Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for semiconductor device fabrication with improved source drain epitaxy

Method for semiconductor device fabrication with improved source drain epitaxy

Номер патента: US09748389B1
Опубликовано: 29-08-2017
Автор(ы): Feng-Cheng Yang, Ting-Yeh Chen, Tzu-Hsiang HSU, Wei-Yang Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming a semiconductor device comprising a selectively grown graphene layer

Номер патента: US10121872B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09685439B1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Liang-Yi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20140353714A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US9190517B2. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-11-17.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20150054032A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US09929253B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US20160284822A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for making a semiconductor device with sidewall spacers for confining epitaxial growth

Номер патента: US9431540B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210408241A1. Автор: Seokhoon Kim,Seung Hun Lee,Sihyung Lee,Jinyeong Joe,Jeongho Yoo,Seojin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130122675A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Jhi-Cherng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20200395359A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240096711A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha,Pauline Calka,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194538A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing a semiconductor device having SGTS

Номер патента: US9111794B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Method for fabricating a semiconductor device including gate-to-bulk substrate isolation

Номер патента: US09748404B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for forming a semiconductor device having insulating parts or layers formed via anodic oxidation

Номер патента: US09570576B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170358663A1. Автор: Chia-Ying Li,zong-han Li,Ching-Lun Lai,Ming-Shiou Kuo,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Method for forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9847229B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180366321A1. Автор: Tatsuya Usami,Tomoo Nakayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09960282B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09947800B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09685560B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09966455B2. Автор: Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190348525A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for Forming a Semiconductor Device with an Integrated Poly-Diode

Номер патента: US20150056794A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for Forming a Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20230197525A1. Автор: Juergen Boemmels,Basoene Briggs,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20170271521A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11289335B2. Автор: Yunhyuck JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210134597A1. Автор: Yunhyuck JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11705336B2. Автор: Yunhyuck JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240014137A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135925A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135926A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US09431536B1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20230386935A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Yi-Fang Pai,Kuo-Hua Pan,Hou-Ju Li,Chun-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240234211A9. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Devices and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240642A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230274935A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210233769A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240136230A1. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923094B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09577101B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20210119051A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20200403099A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US10121855B2. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US09570550B1. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Reducing parasitic capacitance within semiconductor devices

Номер патента: US20210327762A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240332090A1. Автор: Jin Woo Kim,Ju Youn Kim,Seul Gi YUN,Myung Soo SEO,Joong Gun OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140057418A1. Автор: Huaxiang Yin,Xiaolong Ma,Zuozhen Fu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11817507B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tsutomu Murakawa,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for fabricating a semiconductor device using conductive oxide and metal layer to silicide source + drain

Номер патента: US6486048B1. Автор: Dong Suk Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for reducing loss of silicon cap layer over SiGe source/drain in a CMOS device

Номер патента: US09685382B1. Автор: Jialei Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of semiconductor device fabrication including growing epitaxial features using different carrier gases

Номер патента: US11862712B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Feng-Ching Chu,Chung-Chi WEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210074710A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120202346A1. Автор: Keiji Fujita,Toshinobu SAKANAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20230352556A1. Автор: Petri Raisanen,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US9558933B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US10825734B2. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20190355622A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240055260A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Compound semiconductor device, amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230037148A1. Автор: Naoya Okamoto,Junji Kotani,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3198631A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Renato Minamisawa,Holger Bartolf. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-08-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming a wafer structure, a method for forming a semiconductor device and a wafer structure

Номер патента: US09793167B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831244B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09741801B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Номер патента: US09558939B1. Автор: Nyles Cody,Robert Stephenson. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160204243A1. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09660045B2. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160181441A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Process for semiconductor device fabrication in which a insulating layer is formed on a semiconductor substrate

Номер патента: US6770536B2. Автор: Peide Ye,Glen David Wilk. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-08-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240204081A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20100062594A1. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device including transistor with doped oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11810858B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130017661A1. Автор: Qingsong WEI,Chaowei Li,Yonggen He,Huanxin Liu,Jialei Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180053820A1. Автор: Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA,Shinya Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160329404A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200321280A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062585A1. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5378644A. Автор: Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor device and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11842938B2. Автор: Wolfgang Bergner,Stefan KRAMP,Romain Esteve,Grzegorz Lupina,Andreas Voerckel,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan Woehlert,Florian Grasse,Richard Gaisberger,Stefan KRIVEC,Hiroshi Narahashi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US10153339B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-11.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220122895A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204082A1. Автор: Julien Ryckaert,Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Bilal Chehab,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09449968B2. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Franz Hirler,Markus Zundel,Peter Irsigler,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391037A1. Автор: Julien Ryckaert,Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Bilal Chehab,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4199112A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220093734A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-24.

Transistor array and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240172411A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for fabricating BICMOS semiconductor devices

Номер патента: US6815305B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240204080A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming a semiconductor device structure having an electrical connection structure

Номер патента: US20200395251A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170047257A1. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200051864A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11728219B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11031293B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20190006242A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chiao-Ting TAI,Chung-Feng Nieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US9941402B2. Автор: Adrian Finney,Dietmar Kotz,Thomas Ostermann,Radu Eugen Cazimirovici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device structure with embedded epitaxial structure

Номер патента: US20240379862A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20210328047A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20230290866A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US11695063B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Vertical field-effect transistor late gate recess process with improved inter-layer dielectric protection

Номер патента: US20200321448A1. Автор: Ruilong Xie,Hemanth Jagannathan,Wenyu Xu,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11296211B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230087935A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220059703A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US09954088B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Manippady Krishna Kumar,Lakshmi Kanta Bera,Rasanayagam Sivasayan KAJEN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-04-24.

Economical and environmentally friendly chemical mechanical polishing for III-V compound semiconductor device fabrication

Номер патента: US09601482B1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Keith E. Fogel,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (finfet)

Номер патента: US20170148796A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (FinFET)

Номер патента: US09929163B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (FinFET)

Номер патента: US09659942B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09412868B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11777012B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US20210408267A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Shield plate, method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130249063A1. Автор: Etsuo Hamada,Hironobu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258176A1. Автор: Sang Moon Lee,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09793271B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09653463B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09589956B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Spacer formation on semiconductor device

Номер патента: US09443855B1. Автор: Soon-Cheon Seo,Eric R. Miller,Sanjay C. Mehta,Thamarai Selvi Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with elongated pattern

Номер патента: US20240274471A1. Автор: Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240105775A1. Автор: Chih-Yung Lin,Hsiao-Han Liu,Chung-Yu Chiang,Yuan-Hung TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for making strained semiconductor device and related methods

Номер патента: US09922883B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194539A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device having a capping layer covering a capacitor of the semiconductor device

Номер патента: US6893501B2. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Wan-Don Kim,Ki-chul Kim,Han-mei Choi,Yun-jung Lee,Jeong-hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-17.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240006247A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240072122A1. Автор: Dethard Peters,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Asymmetric source/drain depths

Номер патента: US09659826B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Yu-Lin Yang,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153528A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for straining a semiconductor device

Номер патента: WO2008002710A1. Автор: Michael D. Turner,Stanley M. Filipiak,Gregory S. Spencer,Narayanan C. Ramani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030186491A1. Автор: Shunji Kubo,Atsushi Amoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240154006A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4300559A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-03.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4365955A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device having dislocation loop located within boundary created by source/drain regions and method of manufacture

Номер патента: WO2006081287A3. Автор: Jihong Chen,Kaiping Liu,Amitabh Jain,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: WO2006127215A1. Автор: Robert John Stephenson,Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Jean Augustin Chan Sow Fook Yiptong,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: WO2005067026A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for low topography semiconductor device formation

Номер патента: US20020175369A1. Автор: Nivo Rovedo,Phung Nguyen,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09728617B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and method for multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20240162331A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for Protecting a Semiconductor Device Against Degradation and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device Protected Against Hot Charge Carriers

Номер патента: US20140070356A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210265351A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US7393761B2. Автор: Gert Leusink,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for producing a semiconductor device comprising an implantation step

Номер патента: US5849620A. Автор: Christopher Harris,Kurt Rottner. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1998-12-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130252423A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for forming a semiconductor device and semiconductor device structures

Номер патента: US20140252557A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230377942A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11362195B2. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11869800B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4258360A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for forming trench semiconductor device having schottky barrier structure

Номер патента: US20200044027A1. Автор: Michael Thomason,Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080214004A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200212199A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for making a semiconductor device having increased carrier mobility

Номер патента: US20040251480A1. Автор: Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for forming trench semiconductor device having schottky barrier structure

Номер патента: US20200105877A1. Автор: Michael Thomason,Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20220005945A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing a semiconductor device with reduced variation of the impurity concentration near the surface of the semiconductor film

Номер патента: US11894447B2. Автор: Tetsuya Yamamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US20170263744A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170005192A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Having Silicide Layers

Номер патента: US20170222010A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764296B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20190139971A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180151676A1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor Device Including Auxiliary Structure and Methods for Manufacturing A Semiconductor Device

Номер патента: US20130240985A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20240105713A1. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20170125405A1. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20180277533A1. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220270929A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160064477A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160197142A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Roman Knoefler,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with suppression of decrease of withstand voltage, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11984502B2. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US10002866B2. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor device including first and second middle-voltage elements, display driving device including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240072069A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180166543A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: lnfineon Technologies Austria AG. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11769696B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20220415658A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

A semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP3675167A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220367280A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230377978A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123193A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11955516B2. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11942553B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150200135A1. Автор: Naoya Inoue,Hiroshi Sunamura,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210104632A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204047A1. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming a semiconductor device and devices fabricated thereof

Номер патента: US20240363395A1. Автор: Li-Te Lin,Chun-Fu Kuo,Chao-Hsien Huang,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for preparing a semiconductor device with interconnect part

Номер патента: US11881453B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for processing a semiconductor device with two closely spaced gates

Номер патента: US11638391B2. Автор: Stefan Kubicek,Ruoyu Li,Boon Teik CHAN,Julien Jussot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-04-25.

Method for making a semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20200343367A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for processing a semiconductor device with two closely spaced gates

Номер патента: US20210391526A1. Автор: Stefan Kubicek,Ruoyu Li,Boon Teik CHAN,Julien Jussot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for producing 3d semiconductor devices and structures with transistors and memory cells

Номер патента: US20240215267A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140308796A1. Автор: Tae-Jung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09916979B2. Автор: Yong Jae Kim,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Raised source/drain regions in mos device

Номер патента: WO2008144629A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Majid Mansoori. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1198226A. Автор: Eliezer Kinsbron,William T. Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-12-17.

Semiconductor device having silicon oxynitride film with improved moisture resistance

Номер патента: US4907064A. Автор: Kouji Yamazaki,Hideki Gomi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11929426B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Buried channel semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09761584B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai,Hong-Lin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5928428A. Автор: Yasuhiko Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US6087261A. Автор: Toshiya Suzuki,Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140162417A1. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190148217A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andreas Moser,Matteo Dainese,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods for processing a semiconductor device

Номер патента: US20150179507A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Spacer formation on semiconductor device

Номер патента: US09911831B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Eric R. Miller,Sanjay C. Mehta,Thamarai Selvi Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, method of making a semiconductor device, and processing system

Номер патента: US20200258997A1. Автор: Sanjay Natarajan,Yi-Chiau Huang,Patricia M. Liu,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Gaurav Thareja,Abhishek Dube,Andy Lo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20220367268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Structure and formation method of semiconductor device with oxide semiconductor channel

Номер патента: US20210327705A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor device having an improved disposable spacer

Номер патента: US20040266122A1. Автор: Huan-Tsung Huang,Ka-Hing Fung,Shui-Ming Cheng,W.P. Wang,K.L. Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170316973A1. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10325805B2. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010003675A1. Автор: Daisuke Komada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-14.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020119630A1. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190259659A1. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170229301A9. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for forming a hard mask pattern and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09793472B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,Yoonjong Song,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Cleaning composition and method for cleaning a semiconductor device substrate after chemical mechanical polishing

Номер патента: US09481855B2. Автор: Atsushi Otake,Akira Kuroda. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for fabricating a semiconductor device using a modeling algorithm to model the proximity effect from the sub-layer

Номер патента: US20120204135A1. Автор: No Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831339B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09722062B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manafacturing method for power MOSFET semiconductor device with improved breakdown voltage

Номер патента: US11824113B2. Автор: Akihiro Shimomura,Machiko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2016056960A1. Автор: Yanting SUN. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for Producing a Semiconductor Device with a Vertical Dielectric Layer

Номер патента: US20140220758A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for producing a semiconductor device, semiconductor device and support

Номер патента: US20190206713A1. Автор: Patrick Waltereit,Richard Reiner,Thomas Gerrer,Dirk Meder,Beatrix Weiss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024094613A1. Автор: Adrian Avramescu. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-05-10.

Method for manufacturing a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20070170468A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for Forming Nanotube Semiconductor Devices

Номер патента: US20100317158A1. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for analyzing a semiconductor device

Номер патента: US11626306B2. Автор: Jung Min Lee,Chang Hwan Lee,Jin Hee Han,Byoung Ho Lee,Seong Min MA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140091320A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20220359336A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Shinnosuke Soda,Tomohisa Yamane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor Device Including Charged Structure and Methods for Manufacturing A Semiconductor Device

Номер патента: US20130240986A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for making a semiconductor device by laser irradiation

Номер патента: WO2011073082A1. Автор: Simon Rack. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for forming a semiconductor device having a fin and structure thereof

Номер патента: WO2007127533A2. Автор: Marius K. Orlowski. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for cleaning a semiconductor device

Номер патента: US20130189835A1. Автор: Itaru Kanno,Masahiko Higashi,Yutaka Takeshima,Hirokazu Kurisu,Yusaku Hirota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130034964A1. Автор: HAIYANG Zhang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material

Номер патента: US20190164746A1. Автор: Joy Cheng,Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yu-Ling CHANG CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US10276655B2. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345893A1. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190067002A1. Автор: Joy Cheng,Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material

Номер патента: US20200135454A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yahru CHENG,Yu-Ling CHANG CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Formation of contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20210296178A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12094973B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230121435A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Che-Ming Hsu,Guan-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Forming a contact for a semiconductor device

Номер патента: US09917060B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

System and Method for Forming a Semiconductor Device Source/Drain Contact

Номер патента: US20080315321A1. Автор: Ching-Ya Wang,Chung-Hu Ke,When-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Layout design system, semiconductor device fabricated by using the system and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US09576953B2. Автор: Tae-Joong Song,Gi-young Yang,Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Jin-Hyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09972704B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Helmut Oefner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of a bridge between a recess gate and a PLC plug

Номер патента: US7855109B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153526A1. Автор: Koji Hamada,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20070120203A1. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Yasunori Inoue,Hideki Mizuhara,Satoru Shimada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20230187335A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11869836B2. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09847328B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09608091B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing a semiconductor device with Schottky electrodes

Номер патента: US5229323A. Автор: Tatsuo Akiyama,Kizashi Shimada,Yutaka Koshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for making a semiconductor device having a metal gate electrode

Номер патента: US20050101113A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Turkot,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Methods for fabricating finfet semiconductor devices using ashable sacrificial mandrels

Номер патента: US20100267237A1. Автор: Frank S. Johnson,Catherine B. Labelle,Douglas J. Bonser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150340234A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor devices having standard cells therein with improved integration and reliability

Номер патента: US11798933B2. Автор: Jintae Kim,Jaeha LEE,Dongyeon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Method for fabricating a semiconductor device having a shallow doped region

Номер патента: US5279976A. Автор: James R. Pfiester,David Burnett,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned contact regions

Номер патента: US4830971A. Автор: Tadashi Shibata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-16.

Method for manufacturing MOS semiconductor devices

Номер патента: US4916084A. Автор: Hideki Shibata,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Comprising Etching a Semiconductor Material

Номер патента: US20180277391A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20090124059A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Ming Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090098693A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20100151656A1. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for forming a semiconductor device having a silicide layer

Номер патента: WO2005119752A1. Автор: Dharmesh Jawarani,Tab A. Stephens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7820476B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US6780703B2. Автор: Randy D. Redd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-24.

Method for fabricating a semiconductor device for reducing a surface potential

Номер патента: US7449399B2. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140242771A1. Автор: Harry Yue Gee,Umesh Sharma,Sudhama C Shastri,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device with a ferroelectric layer around the channel and method for forming the semiconductor device on a substrate

Номер патента: EP4352006A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10109718B2. Автор: Harry Yue Gee,Umesh Sharma,Sudhama C Shastri,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014074A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Jyun-Yang SHEN,Chun-Jun Lin,Yu-Chang Liang,Ming-Che Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107888B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

A method for forming a semiconductor device with a buried power rail

Номер патента: EP4379784A1. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso,Philippe Matagne,An DE KEERSGIETER,Rongmei Chen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20240178051A1. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso,Philippe Matagne,An DE KEERSGIETER,Rongmei Chen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2009111209A1. Автор: Nils J. Knall. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2009-09-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20120034780A1. Автор: Chieh-Te Chen,Wei-Hang Huang,Shin-Chi Chen,Hung-Ling Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Structure and formation method of semiconductor device with nanosheet structure

Номер патента: US11855167B2. Автор: De-Fang Chen,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen,Po-Cheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Multi-layer source/drain stressor

Номер патента: EP2113130A1. Автор: Da Zhang,Jill C. Hildreth,Veeraraghavan Dhandapani,Darren V. Goedeke. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-04.

Source/drain stressors formed using in-situ epitaxial growth

Номер патента: US20090026554A1. Автор: Brian A. Winstead,Da Zhang,Vishal P. Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230326999A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Ming-Che Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for driving a semiconductor device having a reading transistor coupled to an oxide semiconductor writing transistor

Номер патента: US09734914B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: EP1776743A1. Автор: Keith James Nash,Geoffrey Richard QinetiQ Limited NASH,John Henry QinetiQ Limited JEFFERSON. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: WO2006016118A1. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for manufacturing a semiconductor device having more than two conductive layers

Номер патента: US4935378A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor device using an oxide semiconductor

Номер патента: US8883554B2. Автор: Tadashi Serikawa,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the same

Номер патента: US20120043593A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653358B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20220238647A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09530861B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080111201A1. Автор: Yong Ho Oh. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for fabricating semiconductor device having an embedded source/drain

Номер патента: US20150079740A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Gate profile modulation for semiconductor device

Номер патента: US20230387251A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Sih-Jie Liu,wei-fu Wang,Tien-Shun Chang,Yi-Chao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09673290B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09916984B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09786756B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09443957B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266226A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09929271B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20230207625A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Bottom source/drain silicidation for vertical field-effect transistor (FET)

Номер патента: US09805935B2. Автор: Brent A. Anderson,Huiming Bu,Terence B. Hook,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Gate structure with desired profile for semiconductor devices

Номер патента: US20190288084A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Ricky Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Gate Structure with Desired Profile for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200373401A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Chih Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230387316A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Chia-Cheng Chen,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Cheng-Wei LIAN,Liang-Yin Chen,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Chun-Hung Wu,Yan-Ming Tsai,Hong-Mao Lee,Jhih-Rong Huang,Tsun-Jen Chan,Min-Chiang CHUANG,Kuan-Kan HU,Szu-Hsian LEE,Chuan-Hui SHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20190131414A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Self-aligned source/drain contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device with strained channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240120381A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US11923429B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20210376100A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20200227528A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Plate design to decrease noise in semiconductor devices

Номер патента: US20200227529A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20090286380A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

N-type MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09934975B2. Автор: HONG Yang,Yanbo ZHANG,Huilong Zhu,Qiuxia Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210280709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method

Номер патента: US20120270383A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Kanta Abe,Takashi Ienaga,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device with reduced flicker noise

Номер патента: US20230299171A1. Автор: Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same

Номер патента: US09690896B2. Автор: Jae-Woo Seo,Jaeha LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8513075B2. Автор: Yonggen He,Jingang Wu,HaiBiao YAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080242068A1. Автор: Manabu Sakamoto,Yasuyoshi Mishima,Teruo Kurahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device including p-channel type transistor, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US7033918B2. Автор: Naohiko Kimizuka,Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor device including p-channel type transistor, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040155265A1. Автор: Naohiko Kimizuka,Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09472655B1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step

Номер патента: US5674765A. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-10-07.

A method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step and a device produced thereby

Номер патента: WO1997036319A1. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: Abb Research Limited. Дата публикации: 1997-10-02.

A semiconductor device having microelectromechanical systems devices with improved cavity pressure uniformity

Номер патента: US20210060610A1. Автор: Chia-Ming Hung,Hsiang-Fu Chen,Li-Chun Peng,I-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC

Номер патента: EP1258034A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Stefan Karlsson,Christian Adas,Thomas HÖRMAN. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2002-11-20.

A method for producing a semiconductor device of sic

Номер патента: AU2001230686A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Stefan Karlsson,Christian Adas,Thomas HÖRMAN. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7186631B2. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-06.

Method for fabricating CMOS semiconductor devices

Номер патента: US5382532A. Автор: Toshio Kobayashi,Takashi Morimoto,Masayasu Miyake,Hiroshi Inokawa,Yukio Okazaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170053828A1. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for simultaneously manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20090170266A1. Автор: Hee Bae Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for manufacturing a semiconductor device including nonvolatile memories

Номер патента: US5382539A. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a metal oxide layer with a concentration gradient of oxygen and an insulating layer with excess oxygen

Номер патента: US11817508B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for fabricating a semiconductor device having an epitaxially grown region

Номер патента: US3579814A. Автор: Frederick H Dill Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-05-25.

Method for silicidation of semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US11869772B2. Автор: Olivier GONNARD,Denis Monnier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US20230387136A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara,Kosei Noda,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device, a micro-electro-mechanical resonator and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09997595B2. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4491486A. Автор: Hiroshi Iwai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Method for manufacturing a semiconductor device having a shileing feature for signal crosstalk suppression

Номер патента: US20230268193A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Chen-Lun TING,Yung-Chih Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2002059939A3. Автор: Mark N Martin. Владелец: Mark N Martin. Дата публикации: 2003-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087857B2. Автор: Tao Chen,Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, a micro-electro-mechanical resonator and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150021734A1. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US20160079183A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device, a micro-electro-mechanical resonator and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160233299A1. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Contact and via structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336642A1. Автор: Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Contact and via structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210184018A1. Автор: Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device including a semiconductor sheet interconnecting a source region and a drain region

Номер патента: US09711596B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Hao-Ling Tang,Shao-Hwang Sia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343853A1. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device including 3d-stacked field-effect transistors having isolation structure between contact plugs

Номер патента: US20240282855A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110151649A1. Автор: James A. Cooper,Xiaokun Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for reduced parasitic capacitance and contact resistance in extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) devices due to wrap-around structure of source/drain regions

Номер патента: US09917199B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing device and recording medium

Номер патента: US09502233B2. Автор: Atsushi Sano,Masayuki Asai,Masahiro Yonebayashi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220223554A1. Автор: Jens Hofrichter,Frank Fournel,Sylvain Maitrejean,Viorel Balan,Amandine JOUVE,Karl Rohracher,Manuel Kaschowitz,Bernhard Poelzl,Romain Crochemore. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a radio frequency circuit and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200227309A1. Автор: Yakov Roizin,Alexey Heiman,Alex Sirkis. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for producing a semiconductor device having a LOCOS insulating film with at least two different thickness

Номер патента: US5128274A. Автор: Yasushi Naito,Masanori Fukumoto,Toshiki Yabu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-07-07.

Method for manufacturing a semiconductor device, method for detecting a semiconductor substrate and semiconductor chip package

Номер патента: US20110241180A1. Автор: Susumu Harada,Kenichiro Hagiwara,Eiji Takano,Masahiro Sekiguchi,Masayuki Dohi,Tatsuhiko Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3645807A. Автор: Minoru Ono,Toshimitu Momoi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-02-29.

Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section

Номер патента: US20230386922A1. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section

Номер патента: US11798847B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Multi-bridge channel transistors with stacked source/drain structure and method of forming the same

Номер патента: US12132113B2. Автор: Ki Hwan Kim,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Self-aligned source/drain junction for vertical field-effect transistor (FET) and method of forming the same

Номер патента: US09761728B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for making nanostructure transistors with source/drain trench contact liners

Номер патента: US20240322015A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322014A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for manufacturing finfet with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20140011330A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

EPI integrality on source/drain region of FinFET

Номер патента: US10332980B2. Автор: Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of III-V compound

Номер патента: US09941168B1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240222468A1. Автор: Han Sung Kim,Young Dae Cho,Hyung Dong Kim,Se Woung OH,Sang Mo KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068165B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui,Tsubasa Bando. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with embedded storage structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832441B2. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for packaging a semiconductor device

Номер патента: US20040157371A1. Автор: Byoung Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Method for cleaning a processing chamber and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040074515A1. Автор: Hyeon-deok Lee,Jin-gi Hong,Ji-Soon Park,Jung-Wook Kim,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for cleaning a processing chamber and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7311109B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Jin-gi Hong,Ji-Soon Park,Jung-Wook Kim,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US12033983B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing a semiconductor device and a resin sealing device therefor

Номер патента: US20030180985A1. Автор: Itaru Matsuo,Yoshiyuki Mishima,Kiyoharu Katou. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US7737030B2. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US20080277788A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230282619A1. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030040190A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09899354B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09721853B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09627358B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09589843B2. Автор: Junji IKURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230258866A1. Автор: Houssein EL DIRANI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09812356B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Protective tape and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09741598B2. Автор: Hidekazu Yagi,Shingo Deguchi,Tomoyuki Ishimatsu,Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20190348394A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20200266173A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Systems and methods for coupling a semiconductor device of an automation device to a heat sink

Номер патента: US09570374B2. Автор: RUI Zhou,Paul Jerome Grosskreuz,Jeremiah John Kopiness,Kelly James Bronk. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09373510B1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09741688B2. Автор: Ming-Tsun LIN,Chao-Yang Yeh,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240282571A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jen Hung Wang,Shing-Chyang Pan,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for making the semiconductor device

Номер патента: US20220270980A1. Автор: Yi-Lii Huang,Chun-Wei Liao,Huei-Shan Wu,Yun-Jhen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09449919B2. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09406603B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device packages including multilayer stacks with improved adhesion

Номер патента: US20240258217A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230178511A1. Автор: Young Chul Shin,Su Min Kim,Il Young Han,Minwoo Rhee,Kyeong bin LIM,Nung Pyo HONG,Seung Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for producing a semiconductor device by consecutively sinter-bonding a plurality of semiconductor chips to a substrate upon application of pressure and heat and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4047641A3. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita,Mayu Sato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Methods for fusion bonding semiconductor devices to temporary carrier wafers with hydrophobic regions for reduced bond strength, and semiconductor device assemblies formed by the same

Номер патента: US20240047260A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for fusion bonding semiconductor devices to temporary carrier wafers with cavity regions for reduced bond strength, and semiconductor device assemblies formed by the same

Номер патента: US20240063207A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Amy R. Griffin,Terrence B. Mcdaniel,Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP3471132A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-04-17.

A method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: EP4273908A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: US20230360929A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device resistant to soft errors and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020076913A1. Автор: Joo-hern Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20070235371A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method for fabricating a semiconductor device package

Номер патента: CA2762470C. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate

Номер патента: US6468824B2. Автор: Chien-An Chen,Nai-Chuan Chen,Bor-Jen Wu,Yuan-Hsin Tzou,Nae-Guann Yih. Владелец: Uni Light Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7083899B2. Автор: Bong-Cheol Kim,Dae-Youp Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-01.

Methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6723655B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US10438816B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for fabricating a semiconductor device with air gaps

Номер патента: US20210320030A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120070970A1. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8518810B2. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for producing a semiconductor device including connecting a functional wafer to a carrier substrate and selectively etching the carrier substrate

Номер патента: US8039313B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Friedrich Kroener,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device having multiple heat sinks

Номер патента: US20160071782A1. Автор: Takeshi Imamura,Yasunori Fujimoto,Nobutaka Shimizu. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for forming a semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug

Номер патента: US11778812B2. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190363095A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11990574B2. Автор: Choo Kean Lim,Xiao Fen Hoo,Wan Leng Lim,Ai Cheng Chan. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160064253A1. Автор: Tohru Kumamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160141256A1. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US12018387B2. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345711A1. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5427982A. Автор: Young K. Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for manufacturing a semiconductor device having interconnection layers

Номер патента: US5721157A. Автор: Takeshi Sunada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4506434A. Автор: Nobuo Toyokura,Tetsuya Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-03-26.

Method for forming isolated semiconductor devices

Номер патента: US3695956A. Автор: Robert Ray Speers. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-10-03.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US6046114A. Автор: Toshiyuki Tohda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US4742023A. Автор: Hitoshi Hasegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-05-03.

Method for fabricating a semiconductor device with laser programable fuses

Номер патента: US5641701A. Автор: Yoichi Miyai,David J. McElroy,Hideyuki Fukuhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-06-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3713910A. Автор: H Matino. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-01-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20220122916A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20200350249A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US11804437B2. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20240030141A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11881544B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Sandra Sobczyk,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210225704A1. Автор: Chia-Cheng Chang,Chien-yuan Chen,Ming-Jhih Kuo,Yuan-Yen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods for Forming a Semiconductor Device Having a Second Semiconductor Layer on a First Semiconductor Layer

Номер патента: US20230395394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Helmut Oefner,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for fabricating photomask layout and method for fabricating of semiconductor device using the same

Номер патента: US20230244136A1. Автор: Sung-Yong Moon,Won-Chan LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6489201B2. Автор: Byoung-moon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20240145354A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230260838A1. Автор: Chia-Cheng Chang,Chien-yuan Chen,Ming-Jhih Kuo,Yuan-Yen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060279021A1. Автор: Yasuhiro Shinma. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for fabricating a semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

Номер патента: US20240186225A1. Автор: Thorsten Meyer,Frank Singer,Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing a semiconductor device including a hollow structure around an electrode of a semiconductor element

Номер патента: US9576845B2. Автор: Kazuhiro Maeda,Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, a mobile communication device, and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8890334B2. Автор: Toru Narita,Joichi Saito,Teruhito Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for fabricating a semiconductor device using a porous silicon region

Номер патента: US5445991A. Автор: Jong H. Lee. Владелец: Kyungpook National University KNU. Дата публикации: 1995-08-29.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5525532A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

Method for manufacturing a semiconductor device having fine contact hole with high aspect ratio

Номер патента: US6114244A. Автор: Kazuyuki Hirose,Kuniko Kikuta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20030025137A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Akira Takahashi. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device, display device, and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20010019128A1. Автор: Zhang Hongyong,Tamotsu Sakai,Yasushi Kubota,Ichiro Shiraki,Jun Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Lead frame, resin sealing mold and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20030090877A1. Автор: Isao Ochiai,Kazumi Onda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20130005090A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200075318A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Jieh-Jang Chen,Cheng-Che Chung,Yi Jen Tsai,Tsai-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230170232A1. Автор: Hyun Woong Hwang,Kyoung Whan OH,Kyung-won Kang,Seok Heo,Hyeon Jun KANG,Ju Bong LEE,Sung Hun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20040159953A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160322287A1. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20040181938A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for manufacturing a semiconductor device having a conductor pattern side face provided with a separate conductive sidewall

Номер патента: US6344406B2. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050070089A1. Автор: Taikan Iinuma. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09614050B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Method of high voltage device fabrication

Номер патента: US09966265B2. Автор: Bo Hong,Shuai ZHANG,Jui Lin Lu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893068B2. Автор: Hiroyuki Hoshizaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating and semiconductor device having the second bit line contact higher than the top surface of the first bit line

Номер патента: US20210066308A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for preparing a semiconductor device with spacer over sidewall of bonding pad

Номер патента: US20210202416A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for producing a semiconductor device by means of computer-aided development of test scenarios

Номер патента: US10761140B2. Автор: Oliver Frank,Florian STARZER,Georg KREBELDER,Christoph Hazott,Bruno MARIACHER,Otto PFABIGAN,Sebastian POINTNER,Ralf REITERER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09823414B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Mirja Richter,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09459405B2. Автор: Jens Hofrichter,Heike Riel,Lukas Czornomaz,Mirja Richter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US9876150B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US20180108820A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for making a semiconductor device using a double side molding technology

Номер патента: US20240234229A1. Автор: Hyunyoung Kim,KyoWang Koo,Jieun KWON,SooBin YOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Conductive paste and method for producing a semiconductor device using the same

Номер патента: WO2015108205A1. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Noriyuki Sakai,Maciej Patelka,Cathy Shaw Trumble,Raymond Dietz. Владелец: NAMICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-23.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09698310B2. Автор: Jun Nakauchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Structure and method for metallization of semiconductor devices

Номер патента: US5554889A. Автор: Gordon Grivna,John L. Freeman, Jr.,Clarence J. Tracy,Syd R. Wilson,Robert L. Duffin,Hank H. Shin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-09-10.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices, a fluid sensor and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09941432B2. Автор: Thomas Popp,Thomas Grille,Ursula Hedenig,Peter Irsigler,Bernhard Jakoby,Thomas Ostermann,Ventsislav M. Lavchiev,Stefan CLARA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786587B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods for scribing of semiconductor devices with improved sidewall passivation

Номер патента: WO2012057823A3. Автор: Marc Christophersen,Bernard F. Phlips,Vitaliy Fadeyev,Hartmut F.W. Sadrozinski. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA, SANTA CRUZ. Дата публикации: 2012-08-30.

Test apparatus and method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210239753A1. Автор: Jan-Peter Schat,Abdellatif Zanati,Henrik Asendorf,Nicolas Lamielle. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US5566877A. Автор: Dave W. McCormack. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-10-22.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11361983B2. Автор: Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Adhesive composition, semiconductor device using the composition and method for producing a semiconductor device using the composition

Номер патента: US5844309A. Автор: Yukio Takigawa,Hiroyuki Ishiguro,Shigeaki Yagi,Masaaki Seki,Toshimi Kawahara,Shinya Nakaseko,Mitsunada Osawa,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US9329451B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20170301835A1. Автор: Frank Singer,Britta Goeoetz,David Racz,Matthias Sperl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US20150132877A1. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device obtained thereby

Номер патента: GB1178208A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1970-01-21.

Temperature control device, semiconductor device including the same, and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US10032687B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220140216A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Christoph Klemp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for Manufacturing A Semiconductor Device and Optoelectronic Device

Номер патента: US20220254957A1. Автор: Philipp Kreuter,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20220140265A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing a semiconductor device on a substrate having an anisotropic expansion/contraction characteristic

Номер патента: US5283205A. Автор: Naoya Sakamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1994-02-01.

Method for repair of semiconductor device

Номер патента: US20100029018A1. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US8986560B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and optoelectronic device

Номер патента: WO2020239524A1. Автор: Philipp Kreuter,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, connecting member, method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a connecting member

Номер патента: US20080197492A1. Автор: Daisuke Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor chip is mounted on a lead frame

Номер патента: US5612259A. Автор: Morihiko Ikemizu,Takayuki Okutomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Method for inspecting a reticle, a method for manufacturing a reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210033958A1. Автор: Kangwon Lee,Juhyoung Lee,Seulgi KIM,Hyonseok SONG,lnyong KANG,Eunsik JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for fabricating a semiconductor device by using different connection methods for the semiconductor die and the clip

Номер патента: US11804424B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Lee Shuang Wang,Jo Ean Joanna Chye,Chii Shang Hong,Wei-Shan Wang,Hui Kin Lit,Ke Yan Tean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of optimizing a mask using pixel-based learning and method for manufacturing a semiconductor device using an optimized mask

Номер патента: US10222690B2. Автор: Moon-gyu JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210036181A1. Автор: Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for inspecting a reticle, a method for manufacturing a reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220365415A1. Автор: Kangwon Lee,Juhyoung Lee,Seulgi KIM,Hyonseok SONG,Eunsik JANG,Inyong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US20150097185A1. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6395457B1. Автор: Yong-Seok Park,Jong-Woo Son. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Compound semiconductor device, power supply device, high-frequency amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20190043976A1. Автор: Hisao Shigematsu,Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US11929590B2. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices

Номер патента: US20200402943A1. Автор: Michael Zitzlsperger,Matthias Goldbach,Matthias Hien,Ludwig PEYKER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device having a stacked nanowire structure disposed over a buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125995A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120171833A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20090017608A1. Автор: Kenji Tateiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device having a decomposed aliphatic polycarbonate layer

Номер патента: US09985137B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Shuichi Karashima,Kiyoshi Nishioka. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: US20080090359A1. Автор: Sinan Goktepeli,James Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and production method thereof

Номер патента: US09577050B2. Автор: Tetsuya Imamura,Yoshinori Ikeda,Yuka Tomizawa. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09876030B1. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-aligned patterning technique for semiconductor device features

Номер патента: US20150004800A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatus and methods for micro-transfer-printing

Номер патента: US09550353B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower,David Gomez,Salvatore Bonafede,David Kneeburg. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and methods for micro-transfer-printing

Номер патента: US09434150B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower,David Gomez,Salvatore Bonafede,David Kneeburg. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for preparing trench isolation structure and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20210384066A1. Автор: ChenMing XU,Beonseok Cha,WenJing GUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for protecting copper wire bonds on aluminum pads of a semiconductor device from corrosion

Номер патента: US09508622B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Optical semiconductor device, optical module, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20180090910A1. Автор: Kouji Nakahara,Takeshi Kitatani. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and stack device

Номер патента: US20230363136A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

A film-like resin composition for semiconductor sealing and filling, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: TWI462959B. Автор: Akira Nagai,Tetsuya Enomoto,Kazutaka Honda,Emi Miyazawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-01.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20110240846A1. Автор: Yasutaka Takeuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and apparatus comprising same

Номер патента: US20070069362A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Satoshi Isa,Hiroki Fujisawa,Fumiyuki Osanai,Satoshi Itaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09965851B2. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09461244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Testing devices and method for testing semiconductor devices

Номер патента: US20230366910A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US7034564B2. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Inspection system and method for leads of semiconductor devices

Номер патента: US5956134A. Автор: Rajiv Roy,Michael D. Glucksman,Weerakiat Wahawisan,Paul Harris Hasten,Charles Kenneth Harris,George Charles Epp. Владелец: Semiconductor Technologies and Instruments Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single-crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: EP3930018A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-12-29.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US20060001441A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for forming a semiconductor device contact structure comprising a contour

Номер патента: US6077740A. Автор: Nanseng Jeng,Paul J. Schuele,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device using a support layer to form a gate structure

Номер патента: US11700722B2. Автор: JaeWha PARK,Moonkeun Kim,Sukhoon KIM,Dongchan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Method for determining the structure changes in knitted fabric with spatial stretching

Номер патента: RU2619728C2. Автор: Любовь Леонидовна Чагина,Екатерина Михайловна Копарева,Марина Александровна Маринкина,Светлана Павловна Рассадина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Костромской государственный университет" (КГУ). Дата публикации: 2017-05-17.

Method for testing a polarization state, method for manufacturing a semiconductor device, and test substrate for testing a polarization state

Номер патента: US20060250615A1. Автор: Kazuya Fukuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for monitoring the sealing of a container and device with improved sealing monitoring

Номер патента: US20240158118A1. Автор: Pius Hermann,Paul Federer,Stefan VOLLENWEIDER. Владелец: Roche Molecular Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190384165A1. Автор: Jeong-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20150310939A1. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4005972A1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Lorenzo Baldo,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi,Ilaria Gelmi,Laura Maria Castoldi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12134556B2. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Lorenzo Baldo,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi,Ilaria Gelmi,Laura Maria Castoldi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing products made of aluminium-copper-lithium alloy with improved fatigue properties

Номер патента: RU2674790C1. Автор: Филипп ЖАРРИ,Армель ДАНИЕЛУ,Суазик БЛЕ,Оливье РИБО,Бернар ВАЛЕНТЕН. Владелец: Констеллиум Иссуар. Дата публикации: 2018-12-13.

System and method for producing a multi-layered board having a medium with improved structure

Номер патента: CA3021883C. Автор: Giles Greenfield. Владелец: Scorrboard LLC. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for producing a hot-rolled high-strength structural steel with improved formability and a method of producing the same

Номер патента: WO2024132987A1. Автор: Radhakanta RANA,Shangping Chen. Владелец: TATA STEEL NEDERLAND TECHNOLOGY B.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Probe card, method for designing probe card, method for producing tested semiconductor device method for testing unpackaged semiconductor by probe card, device under test and probe system

Номер патента: US20240077519A1. Автор: Hao Wei,Yu-Hao Chen,Yang-Hung Cheng,Jhin-Ying Lyu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming resist pattern and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7723016B2. Автор: Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor device for particle measurement and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20230341311A1. Автор: Thomas Müller,Jens Pohl,Klaus Elian,Ludwig Heitzer,Matthias Eberl,Fabian Merbeler,Cyrus Ghahremani,Andreas Allmeier,Derek DEBIE,Christian Irrgang. Владелец: Infineon Tehcnlogies Ag. Дата публикации: 2023-10-26.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for monitoring the sealing of a container and device with improved sealing monitoring

Номер патента: EP4371741A1. Автор: Pius Hermann,Paul Federer,Stefan VOLLENWEIDER. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Socket board and method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US20240094244A1. Автор: Soichiro Ibaraki,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for removal of resist film and method for production of semiconductor device

Номер патента: US5952157A. Автор: Toshio Kato,Noboru Tokumasu. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Method for manufacturing a semiconductor device, including optical inspection

Номер патента: US5229304A. Автор: Tao-Yuan Chang,Rubens da S. Miranda,Harry W. K. Tom. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US11385276B2. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Method for overlay error correction and method for manufacturing a semiconductor device structure with overlay marks

Номер патента: US11796924B2. Автор: Shih-Yuan Ma. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210255234A1. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Photoresist composition and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230384668A1. Автор: Ching-Yu Chang,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for overlay error correction and method for manufacturing a semiconductor device structure with overlay marks

Номер патента: US20230213873A1. Автор: Shih-Yuan Ma. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US9202596B2. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Means and methods for providing ribulose bisphosphate-carboxylase-oxygenase with improved properties

Номер патента: WO2008135206A3. Автор: Ulrich Hartl,Manajit Hayer-Hartl,Andreas Bracher,Sandra Saschenbrecker. Владелец: Sandra Saschenbrecker. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for placing semiconductor devices in consideration of distance information from macro device

Номер патента: US20240249060A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US7109740B2. Автор: Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Cheng Chieh Lee,Kuei Lin Huang,Yong Liang Chen,Jui Liang Wang,Pao Ta Chien,Hsiang-Han Kung,Chao Hsiung Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US20060022697A1. Автор: Yong Chen,Cheng Lee,Jui Wang,Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Hsiang-Han Kung,Kuei Huang,Pao Chien,Chao Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for formation of semiconductor device alloyed areas

Номер патента: RU2476955C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2013-02-27.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2368031C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Владимир Алексеевич Сидоров,Александр Андреевич Арендаренко,Валентин Николаевич Данилин,Андрей Георгиевич Васильев,Татьяна Александровна Жукова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-09-20.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2431904C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдула Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for detection of semiconductor devices placed in rooms for unsanctioned recording of speech and visual information

Номер патента: RU2257012C1. Автор: В.Н. Световидов,В.И. Романов,П.П. Пастухов. Владелец: Пастухов Павел Петрович. Дата публикации: 2005-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for protection of vegetative solanaceous cultures from insect pests

Номер патента: RU2260280C2. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт консервной и овощесушильной промышленности (Государственное научное учреждение). Дата публикации: 2005-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.