Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Capacitance reduction for back-side power rail device

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: US11961915B2
Опубликовано: 16-04-2024
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Kuan-Lun Cheng, Kuo-Cheng Chiang, Shi Ning Ju, Wen-Ting Lan
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4343826A2. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096984A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4343826A3. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US12040270B2. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US20240332188A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US20230260910A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: US20240258432A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: US20210351303A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: KR102436689B1. Автор: 시 닝 주,쿠오-챙 치앙,치-하오 왕,웬-팅 란,쿠안-룬 챙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-08-25.

Power gating dummy power transistors for back side power delivery networks

Номер патента: WO2024068454A1. Автор: Tao Li,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Power gating dummy power transistors for back side power delivery networks

Номер патента: US20240113125A1. Автор: Tao Li,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated chip having a back-side power rail

Номер патента: US11735513B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated chip having a back-side power rail

Номер патента: US20230343695A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US20220359685A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US20220115510A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US11901423B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US20240145562A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Front end of line processing compatible thermally stable buried power rails

Номер патента: US20240006316A1. Автор: Daniel Charles Edelstein,Christian Lavoie,Ruilong Xie,Sagarika Mukesh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Replacement buried power rail

Номер патента: WO2023088617A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Kevin Shawn Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Bottom dielectric isolation integration with buried power rail

Номер патента: WO2023089470A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy Yu,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Transistor arrangements with metal gate cuts and recessed power rails

Номер патента: US11508847B2. Автор: Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Integrated chip having a buried power rail

Номер патента: US11742292B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240030189A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Packaged semiconductor devices including backside power rails and methods of forming the same

Номер патента: US11830854B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210358891A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated circuit devices comprising buried power rails

Номер патента: EP4391033A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20210351079A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20240266223A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Alignment mark for back side power connections

Номер патента: US20240079294A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,David Wolpert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US11935794B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20230106478A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US20230387006A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US20230361028A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US11742285B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US20210082815A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: KR102272740B1. Автор: 게르벤 둔보스. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-07-07.

Via connecting the front side of a semiconductor device to a back side power distribution network and corresponding method

Номер патента: EP4270458A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Eun Sung Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device including a power rail

Номер патента: US20240213119A1. Автор: Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device including a power rail

Номер патента: EP4394863A1. Автор: Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: GB2625965A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: US12046643B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: WO2023041994A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

FinFET devices with a backside power rail and a backside self-aligned via disposed between dielectric fins

Номер патента: US11901456B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Bulk substrate backside power rail

Номер патента: US20230411290A1. Автор: Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Junli Wang,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305428A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Buried power rail contact

Номер патента: US12002874B2. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

FINFET Devices with Backside Power Rail and Backside Self-Aligned Via

Номер патента: US20240222508A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20240204045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Transistors with enhanced via-to-backside power rail

Номер патента: US20240105614A1. Автор: Feng Liu,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Power Rails For Stacked Semiconductor Device

Номер патента: US20230395437A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of Forming Backside Power Rails

Номер патента: US20220102535A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Pei-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US11923408B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of forming backside power rails

Номер патента: US11777016B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20220367619A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Power rails for stacked semiconductor device

Номер патента: US11854910B2. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20220069076A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240079329A1. Автор: Jae Young Choi,Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seung Min Song,Eun Sung Kim,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

VTFET with buried power rails

Номер патента: US11764298B2. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Vtfet with buried power rails

Номер патента: US20230387295A1. Автор: Chen Zhang,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Replacement via and buried or backside power rail

Номер патента: EP4199067A1. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy,Klaus Max SCHRUEFER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: EP4409627A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: US12107132B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US12107131B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device with Backside Power Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20220102274A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210358891A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor structure with self-aligned backside power rail

Номер патента: US11848329B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Buried via-to-backside power rail (vbpr) for stacked field-effect transistor (fet)

Номер патента: US20230369217A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Nicholas Anthony Lanzillo,Julien Frougier,Daniel James Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Via to backside power rail through active region

Номер патента: US20230369220A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure with self-aligned backside power rail

Номер патента: US20230387127A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11942530B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: WO2023066796A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240063122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Eun Sung Kim,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4325564A1. Автор: Eunsung KIM,Kangill Seo,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Integrated circuits with backside power rails

Номер патента: US12057385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12094973B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-gate transistors with backside power rail and reduced gate-drain capacitance

Номер патента: US12125852B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359747A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

FINFET DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Structure and Method for Transistors Having Backside Power Rails

Номер патента: US20210202385A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Structure and method for transistors having backside power rails

Номер патента: KR102524729B1. Автор: 칭-웨이 차이,유-수안 후앙,쳉-치 추앙,샹-웬 창,쳉-팅 충. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-04-21.

Thermal budget enhanced buried power rail and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4080555A1. Автор: KANG Ill Seo,Hoonseok Seo,Saehan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220069116A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11804486B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor Structure with Self-Aligned Backside Power Rail

Номер патента: US20210305252A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Backside Power Rail And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20230387115A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: WO2023073483A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: EP4423811A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Self-aligned wide backside power rail contacts to multiple transistor sources

Номер патента: KR20230034172A. Автор: 니틴 케이. 잉글,옌-추 양,발라수브라마니안 프라나타르티하란,수케투 아룬 파리크,아시쉬 팔,엘 메디 바지지,앤드류 여,아르빈드 순다라잔,구안 훼이 시,마르티누스 마리아 버켄스,사미르 에이. 데쉬판데. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-03-09.

Buried power rail after replacement metal gate

Номер патента: WO2023088668A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Silicided fin junction for back-side connection

Номер патента: EP3667733A1. Автор: Sylvain Baudot,Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-17.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240079330A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4336547A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device with early buried power rail (BPR) and backside power distribution network (BSPDN)

Номер патента: US12057371B2. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with early buried power rail and backside power distribution network

Номер патента: EP4423805A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US20240222264A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Buried power rail for semiconductors

Номер патента: US20230083432A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Via resistance to backside power rail

Номер патента: US20240096752A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Liqiao QIN,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Buried power rail for transistor devices

Номер патента: US20200411436A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Buried power rail for semiconductors

Номер патента: GB2625643A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US20230010409A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US11942413B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Buried power rail via with reduced aspect ratio discrepancy

Номер патента: US20240162151A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: US20230411292A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: WO2023241932A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit structures with gate cuts above buried power rails

Номер патента: EP4064333A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Power-tap pass-through to connect a buried power rail to front-side power distribution network

Номер патента: US20220181258A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Power-tap pass-through to connect a buried power rail to front-side power distribution network

Номер патента: US11961802B2. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Pn junction device structure in semiconductor device with back side power delivery network (bspdn) structure

Номер патента: EP4235787A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Pj junction device structure in semiconductor device with back side power delivery network (bspdn) structure

Номер патента: US20230275084A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

An integrated circuit chip comprising back-side power delivery tracks

Номер патента: EP4152381A1. Автор: Mr. Eric Beyne,Ms. Anne Jourdain,Ms. Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-03-22.

Integrated circuit chip including back side power delivery tracks

Номер патента: US20230080522A1. Автор: Eric Beyne,Anne Jourdain,Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Power rail inbound middle of line (MOL) routing

Номер патента: US09935100B2. Автор: Zhengyu Duan,Qi Ye,Mickael MALABRY,Hyeokjin Bruce LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit chips comprising forksheet devices connected with buried power rails

Номер патента: US20240290660A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Two-dimensional self-aligned backside via-to-backside power rail (VBPR)

Номер патента: GB2628284A. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong,Anderson Brent,ARNOLD John,CLEVENGER Lawrence. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Back side power supply interconnect routing

Номер патента: US20230290840A1. Автор: Yih Wang,Jonathan Tsung-Yung Chang,Mahmut Sinangil,Nail Etkin Can Akkaya. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Back-side power delivery with glass support at the front

Номер патента: EP4084066A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Wilfred Gomes,Abhishek A SHARMA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Device with backside power rail and method

Номер патента: US20230317566A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Yun Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure having stacked power rails

Номер патента: WO2023118262A1. Автор: Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-29.

Buried power rail with robust connection to a wrap around contact

Номер патента: EP4423810A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Self-aligned buried power rail cap for semiconductor devices

Номер патента: US11804436B2. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Self-aligned buried power rail cap for semiconductor devices

Номер патента: US20240030139A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US12021123B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20240339511A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Buried power rail with robust connection to a wrap around contact

Номер патента: WO2023073486A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Backside power rail to deep vias

Номер патента: EP4396868A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Self-aligned wide backside power rail contacts to multiple transistor sources

Номер патента: EP4396867A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Local enlarged via-to-backside power rail

Номер патента: US20240079316A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Local enlarged via-to-backside power rail

Номер патента: WO2024052749A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Backside power rail to deep vias

Номер патента: WO2023034478A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-09.

Self-aligned wide backside power rail contacts to multiple transistor sources

Номер патента: WO2023034477A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus and Method for Forming Alignment Features for Back Side Processing of a Wafer

Номер патента: US20150028499A1. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H. Tsau,William David Sawyer. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Apparatus and method for forming alignment features for back side processing of a wafer

Номер патента: WO2015013243A1. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H. Tsau,William D. Sawyer. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

An integrated circuit chip comprising back-side power delivery tracks

Номер патента: EP4152381B1. Автор: Eric Beyne,Anne Jourdain,Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-10-30.

Stacked staircase cmos with buried power rail

Номер патента: US20230207468A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device with buried power rail

Номер патента: WO2023126143A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Buried Power Rail and Method Forming Same

Номер патента: US20200135634A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

BURIED POWER RAIL FOR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200411436A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Wang Junli,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated circuit devices including a power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20230163073A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Gilhwan Son,Hoonseok Seo,Saehan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device with early buried power rail (bpr) and backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230132353A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor devices having power rails

Номер патента: US10957765B2. Автор: Young-hun Kim,Jae-Seok Yang,Pan-jae PARK,Hae-Wang Lee,Kwan-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor device with early buried power rail and backside power distribution network

Номер патента: WO2023072529A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-04.

Backside power rail integration

Номер патента: US11915966B2. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy R. Yu,Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US11764154B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240006318A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230036522A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230387013A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Isolation rail between backside power rails

Номер патента: US20240234248A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Hosadurga Shobha,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234317A9. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Cross-cell local interconnect with buried power rail and gate contact over active region

Номер патента: WO2023099097A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Isolation rail between backside power rails

Номер патента: US20240136253A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Hosadurga Shobha,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device having buried power rail

Номер патента: US09570395B1. Автор: RWIK Sengupta,Mark Rodder,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Backside power rail with tight space

Номер патента: US20240105606A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240136288A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Transistors with via-to-backside power rail spacers

Номер патента: US20240105554A1. Автор: Tao Li,Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Liqiao QIN,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: WO2023126144A1. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Parasitic capacitance reduction for tall nanosheet devices

Номер патента: US20230163126A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

FLOATING GATE PREVENTION AND CAPACITANCE REDUCTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US11984441B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Metal zero contact via redundancy on output nodes and inset power rail architecture

Номер патента: US20200035662A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

14 lpm contact power rail

Номер патента: US20140246791A1. Автор: Jason Eugene STEPHENS,Roderick Alan Augur,Marc L. Tarabbia,Nader Magdy Hindawy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Method and device for power rail in a fin type field effect transistor

Номер патента: US10685865B2. Автор: Sony Varghese,Min Gyu Sung,Johannes Van Meer,John Hautala. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

power rail input line medium (mol) routing

Номер патента: BR112018009374A8. Автор: MALABRY Mickael,YE Qi,Duan Zhengyu,Bruce Lim Hyeokjin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: US12074109B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: US20230238325A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: WO2023146696A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-03.

Buried power rail for scaled vertical transport field effect transistor

Номер патента: GB2615949A. Автор: Reznicek Alexander,Wang Junli,Xie Ruilong,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor device having a backside power rail

Номер патента: WO2023241947A1. Автор: Xie Ruilong,Lawrence Clevenger,Dechao Guo,Junli Wang,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having a backside power rail

Номер патента: US20230411293A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with a buried power rail

Номер патента: WO2023151939A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Fee Li LIE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing a semiconductor structure with buried power rail

Номер патента: EP3454366B1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Back side power supply for electronic devices

Номер патента: EP4156263A2. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Back side power supply for electronic devices

Номер патента: EP4156263A3. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Back Side Power Supply for Electronic Devices

Номер патента: US20230094594A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Package comprising a substrate with a bridge configured for a back side power distribution network

Номер патента: US20230402380A1. Автор: Shree Krishna Pandey,Biancun Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Package comprising a substrate with a bridge configured for a back side power distribution network

Номер патента: WO2023239540A1. Автор: Shree Krishna Pandey,Biancun Xie. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-14.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20170148662A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Seo Soon-Cheon,Surisetty Charan V.V.S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING BACK SIDE POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20210098361A1. Автор: Doornbos Gerben,VAN DAL Marcus Johannes Henricus. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING BACK SIDE POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20210265260A1. Автор: Doornbos Gerben,VAN DAL Marcus Johannes Henricus. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US20160233091A1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US11133272B1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US20210343661A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: EP4139961A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: WO2021216250A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-28.

Dual Contact and Power Rail for High Performance Standard Cells

Номер патента: US20230299001A1. Автор: Sambasivan Narayan,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Two-dimensional self-aligned backside via-to-backside power rail (VBPR)

Номер патента: GB202409091D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Spacers for Semiconductor Devices Including a Backside Power Rails

Номер патента: US20220037193A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093512A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

STRUCTURE AND METHOD FOR TRANSISTORS HAVING BACKSIDE POWER RAILS

Номер патента: US20220375860A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Chang Shang-Wen,Chuang Cheng-Chi,Chung Cheng-Ting,HUANG Yu-Xuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Backside electrical contacts to buried power rails

Номер патента: US20230093101A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Kangguo Cheng,Roy R. Yu,Albert M. Young,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Spacers for semicondductor devices including a backside power rails

Номер патента: KR102456276B1. Автор: 쳉-치 추앙,리-젠 유,후안-치에 수,린-유 후앙,치흐-하오 왕. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-10-18.

Methods of forming spacers for semiconductor devices including backside power rails

Номер патента: US11915972B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of Forming Backside Power Rails

Номер патента: US20230369418A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit devices including backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: EP4273914A1. Автор: Kang-ill Seo,Gunho JO,Inchan HWANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Field-effect transistor structure including passive component or bipolar junction transistor with back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4333061A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Field-effect transistor structure including passive device and back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230163202A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Power delivery network for CFET with buried power rails

Номер патента: US12040271B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit including cell array and backside power rail

Номер патента: US20240172407A1. Автор: Taehyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Hybrid conductor integration in power rail

Номер патента: US20210217699A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power delivery network for cfet with buried power rails

Номер патента: WO2021080673A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Power delivery network for cfet with buried power rails

Номер патента: US20230326855A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Local interconnect power rails and upper power rails

Номер патента: US20230335484A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US12136466B2. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

High aspect ratio buried power rail metallization

Номер патента: US12148699B2. Автор: Hosadurga Shobha,Fee Li LIE,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Thamarai Selvi Devarajan,Aakrati Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Buried power rail directly contacting backside power delivery network

Номер патента: US20240105607A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Buried power rail contact formation

Номер патента: US20220181197A1. Автор: Zheng Tao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-09.

Buried power rail contact formation

Номер патента: US11776841B2. Автор: Zheng Tao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-03.

Integrated circuit including cell array and backside power rail

Номер патента: EP4372797A1. Автор: Taehyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Replacement buried power rail in backside power delivery

Номер патента: EP3928350A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Hoyoung Kang,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125788B2. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

High aspect ratio buried power rail metallization

Номер патента: US20230402378A1. Автор: Hosadurga Shobha,Fee Li LIE,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Thamarai Selvi Devarajan,Aakrati Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Local frontside power rail with global backside power delivery

Номер патента: US20240105608A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Hybrid buried power rail structure with dual front side and backside processing

Номер патента: WO2024002268A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US20230410851A1. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power distribution network with backside power rail

Номер патента: US20240128191A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Hybrid buried power rail structure with dual front side and backside processing

Номер патента: US20240006314A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US11881455B2. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: WO2023154500A1. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240063123A1. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: US12002705B2. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Power routing for 2.5D or 3D integrated circuits including a buried power rail and interposer with power delivery network

Номер патента: US11984384B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: WO2019236702A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

Parasitic capacitance reduction in GaN devices

Номер патента: US11929364B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: US20240178220A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20210210596A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.,Seo Soon-Cheno. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20190259831A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.V.S.,Seo Soon-Cheno. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148874A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20210210596A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148662A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190259831A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20230299134A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

PARASITIC CAPACITANCE REDUCTION IN GaN-ON-SILICON DEVICES

Номер патента: US20190371729A1. Автор: Boles Timothy E.,Struble Wayne Mack,Cueva Gabriel R.. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-05.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: US20220005764A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Parasitic capacitance reduction in gallium nitride on silicon devices

Номер патента: CN112236844A. Автор: 加百利·R·奎瓦,蒂莫西·E·博莱斯,韦恩·麦克·斯特鲁布尔. Владелец: Magnesium Microwave Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-15.

Backside power rails and power distribution network for density scaling

Номер патента: GB202408940D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Backside power rails and power distribution network for density scaling

Номер патента: GB2628270A. Автор: Guo Dechao,Choi Kisik,Bu Huiming,Zhao Kai,Xie Ruilong,Anderson Brent,Pranatharthiharan Balasubramanian,GHOSH Somnath,Mukesh Sagarika,Chu Albert,Young Albert,Christopher Arnold John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method, apparatus, and system for two-dimensional power rail to enable scaling of a standard cell

Номер патента: US10147714B2. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-04.

Methods for manufacturing devices and semiconductor devices (rear power rails and distribution networks for density scaling)

Номер патента: JP2023097349A. Автор: Zhao Kai,GHOSH Somnath,Mukesh Sagarika,Chu Albert,Dechao Guo,Huiming Bu,Ruilong Xie,Kisik Choi,ルイロン シエ,キシク チョイ,ソムナス ゴーシュ,サガリカ ムケシュ,アルバート チュー,アルバート エム． ヤング,バラスブラマニアン エス． プラナサーシハラン,フイミン ブ,カイ ザオ,ジョン クリストファー アーノルド,ブレント エイ． アンダーソン,デカオ グオ,A Anderson Brent,M Young Albert,S Pranatharthiharan Balasubramanian,Christopher Arnold John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-07.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US11842965B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US20240063125A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit with backside power rails

Номер патента: EP4409625A1. Автор: Somnath Ghosh,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Kisik Choi,Rishikesh Krishnan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods of Forming Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20220359264A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Buried power rails

Номер патента: US10586765B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-10.

Packaged semiconductor devices including backside power rails and methods of forming the same

Номер патента: KR102460887B1. Автор: 치이 추앙,허우위 천,쿠안륀 청. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-10-28.

Semiconductor device having buried power rail and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106711120A. Автор: 马克·S·罗德尔,洪俊顾,沃克·森古皮塔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-24.

Semiconductor device having buried power rail and method of manufacturing the same

Номер патента: TW201719835A. Автор: 雷維基 森古普塔,洪俊九,馬克 S. 羅德爾. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Techniques for forming electrically conductive features with improved alignment and capacitance reduction

Номер патента: WO2017111847A1. Автор: Kevin Lin,Richard E. Schenker,Manish Chandhok,Jeffery Bielefeld. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: WO2024114309A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-06.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: US20240178050A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Buried power rail for scaled vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220148969A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Buried power rail for scaled vertical transport field effect transistor

Номер патента: GB202307929D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Semiconductor device layout having a power rail

Номер патента: US09865544B2. Автор: Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Cell architecture with center-line power rails for stacked field-effect transistors

Номер патента: US20240145343A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Cell architecture with center-line power rails for stacked field-effect transistors

Номер патента: EP4362094A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Integrated Circuits with Backside Power Rails

Номер патента: US20210057325A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chiang Kuo-Cheng,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES WITH GATE CUTS ABOVE BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20220310514A1. Автор: Wei Andy Chih-Hung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated Circuits with Backside Power Rails

Номер патента: US20200381352A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Metal-semiconductor junction formed by a buried power rail

Номер патента: EP4210101A3. Автор: Richard Geiger,Harald Gossner,Georgios Panagopoulos,Johannes Rauh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Drain side recess for back-side power rail device

Номер патента: US20240379783A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Power rail and signal conducting line arrangement

Номер патента: US20240274607A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Direct bonding on buried power rails

Номер патента: US20240332184A1. Автор: Belgacem Haba,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Direct bonding on buried power rails

Номер патента: WO2024206830A1. Автор: Belgacem Haba,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Power rail and signal conducting line arrangement

Номер патента: US11967596B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Design applications of buried power rails

Номер патента: US20200373240A1. Автор: Vasisht M. Vadi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Design applications of buried power rails

Номер патента: US20220068815A1. Автор: Vasisht M. Vadi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Applications of buried power rails

Номер патента: US11901294B2. Автор: Vasisht M. Vadi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Standard cell having power rails disposed in central region thereof and standard cell block

Номер патента: US12033997B2. Автор: Jungkyu CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including power rail

Номер патента: US20220037254A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Parasitic capacitance reduction

Номер патента: US12068396B2. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Parasitic capacitance reduction

Номер патента: US20240363733A1. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Dummy dielectric fin design for parasitic capacitance reduction

Номер патента: US20200127113A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Parasitic Capacitance Reduction

Номер патента: US20230402531A1. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Parasitic Capacitance Reduction

Номер патента: US20210257483A1. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Parasitic capacitance reduction

Номер патента: US20220238702A1. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Dummy Dielectric Fin Design for Parasitic Capacitance Reduction

Номер патента: US20210226037A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Parasitic capacitance reduction

Номер патента: US11757022B2. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

METHOD AND DEVICE FOR POWER RAIL IN A FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200027777A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2020-01-23.

POWER RAILS FOR STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059414A1. Автор: Yang Chan-Lon,Yang Chansyun David,Chang Keh-Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220069116A1. Автор: Wang Chih-hao,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Wang Pei-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-03.

SELF ALIGNED BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20220181198A1. Автор: Bouche Guillaume,LiCausi Nicholas V.,Liebmann Lars W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

POWER RAILS FOR STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220270935A1. Автор: Yang Chan-Lon,Yang Chansyun David,Chang Keh-Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor Devices Having Power Rails

Номер патента: US20190123140A1. Автор: Kim Young-Hun,YANG Jae-Seok,LEE Hae-wang,Park Pan-Jae,CHUN Kwan-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR OFFSET METAL POWER RAIL FOR CELL DESIGN

Номер патента: US20170207165A1. Автор: Yuan Lei,KIM JuHan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Self aligned buried power rail

Номер патента: US20180294267A1. Автор: Guillaume Bouche,Lars W. Liebmann,Nicholas V. LiCausi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220359747A1. Автор: Wang Chih-hao,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with backside power rail

Номер патента: US20240014283A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11955552B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Power tap cell for front side power rail connection to bspdn

Номер патента: US20240194601A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-aligned contact based via to backside power rail

Номер патента: US20240290657A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Richard C. Johnson,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

SELF ALIGNED BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20200006112A1. Автор: Bouche Guillaume,LiCausi Nicholas V.,Liebmann Lars W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20220037192A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

METAL ZERO CONTACT VIA REDUNDANCY ON OUTPUT NODES AND INSET POWER RAIL ARCHITECTURE

Номер патента: US20200035662A1. Автор: Schultz Richard T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT WITH BURIED POWER RAIL AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220139835A1. Автор: Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR TWO-DIMENSIONAL POWER RAIL TO ENABLE SCALING OF A STANDARD CELL

Номер патента: US20180102354A1. Автор: Wang Wenhui,Wang Yan,Yuan Lei,Kye Jongwook,Zeng Jia,Wang Chenchen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-04-12.

BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20180374791A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-12-27.

INTEGRATED CIRCUIT WITH BURIED POWER RAIL AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200402909A1. Автор: Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20220367241A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Multi-layer filled gate cut to prevent power rail shorting to gate structure

Номер патента: US9805983B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Hao Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

Номер патента: WO2022015926A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (CFET) to a buried power rail (BPR) of the CFET

Номер патента: US11915984B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Metholodogy for profile control and capacitance reduction

Номер патента: US20170200674A1. Автор: Sunil Kumar Singh,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Contact architecture for capacitance reduction and satisfactory contact resistance

Номер патента: EP3920212A1. Автор: Rishabh Mehandru,Szuya S LIAO,Pratik A PATEL,Thomas T TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Contact architecture for capacitance reduction and satisfactory contact resistance

Номер патента: US11824097B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Pratik A. Patel,Ralph T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Contact architecture for capacitance reduction and satisfactory contact resistance

Номер патента: US20240038857A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Pratik A. Patel,Ralph T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Capacitance reduction by tunnel formation for use with a semiconductor device

Номер патента: US20040056323A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Parasitic capacitance reduction

Номер патента: US09536988B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Parasitic capacitance reduction

Номер патента: US09530890B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Capacitance reduction for semiconductor devices based on wafer bonding

Номер патента: US11798838B2. Автор: Patrick Morrow,Kevin Lin,Rishabh Mehandru,Ehren Mannebach,Hui Jae Yoo,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

CAPACITANCE REDUCTION IN SEA OF LINES BEOL METALLIZATION

Номер патента: US20190172783A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Penny Christopher J.,RIZZOLO Michael,Huang Huai,Shobha Hosadurga,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

METHOLODOGY FOR PROFILE CONTROL AND CAPACITANCE REDUCTION

Номер патента: US20170200674A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Singh Sunil Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

ETCH STOP LAYER REMOVAL FOR CAPACITANCE REDUCTION IN DAMASCENE TOP VIA INTEGRATION

Номер патента: US20210327751A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Choi Kisik,Anderson Brent,Penny Christopher J.,Lanzillo Nicholas Anthony,ROBISON Robert. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

CAPACITANCE REDUCTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200357803A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Surthi Shyam,Yang Litao,Hill Richard J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method and apparatus for capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: CN111916454A. Автор: S·索尔斯,R·J·希尔,杨立涛,G·S·桑胡. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Capacitance reduction by tunnel formation for use with a semiconductor device

Номер патента: US20050233574A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Replacement deep via and buried or backside power rail with backside interconnect structure

Номер патента: EP4199054A3. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Method and ic design with non-linear power rails

Номер патента: US20240312838A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Interconnect structure having power rail structure and related method

Номер патента: US09997456B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method, apparatus, and system for offset metal power rail for cell design

Номер патента: US09639650B2. Автор: Lei Yuan,Juhan Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20190067097A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,WANG Sheng-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20210082755A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,WANG Sheng-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

HYBRID POWER RAIL STRUCTURE

Номер патента: US20200105671A1. Автор: LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,LAI Wei-An. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Buried power rail contact formation

Номер патента: US20220181197A1. Автор: Zheng Tao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-09.

POWER RAIL INBOUND MIDDLE OF LINE (MOL) ROUTING

Номер патента: US20170133365A1. Автор: MALABRY Mickael,YE Qi,Lim Hyeokjin Bruce,Duan Zhengyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20200144115A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,WANG Sheng-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US20210201961A1. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Hybrid conductor integration in power rail

Номер патента: US20210217699A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

POWER RAIL FOR STANDARD CELL BLOCK

Номер патента: US20180269152A1. Автор: Sengupta Rwik,Rodder Mark S.,BERZINS Matthew,Hoover Andrew Paul,Tower Sam. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Method, apparatus, and system for offset metal power rail for cell design

Номер патента: US20160342726A1. Автор: Lei Yuan,Juhan Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

METAL ZERO CONTACT VIA REDUNDANCY ON OUTPUT NODES AND INSET POWER RAIL ARCHITECTURE

Номер патента: US20190333911A1. Автор: Schultz Richard T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

METHOD OF INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION WITH DUAL METAL POWER RAIL

Номер патента: US20180350665A1. Автор: Smith Jeffrey,Leusink Gerrit J.,MAEKAWA Kaoru,Chae Soo Doo,Yu Kai-Hung,Joy Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US11398257B2. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Integrated circuit with buried power rail and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR20200145651A. Автор: 서강일,홍준구,마크 로더. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-30.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US11715501B2. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of manufacturing an integrated circuit with buried power rail

Номер патента: US11233008B2. Автор: Mark S. Rodder,Kang-ill Seo,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Interconnect structure having power rail structure and related method

Номер патента: US10438890B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: US20230260825A1. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Parasitic capacitance reduction structure for nanowire transistors and method of manufacturing

Номер патента: US09893161B2. Автор: Genji Nakamura,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Direct bonding on buried power rails

Номер патента: US20240332183A1. Автор: Belgacem Haba,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Enlarged overlap between backside power rail and backside contact

Номер патента: US20240194691A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Devices with Frontside and Backside Power Rails

Номер патента: US20240008243A1. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Backside power rail for physical failure analysis (pfa)

Номер патента: US20230009640A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Ridge structure for back side illuminated image sensor

Номер патента: US09570503B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen,Wen-De Wang,Keng-Yu Chou,Chun-Chieh Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US09954022B2. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

System and method for back side signal routing

Номер патента: US11748546B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Jack Liu,Jerry Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Dark current reduction for back side illuminated image sensor

Номер патента: US09543355B2. Автор: Yung-Cheng Chang,Hsun-Ying Huang,Chia-Chi Hsiao,Chun-Mao Chiu,Shou-Shu Lu,Hsin-Jung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Back Side Defect Reduction for Back Side Illuminated Image Sensor

Номер патента: US20140073080A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Chuang Chun-Chieh,Tu Yeur-Luen,Wang Chung Chien,Chou Keng-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

System and method for back side signal routing

Номер патента: US20230359799A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Jack Liu,Jerry Chang Jui Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US20230335572A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Dark Current Reduction for Back Side Illuminated Image Sensor

Номер патента: US20140322857A1. Автор: CHANG Yung-Cheng,Huang Hsun-Ying,Hsiao Chia-Chi,Lu Shou-Shu,Jung Huang-Hsin,Chiu Chun-Mao. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

DARK CURRENT REDUCTION FOR BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR

Номер патента: US20150349009A1. Автор: CHANG Yung-Cheng,Huang Hsun-Ying,Hsiao Chia-Chi,Lu Shou-Shu,Chiu Chun-Mao,Huang Hsin-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Low Stress Cavity Package For Back Side Illuminated Image Sensor, And Method Of Making Same

Номер патента: US20130020665A1. Автор: Vage Oganesian. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method Of Making A Low Stress Cavity Package For Back Side Illuminated Image Sensor

Номер патента: US20140065755A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: Optiz, Inc.. Дата публикации: 2014-03-06.

Apparatus and Method for Forming Alignment Features for Back Side Processing of a Wafer

Номер патента: US20150028499A1. Автор: Nunan Thomas Kieran,Tsau Christine H.,Sawyer William David. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

EXTRA DOPED REGION FOR BACK-SIDE DEEP TRENCH ISOLATION

Номер патента: US20220059583A1. Автор: SZE JHY-JYI,Yamashita Yuichiro,WANG YU-JEN,Yaung Dun-Nian,Tseng Hsiao-Hui,Wang Tzu-Jui,Wang Ching-Chun,Ting Shyh-Fann,Chiang Yen-Ting,Chen Chun-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

EXTRA DOPED REGION FOR BACK-SIDE DEEP TRENCH ISOLATION

Номер патента: US20200066770A1. Автор: SZE JHY-JYI,Yamashita Yuichiro,WANG YU-JEN,Yaung Dun-Nian,Tseng Hsiao-Hui,Wang Tzu-Jui,Wang Ching-Chun,Ting Shyh-Fann,Chiang Yen-Ting,Chen Chun-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

EXTRA DOPED REGION FOR BACK-SIDE DEEP TRENCH ISOLATION

Номер патента: US20170117309A1. Автор: SZE JHY-JYI,Yamashita Yuichiro,WANG YU-JEN,Yaung Dun-Nian,Tseng Hsiao-Hui,Wang Tzu-Jui,Wang Ching-Chun,Ting Shyh-Fann,Chiang Yen-Ting,Chen Chun-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Ridge Structure for Back Side Illuminated Image Sensor

Номер патента: US20150187834A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Wen-De,Chuang Chun-Chieh,Chen Pao-Tung,Chou Keng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

EXTRA DOPED REGION FOR BACK-SIDE DEEP TRENCH ISOLATION

Номер патента: US20180204862A1. Автор: SZE JHY-JYI,Yamashita Yuichiro,WANG YU-JEN,Yaung Dun-Nian,Tseng Hsiao-Hui,Wang Tzu-Jui,Wang Ching-Chun,Ting Shyh-Fann,Chiang Yen-Ting,Chen Chun-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US20190214414A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US10510789B2. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Low stress cavity package for back side illuminated image sensor, and method of making same

Номер патента: TWI470775B. Автор: Vage Oganesian. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2015-01-21.

Image sensor array for back side illumination with global shutter using a junction gate photodiode

Номер патента: US8575531B2. Автор: Jaroslav Hynecek,Hirofumi Komori. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

MULTI-LAYER FILLED GATE CUT TO PREVENT POWER RAIL SHORTING TO GATE STRUCTURE

Номер патента: US20180053694A1. Автор: Cheng Kangguo,Tang Hao,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: EP1949518A2. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: WO2007051114A2. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-05-03.

Offset power rail

Номер патента: US20230411394A1. Автор: Albert M. Chu,Junli Wang,Vidhi Zalani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Power rail ESD protection circuit

Номер патента: US5237395A. Автор: Kwok Fai V. Lee. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Integrated circuit structure with cells having asymmetric power rail

Номер патента: US20240021621A1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet Jain,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Jia Zeng, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit for reducing ohmic drop in power rails

Номер патента: US20180166432A1. Автор: Kwang Ok Jeong,Hyo Sig Won,Chan Uk Shin,Kwon Chil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: WO2007051114A3. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: Jonathan Scott Brodsky. Дата публикации: 2008-08-28.

Power-rail esd clamp circuit for mixed-voltage i/o buffer

Номер патента: US20050200396A1. Автор: Ming-Dou Ker,Kuo-Chun Hsu. Владелец: Infineon ADMtek Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Irregular-shaped power rail in cell power distribution

Номер патента: US20240321748A1. Автор: Carl Radens,Ravikumar Ramachandran,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Mahender Kumar,Geng Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Buried Power Rail Architecture

Номер патента: US20220293522A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Ettore Amirante,Sony .. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Backside power rail architecture

Номер патента: US11443777B2. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Sony,Ettore Amirante,Ayush Kulshrestha. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-09-13.

Power structure with power pick-up cell connecting to buried power rail

Номер патента: US11755812B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Power structure with power pick-up cell connecting to buried power rail

Номер патента: US20210294962A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Power rail for preventing dc electromigration

Номер патента: US20150095864A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Power rail for preventing dc electromigration

Номер патента: US20160004809A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor devices having power rails and signal tracks arranged in different layer

Номер патента: US11756876B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

POWER-TAP PASS-THROUGH TO CONNECT A BURIED POWER RAIL TO FRONT-SIDE POWER DISTRIBUTION NETWORK

Номер патента: US20220181258A1. Автор: Smith Jeffrey,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,GUTWIN Paul. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-06-09.

Backside Power Rail Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20210134721A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Structure and formation method of semiconductor device with power rail

Номер патента: US20240021708A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

INTEGRATED CHIP HAVING A BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20220077062A1. Автор: Doornbos Gerben,VAN DAL Marcus Johannes Henricus. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Chip design with power rails under transistors

Номер патента: US6818931B2. Автор: Louis Liu,Hsiao-Hsuan Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Reduction in power rail perturbation and in the effect thereof on integrated circuit performance

Номер патента: CA1320994C. Автор: Gaetan L. Mathieu,Dana Fraser,Ray A. Mentzer,Geoff Hannington,Jerry Gray,Susan M. Keown. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-03.

Device with gaps for capacitance reduction

Номер патента: US20090140380A1. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Zhi-Song Huang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Device with gaps for capacitance reduction

Номер патента: MY147705A. Автор: Huang Zhi-Song,Sadjadi S M Reza. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Device with gaps for capacitance reduction

Номер патента: TW200729338A. Автор: S M Reza Sadjadi,Zhi-Song Huang. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20170148874A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Seo Soon-Cheon,Surisetty Charan V.V.S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

CAPACITANCE REDUCTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES BASED ON WAFER BONDING

Номер патента: US20200303238A1. Автор: Mehandru Rishabh,Yoo Hui Jae,MORROW Patrick,LILAK Aaron,LIN Kevin,MANNEBACH EHREN. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor Device with Backside Power Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240379551A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

CONTACT POWER RAIL

Номер патента: US20150035052A1. Автор: Stephens Jason,Tarabbia Marc,HINDAWY Nader,AUGUR Roderick. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH BURIED POWER RAIL, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190080969A1. Автор: Tsao Po-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A POWER RAIL

Номер патента: US20170098608A1. Автор: JUNG Jong-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Backside Power Rail Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20220181259A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chiang Kuo-Cheng,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20240266191A1. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US11955345B2. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor cell architecture including backside power rails

Номер патента: US20240304520A1. Автор: Jintae Kim,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

CAPACITANCE REDUCTION BY METAL CUT DESIGN

Номер патента: US20200098631A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,Chang Shang-Wen,Lin Yi-Hsiung,CHIU Yi-Hsun,HUANG Yu-Xuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-26.

Gate metal recess for oxidation protection and parasitic capacitance reduction

Номер патента: US6908806B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Ravikumar Ramachandran,Hongwen Yan,Haining Yang,Rajeev Malik,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-21.

Methods of resistance and capacitance reduction to circuit output nodes

Номер патента: US20210249407A1. Автор: Stefan Rusu,Jiann-Tyng Tzeng,Ting-Wei Chiang,Shang-Wei Fang,Jung-Chan YANG,Po-Chia Lai,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

APPARATUSES AND METHODS FOR PIN CAPACITANCE REDUCTION INCLUDING BOND PADS AND CIRCUITS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190363060A1. Автор: Perry Guy S.,Ho Michael V.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-28.

Device with self aligned gaps for capacitance reduction

Номер патента: CN101317260B. Автор: S·M·列扎·萨贾迪,黄志松. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Device with self aligned gaps for capacitance reduction

Номер патента: US20070123017A1. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Zhi-Song Huang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Cell architecture with backside power rails

Номер патента: US11836432B2. Автор: Marlin Wayne Frederick, Jr.,Sharath Koodali Edathil. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Structure including rc-based power rail esd clamping circuit

Номер патента: US20240332181A1. Автор: Tao Li,Daniel Charles Edelstein,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

DESIGN APPLICATIONS OF BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20220068815A1. Автор: VADI Vasisht M.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

MIDDLE-OF-LINE (MOL) COMPLEMENTARY POWER RAIL(S) IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs) FOR REDUCED SEMICONDUCTOR DEVICE RESISTANCE

Номер патента: US20200105670A1. Автор: Yang Haining,RIM Kern,Lu Ye,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

CONTINUOUS POWER RAILS ALIGNED ON DIFFERENT AXES

Номер патента: US20190181129A1. Автор: SUNDARAMOORTHY Senthil Kumar,DIMRI Rakesh. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

DESIGN APPLICATIONS OF BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20200373240A1. Автор: VADI Vasisht M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Cell architecture with backside power rails

Номер патента: TW202219808A. Автор: 沙拉特科達利 伊達帝爾,馬林威恩 佛來德瑞克 Jr. Владелец: 英商Ａｒｍ股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-16.

Standard cell having power rails disposed in central region thereof and standard cell block

Номер патента: US20210343696A1. Автор: Jungkyu CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Dual contact and power rail for high performance standard cells

Номер патента: WO2023183120A1. Автор: Ajay Bhatia,Mohamed H. Abu-Rahma,Antonietta Oliva,Sambasivan Narayan,Praveen Raghavan,Shahzad Nazar. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Isolation module for use between power rails in an integrated circuit

Номер патента: US09729151B2. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Shunt power rail with short line effect

Номер патента: US11038344B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Shunt power rail with short line effect

Номер патента: US20200044440A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Embedded filters for power rail merger

Номер патента: US20150097431A1. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Pillar Based Memory (MRAM) Embedded within the Buried Power Rail within a Backside Power Distribution Network

Номер патента: US20240090235A1. Автор: Michael RIZZOLO,Alexander Reznicek,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Power-rail electro-static discharge (esd) clamp circuit

Номер патента: US20140063663A1. Автор: Ming-Dou Ker,Ryan Hsin-Chin Jiang,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of Forming Backside Power Rails

Номер патента: US20220102535A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Yeap Choh Fei,Yang Chih-Chuan,Wang Pei-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chuang Cheng-Chi,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Dummy Dielectric Fin Design for Parasitic Capacitance Reduction

Номер патента: US20210226037A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SELF-ALIGNED LOW RESISTANCE BURIED POWER RAIL THROUGH SINGLE DIFFUSION BREAK DUMMY GATE

Номер патента: US20220173039A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCLUDING POWER RAIL AND TAPPING WIRE WITH METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180182675A1. Автор: Wang Wenhui,Kye Jongwook,Zeng Jia,Zhu Xuelian. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Fringe capacitance reduction for replacement gate CMOS

Номер патента: US09780192B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Source/drain parasitic capacitance reduction in finfet-based semiconductor structure having tucked fins

Номер патента: US20180277655A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred Eller,Srikanth Balaji SAMAVEDAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Source/drain parasitic capacitance reduction in finfet-based semiconductor structure having tucked fins

Номер патента: US20180069092A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred Eller,Srikanth Balaji SAMAVEDAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

FRINGE CAPACITANCE REDUCTION FOR REPLACEMENT GATE CMOS

Номер патента: US20150187903A1. Автор: Nandakumar Mahalingam,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

FRINGE CAPACITANCE REDUCTION FOR REPLACEMENT GATE CMOS

Номер патента: US20160233312A1. Автор: Nandakumar Mahalingam,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Fringe capacitance reduction for replacement gate cmos

Номер патента: US20170358659A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Fringe capacitance reduction for replacement gate CMOS

Номер патента: US9337297B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Source/drain parasitic capacitance reduction in finfet-based semiconductor structure having tucked fins

Номер патента: US20180069092A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred Eller,Srikanth Balaji SAMAVEDAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

INTEGRATED CIRCUITS WITH MIDDLE OF LINE CAPACITANCE REDUCTION IN SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS FLOW AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160233091A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Parasitic Capacitance Reduction

Номер патента: US20210257483A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,CHEN Chun-Han,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

VERTICALLY-ALIGNED AND CONDUCTIVE DUMMIES IN INTEGRATED CIRCUIT LAYERS FOR CAPACITANCE REDUCTION AND BIAS INDEPENDENCE AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210343661A1. Автор: KOLEV Plamen Vassilev,Vemulapalli Anil Kumar,Deig Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

SOURCE/DRAIN PARASITIC CAPACITANCE REDUCTION IN FINFET-BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING TUCKED FINS

Номер патента: US20180277655A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui,Eller Manfred,SAMAVEDAN Srikanth Balaji. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

PARASITIC CAPACITANCE REDUCTION STRUCTURE FOR NANOWIRE TRANSISTORS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20160315167A1. Автор: Nakamura Genji,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Transistor with bottomwall/sidewall junction capacitance reduction region and method

Номер патента: US20040079992A1. Автор: Manoj Mehrotra,Kaiping Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

METHODS OF RESISTANCE AND CAPACITANCE REDUCTION TO CIRCUIT OUTPUT NODES

Номер патента: US20210249407A1. Автор: TZENG JIANN-TYNG,RUSU Stefan,CHIANG Ting-Wei,YANG Jung-Chan,Lai Po-Chia,FANG SHANG-WEI,SHEN Meng-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Transistor structure with stress modification and capacitive reduction feature in a channel direction and method thereof

Номер патента: TW200629541A. Автор: Jian Chen,Choh-Fei Yeap,Michael A Mendicino,Vance H Adams,Venkat R Kolagunta. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-08-16.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20240379782A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220093766A1. Автор: Wang Chih-hao,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Manufacture

Номер патента: US20220310785A1. Автор: CHANG Huicheng,LIU Su-Hao,Yeo Yee-Chia,Chen Liang-Yin,WU CHUN-HUNG,Chung Chia-Ling,Lin Shun-Wu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

TRANSISTOR ARRANGEMENTS WITH METAL GATE CUTS AND RECESSED POWER RAILS

Номер патента: US20210280708A1. Автор: Ma Sean T.,Wei Andy Chih-Hung,Sinha Piyush Mohan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-09-09.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING POWER RAIL STRUCTURE AND RELATED METHOD

Номер патента: US20180261538A1. Автор: Kaltalioglu Erdem,Ogino Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CAPPING BETWEEN CHANNEL AND BACKSIDE POWER RAIL

Номер патента: US20210359091A1. Автор: Wang Chih-hao,Huang Mao-Lin,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,Chu Lung-Kun,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

POWER RAIL AND MOL CONSTRUCTS FOR FDSOI

Номер патента: US20180315708A1. Автор: RASHED Mahbub,Mittal Anurag. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-11-01.

BURIED POWER RAIL WITH A SILICIDE LAYER FOR WELL BIASING

Номер патента: US20220416017A1. Автор: PARK Changyok,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

A power rail expansion joint without expansion gap

Номер патента: WO2017167143A1. Автор: Jian ZENG,Maotao Deng,Xingzhen JIANG,Guihang LI. Владелец: Hunan Huapin Rail Transit Co.,Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Local esd power rail clamp which implements switchable i/o decoupling capacitance function

Номер патента: WO2006053240A3. Автор: Jeremy Charles Smith. Владелец: Jeremy Charles Smith. Дата публикации: 2006-09-08.

Local esd power rail clamp which implements switchable i/o decoupling capacitance function

Номер патента: WO2006053240A2. Автор: Jeremy Charles Smith. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-05-18.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: TW200729660A. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

High-voltage tolerant power-rail esd clamp circuit for mixed-voltage i/o interface

Номер патента: TWI305039B. Автор: Wen Yi Chen,Ming Dou Ker,Che Hao Chuang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-01-01.

TRANSIENT-TRIGGERED DC VOLTAGE-SUSTAINED POWER-RAIL ESD CLAMP CIRCUIT

Номер патента: US20160087429A1. Автор: Cao Jian,Zhang Xing,Wang Yuan,LU Guangyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

INTEGRATED CIRCUIT FOR REDUCING OHMIC DROP IN POWER RAILS

Номер патента: US20180166432A1. Автор: WON HYO SIG,Jeong Kwang Ok,SHIN CHAN UK,KANG KWON CHIL. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Electrostatic Discharge Power Rail Clamp Circuit

Номер патента: US20160372921A1. Автор: LAI Da-Wei,Quax Guido Wouter Willem,de Raad Gijs Jan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Electrostatic discharge protection power rail clamp with feedback-enhanced triggering and conditioning circuitry

Номер патента: CN101099278A. Автор: 杰里米·查尔斯·史密斯. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Electrostatic discharge protection power rail clamp with feedback-enhanced triggering and conditioning circuitry

Номер патента: WO2006053337A2. Автор: Jeremy Charles Smith. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-05-18.

High-voltage tolerant power-rail esd clamp circuit

Номер патента: KR100852575B1. Автор: 밍-도우 커,웬-이 첸. Владелец: 네이셔널 치아오 텅 유니버시티. Дата публикации: 2008-08-18.

Power-rail ESD clamp circuits with well-triggered PMOS

Номер патента: US6912109B1. Автор: Ming-Dou Ker,Mau-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-28.

Electrostatic discharge power rail clamp circuit

Номер патента: US9973000B2. Автор: Da-Wei Lai,Guido Wouter Willem Quax,Gijs Jan De Raad. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatuses and methods for efficient power rail structures for cell libraries

Номер патента: US20080111158A1. Автор: Deepak Sherlekar,Darrell Heinecke,Eswar Veluri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Capacitance reduction for advanced technology nodes

Номер патента: US09484401B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Output capacitance reduction in power transistors

Номер патента: US20160141362A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-05-19.

Capacitance reduction for advanced technology nodes

Номер патента: US20160148999A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Multi-throw antenna switch with off-state capacitance reduction

Номер патента: EP2883308A1. Автор: Chang-Ho Lee,Aristotele Hadjichristos,Minsik Ahn. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Multi-throw antenna switch with off-state capacitance reduction

Номер патента: WO2014026158A1. Автор: Chang-Ho Lee,Aristotele Hadjichristos,Minsik Ahn. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-13.

CAPACITANCE REDUCTION FOR ADVANCED TECHNOLOGY NODES

Номер патента: US20160148999A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan Veera Venkata Satya. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Gate/drain capacitance reduction for double gate-oxide DMOS without degrading avalanche breakdown

Номер патента: US6048759A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So,Danny Chi Nim. Владелец: MagePower Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

DUMMY DIELECTRIC FIN DESIGN FOR PARASITIC CAPACITANCE REDUCTION

Номер патента: US20200127113A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Output capacitance reduction in power transistors

Номер патента: US20160141362A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-05-19.

OUTPUT CAPACITANCE REDUCTION IN POWER TRANSISTORS

Номер патента: US20160276439A1. Автор: GOGOI BISHNU PRASANNA. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

Finfet parasitic capacitance reduction using air gap

Номер патента: GB201217771D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Local density control for metal capacitance reduction

Номер патента: US20220415812A1. Автор: Burak Baylav,Dhananjay Bhawe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Finfet parasitic capacitance reduction using air gap

Номер патента: US20130093019A1. Автор: Josephine B. Chang,Takashi Ando,Theodorus E. Standaert,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

FinFET parasitic capacitance reduction using air gap

Номер патента: GB2495606B. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Pranita Kulkarni,Josephine Chang,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Adjustable power rail multiplexing

Номер патента: US09852859B2. Автор: Xi LUO,Venkatasubramanian Narayanan,Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Bilal Zafar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER RAIL

Номер патента: US20220037254A1. Автор: CHOI Woo Sick. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220069076A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

VOLTAGE REGULATOR WITH POWER RAIL TRACKING

Номер патента: US20220083089A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,Hsu Yu-Hao,CHENG Chiting,LIN Yangsyu,FUJIWARA Hidehiro,Mori Haruki,Chang Zhi-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Buried Power Rail Architecture

Номер патента: US20220293522A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Ettore Amirante,Sony .. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

VOLTAGE REGULATOR WITH POWER RAIL TRACKING

Номер патента: US20210232168A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,Hsu Yu-Hao,CHENG Chiting,LIN Yangsyu,FUJIWARA Hidehiro,Mori Haruki,Chang Zhi-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

POWER DISTRIBUTION NETWORK USING BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20200373241A1. Автор: Sengupta Rwik,Hong Joon Goo,Gerousis Vassilios,Traynor Kevin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220367619A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

BACKSIDE POWER RAIL FOR PHYSICAL FAILURE ANALYSIS (PFA)

Номер патента: US20230009640A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Chang Shang-Wen,CHIU Yi-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

3d stacked chip that shares power rails

Номер патента: US20230253324A1. Автор: Kang-ill Seo,Jason MARTINEAU,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods and apparatus related to capacitance reduction of a signal port

Номер патента: US20140239447A1. Автор: Kenneth P. Snowdon. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Transistor feedback capacitance reduction

Номер патента: US20240363742A1. Автор: Timothy E. Boles,Parshant Kumar,Debdas Pal,Stephen Bilotta. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

CONTACT ARCHITECTURE FOR CAPACITANCE REDUCTION AND SATISFACTORY CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20210050423A1. Автор: Mehandru Rishabh,LIAO Szuya S.,PATEL PRATIK A.,TROEGER Thomas T.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

CONTACT ARCHITECTURE FOR CAPACITANCE REDUCTION AND SATISFACTORY CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20200066851A1. Автор: Mehandru Rishabh,LIAO Szuya S.,PATEL PRATIK A.,TROEGER Thomas T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

INTEGRATED CIRCUITS WITH MIDDLE OF LINE CAPACITANCE REDUCTION IN SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS FLOW AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160141379A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING POWER RAIL STRUCTURE AND RELATED METHOD

Номер патента: US20180033718A1. Автор: Kaltalioglu Erdem,Ogino Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

REPLACEMENT BURIED POWER RAIL IN BACKSIDE POWER DELIVERY

Номер патента: US20200266169A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Kang Hoyoung. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-08-20.

Pixel output parasitic capacitance reduction and predictive settling assist

Номер патента: US12114089B2. Автор: Hai Yan,Chiajen Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

METHODS AND APPARATUS RELATED TO CAPACITANCE REDUCTION OF A SIGNAL PORT

Номер патента: US20140239447A1. Автор: Snowdon Kenneth P.. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2014-08-28.

Pixel Output Parasitic Capacitance Reduction and Predictive Settling Assist

Номер патента: US20240064432A1. Автор: Hai Yan,Chiajen Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

I/O PIN CAPACITANCE REDUCTION USING TSVS

Номер патента: US20160099034A1. Автор: Moogat Farookh,Ramachandra Venkatesh. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

I/O pin capacitance reduction using TSVS

Номер патента: US9245825B2. Автор: Venkatesh Ramachandra,Farookh Moogat. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-26.

I/O PIN CAPACITANCE REDUCTION USING TSVS

Номер патента: US20150206824A1. Автор: Moogat Farookh,Ramachandra Venkatesh. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor Device with Backside Self-Aligned Power Rail and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220293759A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chiang Kuo-Cheng,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Capacitance reduction for pillar structured devices

Номер патента: US20160356901A1. Автор: Rebecca J. Nikolic,Qinghui Shao,Adam Conway,Ishwara B. Bhat,Lars Voss,Sara E. Harrison. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Capacitance reduction for pillar structured devices

Номер патента: US09645262B2. Автор: Rebecca J. Nikolic,Qinghui Shao,Adam Conway,Ishwara B. Bhat,Lars Voss,Sara E. Harrison. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

CAPACITANCE REDUCTION FOR PILLAR STRUCTURED DEVICES

Номер патента: US20160356901A1. Автор: Conway Adam,Voss Lars,Nikolic Rebecca J.,Shao Qinghui,BHAT Ishwara B.,Harrison Sara E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US20240272666A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power Rail Stitching Technique

Номер патента: US20200020464A1. Автор: Marlin Wayne Frederick, Jr.,Karen Lee DELK,Sharrone Rena Smith. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US20210232168A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US11579648B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US20220083089A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US11989046B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

ISOLATION MODULE FOR USE BETWEEN POWER RAILS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170338820A1. Автор: Levin Alexander,Soman Sanjiv,RAJAGOPALAN Srinivasan,Tan Fern Nee. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Partial isolation of power rails for output buffer circuits

Номер патента: CA2084600A1. Автор: James R. Ohannes,Stephen W. Clukey,E. David Haacke,Roy L. Yarbrough. Владелец: Roy L. Yarbrough. Дата публикации: 1993-06-07.

Image forming apparatus capable of setting print start position for back side of recording paper sheet based on margin formed by reducing image for back side in size

Номер патента: US20240160876A1. Автор: Masaaki Nishihara. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

PORTABLE DEVICE WITH OPTICAL MEMBER FOR BACK SIDE CAMERA

Номер патента: US20190033927A1. Автор: Youm Sang-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Hybrid power rail vehicle power supply box and hybrid power rail vehicle

Номер патента: US20160268563A1. Автор: LU Han,Ming Li,Bin Liu,Guoqing Li,Liewei HUANG,Minggao LI,Fanbing KONG,Junjie Shi,Nan SHAO. Владелец: CRRC Tangshan Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

DEVICE FOR CONNECTING TWO CONDUCTIVE ELEMENTS OF A POWER RAIL

Номер патента: FR3070799A1. Автор: Claude Arnold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-08.

Device, system and method for electrical arc suppression on a power rail

Номер патента: CA3058237A1. Автор: Marcus Reis. Владелец: Toronto Transit Commission. Дата публикации: 2020-04-16.

Systems and methods for threading a torque tube through U-bolt and module rail devices

Номер патента: US11938576B1. Автор: Johann Fritz Karkheck,Adam Hansel,Jennifer June Bullockus,Dylan HARPER. Владелец: Terabase Energy Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Mounting-related device and rail device

Номер патента: US11992957B2. Автор: Tsuyoshi Hamane,Shinji Ichino. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Systems and methods for threading a torque tube through u-bolt and module rail devices

Номер патента: WO2024136925A1. Автор: Johann Fritz Karkheck,Adam Hansel,Jennifer June Bullockus,Dylan HARPER. Владелец: Terabase Energy, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Slide rail device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210170919A1. Автор: Kun-Cheng Tseng,Hsiang-Wei Chen,Chung-Ju Chen. Владелец: Toyo Automation Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Slide rail device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11447041B2. Автор: Kun-Cheng Tseng,Hsiang-Wei Chen,Chung-Ju Chen. Владелец: Toyo Automation Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: US12021408B2. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: US20240339860A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: US20220021057A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: WO2020036612A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Cora Aero LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: EP3837733A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2021-06-23.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: US20200052256A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2020-02-13.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: CA3108660A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Capacitance reduction in battery systems

Номер патента: AU2018436515A1. Автор: John Melack,Nihal Murthy,Thomas P. Muniz,Sampson Lau. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Current confinement,capacitance reduction and isolation of VCSELs using deep elemental traps

Номер патента: US20030123512A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Current confinement, capacitance reduction and isolation of VCSELS using deep elemental traps

Номер патента: TWI236198B. Автор: Ralph H Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-07-11.

CAPACITANCE REDUCTION IN BATTERY SYSTEMS

Номер патента: US20200052256A1. Автор: Melack John,Muniz Thomas P.,Murthy Nihal,Lau Sampson. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

CAPACITANCE REDUCTION IN BATTERY SYSTEMS

Номер патента: US20200176737A1. Автор: Melack John,Muniz Thomas P.,Murthy Nihal,Lau Sampson. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

MULTI-THROW ANTENNA SWITCH WITH OFF-STATE CAPACITANCE REDUCTION

Номер патента: US20140043206A1. Автор: Hadjichristos Aristotele,Lee Chang-Ho,Ahn Minsik. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-13.

Current confinement, capacitance reduction and isolation of VCSELS using deep elemental traps

Номер патента: TW200302615A. Автор: Ralph H Johnson. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Light fixture, operating unit, power rail, circuit, and power-rail adapter

Номер патента: CA2578003A1. Автор: Martin Boike. Владелец: Erco Leuchten GmbH. Дата публикации: 2008-08-12.

End piece for a power rail in a power rail system

Номер патента: NO20031696D0. Автор: Michael Ing Spiegel,Wolfgang Ruef. Владелец: Zumtobel Staff GmbH. Дата публикации: 2003-04-11.

Power-rail adapter and power rail

Номер патента: US7320610B2. Автор: Martin Boike. Владелец: Erco Leuchten GmbH. Дата публикации: 2008-01-22.

Power rail connections to wrapped joint pins - in electronic systems uses trough shaped rail and soldered connections

Номер патента: DE2339208A1. Автор: Karl Doerflinger,Guenter Mernitz,Kurt Schoenauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-02-20.

Surge protective device modules and din rail device systems including same

Номер патента: EP4404401A2. Автор: Zafiris G. Politis,Tadej Knez,Milenko Vukotic,Thomas Tsovilis,Sebastjan Kamensek,Igor Juricev. Владелец: Raycap Surge Protective Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Surge protective device modules and din rail device systems including same

Номер патента: EP4404401A3. Автор: Zafiris G. Politis,Tadej Knez,Milenko Vukotic,Thomas Tsovilis,Sebastjan Kamensek,Igor Juricev. Владелец: Raycap Surge Protective Devices Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Power Rail Stitching Technique

Номер патента: US20200020464A1. Автор: Frederick,JR. Marlin Wayne,Delk Karen Lee,Smith Sharrone Rena. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

SHUNT POWER RAIL WITH SHORT LINE EFFECT

Номер патента: US20200044440A1. Автор: Chen Xiangdong,Yang Haining,RIM Kern,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

ADJUSTABLE POWER RAIL MULTIPLEXING

Номер патента: US20170186576A1. Автор: Luo Xi,ZAFAR Bilal,NARAYANAN Venkatasubramanian,Vilangudipitchai Ramaprasath,Cao Lipeng,Kumar Dorav. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

A Power-Rail Grounded Terminal Plug

Номер патента: KR20090001609U. Автор: 이명우. Владелец: 이명우. Дата публикации: 2009-02-19.

Current take off connector for power rails

Номер патента: FR2554282A1. Автор: Rainer Ilkka Tapio Valtonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 1985-05-03.

SOCKET CONNECTOR FOR CONNECTING A CABLE WITH A POWER RAIL, IN PARTICULAR IN A CABINET WITH A LITTLE DEPTH

Номер патента: SE8500662L. Автор: A Bachmeier,A Vetter. Владелец: Pfisterer Elektrotech Karl. Дата публикации: 1985-08-16.

PRE-FABRICATED ELECTRICAL CONNECTING DEVICE FOR CONNECTING TO POWER RAILS.

Номер патента: DE3686249T2. Автор: Daniel Jean Chapotier. Владелец: Fournitures Electro Tech. Дата публикации: 1993-03-11.

Adapter for a three-pole power rail

Номер патента: DE2529371B1. Автор: Hans-Peter Berkenhoff. Владелец: Hoffmeister Leuchten GmbH. Дата публикации: 1976-10-21.

POWER RAIL FOR ELECTRICALLY CONTACTING DEVICES

Номер патента: DE3933703A1. Автор: Dieter Dipl Ing Bihl,Eckhard Dipl Ing Berg,Harald Hofmeister. Владелец: Pepperl and Fuchs SE. Дата публикации: 1991-04-18.

Fuse element for a power rail system

Номер патента: EP0634768A2. Автор: Alex Büttner. Владелец: Alfred Wohner GmbH. Дата публикации: 1995-01-18.

Power rail system.

Номер патента: MX2021004752A. Автор: Matteo Bonacina,Adrian Gomez,Jeffrey F Miller,Justin D Dollinger,Robert D Peavey. Владелец: Poppin Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Power rail system.

Номер патента: MX2009003358A. Автор: Arthur Huber. Владелец: Knuerr Ag. Дата публикации: 2009-05-11.

DEVICE FOR MAINTAINING A SPOT IN CONTACT WITH A POWER RAIL

Номер патента: FR2638577B1. Автор: . Владелец: SERWATKA PATRICK. Дата публикации: 1992-05-07.

SUPPORTING DEVICE FOR A POWER RAIL FOR POWERING LUMINAIRES

Номер патента: ATA62697A. Автор: . Владелец: HIERZER Andreas. Дата публикации: 2000-11-15.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: US09977480B2. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit power rail multiplexing

Номер патента: WO2017019160A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Divjyot Bhan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-02.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: US20160306412A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Integrated circuit power rail multiplexing

Номер патента: US09654101B2. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Divjyot Bhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Dynamic power rail control for clusters of loads

Номер патента: US09634486B2. Автор: Hee Jun Park,Christopher Kong Yee Chun,Yuancheng Christopher Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Power mode register reduction and power rail bring up enhancement

Номер патента: US09430323B2. Автор: Walid Nabhane,Veronica Alarcon,Mark Norman Fullerton,Chih-Tsung Hsieh,Hao-zheng Lee. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Apparatus and method for transient protection and synchronization of a plurality of power rails for a system on a chip

Номер патента: US20070108842A1. Автор: Thanh Tran,Carlos Cisneros,Andrew Soukup. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: US20170346299A1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Computer system powered-off state auxiliary power rail control

Номер патента: EP2384461A1. Автор: John R. Spencer,Shane Ward,Joel P. Lefebvre. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-11-09.

Virtual power rail modulation within an integrated circuit

Номер патента: US7737720B2. Автор: David Walter Flynn,Sachin Satish Idgunji,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2010-06-15.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: WO2016168238A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-20.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: EP3283936A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Providing current cross-conduction protection in a power rail control system

Номер патента: EP3283937A1. Автор: Manish Garg,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: EP3465913A1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: CA3020739C. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

ESD Clamp for Multiple Power Rails

Номер патента: US20140036397A1. Автор: Tsung-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Switching energy source for power rail transient compensation

Номер патента: US20200363854A1. Автор: David Zhang,Daniel Humphrey,Mohamed Amin Bemat. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for controlling an output stage of a bipolar micro-power rail-to-rail amplifier

Номер патента: US5521553A. Автор: James R. Butler. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1996-05-28.

Power-gating cell for virtual power rail control

Номер патента: US20060055391A1. Автор: Hung Ngo,Kevin Nowka,Jente Kuang,Jethro Law. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

A latch protection switch and a power rail protection circuit having the same

Номер патента: EP4447245A1. Автор: DONG Chen,Ke Wang,Yang Qu. Владелец: Self Electronics Germany GmbH. Дата публикации: 2024-10-16.

False-trigger free power-rail ESD clamp protection circuit

Номер патента: US09531188B2. Автор: Jian Cao,Xing Zhang,Yuan Wang,Guangyi LU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-27.

Pillar based memory (mram) embedded within a buried power rail within a backside power distribution network

Номер патента: WO2024055884A1. Автор: Michael RIZZOLO,Alexander Reznicek,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Ensuring interference reduction for synchronization over the air

Номер патента: RU2668290C2. Автор: Анджело ЧЕНТОНЦА. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-09-28.

Slide rail device

Номер патента: US09867462B2. Автор: Ken-Ching Chen,Shun-Ho Yang,Chun-Chiang Wang,Kai-Wen Yu. Владелец: King Slide Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Payload size ambiguity and false alarm rate reduction for polar codes

Номер патента: EP3625912A1. Автор: Yang Yang,JING Jiang,Gabi SARKIS,Hari Sankar,Huang LOU,Enoch Shiao-Kuang Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-25.

Payload size ambiguity and false alarm rate reduction for polar codes

Номер патента: WO2018212881A1. Автор: Yang Yang,JING Jiang,Gabi SARKIS,Hari Sankar,Huang LOU,Enoch Shiao-Kuang Lu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Additional maximum power reduction for uplink transmission for wireless networks

Номер патента: EP4404644A3. Автор: Antti Piipponen,Petri Vasenkari,Vesa Lehtinen,Jaakko MARTTILA. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Tamper reduction for quick deploy camera system

Номер патента: US20240223892A1. Автор: Pietro Russo,Patrick D. Koskan,Danny Kam. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Additional maximum power reduction for uplink transmission for wireless networks

Номер патента: EP4404644A2. Автор: Antti Piipponen,Petri Vasenkari,Vesa Lehtinen,Jaakko MARTTILA. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-24.

Devices and methods reducing additional maximum power reduction for a bandwidth part with an additional emissions parameter

Номер патента: GB2628308A. Автор: Frank Colin. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method and apparatus for determining a maximum power reduction for non-contiguous resource allocation

Номер патента: EP4432596A2. Автор: Colin Frank. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-section slide rail device

Номер патента: US20240324769A1. Автор: Hsu-Hong Yao,Mo-Yu ZHANG. Владелец: Fositek Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-section slide rail device

Номер патента: US20240324768A1. Автор: Hsu-Hong Yao,Mo-Yu ZHANG. Владелец: Fositek Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus for line buffer reduction for video processing

Номер патента: US09986247B2. Автор: Yu-Wen Huang,Tzu-Der Chuang,Ching-Yeh Chen. Владелец: HFI Innovation Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for line buffer reduction for video processing

Номер патента: US09762918B2. Автор: Yu-Wen Huang,Tzu-Der Chuang,Ching-Yeh Chen. Владелец: HFI Innovation Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Signaling Reduction for Inter-Radio Access Technology Transitions

Номер патента: US20210266803A1. Автор: Vijay Venkataraman,Murtaza A. Shikari,Srinivasan NIMMALA,Srirang A. Lovlekar,Muthukumaran DHANAPAL,Sai Sravan Bharadwaj Karri,Pankaj Subhash VASANDANI. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Power savings and interference reduction for multimode devices

Номер патента: US20150011253A1. Автор: YAN Hui,Edwin Park. Владелец: Airhop Communications Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Spatially differentiated noise reduction for hearing devices

Номер патента: EP4125276A3. Автор: Thomas A. Scheller. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Method and device of active noise reduction for earphone, earphone, and computer readable storage medium

Номер патента: US20240292176A1. Автор: Kai Zeng. Владелец: Goertek Techology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and device of active noise reduction for earphone, earphone, and computer readable storage medium

Номер патента: US20240292144A1. Автор: Kai Zeng. Владелец: Goertek Techology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for papr reduction for repetition in frequency domain in mobile communications

Номер патента: WO2024169791A1. Автор: MIN Lei,Tao Chen,Pei-Kai Liao,Junqiang CHENG,Chenmeng LI. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-coherent noise reduction for audio enhancement on mobile device

Номер патента: US12120492B2. Автор: Yiou-Wen Cheng,Liang-Che Sun,Chi Sheng Wu,Shun-Chang Zhong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Noise reduction for image sequences

Номер патента: RU2603529C2. Автор: Анил КОКАРАМ,Дамьен КЕЛЛИ,Эндрю Джозеф КРОУФОРД,Хью Пьер ДЕНМЭН. Владелец: Гугл Инк.. Дата публикации: 2016-11-27.

Method and system for greedy user group selection with range reduction for FDD multiuser MIMO downlink transmission with finite-rate channel state information feedback

Номер патента: EP1768275A2. Автор: Jun Zheng,Chengjin Zhang,Pieter Van Rooyen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Interference and/or power reduction for multiple relay nodes using cooperative beamforming

Номер патента: US10042852B2. Автор: Min Dong,Gary David Boudreau,Ben Liang,Ronald Casselman,Ali Ramezani-Kebrya. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-08-07.

Method and Circuit for Determining an Additional Maximum Power Reduction for Dual Carrier Operation

Номер патента: US20210051607A1. Автор: Armin Klomsdorf,Brian Bremer. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Method and Apparatus for Determining Per Carrier Additional Maximum Power Reduction for Dual Carrier Operation

Номер патента: US20200053665A1. Автор: Colin Frank. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Latency reduction for transmission or reception of data

Номер патента: WO2023211151A1. Автор: Aristides Papasakellariou. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and apparatus for collision mitigation and complexity reduction for noma

Номер патента: US20210152409A1. Автор: Chunxuan Ye,Kyle Jung-Lin Pan,Fengjun Xi,Oghenekome Oteri,Afshin Haghighat,Loic CANONNE-VELASQUEZ,Prasanna Herath Mudiyanselage. Владелец: IDAC Holdings Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Payload size ambiguity and false alarm rate reduction for polar codes

Номер патента: CA3060260C. Автор: Yang Yang,JING Jiang,Gabi SARKIS,Hari Sankar,Huang LOU,Enoch Shiao-Kuang Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Additional maximum power reduction for uplink transmission for wireless networks

Номер патента: US20230309026A1. Автор: Antti Piipponen,Petri Vasenkari,Vesa Lehtinen,Jaakko MARTTILA. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-09-28.

Latency reduction for transmission or reception of data

Номер патента: US20230354320A1. Автор: Aris Papasakellariou. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Payload size ambiguity and false alarm rate reduction for polar codes

Номер патента: US20180331693A1. Автор: Yang Yang,JING Jiang,Gabi SARKIS,Hari Sankar,Huang LOU,Enoch Shiao-Kuang Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Offset reduction for fast comparators employing series-connected, single-ended gain stages

Номер патента: CA1211166A. Автор: Yusuf A. Haque. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Dynamic noise reduction for video

Номер патента: US4658296A. Автор: Brian H. Beech. Владелец: Independent Broadcasting Authority. Дата публикации: 1987-04-14.

Method of noise reduction for intelligent network communication

Номер патента: EP4300492A1. Автор: Hsiao-Yi Lin,Yao-Sheng Chou,Yen-Han CHOU. Владелец: Decentralized Biotechnology Intelligence Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Rate reduction for an application controller

Номер патента: US20140280868A1. Автор: Brian E. Krelle,Byung Kyu CHOI,Luis Astudillo Pascual, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods of latency reduction for positioning-specific measurement reporting

Номер патента: US20230388085A1. Автор: Guan-Yu Lin,Chiao-Yao Chuang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Papr reduction for resource unit duplication and tone repetition

Номер патента: EP4319071A1. Автор: Jianhan Liu,Shengquan Hu,Jr. Thomas Edward Pare,Tung-Sheng Yang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

PAPR Reduction For Resource Unit Duplication And Tone Repetition

Номер патента: US20240048421A1. Автор: Jianhan Liu,Shengquan Hu,Thomas Edward Pare, Jr.,Tung Sheng Yang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Base station and wireless communication methods of inter-cell coordination signaling reduction for cli mitigation in dynamic tdd

Номер патента: WO2023168572A1. Автор: Jia SHENG,Shahid JAN. Владелец: Tcl Communication Technology (Chengdu) Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Maximum power reduction for non-contiguous allocation

Номер патента: US11973627B2. Автор: Colin Frank. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and system of haze reduction for image processing

Номер патента: US20190180423A1. Автор: Rastislav Lukac,Chihiro Tajima. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Non-Coherent Noise Reduction For Audio Enhancement on Mobile Device

Номер патента: US20240040309A1. Автор: Yiou-Wen Cheng,Liang-Che Sun,Chi Sheng Wu,Shun-Chang Zhong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Latency reduction for beam failure recovery

Номер патента: US20240032083A1. Автор: Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Huaning Niu,Jie Cui,Qiming Li,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Latency reduction for beam failure recovery

Номер патента: EP4378245A1. Автор: Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Huaning Niu,Jie Cui,Qiming Li,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Wind noise reduction for microphone

Номер патента: EP1484940A3. Автор: David Andersson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2009-12-02.

Spatially differentiated noise reduction for hearing devices

Номер патента: US12028684B2. Автор: Thomas A. Scheller. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Production of partially vapor-deposited transfer foil for back side transfer

Номер патента: JPS61254385A. Автор: Kazuhiko Oota,和彦 太田. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 1986-11-12.

A handling device for back side assembly of truck

Номер патента: KR100892710B1. Автор: 하준호. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2009-04-15.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: AU2024204934A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Deployable power rail connector for electric machine and method

Номер патента: WO2024102567A1. Автор: Igor Strashny,Kurt L. Winckler. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2024-05-16.

Deployable power rail connector for electric machine and method

Номер патента: US20240157802A1. Автор: Igor Strashny,Kurt L. Winckler. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Powered rail system

Номер патента: US20230347808A1. Автор: Mohammed Irfan,Michael Bykowski,Thomas Ward Parker,Milos V. Coric,Emily Kern,Jonathan David Monge. Владелец: Warner Co. Дата публикации: 2023-11-02.

Power rail, mounting and dismounting method and arrangement composed of combined power rails

Номер патента: CA2838305C. Автор: Jurgen Kranycan,Erwin ESTERBAUER,Thomas JUKL. Владелец: SPL Powerlines Austria GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-02-26.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: CA2366111C. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2004-05-25.

Control system for a powered rail vehicle

Номер патента: GB2204434A. Автор: Anthony Raymond Varnde Roberts,Alan Patrick Holden. Владелец: C I ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 1988-11-09.

Retractable catwalk and railing device

Номер патента: US09821715B2. Автор: Greg Matthiesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Movable seat and rail device with the movable seat

Номер патента: US09726317B2. Автор: Kuang-Tai LI. Владелец: GISON Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Vehicle slide rail device

Номер патента: US20180141467A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Naoki Goto. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Slide rail device for vehicle seat

Номер патента: US20120160981A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: Shiroki Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Multi-axis control of control valves in a hi-rail device

Номер патента: US20230264532A1. Автор: Francois Aube,Nicholas GROMAK. Владелец: Continental Railworks Technology I Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Guide rail device for elevator

Номер патента: US20240317544A1. Автор: Nobuhito Funai. Владелец: Mitsubishi Electric Building Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Vehicle slide rail device

Номер патента: US20180141468A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Naoki Goto,Hiroaki Teraguchi. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Multi-axis control of control valves in a hi-rail device

Номер патента: CA3150085A1. Автор: Francois Aube,Nicholas GROMAK. Владелец: Continental Railworks Technology I Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Vehicle slide rail device

Номер патента: US09463716B2. Автор: Naoki HAYASHI. Владелец: Shiroki Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of geothermal driven co2 catalytic reduction for enhancing co2 sequestration and oil recovery

Номер патента: US20240076961A1. Автор: LIANG Xue,Jingru WANG,Yuting He,Jingpeng Li,Yuetian LIU,Rukuan CHAI,Wenkuan ZHENG. Владелец: China University of Petroleum Beijing. Дата публикации: 2024-03-07.

Self-contained hoist device, rail device and hoist system

Номер патента: EP3442894A2. Автор: Andreas Lolle,Osterberg Nielsen. Владелец: UpClimber. Дата публикации: 2019-02-20.

Roller blind side sliding rail device of strip lamp for an automotive

Номер патента: EP4261082A1. Автор: Yong Xia. Владелец: Foshan Baitai Auto Accessories Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Roller blind side sliding rail device of strip lamp

Номер патента: US20220363189A1. Автор: Yong Xia. Владелец: Foshan Baitai Auto Accessories Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Slide rail device

Номер патента: EP2527192A4. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: Shiroki Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Slide rail device for vehicle seat

Номер патента: US20130341983A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: Shiroki Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Slide rail device for vehicle seat

Номер патента: US20120160982A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: Shiroki Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Slide rail device for vehicle seat

Номер патента: US20120145869A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: Shiroki Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Slide lock structure for slide rail device

Номер патента: US11833935B2. Автор: Justin Schrand,Dean C. VANDENHEEDE,Andrew J. Simms. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Rail device for vehicle seat

Номер патента: US11772522B2. Автор: Jae Chul Jung,Ju Yeol Kong,Sang Do Park,Soo Hyun Moon,Gil Ju Kim,Hyung Jin Park,Sung Hak Hong,Jin Gu Park,Ga Be Nam. Владелец: Das Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Slide lock structure for slide rail device

Номер патента: US20240123872A1. Автор: Justin Schrand,Dean C. VANDENHEEDE,Andrew J. Simms. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Devices, systems, and methods for camera cleaning and flare reduction for vehicles

Номер патента: US20240123944A1. Автор: Ting Wang,Lin Luo,Arthur SAFIRA. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method for adaptive domain reduction for thermo-structural simulation of additive manufacturing process

Номер патента: US20210103268A1. Автор: Livio Dalloro,Lucia MIRABELLA,David Madeley,Louis KOMZSIK,Tsz Ling Elaine Tang. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Planetary reduction for drive axles

Номер патента: US5435793A. Автор: Tomaz D. Varela,Chung I. Chao. Владелец: Rockwell Braseixos SA. Дата публикации: 1995-07-25.

Vehicle noise reduction for vehicle occupants

Номер патента: US11820302B2. Автор: Hidekazu Hirabayashi,Akiyoshi Maeda,Abhishek Srivastava,David W. Cosgrove. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Dummy metal fill design for parasitic capacitance reduction

Номер патента: US20240005080A1. Автор: Zhibin Ren,Louis Zuoguang Liu,Nianzheng Cao,Sae Kyu Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device including a plurality of power rails and method of operating the same

Номер патента: SG10201806160YA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,JANG JIN-HUN,CHO SEOK-JIN,HA KYUNG-SOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Extended power threshold management of power rails

Номер патента: WO2024136979A1. Автор: Ronald Alton,Gordon Lee,Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Anish Muttreja,Kevin Bradley Citterelle,Ravi Jenkal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Extended power threshold management of power rails

Номер патента: US12099397B2. Автор: Ronald Alton,Gordon Lee,Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Anish Muttreja,Kevin Bradley Citterelle,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Communication system having a power rail

Номер патента: US20240272682A1. Автор: Robert Neil Mulfinger,Brian Patrick Costello,Nicholas Paul RUFFINI,Howard Wallace Andrews, Jr.. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Rail transit braking energy recovery system and hybrid power rail transit

Номер патента: EP3505385B1. Автор: Xu Zhang,Xiaojun Deng,Jianying Liang,Wenchao Zhang,Yankun LI,Kelei LI. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Energy efficient vmin architecture for shared power rails

Номер патента: WO2024167568A1. Автор: Vijayakumar Ashok DIBBAD,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Nikhil Ashok BHELAVE. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-15.

Techniques to power down output power rails for a storage device

Номер патента: US09857859B2. Автор: Kai-Uwe Schmidt,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Multi-power rail power supply unit mismatch detection system

Номер патента: US20190073015A1. Автор: Craig Anthony Klein,John Erven Jenne. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-03-07.

Information Handling System And Methods To Detect Power Rail Failures And Test Other Components Of A System Motherboard

Номер патента: US20200233766A1. Автор: Craig L. Chaiken. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-07-23.

Extended Power Threshold Management of Power Rails

Номер патента: US20240211021A1. Автор: Ronald Alton,Gordon Lee,Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Anish Muttreja,Kevin Bradley Citterelle,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power rail with non-linear edge

Номер патента: US12019969B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Power rail with non-linear edge

Номер патента: US20200134133A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Dynamic voltage selection for a single power rail in a multi-core domain

Номер патента: US20220035437A1. Автор: Sravan Kumar Ambapuram,Sharath Kumar Nagilla,Nirav Narendra Desai,Venkata Biswanath Devarasetty,Kumar Kanti Ghosh,Lakshmi Narayana Panuku,Venkatesh Ravipati,Shrikanth Shenoy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

RAIL TRANSIT BRAKING ENERGY RECOVERY SYSTEM AND HYBRID POWER RAIL TRANSIT

Номер патента: US20190225089A1. Автор: Zhang Wenchao,Zhang Xu,LI Yankun,LIANG Jianying,LI Kelei,DENG Xiaojun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

A kind of rail traffic Brake Energy recycling system and hybrid power rail traffic

Номер патента: CN106080215B. Автор: 张旭,梁建英,张文超,邓小军,李克雷,李艳昆. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Peak current support for a power rail system via a shared secondary power supply

Номер патента: EP3433703A1. Автор: Hee Jun Park,Christopher Kong Yee Chun,Taewoo KWAK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Measuring dissipated electrical power on a power rail

Номер патента: US11885838B2. Автор: Michael Mitchell,Daniel Adam Warren,Gwendolyn van der Linden,Arun Raghupathy,Brian Silverstein,Ford Rylander. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Measuring dissipated electrical power on a power rail

Номер патента: US20240168068A1. Автор: Michael Mitchell,Daniel Adam Warren,Gwendolyn van der Linden,Arun Raghupathy,Brian Silverstein,Ford Rylander. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Mechanism to override standby power in large memory configuration of workstations to eliminate the need to increase power of standby power rail

Номер патента: US20240192755A1. Автор: Tabassum Yasmin,Vishwanath Somayaji,Aneesh Tuljapurkar,Chuen Ming Tan,Venkataramani Gopalakrishnan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Compensation control for variable power rails

Номер патента: WO2018063751A1. Автор: Jeremy J. Shrall,Xiuting C. Man,Amir Ali Radjai. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Power rail layout for dense standard cell library

Номер патента: US20150052494A1. Автор: Jian Liu,Norman Chen,Anurag Mittal,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Tuhin Guha Neogi,Nader Magdy Hindawy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

System on chip receiving supply voltage(s) via merged power rail, and mobile system including same

Номер патента: US10488913B2. Автор: Junghun Heo,Myungchul Cho,Youn-Sik CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-26.

Under-rail device of a railway track and a method of laying at least one under-rail device of a railway track

Номер патента: RU2746554C1. Автор: Вячеслав Петрович Сычев,Петр Вячеславович Сычев,Наталья Владимировна Кузнецова,Алексей Алексеевич Локтев,Анна Вячеславовна Сычева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Вагонпутьмашпроект». Дата публикации: 2021-04-15.

DEVICE, SYSTEM AND METHOD FOR ELECTRICAL ARC SUPPRESSION ON A POWER RAIL

Номер патента: US20200119541A1. Автор: REIS Marcus. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

DEVICE FOR MOTOR POWERED RAIL VEHICLES

Номер патента: SE7411269L. Автор: B Soderberg. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1976-03-08.

DC TRANSMISSION OVER POWER RAILS

Номер патента: DE102018105300A1. Автор: Faical Turki. Владелец: Paul Vahle GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-12.

Device for power supply and, if necessary, connection of travel and control power rails of monorail and monorail overhead conveyors

Номер патента: DE3120188C1. Автор: Des Erfinders Auf Nennung Verzicht. Владелец: Translift AG. Дата публикации: 1982-12-09.

Rain screen supporting rail device

Номер патента: GB2626962A. Автор: BRAYBROOK Peter. Владелец: Ans Global. Дата публикации: 2024-08-14.

Procedure and system for supply of hot iron of direct reduction for numerous consumers

Номер патента: RU2434948C2. Автор: Гэри Эдвард МЕТЬЮС,Стефен Крейг МОНТАГ,Расселл КАКАЛЕЙ. Владелец: Мидрекс Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2011-11-27.

Proactive risk reduction for data management

Номер патента: US20220237071A1. Автор: Argin Arthur Wong,Brian Matthew Gyorkos. Владелец: Rubrik Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Waypoint reduction for path planning of multiple autonomous robots

Номер патента: US20240255966A1. Автор: Fangzhe Chang,Itai Segall. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-08-01.

Slide rail device

Номер патента: US20240191749A1. Автор: Tsung-Yao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-section slide rail device

Номер патента: US20240324770A1. Автор: Hsu-Hong Yao,Mo-Yu ZHANG. Владелец: Fositek Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Dual path aftertreatment system and method utilizing fuel as an on-board reductant for NOx SCR

Номер патента: US09765666B2. Автор: Michael A Smith,Ken Hardman,Andrew Brocker,Jeffrey P Wuttke,Craig L Dimaggio,Travis T Hamilton,Cody Baldwin-Squib. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods and systems for energy efficiency and energy conservation including entry and exit latency reduction for low power states

Номер патента: US09665144B2. Автор: Muhammad M. Khellah,Jawad Nasrullah,Kelvin Kwan,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Latency reduction for direct memory access operations involving address translation

Номер патента: US09460024B2. Автор: Benjamin Charles SEREBRIN,Bhavesh Davda. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Power reduction for LCD drivers by backplane charge sharing

Номер патента: US20040080502A1. Автор: Julian Tyrrell,Kevin Jones. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2004-04-29.

Page request interface overhead reduction for virtual machine migration and write protection in memory

Номер патента: US20220244983A1. Автор: Michael Tsirkin,Amnon Ilan. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Policy-based, multi-scheme data reduction for computer memory

Номер патента: US20180336219A1. Автор: Frank B. Schmuck,Marc A. Kaplan,Wayne A. Sawdon,Sven Oehme,M. Corneliu Constantinescu,Leo Luan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Guide rail device for a rolling door or rolling grille

Номер патента: US20220195796A1. Автор: Bastian Zimmermann,Thomas Langkamp. Владелец: Hoermann KG Dissen. Дата публикации: 2022-06-23.

Guide rail device for a rolling door or rolling grille

Номер патента: US11788347B2. Автор: Bastian Zimmermann,Thomas Langkamp. Владелец: Hoermann KG Dissen. Дата публикации: 2023-10-17.

Refrigeration appliance shelf connected with storage container railing device

Номер патента: WO2016066214A1. Автор: Akin Ozdemir,Dilek SUR,Ali Gokhan GENC,Ahmet SERT,Hulusi Han Iyigun. Владелец: ARCELIK ANONIM SIRKETI. Дата публикации: 2016-05-06.

Adjustable head rail device of cordless roller blind

Номер патента: EP4296465A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Zhejiang Risingsun Sunshading Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Adjustable head rail device of cordless roller blind

Номер патента: US20230417105A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Zhejiang Risingsun Sunshading Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Refrigeration appliance shelf connected with storage container railing device

Номер патента: EP3213015A1. Автор: Akin Ozdemir,Dilek SUR,Ali Gokhan GENC,Ahmet SERT,Hulusi Han Iyigun. Владелец: Arcelik AS. Дата публикации: 2017-09-06.

Self-locking slide rail device with buffer mechanism

Номер патента: US20210052073A1. Автор: Wan-Lai Chen. Владелец: Martas Precision Slide Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Rail device for dishwasher

Номер патента: US20220287544A1. Автор: Doo Myun LEE,Sai Ryun KIM. Владелец: Segos Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Rail device for dishwasher

Номер патента: US20230190073A1. Автор: Duc Hoi Kim,Doo Myun LEE,Ro Hee LEE,Sai Ryun KIM,Byeol KIM. Владелец: Segos Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Rail device for dishwasher

Номер патента: EP4154793A1. Автор: Duc Hoi Kim,Doo Myun LEE,Ro Hee LEE,Sai Ryun KIM,Byeol KIM. Владелец: Segos Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of operating system of control over offgas toxicity reduction with selective reduction catalyst and device arranged there ahead to catalyse reduction for offgas toxicity decrease

Номер патента: RU2493383C2. Автор: Александер МАССНЕР. Владелец: Даймлер Аг. Дата публикации: 2013-09-20.

Data reduction for storage volumes

Номер патента: US11934678B2. Автор: Manu Sharma,Mayukh Dutta,Manoj Srivatsav,Sudheer Vanapalli,Jaffer Sherif Rajasab,Gautam Kaistha. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-03-19.

Data reduction for storage volumes

Номер патента: US20240028233A1. Автор: Manu Sharma,Mayukh Dutta,Manoj Srivatsav,Sudheer Vanapalli,Jaffer Sherif Rajasab,Gautam Kaistha. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Dynamic phase generation and resource load reduction for a query

Номер патента: US11853107B2. Автор: Ramesh Panuganty,Chandrasekhar Varada,Gopikrishna Putti. Владелец: Macheye Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Noise reduction means for a wind turbine blade, wind turbine blade, wind turbine, and method for noise reduction for a wind turbine blade

Номер патента: EP4150209A1. Автор: Michael J. Asheim,Steven Buck. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2023-03-22.

Register bank conflict reduction for multi-threaded processor

Номер патента: US20200004534A1. Автор: SUBRAMANIAM MAIYURAN,Wei-Yu Chen,Guei-Yuan Lueh,Ashutosh Garg,Chandra Gurram,Buqi Cheng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Devices, systems, and methods for camera cleaning and flare reduction for vehicles

Номер патента: WO2024081257A1. Автор: Ting Wang,Lin Luo,Arthur SAFIRA. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Power demand reduction for image generation for displays

Номер патента: EP4169012A1. Автор: Hailong Wang,Yunzhen LI,Yanshan WEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Latency reduction for direct memory access operations involving address translation

Номер патента: US20140281056A1. Автор: Benjamin Charles SEREBRIN,Bhavesh Davda. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Waypoint reduction for path planning of multiple autonomous robots

Номер патента: EP4348370A1. Автор: Fangzhe Chang,Itai Segall. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-04-10.

Waypoint reduction for path planning of multiple autonomous robots

Номер патента: WO2022255989A1. Автор: Fangzhe Chang,Itai Segall. Владелец: Nokia of America Corporation. Дата публикации: 2022-12-08.

Efficient and intelligent source reductions for querying multiple sources over an external network

Номер патента: US20230085426A1. Автор: Joseph Jerome Athman,Jeffrey Paul Larsen,Michael James Androff,Matthew Alen Bates,Eric James Mulek,Kelly Frances Bundy. Владелец: Surescripts LLC. Дата публикации: 2023-03-16.

Noise reduction for air flow devices

Номер патента: US20240200710A1. Автор: Ignacio Justo PEREZ PABLOS,Christopher Ashley MONK. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Noise reduction for speech recognition

Номер патента: US5583968A. Автор: Michael Trompf. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1996-12-10.

Method for producing a carbonaceous solid reductant for direct reduction of iron ore

Номер патента: CA1236975A. Автор: Toshio Matsuoka,Seiji Sugimori,Yukio Koyabu,Shinichi Kurozu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1988-05-24.

Press cycle reduction for wet pressed hardboard

Номер патента: CA1192710A. Автор: Bruce A. Wittrup,Kendall D. White, Jr.. Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 1985-09-03.

System and method of data reduction for improved exponential decay measurements

Номер патента: US20030101026A1. Автор: Kevin Lehmann,Paul Rabinowitz. Владелец: Paul Rabinowitz. Дата публикации: 2003-05-29.

Crosstalk reduction for light detection and ranging (lidar) devices using wavelength locking

Номер патента: US11947048B2. Автор: Pierre-Yves Droz,James Dunphy,David Schleuning,Jason Watson. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Crosstalk reduction for light detection and ranging (lidar) devices using wavelength locking

Номер патента: WO2021226238A1. Автор: Pierre-Yves Droz,James Dunphy,David Schleuning,Jason Watson. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Latency reduction for direct memory access operations involving address translation

Номер патента: US20170024341A1. Автор: Benjamin C. Serebrin,Bhavesh Davda. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Dynamic, localized screen intensity reduction for under-display ambient light sensor

Номер патента: WO2024092413A1. Автор: Long Han,Nan Zhang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-10.

Multi-sample anti-aliasing (msaa) memory bandwidth reduction for sparse sample per pixel utilization

Номер патента: US20180189926A1. Автор: Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Subhajit Dasgupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Geometric aging data reduction for machine learning applications

Номер патента: US12007759B2. Автор: Kenny C. Gross,Zhen Hua Liu,Dieter Gawlick,Kirk Bradley,Guang Chao Wang,Anna CHYSTIAKOVA,Matthew Torin Gerdes. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Page request interface overhead reduction for virtual machine migration and write protection in memory

Номер патента: US11868796B2. Автор: Michael Tsirkin,Amnon Ilan. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Reductant for blast furnace charge

Номер патента: WO2008039088A1. Автор: Jerzy Piotr Gul. Владелец: Jerzy Piotr Gul. Дата публикации: 2008-04-03.

Networking overhead reduction for encrypted virtual machines

Номер патента: US20240211289A1. Автор: Michael Tsirkin,Amnon Ilan. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Noise and parasitic capacitance reduction for 1t pixel cmos image sensors

Номер патента: US20080309800A1. Автор: Alf Olsen,Espen A Olsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

System for bulk capacitance reduction

Номер патента: US20230231489A1. Автор: Lingxiao Xue. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Input/output capacitance reduction with negative impedance

Номер патента: US20240012497A1. Автор: Michael W. Altmann,Isaac Abraham,Jonathan Kolet Gamble,Rodolfo Kiyama Armendariz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for bus capacitance reduction

Номер патента: US6721860B2. Автор: Dean A. Klein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-13.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: EP4399533A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

CAPACITANCE REDUCTIONS

Номер патента: US20200287483A1. Автор: Wystup Ralph. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Capacitance reductions

Номер патента: US11362603B2. Автор: Ralph Wystup. Владелец: Ebm Papst Mulfingen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-14.

Capacitance reduction scheme for operational amplifier

Номер патента: CN112398443A. Автор: 王颖翔,张淙豪,廖容兴. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-02-23.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: US20230208370A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: WO2023038792A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-16.

Radio frequency (RF) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: US11979123B2. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Power control circuitry, circuitry for analysing a switched power rail, and method of controlling connection of a power source to a switched power rail

Номер патента: TW200921352A. Автор: David Walter Flynn,Sachin Satish Idgunji,Leah Elizabeth Schuth. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2009-05-16.

Apparatus and method for low power rail-to-rail operational amplifier

Номер патента: TWI371919B. Автор: Sumant Bapat,Gangaikondan Subramani Visweswaran,Ansuya P Bhatt,Surya Sharma. Владелец: Nat Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-01.

Low power and high speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: EP3284089A1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-21.

Low power and high speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: WO2016167862A1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-10-20.

High speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: US09443567B1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

METHOD FOR REPAIRING A POWER RAIL HOUSING OF A WIND POWER PLANT, POWER RAIL HOUSING AND REPAIR KIT FOR CARRYING OUT THE METHOD

Номер патента: US20150322915A1. Автор: Wiechers Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

HIGH SPEED SENSE AMPLIFIER LATCH WITH LOW POWER RAIL-TO-RAIL INPUT COMMON MODE RANGE

Номер патента: US20160380753A1. Автор: Tan Tat Hin,Bandi Chenchu Punnarao,Teh Lip Khoon,Dudulwar Pankaj Vinayak. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

POWER RAIL FOR RAIL DISTRIBUTORS, SWITCHGEAR AND THE LIKE

Номер патента: DE3819575A1. Автор: Ferenc Dipl Ing Boros. Владелец: KLOECKNER-MOELLER ELEKTRIZITAETSGESELLSCHAFT MBH 5300 BONN DE. Дата публикации: 1989-12-14.

Method for repairing a power rail housing of a wind power plant, power rail housing and repair kit for carrying out the method

Номер патента: AU2013283656B2. Автор: Jorg Wiechers. Владелец: FLYTEG GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-25.

Low DC power rail-to-rail buffer amplifier for liquid crystal display application

Номер патента: US7411452B2. Автор: Chih-Wen Lu,Peter H. Xiao. Владелец: New Vision Micro Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for repairing a power rail housing of a wind power plant, power rail housing and repair kit for carrying out the method

Номер патента: WO2014001085A1. Автор: Jorg Wiechers. Владелец: FLYTEG GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2014-01-03.

POWER RAIL FOR RAIL DISTRIBUTORS, SWITCHGEAR AND THE LIKE.

Номер патента: DE58904833D1. Автор: Boros Dipl Ing Ferenc. Владелец: Kloeckner Moeller GmbH. Дата публикации: 1993-08-05.

Method for repairing a power rail housing of a wind power plant, power rail housing and repair kit for carrying out the method

Номер патента: EP2867526A1. Автор: Jorg Wiechers. Владелец: Flyteg GmbH&Co KG. Дата публикации: 2015-05-06.

Hybrid low power rail to rail amplifier with leakage control

Номер патента: US20240128941A1. Автор: Patrick Isakanian,Armina Khakpour. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Hybrid low power rail to rail amplifier with leakage control

Номер патента: WO2024081463A1. Автор: Patrick Isakanian,Armina Khakpour. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-18.

Power Converter Circuit For Use with Multiple Low-Current Power Rails

Номер патента: US20240235391A1. Автор: Hao Zhou,Jay B. Fletcher,Victor Zyuban. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Power converter circuit for use with multiple low-current power rails

Номер патента: WO2024151439A1. Автор: Hao Zhou,Jay B. Fletcher,Victor Zyuban. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: GB201918614D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-29.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: GB2576681A. Автор: NAKAMURA YUTAKA,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: GB2576681B. Автор: NAKAMURA YUTAKA,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-17.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: WO2018224963A1. Автор: Yutaka Nakamura,John Kenneth Debrosse. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2018-12-13.

POWER RAIL REGULATOR SYSTEM

Номер патента: US20130128637A1. Автор: Humphrey Daniel,Bemat Mohamed Amin. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-05-23.

ESD Clamp for Multiple Power Rails

Номер патента: US20140036397A1. Автор: Tsung-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

DYNAMIC POWER RAIL CONTROL FOR CLUSTERS OF LOADS

Номер патента: US20160013643A1. Автор: PARK HEE JUN,Pan Yuancheng Christopher,CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

INTEGRATED CIRCUIT POWER RAIL MULTIPLEXING

Номер патента: US20170033796A1. Автор: Vilangudipitchai Ramaprasath,Cao Lipeng,Bhan Divjyot,Kumar Dorav. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

EMBEDDED FILTERS FOR POWER RAIL MERGER

Номер патента: US20150097431A1. Автор: Levin Alexander,Soman Sanjiv,RAJAGOPALAN Srinivasan,Tan Fern Nee. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

Power Rail Clamp Circuit

Номер патента: US20180159318A1. Автор: Ker Ming-Dou,LIN Chun-Yu,HUANG Ju-Lin,Lin Tzu-Chiang,TZENG Tzu-Chien,Chen Jie-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

POWER BALANCING BETWEEN TWO POWER RAILS

Номер патента: US20150288178A1. Автор: GURLAHOSUR SANJAY,Mukhopadhyay Rajdeep. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

FALSE-TRIGGER FREE POWER-RAIL ESD CLAMP PROTECTION CIRCUIT

Номер патента: US20150295399A1. Автор: Cao Jian,Zhang Xing,Wang Yuan,LU Guangyi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

PROVIDING CURRENT CROSS-CONDUCTION PROTECTION IN A POWER RAIL CONTROL SYSTEM

Номер патента: US20160308372A1. Автор: Garg Manish,Kolla Yeshwant Nagaraj,Natekar Neel Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: US20170346299A1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: US20180358062A1. Автор: Yutaka Nakamura,John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

SWITCHING ENERGY SOURCE FOR POWER RAIL TRANSIENT COMPENSATION

Номер патента: US20200363854A1. Автор: Humphrey Daniel,Bemat Mohamed Amin,Zhang David. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Power rail with data line

Номер патента: DE102007001000A1. Автор: Udo Bansbach,Paul W. Prof. Dr.-Ing. Schmits. Владелец: Semperlux AG Lichttechnische Werke. Дата публикации: 2009-06-18.

Power-rail ESD protection circuit with ultra low gate leakage

Номер патента: US7817390B2. Автор: Ming-Dou Ker,Ryan Hsin-Chin Jiang,Chin-Hao Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Virtual power rail modulation within an integrated circuit

Номер патента: CN101304249A. Автор: D·W·弗林,S·S·伊冈吉,R·C·艾特肯. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2008-11-12.

power rail arrangement

Номер патента: DE102015001293B4. Автор: Jan Marien,Jens Hartmann,Daniel ZUCKERMANN. Владелец: IsabellenHuette Heusler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-11-17.

dynamic power rail control for load groupings

Номер патента: BR112017000141A2. Автор: Jun Park Hee,Kong Yee Chun Christopher,Christopher Pan Yuancheng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Variable input voltage PFC circuits, systems and power supplies with phase shifted power rails

Номер патента: US8681519B2. Автор: Vijay G. Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Power rail for cranes u. like

Номер патента: DE1275086B. Автор: Marvin Sprague Blemly,Leo Mayer. Владелец: Jervis B Webb Co. Дата публикации: 1968-08-14.

SHORT CIRCUIT AND GROUNDING DEVICE FOR ENCLOSED POWER RAILS

Номер патента: SE397750B. Автор: G Grunert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-11-14.

Wind turbines power rail system

Номер патента: DE102018000158A1. Автор: Heinz-Hermann Letas. Владелец: Senvion GmbH. Дата публикации: 2019-07-11.

Dual power rails-cascoded Reiber

Номер патента: DE112018001411T5. Автор: Yutaka Nakamura,John Kenneth Debrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: CN110663184A. Автор: J·K·德伯罗斯,中村裕. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Dynamic power rail floating for cdac circuits

Номер патента: US20230179251A1. Автор: Ofir Degani,Assaf Ben-Bassat,Ina SHTERNBERG,Anna NAZIMOV,Naor Shay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Power rail circuit for high-voltage Buck converter

Номер патента: CN114204805B. Автор: 王浩,杨楠,罗萍,宋浩,陈嘉豪,何致远,樊捷. Владелец: Guangdong Electronic Information Engineering Research Institute of UESTC. Дата публикации: 2023-04-28.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: US20230073019A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Providing current cross-conduction protection in a power rail control system

Номер патента: EP3283937B1. Автор: Manish Garg,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: EP3465913B1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Power rail noise monitoring to detect attempted security tampering or side channel attacks

Номер патента: WO2019202064A1. Автор: Hugo John Martin Vincent,Milosch Meriac,Shidhartha Das,Vasileios Tenentes. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-24.

Power rail noise monitoring to detect attempted security tampering or side channel attacks

Номер патента: US11620413B2. Автор: Hugo John Martin Vincent,Milosch Meriac,Shidhartha Das,Vasileios Tenentes. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-04-04.

System and method for joining power rail segments

Номер патента: AU2022429495A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for joining power rail segments

Номер патента: WO2023129334A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: EP4417464A2. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: EP4417465A2. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: EP4405204A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: AU2024204933A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-brush interface for power rail communications

Номер патента: US09715895B1. Автор: Frank Smith. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

System and method for joining power rail segments

Номер патента: CA3241375A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: US20240001771A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: US20240001772A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: WO2023129795A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: CA3237322A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: AU2022425162A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Powered rail mounted cargo tug and cargo platform

Номер патента: US20210086898A1. Автор: Wallace Harold Larson,Ryan Pfau. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Relocatable base for elevated power rails and method of deployment

Номер патента: AU2022426459A1. Автор: Igor Strashny,Brian Robert Weller. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Articulated powered rail cars for local traffic, in particular streetcar lines

Номер патента: CA1267040A. Автор: Karl-Heinz Buchholz,Lutz Uebel,Wolfgang-Dieter Richter,Erhard Forster. Владелец: MAN Gutehoffnungshutte GmbH. Дата публикации: 1990-03-27.

SUSPENSION CARRIER WITH POWER RAIL AND FREE RAIL

Номер патента: FR2495081A1. Автор: Takao Wakabayashi,Wakabayashi Takao. Владелец: Nakanishi Metal Works Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-04.

Insulating rail section for tracked hovercraft - with two insulators spaced by intermediate power rail connected to one section through resistance

Номер патента: DE2432344A1. Автор: Harry Dipl Ing Dorosh. Владелец: Krauss Maffei Ag. Дата публикации: 1976-01-15.

Insulated mount for a power rail for electrically driven rail vehicles

Номер патента: EP2819879A2. Автор: Thomas JUKL. Владелец: SPL Powerlines Austria GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-07.

Relocatable base for elevated power rails and method of deployment

Номер патента: US20230202348A1. Автор: Igor Strashny,Brian Robert Weller. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Powered rail vehicles

Номер патента: GB1574598A. Автор: . Владелец: Sulzer Ag. Дата публикации: 1980-09-10.

Battery-powered rail grinder

Номер патента: EP2488399A2. Автор: Syed Reza Ahmed Sami. Владелец: Harsco Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Relocatable base for elevated power rails and method of deployment

Номер патента: CA3241371A1. Автор: Igor Strashny,Brian Robert Weller. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Powered rail conveyor

Номер патента: AU5564573A. Автор: T. Kornylak Andrew. Владелец: Kornylak Corp. Дата публикации: 1974-11-14.

Power rail system with removable members

Номер патента: US3241765A. Автор: Sylvester F Wolfe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-03-22.

POWERED DISTRIBUTION SYSTEMS FOR POWERED RAIL VEHICLES

Номер патента: US20130193750A1. Автор: KUMAR Ajith Kuttannair. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-08-01.

POWER RAIL-SUPPORT UNIT AND GUIDE-TRACK TRANSPORTATION SYSTEM

Номер патента: US20170015214A1. Автор: Kubo Akihiro,OKANO Eisuke,MURASE Kosaku. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

POWERED RAIL MOUNTED CARGO TUG AND CARGO PLATFORM

Номер патента: US20210086898A1. Автор: Pfau Ryan,Larson Wallace Harold. Владелец: GOODRICH CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-25.

POWERED RAIL MOUNTED AIR CARGO CART

Номер патента: US20210086899A1. Автор: Pfau Ryan,Larson Wallace Harold. Владелец: GOODRICH CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-25.

A POWER RAIL EXPANSION JOINT WITHOUT EXPANSION GAP

Номер патента: US20190118672A1. Автор: Zeng Jian,JIANG Xingzhen,LI Guihang,DENG Maotao. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Apparatus and methods for support track and power rail switching in a body weight support system

Номер патента: US20170128313A1. Автор: Arkady Glukhovsky,Todd CUSHMAN,Augustine Smith. Владелец: Bioness Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

POWERED RAIL APPARATUS FOR VEHICULAR SEAT

Номер патента: US20210394647A1. Автор: HWANG Seong Jun,SHIM Sung Min,KIM Gyong Min. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for control of distributed power rail vehicle

Номер патента: CN103010200A. Автор: E.A.史密斯,D.乌,R.帕兰蒂. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-04-03.

Insert reclamation jig for construction of power rail

Номер патента: KR101272858B1. Автор: 김성우,김기송. Владелец: 김기송. Дата публикации: 2013-06-10.

Non-motorized power rail link dust separator

Номер патента: KR101663643B1. Автор: 최병천. Владелец: 주식회사 대승엔지니어링. Дата публикации: 2016-10-07.

power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: KR20020008126A. Автор: 마렉레리케이,부르그토마스제이. Владелец: 봄바디어 트랜스포테이션 게엠베하. Дата публикации: 2002-01-29.

Apparatus and methods for support track and power rail switching in a body weight support system

Номер патента: CA3003057A1. Автор: Arkady Glukhovsky,Todd CUSHMAN,Augustine Smith. Владелец: Bioness Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Improvement of gasoline powered rail cars

Номер патента: FR577291A. Автор: . Владелец: Automobiles M Berliet SA. Дата публикации: 1924-09-03.

Human powered rail bike

Номер патента: KR100644348B1. Автор: 이수행. Владелец: 이수행. Дата публикации: 2006-11-10.

Power rail arrangement

Номер патента: HK1182060A1. Автор: 布魯諾．卡薩利,烏爾斯．比特．維利,比特．富雷爾. Владелец: 富雷爾+弗賴股份公司工程處-法爾萊通斯布. Дата публикации: 2013-11-22.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: EP1169191A1. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2002-01-09.

Power rail support

Номер патента: KR100934895B1. Автор: 안영훈,정해영. Владелец: 세종기술주식회사. Дата публикации: 2010-01-06.

Braking system for a self-powered rail vehicle provided with an anti-slip device

Номер патента: EP1547888A3. Автор: Dario Barberis. Владелец: Sab Wabco SpA. Дата публикации: 2006-08-16.

Double-power rail vehicle

Номер патента: CN113879341B. Автор: 焦京海,郑伟,赖森华,刘金林,张玉刚,杨兴清,高洪镇,李勇序. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-20.

Powered rail flat car for containers and operation method

Номер патента: WO2020062725A1. Автор: 刘杰,徐程,方亚非,蔡云峰,袁登峰,黄泽星,于兴华,王增力,雒敏华,叶航行,雷娜娜. Владелец: 中铁武汉勘察设计研究院有限公司. Дата публикации: 2020-04-02.

Power rail support with adjustment device for height adjustment

Номер патента: DE2408448C3. Автор: Marijan 8521 Moehrendorf Mekinic,Hermann 2410 Moelln Menhorn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-10-05.

Electric vehicle, especially an electrically powered rail vehicle, e.g. a low-platform tramcar

Номер патента: WO1996029224A1. Автор: Josef Haas,Michael Petz,Franz Proksch. Владелец: Elin Antriebstechnik Gmbh. Дата публикации: 1996-09-26.

Power rail for power consumers with high power requirements and high travel speeds

Номер патента: DE2244492C2. Автор: Willi 4618 Kamen Hillmann. Владелец: PAUL VAHLE KG 4618 KAMEN. Дата публикации: 1974-04-04.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: US6520303B1. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2003-02-18.

Loading assembly for bulk fluids rests on electrically powered rail-mounted moving platform with telescopic down-pipe

Номер патента: DE202006019847U1. Автор: . Владелец: JAHNDORF CHRISTIAN. Дата публикации: 2007-04-12.

Apparatus and methods for support track and power rail switching in a body weight support system

Номер патента: AU2016354524B2. Автор: Arkady Glukhovsky,Todd CUSHMAN,Augustine Smith. Владелец: Bioness Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: WO2000053449A1. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2000-09-14.

Power rail arrangement

Номер патента: WO2012016640A2. Автор: Beat Furrer,Marc Gilgen. Владелец: Furrer + Frey Ag. Дата публикации: 2012-02-09.

Electric power rail type wireless long-distance logistics conveying equipment and method

Номер патента: CN113772350A. Автор: 严昊,朱正刚,彭泽,朱登明. Владелец: TAICANG INSTITUTE OF COMPUTING TECHNOLOGY CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2021-12-10.

Hybrid power rail car electrical system

Номер патента: CN113400956A. Автор: 李超,肖小山,刘洁,祝长春,白欢,刘三帅,肖功彬,卓海军. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Brake system for a powered rail vehicle with anti-lock device

Номер патента: DE602004015402D1. Автор: Dario Barberis. Владелец: Faiveley Transport Italia SpA. Дата публикации: 2008-09-11.

Electric power rail for ground vehicle - has different polarity segments separated by insulation

Номер патента: FR2277694A1. Автор: . Владелец: TREGIE. Дата публикации: 1976-02-06.

Expansion connection arrangement for adjoining power rails of an overhead line system for electric locomotives

Номер патента: EP2691256B1. Автор: Günter Hähn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-11-01.

Braking energy recovery method and system for hybrid power rail vehicle

Номер патента: CN108189674B. Автор: 于爽,李奇,陈维荣,黄文强,尚伟林,朱亚男,王天宏. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2023-06-09.

A kind of hybrid power rail vehicle

Номер патента: CN108340933A. Автор: 吕志龙,周安德,王永,付亚娥,李耘茏. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

System and method for control of distributed power rail vehicle

Номер патента: CN101973286B. Автор: E·A·史密斯,R·帕兰蒂,D·乌. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-07-24.

POWER RAIL FOR THE POWER SUPPLY OF MOVABLE POWER CONSUMERS

Номер патента: DE3000978A1. Автор: Udo 4300 Essen Heuser,Arnfried Brinkmann. Владелец: Fahrleitungsbau GmbH. Дата публикации: 1981-07-23.

A kind of power rail lower contacts formula current collecting equipment

Номер патента: CN110281775A. Автор: 李群湛. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2019-09-27.

Aerial cableways for transporting goods in rough terrain, has resilient current collectors transferring current from power rails to electric vehicles, and bracket suspended in bolt of vehicles that take curve in area of supports

Номер патента: DE102009030757A1. Автор: Gerhard Bihler. Владелец: Gerhard Bihler. Дата публикации: 2010-12-30.

Current collector system, crane system, and method for advancing a current collector carriage to a power rail

Номер патента: CN103492307A. Автор: B·迈尔,F·克赖特尔,J·萨特尔,D·布兰德纳. Владелец: Conductix Wampfler GmbH. Дата публикации: 2014-01-01.

ELECTRIC POWER RAIL WITH COLLECTOR TROLLEY

Номер патента: FR2806849B1. Автор: Laurent Micheau,Bernard Thelier. Владелец: REALISATIONS IND LYONNAISES S. Дата публикации: 2004-03-05.

Electrical control method for hybrid power rail car

Номер патента: CN113400955A. Автор: 李超,肖小山,刘洁,祝长春,白欢,刘三帅,肖功彬,卓海军. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Powered rail conveyor

Номер патента: ZA731748B. Автор: A Kornylak. Владелец: Kornylac Co. Дата публикации: 1973-12-19.

Segment boundary arrangement in a longitudinally extending power rail network

Номер патента: WO2015036258A1. Автор: Klaus-Peter Linzmaier,Helmut Pflieger. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2015-03-19.

Powered rail flat car for containers and operation method

Номер патента: EP3798078A1. Автор: Feng Zhang,Rui Li,Wen Gu,Yusong XIAO,Yafei FANG,Zengli WANG,Zexing HUANG,Yunfeng CAI,Jiajun Cai,Changyu LIU,Jianan ZHANG,Zongyu Gao,Nana LEI. Владелец: China Railway Wuhan Survey and Design and Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Electromagnetic point setting device for electrically powered rail vehicles

Номер патента: DE826598C. Автор: Robert Hanning. Владелец: Individual. Дата публикации: 1952-01-03.

Power rail-support unit and guide-track transportation system

Номер патента: US10202050B2. Автор: Akihiro Kubo,Eisuke Okano,Kosaku MURASE. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Engineering Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Fuel-powered rail vehicle with combined exhaust / cooling airflow outlet

Номер патента: DE102006037785B4. Автор: Stefan Wanczura. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-05-12.

Switching power supply shutdown rapid discharging circuit based on resistance -capacitance reduction voltage circuit

Номер патента: CN206149132U. Автор: 魏海波,王剑涛. Владелец: SHENZHEN SIVITON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-03.

Integrated system with independent power domains and split power rails for logic and memory

Номер патента: EP3215907A1. Автор: Kenneth Gainey,Jen-Jung Hsu,Eunjoo Hwang,Karthik Reddy Neravetla. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Integrated system with independent power domains and split power rails for logic and memory

Номер патента: WO2016073180A1. Автор: Kenneth Gainey,Jen-Jung Hsu,Eunjoo Hwang,Karthik Reddy Neravetla. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-05-12.

Launching virtual objects using a rail device

Номер патента: US09904357B2. Автор: Michael P. GOSLIN,Philippe Putzeys,Katherine M. Bassett,John Henry HARRIS, III,Jared Dal Porto SAIN. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

SYSTEM FOR PROVIDING ELECTRICAL POWER TO ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20140068990A1. Автор: Cabahug Eric F.,Dodd James S.,Feldman Ben,Frascati Joseph,McLaughlin Don. Владелец: Prototype Productions Incorporated Ventures Holdings, LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

POWER RAIL FOR PREVENTING DC ELECTROMIGRATION

Номер патента: US20160004809A1. Автор: Yu Chi-Yeh,LIN CHIN-SHEN,YANG KUO-NAN,Kao Jerry Chang-Jui,LIN Chou-Kun,Katta Nitesh,Tsai Yi-Chuin. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

DYNAMIC VOLTAGE SELECTION FOR A SINGLE POWER RAIL IN A MULTI-CORE DOMAIN

Номер патента: US20220035437A1. Автор: RAVIPATI Venkatesh,DEVARASETTY Venkata Biswanath,DESAI Nirav Narendra,PANUKU Lakshmi Narayana,GHOSH Kumar Kanti,NAGILLA Sharath Kumar,Ambapuram Sravan Kumar,Shenoy Shrikanth. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

MEMORY DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF POWER RAILS AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190027206A1. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,JANG JIN-HUN,CHO SEOK-JIN,HA KYUNG-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

System, Apparatus And Method For Collective Power Control Of Multiple Intellectual Property Agents And A Shared Power Rail

Номер патента: US20190041970A1. Автор: Gough Robert,Vadivelu Karthi,Kuo Chia-Hung,Dutta Pronay,Degalahal Vijay S. R.,Kumar Panner. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

POWER STRUCTURE WITH POWER PICK-UP CELL CONNECTING TO BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20200042668A1. Автор: PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Power rail layout for dense standard cell library

Номер патента: US20150052494A1. Автор: Jian Liu,Norman Chen,Anurag Mittal,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Tuhin Guha Neogi,Nader Magdy Hindawy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

MEASURING DISSIPATED ELECTRICAL POWER ON A POWER RAIL

Номер патента: US20220065906A1. Автор: RAGHUPATHY Arun,Warren Daniel Adam,Mitchell Michael,van der Linden Gwendolyn,Rylander Ford,Silverstein Brian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Backside Power Rail Architecture

Номер патента: US20220084561A1. Автор: Chong Yew Keong,Thyagarajan Sriram,Chen Andy Wangkun,Amirante Ettore,Kulshrestha Ayush,N/A Sony. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Multi-power rail power supply unit mismatch detection system

Номер патента: US20190073015A1. Автор: Craig Anthony Klein,John Erven Jenne. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-03-07.

DYNAMIC POWER RAILS FOR ELECTRONIC DISPLAY

Номер патента: US20190086992A1. Автор: Bi Yafei,Lin Chin-Wei,Lu Chun,Li Haifeng,Nho Hyunwoo,Lin Hung Sheng,Hwang Injae,Gao Shengkui,Richmond Jesse Aaron,Kim Hyunsoo,Alousi Sinan,Hajirostam Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

POWER RAIL FOR PREVENTING DC ELECTROMIGRATION

Номер патента: US20150095864A1. Автор: Yu Chi-Yeh,LIN CHIN-SHEN,YANG KUO-NAN,Kao Jerry Chang-Jui,LIN Chou-Kun,Katta Nitesh,Tsai Yi-Chuin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

SYSTEM ON CHIP RECEIVING SUPPLY VOLTAGE(S) VIA MERGED POWER RAIL, AND MOBILE SYSTEM INCLUDING SAME

Номер патента: US20200089310A1. Автор: CHOI Youn-Sik,HEO JUNGHUN,CHO MYUNGCHUL. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

COMPENSATION CONTROL FOR VARIABLE POWER RAILS

Номер патента: US20180095514A1. Автор: SHRALL JEREMY J.,Man Xiuting C.,RADJAI Amir Ali. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Cell Architecture with Backside Power Rails

Номер патента: US20220147679A1. Автор: Frederick,JR. Marlin Wayne,Edathil Sharath Koodali. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

POWER RAIL DESIGN METHOD, APPARATUS AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE MEDIUM THEREOF

Номер патента: US20210124864A1. Автор: Hsu Chia-Jung,LIN HSIN-CHANG,Lin Li-Yi,Kao Shu-Yi,HUANG Cheng-Chen,WU Yun-Ru,CHEN Chih-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

POWER MODE REGISTER REDUCTION AND POWER RAIL BRING UP ENHANCEMENT

Номер патента: US20140223153A1. Автор: ALARCON Veronica,Hsieh Chih-Tsung,Lee Hao-zheng,Nabhane Walid,Fullerton Mark Norman. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING DEBUG INFORMATION VIA POWER RAIL IN POWER STATE WHERE DEBUG INTERFACE IS DISABLED

Номер патента: US20180164371A1. Автор: Morris Paul,BRUCE John,Panigrahi Sukanta. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

DC POWER RAIL PROBES AND MEASUREMENT METHODS

Номер патента: US20210199700A1. Автор: Brush Edward Vernon,McTigue Michael Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Techniques to Power Down Output Power Rails for a Storage Device

Номер патента: US20170177057A1. Автор: MORNING-SMITH Andrew,Schmidt Kai-Uwe,MOCANU Adrian,NGO Mike M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

POWER RAIL

Номер патента: US20210212464A1. Автор: GRABHER Günter. Владелец: Grass GmbH. Дата публикации: 2021-07-15.

SYSTEM ON CHIP INCLUDING DUAL POWER RAIL AND VOLTAGE SUPPLY METHOD THEREOF

Номер патента: US20140313819A1. Автор: Choi Jaeseung,Seo Dong-wook,CHOI Hyunsu,KIM GYUHONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-23.

Information Handling System And Methods To Detect Power Rail Failures And Test Other Components Of A System Motherboard

Номер патента: US20200233766A1. Автор: Chaiken Craig L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

POWER RAIL WITH NON-LINEAR EDGE

Номер патента: US20210350062A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHIANG Ting-Wei,YANG Jung-Chan,LU Chi-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

PEAK CURRENT SUPPORT FOR A POWER RAIL SYSTEM VIA A SHARED SECONDARY POWER SUPPLY

Номер патента: US20170277238A1. Автор: PARK HEE JUN,CHUN Christopher Kong Yee,KWAK TAEWOO. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

SELECTIVE COUPLING OF POWER RAILS TO A MEMORY DOMAIN(S) IN A PROCESSOR-BASED SYSTEM

Номер патента: US20160306412A1. Автор: Kolla Yeshwant Nagaraj,Natekar Neel Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

SYSTEM ON CHIP RECEIVING SUPPLY VOLAGE(S) VIA MERGED POWER RAIL, AND MOBILE SYSTEM INCLUDING SAME

Номер патента: US20160357245A1. Автор: CHOI Youn-Sik,HEO JUNGHUN,CHO MYUNGCHUL. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

System, apparatus and method for collective power control of multiple intellectual property agents and a shared power rail

Номер патента: US10860083B2. Автор: Pronay Dutta,Vijay S. R. Degalahal,Robert Gough,Panner Kumar,Chia-Hung Kuo,Karthi Vadivelu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Insert reclamation jig for construction of power rail in linear induction motor

Номер патента: KR100888821B1. Автор: 정상구,김홍록,윤병성,민병도. Владелец: (주)대륙철도. Дата публикации: 2009-03-17.

Power rail regulator system

Номер патента: CN103097983A. Автор: D.汉弗莱,M.A.贝马特. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-05-08.

A kind of Fast Load response LDO based on dual power rail power supply

Номер патента: CN109656300A. Автор: 张�杰,张波,王卓,梁华,明鑫. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-04-19.

Power rail

Номер патента: US11344120B2. Автор: Günter GRABHER. Владелец: Grass AG. Дата публикации: 2022-05-31.

System, apparatus and method for collective power control of multiple intellectual property agents and a shared power rail

Номер патента: EP3857336A4. Автор: Pronay Dutta,Vijay S. R. Degalahal,Robert Gough,Chia-Hung Kuo,Karthi Vadivelu,Pammerkumar RAJAGOPAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Coin queuing device and power rail sorter

Номер патента: CA2158436A1. Автор: James M. Rasmussen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-10-13.

Power rail assembly

Номер патента: TWI471081B. Автор: Wei Chia Huang,You-Gang Wong. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

System for providing electrical power to accessories mounted on the powered rail of a weapon

Номер патента: US9285185B2. Автор: Eric F. Cabahug,Ben Feldman,James S. Dodd,Joseph Frascati,Don McLaughlin. Владелец: Prototype Productions Inc Ventures Two LLC. Дата публикации: 2016-03-15.

Power rail regulator system

Номер патента: GB2497010B. Автор: Humphrey Daniel,Amin Bemat Mohammed. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-21.

Communication and control of accessories mounted on the power rail of a weapon

Номер патента: AU2012367273B2. Автор: Ben Feldman,Tyler Miller,James S. Dodd,Greg Paulson,Terrance JORDAN. Владелец: T Worx Holdings LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Energy-concerving and environment-protective type electric power rail spud pile auxiliary device easy to assemble dismantlement

Номер патента: CN112523605B. Автор: 马北风. Владелец: Shanghai New Era Civil Aviation Airport Design And Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

LED lamp fixture having dual side power rail and magnetic coupling

Номер патента: US9765954B2. Автор: Victor Zaderej,Timothy Canzano. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Power rail system

Номер патента: WO2008108818A2. Автор: John Thompson. Владелец: Wolf Pac Technologies Corp. Дата публикации: 2008-09-12.

Locking system for claw couplings, in particular for gear shifting and reversing mechanisms of high-power rail cars

Номер патента: FR1232175A. Автор: . Владелец: Maybach Motorenbau GmbH. Дата публикации: 1960-10-06.

Settings based on output powered by low power state power rail

Номер патента: US8856560B2. Автор: Michael R. Durham,Gregory P. Ziarnik,Stephen J. Higham. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-10-07.

Powered rail coin sorter

Номер патента: CA2110586A1. Автор: John H. Winkelman,Thomas P. Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-23.

Powered rail coin sorter

Номер патента: EP0588939A4. Автор: Thomas P Adams,John H Winkelman. Владелец: Brandt Inc. Дата публикации: 1994-07-13.

Memory device including a plurality of power rails and method of operating the same

Номер патента: EP3454171A3. Автор: Young-Hwa Kim,Tae-Young Oh,Kyung-Soo Ha,Jin-Hun Jang,Seok-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-10.

With the independent power domain for logic and memory and the integrated system of split-type power rail

Номер патента: CN107003707A. Автор: E·黄,K·盖尼,K·R·内拉维拉,J·J·休. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Coin queuing device and power rail sorter

Номер патента: AU6408394A. Автор: James M. Rasmussen. Владелец: Cummins Allison Corp. Дата публикации: 1994-10-24.

Coin queuing device and power rail sorter

Номер патента: US5382191A. Автор: James M. Rasmussen. Владелец: Cummins Allison Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Insert reclamation jig for construction of power rail in linear induction motor

Номер патента: KR100891904B1. Автор: 정상구,김홍록,윤병성,민병도. Владелец: (주)대륙철도. Дата публикации: 2009-04-03.

Techniques for turning off an output power rail of a memory device

Номер патента: CN108351817B. Автор: M·M·吴,A·莫宁-史密斯,K-U·施密特,A·莫卡努. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Power rail regulator system

Номер патента: WO2012036668A1. Автор: Daniel Humphrey,Mohammed Amin Bemat. Владелец: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY L.P.. Дата публикации: 2012-03-22.

Positioning device for performing right-side dotting for back-side defect of silicon chip

Номер патента: CN202196760U. Автор: 陈杰,沈捷,陈培华,汪雪锋. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

DARK CURRENT REDUCTION FOR BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130134542A1. Автор: CHANG Yung-Cheng,Huang Hsun-Ying,Hsiao Chia-Chi,Lu Shou-Shu,Chiu Chun-Mao,Huang Hsin-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

IMAGE SENSOR ARRAY FOR BACK SIDE ILLUMINATION WITH GLOBAL SHUTTER USING A JUNCTION GATE PHOTODIODE

Номер патента: US20120273654A1. Автор: Hynecek Jaroslav,Komori Hirofumi. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

Coarsening processing method for backing side of wafer

Номер патента: CN101399196A. Автор: 苏晓平,江彤,马赟,田海谦. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Coarsening processing method for backing side of wafer

Номер патента: CN101399196B. Автор: 苏晓平,江彤,马赟,田海谦. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-21.

Rework method for back-side metal process

Номер патента: CN102097288A. Автор: 胡德明,李熙. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Coating composition for back side of carbon paper

Номер патента: SU1326459A1. Автор: Павел Васильевич Ткаченко,Борис Ильич Шнапер,Леонид Александрович Козлов,Геннадий Борисович Штрейс,Фердинанд Вильевич Каплун,Виктор Петрович Крылов,Марк Соломонович Хайкин,Валентин Эммануилович Горелик,Эрика Рафаиловна Арустамян,Наталья Валентиновна Лесникова. Владелец: Центральный научно-исследовательский институт бумаги. Дата публикации: 1987-07-30.

Grouter for back side grouting and its construction method

Номер патента: CN101333812A. Автор: 李伟强,邱晓明,李耀良,王理想,袁芬,余振栋,喻强,赵伟成. Владелец: FOUNDATION ENGINEERING Co OF SHANGHAI CITY. Дата публикации: 2008-12-31.

Multiposition shifting rail device

Номер патента: RU2326204C1. Автор: Эдуард Дмитриевич Житников. Владелец: Эдуард Дмитриевич Житников. Дата публикации: 2008-06-10.

Roof railing device

Номер патента: RU2423586C1. Автор: Евгений Александрович Оленев. Владелец: Евгений Александрович Оленев. Дата публикации: 2011-07-10.

Capacitance reduction

Номер патента: WO2024220583A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Jialing Yang,Joel David Smith,Ian John CURTIN,Nupur BIHARI,Malgorzata Anna JURCZAK,Yann Martelat,Elisabeth Camerotto,Jason Aaron BANDY. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-24.

DEVICE WITH GAPS FOR CAPACITANCE REDUCTION

Номер патента: US20120205819A1. Автор: Sadjadi S. M. Reza,Huang Zhi-Song. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

PARASITIC CAPACITANCE REDUCTION IN MOSFET BY AIRGAP ILD

Номер патента: US20130049132A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

Finfet Parasitic Capacitance Reduction Using Air Gap

Номер патента: US20130095629A1. Автор: Ando Takashi,Kulkarni Pranita,Yamashita Tenko,Chang Josephine B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

RAIL CONTACTS FOR ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20120131837A1. Автор: . Владелец: Prototype Productions, Inc.. Дата публикации: 2012-05-31.

Steam power rail bending machine

Номер патента: CA48862A. Автор: George Edward Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1895-05-07.

METHOD AND APPARATUS FOR INDICATING MULTI-POWER RAIL STATUS OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120030488A1. Автор: Fung Richard W.,Lau Ricky,Ng Ju Tung. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-02-02.

System including adaptive power rails and related method

Номер патента: US20120062311A1. Автор: Wu Jiangfeng,Chen Chun-Ying. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-15.

COATED POWER RAIL

Номер патента: US20120073923A1. Автор: Beardsley M. Brad,Gerke Daniel Herbert,Sharp Robert E.,Bridges Mike. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

ELECTRICAL POWER CONNECTOR SYSTEM INCLUDING POWER RAIL

Номер патента: US20120094512A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

SYSTEM FOR PROVIDING ELECTRICAL POWER TO ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20120144714A1. Автор: Cabahug Eric F.,Dodd James S.,Feldman Ben. Владелец: Prototype Productions Incorporated Ventures. Дата публикации: 2012-06-14.

COMMUNICATION AND CONTROL OF ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20120144716A1. Автор: Cabahug Eric F.,Dodd James S.,Feldman Ben,Schroeder John. Владелец: Prototype Productions, Inc.. Дата публикации: 2012-06-14.

Variable Input Voltage PFC Circuits, Systems and Power Supplies With Phase Shifted Power Rails

Номер патента: US20120224401A1. Автор: . Владелец: Astec International Limited. Дата публикации: 2012-09-06.

Integrated Circuit Layouts with Power Rails under Bottom Metal Layer

Номер патента: US20120280287A1. Автор: Lin Shyue-Shyh,TIEN Li-Chun,SUE Pin-Dai,Chen Shu-Min,Hou Yung-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-08.

Voltage regulation of a virtual power rail

Номер патента: US20130027123A1. Автор: Idgunji Sachin Satish,Sandhu Bal S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

COMMUNICATION AND CONTROL OF ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20130185978A1. Автор: Miller Tyler,Dodd James S.,Feldman Ben,Jordan Terrance,Paulsen Greg. Владелец: Prototype Productions, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

POWER RAIL ASSEMBLY

Номер патента: US20130214102A1. Автор: HUANG Wei-Chia,WONG You-Gang. Владелец: WISTRON CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

ELECTRO-STATIC DISCHARGE CLAMP (ESD) FOR NxVDD POWER RAIL

Номер патента: US20130235497A1. Автор: MA Wei Yu. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

SETTINGS BASED ON OUTPUT POWERED BY LOW POWER STATE POWER RAIL

Номер патента: US20130290740A1. Автор: Ziarnik Gregory P.,Durham Michael R.,Higham Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DIE WITH POWER RAIL PADS

Номер патента: US20140021621A1. Автор: Tan Lan Chu,Kalandar Navas Khan Oratti,Low Boon Yew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-01-23.

POWERED RAIL SYSTEM FOR A WEAPON

Номер патента: US20140059911A1. Автор: MULFINGER ROBERT NEIL,OH LAWRENCE SE-JUN. Владелец: Tycon Electronics Corporation. Дата публикации: 2014-03-06.

POWER-RAIL ELECTRO-STATIC DISCHARGE (ESD) CLAMP CIRCUIT

Номер патента: US20140063663A1. Автор: Ker Ming-Dou,Jiang Ryan Hsin-Chin,ALTOLAGUIRRE Federico Agustin. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Power rail accessory for transformer substation

Номер патента: CN213330293U. Автор: 彭光辉. Владелец: Jiangsu Hengkang Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

The trigger circuit structure of ic power rail antistatic protection

Номер патента: CN103151350B. Автор: 张波,樊航,柯明道,盛玉荣. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-07-29.

Power rail special for lead storage battery

Номер патента: CN211919947U. Автор: 宗伟,吴振锋,李宗强,董建兴,李京兵,孙先锋,徐晓理. Владелец: Shandong Langyun Industrial Design Co ltd. Дата публикации: 2020-11-13.

Electric power rail convenient to overhaul

Номер патента: CN205089059U. Автор: 李超,朱伟,侯庆雷,崔大明,王为帅,夏洪强,李峻,孙启鹏,秦贺. Владелец: Zaozhuang Power Supply Co of State Grid Shandong Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

A kind of integrated driving power rail vehicle lamp

Номер патента: CN207999716U. Автор: 赵龙,刘玉文,王冰松,韩志卫,李勇序. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Electric power rail convenient to dismouting

Номер патента: CN212105425U. Автор: 季仁芝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-08.

Power rail design method, apparatus and non-transitory computer readable medium thereof

Номер патента: CN112749526A. Автор: 高淑怡,许家荣,陈志展,黄晟宸,吴韵如,林欣樟,林立镒. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Anti-climbing electric power rail

Номер патента: CN105257086A. Автор: 曾凯涛. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-20.

Power rail mounting vehicle for magnetic-suspension train

Номер патента: CN1273324C. Автор: 胡刚,吴祥明,刘武君,李耀成,陈廷康,陈若彦,钱呈祥,潘家刘,肖信良. Владелец: Shanghai Maglev Transportation Development Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-06.

Electrically powered rail or road vehicle.

Номер патента: AT133942B. Автор: . Владелец: SUEDDEUTSCHE EISENBAHN GES. Дата публикации: 1933-06-26.

A kind of magnetic floats power rail-collector shoe Performance Test System and test method

Номер патента: CN109945929A. Автор: 刘娟,张鹏飞,李忠齐,李增勤,强力,关金发,吕梁. Владелец: China Iron And High - Speed Electrical Equipment Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2019-06-28.

Electrical insulator for fixing electric power rail

Номер патента: CN101345104B. Автор: 曾鉴. Владелец: Chengdu Jinhe Industry & Trade Co ltd. Дата публикации: 2010-12-01.

A kind of power rail supporting component being applicable to Maglev Project

Номер патента: CN204936868U. Автор: 黄冬亮. Владелец: China Railway Siyuan Survey and Design Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.