• Главная
  • SEMICONDUCTOR RECESS TO EPITAXIAL REGIONS AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

SEMICONDUCTOR RECESS TO EPITAXIAL REGIONS AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel

Номер патента: US09484461B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Directional spacer removal for integrated circuit structures

Номер патента: US20200373205A1. Автор: Leonard P. GULER,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit and image sensor including the same

Номер патента: US20240282788A1. Автор: Kyunghoon Kim,Hyeokjong Lee,Yeongseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit structures with channel cap reduction

Номер патента: US20240105771A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20230275157A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US12021149B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Fin shaping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11901457B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Anupama Bowonder,Rahul Pandey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240322043A1. Автор: Hyungjin Lee,Kangwook Park,Hyangwoo KIM,Wooyeol Maeng,ChangKi Baek,Kyounghwan Oh. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit structure with methods of electrically connecting same

Номер патента: US09659941B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105772A1. Автор: Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structure with insulated memory device and related methods

Номер патента: US09825041B1. Автор: Byeong Y. Kim,William L. Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuits having converted self-aligned epitaxial etch stop

Номер патента: US20190333993A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structure and method with solid phase diffusion

Номер патента: US09564530B2. Автор: Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated circuit structure with back-side contact selectivity

Номер патента: US20240313096A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: US20240332077A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: EP4439673A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit having a contact etch stop layer

Номер патента: US09508814B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate cuts in a grating pattern across an integrated circuit

Номер патента: US20240088218A1. Автор: Matthew J. Prince,Gurpreet Singh,Manish Chandhok,Shao-Ming Koh,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Source/Drain Regions and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240379454A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Hui-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Device contact sizing in integrated circuit structures

Номер патента: EP3886176A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Integrated circuit including backside wiring

Номер патента: EP4404263A2. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Seungyoung Lee,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Gate driver integrated circuit

Номер патента: US20200195248A1. Автор: Weicheng YANG,Xuhong YAO. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Epitaxy regions extending below STI regions and profiles thereof

Номер патента: US12074166B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxy regions extending below sti regions and profiles thereof

Номер патента: US20240363636A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for forming integrated circuit systems employing fluorine doping

Номер патента: US20140256097A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat,Torben Balzer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091105A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated circuit devices including fin shapes

Номер патента: US09899393B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US09431408B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit structures with backside gate cut or trench contact cut

Номер патента: US20220392896A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A3. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Integrated circuit structure with backside power delivery

Номер патента: EP4202991A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Marni NABORS,Kevin Fischer,Curtis Tsai,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Backside shunt contact for improved integrated circuit layout

Номер патента: EP4195248A1. Автор: Patrick Morrow,Gokul Subramaniam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Integrated circuit system with carbon and non-carbon silicon

Номер патента: SG140550A1. Автор: Liu Jin Ping,Richard J Murphy,Anita Madan,Ashima B Chakravarti. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-03-28.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Transistor amplifier circuit and integrated circuit

Номер патента: US20150145005A1. Автор: Dirk Klaassen,Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-05-28.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit protected from short circuits caused by silicide

Номер патента: US09666484B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit structure with backside via

Номер патента: US20240047546A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11888043B2. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11881520B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis Ward,Heidi M. MEYER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: US20230290851A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20240162289A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US11916106B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A2. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240120397A1. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A3. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20220344459A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305365A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Circuit structure with gate configuration

Номер патента: US12021130B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Nmos device, production method thereof, and integrated circuit

Номер патента: EP4141913A1. Автор: Fengjie Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Integrated circuit having a hidden shared contact

Номер патента: US20190027439A1. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-01-24.

Integrated circuit including gate-all-around transistor

Номер патента: US12046653B2. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han,Bonyeop KIM,Sangyeop BAECK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate cut grid across integrated circuit

Номер патента: US20230275085A1. Автор: Robert Joachim,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,Sukru Yemenicioglu,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit having a hidden shared contact

Номер патента: US10763213B2. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-09-01.

Method for producing two n-type buried layers in an integrated circuit

Номер патента: WO2018049336A1. Автор: Tony Phan,Billy Alan WOFFORD. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240128161A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Sangcheol NA,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321956A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Woosuk CHOI,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240322039A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4303934A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12107122B2. Автор: SunKi Min,Donghyun Roh,Chaeho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US12113108B2. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Kihyun Hwang,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240332131A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit including gate-all-around transistor

Номер патента: US20240332390A1. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han,Bonyeop KIM,Sangyeop BAECK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4451319A2. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321983A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4439645A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuits devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09991356B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Circuit Structure with Gate Configuration

Номер патента: US20240347614A1. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit product with bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09608003B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09437701B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit devices including contacts and methods of forming the same

Номер патента: US09431492B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230282742A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230343855A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20180269333A1. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Protecting an integrated circuit from the drilling of a source and/or drain contact

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Philippe Galy,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit devices including stacked transistors

Номер патента: US20220344481A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20220384456A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Power transistor free from back gate bias effect and an integrated circuit device using the same

Номер патента: US5250833A. Автор: Toshio Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20240276697A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20200273853A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20200066705A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20220028852A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20200273852A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230207662A1. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Jung-Hwan Chun,Ji -ye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068418B2. Автор: Yongkyu Lee,Kyongsik Yeom,Youngcheon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked integrated circuit device

Номер патента: US20240274686A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Inchan HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321873A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304623A1. Автор: Jiwon Park,Minseok Jo,Hanyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435848A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321979A1. Автор: Davin Lee,Hyunseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240363764A1. Автор: Yongkyu Lee,Kyongsik Yeom,Youngcheon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09966130B2. Автор: Richard S. Roy,Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson,Damodar R. Thummalapally,Robert Rogenmoser. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853029B2. Автор: Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09741428B2. Автор: Richard S. Roy,Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson,Damodar R. Thummalapally,Robert Rogenmoser. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit layout structure

Номер патента: US09673145B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Process for integrated circuit fabrication including a liner silicide with low contact resistance

Номер патента: US09633909B2. Автор: Qing Liu,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US09595523B2. Автор: Young-Chang Kim,Dong-Geon Kim,Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Radio-frequency integrated circuits including inductors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09449916B2. Автор: Jung Hun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Layer transfer transistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203979A1. Автор: Han Wui Then,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321885A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Sujin JUNG,Ingyu Jang,Yongjun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240322004A1. Автор: Jiho Yoo,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Three-dimensional silicon structure for integrated circuits and cooling thereof

Номер патента: US09997494B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Composite semiconductor integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: US4095330A. Автор: Chung K. Kim. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1978-06-20.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: US12132100B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Profile control in forming epitaxy regions for transistors

Номер патента: US20240371976A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabrication of integrated circuit structures for bipolor transistors

Номер патента: US09847408B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit structure

Номер патента: US9966378B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of fabricating integrated circuits

Номер патента: US09472465B2. Автор: Bharat Krishnan,Jin Ping Liu,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230261053A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US11929361B2. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Xin-Yong WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Transistor cell for integrated circuits and method to form same

Номер патента: US20210159313A1. Автор: Stefan G. Block,Farid Labib,Herbert J. Preuthen. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Integrated circuit and standard cell library

Номер патента: US20200303374A1. Автор: DEEPAK SHARMA,RAHEEL Azmat,Sang-Jun Park,Hyun-Jong Lee,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Integrated circuit and standard cell library

Номер патента: US20170229456A1. Автор: DEEPAK SHARMA,RAHEEL Azmat,Sang-Jun Park,Hyun-Jong Lee,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit and standard cell library

Номер патента: US11282836B2. Автор: DEEPAK SHARMA,RAHEEL Azmat,Sang-Jun Park,Hyun-Jong Lee,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321976A1. Автор: Kanguk KIM,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US09881841B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Reverse bipolar junction transistor integrated circuit

Номер патента: US09589953B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Multi-layer integrated circuits having isolation cells for layer testing and related methods

Номер патента: US20190302179A1. Автор: Ran Wang,Krishnendu Chakrabarty. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2019-10-03.

Field plates for integrated circuits

Номер патента: US20240332369A1. Автор: Fuchao Wang,Ebenezer Eshun,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Billy Alan WOFFORD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09589968B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit die decoupling system with reduced inductance

Номер патента: US09548288B1. Автор: Jun Zhai,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles,Huabo Chen,Young Doo Jeon. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

PFET with tailored dielectric and related methods and integrated circuit

Номер патента: TW200945499A. Автор: Naim Moumen,Rick Carter,Rashmi Jha,Michael P Chudzik. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

Semiconductor circuit structure and method of making the same

Номер патента: US20110291234A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Amplifiers and related integrated circuits

Номер патента: US09419566B2. Автор: Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones,Jean-Christophe Nanan,Gerard J. Bouisse,Jaime A. Pla. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Amplifiers and related integrated circuits

Номер патента: US09941845B2. Автор: Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones,Jean-Christophe Nanan,Gerard J. Bouisse,Jaime A. Pla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US09859227B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate

Номер патента: US20030008441A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Robert Scheer. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530753B2. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit with guard ring structure

Номер патента: EP4362090A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Keith Zawadzki,Kimberly Pierce,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrating chip scale packaging metallization into integrated circuit die structures

Номер патента: US20040245631A1. Автор: Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit structure having dies with connectors

Номер патента: US09653423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Improvements in and relating to Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: GB1194017A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1970-06-10.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Integrated circuit and related manufacturing method

Номер патента: US20150303193A1. Автор: Hao ZHONG,Yi Hua SHEN,Yun Chu YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for making an integrated circuit structure

Номер патента: US5529941A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Integrated circuit structure having tap cell

Номер патента: US20240203976A1. Автор: Bao-Ru Young,Chun-Chia Hsu,Tung-Heng Hsieh,Yung-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Automotive radar sensor packaging methods and related assemblies

Номер патента: US20210351499A1. Автор: Majid Ahmadloo,Robert J. Sletten. Владелец: Veoneer US LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of forming integrated circuit structure for joining wafers and resulting structure

Номер патента: US20200066667A1. Автор: Mukta G. Farooq,Tanya A. Atanasova. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Integrated circuit structure and chip

Номер патента: US20240321828A1. Автор: Liang-Cai Zeng,Yun-Ju Hsieh. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits

Номер патента: US09640494B1. Автор: Vikas Sharma. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Three-dimensional integrated circuit structure and bonded structure

Номер патента: US09620488B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240258187A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US09935057B2. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Device, system and method for alignment of an integrated circuit assembly

Номер патента: US09625256B1. Автор: Deepak Goyal,Mario Pacheco,Purushotham Kaushik Muthur Srinath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Direct metalization of electrical circuit structures

Номер патента: US09603249B2. Автор: James Rathburn. Владелец: HSIO Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11901318B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Yi Hsin Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090240A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Latch-up testing structure for integrated circuit

Номер патента: EP4067917A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Apparatus and system for cooling electronic circuitry, heat sinks, and related components

Номер патента: US20020041486A1. Автор: James Hildebrandt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated circuit transformer with concentric windings and magnetically active material

Номер патента: US20240296990A1. Автор: Wolfgang Frank,Annett Winzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits having reduced dimensions between components

Номер патента: US09859210B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20240370633A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Bi-polar integrated circuit structure and method of fabricating same

Номер патента: CA1092722A. Автор: Siegfried K. Wiedmann,Horst H. Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220052069A1. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit device with protective antenna diodes integrated therein

Номер патента: US11862624B2. Автор: Sujeong Kim,Daeseok Byeon,Taemin OK,Inmo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Different poly pitches for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220068907A1. Автор: Ahmet TURA,Steven G. Jaloviar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: EP2614524A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-07-17.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: WO2012033641A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-03-15.

Protection of wire-bond ball grid array packaged integrated circuit chips

Номер патента: US12033925B2. Автор: Pascal Aubry,Andrew MCLAUCHLAN. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2024-07-09.

Structure including moisture barrier along input/output opening and related method

Номер патента: US20240243078A1. Автор: Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Inspection device for wiring of an integrated circuit

Номер патента: US6577151B1. Автор: Ming-Lang Tsai,Chia-Min Chuang,Chen-Ping Su,Chon-Tsai Yang. Владелец: Orient Semiconductor Electronics Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for preparing integrated circuit structure with polymorphous material

Номер патента: US20090298284A1. Автор: Da Yu Chuang,Tzu Lun Cheng,Cheng Da Wu,Wei Heng Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304661A1. Автор: Seil Oh,Changsik YOO,Inseok Baek,Gina Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same

Номер патента: US09502424B2. Автор: Xia Li,John Jianhong ZHU,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-component integrated circuit contacts

Номер патента: US7115998B2. Автор: Warren M. Farnworth,William M. Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

Fabrication of interlayer conductive paths in integrated circuits

Номер патента: CA1286795C. Автор: Glenn H. Chapman,Terry O. Herndon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1991-07-23.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US10043765B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230420934A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure, voltage-controlled oscillator and power amplifier

Номер патента: US20190019749A1. Автор: Sheng-Hung Lin,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230238798A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

ESD protection for integrated circuit devices

Номер патента: US11973342B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230253784A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11956967B2. Автор: Sunggil Kim,Kyengmun KANG,Hyeeun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Flip-flop in a monolithic three-dimensional integrated circuit (3dic) and related method

Номер патента: WO2014137736A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system of forming integrated circuit

Номер патента: US20200051863A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Yi-Kan Cheng,Ka Fai CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060270161A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Bond pad monitoring structure and related method of detecting significant alterations

Номер патента: US20130048982A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Manuela Larosa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: WO2013016341A3. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: US20130026617A1. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: WO2015179052A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Local interconnect for integrated circuit

Номер патента: US7081379B2. Автор: Derryl D. J. Allman,Jeffrey F. Hanson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Nano emission devices, integrated circuits using nano emission devices, and related methods

Номер патента: WO2008051300A3. Автор: David Summers,Phil Brown. Владелец: Kanzen Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Distributed multi-modal power maximizing integrated circuit for solar photovoltaic modules

Номер патента: US20240275174A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Sigmagen Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device with redistribution layer and stiffeners and related methods

Номер патента: US09698105B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Monolithic microwave integrated circuit (MMIC) cascode connected transistor circuit

Номер патента: US09613947B2. Автор: Thomas B. Reed. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09478543B2. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Porous semiconductor layer transfer for an integrated circuit structure

Номер патента: WO2018044494A1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Packaged module with antenna and front end integrated circuit

Номер патента: US20240098864A1. Автор: Yasser Khairat Soliman,George Khoury,Leslie Paul WALLIS. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit structure including fuse and method thereof

Номер патента: US20160049367A1. Автор: I-Cheng Rou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130075915A1. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12021021B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor substrate with functional circuit structures and dummy structures

Номер патента: US20020089030A1. Автор: Sabine Kling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Integrated circuit component shielding

Номер патента: US9502359B2. Автор: Ruchir Saraswat,Nicholas P. Cowley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit electrostatic discharge bus structure and related method

Номер патента: EP3844812A1. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Integrated circuit electrostatic discharge bus structure and related method

Номер патента: EP4280267A2. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated Circuit Electrostatic Discharge Bus Structure and Related Method

Номер патента: US20200144174A1. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Local interconnect for integrated circuit

Номер патента: US20050156196A1. Автор: Jeffrey Hanson,Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Layout of integrated circuit

Номер патента: US20240290771A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit component shielding

Номер патента: US20160163655A1. Автор: Ruchir Saraswat,Nicholas P. Cowley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit with a subsurface diode

Номер патента: EP2160764A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Thomas Andrew Jochum,Michael David Church,Lawrence George Pearce,Michael Ray Jayne. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2010-03-10.

Integrated circuit and design method for same

Номер патента: US20170308638A1. Автор: Abhishek Gothi,Kodanda Rama Reddy Srinivasa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US20180113168A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-26.

Cell regions of integrated circuits and methods of making same

Номер патента: US12073163B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Layout of integrated circuit

Номер патента: EP4156267A2. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Layout of integrated circuit

Номер патента: EP4156267A3. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Programmable battery protection system and related methods

Номер патента: US20170033578A1. Автор: Mutsuki Niki,Hiroshi Saito,Yasuaki Hayashi,Keiji AMEMIYA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-02.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor structure and integrated circuit

Номер патента: US20210327879A1. Автор: Shih-Ping Lee,Bo-An Tsai,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Programmable battery protection system and related methods

Номер патента: US20190081490A1. Автор: Mutsuki Niki,Hiroshi Saito,Yasuaki Hayashi,Keiji AMEMIYA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Programmable battery protection system and related methods

Номер патента: US20190081491A1. Автор: Mutsuki Niki,Hiroshi Saito,Yasuaki Hayashi,Keiji AMEMIYA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuit and method of forming same

Номер патента: US20240311543A1. Автор: Po-Sheng Wang,Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chao Yuan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit

Номер патента: US09941220B2. Автор: Yen-Chuan Chen,Chih-Hao Cheng,Tien-SHang Kuo,Yung-Tai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit assemblies with molding compound

Номер патента: US09936582B2. Автор: Cheng Yang,Junfeng Zhao,Saeed S. Shojaie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit and design method for same

Номер патента: US09928337B2. Автор: Abhishek Gothi,Kodanda Rama Reddy Srinivasa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US09905561B2. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US09880219B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US09583493B2. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Metal interconnect stack for integrated circuit structure

Номер патента: US6087726A. Автор: Shouli Steve Hsia,Zhihai Wang,Fred Chen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Integrated circuit structure and method for making integrated circuit structure

Номер патента: US3891190A. Автор: Leslie L Vadasz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1975-06-24.

Method for isolation of circuit regions in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3834958A. Автор: K Bean,P Gleim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-09-10.

Low capacitance interconnect structure for integrated circuits using decomposed polymers

Номер патента: US5923074A. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20170345791A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated circuit device and electronic system including same

Номер патента: US20220181284A1. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrated circuit structure

Номер патента: US11755813B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Monolithic three dimensional (3d) flip-flops with minimal clock skew and related systems and methods

Номер патента: US20150022250A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US10037969B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20150069570A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110215474A1. Автор: Yan-Hsiu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Monolithic three dimensional (3d) flip-flops with minimal clock skew and related systems and methods

Номер патента: WO2015009716A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-22.

Monolithic three dimensional (3d) flip-flops with minimal clock skew and related systems and methods

Номер патента: EP3022769A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20210374323A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230376672A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: US20240215256A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: US20060105488A1. Автор: Omar Zia,Lawrence Gunn,Nigel Cave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Electrically Testable Microwave Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20180211890A1. Автор: Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor integrated circuit device and frequency modulation device

Номер патента: US7474139B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Integrated circuit chip package that does not utilize a leadframe

Номер патента: US20230245992A1. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method and apparatus for performing metalization in an integrated circuit process

Номер патента: US20080135974A1. Автор: Che Choi C. Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Electrically Testable Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20190096772A1. Автор: Ronald Eugene Reedy,Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: US20240349497A1. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240332196A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making cell regions of integrated circuits

Номер патента: US12124785B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: EP4451332A2. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit inductor

Номер патента: US09935048B2. Автор: Yossi Smeloy,Eyal Frost. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Electrically testable microwave integrated circuit packaging

Номер патента: US09837325B2. Автор: Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit inductor

Номер патента: US09577024B2. Автор: Yossi Smeloy,Eyal Frost. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US09437484B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit line ends formed using additive processing

Номер патента: US09418935B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Lars W. Liebmann,Dongbing Shao,Lei L. Zhuang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Nanoprobing an integrated circuit device structure

Номер патента: WO2010076136A1. Автор: Mark Eliot Masters,Paul Davis Bell,David Stuart Patrick. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-08.

Control unit for a bridge circuit, and related method and integrated circuit

Номер патента: US09780770B2. Автор: Giuseppe Maiocchi,Matteo SCORRANO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-03.

Control unit for a bridge circuit, and related method and integrated circuit

Номер патента: US20170063364A1. Автор: Giuseppe Maiocchi,Matteo SCORRANO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-02.

CONTROL UNIT FOR A BRIDGE CIRCUIT, AND RELATED METHOD AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170063364A1. Автор: Maiocchi Giuseppe,SCORRANO Matteo. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Logic cell structures and related methods

Номер патента: US20240012975A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Ranjith Kumar,Kumar Lalgudi,Jianyang XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated Circuit and Related Method for Determining Operation Modes

Номер патента: US20110032024A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yi-Shan Chu,Ren-Yi Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Circuit structure to measure outliers of process variation effects

Номер патента: US12025658B2. Автор: Christos VEZYRTZIS,Peter Holm,Steve Beccue. Владелец: Bitmain Development Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic circuit structure

Номер патента: US5689600A. Автор: Michael E. Griffin. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1997-11-18.

Envelope tracking integrated circuit and related apparatus

Номер патента: US20200274494A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Timer circuit with autonomous floating of pins and related systems, methods, and devices

Номер патента: US20210159688A1. Автор: Jacob Lunn Lassen. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Timer circuit with autonomous floating of pins and related systems, methods, and devices

Номер патента: US12074423B2. Автор: Jacob Lunn Lassen. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20200153438A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20190165789A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Multiple mode radiotelephones including glue circuits and related methods and circuits

Номер патента: AU5021500A. Автор: Sandeep Chennakeshu,Nils Rydbeck. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-01-02.

Receiver clock test circuitry and related methods and apparatuses

Номер патента: US20150372804A1. Автор: Kunal Desai,Srinivasaraman Chandrasekaran. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-12-24.

Receiver clock test circuitry and related methods and apparatuses

Номер патента: US20160233991A1. Автор: Kunal Desai,Srinivasaraman Chandrasekaran. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-11.

Receiver clock test circuitry and related methods and apparatuses

Номер патента: US09906335B2. Автор: Kunal Desai,Srinivasaraman Chandrasekaran. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240268107A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Shao-Tung PENG,Chung-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Sub-threshold current reduction circuit switches and related apparatuses and methods

Номер патента: US11757445B2. Автор: Go Takashima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Sub-threshold current reduction circuit switches and related apparatuses and methods

Номер патента: US20220231683A1. Автор: Go Takashima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of Managing Integrated Circuits Cards, Corresponding Card and Apparatus

Номер патента: US20190250842A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-08-15.

Photonic integrated circuit with optical deinterleaver

Номер патента: EP4396619A1. Автор: Martin Schubert,Ian Alexander Durant Williamson,Alfred Ka Chun Cheung. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Circuit structure to generate back-gate voltage bias for amplifier circuit, and related method

Номер патента: US20200220499A1. Автор: Thomas G. McKay,Yiching Chen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030030477A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Photonic integrated circuit with optical deinterleaver

Номер патента: US20230099995A1. Автор: Martin Schubert,Ian Alexander Durant Williamson,Alfred Ka Chun Cheung. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Circuit structure and related method to indicate voltage polarity via comparator

Номер патента: US12052030B2. Автор: Asif Iqbal,Sanmitra Bharat Naik. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Updatable integrated-circuit radio

Номер патента: EP3084593A1. Автор: Joel David Stapleton,Martin Tverdal. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2016-10-26.

Updatable integrated-circuit radio

Номер патента: WO2015092355A1. Автор: Joel David Stapleton,Martin Tverdal. Владелец: Wilson, Timothy James. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated circuit chip device

Номер патента: EP3783477A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2021-02-24.

Integrated circuit chip device

Номер патента: EP3789871A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Integrated circuit chip device

Номер патента: US20200311531A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit chip device

Номер патента: EP3719712A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Improvements in and relating to epitaxial layers of semiconductor materials

Номер патента: GB1108741A. Автор: Ronald Charles Newman. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1968-04-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US9953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US09953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240126017A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240241424A1. Автор: Chang-Hung Tien,Ming-Hsing Chung,Ting-Jhang LIAO,Bo-Hong Ma. Владелец: Cloud Light Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Integrated circuit built-in self-test structure

Номер патента: US5130645A. Автор: Paul S. Levy. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1992-07-14.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method and apparatus for making an integrated circuit using polarization properties of light

Номер патента: US20020068227A1. Автор: Ruoping Wang,Warren Grobman,James Clingan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Row decoder for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09466347B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2016-10-11.

Data processing method of generating integrated circuits using prime implicants

Номер патента: US5502648A. Автор: Jonathan T. Kaplan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1996-03-26.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Masking arrangement and method for producing integrated circuit arrangements

Номер патента: US20060073397A1. Автор: Johannes Freund,Michael Stetter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

Method and apparatus for compacting integrated circuit with transistor sizing

Номер патента: WO1995017730A1. Автор: Lawrence B. Edwards,Ling-Hui Hao. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1995-06-29.

Memory device including decoder for a program pulse and related methods

Номер патента: US09613696B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Logic cell structures and related methods

Номер патента: US11816412B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Ranjith Kumar,Kumar Lalgudi,Jianyang XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Pressure sensor with testing device and related methods

Номер патента: US09835515B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for decomposing a layout of an integrated circuit

Номер патента: US09524361B2. Автор: Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Ting-Cheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit with data latch control

Номер патента: US09502084B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled

Номер патента: US20010054909A1. Автор: David McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Integrated-circuit design methods

Номер патента: US20240211674A1. Автор: Ciro Corcelli,Johnny PIHL. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Integrated circuit chip device

Номер патента: US11748605B2. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Object detection apparatus, program, and integrated circuit

Номер патента: EP2775422A3. Автор: Shohei Nomoto. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-01-18.

Finger biometric sensor including capacitance change sensing pressure sensing circuit and related methods

Номер патента: US09734380B2. Автор: Dale R. Setlak. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Test input/output speed conversion and related apparatuses and methods

Номер патента: US11789835B2. Автор: Sang-Hoon Shin,Won Joo YUN,Rajesh H. Kariya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US11972792B2. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Circuit design method and related device

Номер патента: EP4325391A1. Автор: Ding Li,Zhichao LI,Xianglong Meng,Yisheng HU,Chongjun Ding,Shangxia Fang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Test input/output speed conversion and related apparatuses and methods

Номер патента: US20220164269A1. Автор: Sang-Hoon Shin,Won Joo YUN,Rajesh H. Kariya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Fluid collection devices having a sump between a tube opening and a barrier, and related systems and methods

Номер патента: US20240164935A1. Автор: Camille Rose Newton. Владелец: PureWick Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Multi-height cell library design solution for integrated circuits

Номер патента: US20240202416A1. Автор: Wei-Yi Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Urine collection container baffle structures, and related systems and methods

Номер патента: US20240268989A1. Автор: ADAM Martin,RICHARD ABBOTT,Nicholas Jardine. Владелец: PureWick Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Thermal management systems incorporating shape memory alloy actuators and related methods

Номер патента: CA3031807C. Автор: David W. Foutch,Frederick Theodore Calkins. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-05-09.

Thermal management systems incorporating shape memory alloy actuators and related methods

Номер патента: US20190257599A1. Автор: David W. Foutch,Frederick Theodore Calkins. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-08-22.

Thermal management for photonic integrated circuits

Номер патента: US09618696B2. Автор: Erik Norberg,Brian Koch,Jonathan Edgar Roth,Anand Ramaswamy. Владелец: Aurrion Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Multi-Voltage Level, Multi-Dynamic Circuit Structure Device

Номер патента: US20120002500A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING A FLUID VELOCITY AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20120004865A1. Автор: Porro Giampiero,Pozzi Roberto,Torinesi Alessandro,Rovati Luigi,NORGIA Michele. Владелец: DATAMED SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing structures for integrated circuits with insulated components

Номер патента: RU2197033C1. Автор: . Владелец: Зайцев Константин Анатольевич. Дата публикации: 2003-01-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Improvements in and relating to Seats for Out Door use, applicable also to other Closing Seats.

Номер патента: GB190224978A. Автор: Sidney Hugh Dean. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-09-24.