 듀이. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-02-21.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: TW201705309A. Автор: 葉震亞,嘉弘 簡,瓦力德 賀菲斯,柯堤斯 蔡,朴朱東. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-01.

Non-planar semiconductor structure

Номер патента: US8779513B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Aspect ratio trapping (art) for fabricating vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3127163A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-08.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: EP4427264A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: US12074198B2. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device including an epitaxy region

Номер патента: US09595477B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20190189802A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device with diode

Номер патента: US09613951B2. Автор: Tomoko Matsudai,Tsuneo Ogura,Yuuichi OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US09466718B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

STRUCTURE AND METHOD FOR STRESS LATCHING IN NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130187234A1. Автор: Mehta Sanjay,Kanakasabapathy Sivananda K.,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with aluminum nitride anti-deflection layer

Номер патента: EP4115452A1. Автор: George Grama,Michael J. Rondon,Andrew P. Clarke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-11.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor device with metal feature and method of preparation

Номер патента: WO2008079794A1. Автор: Manoj K. Jain,Stephan Grunow,Tae S. Kim. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-07-03.

Vertical memory device with bit line air gap

Номер патента: WO2016048682A2. Автор: Peter Rabkin,Jayavel Pachamuthu,Jilin XIA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-03-31.

Vertical memory device with bit line air gap

Номер патента: US09515085B2. Автор: Peter Rabkin,Jayavel Pachamuthu,Jilin XIA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film device with protective layer

Номер патента: US09935283B2. Автор: Ching-Tzu Chen,Anthony J. Annunziata,Joel D. Chudow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin film device with protective layer

Номер патента: US09728733B2. Автор: Ching-Tzu Chen,Anthony J. Annunziata,Joel D. Chudow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin film device with protective layer

Номер патента: US09484469B2. Автор: Ching-Tzu Chen,Anthony J. Annunziata,Joel D. Chudow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Steam oxidation initiation for high aspect ratio conformal radical oxidation

Номер патента: US11948791B2. Автор: Christopher S. Olsen,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

HIGH PERFORMANCE NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH METAL FILLED INTER-FIN GAPS

Номер патента: US20140061815A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Kanakasabapathy Sivananda. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V SEMICONDUCTOR ALLOYS FOR USE IN THE SUBFIN OF NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180323310A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Stable high voltage semiconductor device structure

Номер патента: US20020068404A1. Автор: Nathan Zommer. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09978879B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION WITH MULTI-DIELECTRIC GATE STACK

Номер патента: US20140332852A1. Автор: Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

UV-assisted dielectric formation for devices with strained germanium-containing layers

Номер патента: US20080078987A1. Автор: Gert Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

3D memory device with modulated doped channel

Номер патента: US12029042B2. Автор: Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130228836A1. Автор: TSAI Teng-Chun,WU Chun-Yuan,LIN Chin-Fu,LIU Chih-Chien,CHIEN Chin-Cheng,LIN CHIEN-TING,Tsai Shih-Hung. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-09-05.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09590107B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and system for a semiconductor device with integrated transient voltage suppression

Номер патента: US09508841B2. Автор: Peter Micah Sandvik,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Avinash Srikrishnan Kashyap,James Jay McMahon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US09385203B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Spacer passivation for high aspect ratio etching of multilayer stacks for three dimensional nand device

Номер патента: WO2014165397A1. Автор: Masanori Terahara,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Hirofumi Watatani,Henry Chien,Yao-Sheng Lee. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device with floating field plates

Номер патента: US09818862B2. Автор: Christopher P. Dragon,Zihao M. Gao,David C. Burdeaux,Hernan A. Rueda,Wayne Robert Burger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Device with Channel Having Varying Carrier Concentration

Номер патента: US20170077278A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20170110546A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device with vertical current flow and low substrate resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120119381A1. Автор: Angelo Magri',Antonio Damaso Maria Marino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20160336408A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20160336395A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with vertical current flow and low substrate resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120119382A1. Автор: Angelo Magri',Antonio Damaso Maria Marino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-17.

Transistor devices with nano-crystal gate structures

Номер патента: US20100155825A1. Автор: Marius K. Orlowski,Tushar P. Merchant,Chun-Li Liu,Matthew W. Stoker. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with improved junction termination extension

Номер патента: US20240266388A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices with crystallized channel regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230261075A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with improved junction termination extension (jte)

Номер патента: EP4415050A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Reduction of defect induced leakage in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09905637B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with variable resistive element

Номер патента: US09691887B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Reduction of defect induced leakage in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09583562B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US09543386B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device with Slotted Backside Metal for Improving Q Factor

Номер патента: US20180331031A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,you-cheng Lai. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with electron supply layer

Номер патента: US09786743B2. Автор: Akira Endoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608122B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of making transistor devices with elevated source/drain regions to accommodate consumption during metal silicide formation process

Номер патента: US09490344B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor Device with Field Plate and Method

Номер патента: US20080296694A1. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device with improved on-resistance

Номер патента: US20120217580A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-08-30.

THRESHOLD VOLTAGE CONTROL FOR MIXED-TYPE NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160049400A1. Автор: Pal Rohit,Liu Yiqun,Xiao Changyong,Triyoso Dina H.,TOGO Mitsuhiro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Embedded precision resistor for non-planar semiconductor device architectures

Номер патента: US20200105861A1. Автор: Shi Liu,Bernhard Sell,Chieh-Jen Ku,Kinyip PHOA,Leif Paulson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Embedded precision resistor for non-planar semiconductor device architectures

Номер патента: US11973105B2. Автор: Shi Liu,Bernhard Sell,Chieh-Jen Ku,Kinyip PHOA,Leif Paulson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20020127851A1. Автор: Takaaki Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device with a multilayer wiring

Номер патента: US6143651A. Автор: Marian N. Webster,Albertus G. Dirks. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor devices having multi-width isolation layer structures

Номер патента: US20130126814A1. Автор: Dae-won Kim,Yong-Kwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with heat-dissipating lead frame

Номер патента: US09355945B1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6593611B1. Автор: Kiyoshi Mori,Yutaka Inaba,Junichi Tsuchimoto,Tamotu Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Buried power rail via with reduced aspect ratio discrepancy

Номер патента: US20240162151A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with wettable corner leads

Номер патента: US09847283B1. Автор: Xue Ke,Sven Walczyk,Kan Wae Lam,Wai Keung Ho,Wing Onn Chaw. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Method for preparing semiconductor device structure with conductive plugs of different aspect ratios and manganese-containing lining layer

Номер патента: US12014986B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20070273012A1. Автор: Hiroko Ikuta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Microelectronic devices with conductive extensions between upper staircase steps and their contacts, and related methods

Номер патента: US20240274538A1. Автор: Chieh Hsien Quek,David A. Daycock,Biow Hiem Ong,Chii Wean Calvin Chen,Christian George Emor,Wing Yu Lo. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Microelectronic devices with a polysilicon structure above a staircase structure, and related methods

Номер патента: US20230361053A1. Автор: Lifang Xu,Jivaan Kishore Jhothiraman,John M. Meldrim. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

High aspect ratio via fill process employing selective metal deposition and structures formed by the same

Номер патента: US12087626B2. Автор: Kensuke Ishikawa,Fumitaka Amano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with protective structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371780A1. Автор: Jun He,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with doped region dielectric layer

Номер патента: US20240371688A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with encapsulated lead frame contact area and related methods

Номер патента: US09490146B2. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with bump stop structure

Номер патента: US09379075B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US5512498A. Автор: Yutaka Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: SG11201810982UA. Автор: Mustafa Badaroglu,Da YANG,Periannan Chidambaram,Jeffrey XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Advanced pitch interconnects with multiple low aspect ratio segments

Номер патента: US20240213087A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods for filling high aspect ratio features on substrates

Номер патента: WO2013163081A1. Автор: Michael G. Ward,Igor Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09978683B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09806022B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09660015B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with sloped sidewall and related methods

Номер патента: US09627224B2. Автор: Godfrey Dimayuga,Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US09472492B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device with composite contact structure

Номер патента: US20230402388A1. Автор: Po-Hung Chen,Yu-Chang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: US20180033729A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: EP3491668A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-05.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: WO2018022244A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with open cavity and method therefor

Номер патента: EP4235767A3. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: EP1897131A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20190326219A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11929409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device with reliable connection between projective electrode and conductive wire of the substrate

Номер патента: US6344372B1. Автор: Takatoshi Suzuki,Rieka Ohuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of fabricating semiconductor device with STI structure

Номер патента: US7572713B2. Автор: Takanori Matsumoto,Katsuya Ito,Hiroaki Tsunoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20240203839A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with re-fill layer

Номер патента: US12100634B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with a partial shielding layer and a method for making the same

Номер патента: US20240355643A1. Автор: Seunghyun Lee,Seonghwan Park,Bom Lee,InHo Seo. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with electromagnetic shield

Номер патента: US09991228B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for making semiconductor device with lead frame made from top and bottom components and related devices

Номер патента: US09947636B2. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09741688B2. Автор: Ming-Tsun LIN,Chao-Yang Yeh,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball

Номер патента: US09735101B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US09570390B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball and related method of production

Номер патента: US09553039B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing semiconductor device with a barrier layer having overhung portions

Номер патента: US09502303B2. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with external connection bumps

Номер патента: US09472526B2. Автор: Shinya Suzuki,Kiichi Makuta. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-10-18.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: WO2016186788A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US10229858B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US20170148698A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

High aspect ratio deposition

Номер патента: WO2019060069A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Electronic devices with diffusion barrier and process for making same

Номер патента: WO2001084627A2. Автор: Kevin A. Boulais,Francisco Santiago,Tak Kin Chu. Владелец: The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: WO2007001296A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Secondary use of aspect ratio trapping holes as eDRAM structure

Номер патента: US09496343B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

SECONDARY USE OF ASPECT RATIO TRAPPING HOLES AS eDRAM STRUCTURE

Номер патента: US20160155805A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Electrically programmable device with embedded eeprom and method for making thereof

Номер патента: US20100276745A1. Автор: Zhen Yang,Sheng-He Huang,Yi-Peng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Voltage-clipping device with high breakdown voltage

Номер патента: US20070290276A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang,You-Kuo Wu,Long Shih Lin. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with breakdown preventing layer

Номер патента: US09741802B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device

Номер патента: US09674470B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US09553205B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon-on-insulator device with floating collector

Номер патента: WO1996013862A1. Автор: Torkel Bengt Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1996-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with embedded cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US9595588B1. Автор: Shen-De Wang,Ko-Chi Chen,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Small aspect ratio mmic power amplifier layout

Номер патента: WO2003005567A1. Автор: Stephen R. Nelson. Владелец: Nanowave, Inc.. Дата публикации: 2003-01-16.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US20240224673A1. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US20160056151A1. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Trench-gate planar-gate semiconductor device with monolithically integrated schottky barrier diode and junction schottky barrier diode

Номер патента: WO2024183928A1. Автор: Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with transistor cells and enhancement cells with delayed control signals

Номер патента: US09997602B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Device with channel having varying carrier concentration

Номер патента: US09991372B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US09941346B2. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Desaturable semiconductor device with transistor cells and auxiliary cells

Номер патента: US09899478B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Power semiconductor device with voltage clamp circuit

Номер патента: US20240178830A1. Автор: Kennith Kin Leong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Efficient carrier injection in a semiconductor device

Номер патента: WO2008016828A2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with trench field plate

Номер патента: WO2006085267A3. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: John Petruzzello. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with function of modulating gain coefficient and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20030006438A1. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260556A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US12100768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroaki Honda,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device with sense terminal

Номер патента: US12113041B2. Автор: Toshiyuki Hata,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with superjunction structure and transistor cells in a transition region along a transistor cell region

Номер патента: US09954056B2. Автор: Franz Hirler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection

Номер патента: US09917080B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with six transistors forming a NAND circuit

Номер патента: US09601510B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices with switchable ground-body connection

Номер патента: US09590674B2. Автор: Chris Olson. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US20240379667A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09484467B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09454923B2. Автор: Kiyoshi Kato,Hidetomo Kobayashi,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with six transistors forming a nor circuit

Номер патента: US09449988B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230378289A1. Автор: Kyung Soo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Device, Display Apparatus, and Electronic Device

Номер патента: US20240237435A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: US20240204764A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Power semiconductor device with current sense capability

Номер патента: WO2007005654A2. Автор: Vincent Thiery. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US20230395489A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Photovoltaic Devices with Enhanced Efficiencies Using High-Aspect Ratio Nanostructures

Номер патента: US20140041718A1. Автор: Oki Gunawan,Supratik Guha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Thermal conductive silicone composition and semiconductor device

Номер патента: US12107031B2. Автор: Kunihiro Yamada,Kenichi Tsuji,Shota Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040130028A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with guard ring coupled resonant circuit

Номер патента: US09705466B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Yen-Jen Chen,Hsieh-Hung HSIEH,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Semiconductor device with pad structure resistant to plasma damage and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014154A1. Автор: Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Device with integration of light-emitting diode, light sensor, and bio-electrode sensors on a substrate

Номер патента: US20200044113A1. Автор: Jia Chen,Hariklia Deligianni,Devendra Sadana,Steve Holmes,Stephen W. Bedell,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semi-conductor device with programmable response

Номер патента: US20160197296A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with programmable response

Номер патента: US20160197294A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor devices with varying support structures and data storage systems including the same

Номер патента: US12137560B2. Автор: Jongsoo Kim,Wonseok Cho,Juyoung Lim,HangKyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Thermal conductive silicone composition, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12060517B2. Автор: Shota Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09927654B2. Автор: Masami Jintyou,Yamato Aihara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Optical element and organic light-emitting device with optical element

Номер патента: US09772515B2. Автор: Johannes Rosenberger,Thomas Wehlus,Daniel Riedel,Arne Fleiβner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-09-26.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device redistribution layer with narrow trace width relative to passivation layer opening

Номер патента: US09716071B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a stoichiometric gradient

Номер патента: US09589635B2. Автор: Geoffrey W. Burr,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan,Kumar R. Virwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Molded device with anti-delamination structure providing multi-layered compression forces

Номер патента: US09397053B2. Автор: Yueping Ye,Lourdito OLLERES,Man Kai CHEUNG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2016-07-19.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2019162442A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2019-08-29.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A9. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-10-26.

Semiconductor devices with flexibility in capacitor design for power noise reduction

Номер патента: EP4084065A1. Автор: Chang Liang,Jinghao Chen,Yung-Ching Chen,Zhigang Duan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with stacked power converter

Номер патента: EP2647047A1. Автор: Bernard J. New. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A3. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-12-13.

Photovoltaic devices with textured glass superstrate

Номер патента: WO2012033897A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Roman Gouk,Kurtis LESCHKIES,Robert Visser. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

System and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170084666A1. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Packaged semiconductor devices with multi-use input contacts and related methods

Номер патента: US09893007B2. Автор: Kentaro Iyoshi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US09569996B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: US09559086B2. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with metal fill by treatment of mobility layers including forming a refractory metal nitride using TMEDT

Номер патента: US6984874B2. Автор: John H. Givens,Russell C. Zahorik,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-10.

Imaging device with uniform photosensitvie region array

Номер патента: US20200350348A1. Автор: Seiji Takahashi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP3756227A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2020-12-30.

FET semiconductor device with partial annular gate electrodes

Номер патента: EP1863088A3. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-24.

Semi-conductor device with test element group for evaluation of interlayer dielectric and process for producing the same

Номер патента: US20020009815A1. Автор: Satoshi Shimizu,Tsuyoshi Sugihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Optical semiconductor device with composite intervening structure

Номер патента: US12046620B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with protective functions

Номер патента: EP1366552A2. Автор: Takeshi c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD NOBE,Shigeo c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD AKIYAMA,Noriteru c/o MATSUSHITA ELEC. WORKS LTD FURUMOTO,Takuya c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD SUNADA. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor device with passive magneto-electric transducer

Номер патента: US12046685B2. Автор: Appo Van Der Wiel,Jeroen Didden. Владелец: Melexis Bulgaria EOOD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and test method for manufacturing same

Номер патента: US20040048402A1. Автор: Junya Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US12057393B2. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor device with cooling member

Номер патента: US12074088B2. Автор: Takahiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20190326208A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20210159161A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20230282564A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US11658108B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-23.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US10910302B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor device with multipurpose pad

Номер патента: US20080088334A1. Автор: Chae-Kyu Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Optical semiconductor device with cascade vias

Номер патента: US12107175B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with integrated decoupling and alignment features

Номер патента: US12113028B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Optical semiconductor device with composite intervening structure

Номер патента: US20240332334A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device with surface integrated focusing element and method of producing a semiconductor device with focusing element

Номер патента: US09947711B2. Автор: Rainer Minixhofer,Martin Schrems,Sara Carniello. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Silicon microphone with high-aspect-ratio corrugated diaphragm and a package with the same

Номер патента: US09930453B2. Автор: Quanbo Zou,Zhe Wang. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices with redistribution pads

Номер патента: US09859204B2. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Ae-nee JANG,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection device near the edge of the chip

Номер патента: US09812408B2. Автор: Shigeru Hirata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Resin composition, resin sheet, and production method for semiconductor device

Номер патента: US09738763B2. Автор: Kazuyuki Matsumura,Toshihisa Nonaka,Yoichi Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with integrated antenna

Номер патента: US09698110B2. Автор: Motoi Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, adjustment method thereof and data processing system

Номер патента: US09564203B2. Автор: Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with structural stability

Номер патента: US09530742B1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Bo Kim,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

3D semiconductor device with enhanced performance

Номер патента: US09524984B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector

Номер патента: US09419185B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with semiconductor chip and wiring layers

Номер патента: US09312216B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Packaged semiconductor device with interior polygonal pads

Номер патента: EP2881984A3. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Kan Wae Lam,Fei-ying WONG,Clifford John Lloyd,Chi Hoo Wan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-08.

Semiconductor device with electrically coupled spiral inductors

Номер патента: US20030102517A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor devices with a structure capable of suppressing coupling noise suppression

Номер патента: US20240038690A1. Автор: Chun-Yuan Yeh,Yen-Ju Lu,Sheng-Mou Lin,Ruey-Bo Sun,Po-Jui Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth

Номер патента: US09401583B1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with carrier blocking layers

Номер патента: US20200203929A1. Автор: Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with carrier blocking layers

Номер патента: EP3671981A1. Автор: Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-24.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with a regrown fin structure

Номер патента: US20200203930A1. Автор: Bernardette Kunert,Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck,Maria Ioanna Pantouvaki,Nadezda Kuznetsova. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Color CRT device with deflection yoke

Номер патента: US5801480A. Автор: Takeo Kawaguchi,Makoto Iwagami,Masumi Yuasa,Hisanobu Tokunaga. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Electron emitter device with integrated multi-pole electrode structure

Номер патента: US20150076988A1. Автор: Mehran Nasser-Ghodsi,Thomas Plettner. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Electron emitter device with integrated multi-pole electrode structure

Номер патента: US09793089B2. Автор: Mehran Nasser-Ghodsi,Thomas Plettner. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Patterned magnetoresistive (MR) device with adjacent flux absorbing stripes

Номер патента: US09910107B2. Автор: Yuchen Zhou,Yimin Guo. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120013342A1. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method to manufacture semiconductor device with optical grating

Номер патента: US20120094402A1. Автор: Yutaka Oonishi,Katsumi Uesaka,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

Electronic device for displaying visual object associated with aspect ratio of combinations of projection areas and method thereof

Номер патента: US20240214532A1. Автор: Yongjin So,Jeongmin Son,Soungmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Electronic devices with translating flexible display and corresponding methods

Номер патента: GB2625424A. Автор: Sisodia Rohit,Vashist Sridhar,Ellen Thomas Kathryn,Grace Valasek Alexis,Kumar Poluru Venkata Sanjeev. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Interpolation method for a video signal, and display device with function of interpolation for a video signal

Номер патента: EP1153507A1. Автор: Satoshi Hirano,Masaru Yasui,Takeo Kamiya. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-14.

Interpolation method for a video signal, and display device with function of interpolation for a video signal

Номер патента: WO2001041429A1. Автор: Satoshi Hirano,Masaru Yasui,Takeo Kamiya. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-07.

Interpolation method for a video signal, and display device with function of interpolation for a video signal

Номер патента: EP1153507B1. Автор: Satoshi Hirano,Masaru Yasui,Takeo Kamiya. Владелец: TPO Hong Kong Holding Ltd. Дата публикации: 2011-01-05.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US20240251576A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US12101948B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Three dimensional NAND memory device with novel support structures

Номер патента: US12144175B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Electronic Devices with Translating Flexible Display and Corresponding Methods

Номер патента: US20240129398A1. Автор: Rohit Sisodia,Kathryn Ellen Thomas,Sridhar Vashist,Alexis Grace Valasek,Sanjeev Kumar Poluru Venkata. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with anti-shake control function

Номер патента: US20090141133A1. Автор: Hideki Hirayama,Tomofumi Watanabe. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method and Apparatus for Aspect-Ratio Dependent Filtering for Intra-Prediction

Номер патента: US20210160491A1. Автор: Jianle Chen,Vasily Alexeevich RUFITSKIY,Alexey Konstantinovich FILIPPOV. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Aspect ratio conversion for automated image generation

Номер патента: US20240297957A1. Автор: Pavel Savchenkov,Jian Ren,Arnab Ghosh,Sergey Smetanin,Mykyta Bakunov. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Aspect ratio enhancement

Номер патента: US20110279729A1. Автор: Scott C. Harris. Владелец: Harris Technology LLC. Дата публикации: 2011-11-17.

Method and apparatus for dynamically adjusting aspect ratio of images during a video call

Номер патента: US20140375758A1. Автор: Gil Osher,Itay Bianco,Sagie Machlin,Ido MINTZ. Владелец: VONAGE NETWORK LLC. Дата публикации: 2014-12-25.

Aspect ratio conversion for automated image generation

Номер патента: WO2024182144A1. Автор: Pavel Savchenkov,Jian Ren,Arnab Ghosh,Sergey Smetanin,Mykyta Bakunov. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor memory devices with improved performance

Номер патента: US20240341075A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Signaling changes in aspect ratio of media content

Номер патента: US12069323B2. Автор: Peter Shintani,Adam Goldberg. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Variable aspect ratio media screen frame

Номер патента: US09880456B1. Автор: Robert Yellin,Dan Poirier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for encoding alternative streams of video for playback on playback devices having predetermined display aspect ratios and network connection maximum data rates

Номер патента: US09510031B2. Автор: Kourosh Soroushian,Auke Sjoerd van der Schaar. Владелец: Sonic IP LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Video display system for displaying wide, and standard, aspect ratio video signals

Номер патента: CA1300738C. Автор: Robert Adams Dischert,David Lee Jose,Spyros William Tsokas. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Dynamically controlled aspect ratios for communication session video streams

Номер патента: US20210203879A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner,Kevin Daniel MORRISON,Amey Parandekar,Ruchir Astavans,Timur Aleshin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Dynamically controlled aspect ratios for communication session video streams

Номер патента: WO2021133513A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner,Kevin Daniel MORRISON,Amey Parandekar,Ruchir Astavans,Timur Aleshin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Dynamically controlled aspect ratios for communication session video streams

Номер патента: EP4081901A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner,Kevin Daniel MORRISON,Amey Parandekar,Ruchir Astavans,Timur Aleshin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-02.

Aspect ratio error recognition

Номер патента: EP3742392A1. Автор: leonid Sigal,Erika Elizabeth VARIS DOGGETT,Anna M. C. Wolak. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Aspect ratio error recognition

Номер патента: US20200374585A1. Автор: leonid Sigal,Erika Elizabeth VARIS DOGGETT,Anna M.C. WOLAK. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Dynamic configuration of communication video stream arrangements based on an aspect ratio of an available display area

Номер патента: EP4091320A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-23.

Risers including a plurality of high aspect ratio electrical conduits and systems and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: WO2013039957A3. Автор: Eric Hill,Kurt Schultz,Mike Jolley,Koby L. Duckworth,Jody CURTIS. Владелец: Cascade Microtech, Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

Aspect ratio enhancement

Номер патента: US20140320741A1. Автор: Scott C. Harris. Владелец: Harris Technology LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Systems and methods for identifying a video aspect-ratio frame attribute

Номер патента: US09992445B1. Автор: Hank J. Hundemer,Dana A. Lasher. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with output driver pre-emphasis scheme

Номер патента: US09722582B2. Автор: Hae-Kang JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for identifying a video aspect-ratio frame attribute

Номер патента: US09621844B1. Автор: Dana A. Lasher,Hank J Hundemer. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Aspect ratio validation

Номер патента: US09594947B1. Автор: Charles Benjamin Franklin Waggoner,Srikanth Kotagiri. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Display subpixels having multiple emissive areas with high aspect ratios

Номер патента: US11968858B2. Автор: David James Montgomery,Hywel HOPKIN. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Aspect ratio modifying imaging systems and methods

Номер патента: US11982797B2. Автор: Michael D. Walters,Alan D. Kathman,David Ovrutsky. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Aspect ratio modifying imaging systems and methods

Номер патента: EP3963878A1. Автор: Michael D. Walters,Alan D. Kathman,David Ovrutsky. Владелец: Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Aspect ratio modifying imaging systems and methods

Номер патента: WO2020223047A1. Автор: Michael D. Walters,Alan D. Kathman,David Ovrutsky. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-11-05.

Distributed Acoustic Sensing for Passive Ranging Optical Computing Device Having Detector With Non-Planar Semiconductor Structure

Номер патента: US20160274077A1. Автор: Perkins David L.. Владелец: Halliburton Energy Services, Inc.. Дата публикации: 2016-09-22.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Device with field-modifying structure

Номер патента: EP1139110A3. Автор: Raju R. Viswanathan,Raghu Ragavahan. Владелец: Image Guided Neurologics Inc. Дата публикации: 2002-07-17.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Micro-nano 3d printing device with multi-nozzles jet deposition driven by electric field of single flat plate electrode

Номер патента: US20230226760A1. Автор: Quan Xu,Jiawei ZHAO,Guangming Zhang,Xiaoyang Zhu,Hongbo Lan,Dichen Li,Jiankang HE. Владелец: Qingdao 5D Intelligent Additive Manufacturing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Flexible image aspect ratio using machine learning

Номер патента: US20240311960A1. Автор: Han Xu,XIAO Feng,Dilip Krishnan,Huiwen Chang,Mengjie WANG,Yuanzhen Li,Yihui WANG,Omer Gimenez,AJ Maschinot. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Flexible image aspect ratio using machine learning

Номер патента: WO2023221093A1. Автор: Han Xu,XIAO Feng,Omer Gimenez Llach,Dilip Krishnan,Huiwen Chang,Mengjie WANG,Yuanzhen Li,Yihui WANG,AJ Maschinot. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Flexible image aspect ratio using machine learning

Номер патента: EP4298591A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device with reduced crosstalk between lines

Номер патента: US5060189A. Автор: Yoshiji Ota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Determining bit aspect ratios for partially-overlapping magnetic recording tracks

Номер патента: US20190013045A1. Автор: Utt Heng Kan,Jose Mari Corral Toribio,Edmun Chian Song Seng,Det Hau Wu,Lin Nah Lim,Luh Chyuan Lau,Meng Suan June Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Multi-Layer, Multi-Material Micro-Scale and Millimeter-Scale Devices with Enhanced Electrical and/or Mechanical Properties

Номер патента: US20140134453A1. Автор: Young Kim,Ananda H. Kumar,Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Ming Ting Wu,Rulon J. Larsen, III. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nanopatterned medical device with enhanced cellular interaction

Номер патента: US12017031B2. Автор: Russell Frederick Ross. Владелец: Sorrento Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US09753218B2. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties

Номер патента: US09671429B2. Автор: Young Kim,Ananda H. Kumar,Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Ming Ting Wu,Rulon J. Larsen, III. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Sensor device with inductors

Номер патента: US09529022B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Takasuke Hashimoto,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and control method for reading instructions

Номер патента: US09477594B2. Автор: Takao Kusano. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Data storage device with bit patterned media with staggered islands

Номер патента: EP1855273A3. Автор: Dieter Klaus Weller,Hans Jurgen Richter,Alexander Yulievich Dobin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2008-07-16.

Semiconductor device with variable pin locations

Номер патента: US20020190347A1. Автор: Ho Nguyen,Frederick Fischer,Kenneth Fitch,Scott Segan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Aspect ratio validation

Номер патента: US10235570B1. Автор: Charles Benjamin Franklin Waggoner,Srikanth Kotagiri. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09972389B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09633710B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: US09556580B2. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of producing nickel-bearing nanorods with controlled aspect ratio

Номер патента: RU2724264C1. Автор: Дмитрий Львович Загорский,Илья Михайлович Долуденко,Дарья Борисовна Трушина,Иван Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2020-06-22.

Apparatus and method for displaying browser graphic according to aspect ratio

Номер патента: WO2004077288A1. Автор: Kil-Soo Jung,Hyun-Kwon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-09-10.

Apparatus and method for displaying browser graphic according to aspect ratio

Номер патента: EP1599791A1. Автор: Kil-Soo Jung,Hyun-Kwon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Image cropping and processing method for adjusting aspect ratio, electronic device, terminal device in communication with the electronic device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20240202929A1. Автор: Pin-Yu Chou,Yueh-Hua LEE,Hui-Mei Hung,Hao-Hsin Lo. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Resonant clock and interconnect architecture for digital devices with multiple clock networks

Номер патента: WO2008148044A3. Автор: Marios C Papaefthymiou,Alexander T Ishii. Владелец: Alexander T Ishii. Дата публикации: 2009-02-12.

Memory device with charge-recycling arrangement

Номер патента: US20210295881A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Apparatus and method for contacting device with delicate light-transparent pane

Номер патента: US20040084765A1. Автор: Gary Wells,Stephen Childress. Владелец: Nptest Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09778725B2. Автор: Tsuyoshi Kuroiwa,Shigeru Ota. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for combined transformation of the scale and aspect ratio of a picture

Номер патента: US09747863B2. Автор: Marina Nicolas. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Satellite having multiple aspect ratios

Номер патента: WO2012108908A1. Автор: Walter Gelon. Владелец: SPACE SYSTEMS/LORAL, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

LCD controller to hold a fixed image aspect ratio

Номер патента: US20040217982A1. Автор: Ming Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Pneumatic tire with tread including blocks having approximately equal aspect ratios

Номер патента: US7404423B2. Автор: Takayuki Suzuki,Toshiro Oyama. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

STRUCTURE AND METHOD FOR STRESS LATCHING IN NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120018730A1. Автор: Mehta Sanjay,Kanakasabapathy Sivananda K.,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

TWO-STEP HYDROGEN ANNEALING PROCESS FOR CREATING UNIFORM NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES AT AGGRESSIVE PITCH

Номер патента: US20130237038A1. Автор: Sleight Jeffrey W.,Bangsaruntip Sarunya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-12.

DOPING A NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140054679A1. Автор: YEN Tzu-Shih,TANG Daniel. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CHANNEL REGION WITH LOW BAND-GAP CLADDING LAYER

Номер патента: US20140084239A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Suri Satyarth,GARDNER Sanaz K.,Basu Dipanjan. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION WITH MULTI-DIELECTRIC GATE STACK

Номер патента: US20140084343A1. Автор: Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

PRECISION RESISTOR FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE ARCHITECTURE

Номер патента: US20140084381A1. Автор: Jan Chia-Hong,Tsai Curtis,Park Joodong,Yeh Jeng-Ya D.,Hafez Walid M.,Vandervoorn Peter J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM-BASED ACTIVE REGION WITH RELEASE ETCH-PASSIVATION SURFACE

Номер патента: US20140091279A1. Автор: Rachmady Willy,JR. Robert B.,KACHIAN Jessica S.,TURKOT. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

PLASMA DOPING A NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140097487A1. Автор: YEN Tzu-Shih,TANG Daniel,CHENG Tsungnan. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130056827A1. Автор: TSAI Teng-Chun,WU Chun-Yuan,LIN Chin-Fu,LIU Chih-Chien,CHIEN Chin-Cheng,LIN CHIEN-TING,Tsai Shih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

Gear for packing of semiconductor devices with unidirectional leads located in one plane between belts

Номер патента: RU2028030C1. Автор: А.Д. Кузьмин. Владелец: Кузьмин Анатолий Дмитриевич. Дата публикации: 1995-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.