Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Input/output line sharing for memory arrays

Номер патента: US11830570B2
Опубликовано: 28-11-2023
Автор(ы): Andrea Martinelli, Christopher Vincent Antoine Laurent
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Input/output line sharing for memory arrays

Номер патента: US20210012817A1. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: WO2021006970A1. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: EP3997701A1. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: EP3997701A4. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: WO2020112463A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: US20220391114A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

INPUT/OUTPUT LINE SHARING FOR MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20210012817A1. Автор: Martinelli Andrea,Laurent Christopher Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: US20150106538A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Memory and a data path architecture for memory addressing

Номер патента: EP4224325A1. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Volatility management for memory device

Номер патента: WO2019177678A1. Автор: Viacheslav DUBEYKO,Luis CARGNINI. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

Volatility management for memory device

Номер патента: EP3669361A1. Автор: Viacheslav DUBEYKO,Luis CARGNINI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-24.

Dynamic voltage supply for memory circuit

Номер патента: US20240126685A1. Автор: Hua Tan,Junjun Wang,De Hua Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: US20240231824A9. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: EP3977453A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: US20200379936A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: WO2020242693A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: WO2020180440A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: US20230027332A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: US11775300B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: US20240134646A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: EP3931705A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: US20210165655A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory mapping for memory, memory modules, and non-volatile memory

Номер патента: US20200278864A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Configurable data path for memory modules

Номер патента: EP4407464A2. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Configurable data path for memory modules

Номер патента: EP4407464A3. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Interface for memory having a cache and multiple independent arrays

Номер патента: EP3769204A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Gianfranco Ferrante,Emanuele Confalonieri,Antonino Caprì. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Interface for memory having a cache and multiple independent arrays

Номер патента: US20190286586A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Gianfranco Ferrante,Emanuele Confalonieri,Antonino Caprì. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Response control for memory modules that include or interface with non-compliant memory technologies

Номер патента: EP3025238A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Andrew R. Wheeler,John E. Tillema,Alan J. WADE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-06-01.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Selective refresh for memory devices

Номер патента: WO2023215063A1. Автор: Bohuslav Rychlik,Andrew Edmund Turner,George PATSILARAS,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Behnam Dashtipour,Michael Hawjing Lo,Engin Ipek,Hamza Omar,Saumya Ranjan KUANR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-09.

Selective refresh for memory devices

Номер патента: US20230359373A1. Автор: Bohuslav Rychlik,Andrew Edmund Turner,George PATSILARAS,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Behnam Dashtipour,Michael Hawjing Lo,Engin Ipek,Hamza Omar,Saumya Ranjan KUANR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US11954342B2. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US20230057441A1. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory device and method of controlling load of global input-output lines of the same

Номер патента: US11881256B2. Автор: Seoulmin Lee,Seokjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device adopting improved local input/output line precharging scheme

Номер патента: US20100157702A1. Автор: Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device including a global input/output line of a data transfer path and its surrounding circuits

Номер патента: US20080239840A1. Автор: Ki Chon PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Interface protocol configuration for memory

Номер патента: US11749318B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of dividing an input-output line by decoding

Номер патента: US4947059A. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-08-07.

Input/output line structure of a semiconductor memory device

Номер патента: US6345011B2. Автор: Yun-sang Lee,Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jae-hoon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-05.

Input-output line sense amplifier having adjustable output drive capability

Номер патента: US20130141993A1. Автор: Chulmin Jung,Kang Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230116292A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230377619A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Techniques to adapt dc bias of voltage regulators for memory devices as a function of bandwidth demand

Номер патента: EP3767430A1. Автор: Setul M. Shah,William SHELUNG,Ohruval PATEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Systems and methods for controlling memory array power consumption

Номер патента: US20180260014A1. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Victor Wang,Joachim Josef Maria Kruecken,Frank Kelsey Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Memory array circuit, memory array layout and verification method

Номер патента: US20230050097A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Electronic device, over-erase detection and elimination methods for memory cells

Номер патента: US11862259B2. Автор: Ying Sun,Hong Nie. Владелец: China Flash Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2024-01-02.

Time to live for memory access by processors

Номер патента: EP4062274A1. Автор: Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Refresh rate management for memory

Номер патента: WO2020167809A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US09966142B2. Автор: Gary B. Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US20220223211A1. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20230307039A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US09865332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Data invalidation for memory

Номер патента: WO2022251777A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Data invalidation for memory

Номер патента: EP4348431A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US12062392B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Virtual and physical extended memory array

Номер патента: US20240086319A1. Автор: Donald M. Morgan,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20180151202A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20170162233A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20120294100A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: EP2712445A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: WO2012158223A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Vadim Smolyakov. Владелец: Gulak, Glenn. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20150023122A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20190139584A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9881653B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9576614B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230043306A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory array accessibility

Номер патента: US20240168656A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and scheduling method for memory device

Номер патента: US20230273752A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Data masking for memory

Номер патента: US12050784B2. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Refresh rate management for memory

Номер патента: EP3924969A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Error control for memory device

Номер патента: US20220310189A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Error control for memory device

Номер патента: WO2021252163A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-16.

Error control for memory device

Номер патента: US20210383888A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20210174875A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-06-10.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US11657878B2. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20180301194A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-10-18.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20220115061A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Data invalidation for memory

Номер патента: US20220385451A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Grouping bits of a code word for memory device operations

Номер патента: US11182241B2. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Temperature readings for memory devices to reduce temperature compensation errors

Номер патента: US20220405002A1. Автор: Tommaso Vali,Agostino Macerola,Umberto Siciliani,Michele Piccardi,Enrico Favaro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Read threshold adjustment techniques for memory

Номер патента: US11854641B2. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory array error correction

Номер патента: US11841766B2. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Data masking for memory

Номер патента: US20230350582A1. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods and Apparatus for Soft Data Generation for Memory Devices Based Using Reference Cells

Номер патента: US20110225350A1. Автор: Milos Ivkovic,Andrei Vityaev,Victor Krachkovsky,Nenad Miladinovic,Johnson Yen,Erich F. Haratsch,Harley F. Burger, Jr.. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Histogram creation process for memory devices

Номер патента: US11886538B2. Автор: Jeremiah James Willcock. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Histogram Creation Process for Memory Devices

Номер патента: US20230134152A1. Автор: Jeremiah James Willcock. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Histogram creation process for memory devices

Номер патента: US20220051046A1. Автор: Jeremiah James Willcock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods and systems for memory initialization of an integrated circuit

Номер патента: US09891683B2. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20240086338A1. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20210149573A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20220011957A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US11748276B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Scalable prediction failure analysis for memory used in modern computers

Номер патента: US9196383B2. Автор: Challis L. Purrington, Sr.,Tu T. Dang,Michael C. Elles,Juan Q. Hernandez,Dwayne A. Lowe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US12056063B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Scalable prediction failure analysis for memory used in modern computers

Номер патента: US20140013170A1. Автор: Challis L. Purrington, Sr.,Tu T. Dang,Michael C. Elles,Juan Q. Hernandez,Dwayne A. Lowe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US20200301605A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Generating memory array control signals

Номер патента: US20220188036A1. Автор: Hiroshi Akamatsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US12073110B2. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Data access circuit for a memory array

Номер патента: CA1087740A. Автор: Richard C. Gifford,Clair A. Buzzard,Robert M. Zachok,Frank W. Lescinsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-14.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method, apparatus, and manufacture for staggered start for memory module

Номер патента: US20140092687A1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-04-03.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US11862242B2. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US20240069784A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Real time profile switching for memory overclocking

Номер патента: US11977757B2. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Determining read voltages for memory systems

Номер патента: US20230153198A1. Автор: Yu-Ming Huang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20210391004A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: US20190108193A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory apparatus and methods with heterogeneous memory array architecture

Номер патента: US10860252B2. Автор: Imran Muhammad,Tae Hyun Kwon,Jung Min YOU,Joon Sung YANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-12-08.

Real Time Profile Switching for Memory Overclocking

Номер патента: US20230350591A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: EP3268969A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-17.

Stress-based techniques for detecting an imminent read failure in a non-volatile memory array

Номер патента: US20130326285A1. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Methods and related devices for operating a memory array

Номер патента: US20180095687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: WO2022020140A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US20220035535A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Resource management for memory die-specific operations

Номер патента: US20210287750A1. Автор: Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US11762577B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array

Номер патента: US20210073072A1. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US20220027079A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: EP2973577A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: WO2014150487A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US11921627B2. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Reducing processor resource consumption for memory access and enabling shared memory access

Номер патента: US20210056055A1. Автор: Sumanta K. Bahali,Peter R. Seidel,Jeffrey R. Hamilton,Juan Q. Hernandez,Brian E. Bigelow. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US12019568B2. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory systems and devices including examples of generating access codes for memory regions using authentication logic

Номер патента: US11899829B2. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory systems and devices including examples of generating access codes for memory regions using authentication logic

Номер патента: US20240176916A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit and processing method for memory access, electronic device, and medium

Номер патента: EP4322008A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Qingyu LIU,Bo DENG,Wenxing Li,Juncheng Shen. Владелец: Horizon Shanghai Artificial Intelligence Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Integrated circuit and processing method for memory access, electronic device, and medium

Номер патента: US20240053888A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Qingyu LIU,Bo DENG,Wenxing Li,Juncheng Shen. Владелец: Horizon Shanghai Artificial Intelligence Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Dynamic switch for memory devices

Номер патента: US20240028531A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Jun Liao,Min Suet LIM,John R. DREW,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US20220318166A1. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-10-06.

Combined Power and Input/Output Line

Номер патента: US20140281049A1. Автор: Julicher Joseph,Delport Vivien,Schieke Pieter. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-18.

COMPUTER DEVICE CONTAINING A COMMON INPUT / OUTPUT LINE

Номер патента: FR2316660A1. Автор: . Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1977-01-28.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor implementing bank and data input/output line architecture to reduce data input/output line loading

Номер патента: KR100314129B1. Автор: 이성근. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-15.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US10468085B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-05.

A semiconductor memory device having data input/output lines being routed for shielding signal interference from peripheral control signal lines

Номер патента: KR100382740B1. Автор: 이정배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH INPUT/OUTPUT LINE

Номер патента: US20170053681A1. Автор: CHO JIn Hee,KIM Tae Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device including data input/output lines distributed

Номер патента: KR100734323B1. Автор: 서승영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

Input/output line precharge circuit for semiconductor memory device

Номер патента: KR100808589B1. Автор: 지성수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-29.

Data input/output line of multi-bank memory

Номер патента: KR100188021B1. Автор: 이정혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US20180374527A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: EP3510597A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-17.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US20200090726A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: WO2018048608A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: SG11201901209VA. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US11869577B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20230238050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20240203481A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Data converters and methods for memory arrays

Номер патента: WO2020260847A1. Автор: Paul Nicholas Whatmough. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-12-30.

Data Converters and Methods for Memory Arrays

Номер патента: US20200412374A1. Автор: Paul Nicholas Whatmough. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US20220399055A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Compute-in-memory array and module, and data computing method

Номер патента: US12046283B2. Автор: Yi Zhao,Shifan GAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: EP3951783A1. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-09.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: EP3676839A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: WO2019046029A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for reading a cross-point type memory array comprising a two-terminal switching material

Номер патента: US20200321052A1. Автор: Junsung KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: US11996146B2. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-28.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods of activating input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210110864A1. Автор: Atsushi Shimizu,Yosuke Takano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Combined power and input/output line

Номер патента: EP2972923A1. Автор: Vivien Delport,Joseph Julicher,Pieter Schieke. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor memory device with hierachical input output line and layout method thereof

Номер патента: KR100224667B1. Автор: 이규찬. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Methods of activating input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US11462261B2. Автор: Atsushi Shimizu,Yosuke Takano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Method for activating input/output lines of memory device and related device and system

Номер патента: CN112652336A. Автор: 清水淳史,高野洋介. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: WO2012054082A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Apparatuses and methods for reducing standby current in memory array access circuits

Номер патента: US20240331763A1. Автор: Nobuo Yamamoto,Takamasa Suzuki,Izumi Nakai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Data transmission circuits for memory devices

Номер патента: GB2259384A. Автор: Dae-Je Chin,Byung-Hyuk Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-03-10.

Reconfigurable memory block redundancy to repair defective input/output lines

Номер патента: WO2007041185A2. Автор: Richard Dodge,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Input/output line driver circuit

Номер патента: US20140306738A1. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Input/output line sense amplifier and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080316840A1. Автор: Chang-Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Reconfigurable memory block redundancy to repair defective input/output lines

Номер патента: WO2007041185A3. Автор: Richard Dodge,Pochang Hsu. Владелец: Pochang Hsu. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device with fast input/output line precharge scheme and method of precharging input/output lines thereof

Номер патента: US6205069B1. Автор: Byung Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-03-20.

Data input/output line scheme to reduce resistance of data input/output line

Номер патента: KR100319885B1. Автор: 이재영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-01-10.

Reconfigurable memory block redundancy to repair defective input/output lines

Номер патента: TWI317132B. Автор: Richard Dodge,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: TW200713320A. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-01.

INPUT-OUTPUT LINE SENSE AMPLIFIER HAVING ADJUSTABLE OUTPUT DRIVE CAPABILITY

Номер патента: US20130141993A1. Автор: Jung Chulmin,Kim Kang Yong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Input-output line sense amplifier having adjustable output drive capability

Номер патента: US20140153347A1. Автор: Chulmin Jung,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INPUT/OUTPUT LINE DRIVE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170032833A1. Автор: PARK Min Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INPUT/OUTPUT LINE DRIVE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170358341A1. Автор: PARK Min Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor memory device capable of increasing input/output line number without increase in chip area

Номер патента: KR100634165B1. Автор: 김현수,김경호,이현석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-16.

Termination Control Circuit for Global Input/Output Line

Номер патента: KR100980425B1. Автор: 김기업. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-07.

Input / output line detection amplifier and semiconductor memory device using same

Номер патента: KR100930384B1. Автор: 김창일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-12-08.

Dynamic random access memory device having first and second input / output line groups separated from each other

Номер патента: KR950002042A. Автор: 유키히데 스즈키,다카시 이누이,키요시 나카이. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코퍼레이티드 아시아 태평양지역 국제 특허 및 지적재산. Дата публикации: 1995-01-04.

A local input-output line precharge controlling circuit for semiconductor memory and the control method thereof

Номер патента: KR100691017B1. Автор: 김택승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-09.

Controller and control method of Global Input/Output line

Номер патента: KR100943140B1. Автор: 김지열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-18.

Data transmission circuit with common input/output line

Номер патента: KR940004517B1. Автор: 진대제,민병혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-05-25.

Input output line sense amplifier and semiconductor device

Номер патента: KR20080113729A. Автор: 김창일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-31.

Process for preloading the input/output lines of a memory device

Номер патента: FR2676854A1. Автор: Yu Jehwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-11-27.

Semiconductor memory device having a high speed input / output line control structure.

Номер патента: FR2709015B1. Автор: Kim Myung-Ho,JANG Hyun-Soon,Lee Si-Ycol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-01-12.

Semiconductor memory device having a high speed input / output line control structure.

Номер патента: FR2709015A1. Автор: Kim Myung-Ho,JANG Hyun-Soon,Lee Si-Ycol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-02-17.

DATA TRANSMISSION CIRCUIT WITH SEGMENTED INPUT / OUTPUT LINES.

Номер патента: FR2679672A1. Автор: Jeon Dong-Su,Seok Yong-Sik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-01-29.

Data transimitting circuit having common input/output line

Номер патента: KR940007640B1. Автор: 전준영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-08-22.

Data input / output line sensing circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR950001767A. Автор: 이종훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-01-03.

Input/output line sense amplifier and semiconductor device having the same

Номер патента: US20080285361A1. Автор: Sung Mook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor memory device with divided input / output line structure

Номер патента: KR100622764B1. Автор: 양승엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-02.

Circuit for controllong repeater of global input/output line

Номер патента: KR100924352B1. Автор: 고형준,정영한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-30.

Multi Bank Memory device and Method for Arranging Input/output Line

Номер патента: KR100310992B1. Автор: 김금룡. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-18.

Global input/output line driver of semiconductor memory device

Номер патента: KR101024136B1. Автор: 유민영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-22.

DATA TRANSMISSION CIRCUIT COMPRISING A COMMON INPUT / OUTPUT LINE.

Номер патента: FR2680025B1. Автор: Jeon Jun-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-03.

Multi-bank memory device and input / output line arrangement method

Номер патента: JP3773400B2. Автор: 錦龍 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor memory device which selectively controls a local input/output line sense amplifier

Номер патента: US7002858B2. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-21.

Integrated circuit devices including input/output line pairs and precharge circuits and related memory devices

Номер патента: US6985394B2. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-10.

Semiconductor memory device having hierarchical structure of data input/output line and precharge method thereof

Номер патента: US20040085841A1. Автор: Kyu-Nam Lim,Kye Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-06.

PROCEDURE FOR PRELOADING INPUT / OUTPUT LINES OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: ITMI912251D0. Автор: Je-Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-08-13.

Input-output line sense amplifier having small current consumption and direct current

Номер патента: US6483351B2. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-19.

DATA TRANSMISSION CIRCUIT COMPRISING A COMMON INPUT / OUTPUT LINE.

Номер патента: FR2680025A1. Автор: Jeon Jun-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-02-05.

DATA TRANSMISSION CIRCUIT WITH SEGMENTED INPUT / OUTPUT LINES

Номер патента: ITMI913179A1. Автор: Dong-Su Jeon,Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-28.

Power buss inhibit through data input/output lines

Номер патента: US6452770B1. Автор: James M. Devine,Daniel M. Kuster,Peter J. Massa. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-09-17.

Semiconductor memory device having data input/output line architecture sharing stacked to multi-bank

Номер патента: KR100335486B1. Автор: 이희춘,김수아. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INPUT/OUTPUT LINE DRIVE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170358342A1. Автор: PARK Min Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2017-12-14.

Input/Output line precharge circuit in a memory device

Номер патента: KR100384835B1. Автор: 이상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-22.

Input/output line sense amplifier and semiconductor memory device using the same

Номер патента: CN101335043B. Автор: 金苍日. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US11763873B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US12068018B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20240371428A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20210111226A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Lower power high speed decoding based dynamic tracking for memories

Номер патента: US09978442B2. Автор: Rui Li,Sei Seung Yoon,Bin Liang,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical string driver for memory array

Номер патента: US20220076751A1. Автор: Aaron S. Yip,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A3. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Jentsung Lin. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory array circuit arrangement

Номер патента: US20240212731A1. Автор: Jacob Robert Anderson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20230395122A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20210241811A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20200350371A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US9159424B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Hybrid manufacturing of access transistors for memory

Номер патента: US20240098965A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory array with ram and embedded rom

Номер патента: US20160035433A1. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory array

Номер патента: US12009031B2. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory devices with backside bond pads under a memory array

Номер патента: US20240312933A1. Автор: Eric N. Lee,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory array connections

Номер патента: US20230410887A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Yao-Jen Yang,Rose Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US11869592B2. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US20200227118A1. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Sense amplifier read line sharing

Номер патента: US20090190425A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Andreas Gotterba. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20210217482A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20230005551A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Compact Memory Arrays

Номер патента: US20130099289A1. Автор: Thomas Nirschl,Jan Otterstedt,Michael Bollu,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20240096425A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Power regulation for memory systems

Номер патента: EP4073797A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10242726B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10153027B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190172517A1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Deselect drivers for a memory array

Номер патента: US20130003449A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Prefetch management for memory

Номер патента: US20240232089A9. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Replaceable, precise-tracking reference lines for memory products

Номер патента: EP2619762A1. Автор: Toshio Sunaga,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Replaceable, precise-tracking reference lines for memory products

Номер патента: US20120069644A1. Автор: Toshio Sunaga,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Replaceable, precise-tracking reference lines for memory products

Номер патента: WO2012039774A1. Автор: Toshio Sunaga,Lejan Pu. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Multiple stack high voltage circuit for memory

Номер патента: US12094558B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Tung-Cheng Chang,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory having latched repeaters for memory row line selection

Номер патента: US5119340A. Автор: William C. Slemmer. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1992-06-02.

Memory device and scheduling method for memory device

Номер патента: US20210271417A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: EP1382042A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A3. Автор: Shree Kant,Gajendra P Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Prefetch management for memory

Номер патента: US11822477B2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: WO2021007169A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: EP3997703A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: US20210012825A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: US20220199137A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory array seasoning

Номер патента: US20230395136A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Prefetch management for memory

Номер патента: US20240134798A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Prefetch management for memory

Номер патента: EP3791281A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Prefetch management for memory

Номер патента: US20190347201A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Prefetch management for memory

Номер патента: US20190347202A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US11804264B2. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US20220336015A1. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Method and Apparatus for Memory Array Access

Номер патента: US20140281291A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Andrew C. Russell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Powergate biasing techniques for memory applications

Номер патента: US11869572B2. Автор: Prashant Dubey. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus, method and system to reduce memory window latency and read disturb in a memory device for memory operations

Номер патента: US20230267988A1. Автор: LU LIU,Raymond Zeng,Hemant P. Rao,Phoebe P. Yeoh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Multiple Stack High Voltage Circuit for Memory

Номер патента: US20230282250A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Tung-Cheng Chang,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Arrangements for memory with one access transistor for multiple capacitors

Номер патента: US20240107749A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2597502C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: WO2024112431A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2596582C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory array including dummy regions

Номер патента: US12040006B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Memory Array Including Dummy Regions

Номер патента: US20240331754A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array

Номер патента: US20230232638A1. Автор: Chun-Hao Wang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Dong-Ming Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A3. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Clint Wayne Mumford. Дата публикации: 2007-11-29.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: EP1989713A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-12.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: US20230033086A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Dynamically coalescing atomic memory operations for memory-local computing

Номер патента: EP4363984A1. Автор: Johnathan Alsop,Nuwan Jayasena,Shaizeen AGA,Alexandru Dutu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Dynamically coalescing atomic memory operations for memory-local computing

Номер патента: WO2023278338A1. Автор: Johnathan Alsop,Nuwan Jayasena,Shaizeen AGA,Alexandru Dutu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Method for making conductors for ferrite memory arrays

Номер патента: US3849877A. Автор: J Fletcher,C Heckler,P Baba,N Bhiwandker. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1974-11-26.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Method and system for memory protection by processor carrier based access control

Номер патента: US8555013B1. Автор: Yuguang Wu,Christopher A. Vick,Olaf Manczak,Michael H. Paleczny,Jay R. Freeman,Phyllis E. Gustafson. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-10-08.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: WO2023249738A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US20230420017A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory array having strap region with staggered dummy magnetic storage elements

Номер патента: US11737285B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Kun-I Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Techniques for memory access in a reduced power state

Номер патента: US20230400908A1. Автор: Binata Bhattacharyya,Paul S. Diefenbaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Light hibernation mode for memory

Номер патента: US20240078024A1. Автор: Liang Ge. Владелец: Micron Technoloty Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Personal computer interrupt line sharing circuit with active interrupt line monitoring, and method for sharing a common interrupt line by active monitoring

Номер патента: US6192425B1. Автор: Shinobu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Systems and methods for Stretching Clock Cycles in the Internal Clock Signal of a Memory Array Macro

Номер патента: US20100302896A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: US20150324131A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: US20240168535A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: EP3140746A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Local power domains for memory sections of an array of memory

Номер патента: US20120182820A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Smart read scheme for memory array sensing

Номер патента: US20140241090A1. Автор: Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Josephson memory array and method of access in the josephson memory array

Номер патента: EP4432284A2. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Circuit and method for on-chip leakage detection and compensation for memories

Номер патента: US12087368B2. Автор: Vikas RANA,Arpit VIJAYVERGIA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Power source for memory circuitry

Номер патента: US09881654B2. Автор: Kuen-Long Chang,Chun Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Nonvolatile memory with blocks and circuitry for selectively protecting the blocks for memory operations

Номер патента: US5513136A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Thomas C. Price. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array

Номер патента: US20160104545A1. Автор: Jen-Chien Fu,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and apparatus for memory redundancy in a microprocessor

Номер патента: US20090316460A1. Автор: Mamun Rashid,Ioannis Orginos,Mark E. Steigerwald. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Local power domains for memory sections of an array of memory

Номер патента: US20100128550A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Configurable data path for memory modules

Номер патента: US20240289210A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Cyclic redundancy check (CRC) retry for memory systems in compute express link (CXL) devices

Номер патента: US11775387B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: WO2022216455A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-13.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Internal data compare for memory verification

Номер патента: US20130141984A1. Автор: Ryan T. Hirose,John Tiede,Iustin Ignatescu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20230057464A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: EP3903195A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A9. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: EP3621079A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: US20200210078A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20200185019A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20220020417A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: WO2020123151A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: EP3895165A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Selectable error control for memory device

Номер патента: US11816339B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method and apparatus for process corner compensation for memory state sensing

Номер патента: US20180254089A1. Автор: Qiang Tang,Kalyan C. Kavalipurapu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Redundancy circuit for memory array and method for disabling non-redundant wordlines and for enabling redundant wordlines

Номер патента: US20040257886A1. Автор: Chad Adams,Gregory Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Sensing and latching circuit for memory arrays

Номер патента: US20100246281A1. Автор: James Wilson,Gregg Hoyer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Shared redundancy for memory having column addressing

Номер патента: US20030086310A1. Автор: Wen Li,William Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Symmetric architecture for memory cells having widely spread metal bit lines

Номер патента: US20010046150A1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Composite impurity scheme for memory technologies

Номер патента: US09773554B2. Автор: Chien-Hung Liu,Chih-Wei Lee,Tien-Fan Ou,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Address counter test mode for memory device

Номер патента: US6078637A. Автор: Michael D. Carlson,George M. Ansel,David R. Lindley,Jeffrey W. Gossett,Junfei Fan,Andrew L. Hawkins. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Filtered serial event controlled command port for memory

Номер патента: US5682496A. Автор: Frankie Fariborz Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US11881251B2. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20240161809A1. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications

Номер патента: US20090175101A1. Автор: Jeng-Tzong Shih,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications

Номер патента: US7796463B2. Автор: Jeng-Tzong Shih,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications

Номер патента: US20080285363A1. Автор: Jeng-Tzong Shih,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Robust functionality for memory management associated with high-temperature storage and other conditions

Номер патента: US20230395115A1. Автор: Angelo Visconti,Jonathan J. Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense timing coordination for memory

Номер патента: EP4374373A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20220358010A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20210248033A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20240028454A1. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Configurable data path for memory modules

Номер патента: US11994943B2. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Adaptive data relocation for improved data management for memory

Номер патента: US20230048133A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Integrated circuit having test circuitry for memory sub-systems

Номер патента: US20240142520A1. Автор: Alexander Hoefler,Jeffrey Stump. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit having test circuitry for memory sub-systems

Номер патента: EP4362023A3. Автор: Alexander Hoefler,Jeffrey Stump. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit having test circuitry for memory sub-systems

Номер патента: EP4362023A2. Автор: Alexander Hoefler,Jeffrey Stump. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Supply Power Dependent Controllable Write Throughput for Memory Applications

Номер патента: US20140098624A1. Автор: Evrim Binboga. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Supply power dependent controllable write throughput for memory applications

Номер патента: WO2014055661A1. Автор: Evrim Binboga. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: US20150012786A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Optimizing fuseROM usage for memory repair

Номер патента: US09852810B2. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494B2. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Local word line decoder for memory with 2 MOS devices

Номер патента: US5867445A. Автор: Howard C. Kirsch,Yen-Tai Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Ultra high sensitivity sense amplifier for memories employing single transistor cells

Номер патента: US4031522A. Автор: John Anthony Reed,Joel Allen Karp. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1977-06-21.

Circuit for generating and trimming phases for memory cell read operations

Номер патента: US11205462B2. Автор: Vikas RANA,Vivek Tyagi,Chantal Auricchio,Laura Capecchi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-12-21.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494A1. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-11-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US20230317134A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US12086415B2. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US12111726B2. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: US12118212B2. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: CA3178577A1. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and system for memory management and memory storage device thereof

Номер патента: US09940021B2. Автор: Chun-Yang Hu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods and device to reduce the requirements for memory for software applications in the process control systems

Номер патента: RU2634220C2. Автор: Дэвид Кёртис ИНГРЭМ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2017-10-24.

Circuit for generating and trimming phases for memory cell read operations

Номер патента: US11798603B2. Автор: Vikas RANA,Vivek Tyagi,Chantal Auricchio,Laura Capecchi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-24.

An apparatus and method for memory encryption with reduced decryption latency

Номер патента: EP1654661A2. Автор: Carlos Rozas,Gary Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US20240078158A1. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-07.

Completion flag for memory operations

Номер патента: US12050773B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US11775332B2. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Data storage device and method for memory-die-state-aware host command submission

Номер патента: US12067289B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and apparatus to select addresses for memory training

Номер патента: US20240257890A1. Автор: Zhiguo Wei,Yanyang Tan,John Vancleve Lovelace. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: US20240303191A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and apparatus for memory integrated management of cluster system

Номер патента: US12118394B2. Автор: Kang Ho Kim,Taehoon Kim,Kwang-Won Koh,Changdae KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-15.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US12124333B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: EP4432066A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: US20220197827A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: EP4264474A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: WO2009072970A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2009-06-11.

Arbitration for memory diagnostics

Номер патента: US20190035486A1. Автор: Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,Aravindan J. BUSI,Kiran K. Narayan,Deepak I. Hanagandi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: WO2024068450A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Carbone. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: EP2218007A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2010-08-18.

A method and a device for testing a memory array in which fault response is compresed

Номер патента: WO2001008161A3. Автор: Guillaume E A Lousberg,Paul Wielage,Erik J Marinissen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: US20240311297A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: EP4432100A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US12114499B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Dual data storage using an in-memory array and an on-disk page structure

Номер патента: US09891831B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Thomas Legler,Guenter Radestock,Anil Kumar Goel,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09830109B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Page coloring with color inheritance for memory pages

Номер патента: US20080055617A1. Автор: Uday Savagaonkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: US20200142839A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: WO2019002817A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Method, apparatus and computer program for memory retention

Номер патента: WO2011020902A1. Автор: Anders Carlsson,Thomas Olsson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2011-02-24.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and optical network unit router for memory access control

Номер патента: US20240289171A1. Автор: Fei Yan,Weihua Huang. Владелец: Airoha Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Temperature Compensation Circuit and Method for Neural Network Computing-in-memory Array

Номер патента: US20230048640A1. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for relaying data to memory array

Номер патента: US20120307570A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: EP3711053A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Technologies for memory confidentiality, integrity, and replay protection

Номер патента: EP3314522A1. Автор: Men Long,David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Eugene M. KISHINEVSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Lifetime markers for memory devices

Номер патента: US20110242901A1. Автор: Todd Marquart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Non-crystalline device memory array

Номер патента: GB1516390A. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Sense line capacitive balancing in word-organised memory arrays

Номер патента: GB1048466A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1966-11-16.

Method for memory management in virtual machines, and corresponding system and computer program product

Номер патента: WO2015132753A1. Автор: Giovanni Lupi,Giuseppe PAPUZZO,Raffaele GIORDANELLI,Carlo MASTROIANNI,Agostino FORESTIERO. Владелец: ECO4CLOUD S.R.L.. Дата публикации: 2015-09-11.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory capacity detecting device for memory cards

Номер патента: US4982378A. Автор: Tsuyoshi Matsushita. Владелец: Tokyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-01.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Separately addressable memory arrays in a multiple array semiconductor chip

Номер патента: US4636986A. Автор: Raymond Pinkham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Intermediate memory array with a parallel port and a buffered serial port

Номер патента: US4718039A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Vincent F. Sollitto, Jr.,William F. Shutler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Memory array biasing circuit for high speed CMOS device

Номер патента: US4636983A. Автор: Kenneth E. Young,Bruce L. Bateman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-01-13.

Virtual memory mapping method and system for memory management of pools of logical partitions for bat and TLB entries in a data processing system

Номер патента: US5721858A. Автор: Steven W. White,G. Jeannette McWilliams,Jack Wayne Kemp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Technologies for memory tagging

Номер патента: US11940927B2. Автор: David M. Durham,Michael D. LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: US20210296360A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: EP2994915A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US11887687B2. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20210193211A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US10937483B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Current separation for memory sensing

Номер патента: WO2019125797A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Peripheral logic circuits under dram memory arrays

Номер патента: US20190131308A1. Автор: Harish N. Venkata,Jeffrey Koelling,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US11735255B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220392527A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

DQS for data from a memory array

Номер патента: US20060083082A1. Автор: Jung Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: WO2014124218A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-08-14.

Technologies for memory tagging

Номер патента: EP4293523A1. Автор: David M. Durham,Michael D. LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Compute-in-memory array multi-range temperature compensation

Номер патента: US11955193B1. Автор: Brandon David Rumberg,Steven Andryzcik. Владелец: Aspinity Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: EP4122013A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-25.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190287601A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Current separation for memory sensing

Номер патента: EP3729434A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190189178A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Providing variable interpretation of usefulness indicators for memory tables in processor-based systems

Номер патента: EP3682334A1. Автор: Gregory Michael WRIGHT,Eric Rotenberg,Vignyan Reddy KOTHINTI NARESH,Anil Krishna,Yongseok Yi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Method and system for memory management on the basis of zone allocations and optimization using improved lmk

Номер патента: WO2022139990A1. Автор: Sundaramoorthy BALASUBRAMANIAN. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array architecture supporting block write operation

Номер патента: US20010056519A1. Автор: Hua Zheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Circuit for accessing a chalcogenide memory array

Номер патента: EP1733398A4. Автор: BIN Li,David C Lawson,Kenneth R Knowles. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Three-dimensional memory array formation techniques

Номер патента: US20240188299A1. Автор: Wenjie Li,George Matamis,Christopher J. Larsen,S M Istiaque Hossain,Lingyu Kong,David A. Daycock,Sok Han Wong,Kevin R. Gast,Lhaang Chee Ooi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Test method for screening local bit-line defects in a memory array

Номер патента: US20120263002A1. Автор: Yin Chin Huang,Chu Pang Huang,Yi Fang Chang,Cheng Chi Liu,Chang Chan Yang,Min Kuang Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Maximum row active time enforcement for memory devices

Номер патента: US20240231635A1. Автор: Donald M. Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US20230253017A1. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method for memory bandwidth reduction using a programmable cache line

Номер патента: WO2024127046A1. Автор: Georgios Keramidas,Iakovos Stamoulis,Chrysa Kokkala,Nikolaos MITAS. Владелец: Think Silicon Research and Technology Single Member S.A.. Дата публикации: 2024-06-20.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US12087384B2. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US20240298553A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Distributed memory array supporting random access and file storage operations

Номер патента: EP2434406A2. Автор: Clifford E. Kimmery. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Serial core memory array

Номер патента: CA1069210A. Автор: Morris O. Stein,J. Fred Rathjen,Peter A. Jager. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-01-01.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

First in - first out memory array containing special bits for replacement addressing

Номер патента: CA1080366A. Автор: Gerhard R. Thompson,John E. Campbell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Method and apparatus for cyclically searching a contents addressable memory array

Номер патента: US6108747A. Автор: Teruo Kaganoi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Storage System and Method for Memory Backlog Hinting for Variable Capacity

Номер патента: US20200401341A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US20230359361A1. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US11335700B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20150006599A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US9760110B2. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

A system and method for memory allocation and management in non-uniform memory access architecture computing environments

Номер патента: US20230325239A1. Автор: XIN ZHAO,Tongping LIU,Hanmei Yang. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2023-10-12.

Dynamic error control configuration for memory systems

Номер патента: US11782787B2. Автор: Zhengang Chen,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262650A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137685A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US20190057757A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US11929107B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Dynamic reference scheme for improving read margin of resistive memory array

Номер патента: US10706904B2. Автор: Massimo Alioto,Kien TRINH QUANG,Sergio RUOCCO. Владелец: Agency Fpr Science Technology And Research. Дата публикации: 2020-07-07.

Method for memory management

Номер патента: US20120159111A1. Автор: Chae Deok Lim,Ik-Soon KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-21.

Techniques to utilize near memory compute circuitry for memory-bound workloads

Номер патента: WO2023184224A1. Автор: XIAO Hu,Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Sujoy Sen,Ravishankar Iyer,Ananthan Ayyasamy,Nagabhushan Chitlur,Nilesh Jain,Mariano Tepper,Suresh Thirumandas,Theodore Willke,Gopi Krishna Jha,Maria Cecilia AGUERREBERE OTEGUI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-10-05.

Error information signaling for memory

Номер патента: US11782608B1. Автор: Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Casto Salobrena Garcia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Resistive memory array

Номер патента: WO2022111150A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-02.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: EP4341814A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: AU2002311936A1. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US20220374307A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Techniques for memory system configuration using queue refill time

Номер патента: US11768629B2. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Roberto IZZI,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US11977772B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Resistive memory array

Номер патента: GB2616573A. Автор: Reznicek Alexander,KIM Youngseok,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Storage system and method for memory backlog hinting for variable capacity

Номер патента: WO2020256782A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Measurement command for memory systems

Номер патента: US20240070089A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20150006600A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20160161976A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US9851743B2. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US20210288071A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US12001302B2. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-06-04.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US20180260318A1. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory array programming circuit and a method for using the circuit

Номер патента: US20040153621A1. Автор: Yan Polansky,Avi Lavan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Activate commands for memory preparation

Номер патента: WO2023023454A1. Автор: Peter Mayer,Nobuyuki Umeda,Andreas Schneider,Martin Brox,Casto Salobrena Garcia,Rethin Raj. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-23.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20240090230A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Activate commands for memory preparation

Номер патента: US20230162771A1. Автор: Peter Mayer,Nobuyuki Umeda,Andreas Schneider,Martin Brox,Casto Salobrena Garcia,Rethin Raj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Method and apparatus for memory management in memory disaggregation environment

Номер патента: US20230305721A1. Автор: Tae-hoon Kim,Kang-Ho Kim,Kwang-Won Koh,Chang-Dae KIM,Sang-Ho EOM. Владелец: Sysgear Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Combining ram and rom into a single memory array

Номер патента: US20020089873A1. Автор: Spencer Gold,Marc Lamere. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Resistive memory array

Номер патента: US20220165947A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: EP1409237A2. Автор: John.H Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: US20020176280A1. Автор: John Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: WO2002096632A2. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Write control method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20080247245A1. Автор: Donald W. Plass,John D. Davis,Kenneth J. Reyer,Paul A. Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Intelligent memory array switching logic

Номер патента: WO2006077046A1. Автор: Khaled Fekih-Romdhane,Skip Shizhen Liu. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-27.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for writing data to memory array

Номер патента: US20110085392A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Level shifter for use with memory arrays

Номер патента: US20120033508A1. Автор: Chad A. Adams,Sharon H. Cesky,Elizabeth L. Gerhard,Jeffrey M. Scherer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: EP1894208A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-03-05.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: WO2007001852A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100208533A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for random data distribution in a memory array

Номер патента: US12079478B2. Автор: Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

N-way mode content addressable memory array

Номер патента: US20090279340A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method and Apparatus for Implementing Complex Logic Within a Memory Array

Номер патента: US20090027079A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method and apparatus for implementing complex logic within a memory array

Номер патента: US20080136447A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Voltage control method and voltage control circuit for anti-fuse memory array

Номер патента: US20230197178A1. Автор: Yan Wang,Sheng Qiu,Xian Chen,Zhengyuan ZHANG,Mingyuan Xu,Ruzhang Li,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Feiyu JIANG,Xiyi LIAO,Yonghong DAI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

In-memory spiking neural networks for memory array architectures

Номер патента: US20190005376A1. Автор: Berkin Akin,Seth H. Pugsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Dynamic additive attention adaption for memory-efficient multi-domain on-device learning

Номер патента: US20230342604A1. Автор: LI YANG,Deliang Fan,Adnan Siraj Rakin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-26.

Photolithographic exposure method for memory

Номер патента: US20220399356A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Connecting mechanism for memory card

Номер патента: US5092799A. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-03-03.

INPUT/OUTPUT LINE DRIVER CIRCUIT

Номер патента: US20140306738A1. Автор: PARK Nak Kyu. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

Image sensing device having input/output lines

Номер патента: US9479719B2. Автор: Si-Wook YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Fail-silent control device for secure message transmission and guaranteed data consistency in networks has control units, data transmission units, bus drivers and input/output lines

Номер патента: DE10239846A1. Автор: Josef Berwanger,Martin Peller. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2004-03-18.

N, n '-substituted 3, 7-diazabicyclo[3,3,1]nonane drug for memory regeneration in health and disease in patients of all age groups, based pharmaceutical composition and method of application thereof

Номер патента: RU2417082C2. Автор: Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Владимир Викторович Григорьев,Мстислав Игоревич Лавров,Владимир Александрович Палюлин,Константин Владимирович Анохин,Наталья Викторовна Комисарова,Анна Александровна Тиунова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Физиологически Активных Веществ Ран (Ифав Ран). Дата публикации: 2011-04-27.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A3. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: Fred Tk Cheung. Дата публикации: 2004-10-28.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A2. Автор: Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-16.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Virtual ground memory array and method therefor

Номер патента: WO2006041633A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore,Laureen H Parker. Владелец: Laureen H Parker. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: EP3925004A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2020167658A4. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240179919A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20220293623A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

3-dimensional NOR memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US12052867B2. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20240357817A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20210313348A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: EP3833380A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-06-16.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: CA3109141A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2020-02-13.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: AU2019320099A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-04-01.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: US20210322451A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-10-21.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: WO2020033972A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

For memory on package with reduced thickness

Номер патента: US20240334715A1. Автор: Phani Alaparthi,Samarth Alva,Navneet Kumar SINGH,Gaurav HADA,Aiswarya M. Pious,Ritu Bawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Spar mooring line sharing method and system

Номер патента: EP2424775A2. Автор: Peter Sharp,Jim Wang,Andrew Buck,David Edelson,Timothy Hale. Владелец: Technip France SAS. Дата публикации: 2012-03-07.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Heat dissipating device for memory modules and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009020265A1. Автор: Yun Kyung Myung. Владелец: Il Chang Precision Co., Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Data synchronizing system for multiple memory array processing field organized data

Номер патента: WO1997035400A2. Автор: Leland Putnam. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-09-25.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional memory array and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432802A1. Автор: Young Wook Park,Jin Ho Ahn. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory array - periphery integration with split barrier metal stack

Номер патента: US20240074161A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydip Guha,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for forming connections to a memory array and periphery

Номер патента: US20130049074A1. Автор: Shyam Surthi,Hung-Ming Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20180269283A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200381290A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200051849A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated memory, integrated assemblies, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2018128758A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-12.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Thermal isolation for memory systems

Номер патента: US20240196569A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Contact for memory cell

Номер патента: US8361832B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Telephone line sharing apparatus

Номер патента: US5530951A. Автор: Donald Argintar. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-06-25.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors formed with an oxide semiconductor channel

Номер патента: US20240114689A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array with contact enhancement cap and method for preparing the memory array

Номер патента: US11917813B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US11856793B2. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200075630A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20130341586A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory structures, memory arrays, methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20130214230A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Eeprom memory array having 5f2 cells

Номер патента: WO2008021646A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2009-04-16.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Provisioning device and/or line sharing capabilities to internet of things (iot) devices

Номер патента: EP3560224A1. Автор: Ming Shan Kwok,Yasmin Karimli,Gunjan Nimbavikar. Владелец: T Mobile USA Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US20220359612A1. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140154861A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071966A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20170025606A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20140319447A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Integrated Circuits, Methods for Manufacturing Integrated Circuits, Integrated Memory Arrays

Номер патента: US20080225587A1. Автор: Josef Willer,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-18.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Dielectric materials, capacitors and memory arrays

Номер патента: US12062688B2. Автор: Timothy A. Quick,Matthew N. Rocklein,Sumeet C. Pandey,Richard Beeler,An-Jen B. Cheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

INPUT-OUTPUT LINE SENSE AMPLIFIER HAVING ADJUSTABLE OUTPUT DRIVE CAPABILITY

Номер патента: US20120081974A1. Автор: Jung Chulmin,Kim Kang Yong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Waterproof quick connector lug of product input/output line

Номер патента: CN216120957U. Автор: 龙秀才,薛冬英,薛乐平,冯秀群. Владелец: Amu Microelectronics Technology Zhongshan Co ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Connection method of power input / output line to ballast of lighting device and its structure

Номер патента: KR970032295A. Автор: 최혜림. Владелец: 최혜림. Дата публикации: 1997-06-26.

Cell input / output line accommodating apparatus and system switching control method

Номер патента: JP2806766B2. Автор: 睦 伊藤,ひろみ ▲高▼橋. Владелец: NEC Communication Systems Ltd. Дата публикации: 1998-09-30.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for memory addressing and control with reversal of higher and lower address

Номер патента: CA1318413C. Автор: Jeffrey Inskeep. Владелец: Hayes Microcomputer Products Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.