Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20190109141A1
Опубликовано: 11-04-2019
Автор(ы): Chen Yen-Ming, Lee Kai-Hsuan, Wang Sheng-Chen, Yang Cheng-Yu, Yang Feng-Cheng, Yeong Sai-Hooi, YU Chia-Ta
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20180308852A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,YU Chia-Ta,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Flexible merge scheme for source/drain epitaxy regions

Номер патента: US11856743B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20180308852A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Flexible merge scheme for source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20240098959A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Source/drain epitaxial layer profile

Номер патента: US11942547B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Source/drain epitaxial layer profile

Номер патента: US20240194784A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Source/drain epitaxial layer profile

Номер патента: US10790391B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Two-stage top source drain epitaxy formation for vertical field effect transistors enabling gate last formation

Номер патента: US20210193527A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Nanosheet isolated source/drain epitaxy by surface treatment and incubation delay

Номер патента: US10256301B1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Nanosheet isolated source/drain epitaxy by surface treatment and incubation delay

Номер патента: US20190221640A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Nanosheet isolated source/drain epitaxy by surface treatment and incubation delay

Номер патента: US20190221640A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20230290866A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Transistor fabrication technique including sacrificial protective layer for source/drain at contact location

Номер патента: US09633835B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20210328047A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US11695063B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Confined source/drain epitaxy regions and method forming same

Номер патента: US11948971B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

INTERLAYER DIELECTRIC REPLACEMENT TECHNIQUES WITH PROTECTION FOR SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200279933A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao,Carr Adra,Greene Andrew,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09385218B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in DARC layer

Номер патента: US09812445B2. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

SHARED CONTACT TRENCH COMPRISING DUAL SILICIDE LAYERS AND DUAL EPITAXIAL LAYERS FOR SOURCE/DRAIN LAYERS OF NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20200058563A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Interlayer dielectric replacement techniques with protection for source/drain contacts

Номер патента: US10770562B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Andrew Greene,Vimal Kamineni,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in darc layer

Номер патента: US20170309618A9. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Cleaning process for source/drain epitaxial structures

Номер патента: US11854831B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Cleaning process for source/drain epitaxial structures

Номер патента: US20240096646A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including source/drain epitaxial layer having facets and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105888A1. Автор: Chao-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

System and method for source-drain extension in FinFETs

Номер патента: US09634009B1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Atsuro Inada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10134874B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09461146B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating a field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy

Номер патента: US11894424B2. Автор: Seung Hwan Lee,Jin Su Jeong,Rock Hyun Baek,Jun Sik Yoon. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-02-06.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-02-01.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

TWO-STAGE TOP SOURCE DRAIN EPITAXY FORMATION FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS ENABLING GATE LAST FORMATION

Номер патента: US20210193527A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

NANORIBBON STRUCTURES WITH RECESSED SOURCE-DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190305135A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352742A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

Номер патента: KR102183131B1. Автор: 이승환,정진수,윤준식,백록현. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-26.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9263339B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09443854B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09673197B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160043082A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US9536879B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Diamond shaped source drain epitaxy with underlying buffer layer

Номер патента: US09577099B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Eric C. T. Harley,Yue Ke. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Diamond shaped source drain epitaxy with underlying buffer layer

Номер патента: US20160268413A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Eric C. T. Harley,Yue Ke. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

TRANSISTOR FABRICATION TECHNIQUE INCLUDING SACRIFICIAL PROTECTIVE LAYER FOR SOURCE/DRAIN AT CONTACT LOCATION

Номер патента: US20150069473A1. Автор: Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,HATTENDORF Michael L.,Jackson Michael J.,JOSHI Subhash M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20190067130A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of fabricating metal oxide or metal oxynitride tfts using wet process for source-drain metal etch

Номер патента: KR101733718B1. Автор: 얀 예. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-05-10.

Methods of fabricating metal oxide or metal oxynitride tfts using wet process for source-drain metal etch

Номер патента: WO2011037829A2. Автор: YAN Ye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-03-31.

Methods of fabricating metal oxide or metal oxynitride tfts using wet process for source-drain metal etch

Номер патента: WO2011037829A3. Автор: YAN Ye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-06-23.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200273993A1. Автор: Chii-Horng Li,Chih-Shan Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Ru LEE,Tzu-Ching Lin,Roger Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200052121A1. Автор: Chii-Horng Li,Chih-Shan Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Ru LEE,Tzu-Ching Lin,Roger Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Close proximity and lateral resistance reduction for bottom source/drain epitaxy in vertical transistor devices

Номер патента: US20190393343A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Source/Drain Epitaxial Layer Profile

Номер патента: US20210013343A1. Автор: Chuang Kun-Tsang,SINGH Gulbagh,Chen Hsin-Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-14.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200052121A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

WRAP AROUND CONTACT FOR NANOSHEET SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20210193829A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20170222053A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

CLOSE PROXIMITY AND LATERAL RESISTANCE REDUCTION FOR BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY IN VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190245083A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

DIAMOND SHAPED SOURCE DRAIN EPITAXY WITH UNDERLYING BUFFER LAYER

Номер патента: US20160268413A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Utomo Henry K.,KE YUE,Harley Eric C. T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20200273993A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

V-SHAPE RECESS PROFILE FOR EMBEDDED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180337283A1. Автор: Li Chii-Horng,Lin Yih-Ann,Chen Chih-Shan,Lee Yen-Ru,LIN TZU-CHING,Tai Roger. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

CLOSE PROXIMITY AND LATERAL RESISTANCE REDUCTION FOR BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY IN VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190393343A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL LAYER PROFILE

Номер патента: US20220359751A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Chuang Kun-Tsang,SINGH Gulbagh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

V-Shape Recess Profile for Embedded Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20170222053A1. Автор: Chii-Horng Li,Chih-Shan Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Ru LEE,Tzu-Ching Lin,Roger Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Close proximity and lateral resistance reduction for bottom source/drain epitaxy in vertical transistor devices

Номер патента: US20190245083A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL LAYER PROFILE

Номер патента: US20200006560A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Chuang Kun-Tsang,SINGH Gulbagh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09985117B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09716046B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09601514B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Scalable vertical transistor bottom source-drain epitaxy

Номер патента: US11335804B2. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

SCALABLE VERTICAL TRANSISTOR BOTTOM SOURCE-DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20210210631A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US09443853B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Shared contact trench comprising dual silicide layers and dual epitaxial layers for source/drain layers of NFET and PFET devices

Номер патента: US10566246B1. Автор: Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Nanosheet field effect transistor with a source drain epitaxy replacement

Номер патента: US11942374B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US12021142B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20240304724A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20220367715A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of forming source/drain epitaxial stacks

Номер патента: US20200303548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09892925B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09558950B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9653574B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method For Growing Multiple Layers of Source Drain Epitaxial Silicon in FDSOI Process

Номер патента: US20230274984A1. Автор: PENG Zhao,Nan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for improving bridging between source/drain epitaxial layer and gate

Номер патента: US20230143668A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for manufacturing source/drain epitaxial layer of fdsoi mosfet

Номер патента: US20240170344A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Jiaqi Hong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Asymmetric source/drain epitaxy

Номер патента: US11854897B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Asymmetric source/drain epitaxy

Номер патента: US20240105516A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with source/drain epitaxial layer

Номер патента: US11996323B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Ching-Yu Yang,Chung-Hao Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Source/drain epitaxial electrical monitor

Номер патента: US09972550B2. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical transistor with late source/drain epitaxy

Номер патента: US11996480B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Integrated system and method for source/drain engineering

Номер патента: US20180174825A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Schubert S. Chu,Xinyu Bao,Melitta Manyin Hon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Finfet with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100626B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363437A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230326807A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Merged source drain epitaxy

Номер патента: US09437496B1. Автор: Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,Edward P. Maciejewski,Chengwen Pei,Kevin McStay,Shreesh Narasimha,Werner A. Rausch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Vertical Gate-All-Around Transistor with Top and Bottom Source/Drain Epitaxy on a Replacement Nanowire, and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180190769A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Single source/drain epitaxy for co-integrating nFET semiconductor fins and pFET semiconductor fins

Номер патента: US09659938B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for semiconductor device fabrication with improved source drain epitaxy

Номер патента: US09748389B1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

INTEGRATED SYSTEM AND METHOD FOR SOURCE/DRAIN ENGINEERING

Номер патента: US20190035623A1. Автор: Chung Hua,Yan Chun,BAO XINYU,CHU Schubert S.,HON Melitta Manyin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

SHARED CONTACT TRENCH COMPRISING DUAL SILICIDE LAYERS AND DUAL EPITAXIAL LAYERS FOR SOURCE/DRAIN LAYERS OF NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20200058562A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

INTEGRATED SYSTEM AND METHOD FOR SOURCE/DRAIN ENGINEERING

Номер патента: US20180082836A1. Автор: Chung Hua,Yan Chun,BAO XINYU,CHU Schubert S.,HON Melitta Manyin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083118A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083119A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

EPITAXIAL STRUCTURE FOR SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20220293760A1. Автор: Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang,HUNG Tsungyu,CHU Chia-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

Integrated system and method for source/drain engineering

METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SPACERS FOR SOURCE/DRAIN CONFINEMENT

Номер патента: US20140357040A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2014-12-04.

Transistor source/drain epitaxy blocker

Номер патента: WO2022186909A1. Автор: Jun Yuan,Ming-Huei Lin,Lunwei CHANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-09.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US20170221993A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US09614040B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US20190229195A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL STRUCTURES FOR SEMICONDCUTOR DEVICES

Номер патента: US20220102220A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-31.

TRANSISTOR SOURCE/DRAIN EPITAXY BLOCKER

Номер патента: US20220285491A1. Автор: Yuan Jun,Lin Ming-Huei,CHANG Lunwei. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

MASKLESS TOP SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH ON VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200135585A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF FORMING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL STACKS

Номер патента: US20190148551A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,YANG Huai-Tei,MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Vertical Gate-All-Around Transistor with Top and Bottom Source/Drain Epitaxy on a Replacement Nanowire, and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180190769A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

STRAINED SILICON GERMANIUM FIN WITH BLOCK SOURCE/DRAIN EPITAXY AND IMPROVED OVERLAY CAPACITANCE

Номер патента: US20190229195A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20170256546A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Structure and Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20200251594A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

METHOD OF FORMING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL STACKS

Номер патента: US20200303548A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,YANG Huai-Tei,MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-24.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20200403099A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor Structure and Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20210296498A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Single source/drain epitaxy for co-integrating nFET semiconductor fins and pFET semiconductor fins

Номер патента: US10304831B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Method for semiconductor device fabrication with improved source drain epitaxy

Номер патента: KR20170112912A. Автор: 펑청 양,웨이양 리,쯔시앙 쉬,팅예 천. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-10-12.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Номер патента: US20210119051A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistors with uniform source/drain epitaxy

Verfahren zur Halbleitervorrichtungsherstellung mit verbesserter Source-Drain-Epitaxie

Номер патента: DE102016119017B4. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

MASKLESS TOP SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH ON VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200235015A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Spacer cut for asymmetric source/drain epitaxial structure in stacked fet

Номер патента: US20240162319A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Method and apparatus for source-drain junction formation in a FinFET with in-situ doping

Номер патента: US09564518B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Inert barrier region for source/drain regions of sonos memory devices

Номер патента: WO2008070624A1. Автор: He Yi,Liu Zhizheng,Sinha Shankar,Kwan Ming-Sang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-12.

Protective liner for source/drain contact to prevent electrical bridging while minimizing resistance

Номер патента: US20230246083A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for source-drain junction formation in silicon-germanium finfet and corresponding finfet apparatus

Номер патента: WO2016048791A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Process and structure for source/drain contacts

Номер патента: US11784228B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Process and structure for source/drain contacts

Номер патента: US20230387220A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Solid-source doping for source/drain of flash memory

Номер патента: WO2001033622A1. Автор: Timothy Thurgate,Carl Robert Huster. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-05-10.

Solid-source doping for source/drain to eliminate implant damage

Номер патента: TW469642B. Автор: Timothy Thurgate,Carl Robert Huster. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-12-21.

Nanosheet substrate isolated source/drain epitaxy via airgap

Номер патента: US20200044023A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160329428A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

System and Method for Source/Drain Contact Processing

Номер патента: US20120211807A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Nan Yeh,Cheng-Hung Chang,Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

SILICIDE FORMATION FOR SOURCE/DRAIN CONTACT IN A VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210013108A1. Автор: Xie Ruilong,Wu Heng,Fan Su Chen,Huang Huai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Method and apparatis for source-drain junction formation finfet with quantum barrier and ground plane doping

Номер патента: US20160087070A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD AND APPARATUS FOR SOURCE-DRAIN JUNCTION FORMATION IN A FINFET WITH IN-SITU DOPING

Номер патента: US20170104088A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

TRANSISTOR FABRICATION TECHNIQUE INCLUDING SACRIFICIAL PROTECTIVE LAYER FOR SOURCE/DRAIN AT CONTACT LOCATION

Номер патента: US20170229342A1. Автор: Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,HATTENDORF Michael L.,Jackson Michael J.,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-08-10.

Integrated-circuit manufacturing using high interstitial-recombination-rate blocking layer for source/drain extension implant

Номер патента: WO2001022487A1. Автор: Mark E. Rubin. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-03-29.

OVERHANG HARDMASK TO PREVENT PARASITIC EPITAXIAL NODULES AT GATE END DURING SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170053803A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

OVERHANG HARDMASK TO PREVENT PARASITIC EPITAXIAL NODULES AT GATE END DURING SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170053805A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY BY COUNTER-DOPED BOTTOM EPITAXY

Номер патента: US20190221638A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Nanosheet substrate isolated source/drain epitaxy by counter-doped bottom epitaxy

Номер патента: US20190221638A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

NANOSHEET MOSFET WITH ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY AND CLOSE JUNCTION PROXIMITY

Номер патента: US20200052124A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING NFET SEMICONDUCTOR FINS AND PFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160093618A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY BY NITROGEN IMPLANTATION

Номер патента: US20190109052A1. Автор: Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL LAYER HAVING FACETS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200105888A1. Автор: HSU Chao-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20200152791A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229204A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229205A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR PROVIDING SOURCE-DRAIN EPITAXY LAYER WITH LATERAL OVER-GROWTH SUPPRESSION

Номер патента: US20160268257A1. Автор: Lim Kwan-Yong,Prindle Christopher Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

CONFINED SOURCE DRAIN EPITAXY TO REDUCE SHORTS IN CMOS INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200295200A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A SOURCE DRAIN EPITAXY REPLACEMENT

Номер патента: US20220406664A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Effective junction formation in vertical transistor structures by engineered bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10763343B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Source/drain epitaxial layers for transistors

Номер патента: US20210305403A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Asymmetric source/drain epitaxy

Номер патента: US9991165B1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Source/drain epitaxy process in stacked fet

Номер патента: US20240030284A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20200152791A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20190393341A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Formation of cavity spacer and source-drain epitaxial growth for scaling of gate-all-around transistors

Номер патента: WO2023121813A1. Автор: Mohammad Hassan,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Vivek Thirtha,Nilesh Kumar,Ritesh Das. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY VIA AIRGAP

Номер патента: US20200044023A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Asymmetric Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180151439A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190189777A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Asymmetric Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180286759A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Asymmetric Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20190287859A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190393341A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Increase the Volume of Epitaxy Regions

Номер патента: US20200043793A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: US20240145592A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Boune AUBERTINE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: US11908934B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Finfets with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US20240363420A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing

Номер патента: EP1399961A2. Автор: Alexander T. Schwarm,Arulkumar P. Shanmugasundram. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-03-24.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09576806B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09391173B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US9741807B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicide formation for source/drain contact in a vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US11621199B2. Автор: Huai HUANG,Ruilong Xie,Heng Wu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Asymmetric epitaxy regions for landing contact plug

Номер патента: US20240282640A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US09985024B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20210151319A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US11869765B2. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20240087884A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Asymmetric epitaxy regions for landing contact plug

Номер патента: US11990377B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Process for fabricating a semiconductor device having embedded epitaxial regions

Номер патента: SG153734A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20240055426A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20160358824A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20210183856A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20190206865A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20160315144A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20170229455A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20180204837A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US9704753B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US10276569B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US11664375B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-05-30.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US9852951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US12094779B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220208613A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20230386924A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US11830772B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

HARD MASK FOR SOURCE/DRAIN EPITAXY CONTROL

Номер патента: US20150044830A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,Farber David Gerald,Lii Tom. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for source/drain self-alignment in stacked CMOS

Номер патента: US4603468A. Автор: Hon W. Lam. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCLUDING LATERALLY RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXIAL REGION AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180286863A1. Автор: Sheraw Christopher D.,McArdle Timothy J.,PARK Mira,Holt Judson R.,Stoker Matthew W.,MULFINGER George R.,Yang Yinxiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Techniques for forming finFET transistors with same fin pitch and different source/drain epitaxy configurations

Номер патента: US10312325B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122902A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122903A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122902A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20170352727A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Techniques for Forming FINFET Transistors with Same Fin Pitch and Different Source/Drain Epitaxy Configurations

Номер патента: US20180122903A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Multiple epitaxial region substrate and technique for making the same

Номер патента: WO2003012832A3. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Jonathan Geske. Владелец: Gore Enterprise Holdings Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20240379785A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device including an epitaxy region

Номер патента: US11955547B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor Device Including An Epitaxy Region

Номер патента: US20170186867A1. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20240204044A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Alternating-doping profile for source/drain of a fet

Номер патента: US20110237041A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chen-Liang Chu,Chun-Ting Liao,Fei-Yuh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Source/drain epitaxial layers for transistors

Номер патента: US20230299180A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US09640533B2. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Lateral confinement of source drain epitaxial growth in non-planar transistor for cell height scaling

Номер патента: EP4109554A1. Автор: Nitesh Kumar,Mohammed Hasan,Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Vivek Thirtha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Yu Ming-Hua,YANG Tsung-Hsi,KWOK Tsz-Mei,Yu Jeng-Wei,Chou Li-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US20160268257A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US20170200797A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Alternating-doping profile for source/drain of a semiconductor device

Номер патента: TW201032327A. Автор: Tsung-Yi Huang,Fei-Yun Chen,Chen-Liang Chu,Chun-Ting Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-09-01.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20150303281A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20180240873A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

Номер патента: US20190140052A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

DOPANT DIFFUSION BARRIER FOR SOURCE/DRAIN TO CURB DOPANT ATOM DIFFUSION

Номер патента: US20190035897A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.,RACHMADY Will. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING INCREASED EFFECTIVE WIDTH AND SELF-ALIGNED ANCHOR FOR SOURCE/DRAIN REGION FORMATION

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20220278211A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Tsai Kuo-Chiang,Lin Hsin-Huang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING INCREASED EFFECTIVE WIDTH AND SELF-ALIGNED ANCHOR FOR SOURCE/DRAIN REGION FORMATION

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Formation of cavity spacer and source-drain epitaxial growth for scaling of gate-all-around transistors

Номер патента: EP4454004A1. Автор: Mohammad Hassan,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Vivek Thirtha,Nilesh Kumar,Ritesh Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH IN VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200161451A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR PROVIDING SOURCE-DRAIN EPITAXY LAYER WITH LATERAL OVER-GROWTH SUPPRESSION

Номер патента: US20170200797A1. Автор: Lim Kwan-Yong,Prindle Christopher Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

STRAINED SILICON GERMANIUM FIN WITH BLOCK SOURCE/DRAIN EPITAXY AND IMPROVED OVERLAY CAPACITANCE

Номер патента: US20170221993A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Techniques for VFET Top Source/Drain Epitaxy

NANOSHEET SUBSTRATE ISOLATED SOURCE/DRAIN EPITAXY BY NITROGEN IMPLANTATION

Номер патента: US20190341316A1. Автор: Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20170373189A1. Автор: Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,HSU Tzu-Hsiang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

Номер патента: US20200403064A1. Автор: LEE Seung Hwan,JEONG Jin Su,BAEK Rock Hyun,YOON Jun Sik. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20190123200A1. Автор: Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,HSU Tzu-Hsiang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

NANOSHEET MOSFET WITH PARTIAL RELEASE AND SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180254329A1. Автор: Guillorn Michael A.,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Hook Terence B.,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Epitaxy regions extending below STI regions and profiles thereof

Номер патента: US12074166B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxy regions extending below sti regions and profiles thereof

Номер патента: US20240363636A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SPACERS FOR SOURCE/DRAIN CONFINEMENT

Номер патента: US20160064566A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Process method for source-drain contact metal, and device and preparation method therefor

Номер патента: WO2022257075A1. Автор: 王晨,张卫,徐敏,吴春蕾,杨静雯,陈鲲,尹睿,徐赛生. Владелец: 上海集成电路制造创新中心有限公司. Дата публикации: 2022-12-15.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160211265A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

ELIMINATING FIELD OXIDE LOSS PRIOR TO FINFET SOURCE/DRAIN EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160276345A1. Автор: Yu Hong,Zang Hui,Liu Bingwu,ZHAO Lun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

LATERAL CONFINEMENT OF SOURCE DRAIN EPITAXIAL GROWTH IN NON-PLANAR TRANSISTOR FOR CELL HEIGHT SCALING

Номер патента: US20220416044A1. Автор: Ghani Tahir,Kumar Nitesh,MEHTA Nikhil,Hasan Mohammed,THIRTHA Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurements are performed on wafers

Номер патента: US09651943B2. Автор: John Robinson,Mike Adel,Pavel Izikson,Amir Widmann,Dongsub Choi,Anat Marchelli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Passivation scheme for pad openings and trenches

Номер патента: US20240282728A1. Автор: Shen-Ping Wang,Chien-Li Kuo,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Ming-Hong CHANG,Chun-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Passivation scheme for pad openings and trenches

Номер патента: US11444046B2. Автор: Shen-Ping Wang,Chien-Li Kuo,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Ming-Hong CHANG,Chun-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Passivation scheme for pad openings and trenches

Номер патента: US12002774B2. Автор: Shen-Ping Wang,Chien-Li Kuo,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Ming-Hong CHANG,Chun-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

ELECTRODE FOR SOURCE/DRAIN OF ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20220293874A1. Автор: Takeya Junichi,WATANABE Shunichiro,MAKITA Tatsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

SOURCE/DRAIN EPITAXIAL ELECTRICAL MONITOR

Номер патента: US20170098585A1. Автор: Nowak Edward J.,Robison Robert R.,Logan Lyndon R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device including an epitaxy region

Номер патента: US09595477B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: US12132100B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: US20240371976A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Profile Control In Forming Epitaxy Regions for Transistors

Номер патента: US20230307223A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Epitaxy regions with large landing areas for contact plugs

Номер патента: US12057450B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Jung-Chi Tai,Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang,Heng-Wen Ting,Cheng-Hsiung Yen,Jui-Hsuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Epitaxy regions with large landing areas for contact plugs

Номер патента: US20240355826A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Jung-Chi Tai,Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang,Heng-Wen Ting,Cheng-Hsiung Yen,Jui-Hsuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Epitaxial region for embedded source/drain region having uniform thickness

Номер патента: US10461155B2. Автор: Wei Hong,YI Qi,Hui Zang,Yanping SHEN,Xusheng Wu,Yoong Hooi Yong,Hsien-Ching Lo,Joo Tat Ong,Dongil CHOI,Yongjun Shi,Alina Vinslava,James Psillas. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Device with engineered epitaxial region and methods of making same

Номер патента: US09412870B2. Автор: Yen-Chun Lin,King-Yuen Wong,Da-Wen Lin,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai,Chia-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor Device Having a Shaped Epitaxial Region

Номер патента: US20200006564A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,Huang Yi-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Profile Control In Forming Epitaxy Regions for Transistors

Номер патента: US20220052184A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Increase the Volume of Epitaxy Regions

Номер патента: US20200043793A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Melting Laser Anneal Of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210057276A1. Автор: CHANG Huicheng,Chen Wen-Yen,Jang Syun-Ming,LIU Su-Hao,Wang Li-Ting,Sung Cheng-Jung,Yeo Yee-Chia,Chen Liang-Yin,Chen Tz-Shian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20160087078A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED EPITAXIAL REGION AND ITS METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20210159339A1. Автор: Ghani Tahir,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,AUBERTINE Daniel Bourne. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Selective Etching in the Formation of Epitaxy Regions in MOS Devices

Номер патента: US20160163827A1. Автор: Lee Tze-Liang,Li Chii-Horng,Cheng Yu-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Melting Laser Anneal of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210257255A1. Автор: CHANG Huicheng,Chen Wen-Yen,Jang Syun-Ming,LIU Su-Hao,Wang Li-Ting,Sung Cheng-Jung,Yeo Yee-Chia,Chen Liang-Yin,Chen Tz-Shian. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Increase the Volume of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210313234A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Device with Engineered Epitaxial Region and Methods of Making Same

Номер патента: US20150364602A1. Автор: Wong King-Yuen,Lu Chia-Yu,Su Chien-Chang,Lin Yen-Chun,Pai Yi-Fang,Lin Da-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: TWI766664B. Автор: 沙哈吉Ｂ摩爾. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: US10957796B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor device with doped epitaxial region and method of manufacturing the same

Номер патента: CN111883591A. Автор: T.加尼,A.S.默西,D.B.奥贝蒂内,A.J.派特. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device having epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: EP3208833A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-23.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: WO2011084262A3. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Light-emitting module comprising plurality of light emitting diodes and epitaxial region and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US12062649B2. Автор: LU Yao,Feng Qin,Xupeng Wang,Jine Liu,Wanchun DU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout and timing schemes for ping-pong readout architecture

Номер патента: US09787928B2. Автор: Steven Huang,Yingying Wang,Dexue Zhang,Loc Truong. Владелец: Forza Silicon Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Pixel array area optimization using stacking scheme for hybrid image sensor with minimal vertical interconnects

Номер патента: US09763566B2. Автор: Laurent Blanquart. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor package with low resistance package-to-die interconnect scheme for reduced die stresses

Номер патента: US20030116860A1. Автор: Carlos Gonzalez,Biju Chandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Extreme low-K dielectric film scheme for advanced interconnects

Номер патента: USRE42514E1. Автор: Chih-Lung Lin,Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Fang-Wen Tsai,Kuan-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

FinFet device with channel epitaxial region

Номер патента: US09496397B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Melting Laser Anneal Of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210057276A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Wen-Yen Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Tz-Shian Chen,Cheng-Jung Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Melting Laser Anneal of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210257255A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Wen-Yen Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Tz-Shian Chen,Cheng-Jung Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Epitaxy Regions Extending Below STI Regions and Profiles Thereof

Номер патента: US20220052044A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

CONFINED EPITAXIAL REGIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CONFINED EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20200035813A1. Автор: Ghani Tahir,HATTENDORF Michael L.,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Confined Epitaxial Regions for Semiconductor Devices and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Having Confined Epitaxial Regions

Номер патента: US20170054003A1. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

EPITAXIAL REGION FOR EMBEDDED SOURCE/DRAIN REGION HAVING UNIFORM THICKNESS

Номер патента: US20190148492A1. Автор: Hong Wei,Qi Yi,Zang Hui,LO Hsien-Ching,Wu Xusheng,SHI YONGJUN,SHEN Yanping,Choi Dongil,Yong Yoong Hooi,Ong Joo Tat,Vinslava Alina,Psillas James. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Confined Epitaxial Regions for Semiconductor Devices and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Having Confined Epitaxial Regions

Номер патента: US20180158930A1. Автор: Ghani Tahir,HATTENDORF Michael L.,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Defined epitaxial region for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having defined epitaxial region

Номер патента: CN106165102B. Автор: T·加尼,S·S·廖,M·L·哈藤多夫. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: TW201626575A. Автор: 塔何甘尼,廖思雅,麥可哈頓朵夫. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-16.

Epitaxy Regions with Large Landing Areas for Contact Plugs

Номер патента: US20220028856A1. Автор: Pai Yi-Fang,Tai Jung-Chi,Yu Ming-Hua,YANG Tsung-Hsi,KWOK Tsz-Mei,Li Chii-Horng,Yeo Yee-Chia,Yu Jeng-Wei,Yen Cheng-Hsiung,TING Heng-Wen,Chen Jui-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

Asymmetric Epitaxy Regions for Landing Contact Plug

Номер патента: US20220051948A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

MOS DEVICES HAVING EPITAXY REGIONS WITH REDUCED FACETS

Номер патента: US20200035831A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

FinFet Device with Channel Epitaxial Region

Номер патента: US20150054039A1. Автор: LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,LIN Zhi-Chang,Wang Chao Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-02-26.

DUAL EPITAXY REGION INTEGRATION

Номер патента: US20150076608A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-19.

WRAP-AROUND CONTACT SURROUNDING EPITAXIAL REGIONS OF INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20200119002A1. Автор: Taylor William,Xie Ruilong,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20210183856A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20210184037A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20180204837A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20190206865A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR DEVICE HAVING BASE EPITAXY REGION ON ETCHED OPENING IN DARC LAYER

Номер патента: US20170309618A9. Автор: Rennie Michael,DI GIACOMO SANDRO J.,Shea Patrick B.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-10-26.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20160358824A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20200357921A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method of fabricating mos transistor having epitaxial region

Номер патента: KR100630767B1. Автор: 이호,이화성,테추지 우에노. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Finfet device with channel epitaxial region

Номер патента: KR101624388B1. Автор: 치웬 리우,차오시웅 왕,궈쳉 칭,지챙 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-05-25.

Wrap-around contact surrounding epitaxial regions of integrated circuit structures and method of forming same

Номер патента: US10665590B2. Автор: Hui Zang,William Taylor,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Electrode for source/drain of organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US12133397B2. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-10-29.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20190013405A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20210184037A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20200357921A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20170263771A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20180069123A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

MOS devices having epitaxy regions with reduced facets

Номер патента: US09853155B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

MOS devices having epitaxy regions with reduced facets

Номер патента: US09666686B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20160087078A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Epitaxy regions extending below STI regions and profiles thereof

Номер патента: US11610890B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts

Номер патента: US09799671B2. Автор: Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Matthias Baenninger,Stephen SHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Simplified multi-threshold voltage scheme for fully depleted SOI MOSFETs

Номер патента: US09633911B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Scott Luning,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20190013405A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

GATE-ALL-AROUND DEVICES WITH ISOLATED AND NON-ISOLATED EPITAXY REGIONS FOR STRAIN ENGINEERING

Номер патента: US20220310602A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Greene Andrew M.,Frougier Julien,SUK Sung Dae. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20160315144A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE WITH STEPPED EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Raymond Mark V.,Bentley Steven,Suvarna Puneet H.,Zeitzoff Peter M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20150021696A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF MANUFACTURING A FinFET DEVICE USING A SACRIFICIAL EPITAXY REGION FOR IMPROVED FIN MERGE AND FinFET DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150041908A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,He Hong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-12.

Beol integration scheme for copper cmp to prevent dendrite formation

Номер патента: US20140065815A1. Автор: Kunaljeet Tanwar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Three-dimensional packaging scheme for package types utilizing a sacrificail metal base

Номер патента: WO2007127739A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-08.

Low duty cycle transmission scheme for nb iot devices

Номер патента: US20200037244A1. Автор: Thomas Fliess. Владелец: COMMSOLID GMBH. Дата публикации: 2020-01-30.

Low duty cycle transmission scheme for nb iot devices

Номер патента: EP3563611A1. Автор: Thomas Fliess. Владелец: COMMSOLID GMBH. Дата публикации: 2019-11-06.

Invertible numbering scheme for hermaphroditic connector

Номер патента: US20190052010A1. Автор: Franklin A. Holub,Ryan DOMBROWSKI. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Self diagnosis and self healing scheme for digital beam-forming

Номер патента: US6084541A. Автор: Soheil I. Sayegh. Владелец: Comsat Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Optical mounting scheme for waveguide lasers and waveguide laser incorporating the same

Номер патента: US7583718B2. Автор: Nathan P. Monty. Владелец: Videojet Technologies Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Panel yoke and snap locking mounting scheme for securing wire connectors

Номер патента: US5228869A. Автор: Randall J. Below. Владелец: Siemon Co. Дата публикации: 1993-07-20.

Intelligent lighting control system multi-way schemes for switch bases

Номер патента: US20200337144A1. Автор: Ian Charles Smith. Владелец: Racepoint Energy LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Pcb interconnect scheme for co-planar led strips

Номер патента: US20210071830A1. Автор: VOON Yeow Seng,Brian Elliot Sinofsky,Michael Justin WRIGHT,Lim Peng HUAY,Low Hong YEAP. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Epitaxial regions extending between inner gate spacers

Номер патента: US20240088265A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Tao Chu,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Buffer epitaxial region in semiconductor devices and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230326989A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

DEFECT PREVENTION ON SRAM CELLS THAT INCORPORATE SELECTIVE EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20130196479A1. Автор: Rotondaro Antonio L.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-01.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20180069123A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device including an Epitaxy Region

Номер патента: US20190123198A1. Автор: Wang Tzu-Chung,LIN Yu-Hsien,Huang Yimin,Pan Te-Jen,Shen Hsiang-Ku,Fan Wei-Han,Lin Yun Jing. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor Device Including An Epitaxy Region

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FINFET STRUCTURES WITH VARIED EPITAXIAL REGIONS, RELATED METHOD AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20140332888A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-13.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20170263771A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device including FINFET structures with varied epitaxial regions, related method and design structure

Номер патента: US8916932B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED EPITAXIAL REGION AND ITS METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20140084369A1. Автор: Ghani Tahir,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Aubertine Daniel Boume. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

SEMICONDUCTOR RECESS TO EPITAXIAL REGIONS AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20200161315A1. Автор: Hong Wei,Brunco David P.,Zang Hui,SHEN Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

METHOD OF MANUFACTURING A FinFET DEVICE USING A SACRIFICIAL EPITAXY REGION FOR IMPROVED FIN MERGE AND FinFET DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150228671A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Field effect trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: EP0580452A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1994-01-26.

Non-volatile memory with epitaxial regions for limiting cross coupling between floating gates

Номер патента: US7834386B2. Автор: Jeffrey W. Lutze,Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: US5910669A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Circuit for biasing epitaxial regions with a bias voltage that is not lower than ground reference despite power supply disturbation

Номер патента: US5796292A. Автор: Natale Aiello. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 1998-08-18.

Repeater scheme for inter-die signals in multi-die package

Номер патента: US20230395566A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Source/drain electrode for organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and production method for source/drain electrode and semiconductor device

Номер патента: EP4027373A4. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-10-04.

Battery disconnect scheme for a portable data terminal

Номер патента: US20120155019A1. Автор: Eric Linn,Sherri Reed,Kirk Burmeister. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2012-06-21.

Optimized stepped collision energy scheme for tandem mass spectrometry

Номер патента: EP3621100A1. Автор: Philip M. Remes. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2020-03-11.

Transmission rate adaptive transmission scheme for multiple input and output systems

Номер патента: RU2487475C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Тамер КАДОУС,Раджив ВИДЖАЯН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-07-10.

Transmission rate adaptive transmission scheme for multiple input multiple output (mimo) systems

Номер патента: RU2530992C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Тамер КАДОУС,Раджив ВИДЖАЯН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-10-20.

Transmission rate adaptive transmission scheme for multiple input multiple output systems

Номер патента: RU2524357C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Тамер КАДОУС,Раджив ВИДЖАЯН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-07-27.

Scheme for selecting redundancy strategy

Номер патента: RU2328832C2. Автор: Эса МАЛКАМАКИ,Франк ФРЕДЕРИКСЕН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2008-07-10.

Coding schemes for wireless communication transmission

Номер патента: RU2426241C2. Автор: Аамод КХАНДЕКАР,Томас РИЧАРДСОН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-10.

Domain name control scheme for cross-chain interactions in blockchain systems

Номер патента: RU2718959C1. Автор: Хунлинь ЦЮ. Владелец: Алибаба Груп Холдинг Лимитед. Дата публикации: 2020-04-15.

Conversion scheme for switching of big number of levels of switched voltage

Номер патента: RU2414045C2. Автор: Петер БАРБОЗА,Петер ШТАЙМЕР,Туфанн ЧАУДХУРИ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2011-03-10.

Electronic ballast scheme for lamps

Номер патента: RU2560526C2. Автор: Стив МАКНЕЙ. Владелец: ДЖЕНИСИС ГЛОБАЛ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-20.

Sounding feedback schemes for very high throughput wireless systems

Номер патента: RU2540854C2. Автор: ЗЕЛСТ Альберт ВАН,Хемантх САМПАТХ,Самир ВЕРМАНИ,Рауль ТАНДРА,НЕ Дидье Йоханнес Ричард ВАН,IV Винсент Ноулз ДЖОУНС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-02-10.

Method and system for determining a sampling scheme for sensor data

Номер патента: EP3398347A1. Автор: Markus Kopf,Daniel Lampert Richart. Владелец: Teraki GmbH. Дата публикации: 2018-11-07.

Bandwidth management and congestion control scheme for multicast atm networks

Номер патента: WO1993003555A1. Автор: Jonathan S. Turner. Владелец: WASHINGTON UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-02-18.

Efficient protection scheme for mpls multicast

Номер патента: EP2520051A1. Автор: Yigal Bejerano,Pramod Koppol. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-11-07.

Efficient protection scheme for mpls multicast

Номер патента: WO2011081742A1. Автор: Yigal Bejerano,Pramod Koppol. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2011-07-07.

Channel access schemes for wireless local area network (wlan) with full-duplex radios

Номер патента: EP3788834A1. Автор: Xiaofei Wang,Li-Hsiang Sun,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2021-03-10.

Scheme for managing last-modified information

Номер патента: US20170046148A1. Автор: Jonathan Moore. Владелец: COMCAST CABLE COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

Using a configured negative acknowledgement transmission scheme for error cause indication

Номер патента: WO2022020360A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Konstantinos Dimou. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-27.

Using a configured negative acknowledgement transmission scheme for error cause indication

Номер патента: US20230299883A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Konstantinos Dimou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Configurations and feedback schemes for compressed channel state information (CSI)

Номер патента: US12088385B2. Автор: Hao Xu,Joseph Binamira Soriaga,Liangming WU,Chenxi HAO,Qiaoyu Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Scheme for ensuring fault tolerance in communication networks

Номер патента: RU2424625C2. Автор: Рауль ФЬОРОНЕ,Риккардо МАРТИНОТТИ,Андреа КОРТИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2011-07-20.

Scheme for power control messages transmission

Номер патента: RU2447582C2. Автор: Тинфан ЦЗИ,Пранав ДАЯЛ,Тинфан ЦЗИ (US),Пранав ДАЯЛ (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-04-10.

Spatial interference mitigation schemes for wireless communication

Номер патента: RU2493655C2. Автор: Рави ПАЛАНКИ,Алексей Ю. ГОРОХОВ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-09-20.

Flexible segmentation scheme for communication systems

Номер патента: RU2409898C2. Автор: Цуеши КАШИМА,Мика П. РИННЕ,Юкка РАНТА,Пайви ПУРОВЕСИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2011-01-20.

Activation scheme for ophthalmological lense with electric power

Номер патента: RU2637611C2. Автор: Адам ТОНЕР,Скотт Роберт ХАМФРИС,Роберт Карл ШВАЙКЕРТ,Стивен Филлип ХОГГАРТ,Сейед Али Горджи ЗАДЕХ,Дональд К. Мл. УИТНИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-12-05.

Scheme for addressing protocol frames to target devices

Номер патента: RU2658787C1. Автор: Андреас ВАСС,Эрик ЛЕРФАРС. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2018-06-22.

Combination scheme for baseline wander, direct current level shifting, and receiver linear equalization for high speed links

Номер патента: US12034440B2. Автор: Rajesh Kumar,Gerald R. Talbot,Jeffrey Cooper,Tracy J. Feist,Edoardo Prete,Ethan Crain. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Process monitor based keeper scheme for dynamic circuits

Номер патента: US20040051562A1. Автор: Claude Gauthier,Shaishav Desai. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US8675737B2. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US20110103481A1. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Methods and apparatus of enhanced candidate allocation schemes for enhanced pdcch

Номер патента: EP4316119A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US9071823B2. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Transmit diversity schemes for uplink sequence transmissions

Номер патента: EP3659267A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Renqiu Wang,Yi Huang,Seyong Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Transmit diversity schemes for uplink sequence transmissions

Номер патента: WO2019023612A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Renqiu Wang,Yi Huang,Seyong Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-31.

Schemes for channel aware tone reservation contention with reference signals

Номер патента: US20240260085A1. Автор: Lior Uziel,Idan Michael Horn,Gideon Shlomo KUTZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Authentication scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: EP4113340A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2023-01-04.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US20140146893A1. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Listen-before-talk schemes for directional communications

Номер патента: US20200252806A1. Автор: Tao Luo,Vinay Chande,Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Arumugam Chandamarai Kannan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Transmit beam selection schemes for multiple transmission reception points

Номер патента: US12069613B2. Автор: Tao Luo,Wooseok Nam,Mostafa KHOSHNEVISAN,Sungwoo Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Switching scheme for opting in and out of multi-user orthogonal frequency-division multiple access

Номер патента: US12075335B2. Автор: Ning Zhang,Kai Shi,Ahmed Ibrahim ElArabawy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Authentication scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: US20240281244A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Mapping schemes for uplink control transmissions in wireless communication systems

Номер патента: EP4082228A1. Автор: Peng Hao,Chunli Liang,Xianghui HAN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Mapping schemes for uplink control transmissions in wireless communication systems

Номер патента: US20220400480A1. Автор: Peng Hao,Chunli Liang,Xianghui HAN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Mobile transceiver for asset tracking having a power saving scheme for network access

Номер патента: WO2018031337A1. Автор: Sergio Javier Berriz,Jasmin Mulaosmanovic,Robert Joseph Lombardi. Владелец: BlackBerry Limited. Дата публикации: 2018-02-15.

Mobile IP communication scheme for supporting mobile computer move over different address spaces

Номер патента: US20050281285A1. Автор: Atsushi Inoue,Yoshiyuki Tsuda,Atsushi Fukumoto,Masahiro Ishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-12-22.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20240303194A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for a multiple value packing scheme for homomorphic encryption

Номер патента: US09847871B2. Автор: Sarvar Patel,Marcel M. M. Yung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Sharing information between nexuses that use different classification schemes for information access control

Номер патента: US09836523B2. Автор: Richard Allen Ducott, III,Khan Tasinga,John Kenneth Garrod. Владелец: Palantir Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Hybrid transform scheme for video coding

Номер патента: US09807423B1. Автор: CHENG Chen,Yaowu Xu,Jingning Han. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Flash memories using minimum push up, multi-cell and multi-permutation schemes for data storage

Номер патента: US09666280B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-05-30.

Controlling a modulation and coding scheme for a transmission between a base station and a user equipment

Номер патента: US09642118B2. Автор: Bernhard Raaf,Esa Tapani Tiirola,Kari Pekka Pajukoski,Eeva Lähetkangas. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2017-05-02.

Systems and methods for a multiple value packing scheme for homomorphic encryption

Номер патента: US09641318B2. Автор: Sarvar Patel,Marcel M. M. Yung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Automatic alignment scheme for orbital angular momentum receiver

Номер патента: WO2024074026A1. Автор: Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and system for opportunistic hybrid relay selection scheme for downlink transmission

Номер патента: WO2009059006A1. Автор: Hiroshi Inamura,Fujio Watanabe,Chia-Chin Chong. Владелец: NTT DOCOMO Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Power saving scheme for nodes that are out of range of a network

Номер патента: EP1997272A2. Автор: Vernon A. Allen,Oleg Andric. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Power saving scheme for nodes that are out of range of a network

Номер патента: WO2007100946A2. Автор: Vernon A. Allen,Oleg Andric. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2007-09-07.

Distributed information management schemes for dynamic allocation and de-allocation of bandwidth

Номер патента: WO2003003156A3. Автор: Dahai Xu,Chunming Qiao. Владелец: Brilliant Optical Networks. Дата публикации: 2003-04-24.

Encryption scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: US20240296039A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: EP3766068A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-20.

Dynamic scheduling restriction and measurement scheme for l1/l2 inter-cell mobility

Номер патента: WO2024168665A1. Автор: Hong He,YANG Tang,Dawei Zhang,Jie Cui,Qiming Li,Yuexia Song,Naveen Kumar R PALLE VENKATA. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Distributed information management schemes for dynamic allocation and de-allocation of bandwidth

Номер патента: WO2003003156A8. Автор: Dahai Xu,Chunming Qiao. Владелец: Brilliant Optical Networks. Дата публикации: 2004-02-19.

Decoding algorithm with enhanced parity check matrix and re-encoding scheme for LDPC code

Номер патента: US09973212B2. Автор: Jui Hui HUNG. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Zero voltage soft switching scheme for power converters

Номер патента: US09621044B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Inter-node communication scheme for sharing node operating status

Номер патента: US09553789B2. Автор: Lance W. Russell,Murali Vaddagiri,Rajeev Mishra,Arunachalam Ganapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Virtual output queue linked list management scheme for switch fabric

Номер патента: US09531641B2. Автор: Arvind Srinivasan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Transmission scheme for communication systems

Номер патента: US09503985B2. Автор: Guy Reina,Ron Sterenson,Rami Verbin. Владелец: Sckipio Technologies SI Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Zero voltage soft switching scheme for power converters

Номер патента: US09379620B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

The dual pilot sequences scheme for communications systems

Номер патента: CA3056372A1. Автор: Abdelmalik Aljalai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-10.

Overlay scheme for container addressing in virtual networks

Номер патента: US20240129231A1. Автор: Abhijeet Kumar,Chandan Aggarwal,Rishabh TEWARI,Neha AGGARWAL,Alok Upadhyay,Aanand Ramachandran,Sudhir GOEL,Trilok NUWAL,Matthew Francis LONG,Evan Alexander BAKER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Recurring communication schemes for federated learning

Номер патента: US20240137944A1. Автор: Tao Luo,Sony Akkarakaran,Hamed Pezeshki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Yield recovery scheme for memory

Номер патента: US20240096405A1. Автор: Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Transmission power control schemes for d2d communications

Номер патента: EP2946613A1. Автор: FENG CHEN,Rongzhen Yang,Hujun Yin,JONG-KAE FWU,Andreas Schmidt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Electronic device with predetermined compression schemes for parallel computing

Номер патента: US20230153181A1. Автор: Ho Young Kim,Sungju RYU,Se Hyun YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Transient control scheme for multiphase power converters

Номер патента: US20240204652A1. Автор: QIANG LI,Adhistira Madhyasta Naradhipa. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Authentic device admission scheme for a secure communication network, especially a secure ip telephony network

Номер патента: WO2007019803A1. Автор: Kar-Wing Edward Lor,Kwan Shum,Yat Tung Cheung,Wing Hei Luk. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Hierarchical update scheme for extremum location with indirect addressing

Номер патента: WO2008103322A3. Автор: Donald Martin Monro. Владелец: Intellectual Ventures Holding. Дата публикации: 2009-02-26.

Switching scheme for isi mitigation in data converters

Номер патента: US20140145867A1. Автор: Abhishek Bandyopadhyay,Paul A. Baginski. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Voltage regulation schemes for powering multiple circuit blocks

Номер патента: US20220413534A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Codeword bit interleaving scheme for multilayer transmissions in wireless communication system

Номер патента: EP4218141A1. Автор: Branislav M. Popovic,Alberto Giuseppe PEROTTI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Voting scheme for analog signals

Номер патента: EP1788705A3. Автор: David O. Erstad,Bruce W. Ohme. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Drive scheme for low pressure gas discharge lamps

Номер патента: EP1057378A1. Автор: Bjorn Gysell,Jerzy Hoja,Bengt Palmquist,Waldemar Tlaga. Владелец: PLS SYSTEMS AB. Дата публикации: 2000-12-06.

Schemes for determining whether all of the fragments of a datagram are received

Номер патента: US20040243782A1. Автор: David Mankins. Владелец: Bbnt Solutions Llc. Дата публикации: 2004-12-02.

Resource efficient ssb transmission scheme for sidelink communication in unlicensed spectrum

Номер патента: WO2024207279A1. Автор: Yong Liu,Timo Erkki Lunttila,Jari Olavi Lindholm,Naizheng ZHENG,Nuno Manuel KIILERICH PRATAS,Renato Barbosa ABREU,Torsten WILDSCHEK,Thomas Haaning Jacobsen,Jian Guo Liu. Владелец: Nokia Shanghai Bell Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-10.

Control scheme for fault tolerant converter topology based dual channel permanent magnet motor drive system

Номер патента: US20240356478A1. Автор: Maamar Benarous,Mohamed Elsayed Rashed Mohamed Alabassy. Владелец: Goodrich Actuation Systems Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Pilot scheme for a MIMO communication system

Номер патента: US09762300B2. Автор: Ming Jia,Wen Tong,HUA Xu,Peiying Zhu,Jianglei Ma,Moussa Abdi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Selective harq combining scheme for ofdm/ofdma systems

Номер патента: RU2450461C2. Автор: Дзе Воо КИМ,Дзонг Хиеон ПАРК,Самир НАНАВАТИ,Джеймс Й. ХЕРТ,Дзонг Хиеон ПАРК (US),Дзе Воо КИМ (US),Самир НАНАВАТИ (US),Джеймс Й. ХЕРТ (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-05-10.

Mechanism for dynamic syntax analysis/assembly based on scheme for syntax analysis of multi-format messages

Номер патента: RU2429533C2. Автор: Сара К. ГАРРИСОН,Марк КАРЛСОН,Камлакар СИНГХ,Тхакур Л. СИНГХ,Шаджен ДЕВАССЕЙ. Владелец: ВИЗА Ю.Эс.Эй., ИНК.. Дата публикации: 2011-09-20.

Pilot transmission scheme for wireless multi-carrier communication systems

Номер патента: RU2507699C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Дурга Прасад МАЛЛАДИ,Джон Е. СМИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-02-20.

Random access scheme for user equipment

Номер патента: RU2499364C2. Автор: Сунг Дук ЧУН,Сунг Дзун ПАРК,Сеунг Дзун ЙИ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2013-11-20.

Domain name scheme for cross-chain interactions in blockchain systems

Номер патента: RU2707938C1. Автор: Хунлинь ЦЮ. Владелец: Алибаба Груп Холдинг Лимитед. Дата публикации: 2019-12-02.

Paging and power management schemes for local area network access

Номер патента: RU2510158C2. Автор: Раджарши ГУПТА,Параг А. АГАШЕ,Фатих УЛУПИНАР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-03-20.

Paging scheme for mobile communication system using increased paging channel data transmission rate

Номер патента: CA2220900C. Автор: Takehiro Nakamura,Seizo Onoe,Motohiro Tanno. Владелец: NTT Mobile Communications Networks Inc. Дата публикации: 2002-02-12.

Methods and devices for employing a modulation and coding scheme for a data block

Номер патента: US8885617B2. Автор: Abeezar A. Burhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Bandwidth sharing and congestion control scheme for an integrated voice and data network

Номер патента: CA2000557C. Автор: Kotikalapudi Sriram. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Transfer scheme for speech and voice band signals and isdn digital signals using reduced transmission bandwidth over atm

Номер патента: CA2260297C. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Ikuo Sunaga. Владелец: KDD Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Transmission power control scheme for mobile communication system

Номер патента: EP1041733A3. Автор: Narumi Umeda,Etsuhiro Nakano,Tomohiro Dohi. Владелец: NTT Mobile Communications Networks Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Systems and methods for selecting a transmission rate and coding scheme for use in a satellite communications

Номер патента: CA2449154A1. Автор: Frank M. Kelly,John L. Border,Matthew B. Baer. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-14.

Method and apparatus for determining modulation scheme for retransmission in a communication system

Номер патента: CA2434238C. Автор: Sang-Hyuck Ha,Min-Goo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-12.

Method and apparatus for using multiple modulation schemes for a single packet

Номер патента: CA2590654C. Автор: Avneesh Agrawal,Aamod Khandekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Dynamic resource allocations and transmission schemes for xPUCCH (5G PUCCH)

Номер патента: US11044059B2. Автор: Hong He,JONG-KAE FWU,Gang Xiong,Ajit Nimbalker,Ralf Bendlin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Dynamic buffer management scheme for atm switches

Номер патента: WO2000005656A1. Автор: Iftekhar Hussain,Thomas Worster. Владелец: General Datacomm, Inc.. Дата публикации: 2000-02-03.

Scheduling and transmission scheme for periodic and aperiodic control information

Номер патента: SG11201908195XA. Автор: Tao Luo,Bilal SADIQ,Sony Akkarakaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Methods, apparatus and computer-readable mediums relating to scheduling and feedback schemes for the transmission of data packets in a wireless communication network

Номер патента: US20210028889A1. Автор: Gustav WIKSTRÖM,Zhenhua Zou,Kittipong KITTICHOKECHAI,Efthymios Stathakis. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-01-28.

Application-to-application resource reservation schemes for precision networking

Номер патента: WO2022177675A1. Автор: Vinodh Gopal,Akhilesh S THYAGATURU,Patrick J. Hart,Christin Fenter. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-08-25.

Differential amplifier sensing schemes for non-switching state compensation in a memory device

Номер патента: US20210335408A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Switching scheme for opting in and out of multi-user orthogonal frequency-division multiple access

Номер патента: WO2021118648A1. Автор: Ning Zhang,Kai Shi,Ahmed Ibrahim ElArabawy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Receiver-agnostic scheme for reliable delivery of data over multipath

Номер патента: WO2023247005A1. Автор: Reuven Cohen,Ben-Shahar BELKAR. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Listen-before-talk schemes for directional communications

Номер патента: WO2020159726A1. Автор: Tao Luo,Vinay Chande,Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Arumugam Chendamarai Kannan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-06.

Listen-before-talk schemes for directional communications

Номер патента: EP3918865A1. Автор: Tao Luo,Vinay Chande,Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Arumugam Chendamarai Kannan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Listen-before-talk schemes for directional communications

Номер патента: US20220272548A1. Автор: Tao Luo,Vinay Chande,Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Arumugam Chendamarai Kannan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Listen-before-talk schemes for directional communications

Номер патента: US11751073B2. Автор: Tao Luo,Vinay Chande,Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Arumugam Chendamarai Kannan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Configuration schemes for secondary cell, bandwidth part and physical resource block indexing

Номер патента: US11888697B2. Автор: Hong He,JEONGHO JEON,HONGLEI Miao,DEBDEEP CHATTERJEE,Gang Xiong,Alexei Davydov,Daewon Lee,Joonyoung Cho. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus, Method and Computer Program for determining a duplex resource scheme for a localized communication in a mobile communication system

Номер патента: US20200288477A1. Автор: Ernst Zielinski,Joakim Cerwall,Ahmad EL ASSAAD. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Switching scheme for opting in and out of multi-user orthogonal frequency-division multiple access

Номер патента: US11743765B2. Автор: Ning Zhang,Kai Shi,Ahmed Ibrahim ElArabawy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Feedback scheme for providing feedback on plural transmissions

Номер патента: EP2474121A1. Автор: Joachim Löhr,Christian Wengerter,Alexander Golitschek Edler Von Elbwart,Seigo Nakao,Priya Hariharan. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Differential amplifier sensing schemes for non-switching state compensation in a memory device

Номер патента: US11545206B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Schemes for adjusting adaptive resolution for motion vector difference

Номер патента: CA3213660A1. Автор: Liang Zhao,XIN ZHAO,Shan Liu. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Hardware-assisted tracing schemes for distributed and scale-out applications

Номер патента: US20200186592A1. Автор: Francesc Guim Bernat,Karthik Kumar,Timothy Verrall,Patrick KUTCH,Trevor Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-11.

Probabilistic constellation shaping schemes for multiple layer transmissions

Номер патента: WO2023216177A1. Автор: Yu Zhang,Yi Huang,Liangming WU,Hung Dinh LY,Kexin XIAO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-16.

Schemes for adjusting adaptive resolution for motion vector difference

Номер патента: AU2022434642A1. Автор: Liang Zhao,XIN ZHAO,Shan Liu. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Switching scheme for opting in and out of multi-user orthogonal frequency-division multiple access

Номер патента: EP4000343A1. Автор: Ning Zhang,Kai Shi,Ahmed Ibrahim ElArabawy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-05-25.

An automatic policy change management scheme for diffserv-enabled mpls networks

Номер патента: WO2008124776A1. Автор: Gi Tae Kim,Narayanan Natarajan,George Lapiotis. Владелец: TELCORDIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-10-16.

Methods for adaptable tdd scheme for mobile iab cells

Номер патента: WO2023175564A1. Автор: Ritesh SHREEVASTAV,Tarcísio Ferreira Maciel,Francisco Rafael Marques Lima,Behrooz MAKKI,Victor Farias MONTEIRO,Darlan Cavalcante Moreira,Diego AGUIAR SOUSA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2023-09-21.

Channel access schemes for wireless local area network (wlan) with full-duplex radios

Номер патента: US20210176033A1. Автор: Xiaofei Wang,Li-Hsiang Sun,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Differential amplifier sensing schemes for non-switching state compensation

Номер патента: US11004493B1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Rearrangement scheme for low peak-to-average power ratio faster-than-nyquist waveform

Номер патента: US20240154849A1. Автор: Jun Ma,Mohamad SAYED HASSAN,Achraf El Brigui. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods, apparatus and computer-readable mediums relating to scheduling and feedback schemes for the transmission of data packets in a wireless communication network

Номер патента: EP3785389A1. Автор: Gustav WIKSTRÖM,Zhenhua Zou,Kittipong KITTICHOKECHAI,Efthymios Stathakis. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-03-03.

Single-frequency network transmission schemes for sounding reference signals

Номер патента: WO2024113345A1. Автор: Tao Luo,Fang Yuan,Yan Zhou. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Switching Scheme for Opting In and Out of Multi-User Orthogonal Frequency-Division Multiple Access

Номер патента: US20210185592A1. Автор: Ning Zhang,Kai Shi,Ahmed Ibrahim ElArabawy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Switching Scheme for Opting In and Out of Multi-User Orthogonal Frequency-Division Multiple Access

Номер патента: US20230354094A1. Автор: Ning Zhang,Kai Shi,Ahmed Ibrahim ElArabawy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Configuration schemes for secondary cell, bandwidth part and physical resource block indexing

Номер патента: US20240015070A1. Автор: Hong He,JEONGHO JEON,HONGLEI Miao,DEBDEEP CHATTERJEE,Gang Xiong,Alexei Davydov,Daewon Lee,Joonyoung Cho. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Channel access schemes for wireless local area network (WLAN) with full-duplex radios

Номер патента: US11855931B2. Автор: Xiaofei Wang,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou,Li Hsiang Sun. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and system for determining a sampling scheme for sensor data

Номер патента: US20210167794A1. Автор: Markus Kopf,Daniel Lampert Richart. Владелец: Teraki GmbH. Дата публикации: 2021-06-03.

Inconsistency free pipelined hybrid automatic repeat request scheme for non-terrestrial network channel

Номер патента: US12021632B2. Автор: Jie Chen,Rafhael AMORIM,Fanny JARDEL. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods and apparatus of enhanced candidate allocation schemes for enhanced pdcch

Номер патента: US20240205959A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Channel access schemes for wireless local area network (wlan) with full-duplex radios

Номер патента: WO2019213414A1. Автор: Xiaofei Wang,Li-Hsiang Sun,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou. Владелец: INTERDIGITAL PATENT HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

Channel access schemes for wireless local area network (wlan) with full-duplex radios

Номер патента: US20230095822A1. Автор: Xiaofei Wang,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou,Li Hsiang Sun. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Channel access schemes for wireless local area network (wlan) with full-duplex radios

Номер патента: US20240121071A1. Автор: Xiaofei Wang,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou,Li Hsiang Sun. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Rearrangement scheme for low peak-to-average power ratio faster-than-nyquist waveform

Номер патента: WO2024102517A1. Автор: Jun Ma,Mohamad SAYED HASSAN,Achraf El Brigui. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for Minimizing the Harmful Radiation and Energy Consumption through Network Selection Scheme for Wireless Networks

Номер патента: AU2021104153A4. Автор: Chandramouli B.,K. Vinay Kumar,K.V.N.S Pavan Kumar,Velishala Ramu,Ch. Prathyusha Reddy,D. Rama Krishna Reddy,Banda Srikanth. Владелец: Reddy D Rama Krishna Dr. Дата публикации: 2021-09-09.

AC drive scheme for organic led

Номер патента: US5552678A. Автор: Steven A. Van Slyke,Ching W. Tang. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-09-03.

Multi-carrier scheme for control and procedures comprising generation of carrier pairs

Номер патента: RU2494577C2. Автор: Сандип САРКАР,Хуан МОНТОХО,Елена М. ДАМНЯНОВИЧ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-09-27.

Synchronous timing scheme for a data processing system

Номер патента: US3576570A. Автор: Howard L Meier. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1971-04-27.

Downlink transmission power control scheme for mobile communication system using site diversity

Номер патента: CA2211925C. Автор: Takehiro Nakamura,Takaaki Sato,Koji Ohno,Etsuhiro Nakano. Владелец: NTT Mobile Communications Networks Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

Architecture and interconnect scheme for programmable logic circuits

Номер патента: US20030042931A1. Автор: Benjamin Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Driving scheme for a bridge transistor

Номер патента: US5754065A. Автор: Stephen L. Wong. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Sharing information between nexuses that use different classification schemes for information access control

Номер патента: CA2826905C. Автор: Richard A. Ducott Iii,John K. Garrod,Khan Tasinga. Владелец: Palantir Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Driving scheme for a high intensity discharge ballast down converter

Номер патента: US5369340A. Автор: Paul Leyten. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1994-11-29.

Digital frequency conversion and tuning scheme for microwave radio receivers and transmitters

Номер патента: US5375146A. Автор: Harvey Chalmers. Владелец: Comsat Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Control scheme for power modulation of a free piston Stirling engine

Номер патента: US4873826A. Автор: Manmohan Dhar. Владелец: Mechanical Technology Inc. Дата публикации: 1989-10-17.

A lightweight internet protocol encapsulation (lipe) scheme for multimedia traffic transport

Номер патента: CA2299141C. Автор: On-Ching Yue,Wolfgang Fleischer,Mooi Chuah,Anlu Yan. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Copy protection schemes for copy protected digital material

Номер патента: WO1999048290A3. Автор: Johan P M G Linnartz,Johan C Talstra. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-12-09.

Loop restoration scheme for distribution feeders

Номер патента: CA2365737C. Автор: Robert A. Smith,David G. Hart,Jeffrey L. Mcelray, Sr.,Carl J. Laplace,William M. Egolf,Graeme N. Mcclure. Владелец: ABB Inc USA. Дата публикации: 2012-02-07.

Radio channel initial transmission scheme for mobile communication system

Номер патента: CA2210179C. Автор: Takehiro Nakamura,Etsuhiro Nakano,Jyunichiro Hagiwara. Владелец: NTT Mobile Communications Networks Inc. Дата публикации: 2001-09-11.

Architecture and interconnect scheme for programmable logic circuits

Номер патента: US6989688B2. Автор: Benjamin S. Ting. Владелец: BTR Inc. Дата публикации: 2006-01-24.

Port and loopback IP addresses allocation scheme for full-mesh communications with transparent TLS tunnels

Номер патента: US11063903B2. Автор: Daniel G. Wing,Dexiang WANG,Nidheesh Dubey. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2021-07-13.

Cell selection scheme for cdma mobile communication system using perch channel transmission attenuation

Номер патента: CA2207128C. Автор: Takehiro Nakamura,Etsuhiro Nakano. Владелец: NTT Mobile Communications Networks Inc. Дата публикации: 2001-02-20.

Drive scheme for low pressure gas discharge lamps

Номер патента: AU2752199A. Автор: Bjorn Gysell,Jerzy Hoja,Bengt Palmquist,Waldemar Tlaga. Владелец: PLS SYSTEMS AB. Дата публикации: 1999-09-06.

Chain logic scheme for programmed logic array

Номер патента: CA1258102A. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-08-01.

ATM bridge device and ATM bridging scheme for realizing efficient ATM bridge interconnection

Номер патента: US5732071A. Автор: Takeshi Saito,Shigeo Matsuzawa,Hiroshi Esaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Powering scheme for josephson logic circuits which eliminates disturb signals

Номер патента: CA1078464A. Автор: Dennis J. Herrell,Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-27.

Cell selection scheme for cdma mobile communication system using perch channel transmission attenuation

Номер патента: CA2207128A1. Автор: Takehiro Nakamura,Etsuhiro Nakano. Владелец: NTT Mobile Communications Networks Inc. Дата публикации: 1997-12-07.

Sharing data between distributed computer systems that use different classification schemes for data access control

Номер патента: GB2507192A. Автор: John Kenneth Garrod,Richard Allen Ducott Lll. Владелец: Palantir Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Signal transmission scheme for efficient management of common enhanced dedicated channel

Номер патента: CA2749600C. Автор: Sung Jun Park,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Sun Hee Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-11-25.

ACK/NACK-based relaying scheme for uplink coverage improvement

Номер патента: US11929956B2. Автор: Yi Huang,Seyedkianoush HOSSEINI,Hwan Joon Kwon,Ahmed Elshafie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Voltage regulation schemes for powering multiple circuit blocks

Номер патента: US11953926B2. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Codeword bit interleaving scheme for multilayer transmissions in wireless communication system

Номер патента: US20230336274A1. Автор: Branislav M. Popovic,Alberto Giuseppe PEROTTI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Path selection scheme for master cell group failure reporting

Номер патента: US20210105640A1. Автор: Sunghoon Jung,Geumsan JO,Jongwoo Hong,Hyunjung CHOE,Oanyong LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-04-08.

Authentication scheme for providing software updates to an update agent

Номер патента: WO2023274577A1. Автор: Clara Gifre,David Patino,Federico RUAU. Владелец: Giesecke+Devrient Mobile Security Gmbh. Дата публикации: 2023-01-05.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: EP3692447A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Timothy M. Hollis,Jeffery P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20200327057A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20230004492A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Hardware-assisted tracing schemes for distributed and scale-out applications

Номер патента: WO2021162763A1. Автор: Francesc Guim Bernat,Karthik Kumar,Timothy Verrall,Patrick KUTCH,Trevor Cooper. Владелец: Trevor Cooper. Дата публикации: 2021-08-19.

Power control scheme for active ris based on network requirements and rrc connection states

Номер патента: WO2024011577A1. Автор: Haiming Wang,Lihua Yang,Jianfeng Wang,Tingnan BAO. Владелец: LENOVO (BEIJING) LIMITED. Дата публикации: 2024-01-18.

Replacement scheme for a pulse amplitude modulated bus

Номер патента: WO2022120327A1. Автор: Martin Brox. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-09.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20190385663A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: WO2019177780A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo,Stefan Frederik Schippers. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20200294573A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Dc current based on chip rf power detection scheme for a power amplifier

Номер патента: US20100075724A1. Автор: David Cohen,Gireesh Rajendran,Apu Sivadas,Ashish Lachhwani. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Compression schemes for relaying prior to decoding

Номер патента: US20210352163A1. Автор: Tao Luo,Jung Ho Ryu,Junyi Li,Kapil Gulati,Sony Akkarakaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Transmission scheme for multiple transmission reception points in radio system

Номер патента: US11936575B2. Автор: Hua Zhou,Kai Xu,Alireza Babaei,Hyoungsuk Jeon,Kyungmin Park,Ali Cagatay Cirik,Esmael Hejazi Dinan. Владелец: Ofinno LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Scheme for controlling rise-fall times in signal transitions

Номер патента: US20090058480A1. Автор: Anant Shankar Kamath. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20210166736A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Maximum diversity scheme for improving coverage area and diversity performance of a media system

Номер патента: US11863285B2. Автор: Robert T. Green, III,Brian K. Fair,Jacquelynn A. Green. Владелец: Audio Technica US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Mobile transceiver for asset tracking having a power saving scheme for network access

Номер патента: US20180041982A1. Автор: Sergio Javier Berriz,Jasmin Mulaosmanovic,Robert Joseph Lombardi. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US11735234B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Communication schemes for small cyclic delay diversity reference signals

Номер патента: EP3619838A1. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Chenxi HAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-11.

Communication schemes for small cyclic delay diversity reference signals

Номер патента: WO2018201639A1. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Chenxi HAO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-08.

Data conveyance and communication scheme for two party low voltage drive circuit communication

Номер патента: US11868298B2. Автор: Gerald Dale Morrison,Timothy W. Markison,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Sharing information between nexuses that use different classification schemes for information access control

Номер патента: US11847140B2. Автор: Richard Allen Ducott, III,Khan Tasinga,John Kenneth Garrod. Владелец: Palantir Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method and system for novel signaling schemes for 5g new radio

Номер патента: WO2019215754A3. Автор: Dhivagar Baskaran,Jyothi Pardhasarathy,Jeniston Deviraj Klutto Milleth,Budama Sree Charan Teja Reddy,Chandrasekaran Mohandoss,Sunil Kaimalettu,Bhaskar Ramamurthi,Thirunageswaram Ramachandran Ramya,Abhijeet Masal,Priyanka DEY,Paka Venkata SRI HARSHA,Saraswati Kumari. Владелец: Indian Institute Of Technology Madras (Iit Madras]. Дата публикации: 2020-03-12.

Virtual output queue linked list management scheme for switch fabric

Номер патента: US20160036731A1. Автор: Arvind Srinivasan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Communication schemes for small cyclic delay diversity reference signals

Номер патента: US20200052804A1. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Chenxi HAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Downlink schemes for a cooperative user equipment with joint baseband processing

Номер патента: US20230246756A1. Автор: Tao Luo,Fang Yuan,Juan Montojo,Rajat Prakash,Xiaoxia Zhang,Aleksandar Damnjanovic,Jing Sun,Mostafa KHOSHNEVISAN,Yitao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of generating secure codes for a randomized scrambling scheme for the protection of unprotected transient information

Номер патента: WO2009041992A1. Автор: Pankaj Patel. Владелец: Aceurity, Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Decoding algorithm with enhanced parity check matrix and re-encoding scheme for ldpc code

Номер патента: US20170070239A1. Автор: Jui Hui HUNG. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Ul precoding schemes for full coherent ue and non-coherent ue with eight antenna ports

Номер патента: WO2024065385A1. Автор: Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Capacity scheme for multi-rat dual connectivity

Номер патента: WO2024044025A1. Автор: Shiva Prakash,Nandish Chalishazar,Devulapalli Venkata Surya Narayana MURTHY. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US11971820B2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Systems and Methods for Selecting a Sound Processing Delay Scheme for a Hearing Device

Номер патента: US20240073629A1. Автор: Markus Hofbauer,Erwin Kuipers,Ralph Peter Derleth,Gilles Courtois,Antonio Hoelzl,Eleftheria Georganti. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and apparatus of enhanced counting schemes for candidates of enhanced pdcch transmission

Номер патента: EP4233428A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Port and loopback IP addresses allocation scheme for full-mesh communications with transparent TLS tunnels

Номер патента: US11936613B2. Автор: Daniel G. Wing,Dexiang WANG,Nidheesh Dubey. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Transmission and/or retransmission schemes for data in systems with high carrier frequencies

Номер патента: US20240172224A1. Автор: SEUNGHEE HAN,Gang Xiong,Yingyang Li,Alexei Davydov,Daewon Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Design of fixed length coding scheme for probabilistic shaping applied to new radio physical layer

Номер патента: EP4066418A1. Автор: Fanny JARDEL. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-10-05.

Recurring communication schemes for federated learning

Номер патента: US11800534B2. Автор: Tao Luo,Sony Akkarakaran,Hamed Pezeshki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Replacement scheme for a pulse amplitude modulated bus

Номер патента: US20220173827A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory unit with asymmetric group-modulated input scheme and current-to-voltage signal stacking scheme for non-volatile computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20220223197A1. Автор: Meng-Fan Chang,Hui-Yao Kao,Yen-Hsiang Huang,Cheng-Xin Xue,Sheng-Po Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-14.

Compression schemes for relaying prior to decoding

Номер патента: US20230328156A1. Автор: Tao Luo,Jung Ho Ryu,Junyi Li,Kapil Gulati,Sony Akkarakaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Transmission power control schemes for d2d communications

Номер патента: WO2014113424A1. Автор: FENG CHEN,Rongzhen Yang,Hujun Yin,JONG-KAE FWU,Andreas Schmidt. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2014-07-24.

Aggregated resource unit transmission scheme for single station allocation in wlan

Номер патента: EP3751779A1. Автор: Yongho Seok,Jianhan Liu,Shengquan Hu,Jr. Thomas Edward Pare. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-16.

Ack/nack-based relaying scheme for uplink coverage improvement

Номер патента: EP4218181A1. Автор: Yi Huang,Seyedkianoush HOSSEINI,Hwan Joon Kwon,Ahmed Elshafie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Ack/nack-based relaying scheme for uplink coverage improvement

Номер патента: WO2022066808A1. Автор: Yi Huang,Seyedkianoush HOSSEINI,Hwan Joon Kwon,Ahmed Elshafie. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-31.

Mobile transceiver for asset tracking having a power saving scheme for network access

Номер патента: US20200107287A1. Автор: Sergio Javier Berriz,Jasmin Mulaosmanovic,Robert Joseph Lombardi. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Mobile transceiver for asset tracking having a power saving scheme for network access

Номер патента: EP3482227A1. Автор: Sergio Javier Berriz,Jasmin Mulaosmanovic,Robert Joseph Lombardi. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2019-05-15.

Determining an encoding scheme for rsrp transmission

Номер патента: US20210111818A1. Автор: Chenxi Zhu. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Scheme for randomized selection of equal cost links during restoration

Номер патента: US20110216654A1. Автор: Pravin Kumar Johri,Sanja Durinovic-Johri,Bruce Gilbert Cortez,John Paggi,Simon S. Zelingher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Extended Security Scheme for Reducing the Prevalence of Broken Object Level Authorization

Номер патента: US20240098090A1. Автор: Hendrikus G. P. Bosch,Rami Haddad,Rim El Malki,Daniel-Serban Cozma. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Switching scheme for isi mitigation in data converters

Номер патента: US20150002322A1. Автор: Abhishek Bandyopadhyay,Paul A. Baginski. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Direct sequence spread spectrum coding scheme for a transmitter and receiver

Номер патента: WO2024083969A1. Автор: Malcolm David Macleod. Владелец: filled up tQINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods and apparatus of enhanced counting schemes for candidates of enhanced pdcch transmission

Номер патента: US20240023132A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Nr scheme for managing eavesdroppers of passive radios

Номер патента: US20240204905A1. Автор: Paolo Baracca,Oana-Elena Barbu,Benny Vejlgaard. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-20.

Practical hybrid precoding scheme for multi-user massive mimo systems

Номер патента: EP3403339A1. Автор: MUHAMMAD HANIF,Edward Sich,Gary David Boudreau,Seyed Hossein Seyedmehdi,Hong-chuan YANG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-11-21.

Nr scheme for managing eavesdroppers of passive radios

Номер патента: EP4391427A1. Автор: Paolo Baracca,Oana-Elena Barbu,Benny Vejlgaard. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-26.

Switching Schemes for Repetitions of Transport Blocks

Номер патента: US20240223325A1. Автор: Hua Zhou,Kai Xu,Alireza Babaei,Hyoungsuk Jeon,Kyungmin Park,Ali Cagatay Cirik,Esmael Hejazi Dinan. Владелец: Ofinno LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Distributed predictive control based voltage restoration scheme for microgrids

Номер патента: US10404065B2. Автор: WEI Liu,MING Chen,Wei Gu,Guannan LOU,Ge CAO,Shuai XUE. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-03.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Defining fields for presented files and extensible markup language scheme for bibliography and citation

Номер патента: RU2422889C2. Автор: Дженнифер П. МИХЕЛЬШТЕЙН,Джо К. ЯП,Эдисон НИКА. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2011-06-27.

Selection of quantisation schemes for spatial audio parameter encoding

Номер патента: EP4432567A2. Автор: Adriana Vasilache. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-18.

Selection of quantisation schemes for spatial audio parameter encoding

Номер патента: EP4432567A3. Автор: Adriana Vasilache. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-16.

Scheme for refreshing connection with network printing device for clients of printer device

Номер патента: RU2357283C2. Автор: Стивен КАЙРЕЛИ,Майкл П. ФЕНЕЛОН,Тейли РОТ,Стивен КАЙРЕЛИ (US),Майкл П. ФЕНЕЛОН (US),Тейли РОТ (US). Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-05-27.

Instruction and logical scheme for sorting and loading of save instructions

Номер патента: RU2663362C1. Автор: Андрей Ефимов,Андрей Клучников,Антон Леченко,Сергей И ШИШЛОВ,Камиль ГАРИФУЛЛИН,Игорь БУРОВЕНКО,Борис А БАБАЯН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-03.

Improved bladder injection scheme for administration of botulinum toxins

Номер патента: RU2741966C2. Автор: Нэнси АЛЬВАНДИ,Кристофер А. ДАДАС,Манер А. ДЖОШИ. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2021-02-01.

Caching scheme for real-time delivery of optimal vehicle data

Номер патента: US20240202759A1. Автор: Alexey PLOKHIKH,Inesa PLOKHIKH,Jared NEVES. Владелец: Runmylease Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Scheme for use in testing software for computer entertainment systems

Номер патента: WO2007047057A3. Автор: Jie Xu. Владелец: Sony Comp Entertainment Us. Дата публикации: 2009-04-30.

Scheme for use in testing software for computer entertainment systems

Номер патента: WO2007047057A2. Автор: Jie Xu. Владелец: Sony Computer Entertainment America Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Enhanced fencing scheme for cluster systems without inherent hardware fencing

Номер патента: US20220300384A1. Автор: Peter J. McCann,Ahia Lieber,Inna Reznik,Joe Caisse. Владелец: Credit Suisse AG Cayman Islands Branch. Дата публикации: 2022-09-22.

Selecting a Tiling Scheme for Processing Instances of Input Data Through a Neural Netwok

Номер патента: US20240111840A1. Автор: Ying Liu,Tung Chuen KWONG,Akila Subramaniam,Juanjo Noguera. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

System and methods for hierarchical inline interrupt scheme for efficient interrupt propagation and handling

Номер патента: US20210318903A1. Автор: Saurabh Shrivastava,Guy T. Hutchinson. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Scalable, high-performance, global interconnect scheme for multi-threaded, multiprocessing system-on-a-chip network processor unit

Номер патента: WO2006057847A1. Автор: Sridhar Lakshmanamurthy,Mark Rosenbluth,Matthew Adiletta,Bijoy Bose,Jeen-Yuan Minn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Universal control scheme for mobile hydraulic equipment and method for achieving the same

Номер патента: WO2007112392A3. Автор: John R Ramun. Владелец: John R Ramun. Дата публикации: 2008-01-17.

Universal control scheme for mobile hydraulic equipment and method for achieving the same

Номер патента: CA2647090A1. Автор: John R. Ramun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

System and methods for hierarchical inline interrupt scheme for efficient interrupt propagation and handling

Номер патента: US11436040B2. Автор: Saurabh Shrivastava,Guy T. Hutchison. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Image display scheme for a computer

Номер патента: WO2002025423A3. Автор: Shane Hayes. Владелец: Zip Com Llc. Дата публикации: 2003-11-27.

Iterative scheme for establishing optimal position of focusing lens and retinal cameras for implementing the same

Номер патента: WO2024182474A2. Автор: Alireza Dastgheib,Karthik Vijayraghavan. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Iterative scheme for establishing optimal position of focusing lens and retinal cameras for implementing the same

Номер патента: WO2024182474A3. Автор: Alireza Dastgheib,Karthik Vijayraghavan. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Protection scheme for remotely-stored data

Номер патента: US09852299B2. Автор: Thanunathan Rangarajan,Hariprasad Nellitheertha,Anil S. Keshavamurthy,Deepak S.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods and computer program products of selecting a new redundancy scheme for data relocation

Номер патента: US09535626B1. Автор: Robert Haas,Ilias Iliadis,Vinodh Venkatesan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Bar encoding scheme for a scrolling display

Номер патента: WO2005004093A3. Автор: Yvon Charbonneau. Владелец: Sirona Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

Bar encoding scheme for a scrolling display

Номер патента: US20050007388A1. Автор: Yvon Charbonneau. Владелец: Sirona Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Multi-mode scheme for improved coding of audio

Номер патента: WO2009157824A1. Автор: Stefan Bruhn,Volodya Grancharov,Harald Pobloth. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2009-12-30.

Multi-mode scheme for improved coding of audio

Номер патента: EP2313885A1. Автор: Stefan Bruhn,Volodya Grancharov,Harald Pobloth. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2011-04-27.

Immediate join spilling scheme for a database

Номер патента: US09870396B2. Автор: Vijayshankar Raman,Gopi K. Attaluri,Francisco J. Bermudez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Protection scheme for embedded code

Номер патента: US09715463B2. Автор: Pranab Bhooma,Carlos Basto,Kulbhushan KALRA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Protection scheme for embedded code

Номер патента: US09514064B2. Автор: Pranab Bhooma,Carlos Basto,Kulbhushan KALRA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Unipolar gray scale drive scheme for cholesteric liquid crystal displays

Номер патента: EP2340533A2. Автор: Patrick M. Campbell. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-07-06.

Unipolar gray scale drive scheme for cholesteric liquid crystal displays

Номер патента: WO2010036531A2. Автор: Patrick M. Campbell. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2010-04-01.

Controlling scheme for stand-by braking torque applied to automotive vehicle

Номер патента: US20020026273A1. Автор: Takayuki Watanabe,Hideaki Inoue,Minoru Tamura,Naoki Maruko. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Scheme for the reduction of extra standby current induced by process defects

Номер патента: US6175938B1. Автор: Chao-Shuenn Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-01-16.

Writing scheme for an optical recording medium

Номер патента: AU2003207912A1. Автор: Willem M. J. M. Coene,Bob Van Someren. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-13.

Coding scheme for encoded sheet material

Номер патента: US20030155426A1. Автор: Jean-Luc Meunier. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US20200051659A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of generating transistor AC scattering parameters simultaneously with DC characteristics using a single circuit simulation with a self-correction scheme for the artificial DC voltage dropped across the 50-Ohm resistor representing transmission line impedance

Номер патента: US20030071645A1. Автор: Keith Green,Paul Ehnis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Input sequence re-ordering method and input sequence re-ordering unit with multi input-precision reconfigurable scheme and pipeline scheme for computing-in-memory macro in convolutional neural network application

Номер патента: US20220391691A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ta-Wei Liu,Yen-Cheng Chiu,Fu-Chun CHANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-12-08.

Hardware assisted scheme for testing memories using scan

Номер патента: US09892802B1. Автор: BO Yang,Vijay M. Bettada,Bibo Li,Andrew J. Copperhall. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Modulation scheme for driving digital display systems

Номер патента: US09824619B2. Автор: Edwin Lyle Hudson,David Charles McDonald. Владелец: Jasper Display Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Lookahead scheme for prioritized reads

Номер патента: US09652371B2. Автор: Hari S. Kannan,Rajat Goel,Khurram Z. Malik. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Modulation scheme for driving digital display systems

Номер патента: US09583031B2. Автор: Edwin Lyle Hudson,David Charles McDonald. Владелец: Jasper Display Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Adaptive termination scheme for low power high speed bus

Номер патента: US09489333B2. Автор: Howard L. Heck,Khang Choong YONG,Wil Choon Song. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and layout scheme for identifying a rail transport wheel

Номер патента: RU2749559C1. Автор: Ральф Мюллер,Виктор РАИС. Владелец: Шенк Процесс Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-06-15.

Half-wave scheme for testing electricity meters for selection of electric power

Номер патента: RU2581185C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2016-04-20.

Full-wave scheme for testing electricity meters for selection of electric power

Номер патента: RU2581186C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2016-04-20.

Efficient orbit retention scheme for mixed fuel systems

Номер патента: RU2721036C2. Автор: Иу-Хун Монте ХО,Джеффри Скотт НОЭЛЬ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-05-15.

Method and scheme for analysis of geological structure and relative changes of stress in layers located over openings of underground mine

Номер патента: RU2587521C1. Автор: Збигнев ИСАКОВ,Пшемыслав СИЕРАДЗКИ,Зенон ПИЛЕЦКИ,Казимир СИЦИНЬСКИ,Рафал ЧАРНЫ. Владелец: Инстытут Техник Инновацыйных Эмаг. Дата публикации: 2016-06-20.

Layout scheme for protecting the rail vehicle from unauthorized persons' actions

Номер патента: RU2752632C1. Автор: Кристиан ШТРЕСНЕР. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ ГМБХ. Дата публикации: 2021-07-29.

Method and apparatus for implementing a weighted voting scheme for multiple optical character recognition systems

Номер патента: US5519786A. Автор: William F. Courtney,M'Lissa L. Smith. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1996-05-21.

Scheme for interlocking and transferring information between devices in a computer system

Номер патента: US6078949A. Автор: Una M. Quinlan. Владелец: Cabletron Systems Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Universal character segmentation scheme for multifont ocr images

Номер патента: CA1316606C. Автор: Oleg Feldgajer. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Selecting a color scheme for printing according to estimates of ink usage

Номер патента: US6991319B2. Автор: Vincent C. Skurdal,Wendy L. Zerza,Boyd R. Wilkes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-31.

Scheme for insuring data consistency between a plurality of cache memories and the main memory in a multi-processor computer system

Номер патента: CA1325289C. Автор: Scott Arnold,Tryggve Fossum,Ricky C. Hetherington,Michael E. Flynn,David J. Webb, Jr.,Stephen J. Delahunt. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Retry scheme for controlling transactions between two busses

Номер патента: US5418914A. Автор: Craig A. Walrath,Thomas F. Heil,Edward A. McDonald,Gene F. Young,James M. Ottinger,Marti D. Miller. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1995-05-23.

Multi-phase clocking scheme for a memory device

Номер патента: US20230215478A1. Автор: Tri Tran,Jong Tai Park,Sriram Balasubrahmanyam,Arti Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods and systems for new data storage and management scheme for medical imaging solutions

Номер патента: US20220319673A1. Автор: Yongjian Bao,Vijay Arlagadda,Arun Viswanath,Jouke Numan. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2022-10-06.

Implementing different secondary indexing schemes for different segments stored via a database system

Номер патента: US20240004858A1. Автор: Greg R. Dhuse,Daniel Coombs. Владелец: Ocient Holdings LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Balanced differential modulation schemes for silicon photonic modulators

Номер патента: WO2023214931A1. Автор: QIANG LI,Xianshu Luo,Shawn Yohanes SIEW,Salih YANIKGONUL. Владелец: Advanced Micro Foundry Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Selection of quantisation schemes for spatial audio parameter encoding

Номер патента: US20220036906A1. Автор: Adriana Vasilache. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-02-03.

Selection of quantisation schemes for spatial audio parameter encoding

Номер патента: US20230129520A1. Автор: Adriana Vasilache. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods and systems for new data storage and management scheme for medical imaging solutions

Номер патента: EP4315091A1. Автор: Yongjian Bao,Vijay Arlagadda,Arun Viswanath,Jouke Numan. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-02-07.

Selection of quantisation schemes for spatial audio parameter encoding

Номер патента: EP3861548A1. Автор: Adriana Vasilache. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2021-08-11.

Drive scheme for stereoscopic display polarization modulator and apparatus for same

Номер патента: US20120293753A1. Автор: Michael G. Robinson,Douglas J. McKnight. Владелец: RealD Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Methods and systems for new data storage and management scheme for medical imaging solutions

Номер патента: WO2022211919A1. Автор: Yongjian Bao,Vijay Arlagadda,Arun Viswanath,Jouke Numan. Владелец: Ge Precision Healthcare Llc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Systems and Methods for Universal Indexing Scheme for Indexing Data

Номер патента: US20240071608A1. Автор: David Nichols,Walter J. OKO,Wojciech Wojenski. Владелец: Innovative Perioperative Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for an universal indexing scheme for indexing data

Номер патента: WO2022150588A1. Автор: David Nichols,Walter J. OKO,Wojciech Wojenski. Владелец: Innovation Perioperative Technologies, Llc. Дата публикации: 2022-07-14.

Systems and methods for an universal indexing scheme for indexing data

Номер патента: CA3204706A1. Автор: David Nichols,Walter J. OKO,Wojciech Wojenski. Владелец: Innovation Perioperative Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for determining and providing an application scheme for fertilizers

Номер патента: EP4277457A1. Автор: Holger Hoffmann,Umit Baran ILBASI,Bjoern Kiepe,Mollie Jo HOSS-KUHNE. Владелец: BASF Agro Trademarks GmbH. Дата публикации: 2023-11-22.

Selection of quantization schemes for spatial audio parameter encoding

Номер патента: US11996109B2. Автор: Adriana Vasilache. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-05-28.

Head assembly having leading edge step scheme for tuned air entrainment

Номер патента: US20020159193A1. Автор: David Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of monitoring the operating capability of the computer system and the control scheme for its implementation

Номер патента: RU2669509C2. Автор: Наталия Вячеславовна Суханова,Илья Самуилович Кабак,Сергей Александрович Шептунов,Юрий Михайлович Соломенцев. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение науки Институт конструкторско-технологической информатики Российской академии наук (ИКТИ РАН). Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated hydroprocessing scheme for production of premium quality distillates and lubricants

Номер патента: US4764266A. Автор: Stephen S. Wong,Randall D. Partridge,Nai Y. Chen,Rene B. LaPierre. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1988-08-16.

Integrated hydroprocessing scheme for production of premium quality distillates and lubricants

Номер патента: US4851109A. Автор: Stephen S. Wong,Randall D. Partridge,Nai Y. Chen,Rene B. LaPierre. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Method and scheme for synchronisation of seismic and seismoacoustic measurement circuits, especially mine spark-proof networks

Номер патента: RU2587504C1. Автор: Марек ДВОРАК,Збигнев ИСАКОВ,Адам АУГУСТЫНЯК,Пшемыслав СИЕРАДЗКИ,Януш КОЗА. Владелец: Инстытут Техник Инновацыйных Эмаг. Дата публикации: 2016-06-20.

Multi buffer asynchronous scheme for processing incoming information

Номер патента: US20080162751A1. Автор: Thomas James Wilson. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Positioning system and formatting scheme for magnetic tape media

Номер патента: CA1139436A. Автор: Michael D. Leis,Robert C. Rose. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-01-11.

A clocking scheme for a system on a chip without the need for elastic buffers and/or synchronisers

Номер патента: GB2372599A. Автор: Vincent Gavin,Tadhg Creedon,Mike Lardner,Padraic O'Reilly,Suzanne Marie Hughes,Michelle Susan Pratt. Владелец: 3Com Corp. Дата публикации: 2002-08-28.

Match mismatch emulation scheme for an addressed location in a CAM

Номер патента: US7471536B2. Автор: Nisha Padattil Kuliyampattil,Bryan D Sheffield,Rengarajan S Krishnan,Rashmi Sachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Distributed caching scheme for database systems

Номер патента: US6154749A. Автор: Murali Aravamudan,Antonio Desimone,Hosagrahar Visvesvaraya Jagadish. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Immunization scheme for variant surface glycoprotein carriers

Номер патента: US20230165953A1. Автор: Joseph Verdi,Nina PAPAVASILIOU,Gianna Triller,Erec Stebbins. Владелец: Deutsches Krebsforschungszentrum DKFZ. Дата публикации: 2023-06-01.

Control scheme for large circulating fluid bed steam generators (CFB)

Номер патента: US5784975A. Автор: Michael C. Tanca. Владелец: Combustion Engineering Inc. Дата публикации: 1998-07-28.

Chip lockout protection scheme for integrated circuit devices and insertion thereof

Номер патента: US8484481B2. Автор: Jesse E. Craig,Stanley B. Stanski,Scott T. Vento. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

Development of cnn scheme for covid-19 disease detection using chest radiograph

Номер патента: AU2021104727A4. Автор: Roshima Biju,K. Suresh Manic,Uma Suresh Manic,Venkatesan Rajinikanth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Multithread application-aware memory scheduling scheme for multi-core processors

Номер патента: WO2011156175A1. Автор: Jaewoong Chung. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2011-12-15.

Partitioned hard disk drives and partitioning scheme for hard disk drives

Номер патента: CA2204477A1. Автор: John R. Marien,Thomas Indelicato. Владелец: NEC America Inc. Дата публикации: 1998-08-28.

Compression scheme for stable universal unique identities

Номер патента: US20230252226A1. Автор: Paul Jerome KWIATKOWSKI,Daniel Ryan Lehenbauer,Taylor Scott Williams,Noah David Encke. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Data collection schemes for a wound dressing and related methods

Номер патента: EP4289403A3. Автор: Niels Hvid,Jais Ask HANSEN,Lars Erup LARSEN,Finn SPEIERMANN,Lars Molzen. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2024-03-13.

Systems and methods for an universal indexing scheme for indexing data

Номер патента: US11854690B2. Автор: David Nichols,Walter J. OKO,Wojciech Wojenski. Владелец: Innovative Perioperative Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US20210210158A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Efficient power scheme for redundancy

Номер патента: US11868220B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: US20200333263A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20210216479A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20220058145A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Stress-controlled packaging scheme for fiber-based optical devices

Номер патента: WO2023168103A1. Автор: David J. DiGiovanni,Lalitkumar Bansal,Robert SIENKOWSKI. Владелец: OFS FITEL, LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Detection scheme for x-ray small angle scattering

Номер патента: US20210080409A1. Автор: Ge Wang,Wenxiang Cong,Guang Li. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2021-03-18.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US11508458B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Data collection schemes for a wound dressing and related methods

Номер патента: EP4289403A2. Автор: Niels Hvid,Jais Ask HANSEN,Lars Erup LARSEN,Finn SPEIERMANN,Lars Molzen. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2023-12-13.

Tri-layered power scheme for architectures which contain a micro-controller

Номер патента: US20090164819A1. Автор: Michael Berger,Michael N. Derr,Eli Kupermann,Joshua Resch,Mukesh Kataria,Mazen Gedeon,Jeffrey John Vick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: US11940392B2. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Priority scheme for executing commands in memories

Номер патента: CA2588703A1. Автор: Perry Willmann Remaklus, Jr.,Robert Michael Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Modulation scheme for driving digital display systems

Номер патента: US20160365055A9. Автор: Edwin Lyle Hudson,David Charles McDonald. Владелец: Jasper Display Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Run Time ECC Error Injection Scheme for Hardware Validation

Номер патента: US20160292059A1. Автор: Michael Catherwood,Brant Ivey,Sankar RANGARAJAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Run time ecc error injection scheme for hardware validation

Номер патента: EP3278226A1. Автор: Michael Catherwood,Brant Ivey,Sankar RANGARAJAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: AU2020259653A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: EP3956824A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-23.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: WO2020212092A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2020-10-22.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: CA3170016A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Measurement scheme for superconducting qubits using low-frequency microwave signals within a dilution refrigerator

Номер патента: AU2020259653B2. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Determining a coding scheme for a partition of a data set

Номер патента: US20240104100A1. Автор: Jason Arnold,George Kondiles. Владелец: Ocient Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Adaptive termination scheme for low power high speed bus

Номер патента: US20160092392A1. Автор: Howard L. Heck,Khang Choong YONG,Wil Choon Song. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Priority scheme for executing commands in memories

Номер патента: WO2006058193A1. Автор: Perry Willmann Remaklus, Jr.,Robert Michael Walker. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2006-06-01.

Platform ambient data management schemes for tiered architectures

Номер патента: US11994932B2. Автор: Francesc Guim Bernat,Karthik Kumar,Thomas Willhalm. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Priority scheme for executing commands in memories

Номер патента: EP1834244A1. Автор: Perry Willmann Remaklus, Jr.,Robert Michael Walker. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

Writing scheme for an optical recording medium

Номер патента: EP1493148A1. Автор: Willem M. J. M. Coene,Bob Van Someren. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-01-05.

Deep Learning Model Based on Attention Using Embedding Scheme for Continuous Variables of Tabular Data

Номер патента: US20230206025A1. Автор: Giltae SONG,Juseong Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and system for the flexible merging of logical cells and printing

Номер патента: US09977636B1. Автор: Rahul Raj,Franklin Arul Raj Arockiasamy,Chiranjib Basu,Devarajan Rajagopal,Vivekprabhakaran Jaganathan,Richard Immanuel Mathews. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

METHOD AND SYSTEM FOR THE FLEXIBLE MERGING OF LOGICAL CELLS AND PRINTING

Номер патента: US20180143791A1. Автор: Raj Rahul,Mathews Richard Immanuel,Basu Chiranjib,Arockiasamy Franklin Arul Raj,Rajagopal Devarajan,Jaganathan Vivekprabhakaran. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Efficient optimal group id management scheme for mu-mimo systems

Номер патента: EP3304999A1. Автор: Ahmed Ragab Elsherif. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

A system management scheme for a signal-processing-based decision support system

Номер патента: EP1570673A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-07.

Encryption of management frames for securing long training field sequence generation and scheme for transmitting sounding signal indications

Номер патента: US20220407844A1. Автор: Xiaogang Chen,Qinghua Li,FENG Jiang,Jonathan Segev,Chittabrata Ghosh,Robert Stacey,Danny Alexander,Ido Ouzieli,Benny Abramovsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Encryption of management frames for securing long training field sequence generation and scheme for transmitting sounding signal indications

Номер патента: US20190132294A1. Автор: Xiaogang Chen,Qinghua Li,FENG Jiang,Jonathan Segev,Chittabrata Ghosh,Robert Stacey,Danny Alexander,Ido Ouzieli,Benny Abramovsky. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Bit allocation scheme for repetitive structure discovery based 3d model compression

Номер патента: EP3039654A1. Автор: Tao Luo,Fan Zhang,Kangying Cai. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2016-07-06.

Method for energy-aware selective compression scheme for solar-powered wireless sensor networks, non-transitory computer-readable recording medium for performing the same and device for the same

Номер патента: US20170171807A1. Автор: Semi JEONG,Minjae KANG,Dong Kun NOH. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-06-15.

Transmission scheme for physical uplink control channel

Номер патента: US20230209555A1. Автор: Jie Zhu,SEUNGHEE HAN,Gang Xiong,Sergey Sosnin,Gregory ERMOLAEV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Bit allocation scheme for repetitive structure discovery based 3d model compression

Номер патента: US20160212426A1. Автор: Tao Luo,Fan Zhang,Kangying Cai. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2016-07-21.

Enhancement on scheduling and harq-ack feedback for urllc, multiplexing scheme for control/data channel and dm-rs for nr, and activation mechanism, scheduling aspects, and synchronization signal (ss) blocks for new radio (nr) system with multiple bandwidth parts (bwps)

Номер патента: EP4459936A2. Автор: JEONGHO JEON,DEBDEEP CHATTERJEE,Gang Xiong,Sergey Panteleev,Yushu Zhang,Joonyoung Cho. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Coding scheme for identifying location of action entries

Номер патента: US09940056B2. Автор: Patrick Bosshart. Владелец: Barefoot Networks Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Coding scheme for identifying spatial locations of events within video image data

Номер патента: US09883193B2. Автор: Arun Hampapur,Chiao-fe Shu,Zuoxuan Lu,Christopher S. Milite,Michael J. DeSimone,Carl P. Mercier,Stephen R. Russo,Chek K. Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Efficient optimal group id management scheme for MU-MIMO systems

Номер патента: US09872306B2. Автор: Ahmed Ragab Elsherif. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Power management scheme for separately and accurately measuring battery information of each of multiple batteries

Номер патента: US09869723B2. Автор: Jui-Chi Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Bit allocation scheme for repetitive structure discovery based 3D model compression

Номер патента: US09794565B2. Автор: Tao Luo,Fan Zhang,Kangying Cai. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2017-10-17.

Techniques for using a modulation and coding scheme for downlink transmissions

Номер патента: US09722848B2. Автор: Hwan-Joon Kwon,Alexander Maltsev,Alexei Davydov,Gregory V. Morozov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Framing scheme for continuous optical transmission systems

Номер патента: US09716603B2. Автор: Or VIDAL. Владелец: Multiphy Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Coding scheme for identifying spatial locations of events within video image data

Номер патента: US09380271B2. Автор: Arun Hampapur,Chiao-fe Shu,Zuoxuan Lu,Christopher S. Milite,Michael J. DeSimone,Carl P. Mercier,Stephen R. Russo,Chek K. Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Random access response schemes for enhanced reduced capability (redcap) user equipment

Номер патента: WO2024076685A1. Автор: Muhammad Nazmul ISLAM,Yongjun KWAK. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-11.

Feedback schemes for multiple component carrier scheduling and joint feedback reporting

Номер патента: WO2022015936A3. Автор: Xiaoxia Zhang,Kazuki Takeda,Mostafa KHOSHNEVISAN,Huilin Xu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Rate-matching scheme for control channels using polar codes

Номер патента: EP3566438A1. Автор: Chao Wei,JING Jiang,Jilei Hou,Changlong Xu,Gaojin Wu,Hari Sankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-13.

Lock-less and zero copy messaging scheme for telecommunication network applications

Номер патента: EP2638467A1. Автор: Mohammad R. Khawer,Lina So. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2013-09-18.

Scheme for configuring reference signal and communicating channel state information in a wireless communication system using multiple antenna ports

Номер патента: EP3391555A1. Автор: Cheol-Kyu SHIN,Hoon-Dong Noh,Young-Woo Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-24.

Hybrid indication scheme for enhanced mobile broadband and low latency communication multiplexing

Номер патента: US20180234853A1. Автор: JING Jiang,Chong Li,Seyedkianoush HOSSEINI,Alexandros Manolakos. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

A hybrid indication scheme for enhanced mobile broadband and low latency communication multiplexing

Номер патента: EP3580882A1. Автор: JING Jiang,Chong Li,Seyedkianoush HOSSEINI,Alexandros Manolakos. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Multiple user adaptive modulation scheme for mc-cdma

Номер патента: EP1706950A2. Автор: Clive K. Tang,Victor J. Stolpman. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-10-04.

Improved scheme for the initialization of adsl modems

Номер патента: EP1410541A1. Автор: Alberto Ginesi. Владелец: Catena Networks Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Flexible buffering scheme for multi-rate simd processor

Номер патента: GB2377061B. Автор: Christian Bourget,Yatish Kumar,Fred Stacey. Владелец: Catena Networks Inc. Дата публикации: 2005-03-30.

Flexible buffering scheme for multi-rate SIMD processor

Номер патента: US7072357B2. Автор: Christian Bourget,Yatish Kumar,Fred Stacey. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

Flexible buffering scheme for multi-rate simd processor

Номер патента: WO2001075624A1. Автор: Christian Bourget,Fred Stacey. Владелец: Catena Networks, Inc.. Дата публикации: 2001-10-11.

A line coding scheme for digital communications, transmission method and apparatus

Номер патента: EP1344320A2. Автор: Enrico Forestieri,Giancarlo Prati. Владелец: Marconi Communications SpA. Дата публикации: 2003-09-17.

A line coding scheme for digital communications, transmission method and apparatus

Номер патента: EP1344320B1. Автор: Enrico Forestieri,Giancarlo Prati. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2007-04-04.

Compression scheme for interval data

Номер патента: WO2009158456A2. Автор: Quentin Spencer. Владелец: ACLARA POWER-LINE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2009-12-30.

Coding schemes for virtual reality (vr) sequences

Номер патента: US20210217201A1. Автор: Limin Wang,Seungwook Hong. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Overhead adjustment scheme for passive optical networks

Номер патента: EP2502371A1. Автор: Stefan Dahlfort,Peter Ohlen,Einar In De Betou. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2012-09-26.

Devices and methods employing predictive back-off estimation schemes for sar compliance

Номер патента: US20220201625A1. Автор: Gil Meyuhas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Efficient decoding schemes for error correcting codes for memory devices

Номер патента: US20230253985A1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Ofir Kanter,Amir Nassie,Zion Nahisi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Video rate-buffer management scheme for mpeg transcoder

Номер патента: WO2000046997A9. Автор: Fan Ling,Xuemin Chen,Ajay Luthra. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Self-registered capacitor bottom plate local interconnect scheme for dram

Номер патента: GB9422069D0. Автор: . Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1994-12-21.

Reservation and challenge schemes for listen-before-talk

Номер патента: EP3701764A1. Автор: Vinay Chande,Tamer Kadous,Arumugam Chendamarai Kannan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-09-02.

Frame sampling scheme for video scanning in a video-on- demand system

Номер патента: AU8180394A. Автор: Ming-Syan Chen,Philip Shi-lung Yu,Dilip Dinkar Kandlur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-10-12.

Low power driver scheme for on-chip and interposer based data transmission

Номер патента: US20240128974A1. Автор: Hari Bilash Dubey. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Hybrid leakage-compensation scheme for improved correction range

Номер патента: US20200393294A1. Автор: Sandeep Kesrimal Oswal,Rakul Viswanath,Nagesh Surendranath,Ratna Kumar Venkata PARUPUDI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Identity and root keys derivation scheme for embedded devices

Номер патента: US12061702B2. Автор: Miguel Angel Osorio Lozano,Timothy Jay CHEN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Inter-cell-interference coordination scheme for improved lte system performance

Номер патента: WO2014048445A1. Автор: Armin Dekorsy,Fabian Monsees,Carsten Bockelmann. Владелец: UNIVERSITÄT BREMEN. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-beating scheme for fmcw-based proximity detector for 5g mmw devices

Номер патента: WO2020086170A2. Автор: Nan Zhang,Roberto Rimini,Brian Clarke Banister. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-04-30.

Self-beating scheme for fmcw-based proximity detector for 5g mmw devices

Номер патента: US20200081093A1. Автор: Nan Zhang,Roberto Rimini,Brian Clarke Banister. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

A time distribution scheme for wireless mesh networks

Номер патента: EP3593473A1. Автор: Kamal Poorrezaei. Владелец: Itron Networked Solutions Inc. Дата публикации: 2020-01-15.

Improved scheme for the initialization of adsl modems

Номер патента: WO2002009330A1. Автор: Alberto Ginesi. Владелец: Catena Networks, Inc.. Дата публикации: 2002-01-31.

Dynamic probability-based admission control scheme for distributed video on demand system

Номер патента: US20140053219A1. Автор: Sami Saleh ALWAKEEL,Hesham Abdulaziz Altwaijry,Muhammad Ammad Ud Din. Владелец: KING SAUD UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-20.

Sidelink resource selection schemes for coexistence of multiple radio access technologies

Номер патента: US20240284490A1. Автор: Gabi SARKIS,Sourjya Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Frame sampling scheme for video scanning in a video-on- demand system

Номер патента: AU674621B2. Автор: Ming-Syan Chen,Philip Shi-lung Yu,Dilip Dinkar Kandlur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-01-02.

Self track scheme for multi frequency band serializer de-serializer i/o circuits

Номер патента: EP2917841A1. Автор: Mau-Chung Frank Chang,Yanghyo Kim,Sheau Jiung Lee. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2015-09-16.

Low latency schemes for peer-to-peer (p2p) communications

Номер патента: EP4406356A1. Автор: George Cherian,Sai Yiu Duncan Ho,Yanjun SUN,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Abdel Karim AJAMI,Gaurang NAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Modulation and coding schemes for high band wireless communications

Номер патента: US12063683B2. Автор: Tao Luo,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Zhifei Fan,Wooseok Nam,Ahmed Abdelaziz Ibrahim Abdelaziz Zewail,Mehmet Izzet Gurelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Multicast encryption scheme for data-ownership platform

Номер патента: EP3905583A1. Автор: Daniele Grazioli,Elena Pasquali. Владелец: Ecosteer Srl. Дата публикации: 2021-11-03.

Multicast encryption scheme for data-ownership platform

Номер патента: CA3100810A1. Автор: Daniele Grazioli,Elena Pasquali. Владелец: Ecosteer Srl. Дата публикации: 2021-05-18.

Multicast encryption scheme for data-ownership platform

Номер патента: WO2021220161A1. Автор: Daniele Grazioli,Elena Pasquali. Владелец: Ecosteer Srl. Дата публикации: 2021-11-04.

Multicast encryption scheme for data-ownership platform

Номер патента: AU2021265575A1. Автор: Daniele Grazioli,Elena Pasquali. Владелец: Ecosteer Srl. Дата публикации: 2022-12-22.

Systems and methods for signaling scheme for cast-type indication and resource indication

Номер патента: US12081487B2. Автор: Hong He,YANG Tang,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Chunxuan Ye,Weidong Yang,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Oghenekome Oteri. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic security system and scheme for a communications network

Номер патента: AU2001245048C1. Автор: Shawn S. Cornelius,Clifford Donoughe,Arnold Z. Huffman,Richard R. Krahn,Michael S. Sweeney,Eric C. Su,Matthew C. Klug,Mohan Kurup,Edward Madden,David E. Sabaka. Владелец: Accenture Global Services Ltd. Дата публикации: 2002-06-03.

Reference signal transmission scheme for non-orthogonal multiple access systems

Номер патента: US12058058B2. Автор: Sairamesh Nammi. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2024-08-06.

A scheme for mac address privacy in infrastructure-based multi-hop wireless networks

Номер патента: WO2006062770A2. Автор: Heyun Zheng. Владелец: Meshnetworks, Inc.. Дата публикации: 2006-06-15.

Electronic security system and scheme for a communications network

Номер патента: EP1340338B1. Автор: Shawn S. Cornelius,Clifford Donoughe,Arnold Z. Huffman,Richard R. Krahn,Michael S. Sweeney,Eric C. Su,Matthew C. Klug,Mohan Kurup,Edward Madden,David E. Sabaka. Владелец: Accenture LLP. Дата публикации: 2006-09-27.

Devices and methods employing predictive back-off estimation schemes for SAR compliance

Номер патента: US11570720B2. Автор: Gil Meyuhas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-31.

Line coding scheme for digital communications, transmission method and apparatus

Номер патента: US7333734B2. Автор: Enrico Forestieri,Giancarlo Prati. Владелец: Marconi Communications SpA. Дата публикации: 2008-02-19.

Cascading multivariate quadratic identification schemes for chain of trust

Номер патента: US20180097614A1. Автор: Brent M. Sherman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Macroblock bit regulation schemes for video encoder

Номер патента: MY119636A. Автор: Agnes Yee Ngai,John Ashley Murdock,Stephen Philip Pokrinchak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-06-30.

Dynamic probability-based admission control scheme for distributed video on demand system

Номер патента: WO2014028034A1. Автор: Sami Saleh ALWAKEEL,Hesham Abdulaziz Altwaijry,Muhammad Ammad Ud Din. Владелец: King Saud University Global Patent Trust. Дата публикации: 2014-02-20.

Scheme for generating a parametric representation for low-bit rate applications

Номер патента: EP1745676A1. Автор: Fredrik Henn,Jonas Roden. Владелец: Coding Technologies Sweden Ab. Дата публикации: 2007-01-24.

Efficient decoding schemes for error correcting codes for memory devices

Номер патента: US12095481B2. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Ofir Kanter,Amir Nassie,Zion Nahisi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Symbol timing recovery scheme for parallel recording channel systems

Номер патента: US20160363625A1. Автор: Mark A. Lantz,Jens Jelitto,Simeon Furrer,Robert A. Hutchins. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

System and method using improved message queue and packing scheme for electronic device

Номер патента: US12081450B2. Автор: Francisco E. Torres,Matthew A. Shreve,Eric D. Cocker. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

An effective qam transmission scheme for improving performance on an awgn channel

Номер патента: WO2009150501A1. Автор: Wei Zhou,Li Zou. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2009-12-17.

Low latency schemes for peer-to-peer (p2p) communications

Номер патента: EP4424103A1. Автор: George Cherian,Sai Yiu Duncan Ho,Yanjun SUN,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Abdel Karim AJAMI,Gaurang NAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Communication scheme for distributed video coding

Номер патента: US20240364929A1. Автор: Assaf Touboul,Shay Landis,Idan Michael Horn,Yehonatan Dallal,Amit BAR-OR TILLINGER,David Yunusov,Gideon Shlomo KUTZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Low latency schemes for peer-to-peer (p2p) communications

Номер патента: US20240365400A1. Автор: George Cherian,Sai Yiu Duncan Ho,Yanjun SUN,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Abdel Karim AJAMI,Gaurang NAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Reference signal transmission scheme for non-orthogonal multiple access systems

Номер патента: US20240356689A1. Автор: Sairamesh Nammi. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2024-10-24.

Audio processing device, system, use and method in which one of a plurality of coding schemes for distributing pulses to an electrode array is selected based on characteristics of incoming sound

Номер патента: US12101071B2. Автор: Karsten Bo Rasmussen,Michael Syskind Pedersen,Gary Jones,Søren Kamaric RIIS,Julian SKOVGAARD. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods and apparatus for hybrid intra/inter compression scheme for point cloud attributes

Номер патента: WO2024213477A1. Автор: Franck Thudor,Bertrand Chupeau,Gustavo Sandri. Владелец: Interdigital Ce Patent Holdings, Sas. Дата публикации: 2024-10-17.

Multi-element propeller blade deicer scheme for balanced three-phase electrical loads

Номер патента: US12116138B2. Автор: David R. Danielson. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Coding scheme for a wireless communication system

Номер патента: US09979580B2. Автор: Naga Bhushan,Mark Wallace,Fuyun Ling,J. Rodney Walton,Ivan Jesus Fernandez Corbaton. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Cross-device security scheme for tethered devices

Номер патента: US09973621B2. Автор: YANG LU,Huisheng Wang,Shijing Xian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Schemes for connecting to wireless network

Номер патента: US09961552B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Scheme for communication in mobile communication system using unlicensed frequency band

Номер патента: US09955357B2. Автор: Jung-Soo Jung,Sung-jin Lee,Jung-Min Moon,Sun-Heui Ryoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Optimal tune away scheme for circuit switched calls on virtual subscriber identity module

Номер патента: US09949121B2. Автор: Vagish GUPTA,Suresh Sanka,Raghavendra Shyam ANANDA,Kishore Kumar Yannakula,Himanshu DUTTA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Serializer clocking scheme for a memory device

Номер патента: US20240371430A1. Автор: Jongtae Kwak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Communication scheme for channel quality information

Номер патента: US09913161B2. Автор: Alexander Golitschek Edler Von Elbwart. Владелец: Optis Wireless Technology LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Listen-before-talk reservation scheme for wireless communications over unlicensed spectrum

Номер патента: US09730105B2. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Tingfang JI,Durga Prasad Malladi,Gavin Bernard Horn,Yongbin Wei,Aleksandar Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Communication scheme for distributed video coding

Номер патента: WO2024226561A1. Автор: Assaf Touboul,Shay Landis,Idan Michael Horn,Yehonatan Dallal,Amit BAR-OR TILLINGER,David Yunusov,Gideon Shlomo KUTZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Schemes for connecting to wireless network

Номер патента: US09717005B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Directly amplified ripple tracking control scheme for multiphase DC-DC converter

Номер патента: US09712059B2. Автор: Jiwei Fan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Scheduling schemes for user equipment power saving in a communication network

Номер патента: US09681375B2. Автор: Hui-Ling Lou,Jihwan P. Choi. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Channel state information feedback scheme for cooperative multi point transmission and carrier aggregation scenario

Номер патента: US09674753B2. Автор: Hong He,JONG-KAE FWU,Kamran Etemad,Youn Hyoung Heo,Alexei Vladimirovich Davydov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Enhancement on scheduling and harq-ack feedback for urllc, multiplexing scheme for control/data channel and dm-rs for nr, and activation mechanism, scheduling aspects, and synchronization signal (ss) blocks for new radio (nr) system with multiple bandwidth parts (bwps)

Номер патента: EP4459937A2. Автор: JEONGHO JEON,DEBDEEP CHATTERJEE,Gang Xiong,Sergey Panteleev,Yushu Zhang,Joonyoung Cho. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

A bi-modal power delivery scheme for integrated circuits that enables fine grain power management for multiple functional blocks on a single die

Номер патента: WO2013184959A1. Автор: Jeffrey Herbert Fischer,Yeshwant Nagaraj Kolla,Darren P. FLEDERBACH. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-12.

A bi-modal power delivery scheme for integrated circuits that enables fine grain power management for multiple functional blocks on a single die

Номер патента: EP2859426A1. Автор: Jeffrey Herbert Fischer,Yeshwant Nagaraj Kolla,William R. Flederbach. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-15.

Multiple window processing schemes for spectroscopic optical coherence tomography (OCT) and fourier domain low coherence interferometry

Номер патента: US09689745B2. Автор: Adam Wax,Robert N. Graf,Francisco E. Robles. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-06-27.