POWER REGULATION FOR MEMORY SYSTEMS

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Node-precise voltage regulation for a mos memory system

Номер патента: WO1999000797A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-25.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20210217482A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20230005551A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20240096425A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Power regulation for memory systems

Номер патента: EP4073797A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

External power functionality techniques for memory devices

Номер патента: US11823747B2. Автор: Lei Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US20230253017A1. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US12087384B2. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Sub-threshold enabled flash memory system

Номер патента: US09779788B1. Автор: Christophe J. Chevallier,Scott Hanson,Daniel M. Cermak. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Imprint management for memory

Номер патента: WO2021061359A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Imprint management for memory

Номер патента: US20220044759A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Imprint management for memory

Номер патента: EP4035158A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint management for memory

Номер патента: US20210090680A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Imprint management for memory

Номер патента: US20230253064A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

On-chip power regulation circuitry and regulation method thereof

Номер патента: WO2021191321A1. Автор: Sean Lord,Soeren Steudel. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2021-09-30.

On-chip power regulation circuitry and regulation method thereof

Номер патента: EP4128238A1. Автор: Sean Lord,Soeren Steudel. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2023-02-08.

On-chip power regulation circuitry and regulation method thereof

Номер патента: US20230144565A1. Автор: Sean Lord,Soeren Steudel. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Driver circuit for memory devices

Номер патента: US09866206B2. Автор: Soenke Ostertun,Maurits Storms,Frantisek Cevela. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-01-09.

Reduced signal level support for memory devices

Номер патента: US20090003112A1. Автор: Jeffrey E. Smith,John F. Zumkehr,James E. Chandler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Management method for nonvolatile memory system following power-off

Номер патента: US09431069B2. Автор: Taekkyun Lee,Wonchuri Zoo,Jinhyuk Kim,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Power stabilization for memory systems

Номер патента: US20240143201A1. Автор: YANG LU,Junxian Ding. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Power supply control system for memory systems

Номер патента: US4151611A. Автор: Keiji Namimoto,Mutsuo Sugawara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-04-24.

Dynamic voltage supply for memory circuit

Номер патента: US20240126685A1. Автор: Hua Tan,Junjun Wang,De Hua Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Data masking for memory

Номер патента: US12050784B2. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20180151202A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20170162233A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20120294100A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: EP2712445A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: WO2012158223A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Vadim Smolyakov. Владелец: Gulak, Glenn. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20150023122A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20190139584A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9881653B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9576614B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US11862221B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Data masking for memory

Номер патента: US20230350582A1. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Techniques to refresh memory systems operating in low power states based on temperature

Номер патента: US12051458B2. Автор: Christopher Joseph Bueb,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Voltage regulator for memory device

Номер патента: US5706240A. Автор: Guido Torelli,Carlo Fiocchi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-01-06.

Apparatus for memory control

Номер патента: US20200066322A1. Автор: Masazumi Maeda,Kazuko HIGURASHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Linear programming based decoding for memory devices

Номер патента: US09424945B2. Автор: Xudong Ma. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Lifetime markers for memory devices

Номер патента: US20110242901A1. Автор: Todd Marquart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Electronic device, over-erase detection and elimination methods for memory cells

Номер патента: US11862259B2. Автор: Ying Sun,Hong Nie. Владелец: China Flash Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2024-01-02.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US20140211569A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US9117524B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US8762630B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US20130311714A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: EP2751659A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Determining offsets for memory read operations

Номер патента: US12027213B2. Автор: Jie Zhou,Xiangang Luo,Guang Hu,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory systems

Номер патента: US09747993B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09646703B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09437286B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Write protection circuit for memory and display apparatus

Номер патента: US11386943B2. Автор: Beizhou HUANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Determining offsets for memory read operations

Номер патента: US20240120011A1. Автор: Jie Zhou,Xiangang Luo,Guang Hu,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US20220223211A1. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Memory system and method for power management using a token bucket

Номер патента: US09418712B1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory Systems and Methods Involving High Speed Local Address Circuitry

Номер патента: US20160196858A1. Автор: Patrick Chuang,Lee-Lean Shu,Mu-Hsiang Huang. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US09966142B2. Автор: Gary B. Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory systems and methods involving high speed local address circuitry

Номер патента: US09613670B2. Автор: Patrick Chuang,Lee-Lean Shu,Mu-Hsiang Huang. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US20110191552A1. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US20100020619A1. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US7936609B2. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Interrupt mode or polling mode for memory devices

Номер патента: US11886749B2. Автор: Federica Cresci,Nicola Del Gatto,Massimiliano Turconi,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US11657878B2. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Memory System and Method for Power Management

Номер патента: US20160370841A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-22.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory sub-system for memory cell in-field touch-up

Номер патента: US20240152279A1. Автор: Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20210174875A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-06-10.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20180301194A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-10-18.

Systems, devices and methods for memory operations

Номер патента: US09502122B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Gu-Huan Li,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Automated voltage demarcation (vdm) adjustment for memory device

Номер патента: US20230410878A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory and a data path architecture for memory addressing

Номер патента: EP4224325A1. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US11869592B2. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US20200227118A1. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Error control for memory device

Номер патента: US20220310189A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Error control for memory device

Номер патента: WO2021252163A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-16.

Error control for memory device

Номер патента: US20210383888A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Shaping codes for memory

Номер патента: WO2014081632A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-30.

Shaping codes for memory

Номер патента: US20150178158A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Overwriting at a memory system

Номер патента: US11755237B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413571A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

Managing operations in memory systems

Номер патента: EP4453707A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system performance configuration

Номер патента: US09442842B2. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US20170010975A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US20230317134A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Packaging of high performance system topology for NAND memory systems

Номер патента: US09728526B2. Автор: Eugene Jinglun Tam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods and apparatus for memory calibration

Номер патента: US20070027650A1. Автор: Tolga Ozguner,Paul Ganfield,Brian McKevett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230043306A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: EP3377974A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: WO2017087076A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-26.

Techniques to adapt dc bias of voltage regulators for memory devices as a function of bandwidth demand

Номер патента: EP3767430A1. Автор: Setul M. Shah,William SHELUNG,Ohruval PATEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: US09965352B2. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Pulse mechanism for memory circuit interruption

Номер патента: US20170212849A1. Автор: Abhijeet Manohar,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-27.

Pulse mechanism for memory circuit interruption

Номер патента: US20150187399A1. Автор: Abhijeet Manohar,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-07-02.

Pulse mechanism for memory circuit interruption

Номер патента: US09620182B2. Автор: Abhijeet Manohar,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Techniques and devices to reduce bus cross talk for memory systems

Номер патента: US20240321340A1. Автор: Martin Brox,Natalija Jovanovic,Milena Tsvetkova Ivanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques and devices to reduce bus cross talk for memory systems

Номер патента: WO2024205813A1. Автор: Martin Brox,Natalija Jovanovic,Milena Tsvetkova Ivanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system with selectively interfaceable memory subsystem

Номер патента: US20210382840A1. Автор: YANG LU,Qing Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system with selectively interfaceable memory subsystem

Номер патента: US20220318176A1. Автор: YANG LU,Qing Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US20240069784A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Decoder for memory system and method thereof

Номер патента: US20210103494A1. Автор: Fan Zhang,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Assist circuit for memory

Номер патента: US09685208B2. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Eric A. KARL,Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US11929107B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Determining read voltages for memory systems

Номер патента: US20230153198A1. Автор: Yu-Ming Huang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: EP4035010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: WO2021061365A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Predictive timing calibration for memory devices

Номер патента: WO2001085884A3. Автор: Brian Johnson,Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: US20150012786A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Optimizing fuseROM usage for memory repair

Номер патента: US09852810B2. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Conditional reference voltage calibration of a memory system in data transmisson

Номер патента: US09672882B1. Автор: Robert E. Jeter,Rakesh L. Notani. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20240112710A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US11557371B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Connection designs for memory systems

Номер патента: US20240039185A1. Автор: Wei Yu,Ling Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210090681A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Signal sensing circuits for memory system using dynamic gain memory

Номер патента: US5646883A. Автор: Wolfgang Krautschneider,Klaus J. Lau. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-08.

Adaptive data encoding for memory systems

Номер патента: WO2023211613A1. Автор: Jungwon Suh,Bohuslav Rychlik,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Michael Hawjing Lo,Engin Ipek,Hamza Omar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and method for memory calibration averaging

Номер патента: US09666264B1. Автор: Robert E. Jeter,Rakesh L. Notani,Xingchao C. Yuan,Kai Lun Hsiung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Switching circuit for memory devices

Номер патента: US4627035A. Автор: Kenji Yashiro. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1986-12-02.

Bad bit register for memory

Номер патента: US20180373589A1. Автор: John K. DeBrosse,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Encoding method and system for memory device including qlc cells

Номер патента: US20190213074A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Grouping bits of a code word for memory device operations

Номер патента: US11182241B2. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Interface protocol configuration for memory

Номер патента: US11749318B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Data buffer for memory devices with memory address remapping

Номер патента: US20230072394A1. Автор: Steven C. Woo,Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-03-09.

Power saving techniques for memory systems

Номер патента: EP3423947A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Power saving techniques for memory systems

Номер патента: US20170255394A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Power saving techniques for memory systems

Номер патента: WO2017152005A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-08.

Methods and apparatus to select addresses for memory training

Номер патента: US20240257890A1. Автор: Zhiguo Wei,Yanyang Tan,John Vancleve Lovelace. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and systems for memory initialization of an integrated circuit

Номер патента: US09891683B2. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Quality of service for memory devices using suspend and resume of program and erase operations

Номер патента: US20210124498A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20240086338A1. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Data invalidation for memory

Номер патента: WO2022251777A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Data invalidation for memory

Номер патента: EP4348431A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20210149573A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20220011957A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: US20150106538A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US11748276B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US12056063B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Noise injection for power noise susceptibility test for memory systems

Номер патента: US20210304833A1. Автор: Wenwei Wang,XiaoFang Chen,Satish Pratapneni. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

On chip characterization of timing parameters for memory ports

Номер патента: US09570195B2. Автор: Abhijith Ramesh Kashyap,Shrikrishna Pundoor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: EP2994915A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: WO2014124218A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-08-14.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Assist circuit for memory

Номер патента: EP3123473A1. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Eric A. KARL,Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Assist circuit for memory

Номер патента: US20160225419A1. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Eric A. KARL,Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20210193211A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US10937483B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Current separation for memory sensing

Номер патента: WO2019125797A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: SG11201901209VA. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Assist circuit for memory

Номер патента: US20150279438A1. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Eric A. KARL,Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Assist circuit for memory

Номер патента: WO2015148074A1. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Eric A. KARL,Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190287601A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Current separation for memory sensing

Номер патента: EP3729434A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190189178A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: WO2020112463A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: US20220391114A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US20240298553A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US11869577B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US20220035535A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Read threshold adjustment techniques for memory

Номер патента: US11854641B2. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20230238050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Activate commands for memory preparation

Номер патента: WO2023023454A1. Автор: Peter Mayer,Nobuyuki Umeda,Andreas Schneider,Martin Brox,Casto Salobrena Garcia,Rethin Raj. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-23.

Activate commands for memory preparation

Номер патента: US20230162771A1. Автор: Peter Mayer,Nobuyuki Umeda,Andreas Schneider,Martin Brox,Casto Salobrena Garcia,Rethin Raj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20240203481A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: EP3977453A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: US20200379936A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: WO2020242693A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Resource management for memory die-specific operations

Номер патента: US20210287750A1. Автор: Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Predictive timing calibration for memory devices

Номер патента: EP1282677A2. Автор: Brian Johnson,Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-12.

Predictive timing calibration for memory devices

Номер патента: US20030122696A1. Автор: Brian Johnson,Brent Keeth. Владелец: Brent Keeth. Дата публикации: 2003-07-03.

Predictive timing calibration for memory devices

Номер патента: EP1927988B1. Автор: Brian Johnson,Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-22.

Dynamic row hammering threshold for memory

Номер патента: US20230395120A1. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Predictive timing calibration for memory devices

Номер патента: EP2077558B1. Автор: Brian Johnson,Brent Keeth. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2010-12-22.

System level test device for memory

Номер патента: US20220236320A1. Автор: Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Apparatuses and methods for storing redundancy repair information for memories

Номер патента: US20190055895A1. Автор: Christopher Morzano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Dynamic row hammering threshold for memory

Номер патента: US11990173B2. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20210042244A1. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Apparatuses and methods for storing redundancy repair information for memories

Номер патента: US20190264629A1. Автор: Christopher Morzano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US11740814B2. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Data invalidation for memory

Номер патента: US20220385451A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: EP3058468A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: WO2015057878A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-23.

Power-efficient access line operation for memory

Номер патента: US20230368833A1. Автор: Martin Brox,Manfred Hans Plan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Apparatuses, systems, and methods for memory initiated calibration

Номер патента: US20240063794A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US11804264B2. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US20220336015A1. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Apparatuses, systems, and methods for memory initiated calibration

Номер патента: US11979147B2. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Compensating for memory input capacitance

Номер патента: US20190229075A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Apparatuses and methods for high speed writing test mode for memories

Номер патента: US20180204630A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Stefan Dietrich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Hardware based accelerator for memory sub-system operations

Номер патента: WO2021011237A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for memory address arrangement

Номер патента: US20090006807A1. Автор: Shang-I Liu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and apparatus for memory testing

Номер патента: US20240312556A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09735200B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09425390B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatuses and methods for providing power for memory refresh operations

Номер патента: US10438646B1. Автор: Harish N. Venkata,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: WO2011056534A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Yoichiro Tanaka,Christopher J. Petti. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Control chip for memory power sequence

Номер патента: US20180032285A1. Автор: Ming-Che Hung,Hsin-Lung Yang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method

Номер патента: EP1969600A2. Автор: Jeffery Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method

Номер патента: WO2007078994A2. Автор: Jeffery Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-12.

Technologies for current biasing for memory cells

Номер патента: US20230307043A1. Автор: Ashraf B. Islam,Yasir Mohsin Husain,Jonathan Y. Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Hybrid manufacturing of access transistors for memory

Номер патента: US20240098965A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US20220399055A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Signal monitoring by memory system

Номер патента: WO2024168574A1. Автор: Deping He,Huachen Li. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-test device for memories, decoders, etc.

Номер патента: US5574690A. Автор: Eberhard Boehl,Frank Kesel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1996-11-12.

Input/output line sharing for memory arrays

Номер патента: US11830570B2. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US20210019089A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: US20200167088A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Split pillar architectures for memory devices

Номер патента: WO2021002992A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-07.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: WO2021006970A1. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

Split pillar architectures for memory devices

Номер патента: US20210005665A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: EP4348715A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US20220283744A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: EP3888087A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Split pillar architectures for memory devices

Номер патента: EP3994738A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Input/output line sharing for memory arrays

Номер патента: US20210012817A1. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: EP3997701A1. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Simple fault tolerance for memory

Номер патента: WO2002057920A3. Автор: Kevin Driscoll. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Simple fault tolerance for memory

Номер патента: US20020138708A1. Автор: Kevin Driscoll. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

Simple fault tolerance for memory

Номер патента: EP1410208A2. Автор: Kevin Driscoll. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US12019915B2. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Hierarchical rom encoder system for performing address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413572A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20240363185A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US20230064884A1. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US12039187B2. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Configurable Analog Neural Memory System For Deep Learning Neural Network

Номер патента: US20200065660A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Managing memory systems containing components with asymmetric characteristics

Номер патента: US09514038B2. Автор: Vijay Karamcheti,Kenneth A. Okin. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: EP4385016A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Machine Learning Processor Employing a Monolithically Integrated Memory System

Номер патента: US20200307995A1. Автор: Tapabrata GHOSH. Владелец: Vathys Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: US11989440B2. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and apparatus for pll locking control in daisy chained memory system

Номер патента: WO2014071497A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-15.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US12073901B2. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US20240304271A1. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210247933A1. Автор: Jung Sik Choi,Na Ra Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and control method of the same

Номер патента: US09996268B2. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09852023B2. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system for rapidly testing data lane integrity

Номер патента: US09837169B2. Автор: Matthew Weber,Timothy M. Wiwel,Paul D. Kangas,Robert Diokno. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for preventing data remanence in memory systems

Номер патента: US09646177B2. Автор: Bruce B. Pedersen,Dirk A. Reese. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Bit error rate mapping in a memory system

Номер патента: US09478315B2. Автор: Jianmin Huang,Nian Niles Yang,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system, memory module and method to backup and restore system using command address latency

Номер патента: US09471517B1. Автор: Hyun-Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system

Номер патента: US09460813B2. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Magneto-optic thin film for memory devices

Номер патента: US4170689A. Автор: Kazumichi Egashira,Akinori Katsui. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-10-09.

Readout system for memories comprising matrices of photosensitive elements

Номер патента: US3641513A. Автор: Jean Edgar Picquendar,Roger Torguet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1972-02-08.

Module unit for memory modules and method for its production

Номер патента: US20030012001A1. Автор: Jürgen Högerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: EP3692447A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Timothy M. Hollis,Jeffery P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20200327057A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20230004492A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20160329377A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20190006420A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20170358627A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Select device for memory cell applications

Номер патента: EP3207575A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Select device for memory cell applications

Номер патента: WO2016060973A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Pooled frontline ecc decoders in memory systems

Номер патента: US20200081773A1. Автор: Paul Edward HANHAM,David Malcolm SYMONS,Francesco Giorgio,Jonghyeon Kim,Senthilkumar Diraviam. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: EP4361815A3. Автор: Jon C.R. Bennett. Владелец: VIOLIN SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Multiple read port memory system with a single port memory cell

Номер патента: US20140198595A1. Автор: Jagreet S. Atwal,Thoai Thai Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US12038855B2. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Power regulator

Номер патента: US20120206120A1. Автор: Serban Mihai Popescu,Laszlo Lipcsei. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

A multi-function power regulator for prioritizing functions and allocating resources thereof

Номер патента: WO2015183507A1. Автор: Jia WU,Darrell Furlong,Jing Huang,James Simonelli. Владелец: GRIDCO, INC.. Дата публикации: 2015-12-03.

Multi-function power regulator for prioritizing functions and allocating resources thereof

Номер патента: US09401636B2. Автор: Jia WU,Darrell Furlong,Jing Huang,James Simonelli. Владелец: GRIDCO Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Power regulating circuit and liquid crystal display device

Номер патента: US20180054867A1. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Improved power regulator

Номер патента: RU2308821C2. Автор: Джеймс Роберт ВАНДЕРЗОН. Владелец: Клипсэл Интегрэйтед Системз Пти Лтд.. Дата публикации: 2007-10-20.

Dynamic Control Mechanisms for Backup Power Regulators

Номер патента: US20240195208A1. Автор: Tong-Hsiao Chang,Rohit D. Kotwal. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Dynamic control mechanisms for backup power regulators

Номер патента: WO2024123620A1. Автор: Tong-Hsiao Chang,Rohit D. Kotwal. Владелец: Zebra Technologies Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Transient suppression power regulation

Номер патента: EP1314081A2. Автор: Kenneth Ostrom,Timothy Ng,Clifford Doung. Владелец: Primarion Inc. Дата публикации: 2003-05-28.

Power regulation circuit and method for chip

Номер патента: US20230341883A1. Автор: Xianhong Wang,Aimei Liang,Changqing Wen,Rangtian Lu,Pengfang Lv. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power regulator having rapid turn-on circuit

Номер патента: US3767997A. Автор: Ciello R Del. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-10-23.

Multiple Branch Alternative Element Power Regulation

Номер патента: US20130063109A1. Автор: Michael L. Miller,Patrick K. Egan,Jordan R. Keuseman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Methods and apparatuses for extended current limit for power regulation

Номер патента: US12130648B2. Автор: Gordon Lee,Marko Koski,Anish Muttreja,Edgar MARTI-ARBONA,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Constant power regulator for xerographic fusing system

Номер патента: US3961236A. Автор: Victor Rodek,Thomas B. Michaels. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1976-06-01.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Scheduling for memory

Номер патента: US20240338149A1. Автор: Chun-Yi Liu,Ameen D. Akel,Lance P. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Scheduling for memory

Номер патента: WO2024211110A1. Автор: Chun-Yi Liu,Ameen D. Akel,Lance P. Johnson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-10.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Linear power regulator device and electronic device

Номер патента: WO2014013288A1. Автор: Philippe Givelin,Alexandre Pujol,Mohammed Mansri. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-01-23.

Linear power regulator device with variable transconductance driver

Номер патента: US09651968B2. Автор: Philippe Givelin,Alexandre Pujol,Mohammed Mansri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Power regulation having power consumption reduction with reversing contactors

Номер патента: WO2005041377A1. Автор: Robert L. Scroggins. Владелец: PowerTec International. Дата публикации: 2005-05-06.

Power Management of a Power Regulator in a Processor During High Current Events

Номер патента: US20240248524A1. Автор: Igor Arsovski,James David Sproch,Vadim Heyfitch,Santosh Raghavan. Владелец: Groq Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatuses and methods for power regulation based on input power

Номер патента: US09678524B2. Автор: Michelangelo Pisasale,Maurizio Giovanni Gaibotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

An electronic system using a power regulator with reduced inrush current

Номер патента: EP4303689A1. Автор: Ming-Chiang Ting,Chih-Chien Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Adaptive current control in switching power regulators for fast transient response

Номер патента: EP3918702A1. Автор: Wei Shen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-12-08.

Adaptive current control in switching power regulators for fast transient response

Номер патента: WO2021194474A1. Автор: Wei Shen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Adaptive current control in switching power regulators for fast transient response

Номер патента: US11929680B2. Автор: Wei Shen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Electronic system using a power regulator with reduced inrush current

Номер патента: US20240012438A1. Автор: Ming-Chiang Ting,Chih-Chien Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power regulation with load detection

Номер патента: US09483065B2. Автор: Sungho Beck,H. Pooya Forghani-zadeh,Luis Alberto Huertas-Sanchez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods and apparatus of power regulation for a transducer

Номер патента: US20240017292A1. Автор: David Magee,James Griffin,Felipe Garza, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power Regulation Device for Model Railway System

Номер патента: US20070241726A1. Автор: Lawrence C. Maier,Anthony R. Parisi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Power regulator

Номер патента: EP4428650A1. Автор: Byoung Soo Kim,Hee Sung Lee. Владелец: Autonics Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Start-up speed enhancement circuit and method for lower-power regulators

Номер патента: US20200097033A1. Автор: Le Jin,Pablo Moreno Galbis,Pradeep Shettigar. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US12086415B2. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Efficient ultra low drop out power regulator

Номер патента: US5736843A. Автор: Dilip A. Amin. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Power regulator and power regulating method

Номер патента: US20200192409A1. Автор: Wen Hua YU,Wen An YANG. Владелец: Giga Byte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Power regulation feedback to optimize robustness of wireless transmissions

Номер патента: US7502594B2. Автор: Rocco Crivelli,Alec Ginggen. Владелец: Codman Neuro Sciences Sárl. Дата публикации: 2009-03-10.

Electrically operated aerosol-generating device with continuous power regulation

Номер патента: US11547151B2. Автор: Jerome Christian Courbat. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-01-10.

A multi-function power regulator for prioritizing functions and allocating resources thereof

Номер патента: EP3149841A1. Автор: Jia WU,Darrell Furlong,Jing Huang,James Simonelli. Владелец: GRIDCO Inc. Дата публикации: 2017-04-05.

Two-wire telemetering system including power regulated transmitting device

Номер патента: CA1311032C. Автор: Stanley Chlebda. Владелец: Fischer and Porter Co. Дата публикации: 1992-12-01.

Methods and apparatuses for extended current limit for power regulation

Номер патента: US11662757B2. Автор: Gordon Lee,Marko Koski,Anish Muttreja,Edgar MARTI-ARBONA,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Methods and apparatuses for extended current limit for power regulation

Номер патента: US20210294369A1. Автор: Gordon Lee,Marko Koski,Anish Muttreja,Edgar MARTI-ARBONA,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods and apparatuses for extended current limit for power regulation

Номер патента: US20230251678A1. Автор: Gordon Lee,Marko Koski,Anish Muttreja,Edgar MARTI-ARBONA,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Power regulator

Номер патента: US5652539A. Автор: Robert D. Lee,Donald R. Dias,Gary V. Zanders. Владелец: Dallas Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-07-29.

Power regulator responsive to duty cycle

Номер патента: CA1045682A. Автор: Kenneth D. Scholz,Albert W. Kovalick. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1979-01-02.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Linear power regulator device and electronic device

Номер патента: US20150212531A1. Автор: Philippe Givelin,Alexandre Pujol,Mohammed Mansri. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Sectionalized power regulator separated between an output inductor and an output capacitor

Номер патента: US6051964A. Автор: Alan E. Brown,Vahid Samiee. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 2000-04-18.

Power regulator with R.M.S. output voltage as function of unregulated D.C.

Номер патента: US3946302A. Автор: Kenneth D. Scholz,Albert W. Kovalick. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1976-03-23.

Apparatuses and methods for power regulation based on input power

Номер патента: US10088862B2. Автор: Michelangelo Pisasale,Maurizio Giovanni Gaibotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-02.

Apparatuses and methods for power regulation based on input power

Номер патента: US20170269625A1. Автор: Michelangelo Pisasale,Maurizio Giovanni Gaibotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Apparatuses and methods for power regulation based on input power

Номер патента: US20170090503A1. Автор: Michelangelo Pisasale,Maurizio Giovanni Gaibotti. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US20230418491A1. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Cyclic redundancy check (CRC) retry for memory systems in compute express link (CXL) devices

Номер патента: US11775387B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Measurement command for memory systems

Номер патента: US20240070089A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Time to live for memory access by processors

Номер патента: EP4062274A1. Автор: Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Dynamic error control configuration for memory systems

Номер патента: US11782787B2. Автор: Zhengang Chen,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Techniques for memory system configuration using queue refill time

Номер патента: US11768629B2. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Roberto IZZI,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Low-power boot-up for memory systems

Номер патента: US20240045596A1. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Stephen Hanna,Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: US20150324131A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: EP3140746A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Techniques for memory system rebuild

Номер патента: US20230376225A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system logical unit number procedures

Номер патента: US20240078022A1. Автор: Zhou Zhou,Yanhua Bi,Li Xin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Logic remapping techniques for memory devices

Номер патента: US11775422B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory systems for secure sequential storage devices

Номер патента: US11868649B2. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Read disturb management for memory

Номер патента: US20240086070A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Nuclear reactor power regulator and method

Номер патента: US20160211037A1. Автор: Naoyuki Takado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Light hibernation mode for memory

Номер патента: US20240078024A1. Автор: Liang Ge. Владелец: Micron Technoloty Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Dynamic channel mapping for memory system

Номер патента: WO2021035435A1. Автор: Yi Zhao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory controller for memory with mixed cell array and method of controlling the memory

Номер патента: US09606908B2. Автор: Jing Li,Bing Dai,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Protection for memory deduplication by copy-on-write

Номер патента: US09836240B2. Автор: Michael Tsirkin,Andrea Arcangeli. Владелец: Red Hat Israel Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Programmable finite field generator for memory

Номер патента: US20240012616A1. Автор: Keith A. Benjamin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US12111726B2. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and system for memory management and memory storage device thereof

Номер патента: US09940021B2. Автор: Chun-Yang Hu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2597502C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Capability messaging for memory operations across banks with multiple page access

Номер патента: US20240061584A1. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Channel architecture for memory devices

Номер патента: US12001696B2. Автор: Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

An apparatus and method for memory encryption with reduced decryption latency

Номер патента: EP1654661A2. Автор: Carlos Rozas,Gary Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: WO2024112431A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US12019568B2. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-25.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US20240078158A1. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-07.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

System and methods for memory expansion

Номер патента: US09405698B2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Luca Cafiero,Mario Mazzola,Philip Manela. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Low-power memory system with incorporated vector processing

Номер патента: US6311280B1. Автор: Sanjay Vishin. Владелец: nBand Communications. Дата публикации: 2001-10-30.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US20230359361A1. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Completion flag for memory operations

Номер патента: US12050773B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US11775332B2. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Data storage device and method for memory-die-state-aware host command submission

Номер патента: US12067289B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: US20240303191A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US12124333B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: EP4432066A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: US20220197827A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: EP4264474A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: WO2009072970A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2009-06-11.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: EP2218007A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2010-08-18.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: US20240311297A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: EP4432100A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Flexible counter system for memory protection

Номер патента: US09798900B2. Автор: Siddhartha Chhabra,Jungju Oh,David M Durham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2596582C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Page coloring with color inheritance for memory pages

Номер патента: US20080055617A1. Автор: Uday Savagaonkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: US20200142839A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: WO2019002817A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Method, apparatus and computer program for memory retention

Номер патента: WO2011020902A1. Автор: Anders Carlsson,Thomas Olsson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2011-02-24.

Method and optical network unit router for memory access control

Номер патента: US20240289171A1. Автор: Fei Yan,Weihua Huang. Владелец: Airoha Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Signal referencing for memory

Номер патента: US09614331B2. Автор: Gregory M. Daly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Technologies for memory confidentiality, integrity, and replay protection

Номер патента: EP3314522A1. Автор: Men Long,David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Eugene M. KISHINEVSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

Memory capacity detecting device for memory cards

Номер патента: US4982378A. Автор: Tsuyoshi Matsushita. Владелец: Tokyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-01.

Technologies for memory tagging

Номер патента: US11940927B2. Автор: David M. Durham,Michael D. LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Technologies for memory tagging

Номер патента: EP4293523A1. Автор: David M. Durham,Michael D. LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Dynamically coalescing atomic memory operations for memory-local computing

Номер патента: EP4363984A1. Автор: Johnathan Alsop,Nuwan Jayasena,Shaizeen AGA,Alexandru Dutu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

System and method for memory management

Номер патента: US11663149B1. Автор: John Michael MacLaren,Thomas Joseph Shepherd,Davika Raghu. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Maximum row active time enforcement for memory devices

Номер патента: US20240231635A1. Автор: Donald M. Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage System and Method for Memory Backlog Hinting for Variable Capacity

Номер патента: US20200401341A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Techniques for memory access in a reduced power state

Номер патента: US20230400908A1. Автор: Binata Bhattacharyya,Paul S. Diefenbaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Dynamic switch for memory devices

Номер патента: US20240028531A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Jun Liao,Min Suet LIM,John R. DREW,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US20220318166A1. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for memory management

Номер патента: US20120159111A1. Автор: Chae Deok Lim,Ik-Soon KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-21.

Error information signaling for memory

Номер патента: US11782608B1. Автор: Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Casto Salobrena Garcia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: EP4341814A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US11921627B2. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US20220374307A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US11977772B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Storage system and method for memory backlog hinting for variable capacity

Номер патента: WO2020256782A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US12001302B2. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for memory management in memory disaggregation environment

Номер патента: US20230305721A1. Автор: Tae-hoon Kim,Kang-Ho Kim,Kwang-Won Koh,Chang-Dae KIM,Sang-Ho EOM. Владелец: Sysgear Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: US20240168535A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Data migration method for memory module in server and server

Номер патента: CA2922578A1. Автор: Gang Liu,Ben Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Data migration method for memory module in server and server

Номер патента: CA2922578C. Автор: Gang Liu,Ben Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Performance attributes for memory

Номер патента: US10180793B2. Автор: Vincent Nguyen,David Engler,Thierry Fevrier. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-15.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20220358010A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20210248033A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20240028454A1. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US20190004843A1. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US11947806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Scott D. VAN DE GRAAFF,Todd J. Plum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230039002A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US20240069955A1. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022098515A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott E. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

Connector for memory card

Номер патента: EP1229611A4. Автор: Isao Suzuki,Takashi Kawasaki,Atsushi Nishio. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Data storage device and method for memory-die-state-aware host command submission

Номер патента: WO2023132857A1. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-07-13.

Adaptive data relocation for improved data management for memory

Номер патента: US20230048133A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: EP3903195A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A9. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Safety and security for memory

Номер патента: WO2022039981A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-24.

System and method for memory management

Номер патента: WO2021162950A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li,Jilan Lin. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2021-08-19.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: US20200210078A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Point-of-load power conditioning for memory modules

Номер патента: WO2007002531A3. Автор: Robert F Mcclanahan,Robert D Washburn. Владелец: Robert D Washburn. Дата публикации: 2009-04-16.

Method, electronic device, and computer program product for memory fault prediction

Номер патента: US20230222024A1. Автор: Bing Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-07-13.

Address obfuscation for memory

Номер патента: US11853230B2. Автор: Donald M. Morgan,Bryce D. Cook,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for instruction transmission for memory devices and storage system

Номер патента: US20240004586A1. Автор: Jie Chen,Tao Wei,Moyang CHEN. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method, electronic device, and computer program product for memory fault prediction

Номер патента: US11947406B2. Автор: Bing Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-02.

Cache architectures with address delay registers for memory devices

Номер патента: US11954035B2. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Cache architectures for memory devices

Номер патента: US20230100015A1. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods and apparatus to profile page tables for memory management

Номер патента: EP4064060A1. Автор: Sandeep Kumar,Sreenivas Subramoney,Aravinda Prasad,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Hierarchical memory system compiler

Номер патента: US09678669B2. Автор: Sundar Iyer,Sanjeev Joshi,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Management system for memory resident computer programs

Номер патента: US5274819A. Автор: Christopher Blomfield-Brown. Владелец: Central Point Software Inc. Дата публикации: 1993-12-28.

Liquid cooling heat exchange apparatus for memory modules

Номер патента: US11825629B2. Автор: Ting-Jui Chang. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Selectable error control for memory device

Номер патента: US11816339B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Reliability, availability, and serviceability solution for memory technology

Номер патента: US20120131414A1. Автор: Joseph H. Salmon,Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Reliability, availability, and serviceability solutions for memory technology

Номер патента: EP2068245A3. Автор: Joseph H. Salmon,Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US20230289096A1. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US12079514B2. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Reset techniques for protocol layers of a memory system

Номер патента: US20240297928A1. Автор: Junjun Wang,Zhanqiang Su. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods and devices for layered performance matching in memory systems using C-AMAT ratios

Номер патента: US09846646B1. Автор: Xian-He Sun,Yu-Hang Liu. Владелец: C-Memory LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Cache memory system and method of a computer

Номер патента: US6173365B1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Managing power consumption associated with communicating data in a memory system

Номер патента: US20240311053A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system having system buffer and method of storing data by using the system buffer

Номер патента: US12131061B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system, host system, and method of performing write operation in memory system

Номер патента: US09904628B2. Автор: Kwang-Hoon KIM,Sang-Kyoo Jeong,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Wind turbine with a reflective memory system

Номер патента: US09828970B2. Автор: Robert Bowyer,Siew Hoon Lim. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Method and apparatus for memory management in an electronic device

Номер патента: CA2568286C. Автор: Piotr K. Tysowski,Michael T. Hardy. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20150006599A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US9760110B2. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Counter integrity tree for memory security

Номер патента: US20190251275A1. Автор: Roberto Avanzi,Prakash S. RAMRAKHYANI,Wendy Arnott ELSASSER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Extending circuit for memory and transmitting-receiving device using extending circuit for memory

Номер патента: US20040111542A1. Автор: Hiroyasu Noda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Methods and systems for memory management of kernel and user spaces

Номер патента: US20190057040A1. Автор: Shu Li,Xiaowei Jiang. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20150006600A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20160161976A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US9851743B2. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods and systems for memory management of kernel and user spaces

Номер патента: WO2019040417A1. Автор: Shu Li,Xiaowei Jiang. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Data replication in memory systems

Номер патента: US20180121099A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-03.

Data replication in memory systems.

Номер патента: EP3311280A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-04-25.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210389903A1. Автор: Seung Gu JI,Hyung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Synchronizing operations between decks of a memory system

Номер патента: US20240281162A1. Автор: Amiya Banerjee,Thibash Rajamani Balakrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Convolutional hierarchical temporal memory system and method

Номер патента: US20220237453A1. Автор: Max Lee,Teja Veeramacheneni. Владелец: Sonasoft Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system characteristic control

Номер патента: US20240330174A1. Автор: Shawn Storm,Ji-Hye Gale Shin,Joseph A. Oberle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Suspending operations of a memory system

Номер патента: US12105959B2. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Detection and latency reduction of write-intensive procedures in a memory system

Номер патента: US20240345732A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

RAIDed memory system

Номер патента: US09753674B2. Автор: David M. Smith,Jon C. R. Bennett,Daniel C. Biederman. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Generating approximate usage measurements for shared cache memory systems

Номер патента: US09697126B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for transmitting extended commands to a memory system

Номер патента: US09501223B2. Автор: Martin Roeder,Martin Preiser. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2016-11-22.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: EP4390648A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210056025A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US20210055884A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034654A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Grouping requests to reduce inter-process communication in memory systems

Номер патента: US20190370097A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Performance optimization device of memory system and operating method thereof

Номер патента: US12093526B2. Автор: Ki Tae Kim,In Ho Jung,Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for managing sorted keys in a persistent memory system

Номер патента: EP4421649A1. Автор: Angel Benedicto AVILES,Vinod Daga,Shwetha Handral Sridhara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory system procedure detection and latency reduction

Номер патента: US20240345733A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and method for delta writes

Номер патента: US09904472B2. Автор: Abhijeet Manohar,Judah Gamliel Hahn,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Data access in hybrid main memory systems

Номер патента: US09804803B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-10-31.

Associative memory system and method for flight plan modification

Номер патента: US09754495B2. Автор: John Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system and method for power-based operation scheduling

Номер патента: US09658790B2. Автор: Eran Erez,Alex Mostovoy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Backup-power-free cache memory system

Номер патента: US09632932B1. Автор: Pantas Sutardja,Abhijeet P. Gole. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US09442846B2. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Analog rf memory system

Номер патента: EP3152588A1. Автор: John P. Gianvittorio,Harry B. Marr,Walter B SCHULTE, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-04-12.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200125487A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11392323B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system, electronic system, and operating method thereof

Номер патента: US20240303144A1. Автор: Eun Jae Ock. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

System and Method for Simultaneously Storing and Reading Data from a Memory System

Номер патента: US20150339227A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

System and Method for Simultaneously Storing and Read Data From A Memory System

Номер патента: US20150106584A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Secure memory system programming for host device verification

Номер патента: US20240305449A1. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12135903B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system with controller to write data to memory based on lifetime information in write command

Номер патента: US12073122B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US09965362B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Network of memory systems

Номер патента: US09875205B1. Автор: Ricardo H. Bruce,Marlon Basa Verdan,Jarmie De La Cruz Espuerta. Владелец: Bitmicro Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and apparatus for detecting or correcting multi-bit errors in computer memory systems

Номер патента: US09703625B1. Автор: Steven Lee Shrader,Marc Greenberg. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Analog RF memory system

Номер патента: US09590760B2. Автор: John P. Gianvittorio,Harry B. Marr,Walter B. SCHULTE, JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods, architecture, and apparatus for implementing machine intelligence and hierarchical memory systems

Номер патента: US09530091B2. Автор: Jeffrey Hawkins,Dileep George. Владелец: Numenta Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Migration directives in a unified virtual memory system architecture

Номер патента: US09430400B2. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Systems, apparatuses, and methods for memory recall and reactivation by targeted stimulation

Номер патента: US20190103034A1. Автор: Timothy J. Walter,Uma Marar. Владелец: Lotus Magnus LLC. Дата публикации: 2019-04-04.

Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Номер патента: EP2959391A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Номер патента: WO2014130483A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-28.

Efficiently generating effective address translations for memory management test cases

Номер патента: US10713179B2. Автор: Shakti Kapoor,Manoj Dusanapudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Logging Guest Physical Address for Memory Access Faults

Номер патента: US20230195647A1. Автор: Andrew Waterman,John Ingalls. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods and apparatus to profile page tables for memory management

Номер патента: US20210232312A1. Автор: Sandeep Kumar,Sreenivas Subramoney,Aravinda Prasad,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Page merging for buffer efficiency in hybrid memory systems

Номер патента: US20130042059A1. Автор: Xiaochen Guo,Arun Jagatheesan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-14.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Optimization of data access and communication in memory systems

Номер патента: US20230362280A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20190294539A1. Автор: Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: EP1866772A2. Автор: Robert A. Drebin,Wade K. Smith,W. Fritz Kruger. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2007-12-19.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: WO2006106428A3. Автор: Robert A Drebin,W Fritz Kruger,Wade K Smith. Владелец: Wade K Smith. Дата публикации: 2007-01-18.

Controller and memory system including the controller operating memory allocation

Номер патента: US12001885B2. Автор: Duk Joon JEON,Changhwan Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: US20240231669A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US20240248644A1. Автор: Shuichi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US11960888B2. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Electronic regulator for high-voltage discharge lamp

Номер патента: RU2339190C2. Автор: Луодинг Янг. Владелец: Лоу Фанглу. Дата публикации: 2008-11-20.

Power supply regulator for a power tool battery pack

Номер патента: EP4385112A1. Автор: Zachary G. STANKE. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Output voltage hold scheme for ultra low power regulator

Номер патента: US09847717B1. Автор: Bin Shao. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Power regulating device and light

Номер патента: US20230147508A1. Автор: Bo Lei,Qing Lan,Shoubao Chen,Jinliang Lei. Владелец: Shenzhen Guanke Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Adaptive power regulation of led driver module for emergency lighting

Номер патента: US20180242415A1. Автор: Jie Dong Wang. Владелец: Advanced Regulated Power Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Power regulator

Номер патента: WO1999062085A1. Автор: Arianm Jansen. Владелец: Nmb (Usa), Inc.. Дата публикации: 1999-12-02.

Power regulating unit and transport refrigeration device using the power regulating unit

Номер патента: EP3945666A1. Автор: Yiming Wen,Jack Linhui Chen. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2022-02-02.

Pfm-pwm control for power regulators

Номер патента: US09954444B1. Автор: Hao Peng,Wanfeng Zhang,Jinho Choi,Biing Long Shu. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Switched mode power supply with secondary-side power regulation

Номер патента: US09831782B2. Автор: Jens Barrenscheen,Anthony Sanders,Pierrick Ausseresse. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Switching power regulator controlled with mirrored error current

Номер патента: US09768676B1. Автор: Wei Shen,Raul A. Perez. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Reactive power regulation of wireless power transfer network

Номер патента: US20210159732A1. Автор: Douglas Edward Cosby,Perry Robert Czimmek. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Transmission power regulation

Номер патента: EP2954733A1. Автор: Feng Xue. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2015-12-16.

Power regulator

Номер патента: US20040217745A1. Автор: Huan-Jan Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Transmission power regulation

Номер патента: WO2014121726A1. Автор: Feng Xue. Владелец: Hangzhou H3C Technologies Co. Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

Low impedance regulator for a battery with reverse overcharge protection

Номер патента: US5142215A. Автор: Leslie C. Mathison. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1992-08-25.

Power regulation method and power regulation device

Номер патента: AU2021340055B2. Автор: Yuji Koguma,Kenichi Hamaguchi,Akinobu Inamura. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Power-regulating charger

Номер патента: US9954381B2. Автор: Ghaith AbuEideh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

On-chip power regulator for ultrta low leakage current

Номер патента: WO2006026627A2. Автор: Ge Song,Yuwen Wang,Chengyun Gao,Yihe Huang. Владелец: Fangtek, Inc.. Дата публикации: 2006-03-09.

Multiple mode power regulator

Номер патента: US09590506B2. Автор: Jean-Christophe Patrick Rince,Alexandre Pujol,Mohammed Mansri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Power regulation circuit and electronic device with the same

Номер патента: US20120256604A1. Автор: xing-hua Tang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Circuit for thermal protection and power regulation of electric motors

Номер патента: US09479091B2. Автор: Thomas Sauer. Владелец: Ebm Papst Mulfingen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-25.

Power regulating unit and transport refrigeration device using the power regulating unit

Номер патента: US11955902B2. Автор: Yiming Wen,Jack Linhui Chen. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Power regulating unit and transport refrigeration device using the power regulating unit

Номер патента: US20220038023A1. Автор: Yiming Wen,Jack Linhui Chen. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Measuring current in a power regulator system

Номер патента: US20140028272A1. Автор: Timothy J. Hegarty. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Transformer-coupled gate-drive power regulator system

Номер патента: US20140029314A1. Автор: George Young,Colin Gillmor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Resonant regulator for light load conditions

Номер патента: US20200112242A1. Автор: Parag Oak,David Lidsky,Timothy Alan Phillips. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Thermal isolation for memory systems

Номер патента: US20240196569A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic power regulator with switch-mode power supply

Номер патента: RU2202145C2. Автор: Олли САЛОНЕН,Мартти САИРАНЕН. Владелец: Ой Лексел Финланд Аб. Дата публикации: 2003-04-10.

Power regulating apparatus

Номер патента: GB2373933A. Автор: Vincent William Lynch. Владелец: LOANGUARD Ltd. Дата публикации: 2002-10-02.

Power regulator interfaces for integrated circuits

Номер патента: US20230363093A1. Автор: Mingyi YU,Greg Bodi,Ananta Attaluri. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Power regulator interfaces for integrated circuits

Номер патента: US20230363085A1. Автор: Mingyi YU,Greg Bodi,Ananta Attaluri. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated power regulator and method

Номер патента: EP3914986A1. Автор: Peng Zou,Heping Dai. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Power regulating system for the burner of a heater

Номер патента: US5918803A. Автор: Peter Reiser,Wolfgang Pfister. Владелец: J Eberspaecher GmbH and Co KG. Дата публикации: 1999-07-06.

Photovoltaic power regulation system

Номер патента: CA1226895A. Автор: Dale R. Jaster. Владелец: GTE Communication Systems Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Magnetron with frequency control for power regulation

Номер патента: CA1309146C. Автор: Flavian Reising, Jr.,Peter H. Smith, (Deceased). Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-10-20.

PWM power regulator device

Номер патента: US20100110740A1. Автор: Nan-Cheng Chiang. Владелец: Arico Tech Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Wavelength stabilisation and output power regulation of semiconductor light sources

Номер патента: GB2163286A. Автор: Gunter Domann,Otto Strobel. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1986-02-19.

Remote provisioning of certificates for memory system provenance

Номер патента: US20230353391A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Improvements in or relating to electric power regulators

Номер патента: GB962981A. Автор: Tom Bowen. Владелец: S Smith and Sons England Ltd. Дата публикации: 1964-07-08.

High efficiency power regulator and method

Номер патента: US8717717B2. Автор: Hengchun Mao,Yan-Fei Liu,Renhua Wu. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Measuring current in a power regulator system

Номер патента: WO2014018290A2. Автор: Timothy James HEGARTY. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-01-30.

Systems and methods for electrical power regulation and distribution in aircraft

Номер патента: WO2006083371A3. Автор: Douglas S York,David D Bennett. Владелец: David D Bennett. Дата публикации: 2007-02-08.

Systems and methods for electrical power regulation and distribution in aircraft

Номер патента: WO2006083371A2. Автор: Douglas S. York,David D. Bennett. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2006-08-10.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

For memory on package with reduced thickness

Номер патента: US20240334715A1. Автор: Phani Alaparthi,Samarth Alva,Navneet Kumar SINGH,Gaurav HADA,Aiswarya M. Pious,Ritu Bawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Heat dissipating device for memory modules and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009020265A1. Автор: Yun Kyung Myung. Владелец: Il Chang Precision Co., Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Contact for memory cell

Номер патента: US8361832B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Formation for memory cells

Номер патента: US20230397431A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Self-aligned etching techniques for memory formation

Номер патента: US20230395704A1. Автор: John Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and device for memory management in digital data transfer

Номер патента: US20010023477A1. Автор: Petri Jarske. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor structure and layout structure for memory devices

Номер патента: US20150206894A1. Автор: Wei Cheng,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Method for memorializing a sports jersey

Номер патента: US09937745B1. Автор: John Peter Van Bogaert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Multipath nutritional supplement for memory, cognition, and coordination

Номер патента: US09744204B1. Автор: Bryant Richard Villeponteau,Cristina Rizza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Folded staircase via routing for memory

Номер патента: US20240071902A1. Автор: Lifang Xu,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact for memory cell

Номер патента: US20100068879A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Contact for memory cell

Номер патента: US20130149861A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Contact for memory cell

Номер патента: US8728932B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US11862668B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Manufacturing method for memory and memory

Номер патента: US11895831B2. Автор: Tao Chen,Junchao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for producing semiconductor substrate for memory elements

Номер патента: US20240170278A1. Автор: Toshiyuki Oie,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma-doped trenches for memory

Номер патента: US20240105510A1. Автор: Yiping Wang,Wesley O. McKinsey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

System, method, and computer program product for improving memory systems

Номер патента: US09432298B1. Автор: Michael S Smith. Владелец: P4tents1 LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Polishing method for memory hard disks

Номер патента: GB2384003A. Автор: Katsumi Tani. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Manufacturing method for memory

Номер патента: US20230363137A1. Автор: Jiayun Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Manufacturing method for memory

Номер патента: US11956941B2. Автор: Jiayun Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Divider and contact formation for memory cells

Номер патента: US20230354601A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated memory system for driving position and method of controlling same

Номер патента: US20220017136A1. Автор: In Sik Hwang,Se Hoon Park. Владелец: Yura Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated memory system for driving position and method of controlling same

Номер патента: US11834094B2. Автор: In Sik Hwang,Se Hoon Park. Владелец: Yura Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Multiple Branch Alternative Element Power Regulation

Номер патента: US20120001602A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Assist circuit for memory

Номер патента: MY187278A. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo,Jaydeep P Kulkarni,Eric A Karl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-17.

Method for memory addressing and control with reversal of higher and lower address

Номер патента: CA1318413C. Автор: Jeffrey Inskeep. Владелец: Hayes Microcomputer Products Inc. Дата публикации: 1993-05-25.