Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160211265A1
Опубликовано: 21-07-2016
Автор(ы): Jagannathan Hemanth, Reznicek Alexander
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING NFET SEMICONDUCTOR FINS AND PFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160093618A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20170256546A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

SEMICONDUCTOR FIN DEVICES AND METHOD OF FARICATING THE SEMICONDUCTOR FIN DEVICES

Номер патента: US20150249087A1. Автор: Lee Jae-hwan,Kim Sangsu,CANTORO Mirco,KWON TaeYong. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Field effect transistors with gate electrode self-aligned to semiconductor fin

Номер патента: US11996447B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20240304724A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US12021142B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Techniques for forming dual-strain fins for co-integrated n-mos and p-mos devices

Номер патента: WO2018125120A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Techniques for co-integrating transition metal dichalcogenide (tmdc)-based and iii-n semiconductor-based transistor devices

Номер патента: US20180308965A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20220367715A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20200303548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20220181442A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

MID-PROCESSING REMOVAL OF SEMICONDUCTOR FINS DURING FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Jain Anurag,LIAO Szuya S.,Baykan Mehmet O.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-16.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20200321435A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-08.

With the field effect transistor with the self-aligning gate electrode of semiconductor fin

Номер патента: CN109478566A. Автор: T.加尼,J.T.卡瓦利罗斯,C.S.莫哈帕特拉,A.S.墨菲,W.拉克马迪,M.V.梅茨,S.T.马,G.德韦. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-15.

Single source/drain epitaxy for co-integrating nFET semiconductor fins and pFET semiconductor fins

Номер патента: US09659938B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09385218B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for improving bridging between source/drain epitaxial layer and gate

Номер патента: US20230143668A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for semiconductor device fabrication with improved source drain epitaxy

Номер патента: US09748389B1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

TECHNIQUES FOR CO-INTEGRATING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE (TMDC)-BASED AND III-N SEMICONDUCTOR-BASED TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20180308965A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-25.

TECHNIQUES FOR FORMING DUAL-STRAIN FINS FOR CO-INTEGRATED N-MOS AND P-MOS DEVICES

Номер патента: US20190326290A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,Murthy Anand S.,BOWONDER Anupama. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor Structure and Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20200251594A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

METHOD OF FORMING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL STACKS

Номер патента: US20200303548A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,YANG Huai-Tei,MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-24.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160329428A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor Structure and Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20210296498A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for semiconductor device fabrication with improved source drain epitaxy

Номер патента: KR20170112912A. Автор: 펑청 양,웨이양 리,쯔시앙 쉬,팅예 천. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-10-12.

Verfahren zur Halbleitervorrichtungsherstellung mit verbesserter Source-Drain-Epitaxie

Номер патента: DE102016119017B4. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR PROVIDING SOURCE-DRAIN EPITAXY LAYER WITH LATERAL OVER-GROWTH SUPPRESSION

Номер патента: US20160268257A1. Автор: Lim Kwan-Yong,Prindle Christopher Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

High germanium content FinFET devices having the same contact material for nFET and pFET devices

Номер патента: US09449885B1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and structure to form tensile strained SiGe fins and compressive strained SiGe fins on a same substrate

Номер патента: US09754941B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and structure to form tensile strained sige fins and compressive strained sige fins on a same substrate

Номер патента: US20160358922A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Single source/drain epitaxy for co-integrating nFET semiconductor fins and pFET semiconductor fins

Номер патента: US10304831B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20210242217A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20190109141A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20180308852A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20200066734A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Flexible merge scheme for source/drain epitaxy regions

Номер патента: US11856743B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Flexible merge scheme for source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20240098959A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing source/drain epitaxial layer of fdsoi mosfet

Номер патента: US20240170344A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Jiaqi Hong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Nanosheet field effect transistor with a source drain epitaxy replacement

Номер патента: US11942374B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with source/drain epitaxial layer

Номер патента: US11996323B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Ching-Yu Yang,Chung-Hao Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Vertical transistor with late source/drain epitaxy

Номер патента: US11996480B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Asymmetric source/drain epitaxy

Номер патента: US11854897B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Asymmetric source/drain epitaxy

Номер патента: US20240105516A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for co-integration of III-V devices with group IV devices

Номер патента: US11557503B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Liesbeth Witters. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-01-17.

Nanosheet substrate isolated source/drain epitaxy via airgap

Номер патента: US20200044023A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

ELIMINATING FIELD OXIDE LOSS PRIOR TO FINFET SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160276345A1. Автор: Yu Hong,Zang Hui,Liu Bingwu,ZHAO Lun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20240204044A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US20190229195A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US20170221993A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US09614040B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Forming IV fins and III-V fins on insulator

Номер патента: US09543302B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Forming iv fins and iii-v fins on insulator

Номер патента: US20160126244A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN AND DUAL LINER

Номер патента: US20170069630A1. Автор: LEE Sang-Woo,CHA Ji-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor fin loop for use with diffusion break

Номер патента: US09984932B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100626B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Lateral confinement of source drain epitaxial growth in non-planar transistor for cell height scaling

Номер патента: EP4109554A1. Автор: Nitesh Kumar,Mohammed Hasan,Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Vivek Thirtha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Formation of cavity spacer and source-drain epitaxial growth for scaling of gate-all-around transistors

Номер патента: EP4454004A1. Автор: Mohammad Hassan,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Vivek Thirtha,Nilesh Kumar,Ritesh Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL STRUCTURES FOR SEMICONDCUTOR DEVICES

Номер патента: US20220102220A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-31.

TRANSISTOR SOURCE/DRAIN EPITAXY BLOCKER

Номер патента: US20220285491A1. Автор: Yuan Jun,Lin Ming-Huei,CHANG Lunwei. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A SOURCE DRAIN EPITAXY REPLACEMENT

Номер патента: US20220406664A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

LATERAL CONFINEMENT OF SOURCE DRAIN EPITAXIAL GROWTH IN NON-PLANAR TRANSISTOR FOR CELL HEIGHT SCALING

Номер патента: US20220416044A1. Автор: Ghani Tahir,Kumar Nitesh,MEHTA Nikhil,Hasan Mohammed,THIRTHA Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Source/drain epitaxy process in stacked fet

Номер патента: US20240030284A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Formation of cavity spacer and source-drain epitaxial growth for scaling of gate-all-around transistors

Номер патента: WO2023121813A1. Автор: Mohammad Hassan,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Vivek Thirtha,Nilesh Kumar,Ritesh Das. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US09640533B2. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09443854B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US20160268257A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US20170200797A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Transistor source/drain epitaxy blocker

Номер патента: WO2022186909A1. Автор: Jun Yuan,Ming-Huei Lin,Lunwei CHANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-09.

Method For Growing Multiple Layers of Source Drain Epitaxial Silicon in FDSOI Process

Номер патента: US20230274984A1. Автор: PENG Zhao,Nan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Source/drain epitaxial electrical monitor

Номер патента: US09972550B2. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor fins with dielectric isolation at fin bottom

Номер патента: US11043429B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-22.

Forming Isolation Regions for Separating Fins and Gate Stacks

Номер патента: US20240304496A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Forming isolation regions for separating fins and gate stacks

Номер патента: US20210335670A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Forming isolation regions for separating fins and gate stacks

Номер патента: US12027423B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device structure with fin and method for forming the same

Номер патента: US20230317829A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Hsiang FAN,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Kai Tak Lam,Chieh-Chun CHIANG,Kuo-An Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US10734385B2. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US20190378839A1. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US20190378840A1. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor fin isolation by a well trapping fin portion

Номер патента: US9496258B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20200075598A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Silicon-germanium Fins and methods of processing the same in field-effect transistors

Номер патента: US12136651B2. Автор: Chih-Chung Chang,Che-Yuan Hsu,Hung-Ju Chou,Jiun-Ming Kuo,Chen-Hsuan Liao,Yu-Shan Lu,Pei-Ling Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor devices including active fins and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728601B2. Автор: Shigenobu Maeda,Dong-Woo Kim,Do-Sun LEE,Chang-Woo SOHN,Young-Moon Choi,Yong-Bum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon-germanium fins and methods of processing the same in field-effect transistors

Номер патента: US20230387213A1. Автор: Chih-Chung Chang,Che-Yuan Hsu,Hung-Ju Chou,Jiun-Ming Kuo,Chen-Hsuan Liao,Yu-Shan Lu,Pei-Ling Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

CMOS FinFET Device Having Strained SiGe Fins and a Strained Si Cladding Layer on the NMOS Channel

Номер патента: US20190035893A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20230170388A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Daedalus Prime LLC. Дата публикации: 2023-06-01.

CMOS FinFET Device Having Strained SiGe Fins and a Strained Si Cladding Layer on the NMOS Channel

Номер патента: US20190035893A1. Автор: Ghani Tahir,Kuhn Kelin J.,Cea Stephen M.,Kotlyar Roza,Kennel Harold W.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

CMOS FINFET DEVICE HAVING STRAINED SIGE FINS AND A STRAINED SI CLADDING LAYER ON THE NMOS CHANNEL

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Ghani Tahir,Kuhn Kelin J.,Cea Stephen M.,Kotlyar Roza,Kennel Harold W.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor structure containing semiconductor fins and insulating fence fins on a same substrate

Номер патента: US09564438B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20210328047A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20230290866A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US11695063B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCLUDING LATERALLY RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXIAL REGION AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180286863A1. Автор: Sheraw Christopher D.,McArdle Timothy J.,PARK Mira,Holt Judson R.,Stoker Matthew W.,MULFINGER George R.,Yang Yinxiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Stress modulation of nfet and pfet fin structures

Номер патента: US20200126867A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,James Kelly,Richard A. Conti,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Stress modulation of nfet and pfet fin structures

Номер патента: US20200266111A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,James Kelly,Richard A. Conti,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Introducing self-aligned dopants in semiconductor fins

Номер патента: US09698018B1. Автор: Xintuo Dai,Jinping Liu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Metal oxide interlayer structure for nfet and pfet

Номер патента: US20240194762A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Hybrid source drain regions formed based on same fin and methods forming same

Номер патента: US12119270B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Shih-Cheng Chen,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Hybrid source drain regions formed based on same fin and methods forming same

Номер патента: US20240363440A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Shih-Cheng Chen,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20210066469A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Metal Oxide Interlayer Structure for NFET and PFET

Номер патента: US20230223459A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Metal oxide interlayer structure for nFET and pFET

Номер патента: US11916128B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Utilizing multilayer gate spacer to reduce erosion of semiconductor fin during spacer patterning

Номер патента: US20190006506A1. Автор: Hong He,Andrew M. Greene,Eric R. Miller,Sivananda K. Kanakasabapathy,Pietro Montanini,Gauri Karve. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Cutting fins and gates in CMOS devices

Номер патента: US09721848B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,John R. Sporre,Dechao Guo,Huiming Bu,Sivananda K. Kanakasabapathy,Gen Tsutsui,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Balasubramanian S. Pranatharthiharan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

CMOS structures with selective tensile strained NFET fins and relaxed PFET fins

Номер патента: US09349798B1. Автор: Hong He,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US20160268416A1. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device including non-active fins and separation regions

Номер патента: US20190288114A1. Автор: Cheol Kim,Jong Chul Park,Kye Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Techniques for forming finFET transistors with same fin pitch and different source/drain epitaxy configurations

Номер патента: US10312325B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122902A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122903A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device including source/drain epitaxial layer having facets and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105888A1. Автор: Chao-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Engineered substrate and device for co-integration of strained silicon and relaxed silicon

Номер патента: US9209065B1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-08.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20200066734A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20190123200A1. Автор: Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,HSU Tzu-Hsiang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD OF FORMING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL STACKS

Номер патента: US20190148551A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,YANG Huai-Tei,MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH IN VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200161451A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20210242217A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

STRAINED SILICON GERMANIUM FIN WITH BLOCK SOURCE/DRAIN EPITAXY AND IMPROVED OVERLAY CAPACITANCE

Номер патента: US20170221993A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

STRAINED SILICON GERMANIUM FIN WITH BLOCK SOURCE/DRAIN EPITAXY AND IMPROVED OVERLAY CAPACITANCE

Номер патента: US20190229195A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

NANOSHEET MOSFET WITH PARTIAL RELEASE AND SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180254329A1. Автор: Guillorn Michael A.,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Hook Terence B.,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20170373189A1. Автор: Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,HSU Tzu-Hsiang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Confined source/drain epitaxy regions and method forming same

Номер патента: US11948971B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Close proximity and lateral resistance reduction for bottom source/drain epitaxy in vertical transistor devices

Номер патента: US20190393343A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Close proximity and lateral resistance reduction for bottom source/drain epitaxy in vertical transistor devices

Номер патента: US20190245083A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10134874B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SILICON GERMANIUM FINS AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20170179127A1. Автор: Cheng Kangguo,Bedell Stephen W.,Fronheiser Jody A.,Holt Judson R.,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Stacked trigate transistors with dielectric isolation between first and second semiconductor fins

Номер патента: US11594533B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363437A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200403084A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming semiconductor device with helmet structure between two semiconductor fins

Номер патента: US11942476B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09673197B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230326807A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09985117B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09716046B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09601514B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Merged source drain epitaxy

Номер патента: US09437496B1. Автор: Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,Edward P. Maciejewski,Chengwen Pei,Kevin McStay,Shreesh Narasimha,Werner A. Rausch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Finfet with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Vertical Gate-All-Around Transistor with Top and Bottom Source/Drain Epitaxy on a Replacement Nanowire, and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180190769A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09892925B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09558950B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09576806B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09391173B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160043082A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Asymmetric Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180151439A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

SCALABLE VERTICAL TRANSISTOR BOTTOM SOURCE-DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20210210631A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Vertical Gate-All-Around Transistor with Top and Bottom Source/Drain Epitaxy on a Replacement Nanowire, and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180190769A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR PROVIDING SOURCE-DRAIN EPITAXY LAYER WITH LATERAL OVER-GROWTH SUPPRESSION

Номер патента: US20170200797A1. Автор: Lim Kwan-Yong,Prindle Christopher Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Asymmetric Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180286759A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Asymmetric Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20190287859A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY BY NITROGEN IMPLANTATION

Номер патента: US20190341316A1. Автор: Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20200403099A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Scalable vertical transistor bottom source-drain epitaxy

Номер патента: US11335804B2. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Asymmetric source/drain epitaxy

Номер патента: US9991165B1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US9741807B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US9536879B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20210119051A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20200403099A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

NFET and PFET with Different Fin Numbers in FinFET Based CFET

Номер патента: US20240282772A1. Автор: Jin Cai,Cheng-Ting Chung,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

STRUCTURE AND METHOD TO FORM DEFECT FREE HIGH-MOBILITY SEMICONDUCTOR FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20180219026A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

STRUCTURE AND METHOD TO FORM DEFECT FREE HIGH-MOBILITY SEMICONDUCTOR FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20170309647A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

DEVICE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE

Номер патента: US20190305108A1. Автор: Wang Yan,ZHANG HAIYANG. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

METHOD AND DEVICE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE

Номер патента: US20170352739A1. Автор: Wang Yan,ZHANG HAIYANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for probing semiconductor fins and determining carrier concentrations therein

Номер патента: US09349659B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Ling-Yen Yeh,Chi-Yuan Shih,Wei-Chun Tsai,Yuan-Fu Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

A semiconductor structure and a method for cutting a semiconductor fin

Номер патента: EP3675159A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US20160329403A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US10304929B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US20160049513A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US20170317172A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US9711598B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US09711598B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Two-dimensional condensation for uniaxially strained semiconductor fins

Номер патента: US09419140B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Markus Kuhn,Stephen M. Cea,Been-Yih Jin,Nancy Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods for Probing Semiconductor Fins and Determining Carrier Concentrations

Номер патента: US20160268174A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Ling-Yen Yeh,Chi-Yuan Shih,Wei-Chun Tsai,Yuan-Fu Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for probing semiconductor fins through four-point probe and determining carrier concentrations

Номер патента: US09627280B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Ling-Yen Yeh,Chi-Yuan Shih,Wei-Chun Tsai,Yuan-Fu Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure and method to form defect free high-mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US9941302B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure and method to form defect free high-mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20180219026A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Structure and method to form defect free high-mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20170309647A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Fin structures and multi-Vt scheme based on tapered fin and method to form

Номер патента: US09583625B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680022B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure with a silicon germanium alloy fin and silicon germanium alloy pad structure

Номер патента: US09761667B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Forming iv fins and iii-v fins on insulator

Номер патента: US20160093695A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor structure with a silicon germanium alloy fin and silicon germanium alloy pad structure

Номер патента: US20170033182A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Multi-fin finfet device including epitaxial growth barrier on outside surfaces of outermost fins and related methods

Номер патента: US20150303285A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-10-22.

Multi-fin FINFET device including epitaxial growth barrier on outside surfaces of outermost fins and related methods

Номер патента: US9419111B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Multi-fin finfet device including epitaxial growth barrier on outside surfaces of outermost fins and related methods

Номер патента: US20200161299A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor Fin Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240282638A1. Автор: Chia-Hui Lin,Shih-Wen Huang,Jei Ming CHEN,Jaming CHANG,Kai Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-fin FINFET device including epitaxial growth barrier on outside surfaces of outermost fins and related methods

Номер патента: US09419111B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Multi-fin finfet device including epitaxial growth barrier on outside surfaces of outermost fins and related methods

Номер патента: US20210327874A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-10-21.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US09653305B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Selective removal of semiconductor fins

Номер патента: US09613954B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor arrangement with multiple-height fins and substrate trenches

Номер патента: US09515184B2. Автор: Chen Chu-Hsuan,Chen Kuang-Hsin,Tsung-Yu CHIANG,Hsin-Lung Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Guard rings including semiconductor fins and regrown regions

Номер патента: US09875942B2. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

FinFETs having epitaxial capping layer on fin and methods for forming the same

Номер патента: US09520502B2. Автор: Hou-Yu Chen,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Epitaxial oxide fin segments to prevent strained semiconductor fin end relaxation

Номер патента: US09704860B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Local thinning of semiconductor fins

Номер патента: US09431523B2. Автор: Kangguo Cheng,Carl J. Radens,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Epitaxial oxide fin segments to prevent strained semiconductor fin end relaxation

Номер патента: US10957694B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Epitaxial oxide fin segments to prevent strained semiconductor fin end relaxation

Номер патента: US20180096997A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Epitaxial oxide fin segments to prevent strained semiconductor fin end relaxation

Номер патента: US10249622B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Epitaxial oxide fin segments to prevent strained semiconductor fin end relaxation

Номер патента: US20190172827A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor fins with dielectric isolation at fin bottom

Номер патента: US20190311955A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor Fin cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US11990375B2. Автор: Chia-Hui Lin,Shih-Wen Huang,Jei Ming CHEN,Jaming CHANG,Kai Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor fins with dielectric isolation at fin bottom

Номер патента: US20200152520A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Guard rings including semiconductor fins and regrown region

Номер патента: US9514989B2. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Guard rings including semiconductor fins and regrown region

Номер патента: US09514989B2. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Selective removal of semiconductor fins

Номер патента: US20170178960A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor Device with Semiconductor Fins and Floating Gate

Номер патента: US20130285135A1. Автор: Frank Hui,Neal Kistler. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Finfet With Dummy Fins And Methods Of Making The Same

Номер патента: US20230327005A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Finfet with dummy fins and methods of making the same

Номер патента: US20210320188A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device with helmet structure between two semiconductor fins

Номер патента: US20240194675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Epitaxial and silicide layer formation at top and bottom surfaces of semiconductor fins

Номер патента: US20180076299A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Epitaxial and silicide layer formation at top and bottom surfaces of semiconductor fins

Номер патента: US9882024B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Convergent fin and nanostructure transistor structure and method

Номер патента: US20220328625A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US20160155809A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-02.

Guard Rings including Semiconductor Fins and Regrown Regions

Номер патента: US20170084495A1. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Guard Rings Including Semiconductor Fins and Regrown Regions

Номер патента: US20180144989A1. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

High mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20190259672A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor fin structure and method of forming the same

Номер патента: US10056467B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Semiconductor fin structures and methods for forming the same

Номер патента: US09633905B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Bulk semiconductor fins with self-aligned shallow trench isolation structures

Номер патента: US09406545B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of forming semiconductor fin structure

Номер патента: US20180286966A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Densely spaced fins for semiconductor fin field effect transistors

Номер патента: US20160027776A1. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

SEMICONDUCTOR FIN ISOLATION BY A WELL TRAPPING FIN PORTION

Номер патента: US20170040320A1. Автор: Cheng Kangguo,Shang Huiling,Vega Reinaldo A.,Divakaruni Ramachandra,Utomo Henry K.,Ramachandran Ravikumar. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Densely spaced fins for semiconductor fin field effect transistors

Номер патента: US9508713B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Densely spaced fins for semiconductor fin field effect transistors

Номер патента: US9728534B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor fin structure and method of forming the same

Номер патента: US20170278947A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

SEMICONDUCTOR FIN ISOLATION BY A WELL TRAPPING FIN PORTION

Номер патента: US20150021625A1. Автор: Cheng Kangguo,Shang Huiling,Vega Reinaldo A.,Divakaruni Ramachandra,Utomo Henry K.,Ramachandran Ravikumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

EPITAXIAL OXIDE FIN SEGMENTS TO PREVENT STRAINED SEMICONDUCTOR FIN END RELAXATION

Номер патента: US20180096997A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

EPITAXIAL OXIDE FIN SEGMENTS TO PREVENT STRAINED SEMICONDUCTOR FIN END RELAXATION

Номер патента: US20190172827A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

MULTI-ORIENTATION SOI SUBSTRATES FOR CO-INTEGRATION OF DIFFERENT CONDUCTIVITY TYPE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160181276A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20190189802A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US09466718B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL ELECTRICAL MONITOR

Номер патента: US20170098585A1. Автор: Nowak Edward J.,Robison Robert R.,Logan Lyndon R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122902A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122903A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20170352727A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Integrated Circuit with a Fin and Gate Structure and Method Making the Same

Номер патента: US20240274694A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices with dielectric fins and method for forming the same

Номер патента: US11735591B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Different shallow trench isolation fill in fin and non-fin regions of finFET

Номер патента: US09704994B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having a plurality of fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09659932B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

FinFET device with epitaxial structures that wrap around the fins and the method of fabricating the same

Номер патента: US09865595B1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Interfacial Layer Between Fin and Source/Drain Region

Номер патента: US20210193831A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Chii-Horng Li,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Tzu-Hsiang HSU,Yan-Ting Lin,Heng-Wen Ting,Chih-Yun CHIN,Roger Tai,Davie Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor devices having fins and an isolation region

Номер патента: US20230378175A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices with dielectric fins and method for forming the same

Номер патента: US20230387124A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of manufacturing semiconductor devices having fins and an isolation region

Номер патента: US11798942B2. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit with a fin and gate structure and method making the same

Номер патента: US11961900B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Different shallow trench isolation fill in fin and non-fin regions of finfet

Номер патента: US20180102277A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIN AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIN AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIN AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIN AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated Circuit with a Fin and Gate Structure and Method Making the Same

Номер патента: US20200135890A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AN ISOLATION LAYER ON A FIN AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AN ISOLATION LAYER ON A FIN

Номер патента: US20160043170A1. Автор: Park Sang-Jine,Yoon Bo-Un,JEON Ha-Young,CHOI Won-Sang,Gil Yeon-Jin,Yun Ji-Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Source/drain epitaxial layers for transistors

Номер патента: US20230299180A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Diamond shaped source drain epitaxy with underlying buffer layer

Номер патента: US09577099B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Eric C. T. Harley,Yue Ke. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Cleaning process for source/drain epitaxial structures

Номер патента: US11854831B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Cleaning process for source/drain epitaxial structures

Номер патента: US20240096646A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Spacer cut for asymmetric source/drain epitaxial structure in stacked fet

Номер патента: US20240162319A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Diamond shaped source drain epitaxy with underlying buffer layer

Номер патента: US20160268413A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Eric C. T. Harley,Yue Ke. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Nanosheet isolated source/drain epitaxy by surface treatment and incubation delay

Номер патента: US10256301B1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Two-stage top source drain epitaxy formation for vertical field effect transistors enabling gate last formation

Номер патента: US20210193527A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20190140052A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09461146B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Nanosheet isolated source/drain epitaxy by surface treatment and incubation delay

Номер патента: US20190221640A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180240873A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Source/drain epitaxial layer profile

Номер патента: US11942547B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Source/drain epitaxial layer profile

Номер патента: US20240194784A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-orientation SOI substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US09502243B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

OVERHANG HARDMASK TO PREVENT PARASITIC EPITAXIAL NODULES AT GATE END DURING SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170053803A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

OVERHANG HARDMASK TO PREVENT PARASITIC EPITAXIAL NODULES AT GATE END DURING SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170053805A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY BY COUNTER-DOPED BOTTOM EPITAXY

Номер патента: US20190221638A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Method for fabricating a field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy

Номер патента: US11894424B2. Автор: Seung Hwan Lee,Jin Su Jeong,Rock Hyun Baek,Jun Sik Yoon. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-02-06.

Nanosheet substrate isolated source/drain epitaxy by counter-doped bottom epitaxy

Номер патента: US20190221638A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Multi-orientation soi substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US20160181276A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200273993A1. Автор: Chii-Horng Li,Chih-Shan Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Ru LEE,Tzu-Ching Lin,Roger Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200052121A1. Автор: Chii-Horng Li,Chih-Shan Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Ru LEE,Tzu-Ching Lin,Roger Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL LAYER PROFILE

Номер патента: US20200006560A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Chuang Kun-Tsang,SINGH Gulbagh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

Source/Drain Epitaxial Layer Profile

Номер патента: US20210013343A1. Автор: Chuang Kun-Tsang,SINGH Gulbagh,Chen Hsin-Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-14.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-02-01.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY VIA AIRGAP

Номер патента: US20200044023A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200052121A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

NANOSHEET MOSFET WITH ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY AND CLOSE JUNCTION PROXIMITY

Номер патента: US20200052124A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY BY NITROGEN IMPLANTATION

Номер патента: US20190109052A1. Автор: Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20190109141A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,YU Chia-Ta,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL LAYER HAVING FACETS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200105888A1. Автор: HSU Chao-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20190140052A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

MASKLESS TOP SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH ON VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200135585A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20200152791A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

TWO-STAGE TOP SOURCE DRAIN EPITAXY FORMATION FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS ENABLING GATE LAST FORMATION

Номер патента: US20210193527A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

WRAP AROUND CONTACT FOR NANOSHEET SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20210193829A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Yu Ming-Hua,YANG Tsung-Hsi,KWOK Tsz-Mei,Yu Jeng-Wei,Chou Li-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190189777A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20170222053A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Nanosheet isolated source/drain epitaxy by surface treatment and incubation delay

Номер патента: US20190221640A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229204A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229205A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180240873A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

MASKLESS TOP SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH ON VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200235015A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

CLOSE PROXIMITY AND LATERAL RESISTANCE REDUCTION FOR BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY IN VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190245083A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

DIAMOND SHAPED SOURCE DRAIN EPITAXY WITH UNDERLYING BUFFER LAYER

Номер патента: US20160268413A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Utomo Henry K.,KE YUE,Harley Eric C. T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200273993A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20150303281A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

CONFINED SOURCE DRAIN EPITAXY TO REDUCE SHORTS IN CMOS INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200295200A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20180308852A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,YU Chia-Ta,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

NANORIBBON STRUCTURES WITH RECESSED SOURCE-DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190305135A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

V-SHAPE RECESS PROFILE FOR EMBEDDED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180337283A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352742A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190393341A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

CLOSE PROXIMITY AND LATERAL RESISTANCE REDUCTION FOR BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY IN VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190393343A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

Номер патента: US20200403064A1. Автор: LEE Seung Hwan,JEONG Jin Su,BAEK Rock Hyun,YOON Jun Sik. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL LAYER PROFILE

Номер патента: US20220359751A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Chuang Kun-Tsang,SINGH Gulbagh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

Номер патента: KR102183131B1. Автор: 이승환,정진수,윤준식,백록현. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-26.

Effective junction formation in vertical transistor structures by engineered bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10763343B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Source/drain epitaxial layers for transistors

Номер патента: US20210305403A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Source/drain epitaxial layer profile

Номер патента: US10790391B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20200152791A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20190393341A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20170222053A1. Автор: Chii-Horng Li,Chih-Shan Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Ru LEE,Tzu-Ching Lin,Roger Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

CMOS NFET and PFET comparable spacer width

Номер патента: US09627382B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Vertical fet with different channel orientations for nfet and pfet

Номер патента: US20180240716A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Dummy fin between first and second semiconductor fins

Номер патента: US12142609B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20210066469A1. Автор: Wang Chih-hao,CAO Min,Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Yeong Sai-Hooi,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20220045192A1. Автор: Wang Chih-hao,CAO Min,Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Yeong Sai-Hooi,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

SHARED CONTACT TRENCH COMPRISING DUAL SILICIDE LAYERS AND DUAL EPITAXIAL LAYERS FOR SOURCE/DRAIN LAYERS OF NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20200058562A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

SHARED CONTACT TRENCH COMPRISING DUAL SILICIDE LAYERS AND DUAL EPITAXIAL LAYERS FOR SOURCE/DRAIN LAYERS OF NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20200058563A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

STRESS MODULATION OF NFET AND PFET FIN STRUCTURES

Номер патента: US20200126867A1. Автор: Cheng Kangguo,Belyansky Michael P.,Kelly James,Pranatharthiharan Balasubramanian,Gluschenkov Oleg,Conti Richard A.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

CMOS NFET AND PFET COMPARABLE SPACER WIDTH

Номер патента: US20160240535A1. Автор: Cheng Kangguo,OK Injo,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

VERTICAL FET WITH DIFFERENT CHANNEL ORIENTATIONS FOR NFET AND PFET

Номер патента: US20180240716A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

STRESS MODULATION OF NFET AND PFET FIN STRUCTURES

Номер патента: US20200266111A1. Автор: Cheng Kangguo,Belyansky Michael P.,Kelly James,Pranatharthiharan Balasubramanian,Gluschenkov Oleg,Conti Richard A.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

INTEGRATED CIRCUITS WITH VERTICAL JUNCTIONS BETWEEN nFETS AND pFETS, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150357433A1. Автор: Baars Peter,Moll Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

INTEGRATING AND ISOLATING NFET AND PFET NANOSHEET TRANSISTORS ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20180374761A1. Автор: Sankarapandian Muthumanickam,Guillorn Michael A.,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Increasing carrier mobility in NFET and PFET transistors on a common wafer

Номер патента: US7211869B2. Автор: Haining Yang,Victor Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20170092646A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Utilizing multilayer gate spacer to reduce erosion of semiconductor fin during spacer patterning

Номер патента: US20190172940A1. Автор: Hong He,Andrew M. Greene,Eric R. Miller,Sivananda K. Kanakasabapathy,Pietro Montanini,Gauri Karve. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20190378839A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20190378840A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Utilizing multilayer gate spacer to reduce erosion of semiconductor fin during spacer patterning

Номер патента: US10243079B2. Автор: Hong He,Andrew M. Greene,Eric R. Miller,Sivananda K. Kanakasabapathy,Pietro Montanini,Gauri Karve. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Utilizing multiplayer gate spacer to reduce erosion of semiconductor fin during spacer patterning

Номер патента: GB202001032D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Utilizing multilayer gate spacer to reduce erosion of semiconductor fin during spacer patterning

Номер патента: GB2579463B. Автор: Kanakasabapathy Sivananda,MONTANINI Pietro,Miller Eric,Karve Gauri,Greene Andrew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-02.

Hybrid cmos with fin and nanosheet architectures

Номер патента: US20240222375A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

CMOS FinFET device with dual strained cladding layers on relaxed SiGe fins, and method of fabricating the same

Номер патента: US09935107B2. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J Kuhn,Stephen M Cea,Harold W Kennel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US12015084B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

FORMING IV FINS AND III-V FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20160126244A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Silicon-germanium fins and silicon fins on a bulk substrate

Номер патента: US20140252413A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kangguo Cheng,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Dynamic random access memory cell employing trenches located between lengthwise edges of semiconductor fins

Номер патента: US20150145010A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Dynamic random access memory cell employing trenches located between lengthwise edges of semiconductor fins

Номер патента: US09337200B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method for making the same using semiconductor fin density design rules

Номер патента: US9245080B2. Автор: Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Apparatus comprising a first transistor including a channel in a fin and a second transistor including a channel in a fin

Номер патента: US8742505B2. Автор: Christian Pacha,Klaus Von Arnim,Joerg Berthold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20230387116A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US11764217B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

MULTI-HEIGHT MULTI-COMPOSITION SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150333087A1. Автор: Greene Brian J.,Hong Augustin J.,Kim Byeong Y.,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Method for co-integrating photonic devices on a silicon photonics platform

Номер патента: JP5969811B2. Автор: ウィム・ボガーツ,ヨリス・ファン・カンペンハウト,ペーター・フェルハイェン,フィリップ・アブシル. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-17.

HARD MASK FOR SOURCE/DRAIN EPITAXY CONTROL

Номер патента: US20150044830A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,Farber David Gerald,Lii Tom. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-12.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

FinFET with stacked faceted S/D epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US09496400B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor fin fabrication method and Fin FET device fabrication method

Номер патента: US09698253B2. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332892A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Chung-Hsun Lin,Jeffrey N. Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Non-Planar Transistors with Replacement Fins and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160013106A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11296211B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332890A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Non-planar transistors with replacement fins and methods of forming the same

Номер патента: US09543209B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure having dielectric structure extending into second cavity of semiconductor Fin

Номер патента: US12027608B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Balancing nfet and pfet performance using straining

Номер патента: SG173260A1. Автор: Chen Xiangdong,Yin Haizhou,TEH Young Way,Kang Laegu,Li Weipeng,Park Dae-Gyu,Zhang Da,Han Jin-Ping,Lee Yong Meng,Franck Arnaud,Kenneth J Stein,Anda C Mocuta,Thean Voon-Yew,Melanie J Sherony. Владелец: Franck Arnaud. Дата публикации: 2011-08-29.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20210210618A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20200091312A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor Fin Structure Cut Process

Номер патента: US20230162988A1. Автор: Yanzhan Qiu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Electronic device including a semiconductor fin and a process for forming the electronic device

Номер патента: US20080296620A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-12-04.

Methods of forming semiconductor fin with carbon dopant for diffusion control

Номер патента: US9685334B1. Автор: Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino,Yue Ke,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11777012B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US20210408267A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

FinFETs with vertical Fins and methods for forming the same

Номер патента: US09711623B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Finfet with stacked faceted s/d epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US20170186775A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Finfet with stacked faceted s/d epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US20180261630A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Contacts to semiconductor fin devices

Номер патента: US7262086B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

Substantially defect free relaxed heterogeneous semiconductor fins on bulk substrates

Номер патента: US20190123199A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor fin on local oxide

Номер патента: WO2014035532A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Substantially defect free relaxed heterogeneous semiconductor fins on bulk substrates

Номер патента: US20190148549A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Substantially defect free relaxed heterogeneous semiconductor fins on bulk substrates

Номер патента: US20170338344A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Rare-earth oxide isolated semiconductor fin

Номер патента: US9058987B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device including a semiconductor fin comprising a silicon germanium portion and an isolation structure at a sidewall of the silicon germanium portion

Номер патента: US11978632B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Rare-earth oxide isolated semiconductor fin

Номер патента: US20130154007A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Gate electrode for a semiconductor fin device

Номер патента: SG173995A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Hao-Yu Chen,Fu Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-09-29.

Rare-earth oxide isolated semiconductor fin

Номер патента: WO2013089953A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

Rare-earth oxide isolated semiconductor fin

Номер патента: US20150037939A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods of fabricating semiconductor fins by double sidewall image transfer patterning through localized oxidation enhancement of sacrificial mandrel sidewalls

Номер патента: US09852917B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Self-limiting selective epitaxy process for preventing merger of semiconductor fins

Номер патента: US09752251B2. Автор: Kevin K. Chan,Annie Levesque,Yue Ke,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming semiconductor fins

Номер патента: US20140148011A1. Автор: Dae-Han Choi,Chang Ho Maeng,Dae Geun Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for finfet device

Номер патента: US20180097089A1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899498B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Adjacent strained <100> NFET fins and <110> PFET fins

Номер патента: US09892975B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for FinFET device

Номер патента: US09853128B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated FinFET structure having a contact plug pitch larger than fin and first metal pitch

Номер патента: US09653346B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Adjacent strained <100> NFET fins and <110> PFET fins

Номер патента: US09583507B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating trimmed fin and fin structure

Номер патента: US20200058773A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for manufacturing suspended fin and gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20120149162A1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-06-14.

Structure and method for forming cmos with nfet and pfet having different channel materials

Номер патента: US20150145048A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Structure and method for forming cmos with nfet and pfet having different channel materials

Номер патента: WO2015074468A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Steven J. Holmes. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-05-28.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Spacer integration scheme for NFET and PFET devices

Номер патента: TW201816847A. Автор: 彭建偉,吳旭升. Владелец: 格羅方德美國公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for removing semiconductor fins using alternating masks

Номер патента: US20160042964A1. Автор: Chia-Chu Liu,Kuei-Shun Chen,Hua-Tai Lin,Cheng-Cheng Kuo,Jeng-Shiun Ho,Ching-Che Tsai,Tzu-Chun Lo,Min-Hung Cheng,Hsiao-Wei Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for removing semiconductor fins using alternating masks

Номер патента: US09748107B2. Автор: Chia-Chu Liu,Kuei-Shun Chen,Hua-Tai Lin,Cheng-Cheng Kuo,Jeng-Shiun Ho,Ching-Che Tsai,Tzu-Chun Lo,Min-Hung Cheng,Hsiao-Wei Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor fin cut process and structures formed thereby

Номер патента: US20240312788A1. Автор: Chun-Hung Lee,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Szu-Ping LEE,You-Ting Lin,Shin-Li Wang,Zu-Yin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of semiconductor fin structures

Номер патента: US09735010B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Emanuele Uccelli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

SEMICONDUCTOR FIN PATTERNING TECHNIQUES TO ACHIEVE UNIFORM FIN PROFILES FOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190115263A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

INTEGRATION OF GE-CONTAINING FINS AND COMPOUND SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150179739A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Leobandung Effendi,Kim Young-Hee,Park Dae-Gyu,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR FABRICATING NFET AND PFET NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20180315665A1. Автор: Kal Subhadeep,Mosden Aelan,Pereira Cheryl. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

DOUBLE DENSITY SEMICONDUCTOR FINS AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140145295A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

Memory device, memory, integrated memory structure with gate structures arranged on opposite sides of the channel region of a semiconductor fin, and production method

Номер патента: DE102007060694B4. Автор: Uygar E. Avci,David L. Kencke,Peter L. Chang,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

TWO-DIMENSIONAL CONDENSATION FOR UNIAXIALLY STRAINED SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160049513A1. Автор: Cea Stephen M.,Kavalieros Jack T.,Kuhn Markus,ZELICK NANCY,Jin Been-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Witters Liesbeth,Eneman Geert,PAWLAK Bartlomiej,POURTOIS Geoffrey. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Calculating Carrier Concentrations in Semiconductor Fins Using Probed Resistance

Номер патента: US20150287652A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Ling-Yen Yeh,Chi-Yuan Shih,Wei-Chun Tsai,Yuan-Fu Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR (TFET) HAVING A SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE

Номер патента: US20180301547A1. Автор: Liu Qing,Celik Salih Muhsin. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2018-10-18.

TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR (TFET) HAVING A SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE

Номер патента: US20160322479A1. Автор: Liu Qing,Celik Salih Muhsin. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2016-11-03.

TWO-DIMENSIONAL CONDENSATION FOR UNIAXIALLY STRAINED SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20170317172A1. Автор: Cea Stephen M.,Kavalieros Jack T.,Kuhn Markus,ZELICK NANCY,Jin Been-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

TWO-DIMENSIONAL CONDENSATION FOR UNIAXIALLY STRAINED SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160329403A1. Автор: Cea Stephen M.,Kavalieros Jack T.,Kuhn Markus,ZELICK NANCY,Jin Been-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURES

Номер патента: US20150340289A1. Автор: Park Chanro,Bentley Steven. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Fabrication of semiconductor fin structures

Номер патента: US20170345656A1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Emanuele Uccelli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

SEMICONDUCTOR FINS FOR FINFET DEVICES AND SIDEWALL IMAGE TRANSFER (SIT) PROCESSES FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160365286A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Tunneling field effect transistor (TFET) having a semiconductor fin structure

Номер патента: US10388772B2. Автор: Qing Liu,Salih Muhsin Celik. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-08-20.

Fabrication of semiconductor fin structures

Номер патента: US10424478B2. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Emanuele Uccelli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

SOI FinFET fins with recessed fins and epitaxy in source drain region

Номер патента: US09905692B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Dual isolation fin and method of making

Номер патента: US09711617B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Silicon germanium fins and integration methods

Номер патента: US20230197849A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon epitaxy for high aspect ratio, substantially perpendicular deep silicon trench

Номер патента: US09905638B1. Автор: Seetharaman Sridhar,Satoshi Suzuki,Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,Simon John Molloy,Tatsuya Tominari. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Dual-SiGe epitaxy for MOS devices

Номер патента: US09466716B2. Автор: Yin-Pin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769803B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Implant damage control by in-situ c doping during sige epitaxy for device applications

Номер патента: US20140159113A1. Автор: Judson Robert Holt,Jin Ping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305375A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Soi finfet fins with recessed fins and epitaxy in source drain region

Номер патента: US20170338345A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Interfacial Layer Between Fin and Source/Drain Region

Номер патента: US20200006548A1. Автор: Jeng Pei-Ren,LEE CHIEN-WEI,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Lee Yen-Ru,TING Heng-Wen,HSU Tzu-Hsiang,CHIN Chih-Yun,LIN YAN-TING,Tai Roger,Liu Davie. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Hybrid Source Drain Regions Formed Based on Same Fin and Methods Forming Same

Номер патента: US20210020524A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chen Shih-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH A SILICON GERMANIUM ALLOY FIN AND SILICON GERMANIUM ALLOY PAD STRUCTURE

Номер патента: US20170033182A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

METHOD OF FABRICATING TRIMMED FIN AND FIN STRUCTURE

Номер патента: US20200058773A1. Автор: Shen Guan-Jie,Shen Yu-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Implant damage control by in-situ c doping during sige epitaxy for device applications

Номер патента: US20140159113A1. Автор: Judson Robert Holt,Jin Ping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

FIN STRUCTURES AND MULTI-VT SCHEME BASED ON TAPERED FIN AND METHOD TO FORM

Номер патента: US20170084718A1. Автор: Chi Min-Hwa,Wu Xusheng,BANGHART Edmund Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Forming iv fins and iii-v fins on insulator

Номер патента: US20160093695A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

ADJACENT STRAINED <100> NFET FINS AND <110> PFET FINS

Номер патента: US20170092545A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220271129A1. Автор: Kim Sungmin. Владелец: Samsung Electronics Co.. Ltd.. Дата публикации: 2022-08-25.

FORMATION OF VTFET FIN AND VERTICAL FIN PROFILE

Номер патента: US20200144131A1. Автор: Cheng Kangguo,Mignot Yann,Miller Eric R.,Bergendahl Marc. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

FINFET WITH SIGMA RECESSED SOURCE/DRAIN AND UN-DOPED BUFFER LAYER EPITAXY FOR UNIFORM JUNCTION FORMATION

Номер патента: US20190157457A1. Автор: Guo Dechao,Jagannathan Hemanth,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo,Tsutsui Gen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Interfacial Layer Between Fin and Source/Drain Region

Номер патента: US20210193831A1. Автор: Jeng Pei-Ren,LEE CHIEN-WEI,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Lee Yen-Ru,TING Heng-Wen,HSU Tzu-Hsiang,CHIN Chih-Yun,LIN YAN-TING,Tai Roger,Liu Davie. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

DUAL ISOLATION FIN AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20170170297A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SOI FINFET FINS WITH RECESSED FINS AND EPITAXY IN SOURCE DRAIN REGION

Номер патента: US20180175197A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Breil Nicolas L.,Gluschenkov Oleg. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for connecting a buried interconnect rail and a semiconductor fin in an integrated circuit chip

Номер патента: US20200203210A1. Автор: Anshul Gupta,Dmitry Yakimets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Graphoepitaxy directed self-assembly process for semiconductor fin formation

Номер патента: US09659824B2. Автор: Joy Cheng,Michael A. Guillorn,Matthew E. Colburn,Hsinyu Tsai,Chi-chun Liu,Melia Tjio. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Heat sink including a heat dissipating fin and method for fixing the heat dissipating fin

Номер патента: EP1133793A1. Автор: Yasuhiro Sony Computer Entertainment Inc. OOTORI,Chiyoshi Furukawa Electric Co. Ltd. SASAKI,Junji Furukawa Electric Co. Ltd. SOTANI,Masaru Furukawa Electric Co. Ltd. OHMI,Toshikatsu Sony Computer Entertainment Inc. HAMA. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Fin and heat sink having the same

Номер патента: US20110277965A1. Автор: Kuo-Sheng Lin,FeiFei Shi. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Heat sinks having pin-shaped fins and process for producing same

Номер патента: US5421406A. Автор: Tomio Ito,Yoshifumi Shimajiri,Akira Furusawa,Takashi Kiyosue. Владелец: Showa Aluminum Corp. Дата публикации: 1995-06-06.

Riveting apparatus for thin heat sink fin and thin cover plate

Номер патента: US20210389059A1. Автор: Tsung-Hsien Huang. Владелец: Dong Guan Han Xu Hardware & Plastic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Heat sink with condensing fins and phase change material

Номер патента: US20200340752A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

Ultra Dense and Stable 4T SRAM Cell Design Having Nfets And Pfets

Номер патента: US20190189195A1. Автор: Myung-Hee Na,Sean Burns,Robert Wong,Jens Haetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor fin design to mitigate fin collapse

Номер патента: WO2018125179A1. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Daniel Pantuso,Chytra PAWASHE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor fin design to mitigate fin collapse

Номер патента: US20200066595A1. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Daniel Pantuso,Chytra PAWASHE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain

Номер патента: US09472669B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Jyh-Cherng Sheu,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor fin or nanowire devices with strained source/drain regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP3937256A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Yi-Ruei JHAN,Kuang-Ting PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Method of forming semiconductor fins

Номер патента: US20160043081A1. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Dae-Han Choi,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Dae Geun Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of forming a dummy fin between first and second semiconductor fins

Номер патента: US20230361123A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming a dummy fin between first and second semiconductor fins

Номер патента: US11764222B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US09704859B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US09601347B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US9595613B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

SEMICONDUCTOR FIN DESIGN TO MITIGATE FIN COLLAPSE

Номер патента: US20200066595A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Pantuso Daniel,Pawashe Chytra. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-02-27.

SEMICONDUCTOR FINS ON A TRENCH ISOLATION REGION IN A BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND A METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150206746A1. Автор: Nowak Edward J.,Liu Qizhi,Harame David L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-23.

Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same

Номер патента: US20200211901A1. Автор: Scott B. Clendenning,Aaron A. Budrevich,Marvin MITAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

DENSELY SPACED FINS FOR SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20150255300A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same

Номер патента: WO2017048259A8. Автор: Scott B. Clendenning,Marvin MITAN,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-23.

Systems and devices including fin field-effect transistors each having U-shaped semiconductor fin

Номер патента: US9190494B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same

Номер патента: TW201721755A. Автор: 史考特 克蘭德寧,馬丁 米坦,亞倫 布德里維奇. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-16.

Guard Rings including Semiconductor Fins and Regrown Regions

Номер патента: US20170084495A1. Автор: HU Chia-Hsin,Liang Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20230223462A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

SELECTIVE REMOVAL OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160013183A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-14.

EPITAXIAL AND SILICIDE LAYER FORMATION AT TOP AND BOTTOM SURFACES OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20170047411A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

ESD Devices Comprising Semiconductor Fins

Номер патента: US20140131765A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

SELECTIVE REMOVAL OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20200058554A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Epitaxial and silicide layer formation at top and bottom surfaces of semiconductor fins

Номер патента: US20180076299A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Epitaxial and silicide layer formation at top and bottom surfaces of semiconductor fins

Номер патента: US20170077266A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

TRANSISTORS WITH RAISED EXTENSION REGIONS AND SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20220181341A1. Автор: Liu Haitao,Helm Mark A.,Huang Guangyu,Mikhalev Vladimir,Violette Michael. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-09.

SEMICONDUCTOR FIN LOOP FOR USE WITH DIFFUSION BREAK

Номер патента: US20180130711A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Selective removal of semiconductor fins

Номер патента: US20170178960A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURES HAVING SILICIDED PORTIONS

Номер патента: US20200194567A1. Автор: Baudot Sylvain,VAN DER PLAS Geert,Hiblot Gaspard. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

LOCAL THINNING OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160359038A1. Автор: Cheng Kangguo,Radens Carl J.,Divakaruni Ramachandra. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor Fin Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200411386A1. Автор: Cheng Kai Hung,Lin Chia-Hui,Huang Shih-Wen,CHANG Jaming,CHEN Jei Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Esd devices comprising semiconductor fins

Номер патента: KR101454537B1. Автор: 이펭 창,쩡체 짜이,잠웸 이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor fins for FinFET devices and sidewall image transfer (SIT) processes for manufacturing the same

Номер патента: US9601378B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Bulk semiconductor fins with self-aligned shallow trench isolation structures

Номер патента: US9087869B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Passive devices over polycrystalline semiconductor fins

Номер патента: US11289474B2. Автор: Wang Zheng,Tung-Hsing Lee,Man Gu,Teng-Yin LIN,Halting Wang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

ESD devices with semiconductor fins

Номер патента: DE102013101705A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US11688637B2. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device with body spacer at the bottom of the fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure having fins and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941279B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09620416B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US11967626B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Methods for increasing germanium concentration of surfaces of a silicon germanium portion of a fin and resulting semiconductor devices

Номер патента: US20230343858A1. Автор: Chien-Hung Chen,Wen-Chu Hsiao,Che-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure having fins and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170338225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Silicon controlled rectifier having a longitudinal fin and method of using the same

Номер патента: WO2013131908A1. Автор: Harald Gossner,Christian Russ,Mayank SHRINAVISTA. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor structure having isolations between fins and comprising materials with different thermal expansion coefficients (CTE)

Номер патента: US12002766B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH NON-COLLAPSED FINS AND METHODS OF TREATING THE FINS TO PREVENT FIN COLLAPSE

Номер патента: US20210013199A1. Автор: Glass Glenn A.,Mistkawi Nabil G.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-01-14.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH NON-COLLAPSED FINS AND METHODS OF TREATING THE FINS TO PREVENT FIN COLLAPSE

Номер патента: US20210020632A1. Автор: Glass Glenn A.,Mistkawi Nabil G.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-01-21.

Step Fin Field-Effect-Transistor (FinFET) with Slim Top of Fin and Thick Bottom of Fin for Electro-Static-Discharge (ESD) or Electrical Over-Stress (EOS) Protection

Номер патента: US20190027470A1. Автор: HUO Xiao,HAN Xiaoyong,PAN Shuli. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

FinFETs having Epitaxial Capping Layer on Fin and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200027970A1. Автор: Yu Ming-Hua,CHEN Hou-Yu,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

QUANTUM DOT DEVICES WITH FINS AND PARTIALLY WRAPPED GATES

Номер патента: US20190043973A1. Автор: Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Roberts Jeanette M.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Lampert Lester,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.,Singh Kanwaljit. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated Circuit With a Fin and Gate Structure and Method Making the Same

Номер патента: US20190067446A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH NON-COLLAPSED FINS AND METHODS OF TREATING THE FINS TO PREVENT FIN COLLAPSE

Номер патента: US20200119003A1. Автор: Glass Glenn A.,Mistkawi Nabil G.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

THIN FILM CORE-SHELL FIN AND NANOWIRE TRANSISTORS

Номер патента: US20200127142A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,SHIVARAMAN Shriram. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US20170162671A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

MULTI-FIN FINFET DEVICE INCLUDING EPITAXIAL GROWTH BARRIER ON OUTSIDE SURFACES OF OUTERMOST FINS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200161299A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing,Khare Prasanna. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Ditches near semiconductor fins and methods for forming the same

Номер патента: US8829606B1. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-09.

METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, INCLUDING FORMING SOURCE AND DRAIN REGIONS IN RECESSES OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20140322882A1. Автор: KIM Dong-Won,Rodder Mark S.. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-30.

Selective and non-selective epitaxy for base intergration in a BiCMOS process

Номер патента: US7795703B1. Автор: Greg D. U&#39;ren. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor fin integration using a sacrificial fin

Номер патента: US20080206933A1. Автор: Robert E. Jones,Rickey S. Brownson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Ultra Dense and Stable 4T SRAM Cell Design Having Nfets And Pfets

Номер патента: US20190189195A1. Автор: Na Myung-Hee,BURNS SEAN,Wong Robert,Haetty Jens. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SEMICONDUCTOR FINS WITH DIELECTRIC ISOLATION AT FIN BOTTOM

Номер патента: US20200152520A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Strane Jay W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Forming semiconductor fins using a sacrificial fin

Номер патента: US7772048B2. Автор: Robert E. Jones,Rickey S. Brownson. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-10.

SEMICONDUCTOR FINS WITH DIELECTRIC ISOLATION AT FIN BOTTOM

Номер патента: US20190311955A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Strane Jay W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Anti-fuses on semiconductor fins

Номер патента: US09412746B2. Автор: Hsiao-Lan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160043081A1. Автор: CHOI Dae-Han,HU Xiang,Wei Andy Chih-Hung,YANG Dae Geun,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL EMPLOYING TRENCHES LOCATED BETWEEN LENGTHWISE EDGES OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150145010A1. Автор: Vega Reinaldo A.,Ho Herbert L.,Ramachandran Ravikumar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-28.

SEMICONDUCTOR FINS FOR FINFET DEVICES AND SIDEWALL IMAGE TRANSFER (SIT) PROCESSES FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170194207A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

SEMICONDUCTOR FINS FOR FINFET DEVICES AND SIDEWALL IMAGE TRANSFER (SIT) PROCESSES FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170194358A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method for making the same using semiconductor fin density design rules

Номер патента: US20140331192A1. Автор: Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

HIGH MOBILITY SEMICONDUCTOR FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20190259672A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Method of fabricating a FINFET having a gate structure disposed at least partially at a bend region of the semiconductor fin

Номер патента: US9768304B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Anti-fuses on semiconductor fins

Номер патента: US9040370B2. Автор: Hsiao-Lan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Anti-Fuses on Semiconductor Fins

Номер патента: US20130153960A1. Автор: Hsiao-Lan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Anti-Fuses on Semiconductor Fins

Номер патента: US20150221656A1. Автор: Hsiao-Lan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Anti-Fuses on Semiconductor Fins

Номер патента: US20140179070A1. Автор: Hsiao-Lan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US20140299882A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US20160099249A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US09576964B2. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US09564444B2. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and structure to process thick and thin fins and variable fin to fin spacing

Номер патента: US20070170521A1. Автор: Robert Gauthier,Jed Rankin,Jeffrey Brown,Wagdi Abadeer,William Tonti,Kiran CHATTY. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

PATTERNING FINS AND PLANAR AREAS IN SILICON

Номер патента: US20150014772A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,STANDAERT Theodorus E.,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor devices having lower and upper fins and method for fabricating the same

Номер патента: US20190013401A1. Автор: Sung-min Kim,Hyun-Jung Lee,Heon-Jong Shin,Cheol Kim,Jong-ryeol Yoo,Kyung-Seok Oh,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-10.

INTEGRATED FIN AND STRAP STRUCTURE FOR AN ACCESS TRANSISTOR OF A TRENCH CAPACITOR

Номер патента: US20160099249A1. Автор: Wang Xinhui,Khan Babar A.,Park Dae-Gyu,Chan Kevin K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FINS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190097056A1. Автор: Ching Kuo-Cheng,LIN Li-Te,Huang Chao-Hsien,CHANG Jung-Hao,KUO Shu-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-28.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING A STANDARD CELL WHICH INCLUDES A FIN AND A DUMMY TRANSISTOR

Номер патента: US20220278096A1. Автор: SHIMBO Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

FINFET DEVICE WITH EPITAXIAL STRUCTURES THAT WRAP AROUND THE FINS AND THE METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180166442A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,YU Chia-Ta,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Antenna having deployable antenna fins and associated methods

Номер патента: US20200411998A1. Автор: Alan W. Mast,Charles F. Dull,Brinnan C. Riley. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Battery cooling fin and battery cooling system including the same

Номер патента: EP4340098A1. Автор: Young Chan YOON. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Frame device of iron core of static electrical machine having outwardly-extended heat dissipation fins and/or heat dissipation hole

Номер патента: US20200059136A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-20.

Frame Device Of Iron Core Of Static Electrical Machine Having Outwardly-Extended Heat Dissipation Fin And/Or Heat Dissipation Hole

Номер патента: US20200058432A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-20.

Vertically stacked nFETs and pFETs with gate-all-around structure

Номер патента: US10879352B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10707304B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10748994B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09502567B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain

Номер патента: US09859427B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Jyh-Cherng Sheu,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming semiconductor fins on SOI substrate

Номер патента: US09530701B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Chengwen Pei,Joseph Ervin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing non-planar field effect transistor having a semiconductor fin

Номер патента: US09331178B2. Автор: Chih-Lin Wang,Long-Jie HONG,Chien-Chih Lin,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

VERTICALLY STACKED NFETS AND PFETS WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20190319095A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20200006479A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20190131394A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

VERTICALLY STACKED NFETS AND PFETS WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20190131396A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233501A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20190393307A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Stacked vertical NFET and PFET

Номер патента: US10297513B1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

Method for fabricating NFET and PFET nanowire devices

Номер патента: US10573564B2. Автор: Subhadeep Kal,Aelan Mosden,Cheryl Pereira. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Shared contact trench comprising dual silicide layers and dual epitaxial layers for source/drain layers of NFET and PFET devices

Номер патента: US10566246B1. Автор: Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Integrating and isolating nfet and pfet nanosheet transistors on a substrate

Номер патента: US20180374761A1. Автор: Michael A. Guillorn,Muthumanickam Sankarapandian,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Balancing nfet and pfet performance using straining layers

Номер патента: US20110169096A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xiangdong Chen,Kenneth J. Stein,Jin-Ping Han,Franck Arnaud,Haizhou Yin,Da Zhang,Yong Meng Lee,Young Way Teh,Laegu Kang,Voon-Yew Thean,Melanie J. Sherony,Weipeng Li,Anda C. Mocuta. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Structure and method to enhance both nfet and pfet performance using different kinds of stressed layers

Номер патента: US20110195581A1. Автор: Bruce B. Doris,Haining Yang,Huilong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

SEMICONDUCTOR FIN ISOLATION BY A WELL TRAPPING FIN PORTION

Номер патента: US20140252479A1. Автор: Cheng Kangguo,Shang Huiling,Vega Reinaldo A.,Divakaruni Ramachandra,Utomo Henry K.,Ramachandran Ravikumar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor fin fabrication method and fin fet device fabrication method

Номер патента: US20150372110A1. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Contact window of semiconductor fin shaped element

Номер патента: CN2726125Y. Автор: 胡正明,杨富量,杨育佳. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH FIELD ELECTRODE BETWEEN ADJACENT SEMICONDUCTOR FINS AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20160155809A1. Автор: Weis Rolf,Lemke Marko,Tegen Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

DITCHES NEAR SEMICONDUCTOR FINS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20140264608A1. Автор: Van Dal Mark. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A SEMICONDUCTOR FIN AND METHOD FOR MANUFACTURING

Номер патента: US20150228763A1. Автор: LIN Chien-Chih,Wang Chih-Lin,CHANG CHIA-DER,Hong Long-Jie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods for Probing Semiconductor Fins and Determining Carrier Concentrations

Номер патента: US20160268174A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,OKUNO Yasutoshi,Yeh Ling-Yen,Shih Chi-Yuan,Shao Yuan-Fu,Tsai Wei-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Flash memory device using semiconductor fin and method thereof

Номер патента: US7285820B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Seong-Gyun Kim,Sang-Woo Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-23.

Semiconductor fin on local oxide

Номер патента: US20140061862A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

UTILIZING MULTILAYER GATE SPACER TO REDUCE EROSION OF SEMICONDUCTOR FIN DURING SPACER PATTERNING

Номер патента: US20190006506A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,MONTANINI Pietro,Greene Andrew M.,Miller Eric R.,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor fin structures and methods for forming the same

Номер патента: US20160027903A1. Автор: Chia-Wei Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Srisuda Thitinun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

RARE-EARTH OXIDE ISOLATED SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20150037939A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Ervin Joseph,Todi Ravi M.,Wang Geng. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE WITH EXTENDING GATE STRUCTURE

Номер патента: US20170040439A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor fin on local oxide

Номер патента: US20150044843A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE WITH EXTENDING GATE STRUCTURE

Номер патента: US20180069101A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SEMICONDUCTOR FIN FET DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20170069756A1. Автор: PENG Cheng-Yi,Sheu Jyh-Cherng,CHIANG Hung-Li,Yeo Yee-Chia. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

WRAP-AROUND CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Mehandru Rishabh. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Method for Producing a Gate Cut Structure on an Array of Semiconductor Fins

Номер патента: US20200083090A1. Автор: Chan Boon Teik,Kim Ryan Ryoung Han,Altamirano Sanchez Efrain. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20170092713A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

MULTI-HEIGHT MULTI-COMPOSITION SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150108616A1. Автор: Greene Brian J.,Hong Augustin J.,Kim Byeong Y.,Mocuta Dan M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-23.

SEMICONDUCTOR FIN FET DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20180102436A1. Автор: PENG Cheng-Yi,Sheu Jyh-Cherng,CHIANG Hung-Li,Yeo Yee-Chia. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

SUBSTANTIALLY DEFECT FREE RELAXED HETEROGENEOUS SEMICONDUCTOR FINS ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20190123199A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

ELECTRICAL ISOLATION STRUCTURE USING REVERSE DOPANT IMPLANTATION FROM SOURCE/DRAIN REGION IN SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20220285523A1. Автор: WANG Haiting,Malinowski Arkadiusz,Derrickson Alexander M.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Methods for fabricating integrated circuits with improved semiconductor fin structures

Номер патента: US20140227879A1. Автор: Dae-Han Choi,Wontae Hwang,Sang Cheol Han,IL Goo Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

CROSSBAR REINFORCED SEMICONDUCTOR FINS HAVING REDUCED WIGGLING

Номер патента: US20200135539A1. Автор: Cheng Kangguo,Sankarapandian Muthumanickam,Liu Chi-chun,Mignot Yann. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FIN THEREOF

Номер патента: US20180151739A1. Автор: Mor Yi-Shien,LIANG CHIA-MING,Chiu Huai-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

SUBSTANTIALLY DEFECT FREE RELAXED HETEROGENEOUS SEMICONDUCTOR FINS ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20190148549A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor Fin Length Variability Control

Номер патента: US20200144069A1. Автор: SIEG STUART A.,Miller Eric,De Silva Ekmini A.,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor Fin Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140252428A1. Автор: Chang Chia-Wei,CHEN Ryan Chia-Jen,Thitinun Srisuda. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

SMOOTHING SURFACE ROUGHNESS OF III-V SEMICONDUCTOR FINS FORMED FROM SILICON MANDRELS BY REGROWTH

Номер патента: US20190165144A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Chen Tze-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

LOCAL THINNING OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150200276A1. Автор: Cheng Kangguo,Radens Carl J.,Divakaruni Ramachandra. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR FINS FOR FINFET DEVICES AND SIDEWALL IMAGE TRANSFER (SIT) PROCESSES FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170194462A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Anti-Fuses on Semiconductor Fins

Номер патента: US20150221656A1. Автор: Yang Hsiao-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

SELF-LIMITING SELECTIVE EPITAXY PROCESS FOR PREVENTING MERGER OF SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20140308782A1. Автор: Chan Kevin K.,Harley Eric C.,KE YUE,LEVESQUE Annie. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

Hardmask trimming in semiconductor fin patterning

Номер патента: US20150228503A1. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

STRINGER-FREE GATE ELECTRODE FOR A SUSPENDED SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20140332890A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-13.

STRINGER-FREE GATE ELECTRODE FOR A SUSPENDED SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20140332892A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-13.

SMOOTHING SURFACE ROUGHNESS OF III-V SEMICONDUCTOR FINS FORMED FROM SILICON MANDRELS BY REGROWTH

Номер патента: US20190237565A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Chen Tze-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

BULK SEMICONDUCTOR FINS WITH SELF-ALIGNED SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20140346612A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150279684A1. Автор: CHOI Dae-Han,HU Xiang,Wei Andy Chih-Hung,YANG Dae Geun,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

BULK SEMICONDUCTOR FINS WITH SELF-ALIGNED SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20150279723A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170278947A1. Автор: Jenq Jyh-Shyang,Hsu Chih-Kai,Tsai Shih-Hung,Feng Li-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FIN STRUCTURE

Номер патента: US20180286966A1. Автор: Jenq Jyh-Shyang,Hsu Chih-Kai,Tsai Shih-Hung,Feng Li-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

WRAP-AROUND CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20190311950A1. Автор: Mehandru Rishabh. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

METHODS FOR FORMING SEMICONDUCTOR FIN SUPPORT STRUCTURES

Номер патента: US20150340470A1. Автор: Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

SUBSTANTIALLY DEFECT FREE RELAXED HETEROGENEOUS SEMICONDUCTOR FINS ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20170338344A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ISOLATION PILLARS BETWEEN ADJACENT SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150357439A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor Fin Length Variability Control

Номер патента: US20190371613A1. Автор: SIEG STUART A.,Miller Eric,De Silva Ekmini A.,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device structure and preparation method thereof and semiconductor fin manufacture method

Номер патента: CN102956457B. Автор: 赵超,罗军,钟汇才,梁擎擎. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-08-12.

Processes and apparatus having a semiconductor fin

Номер патента: US7880232B2. Автор: H. Montgomery Manning,Mark Fischer,T. Earl Allen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor fin length variability control

Номер патента: US10535529B2. Автор: Praveen Joseph,Eric Miller,Stuart A. Sieg,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Nanofin transistors with crystalline semiconductor fins

Номер патента: US8823006B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Smooth and vertical semiconductor fin structure

Номер патента: US8268729B2. Автор: Ying Zhang,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Doping of semiconductor fin devices

Номер патента: US20060234431A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Ping-Wei Wang. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor fin structures and methods for forming the same

Номер патента: US9698055B2. Автор: Chia-Wei Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Srisuda Thitinun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Contacts to semiconductor fin devices

Номер патента: US20060244066A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Doping of semiconductor fin devices

Номер патента: US8053839B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-08.

Gate electrode for a semiconductor fin device.

Номер патента: SG116565A1. Автор: Yeo Yee-Chia,Hu Chenming,Chen Hao-Yu,Liang Yang Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-11-28.

Contacts to semiconductor fin device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI228318B. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-02-21.

Rare-earth oxide isolated semiconductor fin

Номер патента: GB2510525B. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Gate electrode for a semiconductor fin device

Номер патента: TW200601593A. Автор: Yee-Chia Yeo,Fu-Liang Yang,Chen-Ming Hu,How-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Rare-earth oxide isolated semiconductor fin

Номер патента: GB201408644D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Field effect transistor with inactive fin and method

Номер патента: US20240379752A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

FinFET having a fin and a V-shaped epitaxial layer formed on the top surface of the fin and method for fabricating the same

Номер патента: US09640661B1. Автор: Yu-Hao Huang,Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

METHODS OF FORMING REPLACEMENT GATE STRUCTURES FOR NFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND DEVICES HAVING SUCH GATE STRUCTURES

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Liu Huang,Laloe Jean-Baptiste,Kim Wonwoo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Locally raised epitaxy for improved contact by local silicon capping during trench silicide processings

Номер патента: US20150179576A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Vamsi Paruchuri,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Locally raised epitaxy for improved contact by local silicon capping during trench silicide processings

Номер патента: US09305883B2. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Vamsi Paruchuri,Sebastian NACZAS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device having a dummy gate with a cut-out opening between adjacent fins and methods of forming the same

Номер патента: US11482420B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-10-25.

Devices with contact-to-gate shorting through conductive paths between fins and fabrication methods

Номер патента: US20180061842A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Chung-Hsun Lin,Andres Bryant,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Wilfried Haensch,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Fin and finfet formation by angled ion implantation

Номер патента: EP2396813A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING AN EPITAXIAL LAYER ON A FIN AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130244396A1. Автор: LEE Sang-hoon,Kim Sung-Bong,Oh Chang-Woo,LEE Hyung-Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140070360A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING LOWER AND UPPER FINS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160005852A1. Автор: KIM Sung-Min,LEE Hyun-Jung,Kim Cheol,OH Kyung-Seok,SHIN Heon-Jong,Yoo Jong-Ryeol,Jeong Seong-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Non-Planar Transistors with Replacement Fins and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160013106A1. Автор: Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SILICON-GERMANIUM LAYER ON FIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180019324A1. Автор: Lin Yu-Shu,Chen Chun-Yu,Chan Shu-Yen,Li Yi-Fan,Chan Tien-Chen,Huang Chung-Ting,Chen Yen-Hsing,Chang Ming-Hua,Huang Zih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

GRADED AND STEPPED EPITAXY FOR CONSTRUCTING POWER CIRCUITS AND DEVICES

Номер патента: US20180019335A1. Автор: Radhakrishnan Rahul. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF FABRICATING ELECTROSTATICALLY ENHANCED FINS AND STACKED NANOWIRE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20170054035A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160064530A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

DEVICES WITH CONTACT-TO-GATE SHORTING THROUGH CONDUCTIVE PATHS BETWEEN FINS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20180061842A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-03-01.

LOCALLY RAISED EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT BY LOCAL SILICON CAPPING DURING TRENCH SILICIDE PROCESSINGS

Номер патента: US20150069531A1. Автор: Reznicek Alexander,Schepis Dominic J.,NACZAS Sebastian,Paruchuri Vamsi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20190067445A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device Including a Fin and a Drain Extension Region and Manufacturing Method

Номер патента: US20140151804A1. Автор: Meiser Andreas,Kampen Christian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-06-05.

FINFETS HAVING EPITAXIAL CAPPING LAYER ON FIN AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170084725A1. Автор: Yu Ming-Hua,CHEN Hou-Yu,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: LAI Kao-Ting,Liang Yu-Chang,Hsu Chun-Hao,Ko Yu-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20200091312A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Fin and Gate Dimensions for Optimizing Gate Formation

Номер патента: US20200091320A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

DEVICES AND METHODS OF FORMING UNMERGED EPITAXY FOR FINFET DEVICE

Номер патента: US20180097089A1. Автор: Zang Hui,Liu Bingwu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-04-05.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20190097021A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

DIFFERENT SHALLOW TRENCH ISOLATION FILL IN FIN AND NON-FIN REGIONS OF FINFET

Номер патента: US20180102277A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Zhang Chen. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD OF FABRICATING ELECTROSTATICALLY ENHANCED FINS AND STACKED NANOWIRE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20160111544A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

FIN STRUCTURES AND MULTI-VT SCHEME BASED ON TAPERED FIN AND METHOD TO FORM

Номер патента: US20160118500A1. Автор: Chi Min-Hwa,Wu Xusheng,BANGHART Edmund Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

LOCALLY RAISED EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT BY LOCAL SILICON CAPPING DURING TRENCH SILICIDE PROCESSINGS

Номер патента: US20150179576A1. Автор: Reznicek Alexander,Schepis Dominic J.,NACZAS Sebastian,Paruchuri Vamsi. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20210210618A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING CMOS WITH NFET AND PFET HAVING DIFFERENT CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20150145048A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Holmes Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor structure having NFET and PFET formed in SOI substrate with underlapped extensions

Номер патента: US8598663B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

CONTINUOUSLY SCALABLE WIDTH AND HEIGHT SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20150115365A1. Автор: Liu Yang,Pei Chengwen,Guo Dechao,Tan Yue. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Continuously scalable width and height semiconductor fins

Номер патента: US8927432B2. Автор: Yang Liu,Dechao Guo,Chengwen Pei,Yue Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-06.

High-density EEPROM arrays having parallel-connected common-floating-gate NFET and PFET as memory cell

Номер патента: US09947677B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Concurrently Forming nFET and pFET Gate Dielectric Layers

Номер патента: US20140187028A1. Автор: Ando Takashi,Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,JR. Joseph F.,DAI Min,Wang Yanfeng,Liu Jinping,Shepard,Brodsky MaryJane. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

SPACER INTEGRATION SCHEME FOR NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20180114730A1. Автор: Wu Xusheng,PENG Jianwei. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets

Номер патента: US20090250760A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Hongwen Yan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Guard Rings Including Semiconductor Fins and Regrown Regions

Номер патента: US20180144989A1. Автор: HU Chia-Hsin,Liang Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Method for Forming a Buried Dielectric Layer Underneath a Semiconductor Fin

Номер патента: US20140065794A1. Автор: Kim Min-Soo,Kar Gouri Sankar,Cacciato Antonino. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR REMOVING SEMICONDUCTOR FINS USING ALTERNATING MASKS

Номер патента: US20160042964A1. Автор: Liu Chia-Chu,Chen Kuei-Shun,Lin Hua-Tai,Ho Jeng-Shiun,Cheng Min-Hung,Kuo Cheng-Cheng,Lo Tzu-Chun,Tsai Ching-Che,SU Hsiao-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for Determining Carrier Concentrations in Semiconductor Fins

Номер патента: US20140147943A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,OKUNO Yasutoshi,Yeh Ling-Yen,Shih Chi-Yuan,Shao Yuan-Fu,Tsai Wei-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-29.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20140148011A1. Автор: CHOI Dae-Han,Maeng Chang Ho,YANG Dae Geun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

Anti-Fuses on Semiconductor Fins

Номер патента: US20140179070A1. Автор: Yang Hsiao-Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR FIN FORMATION METHOD AND MASK SET

Номер патента: US20140256144A1. Автор: Liu Chia-Chu,Chen Kuei-Shun,Lin Hua-Tai,Ho Jeng-Shiun,Cheng Min-Hung,Kuo Cheng-Cheng,Lo Tzu-Chun,Tsai Ching-Che,SU Hsiao-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for connecting a buried interconnect rail and a semiconductor fin in an integrated circuit chip

Номер патента: US20200203210A1. Автор: Anshul Gupta,Dmitry Yakimets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

GRAPHOEPITAXY DIRECTED SELF-ASSEMBLY PROCESS FOR SEMICONDUCTOR FIN FORMATION

Номер патента: US20160322259A1. Автор: Guillorn Michael A.,Cheng Joy,Colburn Matthew E.,Liu Chi-chun,Tsai Hsinyu,TJIO Melia. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Method for measuring roughness of semiconductor fin portion

Номер патента: CN108550532B. Автор: 黄仁东,李铭,曾绍海,左青云. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

Contacts to semiconductor fin device and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200607038A. Автор: Chun-Chih Lin,Chun-Keng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Heat exchanger fin and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220299271A1. Автор: Shan-Yin Cheng,Chia Yu Lin. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Heat exchanger fin and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230003460A1. Автор: Shan-Yin Cheng,Chia Yu Lin. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Heat exchanger fin and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210213511A1. Автор: Shan-Yin Cheng,Chia Yu Lin. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Fin-and-pin heatsinks and methods

Номер патента: CA3164534A1. Автор: Surendran Ramasamy,Rajesh Alayil. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2022-12-25.

Extrusion tool, method for manufacturing shaped article with fins, and heat sink

Номер патента: AU2002353538A1. Автор: Makoto Fujioka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-06-30.

Installation fins and installation structure of fins and a heat sink with moving fins inserted between cooling fins

Номер патента: US8201616B2. Автор: Sung Jin Kim,Tae Young Kim,Dong Kwon Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-06-19.

Installation fins and installation structure of fins and a heat sink with moving fins inserted between cooling fins

Номер патента: US20090205807A1. Автор: Sung Jin Kim,Tae Young Kim,Dong Kwon Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-08-20.

Installation fins and installation structure of fins and a heat sink with moving fins inserted between cooling fins

Номер патента: WO2008018723A1. Автор: Sung Jin Kim,Tae Young Kim,Dong Kwon Kim. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-02-14.

Fin and Heat Sink

Номер патента: US20090151901A1. Автор: Ming-Yang Hsiao. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Optical subassembly with a heat-radiating fin and an optical transceiver installing the same

Номер патента: US20050286579A1. Автор: Satoshi Yoshikawa,Toshio Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices

Номер патента: US09455143B2. Автор: Matthias BAUER,Aaron Muir Hunter,Swaminathan T. Srinivasan,Amikam Sade. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Fins and foams heat exchangers with phase change for cryogenic thermal energy storage and fault current limiters

Номер патента: EP3218909A1. Автор: Leslie Bromberg,Philip C. Michael. Владелец: Novum Ind LLC. Дата публикации: 2017-09-20.

Installation fins and installation structure of fins and a heat sink with moving fins inserted between cooling fins

Номер патента: TW200814918A. Автор: Sung-jin Kim,Dong-Kwon Kim,Tae-Young Kim. Владелец: Korea Advanced Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2008-03-16.

Fin and heat sink

Номер патента: TW200926950A. Автор: Ming-Yang Hsiao. Владелец: Asustek Comp Inc. Дата публикации: 2009-06-16.

Heat-dissipating fins, large-area heat sink having such heat-dissipating fins and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2280236B1. Автор: Ken Hsu,Kuo-Len Lin,Chen-Hsiang Lin,Chih-Hung Cheng. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

ATOMIC LAYER EPITAXY FOR SEMICONDUCTOR GATE STACK LAYER FOR ADVANCED CHANNEL DEVICES

Номер патента: US20170011917A1. Автор: BAUER Matthias,Hunter Aaron Muir,SADE AMIKAM,SRINIVASAN SWAMINATHAN T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

ATOMIC LAYER EPITAXY FOR SEMICONDUCTOR GATE STACK LAYER FOR ADVANCED CHANNEL DEVICES

Номер патента: US20160013046A1. Автор: BAUER Matthias,Hunter Aaron Muir,SADE AMIKAM,SRINIVASAN SWAMINATHAN T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices

Номер патента: TW201614716A. Автор: Matthias BAUER,Aaron Muir Hunter,Amikam Sade,Swaminathan T Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-16.

Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices

Номер патента: WO2016007340A1. Автор: Matthias BAUER,Aaron Muir Hunter,Swaminathan T. Srinivasan,Amikam Sade. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-01-14.

Heat dissipation fin and heat dissipation module

Номер патента: US11781818B2. Автор: Yi Kun Lin. Владелец: Asrock Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Heat sink with pin fins and non-straight constant volume flow channel

Номер патента: WO2023235065A1. Автор: Nithin GANGADHARAN,Brandon J. WEGMANN. Владелец: PARKER-HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Extrusion tool, method for manufacturing shaped article with fins, and heat sink

Номер патента: EP1455961A4. Автор: Makoto Fujioka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-04-25.

Cooling fin and heat dissipation module having the same

Номер патента: US20150289415A1. Автор: Cheng-Yu Wang,Chun-Chieh Wong,Ing-Jer Chiou. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices

Номер патента: SG11201610663WA. Автор: Matthias BAUER,Aaron Muir Hunter,Amikam Sade,Swaminathan T Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-27.

Direct Growth of Graphene by Molecular Beam Epitaxy for the Formation of Graphene Heterostructures

Номер патента: US20140212671A1. Автор: KELBER JEFFRY. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Heat dissipating fin and heat dissipating device

Номер патента: US20150168082A1. Автор: Yung-Ching Huang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Battery module cooling fins and footings system and method

Номер патента: US09620764B2. Автор: Richard M. Dekeuster. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetron cooling fin and magnetron having the same

Номер патента: US09991083B2. Автор: Dong Ho Park,Eung Ryeol Seo,Myoung Keun Kwon,Seung Chul YANG,Hak-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of connecting a metal end fitting to an insulator component having an elastomer end fin and an organic electrical insulator obtained by the method

Номер патента: US4885039A. Автор: Guy Thevenet. Владелец: Ceraver SA. Дата публикации: 1989-12-05.

Battery thermal fin and method of thermal energy transfer using a thermal fin

Номер патента: US20190115639A1. Автор: Saravanan Paramasivam,Rajaram Subramanian,Mladen Marjanovic,Kimberley King,Eric Yoo. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2019-04-18.

Substrate stack epitaxies for photocathodes for extended wavelengths

Номер патента: US20240145202A1. Автор: Jon D. Burnsed,Jacob J. Becker,Bed Pantha. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Motorized Surfboard Fin and Remote Control

Номер патента: US20210147040A1. Автор: Aleksei Ostanin,Dmitriy Kozhevnikov. Владелец: Boost Surf Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Substrate stack epitaxies for photocathodes for extended wavelengths

Номер патента: EP4365924A1. Автор: Jon D. Burnsed,Jacob J. Becker,Bed Pantha. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Frame Device Of Iron Core Of Static Electrical Machine Having Outwardly-Extended Heat Dissipation Fin And/Or Heat Dissipation Hole

Номер патента: US20200058432A1. Автор: YANG Tai-Her. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

BATTERY THERMAL FIN AND METHOD OF THERMAL ENERGY TRANSFER USING A THERMAL FIN

Номер патента: US20190115639A1. Автор: King Kimberley,SUBRAMANIAN Rajaram,Paramasivam Saravanan,Marjanovic Mladen,YOO Eric. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Liquid-cooling heat dissipation plate with unequal height pin-fins and enclosed liquid-cooling cooler having the same

Номер патента: US20240224464A1. Автор: Yi-Hsin Huang,Kuo-Wei Lee,Tze-Yang Yeh,Chun-Lung Wu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Heat radiation-thermoelectric fin, and thermoelectric module and thermoelectric apparatus including the heat radiation-thermoelectric fin

Номер патента: US20140060087A1. Автор: Jae-Young Choi,Won Young Kim,Seung-Hyun Baik,Seung-Hyun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

OSCILLO-ROTATING SUBASSEMBLY AND DEVICE FOR CO-INTEGRATED FLUID MULTIPLEXING AND VOLUMETRIC PUMPING OF A FLUID

Номер патента: FR3008745B1. Автор: Jean-Claude Beard,Arnaud Wattellier,Christophe Dehan. Владелец: Eveon SAS. Дата публикации: 2015-07-31.

OSCILLO-ROTATING SUBASSEMBLY AND DEVICE FOR CO-INTEGRATED FLUID MULTIPLEXING AND VOLUMETRIC PUMPING OF A FLUID

Номер патента: FR3008745A1. Автор: Jean-Claude Beard,Arnaud Wattellier,Christophe Dehan. Владелец: Eveon SAS. Дата публикации: 2015-01-23.

Gas turbine engine part with annular fin and gas turbine engine

Номер патента: RU2451187C2. Автор: Клод МОН,Жоэль ВИНЬО. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-05-20.

Jet drive and retractable rudder fin and filter systems and methods for watercraft

Номер патента: US20040157508A1. Автор: Howarth Henry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Cooling system having a condenser with a micro-channel cooling coil and sub-cooler having a fin-and-tube heat cooling coil

Номер патента: WO2016048865A1. Автор: Zhiyong Lin,Benedict J. Dolcich,Daniel J. Schutte,Matthew RAVEN. Владелец: Liebert Corporation. Дата публикации: 2016-03-31.

Fin and bending type heat exchanger having the fin

Номер патента: US20170030658A1. Автор: Yan He,Chao Liu,Zhiming Dong,Huilai FU. Владелец: Sanhua Hangzhou Micro Channel Heat Exchanger Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Heat exchange fin and heat exchange device

Номер патента: US20240240878A1. Автор: Tong Liu,Chengjun ZHANG,Zhiping Zhang. Владелец: AO Smith China Water Heater Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Cooling system having a condenser with a micro-channel cooling coil and sub-cooler having a fin-and-tube heat cooling coil

Номер патента: EP3198203A1. Автор: Zhiyong Lin,Benedict J. Dolcich,Daniel J. Schutte,Matthew RAVEN. Владелец: Liebert Corp. Дата публикации: 2017-08-02.

Fins and heat exchanger comprising same

Номер патента: GB2629104A. Автор: Sik Moon Seong,Chul Jeong In,Ki Lee Hong,Ho Eum Jun. Владелец: Kyungdong Navien Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Cooling system having a condenser with a micro-channel cooling coil and sub-cooler having a fin-and-tube heat cooling coil

Номер патента: US09970689B2. Автор: Zhiyong Lin,Benedict J. Dolcich,Daniel J. Schutte,Matthew RAVEN. Владелец: Liebert Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Low-drag fin and foil system for surfboards

Номер патента: US09957020B2. Автор: Kirby J. Mead. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Fin-and-tube heat exchanger and refrigeration cycle device

Номер патента: US09644896B2. Автор: Masanobu Wada,Masaaki Nagai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Stabilizer fin and active stabilizer system for a watercraft

Номер патента: US09527556B2. Автор: Ronny Skauen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-27.

An aircraft fin and rudder

Номер патента: EP1100718A1. Автор: Leslie Leigh British Aerospace Airbus HYDE. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2001-05-23.

An aircraft fin and rudder

Номер патента: AU5185199A. Автор: Leslie Leigh Hyde. Владелец: British Aerospace PLC. Дата публикации: 2000-02-28.

Stabilizing fin and active stabilization system of vessel

Номер патента: RU2617159C1. Автор: Ронни СКЁУЭН. Владелец: Ронни СКЁУЭН. Дата публикации: 2017-04-21.

Rocket with folding fins and braking device

Номер патента: US3598345A. Автор: Xaver Suter. Владелец: Werkzeugmaschinenfabrik Oerlikon Buhrle AG. Дата публикации: 1971-08-10.

Window unit nailing fin and corner lock

Номер патента: CA2058218C. Автор: Merlan J. Rolffs,Mearl Minter,Bruce A. Hagemeyer,Jay T. Scripter. Владелец: Pella Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Heat exchanger fins and method for fabricating fins particularly suitable for stirling engines

Номер патента: WO2006022979A2. Автор: James Gary Wood. Владелец: SUNPOWER, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

Fin and bending type heat exchanger having the fin

Номер патента: US10539374B2. Автор: Yan He,Chao Liu,Zhiming Dong,Huilai FU. Владелец: Sanhua Hangzhou Micro Channel Heat Exchanger Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Defroster having heating wire coupled to cooling fin and low temperature warehouse using the same

Номер патента: WO2011025090A1. Автор: Kwan Bin Im,Kab Seok Choi. Владелец: Cooltainer Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-03-03.

Fin and heat exchanger having same

Номер патента: US20180356166A1. Автор: Yan He,XIN Liang,Leilei Wang. Владелец: Sanhua Hangzhou Micro Channel Heat Exchanger Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Low-drag fin and foil system for surfboards

Номер патента: US20160347427A1. Автор: Kirby J. Mead. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Low-drag fin and foil system for surfboards

Номер патента: US20140094074A1. Автор: Kirby J. Mead. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Low-drag fin and foil system for surfboards

Номер патента: US20130012083A1. Автор: Kirby J. Mead. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Detachable fins and fin assemblies for watersport boards

Номер патента: WO2016079594A1. Автор: Katsuyoshi Kumano. Владелец: Ishida, Michiaki. Дата публикации: 2016-05-26.

Low-drag fin and foil system for surfboards

Номер патента: WO2006066140A3. Автор: Kirby J Mead. Владелец: Kirby J Mead. Дата публикации: 2007-11-22.

Liquid-cooling heat dissipation plate with pin-fins and enclosed liquid cooler having the same

Номер патента: US11988467B2. Автор: Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Chun-Lung Wu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Liquid-cooling heat dissipation plate with pin-fins and enclosed liquid cooler having the same

Номер патента: US20240060729A1. Автор: Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Chun-Lung Wu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Electric fin and water transport instrument

Номер патента: US20220315175A1. Автор: Zhiyue Wang. Владелец: Oriental Recreational Products Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Electric fin and water transport instrument

Номер патента: EP4005916A1. Автор: Zhiyue Wang. Владелец: Oriental Recreational Products Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Fin And Tube-Evaporator With Mini-Slab Circuit Extenders

Номер патента: US20170261244A1. Автор: Daniel J. Schutte. Владелец: Liebert Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Retractable fin and fin box

Номер патента: US20170096199A1. Автор: Peter Hall. Владелец: Twitch LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Fin and installation for converting hydraulic-energy comprising such a fin

Номер патента: US09641049B2. Автор: Farid Mazzouji,Gerard Vuillerod,Yoann Bomchil. Владелец: Alstom Renewable Technologies Wind BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Electric defrost heater for fin and tube refrigeration heat exchanger

Номер патента: US4091637A. Автор: Kenneth E. Vogel,Dean R. Peterson. Владелец: McQuay Perfex Inc. Дата публикации: 1978-05-30.

Fin and insert cooling device

Номер патента: US11982498B2. Автор: Ramdane Lateb,Jose-Carlos Magno. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2024-05-14.

Shielding cover having cooling fin and optical scanning device

Номер патента: US7326861B2. Автор: Takahiro Kojima. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

FIN AND INSTALLATION FOR CONVERTING HYDRAULIC-ENERGY COMPRISING SUCH A FIN

Номер патента: US20130264826A1. Автор: Vuillerod Gerard,Mazzouji Farid,Bomchil Yoann. Владелец: Alstom Hydro France. Дата публикации: 2013-10-10.

Frame device of iron core of static electrical machine having outwardly-extended heat dissipation fins and/or heat dissipation hole

Номер патента: US20200059136A1. Автор: YANG Tai-Her. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Phase Change Evaporator with Heat-Dissipating Fins and Phase Change Cooling Device Using the Same

Номер патента: US20190069444A1. Автор: Wan Cheng-Chien,Wan Cheng-Feng,Lin Hao-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Fins And Foams Heat Exchangers With Phase Change For Cryogenic Thermal Energy Storage And Fault Current Limiters

Номер патента: US20160141866A1. Автор: Bromberg Leslie,Michael Philip C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

FIN AND INSERT COOLING DEVICE

Номер патента: US20210194326A1. Автор: LATEB Ramdane,MAGNO Jose-Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Integrated Implantable TETS Housing Including Fins and Coil Loops

Номер патента: US20140265621A1. Автор: Wong Kenneth,Hsu George Chao-chih,HEPPELL Kevin Gerald,Nguyen John Duc,Hoarau Carine,REICHENBACH Steven. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Surfboard Fins and Related Components

Номер патента: US20180022428A1. Автор: Michiaki Ishida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-25.

Swim fin and its combination with sports shoe or the like

Номер патента: WO2001089635A3. Автор: Fabio Testa,Renzo Maggi. Владелец: Salvas Sub S P A. Дата публикации: 2002-04-11.

Swim fin and its combination with sports shoe or the like

Номер патента: WO2001089635A2. Автор: Fabio Testa,Renzo Maggi. Владелец: Salvas Sub S.P.A.. Дата публикации: 2001-11-29.

Propeller assembly incorporating spindle with fins and overmolded bushing

Номер патента: WO2009085979A1. Автор: Liheng Chen. Владелец: Turning Point Propellers, Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

Cover fin and heat exchanger unit including the same

Номер патента: US20240219128A1. Автор: In Chul JEONG,Hong Ki Lee. Владелец: Kyungdong Navien Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Heat fins and related systems and methods

Номер патента: WO2011103410A3. Автор: Thomas William Perry. Владелец: 3Ip, Llc. Дата публикации: 2011-12-01.

Cover fin and heat exchanger unit including the same

Номер патента: GB2627851A. Автор: Chul Jeong In,Ki Lee Hong. Владелец: Kyungdong Navien Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

LED luminaire having lateral cooling fins and adaptive LED assembly

Номер патента: US09523491B2. Автор: Perry Romano,Adam J. CLARK,Christopher L. Bailey. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Handling spine fin coils, winders, reels, shapers and/or processing spine fin and transition tube splicing and rework

Номер патента: US8393079B2. Автор: Mark Anthony Parmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-12.

Handling spine fin coils, winders, reels, shapers and/or processing spine fin and transition tube splicing and rework

Номер патента: US20100101089A1. Автор: Mark Anthony Parmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Swim and scuba fin and combination of a fin and a footware, a sports shoe or boot or the like

Номер патента: AU2001269011A1. Автор: Fabio Testa,Renzo Maggi. Владелец: Salvas Sub SpA. Дата публикации: 2001-12-03.

Method for combining heat sink fins and heat pipe

Номер патента: TWI286194B. Автор: Shin-Mau Shie. Владелец: Adda Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

An aircraft fin and rudder

Номер патента: TW424063B. Автор: Leslie Leigh Hyde. Владелец: British Aerospace. Дата публикации: 2001-03-01.

Manufacturing apparatus of a corrugated fin and method of manufacturing the same

Номер патента: GB9706108D0. Автор: . Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1997-05-14.

Die set for welding fins and a base plate of a heat sink

Номер патента: GB9911060D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-07-14.

Combined warm gas fin and reaction control servo

Номер патента: GB1544727A. Автор: . Владелец: Ford Aerospace and Communications Corp. Дата публикации: 1979-04-25.

Propeller assembly incorporating spindle with fins and overmolded bushing

Номер патента: AU2008343061A1. Автор: Liheng Chen. Владелец: Turning Point Propellers Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for combining heat sink fins and heat pipe

Номер патента: TW200742830A. Автор: xin-mao Xie. Владелец: Adda Corp. Дата публикации: 2007-11-16.

Connecting heat-radiating fins and tubes for radiator

Номер патента: AU2003251205A1. Автор: Hae Hwan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Combined wheel fin and weight

Номер патента: US1807757A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1931-06-02.

Airship fins and stabilization

Номер патента: US1750141A. Автор: Ralph H Upson. Владелец: AIRCRAFT DEV CORP. Дата публикации: 1930-03-11.

Fins and heat exchanger comprising same

Номер патента: GB202409714D0. Автор: . Владелец: Kyungdong Navien Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Solid source metal-organic molecular beam epitaxy for deposition of ultra-low vapor pressure metals and metal oxides

Номер патента: US20230407520A1. Автор: Bharat Jalan,William Nunn,Anusha Kamath Manjeshwar. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Collector for solar energy - made of copper tubes with aluminium finning and fluid flow between them

Номер патента: PT76752A. Автор: . Владелец: Companhia Portuguesa Dos Petro. Дата публикации: 1983-06-01.

Fin and tube heat exchanger

Номер патента: GB201109855D0. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-07-27.

Solid source metal-organic molecular beam epitaxy for depositon of ultra-low vapor pressure metals and metal oxides

Номер патента: WO2022087594A1. Автор: Bharat Jalan,William Nunn. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2022-04-28.

Heat transfer tube for fin-and-tube heat exchanger and fin-and-tube heat exchanger using the same

Номер патента: JP6415976B2. Автор: 史郎 柿山. Владелец: UACJ Extrusion Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Method and apparatus for obtaining material parts? ref? ctaries and more particularly of fins and parts of gas turbines

Номер патента: FR1085827A. Автор: Cesare Luigi Vigna,Naris Edward Perkins,Pierre-Henri-Raoul Leygonie. Владелец: . Дата публикации: 1955-02-07.

Rear trunk lid for convertible vehicle, has front and rear pivoting groups with hooks for engaging two fins to lock lid in closed position, and engaging one fin and releasing other fin in coordinate manner for opening lid

Номер патента: FR2856966A1. Автор: Gerard Queveau,Paul Queveau,Jean Marc Guillez. Владелец: France Design SA. Дата публикации: 2005-01-07.

Heat exchanger for use as e.g. cooling radiator, has spacing units each projecting from surface of fins and arranged very close to deflectors, and lugs provided in cut and folded portion of fin

Номер патента: FR2866698A1. Автор: Gerard Gille. Владелец: Valeo Thermique Moteur Sa. Дата публикации: 2005-08-26.

Side effects attenuating method for aircraft i.e. transport aircraft, involves calculating rolling and yaw control commands for spoiler and vertical fin and applying rolling and yaw control commands to spoiler and fin, respectively

Номер патента: FR2927427A1. Автор: Stephane PUIG,Romeo Byzery. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2009-08-14.

Tabbed transfer fins and air-cooled heat exchangers with tabbed fins

Номер патента: CA2532331A1. Автор: Charles F. Kutscher,Eric Joseph Kozubal. Владелец: Eric Joseph Kozubal. Дата публикации: 2005-02-24.

Pile weatherstrip having a diamond-shaped barrier fin and method of manufacture

Номер патента: US4358497A. Автор: Stanley R. Miska. Владелец: Schlegel Corp. Дата публикации: 1982-11-09.

Plant holder, has housing with longitudinal gap whose width is lower than diameter of float ball, and fin and notch allowing support to hang housing, where fin and notch fixes support to base

Номер патента: FR2919464A1. Автор: Josiane Bianchi. Владелец: RIVIERA SOC PAR ACTIONS SIMPLI. Дата публикации: 2009-02-06.

Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth

Номер патента: EP0701008B1. Автор: Kazuhiko c/o Itami Works of Sumitomo Oida,Ryusuke c/o Itami Works of Sumitomo Nakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-01-14.

Absorbent article that comprises front and rear waist regions, which has a weft folded in fold lines, where the 3rd and 4th fold form side flaps with gathering elements, the article also comprises a barrier adjustment zone, a fold flap between said area and said fin and a side barrier.

Номер патента: CL2009001433A1. Автор: Gary Dean Lavon,Thomas Henrich,Kevin Michael Smith,Luke Nogales. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2010-06-25.

Air nozzle for outlet of air from air feed duct has bearing bolt on holder mounted on or in vertical fin and movable in direction of horizontal fin, and with recess behind bearing bolt and with depth greater than length of coupling element

Номер патента: DE20316176U1. Автор: . Владелец: Dr Schneider Engineering GmbH. Дата публикации: 2003-12-24.

Heat-transfer pipe and fin for fin-and-tube type heat exchanger, and the fin-and-tube type heat exchanger using the same

Номер патента: JP2015132466A. Автор: Naotaka Tomita,Takamichi Watanabe,史郎 柿山,貴道 渡邉,Shiro Kakiyama,直隆 冨田. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Heat transfer tube for fin-and-tube heat exchanger and fin-and-tube heat exchanger using the same

Номер патента: JPWO2013125625A1. Автор: 史郎 柿山. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Plate fin-and-tube heat exchanger, and refrigeration and air-conditioning system with same

Номер патента: EP2803930A4. Автор: Keisuke Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Improvements in fins and keels for airships with gas bags

Номер патента: GB161179A. Автор: . Владелец: PAUL YARAY. Дата публикации: 1922-09-04.

High strength aluminum alloy for forming fin and method of manufacturing the same

Номер патента: US5554234A. Автор: Hiroshi Kano,Hiroaki Takeuchi. Владелец: Furukawa Aluminum Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Method of manufacture of wire fin and tube heat exchanger

Номер патента: US3591910A. Автор: Byron L Brucken. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1971-07-13.

Automotive radiator with flat and grooved water tubes and with overlapped and alternating fins, and method of manufacture

Номер патента: FR414705A. Автор: Louis Establie. Владелец: Louis Establie. Дата публикации: 1910-09-09.

Louver Fin and Corrugation Cutter

Номер патента: US20080179048A1. Автор: Kenji Tochigi,Hirokazu Yaezawa. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Fin and tube type heat exchanger

Номер патента: GB1382783A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1975-02-05.

High strength aluminum alloy for forming fin and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2099697C. Автор: Hiroshi Kano,Hiroaki Takeuchi. Владелец: Furukawa Aluminum Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Adjustable water ski fin and wing

Номер патента: US4439166A. Автор: Ralph A. Maxwell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-03-27.

Radiating fin and radiating method using the radiating fin

Номер патента: EP1372368B1. Автор: Masami Kujirai. Владелец: Suikoh Top Line Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Support for e.g. flask on painting line, has rod and tubular unit whose relative translation movement provokes displacement of ramp forming units and fins, and radial spacing of fins that are deformed and supported against internal wall

Номер патента: FR2928279A1. Автор: Vincent Thomas,Bruno Douville. Владелец: Sas GERARD PARICHE SOC PAR ACT. Дата публикации: 2009-09-11.

Outer casing for wheel engine, has cooling fins and deflectors for favoring aerodynamic flow across fins, where deflectors are regularly spaced along inner annular edge of casing and extend radially in space separating casing and rim

Номер патента: FR2874548A1. Автор: Guy Demichel,Yann Pissonnier,Philippe Bekretaoui. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2006-03-03.

Cooling body for CPU installed on edge of baseplate has heat conductor bodies and heat absorbing body under baseplate and additional fins and cooling fan may be fitted

Номер патента: DE20305193U1. Автор: . Владелец: CHENMING IND CORP. Дата публикации: 2003-05-28.

Fin using in a heat exchanger, heat exchanger having the fins, and refrigeration cycle device having the heat exchanger

Номер патента: WO2020136913A1. Автор: Dennis VAN DER VEEN. Владелец: Daikin Europe N.V.. Дата публикации: 2020-07-02.

Vacuum pump, rotor, rotor fin, and casing

Номер патента: US20200340492A1. Автор: Manabu Nonaka,Toshiki Yamaguchi. Владелец: Edwards Japan Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Vacuum pump, rotor, rotor fin, and casing

Номер патента: US11408437B2. Автор: Manabu Nonaka,Toshiki Yamaguchi. Владелец: Edwards Japan Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Fin fixing structure, fin and paddle board

Номер патента: EP3995390A1. Автор: Peng Lin,Leqiang Lin,Yongjiang Shi. Владелец: Weihai Boat Outdoor Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Heat conduction fin and solid state hydrogen storage device having same

Номер патента: US11761713B2. Автор: Dong Hoon Nam,Ji Hye Park,Jun Seok SEO,Hoon Mo Park,Kyung Moon Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Fin and tube heat exchanger

Номер патента: WO2007089619A2. Автор: Kevin M. Conroy,David J. Abrahamian. Владелец: Cameron International Corporation. Дата публикации: 2007-08-09.

Extended range motorized surfboard fin and remote control

Номер патента: WO2024075035A1. Автор: Aleksei Ostanin,Dmitriy Kozhevnikov. Владелец: Boost Surf, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Fin using in a heat exchanger, heat exchanger having the fins, and refrigeration cycle device having the heat exchanger

Номер патента: EP3903058A1. Автор: Dennis VAN DER VEEN. Владелец: Daikin Europe NV. Дата публикации: 2021-11-03.

Wall and ceiling anchor with fins and hinge

Номер патента: WO2010030502A1. Автор: Brian A. Brown,Gregory A. M. Brown. Владелец: International Patent Development Group, Llc. Дата публикации: 2010-03-18.

Fin, heat exchanger with fin, and method of manufacturing fin

Номер патента: US11897022B2. Автор: Hisashi Kobayashi,Kazutaka Suzuki,Kazuhiro Mitsukawa,Kenichi Kachi,Taichi Asano,Sachi ONAGA,Yoshinori SAKIMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Fin, heat exchanger with fin, and method of manufacturing fin

Номер патента: US20190337043A1. Автор: Hisashi Kobayashi,Kazutaka Suzuki,Kazuhiro Mitsukawa,Kenichi Kachi,Taichi Asano,Sachi ONAGA,Yoshinori SAKIMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Led luminaire having lateral cooling fins and adaptive led assembly

Номер патента: US20120087118A1. Автор: Perry Romano,Adam J. CLARK,Christopher L. Bailey. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Pressing-shaping method for manufacturing circular cooling base for being embedded with fins and mold used in the method

Номер патента: US20120318035A1. Автор: Shih-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Low-drag fin and foil system for surfboards

Номер патента: US20130012083A1. Автор: Kirby J. Mead. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

ALUMINUM FIN AND TUBE HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20130098591A1. Автор: Scarcella Jason,Taras Michael F.,Poplawski Bruce J.,Garosshen Thomas J.,Esformes Jack L.,Lombardo Mary T.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

MULTI-ZONE CIRCUITING FOR A PLATE-FIN AND CONTINUOUS TUBE HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20130213626A1. Автор: Anderson Timothy D.,Nguyen Ken,Laurentius Paul R.. Владелец: HUSSMANN CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

FIN AND HEAT EXCHANGER USING THE SAME

Номер патента: US20130248150A1. Автор: Ninagawa Toshihide,HONMA Nobuhiro. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2013-09-26.

HEAT RADIATION-THERMOELECTRIC FIN, AND THERMOELECTRIC MODULE AND THERMOELECTRIC APPARATUS INCLUDING THE HEAT RADIATION-THERMOELECTRIC FIN

Номер патента: US20140060087A1. Автор: CHOI Jae-Young,KIM Won Young,BAIK Seung-Hyun,HONG Seung-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

PROJECTILE WITH STEERABLE FINS AND CONTROL METHOD OF THE FINS OF SUCH A PROJECTILE

Номер патента: US20140061365A1. Автор: ROY Richard. Владелец: NEXTER MUNITIONS. Дата публикации: 2014-03-06.

LOW-DRAG FIN AND FOIL SYSTEM FOR SURFBOARDS

Номер патента: US20140094074A1. Автор: MEAD Kirby J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Adjustable Surfboard Fin and Method of Use

Номер патента: US20210001961A1. Автор: West Benjamin Gene. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

HEAT SINK HAVING AN INTEGRATED HEAT SINK FIN AND FAN BLADE

Номер патента: US20160010928A1. Автор: Huang Shih-Wei,TSAI Shui-Fa,KUO CHU-YI. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

MAGNETIC DRIVE WITH REMOVABLE FINS AND WEIGHT BALANCE FOR AN UNMANNED UNDERSEA VEHICLE

Номер патента: US20210016863A1. Автор: Charles David F.,Aiello Jason D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Surfboard Fins and Related Components

Номер патента: US20180022428A1. Автор: Michiaki Ishida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-25.

FIN AND BENDING TYPE HEAT EXCHANGER HAVING THE FIN

Номер патента: US20170030658A1. Автор: LIU CHAO,Dong Zhiming,He Yan,FU Huilai. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

LOW-DRAG FIN AND FOIL SYSTEM FOR SURFBOARDS

Номер патента: US20150044921A1. Автор: MEAD Kirby J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

FIN-AND-TUBE HEAT EXCHANGER AND REFRIGERATION CYCLE DEVICE

Номер патента: US20160054065A1. Автор: NAGAI Masaaki,WADA Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

OFFSET FIN AND HEAT EXCHANGER HAVING SAME

Номер патента: US20170051982A1. Автор: Asaida Yasuhiro,Hojo Satoaki,SEGAWA TERUTSUGU,TAKAMI FUMINORI. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

CORRUGATED FIN HEAT EXCHANGER, REFRIGERATION CYCLE APPARATUS, APPARATUS FOR PRODUCING CORRUGATED FIN, AND METHOD FOR PRODUCING CORRUGATED FIN HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20180058780A1. Автор: Maeyama Hideaki,Ishibashi Akira,NISHIYAMA Takumi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Apparatus for manufacturing fin and method for manufacturing fin

Номер патента: US20210069771A1. Автор: Nobuaki Miyake,Hiroshi Kinoshita,Junichi Ono,Kazuyoshi Takayama,Takuya Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

HEAT SINK HAVING HEAT DISSIPATING FIN AND LIGHTING DEVICE

Номер патента: US20160084489A1. Автор: INOUE Michinobu,YAMAGUCHI Kakeru. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-24.

COOLING SYSTEM HAVING A CONDENSER WITH A MICRO-CHANNEL COOLING COIL AND SUB-COOLER HAVING A FIN-AND-TUBE HEAT COOLING COIL

Номер патента: US20160084539A1. Автор: Lin Zhiyong,Dolcich Benedict J.,Schutte Daniel J.,RAVEN Matthew. Владелец: Liebert Corporation. Дата публикации: 2016-03-24.

SPEED REDUCER COOLING FINS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20210088123A1. Автор: Liou Joe J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

HEAT DISSIPATION FIN AND HEAT DISSIPATION MODULE

Номер патента: US20220136784A1. Автор: Lin Yi Kun. Владелец: ASROCK INC.. Дата публикации: 2022-05-05.

CORRUGATED FIN AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: US20150096728A1. Автор: SCHMIDT Florian,Pantow Eberhard,Haller Bjoern,Ruckwied Jens,Schleier Gerd,Kilian Jonas,AGNER Carolin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

RETRACTABLE FIN AND FIN BOX

Номер патента: US20170096199A1. Автор: Hall Peter. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

LED LUMINAIRE HAVING LATERAL COOLING FINS AND ADAPTIVE LED ASSEMBLY

Номер патента: US20170102140A1. Автор: Clark Adam,Bailey Christopher,Romano Perry. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

FIN AND MICRO-CHANNEL HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20180106549A1. Автор: Wang Feng,Liu Huazhao. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

DETACHABLE FINS AND FIN ASSEMBLIES FOR WATERSPORT BOARDS

Номер патента: US20160144933A1. Автор: Kumano Katsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

HEAT EXCHANGER FIN AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20220290928A1. Автор: CHENG Shan-Yin,LIN Chia Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

FIN AND ACCESSORY ASSEMBLY AND WATER CRAFT HAVING THE SAME

Номер патента: US20150166153A1. Автор: YEH TZONG IN. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

HEAT EXCHANGER FIN AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20220299271A1. Автор: CHENG Shan-Yin,LIN Chia Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Stabilizing fin and construction comprising said fin

Номер патента: US20140261134A1. Автор: Henricus Maria Van Aken Arnoldus. Владелец: Van Aken Group BV. Дата публикации: 2014-09-18.

HYDROPHILIC FILM, AND HEAT EXCHANGER FIN AND HEAT EXCHANGER USING THE HYDROPHILIC FILM

Номер патента: US20190178591A1. Автор: NINOMIYA Junji,UEDA Kaoru,OGIHARA Kana,SHIOMI Kohei,FUJIMURA Ryoko. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

HEAT EXCHANGER FIN AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20210213511A1. Автор: CHENG Shan-Yin,LIN Chia Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Using Hexachlorodisilane as a Silicon Precursor for Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20130011984A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin,Wang Kang-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-10.

Monitoring method for source-drain epitaxial technology

Номер патента: CN105405782A. Автор: 杨涛,赵超,李俊峰,陈韬,王桂磊. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-03-16.

Fishing lure with fins and concave face

Номер патента: CA154263S. Автор: . Владелец: SUSAN BROOKER. Дата публикации: 2015-06-29.

Method to manufacture thin wall pipes with external helical fins and device for its implementation

Номер патента: RU2521938C1. Автор: Владимир Григорьевич Смирнов,Сергей Юрьевич Заводчиков,Роман Дмитриевич Проскурин,Владимир Витальевич Частиков. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Чепецкий механический завод&#34; (ОАО ЧМЗ). Дата публикации: 2014-07-10.

Underground gasification of brown coal fin and mid-thickness seams

Номер патента: RU2522785C1. Автор: Николай Михайлович Качурин,Александр Петрович Саламатин,Игорь Евгеньевич Зоркин,Александр Николаевич Качурин,Владимир Леонидович Рыбак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Тульский государственный университет&#34; (ТулГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Frame device of iron core of static electrical machine having outwardly-extended heat dissipation fin and/or heat dissipation hole

Номер патента: CA3052340A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-17.

A process of producing fish cracker with powdered fish fins and bones

Номер патента: PH22017000873U1. Автор: Jess P Adaya,Bryan Crhistian T Benitez,Cruz Edward Gester S Dela,Karl Philip V Mariano. Владелец: Technological Univ Of The Philippines. Дата публикации: 2019-03-29.

Semiconductor Device with Semiconductor Fins and Floating Gate

Номер патента: US20130285135A1. Автор: Hui Frank,Kistler Neal. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

PROCESSES AND APPARATUS HAVING A SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20120190184A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

TWO-DIMENSIONAL CONDENSATION FOR UNIAXIALLY STRAINED SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20120241818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Anti-Fuses on Semiconductor Fins

Номер патента: US20130153960A1. Автор: Yang Hsiao-Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

RARE-EARTH OXIDE ISOLATED SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20130154007A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Ervin Joseph,Todi Ravi M.,Wang Geng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor Fin Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130277759A1. Автор: Chen Chao-Cheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Lin Yih-Ann,Lin Chia Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-24.

CONTINUOUSLY SCALABLE WIDTH AND HEIGHT SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20130334602A1. Автор: Liu Yang,Pei Chengwen,Guo Dechao,Tan Yue. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor Fins with Reduced Widths and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140113432A1. Автор: Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method and apparatus for constructing a fin-and-tube heat exchanger having a bend formed therein

Номер патента: CA890119A. Автор: R. Clausing Dale. Владелец: TRANE Co OF CANADA Ltd. Дата публикации: 1972-01-11.

Method for press fitting of heat pipe and fin and its device

Номер патента: TWI271234B. Автор: Shr-Ming Chen. Владелец: Shr-Ming Chen. Дата публикации: 2007-01-21.

Method and machine of forming radiating fin, and product thereof

Номер патента: TW388809B. Автор: Jau-Kuen Tzeng,Yu-Shan Chen,Guo-Chuan Lin. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-01.

Planting and tightening method for cylindrical heat dissipation fins and application device thereof

Номер патента: TW201031882A. Автор: li-hua Qin. Владелец: li-hua Qin. Дата публикации: 2010-09-01.

Method for press fitting of heat pipe and fin and its device

Номер патента: TW200706280A. Автор: Shi-Ming Chen. Владелец: Shi-Ming Chen. Дата публикации: 2007-02-16.

Tubing having a plurality of inwardly and/or outwardly extending axial fins, and the method of producing the same

Номер патента: CA709280A. Автор: F. Grimm Donald. Владелец: Individual. Дата публикации: 1965-05-11.

Buckling and fastening device for combining column- shape cooling fin and CPU

Номер патента: TW407756U. Автор: Jen-Yu Liou. Владелец: Gigacool Internat Inc. Дата публикации: 2000-10-01.

A structure for combining a heat pipe and a radiation fin, and a manufacturing method thereof

Номер патента: TW200817116A. Автор: Guo-Ren Lin,Jian-Tsai Shiu,Wen-Rung Liou. Владелец: Golden Sun News Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Structure of heat-dissipating fins and heat sink thereof

Номер патента: TWM371915U. Автор: Xiao-Zhen Zeng,ya-wen Liu. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-01.

Improved combination of heat dissipation fins and heat pipe of heat radiator

Номер патента: TWM324770U. Автор: Chung-Shian Huang. Владелец: Chung-Shian Huang. Дата публикации: 2008-01-01.

Corner rail for fin-and-tube baseboard heating elements

Номер патента: USD221852S. Автор: Claude William Schaefer. Владелец: . Дата публикации: 1971-09-14.

Surfboard fin and method for use thereof

Номер патента: AU2021900124A0. Автор: Neal Cameron. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-04.

One step assembly of heat-dissipation fins and heat pipes

Номер патента: TW200850134A. Автор: zong-du Huang. Владелец: Kunshan Jue Choung Electonics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Improved coupling structure for heat dissipating fin and heat tube

Номер патента: TWM287712U. Автор: Wen Wu,Frank Shiau,Chris Chuang. Владелец: THERMOSHUTTLE CO Ltd. Дата публикации: 2006-02-21.

Fin and Fin Attachment

Номер патента: AU2006901367A0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Improvements in swim fins and method of manufacture thereof

Номер патента: AU2003258381A1. Автор: Shane Vassallo. Владелец: Pod Ware Pty Ltd. Дата публикации: 2004-04-30.

Fixing structure of heat dissipation fin and fan mask

Номер патента: TWM248212U. Автор: Tian-Lin Wu. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Heat sink with high-density heat dissipation fins and its assembling method

Номер патента: TW506247B. Автор: Yung-Cheng Chang,Jui-Yuan Hsu,Yu Timothy-Yu Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2002-10-11.

Combining structure of heat dissipating fin and heat pipe

Номер патента: TWM263474U. Автор: Guo-Ren Lin,Shu-Bin Wang,Huei-Min Tsuei,Jen-Feng Shie. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2005-05-01.

Structure for heat dissipation fin and heat dissipation module thereof

Номер патента: TWM351393U. Автор: Xiang-Yu Wen,xin-liang Zhu. Владелец: Asia Vital Components Shen Zhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-21.

Method for constructing a fin-and-tube heat exchanger having a bend formed therein

Номер патента: CA890120A. Автор: R. Clausing Dale. Владелец: TRANE Co OF CANADA Ltd. Дата публикации: 1972-01-11.

Fastening apparatus for cooling fin and fan for computer CPU

Номер патента: TW347107U. Автор: Chun-Sheng Lin. Владелец: Chun-Sheng Lin. Дата публикации: 1998-12-01.

Heat dissipation fin and heat pipe assembly structure improvement

Номер патента: TWM271361U. Автор: Shin-Wei He,Ming-Chiuan Shr,Jang-Ren Huang. Владелец: Forcecon Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Improved cooling fin and lamp comprising thereof

Номер патента: TWM420653U. Автор: Shang-Wu Chen. Владелец: Trend Lighting Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Forming structure of the fin and heat dissipating base

Номер патента: TWM408798U. Автор: Shih-Ming Chen. Владелец: Shih-Ming Chen. Дата публикации: 2011-08-01.

Process module for welding heat sink fin and bottom panel

Номер патента: TW433099U. Автор: Yang-Shiau Chen. Владелец: Chen Yang Shiau. Дата публикации: 2001-05-01.

Discontinuous fins and heat exchangers

Номер патента: TWI530659B. Автор: Wei-Ji Liu,Jian-Yu Yang,Zhao-Xiong Huang. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2016-04-21.

Fin for use in a fin and tube heat exchanger in an air conditioner

Номер патента: USD329281S. Автор: Takayuki Yoshida,Tomohumi Tezuka,Masao Huzii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-08.

Fin for use in a fin and tube heat exchanger in an air conditioner

Номер патента: USD331624S. Автор: Takayuki Yoshida,Tomohumi Tezuka,Masao Huzii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-12-08.

Structure of heat-dissipating fins and heat sink thereof

Номер патента: TWM394506U. Автор: Sheng-Huang Lin. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-11.

Tight integration structure for thin fin and heat conduction pipe

Номер патента: TWM285691U. Автор: Shr-Ming Chen. Владелец: Shr-Ming Chen. Дата публикации: 2006-01-11.

Improvement on the combination structure of the computer^s CPU, ventilation fin and the fan

Номер патента: TW374463U. Автор: mao-qin Chen. Владелец: Aavid Thermalloy Taiwan Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Fin and tube stock assemblies for heat exchange units

Номер патента: CA749828A. Автор: W. Kritzer Richard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1967-01-03.

Method of forming a cooling fin and a cylinder for internal combustion engines equipped with such fin

Номер патента: CA490565A. Автор: Spagnola Samuel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1953-02-17.

Heat dissipating fin and heat dissipating device

Номер патента: TWM441306U. Автор: Chia-Yu Lin,Yen Tsai. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-11.

Heat exchanger fin and plate heat exchanger

Номер патента: CN118936203A. Автор: 王斌,穆景阳,余兆开,吕伟业. Владелец: Air International Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Fin and accessory assembly and water craft having the same

Номер патента: CA2788879C. Автор: Tzong In Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-19.

Method of producing heat dissipating fin and structure thereof and method of producing heat dissipating device comprising the heat dissipating fin and structure thereof

Номер патента: TW201100740A. Автор: Ken Hsu,Kuo-Len Lin,Chen-Hsiang Lin,Chih-Hung Cheng. Владелец: Golden Sun News Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-01.

METHOD FOR MANUFACTURING HEAT SINK HAVING HEAT-DISSIPATING FINS AND STRUCTURE OF THE SAME

Номер патента: US20120037351A1. Автор: . Владелец: NENG TYI PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

INTEGRATED COOLING FIN AND FRAME

Номер патента: US20120040223A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SUSPENDED FIN AND GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20120149162A1. Автор: Xu Qiuxia,Song Yi,Zhou Huajie. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING DUAL FINS AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20120175748A1. Автор: Wilson Aaron R.,Lindholm Larson,Hwang David. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

FIN AND TUBE HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20120305227A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-12-06.

CORRUGATED FIN AND HEAT EXCHANGER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120318485A1. Автор: Yabe Mitsuo,Shikazono Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

HEAT FINS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20130048257A1. Автор: Perry Thomas William. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

HEAT-DISSIPATING FIN AND HEAT-DISSIPATING FIN ASSEMBLY

Номер патента: US20130075073A1. Автор: Chiang Meng-Ting,Tsai Yao-Lung,Wang Wei-Hsing. Владелец: WISTRON CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-28.

Contact Arm Assembly For Switchgear Circuit Breaker Having Improved Cooling Fins And Contact Fingers To Maximize Heat Rejection

Номер патента: US20130075238A1. Автор: Fischer-Carne Patrick R.,Karnbach Robert S.,Pawar Rahul. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-03-28.

HEAT SINK FIN AND HEAT SINK DEVICE

Номер патента: US20130105132A1. Автор: Huang Tsung-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

HEAT EXCHANGER WITH FINS AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20130146268A1. Автор: Peoples Michael Dean,Myers Steven Franklin. Владелец: UNISON INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2013-06-13.

SOI FINFET WITH RECESSED MERGED FINS AND LINER FOR ENHANCED STRESS COUPLING

Номер патента: US20130154005A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

FINFET WITH MERGED FINS AND VERTICAL SILICIDE

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Bryant Andres,Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,HAENSCH Wilfried,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH MERGED FINS AND VERTICAL SILICIDE

Номер патента: US20130164890A1. Автор: Bryant Andres,Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,HAENSCH Wilfried,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130175659A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY. LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

Fin And Accessory Assembly And Watercraft Having Same

Номер патента: US20130189886A1. Автор: YEH TZONG IN. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

HEAT SINK RADIATION FIN AND BASE BLOCK MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20130264043A1. Автор: Huang Tsung-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

MULTI-FIN FINFET DEVICE INCLUDING EPITAXIAL GROWTH BARRIER ON OUTSIDE SURFACES OF OUTERMOST FINS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20140054706A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing,Khare Prasanna. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2014-02-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.