Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • VERTICALLY STACKED NFETS AND PFETS WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

VERTICALLY STACKED NFETS AND PFETS WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20190131396A1
Опубликовано: 02-05-2019
Автор(ы): Ando Takashi, Hashemi Pouya, Lee Choonghyun, Reznicek Alexander, Zhang Jingyun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

VERTICALLY STACKED NFETS AND PFETS WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20190319095A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Vertically stacked nFETs and pFETs with gate-all-around structure

Номер патента: US10879352B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210167218A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200168742A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US10923598B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Stacked Nanosheet CFET with Gate All Around Structure

Номер патента: US20210265345A1. Автор: Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Wu Heng,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Self-Aligned Inner Spacer on Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210175345A1. Автор: Tsai Pang-Yen,Lee Pei-Wei,HUNG Tsungyu. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240243203A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240030348A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US11855223B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A3. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with oxygen blocking layers

Номер патента: US20200328213A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

NON-VOLATILE MEMORY WITH GATE ALL AROUND THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210066334A1. Автор: Yang Zusing. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-04.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US20220367701A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230387253A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH OXYGEN BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20200243522A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-30.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH OXYGEN BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20200328213A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-15.

Vertically stacked dual channel nanosheet devices

Номер патента: US20200020768A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked finfet devices

Номер патента: US20220093591A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked finfet devices

Номер патента: US20240186187A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked FinFET devices

Номер патента: US11901236B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES AND STACKED FINFET DEVICES

Номер патента: US20220093591A1. Автор: LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated Hybrid Standard Cell Structure with Gate-All-Around Device

Номер патента: US20210351175A1. Автор: Wang Chih-hao,CAO Min,Chang Shang-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US20230343873A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Self-Aligned Inner Spacer on Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200168722A1. Автор: Tsai Pang-Yen,Lee Pei-Wei,HUNG Tsungyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

VERTICALLY STACKED DUAL CHANNEL NANOSHEET DEVICES

Номер патента: US20190131395A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

GATE ALL AROUND STRUCTURE WITH ADDITIONAL SILICON LAYER AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220367701A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Chen-Han,WANG Pei-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10707304B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10748994B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US12057491B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US20240355903A1. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US20210074730A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Michel J. Abou-Khalil. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure

Номер патента: US09536748B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

USE OF ION BEAM ETCHING TO GENERATE GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20170062181A1. Автор: Berry,LILL Thorsten,III Ivan L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

USE OF ION BEAM ETCHING TO GENERATE GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20160111294A1. Автор: Berry,LILL Thorsten,III Ivan L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Optimizing Junctions of Gate All Around Structures with Channel Pull Back

Номер патента: US20200027791A1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-01-23.

VERTICALLY STACKED FIN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210296438A1. Автор: LI Tao,De Silva Ekmini A.,Seshadri Indira,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: GB2597430B. Автор: LI Tao,Seshadri Indira,Joseph Praveen,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: GB2597430A. Автор: LI Tao,Seshadri Indira,Joseph Praveen,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: WO2020222116A1. Автор: Tao Li,Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: US20210296438A1. Автор: Tao Li,Praveen Joseph,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: US20200343338A1. Автор: Tao Li,Praveen Joseph,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: GB202116996D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods of fabricating semiconductor devices with gate-all-around structure

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF FORMING INTEGRATED CIRCUIT WITH GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTOR AND THE RESULTING STRUCTURE

Номер патента: US20190214473A1. Автор: Xie Ruilong,MONTANINI Pietro,Pranatharthiharan Balasubramanian,Frougier Julien. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-07-11.

Optimizing Junctions of Gate All Around Structures with Channel Pull Back

Номер патента: US20200027791A1. Автор: Loubet Nicolas,Coquand Remi,Reboh Shay,Augendre Emmanuel. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Vertically stacked dual channel nanosheet devices

Номер патента: US20200020768A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Integrated tensile strained silicon NFET and compressive strained silicon-germanium PFET implemented in FINFET technology

Номер патента: US09607901B2. Автор: Qing Liu,Pierre Morin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-28.

INTEGRATED TENSILE STRAINED SILICON NFET AND COMPRESSIVE STRAINED SILICON-GERMANIUM PFET IMPLEMENTED IN FINFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20190081079A1. Автор: Liu Qing,Morin Pierre. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated tensile strained silicon nfet and compressive strained silicon-germanium pfet implemented in finfet technology

Номер патента: US20160329253A1. Автор: Qing Liu,Pierre Morin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-10.

Integrated tensile strained silicon NFET and compressive strained silicon-germanium PFET implemented in FinFET technology

Номер патента: US11133331B2. Автор: Qing Liu,Pierre Morin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-09-28.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices having epitaxial source or drain structures

Номер патента: US20220254893A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Gate-all-around structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11777008B2. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate-all-around structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200083339A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Gate-all-around structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190378934A1. Автор: Tung Ying Lee,Ling-Yen Yeh,Wei-Sheng Yun,Meng-Hsuan Hsiao,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Aligned gate-all-around structure

Номер патента: US20140054724A1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20220102557A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20190393352A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated Hybrid Standard Cell Structure with Gate-All-Around Device

Номер патента: US20230369308A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated Hybrid Standard Cell Structure with Gate-All-Around Device

Номер патента: US20210202465A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated hybrid standard cell structure with gate-all-around device

Номер патента: US11075195B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20200006479A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20190131394A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20190393307A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

SERIES RESISTANCE REDUCTION IN VERTICALLY STACKED SILICON NANOWIRE TRANSISTORS

Номер патента: US20170053982A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Non-volatile memory with gate all around thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11004863B2. Автор: Zusing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Finfet device with different liners for pfet and nfet and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180315664A1. Автор: Yen-Chun Lin,Da-Wen Lin,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

FinFET device with different liners for PFET and NFET and method of fabricating thereof

Номер патента: US11810827B2. Автор: Yen-Chun Lin,Da-Wen Lin,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Finfet device with different liners for pfet and nfet and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180350697A1. Автор: Yen-Chun Lin,Da-Wen Lin,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming integrated circuit with gate-all-around field effect transistor and the resulting structure

Номер патента: TWI689099B. Автор: 謝瑞龍,朱利安 弗羅吉爾,巴拉沙巴馬尼恩 波拉納斯哈拉恩,彼特羅 摩塔尼. Владелец: 美商格芯（美國）集成電路科技有限公司. Дата публикации: 2020-03-21.

Method of forming integrated circuit with gate-all-around field effect transistor and the resulting structure

Номер патента: US10431663B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Pietro Montanini,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Memory devices with gate all around transistors

Номер патента: US20240292591A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertically Stacked Multichannel Pyramid Transistor

Номер патента: US20190259866A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Integration scheme for non-volatile memory on gate-all-around structure

Номер патента: US20200135937A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Gate-All-Around Structure with Dummy Pattern Top in Channel Region and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210057544A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH INNER SPACER LAST PROCESS

Номер патента: US20210066473A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Huang Jui-Chien,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH INNER SPACER LAST PROCESS

Номер патента: US20200273964A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Huang Jui-Chien,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-27.

METHOD OF FORMING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20180294345A1. Автор: Zhong Min,HUANG Rendong. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH HORIZONTAL GATE ALL AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20150380313A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal oxide interlayer structure for nfet and pfet

Номер патента: US20240194762A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20210066469A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Metal Oxide Interlayer Structure for NFET and PFET

Номер патента: US20230223459A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Metal oxide interlayer structure for nFET and pFET

Номер патента: US11916128B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Single source/drain epitaxy for co-integrating nFET semiconductor fins and pFET semiconductor fins

Номер патента: US09659938B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Buried pad for use with gate-all-around device

Номер патента: US12027598B2. Автор: Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Input/output devices that are compatible with gate-all-around technology

Номер патента: EP4374422A1. Автор: Xi-Wei Lin,Robert B. Lefferts,Victor Moroz,Munkang Choi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Input/output devices that are compatible with gate-all-around technology

Номер патента: WO2023004052A1. Автор: Xi-Wei Lin,Robert B. Lefferts,Victor Moroz,Munkang Choi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory devices with gate all around transistors

Номер патента: US11980014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Seal ring for semiconductor device with gate-all-around transistors

Номер патента: US20230019608A1. Автор: Chun Yu Chen,Yen Lian Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Multi-port sram structure with gate-all-around transistors

Номер патента: US20240306358A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US12046681B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate-All-Around Structure with Self Substrate Isolation and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210098634A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20240339545A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with inner spacer last process

Номер патента: US20200273964A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Jui-Chien Huang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US11145765B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Semiconductor device having a gate all around structure and a method for fabricating the same

Номер патента: US09679965B1. Автор: Kang-ill Seo,Sung Dae Suk,Bom-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a gate all around structure

Номер патента: US09601569B1. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Gate-All-Around Structure with Self Substrate Isolation and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220029028A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

GATE-ALL-AROUND STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20210036119A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHEN I-Sheng,YANG Yu-Lin,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

METHOD FOR FORMING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20210050457A1. Автор: Lee Tung Ying,Yeh Ling-Yen,YUN Wei-Sheng,Hsiao Meng-Hsuan,CHEN WINNIE VICTORIA WEI-NING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-02-18.

GATE-ALL-AROUND STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20200083339A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHEN I-Sheng,YANG Yu-Lin,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-12.

Gate-All-Around Structure with Self Substrate Isolation and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210098634A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Chung Cheng-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Gate-all-around structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190378934A1. Автор: Tung Ying Lee,Ling-Yen Yeh,Wei-Sheng Yun,Meng-Hsuan Hsiao,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Aligned gate-all-around structure

Номер патента: US20150214318A1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES ABOVE INSULATOR SUBSTRATES

Номер патента: US20200219990A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

CIRCUITS WITH GATE ALL AROUND TECHNOLOGY

Номер патента: DE102015105551B4. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HORIZONTAL GATE ALL AROUND STRUCTURE AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160104765A1. Автор: Ching Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

GATE-ALL-AROUND STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20190131415A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHEN I-Sheng,YANG Yu-Lin,CHENG Chao-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Method for fabricating vertically stacked nanowires for semiconductor applications

Номер патента: US9508831B2. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for fabricating vertically stacked nanowires for semiconductor applications

Номер патента: US9419107B2. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method to form strained nFET and strained pFET nanowires on a same substrate

Номер патента: US09607990B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

FINFET DEVICE WITH DIFFERENT LINERS FOR PFET AND NFET AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20180350697A1. Автор: Lin Yen-Chun,Lin Da-Wen,Cheng Ming-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD TO FORM STRAINED nFET AND STRAINED pFET NANOWIRES ON A SAME SUBSTRATE

Номер патента: US20170179289A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method to form strained nFET and strained pFET nanowires on a same substrate

Номер патента: US10079303B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-18.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US20160190272A1. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US20160126143A1. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

INTEGRATION SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY ON GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20200135937A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Zheng,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING EPITAXIAL SOURCE OR DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20200098878A1. Автор: Ghani Tahir,Sivakumar Swaminathan,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Memory Devices with Gate All Around Transistors

Номер патента: US20210159232A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Memory Devices with Gate All Around Transistors

Номер патента: US20200135740A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US09786757B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE ALL AROUND STRUCTURE AND A METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170162651A1. Автор: SUK SUNG-DAE,Seo Kang-Ill,KIM BOM-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD OF FORMING HORIZONTAL GATE ALL AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20160190272A1. Автор: Lin Chun-An,Wang Chien-Hsun,Huang Jui-Chien,Lin Chun-Hsiung,Su Huan-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Vertical stacked nanosheet cmos transistors with different work function metals

Номер патента: US20200294866A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrating and isolating nfet and pfet nanosheet transistors on a substrate

Номер патента: US20180374761A1. Автор: Michael A. Guillorn,Muthumanickam Sankarapandian,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL STACKED NANOSHEET CMOS TRANSISTORS WITH DIFFERENT WORK FUNCTION METALS

Номер патента: US20220044973A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL STACKED NANOSHEET CMOS TRANSISTORS WITH DIFFERENT WORK FUNCTION METALS

Номер патента: US20200294866A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Transistor channel with vertically stacked nanoplates coupled through fin-shaped bridging regions

Номер патента: CN113498555A. Автор: 程慷果,C.朴,谢瑞龙,J.弗鲁吉尔,E.诺瓦克,亓屹,N.罗贝特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

INTEGRATION SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY ON GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20200135938A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Zheng,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Vertically stacked finFETs and shared gate patterning

Номер патента: US12100623B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Justin R. WEBER,Aaron Lilak,Sean Ma,Patrick H. Keys. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Hybrid orientation vertically stacked III-V and Ge gate-all-around CMOS

Номер патента: US09472471B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Vertical Memory Strings, and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20190006520A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Vertical Memory Strings, and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20190273161A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-05.

Shared contact trench comprising dual silicide layers and dual epitaxial layers for source/drain layers of NFET and PFET devices

Номер патента: US10566246B1. Автор: Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20210066469A1. Автор: Wang Chih-hao,CAO Min,Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Yeong Sai-Hooi,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20220045192A1. Автор: Wang Chih-hao,CAO Min,Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Yeong Sai-Hooi,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

VERTICALLY STACKED FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20210074730A1. Автор: Abou-Khalil Michel J.,Stamper Anthony K.,SHANK Steven M.,ADUSUMILLI Siva P.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

TRANSISTOR CHANNEL HAVING VERTICALLY STACKED NANOSHEETS COUPLED BY FIN-SHAPED BRIDGE REGIONS

Номер патента: US20200273979A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Xie Ruilong,Park Chanro,Qi Yi,Frougier Julien,Nowak Edward. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Vertically stacked finfets & shared gate patterning

Номер патента: WO2019040071A1. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Justin R. WEBER,Aaron Lilak,Sean Ma,Patrick H. Keys. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

Single source/drain epitaxy for co-integrating nFET semiconductor fins and pFET semiconductor fins

Номер патента: US10304831B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

INTEGRATED TENSILE STRAINED SILICON NFET AND COMPRESSIVE STRAINED SILICON-GERMANIUM PFET IMPLEMENTED IN FINFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20170154900A1. Автор: Liu Qing,Morin Pierre. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for fabricating NFET and PFET nanowire devices

Номер патента: US10573564B2. Автор: Subhadeep Kal,Aelan Mosden,Cheryl Pereira. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

TRANSISTOR CHANNEL HAVING VERTICALLY STACKED NANOSHEETS COUPLED BY FIN-SHAPED BRIDGE REGIONS

Номер патента: US20200274000A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Xie Ruilong,Park Chanro,Qi Yi,Frougier Julien,Nowak Edward. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor channel with vertically stacked nanoplates coupled through fin-shaped bridging regions

Номер патента: CN113491014A. Автор: 程慷果,C.朴,谢瑞龙,J.弗鲁吉尔,E.诺瓦克,亓屹,N.罗贝特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-08.

Transistor channel having vertically stacked nanosheets coupled by fin-shaped bridge regions

Номер патента: GB2595160B. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Xie Ruilong,Park Chanro,Qi Yi,Frougier Julien,Nowak Edward. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Bandgap reference circuit including vertically stacked active SOI devices

Номер патента: US11309435B2. Автор: Timothy S. Miller,Peter P. Hang,Van Ton-That,Don Raymond Blackwell. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Gate endcap architectures having relatively short vertical stack

Номер патента: US20210305243A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

SHARED CONTACT TRENCH COMPRISING DUAL SILICIDE LAYERS AND DUAL EPITAXIAL LAYERS FOR SOURCE/DRAIN LAYERS OF NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20200058563A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

SERIES RESISTANCE REDUCTION IN VERTICALLY STACKED SILICON NANOWIRE TRANSISTORS

Номер патента: US20160365411A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

VERTICALLY STACKED FIN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200343338A1. Автор: LI Tao,De Silva Ekmini A.,Seshadri Indira,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

METHOD FOR FABRICATING VERTICALLY STACKED NANOWIRES FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20150371868A1. Автор: ZHANG YING,Chung Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

FinFET CMOS with Si NFET and SiGe PFET

Номер патента: US09865509B2. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

FinFET CMOS with Si NFET and SiGe PFET

Номер патента: US09484347B1. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

FINFET CMOS WITH Si NFET AND SiGe PFET

Номер патента: US20170170076A1. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

FINFET CMOS WITH Si NFET AND SiGe PFET

Номер патента: US20170170180A1. Автор: Kangguo Cheng,Jeehwan Kim,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF FORMING HORIZONTAL GATE ALL AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20160126143A1. Автор: Lin Chun-An,Wang Chien-Hsun,Huang Jui-Chien,Lin Chun-Hsiung,Su Huan-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

ALIGNED GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20150214318A1. Автор: Wu Zhiqiang,Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

INTEGRATING AND ISOLATING NFET AND PFET NANOSHEET TRANSISTORS ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20180374761A1. Автор: Sankarapandian Muthumanickam,Guillorn Michael A.,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

METHOD FOR FABRICATING VERTICALLY STACKED NANOWIRES FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20150372119A1. Автор: ZHANG YING,Chung Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Structure containing first and second vertically stacked nanosheets having different crystallographic orientations

Номер патента: US09887197B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertically stacked heterostructures including graphene

Номер патента: US09685559B2. Автор: YU HUANG,YUAN LIU,Xiangfeng Duan,Woojong Yu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-20.

Dummy fin contact in vertically stacked transistors

Номер патента: US20230420458A1. Автор: Chen Zhang,Brent A. Anderson,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

3d source and drain contacts tuned for vertically stacked pmos and nmos

Номер патента: US20230395718A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Stacked vertical NFET and PFET

Номер патента: US10297513B1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20190198518A1. Автор: Greenlee Jordan D.,Meldrim John Mark,Lomeli Nancy M.,George Tom,Pook Scott M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20190198518A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20200075620A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Tensile strained nfet and compressively strained pfet formed on strain relaxed buffer

Номер патента: US20180090573A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Tensile strained nfet and compressively strained pfet formed on strain relaxed buffer

Номер патента: US20170229542A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Tensile strained nFET and compressively strained pFET formed on strain relaxed buffer

Номер патента: US09905649B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

FinFET Device with Different Liners for PFET and NFET and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20210366784A1. Автор: Lin Yen-Chun,Lin Da-Wen,Cheng Ming-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

TENSILE STRAINED NFET AND COMPRESSIVELY STRAINED PFET FORMED ON STRAIN RELAXED BUFFER

Номер патента: US20180090573A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

TENSILE STRAINED NFET AND COMPRESSIVELY STRAINED PFET FORMED ON STRAIN RELAXED BUFFER

Номер патента: US20170229542A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

One time programming memory cell with gate-all-around transistor for physically unclonable function technology

Номер патента: US20240023328A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US20230411241A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US12040250B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High germanium content FinFET devices having the same contact material for nFET and pFET devices

Номер патента: US09449885B1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Balancing nfet and pfet performance using straining

Номер патента: SG173260A1. Автор: Chen Xiangdong,Yin Haizhou,TEH Young Way,Kang Laegu,Li Weipeng,Park Dae-Gyu,Zhang Da,Han Jin-Ping,Lee Yong Meng,Franck Arnaud,Kenneth J Stein,Anda C Mocuta,Thean Voon-Yew,Melanie J Sherony. Владелец: Franck Arnaud. Дата публикации: 2011-08-29.

Vertically Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20230187539A1. Автор: Hans Mertens,Steven Demuynck,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-15.

Photosensor having gate-all-around structure and method for forming the photosensor

Номер патента: US20240014231A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,P.C. Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Photosensor having gate-all-around structure and method for forming the photosensor

Номер патента: US20220271076A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,P.C. Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

PHOTOSENSOR HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE PHOTOSENSOR

Номер патента: US20220271076A1. Автор: LEE Kuo-Cheng,Lin Ping-Hao,CHANG P.C.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-08-25.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20190165045A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20200194499A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US9305938B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Aaron R. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09899413B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09634025B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US12114500B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,John D. Hopkins,Meng-Wei Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Forming method of vertically stacked nano-wire and fabrication method of transistor having vertically stacked nano-wire

Номер патента: KR101783403B1. Автор: 최양규,정의식,문동일,허재. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertically stacked storage nodes and access devices with horizontal access lines

Номер патента: US20240064966A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bottom dielectric isolation for vertically stacked devices

Номер патента: US20230307495A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Stacked complementary FETs featuring vertically stacked horizontal nanowires

Номер патента: US09837414B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertically stacked cmos with upfront m0 interconnect

Номер патента: US20200098921A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Kimin Jun,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak,Ryan KEECH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20150140753A1. Автор: Wilson Aaron R.,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-05-21.

Transistors from vertical stacking of carbon nanotube thin films

Номер патента: US20140138625A1. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Vertically stacked transistors and fabrication thereof

Номер патента: US20240072054A1. Автор: Chee-Wee Liu,Chien-Te TU. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for GAA I/O formation by selective epi regrowth

Номер патента: US12027607B2. Автор: Matthias BAUER,Phillip Stout,Benjamin Colombeau,Naved Ahmed Siddiqui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods for GAA I/O formation by selective epi regrowth

Номер патента: US11393916B2. Автор: Matthias BAUER,Phillip Stout,Benjamin Colombeau,Naved Ahmed Siddiqui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device with isolation structures

Номер патента: US11830773B2. Автор: Huang-Lin Chao,Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09837517B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09640615B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Ultra Dense and Stable 4T SRAM Cell Design Having Nfets And Pfets

Номер патента: US20190189195A1. Автор: Myung-Hee Na,Sean Burns,Robert Wong,Jens Haetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Vertically stacked FinFET fuse

Номер патента: US09735165B1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having a stack including electrodes vertically stacked on a substrate and electronic system including the same

Номер патента: US11728246B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Sunggil Kim,Jinhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertically stacked image sensor

Номер патента: US9406713B2. Автор: Xiaofeng Fan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Vertically stacked image sensor

Номер патента: EP2951864A1. Автор: Xiaofeng Fan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-12-09.

Vertically stacked finfet fuse

Номер патента: US20180026043A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Vertically stacked diode-trigger silicon controlled rectifier

Номер патента: US12125842B2. Автор: Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Microelectronics package with vertically stacked wafer slices and process for making the same

Номер патента: US20240030126A1. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: US20200194488A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: US20190074317A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: EP3577692A2. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-12-11.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: WO2018187403A2. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

Vertical stacks of light emitting diodes and control transistors and method of making thereof

Номер патента: US11362134B2. Автор: Zhen Chen. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Vertically stacked diode-trigger silicon controlled rectifier

Номер патента: US20230395591A1. Автор: Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Stress modulation of nfet and pfet fin structures

Номер патента: US20200126867A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,James Kelly,Richard A. Conti,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Stress modulation of nfet and pfet fin structures

Номер патента: US20200266111A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,James Kelly,Richard A. Conti,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Structure and method to enhance both nfet and pfet performance using different kinds of stressed layers

Номер патента: US20110195581A1. Автор: Bruce B. Doris,Haining Yang,Huilong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

SHARED CONTACT TRENCH COMPRISING DUAL SILICIDE LAYERS AND DUAL EPITAXIAL LAYERS FOR SOURCE/DRAIN LAYERS OF NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20200058562A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233501A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

VERTICALLY STACKED CMOS WITH UPFRONT M0 INTERCONNECT

Номер патента: US20200098921A1. Автор: Mehandru Rishabh,Rachmady Willy,Jun Kimin,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH,KEECH Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

VERTICALLY STACKED FINFETS & SHARED GATE PATTERNING

Номер патента: US20200235013A1. Автор: Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,MORROW Patrick,LILAK Aaron,KEYS Patrick H.,MA Sean,Weber Justin R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-23.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT INCLUDING VERTICALLY STACKED ACTIVE SOI DEVICES

Номер патента: US20210280723A1. Автор: Miller Timothy S.,Blackwell Don Raymond,Hang Peter P.,Ton-That Van. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

GATE ENDCAP ARCHITECTURES HAVING RELATIVELY SHORT VERTICAL STACK

Номер патента: US20210305243A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,CHANG Hsu-Yu,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

VERTICALLY STACKED TRANSISTORS IN A FIN

Номер патента: US20210351078A1. Автор: Mehandru Rishabh,MORROW Patrick,LILAK AARON D.,Ma Sean T.,Weber Justin R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20160293623A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,John D. Hopkins,Meng-Wei Kuo. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-10-06.

VERTICALLY STACKED TRANSISTORS IN A PIN

Номер патента: US20190326175A1. Автор: Mehandru Rishabh,MORROW Patrick,LILAK AARON D.,Ma Sean T.,Weber Justin R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-24.

DIRECT SELF ASSEMBLY (DSA) PROCESSING OF VERTICALLY STACKED DEVICES WITH SELF-ALIGNED REGIONS

Номер патента: US20190341384A1. Автор: Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,LILAK AARON D.,WEBER Cory E.,Theofanis Patrick. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-11-07.

Vertically stacked transistors in a fin

Номер патента: EP3545556A4. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Justin R. WEBER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-14.

Vertically stacked transistors in a fin

Номер патента: US11658072B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Justin R. WEBER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Vertically stacked transistors in a fin

Номер патента: EP3545556A1. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Justin R. WEBER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20170256546A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Devices Having pFET with SiGe Gate Electrode and Embedded SiGe Source/Drain Regions and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100297818A1. Автор: Jiang Yan,Roman Knoefler,Alois Gutmann,Jin-Ping Han,Yung Fu Chong,Jingyu Lian,Chris Stapelmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

DUAL POCKET APPROACH IN PFETS WITH EMBEDDED SI-GE SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20150303061A1. Автор: CHOI Younsung. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

STRUCTURE AND METHOD FOR IMPROVED STRESS AND YIELD IN pFETS WITH EMBEDDED SiGe SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20070018205A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Brian Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Etch stop layer for silicon (Si) via etch in three-dimensional (3-D) wafer-to-wafer vertical stack

Номер патента: US20030205824A1. Автор: Sarah Kim,R. List,Tom Letson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Microelectronics package with vertically stacked dies

Номер патента: US20190378821A1. Автор: Baker Scott,Robert Aigner,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Julio C. Costa,Gernot Fattinger,Merrill Albert Hatcher, JR.,Jon Chadwick. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Microelectronics package with vertically stacked dies

Номер патента: US20190378819A1. Автор: Baker Scott,Robert Aigner,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Julio C. Costa,Gernot Fattinger,Merrill Albert Hatcher, JR.,Jon Chadwick. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor Device With Isolation Structures

Номер патента: US20230386925A1. Автор: Huang-Lin Chao,Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

VERTICALLY STACKED NANOFLUIDIC CHANNEL ARRAY

Номер патента: US20190263655A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

METHOD FOR FABRICATING NFET AND PFET NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20180315665A1. Автор: Kal Subhadeep,Mosden Aelan,Pereira Cheryl. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

METHOD FOR FABRICATING VERTICALLY STACKED NANOWIRES FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20150372118A1. Автор: ZHANG YING,Chung Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Integrated structures containing vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09761599B2. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Sergei Koveshnikov,Dimitrios Pavlopoulos,Guangyu Gavin Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertically stacked cascode bipolar junction transistor (bjt) pair sensor

Номер патента: US20230260990A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170373081A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Guangyu Huang,Sergei Koveshnikov,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190312047A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Guangyu Huang,Sergei Koveshnikov,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Isolation between vertically stacked nanosheet devices

Номер патента: US20230290776A1. Автор: Shogo Mochizuki,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Direct self assembly (dsa) processing of vertically stacked devices with self-aligned regions

Номер патента: US20190341384A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Patrick THEOFANIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

TRANSISTORS FROM VERTICAL STACKING OF CARBON NANOTUBE THIN FILMS

Номер патента: US20140138623A1. Автор: Smith Joshua T.,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190355745A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Vertically stacked complementary-FET device with independent gate control

Номер патента: US10510622B1. Автор: Ruilong Xie,Julien Frougier,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Vertically stacked complementary-FET device with independent gate control

Номер патента: TW202008507A. Автор: 謝瑞龍,帕尼特 哈瑞漢德拉 蘇瓦納,朱利安 弗羅吉爾. Владелец: 美商格芯（美國）集成電路科技有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Method for manufacturing transistor device

Номер патента: US11183428B1. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-23.

VERTICALLY STACKED FeFETS WITH COMMON CHANNEL

Номер патента: US20240121965A1. Автор: Georgios Vellianitis,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Vertical fet with different channel orientations for nfet and pfet

Номер патента: US20180240716A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Vertically stacked fet with strained channel

Номер патента: US20230260971A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Vertical Memory Strings, and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20140191306A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Vertical Memory Strings, and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20170194348A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Balancing nfet and pfet performance using straining layers

Номер патента: US20110169096A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xiangdong Chen,Kenneth J. Stein,Jin-Ping Han,Franck Arnaud,Haizhou Yin,Da Zhang,Yong Meng Lee,Young Way Teh,Laegu Kang,Voon-Yew Thean,Melanie J. Sherony,Weipeng Li,Anda C. Mocuta. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

STRESS MODULATION OF NFET AND PFET FIN STRUCTURES

Номер патента: US20200126867A1. Автор: Cheng Kangguo,Belyansky Michael P.,Kelly James,Pranatharthiharan Balasubramanian,Gluschenkov Oleg,Conti Richard A.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

VERTICAL FET WITH DIFFERENT CHANNEL ORIENTATIONS FOR NFET AND PFET

Номер патента: US20180240716A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Increasing carrier mobility in NFET and PFET transistors on a common wafer

Номер патента: US7211869B2. Автор: Haining Yang,Victor Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

VERTICALLY STACKED NANOSHEET CMOS TRANSISTOR

Номер патента: US20200118891A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

STRESS MODULATION OF NFET AND PFET FIN STRUCTURES

Номер патента: US20200266111A1. Автор: Cheng Kangguo,Belyansky Michael P.,Kelly James,Pranatharthiharan Balasubramanian,Gluschenkov Oleg,Conti Richard A.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Vertically stacked switched-emitter devices

Номер патента: EP0747958A2. Автор: Richard A. Blanchard,Raffaele Zambrano,Ferruccio Frisina,Giuseppe Ferla,Santo Puzzolo,Mario Paparo,Robert Groover. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-12-11.

Formation of low-temperature and high-temperature in-situ doped source and drain epitaxy using selective heating for wrap-around contact and vertically stacked device architectures

Номер патента: WO2022035520A1. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

SiGe CMOS with tensely strained NFET and compressively strained PFET

Номер патента: US09685510B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

FINFET DEVICE WITH DIFFERENT LINERS FOR PFET AND NFET AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20180315664A1. Автор: Lin Yen-Chun,Lin Da-Wen,Cheng Ming-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Strained silicon nfet and silicon germanium pfet on same wafer

Номер патента: US20140264601A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Strained silicon nfet and silicon germanium pfet on same wafer

Номер патента: US20140264755A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

SiGe CMOS WITH TENSELY STRAINED NFET AND COMPRESSIVELY STRAINED PFET

Номер патента: US20170077231A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

STRAINED SILICON NFET AND SILICON GERMANIUM PFET ON SAME WAFER

Номер патента: US20140264755A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

TENSILE STRAINED NFET AND COMPRESSIVELY STRAINED PFET FORMED ON STRAIN RELAXED BUFFER

Номер патента: US20170229545A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Memory device including vertical stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11682717B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-20.

Memory device including vertical stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310827A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Front-end module with vertically stacked die and circulator

Номер патента: US20230387042A1. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Device comprising components vertically stacked thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040250407A1. Автор: Jong Kim,Jae You. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09859369B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09595525B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrated structures containing vertically-stacked memory cells

Номер патента: WO2017030651A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Guangyu Huang,Sergei Koveshnikov,Dimitrois PAVLOPOULOS. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20210082937A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Guangyu Huang,Sergei Koveshnikov,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Hybrid orientation vertically stacked III-V and Ge gate-all-around CMOS

Номер патента: US09659829B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Controlling uniformity of lateral oxidation of wafer surface features using a vertical stack of horizontal wafers

Номер патента: IL260917A. Автор: Albert Yuen. Владелец: Albert Yuen. Дата публикации: 2019-01-31.

SPACER INTEGRATION SCHEME FOR NFET AND PFET DEVICES

Номер патента: US20180114730A1. Автор: Wu Xusheng,PENG Jianwei. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170012053A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190081071A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20180166464A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170200737A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20200258910A1. Автор: Hopkins John D.,Simsek-Ege Fatma Arzum,Kuo Meng-Wei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-13.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US10153298B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Integrated structures of vertically-stacked memory cells

Номер патента: US10672785B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,John D. Hopkins,Meng-Wei Kuo. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2020-06-02.

FINFET CMOS WITH Si NFET AND SiGe PFET

Номер патента: US20170170076A1. Автор: Cheng Kangguo,Kim Jeehwan,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Vertical Memory Strings, and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20150325589A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-12.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20220037358A1. Автор: Greenlee Jordan D.,Meldrim John Mark,Lomeli Nancy M.,George Tom,Pook Scott M.. Владелец: Micron Technology, Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

VERTICALLY STACKED HETEROSTRUCTURES INCLUDING GRAPHENE

Номер патента: US20150318401A1. Автор: LIU Yuan,Huang Yu,Duan Xiangfeng,YU Woojong. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

CMOS NFET and PFET comparable spacer width

Номер патента: US09627382B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Vertically stacked electronic device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222418A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US09627442B2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Electronic device including a semiconductor memory unit that includes cell mats of a plurality of planes vertically stacked

Номер патента: US09613901B2. Автор: Hyun-Jeong Lee,Seung-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Vertically stacked storage nodes and access devices with vertical access lines

Номер патента: US20240064956A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Vertically stacked multilayer high-density rram

Номер патента: US20210233959A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Ic substrate having central section with vertically stacked functional volume sections

Номер патента: WO2023217974A1. Автор: Markus Leitgeb,Stefano Sergio Oggioni,Marco GAVAGNIN. Владелец: AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2023-11-16.

Capacitance trimming circuit of semiconductor device having vertically stacked capacitor layers and operation method thereof

Номер патента: US20080203525A1. Автор: Tae-Soo Park,Myoung-Jun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Microelectronics package with vertically stacked MEMS device and controller device

Номер патента: US12129168B2. Автор: Julio C. Costa,Mickael Renault. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US20150221866A1. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US20130153853A1. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory device including vertical stack structure, method of fabricating the same, and electronic device including memory device

Номер патента: US20230093892A1. Автор: Doyoon KIM,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Yumin KIM,Seungyeul YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of vertically stacked tiers of memory cells

Номер патента: US10256275B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Vertically stacked type image sensors and electronic devices including the same

Номер патента: US20240155269A1. Автор: Youngzoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: EP3577691A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-12-11.

Arrays of Memory Cells and Methods of Forming an Array of Vertically Stacked Tiers of Memory Cells

Номер патента: US20190189689A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20150123070A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US8895371B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A8. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2007-09-20.

Vertically-stacked interdigitated metal-insulator-metal capacitor for sub-20 nm pitch

Номер патента: US20230274883A1. Автор: Chih-Chao Yang,Hsueh-Chung Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Pixel of micro display having vertically stacked sub-pixels and common electrode

Номер патента: US11404604B2. Автор: Sungsoo Yi,James Chinmo Kim. Владелец: Sundiode Korea. Дата публикации: 2022-08-02.

Ic substrate having central section with vertically stacked functional volume sections

Номер патента: EP4276900A1. Автор: Markus Leitgeb,Stefano Sergio Oggioni,Marco GAVAGNIN. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2023-11-15.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US20130130446A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US20130126830A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

VERTICAL STACK TRANSISTOR, A DISPLAY DEVICE INCLUDING THE VERTICAL STACK TRANSISTOR, AND A MANUFACTURING METHOD OF THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20190206967A1. Автор: Kim Tae Young,Kim Dae-Hwan,KIM Hee-Joong,PARK Jong Woo,KWON Hyuck-ln,HONG Sae-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Vertical unipolar component e.g. Schottky diode, has cathode with isolated trenches filled with vertical stacking from two grain conducting portions separated by insulating layer, where stacking depth is equal to cathode thickness

Номер патента: FR2850791A1. Автор: Frederic Lanois. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-08-06.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: US20180294305A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

INTEGRATED CIRCUITS WITH VERTICAL JUNCTIONS BETWEEN nFETS AND pFETS, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150357433A1. Автор: Baars Peter,Moll Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US20130126830A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

VERTICALLY STACKED FINFET FUSE

Номер патента: US20180026043A1. Автор: Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

VERTICALLY STACKED COMPLEMENTARY-FET DEVICE WITH INDEPENDENT GATE CONTROL

Номер патента: US20200035569A1. Автор: Xie Ruilong,Frougier Julien,Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

VERTICALLY STACKED NANOSHEET CMOS TRANSISTOR

Номер патента: US20200118892A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

VERTICAL STACKS OF LIGHT EMITTING DIODES AND CONTROL TRANSISTORS AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20200119085A1. Автор: Chen Zhen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical stack memory device

Номер патента: US20180294270A1. Автор: Tae-hun Kim,Hye-Jin Cho,Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Min-Kyung Bae,Kyung-Hwan Lee,Jun-Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-11.

VERTICAL STACKS OF LIGHT EMITTING DIODES AND CONTROL TRANSISTORS AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20200373349A1. Автор: Chen Zhen. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Vertically stacked gate-all-around nanowire tunneling field effect transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN108133960B. Автор: 朱慧珑,朱正勇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-06-23.

Vertical stacks of light emitting diodes and control transistors and method of making thereof

Номер патента: WO2020076452A1. Автор: Zhen Chen. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical stacking memory device

Номер патента: CN108695338A. Автор: 金泰勋,金容锡,赵慧珍,林濬熙,李炅奂,裴敏敬,金柄宅. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Microelectronic unit using vertically stacked units

Номер патента: DE112019004223T5. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Dieter Wendel,Rolf Sautter,Albert Frisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Vertically stacked image sensor

Номер патента: EP2951864B1. Автор: Xiaofeng Fan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Vertically stacked image sensor

Номер патента: EP3261123B1. Автор: Xiaofeng Fan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-03-20.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING NFET SEMICONDUCTOR FINS AND PFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160093618A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

VERTICALLY STACKED TRANSISTORS

Номер патента: US20200020587A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Yamahita Tenko,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

MICROELECTRONICS PACKAGE WITH VERTICALLY STACKED DIES

Номер патента: US20190378819A1. Автор: Hatcher,JR. Merrill Albert,Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker,Fattinger Gernot,Costa Julio C.,Aigner Robert,Chadwick Jon. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

MICROELECTRONICS PACKAGE WITH VERTICALLY STACKED DIES

Номер патента: US20190378821A1. Автор: Hatcher,JR. Merrill Albert,Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker,Fattinger Gernot,Costa Julio C.,Aigner Robert,Chadwick Jon. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

VERTICALLY STACKED MEMORY ELEMENTS WITH AIR GAP

Номер патента: US20200403033A1. Автор: Yoo Hui Jae,SHARMA Abhishek A.,LILAK AARON D.,MANNEBACH EHREN,Ma Sean T.,Clendenning Scott B.,Alaan Urusa,MORROW PATRICK R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Vertically stacked wafers and methods of forming same

Номер патента: TWI677075B. Автор: Luke G. England,盧克Ｇ 英格蘭. Владелец: 美商格芯（美國）集成電路科技有限公司. Дата публикации: 2019-11-11.

Antifuse-type one time programming memory cell with gate-all-around transistor

Номер патента: US20230371249A1. Автор: Chun-Hung Lin,Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertically stacked gate-all-around nanowire transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN107749421B. Автор: 朱慧珑,朱正勇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Vertical stacking of graphene in a field-effect transistor

Номер патента: US20140138624A1. Автор: Joshua T. Smith,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin,Sataoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

3d horizontal memory cell with sequential 3d vertical stacking

Номер патента: US20230301062A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

FORMATION OF LOW-TEMPERATURE AND HIGH-TEMPERATURE IN-SITU DOPED SOURCE AND DRAIN EPITAXY USING SELECTIVE HEATING FOR WRAP-AROUND CONTACT AND VERTICALLY STACKED DEVICE ARCHITECTURES

Номер патента: US20220051905A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,NIIMI Hiroaki,Tapily Kandabara,Gardner Mark I.,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-02-17.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US11430660B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20210118683A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods of Forming Vertically-Stacked Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20140162418A1. Автор: Simsek-Ege Fatma Arzum,Keshav Saurabh,Pook Scott. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

Vertically stacked transistors

Номер патента: US20240363624A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Ching-Wang YAO,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-31.

VERTICAL STACKING OF GRAPHENE IN A FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20140138624A1. Автор: Farmer Damon B.,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Oida Sataoshi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

VERTICAL STACKING OF GRAPHENE IN A FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20140138626A1. Автор: Farmer Damon B.,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Oida Sataoshi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

VERTICALLY STACKED NANOWIRE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20170221884A1. Автор: Nowak Matthew Michael,Xu Jeffrey Junhao,Bao Junjing,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,Yang Da,BADAROGLU Mustafa,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Vertically stacked nanowire field effect transistors

Номер патента: TW201737464A. Автор: 佛雷迪米爾 馬卡奧桑,史坦利 昇澈 宋,穆斯塔法 貝達歐格魯,約翰 建宏 朱,包鈞勁,傑弗瑞 俊浩 蘇,楊達,馬修 麥可 諾瓦,舟非 葉. Владелец: 高通公司. Дата публикации: 2017-10-16.

Memory cell design with vertically stacked crossovers

Номер патента: CN100388499C. Автор: M·T·波尔,J·K·格雷森. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-14.

Vertically stacked nanowire field effect transistors

Номер патента: EP3411905B1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Vertically stacked nanowire field effect transistors

Номер патента: EP3411905C0. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

MEMORY DEVICE INCLUDING VERTICAL STACK STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220310827A1. Автор: Cho Youngjin,KIM Doyoon,KIM Seyun,KIM Jinhong,MIZUSAKI Soichiro,KIM Yumin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-29.

A variable length vertically stacked nested waveguide device

Номер патента: EP4309238A1. Автор: James CAMPION,Bernhard BEUERLE. Владелец: Terasi AB. Дата публикации: 2024-01-24.

A variable length vertically stacked nested waveguide device

Номер патента: US20240113408A1. Автор: James CAMPION,Bernhard BEUERLE. Владелец: Terasi AB. Дата публикации: 2024-04-04.

A variable length vertically stacked nested waveguide device

Номер патента: WO2022194847A1. Автор: James CAMPION,Bernhard BEUERLE. Владелец: Terasi AB. Дата публикации: 2022-09-22.

Structure and method for forming cmos with nfet and pfet having different channel materials

Номер патента: US20150145048A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Structure and method for forming cmos with nfet and pfet having different channel materials

Номер патента: WO2015074468A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Steven J. Holmes. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-05-28.

NFET and PFET with Different Fin Numbers in FinFET Based CFET

Номер патента: US20240282772A1. Автор: Jin Cai,Cheng-Ting Chung,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Spacer integration scheme for NFET and PFET devices

Номер патента: TW201816847A. Автор: 彭建偉,吳旭升. Владелец: 格羅方德美國公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Multi-transistor stack architecture in a single vertical stack

Номер патента: US12040232B2. Автор: David Victor Pietromonaco,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot

Номер патента: US6318945B1. Автор: Christopher A. Hofmeister. Владелец: Brooks Automation Inc. Дата публикации: 2001-11-20.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20200152651A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20190189630A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20190333924A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods of filling openings with conductive material, and assemblies having vertically-stacked conductive structures

Номер патента: US10361214B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Methods of filling openings with conductive material, and assemblies having vertically-stacked conductive structures

Номер патента: US10840255B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Assemblies having vertically-stacked conductive structures

Номер патента: US10559579B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Package architecture with compute bricks having vertically stacked dies

Номер патента: US20240006375A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Debendra Mallik,Stephen Morein,Matthew Adiletta,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Joshua Fryman,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20210066332A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device including vertically stacked semiconductor dies

Номер патента: US20200411481A1. Автор: Cong Zhang,Chin-Tien Chiu,Xuyi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Integrating multi-output power converters having vertically stacked semiconductor chips

Номер патента: US09653388B2. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Marie Denison,Juan Alejandro Herbsommer,Jonathan Noquil,Brian Ashley Carpenter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrating multi-output power converters having vertically stacked semiconductor chips

Номер патента: EP3005417A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Marie Denison,Juan Alejandro Herbsommer,Jonathan Noquil,Brian Ashley Carpenter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Integrating multi-output power converters having vertically stacked semiconductor chips

Номер патента: WO2014169209A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Marie Denison,Juan Alejandro Herbsommer,Jonathan Noquil,Brian Ashley Carpenter. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-10-16.

A package that is a vertical stacking system including a first level die, a stack of back level second level dies, and a third level die having corresponding first, second and third rewiring layers and a method of making the same

Номер патента: KR101939015B1. Автор: 준 자이,쿤종 후. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2019-01-15.

Flippable leadframe for packaged electronic system having vertically stacked chips and components

Номер патента: US09496206B2. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng@ Eugene Lee,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device package with vertically stacked passive component

Номер патента: US20240258288A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertically stacked transistor devices with isolation wall structures containing an electrical conductor

Номер патента: US11699637B2. Автор: Patrick Morrow,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephanie A. BOJARSKI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Power semiconductor package having vertically stacked driver IC

Номер патента: US09502395B2. Автор: Mark Pavier,Eung San Cho,Daniel Cutler,Andrew N. Sawle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Concurrently Forming nFET and pFET Gate Dielectric Layers

Номер патента: US20140187028A1. Автор: Ando Takashi,Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,JR. Joseph F.,DAI Min,Wang Yanfeng,Liu Jinping,Shepard,Brodsky MaryJane. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING CMOS WITH NFET AND PFET HAVING DIFFERENT CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20150145048A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Holmes Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-28.

Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets

Номер патента: US20090250760A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Hongwen Yan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for protection of a layer of a vertical stack and corresponding device

Номер патента: US20130075870A1. Автор: Michel Marty,Didier Dutartre,Sebastien Jouan. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2013-03-28.

Flippable Leadframe for Packaged Electronic System Having Vertically Stacked Chips and Components

Номер патента: US20170025332A1. Автор: bin Abdul Aziz Anis Fauzi,Fen Sueann Lim Wei,Eugene Lee Lee Han Meng@. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

INTERCONNECT SUBSTRATE HAVING CAVITY FOR STACKABLE SEMICONDUCOTR ASSEMBLY, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND VERTICALLY STACKED SEMICONDUCTOR ASSEMBLY USING THE SAME

Номер патента: US20180040551A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

TRANSISTORS FROM VERTICAL STACKING OF CARBON NANOTUBE THIN FILMS

Номер патента: US20140138625A1. Автор: Smith Joshua T.,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Integrating Multi-Output Power Converters Having Vertically Stacked Semiconductor Chips

Номер патента: US20160064313A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Marie Denison,Juan Alejandro Herbsommer,Jonathan Noquil,Brian Ashley Carpenter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrating Multi-Output Power Converters Having Vertically Stacked Semiconductor Chips

Номер патента: US20160064352A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Marie Denison,Juan Alejandro Herbsommer,Jonathan Noquil,Brian Ashley Carpenter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20210066332A1. Автор: Greenlee Jordan D.,McTeer Everett A.,Meldrim John Mark. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

INTERCONNECT SUBSTRATE HAVING CAVITY FOR STACKABLE SEMICONDUCOTR ASSEMBLY, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND VERTICALLY STACKED SEMICONDUCTOR ASSEMBLY USING THE SAME

Номер патента: US20170069602A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Flippable Leadframe for Packaged Electronic System Having Vertically Stacked Chip and Components

Номер патента: US20210074613A1. Автор: bin Abdul Aziz Anis Fauzi,Eugene Lee Lee Han Meng@,LIM Wei Fen,Sueann. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

VERTICALLY STACKED TRANSISTOR DEVICES WITH ISOLATION WALL STRUCTURES CONTAINING AN ELECTRICAL CONDUCTOR

Номер патента: US20220102246A1. Автор: MORROW Patrick,LILAK AARON D.,PHAN ANH,BOJARSKI Stephanie A.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20200152651A1. Автор: Greenlee Jordan D.,McTeer Everett A.,Meldrim John Mark. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Integrating Multi-Output Power Converters Having Vertically Stacked Semiconductor Chips

Номер патента: US20140306332A1. Автор: Denison Marie,Lopez Osvaldo Jorge,Herbsommer Juan Alejandro,Carpenter Brian Ashley,Noquil Jonathan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-16.

VERTICALLY STACKED TRANSISTOR DEVICES WITH ISOLATION WALL STRUCTURES CONTAINING AN ELECTRICAL CONDUCTOR

Номер патента: US20200273779A1. Автор: MORROW Patrick,LILAK AARON D.,PHAN ANH,BOJARSKI Stephanie A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Flippable leadframe for packaged electronic system having vertically stacked chips and components

Номер патента: US20160300784A1. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng@ Eugene Lee,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190312047A1. Автор: Liu Haitao,Mouli Chandra,Huang Guangyu,Koveshnikov Sergei,Pavlopoulos Dimitrios. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20190333924A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170373081A1. Автор: Liu Haitao,Mouli Chandra,Huang Guangyu,Koveshnikov Sergei,Pavlopoulos Dimitrios. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system

Номер патента: CN1348552A. Автор: 理查德·N·萨维齐,弗兰克·S·米纳,赫尔德·R·卡维尔海拉,菲利普·A·特罗安尼,丹·L·考森蒂尼,埃里克·R·沃恩,布鲁斯·E·梅尔. Владелец: SILICON VALLY GROUP HEAT SYSTEM Inc. Дата публикации: 2002-05-08.

Semiconductor structure having NFET and PFET formed in SOI substrate with underlapped extensions

Номер патента: US8598663B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

METHOD FOR PROTECTING A LAYER OF A VERTICAL STACK AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: FR2980302A1. Автор: Michel Marty,Didier Dutartre,Sebastien Jouan. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2013-03-22.

Package comprising multi-level vertically stacked redistribution portions

Номер патента: US11502049B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,David Fraser Rae. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Power converter package including vertically stacked driver IC

Номер патента: US9159703B2. Автор: Mark Pavier,Eung San Cho,Daniel Cutler,Andrew N. Sawle. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-10-13.

Vertically stacked integrated circuits device comprising multi-substrates and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100574957B1. Автор: 박동건,이성영,오창우,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-28.

Method for fabricating a power semiconductor package including vertically stacked driver IC

Номер патента: US9299690B2. Автор: Mark Pavier,Eung San Cho,Daniel Cutler,Andrew N. Sawle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system

Номер патента: EP1166180B1. Автор: Helder R. Carvalheira,Bruce E. Mayer,Richard N. Savage,Frank S. Menagh,Philip A. Troiani,Dan L. Cossentine,Eric R. Vaughan. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor substrate processing apparatus with horizontally clustered vertical stacks

Номер патента: US20080206023A1. Автор: John M. Smith,James Carter Hall,Jeffrey G. Ellison. Владелец: Ellison Jeffrey G. Дата публикации: 2008-08-28.

Vertically stacked reram device with hybrid memory and manufacturing of the same

Номер патента: KR101328506B1. Автор: 황현상. Владелец: 인텔렉추얼디스커버리 주식회사. Дата публикации: 2013-11-13.

Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system

Номер патента: IL145678A0. Автор: . Владелец: Silicon Valley Group Thermal. Дата публикации: 2002-06-30.

Vertically stacked transistor devices with isolation wall structures containing an electrical conductor

Номер патента: WO2019132869A1. Автор: Patrick Morrow,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephanie A. BOJARSKI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Flippable Leadframe for Packaged Electronic System Having Vertically Stacked Chips and Components

Номер патента: US20170025332A1. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng@ Eugene Lee,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Flippable leadframe for packaged electronic system having vertically stacked chips and components

Номер патента: US20160300784A1. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng@ Eugene Lee,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Flippable leadframe for packaged electronic system having vertically stacked chips and components

Номер патента: US10879154B2. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Wei Fen Sueann LIM,Lee Han Meng@ Eugene Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Flippable leadframe for packaged electronic system having vertically stacked chip and components

Номер патента: US11742263B2. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Wei Fen Sueann LIM,Lee Han Meng@ Eugene Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Package architecture with vertical stacking of integrated circuit dies having planarized edges and multi-side routing

Номер патента: US20230420436A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertically stacked fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TW201230162A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Vertically-stacked field effect transistor cell

Номер патента: US20230317611A1. Автор: Dechao Guo,Albert M. Young,Junli Wang,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

PFET with tailored dielectric and related methods and integrated circuit

Номер патента: TW200945499A. Автор: Naim Moumen,Rick Carter,Rashmi Jha,Michael P Chudzik. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

METHOD TO FORM STRAINED nFET AND STRAINED pFET NANOWIRES ON A SAME SUBSTRATE

Номер патента: US20170062428A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

STRAINED SILICON NFET AND SILICON GERMANIUM PFET ON SAME WAFER

Номер патента: US20140264601A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) devices having metal gate NFETs and poly-silicon gate PFETs

Номер патента: US8018005B2. Автор: William K. Henson,Hongwen Yan,Richard Stephen Wise,Bruce Bennett Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

CMOS NFET AND PFET COMPARABLE SPACER WIDTH

Номер патента: US20160240535A1. Автор: Cheng Kangguo,OK Injo,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170053986A1. Автор: Liu Haitao,Mouli Chandra,Koveshnikov Sergei,Pavlopoulos Dimitrios,Huang Guangyu Gavin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20210082937A1. Автор: Liu Haitao,Mouli Chandra,Huang Guangyu,Koveshnikov Sergei,Pavlopoulos Dimitrios. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-18.

SINGLE SOURCE/DRAIN EPITAXY FOR CO-INTEGRATING nFET SEMICONDUCTOR FINS AND pFET SEMICONDUCTOR FINS

Номер патента: US20160211265A1. Автор: Reznicek Alexander,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor arrangement with substrate isolation

Номер патента: US09947773B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220416049A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2022-12-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US11881530B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Spacer Structures for Semiconductor Devices

Номер патента: US20220149178A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Spacer Structures for Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280716A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Transistor Device Structure

Номер патента: US20210408277A1. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230387302A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12107135B2. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210193828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220190153A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399108A1. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11139382B2. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

Multi-state transistor devices with multiple threshold voltage channels

Номер патента: US20200287055A1. Автор: Seyoung Kim,Cheng-Wei Cheng,Ko-Tao Lee,Pierce I-Jen CHUANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20160211327A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20160211328A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US09543388B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US09466673B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming structures including a vanadium or indium layer

Номер патента: US20230078233A1. Автор: Qi Xie,Eric James Shero,Michael Eugene Givens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-16.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230087787A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Vertically stacked power fets and synchronous buck converter having low on-resistance

Номер патента: WO2014039658A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Juan Alejandro Herbsommer,Jonathan A. Noquil. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-03-13.

Spectrometer including vertical stack structure and non-invasive biometric sensor including the spectrometer

Номер патента: US09867544B2. Автор: Dongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated vertical stack capacitor

Номер патента: US6765778B1. Автор: Yang Du,Ertugrul Demircan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-07-20.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8427859B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8542513B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8760910B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20110261607A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Interconnect substrate having cavity for stackable semiconductor assembly, manufacturing method thereof and vertically stacked semiconductor assembly using the same

Номер патента: US09825009B2. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

High-density EEPROM arrays having parallel-connected common-floating-gate NFET and PFET as memory cell

Номер патента: US09947677B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL AND HORIZONTAL CHANNELS IN STACK STRUCTURE HAVING ELECTRODES VERTICALLY STACKED ON THE SUBSTRATE

Номер патента: US20170084624A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8743589B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US10096616B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Memory device including vertically stacked peripheral regions

Номер патента: US20240057329A1. Автор: Changhun KIM,Jaeick Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Multi-chip semiconductor package, vertically-stacked devices and manufacturing thereof

Номер патента: US09893037B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Package architecture with vertically stacked bridge dies having planarized edges

Номер патента: US20230420410A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication

Номер патента: US6034882A. Автор: James M. Cleeves,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,Vivek Subramanian,Paul Michael Farmwald. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Integrated Assemblies Comprising Vertically-Stacked Decks

Номер патента: US20220344320A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

STACK PACKAGES INCLUDING VERTICALLY STACKED SUB-PACKAGES WITH INTERPOSER BRIDGES

Номер патента: US20210175218A1. Автор: CHOI Bok Kyu. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Interconnection substrates, its manufacture method and vertical stacks stacked semiconductor subassembly

Номер патента: CN106505062A. Автор: 林文强,王家忠. Владелец: Yuqiao Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

Vertically stacked and bonded memory arrays

Номер патента: EP4109534A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Device and method for alignment of vertically stacked wafers and die

Номер патента: US09870999B2. Автор: John H. Zhang,Paul Ferreira,Walter Kleemeier,Ronald K. Sampson. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-16.

IMAGE SENSORS WITH VERTICALLY STACKED PHOTODIODES AND VERTICAL TRANSFER GATES

Номер патента: US20190074317A1. Автор: Geurts Tomas,Velichko Sergey,Janssens Johan Camiel Julia,Innocent Manuel H.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

IMAGE SENSORS WITH VERTICALLY STACKED PHOTODIODES AND VERTICAL TRANSFER GATES

Номер патента: US20200194488A1. Автор: Geurts Tomas,Velichko Sergey,Janssens Johan Camiel Julia,Innocent Manuel H.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

IMAGE SENSORS WITH VERTICALLY STACKED PHOTODIODES AND VERTICAL TRANSFER GATES

Номер патента: US20180294304A1. Автор: Geurts Tomas,Velichko Sergey,Janssens Johan Camiel Julia,Innocent Manuel H.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

VOLATILE MEMORY DEVICE WITH 3-D STRUCTURE INCLUDING VERTICAL PILLARS AND MEMORY CELLS VERTICALLY STACKED ONE OVER ANOTHER IN MULTIPLE LEVELS

Номер патента: US20200411080A1. Автор: Koya Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US9454997B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Volatile memory device with 3-D structure including vertical pillars and memory cells vertically stacked one over anoher in multiple levels

Номер патента: US10790008B2. Автор: Yoshihito Koya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Image sensor including silicon vertically stacked with germanium layer

Номер патента: US20230352514A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Volatile memory device with 3-d structure including vertical pillars and memory cells vertically stacked one over another in multiple levels

Номер патента: US20200411080A1. Автор: Yoshihito Koya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Micro display having vertically stacked structure and method of forming the same

Номер патента: US20180151632A1. Автор: Soo Young Choi,Chang Mo KANG,Dong Seon LEE,Duk Jo KONG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-31.

Vertically Stacked Semiconductor Device Including a Hybrid Bond Contact Junction Circuit and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240304601A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Fan-out packages including vertically stacked chips and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905540B1. Автор: Jong Hyun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Ultra Dense and Stable 4T SRAM Cell Design Having Nfets And Pfets

Номер патента: US20190189195A1. Автор: Na Myung-Hee,BURNS SEAN,Wong Robert,Haetty Jens. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Vertical stacked light emitting structure

Номер патента: US20130009174A1. Автор: Ming-Che Kuo,Chi-Hsing Hsu,Chun-Yu Lu. Владелец: AzureWave Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device, semiconductor module structure configured by vertically stacking semiconductor devices, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130026650A1. Автор: Hiroshi Inoue,Shigenori Sawachi,Osamu Yamagata,Akio Katsumata,Yasuhiro Yamaji,Satoru Itakura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-31.

HORIZONTALLY ORIENTED AND VERTICALLY STACKED MEMORY CELLS

Номер патента: US20130153853A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

LIGHT EMITTING DEVICE HAVING VERTICALLY STACKED LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20140008671A1. Автор: KIM Sung Han,Kim Kyoung Hoon. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-09.

DEVICE AND METHOD FOR ALIGNMENT OF VERTICALLY STACKED WAFERS AND DIE

Номер патента: US20140027933A1. Автор: Zhang John H.,Ferreira Paul,KLEEMEIER Walter,SAMPSON Ronald K.. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2014-01-30.

3D STATIC RAM CORE CELL HAVING VERTICALLY STACKED STRUCTURE, AND STATIC RAM CORE CELL ASSEMBLY COMPRISING SAME

Номер патента: US20190006424A1. Автор: KIM Jae Joon,JUNG Sungjune,KWON Jimin,CHO Kilwon,KYUNG Sujeong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

METHOD FOR FABRICATING A POWER SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING VERTICALLY STACKED DRIVER IC

Номер патента: US20160027767A1. Автор: Cho Eung San,Sawle Andrew N.,Pavier Mark,Cutler Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Power Converter Package Including Vertically Stacked Driver IC

Номер патента: US20140110863A1. Автор: Cho Eung San,Sawle Andrew N.,Pavier Mark,Cutler Daniel. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-24.

Power Semiconductor Package Having Vertically Stacked Driver IC

Номер патента: US20160035699A1. Автор: Cho Eung San,Sawle Andrew N.,Pavier Mark,Cutler Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

VERTICALLY STACKED IMAGE SENSOR

Номер патента: US20160043126A1. Автор: Fan Xiaofeng. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

QUANTUM CIRCUIT ASSEMBLIES WITH VERTICALLY-STACKED PARALLEL-PLATE CAPACITORS

Номер патента: US20190044046A1. Автор: Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Roberts Jeanette M.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Lampert Lester,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated Assemblies Comprising Vertically-Stacked Decks

Номер патента: US20210050338A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

VERTICALLY STACKED THERMOPILE

Номер патента: US20150054114A1. Автор: Barlow Arthur John,Marinescu Radu M.,Karagoezoglu Hermann,ERSONI MICHAEL,Quad Reiner,Chan Yuan Hsi. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FAN-OUT PACKAGES INCLUDING VERTICALLY STACKED CHIPS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180053747A1. Автор: NAM Jong Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-02-22.

METHODS AND APPARATUS FOR VERTICALLY STACKED MULTICOLOR LIGHT-EMITTING DIODE (LED) DISPLAY

Номер патента: US20190053347A1. Автор: Kim Jeehwan,Kong Wei,Lee Kyusang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Integrating Multi-Output Power Converters Having Vertically Stacked Semiconductor Chips

Номер патента: US20160064361A1. Автор: Denison Marie,Lopez Osvaldo Jorge,Herbsommer Juan Alejandro,Carpenter Brian Ashley,Noquil Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

DEVICE AND METHOD FOR ALIGNMENT OF VERTICALLY STACKED WAFERS AND DIE

Номер патента: US20160079131A1. Автор: Zhang John H.,Ferreira Paul,KLEEMEIER Walter,SAMPSON Ronald K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20200075620A1. Автор: Greenlee Jordan D.,Meldrim John Mark,Lomeli Nancy M.,George Tom,Pook Scott M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Power electronics assembly having vertically stacked transistors

Номер патента: US20220140706A1. Автор: Shailesh N. Joshi,Hitoshi Fujioka,Danny J. LOHAN. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

DEVICE AND METHOD FOR ALIGNMENT OF VERTICALLY STACKED WAFERS AND DIE

Номер патента: US20180114756A1. Автор: Zhang John H.,Ferreira Paul,KLEEMEIER Walter,SAMPSON Ronald K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20150123070A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

SPECTROMETER INCLUDING VERTICAL STACK STRUCTURE AND NON-INVASIVE BIOMETRIC SENSOR INCLUDING THE SPECTROMETER

Номер патента: US20160120410A1. Автор: KIM Dongho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-05-05.

VERTICALLY STACKED IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140211056A1. Автор: Fan Xiaofeng. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-07-31.

Methods of Forming Memory and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20140217349A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

VERTICALLY STACKED MULTICHIP MODULES

Номер патента: US20180138152A1. Автор: PARK Changyoung,JONG Mankyo. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

MICRO DISPLAY HAVING VERTICALLY STACKED STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180151632A1. Автор: CHOI Soo Young,Kang Chang Mo,Lee Dong Seon,KONG Duk Jo. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

PIXEL OF MICRO DISPLAY HAVING VERTICALLY STACKED SUB-PIXELS AND COMMON ELECTRODE

Номер патента: US20210184076A1. Автор: Yi Sungsoo,KIM James Chinmo. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20140273462A1. Автор: Wilson Aaron R.,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT THAT INCLUDES CELL MATS OF A PLURALITY OF PLANES VERTICALLY STACKED

Номер патента: US20160197036A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Lee Seung-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Methods of Filling Openings with Conductive Material, and Assemblies Having Vertically-Stacked Conductive Structures

Номер патента: US20190189630A1. Автор: Greenlee Jordan D.,McTeer Everett A.,Meldrim John Mark. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-20.

Arrays of Memory Cells and Methods of Forming an Array of Vertically Stacked Tiers of Memory Cells

Номер патента: US20190189689A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated Assemblies Comprising Vertically-Stacked Decks

Номер патента: US20200185370A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

VERTICALLY STACKED MULTILAYER HIGH-DENSITY RRAM

Номер патента: US20210233959A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Wafer scale technique for interconnecting vertically stacked dies

Номер патента: US20140300008A1. Автор: Dorren Harmen Joseph Sebastiaan,Raz Oded,Duan Pinxiang,Smalbrugge Elbertus. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

HORIZONTALLY ORIENTED AND VERTICALLY STACKED MEMORY CELLS

Номер патента: US20150221866A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Device and method for alignment of vertically stacked wafers and die

Номер патента: US20200203286A1. Автор: John H. Zhang,Paul Ferreira,Walter Kleemeier,Ronald K. Sampson. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Memory, and Methods of Forming Vertically-Stacked Structures

Номер патента: US20180219153A1. Автор: Hopkins John D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-08-02.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170229470A1. Автор: ZHU Hongbin,Khandekar Anish A.,Dennison Charles H.,Haller Gordon A.,Lowe Brett D.,Cleereman Brian,He Lining. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Vertically Stacked Image Sensor

Номер патента: US20140320718A1. Автор: Fan Xiaofeng. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US20160240587A1. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190229126A1. Автор: ZHU Hongbin,Khandekar Anish A.,Dennison Charles H.,Haller Gordon A.,Lowe Brett D.,Cleereman Brian,He Lining. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20160284719A1. Автор: ZHU Hongbin,Khandekar Anish A.,Dennison Charles H.,Haller Gordon A.,Lowe Brett D.,Cleereman Brian,He Lining. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Approach to the manufacturing of monolithic 3-dimensional high-rise integrated-circuits with vertically-stacked double-sided fully-depleted silicon-on-insulator transistors

Номер патента: US20180294284A1. Автор: Tarakji Ahmad,Chaudhary Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Vertically stacked photovoltaic and thermal solar cell

Номер патента: US20180315871A1. Автор: Seamus Curran,Nigel Alley,Kang-Shyang Liao,Amrita Haldar,Sampath Dias,Soniya Devi Yambem. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2018-11-01.

Vertically Stacked Image Sensor

Номер патента: US20160343770A1. Автор: Fan Xiaofeng. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20150348991A1. Автор: Wilson Aaron R.,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

FLUXONIUM QUBIT AND DEVICES INCLUDING PLURALITY OF VERTICAL STACKS OF JOSEPHSON JUNCTIONS

Номер патента: US20200335549A1. Автор: Topaloglu Rasit O.,Adiga Vivekananda P.,Sandberg Martin O.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

VERTICALLY STACKED MULTICHIP MODULES

Номер патента: US20190393196A1. Автор: PARK Changyoung,JONG Mankyo. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICALLY STACKED SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20200411481A1. Автор: Chiu Chin-Tien,Zhang Cong,Yang Xuyi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-31.

VERTICALLY STACKED AND BONDED MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20220415841A1. Автор: SHARMA Abhishek A.,KOBRINSKY Mauro J.,GOMES Wilfred. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertically stacked ReRAM device and manufacturing of the same

Номер патента: KR101375773B1. Автор: 황현상. Владелец: 인텔렉추얼디스커버리 주식회사. Дата публикации: 2014-03-18.

Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes

Номер патента: US8598598B2. Автор: Sung Han Kim,Kyoung Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-03.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US9036402B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Integrated dual sided all in one energy system in which a plurality of dual sided all in one energy apparatuses is vertically stacked

Номер патента: KR102475058B1. Автор: 김상식,조경아,박윤범. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-07.

Vertically stacked photovoltaic and thermal solar cell

Номер патента: CN104185903A. Автор: S·柯伦,S·迪亚斯,廖康庠,S·D·亚穆班,A·哈达尔,N·艾雷. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2014-12-03.

Vertically stacked pre-packaged integrated circuit chips

Номер патента: US20110045635A1. Автор: Keith Gann,Douglas M. Albert. Владелец: Aprolase Development Co LLC. Дата публикации: 2011-02-24.

Dye-sensitized solar cell module having vertically stacked cells and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1926111A3. Автор: Jong Dae Kim,Mangu Kang,Soo Young Oh,Yongseok Jun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-14.

Vertically stacked pip/mim parallel capacitor

Номер патента: KR101660499B1. Автор: 강영진. Владелец: (주)다빛센스. Дата публикации: 2016-09-29.

Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication

Номер патента: KR20010101020A. Автор: 존슨마크지.,리토마스에이치.,서브라마니안비벡,팜월드피.마이클,클리브스제임스엠.. Владелец: 매트릭스 세미컨덕터 인코포레이티드. Дата публикации: 2001-11-14.

Vertically stacked photovoltaic and thermal solar cell

Номер патента: EP2517257A4. Автор: Seamus Curran,Nigel Alley,Kang-Shyang Liao,Amrita Haldar,Sampath Dias,Soniya Devi Yambem. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2017-07-05.

Integrated dual-sided all-in-one energy system including plural vertically stacked dual-sided all-in-one energy apparatuses

Номер патента: US20220223777A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Yoon Beom PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2022-07-14.

Methods and apparatus for vertically stacked multicolor light-emitting diode (led) display

Номер патента: EP3586368A4. Автор: Kyusang Lee,Jeehwan Kim,Wei Kong. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-12-09.

3d static ram core cell having vertically stacked structure, and static ram core cell assembly comprising same

Номер патента: WO2017116143A1. Автор: 김재준,정성준,조길원,권지민,경수정. Владелец: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단. Дата публикации: 2017-07-06.

Vertically stacked photovoltaic and thermal solar cell

Номер патента: US10170650B2. Автор: Seamus Curran,Nigel Alley,Kang-Shyang Liao,Amrita Haldar,Sampath Dias,Soniya Devi Yambem. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-01-01.

Vertically-stacked integrated circuits with wide bandwidth ports

Номер патента: AU2001274970A1. Автор: William J. Ooms,Michael G. Taylor,Charles W. Shanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-01-14.

Spectrometer including vertical stack structure and non-invasive biometric sensor including the spectrometer

Номер патента: EP3018459B1. Автор: Dongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-22.

Unipolar resistance random access memory device and vertically stacked architecture

Номер патента: CN1983618A. Автор: 巴里·C·斯泰普. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-06-20.

Vertically stacked image sensors with cutoff filters

Номер патента: WO2010080094A1. Автор: Yu Wang. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2010-07-15.

Four vertically stacked memory layers in a non-volatile re-writeable memory device

Номер патента: US7847330B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Steve Kuo-Ren Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Holding system for horizontally or vertically stacking framed photovoltaic or solar thermal flat modules

Номер патента: US8328020B2. Автор: Martin Flossmann. Владелец: EckPack Service GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-12-11.

Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes

Номер патента: JP5193048B2. Автор: フン キム、キョン,ハン キム、ソン. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US10665599B2. Автор: Charles H. Dennison,Gordon A. Haller,Hongbin Zhu,Brett D. Lowe,Lining He,Anish A. Khandekar,Brian Cleereman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Logic circuit using vertically stacked heterojunction field effect transistors

Номер патента: EP0521700B1. Автор: Herbert Goronkin,Jonathan K. Abrokwah,William J. Ooms,Carl L. Shurboff,Theodore X. Zhu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-09-09.

Vertically stacked semiconductor device

Номер патента: KR100890073B1. Автор: 칼얀 씨. 체루쿠리,윌리암 제이. 비그라스. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-03-24.

Preparation method of vertically stacked full-color Micro-LED chip

Номер патента: CN115440862A. Автор: 周圣军,周千禧. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-12-06.

Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes

Номер патента: CN101263610A. Автор: 金敬训,金成翰. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-10.

Low-modulus film die attach adhesive for vertical stack packaging, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN115260963A. Автор: 李婷,伍得,廖述杭,苏峻兴. Владелец: Wuhan Sanxuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Vertically-stacked plate interdigital capacitor structure

Номер патента: US20060113630A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Method and apparatus for connecting vertically stacked integrated circuit chips

Номер патента: AU2003225259A8. Автор: Douglas M Albert,Keith D Gann. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 2003-11-03.

Logic circuit with vertically stacked heterojunction field effect transistors

Номер патента: DE69226909D1. Автор: Herbert Goronkin,Jonathan K Abrokwah,William J Ooms,Carl L Shurboff,Theodore Zhu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-10-15.

Holding system for horizontally or vertically stacking framed photovoltaic or solar thermal flat modules

Номер патента: US20110220598A1. Автор: Martin Flossmann. Владелец: EckPack Service GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-09-15.

Vertically stacked semiconductor device including a hybrid bond contact junction circuit and methods of forming the same

Номер патента: US20220320047A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Ghia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Device and method for alignment of vertically stacked wafers and die

Номер патента: US20160079131A1. Автор: John H. Zhang,Paul Ferreira,Walter Kleemeier,Ronald K. Sampson. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-17.

Device and method for alignment of vertically stacked wafers and die

Номер патента: US20200203286A1. Автор: John H. Zhang,Paul Ferreira,Walter Kleemeier,Ronald K. Sampson. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-06-25.

Device and method for alignment of vertically stacked wafers and die

Номер патента: US9324660B2. Автор: John H. Zhang,Paul Ferreira,Walter Kleemeier,Ronald K. Sampson. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-26.

Package architecture with vertical stacking of integrated circuit dies having planarized edges

Номер патента: WO2023250224A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertically stacked multichip modules

Номер патента: US20180138152A1. Автор: Changyoung PARK,Mankyo JONG. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Package architecture with vertical stacking of integrated circuit dies having planarized edges

Номер патента: US20230420409A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Michael Crocker,Anand S. Murthy,Debendra Mallik,Stephen Morein,Matthew Adiletta,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Aaron Gorius,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Joshua Fryman,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Package architecture of photonic system with vertically stacked dies having planarized edges

Номер патента: US20230420432A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Package architecture of scalable compute wall having compute bricks with vertically stacked dies

Номер патента: US20240006395A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertically stacked semiconductor device including a hybrid bond contact junction circuit and methods of forming the same

Номер патента: US12015010B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Self-aligned hybrid substrate stacked gate-all-around transistors

Номер патента: WO2023099112A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Nanosheet FET with wrap-around inner spacer

Номер патента: US09842914B1. Автор: Chen Zhang,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20220384456A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20240276697A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical-stacked coupled quantum-dot vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: TWI268028B. Автор: Jyh-Shyang Wang,Kuo-Jui Lin,Ju-Shiung Hsiao,Chiu-Yueh Liang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-12-01.

Vertical-stacked coupled quantum-dot vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: TW200625740A. Автор: Jyh-Shyang Wang,Kuo-Jui Lin,Ju-Shiung Hsiao,Chiu-Yueh Liang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-07-16.

Vertical stack approach in low profile aluminum solid electrolytic capacitors

Номер патента: US09576734B2. Автор: Erik Karlsen Reed,Chris Stolarski,Liancai Ning,Qun Ya,Xincheng Jin. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertically stacked, integratable, multipurpose platform configurable as wireless base stations

Номер патента: WO2023039290A3. Автор: Dimitrios Lalos,Alex J. LALOS. Владелец: Dimitrios Lalos. Дата публикации: 2023-04-20.

Vertical Stack Approach in Low Profile Aluminum Solid Electrolytic Capacitors

Номер патента: US20140055909A1. Автор: Stolarski Chris,Ning Liancai,Ya Qun,Jin Xincheng,Reed Erik Karlsen. Владелец: KEMET ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

BATTERY CELL OF VERTICALLY STACKED STRUCTURE

Номер патента: US20160056497A1. Автор: Kim Je Young,Oh Sei Woon,LEE Eun Ju. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2016-02-25.

VERTICALLY STACKING CIRCUIT BOARD CONNECTORS

Номер патента: US20190097339A1. Автор: Lim David Kyungtag,Formenti Michael John. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

VERTICALLY STACKED INDUCTORS AND TRANSFORMERS

Номер патента: US20170213637A1. Автор: Vanukuru Venkata Narayana Rao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

A battery cell of vertical stacking structure

Номер патента: KR101684365B1. Автор: 이은주,김제영,오세운. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-12-08.

Battery Cell of Vertical Stacking Structure

Номер патента: KR101684359B1. Автор: 이은주,김제영,심정아,오세운. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-12-08.

Ring-type RF antenna in which coils are vertically stacked and underground burial RFID tag with the same

Номер патента: KR102403125B1. Автор: 나상빈. Владелец: 주식회사 케이엠콘. Дата публикации: 2022-05-30.

Traction battery exchange station for electrically driven automobiles - has chain conveyor delivery system from vertically stacked battery store to battery-changing pit under vehicle platform.

Номер патента: FR2696139A1. Автор: Garrigou Joel. Владелец: Garrigou Joel. Дата публикации: 1994-04-01.

Vertically stacked hollow dipoles conductively supported on a mast

Номер патента: US3159838A. Автор: Felix B Facchine. Владелец: AERO GEO ASTRO CORP. Дата публикации: 1964-12-01.

Multi-connection type header connector, vertically stacked type socket connector to be connected thereto, and laterally laid type socket connector

Номер патента: TW200520319A. Автор: Keiji Kuroda,Ryo Moriwake,Shohei Takatsuki. Владелец: J S T Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Medium and Large Size Battery Module of Vertical Stacking Structure

Номер патента: KR100919390B1. Автор: 양재훈,한지훈,노종열,윤준일,남궁억. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2009-09-29.

VERTICAL STACKED ELECTRIC BATTERIES

Номер патента: FR2600823B3. Автор: . Владелец: VILLE BRUNE ARNAUD DE. Дата публикации: 1988-09-23.

Vertically stacked transformer installing structure

Номер патента: KR102079566B1. Автор: 이영민. Владелец: 한국전력공사. Дата публикации: 2020-02-20.

Vertically stacked electric storage battery

Номер патента: FR2600823A1. Автор: . Владелец: VILLE BRUNE ARNAUD DE. Дата публикации: 1987-12-31.

Vertical Stack Approach in Low Profile Aluminum Solid Electrolytic Capacitors

Номер патента: US20140055909A1. Автор: Erik Karlsen Reed,Chris Stolarski,Liancai Ning,Qun Ya,Xincheng Jin. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Preventing a loop in a vertical stack network

Номер патента: US09584399B2. Автор: Hai HU,Minghui Wang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-02-28.

Preventing a loop in a vertical stack network

Номер патента: EP2992651A1. Автор: Hai HU,Minghui Wang. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2016-03-09.

Preventing a loop in a vertical stack network

Номер патента: WO2014176948A1. Автор: Hai HU,Minghui Wang. Владелец: Hangzhou H3C Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory devices including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatuses including memory device

Номер патента: US20240215250A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Group III nitride integration with CMOS technology

Номер патента: US09564526B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Can Bayram,William J. Gallagher,Christopher Peter D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Group III nitride integration with CMOS technology

Номер патента: US09660069B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Can Bayram,William J. Gallagher,Christopher Peter D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4319529A1. Автор: Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230413507A1. Автор: Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230014884A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230292530A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Vertical FET with Differential Top Spacer

Номер патента: US20200152769A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230008902A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US11329043B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US20240258319A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory

Номер патента: US09696264B2. Автор: Steven R. Lange,Robert M. Danen,Stefano Palomba. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20200206791A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Door operator sensor and logic for vertically stacking panel door systems

Номер патента: US20240125165A1. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Zhizhuo Wu. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Door operator sensor and logic for vertically stacking panel door systems

Номер патента: WO2024080998A1. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Zhizhuo Wu. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for vertically stacking mailpieces via the top or bottom of the stack

Номер патента: US20040061282A1. Автор: Denis Stemmle. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Vertically stacked lidar assembly

Номер патента: US20230296736A1. Автор: Matthew Cox. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Vertically stacked lidar assembly

Номер патента: US11982767B2. Автор: Matthew Cox. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Vertically stacked lidar assembly

Номер патента: WO2021071537A1. Автор: Matthew Cox. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Shielded vertically stacked data line architecture for memory

Номер патента: US09734915B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

System for lubricating two adjacent and vertically stacked gear trains

Номер патента: RU2643086C2. Автор: Себастьен ШАФ,Матьё ЛЕЛЕЮ. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2018-01-30.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20180290186A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Vertical stability roller for vertically stacking panels

Номер патента: US11920394B2. Автор: James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20190224727A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Vertical stability roller for vertically stacking panels

Номер патента: WO2023249603A1. Автор: James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertical stability roller for vertically stacking panels

Номер патента: US20230407691A1. Автор: James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Resilient vertical stacked chip network

Номер патента: US20180300265A1. Автор: David A. Roberts,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical stability roller for vertically stacking panels

Номер патента: US20240200380A1. Автор: James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Vertically stacking panel door with cam levers and ramps

Номер патента: US11873670B2. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Vertically stacking panel door with a lifting cam

Номер патента: US11927055B2. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Fluid-cooled led-based lighting methods and apparatus for controlled agricultural environments having a vertically-stacked multiple-level growing area

Номер патента: US20210120748A1. Автор: Ihor Lys,Nicholas Maderas. Владелец: Agnetix Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Vertically stacking panel door with a lifting cam

Номер патента: WO2022076278A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Vertically stacking panel door with a lifting cam

Номер патента: CA3194650A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Seals for vertically stacking panel door

Номер патента: US11879292B2. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Seals for vertically stacking panel door

Номер патента: WO2023229572A1. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Seals for vertically stacking panel door

Номер патента: US20230374850A1. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Joseph A. Garrah. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Attachment sub-systems for vertically-stacked multicopters

Номер патента: US11939046B1. Автор: Madeline Elliott Parker,Cameron Robertson,Benjamin Otto Berry,Christopher Scott Saunders,Graham Bowen-Davies. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Vertically stacked carded aramid web useful in fire fighting clothing

Номер патента: EP1567703A2. Автор: Richard H. Young,Laurence N. Bascom,Robert Lee Edmundson,Arun P. Aneja. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2005-08-31.

Vertically stacked mems devices and controller device

Номер патента: US20240199411A1. Автор: Robertus Petrus Van Kampen,Julio C. Costa,Roberto Gaddi,Mickael Renault,Jonathan Hale Hammond,Lance Barron,Paul Castillou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Tool and method for organizing a vertically stacked pile of items

Номер патента: WO2006065885A3. Автор: Linda Pollock. Владелец: Linda Pollock. Дата публикации: 2008-11-20.

Vertically stacked mems device and controller device

Номер патента: EP4330183A1. Автор: Robertus Petrus Van Kampen,Julio C. Costa,Roberto Gaddi,Mickael Renault,Jonathan Hale Hammond,Lance Barron,Paul Castillou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Hermetically sealed implant sensors with vertical stacking architecture

Номер патента: EP4242614A3. Автор: Ariel CAO. Владелец: Injectsense Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Vertically stacking panel door with cam levers and improved ramps

Номер патента: WO2023158673A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Optical waveguide device using vertically stacked de-centered bend structures for high-to-low index optical mode transforming

Номер патента: WO2017124032A1. Автор: Xiaochen Sun,Ningning Feng. Владелец: LAXENSE INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Vertically stacked dual heat engine rack

Номер патента: US12007146B2. Автор: Ansley Houston,Parth Patel,Rohan Scafe. Владелец: Rinnai America Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Safety lock system for vertically stacked storage elements

Номер патента: US4298236A. Автор: Robert N. Laroche. Владелец: Artopex Inc. Дата публикации: 1981-11-03.

Safety lock system for vertically stacked storage elements

Номер патента: CA1114883A. Автор: Robert N. Laroche. Владелец: Artopex Inc. Дата публикации: 1981-12-22.

Vertically stacking panel door with improved curved track portions

Номер патента: US20230374836A1. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Nathan John Janiczek. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertically stacking panel door with improved curved track portions

Номер патента: WO2023229573A1. Автор: Brandon Carl Smith,James Janick,Nathan John Janiczek. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatus for loading and unloading vertically stacked racks

Номер патента: US3850316A. Автор: R Schmitt. Владелец: Columbia Machine Inc. Дата публикации: 1974-11-26.

Vertically Stacking Litter Bags

Номер патента: US20100329590A1. Автор: Douglas J. Minkler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Vertically Stacking Litter Bags

Номер патента: US20120187014A1. Автор: Douglas J. Minkler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Vertically stacking litter bags

Номер патента: CA2707971A1. Автор: Douglas J. Minkler. Владелец: Clorox Co. Дата публикации: 2010-12-24.

Fabric with three vertically stacked wefts with twinned forming wefts

Номер патента: CA2502921C. Автор: David S. Rougvie,Jeffrey Joseph Collegnon,John Lafond. Владелец: Albany International Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Computationally efficient weighting and vertical stacking methods and apparatus for improving signal-to-noise ratio of seismic data

Номер патента: US4561074A. Автор: Ralph E. Warmack. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1985-12-24.

Method and apparatus for selecting inverse power weighting prior to vertically stacking acquired seismic data for suppressing noise

Номер патента: US4561075A. Автор: James W. Smith,Jerry W. Ehlers. Владелец: Standard Oil Co. Дата публикации: 1985-12-24.

Gaming device including a card processing assembly having vertically-stacked card holders operable with thermally-printable data cards and portable card changeover machines

Номер патента: US20120052958A1. Автор: Joseph R. Hedrick,William R. Wells,Franco Crivelli,Greg Parrott. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-03-01.

Differential SG/EG spacer integration with equivalent NFET/PFET spacer widths and dual raised source drain expitaxial silicon and triple-nitride spacer integration enabling high-voltage EG device on FDSOI

Номер патента: US09806170B1. Автор: Peter Baars,Jan Höntschel,Ryan Sporer,Hans-Jürgen Thees,George Robert MULFINGER,Rick J. Carter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Integration of hybrid germanium and group III-V contact epilayer in CMOS

Номер патента: US09543216B2. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Multi-chambered shield enclosure for vertically stacked module arrangement and electronic apparatus incorporating same

Номер патента: WO2023129571A3. Автор: Claudio Santiago Ribeiro,Cesar Eduardo Nunez,Gustavo Dario Leizerovich,Steven Kenneth Mackiewicz,Ivan Quiroz. Владелец: Ubicquia, Inc.. Дата публикации: 2023-08-03.

Multi-chambered shield enclosure for vertically stacked module arrangement and electronic apparatus incorporating same

Номер патента: US12108581B2. Автор: Claudio Santiago Ribeiro,Cesar Eduardo Nunez,Gustavo Dario Leizerovich,Steven Kenneth Mackiewicz,Ivan Quiroz. Владелец: Ubicquia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Multi-chambered shield enclosure for vertically stacked module arrangement and electronic apparatus incorporating same

Номер патента: EP4445416A2. Автор: Claudio Santiago Ribeiro,Cesar Eduardo Nunez,Gustavo Dario Leizerovich,Steven Kenneth Mackiewicz,Ivan Quiroz. Владелец: Ubicquia Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Multi-chambered shield enclosure for vertically stacked module arrangement and electronic apparatus incorporating same

Номер патента: WO2023129571A2. Автор: Claudio Santiago Ribeiro,Cesar Eduardo Nunez,Gustavo Dario Leizerovich,Steven Kenneth Mackiewicz,Ivan Quiroz. Владелец: Ubicquia, Inc.. Дата публикации: 2023-07-06.

Preventing a loop in a vertical stack network

Номер патента: EP2992651A4. Автор: Hai HU,Minghui Wang. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2017-01-18.

Preventing a loop in a vertical stack network

Номер патента: US20160036688A1. Автор: Hai HU,Minghui Wang. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Component Carrier With Alternatingly Vertically Stacked Layer Structures of Different Electric Density

Номер патента: US20180343751A1. Автор: Tuominen Mikael. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Vertically stacked reram device having improved horizontal electrode and manufacturing of the same

Номер патента: KR101355623B1. Автор: 황현상. Владелец: 인텔렉추얼디스커버리 주식회사. Дата публикации: 2014-01-27.

Vertically stacked turnstile array

Номер патента: US20050088337A1. Автор: Robert Lorenz. Владелец: Thales North America Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Vertically-stacking slide-in electronic equipment rack framework - has internal flanges forming supports for variable-height shelf supports and allows rear access for modules

Номер патента: FR2529046A1. Автор: Roland Vulpillat. Владелец: R V ELECTRONIQUE. Дата публикации: 1983-12-23.

Vertically-stacked electronic devices having conductive carbon films

Номер патента: US20100284156A1. Автор: Lin Zhong,James M. Tour,Jun Yao,Yubao Li,Alexander Sinitskiy,Mian Dong. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2010-11-11.

Magnetic induction heater having vertically stacked u-type water pipe

Номер патента: KR102095881B1. Автор: 홍복식. Владелец: 주식회사 대흥그린에너지. Дата публикации: 2020-04-01.

The data forwarding port selecting method and device of a kind of vertical stack system

Номер патента: CN107493244A. Автор: 杨世平,郑炎,王同乐,曹淑玲. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Vertically stacked control unit

Номер патента: WO2003014877A2. Автор: Helmut Ludl. Владелец: Helmut Ludl. Дата публикации: 2003-02-20.

Vertically stacked bipolar dynamic random access memory and fabricating method thereof

Номер патента: KR940001425B1. Автор: 이규홍,김대용,강원구,이진효. Владелец: 재단법인 한국전자통신연구소. Дата публикации: 1994-02-23.

Vertically stacked control unit

Номер патента: WO2003014877A3. Автор: Helmut Ludl. Владелец: Helmut Ludl. Дата публикации: 2003-08-14.

Vertically stacked thermopile

Номер патента: WO2011127556A1. Автор: Radu M. Marinescu,Reiner Quad,Arthur Barlow,Yuan Hsi Chan,Michael Ersoni,Hermann KARAGÖZOGLU. Владелец: EXCELITAS CANADA INC.. Дата публикации: 2011-10-20.

Vertically stacked control unit

Номер патента: EP1423996A4. Автор: Helmut Ludl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-19.

Multi-layered, vertically stacked non-volatile memory device and method of fabrication

Номер патента: US7948024B2. Автор: Yoon-dong Park,Suk-pil Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Component carrier with alternating vertically stacked layer structure of different charge density

Номер патента: CN106658967B. Автор: 米卡埃尔·图奥米宁. Владелец: Autos (china) Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Mobile telephone battery pack having vertically stacked internal battery, printed circuit and integrated circuit reader.

Номер патента: FR2808959A1. Автор: Francois Chambon. Владелец: Sagem SA. Дата публикации: 2001-11-16.

Block structure of vertically-stacked or horizontally-aligned type flat speaker

Номер патента: KR101322258B1. Автор: 김동만. Владелец: 주식회사 엑셀웨이. Дата публикации: 2013-10-28.

Component carrier with alternatingly vertically stacked layer structures of different electric density

Номер патента: US10834831B2. Автор: Mikael Tuominen. Владелец: AT&S China Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: WO2024137197A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: US20240204109A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Single spacer tunnel on stack nanowire

Номер патента: US09825143B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Transistor gate structures and methods of forming thereof

Номер патента: US20230317859A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Low resistance source/drain contacts for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US9978750B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajasekhar Venigalla,Dechao Guo,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated assemblies having charge-trapping material arranged in vertically-spaced segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12150303B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill,Purnima Narayanan,Francois H. Fabreguette. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of multi-WF for multi-Vt and thin sidewall deposition by implantation for gate-last planar CMOS and FinFET technology

Номер патента: US09418899B1. Автор: Min-Hwa Chi,Haiting Wang,Weihua Tong,Xusheng Wu,Yan Ping SHEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Vertical-type nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09431416B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Phil-ouk Nam,Hun-Hyeong Lim,Jun-kyu YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US09704569B1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Vertically Stacking Panel Door With Cam Levers

Номер патента: US20240218719A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertically stacked photobioreactors with adjustable reflector fins

Номер патента: WO2024089707A1. Автор: Sai SARANGA DAS,Suraishkumar G. K.. Владелец: Vaayuneer Sciences Private Limited. Дата публикации: 2024-05-02.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20130170284A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20130235650A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: Micro Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20140009991A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Hopper loader having arced conveyor for forming an overlapping stream of signatures from a vertical stack

Номер патента: US6017028A. Автор: John St. John,Eduardo Salazar. Владелец: Baldwin Technology Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Toy vehicle playset formed of interchangeable interlocking vertically stacked modules

Номер патента: WO2000010670A1. Автор: Trevor Hayes. Владелец: MATTEL, INC.. Дата публикации: 2000-03-02.

Toy vehicle playset formed of interchangeable interlocking vertically stacked modules

Номер патента: EP1073503A1. Автор: Trevor Hayes. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2001-02-07.

Method and apparatus for packing vertically stacked coins, stamps and other stacked articles in a shrinking film

Номер патента: US3704566A. Автор: Gert Zimmermann. Владелец: F Zimmermann GmbH and Co KG. Дата публикации: 1972-12-05.

Method for the management of a warehouse that houses pneumatic tires fitted with transponders and arranged in vertical stacks

Номер патента: US20240012416A1. Автор: Francesco IOZIA. Владелец: Bridgestone Europe NV SA. Дата публикации: 2024-01-11.

Thermal management in horizontally or vertically stacked dies

Номер патента: WO2022197395A1. Автор: Stephen Gunther,Randy Osborne,Julien Sebot,Joshua Een,Somvir Singh Dahiya,Scot KELLAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices with vertically stacked and laterally offset intermediate waveguides

Номер патента: US12066671B2. Автор: Hsing-Kuo Hsia,Chewn-Pu Jou,Chih-Wei Tseng,Cheng-Tse Tang,Ming Yang Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells and Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20140226392A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Stack handling machine for personal hygiene pads - uses vertical drum with four cavities spaced at 90 degrees and having vertical stack pushed into side cavities and then extracted

Номер патента: FR2521113A1. Автор: Pierre Fleury,Francois Herrero. Владелец: Ruby Ets SA. Дата публикации: 1983-08-12.

Vertical stacking process of crates loaded with liquid containers having container tops, and apparatus for use in stacking loaded pallets

Номер патента: BR9914827A. Автор: Trenton M Overholt. Владелец: Rehrig Pacific Co. Дата публикации: 2001-07-10.

Vertically stacked components in a control module for a sewing machine

Номер патента: US4442784A. Автор: William Weisz,Raymond S. Tyburcy. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1984-04-17.

Weather sensor including vertically stacked multi-power modules

Номер патента: CA3013934C. Автор: Christopher T. Ulmer. Владелец: Intellisense Systems Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Image forming apparatus having a plurality of vertically stacked image forming units

Номер патента: US5787324A. Автор: Takeo Iwasaki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-28.

Vertically stacking panel door with cam levers

Номер патента: US11933094B2. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Vertical stacking system using restricted tote access method

Номер патента: EP1007448A1. Автор: Timothy J. Robey,Paul M. Roy, Jr.. Владелец: Bellheimer Metallwerk Gmbh. Дата публикации: 2000-06-14.

Tower printing system having multiple vertically stacked satellite printing stations

Номер патента: US5179899A. Автор: Georg Riescher,Ranier Burger. Владелец: MAN Roland Druckmaschinen AG. Дата публикации: 1993-01-19.

Semiconductor devices with vertically stacked waveguides

Номер патента: US20230221511A1. Автор: Hsing-Kuo Hsia,Chewn-Pu Jou,Chih-Wei Tseng,Cheng-Tse Tang,Ming Yang Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Device for stacking sheet-like objects in vertical stacks of a certain number of objects

Номер патента: DE3810484C2. Автор: John A Beeman,James L Leep,Floyd R Solt,Troy F Smith,Wayne S Marvin. Владелец: Mead Corp. Дата публикации: 1998-08-20.

PROCESS AND DEVICE FOR PACKAGING VERTICAL STACKED COINS, VALUE MARK OD. DGL. STACKING PARTS IN A BAG MADE FROM SHRINK FILM

Номер патента: DE2219490A1. Автор: Werner Schmechel. Владелец: F Zimmermann GmbH and Co KG. Дата публикации: 1973-10-31.

Automatic stack strapping mechanism - has preliminary and main vertical stack compression rams operated in sequence with horizontal indexing thruster

Номер патента: DE2739791A1. Автор: Nichtnennung Beantragt. Владелец: MEY oHG GEB. Дата публикации: 1979-03-15.

Device for packaging vertically stacked coins, tokens or the like. Stacked parts in a bag made of a shrink film

Номер патента: DE2219490B2. Автор: Werner 1000 Berlin Schmechel. Владелец: F Zimmermann GmbH and Co KG. Дата публикации: 1975-02-27.

Device for vertical stacking and unstacking of preferably open stacking containers

Номер патента: AT214850B. Автор: . Владелец: Leifeld & Lemke Maschf. Дата публикации: 1961-04-25.

Vertical stacking system using restricted tote access method

Номер патента: AU7229498A. Автор: Timothy J. Robey,Paul M. Roy Jr.. Владелец: Bellheimer Metallwerk Gmbh. Дата публикации: 1998-10-30.

Toy vehicle playset formed of interchangeable interlocking vertically stacked modules

Номер патента: AU5120499A. Автор: Trevor Hayes. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2000-03-14.

Apparatus for lifting and vertically separating a plurality of heavy vertically stacked objects

Номер патента: US3224731A. Автор: Albert M Carlson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1965-12-21.

Vertically stacking panel door with cam levers

Номер патента: CA3193768A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Vertically stacking panel door with cam levers

Номер патента: EP4222333A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2023-08-09.

Vertical stacking system using restricted tote access method

Номер патента: EP1007448B1. Автор: Timothy J. Robey,Paul M. Roy, Jr.. Владелец: Bellheimer Metallwerk Gmbh. Дата публикации: 2002-06-26.

Toy vehicle playset formed of interchangeable interlocking vertically stacked modules

Номер патента: AU753994B2. Автор: Trevor Hayes. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Vertical stack presenter for presenting inflator ring

Номер патента: WO2009155503A3. Автор: John Fox,Lawrence J. Lawson. Владелец: Android Industries LLC. Дата публикации: 2010-04-01.

Vertically stacked carded aramid web useful in fire fighting clothing

Номер патента: AU2003291080A8. Автор: Richard H Young,Laurence N Bascom,Robert Lee Edmundson,Arun P Aneja. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-06-15.

Vertically stacked carded aramid web useful in fire fighting clothing

Номер патента: AU2003291080A1. Автор: Richard H. Young,Laurence N. Bascom,Robert Lee Edmundson,Arun P. Aneja. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-06-15.

Vertically stacked third-dimensional embedded re-writeable non-volatile memory and registers

Номер патента: US20110242871A1. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Parking vehicles in a vertical stack

Номер патента: AU2983984A. Автор: Gotthard Zirlewagen. Владелец: OTTO WOEHR GMBH. Дата публикации: 1985-01-24.

Parking vehicles in a vertical stack

Номер патента: AU543556B2. Автор: Gotthard Zirlewagen. Владелец: OTTO WOEHR GMBH. Дата публикации: 1985-04-26.

HERMETICALLY SEALED IMPLANT SENSORS WITH VERTICAL STACKING ARCHITECTURE

Номер патента: US20160000344A1. Автор: CAO ARIEL. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SHIELDED VERTICALLY STACKED DATA LINE ARCHITECTURE FOR MEMORY

Номер патента: US20160019970A1. Автор: Sakui Koji. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Integrated Assemblies Comprising Vertically-Stacked Memory Array Decks and Folded Digit Line Connections

Номер патента: US20200051614A1. Автор: Derner Scott J.,Ingalls Charles L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

VERTICALLY STACKED OR DIVIDED FLUID FILTER SYSTEM FOR INLET, OUTLET OR BOTH INLET AND OUTLET FILTERING

Номер патента: US20140151285A1. Автор: Kendall James W.,KUEHL STEVEN JOHN,CUR NIHAT O.,SENNINGER MARK M.,KEE TIMOTHY A.,MYERS VERNE H.,PATERA GINGER ELAYNE,Goodwin Kirk W.. Владелец: WHIRLPOOL CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

VERTICALLY STACKING PANEL DOOR WITH CAM LEVERS

Номер патента: US20220098912A1. Автор: Balay Thomas,Janick James,Smith Brandon C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

VERTICALLY STACKED LIDAR ASSEMBLY

Номер патента: US20210103038A1. Автор: Cox Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Vertically stacking panel door with cam levers and improved ramps

Номер патента: US20220170303A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: Cornellcookson LLC. Дата публикации: 2022-06-02.

FLUID-COOLED LED-BASED LIGHTING METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLED AGRICULTURAL ENVIRONMENTS HAVING A VERTICALLY-STACKED MULTIPLE-LEVEL GROWING AREA

Номер патента: US20210120748A1. Автор: Lys Ihor,Maderas Nicholas. Владелец: Agnetix, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

SHIELDED VERTICALLY STACKED DATA LINE ARCHITECTURE FOR MEMORY

Номер патента: US20180122482A1. Автор: Sakui Koji. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

APPARATUS FOR MAINTAINING SPACE CREATED BETWEEN VERTICALLY STACKED LOADS AND A METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20140209772A1. Автор: YEATER Paulie Ann. Владелец: STRAD ENERGY SERVICES LTD.. Дата публикации: 2014-07-31.

System for preventing fluid damage to vertically stacked vehicles

Номер патента: US20150136717A1. Автор: Stephanie Stephens Serio,Elizabeth Ashley Serio. Владелец: Total Concept Marine LLC. Дата публикации: 2015-05-21.

THERMAL MANAGEMENT IN HORIZONTALLY OR VERTICALLY STACKED DIES

Номер патента: US20220300049A1. Автор: Gunther Stephen,Sebot Julien,Osborne Randy,Dahiya Somvir Singh,Kellar Scot,Een Joshua. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

WIND POWER GENERATION UNIT AND WIND POWER GENERATION SYSTEM OF VERTICALLY STACKED TYPE

Номер патента: US20150167635A1. Автор: Kim Chul-Ho,KWAK Seung-Ryeol,JEONG Kwang-Sup,LEE Sung-Woon. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

MICROELECTRONICS PACKAGE WITH VERTICALLY STACKED MEMS DEVICE AND CONTROLLER DEVICE

Номер патента: US20210188624A1. Автор: Renault Mickael,Costa Julio C.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Hermetically Sealed Implant Sensors With Vertical Stacking Architecture

Номер патента: US20210196138A1. Автор: CAO ARIEL. Владелец: InjectSense, Inc.. Дата публикации: 2021-07-01.

CONTROL METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH VERTICALLY STACKED STRUCTURE

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Lin Chrong-Jung,Pan Hsin-Wei. Владелец: LITE-ON IT CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-02.

Vertical Stacking Bale Accumulator

Номер патента: US20150208583A1. Автор: Bergen Harvey G.,Friesen A. Philip,Friesen Derek J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

SYSTEM FOR VERTICALLY STACKING TRAYS

Номер патента: US20140291193A1. Автор: Heyman Yosef. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE USING VERTICALLY STACKED DE-CENTERED BEND STRUCTURES FOR HIGH-TO-LOW INDEX OPTICAL MODE TRANSFORMING

Номер патента: US20170205580A1. Автор: Sun Xiaochen,Feng Ningning. Владелец: LAXENSE INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING DEFECT DEPTHS IN VERTICAL STACK MEMORY

Номер патента: US20140300890A1. Автор: Lange Steven R.,Danen Robert M.,Palomba Stefano. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

REMOVABLE CLEANING DEVICES AND METHODS OF USE FOR CLEANING VERTICAL STACK PLUMBING SYSTEMS

Номер патента: US20200206791A1. Автор: Roberts Terry Lee. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

REMOVABLE CLEANING DEVICES AND METHODS OF USE FOR CLEANING VERTICAL STACK PLUMBING SYSTEMS

Номер патента: US20190224727A1. Автор: Roberts Terry Lee. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Vertically Stacked Pill Container

Номер патента: US20210315773A1. Автор: Siskov Evgeny. Владелец: Healamin, Inc.. Дата публикации: 2021-10-14.

SHIELDED VERTICALLY STACKED DATA LINE ARCHITECTURE FOR MEMORY

Номер патента: US20140369116A1. Автор: Sakui Koji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

SHIELDED VERTICALLY STACKED DATA LINE ARCHITECTURE FOR MEMORY

Номер патента: US20190279722A1. Автор: Sakui Koji. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20180290186A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

RESILIENT VERTICAL STACKED CHIP NETWORK

Номер патента: US20180300265A1. Автор: Roberts David A.,Gurumurthi Sudhanva. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Modular Vertical Stacking Load Bearing Wall and Shoring System

Номер патента: US20150361660A1. Автор: Battisti Peter,Platon John. Владелец: ADOLFSON & PETERSON, INC.. Дата публикации: 2015-12-17.

VERTICALLY STACKED FLOORS

Номер патента: US20170362814A1. Автор: Bergman George. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Apparatus for gas phase polymerization of olefins in vertically stacked reactors

Номер патента: US5034195A. Автор: Gerald M. Platz. Владелец: Brown and Root USA Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Method and apparatus for gas phase polymerization of olefins in vertically stacked reactors

Номер патента: EP0369640A2. Автор: Gerald M. Platz. Владелец: Brown & Root Inc(a Delaware Corporation). Дата публикации: 1990-05-23.

Method and apparatus for gas phase polymerization of olefins in vertically stacked reactors

Номер патента: CA2002082A1. Автор: Gerald M. Platz. Владелец: Brown and Root USA Inc. Дата публикации: 1990-05-18.

Machine for making vertical stacks of removable-flask moulds

Номер патента: SU605528A3. Автор: Гройлих Вальтер (Фрг),Фиала Иозеф (Чсср). Владелец: Георг Фишер Аг (Фирма). Дата публикации: 1978-04-30.

Method, system, and apparatus for securing a section of a vertical stack of generally flat sheets, cartons, and like

Номер патента: US20050089389A1. Автор: Don Cawley. Владелец: Saga Automation Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication

Номер патента: US6351406B1. Автор: James M. Cleeves,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,Vivek Subramanian,P. Michael Farmwald. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-02-26.

Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication

Номер патента: US6525953B1. Автор: Mark G. Johnson. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-25.

Spacer for vertically stacked pipette tip holders

Номер патента: EP2848308A1. Автор: Thomas Iten,Hanna Rethwisch. Владелец: TECAN TRADING AG. Дата публикации: 2015-03-18.

Automated warehousing system has articles stored in vertically stacked compartments accessed by handling system

Номер патента: DE202004004620U1. Автор: . Владелец: Tgw-Transportgeraete-Gesmbh & Co Kg Wels. Дата публикации: 2004-08-12.

Fabric with three vertically stacked wefts with twinned forming wefts

Номер патента: CA2502921A1. Автор: David S. Rougvie,Jeffrey Joseph Collegnon,John Lafond. Владелец: John Lafond. Дата публикации: 2004-06-10.

METHOD AND DEVICE FOR VERTICAL STACKING OF DOCUMENTS

Номер патента: FR2975980B1. Автор: Gilles Bodereau. Владелец: RECMI Industrie. Дата публикации: 2014-05-09.

Agricultural trailer with bale loading and unloading appts. - pushes vertical stacks of gathered bales rearwardly to load trailer

Номер патента: FR2428388A1. Автор: Gerardo Scalvenzi,Francesco Scalvenzi. Владелец: ROTABILI F LLI SCALVENZI PONTE. Дата публикации: 1980-01-11.

Automatic item distributor - has magazines accommodating vertical stacks and discharged in turn from top

Номер патента: FR2302945A1. Автор: Roger Despres. Владелец: AUTOMOBILE CIE GLE. Дата публикации: 1976-10-01.

Mass prodn. of tiles or bricks - ejected from rotary press to form vertical stacks on carrier plates used in drying oven

Номер патента: FR2317063A1. Автор: . Владелец: Longinotti SpA. Дата публикации: 1977-02-04.

Moulding machine mfg. vertical stacks of boxless sand moulds - uses turntable indexing frames through three stations last one of which includes hydraulic jack raised slide

Номер патента: FR2420384A1. Автор: I N Afanasjuk,V V Grabovsky,J M Kliot,L M Lebeden,A I Khodin. Владелец: INST T AVTOMOBILNO. Дата публикации: 1979-10-19.

A kind of vertical stacking feed device

Номер патента: CN110467004A. Автор: 李俊霖,兰志鹏,余楹飞,龚本强. Владелец: Ease Science And Technology Ltd Of Wuhan Tian. Дата публикации: 2019-11-19.

Heat exchanger using vertical stack of carbon blocks - where each block has large number of holes for heat exchange between two fluids, esp. for cooling acid

Номер патента: FR2496245A1. Автор: . Владелец: PRZED PROJEKTOWANIA. Дата публикации: 1982-06-18.

Shielded vertically stacked data line architecture for memory

Номер патента: US10242746B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Device for binding vertically-stacked plane articles and bound plane articles

Номер патента: CN202062831U. Автор: F·富克斯. Владелец: Kugler Womako GmbH. Дата публикации: 2011-12-07.

Hermetically sealed implant sensors with vertical stacking architecture

Номер патента: WO2016004251A1. Автор: Ariel CAO. Владелец: CAO ARIEL. Дата публикации: 2016-01-07.

DEVICE FOR VERTICAL STACKING OF PLATES, ESPECIALLY GLASS PLATES

Номер патента: FR2633597B1. Автор: Jean-Pierre Boulandet,Pierre Champeil. Владелец: Societe Generale pour les Techniques Nouvelles SA SGN. Дата публикации: 1991-04-12.

Fluid flow and vol measuring appts for weirs - has vertically stacked thermistor detectors and digital data transmission

Номер патента: FR2302507A1. Автор: . Владелец: Jenkins Roy. Дата публикации: 1976-09-24.

Wind power generating unit and vertically stacked wind power generation system

Номер патента: EP3085954A1. Автор: Sung Woon Lee,Chul Ho Kim,Seung Ryeol Kwak,Kwang-Sup JEONG. Владелец: Sung Jin Aero Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-26.

Hermetically sealed implant sensors with vertical stacking architecture

Номер патента: EP3164059A1. Автор: Ariel CAO. Владелец: Injectsense Inc. Дата публикации: 2017-05-10.

Vertically stacked collapsible structures

Номер патента: US6926020B2. Автор: Yu Zheng. Владелец: Patent Category Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Weather sensor including vertically stacked multi-power modules

Номер патента: CA3013934A1. Автор: Christopher T. Ulmer. Владелец: Physical Optics Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for accessing vertically stacked embedded non-flash re-writable non-volatile memory

Номер патента: US8064284B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-22.

Mechanical adhesion of floor panels by vertical stacking

Номер патента: RU2458221C2. Автор: Дарко Перван. Владелец: Велинге Инновейшн Аб. Дата публикации: 2012-08-10.

Vertical stack retainer for vending machines

Номер патента: US6302293B1. Автор: Francis A. Wittern, Jr.,Paul L. Hawkins. Владелец: Inland Finance Co. Дата публикации: 2001-10-16.

IMPROVEMENT OF DEVICES FOR DELIVERY OF ITEMS PREPARED IN VERTICAL STACKS IN AUTOMATIC DISPENSERS

Номер патента: BE794650A. Автор: J Hemard. Владелец: PERNOD. Дата публикации: 1973-05-16.

Frame structure for a collapsible box with top access, side access and interconnected vertical stacking

Номер патента: WO2007040782A3. Автор: Martin Spindel,Nadine Cino. Владелец: Nadine Cino. Дата публикации: 2007-06-21.

Wrapping machine for short cylindrical objects - has vertical stack guide for objects after pressing into place with air jet

Номер патента: FR2370635A2. Автор: . Владелец: Evrard Jacques. Дата публикации: 1978-06-09.

Device for the automatic vertical stacking of sheets

Номер патента: EP0433755A1. Автор: Giancarlo Masini. Владелец: Civiemme Srl. Дата публикации: 1991-06-26.

Web paper glazing calander station has vertically stacked wind-off spool and wind-on spool separated by no more than ten metres

Номер патента: DE102004024292A1. Автор: Günter Bonk. Владелец: Voith Paper Patent GmbH. Дата публикации: 2005-12-01.

Gas generator for air bags having vertical stack arrangement

Номер патента: US5224734A. Автор: Gregory Swiderski. Владелец: Daicel Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1993-07-06.

Vertically stacked baskets

Номер патента: DE10316693B4. Автор: Igor Juric. Владелец: SPICHTIG AG STEINEN. Дата публикации: 2005-03-10.

Integrated systems using vertically-stacked three-dimensional memory cells

Номер патента: US6765813B2. Автор: Roy E. Scheuerlein,J. James Tringali,Christopher S. Moore,Alper Ilkbahar,David R. Friedman,Colm P. Lysaght. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Fabric with three vertically stacked wefts with twinned forming wefts

Номер патента: CN100385064C. Автор: 大卫·S·罗伍吉维,杰佛瑞·J·柯里诺恩,约翰·拉冯德. Владелец: Albany International Corp. Дата публикации: 2008-04-30.

Fabric with three vertically stacked wefts with twinned forming wefts

Номер патента: TWI251635B. Автор: Jeffrey Joseph Collegnon,John Lafond,David S Rougvie. Владелец: Albany Int Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Tightly packed, vertically stacked winding roll packaging

Номер патента: DE4016265C2. Автор: Paul E Sowa,Neil D Linnerud. Владелец: Signode Corp. Дата публикации: 2000-03-23.

Apparatus for loading and unloading vertically stacked racks

Номер патента: CA998961A. Автор: Robert A. Schmitt. Владелец: Columbia Machine Inc. Дата публикации: 1976-10-26.

Self-seller with several vertical stacks of goods arranged side by side

Номер патента: DE703308C. Автор: Alois Hieb. Владелец: Individual. Дата публикации: 1941-03-06.

Support post for a vertically stacked, solid moderator structure of an atomic nuclear reactor

Номер патента: DE1177750B. Автор: Pierre Rouge,Roger Manes. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1964-09-10.

Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication

Номер патента: US20030064572A1. Автор: Mark JOHNSON. Владелец: Johnson Mark G.. Дата публикации: 2003-04-03.

Device for the vertical stacking of printed products

Номер патента: DE59707771D1. Автор: Ralf-Peter Schubart,Karlheinz Hiemer. Владелец: GAEMMERLER AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Device for vertically stacking plates, particularly glass plates

Номер патента: FR2633597A1. Автор: Jean-Pierre Boulandet,Pierre Champeil. Владелец: Societe Generale pour les Techniques Nouvelles SA SGN. Дата публикации: 1990-01-05.

Method and apparatus for edge grinding of vertically stacked plate items

Номер патента: EP1195227A2. Автор: Karsten Kristiansen. Владелец: Karsten Kristiansen. Дата публикации: 2002-04-10.

Self-seller for piece goods from several vertical stacks or departments with optionally movable output slides

Номер патента: DE559468C. Автор: . Владелец: MILLS NOVELTY CO. Дата публикации: 1932-09-20.

More prefabricated components double-row vertical stacking adapters

Номер патента: CN107791226A. Автор: 刘健,何超,张建强,严玉海. Владелец: Zhongtian Construction Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

A vertical stack of nested thermoformed foodstuffs punnets

Номер патента: GB2560501B. Автор: Mccaffrey Thomas,Maguire Ruairi. Владелец: Quinn Packaging Ltd. Дата публикации: 2019-11-27.

System for vertically stacking trays

Номер патента: WO2013069007A1. Автор: Yosef HEYMAN. Владелец: Eco Pack Green Box Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Toy vehicle playset formed of interchangeable interlocking vertically stacked modules

Номер патента: EP1073503A4. Автор: Trevor Hayes. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2006-01-25.

Steam cooking device has cooking space divided into vertically stacked compartments with temperature regulation for each compartment dependent on cooking parameters for different foods

Номер патента: DE10301131B3. Автор: Thomas Metz,Uwe Berger,Hartmut Dr. Dittrich. Владелец: Miele und Cie KG. Дата публикации: 2004-05-06.

Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication

Номер патента: WO2003017427A3. Автор: Mark G Johnson. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Mass prodn. of flat coils of tube - made from vertical stack of tubes in machine fitted with two rows of driven mandrels

Номер патента: FR2345240A1. Автор: Andre Brisseaux,Claude Molina. Владелец: Societe de Vente de lAluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1977-10-21.

Retention system for horizontally or vertically stacking framed photovoltaic or solar electronic planar modules

Номер патента: JP5605609B2. Автор: フロスマン マーティン. Владелец: エクパック サービス ゲーエムベーハー アンド カンパニー カーゲー. Дата публикации: 2014-10-15.

Vertical stacking terminal for containers

Номер патента: EP0133472A2. Автор: Federico Lancieri,Domenico Leone,Carlo Grattarola. Владелец: Italimpianti SpA. Дата публикации: 1985-02-27.

Panties diaper dispenser box to hold loose, vertically stacked diapers with one diaper each with one-handed access

Номер патента: DE29621781U1. Автор: . Владелец: KLINGLER SABINE 90559 BURGTHANN DE. Дата публикации: 1997-04-03.

VERTICALLY STACKED COMPONENTS IN A CONTROL MODULE FOR A SEWING MACHINE

Номер патента: FR2537617B1. Автор: . Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1985-10-25.

Vertically stacked or divided fluid filter system for inlet

Номер патента: CA2892381A1. Автор: James W. Kendall,Steven John Kuehl,Nihat O. Cur,Ginger Elayne Patera,Verne H. MYERS,Timothy A. Kee,Mark M. Senninger,Kirk W. Goodwin. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Transfer of separate and successive product items or vertical stacks, from a conveyor to a packaging station, has a rotating unit with openings to take them and pass them over the filling opening to drop for packaging in bags

Номер патента: DE102004058535A1. Автор: Walter Dr. Baur. Владелец: Rovema Verpackungsmaschinen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-06-14.

Horizontal belt for vertical stacking of moderator bars of a nuclear reactor

Номер патента: FR1200409A. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1959-12-21.

Apparatus and method for unstacking a vertical stack of loading equipment

Номер патента: DE102009042771A1. Автор: Willibald Purker. Владелец: SSI SCHAEFER PEEM GMBH. Дата публикации: 2011-04-07.

Vertical-stack structure reactor

Номер патента: RU2570004C2. Автор: Рэндол Дж. БАРТОС,Уильям Э. УИТЕНБЕРГЕР,Гордон У. БРАНСОН,Браян Л. ДЭВИС,Тодд А. РОМЕСБЕРГ,Джозеф У. УИТЕНБЕРГЕР. Владелец: Джонсон Мэттей Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2015-12-10.

Vertically stacking panel door with cam levers

Номер патента: WO2022072395A1. Автор: Thomas Balay,James Janick,Brandon C. Smith. Владелец: CORNELLCOOKSON, LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Coreless adapter recessed standard roll vertically stacked dual roll dispenser

Номер патента: EG22163A. Автор: Stephen L Phelps. Владелец: Kimberly Clark Co. Дата публикации: 2002-09-30.

Coreless adapter for recessed, standard roll, vertically stacked dual roll dispenser

Номер патента: TW414698B. Автор: Richard Paul Lewis,Stephen Lawrence Phelps. Владелец: Kimberly Clark Co. Дата публикации: 2000-12-11.

Gaming device including a card processing assembly having vertically-stacked card holders operable with thermally-printable data cards and portable card changeover machines

Номер патента: AU2006202695A1. Автор: Joseph R. Hedrick,William R. Wells,Franco Crivelli,Greg Parrott. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-01-18.

Container vertical-stacking link

Номер патента: GB8615283D0. Автор: . Владелец: Scottish and Newcastle Breweries PLC. Дата публикации: 1986-07-30.

Air fryer with multiple vertically-stacked cooking compartments

Номер патента: US20240215758A1. Автор: Drew Carlson,Derek McCullough. Владелец: Hamilton Beach Brands Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional memory device including a deformation-resistant edge seal structure and methods for making the same

Номер патента: US20200235123A1. Автор: Akio Nishida,Kenji Sugiura,Yuji Fukano,Mitsuteru Mushiga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor wafer handling and transport

Номер патента: US09862554B2. Автор: Robert T. Caveney. Владелец: Brooks Automation Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09905549B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Structure and method for reducing vertical crack propagation

Номер патента: US20130075913A1. Автор: Thomas L. McDevitt,Jeffrey P. Gambino,Edward C. Cooney, III,Zhong-Xiang He,William J. Murphy,Xiao Hu Liu,Gary L. Milo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230389275A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US12046285B2. Автор: Naoki Takeguchi,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory device with via structures surrounded by perforated dielectric moat structure and methods of making the same

Номер патента: US11756877B2. Автор: Hisaya Sakai,Yoshitaka Otsu,Kota Funayama,Kazuto Ohsawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional memory device including a mid-stack source layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240363165A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Takumi Moriyama,Kento SAKANE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional memory device including through-memory-level via structures and methods of making the same

Номер патента: US20210384206A1. Автор: Takaaki IWAI,Hirofumi TOKITA,Yoshitaka Otsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory devices and electronic systems

Номер патента: US12113052B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Two-motor vertical component storage system

Номер патента: US20240208727A1. Автор: Yuen-Foo Michael Kou. Владелец: ACCU-ASSEMBLY Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device containing inverted staircase and method of making the same

Номер патента: US20240260268A1. Автор: Yoshitaka Otsu,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230317119A1. Автор: Seung Hwan Kim,Jung Min KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Two-motor vertical component storage system

Номер патента: WO2024144988A1. Автор: Yuen-Foo Michael Kou. Владелец: Accu-Assembly Incorporated. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device containing inverted staircase and method of making the same

Номер патента: WO2024163028A1. Автор: Yoshitaka Otsu,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Rambus stakpak

Номер патента: WO1999049468A1. Автор: Russell Rapport,James W. Cady. Владелец: Staktek Corporation. Дата публикации: 1999-09-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2024123476A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-wafer 3d cam cell

Номер патента: US20120127771A1. Автор: Kerry Bernstein,Robert J. Bucki,Jagreet S. Atwal,Joseph S. Barnes,Jason A. Cox. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Bonded three-dimensional memory device having temporary electrical grounding paths in dummy block and methods of making the same

Номер патента: US20240243061A1. Автор: Masanori Tsutsumi,Takumi Moriyama,Junji Oh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321740A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata,Masanori OISUGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847346B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Microelectronic devices, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240074142A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Device for preventing deformation of fuel cell stack

Номер патента: US09627707B1. Автор: Yong Suk HEO,Haeng Jin Ko. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-04-18.

Device for preventing deformation of fuel cell stack

Номер патента: US20170110753A1. Автор: Yong Suk HEO,Haeng Jin Ko. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-04-20.

Vertically meandered frequency selective limiter

Номер патента: AU2020326426B2. Автор: Matthew A. Morton,Gerhard Sollner,Jason C. SORIC. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory device with hybrid support structures and methods of making the same

Номер патента: US20240237345A1. Автор: ZHIWEI CHEN,Kazuyuki Iwata,Yusuke Ikawa,Kei Samura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device containing etch stop structures for word line contacts and methods of employing the same

Номер патента: US20240251560A1. Автор: Hirofumi TOKITA,Toshiyuki Isome. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Back bias control for always-on circuit section enabling leakage reduction during power saving mode

Номер патента: US11979145B1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240244820A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee`. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240215243A1. Автор: Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto,Koichi Matsuno,Masanori Tsutsumi,Takumi Moriyama,Michio Oryoji,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240237350A1. Автор: Bing Zhou,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024151406A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional ferroelectric memory device containing lattice-matched templates and methods of making the same

Номер патента: WO2022154827A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory device including an electrically conductive layer with a tapered corner and method of making the same

Номер патента: US20240292627A1. Автор: Peng Zhang,Satoshi Shimizu,Shinsuke YADA,Takuya MUROOKA,Kazuki ISOZUMI,Motoo OHAGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for vertical control of stacks of containers with radioactive wastes

Номер патента: RU2738027C1. Автор: Александр Михайлович Степанов,Юрий Викторович Красников,Алексей Валериевич Стародубцев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Инженерное Бюро Воронежского Акционерного Самолетостроительного Общества". Дата публикации: 2020-12-07.

Metal detection system for use with medical waste container

Номер патента: AU2022201626B2. Автор: Bruce D. Henniges,Erik Vaclav Chmelar,Christopher PHILLIPP,Andrew Lee WALLNER,Jeffrey Lee VANOSS. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Stacking wire for produce containers

Номер патента: US4496053A. Автор: Walton B. Crane. Владелец: INDUSTRIAL DESIGNS AND SERVICES. Дата публикации: 1985-01-29.

Device for determining explosive charge / ammunition explosion pulse in the near zone

Номер патента: RU2662722C1. Автор: Иван Михайлович Сидоров,Владимир Валентинович Колтунов,Николай Михайлович Ватутин,Григорий Николаевич Горюнов,Михаил Игоревич Сидоров,Андрей Вячеславович Петюков. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Научно-исследовательский институт "Геодезия" (ФКП "НИИ "Геодезия"). Дата публикации: 2018-07-27.

Modular multistoried production shop and construction methods

Номер патента: RU2627052C2. Автор: Маркус ДРИС. Владелец: ДСМ АйПи АССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Cutlery dispensing system and method

Номер патента: NZ780325A. Автор: William A Gallop,Ashish K Mithal. Владелец: Waddington North America Inc. Дата публикации: 2024-05-31.

CONTACTS-FIRST SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE TRANSISTOR WITH GATE-ALL-AROUND

Номер патента: US20140042385A1. Автор: Han Shu-Jen,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

CONTACTS-FIRST SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE TRANSISTOR WITH GATE-ALL-AROUND

Номер патента: US20140045303A1. Автор: Han Shu-Jen,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

ALIGNED GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20140054724A1. Автор: Wu Zhiqiang,Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2014-02-27.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for centring flasks in vertical stack

Номер патента: RU2060856C1. Автор: Александр Иванович Тарасов,Владимир Викторович Фонов,Виктор Викторович Грабовский,Юрий Павлович Сокол,Игорь Вячеславович Синявский,Татьяна Александровна Ванюкова. Владелец: Белорусский научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт литейного производства. Дата публикации: 1996-05-27.

Winding roll vertical stacking palletizer and winding roll vertical stacking method on pallet

Номер патента: JP3612806B2. Автор: ▲晧▼ 片岡,雄 片岡. Владелец: 株式会社片岡機械製作所. Дата публикации: 2005-01-19.

Solid stacking sofas - 90 degree vertical stacking weatherproof sofas

Номер патента: GB201219340D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-12.

Apparatus for supplying liquid nutrients to vertically stacked greenhouse soil trays

Номер патента: CA934964A. Автор: G. Poon Yull. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-10-09.

Auxiliary apparatus intended for vertical stacking of piece goods

Номер патента: CA662531A. Автор: Schmitt Walter. Владелец: Vereinigte Glanzstoff Fabriken AG. Дата публикации: 1963-05-07.

Frame structure for a collapsible box with top access, side access and interconnected vertical stacking

Номер патента: CA2663346C. Автор: Martin Spindel,Nadine Cino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-22.

Vertical stack gate flash memory structure and method

Номер патента: TW373339B. Автор: Shui-Hung Chen,Mong-Song Liang,chong-rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-01.

Borderless vertical stacked contact processing

Номер патента: TW452934B. Автор: Bing-Yue Tsuei. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2001-09-01.

Vertical Stacking of Carbon Nanotube Arrays for Current Enhancement and Control

Номер патента: US20120032149A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-09.

Vertically Stacked FETs With Series Bipolar Junction Transistor

Номер патента: US20120032274A1. Автор: Erickson Karl R.,Paone Phil C.,Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Williams Kelly L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-09.

GAMING DEVICE INCLUDING A CARD PROCESSING ASSEMBLY HAVING VERTICALLY-STACKED CARD HOLDERS OPERABLE WITH THERMALLY-PRINTABLE DATA CARDS AND PORTABLE CARD CHANGEOVER MACHINES

Номер патента: US20120052958A1. Автор: Hedrick Joseph R.,WELLS William R.,Crivelli Franco,Parrott Greg. Владелец: IGT. Дата публикации: 2012-03-01.

System Including Vertically Stacked Embedded Non Flash Re Writable Non Volatile Memory

Номер патента: US20120069620A1. Автор: . Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-22.

VERTICALLY STACKED FIN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120126883A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: Micron Technology,Inc.. Дата публикации: 2012-05-24.

Vertically Stacking Litter Bags

Номер патента: US20120187014A1. Автор: Minkler Douglas J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

Patterning Embedded Control Lines for Vertically Stacked Semiconductor Elements

Номер патента: US20120199915A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-08-09.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20120248504A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

VERTICALLY STACKED FIELD PROGRAMMABLE NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20120250396A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING VERTICALLY STACKED MEMORY CELLS THEREIN

Номер патента: US20120276719A1. Автор: KIM Bongcheol,Kim Daewoong,Jang Kyung-Tae,Han Tae-Jong,Kwon Ohchel. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

System And Method For Vertically Stacked Information Handling System And Infrastructure Enclosures

Номер патента: US20120302150A1. Автор: Schmitt Ty,RIEGLER Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING A VERTICALLY-STACKED CAPACITOR AND A METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120305872A1. Автор: YOON Tae-Eung. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Vertical Stacking of Field Effect Transistor Structures for Logic Gates

Номер патента: US20130001701A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR VERTICALLY STACKING A SENSOR ON AN INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20130001709A1. Автор: LIU Chia-Ming. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

VERTICAL STACKED LIGHT EMITTING STRUCTURE

Номер патента: US20130009175A1. Автор: LU CHUN-YU,HSU CHI-HSING,KUO MING-CHE. Владелец: AZUREWAVE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

Vertical Stacking of Carbon Nanotube Arrays for Current Enhancement and Control

Номер патента: US20130015428A1. Автор: Han Shu-Jen,Chen Zhihong,Franklin Aaron Daniel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-17.

VERTICALLY STACKED THERMOPILE

Номер патента: US20130026366A1. Автор: Barlow Arthur,Marinescu Radu M.,ERSONI MICHAEL,Karagozoglu Hermann,Quad Reiner,Chan Yuan Hsi. Владелец: EXCELITAS CANADA INC.. Дата публикации: 2013-01-31.

VERTICALLY STACKED FIN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130043531A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

TRANSISTOR EMPLOYING VERTICALLY STACKED SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBES

Номер патента: US20130130446A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Cao Qing. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-23.

Vertically Stacked Power FETS and Synchronous Buck Converter Having Low On-Resistance

Номер патента: US20140063744A1. Автор: NOQUIL Jonathan A.,Lopez Osvaldo Jorge,Herbsommer Juan Alejandro. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-06.

Vertical stack filter

Номер патента: SU662120A1. Автор: Анатолий Степанович Макаров,Владимир Натанович Чернин,Александр Сергеевич Раппопорт. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский И Проектный Институт Алюминиевой,Магниевой И Электродной Промышленности (Вами). Дата публикации: 1979-05-15.

Apparatus for vertical stacking/destacking of piece articles

Номер патента: SU735531A1. Автор: Валерий Васильевич Попов. Владелец: За витель. Дата публикации: 1980-05-25.

Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes

Номер патента: KR100716645B1. Автор: 김성한. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2007-05-09.

Electronic component vertical stack feed apparatus for use in printed circuit assembly machines

Номер патента: USD290962S. Автор: David R. Harding. Владелец: Micro Component Tech Inc. Дата публикации: 1987-07-21.

Unit for vertical stacking of stoppers

Номер патента: SU910357A1. Автор: Василий Павлович Колышкин,Михаил Дмитриевич Катрич,Анатолий Семенович Лобатенко. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский проектно-технологический институт вагоностроения. Дата публикации: 1982-03-07.

Vertically stacked read-only memory

Номер патента: JP2508236B2. Автор: 禎一郎 西坂. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-19.

Conveyer for vertical stacking of articles

Номер патента: SU1033383A1. Автор: Николай Иванович Лужецкий. Владелец: Свердловское Головное Проектно-Конструкторское Бюро Промышленного Объединения "Росмясомолремпроект". Дата публикации: 1983-08-07.

Load for loading vertical stack mould

Номер патента: SU700284A1. Автор: Владимир Августович Кусов,Инна Викторовна Егорычева,Эдуард Абрамович Гуллер. Владелец: Предприятие П/Я Р-6543. Дата публикации: 1979-11-30.

Commodity display shelf for vertical stacking

Номер патента: JPS6397114A. Автор: 明 佐々木. Владелец: TOKYO INSATSU SHIKI KK. Дата публикации: 1988-04-27.

Vertically stacked LED chips, methods of making, devices, and methods of making

Номер патента: CN115763454A. Автор: 张楠,陈朋,马艳红,郝茂盛,袁根如. Владелец: CHIP FOUNDATION TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Frame structure for a collapsible box with top access, side access and interconnected vertical stacking

Номер патента: CA2663346A1. Автор: Martin Spindel,Nadine Cino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-12.

Arrangement for assembling vertical stack moulds

Номер патента: SU1107953A1. Автор: Юрий Александрович Шпуй,Виктор Викторович Грабовский,Геннадий Петрович Савосько,Владимир Владимирович Фонов,Станислав Эдуардович Толакевич. Владелец: Научно-Исследовательский И Конструкторско-Технологический Институт Литейного Производства Автомобильной Промышленности. Дата публикации: 1984-08-15.

Vertical stacked evaporative condenser

Номер патента: CN210532754U. Автор: 钱君. Владелец: Zhongqi Petrochemical Equipment Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-15.

Box with internal platform for vertical stacking of products

Номер патента: CA2003550A1. Автор: Louis Madonna,Chris Garrett. Владелец: Paperboard Industries Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

A vertical stacking device for corrugated container board production

Номер патента: CN217675931U. Автор: 马永林,陈英春,葛学飞. Владелец: Lin'an Hongfei Packaging Co ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

Sequential feeding mechanism for vertically stacked cylindrical articles in side-by-side magazines

Номер патента: CA547918A. Автор: C. Johnson Elmer. Владелец: Vendo Co. Дата публикации: 1957-10-22.

Container vertical-stacking link

Номер патента: GB8515878D0. Автор: . Владелец: Scottish and Newcastle Breweries PLC. Дата публикации: 1985-07-24.

METHODS OF INTEGRATING REVERSE eSiGe ON NFET AND SiGe CHANNEL ON PFET, AND RELATED STRUCTURE

Номер патента: US20120228716A1. Автор: Schepis Dominic J.,Holt Judson R.,Harley Eric C. T.,Steigerwalt Michael D.,Black Linda,Carter Rick. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

LOW POWER FAST LEVEL SHIFTER

Номер патента: US20120001673A1. Автор: HURRELL Christopher Peter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD TO CONTROL SOURCE/DRAIN STRESSOR PROFILES FOR STRESS ENGINEERING

Номер патента: US20120001228A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,HOLT Judson Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lithium Secondary Battery Unit Set with Bus Bar, and Lithium Secondary Battery Set with Bus Bar

Номер патента: US20120003520A1. Автор: Oh JeonKeun,LEE SeungJun,LEE Hyosung,Yun Jungsik. Владелец: SK INNOVATION CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BEAM COMBINING LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002395A1. Автор: . Владелец: JDS Uniphase Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature-stabilized storage systems configured for storage and stabilization of modular units

Номер патента: US20120000918A1. Автор: Wood,Gates William,Hyde Roderick A.,Jung Edward K.Y.,Kare Jordin T.,Myhrvold Nathan P.,Tegreene Clarence T.,JR. Lowell L.,Deane Geoffrey F.,Pegram Nathan,Whitmer Charles,Kuiper Mark K.,Peterson Nels R.,Yildirim Ozgur Emek,Fowler Lawrence Morgan,Hu Jenny Ezu,Vilhauer Mike. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND PACKAGE INCLUDING THE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001286A1. Автор: YOON JUNHO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BEAM COMBINING LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002293A1. Автор: Xu Lei,Guo James Yonghong,Skidmore Jay A.,Du Jihua,Duesterberg Richard L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VENDING MACHINE FOR STORAGE, LABELING AND DISPENSING OF A CONTAINER

Номер патента: US20120004770A1. Автор: Bessette Derek,Lindner Duane,Ooyen Wes Van. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

EXTERNAL-CAVITY ONE-DIMENSIONAL MULTI-WAVELENGTH BEAM COMBINING OF TWO-DIMENSIONAL LASER ELEMENTS

Номер патента: US20120002272A1. Автор: . Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

Bottles with Top Loading Resistance

Номер патента: US20120000882A1. Автор: . Владелец: S.C. Johnson & Son, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Clock Routing in Mulitiple Channel Modules and Bus Systems

Номер патента: US20120001670A1. Автор: Haba Belgacem,Nguyen David,KOLLIPARA RAVINDRANATH T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR DIE OF A MULTI-CHIP MODULE

Номер патента: US20120002392A1. Автор: . Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for cooling hot rolled coiled strips

Номер патента: RU2116147C1. Автор: В.Д. Плахтин,К.З. Дзарахохов,В.П. Кольцов,Е.П. Сергеев,В.Ф. Модеев,Ю.В. Липухин,Л.В. Полев. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Северсталь". Дата публикации: 1998-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.