SEMICONDUCTOR RECESS TO EPITAXIAL REGIONS AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
Номер патента: US20200161315A1
Опубликовано: 21-05-2020
Автор(ы): Brunco David P., Hong Wei, SHEN Yanping, Zang Hui
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-05-2020
Автор(ы): Brunco David P., Hong Wei, SHEN Yanping, Zang Hui
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel
Номер патента: US09484461B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.