POWER REGULATION FOR MEMORY SYSTEMS
Номер патента: US20210217482A1
Опубликовано: 15-07-2021
Автор(ы): Badrieh Fuad, Choi Baekkyu, Kinsley Thomas H.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-07-2021
Автор(ы): Badrieh Fuad, Choi Baekkyu, Kinsley Thomas H.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Node-precise voltage regulation for a mos memory system
Номер патента: WO1999000797A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-25.