Gate structures in transistor devices and methods of forming same
Номер патента: US11967504B2
Опубликовано: 23-04-2024
Автор(ы): Chi On Chui, Hsin-Yi Lee, Jia-Ming Lin, Kun-Yu LEE
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-04-2024
Автор(ы): Chi On Chui, Hsin-Yi Lee, Jia-Ming Lin, Kun-Yu LEE
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating quasi-soi source/drain field effect transistor device
Номер патента: US20160118245A1. Автор: Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Hanming Wu,Jiewen Fan,Weihai Bu,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-28.