Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Power Rail Stitching Technique

Номер патента: US20200020464A1
Опубликовано: 16-01-2020
Автор(ы): Karen Lee DELK, Marlin Wayne Frederick, Jr., Sharrone Rena Smith
Принадлежит: ARM LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power rail and signal conducting line arrangement

Номер патента: US20240274607A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power tap cell for front side power rail connection to bspdn

Номер патента: US20240194601A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Power rail inbound middle of line (MOL) routing

Номер патента: US09935100B2. Автор: Zhengyu Duan,Qi Ye,Mickael MALABRY,Hyeokjin Bruce LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Power rail and signal conducting line arrangement

Номер патента: US11967596B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Power structure with power pick-up cell connecting to buried power rail

Номер патента: US11755812B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Power structure with power pick-up cell connecting to buried power rail

Номер патента: US20210294962A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Buried Power Rail Architecture

Номер патента: US20220293522A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Ettore Amirante,Sony .. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Integrated circuit for reducing ohmic drop in power rails

Номер патента: US20180166432A1. Автор: Kwang Ok Jeong,Hyo Sig Won,Chan Uk Shin,Kwon Chil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Power rail for preventing dc electromigration

Номер патента: US20150095864A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Power rail for preventing dc electromigration

Номер патента: US20160004809A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Cell architecture with center-line power rails for stacked field-effect transistors

Номер патента: US20240145343A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Cell architecture with center-line power rails for stacked field-effect transistors

Номер патента: EP4362094A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Power Rail Stitching Technique

Номер патента: US20200020464A1. Автор: Frederick,JR. Marlin Wayne,Delk Karen Lee,Smith Sharrone Rena. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Integrated circuit including cell array and backside power rail

Номер патента: US20240172407A1. Автор: Taehyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US12136466B2. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Backside power rail architecture

Номер патента: US11443777B2. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Sony,Ettore Amirante,Ayush Kulshrestha. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor Devices with Frontside and Backside Power Rails

Номер патента: US20240008243A1. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit including cell array and backside power rail

Номер патента: EP4372797A1. Автор: Taehyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US20230410851A1. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Backside power rail for physical failure analysis (pfa)

Номер патента: US20230009640A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US20240272666A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US20210232168A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US11579648B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US20220083089A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Voltage regulator with power rail tracking

Номер патента: US11989046B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Yu-Hao Hsu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Cell architecture with backside power rails

Номер патента: US11836432B2. Автор: Marlin Wayne Frederick, Jr.,Sharath Koodali Edathil. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Metal zero contact via redundancy on output nodes and inset power rail architecture

Номер патента: US20200035662A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US11984441B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and ic design with non-linear power rails

Номер патента: US20240312838A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method, apparatus, and system for offset metal power rail for cell design

Номер патента: US09639650B2. Автор: Lei Yuan,Juhan Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Metal zero contact via redundancy on output nodes and inset power rail architecture

Номер патента: US20190333911A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

CONTACT POWER RAIL

Номер патента: US20150035052A1. Автор: Stephens Jason,Tarabbia Marc,HINDAWY Nader,AUGUR Roderick. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

METAL ZERO CONTACT VIA REDUNDANCY ON OUTPUT NODES AND INSET POWER RAIL ARCHITECTURE

Номер патента: US20200035662A1. Автор: Schultz Richard T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

VOLTAGE REGULATOR WITH POWER RAIL TRACKING

Номер патента: US20220083089A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,Hsu Yu-Hao,CHENG Chiting,LIN Yangsyu,FUJIWARA Hidehiro,Mori Haruki,Chang Zhi-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20190067097A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,WANG Sheng-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20210082755A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,WANG Sheng-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR TWO-DIMENSIONAL POWER RAIL TO ENABLE SCALING OF A STANDARD CELL

Номер патента: US20180102354A1. Автор: Wang Wenhui,Wang Yan,Yuan Lei,Kye Jongwook,Zeng Jia,Wang Chenchen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-04-12.

HYBRID POWER RAIL STRUCTURE

Номер патента: US20200105671A1. Автор: LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,LAI Wei-An. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Buried Power Rail Architecture

Номер патента: US20220293522A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Ettore Amirante,Sony .. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20200144115A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,WANG Sheng-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

14 lpm contact power rail

Номер патента: US20140246791A1. Автор: Jason Eugene STEPHENS,Roderick Alan Augur,Marc L. Tarabbia,Nader Magdy Hindawy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

INTEGRATED CIRCUIT FOR REDUCING OHMIC DROP IN POWER RAILS

Номер патента: US20180166432A1. Автор: WON HYO SIG,Jeong Kwang Ok,SHIN CHAN UK,KANG KWON CHIL. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

VOLTAGE REGULATOR WITH POWER RAIL TRACKING

Номер патента: US20210232168A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,Hsu Yu-Hao,CHENG Chiting,LIN Yangsyu,FUJIWARA Hidehiro,Mori Haruki,Chang Zhi-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR OFFSET METAL POWER RAIL FOR CELL DESIGN

Номер патента: US20170207165A1. Автор: Yuan Lei,KIM JuHan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Method, apparatus, and system for offset metal power rail for cell design

Номер патента: US20160342726A1. Автор: Lei Yuan,Juhan Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

METAL ZERO CONTACT VIA REDUNDANCY ON OUTPUT NODES AND INSET POWER RAIL ARCHITECTURE

Номер патента: US20190333911A1. Автор: Schultz Richard T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Method, apparatus, and system for two-dimensional power rail to enable scaling of a standard cell

Номер патента: US10147714B2. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-04.

power rail input line medium (mol) routing

Номер патента: BR112018009374A8. Автор: MALABRY Mickael,YE Qi,Duan Zhengyu,Bruce Lim Hyeokjin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Cell architecture with backside power rails

Номер патента: TW202219808A. Автор: 沙拉特科達利 伊達帝爾,馬林威恩 佛來德瑞克 Jr. Владелец: 英商Ａｒｍ股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-16.

Apparatuses and methods for efficient power rail structures for cell libraries

Номер патента: US20080111158A1. Автор: Deepak Sherlekar,Darrell Heinecke,Eswar Veluri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Memory device with backside interconnection for power rail and bitline and method of forming the same

Номер патента: US20240054273A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and IC design with non-linear power rails

Номер патента: US11996329B2. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20200144115A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method and IC Design with Non-Linear Power Rails

Номер патента: US20210082755A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: US20170346299A1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: US20160306412A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: US09977480B2. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Power mode register reduction and power rail bring up enhancement

Номер патента: US09430323B2. Автор: Walid Nabhane,Veronica Alarcon,Mark Norman Fullerton,Chih-Tsung Hsieh,Hao-zheng Lee. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Dynamic power rail control for clusters of loads

Номер патента: US09634486B2. Автор: Hee Jun Park,Christopher Kong Yee Chun,Yuancheng Christopher Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Computer system powered-off state auxiliary power rail control

Номер патента: EP2384461A1. Автор: John R. Spencer,Shane Ward,Joel P. Lefebvre. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-11-09.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: EP1949518A2. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: WO2007051114A2. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-05-03.

Providing current cross-conduction protection in a power rail control system

Номер патента: EP3283937A1. Автор: Manish Garg,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: EP3465913A1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: CA3020739C. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: WO2016168238A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-20.

Selective coupling of power rails to a memory domain(s) in a processor-based system

Номер патента: EP3283936A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Shunt power rail with short line effect

Номер патента: US11038344B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Shunt power rail with short line effect

Номер патента: US20200044440A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Switching energy source for power rail transient compensation

Номер патента: US20200363854A1. Автор: David Zhang,Daniel Humphrey,Mohamed Amin Bemat. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: WO2007051114A3. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: Jonathan Scott Brodsky. Дата публикации: 2008-08-28.

Power-rail electro-static discharge (esd) clamp circuit

Номер патента: US20140063663A1. Автор: Ming-Dou Ker,Ryan Hsin-Chin Jiang,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Isolation rail between backside power rails

Номер патента: US20240234248A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Hosadurga Shobha,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power delivery network for CFET with buried power rails

Номер патента: US12040271B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: US12074109B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Irregular-shaped power rail in cell power distribution

Номер патента: US20240321748A1. Автор: Carl Radens,Ravikumar Ramachandran,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Mahender Kumar,Geng Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234317A9. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with early buried power rail (BPR) and backside power distribution network (BSPDN)

Номер патента: US12057371B2. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with early buried power rail and backside power distribution network

Номер патента: EP4423805A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Direct bonding on buried power rails

Номер патента: US20240332183A1. Автор: Belgacem Haba,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Direct bonding on buried power rails

Номер патента: US20240332184A1. Автор: Belgacem Haba,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Direct bonding on buried power rails

Номер патента: WO2024206830A1. Автор: Belgacem Haba,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Isolation module for use between power rails in an integrated circuit

Номер патента: US09729151B2. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Cross-cell local interconnect with buried power rail and gate contact over active region

Номер патента: WO2023099097A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

VTFET with buried power rails

Номер патента: US11764298B2. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Hybrid conductor integration in power rail

Номер патента: US20210217699A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure having stacked power rails

Номер патента: WO2023118262A1. Автор: Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-29.

Buried power rail with robust connection to a wrap around contact

Номер патента: EP4423810A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: EP4423811A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: WO2023073483A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor cell architecture including backside power rails

Номер патента: US20240304520A1. Автор: Jintae Kim,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having buried power rail

Номер патента: US09570395B1. Автор: RWIK Sengupta,Mark Rodder,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Power delivery network for cfet with buried power rails

Номер патента: WO2021080673A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: GB2625965A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US12021123B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Replacement buried power rail

Номер патента: WO2023088617A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Kevin Shawn Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: US12046643B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: WO2023041994A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Two-dimensional self-aligned backside via-to-backside power rail (VBPR)

Номер патента: GB2628284A. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong,Anderson Brent,ARNOLD John,CLEVENGER Lawrence. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20240339511A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device layout having a power rail

Номер патента: US09865544B2. Автор: Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

High aspect ratio buried power rail metallization

Номер патента: US12148699B2. Автор: Hosadurga Shobha,Fee Li LIE,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Thamarai Selvi Devarajan,Aakrati Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Power delivery network for cfet with buried power rails

Номер патента: US20230326855A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Backside power rail with tight space

Номер патента: US20240105606A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125788B2. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Self-aligned buried power rail cap for semiconductor devices

Номер патента: US11804436B2. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Isolation rail between backside power rails

Номер патента: US20240136253A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Hosadurga Shobha,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: US20230238325A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: WO2023146696A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-03.

Self-aligned buried power rail cap for semiconductor devices

Номер патента: US20240030139A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Standard cell having power rails disposed in central region thereof and standard cell block

Номер патента: US12033997B2. Автор: Jungkyu CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Buried power rail directly contacting backside power delivery network

Номер патента: US20240105607A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Buried power rail for scaled vertical transport field effect transistor

Номер патента: GB2615949A. Автор: Reznicek Alexander,Wang Junli,Xie Ruilong,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Integrated circuit device including a power rail

Номер патента: US20240213119A1. Автор: Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device including a power rail

Номер патента: EP4394863A1. Автор: Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Offset power rail

Номер патента: US20230411394A1. Автор: Albert M. Chu,Junli Wang,Vidhi Zalani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Design applications of buried power rails

Номер патента: US20200373240A1. Автор: Vasisht M. Vadi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Local interconnect power rails and upper power rails

Номер патента: US20230335484A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Design applications of buried power rails

Номер патента: US20220068815A1. Автор: Vasisht M. Vadi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Applications of buried power rails

Номер патента: US11901294B2. Автор: Vasisht M. Vadi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240136288A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Enlarged overlap between backside power rail and backside contact

Номер патента: US20240194691A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Power rail ESD protection circuit

Номер патента: US5237395A. Автор: Kwok Fai V. Lee. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

FinFET devices with a backside power rail and a backside self-aligned via disposed between dielectric fins

Номер патента: US11901456B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Buried power rail contact formation

Номер патента: US20220181197A1. Автор: Zheng Tao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-09.

Buried power rail contact formation

Номер патента: US11776841B2. Автор: Zheng Tao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-03.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305428A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Via resistance to backside power rail

Номер патента: US20240096752A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Liqiao QIN,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Buried power rail for transistor devices

Номер патента: US20200411436A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Buried power rail contact

Номер патента: US12002874B2. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Embedded filters for power rail merger

Номер патента: US20150097431A1. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

FINFET Devices with Backside Power Rail and Backside Self-Aligned Via

Номер патента: US20240222508A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: WO2024114309A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-06.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: US20240178050A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Front end of line processing compatible thermally stable buried power rails

Номер патента: US20240006316A1. Автор: Daniel Charles Edelstein,Christian Lavoie,Ruilong Xie,Sagarika Mukesh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device including power rail

Номер патента: US20220037254A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Replacement buried power rail in backside power delivery

Номер патента: EP3928350A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Hoyoung Kang,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Buried power rail for semiconductors

Номер патента: US20230083432A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit structure with cells having asymmetric power rail

Номер патента: US20240021621A1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet Jain,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Jia Zeng, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US11764154B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Bulk substrate backside power rail

Номер патента: US20230411290A1. Автор: Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Junli Wang,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Vtfet with buried power rails

Номер патента: US20230387295A1. Автор: Chen Zhang,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Buried power rail with robust connection to a wrap around contact

Номер патента: WO2023073486A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device with buried power rail

Номер патента: WO2023126143A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240006318A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230036522A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Buried power rail for semiconductors

Номер патента: GB2625643A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Bottom dielectric isolation integration with buried power rail

Номер патента: WO2023089470A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy Yu,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Stacked staircase cmos with buried power rail

Номер патента: US20230207468A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Backside power rail to deep vias

Номер патента: EP4396868A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20240204045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

Номер патента: WO2022015926A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device having a backside power rail

Номер патента: WO2023241947A1. Автор: Xie Ruilong,Lawrence Clevenger,Dechao Guo,Junli Wang,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having a backside power rail

Номер патента: US20230411293A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned wide backside power rail contacts to multiple transistor sources

Номер патента: EP4396867A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Buried power rail via with reduced aspect ratio discrepancy

Номер патента: US20240162151A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US20220359685A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Transistor arrangements with metal gate cuts and recessed power rails

Номер патента: US11508847B2. Автор: Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US11842965B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Local frontside power rail with global backside power delivery

Номер патента: US20240105608A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: WO2023066796A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-27.

Integrated chip having a buried power rail

Номер патента: US11742292B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices having power rails and signal tracks arranged in different layer

Номер патента: US11756876B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Transistors with via-to-backside power rail spacers

Номер патента: US20240105554A1. Автор: Tao Li,Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Liqiao QIN,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US20240063125A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Pillar Based Memory (MRAM) Embedded within the Buried Power Rail within a Backside Power Distribution Network

Номер патента: US20240090235A1. Автор: Michael RIZZOLO,Alexander Reznicek,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Reduction in power rail perturbation and in the effect thereof on integrated circuit performance

Номер патента: CA1320994C. Автор: Gaetan L. Mathieu,Dana Fraser,Ray A. Mentzer,Geoff Hannington,Jerry Gray,Susan M. Keown. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-03.

Hybrid buried power rail structure with dual front side and backside processing

Номер патента: WO2024002268A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Power distribution network with backside power rail

Номер патента: US20240128191A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Hybrid buried power rail structure with dual front side and backside processing

Номер патента: US20240006314A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Power-tap pass-through to connect a buried power rail to front-side power distribution network

Номер патента: US20220181258A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Power-tap pass-through to connect a buried power rail to front-side power distribution network

Номер патента: US11961802B2. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Power-rail esd clamp circuit for mixed-voltage i/o buffer

Номер патента: US20050200396A1. Автор: Ming-Dou Ker,Kuo-Chun Hsu. Владелец: Infineon ADMtek Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

High aspect ratio buried power rail metallization

Номер патента: US20230402378A1. Автор: Hosadurga Shobha,Fee Li LIE,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Thamarai Selvi Devarajan,Aakrati Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: US20230411292A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Transistors with enhanced via-to-backside power rail

Номер патента: US20240105614A1. Автор: Feng Liu,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Local enlarged via-to-backside power rail

Номер патента: US20240079316A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: WO2023241932A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230387013A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Local enlarged via-to-backside power rail

Номер патента: WO2024052749A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US11881455B2. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240063123A1. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Power routing for 2.5D or 3D integrated circuits including a buried power rail and interposer with power delivery network

Номер патента: US11984384B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Self-aligned wide backside power rail contacts to multiple transistor sources

Номер патента: KR20230034172A. Автор: 니틴 케이. 잉글,옌-추 양,발라수브라마니안 프라나타르티하란,수케투 아룬 파리크,아시쉬 팔,엘 메디 바지지,앤드류 여,아르빈드 순다라잔,구안 훼이 시,마르티누스 마리아 버켄스,사미르 에이. 데쉬판데. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-03-09.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (CFET) to a buried power rail (BPR) of the CFET

Номер патента: US11915984B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US20220115510A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Integrated circuit structures with gate cuts above buried power rails

Номер патента: EP4064333A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Backside power rail to deep vias

Номер патента: WO2023034478A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor structure with a buried power rail

Номер патента: WO2023151939A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Fee Li LIE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Power Rails For Stacked Semiconductor Device

Номер патента: US20230395437A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240030189A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Packaged semiconductor devices including backside power rails and methods of forming the same

Номер патента: US11830854B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of Forming Backside Power Rails

Номер патента: US20220102535A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Pei-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: WO2023154500A1. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: WO2023126144A1. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US11923408B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210358891A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming backside power rails

Номер патента: US11777016B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20220367619A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US11901423B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Power rails for stacked semiconductor device

Номер патента: US11854910B2. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Capacitance reduction for backside power rail device

Номер патента: US20240145562A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: US12002705B2. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Self-aligned wide backside power rail contacts to multiple transistor sources

Номер патента: WO2023034477A1. Автор: ASHISH Pal,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Nitin K. Ingle,El Mehdi Bazizi,Suketu Arun Parikh,Andrew Yeoh,Martinus Maria Berkens,Yen-Chu Yang,Sameer A. DESHPANDE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20220069076A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Buried power rail after replacement metal gate

Номер патента: WO2023088668A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit devices comprising buried power rails

Номер патента: EP4391033A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Adjustable power rail multiplexing

Номер патента: US09852859B2. Автор: Xi LUO,Venkatasubramanian Narayanan,Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Bilal Zafar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

A power rail expansion joint without expansion gap

Номер патента: WO2017167143A1. Автор: Jian ZENG,Maotao Deng,Xingzhen JIANG,Guihang LI. Владелец: Hunan Huapin Rail Transit Co.,Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US20210201961A1. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

BACKSIDE POWER RAIL FOR PHYSICAL FAILURE ANALYSIS (PFA)

Номер патента: US20230009640A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Chang Shang-Wen,CHIU Yi-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US11398257B2. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Header layout design including backside power rail

Номер патента: US11715501B2. Автор: Yen-Huei Chen,Haruki Mori,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Chien-Chi TIEN,Feng-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Virtual power rail modulation within an integrated circuit

Номер патента: US7737720B2. Автор: David Walter Flynn,Sachin Satish Idgunji,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2010-06-15.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: US20170346299A1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Adaptively controlling drive strength of multiplexed power from supply power rails in a power multiplexing system to a powered circuit

Номер патента: EP3465913B1. Автор: Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Apparatus and method for reducing leakage between an input terminal and a power rail

Номер патента: TW200729660A. Автор: Robert Michael Steinhoff,David John Baldwin,Jonathan Scott Brodsky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Fast bleed of power rails

Номер патента: US20240143057A1. Автор: Hang Li,Yun Guo,Isaac Q. Wang,Ronald Paul Rudiak,James L. Petivan, III,Justin Whittenberg. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for transient protection and synchronization of a plurality of power rails for a system on a chip

Номер патента: US20070108842A1. Автор: Thanh Tran,Carlos Cisneros,Andrew Soukup. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

DYNAMIC POWER RAIL CONTROL FOR CLUSTERS OF LOADS

Номер патента: US20160013643A1. Автор: PARK HEE JUN,Pan Yuancheng Christopher,CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

TRANSIENT-TRIGGERED DC VOLTAGE-SUSTAINED POWER-RAIL ESD CLAMP CIRCUIT

Номер патента: US20160087429A1. Автор: Cao Jian,Zhang Xing,Wang Yuan,LU Guangyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Electrostatic Discharge Power Rail Clamp Circuit

Номер патента: US20160372921A1. Автор: LAI Da-Wei,Quax Guido Wouter Willem,de Raad Gijs Jan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

SWITCHING ENERGY SOURCE FOR POWER RAIL TRANSIENT COMPENSATION

Номер патента: US20200363854A1. Автор: Humphrey Daniel,Bemat Mohamed Amin,Zhang David. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Electrostatic discharge protection power rail clamp with feedback-enhanced triggering and conditioning circuitry

Номер патента: CN101099278A. Автор: 杰里米·查尔斯·史密斯. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Electrostatic discharge protection power rail clamp with feedback-enhanced triggering and conditioning circuitry

Номер патента: WO2006053337A2. Автор: Jeremy Charles Smith. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-05-18.

High-voltage tolerant power-rail esd clamp circuit

Номер патента: KR100852575B1. Автор: 밍-도우 커,웬-이 첸. Владелец: 네이셔널 치아오 텅 유니버시티. Дата публикации: 2008-08-18.

dynamic power rail control for load groupings

Номер патента: BR112017000141A2. Автор: Jun Park Hee,Kong Yee Chun Christopher,Christopher Pan Yuancheng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Electrostatic discharge power rail clamp circuit

Номер патента: US9973000B2. Автор: Da-Wei Lai,Guido Wouter Willem Quax,Gijs Jan De Raad. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Providing current cross-conduction protection in a power rail control system

Номер патента: EP3283937B1. Автор: Manish Garg,Yeshwant Nagaraj Kolla,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Device, system and method for electrical arc suppression on a power rail

Номер патента: CA3058237A1. Автор: Marcus Reis. Владелец: Toronto Transit Commission. Дата публикации: 2020-04-16.

False-trigger free power-rail ESD clamp protection circuit

Номер патента: US09531188B2. Автор: Jian Cao,Xing Zhang,Yuan Wang,Guangyi LU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-27.

ESD Clamp for Multiple Power Rails

Номер патента: US20140036397A1. Автор: Tsung-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

A latch protection switch and a power rail protection circuit having the same

Номер патента: EP4447245A1. Автор: DONG Chen,Ke Wang,Yang Qu. Владелец: Self Electronics Germany GmbH. Дата публикации: 2024-10-16.

SHUNT POWER RAIL WITH SHORT LINE EFFECT

Номер патента: US20200044440A1. Автор: Chen Xiangdong,Yang Haining,RIM Kern,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

A Power-Rail Grounded Terminal Plug

Номер патента: KR20090001609U. Автор: 이명우. Владелец: 이명우. Дата публикации: 2009-02-19.

SOCKET CONNECTOR FOR CONNECTING A CABLE WITH A POWER RAIL, IN PARTICULAR IN A CABINET WITH A LITTLE DEPTH

Номер патента: SE8500662L. Автор: A Bachmeier,A Vetter. Владелец: Pfisterer Elektrotech Karl. Дата публикации: 1985-08-16.

Fuse element for a power rail system

Номер патента: EP0634768A2. Автор: Alex Büttner. Владелец: Alfred Wohner GmbH. Дата публикации: 1995-01-18.

Power rail system.

Номер патента: MX2021004752A. Автор: Matteo Bonacina,Adrian Gomez,Jeffrey F Miller,Justin D Dollinger,Robert D Peavey. Владелец: Poppin Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Integrated circuit power rail multiplexing

Номер патента: US09654101B2. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Divjyot Bhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit power rail multiplexing

Номер патента: WO2017019160A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Divjyot Bhan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-02.

Power-gating cell for virtual power rail control

Номер патента: US20060055391A1. Автор: Hung Ngo,Kevin Nowka,Jente Kuang,Jethro Law. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Pillar based memory (mram) embedded within a buried power rail within a backside power distribution network

Номер патента: WO2024055884A1. Автор: Michael RIZZOLO,Alexander Reznicek,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for controlling an output stage of a bipolar micro-power rail-to-rail amplifier

Номер патента: US5521553A. Автор: James R. Butler. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1996-05-28.

Dual Contact and Power Rail for High Performance Standard Cells

Номер патента: US20230299001A1. Автор: Sambasivan Narayan,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Backside power rails and power distribution network for density scaling

Номер патента: GB202408940D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Backside power rails and power distribution network for density scaling

Номер патента: GB2628270A. Автор: Guo Dechao,Choi Kisik,Bu Huiming,Zhao Kai,Xie Ruilong,Anderson Brent,Pranatharthiharan Balasubramanian,GHOSH Somnath,Mukesh Sagarika,Chu Albert,Young Albert,Christopher Arnold John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Structure including rc-based power rail esd clamping circuit

Номер патента: US20240332181A1. Автор: Tao Li,Daniel Charles Edelstein,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Power rail noise monitoring to detect attempted security tampering or side channel attacks

Номер патента: WO2019202064A1. Автор: Hugo John Martin Vincent,Milosch Meriac,Shidhartha Das,Vasileios Tenentes. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-24.

Power rail noise monitoring to detect attempted security tampering or side channel attacks

Номер патента: US11620413B2. Автор: Hugo John Martin Vincent,Milosch Meriac,Shidhartha Das,Vasileios Tenentes. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-04-04.

Power Rail Noise Monitoring to Detect Attempted Security Tampering or Side Channel Attacks

Номер патента: US20210150071A1. Автор: Hugo John Martin Vincent,Milosch Meriac,Shidhartha Das,Vasileios Tenentes. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US20240222264A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: US20240258432A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Local esd power rail clamp which implements switchable i/o decoupling capacitance function

Номер патента: WO2006053240A3. Автор: Jeremy Charles Smith. Владелец: Jeremy Charles Smith. Дата публикации: 2006-09-08.

Self-aligned contact based via to backside power rail

Номер патента: US20240290657A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Richard C. Johnson,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Two-dimensional self-aligned backside via-to-backside power rail (VBPR)

Номер патента: GB202409091D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated circuits with backside power rails

Номер патента: US12057385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Local esd power rail clamp which implements switchable i/o decoupling capacitance function

Номер патента: WO2006053240A2. Автор: Jeremy Charles Smith. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-05-18.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: EP4409627A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: US12107132B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US12107131B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Multi-gate transistors with backside power rail and reduced gate-drain capacitance

Номер патента: US12125852B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Interconnect structure having power rail structure and related method

Номер патента: US09997456B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Replacement deep via and buried or backside power rail with backside interconnect structure

Номер патента: EP4199054A3. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

High-voltage tolerant power-rail esd clamp circuit for mixed-voltage i/o interface

Номер патента: TWI305039B. Автор: Wen Yi Chen,Ming Dou Ker,Che Hao Chuang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359747A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20210351079A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit with backside power rails

Номер патента: EP4409625A1. Автор: Somnath Ghosh,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Kisik Choi,Rishikesh Krishnan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20240266223A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Replacement via and buried or backside power rail

Номер патента: EP4199067A1. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy,Klaus Max SCHRUEFER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12094973B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit chips comprising forksheet devices connected with buried power rails

Номер патента: US20240290660A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Drain side recess for back-side power rail device

Номер патента: US20240379783A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20240379782A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor Device with Backside Power Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240379551A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

POWER-TAP PASS-THROUGH TO CONNECT A BURIED POWER RAIL TO FRONT-SIDE POWER DISTRIBUTION NETWORK

Номер патента: US20220181258A1. Автор: Smith Jeffrey,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,GUTWIN Paul. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-06-09.

Low-resistance via to backside power rail

Номер патента: US20240203879A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

POWER DISTRIBUTION NETWORK USING BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20200373241A1. Автор: Sengupta Rwik,Hong Joon Goo,Gerousis Vassilios,Traynor Kevin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device with early buried power rail (bpr) and backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230132353A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device with early buried power rail and backside power distribution network

Номер патента: WO2023072529A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Mukta Ghate Farooq. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-04.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US20230010409A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US11942413B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

REPLACEMENT BURIED POWER RAIL IN BACKSIDE POWER DELIVERY

Номер патента: US20200266169A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Kang Hoyoung. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-08-20.

Dual contact and power rail for high performance standard cells

Номер патента: WO2023183120A1. Автор: Ajay Bhatia,Mohamed H. Abu-Rahma,Antonietta Oliva,Sambasivan Narayan,Praveen Raghavan,Shahzad Nazar. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

SELF ALIGNED BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20200006112A1. Автор: Bouche Guillaume,LiCausi Nicholas V.,Liebmann Lars W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20220037192A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Spacers for Semiconductor Devices Including a Backside Power Rails

Номер патента: US20220037193A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER RAIL

Номер патента: US20220037254A1. Автор: CHOI Woo Sick. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

METHOD AND DEVICE FOR POWER RAIL IN A FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200027777A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2020-01-23.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING POWER RAIL STRUCTURE AND RELATED METHOD

Номер патента: US20180033718A1. Автор: Kaltalioglu Erdem,Ogino Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

POWER RAILS FOR STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059414A1. Автор: Yang Chan-Lon,Yang Chansyun David,Chang Keh-Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-24.

DESIGN APPLICATIONS OF BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20220068815A1. Автор: VADI Vasisht M.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220069076A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220069116A1. Автор: Wang Chih-hao,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Wang Pei-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-03.

MULTI-LAYER FILLED GATE CUT TO PREVENT POWER RAIL SHORTING TO GATE STRUCTURE

Номер патента: US20180053694A1. Автор: Cheng Kangguo,Tang Hao,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Integrated Circuits with Backside Power Rails

Номер патента: US20210057325A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chiang Kuo-Cheng,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

INTEGRATED CHIP HAVING A BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20220077062A1. Автор: Doornbos Gerben,VAN DAL Marcus Johannes Henricus. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093512A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220093766A1. Автор: Wang Chih-hao,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH BURIED POWER RAIL, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190080969A1. Автор: Tsao Po-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor Device with Backside Power Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20220102274A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of Forming Backside Power Rails

Номер патента: US20220102535A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Yeap Choh Fei,Yang Chih-Chuan,Wang Pei-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

INTEGRATED CIRCUIT WITH BURIED POWER RAIL AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220139835A1. Автор: Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A POWER RAIL

Номер патента: US20170098608A1. Автор: JUNG Jong-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Buried power rail for scaled vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220148969A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

SELF-ALIGNED LOW RESISTANCE BURIED POWER RAIL THROUGH SINGLE DIFFUSION BREAK DUMMY GATE

Номер патента: US20220173039A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

MIDDLE-OF-LINE (MOL) COMPLEMENTARY POWER RAIL(S) IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs) FOR REDUCED SEMICONDUCTOR DEVICE RESISTANCE

Номер патента: US20200105670A1. Автор: Yang Haining,RIM Kern,Lu Ye,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Buried power rail contact formation

Номер патента: US20220181197A1. Автор: Zheng Tao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-09.

SELF ALIGNED BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20220181198A1. Автор: Bouche Guillaume,LiCausi Nicholas V.,Liebmann Lars W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Backside Power Rail Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20220181259A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chiang Kuo-Cheng,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

POWER RAILS FOR STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220270935A1. Автор: Yang Chan-Lon,Yang Chansyun David,Chang Keh-Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor Devices Having Power Rails

Номер патента: US20190123140A1. Автор: Kim Young-Hun,YANG Jae-Seok,LEE Hae-wang,Park Pan-Jae,CHUN Kwan-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

POWER RAIL INBOUND MIDDLE OF LINE (MOL) ROUTING

Номер патента: US20170133365A1. Автор: MALABRY Mickael,YE Qi,Lim Hyeokjin Bruce,Duan Zhengyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Buried Power Rail and Method Forming Same

Номер патента: US20200135634A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor Device with Backside Self-Aligned Power Rail and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220293759A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chiang Kuo-Cheng,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES WITH GATE CUTS ABOVE BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20220310514A1. Автор: Wei Andy Chih-Hung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Manufacture

Номер патента: US20220310785A1. Автор: CHANG Huicheng,LIU Su-Hao,Yeo Yee-Chia,Chen Liang-Yin,WU CHUN-HUNG,Chung Chia-Ling,Lin Shun-Wu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

FINFET DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Structure and Method for Transistors Having Backside Power Rails

Номер патента: US20210202385A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCLUDING POWER RAIL AND TAPPING WIRE WITH METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180182675A1. Автор: Wang Wenhui,Kye Jongwook,Zeng Jia,Zhu Xuelian. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

CONTINUOUS POWER RAILS ALIGNED ON DIFFERENT AXES

Номер патента: US20190181129A1. Автор: SUNDARAMOORTHY Senthil Kumar,DIMRI Rakesh. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Hybrid conductor integration in power rail

Номер патента: US20210217699A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

TRANSISTOR ARRANGEMENTS WITH METAL GATE CUTS AND RECESSED POWER RAILS

Номер патента: US20210280708A1. Автор: Ma Sean T.,Wei Andy Chih-Hung,Sinha Piyush Mohan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-09-09.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chuang Cheng-Chi,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING POWER RAIL STRUCTURE AND RELATED METHOD

Номер патента: US20180261538A1. Автор: Kaltalioglu Erdem,Ogino Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

POWER RAIL FOR STANDARD CELL BLOCK

Номер патента: US20180269152A1. Автор: Sengupta Rwik,Rodder Mark S.,BERZINS Matthew,Hoover Andrew Paul,Tower Sam. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210358891A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CAPPING BETWEEN CHANNEL AND BACKSIDE POWER RAIL

Номер патента: US20210359091A1. Автор: Wang Chih-hao,Huang Mao-Lin,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,Chu Lung-Kun,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Self aligned buried power rail

Номер патента: US20180294267A1. Автор: Guillaume Bouche,Lars W. Liebmann,Nicholas V. LiCausi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

POWER RAIL AND MOL CONSTRUCTS FOR FDSOI

Номер патента: US20180315708A1. Автор: RASHED Mahbub,Mittal Anurag. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-11-01.

ISOLATION MODULE FOR USE BETWEEN POWER RAILS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170338820A1. Автор: Levin Alexander,Soman Sanjiv,RAJAGOPALAN Srinivasan,Tan Fern Nee. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD OF INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION WITH DUAL METAL POWER RAIL

Номер патента: US20180350665A1. Автор: Smith Jeffrey,Leusink Gerrit J.,MAEKAWA Kaoru,Chae Soo Doo,Yu Kai-Hung,Joy Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20180374791A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-12-27.

DESIGN APPLICATIONS OF BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20200373240A1. Автор: VADI Vasisht M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated Circuits with Backside Power Rails

Номер патента: US20200381352A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Chou Chih-Chao,LAN WEN-TING. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

INTEGRATED CIRCUIT WITH BURIED POWER RAIL AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200402909A1. Автор: Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

BURIED POWER RAIL FOR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200411436A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Wang Junli,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of Forming Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20220359264A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220359747A1. Автор: Wang Chih-hao,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20220367241A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220367619A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

STRUCTURE AND METHOD FOR TRANSISTORS HAVING BACKSIDE POWER RAILS

Номер патента: US20220375860A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Chang Shang-Wen,Chuang Cheng-Chi,Chung Cheng-Ting,HUANG Yu-Xuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

BURIED POWER RAIL WITH A SILICIDE LAYER FOR WELL BIASING

Номер патента: US20220416017A1. Автор: PARK Changyok,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: KR102436689B1. Автор: 시 닝 주,쿠오-챙 치앙,치-하오 왕,웬-팅 란,쿠안-룬 챙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-08-25.

Buried power rails

Номер патента: US10586765B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-10.

Packaged semiconductor devices including backside power rails and methods of forming the same

Номер патента: KR102460887B1. Автор: 치이 추앙,허우위 천,쿠안륀 청. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-10-28.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Chip design with power rails under transistors

Номер патента: US6818931B2. Автор: Louis Liu,Hsiao-Hsuan Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Multi-layer filled gate cut to prevent power rail shorting to gate structure

Номер патента: US9805983B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Hao Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit devices including a power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20230163073A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Gilhwan Son,Hoonseok Seo,Saehan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and device for power rail in a fin type field effect transistor

Номер патента: US10685865B2. Автор: Sony Varghese,Min Gyu Sung,Johannes Van Meer,John Hautala. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Integrated circuit with buried power rail and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR20200145651A. Автор: 서강일,홍준구,마크 로더. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-30.

Structure and method for transistors having backside power rails

Номер патента: KR102524729B1. Автор: 칭-웨이 차이,유-수안 후앙,쳉-치 추앙,샹-웬 창,쳉-팅 충. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-04-21.

Power-rail ESD clamp circuits with well-triggered PMOS

Номер патента: US6912109B1. Автор: Ming-Dou Ker,Mau-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-28.

Backside Power Rail Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20210134721A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor devices having power rails

Номер патента: US10957765B2. Автор: Young-hun Kim,Jae-Seok Yang,Pan-jae PARK,Hae-Wang Lee,Kwan-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-23.

3d stacked chip that shares power rails

Номер патента: US20230253324A1. Автор: Kang-ill Seo,Jason MARTINEAU,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having buried power rail and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106711120A. Автор: 马克·S·罗德尔,洪俊顾,沃克·森古皮塔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-24.

Partial isolation of power rails for output buffer circuits

Номер патента: CA2084600A1. Автор: James R. Ohannes,Stephen W. Clukey,E. David Haacke,Roy L. Yarbrough. Владелец: Roy L. Yarbrough. Дата публикации: 1993-06-07.

Method of manufacturing an integrated circuit with buried power rail

Номер патента: US11233008B2. Автор: Mark S. Rodder,Kang-ill Seo,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Backside electrical contacts to buried power rails

Номер патента: US20230093101A1. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Kangguo Cheng,Roy R. Yu,Albert M. Young,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Thermal budget enhanced buried power rail and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4080555A1. Автор: KANG Ill Seo,Hoonseok Seo,Saehan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20230106478A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods for manufacturing devices and semiconductor devices (rear power rails and distribution networks for density scaling)

Номер патента: JP2023097349A. Автор: Zhao Kai,GHOSH Somnath,Mukesh Sagarika,Chu Albert,Dechao Guo,Huiming Bu,Ruilong Xie,Kisik Choi,ルイロン シエ,キシク チョイ,ソムナス ゴーシュ,サガリカ ムケシュ,アルバート チュー,アルバート エム． ヤング,バラスブラマニアン エス． プラナサーシハラン,フイミン ブ,カイ ザオ,ジョン クリストファー アーノルド,ブレント エイ． アンダーソン,デカオ グオ,A Anderson Brent,M Young Albert,S Pranatharthiharan Balasubramanian,Christopher Arnold John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-07.

Standard cell having power rails disposed in central region thereof and standard cell block

Номер патента: US20210343696A1. Автор: Jungkyu CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Interconnect structure having power rail structure and related method

Номер патента: US10438890B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Spacers for semicondductor devices including a backside power rails

Номер патента: KR102456276B1. Автор: 쳉-치 추앙,리-젠 유,후안-치에 수,린-유 후앙,치흐-하오 왕. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-10-18.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: US20230260825A1. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having buried power rail and method of manufacturing the same

Номер патента: TW201719835A. Автор: 雷維基 森古普塔,洪俊九,馬克 S. 羅德爾. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

Methods of forming spacers for semiconductor devices including backside power rails

Номер патента: US11915972B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for manufacturing a semiconductor structure with buried power rail

Номер патента: EP3454366B1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Backside power rail integration

Номер патента: US11915966B2. Автор: Brent Anderson,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy R. Yu,Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated chip having a back-side power rail

Номер патента: US11735513B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure with self-aligned backside power rail

Номер патента: US11848329B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: US20210351303A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220069116A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Buried via-to-backside power rail (vbpr) for stacked field-effect transistor (fet)

Номер патента: US20230369217A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Nicholas Anthony Lanzillo,Julien Frougier,Daniel James Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of Forming Backside Power Rails

Номер патента: US20230369418A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Metal-semiconductor junction formed by a buried power rail

Номер патента: EP4210101A3. Автор: Richard Geiger,Harald Gossner,Georgios Panagopoulos,Johannes Rauh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Buried power rail for scaled vertical transport field effect transistor

Номер патента: GB202307929D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Via to backside power rail through active region

Номер патента: US20230369220A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure and formation method of semiconductor device with power rail

Номер патента: US20240021708A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with backside power rail

Номер патента: US20240014283A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Capacitance reduction for back-side power rail device

Номер патента: US11961915B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11804486B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Device with backside power rail and method

Номер патента: US20230317566A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Yun Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit devices including backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: EP4273914A1. Автор: Kang-ill Seo,Gunho JO,Inchan HWANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor structure with self-aligned backside power rail

Номер патента: US20230387127A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Structure with Self-Aligned Backside Power Rail

Номер патента: US20210305252A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Backside Power Rail And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20230387115A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11942530B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11955552B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20230307515A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Buried power rail for semiconductors

Номер патента: GB202318213D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-10.

Spacers for Semiconductor Devices Including a Backside Power Rails

Номер патента: US20220037193A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Interconnect structure having power rail structure and related method

Номер патента: US20180033718A1. Автор: Erdem Kaltalioglu,Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Integrated circuit devices including backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20230352408A1. Автор: Kang-ill Seo,Gunho JO,Inchan HWANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Buried power rails located in a base layer including first, second, and third etch stop layers

Номер патента: US11990412B2. Автор: Somnath Ghosh,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Kisik Choi,Rishikesh Krishnan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuits with backside power rails

Номер патента: US20230369196A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Via to backside power rail through active region

Номер патента: WO2023218266A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Prabudhya Roy Chowdhury,Devika GRANT. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate all around backside power rail with diffusion break

Номер патента: WO2023158689A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Andrew Yeoh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Different dimensions across active region for stronger via to backside power rail

Номер патента: US20240088146A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuits with backside power rails

Номер патента: US11742280B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of Forming Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20240186179A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: GB202405297D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

A method for forming a semiconductor device with a buried power rail

Номер патента: EP4379784A1. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso,Philippe Matagne,An DE KEERSGIETER,Rongmei Chen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-05.

Integrated chip having a buried power rail

Номер патента: US20230361041A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Via and source/drain contact landing under power rail

Номер патента: US20240186387A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated chip having a back-side power rail

Номер патента: US20230343695A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit structure including power rail and tapping wire with method of forming same

Номер патента: US20180182675A1. Автор: Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240030136A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US11935794B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit devices including backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: EP4273914B1. Автор: Kang-ill Seo,Gunho JO,Inchan HWANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093766A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuits with backside power rails

Номер патента: US11387181B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Integrated Circuits with Backside Power Rails

Номер патента: US20200381352A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Transistors with dielectric stack isolating backside power rail

Номер патента: US20240204005A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Julien Frougier,Sagarika Mukesh,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220130991A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Integrated Circuits with Backside Power Rails

Номер патента: US20210057325A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Replacement deep via and buried or backside power rail with backside interconnect structure

Номер патента: EP4199054A2. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit chips comprising forksheet devices connected with buried power rails

Номер патента: EP4391032A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Dielectric separation for backside power rail lines

Номер патента: US20240203881A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Dechao Guo,Somnath Ghosh,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuits with backside power rails

Номер патента: US20220344254A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Hybrid power rail vehicle power supply box and hybrid power rail vehicle

Номер патента: US20160268563A1. Автор: LU Han,Ming Li,Bin Liu,Guoqing Li,Liewei HUANG,Minggao LI,Fanbing KONG,Junjie Shi,Nan SHAO. Владелец: CRRC Tangshan Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Light fixture, operating unit, power rail, circuit, and power-rail adapter

Номер патента: CA2578003A1. Автор: Martin Boike. Владелец: Erco Leuchten GmbH. Дата публикации: 2008-08-12.

End piece for a power rail in a power rail system

Номер патента: NO20031696D0. Автор: Michael Ing Spiegel,Wolfgang Ruef. Владелец: Zumtobel Staff GmbH. Дата публикации: 2003-04-11.

Power-rail adapter and power rail

Номер патента: US7320610B2. Автор: Martin Boike. Владелец: Erco Leuchten GmbH. Дата публикации: 2008-01-22.

Power rail connections to wrapped joint pins - in electronic systems uses trough shaped rail and soldered connections

Номер патента: DE2339208A1. Автор: Karl Doerflinger,Guenter Mernitz,Kurt Schoenauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-02-20.

SUPPORTING DEVICE FOR A POWER RAIL FOR POWERING LUMINAIRES

Номер патента: ATA62697A. Автор: . Владелец: HIERZER Andreas. Дата публикации: 2000-11-15.

ADJUSTABLE POWER RAIL MULTIPLEXING

Номер патента: US20170186576A1. Автор: Luo Xi,ZAFAR Bilal,NARAYANAN Venkatasubramanian,Vilangudipitchai Ramaprasath,Cao Lipeng,Kumar Dorav. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Current take off connector for power rails

Номер патента: FR2554282A1. Автор: Rainer Ilkka Tapio Valtonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 1985-05-03.

DEVICE FOR CONNECTING TWO CONDUCTIVE ELEMENTS OF A POWER RAIL

Номер патента: FR3070799A1. Автор: Claude Arnold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-08.

PRE-FABRICATED ELECTRICAL CONNECTING DEVICE FOR CONNECTING TO POWER RAILS.

Номер патента: DE3686249T2. Автор: Daniel Jean Chapotier. Владелец: Fournitures Electro Tech. Дата публикации: 1993-03-11.

Adapter for a three-pole power rail

Номер патента: DE2529371B1. Автор: Hans-Peter Berkenhoff. Владелец: Hoffmeister Leuchten GmbH. Дата публикации: 1976-10-21.

POWER RAIL FOR ELECTRICALLY CONTACTING DEVICES

Номер патента: DE3933703A1. Автор: Dieter Dipl Ing Bihl,Eckhard Dipl Ing Berg,Harald Hofmeister. Владелец: Pepperl and Fuchs SE. Дата публикации: 1991-04-18.

Power rail system.

Номер патента: MX2009003358A. Автор: Arthur Huber. Владелец: Knuerr Ag. Дата публикации: 2009-05-11.

DEVICE FOR MAINTAINING A SPOT IN CONTACT WITH A POWER RAIL

Номер патента: FR2638577B1. Автор: . Владелец: SERWATKA PATRICK. Дата публикации: 1992-05-07.

Extended power threshold management of power rails

Номер патента: US12099397B2. Автор: Ronald Alton,Gordon Lee,Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Anish Muttreja,Kevin Bradley Citterelle,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Extended power threshold management of power rails

Номер патента: WO2024136979A1. Автор: Ronald Alton,Gordon Lee,Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Anish Muttreja,Kevin Bradley Citterelle,Ravi Jenkal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Communication system having a power rail

Номер патента: US20240272682A1. Автор: Robert Neil Mulfinger,Brian Patrick Costello,Nicholas Paul RUFFINI,Howard Wallace Andrews, Jr.. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Energy efficient vmin architecture for shared power rails

Номер патента: WO2024167568A1. Автор: Vijayakumar Ashok DIBBAD,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Nikhil Ashok BHELAVE. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-15.

Techniques to power down output power rails for a storage device

Номер патента: US09857859B2. Автор: Kai-Uwe Schmidt,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Dynamic voltage selection for a single power rail in a multi-core domain

Номер патента: US20220035437A1. Автор: Sravan Kumar Ambapuram,Sharath Kumar Nagilla,Nirav Narendra Desai,Venkata Biswanath Devarasetty,Kumar Kanti Ghosh,Lakshmi Narayana Panuku,Venkatesh Ravipati,Shrikanth Shenoy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Multi-power rail power supply unit mismatch detection system

Номер патента: US20190073015A1. Автор: Craig Anthony Klein,John Erven Jenne. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-03-07.

Information Handling System And Methods To Detect Power Rail Failures And Test Other Components Of A System Motherboard

Номер патента: US20200233766A1. Автор: Craig L. Chaiken. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-07-23.

Extended Power Threshold Management of Power Rails

Номер патента: US20240211021A1. Автор: Ronald Alton,Gordon Lee,Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Anish Muttreja,Kevin Bradley Citterelle,Ravi Jenkal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power rail with non-linear edge

Номер патента: US12019969B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Mechanism to override standby power in large memory configuration of workstations to eliminate the need to increase power of standby power rail

Номер патента: US20240192755A1. Автор: Tabassum Yasmin,Vishwanath Somayaji,Aneesh Tuljapurkar,Chuen Ming Tan,Venkataramani Gopalakrishnan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Power rail with non-linear edge

Номер патента: US20200134133A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Peak current support for a power rail system via a shared secondary power supply

Номер патента: EP3433703A1. Автор: Hee Jun Park,Christopher Kong Yee Chun,Taewoo KWAK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Compensation control for variable power rails

Номер патента: WO2018063751A1. Автор: Jeremy J. Shrall,Xiuting C. Man,Amir Ali Radjai. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Power rail layout for dense standard cell library

Номер патента: US20150052494A1. Автор: Jian Liu,Norman Chen,Anurag Mittal,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Tuhin Guha Neogi,Nader Magdy Hindawy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

System on chip receiving supply voltage(s) via merged power rail, and mobile system including same

Номер патента: US10488913B2. Автор: Junghun Heo,Myungchul Cho,Youn-Sik CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-26.

POWER BALANCING BETWEEN TWO POWER RAILS

Номер патента: US20150288178A1. Автор: GURLAHOSUR SANJAY,Mukhopadhyay Rajdeep. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

POWER RAIL REGULATOR SYSTEM

Номер патента: US20130128637A1. Автор: Humphrey Daniel,Bemat Mohamed Amin. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-05-23.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: EP4399533A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Low power and high speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: EP3284089A1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-21.

Low power and high speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: WO2016167862A1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-10-20.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: US20230208370A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: WO2023038792A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-16.

Radio frequency (RF) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: US11979123B2. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

High speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: US09443567B1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: GB2576681B. Автор: NAKAMURA YUTAKA,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-17.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: GB201918614D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-29.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: GB2576681A. Автор: NAKAMURA YUTAKA,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: WO2018224963A1. Автор: Yutaka Nakamura,John Kenneth Debrosse. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2018-12-13.

HIGH SPEED SENSE AMPLIFIER LATCH WITH LOW POWER RAIL-TO-RAIL INPUT COMMON MODE RANGE

Номер патента: US20160380753A1. Автор: Tan Tat Hin,Bandi Chenchu Punnarao,Teh Lip Khoon,Dudulwar Pankaj Vinayak. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Radio frequency (rf) signal power detector using different power rails to receive currents from which power-indicating voltage is generated

Номер патента: US20230073019A1. Автор: Li Liu,Chuan Wang,Vinod Panikkath,Mohamed Abouzied. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: US20180358062A1. Автор: Yutaka Nakamura,John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Virtual power rail modulation within an integrated circuit

Номер патента: CN101304249A. Автор: D·W·弗林,S·S·伊冈吉,R·C·艾特肯. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2008-11-12.

Dual power rails-cascoded Reiber

Номер патента: DE112018001411T5. Автор: Yutaka Nakamura,John Kenneth Debrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Dual power rail cascode driver

Номер патента: CN110663184A. Автор: J·K·德伯罗斯,中村裕. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Memory device including a plurality of power rails and method of operating the same

Номер патента: SG10201806160YA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,JANG JIN-HUN,CHO SEOK-JIN,HA KYUNG-SOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Measuring dissipated electrical power on a power rail

Номер патента: US11885838B2. Автор: Michael Mitchell,Daniel Adam Warren,Gwendolyn van der Linden,Arun Raghupathy,Brian Silverstein,Ford Rylander. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Measuring dissipated electrical power on a power rail

Номер патента: US20240168068A1. Автор: Michael Mitchell,Daniel Adam Warren,Gwendolyn van der Linden,Arun Raghupathy,Brian Silverstein,Ford Rylander. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Power control circuitry, circuitry for analysing a switched power rail, and method of controlling connection of a power source to a switched power rail

Номер патента: TW200921352A. Автор: David Walter Flynn,Sachin Satish Idgunji,Leah Elizabeth Schuth. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2009-05-16.

Power Converter Circuit For Use with Multiple Low-Current Power Rails

Номер патента: US20240235391A1. Автор: Hao Zhou,Jay B. Fletcher,Victor Zyuban. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Power converter circuit for use with multiple low-current power rails

Номер патента: WO2024151439A1. Автор: Hao Zhou,Jay B. Fletcher,Victor Zyuban. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Rail transit braking energy recovery system and hybrid power rail transit

Номер патента: EP3505385B1. Автор: Xu Zhang,Xiaojun Deng,Jianying Liang,Wenchao Zhang,Yankun LI,Kelei LI. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

METHOD FOR REPAIRING A POWER RAIL HOUSING OF A WIND POWER PLANT, POWER RAIL HOUSING AND REPAIR KIT FOR CARRYING OUT THE METHOD

Номер патента: US20150322915A1. Автор: Wiechers Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for repairing a power rail housing of a wind power plant, power rail housing and repair kit for carrying out the method

Номер патента: AU2013283656B2. Автор: Jorg Wiechers. Владелец: FLYTEG GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for repairing a power rail housing of a wind power plant, power rail housing and repair kit for carrying out the method

Номер патента: WO2014001085A1. Автор: Jorg Wiechers. Владелец: FLYTEG GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2014-01-03.

Method for repairing a power rail housing of a wind power plant, power rail housing and repair kit for carrying out the method

Номер патента: EP2867526A1. Автор: Jorg Wiechers. Владелец: Flyteg GmbH&Co KG. Дата публикации: 2015-05-06.

RAIL TRANSIT BRAKING ENERGY RECOVERY SYSTEM AND HYBRID POWER RAIL TRANSIT

Номер патента: US20190225089A1. Автор: Zhang Wenchao,Zhang Xu,LI Yankun,LIANG Jianying,LI Kelei,DENG Xiaojun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

POWER RAIL FOR RAIL DISTRIBUTORS, SWITCHGEAR AND THE LIKE

Номер патента: DE3819575A1. Автор: Ferenc Dipl Ing Boros. Владелец: KLOECKNER-MOELLER ELEKTRIZITAETSGESELLSCHAFT MBH 5300 BONN DE. Дата публикации: 1989-12-14.

A kind of rail traffic Brake Energy recycling system and hybrid power rail traffic

Номер патента: CN106080215B. Автор: 张旭,梁建英,张文超,邓小军,李克雷,李艳昆. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

POWER RAIL FOR RAIL DISTRIBUTORS, SWITCHGEAR AND THE LIKE.

Номер патента: DE58904833D1. Автор: Boros Dipl Ing Ferenc. Владелец: Kloeckner Moeller GmbH. Дата публикации: 1993-08-05.

Variable input voltage PFC circuits, systems and power supplies with phase shifted power rails

Номер патента: US8681519B2. Автор: Vijay G. Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Device for power supply and, if necessary, connection of travel and control power rails of monorail and monorail overhead conveyors

Номер патента: DE3120188C1. Автор: Des Erfinders Auf Nennung Verzicht. Владелец: Translift AG. Дата публикации: 1982-12-09.

ESD Clamp for Multiple Power Rails

Номер патента: US20140036397A1. Автор: Tsung-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

DEVICE, SYSTEM AND METHOD FOR ELECTRICAL ARC SUPPRESSION ON A POWER RAIL

Номер патента: US20200119541A1. Автор: REIS Marcus. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Power Rail Clamp Circuit

Номер патента: US20180159318A1. Автор: Ker Ming-Dou,LIN Chun-Yu,HUANG Ju-Lin,Lin Tzu-Chiang,TZENG Tzu-Chien,Chen Jie-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FALSE-TRIGGER FREE POWER-RAIL ESD CLAMP PROTECTION CIRCUIT

Номер патента: US20150295399A1. Автор: Cao Jian,Zhang Xing,Wang Yuan,LU Guangyi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

PROVIDING CURRENT CROSS-CONDUCTION PROTECTION IN A POWER RAIL CONTROL SYSTEM

Номер патента: US20160308372A1. Автор: Garg Manish,Kolla Yeshwant Nagaraj,Natekar Neel Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Power-rail ESD protection circuit with ultra low gate leakage

Номер патента: US7817390B2. Автор: Ming-Dou Ker,Ryan Hsin-Chin Jiang,Chin-Hao Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

DEVICE FOR MOTOR POWERED RAIL VEHICLES

Номер патента: SE7411269L. Автор: B Soderberg. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1976-03-08.

power rail arrangement

Номер патента: DE102015001293B4. Автор: Jan Marien,Jens Hartmann,Daniel ZUCKERMANN. Владелец: IsabellenHuette Heusler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-11-17.

Power rail for cranes u. like

Номер патента: DE1275086B. Автор: Marvin Sprague Blemly,Leo Mayer. Владелец: Jervis B Webb Co. Дата публикации: 1968-08-14.

SHORT CIRCUIT AND GROUNDING DEVICE FOR ENCLOSED POWER RAILS

Номер патента: SE397750B. Автор: G Grunert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-11-14.

Wind turbines power rail system

Номер патента: DE102018000158A1. Автор: Heinz-Hermann Letas. Владелец: Senvion GmbH. Дата публикации: 2019-07-11.

DC TRANSMISSION OVER POWER RAILS

Номер патента: DE102018105300A1. Автор: Faical Turki. Владелец: Paul Vahle GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-12.

Power rail circuit for high-voltage Buck converter

Номер патента: CN114204805B. Автор: 王浩,杨楠,罗萍,宋浩,陈嘉豪,何致远,樊捷. Владелец: Guangdong Electronic Information Engineering Research Institute of UESTC. Дата публикации: 2023-04-28.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: AU2024204934A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Deployable power rail connector for electric machine and method

Номер патента: US20240157802A1. Автор: Igor Strashny,Kurt L. Winckler. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Deployable power rail connector for electric machine and method

Номер патента: WO2024102567A1. Автор: Igor Strashny,Kurt L. Winckler. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2024-05-16.

Power rail, mounting and dismounting method and arrangement composed of combined power rails

Номер патента: CA2838305C. Автор: Jurgen Kranycan,Erwin ESTERBAUER,Thomas JUKL. Владелец: SPL Powerlines Austria GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-02-26.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: CA2366111C. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2004-05-25.

Powered rail system

Номер патента: US20230347808A1. Автор: Mohammed Irfan,Michael Bykowski,Thomas Ward Parker,Milos V. Coric,Emily Kern,Jonathan David Monge. Владелец: Warner Co. Дата публикации: 2023-11-02.

Control system for a powered rail vehicle

Номер патента: GB2204434A. Автор: Anthony Raymond Varnde Roberts,Alan Patrick Holden. Владелец: C I ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 1988-11-09.

Apparatus and method for low power rail-to-rail operational amplifier

Номер патента: TWI371919B. Автор: Sumant Bapat,Gangaikondan Subramani Visweswaran,Ansuya P Bhatt,Surya Sharma. Владелец: Nat Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-01.

Hybrid low power rail to rail amplifier with leakage control

Номер патента: WO2024081463A1. Автор: Patrick Isakanian,Armina Khakpour. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-18.

Low DC power rail-to-rail buffer amplifier for liquid crystal display application

Номер патента: US7411452B2. Автор: Chih-Wen Lu,Peter H. Xiao. Владелец: New Vision Micro Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Hybrid low power rail to rail amplifier with leakage control

Номер патента: US20240128941A1. Автор: Patrick Isakanian,Armina Khakpour. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

INTEGRATED CIRCUIT POWER RAIL MULTIPLEXING

Номер патента: US20170033796A1. Автор: Vilangudipitchai Ramaprasath,Cao Lipeng,Bhan Divjyot,Kumar Dorav. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

EMBEDDED FILTERS FOR POWER RAIL MERGER

Номер патента: US20150097431A1. Автор: Levin Alexander,Soman Sanjiv,RAJAGOPALAN Srinivasan,Tan Fern Nee. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

Power rail with data line

Номер патента: DE102007001000A1. Автор: Udo Bansbach,Paul W. Prof. Dr.-Ing. Schmits. Владелец: Semperlux AG Lichttechnische Werke. Дата публикации: 2009-06-18.

Dynamic power rail floating for cdac circuits

Номер патента: US20230179251A1. Автор: Ofir Degani,Assaf Ben-Bassat,Ina SHTERNBERG,Anna NAZIMOV,Naor Shay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Dynamic power rail floating for cdac circuits

Номер патента: EP4158779A4. Автор: Ofir Degani,Assaf Ben-Bassat,Ina SHTERNBERG,Anna NAZIMOV,Naor Shay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

SPARSITY AND CONTINUITY-BASED CHANNEL STITCHING TECHNIQUES FOR ADJACENT TRANSMISSIONS

Номер патента: US20160227516A1. Автор: Wu Xinzhou,Richardson Thomas Joseph,Jose Jubin,Nallampatti Ekambaram Venkatesan. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Integrated system with independent power domains and split power rails for logic and memory

Номер патента: EP3215907A1. Автор: Kenneth Gainey,Jen-Jung Hsu,Eunjoo Hwang,Karthik Reddy Neravetla. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Integrated system with independent power domains and split power rails for logic and memory

Номер патента: WO2016073180A1. Автор: Kenneth Gainey,Jen-Jung Hsu,Eunjoo Hwang,Karthik Reddy Neravetla. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-05-12.

POWER STRUCTURE WITH POWER PICK-UP CELL CONNECTING TO BURIED POWER RAIL

Номер патента: US20200042668A1. Автор: PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Settings based on output powered by low power state power rail

Номер патента: US8856560B2. Автор: Michael R. Durham,Gregory P. Ziarnik,Stephen J. Higham. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-10-07.

System, Apparatus And Method For Collective Power Control Of Multiple Intellectual Property Agents And A Shared Power Rail

Номер патента: US20190041970A1. Автор: Gough Robert,Vadivelu Karthi,Kuo Chia-Hung,Dutta Pronay,Degalahal Vijay S. R.,Kumar Panner. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Multi-power rail power supply unit mismatch detection system

Номер патента: US20190073015A1. Автор: Craig Anthony Klein,John Erven Jenne. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-03-07.

System, apparatus and method for collective power control of multiple intellectual property agents and a shared power rail

Номер патента: US10860083B2. Автор: Pronay Dutta,Vijay S. R. Degalahal,Robert Gough,Panner Kumar,Chia-Hung Kuo,Karthi Vadivelu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

POWER MODE REGISTER REDUCTION AND POWER RAIL BRING UP ENHANCEMENT

Номер патента: US20140223153A1. Автор: ALARCON Veronica,Hsieh Chih-Tsung,Lee Hao-zheng,Nabhane Walid,Fullerton Mark Norman. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

Techniques to Power Down Output Power Rails for a Storage Device

Номер патента: US20170177057A1. Автор: MORNING-SMITH Andrew,Schmidt Kai-Uwe,MOCANU Adrian,NGO Mike M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

PEAK CURRENT SUPPORT FOR A POWER RAIL SYSTEM VIA A SHARED SECONDARY POWER SUPPLY

Номер патента: US20170277238A1. Автор: PARK HEE JUN,CHUN Christopher Kong Yee,KWAK TAEWOO. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

System, apparatus and method for collective power control of multiple intellectual property agents and a shared power rail

Номер патента: EP3857336A4. Автор: Pronay Dutta,Vijay S. R. Degalahal,Robert Gough,Chia-Hung Kuo,Karthi Vadivelu,Pammerkumar RAJAGOPAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

With the independent power domain for logic and memory and the integrated system of split-type power rail

Номер патента: CN107003707A. Автор: E·黄,K·盖尼,K·R·内拉维拉,J·J·休. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

POWER RAIL FOR PREVENTING DC ELECTROMIGRATION

Номер патента: US20160004809A1. Автор: Yu Chi-Yeh,LIN CHIN-SHEN,YANG KUO-NAN,Kao Jerry Chang-Jui,LIN Chou-Kun,Katta Nitesh,Tsai Yi-Chuin. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

DYNAMIC VOLTAGE SELECTION FOR A SINGLE POWER RAIL IN A MULTI-CORE DOMAIN

Номер патента: US20220035437A1. Автор: RAVIPATI Venkatesh,DEVARASETTY Venkata Biswanath,DESAI Nirav Narendra,PANUKU Lakshmi Narayana,GHOSH Kumar Kanti,NAGILLA Sharath Kumar,Ambapuram Sravan Kumar,Shenoy Shrikanth. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Power rail layout for dense standard cell library

Номер патента: US20150052494A1. Автор: Jian Liu,Norman Chen,Anurag Mittal,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Tuhin Guha Neogi,Nader Magdy Hindawy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

DYNAMIC POWER RAILS FOR ELECTRONIC DISPLAY

Номер патента: US20190086992A1. Автор: Bi Yafei,Lin Chin-Wei,Lu Chun,Li Haifeng,Nho Hyunwoo,Lin Hung Sheng,Hwang Injae,Gao Shengkui,Richmond Jesse Aaron,Kim Hyunsoo,Alousi Sinan,Hajirostam Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

POWER RAIL FOR PREVENTING DC ELECTROMIGRATION

Номер патента: US20150095864A1. Автор: Yu Chi-Yeh,LIN CHIN-SHEN,YANG KUO-NAN,Kao Jerry Chang-Jui,LIN Chou-Kun,Katta Nitesh,Tsai Yi-Chuin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

SYSTEM ON CHIP RECEIVING SUPPLY VOLTAGE(S) VIA MERGED POWER RAIL, AND MOBILE SYSTEM INCLUDING SAME

Номер патента: US20200089310A1. Автор: CHOI Youn-Sik,HEO JUNGHUN,CHO MYUNGCHUL. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

COMPENSATION CONTROL FOR VARIABLE POWER RAILS

Номер патента: US20180095514A1. Автор: SHRALL JEREMY J.,Man Xiuting C.,RADJAI Amir Ali. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Cell Architecture with Backside Power Rails

Номер патента: US20220147679A1. Автор: Frederick,JR. Marlin Wayne,Edathil Sharath Koodali. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

POWER RAIL DESIGN METHOD, APPARATUS AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE MEDIUM THEREOF

Номер патента: US20210124864A1. Автор: Hsu Chia-Jung,LIN HSIN-CHANG,Lin Li-Yi,Kao Shu-Yi,HUANG Cheng-Chen,WU Yun-Ru,CHEN Chih-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Information Handling System And Methods To Detect Power Rail Failures And Test Other Components Of A System Motherboard

Номер патента: US20200233766A1. Автор: Chaiken Craig L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

POWER RAIL WITH NON-LINEAR EDGE

Номер патента: US20210350062A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHIANG Ting-Wei,YANG Jung-Chan,LU Chi-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

SELECTIVE COUPLING OF POWER RAILS TO A MEMORY DOMAIN(S) IN A PROCESSOR-BASED SYSTEM

Номер патента: US20160306412A1. Автор: Kolla Yeshwant Nagaraj,Natekar Neel Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

SYSTEM ON CHIP RECEIVING SUPPLY VOLAGE(S) VIA MERGED POWER RAIL, AND MOBILE SYSTEM INCLUDING SAME

Номер патента: US20160357245A1. Автор: CHOI Youn-Sik,HEO JUNGHUN,CHO MYUNGCHUL. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Power rail regulator system

Номер патента: CN103097983A. Автор: D.汉弗莱,M.A.贝马特. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-05-08.

Power rail regulator system

Номер патента: GB2497010B. Автор: Humphrey Daniel,Amin Bemat Mohammed. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-21.

Memory device including a plurality of power rails and method of operating the same

Номер патента: EP3454171A3. Автор: Young-Hwa Kim,Tae-Young Oh,Kyung-Soo Ha,Jin-Hun Jang,Seok-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-10.

Techniques for turning off an output power rail of a memory device

Номер патента: CN108351817B. Автор: M·M·吴,A·莫宁-史密斯,K-U·施密特,A·莫卡努. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Power rail regulator system

Номер патента: WO2012036668A1. Автор: Daniel Humphrey,Mohammed Amin Bemat. Владелец: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY L.P.. Дата публикации: 2012-03-22.

Sleep Signal Stitching Technique

Номер патента: US20180218108A1. Автор: Marlin Wayne Frederick, Jr.,Karen Lee DELK,Ravindra Narayana Rao,Stefan Charles Creaser. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

Sleep Signal Stitching Technique

Номер патента: US20180218108A1. Автор: Frederick,JR. Marlin Wayne,Delk Karen Lee,Rao Ravindra Narayana,Creaser Stefan Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Method and apparatus for generating virtual reality image inside vehicle using image stitching technique

Номер патента: US20200311884A1. Автор: Young Jong Lee,Youn Jung HONG. Владелец: Hong Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING VIRTUAL REALITY IMAGE INSIDE VEHICLE USING IMAGE STITCHING TECHNIQUE

Номер патента: US20200311884A1. Автор: LEE Young Jong,HONG Youn Jung. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Correlation and stitching techniques in a bar code scanning system

Номер патента: US20020148899A1. Автор: Jonathan R. Brandt,Glen W. Davis,Charles F. Atwater. Владелец: PSC Scanning Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Multi-brush interface for power rail communications

Номер патента: US09715895B1. Автор: Frank Smith. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

MEASURING DISSIPATED ELECTRICAL POWER ON A POWER RAIL

Номер патента: US20220065906A1. Автор: RAGHUPATHY Arun,Warren Daniel Adam,Mitchell Michael,van der Linden Gwendolyn,Rylander Ford,Silverstein Brian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING DEBUG INFORMATION VIA POWER RAIL IN POWER STATE WHERE DEBUG INTERFACE IS DISABLED

Номер патента: US20180164371A1. Автор: Morris Paul,BRUCE John,Panigrahi Sukanta. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

A kind of Fast Load response LDO based on dual power rail power supply

Номер патента: CN109656300A. Автор: 张�杰,张波,王卓,梁华,明鑫. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-04-19.

MEMORY DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF POWER RAILS AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190027206A1. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,JANG JIN-HUN,CHO SEOK-JIN,HA KYUNG-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Backside Power Rail Architecture

Номер патента: US20220084561A1. Автор: Chong Yew Keong,Thyagarajan Sriram,Chen Andy Wangkun,Amirante Ettore,Kulshrestha Ayush,N/A Sony. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

DC POWER RAIL PROBES AND MEASUREMENT METHODS

Номер патента: US20210199700A1. Автор: Brush Edward Vernon,McTigue Michael Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

SYSTEM ON CHIP INCLUDING DUAL POWER RAIL AND VOLTAGE SUPPLY METHOD THEREOF

Номер патента: US20140313819A1. Автор: Choi Jaeseung,Seo Dong-wook,CHOI Hyunsu,KIM GYUHONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-23.

Coin queuing device and power rail sorter

Номер патента: CA2158436A1. Автор: James M. Rasmussen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-10-13.

Powered rail coin sorter

Номер патента: CA2110586A1. Автор: John H. Winkelman,Thomas P. Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-23.

Powered rail coin sorter

Номер патента: EP0588939A4. Автор: Thomas P Adams,John H Winkelman. Владелец: Brandt Inc. Дата публикации: 1994-07-13.

Coin queuing device and power rail sorter

Номер патента: AU6408394A. Автор: James M. Rasmussen. Владелец: Cummins Allison Corp. Дата публикации: 1994-10-24.

Coin queuing device and power rail sorter

Номер патента: US5382191A. Автор: James M. Rasmussen. Владелец: Cummins Allison Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Dual port dual power rail memory architecture

Номер патента: US20240161815A1. Автор: Lalit Gupta,Jason Golbus,Jesse San-Jey Wang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Dual power rail word line driver and word line driver array

Номер патента: TW201110140A. Автор: Chia-Wei Wang,Matthew B Rutledge,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Adaptive power multiplexing for a power distribution network

Номер патента: EP3479450A1. Автор: YU HUANG,Rajeev Jain,Nam Dang,Sassan Shahrokhinia,Lipeng Cao,Mong Chit WONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Adaptive power multiplexing with a power distribution network

Номер патента: US09990022B2. Автор: YU HUANG,Rajeev Jain,Nam Dang,Sassan Shahrokhinia,Lipeng Cao,Mong Chit WONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Management of voltage regulator units in field programmable arrays

Номер патента: US11881783B2. Автор: Peng Zou,Joseph Dibene,Gang Ren,Syrus Ziai,Xijian Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: AU2024204933A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for joining power rail segments

Номер патента: AU2022429495A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for joining power rail segments

Номер патента: WO2023129334A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: EP4417464A2. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: EP4405204A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: EP4417465A2. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Relocatable base for elevated power rails and method of deployment

Номер патента: AU2022426459A1. Автор: Igor Strashny,Brian Robert Weller. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for joining power rail segments

Номер патента: CA3241375A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: CA3237322A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: US20240001771A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: US20240001772A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: WO2023129795A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

System and method for supporting elevated power rails

Номер патента: AU2022425162A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Powered rail mounted cargo tug and cargo platform

Номер патента: US20210086898A1. Автор: Wallace Harold Larson,Ryan Pfau. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Articulated powered rail cars for local traffic, in particular streetcar lines

Номер патента: CA1267040A. Автор: Karl-Heinz Buchholz,Lutz Uebel,Wolfgang-Dieter Richter,Erhard Forster. Владелец: MAN Gutehoffnungshutte GmbH. Дата публикации: 1990-03-27.

Battery-powered rail grinder

Номер патента: EP2488399A2. Автор: Syed Reza Ahmed Sami. Владелец: Harsco Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Relocatable base for elevated power rails and method of deployment

Номер патента: US20230202348A1. Автор: Igor Strashny,Brian Robert Weller. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Powered rail vehicles

Номер патента: GB1574598A. Автор: . Владелец: Sulzer Ag. Дата публикации: 1980-09-10.

Relocatable base for elevated power rails and method of deployment

Номер патента: CA3241371A1. Автор: Igor Strashny,Brian Robert Weller. Владелец: Caterpillar Global Mining Equipment LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Powered rail conveyor

Номер патента: AU5564573A. Автор: T. Kornylak Andrew. Владелец: Kornylak Corp. Дата публикации: 1974-11-14.

Power rail system with removable members

Номер патента: US3241765A. Автор: Sylvester F Wolfe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-03-22.

SUSPENSION CARRIER WITH POWER RAIL AND FREE RAIL

Номер патента: FR2495081A1. Автор: Takao Wakabayashi,Wakabayashi Takao. Владелец: Nakanishi Metal Works Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-04.

Insulating rail section for tracked hovercraft - with two insulators spaced by intermediate power rail connected to one section through resistance

Номер патента: DE2432344A1. Автор: Harry Dipl Ing Dorosh. Владелец: Krauss Maffei Ag. Дата публикации: 1976-01-15.

Power rail for power consumers with high power requirements and high travel speeds

Номер патента: DE2244492C2. Автор: Willi 4618 Kamen Hillmann. Владелец: PAUL VAHLE KG 4618 KAMEN. Дата публикации: 1974-04-04.

Insulated mount for a power rail for electrically driven rail vehicles

Номер патента: EP2819879A2. Автор: Thomas JUKL. Владелец: SPL Powerlines Austria GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-07.

POWER RAIL FOR THE POWER SUPPLY OF MOVABLE POWER CONSUMERS

Номер патента: DE3000978A1. Автор: Udo 4300 Essen Heuser,Arnfried Brinkmann. Владелец: Fahrleitungsbau GmbH. Дата публикации: 1981-07-23.

SYSTEM FOR PROVIDING ELECTRICAL POWER TO ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20140068990A1. Автор: Cabahug Eric F.,Dodd James S.,Feldman Ben,Frascati Joseph,McLaughlin Don. Владелец: Prototype Productions Incorporated Ventures Holdings, LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

POWERED DISTRIBUTION SYSTEMS FOR POWERED RAIL VEHICLES

Номер патента: US20130193750A1. Автор: KUMAR Ajith Kuttannair. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-08-01.

System for providing electrical power to accessories mounted on the powered rail of a weapon

Номер патента: US9285185B2. Автор: Eric F. Cabahug,Ben Feldman,James S. Dodd,Joseph Frascati,Don McLaughlin. Владелец: Prototype Productions Inc Ventures Two LLC. Дата публикации: 2016-03-15.

POWER RAIL-SUPPORT UNIT AND GUIDE-TRACK TRANSPORTATION SYSTEM

Номер патента: US20170015214A1. Автор: Kubo Akihiro,OKANO Eisuke,MURASE Kosaku. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

POWERED RAIL MOUNTED CARGO TUG AND CARGO PLATFORM

Номер патента: US20210086898A1. Автор: Pfau Ryan,Larson Wallace Harold. Владелец: GOODRICH CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-25.

POWERED RAIL MOUNTED AIR CARGO CART

Номер патента: US20210086899A1. Автор: Pfau Ryan,Larson Wallace Harold. Владелец: GOODRICH CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-25.

A POWER RAIL EXPANSION JOINT WITHOUT EXPANSION GAP

Номер патента: US20190118672A1. Автор: Zeng Jian,JIANG Xingzhen,LI Guihang,DENG Maotao. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Apparatus and methods for support track and power rail switching in a body weight support system

Номер патента: US20170128313A1. Автор: Arkady Glukhovsky,Todd CUSHMAN,Augustine Smith. Владелец: Bioness Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

POWER RAIL

Номер патента: US20210212464A1. Автор: GRABHER Günter. Владелец: Grass GmbH. Дата публикации: 2021-07-15.

POWERED RAIL APPARATUS FOR VEHICULAR SEAT

Номер патента: US20210394647A1. Автор: HWANG Seong Jun,SHIM Sung Min,KIM Gyong Min. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for control of distributed power rail vehicle

Номер патента: CN103010200A. Автор: E.A.史密斯,D.乌,R.帕兰蒂. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-04-03.

Insert reclamation jig for construction of power rail in linear induction motor

Номер патента: KR100888821B1. Автор: 정상구,김홍록,윤병성,민병도. Владелец: (주)대륙철도. Дата публикации: 2009-03-17.

Insert reclamation jig for construction of power rail

Номер патента: KR101272858B1. Автор: 김성우,김기송. Владелец: 김기송. Дата публикации: 2013-06-10.

Non-motorized power rail link dust separator

Номер патента: KR101663643B1. Автор: 최병천. Владелец: 주식회사 대승엔지니어링. Дата публикации: 2016-10-07.

power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: KR20020008126A. Автор: 마렉레리케이,부르그토마스제이. Владелец: 봄바디어 트랜스포테이션 게엠베하. Дата публикации: 2002-01-29.

Apparatus and methods for support track and power rail switching in a body weight support system

Номер патента: CA3003057A1. Автор: Arkady Glukhovsky,Todd CUSHMAN,Augustine Smith. Владелец: Bioness Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Improvement of gasoline powered rail cars

Номер патента: FR577291A. Автор: . Владелец: Automobiles M Berliet SA. Дата публикации: 1924-09-03.

Human powered rail bike

Номер патента: KR100644348B1. Автор: 이수행. Владелец: 이수행. Дата публикации: 2006-11-10.

Power rail arrangement

Номер патента: HK1182060A1. Автор: 布魯諾．卡薩利,烏爾斯．比特．維利,比特．富雷爾. Владелец: 富雷爾+弗賴股份公司工程處-法爾萊通斯布. Дата публикации: 2013-11-22.

Power rail

Номер патента: US11344120B2. Автор: Günter GRABHER. Владелец: Grass AG. Дата публикации: 2022-05-31.

Power rail assembly

Номер патента: TWI471081B. Автор: Wei Chia Huang,You-Gang Wong. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: EP1169191A1. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2002-01-09.

Power rail support

Номер патента: KR100934895B1. Автор: 안영훈,정해영. Владелец: 세종기술주식회사. Дата публикации: 2010-01-06.

Braking system for a self-powered rail vehicle provided with an anti-slip device

Номер патента: EP1547888A3. Автор: Dario Barberis. Владелец: Sab Wabco SpA. Дата публикации: 2006-08-16.

Double-power rail vehicle

Номер патента: CN113879341B. Автор: 焦京海,郑伟,赖森华,刘金林,张玉刚,杨兴清,高洪镇,李勇序. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-20.

Powered rail flat car for containers and operation method

Номер патента: WO2020062725A1. Автор: 刘杰,徐程,方亚非,蔡云峰,袁登峰,黄泽星,于兴华,王增力,雒敏华,叶航行,雷娜娜. Владелец: 中铁武汉勘察设计研究院有限公司. Дата публикации: 2020-04-02.

Power rail support with adjustment device for height adjustment

Номер патента: DE2408448C3. Автор: Marijan 8521 Moehrendorf Mekinic,Hermann 2410 Moelln Menhorn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-10-05.

Electric vehicle, especially an electrically powered rail vehicle, e.g. a low-platform tramcar

Номер патента: WO1996029224A1. Автор: Josef Haas,Michael Petz,Franz Proksch. Владелец: Elin Antriebstechnik Gmbh. Дата публикации: 1996-09-26.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: US6520303B1. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2003-02-18.

Loading assembly for bulk fluids rests on electrically powered rail-mounted moving platform with telescopic down-pipe

Номер патента: DE202006019847U1. Автор: . Владелец: JAHNDORF CHRISTIAN. Дата публикации: 2007-04-12.

Apparatus and methods for support track and power rail switching in a body weight support system

Номер патента: AU2016354524B2. Автор: Arkady Glukhovsky,Todd CUSHMAN,Augustine Smith. Владелец: Bioness Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Power rail and guidebeam assembly for a vehicle transportation system

Номер патента: WO2000053449A1. Автор: Thomas J. Burg,Larry K. Malek. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2000-09-14.

Power rail arrangement

Номер патента: WO2012016640A2. Автор: Beat Furrer,Marc Gilgen. Владелец: Furrer + Frey Ag. Дата публикации: 2012-02-09.

Electric power rail type wireless long-distance logistics conveying equipment and method

Номер патента: CN113772350A. Автор: 严昊,朱正刚,彭泽,朱登明. Владелец: TAICANG INSTITUTE OF COMPUTING TECHNOLOGY CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2021-12-10.

Hybrid power rail car electrical system

Номер патента: CN113400956A. Автор: 李超,肖小山,刘洁,祝长春,白欢,刘三帅,肖功彬,卓海军. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Brake system for a powered rail vehicle with anti-lock device

Номер патента: DE602004015402D1. Автор: Dario Barberis. Владелец: Faiveley Transport Italia SpA. Дата публикации: 2008-09-11.

Communication and control of accessories mounted on the power rail of a weapon

Номер патента: AU2012367273B2. Автор: Ben Feldman,Tyler Miller,James S. Dodd,Greg Paulson,Terrance JORDAN. Владелец: T Worx Holdings LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Energy-concerving and environment-protective type electric power rail spud pile auxiliary device easy to assemble dismantlement

Номер патента: CN112523605B. Автор: 马北风. Владелец: Shanghai New Era Civil Aviation Airport Design And Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

LED lamp fixture having dual side power rail and magnetic coupling

Номер патента: US9765954B2. Автор: Victor Zaderej,Timothy Canzano. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Electric power rail for ground vehicle - has different polarity segments separated by insulation

Номер патента: FR2277694A1. Автор: . Владелец: TREGIE. Дата публикации: 1976-02-06.

Expansion connection arrangement for adjoining power rails of an overhead line system for electric locomotives

Номер патента: EP2691256B1. Автор: Günter Hähn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-11-01.

Braking energy recovery method and system for hybrid power rail vehicle

Номер патента: CN108189674B. Автор: 于爽,李奇,陈维荣,黄文强,尚伟林,朱亚男,王天宏. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2023-06-09.

Power rail system

Номер патента: WO2008108818A2. Автор: John Thompson. Владелец: Wolf Pac Technologies Corp. Дата публикации: 2008-09-12.

A kind of hybrid power rail vehicle

Номер патента: CN108340933A. Автор: 吕志龙,周安德,王永,付亚娥,李耘茏. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Locking system for claw couplings, in particular for gear shifting and reversing mechanisms of high-power rail cars

Номер патента: FR1232175A. Автор: . Владелец: Maybach Motorenbau GmbH. Дата публикации: 1960-10-06.

System and method for control of distributed power rail vehicle

Номер патента: CN101973286B. Автор: E·A·史密斯,R·帕兰蒂,D·乌. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-07-24.

A kind of power rail lower contacts formula current collecting equipment

Номер патента: CN110281775A. Автор: 李群湛. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2019-09-27.

Aerial cableways for transporting goods in rough terrain, has resilient current collectors transferring current from power rails to electric vehicles, and bracket suspended in bolt of vehicles that take curve in area of supports

Номер патента: DE102009030757A1. Автор: Gerhard Bihler. Владелец: Gerhard Bihler. Дата публикации: 2010-12-30.

Current collector system, crane system, and method for advancing a current collector carriage to a power rail

Номер патента: CN103492307A. Автор: B·迈尔,F·克赖特尔,J·萨特尔,D·布兰德纳. Владелец: Conductix Wampfler GmbH. Дата публикации: 2014-01-01.

ELECTRIC POWER RAIL WITH COLLECTOR TROLLEY

Номер патента: FR2806849B1. Автор: Laurent Micheau,Bernard Thelier. Владелец: REALISATIONS IND LYONNAISES S. Дата публикации: 2004-03-05.

Electrical control method for hybrid power rail car

Номер патента: CN113400955A. Автор: 李超,肖小山,刘洁,祝长春,白欢,刘三帅,肖功彬,卓海军. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Powered rail conveyor

Номер патента: ZA731748B. Автор: A Kornylak. Владелец: Kornylac Co. Дата публикации: 1973-12-19.

Segment boundary arrangement in a longitudinally extending power rail network

Номер патента: WO2015036258A1. Автор: Klaus-Peter Linzmaier,Helmut Pflieger. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2015-03-19.

Powered rail flat car for containers and operation method

Номер патента: EP3798078A1. Автор: Feng Zhang,Rui Li,Wen Gu,Yusong XIAO,Yafei FANG,Zengli WANG,Zexing HUANG,Yunfeng CAI,Jiajun Cai,Changyu LIU,Jianan ZHANG,Zongyu Gao,Nana LEI. Владелец: China Railway Wuhan Survey and Design and Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Electromagnetic point setting device for electrically powered rail vehicles

Номер патента: DE826598C. Автор: Robert Hanning. Владелец: Individual. Дата публикации: 1952-01-03.

Power rail-support unit and guide-track transportation system

Номер патента: US10202050B2. Автор: Akihiro Kubo,Eisuke Okano,Kosaku MURASE. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Engineering Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Insert reclamation jig for construction of power rail in linear induction motor

Номер патента: KR100891904B1. Автор: 정상구,김홍록,윤병성,민병도. Владелец: (주)대륙철도. Дата публикации: 2009-04-03.

Fuel-powered rail vehicle with combined exhaust / cooling airflow outlet

Номер патента: DE102006037785B4. Автор: Stefan Wanczura. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-05-12.

Insulator support for power rails

Номер патента: US1984245A. Автор: William C Banks. Владелец: Individual. Дата публикации: 1934-12-11.

Post-forming method of carbon-fiber-reinforced thermoplastic composite using stitching technique

Номер патента: KR102388892B1. Автор: 김민국,김용탁,이민욱,유기현,양철민,유재상,나원진. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2022-04-25.

Process of knitting whole garment by alternated stitch technique

Номер патента: ZA202213537B. Автор: Ding Hui,WANG Xinquan,Dong Ruilan,Qiao Jiancheng,Guo Jianli. Владелец: Inner Mongolia King Deer Cashmere Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Standard cell libraries and integrated circuit including standard cells

Номер патента: US20090212327A1. Автор: Ha-young Kim,Sang-Jin Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240355806A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit including switch cell area

Номер патента: US20240234294A1. Автор: Jungho DO,Jisu YU,Sungyup JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of semiconductor layout with different row heights

Номер патента: US20220384417A1. Автор: Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Xiang-Dong Chen,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device including standard cells with combined active region

Номер патента: US20230306175A1. Автор: Ta-Pen Guo,Guru Prasad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit including switch cell area

Номер патента: EP4401134A1. Автор: Jungho DO,Jisu YU,Sungyup JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Electromigration resistant standard cell device

Номер патента: US09558312B2. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Meng-Fu You,Shen-Feng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Electromigration resistant standard cell device

Номер патента: US20130234212A1. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Meng-Fu You,Shen-Feng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Power gating switch tree structure for reduced wake-up time and power leakage

Номер патента: EP4348834A1. Автор: Yuehui WANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Rail power density aware standard cell placement for integrated circuits

Номер патента: US20240256753A1. Автор: Haoxing Ren,Sreedhar PRATTY,Shaurakar Das,Santosh Santosh,SeshasaiJyothi Kolli,Muhammad Arif Mirza. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Rail power density aware standard cell placement for integrated circuits

Номер патента: US11972188B2. Автор: Haoxing Ren,Sreedhar PRATTY,Shaurakar Das,Santosh Santosh,SeshasaiJyothi Kolli,Muhammad Arif Mirza. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12033998B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230411378A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Split n-well cells having a merged n-well design

Номер патента: US20220122961A1. Автор: Venugopal PABBA,Biral Rasikbhai PATEL. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Systems and Methods to Separate Power Domains in a Processing Device

Номер патента: US20170336840A1. Автор: Li Qiu,MATHEW Philip,Rajesh Verma,Satyanarayana SAHU,Satish Raj,Shiva Ram Chandrasekaran,Arun Tyagi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Systems and methods to separate power domains in a processing device

Номер патента: US09958918B2. Автор: Li Qiu,MATHEW Philip,Rajesh Verma,Satyanarayana SAHU,Satish Raj,Shiva Ram Chandrasekaran,Arun Tyagi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Standard cell design architecture for reduced voltage droop utilizing reduced contacted gate poly pitch and dual height cells

Номер патента: EP4406027A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device including standard cell having split portions

Номер патента: US12039245B2. Автор: Ta-Pen Guo,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming masks

Номер патента: US09892224B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Ta-Pen Guo,Yi-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Power management of chiplets with varying performance

Номер патента: US20240192759A1. Автор: Sriram SUNDARAM,Stephen KUSHNIR,Christopher Allan Poirier. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and manufacturing method

Номер патента: US20230420369A1. Автор: Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Ren-Zheng Liao,Luk Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20240296273A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit having spare circuit cells

Номер патента: US09601477B2. Автор: Carol Pincu,Rami ROZENZVAIG. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming power grid structures

Номер патента: US11935833B2. Автор: Stefan Rusu,Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Electromigration resistant standard cell device

Номер патента: US20150248517A1. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Meng-Fu You,Shen-Feng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Hybrid standard cell and method of designing integrated circuit using the same

Номер патента: US20210143800A1. Автор: Ahreum Kim,Jeongjin Lee,Minsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semi-dynamic flip-flop implemented as multi-height standard cell and method of designing integrated circuit including the same

Номер патента: US20210044283A1. Автор: Ahreum Kim,Hyun Lee,Minsu Kim,Jongkyu Ryu,Daeseong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated circuit including multi-height standard cell and method of designing the same

Номер патента: US20200243502A1. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Power gating switch tree structure for reduced wake-up time and power leakage

Номер патента: US20230268273A1. Автор: Yuehui WANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor structure with backside power mesh and method of forming the same

Номер патента: US20240055433A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361037A1. Автор: Ji Wook KWON,Chul Hong Park,Byung Ju Kang,Jae Seok Yang,Pan Jae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20230342535A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP4276898A1. Автор: Ji Wook KWON,Chul Hong Park,Byung Ju Kang,Jae Seok Yang,Pan Jae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Electronic circuit to generate a DC voltage from a wireless signal and method of manufacture

Номер патента: US11984640B2. Автор: Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Topology of distributing and connecting LEDs in a large area matrix

Номер патента: US09655183B2. Автор: Johannes Wilhelmus Weekamp,Hugo Johan Cornelissen,Marcellinus Petrus Carolus Michael Krijn. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-05-16.

Visible alignment markers/landmarks for cad-to-silicon backside image alignment

Номер патента: US20180074117A1. Автор: Robert Kim,Hyeokjin LIM,Mickael MALABRY,Lavakumar Ranganathan,Rami Salem,Hadi Bunnalim,Lesly Zaren V. Endrinal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Visible alignment markers/landmarks for cad-to-silicon backside image alignment

Номер патента: SG11201900864RA. Автор: Robert Kim,Hyeokjin LIM,Mickael MALABRY,Lavakumar Ranganathan,Rami Salem,Hadi Bunnalim,Lesly Zaren V Endrinal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Visible alignment markers/landmarks for cad-to-silicon backside image alignment

Номер патента: AU2017325796B2. Автор: Robert Kim,Hyeokjin LIM,Mickael MALABRY,Lavakumar Ranganathan,Rami Salem,Hadi Bunnalim,Lesly Zaren V. Endrinal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Visible alignment markers/landmarks for cad-to-silicon backside image alignment

Номер патента: EP3513431A1. Автор: Robert Kim,Hyeokjin LIM,Mickael MALABRY,Lavakumar Ranganathan,Rami Salem,Hadi Bunnalim,Lesly Zaren V. Endrinal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Visible alignment markers/landmarks for cad-to-silicon backside image alignment

Номер патента: WO2018052664A1. Автор: Robert Kim,Hyeokjin LIM,Mickael MALABRY,Lavakumar Ranganathan,Rami Salem,Hadi Bunnalim,Lesly Zaren V. Endrinal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-22.

Layout connection isolation technique for improving immunity to jitter and voltage drop in a standard cell

Номер патента: US20200020678A1. Автор: Matthew Berzins,Charles A. Cornell. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Power management integrated circuit with a field programmable array of voltage regulators

Номер патента: EP4285201A1. Автор: Peng Zou,Gang Ren,Syrus Ziai,Curtis Roger MCALLISTER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Assistant systems and methods for handling peak power demands in an extended-reality system

Номер патента: EP4429057A2. Автор: Zhujie Lin,Mark Hayenga. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Enhanced recovery mechanisms

Номер патента: US09542267B2. Автор: Walid Nabhane,Veronica Alarcon,Mark Norman Fullerton,Zhongmin Zhang,Ajmal A. Godil. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Chip with electrostatic discharge protection function

Номер патента: US20150022920A1. Автор: Shao-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Hot plug device providing turn on FETs with a softstart capability

Номер патента: US09853444B2. Автор: Nicholas Celenza,Jamaica L. Barnette,Brian C. Totten. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Low power management for ErP6 compliance

Номер патента: US12086014B2. Автор: Adolfo S. Montero,Geroncio Ong Tan,Jui-Chin Fang,Hsin-Tien Lin. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-10.

Current balancing for voltage regulator units in field programmable arrays

Номер патента: EP4285480A1. Автор: Peng Zou,Gang Ren,Syrus Ziai,Curtis Roger MCALLISTER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Systems and methods for automatic detection and configuration of voltage regulator phases in a multi-rail voltage regulator

Номер патента: US09612638B1. Автор: Stuart Allen Berke,Abey K. Mathew. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-04-04.

ESD protection circuit

Номер патента: US12119640B2. Автор: Wei Gao,Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Hot plug device providing turn on FETs with a softstart capability

Номер патента: US09787085B2. Автор: Nicholas Celenza,Jamaica L. Barnette,Brian C. Totten. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US12046567B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Electrostatic discharge protection device and method

Номер патента: US20210050341A1. Автор: Wen-Tai Wang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11742657B2. Автор: Jhih-Chun Syu,Chao-Lung Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and Apparatus to Charge Power Assist Unit

Номер патента: US20200136418A1. Автор: John E. Jenne,Thomas R. Thibodeau. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-04-30.

Hot plug protection system

Номер патента: US5712754A. Автор: Chi Kim Sides,Philip James Mckenzie,Barry S. Basile. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Region-based power grid generation through modification of an initial power grid based on timing analysis

Номер патента: US11916384B2. Автор: David Wolpert,Paul G. Villarrubia,Leon Sigal,Basanth Jagannathan,Michael Hemsley Wood,Benjamin Neil Trombley,James Leland,Alexander Joel Suess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Dynamic power profiling

Номер патента: US09342400B2. Автор: Mark D. Rutherford,Walid Nabhane,Veronica Alarcon,Chun-Nan Ke,John Russell Platenak,Arun Palaniappan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Hot plug device providing turn on fets with a softstart capability

Номер патента: US20150357811A1. Автор: Nicholas Celenza,Jamaica L. Barnette,Brian C. Totten. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Power supply circuits

Номер патента: US20200266816A1. Автор: Carsten WULFF,Samuli HALLIKAINEN. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2020-08-20.

Management of voltage regulator units in field programmable arrays

Номер патента: WO2023028398A1. Автор: Peng Zou,Joseph Dibene,Gang Ren,Syrus Ziai,Xijian Lin. Владелец: Nuvia, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Power supply circuits

Номер патента: WO2019048863A1. Автор: Carsten WULFF,Samuli HALLIKAINEN. Владелец: Samuels, Adrian James. Дата публикации: 2019-03-14.

Battery pack adapter assembly for powered weapon accessory rail interface

Номер патента: US20240274954A1. Автор: James W. Teetzel,Elliott S. Turner. Владелец: Wilcox Industries Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Battery Pack Adapter Assembly For Powered Weapon Accessory Rail Interface

Номер патента: AU2024200806A1. Автор: James W Teetzel,Elliott S TURNER. Владелец: Wilcox Industries Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Battery pack adapter assembly for powered weapon accessory rail interface

Номер патента: EP4417931A1. Автор: James W. Teetzel,Elliott S. Turner. Владелец: Wilcox Industries Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Wall plate systems and arrangements

Номер патента: WO2023177508A1. Автор: Michael KAMOR,Nicholas PILATO,Shuming TEOH. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO., INC.. Дата публикации: 2023-09-21.

Energy storage system with green maintenance discharge cycle

Номер патента: US09660474B2. Автор: Lucas H Sturnfield. Владелец: Inventus Power Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US09754887B2. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12080795B2. Автор: Sung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371999A1. Автор: Sung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus and method for mitigating dynamic ir voltage drop and electromigration affects

Номер патента: US20170133321A9. Автор: Wen-Hao Chen,Chung-min Fu,Yuan-Te Hou,Wan-Yu Lo,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the integrated circuit

Номер патента: US20240266344A1. Автор: WooKyu Kim,Seungmin Lee,Jungho DO,Changbeom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuits and methods for power delivery

Номер патента: US20240363537A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ming Chian TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus and method for mitigating dynamic IR voltage drop and electromigration affects

Номер патента: US09768119B2. Автор: Wen-Hao Chen,Chung-min Fu,Yuan-Te Hou,Wan-Yu Lo,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

System on chip and electronic device including the same

Номер патента: US20210034138A1. Автор: Hyunseok Kim,Jae Min Kim,Junho Huh,Byungchul Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the integrated circuit

Номер патента: EP4415034A1. Автор: WooKyu Kim,Seungmin Lee,Jungho DO,Changbeom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Backside power delivery for mixed height standard cell circuits

Номер патента: WO2024179946A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,David Wolpert,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-09-06.

Unified retention flip-flop architecture and control

Номер патента: US09665160B1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Harshat Pant,Divjyot Bhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Power distribution system

Номер патента: US20070121277A1. Автор: Mark Lanus,Wolfgang Poschenrieder,Bruce Hanahan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Power distribution system

Номер патента: EP1955423A2. Автор: Mark S. Lanus,Wolfgang Poschenrieder,Bruce A. Hanahan. Владелец: Emerson Network Power Embedded Computing Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Self-aligned backside interconnect structures

Номер патента: US20240297167A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,David Wolpert,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Adding decoupling function for TAP cells

Номер патента: US9406815B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Adding decoupling function for TAP cells

Номер патента: US09406815B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Backside power with on-die power switches

Номер патента: WO2024086426A1. Автор: Richard T. Schultz,Suphachai Sutanthavibul. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing same

Номер патента: US20240243065A1. Автор: Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for electromigration reduction

Номер патента: EP4413614A1. Автор: Yohan Piccin. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Dynamic leakage control using selective back-biasing

Номер патента: WO2008101036A1. Автор: QI Chen,David Wang,Daniel Shimizu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-08-21.

Dynamic leakage control using selective back-biasing

Номер патента: EP2127083A1. Автор: QI Chen,David Wang,Daniel Shimizu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Power Distribution Network

Номер патента: US20240266346A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiean Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power planning method, chip device, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20240243063A1. Автор: Cheng-chen HUANG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220406718A1. Автор: Ming-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Power management using duty cycles

Номер патента: WO2018182853A1. Автор: Alain Artieri,Jean-Marie Tran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-04.

Abutment structure of semiconductor cell

Номер патента: US20120049948A1. Автор: Yu-Cheng Yang,Yi-Fon Chen,Jye-Yuan Lee. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Memory interface with adjustable voltage and termination and methods of use

Номер патента: US20170090546A1. Автор: Vaishnav Srinivas,Stephen THILENIUS,Patrick Isakanian,Michael Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Early backside first power delivery network

Номер патента: EP4420163A1. Автор: Brent Anderson,Lawrence Clevenger,Christopher Penny,Nicholas LANZILLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory interface with adjustable voltage and termination and methods of use

Номер патента: US09910482B2. Автор: Vaishnav Srinivas,Stephen THILENIUS,Patrick Isakanian,Michael Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices having highly integrated active and power distribution regions therein

Номер патента: US12046556B2. Автор: Yoon Tae Hwang,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Eui Bok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

A stacked sram cell with a dual-side interconnect structure

Номер патента: EP4391759A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Sujith Subramanian,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and structure of forming backside gate tie-down

Номер патента: US20240112984A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP4459671A1. Автор: Ho Jin Lee,Jae Won Hwang,Myung Joo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204107A1. Автор: Woo Jin Lee,Min Jae Kang,Woo Kyung YOU,Koung Min RYU,Sang Koo Kang,Hoon Seok SEO,Jun Chae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Stacked SRAM Cell with a Dual-Side Interconnect Structure

Номер патента: US20240206145A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Sujith Subramanian,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20210376076A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Gate cut with integrated etch stop layer

Номер патента: US12074165B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene,Marc A. Bergendahl. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US12107012B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371767A1. Автор: Ho Jin Lee,Jae Won Hwang,Myung Joo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09825024B2. Автор: Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Impedance measurement circuit and impedance measurement method thereof

Номер патента: US20230090529A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Impedance measurement circuit and impedance measurement method thereof

Номер патента: US20240085941A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Efficiently managing multiple power supplies

Номер патента: US09929730B2. Автор: Seth Spiel. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Die power structure

Номер патента: US20120161856A1. Автор: Aparna Ramachandran,Gary John Formica. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Die power structure

Номер патента: US20130120054A1. Автор: Aparna Ramachandran,Gary John Formica. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Power strap structure for high performance and low current density

Номер патента: US09911697B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Wen-Hao Chen,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Pin-Dai Sue,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Standard cell architecture with M1 layer unidirectional routing

Номер патента: US09887209B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Xiangdong Chen,Mukul Gupta,Foua Vang,Ohsang Kwon. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20220157957A1. Автор: JISONG Jin,SUBHASH KUCHANURI,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Apparatus and method for supplying power to portion of integrated circuit via weak-strong and strong-only switch cells

Номер патента: WO2017200716A1. Автор: Martin Johansson,Shaun Durnan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having structure for improving voltage drop and device including the same

Номер патента: US09799604B2. Автор: Sung Su Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for supplying power to portion of integrated circuit via weak-strong and strong-only switch cells

Номер патента: EP3459178A1. Автор: Martin Johansson,Shaun Durnan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Apparatus and method for supplying power to portion of integrated circuit via weak-strong and strong-only switch cells

Номер патента: US09705491B1. Автор: Martin Johansson,Shaun Durnan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Interconnect structure in semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220077059A1. Автор: Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Buried oxide layer and etch stop layer process for direct back side contact of semiconductor device

Номер патента: US20240178143A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Properoots Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Power management for multiple-chiplet systems

Номер патента: US11733767B2. Автор: Prashanth Kumar Kakkireni,Matthew Severson,Kumar Kanti Ghosh,Shishir JOSHI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Stacking cmos structure

Номер патента: US20240312995A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chia-En HUANG,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit including backside contact and method of designing the integrated circuit

Номер патента: US20240363532A1. Автор: Jungho DO,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20240379744A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Adaptive standard cell architecture and layout techniques for low area digital soc

Номер патента: EP3138129A1. Автор: Animesh Datta,Kamesh MEDISETTI,Jay Madhukar Shah,Vijayalakshmi Ranganna. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361036A1. Автор: AZMAT Raheel,Ji Wook KWON,Chul Hong Park,Kwan Young CHUN,Byung Ju Kang,Suhyeong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP4273915A1. Автор: AZMAT Raheel,Ji Wook KWON,Chul Hong Park,Kwan Young CHUN,Byung Ju Kang,Su Hyeong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Voltage noise reduction of power delivery networks for integrated circuits

Номер патента: WO2018125492A1. Автор: Jimmy Huat Since HUANG,Paik Wen ONG,Yun JI,Xingjian Cai,Herh Nan CHEN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Voltage noise reduction of power delivery networks for integrated circuits

Номер патента: US20190326212A1. Автор: Jimmy Huat Since HUANG,Paik Wen ONG,Yun JI,Xingjian Cai,Herh Nan CHEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Wafer-scale power delivery

Номер патента: US20180331028A1. Автор: Arvind Kumar,Xiao Hu Liu,Winfried W. Wilcke,Charles E. Cox,Ahmet S. Ozcan,Harald Huels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Wafer-scale power delivery

Номер патента: US20190035722A1. Автор: Arvind Kumar,Xiao Hu Liu,Winfried W. Wilcke,Charles E. Cox,Ahmet S. Ozcan,Harald Huels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

An integrated circuit chip comprising back-side power delivery tracks

Номер патента: EP4152381A1. Автор: Mr. Eric Beyne,Ms. Anne Jourdain,Ms. Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-03-22.

Techniques to create power connections from floating nets in standard cells

Номер патента: US11848269B2. Автор: Pratap Kumar Das,Partha Pratim Ghosh,Prasanth M. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

System on chip and electronic device including the same

Номер патента: US20230004210A1. Автор: Hyunseok Kim,Jae Min Kim,Junho Huh,Byungchul Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Chip

Номер патента: US20210183908A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Yi-Cheng Lai,Sin-Jie Wang,Shyh-Bin KUO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-06-17.

Stacked field effect transistors

Номер патента: WO2023103750A1. Автор: Chen Zhang,Dechao Guo,Junli Wang,Timothy Mathew Philip,Sung Dae Suk. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Design techniques to create power connections from floating nets in standard cells

Номер патента: US20230107306A1. Автор: Pratap Kumar Das,Partha Pratim Ghosh,Prasanth M. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Integrated circuit chip including back side power delivery tracks

Номер патента: US20230080522A1. Автор: Eric Beyne,Anne Jourdain,Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230098671A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Unified retention flip-flop architecture and control

Номер патента: WO2017200718A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Harshat Pant,Divjyot Bhan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230215927A1. Автор: JISONG Jin,SUBHASH KUCHANURI,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Metal insulator metal capacitor

Номер патента: US20040150026A1. Автор: Sudhakar Bobba,Weiran Kong,David Greenhill,Bernard Ho. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Power via with reduced resistance

Номер патента: US20240113022A1. Автор: Richard T. Schultz,Omid Rowhani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Passive device orientation in core for improved power delivery in package

Номер патента: US20220028805A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Decoupling capacitor inside backside power distribution network powervia trench

Номер патента: US20240203982A1. Автор: Takashi Ando,David Wolpert,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Power planes and pass-through vias

Номер патента: US20230420366A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit including gate-all-around transistor

Номер патента: US12046653B2. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han,Bonyeop KIM,Sangyeop BAECK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit including gate-all-around transistor

Номер патента: US20240332390A1. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han,Bonyeop KIM,Sangyeop BAECK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Circuits and methods providing power on reset signals

Номер патента: US09973187B1. Автор: Yeshwant Kolla,Harshat Pant,Aditya Vummannagari. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for electromigration reduction

Номер патента: WO2023113902A1. Автор: Yohan Piccin. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230238324A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Domain clock and power activation control circuit to reduce voltage droop and related methods

Номер патента: US20240004449A1. Автор: Charles Boecker,Eric Groen,Shaishav A. Desai. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Backside power with on-die power switches

Номер патента: US20240128192A1. Автор: Richard T. Schultz,Suphachai Sutanthavibul. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Domain clock and power activation control circuit to reduce voltage droop and related methods

Номер патента: WO2024005975A1. Автор: Charles Boecker,Eric Groen,Shaishav A. Desai. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Domain clock and power activation control circuit to reduce voltage droop and related methods

Номер патента: US12019494B2. Автор: Charles Boecker,Eric Groen,Shaishav A. Desai. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Hybrid cell height design with a backside power distribution network

Номер патента: US20240203996A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for positioning a conductive rod powering a work machine

Номер патента: AU2022397385A1. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Display lighting system

Номер патента: US09596950B2. Автор: James W. Waalkes,Ryan A. Van Sluyters. Владелец: Amstore Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

High-frequency vector phase shifter

Номер патента: RU2647217C1. Автор: Александр Станиславович Коротков,Евгений Владимирович Балашов,Иван Александрович Румянцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2018-03-14.

Connector assembly for conductor rod having multiple degrees of freedom

Номер патента: AU2022397386B2. Автор: Igor Strashny. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Power distribution network (PDN) conditioner

Номер патента: US09806707B2. Автор: Qing Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Autonomous power supply

Номер патента: US09570941B2. Автор: Madan Vemula. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Charging station for charging electric bus and charging method using the same

Номер патента: US20220144116A1. Автор: Chong Chul Chun. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory short protection system

Номер патента: US09754633B2. Автор: Syed S. Ahmed,James L. Petivan, III,Sanjiv C. Sinha,John Ross Palmer. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory short protection system

Номер патента: US20150192629A1. Автор: Syed S. Ahmed,James L. Petivan, III,Sanjiv C. Sinha,John Ross Palmer. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2015-07-09.

Imaging systems including row-period compensators and associated methods

Номер патента: US09843753B2. Автор: Tianjia Sun,Xin Hu,Chun-Ming Tang,Jingyi Liu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Voltage adjustment device and method thereof

Номер патента: US20190391607A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Yi-Hao Chen. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Voltage adjustment device and method thereof

Номер патента: US10795388B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Yi-Hao Chen. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Redundant vehicle power distribution system

Номер патента: US20230234449A1. Автор: Jean-Philippe Gauthier,Richard J. Biskup,Thomas Joel Huber. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Redundant Vehicle Power Distribution System

Номер патента: US20210276425A1. Автор: Jean-Philippe Gauthier,Richard Biskup,Thomas Joel Huber. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Redundant vehicle power distribution system

Номер патента: WO2021178989A1. Автор: Richard Biskup,Jean-Philipe GAUTHIER,Thomas Joel Huber. Владелец: ATIEVA, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Redundant vehicle power distribution system

Номер патента: EP4114690A1. Автор: Richard Biskup,Jean-Philipe GAUTHIER,Thomas Joel Huber. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Shared power footer circuit

Номер патента: US20240212747A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of reducing sub-threshold leakage in circuits during standby mode

Номер патента: US20020089352A1. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David Hanson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Modular strip lighting system

Номер патента: CA2947864A1. Автор: Timothy D.F. Ford. Владелец: 9609385 Canada Inc. Дата публикации: 2017-05-06.

Redundant power supply architecture

Номер патента: EP2691648A1. Автор: Niels Erik Danielsen. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2014-02-05.

Redundant power supply architecture

Номер патента: US09641024B2. Автор: Niels Erik Danielsen. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-05-02.

Reconfigurable power control system

Номер патента: US09692236B2. Автор: Matthew Wootton,John Wootton,Justin McKinney,Lloyd Herbert King, Jr.. Владелец: Ivani LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Gate drive integrated circuit with input line overvoltage protection for a half-bridge power converter

Номер патента: US09520711B1. Автор: Wei Xiong. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

High voltage battery control system and high side voltage boost control circuit thereof

Номер патента: US20240348161A1. Автор: Pao-Cheng Chiu,Tai-You Lu,Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Switching power supply for RF power amplifiers

Номер патента: US09923520B1. Автор: Song Shi,Iulian Mirea,Moataz Abdelsamie Abdelfattah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Hot swap controller with individually controlled parallel current paths

Номер патента: US09917437B2. Автор: Yang Sun,Yun Bai,Nan Wang,Bruce Chen,Zhongmin Gan. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Plug-n-play power system for an accessory in an aircraft

Номер патента: US09481332B1. Автор: Donald B. Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-11-01.

Active ESD protection circuit

Номер патента: US09466972B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Constant current source based on self-oscillating soft-switching LLC converter topology

Номер патента: US09307587B1. Автор: Wei Xiong. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Motor bus switching

Номер патента: CA3216384A1. Автор: Darshan Harish Bhatt,Girish Potdar. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-04-14.

Electronic devices employing adiabatic logic circuits with wireless charging

Номер патента: US20180041210A1. Автор: YU PU,Giby Samson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Power switch deactivation driver

Номер патента: WO2023192160A1. Автор: Connie Jiang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-05.

Power switch deactivation driver

Номер патента: US20230318437A1. Автор: Connie Jiang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Power Factor Correction Circuits, Systems and Power Supplies Operable With Different Input Voltages

Номер патента: US20110075459A1. Автор: Vijay G. Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Modular strip lighting system

Номер патента: CA2947864C. Автор: Timothy D.F. Ford. Владелец: 9609385 Canada Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

A rail for inductively powering firearm accessories

Номер патента: CA2787144C. Автор: David Walter Compton,Gary Edward Crocker. Владелец: Colt Canada IP Holding Partnership. Дата публикации: 2020-09-01.

Auxiliary power supply system for high power loads in a hybrid/electric vehicle

Номер патента: US10960764B2. Автор: Paolo Grisleri,Omar Pighi,Alessandro Giacomazzo. Владелец: Ambarella International LP. Дата публикации: 2021-03-30.

Tracking power supplies and associated systems and methods

Номер патента: US20220407466A1. Автор: Alexandr Ikriannikov,Gaoling Zou,Laszlo Lipcsei,Alberto Giovanni Viviani. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

High bandwidth power supply system with high efficiency and low distortion

Номер патента: US20110018351A1. Автор: Serge Francois Drogi,Martin Tomasz,Brent Roger Jensen. Владелец: Quantance Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

High bandwidth power supply system with high efficiency and low distortion

Номер патента: EP2457133A1. Автор: Serge Francois Drogi,Martin Tomasz,Brent Roger Jensen. Владелец: Quantance Inc. Дата публикации: 2012-05-30.

Power multiplexing with flip-flops

Номер патента: WO2017052928A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Jeffrey GEMAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-30.

High bandwidth power supply system with high efficiency and low distortion

Номер патента: WO2011011135A1. Автор: Serge Francois Drogi,Martin Tomasz,Brent Roger Jensen. Владелец: QUANTANCE, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Power multiplexing with flip-flops

Номер патента: US09673787B2. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Jeffrey GEMAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Power management with flip-flops

Номер патента: US09473113B1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Harshat Pant,Divjyot Bhan,Parissa Najdesamii,Sai Pradeep Kochuri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

RF power amplifier and method of assembly for same

Номер патента: US9007125B2. Автор: Paulo Correa,Donald M. WIKE,Leonid MOGILEVSKY. Владелец: Empower RF Systems Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

Integrated circuit with configurable output cell

Номер патента: US20130108088A1. Автор: Dan Christian Raun Jensen,Palle Hegne PEDERSEN. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2013-05-02.

Startup procedure for international line powered DAA

Номер патента: US6674857B1. Автор: Donald R. Laturell,Michael S. Toth,Jonathan H. Fischer,Lane A. Smith,Keith E. Hollenbach,Weilin Zhu. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-01-06.

Maintaining an off-hook condition in a line powered daa during a call bridge

Номер патента: CA2322253C. Автор: Michael G. Williams,Donald Raymond Laturell,Michael S. Toth,Lane A. Smith,Jonathan Herman Fischer. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Image sensors with low-voltage transistors

Номер патента: US20190191116A1. Автор: Raminda Madurawe. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Multi-layer logic matrix based on a memristor switching cell

Номер патента: RU2682548C2. Автор: Александр Николаевич Бусыгин,Олег Васильевич Маевский,Александр Дмитриевич Писарев,Сергей Юрьевич Удовиченко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-19.

Ultra-low power accurate ranging and pc wake for wireless docking applications

Номер патента: US20240129973A1. Автор: Danilo O. Tan,Geroncio Ong Tan,Harpreet S. Narula. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-18.

Power distribution unit with a modular construction

Номер патента: US12114458B2. Автор: Adrian Riedo,Antoine ZEN-RUFFINEN,Julián BURELLA PÉREZ,Iacopo GIANGRANDI. Владелец: Riedo Networks AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Electromigration-aware layout generation

Номер патента: US09501602B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Power control of a memory device in connected standby state

Номер патента: US12106818B2. Автор: Bill Nale,George Vergis,Konika Ganguly,Aiswarya M. Pious,Raji JAMES,Phani K. Alaparthi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Runtime aging compensation and calibration

Номер патента: US12124320B2. Автор: Stephen KUSHNIR,Mazhar Moshirvaziri. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-10-22.

Power profile diagnostic system

Номер патента: US09514020B2. Автор: Richard Martin Tonry,Nikolai V. Vyssotski. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Dual-rail power equalizer

Номер патента: US09690365B2. Автор: Chia-Wei Wang,Hugh Thomas Mair,Uming Ko,Che-Wei WU,Yi-Te Chiu,Cheng-Hsing Chien,Lee-Kee Yong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Dynamic router power control in multi-core processors

Номер патента: US20160026227A1. Автор: Yan Solihin,Mazen Kharbutli. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

Storage device, multi-component device and method of controlling operation of the same

Номер патента: EP3989042A1. Автор: Hyuk Lee,Yongin LEE,Seunghyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-27.

Energy efficient vmin architecture for shared rails

Номер патента: US20240264651A1. Автор: Vijayakumar Ashok DIBBAD,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Nikhil Ashok BHELAVE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Dynamic router power control in multi-core processors

Номер патента: US09678550B2. Автор: Yan Solihin,Mazen Kharbutli. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Limits management for a processor power distribution network

Номер патента: WO2024054728A1. Автор: Lipeng Cao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-14.

Self-time scheme for optimizing performance and power in dual rail power supplies memories

Номер патента: US20190392889A1. Автор: Manish Trivedi,Dharin Nayeshbhai Shah. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Power multiplexer for integrated circuit power grid efficiency

Номер патента: US09690359B2. Автор: Tauseef Kazi,Lipeng Cao,Alain Dominique Artieri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for routing data and power to external devices

Номер патента: EP1766497A2. Автор: ANDREW FRANK. Владелец: Digi International Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

System and method for routing data and power to external devices

Номер патента: WO2005124515A2. Автор: ANDREW FRANK. Владелец: Digi International Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Data storage device power provisions

Номер патента: US11836358B2. Автор: Yu-Hung LI,Yu-Chen Cheng. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-05.

Enhanced security of power management communications and protection from side channel attacks

Номер патента: EP3311324A1. Автор: Ned M. Smith,Rajesh Poornachandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Enhanced security of power management communications and protection from side channel attacks

Номер патента: US09721093B2. Автор: Ned M. Smith,Rajesh Poornachandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems, methods and devices for standby power savings

Номер патента: WO2017105628A1. Автор: Barnes Cooper,Vidoot Ponnala Rathnakar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

System and method for reducing power delivery network complexity through local power multiplexers

Номер патента: US20170351315A1. Автор: Mikhail Popovich,Yuancheng Chris PAN,Juan Ochoa Munoz,Joon Hyung CHUNG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Systems, methods and devices for standby power savings

Номер патента: EP3391181A1. Автор: Barnes Cooper,Vidoot Ponnala Rathnakar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Automated redistribution layer power connections

Номер патента: EP4381416A1. Автор: Liane Martinez,Rajagopalan Venkatramani,Renato Dimatula Gaddi,Dennis Glenn Lozanta Surell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Automated redistribution layer power connections

Номер патента: US20230032595A1. Автор: Liane Martinez,Rajagopalan Venkatramani,Renato Dimatula Gaddi,Dennis Glenn Lozanta Surell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

On-chip power sequence validator and monitor

Номер патента: US20180088649A1. Автор: Donald L. Cheung,Anup Chakravarthi Suggula. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Runtime Aging Compensation and Calibration

Номер патента: US20240004455A1. Автор: Stephen KUSHNIR,Mazhar Moshirvaziri. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and Apparatus to Provide Dynamic Regulation of Power Assist Unit Output based on Active Profile

Номер патента: US20200133362A1. Автор: John E. Jenne,Terence K. Rodrigues. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-04-30.

Device and method for reconfigurable power conversion

Номер патента: US20160266639A1. Автор: Andreas C. DOERING,Rihards Dziedatajs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Input current limiting for redundant power supply loss on modular platforms

Номер патента: US12072746B2. Автор: Craig A. Klein,Alexander J. Hoganson,Geoff A. Dillon. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-27.

Device and method for reconfigurable power conversion

Номер патента: US09606616B2. Автор: Andreas C. DOERING,Rihards Dziedatajs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Using unused wires on very-large-scale integration chips for power supply decoupling

Номер патента: US10831980B2. Автор: David Wolpert,Alan P. Wagstaff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Dual-Rail Power Equalizer

Номер патента: US20160320821A1. Автор: Chia-Wei Wang,Hugh Thomas Mair,Uming Ko,Che-Wei WU,Yi-Te Chiu,Cheng-Hsing Chien,Lee-Kee Yong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Multi-rail power transition

Номер патента: US12125517B2. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim,Keun Soo Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Output driver level-shifting latch circuit for dual-rail memory

Номер патента: WO2024172820A1. Автор: Harold Pilo. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Power supply noise reduction circuit and power supply noise reduction method

Номер патента: US09921596B2. Автор: Liav Ben Artsi. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Signalling between independently powered electrical circuit cards

Номер патента: US6336591B1. Автор: Edward M. Staples,Gareth E. Allwright. Владелец: 3Com Technologies Ltd. Дата публикации: 2002-01-08.

Examining device

Номер патента: US20060212266A1. Автор: Chin-Liang Chen. Владелец: Mitac International Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Testable integrated circuit and test method

Номер патента: EP2191285A1. Автор: Laurent Souef,Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-02.

Power switching regulator with configurable storage voltage output

Номер патента: US20240219948A1. Автор: Manolis Terrovitis. Владелец: Atmosic Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device

Номер патента: US12094518B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-rail power transition

Номер патента: WO2022266575A1. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim,Keun Soo Song. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-22.

Power-Gating Techniques with Buried Metal

Номер патента: US20220122656A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Sony,Ayush Kulshrestha,Rajiv Kumar Sisodia. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Low power scheme for power down in integrated dual rail SRAMs

Номер патента: US11682434B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Low Power Scheme for Power Down in Integrated Dual Rail SRAMs

Номер патента: US20220319557A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Low Power Scheme for Power Down in Integrated Dual Rail SRAMs

Номер патента: US20230326492A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Spring loaded gearbox for power long rail assembly

Номер патента: EP4051529A1. Автор: Kai Zhao,Avery Folk,Detjon MARINI,Kristof M Kurzeja. Владелец: Magna Seating Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

Spring loaded gearbox for power long rail assembly

Номер патента: US12043142B2. Автор: Kai Zhao,Avery Folk,Detjon MARINI,Kristof M Kurzeja. Владелец: Magna Seating Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Long rail assembly for vehicle seat adjustment

Номер патента: US12043144B2. Автор: Kai Zhao,Cheikh DIOUM,Detjon MARINI,II Louis Vetere,Michael D Nacy. Владелец: Magna Seating Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Long rail assembly for vehicle seat adjustment

Номер патента: WO2020077209A8. Автор: Kai Zhao,Cheikh DIOUM,Detjon MARINI,Michael D. NACY,Louis VETERE II. Владелец: Magna Seating Inc.. Дата публикации: 2021-04-22.

Fluid spraying system and method for a mass transit vehicle

Номер патента: US09834095B2. Автор: Christian Girard,Richard Jacob. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2017-12-05.

Seat track device of vehicle

Номер патента: US20240001812A1. Автор: Byung Moon Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Conveyor system with automated carriers

Номер патента: US20210188560A1. Автор: Chad Martin Andreae,Bradley M. Andreae,Stephen C. Mann,Anthony C. Scoville. Владелец: SST Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Rotating climbing wall

Номер патента: US20240245967A1. Автор: Adam Eisenbarth,Nathaniel David Michael Miguel. Владелец: Nectar Climbing LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Conveyor system with automated carriers

Номер патента: US12098034B2. Автор: Chad Martin Andreae,Bradley M. Andreae,Stephen C. Mann,Anthony C. Scoville. Владелец: SST Systems Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Rotating climbing wall

Номер патента: WO2024158943A2. Автор: Adam Eisenbarth,Nathaniel David Michael Miguel. Владелец: Nectar Climbing, LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Vehicle Seat Adjustment System with Power Long Rails

Номер патента: US20240123871A1. Автор: RYAN Martin,Mircea Napau,Ioan Napau,Sapan Mahendra Poptani,Ileana Dacia Napau. Владелец: Fisher and Co Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Conveyor system with automated carriers

Номер патента: US20190308820A1. Автор: Chad Martin Andreae,Bradley M. Andreae,Stephen C. Mann,Anthony C. Scoville. Владелец: SST Systems Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Conveyor system with automated carriers

Номер патента: US20210188558A1. Автор: Chad Martin Andreae,Bradley M. Andreae,Stephen C. Mann,Anthony C. Scoville. Владелец: SST Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Large-tonnage slender externally powered curve rail-mounted unloading skip

Номер патента: US09878882B2. Автор: Wei Li,MIAO Wang,Guohua Cao,Yuxing PENG,Gongbo Zhou,Zhencai Zhu,Guoan Chen,Changhua Hu,Qingyong DU. Владелец: Xuzhou Coal Mine Safety Equipment Manufacture Co ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Remote operation of a powered burden rail car

Номер патента: US12097893B2. Автор: John D. Watson,Frank Wegner Donnelly,Tony MACIULEWICZ. Владелец: Rht Railhaul Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Electric coupling for rotary guideway switch

Номер патента: US5020441A. Автор: Thomas J. Burg. Владелец: AEG Westinghouse Transportation Systems Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Spring loaded gearbox for power long rail assembly

Номер патента: US20230294564A1. Автор: Kai Zhao,Avery Folk,Detjon MARINI,Kristof M Kurzeja. Владелец: Magna Seating Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Hanger trolley system

Номер патента: US09637137B2. Автор: Sang Kyu Park. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Rail transport vehicle electric energy storage and charging system

Номер патента: EP3802202A1. Автор: Mason Peter. Владелец: Vivarail Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

System for feeding livestock and robot

Номер патента: US20190021278A1. Автор: Cornelis Liet HENDRICUS. Владелец: Trioliet BV. Дата публикации: 2019-01-24.

Connected modular camper trailer systems and methods

Номер патента: US20220355720A1. Автор: Jonathan Moss,Scott Baldwin,Lili Melikian,Shinngaram Choi,Victor Acuña,Dillon KANE,Matthew Staal,Kyle HARP. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Auxiliary device mounting system for firearms

Номер патента: US09696111B2. Автор: Marschell B Saadon. Владелец: Fxd LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Power collection apparatus for a transportation system

Номер патента: CA1081540A. Автор: William R. Segar,Robert A. Larson. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Transmission system for power long rail assembly

Номер патента: EP4054889A1. Автор: Kai Zhao,Kristof M. Kurzeja,Avery Folk,Detjon MARINI. Владелец: Magna Seating Inc. Дата публикации: 2022-09-14.

Steam power rail bending machine

Номер патента: CA48862A. Автор: George Edward Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1895-05-07.

RAIL CONTACTS FOR ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20120131837A1. Автор: . Владелец: Prototype Productions, Inc.. Дата публикации: 2012-05-31.

SETTINGS BASED ON OUTPUT POWERED BY LOW POWER STATE POWER RAIL

Номер патента: US20130290740A1. Автор: Ziarnik Gregory P.,Durham Michael R.,Higham Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SYSTEM FOR PROVIDING ELECTRICAL POWER TO ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20120144714A1. Автор: Cabahug Eric F.,Dodd James S.,Feldman Ben. Владелец: Prototype Productions Incorporated Ventures. Дата публикации: 2012-06-14.

ELECTRICAL POWER CONNECTOR SYSTEM INCLUDING POWER RAIL

Номер патента: US20120094512A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

Variable Input Voltage PFC Circuits, Systems and Power Supplies With Phase Shifted Power Rails

Номер патента: US20120224401A1. Автор: . Владелец: Astec International Limited. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD AND APPARATUS FOR INDICATING MULTI-POWER RAIL STATUS OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120030488A1. Автор: Fung Richard W.,Lau Ricky,Ng Ju Tung. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-02-02.

System including adaptive power rails and related method

Номер патента: US20120062311A1. Автор: Wu Jiangfeng,Chen Chun-Ying. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-15.

COATED POWER RAIL

Номер патента: US20120073923A1. Автор: Beardsley M. Brad,Gerke Daniel Herbert,Sharp Robert E.,Bridges Mike. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

COMMUNICATION AND CONTROL OF ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20120144716A1. Автор: Cabahug Eric F.,Dodd James S.,Feldman Ben,Schroeder John. Владелец: Prototype Productions, Inc.. Дата публикации: 2012-06-14.

Integrated Circuit Layouts with Power Rails under Bottom Metal Layer

Номер патента: US20120280287A1. Автор: Lin Shyue-Shyh,TIEN Li-Chun,SUE Pin-Dai,Chen Shu-Min,Hou Yung-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-08.

Voltage regulation of a virtual power rail

Номер патента: US20130027123A1. Автор: Idgunji Sachin Satish,Sandhu Bal S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

COMMUNICATION AND CONTROL OF ACCESSORIES MOUNTED ON THE POWERED RAIL OF A WEAPON

Номер патента: US20130185978A1. Автор: Miller Tyler,Dodd James S.,Feldman Ben,Jordan Terrance,Paulsen Greg. Владелец: Prototype Productions, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

POWER RAIL ASSEMBLY

Номер патента: US20130214102A1. Автор: HUANG Wei-Chia,WONG You-Gang. Владелец: WISTRON CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

ELECTRO-STATIC DISCHARGE CLAMP (ESD) FOR NxVDD POWER RAIL

Номер патента: US20130235497A1. Автор: MA Wei Yu. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DIE WITH POWER RAIL PADS

Номер патента: US20140021621A1. Автор: Tan Lan Chu,Kalandar Navas Khan Oratti,Low Boon Yew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-01-23.

POWERED RAIL SYSTEM FOR A WEAPON

Номер патента: US20140059911A1. Автор: MULFINGER ROBERT NEIL,OH LAWRENCE SE-JUN. Владелец: Tycon Electronics Corporation. Дата публикации: 2014-03-06.

POWER-RAIL ELECTRO-STATIC DISCHARGE (ESD) CLAMP CIRCUIT

Номер патента: US20140063663A1. Автор: Ker Ming-Dou,Jiang Ryan Hsin-Chin,ALTOLAGUIRRE Federico Agustin. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Power rail accessory for transformer substation

Номер патента: CN213330293U. Автор: 彭光辉. Владелец: Jiangsu Hengkang Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

The trigger circuit structure of ic power rail antistatic protection

Номер патента: CN103151350B. Автор: 张波,樊航,柯明道,盛玉荣. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-07-29.

Power rail special for lead storage battery

Номер патента: CN211919947U. Автор: 宗伟,吴振锋,李宗强,董建兴,李京兵,孙先锋,徐晓理. Владелец: Shandong Langyun Industrial Design Co ltd. Дата публикации: 2020-11-13.

Electric power rail convenient to overhaul

Номер патента: CN205089059U. Автор: 李超,朱伟,侯庆雷,崔大明,王为帅,夏洪强,李峻,孙启鹏,秦贺. Владелец: Zaozhuang Power Supply Co of State Grid Shandong Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

A kind of integrated driving power rail vehicle lamp

Номер патента: CN207999716U. Автор: 赵龙,刘玉文,王冰松,韩志卫,李勇序. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Electric power rail convenient to dismouting

Номер патента: CN212105425U. Автор: 季仁芝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-08.

Power rail design method, apparatus and non-transitory computer readable medium thereof

Номер патента: CN112749526A. Автор: 高淑怡,许家荣,陈志展,黄晟宸,吴韵如,林欣樟,林立镒. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Anti-climbing electric power rail

Номер патента: CN105257086A. Автор: 曾凯涛. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-20.

Power rail mounting vehicle for magnetic-suspension train

Номер патента: CN1273324C. Автор: 胡刚,吴祥明,刘武君,李耀成,陈廷康,陈若彦,钱呈祥,潘家刘,肖信良. Владелец: Shanghai Maglev Transportation Development Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-06.

Electrically powered rail or road vehicle.

Номер патента: AT133942B. Автор: . Владелец: SUEDDEUTSCHE EISENBAHN GES. Дата публикации: 1933-06-26.

A kind of magnetic floats power rail-collector shoe Performance Test System and test method

Номер патента: CN109945929A. Автор: 刘娟,张鹏飞,李忠齐,李增勤,强力,关金发,吕梁. Владелец: China Iron And High - Speed Electrical Equipment Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2019-06-28.

Electrical insulator for fixing electric power rail

Номер патента: CN101345104B. Автор: 曾鉴. Владелец: Chengdu Jinhe Industry & Trade Co ltd. Дата публикации: 2010-12-01.

A kind of power rail supporting component being applicable to Maglev Project

Номер патента: CN204936868U. Автор: 黄冬亮. Владелец: China Railway Siyuan Survey and Design Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Systems for Electric Railways.

Номер патента: GB190713032A. Автор: Arthur Clarke Eastwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-06-04.

DIE CONNECTION MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001642A1. Автор: Hodge Richard H.,Sylvester Jeffry S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.