Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20160358824A1
Опубликовано: 08-12-2016
Автор(ы): Cheng Kangguo, Pranatharthiharan Balasubramanian, Reznicek Alexander, Surisetty Charan V.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US09985024B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20240055426A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20210183856A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US11664375B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-05-30.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20160358824A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20190206865A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20160315144A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20170229455A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20180204837A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US9704753B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US10276569B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US9852951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Epitaxy Regions Extending Below STI Regions and Profiles Thereof

Номер патента: US20220052044A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Epitaxy Regions with Large Landing Areas for Contact Plugs

Номер патента: US20220028856A1. Автор: Pai Yi-Fang,Tai Jung-Chi,Yu Ming-Hua,YANG Tsung-Hsi,KWOK Tsz-Mei,Li Chii-Horng,Yeo Yee-Chia,Yu Jeng-Wei,Yen Cheng-Hsiung,TING Heng-Wen,Chen Jui-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Epitaxy regions with large landing areas for contact plugs

Номер патента: US12057450B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Jung-Chi Tai,Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang,Heng-Wen Ting,Cheng-Hsiung Yen,Jui-Hsuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Epitaxy regions with large landing areas for contact plugs

Номер патента: US20240355826A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Jung-Chi Tai,Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang,Heng-Wen Ting,Cheng-Hsiung Yen,Jui-Hsuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20160315144A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Finfets with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US20240363420A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9263339B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US09972620B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US20180047727A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

GATE-ALL-AROUND DEVICES WITH ISOLATED AND NON-ISOLATED EPITAXY REGIONS FOR STRAIN ENGINEERING

Номер патента: US20220310602A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Greene Andrew M.,Frougier Julien,SUK Sung Dae. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20210183856A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20180204837A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

MINIMIZING SHORTING BETWEEN FINFET EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20190206865A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20170229455A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US09443853B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device including an epitaxy region

Номер патента: US11955547B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor Device Including An Epitaxy Region

Номер патента: US20170186867A1. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: US20240145592A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Boune AUBERTINE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: US11908934B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device including an epitaxy region

Номер патента: US09595477B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Asymmetric epitaxy regions for landing contact plug

Номер патента: US20240282640A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Asymmetric epitaxy regions for landing contact plug

Номер патента: US11990377B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160329428A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Process for fabricating a semiconductor device having embedded epitaxial regions

Номер патента: SG153734A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor device and method for minimizing short-channel effects in a transistor

Номер патента: TW586235B. Автор: Tao-Cheng Lu,Hung-Sui Lin,Han-Chao Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-01.

CONFINED EPITAXIAL REGIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CONFINED EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20200035813A1. Автор: Ghani Tahir,HATTENDORF Michael L.,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Confined Epitaxial Regions for Semiconductor Devices and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Having Confined Epitaxial Regions

Номер патента: US20170054003A1. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Confined Epitaxial Regions for Semiconductor Devices and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Having Confined Epitaxial Regions

Номер патента: US20180158930A1. Автор: Ghani Tahir,HATTENDORF Michael L.,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Defined epitaxial region for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having defined epitaxial region

Номер патента: CN106165102B. Автор: T·加尼,S·S·廖,M·L·哈藤多夫. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: TW201626575A. Автор: 塔何 甘尼,廖思雅,麥可 哈頓朵夫. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-16.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

WRAP-AROUND CONTACT SURROUNDING EPITAXIAL REGIONS OF INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20200119002A1. Автор: Taylor William,Xie Ruilong,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Epitaxy regions extending below STI regions and profiles thereof

Номер патента: US12074166B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxy regions extending below sti regions and profiles thereof

Номер патента: US20240363636A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US11869765B2. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20210151319A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20240087884A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in DARC layer

Номер патента: US09812445B2. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Increase the Volume of Epitaxy Regions

Номер патента: US20200043793A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in darc layer

Номер патента: US20170309618A9. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: US12132100B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: US20240371976A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Profile Control In Forming Epitaxy Regions for Transistors

Номер патента: US20230307223A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

EPITAXIAL REGION FOR EMBEDDED SOURCE/DRAIN REGION HAVING UNIFORM THICKNESS

Номер патента: US20190148492A1. Автор: Hong Wei,Qi Yi,Zang Hui,LO Hsien-Ching,Wu Xusheng,SHI YONGJUN,SHEN Yanping,Choi Dongil,Yong Yoong Hooi,Ong Joo Tat,Vinslava Alina,Psillas James. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Epitaxial region for embedded source/drain region having uniform thickness

Номер патента: US10461155B2. Автор: Wei Hong,YI Qi,Hui Zang,Yanping SHEN,Xusheng Wu,Yoong Hooi Yong,Hsien-Ching Lo,Joo Tat Ong,Dongil CHOI,Yongjun Shi,Alina Vinslava,James Psillas. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Increase the Volume of Epitaxy Regions

Номер патента: US20200043793A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR DEVICE HAVING BASE EPITAXY REGION ON ETCHED OPENING IN DARC LAYER

Номер патента: US20170309618A9. Автор: Rennie Michael,DI GIACOMO SANDRO J.,Shea Patrick B.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-10-26.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: TWI766664B. Автор: 沙哈吉 Ｂ 摩爾. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-01.

Wrap-around contact surrounding epitaxial regions of integrated circuit structures and method of forming same

Номер патента: US10665590B2. Автор: Hui Zang,William Taylor,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9653574B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US20180047727A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20240204044A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Yu Ming-Hua,YANG Tsung-Hsi,KWOK Tsz-Mei,Yu Jeng-Wei,Chou Li-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Epitaxial regions extending between inner gate spacers

Номер патента: US20240088265A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Tao Chu,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US12094779B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US11830772B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220208613A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20230386924A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device including an Epitaxy Region

Номер патента: US20190123198A1. Автор: Wang Tzu-Chung,LIN Yu-Hsien,Huang Yimin,Pan Te-Jen,Shen Hsiang-Ku,Fan Wei-Han,Lin Yun Jing. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor Device Including An Epitaxy Region

Номер патента: US20170186867A1. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Yu-Hsien Lin,Tzu-Chung Wang,Wei-Han Fan,Te-Jen Pan,Yun Jing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: US10957796B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor device with doped epitaxial region and method of manufacturing the same

Номер патента: CN111883591A. Автор: T.加尼,A.S.默西,D.B.奥贝蒂内,A.J.派特. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device having epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: EP3208833A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-23.

Semiconductor device having doped epitaxial region and its methods of fabrication

Номер патента: WO2011084262A3. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Daniel Bourne Aubertine. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Method for forming single diffusion breaks between finFET devices and the resulting devices

Номер патента: US09406676B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Hongliang Shen,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

METHOD FOR FORMING SINGLE DIFFUSION BREAKS BETWEEN FINFET DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160190130A1. Автор: Yu Hong,HU Zhenyu,Shen Hongliang,Liu Jin Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09443854B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09673197B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Device with engineered epitaxial region and methods of making same

Номер патента: US09412870B2. Автор: Yen-Chun Lin,King-Yuen Wong,Da-Wen Lin,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai,Chia-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Asymmetric Epitaxy Regions for Landing Contact Plug

Номер патента: US20220051948A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED EPITAXIAL REGION AND ITS METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20210159339A1. Автор: Ghani Tahir,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,AUBERTINE Daniel Bourne. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Device with Engineered Epitaxial Region and Methods of Making Same

Номер патента: US20150364602A1. Автор: Wong King-Yuen,Lu Chia-Yu,Su Chien-Chang,Lin Yen-Chun,Pai Yi-Fang,Lin Da-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US9536879B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Finfet with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Multiple epitaxial region substrate and technique for making the same

Номер патента: WO2003012832A3. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Jonathan Geske. Владелец: Gore Enterprise Holdings Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Buffer epitaxial region in semiconductor devices and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230326989A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCLUDING LATERALLY RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXIAL REGION AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180286863A1. Автор: Sheraw Christopher D.,McArdle Timothy J.,PARK Mira,Holt Judson R.,Stoker Matthew W.,MULFINGER George R.,Yang Yinxiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Method of fabricating mos transistor having epitaxial region

Номер патента: KR100630767B1. Автор: 이호,이화성,테추지 우에노. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Light-emitting module comprising plurality of light emitting diodes and epitaxial region and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US12062649B2. Автор: LU Yao,Feng Qin,Xupeng Wang,Jine Liu,Wanchun DU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09653175B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09514835B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09576806B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09391173B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20190013405A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20210184037A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20200357921A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20170263771A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20180069123A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

MOS devices having epitaxy regions with reduced facets

Номер патента: US09853155B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

MOS devices having epitaxy regions with reduced facets

Номер патента: US09666686B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

FinFet device with channel epitaxial region

Номер патента: US09496397B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US9741807B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Melting Laser Anneal Of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210057276A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Wen-Yen Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Tz-Shian Chen,Cheng-Jung Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Confined source/drain epitaxy regions and method forming same

Номер патента: US11948971B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Melting Laser Anneal of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210257255A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Wen-Yen Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Tz-Shian Chen,Cheng-Jung Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20160087078A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20210242217A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20190109141A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20180308852A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20200066734A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Flexible merge scheme for source/drain epitaxy regions

Номер патента: US11856743B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Flexible merge scheme for source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20240098959A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Epitaxy regions extending below STI regions and profiles thereof

Номер патента: US11610890B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Semiconductor Device Having a Shaped Epitaxial Region

Номер патента: US20200006564A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,Huang Yi-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20190013405A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Profile Control In Forming Epitaxy Regions for Transistors

Номер патента: US20220052184A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

MOS DEVICES HAVING EPITAXY REGIONS WITH REDUCED FACETS

Номер патента: US20200035831A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD OF MANUFACTURING A FinFET DEVICE USING A SACRIFICIAL EPITAXY REGION FOR IMPROVED FIN MERGE AND FinFET DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150041908A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,He Hong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-12.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160043082A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

FinFet Device with Channel Epitaxial Region

Номер патента: US20150054039A1. Автор: LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,LIN Zhi-Chang,Wang Chao Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-02-26.

Melting Laser Anneal Of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210057276A1. Автор: CHANG Huicheng,Chen Wen-Yen,Jang Syun-Ming,LIU Su-Hao,Wang Li-Ting,Sung Cheng-Jung,Yeo Yee-Chia,Chen Liang-Yin,Chen Tz-Shian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20200066734A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

DUAL EPITAXY REGION INTEGRATION

Номер патента: US20150076608A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-19.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20160087078A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20190109141A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,YU Chia-Ta,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20210184037A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Selective Etching in the Formation of Epitaxy Regions in MOS Devices

Номер патента: US20160163827A1. Автор: Lee Tze-Liang,Li Chii-Horng,Cheng Yu-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20210242217A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Melting Laser Anneal of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210257255A1. Автор: CHANG Huicheng,Chen Wen-Yen,Jang Syun-Ming,LIU Su-Hao,Wang Li-Ting,Sung Cheng-Jung,Yeo Yee-Chia,Chen Liang-Yin,Chen Tz-Shian. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Increase the Volume of Epitaxy Regions

Номер патента: US20210313234A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Flexible Merge Scheme for Source/Drain Epitaxy Regions

Номер патента: US20180308852A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,YU Chia-Ta,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE WITH STEPPED EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Raymond Mark V.,Bentley Steven,Suvarna Puneet H.,Zeitzoff Peter M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20200357921A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Finfet device with channel epitaxial region

Номер патента: KR101624388B1. Автор: 치웬 리우,차오시웅 왕,궈쳉 칭,지챙 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-05-25.

Tapered dielectric layer for preventing electrical shorting between gate and back side via

Номер патента: US12062692B2. Автор: Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng,Kuo-Yi Chao,Jiun-Ming Kuo,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Tapered Dielectric Layer for Preventing Electrical Shorting Between Gate and Back Side Via

Номер патента: US20230067804A1. Автор: Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng,Kuo-Yi Chao,Jiun-Ming Kuo,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

FINFET DEVICE WITH VERTICAL SILICIDE ON RECESSED SOURCE/DRAIN EPITAXY REGIONS

Номер патента: US20150303281A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Fogel Keith E.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Field effect trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: EP0580452A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1994-01-26.

Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: US5910669A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

DEFECT PREVENTION ON SRAM CELLS THAT INCORPORATE SELECTIVE EPITAXIAL REGIONS

Номер патента: US20130196479A1. Автор: Rotondaro Antonio L.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED EPITAXIAL REGION AND ITS METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20140084369A1. Автор: Ghani Tahir,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Aubertine Daniel Boume. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20180069123A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FINFET STRUCTURES WITH VARIED EPITAXIAL REGIONS, RELATED METHOD AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20140332888A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-13.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20170263771A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device including FINFET structures with varied epitaxial regions, related method and design structure

Номер патента: US8916932B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

MOS Devices Having Epitaxy Regions with Reduced Facets

Номер патента: US20150021696A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Method of preventing electrical shorting between metallization layers due to nodule growth

Номер патента: GB1315181A. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-04-26.

Structure and method to prevent EPI short between trenches in FINFET eDRAM

Номер патента: US9818741B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Kangguo Cheng,Xinhui Wang,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Byeong Y. Kim,Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

SEMICONDUCTOR RECESS TO EPITAXIAL REGIONS AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20200161315A1. Автор: Hong Wei,Brunco David P.,Zang Hui,SHEN Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

METHOD OF MANUFACTURING A FinFET DEVICE USING A SACRIFICIAL EPITAXY REGION FOR IMPROVED FIN MERGE AND FinFET DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150228671A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Non-volatile memory with epitaxial regions for limiting cross coupling between floating gates

Номер патента: US7834386B2. Автор: Jeffrey W. Lutze,Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Method to prevent electrical shorts between tungsten interconnects

Номер патента: US20030139058A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for preventing shorts between contact windows and metal lines

Номер патента: US20030022486A1. Автор: Joseph Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Circuit for biasing epitaxial regions with a bias voltage that is not lower than ground reference despite power supply disturbation

Номер патента: US5796292A. Автор: Natale Aiello. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 1998-08-18.

Eliminating shorting between ferroelectric capacitors and metal contacts during ferroelectric random access memory fabrication

Номер патента: WO2015034677A1. Автор: Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

STRUCTURE AND METHOD TO PREVENT EPI SHORT BETWEEN TRENCHES IN FINFET EDRAM

Номер патента: US20170005098A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali,AQUILINO Michael V.,Wang Xinhui,Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Kim Byeong Y.,NICOLL WILLIAM L.,WANG HANFEI,Costrini Gregory. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

ELIMINATING SHORTING BETWEEN FERROELECTRIC CAPACITORS AND METAL CONTACTS DURING FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY FABRICATION

Номер патента: US20150069481A1. Автор: Sun Shan,Davenport Thomas E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

STRUCTURE AND METHOD TO PREVENT EPI SHORT BETWEEN TRENCHES IN FINFET EDRAM

Номер патента: US20170365606A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali,AQUILINO Michael V.,Wang Xinhui,Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Kim Byeong Y.,NICOLL WILLIAM L.,WANG HANFEI,Costrini Gregory. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Test structure for opc-related shorts between lines in a semiconductor device

Номер патента: US20080099761A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

FinFET with improved SEU performance

Номер патента: US09543382B1. Автор: Wen Wu,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20170076991A1. Автор: Arvind Kumar,Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Anthony I. Chou. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

FinFET transistor gate and epitaxy formation

Номер патента: US09917210B1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of manufacturing a FinFET by forming a hollow area in the epitaxial source/drain region

Номер патента: US11769820B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Finfet transistor gate and epitaxy formation

Номер патента: US20180122952A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Strain-enhanced transistors with adjustable layouts

Номер патента: US09634094B1. Автор: Girish Venkitachalam,Peter J. McElheny,Fangyun Richter,Che Ta Hsu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Bipolar junction transistor having an integrated switchable short

Номер патента: US20220037311A1. Автор: Peter Hugh Blair. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

ELECTRICAL CONNECTOR PREVENTING SHORTING BETWEEN CONTACTS AND REINFORCING PLATE THEREOF

Номер патента: US20150200506A1. Автор: GUO JING-JIE. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semi-conductor device with epitaxial source/drain facetting provided at the gate edge

Номер патента: US09437679B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20130341754A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20140154865A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Dielectric gas spacer formation for reducing parasitic capacitance in a transistor including nanosheet structures

Номер патента: US20240194760A1. Автор: Chih-Hao Chang,Wei-Yang Lee,Cheng-Yi Peng,Chia-Pin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate cuts in a grating pattern across an integrated circuit

Номер патента: US20240088218A1. Автор: Matthew J. Prince,Gurpreet Singh,Manish Chandhok,Shao-Ming Koh,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Transient voltage suppressor and manufacture method thereof

Номер патента: US09911730B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Source/drain formation with reduced selective loss defects

Номер патента: US20240113205A1. Автор: Li-Li Su,Chih-Chiang Chang,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Source/drain formation with reduced selective loss defects

Номер патента: US11855188B2. Автор: Li-Li Su,Chih-Chiang Chang,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Source/Drain Formation with Reduced Selective Loss Defects

Номер патента: US20220029001A1. Автор: Li-Li Su,Chih-Chiang Chang,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Dummy gate structure for electrical isolation of a fin DRAM

Номер патента: US09564445B2. Автор: Shom Ponoth,Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Kehan Tian,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including multiple metal semiconductor alloy region and a gate structure covered by a continuous encapsulating layer

Номер патента: US20120326217A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor devices having fin active regions

Номер патента: US09941174B2. Автор: Dohyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Ah-young Cheon,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having a strained region

Номер патента: US09997616B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet having Gate Structure Embedded within Trench

Номер патента: US20130313633A1. Автор: Zheng John Shen,Patrick M. Shea,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Mechanisms for growing epitaxy structure of finfet device

Номер патента: US20240250174A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Szu-Chi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230317714A1. Автор: FENG Yuan,Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating a gan merged p-i-n schottky (mps) diode

Номер патента: WO2013055629A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20210398860A1. Автор: Norio Nakano,Yasuhiro Kumagai,Masatoshi Taya. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated electronic device with edge-termination structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187912A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Angelo Magri'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20190333766A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses

Номер патента: CA1180089A. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Evelio A. Perez-Albuerne. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-12-27.

Apparatus to minimize short stroke in a revolver

Номер патента: WO2020190502A1. Автор: David Scott Findlay,Michael VILLA,Jr. Ronald Richard Dudzic. Владелец: Kimber Ip, Llc. Дата публикации: 2020-09-24.

Apparatus to minimize short stroke in a revolver

Номер патента: US20200300571A1. Автор: David Scott Findlay,Michael VILLA,Ronald Richard Dudzic, Jr.. Владелец: Kimber Manufacturing Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US11923439B2. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20220059350A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Source/drain structure for semicondcutor device

Номер патента: US20240194766A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Forming stressed epitaxial layer using dummy gates

Номер патента: US20170104100A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Soon-Cheon Seo,Lars W. Liebmann,Emre Alptekin,Injo OK,Mickey H. Yu,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Forming stressed epitaxial layers between gates separated by different pitches

Номер патента: US09818873B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Soon-Cheon Seo,Lars W. Liebmann,Emre Alptekin,Injo OK,Mickey H. Yu,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Dsa (directed self-assembly) based spacer and liner for shorting margin of via

Номер патента: US20240204083A1. Автор: Florian Gstrein,Gurpreet Singh,Manish Chandhok,Eungnak Han,Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Amplifier capable of minimizing short-circuit current of output stage while having improved slew rate

Номер патента: US11901869B2. Автор: Yong In Park,Mun Gyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20140070287A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Stacked fet substrate contact

Номер патента: US20240071811A1. Автор: Gen Tsutsui,Su Chen Fan,Jay William Strane,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

AMPLIFIER CAPABLE OF MINIMIZING SHORT-CIRCUIT CURRENT OF OUTPUT STAGE WHILE HAVING IMPROVED SLEW RATE

Номер патента: US20220286099A1. Автор: Park Yong In,KIM Mun Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

VOLTAGE SENSING MECHANISM TO MINIMIZE SHORT-TO-GROUND CURRENT FOR LOW DROP-OUT AND BYPASS MODE REGULATORS

Номер патента: US20180196453A1. Автор: Sasmal Subhasis,Daniel T Jebas Paul,Cannankurichi Naveen,Drexler Bernard. Владелец: MICROSEMI CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-12.

Nanowire Stack GAA Device with Inner Spacer and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20210313455A1. Автор: Tung Ying Lee,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Nanowire Stack GAA Device with Inner Spacer and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20230387265A1. Автор: Tung Ying Lee,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nanowire stack GAA device with inner spacer

Номер патента: US11929425B2. Автор: Tung Ying Lee,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Detection and protection of short between power supplies in a Y-bridge driver

Номер патента: GB2607810A. Автор: Zanbaghi Ramin,J Peterson Cory. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Detection and protection of short between power supplies in a y-bridge driver

Номер патента: GB202212527D0. Автор: . Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US09685456B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-20.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200043727A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-02-06.

Formation of dislocations in source and drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09768256B2. Автор: Wei-Yang Lee,Wei-Yuan Lu,Chun Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893183B2. Автор: Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20200119049A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20180350839A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20170069661A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20170250198A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-31.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200020526A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-01-16.

Vertical-conduction integrated electronic device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20120049940A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Angelo Magri'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-03-01.

Field effect transistor with inactive fin and method

Номер патента: US20240379752A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200020525A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-01-16.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200043726A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-02-06.

Stacked trigate transistors with dielectric isolation between first and second semiconductor fins

Номер патента: US11594533B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Stacked trigate transistors with dielectric isolation and process for forming such

Номер патента: US20230170350A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Stacked trigate transistors with dielectric isolation and process for forming such

Номер патента: US11894372B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Fin field effect transistor having crystalline titanium germanosilicide stressor layer

Номер патента: US20200185525A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105933A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical-conduction integrated electronic device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20140141603A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Angelo Magri'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-05-22.

Fin field effect transistor having crystalline titanium germanosilicide stressor layer

Номер патента: US10892365B2. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10608113B1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Middle of the line (MOL) contacts with two-dimensional self-alignment

Номер патента: US09929048B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Lars Liebmann,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Trench to trench fin short mitigation

Номер патента: US09508725B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Middle of the line (mol) contacts with two-dimensional self-alignment

Номер патента: US20180182668A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Lars Liebmann,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Bulk silicon wafer product useful in the manufacture of three dimensional multigate mosfets

Номер патента: EP2329516A1. Автор: Michael R. Seacrist. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Trench to trench fin short mitigation

Номер патента: US9780094B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230420452A1. Автор: FENG Yuan,Chung-Liang Cheng,Chi-Yuan Shih,Wan-Lin Tsai,Shih-Fen Huang,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Trench to trench fin short mitigation

Номер патента: US20160284709A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Trench to trench fin short mitigation

Номер патента: US20170012047A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

High voltage transistor device with reduced characteristic on resistance

Номер патента: US20160027914A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837516B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679998B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Heterojunction bipolar transistor with counter-doped collector region and method of making same

Номер патента: US10998431B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-04.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor having enhanced high-frequency performance

Номер патента: US11967625B2. Автор: Shuming Xu. Владелец: Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory array including epitaxial source lines and bit lines

Номер патента: US11974441B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160300939A1. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Implanted substrate contact for in-process charging control

Номер патента: US20190393211A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Walid Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363685A1. Автор: Hyun Jun Lim,Tae Ho Cha,Su Bin Lee,Jeong Hyeon LEE,Hak Jong LEE,Seung Hyeon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US11881530B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Spacer Structures for Semiconductor Devices

Номер патента: US20220149178A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Spacer Structures for Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280716A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230387302A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nanosheet devices with cmos epitaxy and method of forming

Номер патента: US20190019733A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Nicolas Loubet,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Esd structure

Номер патента: US20240096873A1. Автор: Chih-Hung Wang,Bao-Ru Young,Chun-Chia Hsu,Jam-Wem Lee,Tung-Heng Hsieh,Yung-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

ESD structure

Номер патента: US11855073B2. Автор: Chih-Hung Wang,Bao-Ru Young,Chun-Chia Hsu,Jam-Wem Lee,Tung-Heng Hsieh,Yung-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Output capacitance reduction in power transistors

Номер патента: US20160141362A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-05-19.

Spacer cut for asymmetric source/drain epitaxial structure in stacked fet

Номер патента: US20240162319A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Backside contact that reduces risk of contact to gate short

Номер патента: US20240079446A1. Автор: Son Nguyen,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Daniel Charles Edelstein,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Christian Lavoie,Ruilong Xie,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Wrap-around contact on FinFET

Номер патента: US09941367B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Yi-An Lin,Gin-Chen Huang,Chen-Feng Hsu,Hau-Yu Lin,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: EP4439646A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: US20240332379A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200266192A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Under epitaxy isolation structure

Номер патента: US20230369428A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin,Chih-Hung SUN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Wrap-around contact on FinFET

Номер патента: US11854898B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Yi-An Lin,Gin-Chen Huang,Chen-Feng Hsu,Hau-Yu Lin,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Bottom enhanced liner-less via contact for reduced mol resistance

Номер патента: US20240128331A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Nanowire transistor with underlayer etch stops

Номер патента: US09385221B2. Автор: Anand Murthy,Seiyon Kim,Daniel Aubertine,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Source/Drain Regions and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240379454A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Hui-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

RF power MOSFET device with extended linear region of transconductance characteristic at low drain current

Номер патента: US6064088A. Автор: Pablo Eugenio D'Anna. Владелец: Xemod Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Metal oxide semiconductor devices with multiple drift regions

Номер патента: US20130256794A1. Автор: Hoon Chang,Sung-ryoul Bae,Min-Hwan Kim,Dong-Eun Jang,Jae-June Jang,Eung-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160049464A1. Автор: Min-Hsiung Chiang,Pin-Cheng HSU,Chih Hsiung Lin,Chia-Der Chang,Shu-Wei Chung,Hao Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Cross-cell local interconnect with buried power rail and gate contact over active region

Номер патента: WO2023099097A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Isolation rail between backside power rails

Номер патента: US20240234248A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Hosadurga Shobha,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Isolation rail between backside power rails

Номер патента: US20240136253A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Hosadurga Shobha,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882034B2. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Composite device and switching power supply

Номер патента: US09866214B2. Автор: Shaohua Zhang. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Low leakage FinFET

Номер патента: US09508720B1. Автор: Weimin Zhang,Yanzhong Xu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240282569A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Li-Te Lin,Yi-Chen Lo,Tsungyu Hung,Chia-Ling PAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Epitaxial fin structures of finFET having an epitaxial buffer region and an epitaxial capping region

Номер патента: US11888046B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Epitaxial fin structures of finfet having an epitaxial buffer region and an epitaxial capping region

Номер патента: US20240088266A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Technique for preventing forward biased epi-isolation degradation

Номер патента: CA1057419A. Автор: Raymond W. Hamaker,Robert L. Ayers. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180108762A1. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of forming epitaxial fin structures of finfet

Номер патента: US20200321450A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Technique for preventing forward biased epi-isolation degradation

Номер патента: US4113512A. Автор: Robert Lee Ayers,Raymond Weaver Hamaker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Backside power rail with tight space

Номер патента: US20240105606A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Source/Drain Regions and Methods of Forming Same

Номер патента: US20230377989A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Hui-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Guard rings including semiconductor fins and regrown region

Номер патента: US9514989B2. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

FinFET with dielectric isolated channel

Номер патента: US09825174B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Guard rings including semiconductor fins and regrown region

Номер патента: US09514989B2. Автор: Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Finfet with dielectric isolated channel

Номер патента: US20160211377A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Buried conductive structure in semiconductor substrate

Номер патента: US20230411242A1. Автор: Lin-Yu HUANG,Hong-Mao Lee,Wei-Yip Loh,Kan-Ju LIN,Min-Hsuan LU,Harry CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned dual-metal silicide and germanide formation

Номер патента: US9559182B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Gin-Chen Huang,Chun Hsiung Tsai,Ling-Yen Yeh,Yen-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Li-Chi Yu,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Self-Aligned Dual-Metal Silicide and Germanide Formation

Номер патента: US20170140942A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Gin-Chen Huang,Chun Hsiung Tsai,Ling-Yen Yeh,Yen-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Li-Chi Yu,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09508821B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned middle of the line (MOL) contacts

Номер патента: US09941162B1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09892967B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09466565B2. Автор: Mark T Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz,Nadia M. Rahhai-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with gate dielectric formed using selective deposition

Номер патента: US20230317820A1. Автор: Miin-Jang Chen,Tzu-Chung Wang,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Yu-tung Yin,Meng-Chien YANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-10-05.

Self-Aligned Dual-Metal Silicide and Germanide Formation

Номер патента: US20160099331A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Gin-Chen Huang,Chun Hsiung Tsai,Ling-Yen Yeh,Yen-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Li-Chi Yu,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11600524B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Self-aligned middle of the line (mol) contacts

Номер патента: US20180166335A1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20240030067A1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11887891B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Salicide process for a MOS semiconductor device using nitrogen implant of titanium

Номер патента: US5508212A. Автор: Jau-Jey Wang,Ming-Hsung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Strap layout for non-volatile memory device

Номер патента: US10103156B2. Автор: Xinshu CAI,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-10-16.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180204920A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180233566A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Self-aligned contact with metal-insulator transistion materials

Номер патента: US20200135882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160284801A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

A semiconductor device

Номер патента: EP4376079A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Vasantha Kumar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-29.

Checkerboard dummy design for epitaxial open ratio

Номер патента: US20240379664A1. Автор: Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Tsung-Chieh Tsai,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Wrap around contact process margin improvement with early contact cut

Номер патента: US20220123116A1. Автор: Yao Yao,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Andrew Greene,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Checkerboard dummy design for epitaxial open ratio

Номер патента: US20230260994A1. Автор: Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Tsung-Chieh Tsai,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Wrap around contact process margin improvement with early contact cut

Номер патента: US20210265470A1. Автор: Yao Yao,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Andrew Greene,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120302061A1. Автор: Makoto Ishikawa,Nobuaki Umemura,Nobuyoshi Hattori,Kyoya Nitta,Nobuto Nakanishi,Hiroyuki ARIE,Kimio HARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8242605B2. Автор: Makoto Ishikawa,Nobuaki Umemura,Nobuyoshi Hattori,Kyoya Nitta,Nobuto Nakanishi,Hiroyuki ARIE,Kimio HARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240154042A1. Автор: Sung Hwan Kim,Jeong Hyuk YIM,Wan Don KIM,Hyo Seok Choi,Jun Ki PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of Manufacturing Semiconductor Devices by Using Epitaxy and Semiconductor Devices with a Lateral Structure

Номер патента: US20180226471A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Frank Hille,Daniel Schloegl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts

Номер патента: US09799671B2. Автор: Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Matthias Baenninger,Stephen SHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for schedule optimization sorting of dry end orders on a corrugator to minimize short order recovery time

Номер патента: US09933777B2. Автор: James A. Cummings,Ronald H. Schmidt. Владелец: Marquip Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for Schedule Optimization Sorting of Dry End Orders on a Corrugator to Minimize Short Order Recovery Time

Номер патента: US20160004249A1. Автор: Cummings James A.,Schmidt Ronald H.. Владелец: Marquip, LLC. Дата публикации: 2016-01-07.

PARTIALLY CONDUCTIVE CLAMP ARM PAD TO ENABLE ELECTRODE WEAR THROUGH AND MINIMIZE SHORT CIRCUITING

Номер патента: US20210196352A1. Автор: Shelton,IV Frederick E.,Messerly Jeffrey D.,Strobl Geoffrey S.,GUO Wei,Salguero Joseph S.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

APPARATUS TO MINIMIZE SHORT STROKE IN A REVOLVER

Номер патента: US20200300571A1. Автор: JR. Ronald Richard,FINDLAY David Scott,VILLA Michael,DUDZIC. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Method for manufacturing liquid crystal display capable of preventing electrical shorts between neighboring pixel electrodes and the liquid crystal display

Номер патента: US6091464A. Автор: In-Duk Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2000-07-18.

Method and apparatus for locating electrical shorts between concealed conductive objects

Номер патента: GB9122140D0. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1991-11-27.

Apparatus for sensing and locating shorts between a plurality n of electrical conductors

Номер патента: DE3064934D1. Автор: Gordon J Deboo,David Joseph Devine. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1983-10-27.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Nguyen Khanh,Sabde Jagdish,Magia Sagar. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Apparatus, system, and method for detecting the formation of a short between a magnetoresistive head and a head substrate

Номер патента: US20080186634A1. Автор: Robert Glenn Biskeborn,Larry Leeroy Tretter,Brian Axtman,Stanley W. Czarnecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Testing for shorts between internal nodes of a power distribution grid

Номер патента: US9453870B1. Автор: Asim A. Bajwa,Amitava Majumdar,Richard W. Swanson,Anna W. Wong,Suraj Ethirajan,Jongheon Jeong. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20150145035A1. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US8890243B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Forming ns gates with improved mechanical stability

Номер патента: WO2023110274A1. Автор: Lawrence Clevenger,Ruilong Xie,Julien Frougier,Prasad Bhosale,Nicolas Loubet GUILDERLAND. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-22.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US11824089B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US20220149155A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US20210273050A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Core-Shell Nanostructures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230411455A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Lateral drain mosfet with improved clamping voltage control

Номер патента: US20100176452A1. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-15.

Lateral drain mosfet with improved clamping voltage control

Номер патента: US20100317168A1. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Lateral drain MOSFET with improved clamping voltage control

Номер патента: US7998819B2. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Lateral diodes in stacked transistor technologies

Номер патента: US20230087444A1. Автор: Patrick Morrow,Charles C. Kuo,Cheng-Ying Huang,Ayan KAR,Benjamin Orr,Nathan D. Jack,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Bottom contact for stacked gaa fet

Номер патента: WO2023084367A1. Автор: Su Chen Fan,Indira Seshadri,Stuart Sieg. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-19.

Wrap-around contact for finFET

Номер патента: US09478622B2. Автор: Hong Yu,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method to form wrap-around contact for finfet

Номер патента: US20150380502A1. Автор: Hong Yu,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Lateral diodes in stacked transistor technologies

Номер патента: US20230088578A1. Автор: Patrick Morrow,Charles C. Kuo,Cheng-Ying Huang,Ayan KAR,Benjamin Orr,Nathan D. Jack,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrating VLSI-compatible fin structures with selective epitaxial growth and fabricating devices thereon

Номер патента: US09685381B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

High density mosfet array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US20160035846A1. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Two-stage top source drain epitaxy formation for vertical field effect transistors enabling gate last formation

Номер патента: US20210193527A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Contact resistance control in epitaxial structures of finFET

Номер патента: US09953875B1. Автор: Chii-Horng Li,Cheng-Wen Cheng,Lilly SU,Tuoh Bin Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for creating the high voltage complementary BJT with lateral collector on bulk substrate with resurf effect

Номер патента: US09741790B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Embedded source/drain structure for tall finFET and method of formation

Номер патента: US09818877B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Reinaldo Ariel Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Process design to improve transistor variations and performance

Номер патента: US09768297B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tsung-Hsing Yu,Shih-Syuan Huang,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Process for producing a high performance bipolar structure

Номер патента: US6004855A. Автор: Larry Joseph Pollock,George William Brown. Владелец: Synergy Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-12-21.

Lateral diodes in stacked transistor technologies

Номер патента: EP4156270A2. Автор: Patrick Morrow,Charles C. Kuo,Cheng-Ying Huang,Ayan KAR,Benjamin Orr,Nathan D. Jack,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Buried Power Grid Designs and the Methods for Forming Buried Power Grids in CMOS Technologies for Improved Radiation Hardness

Номер патента: US20130161758A1. Автор: Leonard Richard Rockett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US12136570B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Capacitor coupled contactless imager with high resolution and wide dynamic range

Номер патента: US5552619A. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont,Carver A. Mead,Hosam Haggag. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Integrating VLSI-compatible fin structures with selective epitaxial growth and fabricating devices thereon

Номер патента: GB2530194A. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Niti Goel,Willy Rachmady,Robert S Chau,Matthew V Metz,Jack T Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-16.

Field effect transistors with dual silicide contact structures

Номер патента: US20240088261A1. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Yasutoshi Okuno,Peng-Wei Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Field effect transistors with dual silicide contact structures

Номер патента: US11855177B2. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Yasutoshi Okuno,Peng-Wei Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Lateral diodes in stacked transistor technologies

Номер патента: EP4156270A3. Автор: Patrick Morrow,Charles C. Kuo,Cheng-Ying Huang,Ayan KAR,Benjamin Orr,Nathan D. Jack,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098707A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Half buried nFET/pFET epitaxy source/drain strap

Номер патента: US11798867B2. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for creating the high voltage complementary bjt with lateral collector on bulk substrate with resurf effect

Номер патента: US20160233294A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for creating the high voltage complementary bjt with lateral collector on bulk substrate with resurf effect

Номер патента: US20170309703A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Embedded source/drain structure for tall FinFET and method of formation

Номер патента: US10559690B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Reinaldo Ariel Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Process design to improve transistor variations and performance

Номер патента: US20160064560A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tsung-Hsing Yu,Shih-Syuan Huang,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Multi-stage etching process for contact formation in a semiconductor device

Номер патента: US11757010B2. Автор: Ching-Feng Fu,Guan-Ren Wang,Shu-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method, apparatus and system for improved performance using tall fins in finfet devices

Номер патента: US20170141214A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240055526A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Yu-Chi Lin,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

FinFET Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20200350417A1. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method, apparatus and system for improved performance using tall fins in finfet devices

Номер патента: US20190043965A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20230010146A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing vertical complementary bipolar transistors each with epitaxial base zones

Номер патента: US3959039A. Автор: Bernard Roger,Maurice Bonis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-05-25.

Bipolar junction transistor device and method of making the same

Номер патента: US20150357448A1. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US20220285221A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Bipolar junction transistor device and method of making the same

Номер патента: US20150162322A1. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor devices with extended active regions

Номер патента: US8062953B2. Автор: Chong-Cheng Fu,Mark D. Hall,Glenn C. Abeln. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-11-22.

Epitaxial source/drain differential spacers

Номер патента: US20160308054A1. Автор: Manoj Mehrotra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240063306A1. Автор: Ki Hwan Kim,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US11843053B2. Автор: Ki Hwan Kim,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Multi-stage etching process for contact formation in a semiconductor device

Номер патента: US20230378283A1. Автор: Ching-Feng Fu,Guan-Ren Wang,Shu-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device including a self-aligned contact layer with enhanced etch resistance

Номер патента: US20240030311A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,Lo-Heng Chang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Yun-Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure with wraparound backside amorphous layer

Номер патента: US20230387225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FinFET device and method

Номер патента: US12112986B2. Автор: Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Kun-Mu Li,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Contact line having insulating spacer therein and method of forming same

Номер патента: US09812400B1. Автор: Guillaume Bouche,Veeraraghavan S. Basker,Michael V. Aquilino,Keith H. Tabakman,Patrick D. Carpenter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20230187540A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-Wei Lee,Yen-Ru LEE,Jing-Yi Yan,Heng-Wen Ting,Chih-Yun CHIN,Chih-Hung Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Structure and method of forming silicide on fins

Номер патента: US20150380510A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor structure with wraparound backside amorphous layer

Номер патента: US11777003B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

FinFET Device and Method

Номер патента: US20210351081A1. Автор: Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Kun-Mu Li,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Contact line having insulating spacer therein and method of forming same

Номер патента: US20170373007A1. Автор: Guillaume Bouche,Veeraraghavan S. Basker,Michael V. Aquilino,Keith H. Tabakman,Patrick D. Carpenter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Complementary cell circuits employing isolation structures for defect reduction and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111496A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Complementary cell circuits employing isolation structures for defect reduction and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173243A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120220097A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130244393A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8460988B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-11.

Reducing variation by using combination epitaxy growth

Номер патента: US09425287B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Stacked device with buried interconnect

Номер патента: US20230307296A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Stacked device with buried interconnect

Номер патента: WO2023179993A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Preventing strained fin relaxation by sealing fin ends

Номер патента: US09576979B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Juntao Li,Gauri Karve,Fee Li LIE,Chun Wing Yeung,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20140099773A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-04-10.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US09502292B2. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for creating self-aligned transistor contacts

Номер патента: US09461128B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100129969A1. Автор: Yasuyuki Arai,Ikuko Kawamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Gate cap last for self-aligned contact

Номер патента: US20200381306A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Direct backside self-aligned contact

Номер патента: WO2024082734A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for creating self-aligned transistor contacts

Номер патента: US20160093704A1. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Simple contact over gate on active area

Номер патента: US20190157158A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Direct backside self-aligned contact

Номер патента: US20240128333A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Preventing strained fin relaxation

Номер патента: US9881937B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Juntao Li,Gauri Karve,Fee Li LIE,Chun Wing Yeung,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Preventing strained fin relaxation

Номер патента: US20170117300A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Juntao Li,Gauri Karve,Fee Li LIE,Chun Wing Yeung,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Preventing strained fin relaxation

Номер патента: US20160351590A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Juntao Li,Gauri Karve,Fee Li LIE,Chun Wing Yeung,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20160013096A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-01-14.

High density MOSFET array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US09401409B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Electronic device comprising conductive regions and dummy regions

Номер патента: US9306029B2. Автор: Leonardo Fragapane,Antonino Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-05.

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: US09806175B2. Автор: Anup Bhalla,Tiesheng Li,Sik K. Lui,Daniel Ng.. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-31.

High voltage semiconductor device and fabrication process

Номер патента: CA2021671C. Автор: Denis Jaume,Andre Peyre Lavigne,Georges Charitat. Владелец: Motorola Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1993-11-02.

Electronic device comprising conductive regions and dummy regions

Номер патента: US9461130B2. Автор: Leonardo Fragapane,Antonino Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-10-04.

Electronic device comprising conductive regions and dummy regions

Номер патента: US20140197452A1. Автор: Leonardo Fragapane,Antonino Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-07-17.

Electronic device comprising conductive regions and dummy regions

Номер патента: US20160111507A1. Автор: Leonardo Fragapane,Antonino Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Mosfet with improved performance through induced net charge region in thick bottom insulator

Номер патента: US20130328121A1. Автор: Xiaobin Wang,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-12.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A2. Автор: Anup Bhalla. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A3. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2009-04-16.

Bipolar junction transistor with vertically integrated resistor

Номер патента: GB2616576A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Self-aligned power mosfet with integral source-base short and methods of making

Номер патента: CA1197023A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-19.

Removal of work function metal wing to improve device yield in vertical fets

Номер патента: US20200235238A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming nanosheet transistor with dielectric isolation of source-drain regions and related structure

Номер патента: US09947804B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Breakdown voltage blocking device

Номер патента: US09722041B2. Автор: Qufei Chen,Robert Q. Xu. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019115A1. Автор: Chih-Yuan Chuang,Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Chun-I Fan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Passivation layers for semiconductor devices

Номер патента: US11929422B2. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US10475637B2. Автор: Chih-Yuan Chuang,Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Chun-I Fan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Graphene wrap-around contact

Номер патента: US20220285515A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Wei-Yen Woon. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Extended source/drain contact for shifted drain voltage for a backside power distribution network

Номер патента: US20240213337A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570584B2. Автор: Min-Hsiung Chiang,Pin-Cheng HSU,Chih Hsiung Lin,Chia-Der Chang,Shu-Wei Chung,Hao Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20210273077A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Gradient ternary or quaternary multiple-gate transistor

Номер патента: US09768305B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20220059677A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Mesa edge shielding trench Schottky rectifier and method of manufacture thereof

Номер патента: US8551867B2. Автор: WEI Liu,Fan Wang,Xiaozhong Sun. Владелец: Suzhou Silikron Semicoductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor devices

Номер патента: GB1502165A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-02-22.

Method and device to reduce finfet sram contact resistance

Номер патента: US20190181145A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

High density MOSFET array with self-aligned contacts delimited by nitride-capped trench gate stacks and method

Номер патента: US10297594B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-05-21.

Buried trench capacitor

Номер патента: US20240113102A1. Автор: Tawen Mei,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur,Robert Oppen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Gradient Ternary or Quaternary Multiple-Gate Transistor

Номер патента: US20180006156A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Buried trench capacitor

Номер патента: WO2024073632A1. Автор: Tawen Mei,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur,Robert Oppen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-04.

Thin film transistor assembly, particularly suitable for liquid crystal display device, and process for fabricating the same

Номер патента: US20020110960A1. Автор: Woong-Kwon Kim,Joo-Young Kim,Young-Jin Oh. Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

익스텐션 저항 및 채널 스트레인 특성들을 개선하기 위한 임베드된 익스텐션 영역을 갖는 ｓｏｉ 트랜지스터들

Номер патента: KR20110013261A. Автор: 마완 에이치. 케이터. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2011-02-09.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US09640533B2. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Finfet with top body contact

Номер патента: US20090001464A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack A. Mandelman,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US20160268257A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods, apparatus and system for providing source-drain epitaxy layer with lateral over-growth suppression

Номер патента: US20170200797A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Christopher Michael PRINDLE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Subsurface zener diode and method of making

Номер патента: US4742021A. Автор: Stephen R. Burnham,William J. Lillis. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1988-05-03.

Fin Spacer Protected Source and Drain Regions in FinFETs

Номер патента: US20180197782A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Fin spacer protected source and drain regions in FinFETs

Номер патента: US09935011B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411467A1. Автор: Jin Cai,Hou-Yu Chen,Cheng-Ting Chung,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US9985020B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with power via

Номер патента: US20230420359A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang,Kisik Choi,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Depression filling method and processing apparatus

Номер патента: US09646879B2. Автор: Daisuke Suzuki,Takumi Yamada,Akinobu Kakimoto,Youichirou CHIBA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Composite semiconductor integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: US4095330A. Автор: Chung K. Kim. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1978-06-20.

Recess filling method and processing apparatus

Номер патента: US09865467B2. Автор: Daisuke Suzuki,Takumi Yamada,Youichirou CHIBA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Local interconnection method and structure for use in semiconductor device

Номер патента: US20040248406A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sung-Un Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method

Номер патента: US7808058B2. Автор: Peter L. D. Change. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: WO2021094856A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: GB2604510A. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Self-aligned bottom spacer epi last flow for vtfet

Номер патента: US20220005935A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Heng Wu,Sung Dae Suk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of eDRAM DT Strap Formation In FinFET Device Structure

Номер патента: US20140030864A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Self-aligned backside trench epitaxy for low contact resistivity

Номер патента: US20230317782A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Self-aligned bottom spacer epi last flow for VTFET

Номер патента: US11923434B2. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Heng Wu,Sung Dae Suk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Stacked source-drain-gate connection and process for forming such

Номер патента: US12148806B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Stacked source-drain-gate connection and process for forming such

Номер патента: US20230238436A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Stacked source-drain-gate connection and process for forming such

Номер патента: US20240145557A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Stacked source-drain-gate connection and process for forming such

Номер патента: US11916118B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Stacked source-drain-gate connection and process for forming such

Номер патента: US20200411651A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of making self-aligned power MOSFET with integral source-base short

Номер патента: US4598461A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Enlarged overlap between backside power rail and backside contact

Номер патента: US20240194691A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A3. Автор: Ali Salih,John E Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A Khan. Владелец: Shamsul A Khan. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A2. Автор: John E. Amato,Ali Salih,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A. Khan. Владелец: Power-One Limited. Дата публикации: 2005-03-17.

Combined ion implantation and kinetic transport deposition process

Номер патента: GB1466786A. Автор: . Владелец: California Linear Circuits Inc. Дата публикации: 1977-03-09.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power MOSFET

Номер патента: US20050040459A1. Автор: Ali Salih,John Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul Khan. Владелец: POWER-ONE Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240371636A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US8294839B2. Автор: Jong-Woong Chang,Young-Bae Park,Jun-ho Song,Dong-Gyu Kim,Sung-Wook Huh,Byoung-Sun Na,Jae-Ho Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-23.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in Ge and SiGe devices

Номер патента: US11749763B2. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in Ge and SiGe devices

Номер патента: US12094989B2. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in ge and sige devices

Номер патента: US20240363777A1. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices with reduced active region deffects and unique contacting schemes

Номер патента: US20040121507A1. Автор: Clifford King,Jeffrey Bude,Malcolm Carroll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Integrated lateral transistor having increased beta and bandwidth

Номер патента: US3656034A. Автор: Arthur J Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-04-11.

Monolithic III-V/Si Waveguide Phase Modulator

Номер патента: US20190377205A1. Автор: Joris Van Campenhout,Sanghyeon Kim,Maria Ioanna Pantouvaki,Yoojin Ban. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-12-12.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in ge and sige devices

Номер патента: US20190035955A1. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in ge and sige devices

Номер патента: US20210167236A1. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in ge and sige devices

Номер патента: US20230369521A1. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Dielectric sidewall structure for quality improvement in ge and sige devices

Номер патента: US20180090631A1. Автор: Chih-Ming Chen,Ming Chyi Liu,Po-Chun Liu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

비대칭 과도 전압 억제기 장치 및 형성 방법

Номер патента: KR102712906B1. Автор: 제임스 앨런 피터스. Владелец: 리텔퓨즈 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2024-10-04.

Номер патента: GB1288726A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1972-09-13.

Method of preventing bridging between polycrystalline micro-scale features

Номер патента: WO2001073841A2. Автор: Munir D. Naeem,Lawrence A. Clavenger. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2001-10-04.

Method of preventing bridging between polycrystalline micro-scale features

Номер патента: WO2001073841A3. Автор: Munir D Naeem,Lawrence A Clavenger. Владелец: Ibm Deutschland. Дата публикации: 2002-03-07.

Method of preventing bridging between polycrystalline micro-scale features

Номер патента: EP1264341A2. Автор: Munir D. Naeem,Lawrence A. Clavenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Method of preventing bridging between polycrystalline micro-scale features

Номер патента: EP1264341B1. Автор: Munir D. Naeem,Lawrence A. Clavenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Method of preventing bridging between polycrystalline micro-scale features

Номер патента: MY124911A. Автор: a clevenger Lawrence,D Naeem Munir. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-07-31.

Misalignment tolerant techniques for dual damascene fabrication

Номер патента: EP1099248A1. Автор: Suketu A. Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223320A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain

Номер патента: US4103415A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Method and apparatus for preventing contamination in a hot plate oven

Номер патента: US6297480B1. Автор: Liang Huang Liu,Shu Shing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-10-02.

Semiconductor package and methods of manufacturing

Номер патента: US20230395526A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Circuit packages with bump interconnect polymer surround and method of manufacture

Номер патента: US20240096845A1. Автор: Yangyang Sun,Dongming He,Yujen CHEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Circuit packages with bump interconnect polymer surround and method of manufacture

Номер патента: WO2024064572A9. Автор: Yangyang Sun,Dongming He,Yujen CHEN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Circuit packages with bump interconnect polymer surround and method of manufacture

Номер патента: WO2024064572A1. Автор: Yangyang Sun,Dongming He,Yujen CHEN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Depression filling method and processing apparatus

Номер патента: US09425073B2. Автор: Daisuke Suzuki,Satoshi Onodera,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9991162B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061741A1. Автор: Hyung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Vias and gaps in semiconductor interconnects

Номер патента: US20200027827A1. Автор: Kevin Lin,Manish Chandhok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4213203A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150072513A1. Автор: Hyung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Optically efficient led die attach

Номер патента: WO2024158604A2. Автор: Michael J. Renn,Kurt K. Christenson,Matthew Connor SCHRANDT. Владелец: OPTOMEC, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Interconnection structure of a semiconductor chip and semiconductor package including the interconnection structure

Номер патента: US20220093521A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Bonded structures for package and substrate

Номер патента: US09673161B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Ming-Hong Cha,Yao-Chun Chuang,Chita Chuang,Tsung-Hsien Chiang,Hao-Juin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Contact structure a semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6787857B2. Автор: Hong Ki Kim,Duck Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-07.

Composite insulator structure

Номер патента: US4600624A. Автор: Robert R. Joseph,Man-Chong Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-07-15.

Ceramics heater for semiconductor production system

Номер патента: US20050241584A1. Автор: Hirohiko Nakata,Akira Kuibira,Yoshifumi Kachi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Bonded Structures for Package and Substrate

Номер патента: US20200098714A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Ming-Hong Cha,Yao-Chun Chuang,Chita Chuang,Tsung-Hsien Chiang,Hao-Juin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Bonded Structures for Package and Substrate

Номер патента: US20150371964A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Ming-Hong Cha,Yao-Chun Chuang,Chita Chuang,Tsung-Hsien Chiang,Hao-Juin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Interconnection structure of a semiconductor chip and method of manufacturing the interconnection structure, and semiconductor package including the interconnection structure and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20230253336A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-08-10.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Image sensor isolation region and method of forming the same

Номер патента: US09786707B2. Автор: Kei-Wei Chen,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Szu-An Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Image sensor isolation region and method of forming the same

Номер патента: US09673244B2. Автор: Kei-Wei Chen,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Szu-An Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Light emitting diodes including modifications for submount bonding and manufacturing methods therefor

Номер патента: AU2002355138A1. Автор: Peter S. Andrews,Bradley E. Williams,David B. Slater Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-02-17.

Avalanche photodiodes and methods of making the same

Номер патента: US20240006548A1. Автор: John D. Cressler,Patrick Stephen Goley. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

ESD protection device for high voltage CMOS applications

Номер патента: US5604369A. Автор: Charvaka Duvvury,Roy C. Jones, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-02-18.

Deep Trench Isolation Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20180047777A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: US20210193737A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Deep Trench Isolation Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20170278893A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Backside illuminated sensor pixel structure

Номер патента: US20210082975A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Signal detection method for IR detector having charge readout structure

Номер патента: US4313127A. Автор: Ronald M. Finnila,Stephen C. Su. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1982-01-26.

Memory cell structure and fabrication

Номер патента: US6093614A. Автор: Ulrike Gruening,Hans-Oliver Joachim,Jochen Beintner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-07-25.

Method for eliminating latch-up and analog signal error due to substrate injection in integrated circuits with a vertical power output transistor

Номер патента: WO1985003808A1. Автор: Byron G. Bynum,David L. Cave. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 1985-08-29.

Semiconductor device contact pads

Номер патента: GB2243485A. Автор: Manfred Paul,Allen Wagner,Ray Sundstrom. Владелец: Motorola GmbH. Дата публикации: 1991-10-30.

Monolithic semiconductor structure

Номер патента: GB1334306A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-10-17.

Structures for Increased Current Generation and Collection in Solar Cells with Low Absorptance and/or Low Diffusion Length

Номер патента: US20170200849A1. Автор: Christopher M. Fetzer,Richard R. King,Philip T. Chiu,Moran Haddad,Xingquan Liu. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-07-13.

Semi-conductor chip package capable of detecting open and short

Номер патента: US7394261B2. Автор: Chang-su Park,Heung-woo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Display substrate and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US11742361B2. Автор: Chao Liu,Linhui Gong. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor light emitting diodes with crack-tolerant barrier structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496458B2. Автор: Michael Bergmann,Matthew Donofrio,Kevin Haberern,Kevin Schneider. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semi-conductor chip package capable of detecting open and short

Номер патента: US20070080704A1. Автор: Chang-su Park,Heung-woo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Integrated device comprising pillar interconnect with cavity

Номер патента: EP4393010A1. Автор: Dongming He,Yujen CHEN,Hung-Yuan Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated device comprising pillar interconnects with variable shapes

Номер патента: EP4402718A1. Автор: Dongming He,Yujen CHEN,Hung-Yuan Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Electronic devices

Номер патента: WO2004084302A1. Автор: Ming Liu,Johnny Kinon Sin,Tommy Maulau Lai. Владелец: Analog Power Intellectual Properties Limited. Дата публикации: 2004-09-30.

Electronic devices

Номер патента: EP1460689A3. Автор: Johnny Kin-On c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Sin,Ming c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Liu,Tommy Mau-Lam c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Lai. Владелец: Analog Power Intellectual Properties Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Enhanced BGA grounded heatsink

Номер патента: US20030085462A1. Автор: Setho Fee,John Briar,Weddie Aquien. Владелец: ST Assembly Test Services Pte Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor package with leads on a chip having multi-row of bonding pads

Номер патента: US20090160038A1. Автор: Wen-Jeng Fan,Yu-Mei Hsu. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Five transistor CMOS memory cell including diodes

Номер патента: US4724530A. Автор: Andrew G. F. Dingwall. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-02-09.

Salicided gate for virtual ground arrays

Номер патента: US20030085417A1. Автор: Yu Sun,Chi Chang,Mark Ramsbey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Salicided gate for virtual ground arrays

Номер патента: EP1435114A2. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-07.

Salicided gate for virtual ground arrays

Номер патента: WO2003030253A3. Автор: Yu Sun,Mark T Ramsbey,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Salicided gate for virtual ground arrays

Номер патента: WO2003030253A2. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-04-10.

LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS

Номер патента: US6045240A. Автор: Peter A. Hochstein. Владелец: Relume Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Integrated device comprising pillar interconnect with cavity

Номер патента: WO2023027811A1. Автор: Dongming He,Yujen CHEN,Hung-Yuan Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor package

Номер патента: US20210391280A1. Автор: Geunwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Rram device with spacer for electrode isolation

Номер патента: US20200357852A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Dexin Kong,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

3d inter-stratum connectivity robustness

Номер патента: US20130055183A1. Автор: Matthew R. Wordeman,Shih-Hsien Lo,Michael R. Scheuermann,Michael P. Beakes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Test macro for use with a multi-patterning lithography process

Номер патента: US20150140697A1. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Test macro for use with a multi-patterning lithography process

Номер патента: US20150140698A1. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Light-emitting device and display device using the same

Номер патента: EP4398322A3. Автор: Jinyeong Kim,Hyunwoo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Light-emitting device and display device using the same

Номер патента: EP4391095A3. Автор: Jinyeong Kim,Hyunwoo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Leakage current detection in 3D memory

Номер патента: US09905307B1. Автор: Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Kapil Verma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Electromagnetic shielding structures

Номер патента: US09743564B2. Автор: David A. PAKULA,Jason Sloey,Shayan Malek,Gregory N. Stephens. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Electronic devices

Номер патента: EP1460689A2. Автор: Johnny Kin-On c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Sin,Ming c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Liu,Tommy Mau-Lam c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Lai. Владелец: Analog Power Intellectual Properties Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Electrostatic discharge (ESD) protection for a 5.0 volt compatible input/output (I/O) in a 2.5 volt semiconductor process

Номер патента: US6028758A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Vantis Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Integrated circuit memory devices having dummy memory cells therein for inhibiting memory failures

Номер патента: US5867434A. Автор: Sang-Seok Kang,Jin-Seok Lee,Chang-hag Oh,Jeon-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-02.

Gold-based alloy for bonding wire of semiconductor device

Номер патента: US5993735A. Автор: Do-Won Kang. Владелец: Kang; Do-Won. Дата публикации: 1999-11-30.

Transistor antifuse, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11930636B2. Автор: Toshihiko Miyashita,James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and methods of manufacturing

Номер патента: US20240112987A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Light-emitting device and display device using the same

Номер патента: US11916173B2. Автор: Jinyeong Kim,Hyunwoo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Light-emitting device and display device using the same

Номер патента: EP4391095A2. Автор: Jinyeong Kim,Hyunwoo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Leakage Current Detection In 3D Memory

Номер патента: US20180061505A1. Автор: Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Kapil Verma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Light-emitting device and display device using the same

Номер патента: EP4398322A2. Автор: Jinyeong Kim,Hyunwoo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Insulating ceramic paste, ceramic electronic component, and method for producing the same

Номер патента: US09974168B2. Автор: Takahiro Oka,Takahiro Sumi,Sumiyo Nakamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Insulating ceramic paste, ceramic electronic componet, and method for producing the same

Номер патента: US20160014892A1. Автор: Takahiro Oka,Takahiro Sumi,Sumiyo Nakamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

OLED display device having pixel separation layer sidewall comprising curved sections

Номер патента: US09935160B2. Автор: Xiaowen LV,Hejing ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Techniques for forming spin-transfer torque memory having a dot-contacted free magnetic layer

Номер патента: US09882121B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09653526B2. Автор: Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09520379B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Protected crossover circuits and method of protecting the circuits

Номер патента: US3915769A. Автор: Robert L Moore. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1975-10-28.

MRAM with sidewall protection and method of fabrication

Номер патента: US8796795B2. Автор: Jing Zhang,Yiming Huai,Ebrahim Abedifard,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Method and apparatus for fabricating a memory device with a dielectric etch stop layer

Номер патента: US20050239246A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Array substrate and electronic device

Номер патента: US20240030237A1. Автор: Wei Tang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Highly Physical Ion Resistive Spacer to Define Chemical Damage Free Sub 60nm MRAM Devices

Номер патента: US20190363249A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20160181223A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Thermal pad shorts test for wire bonded strip testing

Номер патента: US20130120019A1. Автор: Byron Harry Gibbs,Bruce Randall Sult. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Window type bga semiconductor package and its substrate

Номер патента: US20090243099A1. Автор: Yi-Ling Liu,Wen-Jeng Fan,Tsai-Chuan Yu,Shin-Hui Huang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Array substrate and electronic device

Номер патента: US11990482B2. Автор: Wei Tang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Oled display device

Номер патента: US20170141165A1. Автор: Xiaowen LV,Hejing ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Reliable resistive random access memory

Номер патента: US20200287136A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Andrew Tae Kim,Ernest Y Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Anti-fuse and fuse structures for improving the functionality of qubit circuits

Номер патента: WO2023198792A1. Автор: Stephen Gates,Russell Budd,Vivekananda Adiga,Charles Rettner. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-10-19.

Anti-fuse and fuse structures for improving the functionality of qubit circuits

Номер патента: US20230334354A1. Автор: Stephen M. Gates,Russell A. Budd,Vivekananda P. Adiga,Charles Thomas Rettner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing device having optical semiconductor element

Номер патента: US20060292725A1. Автор: Masahiro Onishi,Tsutomu Fukai. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Cell design for lithium alloy/metal sulfide battery

Номер патента: US4540642A. Автор: Thomas D. Kaun. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1985-09-10.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US11862938B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Hung-Chi Hsiao,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US20240030685A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Matrix addressable vertical-cavity surface-emitting laser array

Номер патента: US20240283218A1. Автор: Eric R. Hegblom,Yeyu ZHU,Slava KHASSINE. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical cavity surface-emitting laser epitaxial structure having a current spreading layer

Номер патента: US20230307889A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for balancing voltages of DC link capacitor in inverter

Номер патента: US09812986B2. Автор: Ii-Pyo Hong. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Dc-coupled laser driver with ac-coupled termination element

Номер патента: EP3241260A1. Автор: Cristiano Bazzani,Kevin Mcdonald,Atul Gupta,Matteo Troiani,Yanxin Will Wang. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

High density connector

Номер патента: US4734045A. Автор: John L. Hawkins. Владелец: MASTERITE IND Inc. Дата публикации: 1988-03-29.

Method of manufacturing of a field emission element

Номер патента: RU2678192C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Алексей Васильевич Живихин,Евгений Павлович Кицюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-24.

Apparatus and methods for determining parameters downhole using gravity-affected sensor

Номер патента: WO2013090399A1. Автор: Robert A. Estes,Paul G. CAIMS,Kurt J. KUCK. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Resistive element, variable resistor using the same and method of manufacturing the resistive element

Номер патента: US6469613B2. Автор: Seiki Miura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-22.

Resistive element, variable resistor using the same and method of manufacturing the resistive element

Номер патента: US20020024415A1. Автор: Seiki Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Cylindrical secondary battery, and battery pack and vehicle including same

Номер патента: EP4456314A1. Автор: Do-Gyun Kim,Kwang-Su Hwangbo,Min-Ki Jo,Su-Ji CHOI,Jeong-Seop OH,Gu-Min LIM. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Batteries comprising a mulitlayer dielectric and sealing film and method of making the batteries

Номер патента: US09876199B2. Автор: Neil KREITMAN. Владелец: Brightvolt Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Panel for mounting of electrical terminals

Номер патента: CA2198975C. Автор: Daniel L. Baker,John E. Grant. Владелец: AVP Mfg and Supply Inc. Дата публикации: 2000-12-19.

Spill-proof battery

Номер патента: US3553020A. Автор: Ralph L Corbin,Richard A Jones. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1971-01-05.

Terminal block for a protective relay

Номер патента: CA2297979C. Автор: Clive Dias. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-12-22.

Safety device for cables supporting electrical wires

Номер патента: US3761865A. Автор: G Bomgaars. Владелец: VELDHUIZEN ARLO B VAN. Дата публикации: 1973-09-25.

Pouch-type lithium secondary battery

Номер патента: EP4329042A1. Автор: Jaegil Lee,HYUNSOO LEE,Gi Su Park,Dongseok SHIN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Methods and apparatus for beam steering using steerable beam antennas with switched parasitic elements

Номер патента: EP2483967A1. Автор: Noam Livneh,Mohammad A. Tassoudji,Ernest T. Ozaki,Vered Bar Bracha,Raphael Kastner. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Repellent electrode for electron repelling

Номер патента: US11830700B2. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Ching-Heng YEN,Jen-Chung Chiu,Lu-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Batteries comprising a multilayer dielectric and sealing film and method of making the batteries

Номер патента: US20200194739A1. Автор: Neil KREITMAN. Владелец: Brightvolt Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Methods and apparatus for beam steering using steerable beam antennas with switched parasitic elements

Номер патента: WO2011053431A1. Автор: Noam Livneh,Mohammad A. Tassoudji,Ernest T. Ozaki,Vered Bar Bracha,Raphael Katsner. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-05.

Repellent electrode for electron repelling

Номер патента: US20200211809A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Ching-Heng YEN,Jen-Chung Chiu,Lu-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Repellent electrode for electron repelling

Номер патента: US20230386778A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Ching-Heng YEN,Jen-Chung Chiu,Lu-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Repellent electrode for electron repelling

Номер патента: US20220199351A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Ching-Heng YEN,Jen-Chung Chiu,Lu-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Secondary battery with terminals and capacitor with terminals

Номер патента: US20020119366A1. Автор: Shunji Watanabe,Kenji Ogata,Koji Tomitsuka,Taisuke Takiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Induction Motor Brush Holder Assemblies, Apparatus, Systems, and Methods

Номер патента: US20120169177A1. Автор: Thiago Arouca Toledo,Nelson Kawasaki,Radhakrishna Darbha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-07-05.

Electrical cable assembly

Номер патента: US09735495B2. Автор: Charles M. Gross. Владелец: FCI AMERICAS TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrode design to extend sputter life of a ring laser gyroscope

Номер патента: WO2003004970A1. Автор: Timothy J. Callaghan,Bruce A. Seiber,Paul O. Rock. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-01-16.

Highly physical ion resistive spacer to define chemical damage free sub 60nm mram devices

Номер патента: US20240298546A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US09935339B2. Автор: Ryuji Ohshita,Satoshi Yoshida,Hideyuki Inomata,Eiji Okutani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Lithium ion secondary battery without internal short

Номер патента: US09397373B2. Автор: Sung Joon Park,Chang Moon Jeong,Seung Don Choi,You Rim Yoon,Dae Sik CHOI,Ho Jin Jeon,Jae Sik Yoon,Yong Pal Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Multi-electrode double layer capacitor having single electrolyte seal and aluminum-impregnated carbon cloth electrodes

Номер патента: US5862035A. Автор: C. Joseph Farahmandi,John M. Dispennette,Edward Blank,Alan C. Kolb. Владелец: Maxwell Energy Products Inc. Дата публикации: 1999-01-19.

Insulated contact

Номер патента: US4169646A. Автор: William J. Stape,John R. Hopkins,Robert N. Weber. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1979-10-02.

Multi-electrode double layer capacitor

Номер патента: WO1998015962A1. Автор: C. Joseph Farahmandi,John M. Dispennette,Edward Blank,Alan C. Kolb. Владелец: Maxwell Technologies, Inc.. Дата публикации: 1998-04-16.

Electrical lead-ins for use for arc sustaining atmospheres

Номер патента: US4678520A. Автор: Andre C. Bouchard,Paul A. Thibault,Radomir I. Lagushenko. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Brush holder adapted to be removed without stopping the machine

Номер патента: CA2471229C. Автор: Robert S. Cutsforth,David L. Cutsforth. Владелец: Cutsforth Products Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Electrical lead-ins for use for arc sustaining atmospheres

Номер патента: CA1214492A. Автор: Andre C. Bouchard,Paul A. Thibault,Radomir I. Lagushenko. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1986-11-25.

Surge suppressing device

Номер патента: US5781394A. Автор: Ronald N. Lorenz,Frederick Parker. Владелец: Fiskars Brands Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Separator for electrochemical cell and process for the assembling it into the cell

Номер патента: US5075958A. Автор: Marc P. Kelemen,Harry R. Huhndorff,Craig A. Cooper. Владелец: Eveready Battery Co Inc. Дата публикации: 1991-12-31.

Method of processing PTC heater

Номер патента: US4570046A. Автор: Lionel J. Melanson,Frank Bucherati. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1986-02-11.

Telephone line surge protector module with fast-acting, high resistance heat coil assembly

Номер патента: US5646812A. Автор: William Hernandez, Jr.. Владелец: Porta Systems Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Secondary battery with terminals and capacitor with terminals

Номер патента: US6509714B2. Автор: Shunji Watanabe,Kenji Ogata,Koji Tomitsuka,Taisuke Takiguchi. Владелец: SII Micro Parts Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Fuel cell manifold including a coating to reduce the possibility of an electrical short

Номер патента: US20170098853A1. Автор: Sitaram Ramaswamy. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-04-06.

Highly physical ion resistive spacer to define chemical damage free sub 60nm MRAM devices

Номер патента: US11985905B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Cylindrical secondary battery including a cap-up

Номер патента: US20110104538A1. Автор: Chung-Ku Yeo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Power supply unit with connector protection circuit

Номер патента: EP3977233A1. Автор: Richard F. Johnson,Chee Kiong Fong,Suet Fong Tin,Sujuan Tang,Geoffrey Jason Shew. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-04-06.

Lead frame with electrical shorting protection

Номер патента: WO2023141142A1. Автор: Aaron Tucker. Владелец: SAMTEC, INC.. Дата публикации: 2023-07-27.

Plating buss and a method of use thereof

Номер патента: US20050269130A1. Автор: Mark JOHNSON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Improvements in or relating to speed control apparatus

Номер патента: GB875885A. Автор: Denis Manktelow Neale,Reginald Geoffrey Horner,Norman Ratcliffe Wynn. Владелец: Ilford Ltd. Дата публикации: 1961-08-23.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods and apparatus for enhanced transceiver performance using differential filtering

Номер патента: US20210203376A1. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods and apparatus for enhanced tranceiver performance using differential filtering

Номер патента: US20210028813A1. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Short to ground protection and automatic recovery

Номер патента: WO2022098813A1. Автор: Fernando Gonzalez,Christopher Twigg,Zbigniew Lata. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-12.

Multiphase clock generator circuit

Номер патента: US7675340B2. Автор: Kouichi Suzuki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-09.

Information recording device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110240949A1. Автор: Shosuke Fujii,Yuichiro Mitani,Daisuke Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Analogue-to-digital converter with detection of errors, related to overranging

Номер патента: RU2341893C2. Автор: Джонатон Майкл ДЖОНГСМА,Гарри Дэвид ХЬЮСЕНГА. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2008-12-20.

Apparatus for generating positive and negative supply rails from operating motor control circuit

Номер патента: US5459654A. Автор: Richard K. Williams,Allen A. Chang,Barry J. Concklin. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor having improved interlevel conductor insulation

Номер патента: US5202574A. Автор: Horng-Sen Fu,Al F. Tasch, Jr.,Pallab K. Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-13.

MRAM sense layer isolation

Номер патента: US6485989B1. Автор: Karen Signorini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-26.

Improvements in or relating to Shockless Type Static Eliminators

Номер патента: GB1199250A. Автор: . Владелец: Simco Co Inc. Дата публикации: 1970-07-15.

Touch display device

Номер патента: US11941212B2. Автор: Jonghyun HAN,YeonGyeong BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Short to ground protection and automatic recovery

Номер патента: US12003089B2. Автор: Fernando Gonzalez,Christopher Twigg,Zbigniew Lata. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Touch display device

Номер патента: US20240192817A1. Автор: Jonghyun HAN,YeonGyeong BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Reducing reference charge consumption in analog-to-digital converters

Номер патента: US09935648B1. Автор: Sandeep Monangi,Maitrey Kamble,Arvind MADAN. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus, systems and methods for detecting insertion or removal of an audio accessory from an electronic device

Номер патента: US09877126B2. Автор: Yong Zhang,Jens Kristian Poulsen,Per Magnus Fredrik HANSSON. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Printed circuit board assembly and method of manufacturing the same

Номер патента: US09832859B2. Автор: Hyun-Tae Jang,Yong Won Lee,Jung Je Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

LED array driver with channel to channel and channel to ground external pin short detection

Номер патента: US12028949B2. Автор: Maria Francesca Seminara,Salvatore Rosario Musumeci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-02.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: WO2018026529A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-08.

Solution for inhibiting palladium activity including halogenic acid and method for preventing defect of plating using thereof

Номер патента: US20110135811A1. Автор: Jong-Sik Kim,Tae-ho Kim,Jung-Wook Seo,Hyuk-Jin Kwon,Hyo-Seung Nam. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: EP3472875A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Self-aligned line contacts

Номер патента: US20240292607A1. Автор: Jun Ho Lee,Sangmin Hwang,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Led array driver with channel to channel and channel to ground external pin short detection

Номер патента: US20240314909A1. Автор: Maria Francesca Seminara,Salvatore Rosario Musumeci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-19.

Short circuit self-protected DC-to-DC buck converters

Номер патента: US09972998B2. Автор: Vincenzo Bisogno. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus, systems and methods for detecting insertion or removal of an audio accessory from an electronic device

Номер патента: US09681241B2. Автор: Yong Zhang,Jens Kristian Poulsen,Per Magnus Fredrik HANSSON. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Organic electroluminescent display device

Номер патента: US8130174B2. Автор: Jae-Bon Koo,Sang-il Park,Hun-Jung Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-06.

Braking systems for an autonomous ground vehicle

Номер патента: US11059373B1. Автор: Nicolas Kurczewski,Ennio Claretti,Andrew Stubbs. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Cable dispensing system

Номер патента: CA2773638A1. Автор: Jacobi Ori,Sadot Avner,HANUNA Shaul. Владелец: BETTER PLACE GMBH. Дата публикации: 2011-03-17.

Sealing structure for organic light emitting devices

Номер патента: CA2295676A1. Автор: Gary W. Jones,Webster E. Howard,Steven M. Zimmerman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-21.

Member to form motor stator

Номер патента: US6127753A. Автор: Manabu Okamoto,Akihiko Yamazaki,Yasutake Seki,Kakue Takasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Rapid braking system for an autonomous mobile device

Номер патента: US11858128B1. Автор: Benny Ng,Siddharth Gupta,Marcel Colman Eric Stieber,Rex L Allison,Christopher Wells Fitzhugh. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrospray thruster self-preservation

Номер патента: WO2023244860A1. Автор: Benjamin JORNS,Collin B. WHITTAKER,Henry SODANO. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2023-12-21.

Led array driver with channel to channel and channel to ground external pin short detection

Номер патента: US20230389159A1. Автор: Maria Francesca Seminara,Salvatore Rosario Musumeci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic component state determination

Номер патента: WO2019032152A1. Автор: Chih-Chung Chang,Chiu-Mao Chang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-02-14.

Feeding body for rotary electric machine

Номер патента: US20180278113A1. Автор: Atsushi Asahi,Yusuke OSUMI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Led array driver with channel to channel and channel to ground external pin short detection

Номер патента: EP4284120A1. Автор: Maria Francesca Seminara,Salvatore Rosario Musumeci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Electrical insulator for a plasma enhanced chemical vapor processor

Номер патента: US4761301A. Автор: Charles E. Ellenberger,Hayden K. Piper. Владелец: Pacific Western Systems Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Minimizing security holdings risk during portfolio trading

Номер патента: EP1611493A2. Автор: Ian Domowitz,John Krowas. Владелец: ITG Software Solutions Inc. Дата публикации: 2006-01-04.

Minimizing security holdings risk during portfolio trading

Номер патента: WO2004079531A2. Автор: Ian Domowitz,John Krowas. Владелец: Itg Software Solutions Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Minimizing security holdings risk during portfolio trading

Номер патента: EP1611493A4. Автор: Ian Domowitz,John Krowas. Владелец: ITG Software Solutions Inc. Дата публикации: 2006-12-20.

Method and apparatus for balancing

Номер патента: US20070062278A1. Автор: Stephen Dyer. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

In-line cylinder head for internal combustion engine

Номер патента: US5076224A. Автор: Michael E. Smith,Richard W. Smith, Jr.. Владелец: TFS Inc. Дата публикации: 1991-12-31.

Flywheel mounting of permanent magnet group

Номер патента: US4550697A. Автор: Kenneth W. Campen. Владелец: Tecumseh Products Co. Дата публикации: 1985-11-05.

In-line cylinder head for internal combustion engine

Номер патента: CA1330511C. Автор: Michael E. Smith,Richard W. Smith, Jr.. Владелец: Autosales Inc. Дата публикации: 1994-07-05.

Flywheel mounting of permanent magnet group

Номер патента: CA1213757A. Автор: Kenneth W. Campen. Владелец: Tecumseh Products Co. Дата публикации: 1986-11-12.

Array plate short repair

Номер патента: US20200013478A1. Автор: Simon J. Lovett,Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Array plate short repair

Номер патента: US20180286494A1. Автор: Simon J. Lovett,Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Array plate short repair

Номер патента: US20210142862A1. Автор: Simon J. Lovett,Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Electrical testing of waveguides

Номер патента: US20030007716A1. Автор: Jeffrey Levy. Владелец: Chiaro Networks Ltd USA. Дата публикации: 2003-01-09.

Reducing sensor temperature in magnetoresistive recording heads

Номер патента: WO2000005712A9. Автор: Edward S Murdock. Владелец: Edward S Murdock. Дата публикации: 2000-05-18.

Plate defect mitigation techniques

Номер патента: US09941021B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Location of short circuits

Номер патента: GB1201679A. Автор: Owen Hosmer Davie. Владелец: British Communications Corp Ltd. Дата публикации: 1970-08-12.

Electrosurgical system

Номер патента: GB2535627A. Автор: Meurig Jones Lewis. Владелец: Gyrus Medical Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Method for image segmentation, method for training image segmentation model

Номер патента: US11972571B2. Автор: Kuan CHEN,Enyou LIU,Shaokang Wang. Владелец: Infervision Medical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Magnetic disk drive with electrical shorting protection

Номер патента: US5375022A. Автор: David E. Heim,Hardayal S. Gill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Light emitting diode light string

Номер патента: CA3145852C. Автор: Chang Fu Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-03.

Light emitting diode light string

Номер патента: CA3145852A1. Автор: Chang Fu Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-26.

Detection of defects in touch sensors

Номер патента: US09921683B2. Автор: Jeffrey L. Sonntag,Daniel J. Cooley. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Determination of word line to local source line shorts

Номер патента: US09484086B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sabde. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

AC stress mode to screen out word line to word line shorts

Номер патента: US09460809B2. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Determination of bit line to low voltage signal shorts

Номер патента: US09443612B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sbade. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Electrode structures for electric treatment of fluids and filters using same

Номер патента: US3980541A. Автор: Harry E. Aine. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-09-14.

Systems and methods for directional drilling

Номер патента: US9702194B1. Автор: Thomas S. Hogan. Владелец: Savant Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Thermal asperity suppression using high speed shorting and baseline compensation

Номер патента: US5995313A. Автор: Housan Dakroub. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 1999-11-30.

Hydrogel and scrim assembly for use with electro-acupuncture device with stimulation electrodes

Номер патента: CA2449556C. Автор: David M. Giuntoli,Thomas L. Grey,Gregory J. Gruzdowich,Benjamin W. Wang. Владелец: Relief Band Medical Technology LLC. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid droplet jetting head

Номер патента: US20090109264A1. Автор: Tomoyuki Kubo. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Physiological recording device with novel and proprietary connector

Номер патента: US11872045B1. Автор: Stéphane Bibian,Tatjana Zikov. Владелец: Neuro Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Plate defect mitigation techniques

Номер патента: US20180261302A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Systems and methods for directional drilling

Номер патента: CA3019279C. Автор: Thomas S. Hogan. Владелец: Savant Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Inspecting wind turbine blade

Номер патента: EP4007853A1. Автор: Paul Badger,Darren Rogers,Arran WOOD,Luke SPANDLEY. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2022-06-08.

Physiological Recording Device with Novel and Proprietary Connector

Номер патента: US20200196900A1. Автор: Stéphane Bibian,Tatjana Zikov. Владелец: Neurowave Systems Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Ultrasonic imaging catheter

Номер патента: US5738100A. Автор: Hiroyuki Yagami,Hiroshi Katsumata,Hideshi Obitsu. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

Galvanizing continuous elements with prevention of corrosion of the pan

Номер патента: US3684563A. Автор: William H Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-15.

Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect

Номер патента: US5610624A. Автор: Rohit L. Bhuva. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Filled-gap magnetic recording head and method of making

Номер патента: US20060232883A1. Автор: Jason Liang,Robert Biskeborn,Icko Iben. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

An automatic wiring harness tester

Номер патента: EP4285127A1. Автор: Anand PANNEER,Venkatasubramanyam PULIVENDULA VENUGOPALA. Владелец: TVS Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Circuit for detecting firing of an ultraviolet radiation detector tube

Номер патента: AU3244593A. Автор: Scott M. Peterson. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1993-06-28.

Resistively coated deflection ribbon for an ink jet printing device

Номер патента: US4216479A. Автор: Suresh C. Paranjpe,James A. Frey. Владелец: Mead Corp. Дата публикации: 1980-08-05.

Filled-gap magnetic recording head and method of making

Номер патента: US20080314736A1. Автор: Robert Glenn Biskeborn,Icko E.T. Iben,Jason Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Filled-gap magnetic recording head and method of making

Номер патента: US9135931B2. Автор: Robert Glenn Biskeborn,Icko E. T. Iben,Jason Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Circuit for detecting firing of an ultraviolet radiation detector tube

Номер патента: WO1993011390A1. Автор: Scott M. Peterson. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1993-06-10.

Arrangement for verifying that memory external to a network switch and the memory interface are free of defects

Номер патента: US7024603B1. Автор: Harand Gaspar,Chong Chang Lin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Information processing apparatus, power control method, and computer product

Номер патента: US20120240120A1. Автор: Akio Matsuda,Ryosuke Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Piezoelectric ultrasonic detector

Номер патента: CA2975256C. Автор: Jeffrey CUTLER,Michael Ethan GRANT. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Vehicle position guidance system and vehicle position guidance method

Номер патента: US11680811B2. Автор: Tadaoki Ichikawa,Akihiro Misawa,Kazuhisa Takahashi,Takeshi Kondo,Shinji Oguchi,Bunpei Morita,Hitoshi HORIBE,Tasuku ISHIHARA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Welding system with arc control

Номер патента: US20240198444A1. Автор: Richard M. Hutchison,Shuang Liu,Quinn W. Schartner,Adam ANDERS,James T. Olejniczak,Erik D. Miller. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for preventing edge and repeated shorting of electrodes in electrostatic clutches

Номер патента: WO2024145660A2. Автор: John D. WATKINS,Kevin Sylvester,Kirby A. WITTE,Stuart B. DILLER. Владелец: Estat Actuation, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for preventing edge and repeated shorting of electrodes in electrostatic clutches

Номер патента: WO2024145660A3. Автор: John D. WATKINS,Kevin Sylvester,Kirby A. WITTE,Stuart B. DILLER. Владелец: Estat Actuation, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Microelectromechanical systems devices with improved reliability

Номер патента: US09796578B2. Автор: Richard Yeh,Kuan-Lin Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Select gate defect detection

Номер патента: US09530514B1. Автор: Jayavel Pachamuthu,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Printing material container, and board mounted on printing material container

Номер патента: US09381750B2. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Expandable catheter having improved electrode design, and method for applying energy

Номер патента: US6152899A. Автор: Gary H. Miller,Brian E. Farley,Grace Y. Schulz,Arthur W. Zikorus,Mark P. Parker,Jay S. Daulton,Dawn A. Henderson,Douglas Portnow. Владелец: VNUS Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2000-11-28.

Method for rapidly testing capacitance sensing array fault conditions

Номер патента: US20090250268A1. Автор: Kenneth L. Staton,Richard Wei Kwang Lim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Expandable catheter having improved electrode design, and method for applying energy

Номер патента: AU8412498A. Автор: Gary H. Miller,Brian E. Farley,Grace Y. Schulz,Mark P. Parker,Jay S. Daulton,Dawn A. Henderson,Douglas Portnow. Владелец: VNUS Medical Technologies LLC. Дата публикации: 1999-02-10.

Expandable catheter having improved electrode design and method for applying energy

Номер патента: EP1421912A3. Автор: Gary H. Miller,Brian E. Farley,Grace Y. Schulz,Arthur W. Zikorus,Mark P. Parker,Jay S. Daulton,Dawn A. Henderson,Douglas Portnow. Владелец: VNUS Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2004-11-10.

Printing material container, and board mounted on printing material container

Номер патента: MY144386A. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Short detector for PROMS

Номер патента: US4595875A. Автор: Robert J. Bosnyak,Cyrus Tsui,Albert Chan,Mark Fitzpatrick,Don Goddard. Владелец: Monolithic Memories Inc. Дата публикации: 1986-06-17.

A printing material container having a terminal group containing a plurality of first terminals, at least one second terminal and at least one third terminal

Номер патента: GB2433473A. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Printing material container, and board mounted on printing material container

Номер патента: CA2676243A1. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Composite breathing cloth for sporting garments

Номер патента: EP2991823A1. Автор: Demis Furfaro. Владелец: Tmf SNC Di Turrini Patrizia&c. Дата публикации: 2016-03-09.

Improvements relating to the packaging of articles, using packaging sheaths

Номер патента: GB744017A. Автор: . Владелец: ISMAY LAMPS Ltd. Дата публикации: 1956-01-25.

Programmable logic array

Номер патента: CA1273062A. Автор: Jing-Yang Jou,Christopher Rosebrugh. Владелец: SILC Technologies Inc. Дата публикации: 1990-08-21.

Method of electrostatic duplicating by image transfer

Номер патента: US3920453A. Автор: Earl L Gasner. Владелец: Multigraphics Inc. Дата публикации: 1975-11-18.

Electrical short locator

Номер патента: CA1156722A. Автор: David J. Devine,Gordon J. Deboo. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1983-11-08.

Methods and apparatus for sensor or controller that includes knitted fabric

Номер патента: US11453963B2. Автор: Jifei Ou,Daniel Oran,Don Haddad. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2022-09-27.

Printing material container, and board mounted on printing material container

Номер патента: CA2812003C. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Printing material container, and board mounted on printing material container

Номер патента: US11945231B2. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US20230360709A1. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Printing material container, and use of printing material container

Номер патента: EP4272968A2. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Printing material container, and use of printing material container

Номер патента: EP4272968A3. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Printing material container, and board mounted on printing material container

Номер патента: US20230330996A1. Автор: Noboru Asauchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Array substrate for liquid crystal display device

Номер патента: US20030038900A1. Автор: Dong-Yeung Kwak,Sang Song. Владелец: Dong-Yeung Kwak. Дата публикации: 2003-02-27.

Microelectromechanical Systems Devices with Improved Reliability

Номер патента: US20160159638A1. Автор: Richard Yeh,Kuan-Lin Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Multiple epitaxial region substrate and technique for making the same

Номер патента: AU2002320296A1. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Jonathan Geske. Владелец: Gore Enterprise Holdings Inc. Дата публикации: 2003-02-17.

METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EPITAXY REGION

Номер патента: US20120088344A1. Автор: Van Dal Mark. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("TSMC"). Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN EPITAXY REGION

Номер патента: US20120187459A1. Автор: Wang Tzu-Chung,LIN Yu-Hsien,Huang Yimin,Pan Te-Jen,Shen Hsiang-Ku,Fan Wei-Han,Lin Yun Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-26.

Device with Engineered Epitaxial Region and Methods of Making Same

Номер патента: US20130062670A1. Автор: Wong King-Yuen,Lu Chia-Yu,Su Chien-Chang,Lin Yen-Chun,Pai Yi-Fang,Lin Da-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

Test element group for detecting short between wires, method for manufacturing the same, and method for detecting short between wires

Номер патента: JP3563289B2. Автор: 邦彦 瀬田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

METHODS OF MANUFACTURING GATES FOR PREVENTING SHORTS BETWEEN THE GATES AND SELF-ALIGNED CONTACTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME

Номер патента: US20130015532A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ONE-TRANSISTOR PIXEL ARRAY WITH CASCODED COLUMN CIRCUIT

Номер патента: US20120001236A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TWO-TRANSISTOR PIXEL ARRAY

Номер патента: US20120001237A1. Автор: MILGREW Mark,Johnson Kim,Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CCD-BASED MULTI-TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSOR ARRAY

Номер патента: US20120001056A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY COLUMN INTEGRATOR

Номер патента: US20120001615A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COLUMN ADC

Номер патента: US20120001616A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE CHARGE PUMP

Номер патента: US20120001685A1. Автор: MILGREW Mark,LEVINE Peter,REARICK Todd. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIALIZER CIRCUIT

Номер патента: US20120001779A1. Автор: Fife Keith,YANG Jungwook. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL OF ELECTROLYTE HYDRODYNAMICS FOR EFFICIENT MASS TRANSFER DURING ELECTROPLATING

Номер патента: US20120000786A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lithium Secondary Battery Unit Set with Bus Bar, and Lithium Secondary Battery Set with Bus Bar

Номер патента: US20120003520A1. Автор: Oh JeonKeun,LEE SeungJun,LEE Hyosung,Yun Jungsik. Владелец: SK INNOVATION CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATED SOLAR CELL INTERCONNECTION SYSTEM

Номер патента: US20120000510A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PLASMA-ARC-THROUGH APPARATUS AND PROCESS FOR SUBMERGED ELECTRIC ARCS

Номер патента: US20120000787A1. Автор: . Владелец: MAGNEGAS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120003556A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120003558A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DOUBLE-SIDED TOUCH SENSITIVE PANEL AND FLEX CIRCUIT BONDING

Номер патента: US20120004012A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Light emitting diodes including modifications for submount bonding and manufacturing methods therefor

Номер патента: MY131877A. Автор: Bradley E Williams,David B Slater Jr,Peter S Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-09-28.

SUB-PIXEL NBN DETECTOR

Номер патента: US20120001288A1. Автор: Scott Jeffrey W.,Jones Colin E.,Caine Ernie J.,Cockrum Charles A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.